JP7287368B2 - inductor components - Google Patents
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Description
本開示は、インダクタ部品に関する。 The present disclosure relates to inductor components.
特許文献１に記載の電子部品は、主面を有するとともに、長方形状の素体を備えている。素体の長手方向の両側には、外部端子が積層されている。そのため、外部端子はいわゆる５面電極となっている。素体の主面及び端面直交する側面を覆う外部端子のうち、側面を覆う外部端子の表面は、絶縁層に覆われていることで絶縁されている。
The electronic component described in
特許文献１に記載の電子部品は、外部端子の一部が絶縁層で覆われているとはいえ、外部端子の大半は露出している。すなわち、基板等に実装する前の状態において電子部品の絶縁性が不十分である。そのため、例えば、電子部品の保管中に静電気等を原因として電子部品の内部に電流が流れて、電子部品の内部構造が破損するおそれがある。
Although part of the external terminals of the electronic component described in
上記課題を解決するため、本発明は、主面を有する素体と、前記素体の内部で前記主面と平行に延びるインダクタ配線と、前記インダクタ配線から前記主面に直交する厚さ方向に延び、前記主面から露出している垂直配線と、前記垂直配線における前記主面から露出する部分上に配置されるとともに、前記主面においてのみ外方に露出している外部端子と、を備え、前記外部端子は、金属を含む導電部と、前記導電部を被覆しているとともに前記導電部よりも絶縁性の高い絶縁部と、を有しており、前記導電部は、前記絶縁部によって前記素体の外部から絶縁されているインダクタ部品である。 In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides an element body having a main surface, inductor wiring extending parallel to the main surface inside the element body, and inductor wiring extending in a thickness direction orthogonal to the main surface from the inductor wiring. a vertical wiring that extends and is exposed from the main surface; and an external terminal that is arranged on a portion of the vertical wiring that is exposed from the main surface and that is exposed to the outside only at the main surface. The external terminal has a conductive portion containing a metal and an insulating portion that covers the conductive portion and has higher insulation than the conductive portion, and the conductive portion is separated by the insulating portion. It is an inductor component insulated from the outside of the element body.
上記構成によれば、外部端子の表面は、絶縁部によって絶縁されている。そのため、インダクタ部品を基板等に実装するまでに、外部端子間で電気が流れることを防ぐことができる。 According to the above configuration, the surface of the external terminal is insulated by the insulating portion. Therefore, it is possible to prevent electricity from flowing between the external terminals until the inductor component is mounted on the substrate or the like.
インダクタ部品を基板等に実装するまでに、外部端子間で電気が流れないインダクタ部品を提供する。 To provide an inductor component in which electricity does not flow between external terminals until the inductor component is mounted on a substrate or the like.
＜第１実施形態＞
以下、インダクタ部品の第１実施形態について説明する。なお、図面は理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図中のものとは異なる場合がある。
<First embodiment>
A first embodiment of the inductor component will be described below. In addition, in order to facilitate understanding, the drawings may show constituent elements in an enlarged manner. The dimensional proportions of components may differ from those in reality or in other figures.
図１に示すように、インダクタ部品１０は、全体として、厚さ方向Ｔｄに５つの層が積層されたような構造になっている。なお、以下の説明では、厚さ方向Ｔｄの一方側を上側とし、その反対側を下側とする。
As shown in FIG. 1, the
第１層Ｌ１は、２つのインダクタ配線２０と、各インダクタ配線２０から延びる第１支持配線４１及び第２支持配線４２と、内磁路部５１と、外磁路部５２と、によって構成されている。なお、以下の説明において、２つのインダクタ配線２０を区別する必要がある場合には、一方のインダクタ配線２０を第１インダクタ配線２０Ｒ、他方のインダクタ配線２０を第２インダクタ配線２０Ｌと呼称する。
The first layer L1 is composed of two
第１層Ｌ１は、厚さ方向Ｔｄから視ると、長方形状となっている。なお、この長方形状の長辺に平行な方向を長手方向Ｌｄ、短辺に平行な方向を短手方向Ｗｄとする。
インダクタ配線２０は、直線状に延びる配線本体２１と、配線本体２１の端部に設けられた第１パッド２２及び第２パッド２３と、によって構成されている。
The first layer L1 has a rectangular shape when viewed from the thickness direction Td. Note that the direction parallel to the long sides of the rectangle is the longitudinal direction Ld, and the direction parallel to the short sides is the width direction Wd.
The
配線本体２１は、第１層Ｌ１の長手方向Ｌｄに延びている。配線本体２１において長手方向Ｌｄの第１端側の第１端部には、第１パッド２２が接続されている。なお、配線本体２１における長手方向Ｌｄの第１端側の第１端部は、配線本体２１における長手方向Ｌｄの中央部に比べ広がるように大きくなっていてもよい。
The
第１パッド２２の短手方向Ｗｄの寸法は、配線本体２１の短手方向Ｗｄの寸法よりも大きくなっている。第１パッド２２は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、略正方形状になっている。
The dimension of the
また、配線本体２１において長手方向Ｌｄの第２端側の第２端部には第２パッド２３が接続されている。なお、配線本体２１における長手方向Ｌｄの第２端側の第２端部は、配線本体２１における長手方向Ｌｄの中央部に比べ広がるように大きくなっていてもよい。
A
インダクタ配線２０は、導電性材料からなっている。本実施形態において、インダクタ配線２０の組成は、銅の比率が９９ｗｔ％以上で硫黄の比率が０．１ｗｔ％以上１．０ｗｔ％以下とすることができる。
The
第１層Ｌ１において、配線本体２１に対して第１パッド２２を挟んだ反対側からは、第１支持配線４１が延びている。すなわち、第１支持配線４１は、第１パッド２２における長手方向Ｌｄの第１端側の縁から延びている。第１支持配線４１は、長手方向Ｌｄと平行に直線状に延びている。第１支持配線４１は、第１層Ｌ１の長手方向Ｌｄの第１端側の第１側面９１まで延びていて、第１側面９１に露出している。なお、第１支持配線４１は、インダクタ配線２０の数に対応して、２つ存在し、２つとも第１側面９１に露出している。
In the first layer L1, the
また、同様に、第１層Ｌ１において、配線本体２１に対して第２パッド２３を挟んだ反対側からは、第２支持配線４２が延びている。すなわち、第２支持配線４２は、第２パッド２３における長手方向Ｌｄの第２端側の縁から延びている。第２支持配線４２は、長手方向Ｌｄと平行に直線状に延びている。第２支持配線４２は、第１層Ｌ１の長手方向Ｌｄの第２端側の第２側面９２まで延びていて、第２側面９２に露出している。なお、第２支持配線４２は、インダクタ配線２０の数に対応して、２つ存在し、２つとも第２側面９２に露出している。
Similarly, in the first layer L1, the
第１支持配線４１及び第２支持配線４２の材質は、インダクタ配線２０と同じ導電性材料である。ただし、第１支持配線４１のうち、第１側面９１に露出している露出面４１Ａを含む一部分は、Ｃｕ酸化物になっている。同様に、第２支持配線４２のうち第２側面９２に露出している露出面４２Ａを含む一部分は、Ｃｕ酸化物になっている。
The material of the first support wiring 41 and the
図２に示すように、第１層Ｌ１の短手方向Ｗｄの中央を通り、且つ長手方向Ｌｄに延びる直線を対称軸ＡＸとしたとき、２つのインダクタ配線２０、各インダクタ配線から延びる第１支持配線４１、及び第２支持配線４２は、対称軸ＡＸを基準として線対称に、配置されている。すなわち、２つのインダクタ配線２０は、同一平面上に存在している。この実施形態では、第１インダクタ配線２０Ｒから延びる第１支持配線４１、及び第１インダクタ配線２０Ｒから延びる第２支持配線４２が、対称軸ＡＸよりも短手方向Ｗｄの第２端側に位置している。そして、第２インダクタ配線２０Ｌから延びる第１支持配線４１、及び第２インダクタ配線２０Ｌから延びる第２支持配線４２が、対称軸ＡＸよりも短手方向Ｗｄの第１端側に位置している。
As shown in FIG. 2, when a straight line passing through the center of the first layer L1 in the lateral direction Wd and extending in the longitudinal direction Ld is defined as an axis of symmetry AX, there are two
図１に示すように、第１層Ｌ１において、第１インダクタ配線２０Ｒと第２インダクタ配線２０Ｌとの間の領域は、内磁路部５１となっている。内磁路部５１の材質は、磁性材料となっている。具体的には、内磁路部５１の材質は、金属磁性粉を含有する樹脂となっている。この実施形態では、金属磁性粉は、Ｆｅ系合金又はアモルファス合金からなる金属磁性粉を含有する有機樹脂となっている。より具体的には、金属磁性粉は、鉄を含むＦｅＳｉＣｒ系金属粉である。また、金属磁性粉の平均粒子径は、約５マイクロメートルとすることができる。
As shown in FIG. 1, in the first layer L1, the region between the
なお、この実施形態において、金属磁性粉の粒子径とは、内磁路部５１を切断した断面で現れる金属磁性粉の断面形状において、その断面形状の縁から縁までに引ける線分のうち最も長い長さである。そして、平均粒子径とは、内磁路部５１を切断した断面で現れる金属磁性粉のうち、ランダムな３点以上の金属磁性粉の粒子径の平均である。
In this embodiment, the particle diameter of the metal magnetic powder is the largest line segment that can be drawn from edge to edge of the cross-sectional shape of the metal magnetic powder appearing in a cross section obtained by cutting the inner
第１層Ｌ１において、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１インダクタ配線２０Ｒよりも短手方向Ｗｄの第２端側の領域、及び第２インダクタ配線２０Ｌよりも短手方向Ｗｄの第１端側の領域は、外磁路部５２となっている。外磁路部５２の材質は、内磁路部５１と同じ磁性材料となっている。
In the first layer L1, when viewed from the thickness direction Td, the region on the second end side in the short direction Wd of the
本実施形態において、第１層Ｌ１の厚さ方向Ｔｄの寸法、すなわち、インダクタ配線２０、第１支持配線４１、及び第２支持配線４２の厚さ方向Ｔｄの寸法は、およそ４０マイクロメートルとすることができる。
In this embodiment, the dimension in the thickness direction Td of the first layer L1, that is, the dimension in the thickness direction Td of the
第１層Ｌ１の厚さ方向Ｔｄの下側の面である下面には、厚さ方向Ｔｄから視たときに第１層Ｌ１と同じ長方形状の第２層Ｌ２が積層されている。第２層Ｌ２は、２つの絶縁樹脂６１と、絶縁樹脂磁性層５３と、によって構成されている。
A second layer L2 having the same rectangular shape as the first layer L1 when viewed from the thickness direction Td is laminated on the lower surface of the first layer L1 in the thickness direction Td. The second layer L2 is composed of two insulating
絶縁樹脂６１は、インダクタ配線２０と、第１支持配線４１と、第２支持配線４２とを、厚さ方向Ｔｄの下側から覆っている。絶縁樹脂６１は、厚さ方向Ｔｄから視ると、インダクタ配線２０と、第１支持配線４１と、第２支持配線４２との外縁より僅かに広い範囲を覆うような形状となっている。その結果、絶縁樹脂６１は、全体として第２層Ｌ２の長手方向Ｌｄに延びる帯状となっている。絶縁樹脂６１の材質は、絶縁性の樹脂であり、この実施形態では例えばポリイミド系樹脂とすることができる。絶縁樹脂６１はインダクタ配線２０よりも絶縁性が高くなっている。絶縁樹脂６１は、インダクタ配線２０の数及び配置に対応して、短手方向Ｗｄに２つ並んで設けられている。
The insulating
第２層Ｌ２において、２つの絶縁樹脂６１を除く部分は、絶縁樹脂磁性層５３となっている。絶縁樹脂磁性層５３の材質は、上述した内磁路部５１や外磁路部５２と同じ磁性材料となっている。
The insulating resin
第２層Ｌ２の厚さ方向Ｔｄの下側の面である下面には、厚さ方向Ｔｄから視たときに第２層Ｌ２と同じ長方形状の第３層Ｌ３が積層されている。第３層Ｌ３は、第１磁性層５４となっている。そのため、第１磁性層５４は、インダクタ配線２０よりも下側に配置されている。第１磁性層５４の材質は、上述した内磁路部５１や外磁路部５２、絶縁樹脂磁性層５３と同じ金属磁性粉を含有する有機樹脂となっている。
A third layer L3 having the same rectangular shape as the second layer L2 when viewed from the thickness direction Td is laminated on the lower surface of the second layer L2 in the thickness direction Td. The third layer L3 is the first
一方、第１層Ｌ１の厚さ方向Ｔｄの上側の面である上面には、厚さ方向Ｔｄから視たときに第１層Ｌ１と同じ長方形状の第４層Ｌ４が積層されている。第４層Ｌ４は、２つの第１垂直配線７１と、２つの第２垂直配線７２と、第２磁性層５５とによって構成されている。
On the other hand, a fourth layer L4 having the same rectangular shape as the first layer L1 when viewed from the thickness direction Td is laminated on the upper surface of the first layer L1 in the thickness direction Td. The fourth layer L4 is composed of two first
第１垂直配線７１は、インダクタ配線２０における第１パッド２２の上面に、他の層を介することなく直接接続されている。すなわち、第１パッド２２には、第１垂直配線７１、配線本体２１の第１端部及び第１支持配線４１が接続されている。
The first
第１垂直配線７１の材質は、インダクタ配線２０と同じ材質となっている。第１垂直配線７１は、正四角柱状となっており、正四角柱の軸線方向が厚さ方向Ｔｄと一致している。
