JP7279985B2 - ガス処理炉及びこれを用いた排ガス処理装置 - Google Patents
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Description
本発明は、例えばＰＦＣｓ(パーフルオロコンパウンド)などを含む難分解性排ガスの除害処理に好適なガス処理炉と、そのガス処理炉を用いた排ガス処理装置とに関する。
現在、物を製造したり、処理したりする工業プロセスとして、多種多様のものが開発・実施されており、このような多種多様の工業プロセスから排出されるガス(以下、「処理対象排ガス」と云う。)の種類も非常に多岐に亘っている。このため、工業プロセスから排出される処理対象排ガスの種類に応じて、様々な種類の排ガス処理方法および排ガス処理装置が使い分けられている。
このうち、電熱ヒータを用いる電熱酸化分解式の排ガス処理方法は、半導体製造プロセスにおける排ガス処理方法として現在最も普及している分解処理方法であり、処理対象排ガス(除害対象ガス)の分解処理に際して処理工程を制御しやすく、処理対象排ガスを安全に分解処理することができる。とりわけ、電熱ヒータを用いた加熱分解装置(ガス処理炉)の前後に湿式のスクラバを設けた排ガス処理装置では、半導体製造における多種多様な条件に追従して、処理対象排ガス中における何れの除害対象成分についてもＴＬＶ[Threshold Limit Value；暴露限界]以下の濃度まで除害処理することができる（例えば、特許文献１参照。）。
ところで、２０１５年９月の国連サミットで「持続可能な開発のための２０３０アジェンダ」が採択され、それ以降、今後のエネルギーの効率的な利用等に関して様々な議論や検討が行われている。このような状況の下、加熱の際のエネルギーとして比較的多量の電力を消費する上記従来の電熱酸化分解式のガス処理炉を備えた排ガス処理装置においても、省エネ化や省スペース化のニーズが益々高まってくることが予想される。
それゆえに、本発明の主たる課題は、従来の電熱酸化分解式のガス処理炉の利点をそのままの形で有すると共に、小型化が可能であり、電力消費量を低減させてエネルギーの効率利用を図ることが可能なガス処理炉と、これを用いた排ガス処理装置とを提供することである。
上記の目的を達成するため、本発明は、例えば、図１に示すように、ガス処理炉を次のように構成した。
すなわち、内部に電熱体が充填されたヒータ本体１２と、そのヒータ本体１２を貫通する管状のガス通流路１４とで構成されることを特徴とする。
すなわち、内部に電熱体が充填されたヒータ本体１２と、そのヒータ本体１２を貫通する管状のガス通流路１４とで構成されることを特徴とする。
本発明は、例えば、次の作用を奏する。
ガス処理炉が、内部に電熱体が充填されたヒータ本体１２と、そのヒータ本体１２を貫通する管状のガス通流路１４とで構成されているので、ガス通流路１４に流す熱処理対象のガスの流量に応じてガス通流路１４の口径及びその長さを設定すれば、当該ガス通流路１４を流れるガスに、電熱体が発する熱を余すことなく十分に与えることができる。また、従来のガス処理炉のように炉内にヒータ本体を設置するのではなく、ヒータ本体１２内にガス通流路１４が設けられた形となり、ヒータ本体１２それ自身が「炉」として機能するため、ガス処理炉全体のサイズを著しく小型化することができる。
ガス処理炉が、内部に電熱体が充填されたヒータ本体１２と、そのヒータ本体１２を貫通する管状のガス通流路１４とで構成されているので、ガス通流路１４に流す熱処理対象のガスの流量に応じてガス通流路１４の口径及びその長さを設定すれば、当該ガス通流路１４を流れるガスに、電熱体が発する熱を余すことなく十分に与えることができる。また、従来のガス処理炉のように炉内にヒータ本体を設置するのではなく、ヒータ本体１２内にガス通流路１４が設けられた形となり、ヒータ本体１２それ自身が「炉」として機能するため、ガス処理炉全体のサイズを著しく小型化することができる。
