JP7283445B2 - 半導体ウェーハの評価方法 - Google Patents
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Description
レーザー表面検査装置によって半導体ウェーハ(以下、単に「ウェーハ」とも記載する。)を評価する半導体ウェーハの評価方法であって、
上記半導体ウェーハは、半導体基板上に被覆層を有し、
上記レーザー表面検査装置は、
第1の入射系と、
第1の入射系が被照射面へ入射させる光の入射角より高角度の入射角で被照射面へ光を入射させる第2の入射系と、
第1の受光系と、
第2の受光系と、
第3の受光系と、
を有し、
上記3種の受光系は、被照射面から放射された光を受光する受光角および偏光選択性からなる群から選ばれる1つ以上がそれぞれ異なり、
上記被覆層の表面において、第1の入射系から入射した光が上記表面で反射または散乱することによって放射された放射光を上記3種の受光系でそれぞれ受光することによって得られた3種の低入射角測定結果と、第2の入射系から入射した光が上記表面で反射または散乱することによって放射された放射光を上記3種の受光系の少なくとも1種で受光することによって得られた少なくとも1種の高入射角測定結果と、を含む複数の測定結果に基づき、上記被覆層の表面に存在する付着物および非付着凸状欠陥からなる群から選択される欠陥種を輝点として検出することによって、上記半導体ウェーハの評価を行うことを含む、半導体ウェーハの評価方法(以下、単に「評価方法」とも記載する。)、
に関する。
第1の受光系は、全方位光を受光し、
第2の受光系は、方位角θ1°の偏光を選択受光し、
第3の受光系は、方位角θ1°とは異なる方位角θ2°の偏光を選択受光し、
0°≦θ1°≦90°かつ90°≦θ2°≦180°であり、
第1の受光系の受光角は、第2の受光系の受光角および第3の受光系の受光角より高角度であり、
第1の入射系と第1の受光系との組み合わせによって得られた測定結果1における検出の有無および検出サイズ、
第1の入射系と第2の受光系との組み合わせによって得られた測定結果2における検出の有無および検出サイズ、
第1の入射系と第3の受光系との組み合わせによって得られた測定結果3における検出の有無および検出サイズ、
第2の入射系と第2の受光系または第3の受光系との組み合わせによって得られた測定結果4における検出の有無および検出サイズ、
からなる群から選ばれる判別基準に基づき、上記輝点として検出された欠陥種が付着物であるか非付着凸状欠陥であるか判別することを含むことができる。
上記評価方法における評価対象の半導体ウェーハは、半導体基板上に被覆層を有する半導体ウェーハである。上記半導体基板は、単結晶シリコン基板等の各種半導体基板であることができる。
上記評価方法において用いられるレーザー表面検査装置(以下、単に「表面検査装置」とも記載する。)は、
被照射面へ入射させる光の入射角が異なる2種の入射系と、
受光角および偏光選択性からなる群から選ばれる少なくとも1つがそれぞれ異なる3種の受光系(第1の受光系、第2の受光系および第3の受光系)と、
を備えている。かかる表面検査装置では、異なる入射系から評価対象の半導体ウェーハの被覆層の表面(即ち被照射面)に入射した光が被照射面上の各箇所で反射または散乱することにより放射された放射光が、異なる受光系によって受光される。放射光が放射する方向(詳しくは、反射光の反射角度または散乱光の散乱角度)および偏光特性は、半導体基板上に形成された被覆層における付着物や非付着凸状欠陥の存在により様々に変わり得る。それらが異なる様々な放射光を、受光角および偏光選択性からなる群から選ばれる少なくとも1つがそれぞれ異なる上記3種の受光系で受光することにより、上記の付着物や非付着凸状欠陥を輝点として検出することが可能になると、本発明者は推察している。そのような入射系および受光系を備える表面検査装置の一例(概略構成図)を、図1に示す。図1中、入射光を実線矢印、放射光を点線矢印で模式的に示している。但し、図中に示す入射方向および放射方向は例示であって、本発明を何ら限定するものではない。また、各受光系が受光する放射光には、反射光および散乱光の一方または両方が含まれ得る。
