JP7289359B2 - 磁気センサ装置 - Google Patents
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Description
12a、12b、12c インパルスワイヤ
13、13´ コイルアセンブリ
14、14´ センサ素子
15 センサコイル
16、16´ フィードバック素子
17 フィードバックコイル
18 エネルギー貯蔵器
20 ダイオード
22 スイッチング素子
24 制御ユニット
26 遅延モジュール
28 充電状態検出モジュール
30 後処理電子機器
32 多目的コイル
Claims (8)
- 少なくとも2本のインパルスワイヤ(12a、12b、12c)と、
前記少なくとも2本のインパルスワイヤ(12a、12b、12c)を半径方向で囲むコイルアセンブリ(13、13´)であって、センサ素子(14、14´)および補助磁場を生成するように構成されたフィードバック素子(16、16´)を形成するコイルアセンブリ(13、13´)と、
前記コイルアセンブリ(13、13´)に電気的に接続されたエネルギー貯蔵器(18)と、
前記エネルギー貯蔵器(18)および前記フィードバック素子(16、16´)に電気的に接続されたスイッチング素子(22)と、を備える磁気センサ装置(10、10´)であって、
前記スイッチング素子(22)を電気的に制御する制御ユニット(24)が設けられ、前記制御ユニット(24)は、前記コイルアセンブリ(13、13´)の前記センサ素子(14、14´)における電圧パルスによって制御されるように構成され、所定の遅延時間経過後にトリガ信号を提供するように構成された遅延モジュール(26)を備えることを特徴とする、磁気センサ装置(10、10´)。 - 少なくとも2本のインパルスワイヤ(12a、12b、12c)と、
前記少なくとも2本のインパルスワイヤ(12a、12b、12c)を半径方向で囲むコイルアセンブリ(13、13´)であって、センサ素子(14、14´)および補助磁場を生成するように構成されたフィードバック素子(16、16´)を形成するコイルアセンブリ(13、13´)と、
前記コイルアセンブリ(13、13´)に電気的に接続されたエネルギー貯蔵器(18)と、
前記エネルギー貯蔵器(18)および前記フィードバック素子(16、16´)に電気的に接続されたスイッチング素子(22)と、を備える磁気センサ装置(10、10´)であって、
前記スイッチング素子(22)を電気的に制御する制御ユニット(24)が設けられ、
前記制御ユニット(24)は、前記エネルギー貯蔵器(18)の現在の充電状態を検出するように構成された充電状態検出モジュール(28)を備え、前記制御ユニット(24)は、前記充電状態検出モジュール(28)により検出された前記充電状態に応じて前記スイッチング素子(22)を制御するように構成されることを特徴とする、磁気センサ装置(10、10´)。 - 前記制御ユニット(24)は、前記エネルギー貯蔵器(18)の現在の充電状態を検出するように構成された充電状態検出モジュール(28)を備え、前記制御ユニット(24)は、前記充電状態検出モジュール(28)により検出された前記充電状態に応じて前記スイッチング素子(22)を制御するように構成される、請求項1に記載の磁気センサ装置(10、10´)。
- 前記制御ユニット(24)は、前記遅延モジュール(26)の前記トリガ信号に応答して、前記充電状態検出モジュール(28)による充電状態検出を開始するように構成される、請求項3に記載の磁気センサ装置(10、10´)。
- 前記制御ユニット(24)は、検出された前記充電状態が充電状態しきい値を下回るときに、前記スイッチング素子(22)を制御するように構成される、請求項2から4までのいずれか1項に記載の磁気センサ装置(10、10´)。
- 前記コイルアセンブリ(13´)は、前記センサ素子(14´)および前記フィードバック素子(16´)の両方を形成する単一コイル(32)を備える、請求項1から5までのいずれか1項に記載の磁気センサ装置(10、10´)。
- 前記エネルギー貯蔵器(18)はコンデンサである、請求項1から6までのいずれか1項に記載の磁気センサ装置(10、10´)。
- 前記スイッチング素子(22)は半導体スイッチである、請求項1から7までのいずれか1項に記載の磁気センサ装置(10、10´)。
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