The material of the first
図２に示すように、厚さ方向Ｔｄから視たときに、正方形状の第１垂直配線７１の各辺の寸法は、正方形状の第１パッド２２の各辺の寸法よりも僅かに小さくなっている。そのため、第１パッド２２の面積は、第１パッド２２との接続箇所における第１垂直配線７１の面積よりも大きくなっている。なお、厚さ方向Ｔｄの上側から視たときに、第１垂直配線７１の中心軸線ＣＶ１は、略正方形状の第１パッド２２の幾何中心と一致している。第１垂直配線７１は、インダクタ配線２０の数に対応して２つ設けられている。
As shown in FIG. 2, when viewed from the thickness direction Td, the dimension of each side of the square-shaped first
図１に示すように、第２垂直配線７２は、インダクタ配線２０における第２パッド２３の上面に、他の層を介することなく直接接続されている。すなわち、第２パッド２３には、第２垂直配線７２、配線本体２１の第２端部及び第２支持配線４２が接続されている。
As shown in FIG. 1, the second
第２垂直配線７２の材質は、インダクタ配線２０と同じ材質となっている。第２垂直配線７２は、正四角柱状となっており、正四角柱の軸線方向が厚さ方向Ｔｄと一致している。
The material of the second
図２に示すように、厚さ方向Ｔｄから視たときに、正方形状の第２垂直配線７２の各辺の寸法は、正方形状の第２パッド２３の各辺の寸法よりも僅かに小さくなっている。そのため、第２パッド２３の面積は、第２パッド２３との接続箇所における第２垂直配線７２の面積よりも大きくなっている。なお、厚さ方向Ｔｄの上側から視たときに、第２垂直配線７２の中心軸線ＣＶ２は、略正方形状の第２パッド２３の幾何中心と一致している。第２垂直配線７２は、インダクタ配線２０の数に対応して２つ設けられている。
As shown in FIG. 2, when viewed from the thickness direction Td, the dimension of each side of the square-shaped second
図１に示すように、第４層Ｌ４において、２つの第１垂直配線７１と２つの第２垂直配線７２とを除く部分は、第２磁性層５５となっている。そのため、第２磁性層５５は、各インダクタ配線２０及び各支持配線４１、４２の上面に積層されている。すなわち、各支持配線４１、４２が、第２磁性層５５と直接接している。第２磁性層５５の材質は、上述した第１磁性層５４と同じ磁性材料となっている。
As shown in FIG. 1, the portion of the fourth layer L4 excluding the two first
インダクタ部品１０において、内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第１磁性層５４と、第２磁性層５５と、によって、磁性層５０が構成されている。内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第１磁性層５４と、第２磁性層５５とは、接続されており、各インダクタ配線２０を取り囲んでいる。このように、磁性層５０は各インダクタ配線２０に対して閉磁路を構成している。そのため、各インダクタ配線２０は、磁性層５０の内部で延びている。なお、内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第１磁性層５４と、第２磁性層５５とは、区別して図示しているが、磁性層５０として一体化されていて境界が確認できないこともある。
In
第４層Ｌ４の厚さ方向Ｔｄの上側の面である上面には、厚さ方向Ｔｄから視たときに第４層Ｌ４と同じ長方形状の第５層Ｌ５が積層されている。第５層Ｌ５は、２つの第１外部端子８１と、２つの第２外部端子８２と、絶縁層９０と、によって構成されている。
A fifth layer L5 having the same rectangular shape as the fourth layer L4 when viewed from the thickness direction Td is laminated on the upper surface of the fourth layer L4 in the thickness direction Td. The fifth layer L5 is composed of two first
第１外部端子８１は、第１垂直配線７１の上面に、他の層を介することなく直接接続されている。そのため、第１外部端子８１は、第１垂直配線７１の上面に配置されている。第１外部端子８１は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、長方形状となっており、第２磁性層５５上にも位置している。第１外部端子８１の長方形の長辺は、第５層Ｌ５の長手方向Ｌｄと平行に延びており、短辺は、第５層Ｌ５の短手方向Ｗｄと平行に延びている。第１外部端子８１は、インダクタ配線２０の数に対応して２つ設けられている。
The first
第２外部端子８２は、第２垂直配線７２の上面に、他の層を介することなく直接接続されている。そのため、第２外部端子８２は、第２垂直配線７２の上面に配置されている。第２外部端子８２は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、長方形状となっており、第２磁性層５５上にも位置している。第２外部端子８２の長方形の長辺は、第５層Ｌ５の長手方向Ｌｄと平行に延びており、短辺は、第５層Ｌ５の短手方向Ｗｄと平行に延びている。
The second
第５層Ｌ５において、２つの第１外部端子８１と、２つの第２外部端子８２とを除く部分は、絶縁層９０となっている。換言すると、第４層Ｌ４の上面のうち、２つの第１外部端子８１と、２つの第２外部端子８２と、によって覆われていない範囲は、第５層Ｌ５の絶縁層９０によって覆われている。また、厚さ方向Ｔｄから視たときに、各第１外部端子８１の外縁及び各第２外部端子８２の外縁は、絶縁層９０と接している。絶縁層９０は、磁性層５０よりも絶縁性が高く、本実施形態では、絶縁層９０はソルダーレジストとなっている。絶縁層９０の厚さ方向Ｔｄの寸法は、第１外部端子８１及び、第２外部端子８２のいずれの厚さ方向Ｔｄの寸法よりも小さくなっている。
A portion of the fifth layer L5 excluding the two first
本実施形態においては、磁性層５０と、絶縁樹脂６１と、絶縁層９０とによって、素体ＢＤが構成されている。そのため、素体ＢＤは、直方体状である。本実施形態において、素体ＢＤの厚さ方向Ｔｄの寸法は、例えば、約０．２ミリメートルである。素体ＢＤとは、インダクタ部品１０のうち、導電性を有する配線及び端子を除いた部分であり、絶縁性を有する部分である。また、素体ＢＤの形状は、上述したとおり、直方体状であり、部分的に突出する部材は除く。なお、素体ＢＤの形状が直方体状であれば、積層されている部分は素体ＢＤに含まれる。
In this embodiment, the
素体ＢＤの表面のうち、絶縁層９０における厚さ方向Ｔｄの上側の面が主面ＭＦとなっている。したがって、インダクタ配線２０は、素体ＢＤの主面ＭＦと平行に延びている。そして、インダクタ配線２０の第１パッド２２から主面ＭＦに向かって第１垂直配線７１が厚さ方向Ｔｄに延びている。第１垂直配線７１は主面ＭＦから露出している。インダクタ配線２０の第２パッド２３からは主面ＭＦに向かって第２垂直配線７２が厚さ方向Ｔｄに延びている。第２垂直配線７２は主面ＭＦから露出している。なお、本実施形態のように、第１垂直配線７１及び第２垂直配線７２における主面ＭＦから露出している面の少なくとも一部が、第１外部端子８１及び第２外部端子８２に覆われていることもある。
Among the surfaces of the base body BD, the upper surface of the insulating
各第１外部端子８１及び各第２外部端子８２は、主面ＭＦにおいて厚さ方向Ｔｄの上側に露出している。また、厚さ方向Ｔｄから視たときに、各第１外部端子８１の外縁及び各第２外部端子８２の外縁は、主面ＭＦの範囲内に配置されている。すなわち、各第１外部端子８１及び各第２外部端子８２は、素体ＢＤの表面のうち、主面ＭＦにおいてのみ素体ＢＤの外方に露出している。
Each first
素体ＢＤは主面ＭＦに垂直な第１側面９３を有している。なお、第１層Ｌ１の第１側面９１は、素体ＢＤの第１側面９３の一部である。また、素体ＢＤは主面ＭＦに垂直な側面であって第１側面９３と平行な第２側面９４を有している。なお、第１層Ｌ１の第２側面９２は、素体ＢＤの第２側面９４の一部である。すなわち、第１支持配線４１は、インダクタ配線２０から主面ＭＦと平行に延び、端部が素体ＢＤの第１側面９３に露出している。同様に、第２支持配線４２は、インダクタ配線２０から主面ＭＦと平行に延び、端部が素体ＢＤの第２側面９４に露出している。
The element body BD has a
次に、各配線について詳述する。
図２に示すように、厚さ方向Ｔｄから視たとき、２つの配線本体２１の中心軸線Ｃ１は、互いに平行に、長手方向Ｌｄに延びている。なお、配線本体２１の中心軸線Ｃ１は、配線本体２１が延びる方向と直交する方向、すなわち短手方向Ｗｄにおいて配線本体２１の中間点を辿った線である。各配線本体２１の線幅、すなわち、短手方向Ｗｄの寸法は、５０マイクロメートルとすることができる。以下の説明では、短手方向Ｗｄにおける、第１インダクタ配線２０Ｒの配線本体２１の中心軸線Ｃ１と、第２インダクタ配線２０Ｌの配線本体２１の中心軸線Ｃ１との距離を配線本体２１の間のピッチとする。そして、本実施形態では、配線本体２１の間のピッチは、例えば、およそ２５０マイクロメートルになっている。また、隣り合う配線本体２１の間隔、すなわち、図２の第１インダクタ配線２０Ｒの配線本体２１の短手方向Ｗｄの第１端側と第２インダクタ配線２０Ｌの配線本体２１の短手方向Ｗｄの第２端側との間の距離は、例えば、およそ２００マイクロメートルになっている。なお、本実施形態では、隣り合うインダクタ配線２０の最小の間隔は、第１パッド２２間の間隔及び第２パッド２３間の間隔であり、いずれも５０マイクロメートル以上になっている。例えば、第１パッド２２間の間隔及び第２パッド２３間の間隔は、およそ１１０マイクロメートルとしてもよい。
Next, each wiring will be described in detail.
As shown in FIG. 2, when viewed from the thickness direction Td, the central axes C1 of the two
第１支持配線４１の中心軸線Ａ１は、長手方向Ｌｄに延びている。なお、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１は、第１支持配線４１が延びる方向と直交する方向、すなわち短手方向Ｗｄにおいて第１支持配線４１の中間点を辿った線である。
A central axis A1 of the
第１支持配線４１の中心軸線Ａ１は、配線本体２１の中心軸線Ｃ１よりも短手方向Ｗｄの外側に位置している。すなわち、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１と配線本体２１の中心軸線Ｃ１とは一致していない。そのため、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１と配線本体２１の中心軸線Ｃ１とは、異なる直線上に位置している。また、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１の延長線は、第１垂直配線７１の中心軸線ＣＶ１と交差している。
The central axis A1 of the
また、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２は、長手方向Ｌｄに延びている。なお、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２は、第２支持配線４２が延びる方向と直交する方向、すなわち短手方向Ｗｄにおいて第２支持配線４２の中間点を辿った線である。
Also, the center axis A2 of the
第２支持配線４２の中心軸線Ａ２は、配線本体２１の中心軸線Ｃ１よりも短手方向Ｗｄの外側に位置している。すなわち、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２と配線本体２１の中心軸線Ｃ１とは一致していない。そのため、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２と配線本体２１の中心軸線Ｃ１とは、異なる直線上に位置している。また、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２の延長線は、第２垂直配線７２の中心軸線ＣＶ２と交差している。
The central axis A2 of the
同一のインダクタ配線２０から延びている第１支持配線４１及び第２支持配線４２は、短手方向Ｗｄにおいて同じ位置に配置されている。すなわち、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１と第２支持配線４２の中心軸線Ａ２とは同一直線上に位置している。なお、本願において、インダクタ配線２０の最小線幅を基準に、１０％以内のずれであれば、同一直線上にある、とみなす。具体的には、本実施形態におけるインダクタ配線２０の最小線幅は、配線本体２１の線幅である５０マイクロメートルとすることができる。したがって、本実施形態における「同一直線上」とは、２つの軸線の最短距離が５マイクロメートル以内の場合であり、「異なる直線上」とは、２つの軸線の最短距離が５マイクロメートルを超える場合である。
The
上述したように、第１層Ｌ１において、各インダクタ配線２０、各第１支持配線４１、及び各第２支持配線４２は、対称軸ＡＸを基準として、線対称に配置されている。したがって、図２に示すように、素体ＢＤの短手方向Ｗｄの第２端側の端から、第１インダクタ配線２０Ｒから延びる第１支持配線４１の中心軸線Ａ１までの距離Ｑ１は、素体ＢＤの短手方向Ｗｄの第１端側の端から、第２インダクタ配線２０Ｌから延びる第１支持配線４１の中心軸線Ａ１までの距離Ｑ１と同じである。
As described above, in the first layer L1, the
同様に、素体ＢＤの短手方向Ｗｄの第２端側の端から、第１インダクタ配線２０Ｒから延びる第２支持配線４２の中心軸線Ａ２までの距離Ｑ２は、素体ＢＤの短手方向Ｗｄの第１端側の端から、第２インダクタ配線２０Ｌから延びる第２支持配線４２の中心軸線Ａ２までの距離Ｑ２と同じである。そして、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１と第２支持配線４２の中心軸線Ａ２とは同一直線状にあることから、距離Ｑ１と距離Ｑ２は等しくなっている。
Similarly, the distance Q2 from the end on the second end side in the short direction Wd of the base body BD to the center axis A2 of the
一方、本実施形態において、短手方向Ｗｄにおける第１インダクタ配線２０Ｒから延びる第１支持配線４１の中心軸線Ａ１から、第２インダクタ配線２０Ｌから延びる第１支持配線４１の中心軸線Ａ１までのピッチＰ１は、上述の距離Ｑ１及び距離Ｑ２よりも大きくなっている。具体的には、ピッチＰ１は、距離Ｑ１及び距離Ｑ２のおよそ２倍の長さである。
On the other hand, in the present embodiment, the pitch P1 from the central axis A1 of the
図３及び図４に示すように、第１支持配線４１の短手方向Ｗｄの配線幅Ｗ１は、インダクタ配線２０における配線本体２１の短手方向Ｗｄの配線幅Ｈ１よりも小さくなっている。ここで、第１支持配線４１とインダクタ配線２０の配線本体２１とは同一の第１層Ｌ１に設けられており、厚さ方向Ｔｄの長さは略同じである。したがって、配線幅の違いを反映して各第１支持配線４１の断面積は、各配線本体２１の断面積よりも小さくなっている。同様に、図２及び図３に示すように各第２支持配線４２の短手方向Ｗｄの配線幅Ｗ２は、インダクタ配線２０における配線本体２１の短手方向Ｗｄの配線幅Ｈ１よりも小さくなっている。したがって、配線幅の違いを反映して、各第２支持配線４２の断面積は、各配線本体２１の断面積よりも小さくなっている。
As shown in FIGS. 3 and 4, the wiring width W1 of the
図５に示すように、素体ＢＤにおける長手方向Ｌｄの第１端側の第１側面９３には、２つの第１支持配線４１の端が露出している。各第１支持配線４１において第１側面９３に露出している露出面４１Ａの形状は、中心軸線Ａ１と直交する第１支持配線４１の断面形状を若干引き延ばしたような形状になっている。その結果として、第１支持配線４１の露出面４１Ａの面積は、中心軸線Ａ１と直交する断面における、素体ＢＤの内部での第１支持配線４１の断面積よりも大きくなっている。同様に、図１に示すように、２つの第２支持配線４２は、いずれも素体ＢＤの長手方向Ｌｄの第２端側の第２側面９４に露出している。第２支持配線４２において第２側面９４に露出している露出面４２Ａの面積は、中心軸線Ａ２と直交する断面における、素体ＢＤの内部での第２支持配線４２の断面積よりも大きくなっている。これにより、第１支持配線４１は、素体ＢＤの第１側面９３との接触面積が大きくなり、第２支持配線４２は素体ＢＤの第２側面９４との接触面積が大きくなり、支持配線４１、４２と素体ＢＤと互いの密着性が向上する。なお、あくまで断面積の大小が上記関係を満たせばよく、例えば、露出面４１Ａは、一方に引き延ばされつつ、他方が素体ＢＤの引き延ばされた部分に覆われた形状であってもよい。
As shown in FIG. 5, the ends of the two
次に、外部端子について詳述する。
図６に示すように、第１外部端子８１は、第１導電部８１Ａと、第１絶縁部８１Ｂと、を有している。第１導電部８１Ａは、第１垂直配線７１の上面に、他の層を介することなく直接接続されている。第１導電部８１Ａの材質は、金属を含んでおり、本実施形態では銅である。
Next, the external terminals will be described in detail.
