JP7270540B2 - スパッタリングソース - Google Patents
スパッタリングソース Download PDFInfo
- Publication number
- JP7270540B2 JP7270540B2 JP2019519223A JP2019519223A JP7270540B2 JP 7270540 B2 JP7270540 B2 JP 7270540B2 JP 2019519223 A JP2019519223 A JP 2019519223A JP 2019519223 A JP2019519223 A JP 2019519223A JP 7270540 B2 JP7270540 B2 JP 7270540B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- sputtering source
- plate
- source according
- targets
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3417—Arrangements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
- C23C14/0068—Reactive sputtering characterised by means for confinement of gases or sputtered material, e.g. screens, baffles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/081—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
- H01J37/3429—Plural materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3438—Electrodes other than cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3447—Collimators, shutters, apertures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
- H01J37/3452—Magnet distribution
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3464—Operating strategies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3464—Operating strategies
- H01J37/3473—Composition uniformity or desired gradient
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
(a)酸化物層がその上に堆積される、単一の、平面の、又は、湾曲した、板状の、単一層又は多層の加工物;
(b)平面又は湾曲した板状の構成を一般的に規定するように配置された、(a)による複数の加工物のバッチ。
先に述べたように、一方のターゲットのプレート形状は、他方のターゲットのプレート形状とは異なる場合がある。このように、円形のターゲット5は、楕円形のターゲット7と協調して動作する。
図1に示し、図6に概略的に示すように、互いに対向するターゲット5、7のプレート平面E5,7は、角度αだけ互いに傾斜していてもよい。この傾斜角αは、最大90°である。上記の図に示されているように、この傾斜角のために、反応空間Rは、そのような実施形態では、開放コーティング材料出口領域12に向かってより狭くなる。
基板104上に酸化物層をスパッタ堆積するために、2つの基本的な可能性が優勢である。
キャッチャープレート構成205,7はそれぞれ、ターゲット5、7の縁部9及び10に沿って離れて延びている。各々は、単一のプレート部材であってもよいし、又は、それぞれの縁部9、10に沿って離れて互いに隣接して取り付けられた複数のプレート部材であってもよい。ターゲット5、7の移行面領域T5,7のスパッタリングに由来する、又は、その近くを迂回することから生じる高エネルギー粒子を捕捉する目的を達成するために、キャッチャープレート構成205,7は、スパッタリングプロセスによる熱負荷に耐える任意の所望の材料であり得る。特に、酸化物被覆材料が電気絶縁材料である場合、キャッチャープレート構成205,7の少なくとも一部にセラミック材料を使用することができる。それにもかかわらず、一実施形態では、キャッチャープレート構成205,7の少なくとも大部分は、金属製である。
d≦D、
及び、良好な実施形態では、
d<D。
図11は、スパッタリングソース1の一実施形態の概略平面図を示す。アノード構成14は、少なくとも1つ、図11の実施形態では2つの横方向のアノードプレート14a及び14bを備え、それは、ターゲット5及び7によって2つの側面が画定される反応空間Rの境界を4つの側面の境界に補完する。z方向で見た場合、2つのアノードの横方向又は側方のプレート14a及び14bが縁部9及び10に向かって下に延び、又は、ちょうど隣接して位置する場合、それらは、縁部9及び10によって2つの側面が確定される開放コーティング材料出口領域12の範囲を4つの側面の境界に補完する。
反応空間Rには異なるパターンの磁場Bが生じる可能性がある。
図17には、今日実現されているスパッタリングソース1の断面図が概略的かつ単純化されて示されている。すでに説明した部品には同じ参照番号を使用する。
図18には、概略的かつ単純化に、本発明によるスパッタリングソース1の3つのターゲットの実施例が示されている。これまでと同じ要素には同じ参照番号を使用する。開放コーティング材料出口領域12の反対側に、スパッタリング面S8を有する第3の「カバー」ターゲット8、冷却プレート238、及び、永久磁石のパターン198が設けられている。それによって、第3のターゲット8は、マグネトロン磁場Bmagを有するマグネトロンとして考えられ得る。
9.1 単一のソース/単一の基板チャンバ:
図19及び図20は、単一のスパッタリングソース1/単一の基板104のスパッタリングチャンバ100を示す。ここで、ターゲット5及び7、キャッチャープレート構成205及び207、並びに、基板104の相互配置のみが示されている。図19に示すように、円形基板104の延在面108の少なくとも主要部分は、それぞれの移行面領域T5,7への視認性に関して晒されている。この支配的な部分は、基板104の完全な拡張面領域108であり得る。それにもかかわらず、一点鎖線で図19及び20に示すように、いくつかの境界領域105は依然として、高エネルギー粒子が基板104のこのような最も外側の周辺領域105に衝突する可能性が低いことを考慮して、指定された移行面領域に晒され得る。
図21及び図22の両方は、4つのソース1の単一の基板104のスパッタリングチャンバ100における側面部及び上面図を概略的かつ最も単純化して示す。この実施形態では、スパッタリングソース1の開放コーティング材料出口領域12は、基板104が基板ホルダ106上に支持される平面に対して角度γだけ傾斜している。ここで、傾斜角は、0°≦γ≦45°であり、基板104の延長面108に沿ったコーティング厚の均一性が改善される。繰り返しになるが、駆動部107によって概略的に示されるように、基板ホルダ106は、その中心軸Aを中心にし、それと共に基板104と共に回転され得る。
図23及び24は、図21及び図23と同じように表現で、4つのスパッタリングソース1/4つの基板104のバッチスパッタリングチャンバ100を示す。4つの基板104は、最初に、ロード/アンロードの二重矢印U/Lによって示されるように、ロード/アンロードの位置Iにおいてマルチ基板ホルダ支持体106aにロードされる。複数基板ホルダ支持体106aと共に、基板104のバッチは、スパッタリングチャンバ100内のコーティング位置IIに持ち上げられる。そこには、さまざまな可能性がある。
(a)各基板104は、スパッタリングソース1のうちの1つと位置合わせされ、ωで示されるように、その中心軸Aを中心に回転する。従って、実際には、バッチの各基板は、図19及び図20に従って単一の基板として扱われる。基板104のバッチがコーティングされると、マルチ基板ホルダ支持体106aは、ロード/アンロード位置Iにおいてコーティング位置IIから下方に移動する。
(b)マルチ基板ホルダ支持体106aはまた、Ωで示されるように、その中心軸Fの周りに回転され、それによって基板104上の堆積酸化物層の厚さの均一性が改善される。
(c)基板104のコーティング位置にある1つのソース1を複数のスパッタリングソース(図示せず)で置き換えることによって、基板104の回転ωが避けられる。
図25及び26は、図23及び図24と同じように表現で、インラインスパッタリングチャンバとして考えられるスパッタリングチャンバ100を示す。円周上に分布された7つのスパッタリングソース1が設けられている。マルチ基板ホルダ支持体106aは、その周囲に沿って均等に分配されたそれぞれの基板ホルダ上に8つの円形基板104を保持するように構成されている。マルチ基板ホルダ支持体106aの第1の位置(a)において、図26に概略的に示すように、基板は、支持体106a上の基板ホルダ106のうちの1つに又は1つから基板をアンロード及びロードする。ロード及びアンロード作業は、それぞれ0.5τ続く。τがインラインクロック周期である場合、1クロック周期において、1つの基板ホルダ106は、アンロードされ、再ロードされる。
図27では、スパッタリングソース1の2つのターゲット5及び7、基板106を備えたスパッタチャンバ100の基板ホルダ104、キャッチャープレート構成205及び207、並びに、ターゲット特有のアノード構成147及び145が最も概略的に示されている。ブロック1227において、特定のアノード構成147に関してターゲット7に給電する種々の可能性は、少なくとも1つの様式(a)、(b)、(c)においてアノード構成147に関してターゲット7に給電する可能性を表すスイッチWを選択する可能性によって概略的に表される。
3 真空気密容器
5 ターゲット
7 ターゲット
8 ターゲット
9 縁部
10 縁部
12 開放コーティング材料出口領域
14 アノード構成
20 フレーム
21 磁石ジョーク
24 ガス供給ライン
100 スパッタリングチャンバ
104 基板
105 境界領域
106 基板ホルダ
107 駆動部
108 表面
124 オプションブロック
Claims (56)
- -それぞれのプレート平面に沿って延びる2つの板状ターゲットであって、前記ターゲットのスパッタリング面が、互いに対向し、それによって、それらの間に反応空間を画定し、前記プレート平面が、互いに平行であり、又は、最大で90°だけ互いに傾斜している、2つの板状ターゲットと、
-アノード構成と、
-前記ターゲットの各々に沿って前記それぞれのスパッタリング面と反対側にある磁石構成であって、前記それぞれのスパッタリング面の少なくとも大部分に衝突し、及び/又は、前記それぞれのスパッタリング面の少なくとも大部分から発散し、前記それぞれのスパッタリング面の少なくとも大部分に沿って分布される磁場を、前記反応空間に発生させる磁石構成と、
-前記2つの板状ターゲットの互いに向かい合う縁部のそれぞれの領域によって制限される、前記反応空間からコーティング空間までの開放コーティング出口領域と、
-前記ターゲットのそれぞれの移行面領域によって前記互いに対向する縁部に沿って前記ターゲットのそれぞれの側面領域に移行する前記ターゲットの前記スパッタリング面であって、前記移行面領域が、前記それぞれのスパッタリング面の隣接する領域よりも小さい曲率半径を有する、スパッタリング面と、
-前記縁部の各々に沿って、前記ターゲットのそれぞれ1つから離れ、互いに向かい合う前記縁部から前記開放コーティング出口領域内にそれぞれ突出し、それによって、前記2つの板状ターゲットの互いに対向する縁部によって制限されるように前記開放コーティング出口領域を制限する、キャッチャープレート構成と、
を備え、
前記突出するキャッチャープレート構成が、主に第1の表面領域及び第2の表面領域からなる全面を有し、
前記第1の表面領域が、独占的に前記反応空間に晒されている一方で、
前記第2の表面領域が、前記開放コーティング出口領域に関して前記反応空間の反対側の空間に独占的に晒されている、基板をスパッタコーティングすることを目的としたスパッタリングソース。 - その少なくとも1つの成分がスパッタリングプラズマ中にイオンとして存在する材料で前記基板をスパッタコーティングするように構成された、請求項1に記載のスパッタリングソース。