本発明は、上述（図１)のガス処理炉をベースとして、例えば、図２～３に示すように構成することができる。
すなわち、上下方向に延びるブロック状の本体ケーシング２４の内部に電熱体が充填されると共に、隙間がセラミック粉末で埋められたヒータ本体１２と、そのヒータ本体１２の内部を上下に貫通するガス通流路１４であって、平面視において、前後方向にて連設または延設されると共に、左右方向にて互いに平行する複数列のガス通流路１４と、上記ヒータ本体１２の上端部に取り付けられ、その内部に形成される連通空間１６ａを介して上記ガス通流路１４同士を互いに連通するヘッドボックス１６とを具備することを特徴とする。
すなわち、上下方向に延びるブロック状の本体ケーシング２４の内部に電熱体が充填されると共に、隙間がセラミック粉末で埋められたヒータ本体１２と、そのヒータ本体１２の内部を上下に貫通するガス通流路１４であって、平面視において、前後方向にて連設または延設されると共に、左右方向にて互いに平行する複数列のガス通流路１４と、上記ヒータ本体１２の上端部に取り付けられ、その内部に形成される連通空間１６ａを介して上記ガス通流路１４同士を互いに連通するヘッドボックス１６とを具備することを特徴とする。
この発明は、例えば、次の作用を奏する。
ヒータ本体１２の内部を上下に貫通するガス通流路１４が、平面視において、前後方向に連設または延設されると共に、左右方向にて互いに平行するよう複数列設けられているので、そのような多数のガス通流路１４を流れる処理対象ガスそれぞれに対して、電熱体が発する熱を無駄なく十分に与えることができる。とりわけ、ガス通流路１４を、平面視において真円形状の細管で形成した場合や、平面視において細長のスリット状に形成した場合には、その作用がより一層顕著なものとなる。加えて、従来のガス処理炉のように炉内にヒータ本体を設置するのではなく、ヒータ本体１２内にガス通流路１４が設けられた形となり、ヒータ本体１２それ自身が「炉」として機能するため、ガス処理炉全体のサイズを著しく小型化することができる。
ヒータ本体１２の内部を上下に貫通するガス通流路１４が、平面視において、前後方向に連設または延設されると共に、左右方向にて互いに平行するよう複数列設けられているので、そのような多数のガス通流路１４を流れる処理対象ガスそれぞれに対して、電熱体が発する熱を無駄なく十分に与えることができる。とりわけ、ガス通流路１４を、平面視において真円形状の細管で形成した場合や、平面視において細長のスリット状に形成した場合には、その作用がより一層顕著なものとなる。加えて、従来のガス処理炉のように炉内にヒータ本体を設置するのではなく、ヒータ本体１２内にガス通流路１４が設けられた形となり、ヒータ本体１２それ自身が「炉」として機能するため、ガス処理炉全体のサイズを著しく小型化することができる。
本発明には、上記の各構成に加えて、前記ガス通流路１４内に堆積した粉塵を除去するための粉塵除去手段１８を設けるのが好ましい。
この場合、処理対象のガスが持ち込む粉塵や加熱処理によって副生する粉塵によってガス通流路１４が閉塞するのを防止して長時間の連続運転が可能となる。
この場合、処理対象のガスが持ち込む粉塵や加熱処理によって副生する粉塵によってガス通流路１４が閉塞するのを防止して長時間の連続運転が可能となる。