上記評価方法における表面検査装置による検出対象は、半導体ウェーハにおいて半導体基板上に形成された被覆層の表面に存在する付着物および非付着凸状欠陥からなる群から選択される欠陥種である。これら欠陥種は、評価対象のウェーハの被覆層の表面に上記2種の入射系からそれぞれ光を入射させ上記被覆層の表面から光が放射(散乱または反射)されることにより、受光系において輝点として検出される。輝点を検出することにより、表面検査装置の演算部において、検出された輝点のサイズから、標準粒子のサイズに基づき、輝点をもたらした欠陥種のサイズ(検出サイズ)を算出することができる。標準粒子のサイズに基づく検出サイズの算出は、市販の表面検査装置に備えられている演算手段により、または公知の演算方法により、行うことができる。
これに対し、非付着凸状欠陥は、上記のような付着によって生じる欠陥とは異なり、被覆層表面の局所的な盛り上がりである。かかる非付着凸状欠陥は、通常、成膜前のウェーハ表面に存在した欠陥が核となって成膜により肥大化した欠陥である。
次に、上記評価方法の具体的態様について、説明する。
上記評価方法において用いられる表面検査装置は、3種の受光系を有し、これら3種の受光系は、受光角および偏光選択性からなる群から選ばれる少なくとも1つがそれぞれ異なる。一形態では、1種の受光系が評価対象のウェーハの被覆層の表面からの放射光を高角度側で受光する高角度側受光系であり、他の2種の受光系が上記放射光を低角度側で受光する低角度側受光系であることができる。2種の低角度側受光系の受光角は、同じであっても異なっていてもよい。ここで受光角に関して高角度(側)・低角度(側)とは、一方と他方との関係で相対的に定まるものであり、具体的な角度は限定されるものではない。一形態では、先に記載した入射角と同様に評価対象のウェーハの被覆層の表面を基準に角度を規定する場合、高角度側での受光とは、80°超90°以下の受光角で受光することをいうことができ、低角度側での受光とは、0°以上80°以下の受光角で受光することをいうことができる。また、他の一形態では、2種の受光系が高角度側受光系であり、1種の受光系が低角度側受光系であってもよい。この場合、2種の高角度側受光系の受光角は、同じであっても異なっていてもよい。
第1の受光系は、全方位光を受光し、
第2の受光系は、方位角θ1°の偏光を受光し、
第3の受光系は、方位角θ2°の偏光を受光し、
第1の受光系の受光角は、第2の受光系および第3の受光系の受光角より高角度である。即ち、全方位角を受光する第1の受光系は、高角度側受光系であり、偏光を受光する第2の受光系および第3の受光系は、低角度側受光系である。更に、偏光を受光する2つの受光系(第2の受光系および第3の受光系)が受光する偏光の方位角は、θ1°<θ2°である。
第1の入射系と第1の受光系との組み合わせによって得られた測定結果1における検出の有無および検出サイズ、
第1の入射系と第2の受光系との組み合わせによって得られた測定結果2における検出の有無および検出サイズ、
第1の入射系と第3の受光系との組み合わせによって得られた測定結果3における検出の有無および検出サイズ、
第2の入射系と第2の受光系または第3の受光系との組み合わせによって得られた測定結果4における検出の有無および検出サイズ、
からなる群から選ばれる少なくとも1種の判別基準に基づき、表面検査装置において輝点として検出された欠陥種が付着物であるか非付着凸状欠陥であるか判別することができる。このような判別が可能となる理由は、ウェーハの被覆層の表面に存在する付着物と非付着凸状欠陥とは、発生原因の違いに起因し形状等が異なることにより光を散乱・反射する挙動が異なるため、ウェーハの被覆層の表面に入射する光の入射角の違い、受光系の受光角や偏光選択性の違いによって、受光系における検出の有無や検出サイズが異なるものになることにあると、本発明者は考えている。
また、製品として出荷する前の半導体ウェーハを上記評価方法によって評価し、被覆層の表面の欠陥種の存在数が予め定めていた許容範囲内(閾値以下)であることが確認された半導体ウェーハを製品ウェーハとして出荷することにより、高品質な半導体ウェーハを安定供給することが可能となる。尚、閾値は、特に限定されるものではなく、製品ウェーハの用途等に応じて適宜設定することができる。
即ち、上記評価方法は、半導体基板上に被覆層を有する半導体ウェーハの工程管理や品質管理のために用いることができる。
評価対象の半導体ウェーハとして、単結晶シリコン基板上にCVD法によって形成された窒化物層(窒化珪素層)を有する半導体ウェーハを3枚準備した。3枚の半導体ウェーハの窒化物層の厚さは、それぞれ、10nm、50nm、100nmであった。