As shown in FIG. 6, the first
第１導電部８１Ａには、第１絶縁部８１Ｂが積層されている。本実施形態においては、第１導電部８１Ａの表面のうち、第１垂直配線７１と接している面及び絶縁層９０と接している面以外の面は、第１絶縁部８１Ｂで覆われている。すなわち、第１絶縁部８１Ｂは、第１導電部８１Ａを被覆している。第１絶縁部８１Ｂの材質は、酸化銅である。すなわち、第１絶縁部８１Ｂの材質は、第１導電部８１Ａの材質の金属の金属酸化物である。そのため、第１絶縁部８１Ｂは、第１導電部８１Ａよりも絶縁性が高くなっている。また、第１絶縁部８１Ｂの厚さ方向Ｔｄの寸法は、１．５マイクロメートル以下である。
A first insulating
このように、第１外部端子８１において、第１導電部８１Ａは、第１絶縁部８１Ｂに覆われることによって、素体ＢＤの外部から絶縁されている。なお、本実施形態において、図１に示すように、第２外部端子８２は、第２導電部８２Ａと、第２絶縁部８２Ｂとを有している。これら第２導電部８２Ａ及び第２絶縁部８２Ｂについては、第１導電部８１Ａ及び第１絶縁部８１Ｂと同様であるため、詳細な説明は省略する。
As described above, in the first
上記インダクタ部品１０において、第１外部端子８１の第１導電部８１Ａから、第１垂直配線７１、インダクタ配線２０及び第２垂直配線７２を介して、第２外部端子８２の第２導電部８２Ａまでの部分の直流電気抵抗を、４端子法によって測定できる。第１外部端子８１の第１絶縁部８１Ｂの直流電気抵抗及び第２外部端子８２の第２絶縁部８２Ｂの直流電気抵抗の合計値は、上記部分の直流電気抵抗よりも大きくなっている。
In the
より具体的には、本実施形態では、第１外部端子８１の第１導電部８１Ａから、第１垂直配線７１、インダクタ配線２０及び第２垂直配線７２を介して、第２外部端子８２の第２導電部８２Ａまでの部分の直流電気抵抗は、１ｍΩ以上５０ｍΩ以下になっている。また、当該部分に電流を流した場合に得られるインダクタンス値が１ｎＨ以上１０ｎＨ以下になっている。
More specifically, in this embodiment, from the first
なお、インダクタンス値は、Ｋｅｙｓｉｇｈｔ社製のネットワークアナライザＥ５０７１又は相当機種で測定周波数１４０ＭＨｚでのＳパラメータの測定をシャント・スルー法にて実施し、インダクタンス値に変換することで測定する。ただし、冶工具類の影響はＤｅ－Ｅｍｂｅｄｄｉｎｇ、ショート補正にて取り除く。 The inductance value is measured by measuring the S parameter at a measurement frequency of 140 MHz by the shunt-through method using a network analyzer E5071 manufactured by Keysight Co. or an equivalent model, and converting it into an inductance value. However, the effects of jigs and tools are removed by De-Embedding and short correction.
次に、第１実施形態のインダクタ部品１０の製造方法を説明する。
図７に示すように、先ず、ベース部材準備工程を行う。具体的には、板状のベース部材１０１を準備する。ベース部材１０１の材質は、セラミックスである。ベース部材１０１は、厚さ方向Ｔｄから視ると、四角形状となっている。各辺の寸法は、インダクタ部品１０が複数個収容される寸法となっている。以下の説明では、ベース部材１０１の面方向に直交する方向を厚さ方向Ｔｄとして説明する。
Next, a method for manufacturing the
As shown in FIG. 7, first, a base member preparation step is performed. Specifically, a plate-shaped
次に、図８に示すように、ベース部材１０１の上面全体にダミー絶縁層１０２を塗布する。次に、厚さ方向Ｔｄから視たときに、インダクタ配線２０が配置される範囲より僅かに広い範囲に、フォトリソグラフィによって、絶縁樹脂６１をパターニングする。
Next, as shown in FIG. 8, a
次に、シード層１０３を形成するシード層形成工程を行う。具体的には、ベース部材１０１の上面側から、スパッタリングによって、絶縁樹脂６１及びダミー絶縁層１０２の上面に銅のシード層１０３を形成する。なお、図面において、シード層１０３は、太線で図示する。
Next, a seed layer forming step for forming the
次に、図９に示すように、シード層１０３の上面のうち、インダクタ配線２０と、第１支持配線４１と、第２支持配線４２とを形成しない部分を被覆する第１被覆部１０４を形成する第１被覆工程を行う。具体的には、先ず、シード層１０３の上面全体に感光性のドライフィルムレジストを塗布する。次に、ダミー絶縁層１０２の上面の範囲全てと、絶縁樹脂６１の上面のうち、絶縁樹脂６１が覆う範囲の外縁部の上面とについて、露光することで硬化させる。その後、塗布したドライフィルムレジストのうち硬化していない部分を、薬液により剥離除去する。これにより、塗布したドライフィルムレジストのうち、硬化している部分が、第１被覆部１０４として形成される。一方で、塗布したドライフィルムレジストのうち、薬液に除去されて第１被覆部１０４に被覆されていない部分には、シード層１０３が露出している。第１被覆部１０４の厚さ方向Ｔｄの寸法である第１被覆部１０４の厚みは、図３に示すインダクタ部品１０のインダクタ配線２０の厚みよりも僅かに大きくなっている。なお、後述する他の工程におけるフォトリソグラフィも、同様の工程であるので詳細な説明は省略する。
Next, as shown in FIG. 9, a
次に、図１０に示すように、絶縁樹脂６１の上面のうちの、第１被覆部１０４に被覆されていない部分に、インダクタ配線２０と、第１支持配線４１と、第２支持配線４２と、を電解めっきで形成する配線加工工程を行う。具体的には、電解銅めっきを行い、絶縁樹脂６１の上面において、シード層１０３が露出している部分から、銅を成長させる。これにより、インダクタ配線２０と、第１支持配線４１と、第２支持配線４２と、が形成される。したがって、この実施形態では、複数のインダクタ配線２０を形成する工程と、異なるインダクタ配線２０のパッド間を接続する複数の第１支持配線４１及び第２支持配線４２を形成する工程とが同一工程である。また、インダクタ配線２０と第１支持配線４１及び第２支持配線４２とは、同一平面上に形成される。なお、図１０では、インダクタ配線２０が図示されていて、各支持配線は図示されていない。
Next, as shown in FIG. 10, the
次に、図１１に示すように、第２被覆部１０５を形成する第２被覆工程を行う。第２被覆部１０５を形成する範囲は、第１被覆部１０４の上面全体と、各支持配線の上面全体と、インダクタ配線２０の上面のうち第１垂直配線７１及び第２垂直配線７２を形成しない範囲である。この範囲に、第１被覆部１０４を形成した方法と同一のフォトリソグラフィによって、第２被覆部１０５を形成する。また、第２被覆部１０５の厚さ方向Ｔｄの寸法は、第１被覆部１０４と同一となっている。
Next, as shown in FIG. 11, a second covering step for forming a
次に、各垂直配線を形成する垂直配線加工工程を行う。具体的には、インダクタ配線２０のうち、第２被覆部１０５に被覆されていない部分に、電解銅めっきによって第１垂直配線７１と、第２垂直配線７２と、を形成する。これにより、第１垂直配線７１及び第２垂直配線７２は、上述の複数のインダクタ配線２０と、第１支持配線４１及び第２支持配線４２とが形成された平面と垂直な厚さ方向Ｔｄに形成される。また、垂直配線加工工程においては、成長する銅の上端が第２被覆部１０５の上面より僅かに低い位置となるように設定している。具体的には、後述する切削前の各垂直配線の厚さ方向Ｔｄの寸法が、各インダクタ配線の厚さ方向Ｔｄの寸法と同一になるように設定している。
Next, a vertical wiring processing step for forming each vertical wiring is performed. Specifically, the first
次に、図１２に示すように、第１被覆部１０４及び第２被覆部１０５を取り除く被覆部除去工程を行う。具体的には、薬品によって第１被覆部１０４及び第２被覆部１０５をウェットエッチングすることにより、第１被覆部１０４及び第２被覆部１０５を剥離する。なお、図１２においては、第１垂直配線７１が図示されていて、第２垂直配線７２は図示されていない。
Next, as shown in FIG. 12, a covering removing step is performed to remove the
次に、シード層１０３をエッチングするシード層エッチング工程を行う。シード層１０３についてエッチングを行うことで、露出しているシード層１０３を除去する。このように、各インダクタ配線と、各支持配線と、はＳＡＰ（Semi Additive Process：セミアディティブ工法）で形成される。
Next, a seed layer etching process for etching the
次に、図１３に示すように、内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第２磁性層５５を積層する第２磁性層加工工程を行う。具体的には、先ず、ベース部材１０１の上面側に、磁性層５０の材質である磁性粉を含む樹脂を塗布する。このとき、各垂直配線の上面も覆うように磁性粉を含む樹脂を塗布する。次に、プレス加工して磁性粉を含む樹脂を固めることで、ベース部材１０１の上面側に内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第２磁性層５５を形成する。
Next, as shown in FIG. 13, a second magnetic layer processing step of laminating the inner
次に、図１４に示すように、第２磁性層５５の上側部分を、各垂直配線の上面が露出するまで削る。なお、内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第２磁性層５５とは、一体的に形成されるが、図面においては、内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第２磁性層５５とも区別して図示している。
Next, as shown in FIG. 14, the upper portion of the second
次に、図１５に示すように、絶縁層加工工程を行う。具体的には、第２磁性層５５の上面と、各垂直配線の上面とのうち、各外部端子を形成しない部分に、フォトリソグラフィによって、絶縁層９０として機能するソルダーレジストをパターニングする。なお、本実施形態において、絶縁層９０の上面すなわち素体ＢＤの主面ＭＦに直交する方向は、厚さ方向Ｔｄとなっている。
Next, as shown in FIG. 15, an insulating layer processing step is performed. Specifically, a solder resist functioning as the insulating
次に、図１６に示すように、ベース部材切削工程を行う。具体的には、ベース部材１０１及びダミー絶縁層１０２を全て切削によって除去する。なお、ダミー絶縁層１０２を全て切削する結果、各絶縁樹脂の下側部分についても、一部切削により除去されるが、各インダクタ配線は除去されない。
Next, as shown in FIG. 16, a base member cutting step is performed. Specifically, the
次に、図１７に示すように、第１磁性層５４を積層する第１磁性層加工工程を行う。具体的には、先ず、ベース部材１０１の下側面に、第１磁性層５４の材質である磁性粉を含む樹脂を塗布する。次に、プレス加工することで、磁性粉を含む樹脂を固めることで、ベース部材１０１の下側面に第１磁性層５４を形成する。
Next, as shown in FIG. 17, the first magnetic layer processing step of laminating the first
次に、第１磁性層５４の下端部分を削る。例えば、各外部端子の上面から第１磁性層５４の下面までの寸法が、所望の値となるように、第１磁性層５４の下端部分を削る。
次に、図１８に示すように、端子部加工工程を行う。具体的には、第２磁性層５５の上面と、各垂直配線の上面と、のうち、絶縁層９０に覆われていない部分に、第１導電部８１Ａと、第２導電部８２Ａとを形成する。第１導電部８１Ａ及び第２導電部８２Ａは、銅の無電解めっきによって形成される。これにより銅からなる層状の第１導電部８１Ａ及び第２導電部８２Ａが形成される。なお、図１８においては、第１導電部８１Ａが図示されていて、第２導電部８２Ａは図示されていない。
Next, the lower end portion of the first
Next, as shown in FIG. 18, a terminal processing step is performed. Specifically, the first
次に、図１９に示すように、第１絶縁部８１Ｂ及び第２絶縁部８２Ｂを形成する。具体的には、第１導電部８１Ａ及び第２導電部８２Ａの表面を、高温で熱処理することにより酸化させる。これにより、第１導電部８１Ａ及び第２導電部８２Ａの表面を含む一部が酸化されて、酸化銅からなる第１絶縁部８１Ｂ及び第２絶縁部８２Ｂが形成される。なお、図１９においては、第１絶縁部８１Ｂが図示されていて、第２絶縁部８２Ｂは図示されていない。
Next, as shown in FIG. 19, a first insulating
次に、図２０に示すように、個片化加工工程を行う。具体的には、破断線ＤＬにてダイシングにより個片化する。これにより、インダクタ部品１０を得ることができる。
なお、ダイシングする前の状態では、例えば、図２１に示すように、複数のインダクタ部品が、長手方向Ｌｄと短手方向Ｗｄとに並設され、素体ＢＤや第１支持配線４１及び、第２支持配線４２で個々のインダクタ部品は繋がっている。破断線ＤＬ上に含まれる、第１支持配線４１及び第２支持配線４２が厚さ方向Ｔｄで切断されることで、第１支持配線４１の切断面を第１側面９３に露出面４１Ａとして露出させる。また、第２支持配線４２の切断面を第２側面９４に露出面４２Ａとして露出させる。なお、図２１では、第５層Ｌ５の図示を省略している。
Next, as shown in FIG. 20, a singulation process is performed. Specifically, it is separated into individual pieces by dicing along the break lines DL. Thus,
Before dicing, for example, as shown in FIG. 21, a plurality of inductor components are arranged side by side in the longitudinal direction Ld and the lateral direction Wd. The individual inductor components are connected by two supporting
なお、個片化加工工程の後、各インダクタ部品１０は、酸素存在下で一定期間放置される。これにより、第１支持配線４１の露出面４１Ａを含む一部、及び第２支持配線４２の露出面４２Ａを含む一部が酸化され、Ｃｕ酸化物となる。
After the singulation process, each
上述したように、個片化加工工程では、破断線ＤＬ上に含まれる第１支持配線４１及び第２支持配線４２が切断される。第１支持配線４１及び第２支持配線４２を切断する際に、第１支持配線４１及び第２支持配線４２にはせん断応力が加わる。当該応力により、各支持配線が変形する。そのため、図５に示すように、第１支持配線４１の第１側面９３上の断面、すなわち露出面４１Ａは歪な形状になる。同様に、第２支持配線４２の第２側面９４上の断面、すなわち露出面４２Ａは歪な形状になる。
As described above, in the singulation process, the
次に、第１実施形態の作用を説明する。
インダクタ部品１０は、例えば、回路基板１５０に内蔵されて使用される。インダクタ部品１０の回路基板１５０への内蔵方法について説明する。
Next, the operation of the first embodiment will be described.