本発明における第２の発明は、上記のガス処理炉を使用した排ガス処理装置であって、上記の何れかのガス処理炉と、上記ガス処理炉へ導入する処理対象の排ガスＥを予め液洗する入口スクラバ２０、または、上記ガス処理炉で熱分解させた排ガスＥを冷却および液洗する出口スクラバ２２の少なくとも一方とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、従来の電熱酸化分解式のガス処理炉のように炉内をヒータなどの加熱手段で加熱するものではなく、加熱手段それ自体にガスを加熱するためのガス通流路が設けられた形となっているので、従来の電熱酸化分解式のガス処理炉の利点をそのままの形で有すると共に、小型化が可能であり、電力消費量を低減させてエネルギーの効率利用を図ることが可能なガス処理炉と、これを用いた排ガス処理装置とを提供することができる。
以下、本発明のガス処理炉及びこれを用いた排ガス処理装置の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図１は、本発明のガス処理炉１０における最も基本的な形態（第１実施形態）の概略を示す断面図である。この図が示すように、本発明のガス処理炉１０は、ヒータ本体１２と、そのヒータ本体１２を貫通する管状のガス通流路１４とを備える。
図１は、本発明のガス処理炉１０における最も基本的な形態（第１実施形態）の概略を示す断面図である。この図が示すように、本発明のガス処理炉１０は、ヒータ本体１２と、そのヒータ本体１２を貫通する管状のガス通流路１４とを備える。
ヒータ本体１２は、例えば、ステンレスやハステロイ（ヘインズ社登録商標）と言った金属などの高耐熱材料、或いはキャスタブルなどの耐火物等からなり、ガス通流路１４の外周をほぼその全長に亘って囲繞するよう形成されたケーシングの内部に、電熱体を充填することによって構成される。その電熱体としては、例えばニクロム線やカンタル(サンドビックAB社登録商標)線などの金属線からなる物、或いは炭化ケイ素(ＳｉＣ)や二珪化モリブデン(ＭｏＳｉ2)やランタンクロマイト(ＬａＣｒＯ3)などのセラミックスで構成された物などが挙げられ、ガス処理炉１０として必要な温度(熱量)等に応じて適宜選択される。
なお、図示しないが、このヒータ本体１２における電熱体の端部は、ケーシングの長手方向端部側面等から外部へと取り出されて電源装置(図示せず)に接続される。
なお、図示しないが、このヒータ本体１２における電熱体の端部は、ケーシングの長手方向端部側面等から外部へと取り出されて電源装置(図示せず)に接続される。
ガス通流路１４は、例えば、ステンレスやハステロイ（ヘインズ社登録商標）と言った金属などの高耐熱材料、或いはキャスタブルなどの耐火物で構成され、その内部を熱処理対象のガスが通流する管状部材である。図１の実施形態では、このガス通流路１４の幅方向断面形状が真円形状となっており、その口径及び長さはガス通流路１４に流す熱処理対象のガスの流量に応じて適宜設定される。例えば、図１に示すガス処理炉１０を半導体製造装置から排出される排ガスＥの除害処理に用いる場合には、ガス通流路１４の口径を８０ｍｍ～１５０ｍｍの範囲、長さを７００ｍｍ～８００ｍｍの範囲で設定するのが好ましい。
以上のように構成された本実施形態のガス処理炉１０では、ガス通流路１４に流す熱処理対象のガスの種類に応じてヒータ本体１２に用いる電熱体を選択すると共に、熱処理対象のガスの流量に応じてガス通流路１４の口径と長さとを設定すれば、ガス通流路１４を流れるガスに、電熱体が発する熱を余すことなく十分に与えることができる。
なお、図示しないが、上記ガス通流路１４には、後述のように、内部に付着・堆積する粉塵などを掻き落とすための粉塵除去手段を設けるのが好ましい。
また、図１の実施形態は、排ガスＥなどの熱処理対象のガスが水平方向に流れるようにガス通流路１４を配設する場合を示しているが、ガス処理炉１０における熱処理対象のガスの通流方向はこれに限定されるものではなく、例えば当該ガスが上下方向に流れるようにガス通流路１４を配設してもよい。
