JP7286420B2 - イオン注入装置 - Google Patents
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Description
本発明は、前記引出電極には電極移動装置が設けられ、前記電極移動装置は、前記第一の検出装置が前記電流を検出した複数の検出位置と、各検出位置で検出した前記電流の電流値とに基づいて、前記イオンビームの光軸と一致すべき中心軸に対して垂直な方向に前記引出電極を移動させるイオン注入装置である。
本発明は、前記質量分析装置を通過した前記イオンビームが、前記質量分析装置よりも下流側で焦点を結ぶイオン注入装置であって、前記焦点よりも上流側であって前記質量分析装置よりも下流側で前記イオンを入射させて電流を検出する第二の検出装置と、前記焦点よりも下流側で前記イオンを入射させて電流を検出する第三の検出装置と、前記第二、第三の検出装置に前記イオンが飛行する範囲をそれぞれ横断させて前記イオンをそれぞれ入射させる第二、第三の移動装置と、前記第二、第三の検出装置の間に配置されたスリットと、を有するイオン注入装置である。
本発明は、前記質量分析装置を通過した前記イオンビームが、前記質量分析装置よりも下流側で焦点を結ぶイオン注入装置であって、前記焦点よりも上流側であって前記質量分析装置よりも下流側で前記イオンを入射させて電流を検出する第二の検出装置と、前記焦点よりも下流側で前記イオンを入射させて電流を検出する第三の検出装置と、前記第二、第三の検出装置に前記イオンが飛行する範囲をそれぞれ横断させて前記イオンをそれぞれ入射させる第二、第三の移動装置と、前記第二、第三の検出装置の間に配置されたスリットと、を有し、前記第二、第三の検出装置が前記電流を検出した複数の検出位置と、各前記検出位置で検出した前記電流の電流値とに基づいて、前記電極移動装置は、前記焦点の位置が前記スリットに近くなるように前記引出電極を前記中心軸と平行な方向に移動させるイオン注入装置である。
本発明は、引出電極に印加する電圧によってイオン源からイオンを引き出して質量分析装置の内部に入射させ、前記質量分析装置の内部を通過した前記イオンから成るイオンビームが、前記質量分析装置よりも下流側で焦点を結ぶイオン注入装置であって、前記焦点よりも上流側であって前記質量分析装置よりも下流側で前記イオンを入射させて電流を検出する第二の検出装置と、前記焦点よりも下流側で前記イオンを入射させて電流を検出する第三の検出装置と、前記第二、第三の検出装置に前記イオンが飛行する範囲をそれぞれ横断させて前記イオンをそれぞれ入射させる第二、第三の移動装置と、前記第二、第三の検出装置の間に配置されたスリットと、を有するイオン注入装置である。
本発明は、前記引出電極には電極移動装置が設けられ、前記第二、第三の検出装置が前記電流を検出した複数の検出位置と、各前記検出位置で検出した前記電流の電流値とに基づいて、前記電極移動装置は、前記焦点の位置が前記スリットに近くなるように前記引出電極を前記イオンビームと一致すべき中心軸と平行な方向に移動させるイオン注入装置である。
図1の符号2は本発明のイオン注入装置であり、特にSiC基板にイオンを注入するための装置であり、真空槽11とイオン源12と注入室13とを有している。なお、図示しないがイオン源12等の各部位は絶縁碍子で独立に電位を与えられるようにされている。
引出電極22と質量分析装置16との間の位置と、質量分析装置16とスリット装置24との間の位置と、スリット装置24と加速管8との間の位置とには、第一~第三の検出装置41~43がそれぞれ設けられている。
第一~第三の検出装置41~43は第一~第三の移動装置46~48にそれぞれ接続されており、第一~第三の移動装置46~48が動作すると、第一~第三の検出装置41~43は高電圧槽7の内部で、第一~第三の検出装置41~43のX軸に沿った方向に移動する。ここではX軸は水平面内に位置しており、第一~第三の検出装置41~43は水平面内で直線移動する。
引出電極22は消耗品であり寿命に達した引出電極22は取り外して新しい引出電極22を取り付ける。この取り付けの際に位置がずれると、イオンビームの光軸45がずれることになる。
10……注入対象物
16……質量分析装置
12……イオン源
22……引出電極
34……スリット
36……電極移動装置
41……第一の検出装置
42……第二の検出装置
43……第三の検出装置
45……光軸
46……第一の移動装置
47……第二の移動装置
48……第三の移動装置
49……焦点
57……中心軸
Claims (6)
- 引出電極に印加する電圧によってイオン源からイオンを引き出して質量分析装置の内部に入射させて通過させ、前記質量分析装置よりも下流側で焦点を結んだイオンビームを注入対象物に照射して前記注入対象物に前記イオンを注入するイオン注入装置であって、
前記イオンビームの光軸が一致すべき中心軸と平行な方向に前記引出電極を移動させることで、前記中心軸と平行な方向に前記焦点を移動可能な電極移動装置と、