図２２に示すように、コア材１５１を準備する。コア材１５１は、板状であり、インダクタ部品１０に対して、長手方向Ｌｄ及び短手方向Ｗｄのいずれにも大きい。なお、コア材１５１の一方の面には、第１基板絶縁層１５２が積層されている。第１基板絶縁層１５２には、第１銅箔１５３が積層されている。次に、コア材１５１のうち、インダクタ部品１０を搭載する箇所にレーザ加工により、コア材１５１を貫通する収容穴１５４を形成する。
As shown in FIG. 22, a
次に、図２３に示すように、収容穴１５４に、インダクタ部品１０を収容する。収容穴１５４の底側に、インダクタ部品１０の主面ＭＦが向くように収容する。そして、インダクタ部品１０が収容された穴を埋めるように、絶縁樹脂を流し込み、プレス加工によって、第２基板絶縁層１５５を形成する。そして、第２基板絶縁層１５５の上側に第２銅箔１５６を圧着させる。
Next, as shown in FIG. 23, the
次に、図２４に示すように、第１銅箔１５３側から、レーザ加工により、第１外部端子８１の第１導電部８１Ａ及び第２外部端子８２の第２導電部８２Ａが露出するように、接続孔１５７を開口させる。次に、接続孔１５７の内面を酸洗浄する。このレーザ加工及び酸洗浄により、酸化銅からなる第１絶縁部８１Ｂ及び第２絶縁部８２Ｂは除去される。
Next, as shown in FIG. 24, the first
次に、図２５に示すように、接続孔１５７を埋めるように、銅のフィリングめっきを行う。これにより、接続孔１５７は、銅のビア１５８で埋められるとともに、ビア１５８を介して、第１外部端子８１の第１導電部８１Ａ及び第２外部端子８２の第２導電部８２Ａが、第２銅箔１５６と電気的に接続される。
Next, as shown in FIG. 25, copper filling plating is performed so as to fill the
そして、図２６に示すように、第１銅箔１５３及び第２銅箔１５６をパターニングすることで、配線を形成する。これにより、回路基板１５０にインダクタ部品１０が内蔵される。
Then, as shown in FIG. 26, wiring is formed by patterning the
次に、第１実施形態の効果を説明する。なお、外部端子について同様の効果は、第１外部端子８１について説明し、第２外部端子８２についての説明を省略する。
（１－１）上記第１実施形態によれば、インダクタ部品１０の第１外部端子８１の第１導電部８１Ａは、第１絶縁部８１Ｂによって素体ＢＤの外部から絶縁されている。そのため、回路基板１５０に搭載する前の保管の際などに、インダクタ部品１０の第１外部端子８１が他の部品等に接触したとしても、第１導電部８１Ａに電気が流れることを防止できる。
Next, effects of the first embodiment will be described. Note that the same effect of the external terminals will be explained with respect to the first
(1-1) According to the first embodiment, the first
（１－２）上記第１実施形態によれば、第１絶縁部８１Ｂは、酸化銅である。そのため、めっきによって形成された金属層を酸化させることによって、第１絶縁部８１Ｂを形成することができる。つまり、第１絶縁部８１Ｂを形成するために特殊な工程は不要である。
(1-2) According to the first embodiment, the first insulating
（１－３）上記第１実施形態によれば、第１絶縁部８１Ｂの厚さ方向Ｔｄの寸法は、１．５マイクロメートル以下である。つまり、第１絶縁部８１Ｂの厚さ方向Ｔｄの寸法は、相応に小さい。よって、第１絶縁部８１Ｂが、インダクタ部品１０全体の厚さ方向Ｔｄの寸法に与える影響を抑えることができる。また、インダクタ部品１０を回路基板１５０に搭載する際に、第１絶縁部８１Ｂを除去しやすい。一般に、レーザ加工及び酸洗浄により、第１外部端子８１の表面が２～５マイクロメートル程削られることから、第１絶縁部８１Ｂの厚さ方向Ｔｄの寸法が１．５マイクロメートル以下であれば、追加工程なく、第１外部端子８１の第１絶縁部８１Ｂを除去しやすい。
(1-3) According to the first embodiment, the dimension in the thickness direction Td of the first insulating
（１－４）上記第１実施形態によれば、第１絶縁部８１Ｂの材質は、酸化銅である。銅は、比較的に酸化させやすいため、比較的に低コストで第１絶縁部８１Ｂの形成を実現できる。
(1-4) According to the first embodiment, the material of the first insulating
（１－５）上記第１実施形態によれば、２つのインダクタ配線２０を備えている。そのため、仮に、１つの部品に、１つのインダクタ配線２０を備える場合と比べて、インダクタ部品１０を回路基板１５０等に実装する上で、必要な面積の増加を抑えることができる。
(1-5) According to the first embodiment, two
（１－６）上記第１実施形態において、インダクタ配線２０は素体ＢＤ内において第１層Ｌ１にのみ設けられている。そして、各垂直配線は、インダクタ配線２０に直接接している。そのため、素体ＢＤの厚さ方向Ｔｄの薄型化を図りやすい。特に、２つのインダクタ配線２０は、同一平面上に並べられている。そのため、２つのインダクタ配線２０を異なる層に配置するよりは、インダクタ部品１０の厚さ方向Ｔｄの薄型化に寄与できる。また、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌの積層される数が少ないほど、第１配線本体２１Ｒ及び第２配線本体２１Ｌと第１支持配線４１及び第２支持配線４２との位置による影響が大きいため、本願の構成はより一層効果的となる。
(1-6) In the first embodiment, the
（１－７）上記第１実施形態において、第１層Ｌ１に、インダクタ配線２０と、第１支持配線４１と、第２支持配線４２とが存在する。複数のインダクタ部品１０が並列している状態、つまりダイシングする前の状態では、複数のインダクタ配線の間を、第１支持配線４１及び第２支持配線４２で繋ぐ構成を採用できる。複数のインダクタ配線２０の間を第１支持配線４１及び第２支持配線４２で繋いでおけば、インダクタ配線２０を支持するための基板等を要さずとも、これらインダクタ配線２０を支持し、位置決めできる。したがって、インダクタ配線２０を支持するための基板等が不要という点で、インダクタ部品１０の薄型化に寄与できる。
(1-7) In the first embodiment, the
（１－８）仮に、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１と、配線本体２１の中心軸線Ｃ１とが一致し、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２と、配線本体２１の中心軸線Ｃ１とが一致していたとする。当該状態において、インダクタ部品１０にねじれの力がかかると、インダクタ配線２０、第１支持配線４１及び第２支持配線４２が、ねじれの中心軸として機能し得るため、素体ＢＤ全体としてねじれの力に抗しにくい。
(1-8) If the center axis A1 of the
一方、上記第１実施形態では、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１と配線本体２１の中心軸線Ｃ１とが一致しておらず、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２と配線本体２１の中心軸線Ｃ１についても一致していない。そのため、インダクタ配線２０、第１支持配線４１及び第２支持配線４２の全体が、ねじれの中心軸として機能することはなく、ねじれの力に対する強度を向上し得る。
On the other hand, in the first embodiment, the center axis A1 of the
（１－９）上記第１実施形態によれば、第１外部端子８１の第１絶縁部８１Ｂの直流電気抵抗及び第２外部端子８２の第２絶縁部８２Ｂの直流電気抵抗の合計値は、インダクタ配線２０を含む導電部分の直流電気抵抗と比べて大きい。そのため、より確実に素体ＢＤの外部からの絶縁性を確保できる。
(1-9) According to the first embodiment, the total value of the DC electrical resistance of the first insulating
（１－１０）上記第１実施形態によれば、第１外部端子８１の第１導電部８１Ａから、第１垂直配線７１、インダクタ配線２０及び第２垂直配線７２を介して、第２外部端子８２の第２導電部８２Ａまでの部分の直流電気抵抗は、１ｍΩ以上５０ｍΩ以下になっている。また、当該部分に電流を流した場合に得られるインダクタンス値が１ｎＨ以上１０ｎＨ以下になっている。そのため、例えば、高周波スイッチング動作をするＤＣ／ＤＣコンバータにインダクタ部品１０を使用するうえで、好適である。
(1-10) According to the first embodiment, from the first
（１－１１）上記第１実施形態によれば、第１支持配線４１の露出面４１Ａを含む一部分及び第２支持配線４２の露出面４２Ａを含む一部分の材質は、Ｃｕ酸化物である。そのため、第１支持配線４１や第２支持配線４２が他の部品等に接触しても、インダクタ配線２０に電気が流れることを防止できる。
(1-11) According to the first embodiment, the material of the portion including the exposed
（１－１２）上記第１実施形態において、第１磁性層５４及び第２磁性層５５は、金属磁性粉を含有する樹脂コンポジットとなっている。当該金属磁性粉は、鉄を含む合金であり、金属磁性粉の平均粒子径は、約５マイクロメートルである。このように１０マイクロメートル以下の粒径の小さい磁性粉を使用することで、第１磁性層５４及び第２磁性層５５の比透磁率を確保しつつ鉄損を低減できる。
(1-12) In the first embodiment, the first
（１－１３）上記第１実施形態において、第１インダクタ配線２０Ｒの配線本体２１の中心軸線Ｃ１から第２インダクタ配線２０Ｌの配線本体２１の中心軸線Ｃ１までの短手方向Ｗｄのピッチは、およそ２５０マイクロメートルになっている。これは、第１支持配線４１から第１側面９１における短手方向Ｗｄの端までの距離、及び第２支持配線４２から第２側面９２における短手方向Ｗｄの端までの距離のうち最小距離の２倍以上である。これにより、当該ピッチが相対的に大きく、比較的磁束密度が高い配線本体２１間を大きくとれるため、インダクタンス値の取得効率を向上できる。
(1-13) In the first embodiment, the pitch in the short direction Wd from the central axis C1 of the
また、第１実施形態において、隣り合うインダクタ配線２０の最小の間隔である第１パッド２２間の間隔及び第２パッド２３間の間隔が、およそ５０マイクロメートル以上である。これによれば、インダクタ配線２０間の絶縁性を確保する上で好適である。さらに、およそ１００マイクロメートル以上であればなお好適である。
Further, in the first embodiment, the minimum distance between the
＜第２実施形態＞
以下、インダクタ部品の第２実施形態について説明する。なお、図面は理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図中のものとは異なる場合がある。また、第１実施形態と同様の構成については、説明を簡略化又は省略していることがある。
<Second embodiment>
A second embodiment of the inductor component will be described below. In addition, in order to facilitate understanding, the drawings may show constituent elements in an enlarged manner. The dimensional proportions of components may differ from those in reality or in other figures. Also, the description of the same configuration as in the first embodiment may be simplified or omitted.
図２７に示すように、インダクタ部品１０は、全体として、厚さ方向Ｔｄに５つの層が積層されたような構造になっている。なお、以下の説明では、厚さ方向Ｔｄの一方側を上側とし、その反対側を下側とする。
As shown in FIG. 27, the
第１層Ｌ１は、第１インダクタ配線２０Ｒと、第２インダクタ配線２０Ｌと、第１支持配線４１と、第２支持配線４２と、内磁路部５１と、外磁路部５２と、によって構成されている。
The first layer L1 includes a
第１層Ｌ１は、厚さ方向Ｔｄから視ると、長方形状となっている。なお、この長方形状の長辺に平行な方向を長手方向Ｌｄ、短辺に平行な方向を短手方向Ｗｄとする。
第１インダクタ配線２０Ｒは、第１配線本体２１Ｒと、第１配線本体２１Ｒの第１端部に設けられた第１パッド２２Ｒと、第１配線本体２１Ｒの第２端部に設けられた第２パッド２３Ｒと、によって構成されている。第１配線本体２１Ｒは、第１層Ｌ１の長手方向Ｌｄに直線状に延びている。第１配線本体２１Ｒにおいて長手方向Ｌｄの第１端側の第１端部には、第１パッド２２Ｒが接続されている。なお、配線本体２１における長手方向Ｌｄの第１端側の第１端部は、配線本体２１における長手方向Ｌｄの中央部に比べ広がるように大きくなっていてもよい。
The first layer L1 has a rectangular shape when viewed from the thickness direction Td. Note that the direction parallel to the long sides of the rectangle is the longitudinal direction Ld, and the direction parallel to the short sides is the width direction Wd.
The
第１パッド２２Ｒの短手方向Ｗｄの寸法は、第１配線本体２１Ｒの短手方向Ｗｄの寸法よりも大きくなっている。第１パッド２２Ｒは、厚さ方向Ｔｄから視たときに、略正方形状になっている。
The dimension of the
また、第１配線本体２１Ｒにおいて長手方向Ｌｄの第２端側の第２端部には第２パッド２３Ｒが接続されている。なお、配線本体２１における長手方向Ｌｄの第２端側の第２端部は、配線本体２１における長手方向Ｌｄの中央部に比べ広がるように大きくなっていてもよい。
A
第２パッド２３Ｒの短手方向Ｗｄの寸法は、第１配線本体２１Ｒの短手方向Ｗｄの寸法よりも大きくなっている。第２パッド２３Ｒは、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１パッド２２Ｒと同じ略正方形状になっている。なお、第１インダクタ配線２０Ｒは、第１層Ｌ１の短手方向Ｗｄの第２端側に寄って配置されている。
The dimension of the
第２インダクタ配線２０Ｌは、第２配線本体２１Ｌと、第２配線本体２１Ｌの第２端部に設けられた第１パッド２２Ｌと、第２配線本体２１Ｌの第２端部に設けられた第２パッド２３Ｒと、によって構成されている。
The
第２配線本体２１Ｌは、２つの直線部とこれらを繋ぐ部分とを有していて、全体としてＬ字状に延びている。具体的には、第２配線本体２１Ｌは、長手方向Ｌｄに延びる長直線部３１と、短手方向Ｗｄに延びる短直線部３２と、これらを繋ぐ接続部３３とからなる。
The
図２８に示すように、第１層Ｌ１の短手方向Ｗｄの中央を通り、且つ長手方向Ｌｄに延びる直線を対称軸ＡＸとしたとき、長直線部３１は、対称軸ＡＸに対して第１配線本体２１Ｒと線対称の位置に配置されている。また、長直線部３１が長手方向Ｌｄに延びる長さは、第１配線本体２１Ｒが長手方向Ｌｄに延びる長さよりもやや長くなっている。また、長直線部３１の短手方向Ｗｄの寸法は、第１配線本体２１Ｒの短手方向Ｗｄの寸法と等しくなっている。長直線部３１の長手方向Ｌｄの第１端側の第１端は、第１パッド２２Ｒに接続されている。長直線部３１の長手方向Ｌｄの第２端側の端は、接続部３３の第１端に接続されている。
As shown in FIG. 28, when a straight line passing through the center of the first layer L1 in the lateral direction Wd and extending in the longitudinal direction Ld is the axis of symmetry AX, the long
接続部３３のうち、長直線部３１と繋がっていない第２端は、短手方向Ｗｄの第２端側を向いている。すなわち、接続部３３は、第２配線本体２１Ｌにおいて、長手方向Ｌｄの第１端側から短手方向Ｗｄの第２端側に向かって９０度に湾曲している。
A second end of the
接続部３３の短手方向Ｗｄの第２端側を向いている第２端は、短直線部３２の第１端に接続されている。なお、短直線部３２の短手方向Ｗｄの第２端側の第２端部は、短直線部３２における短手方向Ｗｄの中央部に比べ広がるように大きくなっていてもよい。
A second end of the connecting
短直線部３２の長手方向Ｌｄの寸法は、長直線部３１の短手方向Ｗｄの寸法と等しくなっている。短直線部３２のうち、短手方向Ｗｄの第２端側を向く第２端は、第１配線本体２１Ｒに接続された第２パッド２３Ｒに接続されている。すなわち、第１インダクタ配線２０Ｒにおける第２パッド２３Ｒが、第２インダクタ配線２０Ｌにおける第２パッド２３Ｒと同一のパッドである。
The dimension of the short
上記、第２インダクタ配線２０Ｌのターン数は、仮想ベクトルに基づいて定められている。仮想ベクトルの始点は、第２配線本体２１Ｌの配線幅の中央を通って第２配線本体２１Ｌの延設方向に延びる中心軸線Ｃ２上に配置されている。そして、仮想ベクトルは、厚さ方向Ｔｄから視たときに第２配線本体２１Ｌの始点を一方の第１端に配置した状態から中心軸線Ｃ２の他方の第２端まで移動させたときに、仮想ベクトルの向きが回転した角度が３６０度のときに、ターン数は１．０ターンとして定められる。ただし、仮想ベクトルの向きが、複数回巻回する場合、連続する同一方向の巻回である場合にターン数が増加するものとする。仮想ベクトルの向きが、１回前に巻回した方向と異なる方向に巻回した場合、ターン数は再度０ターンからカウントする。例えば、時計回りに１８０度巻回し、その後反時計回りに１８０度巻回した場合は０．５ターンとなる。したがって、例えば１８０度巻回されると、ターン数は０．５ターンとなる。本実施形態では、第２配線本体２１Ｌ上に仮想的に配置された仮想ベクトルの向きは、接続部３３で９０度回転される。そのため、第２配線本体２１Ｌが巻回されているターン数は、０．２５ターンとなっている。なお、第２配線本体２１Ｌの中心軸線Ｃ２は、第２配線本体２１Ｌが延びる方向と直交する方向において第２配線本体２１Ｌの中間点を辿った線である。すなわち、第２配線本体２１Ｌの中心軸線Ｃ２は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、略Ｌ字状になっている。
The number of turns of the