- その少なくとも1つの成分がスパッタリングプラズマ中に負イオンとして存在する材料で前記基板をスパッタコーティングするように構成された、請求項1又は2に記載のスパッタリングソース。
- 前記基板を酸化物でスパッタコーティングするように構成された、請求項1から3の何れか一項に記載のスパッタリングソース。
- 各キャッチャープレート構成が、最も突出している縁部を有し、前記それぞれのプレート平面に平行で、前記最も突出している縁部の長さの範囲に対して垂直である平面内で測定された、前記最も突出している縁部から前記それぞれのターゲットの側面までの距離が、前記それぞれのプレート平面に垂直で、前記最も突出している縁部の長さの範囲に対して垂直である平面内で測定された、前記最も突出している縁部と前記それぞれのターゲットの表面との間の距離より小さい、請求項1から4のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記複数のプレート平面が、前記複数のプレート平面の間に位置する中心平面に対して対称的である、請求項1から5のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記複数のプレート平面が互いに平行である、請求項1から6のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記互いに対向する縁部が、直線状で平行である、請求項1から7のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記板状ターゲットが、長方形又は正方形である、請求項1から8のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記複数のプレート平面が、前記複数のプレート平面の間に位置する中心平面に対して対称的であり、前記開放コーティング出口領域が、前記中心平面に対して垂直な平面に沿って延びる、請求項1から9のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記ターゲットの少なくとも1つが、単一材料からなる、請求項1から10の少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記ターゲットの少なくとも1つが、酸化物を含み、又は、酸化物からなる、請求項1から11のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記ターゲットの少なくとも1つが、スパッタリングプラズマ中にイオンとして存在する材料成分を含む、請求項1から12のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記ターゲットの少なくとも1つが、スパッタリングプラズマ中に負イオンとして存在する材料成分を含む、請求項1から13のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記キャッチャープレート構成によって制限された、前記反応空間内に、及び/又は、前記制限された開放コーティング出口領域の下流に排出する酸素ガス供給装置を備える、請求項1から14のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記キャッチャープレート構成によって制限された、前記反応空間内に、及び/又は、前記制限された開放コーティング出口領域の下流に排出するガス供給装置を備える、請求項1から15のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記キャッチャープレート構成が、以下の形状:平面形状、前記反応空間に向かって湾曲した形状、前記反応空間から離れて湾曲した形状のうちの少なくとも1つのキャッチャープレートを含む、請求項1から16のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記キャッチャープレート構成のうちの少なくとも1つが、少なくとも1つの金属プレートを含み、又は、少なくとも1つの金属プレートからなる、請求項1から17のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記キャッチャープレート構成のうちの少なくとも1つが、少なくとも1つのセラミック材料プレートを含み、又は、少なくとも1つのセラミック材料プレートからなる、請求項1から18のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記アノード構成が、前記2つのターゲットによる前記反応空間の2方向の境界を前記反応空間の3方向の境界に補完する横方向のアノードプレートを含む、請求項1から19のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記2つのターゲットによる前記反応空間の2方向の境界を前記反応空間の4方向の境界に補完する2つの前記横方向のアノードプレートを含む、請求項20に記載のスパッタリングソース。
- 前記アノード構成が、前記2つのターゲットによる前記開放コーティング出口領域の2方向の境界を前記開放コーティング出口領域の3方向の境界に補完する横方向のアノードプレートを含む、請求項1から21のうちの少なくとも1つに記載のスパッタリングソース。
- 前記アノード構成が、前記2つのターゲットによる前記開放コーティング出口領域の2方向の境界を前記開放コーティング出口領域の4方向の境界に補完する2つの前記横方向のアノードプレートを含む、請求項22に記載のスパッタリングソース。