また、図１の実施形態は、排ガスＥなどの熱処理対象のガスが水平方向に流れるようにガス通流路１４を配設する場合を示しているが、ガス処理炉１０における熱処理対象のガスの通流方向はこれに限定されるものではなく、例えば当該ガスが上下方向に流れるようにガス通流路１４を配設してもよい。
次に、本発明の一実施形態の排ガス処理装置Ｘを図２及び図３によって説明する。
図２は、本発明における第２実施形態のガス処理炉１０を用いた排ガス処理装置Ｘの概略を示すものである。この排ガス処理装置Ｘは、図示しない排出源より排出される排ガスＥを除害処理する装置であり、大略、ガス処理炉１０，入口スクラバ２０および出口スクラバ２２で構成されている。
なお、この排ガス処理装置Ｘは、処理対象となる排ガスＥの種類を限定するものではないが、半導体製造装置から排出されたＰＦＣｓ(パーフルオロコンパウンド)，モノシラン（ＳｉＨ４），塩素系ガスなどのようにその排出基準が定められている難分解性の排ガスＥを除害処理するのに特に好適である。したがって、以下では、この排ガス処理装置Ｘについて、半導体製造装置から排出された排ガスＥの除害処理に用いるものを念頭に置いて説明する。
図２は、本発明における第２実施形態のガス処理炉１０を用いた排ガス処理装置Ｘの概略を示すものである。この排ガス処理装置Ｘは、図示しない排出源より排出される排ガスＥを除害処理する装置であり、大略、ガス処理炉１０，入口スクラバ２０および出口スクラバ２２で構成されている。
なお、この排ガス処理装置Ｘは、処理対象となる排ガスＥの種類を限定するものではないが、半導体製造装置から排出されたＰＦＣｓ(パーフルオロコンパウンド)，モノシラン（ＳｉＨ４），塩素系ガスなどのようにその排出基準が定められている難分解性の排ガスＥを除害処理するのに特に好適である。したがって、以下では、この排ガス処理装置Ｘについて、半導体製造装置から排出された排ガスＥの除害処理に用いるものを念頭に置いて説明する。
ガス処理炉１０は、半導体製造プロセスなどから排出される排ガスＥ中の有害な除害対象ガスを電熱酸化分解式を用いて熱分解する装置であり、ヒータ本体１２，ガス通流路１４及びヘッドボックス１６を有する。
ヒータ本体１２は、例えばステンレスやハステロイ（ヘインズ社登録商標）と言った金属などの高耐熱材料を角筒形状に形成した上下方向に延びるブロック状の本体ケーシング２４を有する。この本体ケーシング２４の内部には、図示しないが、ニクロム線やカンタル(サンドビックAB社登録商標)線などの金属線、或いは炭化ケイ素(ＳｉＣ)や二珪化モリブデン(ＭｏＳｉ2)やランタンクロマイト(ＬａＣｒＯ3)などのセラミックス等からなる電熱体が張り巡らされて(充填されて)いる。また、その電熱体の隙間がセラミック粉末で埋められており、本体ケーシング２４内部での熱伝導の向上が図られている。
なお、図示しないが、電熱体の端部は、本体ケーシング２４の下面あるいは側面などから外部へと取り出されて電源装置に接続されている。
そして、この本体ケーシング２４には、その内部を上下に貫通するガス通流路１４が複数本設けられる。
なお、図示しないが、電熱体の端部は、本体ケーシング２４の下面あるいは側面などから外部へと取り出されて電源装置に接続されている。
そして、この本体ケーシング２４には、その内部を上下に貫通するガス通流路１４が複数本設けられる。
ガス通流路１４は、本体ケーシング２４と同様に、例えばステンレスやハステロイ（ヘインズ社登録商標）と言った金属などの高耐熱材料で区画されており、図３に示すように、平面視において真円形状の細管で形成される。このようにガス通流路１４を平面視で真円形状とすることによって、ガス処理炉１０の稼働時などにおける熱応力がガス通流路１４管壁の或る特定の箇所に集中することなく分散させることができるので、ガス通流路１４の変形等を効果的に抑えることができる。