図２８に示すように、第２配線本体２１Ｌの長直線部３１の長手方向Ｌｄの第１端側の端には、第１パッド２２Ｌが接続されている。当該第１パッド２２Ｌは、第１配線本体２１Ｒに接続された第１パッド２２Ｒと、同一の形状である。すなわち、第１パッド２２Ｌは、厚さ方向Ｔｄから視たときに、略正方形状である。また、当該第１パッド２２Ｌは対称軸ＡＸに対して、第１配線本体２１Ｒに接続された第１パッド２２Ｒに線対称に配置されている。
As shown in FIG. 28, the
第１層Ｌ１において、第１配線本体２１Ｒに対して第１パッド２２Ｒを挟んだ反対側からは、第１支持配線４１が延びている。すなわち、第１支持配線４１は、第１パッド２２Ｒにおける長手方向Ｌｄの第１端側の縁から延びている。第１支持配線４１は、長手方向Ｌｄと平行に直線状に延びている。第１支持配線４１は、第１層Ｌ１の長手方向Ｌｄの第１端側の第１側面９１まで延びていて、第１側面９１に露出している。同様に、第１層Ｌ１において、第２配線本体２１Ｌに対して第１パッド２２Ｌを挟んだ反対側からも、第１支持配線４１が延びている。
In the first layer L1, the
第１層Ｌ１において、第１配線本体２１Ｒに対して第２パッド２３Ｒを挟んだ反対側からは、第２支持配線４２が延びている。すなわち、第２支持配線４２は、第２パッド２３Ｒにおける長手方向Ｌｄの第２端側の縁から延びている。第２支持配線４２は、長手方向Ｌｄと平行に直線状に延びている。第２支持配線４２は、第１層Ｌ１の長手方向Ｌｄの第２端側の第２側面９２まで延びていて、第２側面９２に露出している。なお、本実施形態では、第２配線本体２１Ｌの短直線部３２に対して第２パッド２３Ｒを挟んだ反対側には、支持配線は設けられていない。
In the first layer L1, the
第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌは、導電性材料からなっている。本実施形態において、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌの組成は、銅の比率が９９ｗｔ％以上で硫黄の比率が０．１ｗｔ％以上１．０ｗｔ％以下とすることができる。
The
第１支持配線４１及び第２支持配線４２の材質は、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌと同じ導電性材料である。ただし、第１支持配線４１のうち、第１側面９１に露出している露出面４１Ａを含む一部分は、Ｃｕ酸化物になっている。同様に、第２支持配線４２のうち第２側面９２に露出している露出面４２Ａを含む一部分は、Ｃｕ酸化物になっている。
The material of the
図２７に示すように、第１層Ｌ１において、第１インダクタ配線２０Ｒと第２インダクタ配線２０Ｌとの間の領域は、内磁路部５１となっている。内磁路部５１の材質は、磁性材料となっている。具体的には、内磁路部５１の材質は、鉄シリカ系合金又はそれらのアモルファス合金からなる金属磁性粉を含有する有機樹脂となっている。金属磁性粉は、鉄を含む合金であり、金属磁性粉の平均粒子径は、約５マイクロメートルとすることができる。なお、平均粒子径の扱いについては、第１実施形態と同じである。
As shown in FIG. 27, in the first layer L1, the region between the
第１層Ｌ１において、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１インダクタ配線２０Ｒよりも短手方向Ｗｄの第２端側の領域、及び第２インダクタ配線２０Ｌよりも短手方向Ｗｄの第１端側の領域は、外磁路部５２となっている。外磁路部５２の材質は、内磁路部５１と同じ磁性材料となっている。
In the first layer L1, when viewed from the thickness direction Td, the region on the second end side in the short direction Wd of the
本実施形態において、第１層Ｌ１の厚さ方向Ｔｄの寸法、すなわち、インダクタ配線２０、第１支持配線４１、及び第２支持配線４２の厚さ方向Ｔｄの寸法は、およそ４０マイクロメートルとすることができる。
In this embodiment, the dimension in the thickness direction Td of the first layer L1, that is, the dimension in the thickness direction Td of the
第１層Ｌ１の厚さ方向Ｔｄの下側の面である下面には、厚さ方向Ｔｄから視たときに第１層Ｌ１と同じ長方形状の第２層Ｌ２が積層されている。第２層Ｌ２は、２つの絶縁樹脂６１と、絶縁樹脂磁性層５３と、によって構成されている。
A second layer L2 having the same rectangular shape as the first layer L1 when viewed from the thickness direction Td is laminated on the lower surface of the first layer L1 in the thickness direction Td. The second layer L2 is composed of two insulating
絶縁樹脂６１は、第１インダクタ配線２０Ｒと、第２インダクタ配線２０Ｌと、第１支持配線４１と、第２支持配線４２とを、厚さ方向Ｔｄの下側から覆っている。絶縁樹脂６１は、厚さ方向Ｔｄから視ると、第１インダクタ配線２０Ｒと、第２インダクタ配線２０Ｌと、第１支持配線４１と、第２支持配線４２との外縁より僅かに広い範囲を覆うような形状となっている。その結果、一方の絶縁樹脂６１は、直線の帯状となっている。他方の絶縁樹脂６１は、略Ｌ字状に延びる帯状となっている。絶縁樹脂６１の材質は、絶縁性の樹脂であり、この実施形態では例えばポリイミド系樹脂とすることができる。絶縁樹脂６１はインダクタ配線２０よりも絶縁性が高くなっている。絶縁樹脂６１は、インダクタ配線２０の数及び配置に対応して、短手方向Ｗｄに２つ並んで設けられているとともに、端部において互いに接続されている。
The insulating
第２層Ｌ２において、２つの絶縁樹脂６１を除く部分は、絶縁樹脂磁性層５３となっている。絶縁樹脂磁性層５３の材質は、上述した内磁路部５１や外磁路部５２と同じ磁性材料となっている。
The insulating resin
第２層Ｌ２の厚さ方向Ｔｄの下側の面である下面には、厚さ方向Ｔｄから視たときに第２層Ｌ２と同じ長方形状の第３層Ｌ３が積層されている。第３層Ｌ３は、第１磁性層５４となっている。そのため、第１磁性層５４は、インダクタ配線２０よりも下側に配置されている。第１磁性層５４の材質は、上述した内磁路部５１や外磁路部５２、絶縁樹脂磁性層５３と同じ金属磁性粉を含有する有機樹脂となっている。
A third layer L3 having the same rectangular shape as the second layer L2 when viewed from the thickness direction Td is laminated on the lower surface of the second layer L2 in the thickness direction Td. The third layer L3 is the first
一方、第１層Ｌ１の厚さ方向Ｔｄの上側の面である上面には、厚さ方向Ｔｄから視たときに第１層Ｌ１と同じ長方形状の第４層Ｌ４が積層されている。第４層Ｌ４は、２つの第１垂直配線７１と、１つの第２垂直配線７２と、第２磁性層５５とによって構成されている。
On the other hand, a fourth layer L4 having the same rectangular shape as the first layer L1 when viewed from the thickness direction Td is laminated on the upper surface of the first layer L1 in the thickness direction Td. The fourth layer L4 is composed of two first
第１垂直配線７１は、第１インダクタ配線２０Ｒにおける第１パッド２２Ｒの上面に、他の層を介することなく直接接続されている。すなわち、第１パッド２２Ｒには、第１垂直配線７１、第１配線本体２１Ｒの第１端部及び第１支持配線４１が接続されている。同様に、別の第１垂直配線７１は、第２インダクタ配線２０Ｌにおける第１パッド２２Ｌの上面に、他の層を介することなく直接接続されている。すなわち、第１パッド２２Ｌには、第１垂直配線７１、第２配線本体２１Ｌの第１端部及び第１支持配線４１が接続されている。２つの第１垂直配線７１は、対称軸ＡＸに対して線対称となる位置に配置されている。第１垂直配線７１の材質は、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌと同じ材質となっている。第１垂直配線７１は、正四角柱状となっており、正四角柱の軸線方向が厚さ方向Ｔｄと一致している。
The first
図２８に示すように、厚さ方向Ｔｄから視たときに、正方形状の第１垂直配線７１の各辺の寸法は、正方形状の第１パッド２２Ｒの各辺の寸法よりも僅かに小さくなっている。そのため、第１パッド２２Ｒの面積は、第１パッド２２Ｒとの接続箇所における第１垂直配線７１の面積よりも大きくなっている。なお、厚さ方向Ｔｄの上側から視たときに、第１垂直配線７１の中心軸線ＣＶ１は、略正方形状の第１パッド２２Ｒの幾何中心と一致している。第１垂直配線７１は、第１パッド２２Ｒの数に対応して２つ設けられている。
As shown in FIG. 28, when viewed from the thickness direction Td, the dimension of each side of the square-shaped first
図２７に示すように、第２垂直配線７２は、第１インダクタ配線２０Ｒにおける第２パッド２３Ｒの上面に、他の層を介することなく直接接続されている。すなわち、第２パッド２３Ｒには、第２垂直配線７２、第１配線本体２１Ｒの第２端部、第２配線本体２１Ｌの第２端部及び第２支持配線４２が接続されている。第２垂直配線７２の材質は、第１インダクタ配線２０Ｒと同じ材質となっている。第２垂直配線７２は、正四角柱状となっており、正四角柱の軸線方向が厚さ方向Ｔｄと一致している。
As shown in FIG. 27, the second
図２８に示すように、厚さ方向Ｔｄから視たときに、正方形状の第２垂直配線７２の各辺の寸法は、正方形状の第２パッド２３Ｒの各辺の寸法よりも僅かに小さくなっている。そのため、第２パッド２３Ｒの面積は、第２パッド２３Ｒとの接続箇所における第２垂直配線７２の面積よりも大きくなっている。なお、厚さ方向Ｔｄの上側から視たときに、第２垂直配線７２の中心軸線ＣＶ２は、略正方形状第２パッド２３Ｒの幾何中心と一致している。第２垂直配線７２は、第２パッド２３Ｒの数に対応して１つ設けられている。
As shown in FIG. 28, when viewed from the thickness direction Td, the dimension of each side of the square-shaped second
図２７に示すように、第４層Ｌ４において、２つの第１垂直配線７１と２つの第２垂直配線７２とを除く部分は、第２磁性層５５となっている。そのため、第２磁性層５５は、各インダクタ配線２０及び各支持配線４１、４２の上面に積層されている。すなわち、各支持配線４１、４２が、第２磁性層５５と直接接している。第２磁性層５５の材質は、上述した第１磁性層５４と同じ磁性材料となっている。
As shown in FIG. 27, the portion of the fourth layer L4 excluding the two first
インダクタ部品１０において、内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第１磁性層５４と、第２磁性層５５と、によって、磁性層５０が構成されている。内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第１磁性層５４と、第２磁性層５５とは、接続されており、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌを取り囲んでいる。このように、磁性層５０は第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌに対して閉磁路を構成している。そのため、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌは、磁性層５０の内部で延びている。なお、内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第１磁性層５４と、第２磁性層５５と、は、区別して図示しているが、磁性層５０として一体化されていて境界が確認できないこともある。
In
第４層Ｌ４の厚さ方向Ｔｄの上側の面である上面には、厚さ方向Ｔｄから視たときに第４層Ｌ４と同じ長方形状の第５層Ｌ５が積層されている。第５層Ｌ５は、４つの端子部８０と、絶縁層９０と、によって構成されている。４つの端子部８０のうち２つは、第１垂直配線７１に電気的に接続された第１外部端子８１である。また、４つの端子部８０のうち１つは、第２垂直配線７２に電気的に接続された第２外部端子８２である。４つの端子部８０のうち、第１外部端子８１及び第２外部端子８２を除く残りの１つは、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌのいずれにも電気的に接続されていないダミー部８３である。
A fifth layer L5 having the same rectangular shape as the fourth layer L4 when viewed from the thickness direction Td is laminated on the upper surface of the fourth layer L4 in the thickness direction Td. The fifth layer L5 is composed of four
図２８に示すように、第５層Ｌ５の長手方向Ｌｄの中央を通り、短手方向Ｗｄに平行な仮想直線ＢＸを引いたとき、上述の対称軸ＡＸと仮想直線ＢＸとが交差する第５層Ｌ５の上面上の点が第５層Ｌ５の幾何中心Ｇである。４つの端子部８０は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第５層Ｌ５の幾何中心Ｇに対して２回対称位置に配置されている。
As shown in FIG. 28, when an imaginary straight line BX passing through the center of the longitudinal direction Ld of the fifth layer L5 and parallel to the transverse direction Wd is drawn, the above-mentioned axis of symmetry AX intersects the imaginary straight line BX. A point on the top surface of the layer L5 is the geometric center G of the fifth layer L5. The four
第１外部端子８１は、第１垂直配線７１の上面に、他の層を介することなく直接接続されている。第１外部端子８１は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、長方形状となっており、第２磁性層５５上にも位置している。第１外部端子８１が第１垂直配線７１と接触している面積は、第１外部端子８１の全体の面積に対して半分以下である。第１外部端子８１の長方形の長辺は、第５層Ｌ５の長手方向Ｌｄと平行に延びており、短辺は、第５層Ｌ５の短手方向Ｗｄと平行に延びている。第１外部端子８１は、第１垂直配線７１の数に対応して２つ設けられている。
The first
第２外部端子８２は、第２垂直配線７２の上面に、他の層を介することなく直接接続されている。第２外部端子８２が第２垂直配線７２と接触している面積は、第２外部端子８２の全体の面積に対して半分以下である。第２外部端子８２は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、長方形状となっており、第２磁性層５５上にも位置している。第２外部端子８２の長方形の長辺は、第５層Ｌ５の長手方向Ｌｄと平行に延びており、短辺は、第５層Ｌ５の短手方向Ｗｄと平行に延びている。
The second
図２７に示すように、４つの端子部８０のうち１つはダミー部８３となっている。図２９に示すように、ダミー部８３は、第４層Ｌ４の第２磁性層５５の上面に、他の層を介すことなく直接接続されている。図２８に示すように、ダミー部８３は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１外部端子８１及び第２外部端子８２と、異なる形状をしている。本実施形態では、ダミー部８３は、厚さ方向Ｔｄから視たときに楕円形状になっている。一方で、ダミー部８３の形状はこれに限らず、例えば、第１外部端子８１及び第２外部端子８２と異なる長方形状、円形状であってもよい。ダミー部８３の楕円の長軸は、第５層Ｌ５の長手方向Ｌｄと平行に延びており、短軸は第５層Ｌ５の短手方向Ｗｄと平行に延びている。
As shown in FIG. 27, one of the four
厚さ方向Ｔｄから視たときに、ダミー部８３の大半の部分は、第２インダクタ配線２０Ｌと重なっている。より具体的には、厚さ方向Ｔｄから視たときに、ダミー部８３は、第２インダクタ配線２０Ｌにおける接続部３３と重なる位置に配置されている。また、厚さ方向Ｔｄから視たときに、ダミー部８３の面積は、第１外部端子８１及び第２外部端子８２の面積と同じである。なお、本実施形態において、「面積が同じ」とは、製造上の誤差を許容するものである。したがって、ダミー部８３と第１外部端子８１及び第２外部端子８２との面積の差が±１０％以内であれば、面積が同じであるとみなせる。
When viewed from the thickness direction Td, most of the
なお、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１外部端子８１において、厚さ方向の下側に備えられた第２磁性層５５及び第１垂直配線７１が透けて見えることがある。第１外部端子８１から第１垂直配線７１が透けて見える領域は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１外部端子８１の半分以下の領域である。
When viewed from the thickness direction Td, the second
同様に、第２外部端子８２において、厚さ方向Ｔｄの下側に備えられた第２磁性層５５及び第２垂直配線７２が透けて見えることがある。第２外部端子８２から第２垂直配線７２が透けて見える領域は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第２外部端子８２の半分以下の領域である。
Similarly, in the second
ダミー部８３においては、厚さ方向Ｔｄの下側に備えられた第２磁性層５５が透けて見えることがある。一方、第１外部端子８１から透けて見える第２磁性層５５の領域は、第１外部端子８１の半分以上の領域である。第２外部端子８２から透けて見える第２磁性層５５の領域は、第２外部端子８２の半分以上の領域である。すなわち、厚さ方向Ｔｄから視たときに、ダミー部８３の全体と、第１外部端子８１及び第２外部端子８２の半分以上の領域とが、光学的に同じ色である。ここでの同じ色とは、例えば、色差計を用いたときに、ＲＧＢを示す数値の差異が、所定の範囲内であるときに同じ色とみなす。なお、所定の範囲は例えば、１０％等である。