- 前記アノード構成が、前記反応空間に関して前記開放コーティング出口領域と反対側のアノードプレートを含む、請求項1から23のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記アノード構成が、前記開放コーティング出口領域の周りにアノードフレームを備える、請求項1から24のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記アノード構成が、前記ターゲットの境界に沿って、前記互いに対向する縁部に沿って独占的に配置されたアノードストリップの構成を含む、請求項1から25のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記アノード構成が、前記互いに対向する縁部に沿ったアノードストリップの構成を含み、前記キャッチャープレート構成が、前記アノードストリップに電気的及び機械的に接続された、突出している金属プレートを含む、請求項1から26のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記キャッチャープレート構成が、前記アノード構成に電気的に接続された、突出している金属プレートを含む、請求項1から27のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記キャッチャープレート構成が、前記開放コーティング出口領域を制限し、その周囲を囲むフレームの2本の脚である、請求項1から28のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記磁場が、一方のスパッタリング面から他方のスパッタリング面まで一方向に発生する、請求項1から29のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記開放コーティング出口領域の反対側の前記反応空間を覆う第3のターゲットを備える、請求項1から30のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記第3のターゲットが、前記第3のターゲットのスパッタ面に沿ってマグネトロン磁場を発生させる磁石構成と関連している、請求項31に記載のスパッタリングソース。
- 前記ターゲットのうちの少なくとも1つが、In、Sn、Zn、Ga、Alの金属のうちの少なくとも1つを含み、又は、それらの金属のうちの少なくとも1つからなる、請求項1から32のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記ターゲットの少なくとも1つが、スパッタリングプラズマ中にイオンとして存在する材料成分を含む、請求項1から33のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記ターゲットの少なくとも1つが、スパッタリングプラズマ中に負イオンとして存在する材料成分を含む、請求項1から34のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記ターゲットの少なくとも1つが、酸化物を含み、又は、酸化物からなる、請求項1から35のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記プレート平面が、互いに最大5°だけ傾斜している、請求項1から36のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 請求項1から37のうちの少なくとも一項に記載の少なくとも1つのスパッタリングソースを備え、その延長面のうちの1つを周囲雰囲気に晒して基板を保持するように構成された基板ホルダをさらに備えるスパッタコーティングチャンバであって、前記延長された面が、前記制限された開放コーティング出口領域に面し、前記延長された面の少なくとも大部分からの前記移行面領域の視認性が、前記キャッチャー構成によって晒される位置の前記スパッタコーティングチャンバに前記基板ホルダが載置される、スパッタコーティングチャンバ。
- 前記基板ホルダが、保持平面に沿って基板を保持するように構成され、前記互いに対向する縁部が、平行で直線的であり、前記保持平面が、前記平行で直線的な縁部によって画定される平面に対して平行又は傾斜している、請求項38に記載のスパッタコーティングチャンバ。
- 前記保持平面と前記縁部によって画定される前記平面とが、最大で45°傾斜している、請求項39に記載のスパッタコーティングチャンバ。
- 前記基板ホルダ上の前記基板が、電気的に浮遊するように動作し、又は、DC基準電位、好ましくは接地電位に接続可能である、請求項38から40のうちの少なくとも一項に記載のスパッタコーティングチャンバ。
- 前記基板ホルダが、円形基板を保持するように構成され、中心軸を中心として前記基板ホルダを回転させる回転駆動装置に動作可能に接続されている、請求項38から41のうちの少なくとも一項に記載のスパッタコーティングチャンバ。
- 少なくとも2つの前記基板ホルダを有する基板ホルダ支持体を備え、設けられる前記スパッタリングソースの数が、前記支持体上の前記少なくとも2つの基板の数と等しい、又は、異なる、請求項38から42のうちの少なくとも一項に記載のスパッタコーティングチャンバ。
- 請求項1から37のうちの少なくとも一項に記載の少なくとも1つのスパッタソース、又は、請求項38から43のうちの少なくとも1つに記載の少なくとも1つのスパッタチャンバを備え、前記少なくとも1つのスパッタリングソースの前記反応空間、及び/又は、前記スパッタリングソースの開放コーティング材料出口領域と前記基板ホルダとの間の前記反応空間にガスを運ぶガス供給装置をさらに備える、スパッタリングシステム。
- 前記ガス供給装置が、ガスを含むガス貯蔵装置と動作上流路接続されており、前記ガス又はその少なくとも1つの成分が、スパッタリングプラズマ中にイオンとして存在する、請求項44に記載のシステム。
- 前記ガス供給装置が、ガスを含むガス貯蔵装置と動作上流路接続されており、前記ガス又はその少なくとも1つの成分が、スパッタリングプラズマ中に負イオンとして存在する、請求項44又は45のうちの少なくとも一項に記載のシステム。
- 前記ガス供給装置が、ガスを含むガス貯蔵装置と動作上流路接続されており、前記ガス又はその少なくとも1つの成分が、酸素である、請求項44から46のうちの少なくとも一項に記載のシステム。
- 前記ターゲットのうちの少なくとも1つが、DC、パルスDC、RFのうちの少なくとも1つを生成する少なくとも1つの供給源によって電気的に供給される、請求項44から47のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングシステム。
- その少なくとも1つの成分がスパッタリングプラズマ中にイオンとして存在する材料で基板をスパッタコーティングする方法、又は、前記材料でコーティングされた基板を製造する方法であって、請求項1から37のうちの少なくとも一項に記載の少なくとも1つのスパッタリングソースを用いて、又は、請求項38から43のうちの少なくとも一項に記載のスパッタチャンバを用いて、又は、請求項44から48のうちの少なくとも一項に記載のシステムを用いて、前記コーティングを付ける段階を含む、方法。