また、このガス通流路１４は、平面視において同じ形状のものが前後方向に連設されると共に、そのように連設されたガス通流路１４が左右方向にて互いに平行するように複数列(図示実施形態の場合は４列であるが、２列あるいは３列であってもよいし、５列以上であってもよい。)設けられる。そして、ガス通流路１４が設けられて本体ケーシング２４の上端部に、ヘッドボックス１６が取り付けられる。
また、このガス通流路１４は、平面視において同じ形状のものが前後方向に連設されると共に、そのように連設されたガス通流路１４が左右方向にて互いに平行するように複数列(図示実施形態の場合は４列であるが、２列あるいは３列であってもよいし、５列以上であってもよい。)設けられる。そして、ガス通流路１４が設けられて本体ケーシング２４の上端部に、ヘッドボックス１６が取り付けられる。
ヘッドボックス１６は、本体ケーシング２４などと同様に、例えばステンレスやハステロイ（ヘインズ社登録商標）と言った金属などの高耐熱材料で形成され、下面が開口した矩形の容器体である。このヘッドボックス１６が本体ケーシング２４の上端部に取着されることにより、ヘッドボックス１６の内部に形成される連通空間１６ａを介してガス通流路１４同士が互いに連通される。なお、図２の実施形態の場合、この連通空間１６ａがガス処理空間として機能する。
図２に示す実施形態のガス処理炉１０の場合、ガス通流路１４が４列設けられており、そのうち図の左側の２列が連通空間１６ａへと処理対象の排ガスＥを送給する流路となっており、図の右側の２列が連通空間１６ａを経由した排ガスＥをガス処理炉１０から排出するための流路となっている。このため、本体ケーシング２４の底面における上記の左側２列のガス通流路１４の下端開口がガス導入口１４ａとなり、上記の右側２列のガス通流路１４の下端開口がガス排出口１４ｂとなる。
また、上述したガス導入口１４ａには、下流端が半導体製造装置などの排ガス発生源に接続され、連通空間１６ａ内に排ガスＥを送給する流入配管系２６の先端(上流端)が接続されており、ガス排出口１４ｂには、ガス処理炉１０内で熱分解した処理済の排ガスＥを大気中へと排出する排出配管系２８の後端(下流端)が接続されている。
また、上述したガス導入口１４ａには、下流端が半導体製造装置などの排ガス発生源に接続され、連通空間１６ａ内に排ガスＥを送給する流入配管系２６の先端(上流端)が接続されており、ガス排出口１４ｂには、ガス処理炉１０内で熱分解した処理済の排ガスＥを大気中へと排出する排出配管系２８の後端(下流端)が接続されている。
また、本体ケーシング２４の天井面における左から２列目のガス通流路１４と右から２列目のガス通流路１４との間には、連通空間１６ａへ送られた排ガスＥの滞留時間を増大させるための隔壁３０が設けられている。
さらに、ヘッドボックス１６内における各ガス通流路１４の直上には、シャフト１８ａと、そのシャフト１８ａの先端に取り付けられたブラシ１８ｂとからなり、ガス通流路１４内を進退自在に移動して、当該ガス通流路１４内に付着・堆積した粉塵などを掻き落とす粉塵除去手段１８が設けられる。なお、この粉塵除去手段１８は、上述のものに限定されるものではなく、例えば、エアブロー方式などのようなものであってもよい。
ここで、本実施形態のガス処理炉１０では、図示しないが、例えば連通空間１６ａの温度を検出する熱電対などで構成された温度計測手段が取り付けられると共に、この温度計測手段で検出した温度データ(温度信号)が、信号線を介して、ＣＰＵ[Central Processing Unit；中央処理装置]，メモリ，入力装置および表示装置などからなる制御手段へと与えられるようになっている。なお、この制御手段には、上記の電源装置も接続される。
また、このガス処理炉１０の表面は、必要に応じて、断熱材や耐火材などで構成されたジャケットで被覆される。（この点については、上述の第１実施形態のガス処理炉１０でも同様である。）
そして、以上のように構成された本実施形態のガス処理炉１０は、後述する貯留タンク３２上に立設される。
また、このガス処理炉１０の表面は、必要に応じて、断熱材や耐火材などで構成されたジャケットで被覆される。（この点については、上述の第１実施形態のガス処理炉１０でも同様である。）
そして、以上のように構成された本実施形態のガス処理炉１０は、後述する貯留タンク３２上に立設される。
入口スクラバ２０は、ガス処理炉１０に導入する排ガスＥに含まれる粉塵や水溶性成分などを除去するためのものであり、直管型のスクラバ本体２０ａと、このスクラバ本体２０ａ内部の頂部近傍に設置され、水などの薬液を噴霧状にして撒布するスプレーノズル２０ｂと、スプレーノズル２０ｂから撒布された薬液と排ガスＥとの気液接触を促進させるための充填材２０ｃとで構成される。
この入口スクラバ２０は、流入配管系２６の途中に設けられると共に、水などの薬液を貯留する貯留タンク３２上に立設される。
そして、スプレーノズル２０ｂと貯留タンク３２との間には循環ポンプ３４が設置されており、貯留タンク３２内の貯留薬液をスプレーノズル２０ｂに揚上するようになっている。
この入口スクラバ２０は、流入配管系２６の途中に設けられると共に、水などの薬液を貯留する貯留タンク３２上に立設される。
そして、スプレーノズル２０ｂと貯留タンク３２との間には循環ポンプ３４が設置されており、貯留タンク３２内の貯留薬液をスプレーノズル２０ｂに揚上するようになっている。
出口スクラバ２２は、ガス処理炉１０を通過した熱分解後の排ガスＥを冷却すると共に、熱分解によって副成した粉塵や水溶性成分等を最終的に排ガスＥ中から除去するためのものであり、直管型のスクラバ本体２２ａと、このスクラバ本体２２ａ内部の頂部近傍に設置され、排ガスＥ通流方向に対向するように上方から水などの薬液を噴霧する下向きのスプレーノズル２２ｂと、スプレーノズル２２ｂから撒布された薬液と排ガスＥとの気液接触を促進させるための充填材２２ｃとで構成される。
この出口スクラバ２２は、排出配管系２８の途中に設けられると共に、水などの薬液を貯留する貯留タンク３２上に立設される。
また、上述した入口スクラバ２０と同様に、図示実施形態では、スプレーノズル２２ｂと貯留タンク３２との間には循環ポンプ３４が設置されており、貯留タンク３２内の貯留薬液をスプレーノズル２２ｂに揚上するようになっているが、このスプレーノズル２２ｂには、貯留タンク３２内の貯留薬液ではなく、新水などの新しい薬液を供給するようにしてもよい。
この出口スクラバ２２は、排出配管系２８の途中に設けられると共に、水などの薬液を貯留する貯留タンク３２上に立設される。
また、上述した入口スクラバ２０と同様に、図示実施形態では、スプレーノズル２２ｂと貯留タンク３２との間には循環ポンプ３４が設置されており、貯留タンク３２内の貯留薬液をスプレーノズル２２ｂに揚上するようになっているが、このスプレーノズル２２ｂには、貯留タンク３２内の貯留薬液ではなく、新水などの新しい薬液を供給するようにしてもよい。
そして、出口スクラバ２２の頂部出口近傍の排出配管系２８上には、処理済みの排ガスＥを大気中へと放出する排気ファン３６が接続される。
なお、本実施形態の排ガス処理装置Ｘにおけるガス処理炉１０を除く他の部分には、排ガスＥに含まれる、或いは、当該排ガスＥの分解によって生じるフッ酸などの腐食性成分による腐蝕から各部を守るため、塩化ビニル，ポリエチレン，不飽和ポリエステル樹脂およびフッ素樹脂などによる耐蝕性のライニングやコーティングが施されている。
次に、以上のように構成された排ガス処理装置Ｘを用いて排ガスＥの除害処理を行う際には、まず始めに、排ガス処理装置Ｘの運転スイッチ(図示せず)をオンにしてガス処理炉１０の電熱体を作動させ、ガス処理炉１０内の加熱を開始する。