In the
第５層Ｌ５において、端子部８０を除く部分は、絶縁層９０となっている。換言すると、第４層Ｌ４の上面のうち、２つの第１外部端子８１と、１つの第２外部端子８２と、１つのダミー部８３とによって覆われていない範囲は、第５層Ｌ５の絶縁層９０によって覆われている。また、厚さ方向Ｔｄから視たときに、端子部８０の外縁は、絶縁層９０と接している。絶縁層９０は、磁性層５０よりも絶縁性が高く、本実施形態では、絶縁層９０はソルダーレジストとなっている。絶縁層９０の厚さ方向Ｔｄの寸法は、端子部８０のいずれの厚さ方向Ｔｄの寸法よりも小さくなっている。
A portion of the fifth layer L5 other than the
本実施形態においては、磁性層５０と、絶縁樹脂６１と、絶縁層９０とによって、素体ＢＤが構成されている。すなわち、素体ＢＤは、厚さ方向Ｔｄから視たとき、長方形状になっている。本実施形態において、素体ＢＤの厚さ方向の寸法は、例えば、約０．２ミリメートルとすることができる。素体ＢＤとは、インダクタ部品１０のうち、導電性を有する配線及び端子を除いた部分であり、絶縁性を有する部分である。また、素体ＢＤの形状は、上述したとおり、直方体状であり、部分的に突出する部材は除く。なお、素体ＢＤの形状が直方体状であれば、積層されている部分は素体ＢＤに含まれる。
In this embodiment, the
素体ＢＤの表面のうち、絶縁層９０における厚さ方向Ｔｄの上側の面が主面ＭＦとなっている。したがって、インダクタ配線２０は、素体ＢＤの主面ＭＦと平行に延びている。そして、インダクタ配線２０の第１パッド２２Ｒから主面ＭＦに向かって第１垂直配線７１が厚さ方向Ｔｄに延びている。同様に、インダクタ配線２０の第１パッド２２Ｌから主面ＭＦに向かって第１垂直配線７１が厚さ方向Ｔｄに延びている。第１垂直配線７１は主面ＭＦから露出している。インダクタ配線２０の第２パッド２３Ｒからは主面ＭＦに向かって第２垂直配線７２が厚さ方向Ｔｄに延びている。第２垂直配線７２は主面ＭＦから露出している。なお、本実施形態のように、第１垂直配線７１及び第２垂直配線７２における主面ＭＦから露出している面の少なくとも一部が、第１外部端子８１及び第２外部端子８２に覆われていることもある。
Among the surfaces of the base body BD, the upper surface of the insulating
端子部８０は、主面ＭＦにおいて厚さ方向Ｔｄの上側に露出している。また、厚さ方向Ｔｄから視たときに、端子部８０の外縁は、主面ＭＦの範囲内に配置されている。すなわち、各第１外部端子８１、第２外部端子８２及びダミー部８３は、素体ＢＤの表面のうち、主面ＭＦにおいてのみ素体ＢＤの外方に露出している。
The
素体ＢＤは主面ＭＦに垂直な第１側面９３を有している。なお、第１層Ｌ１の第１側面９１は、素体ＢＤの第１側面９３の一部である。また、素体ＢＤは主面ＭＦに垂直な側面であって第１側面９３と平行な第２側面９４を有している。なお、第１層Ｌ１の第２側面９２は、素体ＢＤの第２側面９４の一部である。すなわち、第１支持配線４１は、インダクタ配線２０から主面ＭＦと平行に延び、端部が素体ＢＤの第１側面９３に露出している。同様に、第２支持配線４２は、インダクタ配線２０から主面ＭＦと平行に延び、端部が素体ＢＤの第２側面９４に露出している。
The element body BD has a
本実施形態では、第５層Ｌ５の幾何中心Ｇは、主面ＭＦの幾何中心と一致する。また、厚さ方向Ｔｄから視たときに、主面ＭＦの幾何中心と素体ＢＤの幾何中心とは一致している。 In this embodiment, the geometric center G of the fifth layer L5 coincides with the geometric center of the main surface MF. In addition, when viewed from the thickness direction Td, the geometric center of the main surface MF and the geometric center of the base body BD match.
図２８に示すように、主面ＭＦの幾何中心Ｇをとおり、主面ＭＦの短手方向Ｗｄの一辺に平行な仮想直線ＢＸにおいて、主面ＭＦを第１領域と第２領域とに仮想的に分割したとする。仮想直線ＢＸよりも長手方向Ｌｄの第１端側を第１領域としたとき、第１領域にはダミー部８３が設けられていない。また、仮想直線ＢＸよりも長手方向Ｌｄの第２端側を第２領域としたとき、第２領域には、第２領域に設けられた第２外部端子８２の数と同じ数のダミー部８３が設けられている。
As shown in FIG. 28, a virtual straight line BX passing through the geometric center G of the principal surface MF and parallel to one side of the transverse direction Wd of the principal surface MF allows the principal surface MF to be virtually divided into a first region and a second region. is divided into When the first end side in the longitudinal direction Ld of the imaginary straight line BX is defined as the first region, the
次に、各配線について詳述する。
図２８に示すように、厚さ方向Ｔｄから視たとき、第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１は、長手方向Ｌｄに延びている。なお、第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１は、第１配線本体２１Ｒが延びる方向と直交する方向、すなわち短手方向Ｗｄにおいて第１配線本体２１Ｒの中間点を辿った線である。本実施形態において、各配線本体２１の線幅は、例えば５０マイクロメートルになっている。
Next, each wiring will be described in detail.
As shown in FIG. 28, when viewed from the thickness direction Td, the central axis C1 of the
上述したように、第２インダクタ配線２０Ｌの第２配線本体２１Ｌの中心軸線Ｃ２は略Ｌ字状に延びている。ここで、第２配線本体２１Ｌの長直線部３１の配線長は、第１配線本体２１Ｒの配線長よりも長くなっている。加えて、第２配線本体２１Ｌは、接続部３３および短直線部３２を有している。したがって、第２配線本体２１Ｌの配線長の方が、第１配線本体２１Ｒの配線長よりも、長くなっている。具体的には、第２配線本体２１Ｌの配線長は、第１配線本体２１Ｒの配線長の１．２倍以上である。
As described above, the central axis C2 of the
上記の配線長の違いを反映して、第２インダクタ配線２０Ｌのインダクタンス値は、第１インダクタ配線２０Ｒのインダクタンス値の１．１倍以上になっている。また、本実施形態では、第１インダクタ配線２０Ｒのインダクタンス値は例えば、およそ２．５ｎＨである。
Reflecting the difference in wiring length, the inductance value of the
第１インダクタ配線２０Ｒの第１配線本体２１Ｒは、素体ＢＤにおける長手方向Ｌｄの外縁の一辺に沿って延びている。厚さ方向Ｔｄから視たときに、第２インダクタ配線２０Ｌの第１パッド２２Ｌ及び第２パッド２３Ｒは、幾何中心Ｇに対して対称的な位置に配置されている。本実施形態では、第２インダクタ配線２０Ｌの第１パッド２２Ｌと第２パッド２３Ｒとは、幾何中心Ｇに対して２回対称の位置に配置されている。
The
第１インダクタ配線２０Ｒは、第２インダクタ配線２０Ｌと互いに平行に延びる平行部分を有している。具体的には、第１配線本体２１Ｒと、第２配線本体２１Ｌの長直線部３１とが平行部分に該当する。これら第１配線本体２１Ｒ及び長直線部３１は、第１層Ｌ１において短手方向Ｗｄに並設されている。なお、平行部分は、実質的に平行であればよく、製造誤差を許容する。
The
以下の説明では、短手方向Ｗｄにおける第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１と、第２配線本体２１Ｌの長直線部３１における中心軸線Ｃ２との距離を配線本体間のピッチＸ１とする。配線本体間のピッチは、隣り合う平行部分のピッチである。また、隣り合うインダクタ配線の平行部分の間隔、すなわち、図２２の第１配線本体２１Ｒの短手方向Ｗｄの第１端側と第２配線本体２１Ｌの長直線部３１の短手方向Ｗｄの第２端側との間の距離は、例えば、およそ２００マイクロメートルになっている。
In the following description, the distance between the central axis C1 of the
図２８に示すように、第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１から、第１配線本体２１Ｒに最も近い短手方向Ｗｄの素体の端、すなわち第２端側の端までの距離を、第１距離Ｙ１とする。第２インダクタ配線２０Ｌの平行部分である長直線部３１の中心軸線Ｃ２から、長直線部３１に最も近い短手方向Ｗｄの素体ＢＤの端、すなわち第１端側の端までの距離を第２距離Ｙ２とする。本実施形態において、第１距離Ｙ１は、第２距離Ｙ２と同じ寸法である。
As shown in FIG. 28, the distance from the central axis C1 of the
短手方向Ｗｄにおいて、配線本体間のピッチＸ１は、第１距離Ｙ１及び第２距離Ｙ２と寸法が異なっている。具体的には、配線本体間のピッチＸ１は、およそ「２５０マイクロメートル」とすることができる。第１距離Ｙ１、第２距離Ｙ２は、およそ「１７５マイクロメートル」とすることができる。このように、第１距離Ｙ１及び第２距離Ｙ２は、ピッチＸ１の２分の１よりもやや大きいことが好ましい。 In the lateral direction Wd, the pitch X1 between the wiring bodies is different in dimension from the first distance Y1 and the second distance Y2. Specifically, the pitch X1 between the wiring bodies can be approximately "250 micrometers." The first distance Y1 and the second distance Y2 can be approximately "175 micrometers." Thus, the first distance Y1 and the second distance Y2 are preferably slightly larger than half the pitch X1.
厚さ方向Ｔｄから視て、第１インダクタ配線２０Ｒの第１パッド２２Ｒに接続している第１支持配線４１の中心軸線Ａ１は、長手方向Ｌｄに延びている。第１支持配線４１の中心軸線Ａ１は、第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１よりも短手方向Ｗｄの外側に位置している。すなわち、第１インダクタ配線２０Ｒに接続している第１支持配線４１の中心軸線Ａ１の延長線と第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１とは一致していない。そのため、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１と第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１とは、異なる直線上に位置している。また、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１の延長線は、第１垂直配線７１の中心軸線ＣＶ１と交差している。
When viewed from the thickness direction Td, the central axis A1 of the
第２インダクタ配線２０Ｌの第１パッド２２Ｌに接続している第１支持配線４１の中心軸線Ａ１は、長手方向Ｌｄに延びている。第１支持配線４１の中心軸線Ａ１は、第２配線本体２１Ｌの中心軸線Ｃ２、より詳細には長直線部３１の中心軸線Ｃ２よりも短手方向Ｗｄの外側に位置している。すなわち、第２インダクタ配線２０Ｌに接続している第１支持配線４１の中心軸線Ａ１の延長線と第２配線本体２１Ｌの中心軸線Ｃ２とは一致していない。そのため、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１と第２配線本体２１Ｌの中心軸線Ｃ２とは、異なる直線上に位置している。また、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１の延長線は、第１垂直配線７１の中心軸線ＣＶ１と交差している。なお、第１インダクタ配線２０Ｒに接続している第１支持配線４１と、第２インダクタ配線２０Ｌに接続している第１支持配線４１とは、対称軸ＡＸを基準に線対称の位置に配置されている。
A central axis A1 of the
また、厚さ方向Ｔｄから視て、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２は、長手方向Ｌｄに延びている。第２支持配線４２の中心軸線Ａ２は、第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１よりも短手方向Ｗｄの外側に位置している。すなわち、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２の延長線と第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１とは一致していない。そのため、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２と第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１とは、異なる直線上に位置している。また、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２の延長線上には、第２垂直配線７２が配置されている。そして、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２の延長線は、第２垂直配線７２の中心軸線ＣＶ２と交差している。
Further, when viewed from the thickness direction Td, the central axis A2 of the
第１インダクタ配線２０Ｒから延びている第１支持配線４１及び第２支持配線４２は、短手方向Ｗｄにおいて同じ位置に配置されている。すなわち、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１と第２支持配線４２の中心軸線Ａ２とは同一直線上に位置している。なお、第１実施形態と同様に、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌの最小線幅を基準に、１０％以内のずれであれば、同一直線上にある、とみなす。具体的には、本実施形態におけるインダクタ配線２０の最小線幅は、第１配線本体２１Ｒ及び第２配線本体２１Ｌの線幅である５０マイクロメートルである。
The
上述したように、第１層Ｌ１において、各第１支持配線４１は、対称軸ＡＸを基準として、線対称に配置されている。したがって、図２８に示すように、素体ＢＤの短手方向Ｗｄの第２端側の端から、第１インダクタ配線２０Ｒから延びる第１支持配線４１の中心軸線Ａ１までの距離Ｑ１は、素体ＢＤの短手方向Ｗｄの第１端側の端から、第２インダクタ配線２０Ｌから延びる第１支持配線４１の中心軸線Ａ１までの距離Ｑ２と同じである。
As described above, in the first layer L1, the
一方、短手方向Ｗｄにおいて、第１インダクタ配線２０Ｒから延びる第１支持配線４１の中心軸線Ａ１から、第２インダクタ配線２０Ｌから延びる第１支持配線４１の中心軸線Ａ１までのピッチＰ１は、上述の距離Ｑ１及び距離Ｑ２よりも大きくなっている。具体的には、ピッチＰ１は、距離Ｑ１及び距離Ｑ２のおよそ２倍の長さである。
On the other hand, in the lateral direction Wd, the pitch P1 from the central axis A1 of the
本実施形態において、第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１に直交する断面における第１配線本体２１Ｒの断面積は、第２配線本体２１Ｌの断面積と等しくなっている。なお、本願において、第１配線本体２１Ｒと第２配線本体２１Ｌの断面積のずれが１０％以内であれば、等しい、とみなす。
In this embodiment, the cross-sectional area of the
また、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１に直交する断面における第１支持配線４１の断面積は、上述の第１配線本体２１Ｒ及び第２配線本体２１Ｌの断面積よりも小さくなっている。第２支持配線４２の中心軸線Ａ２に直交する断面における第２支持配線４２の断面積も、上述の第１配線本体２１Ｒ及び第２配線本体２１Ｌの断面積よりも小さくなっている。
Further, the cross-sectional area of the
図３０に示すように、素体ＢＤにおける長手方向Ｌｄの第１端側の第１側面９１には、２つの第１支持配線４１の端が露出している。各第１支持配線４１において第１側面９３に露出している露出面４１Ａの形状は、中心軸線Ａ１と直交する第１支持配線４１の断面形状を短手方向Ｗｄに若干引き延ばしたような形状になっている。その結果として、第１支持配線４１の露出面４１Ａの面積は、中心軸線Ａ１と直交する断面における、素体ＢＤの内部での第１支持配線４１の断面積よりも大きくなっている。同様に、図２７に示すように、第２支持配線４２において第２側面９４に露出している露出面４２Ａの面積は、中心軸線Ａ２と直交する断面における、素体ＢＤの内部での第２支持配線４２の断面積よりも大きくなっている。これにより、第１支持配線４１、第２支持配線４２の素体ＢＤの第１側面９３及び第２側面９４との接触面積が大きくなり、互いの密着性が向上する。なお、あくまで断面積の大小が上記関係を満たせばよく、例えば、露出面４１Ａは、一方に引き延ばされつつ、他方が素体ＢＤの引き延ばされた部分に覆われた形状であってもよい。
As shown in FIG. 30, the ends of the two
なお、第１側面９３において露出している第１支持配線４１は２つであり、第２側面９４において露出している第２支持配線４２は１つであり、露出している支持配線の数が異なっている。
Two
次に、外部端子について詳述する。
図２９に示すように、第２外部端子８２は、第２導電部８２Ａと、第２絶縁部８２Ｂと、を有している。第２導電部８２Ａは、第２垂直配線７２の上面に、他の層を介することなく直接接続されている。第２導電部８２Ａの材質は、金属を含んでおり、本実施形態では銅である。
Next, the external terminals will be described in detail.