3枚の半導体ウェーハの窒化物層の表面において、表面検査装置として、KLA社製SurfscanシリーズSP7を用いて輝点の検出を行った。
KLA社製SurfscanシリーズSP7は、
入射系として、
評価対象ウェーハの被覆層の表面に入射光を斜め入射させる斜方レーザー光源(紫外光源)と、
ミラーを介して評価対象ウェーハの被覆層の表面に入射光を垂直入射させる垂直レーザー光源(紫外光源)と、
を有する。
上記表面検査装置は、入射系と受光系の組み合わせとして、
DW1O(Dark-Field Wide1 Oblique)チャンネル、
DW2O(Dark-Field Wide2 Oblique)チャンネル、
DNO(Dark-Field Narrow Oblique)チャンネル、
DWN(Dark-Field Wide Normal)チャンネル、
DNN(Dark-Field Narrow Normal)チャンネル、
を有する。尚、本評価では、DNNチャンネルは使用しなかった。
DW1OチャンネルおよびDW2Oチャンネルの受光器は、DNOチャンネルの受光器に対して低角度側の受光器であり、偏光選択性を有する。DW1Oチャンネルが受光する偏光の方位角は、DW2Oチャンネルが受光する偏光の方位角より小さい。DW1Oチャンネルが受光する偏光の方位角は、0°以上90°以下の範囲にあり、DW2Oチャンネルが受光する偏光の方位角は、90°以上180°以下の範囲にある。DW1Oチャンネルの検出結果は、表1における「測定結果2」に相当する。DW2Oチャンネルの検出結果は、表1における「測定結果3」に相当する。
DWNチャンネルの受光器は、DW1Oチャンネルの受光器と共通である。DWNチャンネルの検出結果は、表1における「測定結果4」に相当する。
DNOチャンネルの受光器は、全方位光を受光する(即ち偏光選択性を有さない)受光器であり、DW1OチャンネルおよびDW2Oチャンネルの受光器に対して高角度側の受光器である。DNOチャンネルの検出結果は、表1における「測定結果1」に相当する。
上記表面検査装置を用いて、上記3枚の半導体ウェーハについて、それぞれ窒化物層の表面の全域に入射光を走査して輝点(LPD)として欠陥種を検出し、かつ輝点のサイズに基づき、上記表面検査装置に備えられた演算部において、検出された欠陥種サイズ(検出サイズ)を算出した。尚、上記表面検査装置の各受光系において検出される輝点のサイズの下限(検出下限サイズ)は、DNOチャンネルは40nm、DW1Oチャンネルは20nm、DW2Oチャンネルは30nm、DWNチャンネルは50nmである。
また、上記表面検査装置では、DCO(Dark-Field Composite Oblique)チャンネルの検出結果として、DW1Oチャンネル、DW2OチャンネルおよびDNOチャンネルの検出結果を合算した結果が得られる。DCOチャンネルでは、同じ位置でDW1Oチャンネル、DW2OチャンネルおよびDNOチャンネルの2つ以上のチャンネルで輝点が検出された場合には、輝点のサイズとしては、より大きなサイズが採用される。また、DCOチャンネルでは、サイズが「200000μm」と表示される場合、「200000μm」は便宜上表示される値に過ぎず、DW1Oチャンネル、DW2OチャンネルおよびDNOチャンネルの少なくとも1つにおいて、検出サイズが検出上限サイズを超えていることを意味する。DW1Oチャンネルの検出上限サイズは100nmであり、DW2Oチャンネルの検出上限サイズは200nmであり、DNOチャンネルの検出上限サイズは300nmである。
上記1.で評価を行った半導体ウェーハの窒化物層の表演を走査型電子顕微鏡(SEM;Scanning Electron Microscope)により観察し、上記表面検査装置により検出された輝点位置に存在する欠陥種を、観察結果に基づき、付着物と非付着凸状欠陥とに分類した。SEMで観察された各欠陥種の一例(SEM像)を、図2に示す。図2(a)は非付着凸状欠陥、図2(b)は付着物に分類された欠陥種のSEM像である。
上記1.の検出結果に基づき、先に示した表1にしたがう下記表Bのアルゴリズムにしたがって、検出された輝点を付着物または非付着凸状欠陥に分類した。
図3は、上記(2)および(3)の判別に用いた、DW1OチャンネルとDW2Oチャンネルの検出サイズ分布を示すグラフである。
図4は、上記(4)の判別に用いた、DW1OチャンネルとDNOチャンネルの検出サイズ分布を示すグラフである。