- それによって、その少なくとも1つの成分がスパッタリングプラズマ中に負イオンとして存在する材料で前記基板をコーティングする、請求項49に記載の方法。
- それによって、前記基板を酸化物でコーティングする、請求項49又は50のうちの少なくとも一項に記載の方法。
- 前記スパッタリングソースの前記キャッチャー構成によって、少なくとも0.5UAC×e-のエネルギーを有するイオンが前記基板に衝突することを妨げる段階を含み、UACが、前記アノード/ターゲット電圧の絶対値の時間平均である、請求項49から51のうちの少なくとも一項に記載の方法。
- 前記キャッチャープレート構成が、グランド電位に電気的に接続され、又は、電気的に浮遊状態で動作する、請求項1から26のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記キャッチャープレート構成が、グランド電位に電気的に接続される、請求項1から26のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記キャッチャープレート構成が、電気的に浮遊状態で動作する、請求項1から26のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソース。
- 前記キャッチャープレート構成をグランド電位で、又は、電気的に浮遊状態で動作する段階を含む、請求項1から26のうちの少なくとも一項に記載のスパッタリングソースの動作方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH01378/16 | 2016-10-14 | ||
CH13782016 | 2016-10-14 | ||
PCT/EP2017/075078 WO2018069091A1 (en) | 2016-10-14 | 2017-10-03 | Sputtering source |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019533762A JP2019533762A (ja) | 2019-11-21 |
JP7270540B2 true JP7270540B2 (ja) | 2023-05-10 |
Family
ID=60043175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019519223A Active JP7270540B2 (ja) | 2016-10-14 | 2017-10-03 | スパッタリングソース |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190252166A1 (ja) |
EP (1) | EP3526810B1 (ja) |
JP (1) | JP7270540B2 (ja) |
KR (1) | KR102469559B1 (ja) |
CN (1) | CN109804455B (ja) |
TW (1) | TWI749084B (ja) |
WO (1) | WO2018069091A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10998209B2 (en) | 2019-05-31 | 2021-05-04 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing platforms including multiple processing chambers |
US11817331B2 (en) | 2020-07-27 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate holder replacement with protective disk during pasting process |
US11749542B2 (en) | 2020-07-27 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus, system, and method for non-contact temperature monitoring of substrate supports |
US11600507B2 (en) | 2020-09-09 | 2023-03-07 | Applied Materials, Inc. | Pedestal assembly for a substrate processing chamber |
US11610799B2 (en) | 2020-09-18 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities |
DE102020212353A1 (de) | 2020-09-30 | 2022-03-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements, optisches Element, Vorrichtung zur Herstellung eines optischen Elements, Sekundärgas und Projektionsbelichtungsanlage |
US11674227B2 (en) | 2021-02-03 | 2023-06-13 | Applied Materials, Inc. | Symmetric pump down mini-volume with laminar flow cavity gas injection for high and low pressure |
US12002668B2 (en) | 2021-06-25 | 2024-06-04 | Applied Materials, Inc. | Thermal management hardware for uniform temperature control for enhanced bake-out for cluster tool |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005226091A (ja) | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Osaka Vacuum Ltd | スパッタ方法及びスパッタ装置 |