As shown in FIG. 29, the second
第２導電部８２Ａには、第２絶縁部８２Ｂが積層されている。本実施形態においては、第２導電部８２Ａの表面のうち、第２垂直配線７２と接している面及び絶縁層９０と接している面以外の面は、第２絶縁部８２Ｂで覆われている。第２絶縁部８２Ｂの材質は、酸化銅である。すなわち、第２絶縁部８２Ｂの材質は、第２導電部８２Ａの材質の金属の金属酸化物である。そのため、第２絶縁部８２Ｂは、第２導電部８２Ａよりも絶縁性が高くなっている。また、第２絶縁部８２Ｂの厚さ方向Ｔｄの寸法は、１．５マイクロメートル以下である。
A second insulating
このように、第２外部端子８２において、第２導電部８２Ａは、第２絶縁部８２Ｂに覆われることによって、素体ＢＤの外部から絶縁されている。なお、本実施形態において、図２８に示すように、第１外部端子８１は、第１導電部８１Ａと、第１絶縁部８１Ｂとを有している。また、ダミー部８３は、第３導電部８３Ａと、第３絶縁部８３Ｂとを有している。第１外部端子８１の第１導電部８１Ａ及び第１絶縁部８１Ｂ、ダミー部８３の第３導電部８３Ａ及び第３絶縁部８３Ｂは、第２外部端子８２の第２導電部８２Ａ及び第２絶縁部８２Ｂと同様であるので、詳細な説明は省略する。
As described above, in the second
上記インダクタ部品１０において、第１外部端子８１の第１導電部８１Ａから、第１垂直配線７１、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２垂直配線７２を介して、第２外部端子８２の第２導電部８２Ａに至るまでの部分の直流電気抵抗は、４端子法によって測定できる。第１外部端子８１の第１絶縁部８１Ｂの直流電気抵抗及び第２外部端子８２の第２絶縁部８２Ｂの直流電気抵抗の合計値は、上記部分の直流電気抵抗よりも大きくなっている。
In the
なお、本実施形態では、第１外部端子８１の第１導電部８１Ａから、第１垂直配線７１、インダクタ配線２０及び第２垂直配線７２を介して、第２外部端子８２の第２導電部８２Ａまでの部分の直流電気抵抗は、１ｍΩ以上５０ｍΩ以下になっている。また、当該部分に電流を流した場合に得られるインダクタンス値は、１ｎＨ以上１０ｎＨ以下である。なお、インダクタンス値の測定方法は、第１実施形態と同様である。
In the present embodiment, the second
同様に、第１外部端子８１の第１導電部８１Ａから、第１垂直配線７１、第２インダクタ配線２０Ｌ及び第２垂直配線７２を介して、第２外部端子８２の第２導電部８２Ａに至るまでの部分の直流電気抵抗は、４端子法によって測定できる。第１外部端子８１の第１絶縁部８１Ｂの直流電気抵抗及び第２外部端子８２の第２絶縁部８２Ｂの直流電気抵抗の合計値は、上記部分の直流電気抵抗よりも大きくなっている。そして、上記部分の直流電気抵抗は、１ｍΩ以上５０ｍΩ以下であり、上記部分に電流を流した場合に得られるインダクタンス値は、１ｎＨ以上１０ｎＨ以下である。
Similarly, from the first
第２実施形態のインダクタ部品１０の製造方法を説明する。なお、以下では、第２実施形態のインダクタ部品１０の製造方法のうち、上記第１実施形態のインダクタ部品１０の製造方法とは異なる点について説明する。
A method for manufacturing the
第２実施形態における絶縁層加工工程では、第２磁性層５５の上面と、各垂直配線の上面とのうち、端子部８０を形成しない部分に、フォトリソグラフィによって、絶縁層９０として機能するソルダーレジストをパターニングする。なお、本実施形態において、絶縁層９０の上面すなわち素体ＢＤの主面ＭＦに直交する方向は、厚さ方向Ｔｄとなっている。
In the insulating layer processing step in the second embodiment, a solder resist functioning as the insulating
第２実施形態における端子部加工工程では、第２磁性層５５の上面と、各垂直配線の上面と、のうち、絶縁層９０に覆われていない部分に、第１外部端子８１と、第２外部端子８２と、ダミー部８３とを形成する。具体的には、第１導電部８１Ａ、第２導電部８２Ａ及び第３導電部８３Ａを銅の無電解めっきによって形成する。次に、第１導電部８１Ａ、第２導電部８２Ａ及び第３導電部８３Ａの表面を高温処理で酸化させることで、酸化銅からなる第１絶縁部８１Ｂ、第２絶縁部８２Ｂ及び第３絶縁部８３Ｂを形成する。これにより第１外部端子８１と、第２外部端子８２とダミー部８３とが形成される。
In the terminal part processing step in the second embodiment, the first
第２実施形態における個片化加工工程では、図３１に示すように、破断線ＤＬにてダイシングにより個片化する。これにより、インダクタ部品１０を得ることができる。
ダイシングする前の状態では、例えば、図３１に示すように、複数のインダクタ部品が、長手方向Ｌｄと短手方向Ｗｄとに並列され、素体ＢＤや第１支持配線４１及び、第２支持配線４２で個々のインダクタ部品は繋がっている。具体的には、第１支持配線４１は、第１支持配線４１同士で繋がっており、第２支持配線４２は第２支持配線４２同士で繋がっている。破断線ＤＬ上に含まれる、第１支持配線４１及び第２支持配線４２が厚さ方向Ｔｄで切断されることで、第１支持配線４１の切断面を第１側面９３に露出面４１Ａとして露出させる。また、第２支持配線４２の切断面を第２側面９４に露出面４２Ａとして露出させる。
In the singulation processing step in the second embodiment, as shown in FIG. 31, singulation is performed by dicing along the breaking lines DL. Thus,
Before dicing, for example, as shown in FIG. 31, a plurality of inductor components are arranged in parallel in the longitudinal direction Ld and the lateral direction Wd, and the base body BD, the
次に、第２実施形態の効果を説明する。第２実施形態のインダクタ部品１０は、上述した第１実施形態の効果（１－１）～（１－６）、（１－９）～（１－１３）に加え、さらに以下の効果を奏する。
Next, effects of the second embodiment will be described. The
（２－１）上記第２実施形態において、第５層Ｌ５には、ダミー部８３が設けられている。厚さ方向Ｔｄから視たときに、ダミー部８３の面積は、第１外部端子８１及び第２外部端子８２と等しくなっている。そのため、第１外部端子８１及び第２外部端子８２と同じようにダミー部８３を、基板等に対してはんだ付けする際に、これら４つの端子部８０上に塗布されるはんだの量を均一化できる。したがって、インダクタ部品１０が傾いて基板等に実装されるといったことが抑制できる。
(2-1) In the second embodiment, the
（２－２）上記第２実施形態において、ダミー部８３は、第１絶縁部８１Ｂ及び第２絶縁部８２Ｂと同様の構成の第３絶縁部８３Ｂを有している。そのため、第１外部端子８１及び第２外部端子８２と同一の工程で、ダミー部８３を形成できる。
(2-2) In the second embodiment, the
（２－３）上記実施形態では、第１配線本体２１Ｒの配線長と第２配線本体２１Ｌの配線長とが異なっている。そのため、第１パッド２２Ｒ及び第１パッド２２Ｌのどちらに電流を流すかによって、異なるインダクタンス値に切り替えることができる。
(2-3) In the above embodiment, the wiring length of the
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記各実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
・第１外部端子８１の第１絶縁部８１Ｂは、当該第１絶縁部８１Ｂを貫通する微細な貫通孔を有していてもよい。そして、貫通孔１つ１つの径が十分に小さいのであれば、第１導電部８１Ａの全てが第１絶縁部８１Ｂに覆われていなくても、全体の９割以上が覆われていれば、第１導電部８１Ａが素体ＢＤの外部から絶縁されているといえる。図３２に示す例では、第１絶縁部８１Ｂに、２つの貫通孔８５が貫通している。各貫通孔８５の直径はそれぞれ１０マイクロメートルで、いずれも第１外部端子８１の最大フェレ径の１０分の１以下である。第１外部端子８１の最大フェレ径とは、厚さ方向Ｔｄに直交する方向から第１外部端子８１を射影したときに、射影された像の厚さ方向Ｔｄに直交する方向の寸法のうち、最も大きい寸法である。例えば、上記各実施形態の場合、第１外部端子８１は、厚さ方向Ｔｄから視たときに長方形状であるため、当該長方形の対角線の寸法が、最大フェレ径である。
Each of the above embodiments can be implemented with the following modifications. Each of the above-described embodiments and the following modifications can be implemented in combination with each other within a technically consistent range.
- The 1st insulating
このように貫通孔８５の径が十分に小さければ、例えば、インダクタ部品１０の保管中に、各インダクタ部品１０の第１外部端子８１同士が接触しても、インダクタ部品１０が相互に電気的に接続されることはないので、第１絶縁部８１Ｂによって絶縁されているといえる。
If the diameter of the through-
・インダクタ部品１０の直流電気抵抗を測定する場合には、いわゆる４端子法を用いることがある。このような場合、第１外部端子８１に測定ピンを突き刺し、第１外部端子８１の直流電気抵抗を測定する。このような場合に、図３２に示す例のように、第１絶縁部８１Ｂに貫通孔８５が形成されることがある。
- When measuring the DC electrical resistance of the
・インダクタ部品１０において、第１外部端子８１の第１導電部８１Ａから、第１垂直配線７１、インダクタ配線２０及び第２垂直配線７２を介して、第２外部端子８２の第２導電部８２Ａに至るまでの部分の直流電気抵抗は、インダクタ配線２０の構成によって変わり得る。例えば、インダクタ配線２０のターン数が大きかったり、インダクタ配線２０の断面積が小さかったりした場合には、上記部分の直流電気抵抗は増大する。また、上記部分のインダクタンス値も、インダクタ配線２０の構成や素体ＢＤの材質等によって上下し得る。
In the
また、図３３に示すように、第１外部端子８１の第１絶縁部８１Ｂは、第１導電部８１Ａ側に向かって窪む窪み８６を備えていてもよい。このような窪み８６は、例えば、上述した第１外部端子８１の直流電気抵抗を測定する際に形成してもよい。また、先ず、図３２に示す例のように、第１外部端子８１の第１絶縁部８１Ｂに貫通孔８５を形成した後、より絶縁性を高めるために追加の熱処理により当該貫通孔８５によって第１絶縁部８１Ｂから露出していた第１導電部８１Ａを酸化させることにより絶縁部を形成してもよい。
Further, as shown in FIG. 33, the first insulating
・各絶縁部の構成は、上記各実施形態の例に限られない。例えば、図３４に示す例では、第１外部端子１８１の第１絶縁部は、金属酸化物を含む絶縁部１８１Ｂと、絶縁部１８１Ｂに積層された樹脂からなる絶縁部１８１Ｃと、を有している。この場合、樹脂からなる絶縁部１８１Ｃを用いることで、金属酸化物を含む絶縁部１８１Ｂよりも広い範囲に第１絶縁部を形成しやすい。
- The configuration of each insulating portion is not limited to the examples of the above embodiments. For example, in the example shown in FIG. 34, the first insulating portion of the first
また、図３４に示す例において、金属酸化物を含む絶縁部１８１Ｂを省いてもよい。すなわち、第１絶縁部が、樹脂からなる絶縁部１８１Ｃのみから構成されていてもよい。
・上記各実施形態において、第１外部端子８１の第１絶縁部８１Ｂ及び第２外部端子８２の第２絶縁部８２Ｂを省略し、それに代えて、第１外部端子８１の第１導電部８１Ａ及び第２外部端子８２の第２導電部８２Ａの外面が絶縁層９０によって覆われていてもよい。
Also, in the example shown in FIG. 34, the insulating
- In each of the above embodiments, the first insulating
・上記各実施形態において、第１導電部８１Ａ及び第２導電部８２Ａの構成は、上記各実施形態の例に限られない。例えば、第１外部端子８１の第１導電部８１Ａは、銅からなる層と、ニッケルからなる層と、２層構造であってもよい。この場合、第１絶縁部８１Ｂとして、ニッケルの酸化物と、銅の酸化物とが含まれていてもよい。
- In each above-mentioned embodiment, composition of the 1st
他にも、第１導電部８１Ａ、第２導電部８２Ａ及び第３導電部８３Ａはニッケル、金であってもよいし、ニッケル、スズであってもよい。また、触媒層を必要に応じて設けてもよい。例えば、ニッケルはエレクトロマイグレーションを抑制したり、金やスズははんだの濡れ性を確保したり、各外部端子の導電層を各機能に応じて適切に設定することができる。
Alternatively, the first
・上記各実施形態において、第１絶縁部８１Ｂ及び第２絶縁部８２Ｂの厚さは、１．５マイクロメートルより大きくてもよい。なお、第１絶縁部８１Ｂを、第１導電部８１Ａを構成する金属の金属酸化物で構成する場合、第１絶縁部８１Ｂの形成方法によっては、第１絶縁部８１Ｂと第１導電部８１Ａとの境界が明確でないこともある。このように境界が明確でない場合、金属酸化物が検出できる部分は第１絶縁部８１Ｂである。この点、第２絶縁部８２Ｂ及び第２導電部８２Ａにおいても同様である。
- In each of the above embodiments, the thickness of the first insulating
・上記各実施形態において、第１絶縁部８１Ｂは、第１導電部８１Ａに含まれていない金属の酸化物であってもよい。例えば、第１絶縁部８１Ｂが、樹脂の層と、当該樹脂の層の上に積層される金属酸化物の層から構成されてもよく、この場合、樹脂の層の上に金属を積層させ、全てを酸化させてもよい。この点、第２絶縁部８２Ｂにおいても同様である。
- In each of the above-described embodiments, the first insulating
・上記各実施形態において、第１絶縁部８１Ｂに含まれる金属酸化物は、酸化銅に限られない。第１導電部８１Ａの材質によって、第１絶縁部８１Ｂに含まれる金属酸化物が適宜変更されてもよい。
- In each of the embodiments described above, the metal oxide contained in the first insulating
・第２実施形態において、端子部８０のうちダミー部８３については、第３絶縁部８３Ｂは必須ではない。ダミー部８３は、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌに電気的に接続されていないので、ダミー部８３が他の部品の端子等に触れたとしても、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌに意図せず電流が流れる可能性は低い。
- In 2nd Embodiment, about the
・素体ＢＤの内部におけるインダクタ配線２０の数は１つでもよい。また、インダクタ配線２０が３つ以上設けられていてもよい。また、インダクタ配線２０の数に伴って、第１側面９１及び第２側面９２から露出する支持配線の数が３つ以上になってもよい。さらに、複数のインダクタ配線２０が、異なる層に配置されていてもよい。
- The number of
・上記各実施形態において、インダクタ配線２０とは、電流が流れた場合に磁性層に磁束を発生させることによって、インダクタ部品１０にインダクタンスを付与できるものであればよい。
In each of the above-described embodiments, the
・インダクタ配線２０の形状は、上記各実施形態の例に限られない。例えば、図３５に示す例では、第１インダクタ配線２０Ｒの第１配線本体２１Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌの第２配線本体２１Ｌは、ミアンダ形状である。また例えば、インダクタ配線２０の配線本体２１は波形状であってもよい。
- The shape of the
また例えば、インダクタ配線２０の配線本体２１が渦巻き状になっていてもよい。図３６に示す例では、厚さ方向Ｔｄから視て、インダクタ配線２００の配線本体２０１は、径方向外側から径方向内側に向かって、時計回りに延びている。この例では、配線本体２０１のターン数は、１．２５である。配線本体２０１の第１端には第１パッド２０２が接続されている。配線本体２０１の第２端には第２パッド２０３が接続されている。第１パッド２０２及び第２パッド２０３は、厚さ方向Ｔｄから視て円形状である。第１パッド２０２には、第１垂直配線２７１を介して外部端子が接続されている。第２パッド２０３には、第２垂直配線２７２を介して外部端子が接続されている。そして、図示は省略するが、各外部端子は、導電部と絶縁部とを備えている。なお、第１パッド２０２には、支持配線２４０が接続されている。
Further, for example, the
・上記各実施形態において、素体ＢＤの厚さ方向Ｔｄの寸法は、上記実施形態の例に限定されない。例えば、素体ＢＤの厚さ方向Ｔｄの寸法が、素体ＢＤの短手方向Ｗｄの寸法より大きくてもよい。ただし、上述のように素体ＢＤの厚さ方向Ｔｄの寸法が小さいほど、インダクタ部品１０を基板に実装した際に、基板から突出する寸法が小さくなり好ましい。具体的には、０．２５ミリメートル以下であるとよい。
- In each of the above embodiments, the dimension of the base body BD in the thickness direction Td is not limited to the examples of the above embodiments. For example, the dimension in the thickness direction Td of the element BD may be larger than the dimension in the transverse direction Wd of the element BD. However, as described above, the smaller the dimension of the element body BD in the thickness direction Td, the smaller the dimension that protrudes from the substrate when the
・上記各実施形態について、第１支持配線４１の位置は、上記各実施形態の例に限られない。例えば、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１の短手方向Ｗｄの位置が、接続されているインダクタ配線２０の配線本体２１の中心軸線Ｃ１の短手方向Ｗｄの位置と同じであってもよい。なお、配線本体２１が湾曲している部分を備えている場合、配線本体２１のパッド側の端部が直線状であれば、当該直線状の部分の中心軸線に対して、第１支持配線の中心軸線Ａ１がずれていてもよい。
- In each of the above embodiments, the position of the