そして、連通空間１６ａ内の温度が、８００℃～１４００℃の範囲内であって、処理対象の排ガスＥの種類に応じた所定の温度に達すると、排気ファン３６が作動し、排ガス処理装置Ｘへの排ガスＥの導入が開始される。すると、排ガスＥは、入口スクラバ２０、ガス処理炉１０及び出口スクラバ２２をこの順に通過して排ガスＥ中の除害対象成分が除害される。また、図示しない制御手段によって、連通空間１６ａ内の温度が所定の温度を保持するようにガス処理炉１０の電熱体に供給する電力量が制御される。
そして、連通空間１６ａ内の温度が、８００℃～１４００℃の範囲内であって、処理対象の排ガスＥの種類に応じた所定の温度に達すると、排気ファン３６が作動し、排ガス処理装置Ｘへの排ガスＥの導入が開始される。すると、排ガスＥは、入口スクラバ２０、ガス処理炉１０及び出口スクラバ２２をこの順に通過して排ガスＥ中の除害対象成分が除害される。また、図示しない制御手段によって、連通空間１６ａ内の温度が所定の温度を保持するようにガス処理炉１０の電熱体に供給する電力量が制御される。
本実施形態の排ガス処理装置Ｘによれば、ガス処理炉１０におけるヒータ本体１２の内部を上下に貫通するガス通流路１４が、平面視において真円形状の細管で形成されているので、ガス通流路１４を流れる処理対象のガス全体に対して、電熱体が発する熱を無駄なく与えることができる。また、このガス通流路１４は、平面視において、左右方向にて互いに平行するよう４列形成され、入側および出側それぞれに２列ずつ与えられているため、熱処理が可能なガスの流量を増やすことができる。
また、本実施形態の排ガス処理装置Ｘによれば、入口スクラバ２０及び出口スクラバ２２を備えているので、ガス処理炉１０に導入する排ガスＥを予め液洗して流入配管系２６の目詰まり等を防止し、より安定してガス処理炉１０を連続運転できると共に、熱分解後の処理済の排ガスＥの清浄度を向上させることができる。
なお、上記の図２及び図３に示す実施形態は、次のように変更可能である。
すなわち、上述の第２実施形態のガス処理炉１０では、ガス通流路１４として、平面視で真円形状に形成された細管を前後方向に連設する場合を示したが、このガス通流路１４は、例えば図４に示すように、平面視において前後方向に延設された細長のスリット状に形成すると共に、スリット状の同じ形状に延設されたガス通流路１４を左右方向にて互いに平行するよう複数列(図４の実施形態の場合は４列)設けるようにしてもよい。ガス通流路１４を係る形状とした場合、ガス処理炉１０の稼働時などにおける熱応力の分散性能と言った点では、上述の平面視で真円形状に形成された物よりも劣るようになるが、その一方でガス処理炉１０を経済的且つ効率的に製造することができるようになる。
すなわち、上述の第２実施形態のガス処理炉１０では、ガス通流路１４として、平面視で真円形状に形成された細管を前後方向に連設する場合を示したが、このガス通流路１４は、例えば図４に示すように、平面視において前後方向に延設された細長のスリット状に形成すると共に、スリット状の同じ形状に延設されたガス通流路１４を左右方向にて互いに平行するよう複数列(図４の実施形態の場合は４列)設けるようにしてもよい。ガス通流路１４を係る形状とした場合、ガス処理炉１０の稼働時などにおける熱応力の分散性能と言った点では、上述の平面視で真円形状に形成された物よりも劣るようになるが、その一方でガス処理炉１０を経済的且つ効率的に製造することができるようになる。
また、上述の第２実施形態のガス処理炉１０では、ヒータ本体１２の本体ケーシング２４を、角筒形状に形成する場合を示しているが、本体ケーシング２４の形状はこれに限定されるものではなく、例えば、図５に示すように、この本体ケーシング２４を、ガス通流路１４と同様に平面視で真円形状の円筒体で形成するようにしてもよい。こうすることにより、本体ケーシング２４自身もガス処理炉１０の稼働時などにおける熱応力の分散性能を向上させることができるようになる。
更に、上述の実施形態の排ガス処理装置Ｘでは、ガス処理炉１０のガス通流路１４が、平面視において、左右方向にて互いに平行するよう４列形成されると共に、連通空間１６ａへの入側および連通空間１６ａからの出側のそれぞれに２列ずつ与えられた構成のものを示しているが、ヒータ本体１２内におけるガスの流路はこれに限定されるものではなく、例えば、処理対象のガスの性状などによっては、処理対象のガスを直接、ヘッドボックス１６の連通空間１６ａ内へ供給すると共に、当該ガスが全ガス通流路１４をワンパスで通過(流下)するように構成してもよい。
そして、上述の実施形態の排ガス処理装置Ｘでは、入口スクラバ２０と出口スクラバ２２の両方を備える場合を示したが、処理する排ガスＥの種類によってはこれらの何れか一方を備えるようにしてもよい。また、入口スクラバ２０及び出口スクラバ２２を貯留タンク３２上に立設する場合を示したが、入口スクラバ２０及び出口スクラバ２２を貯留タンク３２とは別個に配設すると共に、両者を配管で接続し、各スクラバ２０,２２からの排水が貯留タンク３２に送り込まれるようにしてもよい。
本発明の排ガス処理装置は、様々な種類の処理対象の排ガスを確実に熱分解できるのはもとより、処理効率が極めて高く、しかも安全性にも非常に優れ、小型化が可能なものであることから、上述した半導体製造プロセスから排出される排ガスの熱分解処理のみならず、化学プラントにおける排ガスの加熱処理など、あらゆる工業プロセスより排出される排ガスの分解処理に利用することができる。また、本発明のガス処理炉は、排ガスの熱分解処理のみならず、工業プロセスにおける様々なガスの熱処理に利用することができる。
１０：ガス処理炉，１２：ヒータ本体，１４：ガス通流路，１６：ヘッドボックス，１６ａ：連通空間，１８：粉塵除去手段，２０：入口スクラバ，２２：出口スクラバ，Ｅ：排ガス，Ｘ：排ガス処理装置．
Claims (6)
- 上下方向に延びるブロック状の本体ケーシング(２４)の内部に電熱体が充填されると共に、隙間がセラミック粉末で埋められたヒータ本体(１２)と、
上記ヒータ本体(１２)の内部を上下に貫通するガス通流路(１４)であって、平面視において、前後方向にて連設または延設されると共に、左右方向にて互いに平行する複数列のガス通流路(１４)と、
上記ヒータ本体(１２)の上端部に取り付けられ、その内部に形成される連通空間(１６ａ)を介して上記ガス通流路(１４)同士を互いに連通するヘッドボックス(１６)とを具備する、
ことを特徴とするガス処理炉。 - 請求項１のガス処理炉において、
前記ガス通流路(１４)が、平面視において真円形状の細管で形成される、
ことを特徴とするガス処理炉。 - 請求項１のガス処理炉において、
前記ガス通流路(１４)が、平面視において細長のスリット状に形成される、ことを特徴とするガス処理炉。 - 請求項１乃至３の何れかのガス処理炉において、
前記ガス通流路(１４)内に堆積した粉塵を除去するための粉塵除去手段(１８)が設けられる、ことを特徴とするガス処理炉。 - 請求項１乃至３の何れかのガス処理炉と、
上記ガス処理炉へ導入する処理対象の排ガス(Ｅ)を予め液洗する入口スクラバ(２０)、または、上記ガス処理炉で熱分解させた排ガス(Ｅ)を冷却および液洗する出口スクラバ(２２)の少なくとも一方とを備える、ことを特徴とする排ガス処理装置。 - 請求項４のガス処理炉と、
上記ガス処理炉へ導入する処理対象の排ガス(Ｅ)を予め液洗する入口スクラバ(２０)、または、上記ガス処理炉で熱分解させた排ガス(Ｅ)を冷却および液洗する出口スクラバ(２２)の少なくとも一方とを備える、ことを特徴とする排ガス処理装置。
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