図5は、上記判別(5)および(6)に用いた、DW1OチャンネルとDWNチャンネルの検出サイズ分布を示すグラフである。
図6は、上記判別(7)に用いた、DW1OチャンネルとDW2Oチャンネルの検出サイズ分布を示すグラフである。
上記の各グラフには、上記2.のSEM観察による欠陥種の分類結果も示す。
こうして得られた欠陥種の分類結果を、上記2.のSEM観察結果と対比し、判別基準に適応した欠陥種の数を求めたところ、表2に示す値であった。これらの結果から、表2に示す判別基準による判別結果がSEM観察結果による分類結果と一致していた確率、即ち適応率を算出したところ、表2に示す値であり、欠陥種を精度よく、被覆層の厚さに依存することなく、判別評価できたことが確認された。
Claims (8)
- レーザー表面検査装置によって半導体ウェーハを評価する半導体ウェーハの評価方法であって、
前記半導体ウェーハは、半導体基板上に被覆層を有し、
前記レーザー表面検査装置は、
第1の入射系と、
第1の入射系が被照射面へ入射させる光の入射角より高角度の入射角で被照射面へ光を入射させる第2の入射系と、
第1の受光系と、
第2の受光系と、
第3の受光系と、
を有し、
前記3種の受光系は、被照射面から放射された光を受光する受光角および偏光選択性からなる群から選ばれる1つ以上がそれぞれ異なり、
前記3種の受光系のうち、1種の受光系は全方位光を受光し、他の2種の受光系は方位角が異なる偏光をそれぞれ選択受光し、
前記全方位光を受光する受光系の受光角は、前記他の2種の受光系の受光角より高角度であり、
前記被覆層の表面において、第1の入射系から入射した光が前記表面で反射または散乱することによって放射された放射光を前記3種の受光系でそれぞれ受光することによって得られた3種の低入射角測定結果と、第2の入射系から入射した光が前記表面で反射または散乱することによって放射された放射光を前記3種の受光系の少なくとも1種で受光することによって得られた少なくとも1種の高入射角測定結果と、を含む複数の測定結果に基づき、前記被覆層の表面に存在する付着物および非付着凸状欠陥からなる群から選択される欠陥種を輝点として検出することによって、前記半導体ウェーハの評価を行うことを含む、半導体ウェーハの評価方法。 - 前記他の2種の受光系のうちの一方に選択受光される偏光の方位角をθ1°とし、他方に選択受光される偏光の方位角をθ2°として、0°≦θ1°≦90°であり、90°≦θ2°≦180°である、請求項1に記載の半導体ウェーハの評価方法。
- 前記少なくとも1種の高入射角測定結果は、第2の入射系から入射した光が前記表面で反射または散乱することによって放射された放射光を前記他の2種の受光系の少なくとも一方によって受光することによって得られた測定結果を含む、請求項1または2に記載の半導体ウェーハの評価方法。
- 第1の受光系は、全方位光を受光し、
第2の受光系は、方位角θ1°の偏光を選択受光し、
第3の受光系は、方位角θ1°とは異なる方位角θ2°の偏光を選択受光し、
0°≦θ1°≦90°かつ90°≦θ2°≦180°であり、
第1の受光系の受光角は、第2の受光系の受光角および第3の受光系の受光角より高角度であり、
第1の入射系と第1の受光系との組み合わせによって得られた測定結果1における検出の有無および検出サイズ、
第1の入射系と第2の受光系との組み合わせによって得られた測定結果2における検出の有無および検出サイズ、
第1の入射系と第3の受光系との組み合わせによって得られた測定結果3における検出の有無および検出サイズ、
第2の入射系と第2の受光系または第3の受光系との組み合わせによって得られた測定結果4における検出の有無および検出サイズ、
からなる群から選ばれる判別基準に基づき、前記輝点として検出された欠陥種が付着物であるか非付着凸状欠陥であるか判別することを含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体ウェーハの評価方法。 - Xは1.30~1.50の範囲であり、Yは0.60~0.80の範囲であり、かつZは0.80~0.85の範囲である、請求項5に記載の半導体ウェーハの評価方法。
- 前記被覆層は、成膜材料が堆積した堆積層である、請求項1~6のいずれか1項に記載の半導体ウェーハの評価方法。
- 前記半導体基板は、単結晶シリコン基板である、請求項1~7のいずれか1項に記載の半導体ウェーハの評価方法。
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