・上記各実施形態において、第１側面９３及び第２側面９４に露出している支持配線の数は、インダクタ配線２０の数に伴って、３つ以上になってもよいし、全て省略してもよい。
- In each of the above-described embodiments, the number of support wirings exposed on the
・上記各実施形態において、磁性層５０に含まれる金属磁性粉の平均粒子径は、上記実施形態の例に限定されない。ただし、比透磁率を確保するためには、金属磁性粉の平均粒子径が、１マイクロメートル以上かつ、１０マイクロメートル以下であると好ましい。
- In each of the above embodiments, the average particle size of the metal magnetic powder contained in the
・上記各実施形態において、第１磁性層５４及び第２磁性層５５に含まれる金属磁性粉は、Ｆｅを含む金属粉でなくてもよい。例えば、ＮｉやＣｒを含む金属粉であってもよい。
- In each of the above-described embodiments, the metal magnetic powder contained in the first
・上記各実施形態において、隣り合うインダクタ配線２０の最小の間隔は、パッド間でなくてもよく、配線本体２１間であってもよい。ただし、インダクタ配線２０間の絶縁という観点では、最小の間隔は、５０マイクロメートル以上であることが好ましい。
- In each of the above-described embodiments, the minimum distance between
・上記各実施形態において、各インダクタ配線２０の組成は、上記実施形態の例に限られない。例えば、銀や金であってもよい。
・上記各実施形態において、磁性層５０の組成は、上記実施形態の例に限られない。例えば、磁性層５０の材質は、フェライト粉であってもよいし、フェライト粉と金属磁性粉との混合物であってもよい。
- In each of the above embodiments, the composition of each
- In each of the above-described embodiments, the composition of the
・上記各実施形態において、各支持配線４１、４２と磁性層５０との間に別の層が介在していてもよい。例えば、各支持配線４１、４２と磁性層５０との間に絶縁層が介在していてもよい。
- In each of the above-described embodiments, another layer may be interposed between the supporting
・上記各実施形態において、第１垂直配線７１及び第２垂直配線７２は、主面ＭＦと直交する方向にのみ延びていなくてもよい。例えば、第１垂直配線７１及び第２垂直配線７２が厚さ方向Ｔｄに対して傾斜していても、第２磁性層５５を貫通していればよい。
- In each of the above-described embodiments, the first
・上記各実施形態において、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１パッド及び第２パッドの面積が第１垂直配線７１及び第２垂直配線７２の面積と等しくてもよい。また、配線本体の延伸方向と直交する方向における第１パッド及び第２パッドの長さ寸法が、配線本体と同じであってもよい。
- In each of the above-described embodiments, the areas of the first pads and the second pads may be equal to the areas of the first
・第２実施形態において、ダミー部８３は第１外部端子８１及び第２外部端子８２と同じ材質でなくてもよい。例えば、ダミー部８３は導電性を有した物質ではなくてもよい。また、例えば、ダミー部８３は第２磁性層５５が絶縁層９０から露出した部分であってもよい。
- In the second embodiment, the
・第２実施形態において、厚さ方向Ｔｄから視たときのダミー部８３の面積が、第１外部端子８１及び第２外部端子８２の面積と異なっていてもよい。
・第２実施形態において、ダミー部８３が設けられていなくてもよい。
- In the second embodiment, the area of the
- In 2nd Embodiment, the
・上記実施形態において、インダクタ部品１０の製造方法は、上記実施形態の例に限られない。例えば、第１実施形態及び第２実施形態において、インダクタ配線２０を形成する工程と第１支持配線４１及び第２支持配線とが形成する工程とが別の工程でもよい。例えば、インダクタ配線２０を形成した後に、インダクタ配線２０とは異なる材質で各支持配線４１、４２を形成してもよい。
- In the above-described embodiment, the method for manufacturing the
１０…インダクタ部品
２０…インダクタ配線
２１…配線本体
２２…第１パッド
２３…第２パッド
４１…第１支持配線
４２…第２支持配線
７１…第１垂直配線
７２…第２垂直配線
８１…第１外部端子
８１Ａ…第１導電部
８１Ｂ…第１絶縁部
８２…第２外部端子
８２Ａ…第２導電部
８２Ｂ…第２絶縁部
９０…絶縁層
ＢＤ…素体
REFERENCE SIGNS
Claims (15)
前記素体の内部で前記主面と平行に延びるインダクタ配線と、
前記インダクタ配線から前記主面に直交する厚さ方向に延び、前記主面から露出している垂直配線と、
前記垂直配線における前記主面から露出する部分上に配置されるとともに、前記主面においてのみ外方に露出している外部端子と、を備え、
前記外部端子は、金属を含む導電部と、前記導電部を被覆しているとともに前記導電部よりも絶縁性の高い絶縁部と、を有しており、
前記導電部は、前記絶縁部によって前記素体の外部から絶縁されており、
前記絶縁部の材質は、金属酸化物を含む
インダクタ部品。 a body having a main surface;
an inductor wiring extending parallel to the main surface inside the base body;
a vertical wiring extending from the inductor wiring in a thickness direction orthogonal to the main surface and exposed from the main surface;
an external terminal disposed on a portion of the vertical wiring exposed from the main surface and exposed to the outside only on the main surface;
The external terminal has a conductive portion containing metal and an insulating portion that covers the conductive portion and has higher insulation than the conductive portion,
The conductive portion is insulated from the outside of the element body by the insulating portion,
The inductor component, wherein the material of the insulating portion contains a metal oxide.
請求項１に記載のインダクタ部品。 The inductor component according to claim 1, wherein the dimension of the insulating portion in the thickness direction is 1.5 micrometers or less.
請求項１又は請求項２に記載のインダクタ部品。 3. The inductor component according to claim 1 , wherein the metal oxide is a metal oxide contained in the conductive portion.
請求項１～請求項３のいずれか１項に記載のインダクタ部品。 The inductor component according to any one of claims 1 to 3 , wherein the metal oxide is copper oxide.
請求項１～請求項４のいずれか１項に記載のインダクタ部品。 The inductor component according to any one of claims 1 to 4 , comprising a plurality of said inductor wirings.
前記インダクタ配線から前記厚さ方向に延び、前記主面から露出している第２垂直配線を備え、
前記インダクタ配線は、線状に延びる配線本体と、前記配線本体の第１端部に設けられている第１パッドと、前記配線本体の第２端部に設けられている第２パッドと、を有し、
前記第１パッドには、前記第１垂直配線が直接接続されており、
前記第２パッドには、前記第２垂直配線が直接接続されている
請求項１～請求項５のいずれか１項に記載のインダクタ部品。 When the vertical wiring is the first vertical wiring,
a second vertical wire extending from the inductor wire in the thickness direction and exposed from the main surface;
The inductor wiring includes a wiring body extending linearly, a first pad provided at a first end of the wiring body, and a second pad provided at a second end of the wiring body. have
The first vertical wiring is directly connected to the first pad,
The inductor component according to any one of claims 1 to 5 , wherein the second pad is directly connected to the second vertical wiring.
請求項１～請求項６のいずれか１項に記載のインダクタ部品。 The inductor component according to any one of claims 1 to 6 , wherein the conductive portion has a structure in which a plurality of layers made of different materials are laminated.
請求項１～請求項７のいずれか１項に記載のインダクタ部品。 The inductor component according to any one of claims 1 to 7, wherein the insulating portion has a recess that is recessed toward the conductive portion.
請求項１～請求項８のいずれか１項に記載のインダクタ部品。 The inductor component according to any one of claims 1 to 8 , wherein the insulating portion has a structure in which a plurality of layers made of different materials are laminated.
前記インダクタ配線から前記厚さ方向に延び、前記主面から露出している第２垂直配線と、
前記第２垂直配線における前記主面から露出する部分上に配置された第２外部端子と、を備え、
前記第２外部端子は、金属を含む第２導電部と、前記第２導電部を被覆しているとともに前記第２導電部よりも絶縁性の高い第２絶縁部と、を有しており、
前記第１絶縁部の直流電気抵抗及び前記第２絶縁部の直流電気抵抗の合計値は、前記第１導電部から、前記第１垂直配線、前記インダクタ配線及び前記第２垂直配線を介して前記第２導電部に至るまでの部分の直流電気抵抗よりも大きい
請求項１～請求項９のいずれか１項に記載のインダクタ部品。 When the vertical wiring is a first vertical wiring, the external terminal is a first external terminal, the conductive portion is a first conductive portion, and the insulating portion is a first insulating portion,
a second vertical wire extending from the inductor wire in the thickness direction and exposed from the main surface;
a second external terminal disposed on a portion of the second vertical wiring exposed from the main surface;
The second external terminal has a second conductive portion containing a metal, and a second insulating portion that covers the second conductive portion and has higher insulation than the second conductive portion,
The total value of the direct-current electrical resistance of the first insulating section and the direct-current electrical resistance of the second insulating section is from the first conductive section via the first vertical wiring, the inductor wiring, and the second vertical wiring to the 10. The inductor component according to any one of claims 1 to 9 , wherein the DC electrical resistance is higher than the portion up to the second conductive portion.
前記インダクタ配線から前記厚さ方向に延び、前記主面から露出している第２垂直配線と、
前記第２垂直配線における前記主面から露出する部分上に配置された第２外部端子と、を備え、
前記第２外部端子は、金属を含む第２導電部と、前記第２導電部を被覆しているとともに前記第２導電部よりも絶縁性の高い第２絶縁部と、を有しており、
前記第１導電部から、前記第１垂直配線、前記インダクタ配線及び前記第２垂直配線を介しての前記第２導電部に至るまでの部分の直流電気抵抗が１ｍΩ以上５０ｍΩ以下であり、
当該部分に電流を流した場合に、インダクタンス値が１ｎＨ以上１０ｎＨ以下である
請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載のインダクタ部品。 When the vertical wiring is a first vertical wiring, the external terminal is a first external terminal, the conductive portion is a first conductive portion, and the insulating portion is a first insulating portion,
a second vertical wire extending from the inductor wire in the thickness direction and exposed from the main surface;
a second external terminal disposed on a portion of the second vertical wiring exposed from the main surface;
The second external terminal has a second conductive portion containing a metal, and a second insulating portion that covers the second conductive portion and has higher insulation than the second conductive portion,
DC electric resistance of a portion from the first conductive portion to the second conductive portion via the first vertical wiring, the inductor wiring and the second vertical wiring is 1 mΩ or more and 50 mΩ or less;
The inductor component according to any one of claims 1 to 10, wherein an inductance value is 1 nH or more and 10 nH or less when a current is passed through the portion.
請求項１～請求項１１のいずれか１項に記載のインダクタ部品。 The inductor component according to any one of claims 1 to 11 , further comprising a support wire connected to the inductor wire and having an end exposed from the element body.
請求項１２に記載のインダクタ部品。 13. The inductor component according to claim 12 , wherein a material of a portion of the supporting wiring including the exposed surface exposed from the element body is a metal oxide.
請求項１～請求項１３のいずれか１項に記載のインダクタ部品。 14. The inductor component according to any one of claims 1 to 13 , further comprising a dummy portion exposed to the outside on said main surface and not electrically connected to said inductor wiring.
請求項１４に記載のインダクタ部品。 15. The inductor component according to claim 14 , wherein a material of a portion of said dummy portion including a surface exposed from said main surface is a metal oxide.
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