WO2006097994A1 (ja) | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Thin-Film Process Inc. | スパッタリング装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5855566A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-04-01 | Teijin Ltd | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |
JPS5987039A (ja) * | 1982-11-12 | 1984-05-19 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
JPS59211575A (ja) * | 1983-05-17 | 1984-11-30 | Toshiba Corp | スパツタリング用タ−ゲツト |
JPS60204626A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-16 | Anelva Corp | 酸化鉄薄膜の形成方法および装置 |
JPH05263237A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 透明電極膜の製造方法 |
JPH10255987A (ja) * | 1997-03-11 | 1998-09-25 | Tdk Corp | 有機el素子の製造方法 |
JP3886209B2 (ja) * | 1997-06-02 | 2007-02-28 | 貞夫 門倉 | 対向ターゲット式スパッタ装置 |
EP1209721B1 (en) * | 1997-10-10 | 2007-12-05 | European Community | Inductive type plasma processing chamber |
KR100627270B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2006-09-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 장치 |
US20060054494A1 (en) * | 2004-09-16 | 2006-03-16 | Veeco Instruments Inc. | Physical vapor deposition apparatus for depositing thin multilayer films and methods of depositing such films |
WO2007067296A2 (en) * | 2005-12-02 | 2007-06-14 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
DE502006008952D1 (de) * | 2006-11-14 | 2011-04-07 | Applied Materials Inc | Magnetron-Sputterquelle, Sputter-Beschichtungsanlage und Verfahren zur Beschichtung eines Substrats |
US20090260982A1 (en) * | 2008-04-16 | 2009-10-22 | Applied Materials, Inc. | Wafer processing deposition shielding components |
KR101305114B1 (ko) * | 2008-08-01 | 2013-09-05 | 샤프 가부시키가이샤 | 스퍼터링 장치 |
US10586689B2 (en) * | 2009-07-31 | 2020-03-10 | Guardian Europe S.A.R.L. | Sputtering apparatus including cathode with rotatable targets, and related methods |
KR20120091643A (ko) * | 2011-02-09 | 2012-08-20 | 주성엔지니어링(주) | 스퍼터링 장비 |
JP5882934B2 (ja) * | 2012-05-09 | 2016-03-09 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | スパッタリング装置 |
US9779920B2 (en) * | 2013-08-14 | 2017-10-03 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target with backside cooling grooves |
US20160268127A1 (en) * | 2015-03-13 | 2016-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide and Manufacturing Method Thereof |
-
2017
- 2017-10-03 CN CN201780063680.3A patent/CN109804455B/zh active Active
- 2017-10-03 EP EP17781065.2A patent/EP3526810B1/en active Active
- 2017-10-03 JP JP2019519223A patent/JP7270540B2/ja active Active
- 2017-10-03 US US16/341,991 patent/US20190252166A1/en active Pending
- 2017-10-03 KR KR1020197013906A patent/KR102469559B1/ko active IP Right Grant