前記イオン源から引き出され、前記質量分析装置に入射する前の前記イオンを入射させて流れる電流を検出する第一の検出装置と、
前記引出電極の移動によって前記焦点が最も上流側に移動したときの前記焦点の位置よりも上流側であって前記質量分析装置よりも下流側で前記イオンを入射させて電流を検出する第二の検出装置と、
前記引出電極の移動によって前記焦点が最も下流側に移動したときの前記焦点の位置よりも下流側で前記イオンを入射させて電流を検出する第三の検出装置と、
前記第一の検出装置、前記第二の検出装置及び前記第三の検出装置に前記イオンが飛行する範囲をそれぞれ横断させて前記イオンをそれぞれ入射させる第一の移動装置、第二の移動装置及び第三の移動装置と、
を有するイオン注入装置。 - 前記電極移動装置は、前記中心軸と垂直な方向に前記引出電極を移動可能であり、かつ、前記第一の検出装置が前記電流を検出した複数の検出位置と、各検出位置で検出した前記電流の電流値とに基づいて、前記イオンビームの光軸が前記中心軸に一致するように、前記引出電極を前記中心軸に垂直な方向に移動させる
請求項1記載のイオン注入装置。 - 前記第二、第三の検出装置の間に配置されたスリット
をさらに有する請求項1又は請求項2のいずれか1項記載のイオン注入装置。 - 前記電極移動装置は、前記第二、第三の検出装置が前記電流を検出した複数の検出位置と、各前記検出位置で検出した前記電流の電流値とに基づいて、前記焦点の位置が前記スリットに近くなるように前記引出電極を前記中心軸と平行な方向に移動させる
請求項3記載のイオン注入装置。 - 引出電極に印加する電圧によってイオン源からイオンを引き出して質量分析装置の内部に入射させて通過させ、前記質量分析装置よりも下流側で焦点を結んだイオンビームを注入対象物に照射して前記注入対象物に前記イオンを注入するイオン注入装置であって、
前記イオンビームの光軸が一致すべき中心軸と平行な方向に前記引出電極を移動させることで、前記中心軸と平行な方向に前記焦点を移動可能な電極移動装置と、
前記引出電極の移動によって前記焦点が最も上流側に移動したときの前記焦点の位置よりも上流側であって前記質量分析装置よりも下流側で前記イオンを入射させて電流を検出する第二の検出装置と、
前記引出電極の移動によって前記焦点が最も下流側に移動したときの前記焦点の位置よりも下流側で前記イオンを入射させて電流を検出する第三の検出装置と、
前記第二、第三の検出装置に前記イオンが飛行する範囲をそれぞれ横断させて前記イオンをそれぞれ入射させる第二、第三の移動装置と、
を有するイオン注入装置。 - 前記イオン注入装置は、前記第二、第三の検出装置の間に配置されたスリットをさらに有し、
前記電極移動装置は、前記第二、第三の検出装置が前記電流を検出した複数の検出位置と、各前記検出位置で検出した前記電流の電流値とに基づいて、前記焦点の位置が前記スリットに近くなるように前記引出電極を前記中心軸と平行な方向に移動させる
請求項5記載のイオン注入装置。
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JP2019103114A JP7286420B2 (ja) | 2019-05-31 | 2019-05-31 | イオン注入装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2019103114A JP7286420B2 (ja) | 2019-05-31 | 2019-05-31 | イオン注入装置 |
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JP2020198197A JP2020198197A (ja) | 2020-12-10 |
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JP2019103114A Active JP7286420B2 (ja) | 2019-05-31 | 2019-05-31 | イオン注入装置 |
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---|---|---|---|---|
KR20030078441A (ko) | 2002-03-29 | 2003-10-08 | 삼성전자주식회사 | 이온주입장치 |
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WO2009122555A1 (ja) | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法、イオンビームの調整方法及びイオン注入装置 |
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