- 2017-10-03 WO PCT/EP2017/075078 patent/WO2018069091A1/en unknown
- 2017-10-12 TW TW106134932A patent/TWI749084B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005226091A (ja) | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Osaka Vacuum Ltd | スパッタ方法及びスパッタ装置 |
WO2006097994A1 (ja) | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Thin-Film Process Inc. | スパッタリング装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190065417A (ko) | 2019-06-11 |
TW201819658A (zh) | 2018-06-01 |
TWI749084B (zh) | 2021-12-11 |
EP3526810A1 (en) | 2019-08-21 |
KR102469559B1 (ko) | 2022-11-22 |
JP2019533762A (ja) | 2019-11-21 |
WO2018069091A1 (en) | 2018-04-19 |
CN109804455A (zh) | 2019-05-24 |
EP3526810B1 (en) | 2021-11-10 |
CN109804455B (zh) | 2022-03-15 |
US20190252166A1 (en) | 2019-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7270540B2 (ja) | スパッタリングソース | |
KR100776861B1 (ko) | 큰 영역 기판의 마그네트론 스퍼터링 시스템 | |
JP5698652B2 (ja) | 同軸マイクロ波支援堆積及びエッチングシステム | |
KR101097329B1 (ko) | 스퍼터링 장치 | |
JP6963551B2 (ja) | 真空処理装置及び基板を処理するための方法 | |
US8968830B2 (en) | PVD—vacuum coating unit | |
US20130228452A1 (en) | Soft sputtering magnetron system | |
JP2002161364A (ja) | 高いターゲット利用率の磁石アレー及び関連の方法 | |
US9175383B2 (en) | Double-coating device with one process chamber | |
JP5689984B2 (ja) | 貴金属膜の連続成膜方法及び電子部品の連続製造方法 | |
US5753089A (en) | Sputter coating station | |
WO2012066080A1 (en) | Sputtering apparatus and method | |
CN114015997A (zh) | 一种离子辅助的多靶磁控溅射设备 | |
US20060081466A1 (en) | High uniformity 1-D multiple magnet magnetron source | |
EP2081212B1 (en) | Double-Coating Device with one Process Chamber | |
JP2019044216A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
WO2018040408A1 (zh) | 一种磁控元件和磁控溅射装置 | |
US20100258437A1 (en) | Apparatus for reactive sputtering deposition | |
KR100944868B1 (ko) | 마그네트론 스퍼터링 장치 | |
CN217052381U (zh) | 一种离子辅助的多靶磁控溅射设备 | |
US20090000943A1 (en) | Magnetron sputtering apparatus and manufacturing method for structure of thin film | |
US20190378699A1 (en) | Methods and apparatus for magnetron assemblies in semiconductor process chambers | |
JP2024021196A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
WO2015158391A1 (en) | Edge uniformity improvement in pvd array coaters | |
WO2020244781A1 (en) | Deposition source, deposition apparatus and method of depositing material on a substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200902 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211025 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220530 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230306 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230327 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230425 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7270540 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |