JP7270131B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、発光装置の製造方法に関する。

特許文献１には、ＬＥＤ素子の側面に反射性の樹脂などからなる反射部材を配置した発光装置が開示されている。発光装置において、光取り出し効率の更なる向上が望まれる。

特開２０１２－２２７４７０号号公報

本発明の一実施形態は、高い光取り出し効率を有する発光装置の製造方法を提供する。

本発明の一実施形態における発光装置の製造方法は、シリコン基板と、前記シリコン基板と接する第１面を含む半導体積層体と、を含む構造体の周りに前記シリコン基板に対向する側面を含む樹脂層を形成する工程を含む。前記製造方法は、前記シリコン基板を除去して、前記樹脂層から前記半導体積層体の第１面を露出させる工程を含む。前記製造方法は、前記第１面及び前記樹脂層の側面に、前記第１面に対向する第１面対向領域と、前記側面に対向する側面対向領域と、を含む反射膜を形成する工程を含む。前記製造方法は、前記反射膜の前記第１面対向領域を除去し前記反射膜の前記側面対向領域の少なくとも一部を残す異方性エッチングを実施する工程を含む。前記反射膜を形成する工程において、前記樹脂層の側面の少なくとも一部は、前記第１面に対して実質的に垂直である。

本発明の一実施形態によれば、高い光取り出し効率を有する発光装置の製造方法を提供することができる。

図１は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法を例示するフローチャート図である。 図２は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法を例示する模式的断面図である。 図３は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法を例示する模式的断面図である。 図４は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法を例示する模式的断面図である。 図５は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法を例示する模式的断面図である。 図６は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法を例示する模式的断面図である。 図７は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法を例示する模式的断面図である。 図８は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法を例示する模式的断面図である。 図９は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法を例示する模式的断面図である。 図１０は、第１実施形態に係る発光装置の一部を例示する模式的断面図である。 図１１は、第１実施形態に係る発光装置の一部を例示する模式的断面図である。 図１２は、第２実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しながら説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各構成の厚さと幅との関係、構成間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ構成を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法を例示するフローチャート図である。 図２～図８は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法を例示する模式的断面図である。
図１に示すように、本実施形態に係る発光装置の製造方法において、構造体１５に樹脂層を形成する（ステップＳ１１０）。例えば、樹脂層３０を形成する工程において、図２に示すような構造体１５を準備し、構造体１５の周りに樹脂層３０を形成する。構造体１５は、シリコン基板１０及び半導体積層体２０を含む。半導体積層体２０は、シリコン基板１０と接する第１面２０ｆａを含む。第１面２０ｆａは、シリコン基板１０に対向する。構造体１５は、例えば、シリコン基板１０を成長用基板として用い、このシリコン基板１０上に半導体積層体２０が形成されたものである。樹脂層３０は、シリコン基板１０の側面に対向する側面３０ｓを含む。

半導体積層体２０からシリコン基板１０に向かう方向を第１方向Ｄ１とする。第１方向Ｄ１をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。

第１面２０ｆａは、Ｘ－Ｙ平面に沿う。第１面２０ｆａは、Ｘ－Ｙ平面に対して実質的に平行である。側面３０ｓは、Ｘ－Ｙ平面と交差する。

図２に示すように、樹脂層３０を形成する工程は、構造体１５が支持部材６０に固定された状態で行われる。支持部材６０は、例えば、構造体１５を実装するための実装基板である。この状態において、支持部材６０とシリコン基板１０との間に半導体積層体２０が設けられる。半導体積層体２０は、支持部材６０と対向する対向面２０ｆｃを含む。対向面２０ｆｃは、第１面２０ｆａと支持部材６０との間にある。例えば、半導体積層体２０の対向面２０ｆｃに第１素子電極２０Ｅ及び第２素子電極２０Ｆが設けられる。

一方、支持部材６０の表面に第１電極５１及び第２電極５２が設けられる。例えば、第１電極５１及び第１素子電極２０Ｅが、第１接続部材５１Ｃにより電気的に接続される。例えば、第２電極５２及び第２素子電極２０Ｆが、第２接続部材５２Ｃにより電気的に接続される。第１電極５１と第２電極５２との間に電圧を印加することで、半導体積層体２０に電流が供給される。これにより、半導体積層体２０から光が出射する。

樹脂層３０は、例えば、樹脂及び複数の粒子を含む。複数の粒子の周りに樹脂がある。粒子は、半導体積層体２０からの光を拡散する機能を有する。粒子は、例えば、酸化チタンまたは酸化アルミニウムなどを含む。樹脂は、例えば、アクリル樹脂またはシリコーン樹脂などを含む。樹脂層３０は、例えば、シリコーン樹脂と酸化チタンとを含む。半導体積層体２０から出射される光のピーク波長における樹脂層３０の反射率は、例えば、そのピーク波長における半導体積層体２０の反射率よりも高い。

例えば、支持部材６０に構造体１５が実装された後に、樹脂が塗布され、その樹脂を硬化することで、樹脂層３０が形成される。

図２に示すように、この例では、樹脂層３０の一部は、シリコン基板１０の上にも形成されている。図２に示すように、シリコン基板１０は、第３面１０ｆｃと第４面１０ｆｄを含む。第３面１０ｆｃは、半導体積層体２０の第１面２０ｆａと接する。第３面１０ｆｃは、第１面２０ｆａに対向する。第３面１０ｆｃは、第１面２０ｆａと、第４面１０ｆｄと、の間にある。第４面１０ｆｄは、第３面１０ｆｃの反対側の面である。

図２の例において、例えば、半導体積層体２０の第１面２０ｆａは、半導体積層体２０の上面である。例えば、シリコン基板１０の第３面１０ｆｃは、シリコン基板１０の下面である。例えば、シリコン基板１０の第４面１０ｆｄは、シリコン基板１０の上面である。

樹脂層３０を形成する工程（ステップＳ１１０）において、樹脂層３０によりシリコン基板１０の第４面１０ｆｄを覆っていても良い。樹脂層３０は、第１領域３１を含む。第１領域３１は、第４面１０ｆｄに対向する。第１領域３１は、例えば、第４面１０ｆｄと接する。第１領域３１は、例えば、シリコン基板１０の第４面１０ｆｄを覆う。第１領域３１と半導体積層体２０との間に、シリコン基板１０がある。

図２に示すように、この例では、樹脂層３０は、側面３０ｓに加えて、第２面３０ｆｂをさらに含む。第２面３０ｆｂは、第１方向Ｄ１において、シリコン基板１０と重ならない。第２面３０ｆｂは、樹脂層３０の第１領域３１と隣り合っている。

このような構成を有する樹脂層３０が、ステップＳ１１０において形成される。

図１に示すように、本実施形態に係る発光装置の製造方法において、シリコン基板１０を除去して、樹脂層３０から半導体積層体２０の第１面２０ｆａを露出させる（ステップＳ１２０）。

この例では、図３に示すように、まず、樹脂層３０の第１領域３１（例えば、第４面１０ｆｄを覆う部分）を除去する。これにより、シリコン基板１０を露出させる。樹脂層３０の第１領域３１を除去する工程では、樹脂層３０の第２面３０ｆｂを含む部分も除去される。このような樹脂層３０の一部の除去は、例えば、研削（ＣＭＰなどを含む）などにより実施できる。

この後、図４に示すように、シリコン基板１０を除去することで、第１面２０ｆａが露出される。例えば、ＲＩＥなどにより、シリコン基板１０が除去される。シリコン基板１０を除去することで、第１面２０ｆａの一部が除去されていてもよい。

図３及び図４に示すように、第１面２０ｆａを露出させる工程（ステップＳ１２０）は、樹脂層３０の第１領域３１（第４面１０ｆｄを覆う部分）を除去して、シリコン基板１０を露出させることを含んでも良い。

図１に示すように、この後、必要に応じて、粗面加工（ステップＳ１２５）を実施しても良い。粗面加工については、後述する。

図１に示すように、反射膜を形成する（ステップＳ１３０）。例えば、図５に示すように、第１面２０ｆａ、及び、樹脂層３０の側面３０ｓに、反射膜４０を形成する。反射膜４０は、第１面対向領域４０ｆｐ及び側面対向領域４０ｓｐを含む。第１面対向領域４０ｆｐは、第１面２０ｆａに対向する。側面対向領域４０ｓｐは、樹脂層３０の側面３０ｓに対向する。

この例では、反射膜４０は、第２面対向領域４０ｆｑをさらに含む。第２面対向領域４０ｆｑは、樹脂層３０の第２面３０ｆｂと対向する。例えば、側面対向領域４０ｓｐは、第１面対向領域４０ｆｐ及び第２面対向領域４０ｆｑと連続している。

反射膜４０は、例えばスパッタリング法などのより形成される。１つの例において、反射膜４０は、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）を含む。反射膜４０は、金属膜を含んでも良い。半導体積層体２０からの光に対する反射膜４０の反射率は、樹脂層３０の反射率よりも高い。反射膜４０の例については、後述する。

図１に示すように、異方性エッチングを実施する（ステップＳ１４０）。図６に示すように、ステップＳ１４０において、反射膜４０の第１面対向領域４０ｆｐが除去される。このとき、反射膜４０の側面対向領域４０ｓｐの少なくとも一部を残す。異方性エッチングにおいて、例えば、フッ素などのエッチングガスなどが用いられる。

反射膜４０が第２面対向領域４０ｆｑを含む場合、ステップＳ１４０において、第２面対向領域４０ｆｑも除去される。

本実施形態においては、反射膜を形成する工程（ステップＳ１３０）において、樹脂層３０の側面３０ｓの少なくとも一部は、第１面２０ｆａに対して実質的に垂直である。例えば、図６に示すように、側面３０ｓの少なくとも一部と、第１面２０ｆａと、でなす角度θ２は、８０度以上１００度以下である。

この角度θ２は、樹脂層３０の形成（図２参照）において決まる。図２に示すように、シリコン基板１０は、半導体積層体２０の第１面２０ｆａに接する第３面１０ｆｃを含む。側面３０ｓの少なくとも一部は、シリコン基板１０の第３面１０ｆｃに対して実質的に垂直である。側面３０ｓの少なくとも一部と、シリコン基板１０の第３面１０ｆｃと、でなす角度θ１は、８０度以上１００度以下である。角度θ１は、角度θ２に対応する。角度θ１は、例えば、シリコン基板１０を割断して形成される割断面により決まる。例えば、シリコン基板１０を割断し個辺化する際に、シリコン基板１０の断面視形状が矩形状となるようにする。これにより、樹脂層３０の側面３０ｓは、樹脂層３０の上面に対して実質的に垂直になる。

樹脂層３０の側面３０ｓの少なくとも一部が、第１面２０ｆａに対して実質的に垂直であることにより、異方性エッチング（ステップＳ１４０）において、第１面対向領域４０ｆｐ及び第２面対向領域４０ｆｑが効率的に除去され、側面対向領域４０ｓｐが残りやすい。異方性エッチング後に残る側面対向領域４０ｓｐのダメージが抑制できる。反射膜４０の側面対向領域４０ｓｐにおいて、半導体積層体２０からの光に対して高い光反射特性が得やすい。これにより、高い光取り出し効率の発光装置を製造できる。

本実施形態において、樹脂層３０の上面に対して略垂直である側面３０ｓに形成された反射膜４０は異方性エッチングにより除去されず、半導体積層体２０の表面、及び、樹脂層３０の上面に設けられた反射膜４０を選択的に除去することができる。その結果、半導体積層体２０からの光を、樹脂層３０の側面３０ｓに形成された反射膜４０により効率よく反射することが可能となる。本実施形態によれば、高い光取り出し効率を有する発光装置を効率よく製造することができる。

本実施形態においては、シリコン基板１０の外形に沿う樹脂層３０が形成される。この樹脂層３０の側面３０ｓは、シリコン基板１０の側面の形状に沿っている。この側面３０ｓに対向する側面対向領域４０ｓｐを含む反射膜４０を形成し、反射膜４０の一部（側面対向領域４０ｓｐを除く部分）を除去する。このような側面３０ｓを形成し反射膜４０の一部を除去することで、側面対向領域４０ｓｐが、高い精度で形成できる。

例えば、反射膜４０の一部を除去する際に、マスクなどを形成し、そのマスクを用いて反射膜４０の一部を除去する参考例が考えられる。この参考例において、マスクの開口部の位置ずれが生じる可能性がある。このため、位置ずれを考慮したマージンが適用され、その結果、発光装置の小型化に制限が生じる。その結果、反射膜４０による十分な光反射特性を得ることが困難になる。さらに、発光装置を製造する上での工程が増えるため、コストが上昇する。

これに対して、本実施形態では、反射膜の形成（ステップＳ１３０）において、樹脂層３０の側面３０ｓの少なくとも一部が、第１面２０ｆａに対して実質的に垂直である。このため、異方性エッチング（ステップＳ１４０）により、第１面対向領域４０ｆｐ及び第２面対向領域４０ｆｑが効率的に除去できる。異方性エッチング後に残る側面対向領域４０ｓｐのダメージが抑制できる。これにより、高効率の側面対向領域４０ｓｐによる高い光反射特性が得られ、高い光取り出し効率の発光装置を製造できる。さらに、発光装置を製造する工程が簡単であり、コストの点で有利である。

本実施形態において、以下に説明する工程がさらに実施されても良い。
図１に示すように、波長変換部材を形成する（ステップＳ１５０）。例えば、図７に示すように、異方性エッチングを実施する工程(ステップＳ１４０）の後に、波長変換部材３５を形成する。波長変換部材３５は、シリコン基板１０が除去されて形成された領域Ｒ１の少なくとも一部に形成される。第１方向Ｄ１において、波長変換部材３５の厚さは、例えば、側面対向領域４０ｓｐの厚さと同じ、もしくは波長変換機能が損なわれない程度に薄く形成される。これにより、波長変換部材３５からの光を側面対向領域４０ｓｐにより反射させやすい。

波長変換部材３５は、例えば、複数の波長変換粒子（例えば蛍光体粒子）と、複数の波長変換粒子の周りの樹脂と、を含む。樹脂は、例えば、アクリル樹脂またはシリコーン樹脂などを含む。

本実施形態において、図１に示すように、波長変換部材を形成する工程（ステップＳ１５０）の後に、樹脂部材を形成する工程（ステップＳ１６０）が設けられても良い。図７に示すように、例えば、波長変換部材３５を形成する工程の後に、シリコン基板１０が除去されて形成された領域Ｒ１の残りの部分に、樹脂部材３６が形成される。樹脂部材３６は、例えば、透光性の樹脂である。樹脂部材３６は、例えば、アクリル樹脂またはシリコーン樹脂などを含む。この例では、樹脂部材３６は、樹脂層３０の第２面３０ｆｂに対向する部分（樹脂層３０の一部３６ｃ）を含む。

図１に示すように、樹脂部材を形成する工程（ステップＳ１６０）の後に、樹脂層３０の第２面３０ｆｂを含む部分を除去する（ステップＳ１７０）。例えば、図８に示すように、図７の状態から、樹脂部材３６の一部３６ｃ（第２面３０ｆｂに対向する部分）を除去する。そして、この例では、側面対向領域４０ｓｐが露出するまで、樹脂部材３６の一部が除去される。これにより、側面対向領域４０ｓｐの上に樹脂部材が位置せず、その樹脂部材中に伝搬する光が存在しなくなる。その結果、発光装置の第２方向Ｄ２（図２参照）に拡がる光を抑制し、「見切り」を向上させることができる。正面輝度を高くできる。樹脂部材３６の一部の除去は、例えば、研削（ＣＭＰなどを含む）などにより実施できる。

このようにして、発光装置１１０が得られる。発光装置１１０においては、側面対向領域４０ｓｐにより、例えば、高い光取り出し効率が得られる。

発光装置１１０において、側面対向領域４０ｓｐの第２方向Ｄ２に沿う長さ４０ｔ（厚さ、図１２参照））は、例えば、０．５μｍ以上３μｍ以下である。側面対向領域４０ｓｐの第１方向Ｄ１に沿う長さ４０ｈ（高さ、図１２参照））は、例えば、５０μｍ以上２００μｍ以下である。これらの数値は、一例であり、適宜変更しても良い。

本実施形態に係る製造方法において、反射膜４０の側面対向領域４０ｓｐは、第１方向Ｄ１（Ｚ軸方向）において、半導体積層体２０と重ならない（図６参照）。側面対向領域４０ｓｐは、Ｘ－Ｙ平面において、半導体積層体２０の第１面２０ｆａの外側にある半導体積層体２０からの光は、半導体積層体２０の第１面２０ｆａから主に第１方向Ｄ１に出射する。側面対向領域４０ｓｐが、Ｘ－Ｙ平面において第１面２０ｆａの外側にあることで、第１面２０ｆａから出射した光が側面対向領域４０ｓｐで妨げられることがなくなるため効率的に半導体積層体２０からの光を取り出すことができる。

図２に示すように、シリコン基板１０の外縁は、半導体積層体２０の外縁よりも外側にあることが好ましい。図２に示すように、例えば、半導体積層体２０は、第１端部２０ａ及び第２端部２０ｂを含む。第１端部２０ａから第２端部２０ｂに向かう第２方向Ｄ２は第１方向Ｄ１（Ｚ軸方向）に対して垂直である。第２方向Ｄ２は、例えば、Ｘ軸方向である。シリコン基板１０は、第３端部１０ｃ及び第４端部１０ｄを含む。第３端部１０ｃから第４端部１０ｄに向かう方向は、第２方向Ｄ２に沿う。例えば、第３端部１０ｃから第４端部１０ｄに向かう方向は、第２方向Ｄ２に対して平行である。第２方向Ｄ２において、第１端部２０ａ及び第２端部２０ｂは、第３端部１０ｃと第４端部１０ｄとの間にある。

シリコン基板１０の両方の端部が、半導体積層体２０の両方の端部よりも外側にあることで、例えば、光を効率的に取り出すことができる。

シリコン基板１０の外縁が半導体積層体２０の外縁よりも外側にあることで、例えば、シリコン基板１０を除去した際に、半導体積層体２０が設けられた領域の外側に反射膜４０を形成するための領域を確保することができる。

図１に示すように、本実施形態において、第１面２０ｆａを露出させる工程（ステップＳ１２０）と、反射膜４０を形成する工程（ステップＳ１３０）と、の間に、第１面２０ｆａに粗面加工を施す工程（ステップＳ１２５）が実施されても良い。

図９は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法を例示する模式的断面図である。
図９に示すように、第１面２０ｆａを露出させた後、第１面２０ｆａに粗面加工を施す。これにより、第１面２０ｆａに凹凸２０ｄｐが形成される。凹凸２０ｄｐの高さ２０ｈは、例えば、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である。凹凸２０ｄｐの高さ２０ｈは、凹凸２０ｄｐの頂部と、凹凸２０ｄｐの底部と、の間の距離に対応する。この距離は、例えば、第１方向Ｄ１に沿う距離である。

凹凸２０ｄｐは、例えば、ウエットエッチングまたはドライエッチングにより形成できる。粗面加工は、粗面加工の前における凹凸２０ｄｐの高さ２０ｈよりも、粗面加工の後における凹凸２０ｄｐの高さ２０ｈを大きくすることに対応する。

光出射面となる第１面２０ｆａに凹凸２０ｄｐが形成されることで、光取り出し効率がさらに向上する。

以下、反射膜４０の例について説明する。
図１０は、第１実施形態に係る発光装置の一部を例示する模式的断面図である。
図１０に示すように、反射膜４０は、交互に設けられた複数の第１膜４１及び複数の第２膜４２を含む。複数の第１膜４１の１つの屈折率は、複数の第２膜４２の１つの屈折率とは異なる。例えば、反射膜４０は、複数の第１膜４１と、第２膜４２を含む。第２膜４２は、複数の第１膜４１の１つと、複数の第１膜４１の別の１つと、の間に設けられる。

第１膜４１及び第２膜４２は、例えば、誘電体膜である。第１膜４１及び第２膜４２は、酸化物（例えば金属酸化物）などを含む。例えば、第１膜４１は、第１元素及び酸素を含む。第２膜４２は、第２元素及び酸素を含む。第１元素は、第２元素とは異なる。反射膜４０は、例えば、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）である。このような構成により、高い反射率が得られる。光学特性において、高い安定性が得られる。高い耐久性が得られる。

図１１は、第１実施形態に係る発光装置の一部を例示する模式的断面図である。
図１１に示すように、反射膜４０は、金属膜４５及び誘電体膜４６を含む。金属膜４５は、誘電体膜４６と、樹脂層３０の側面３０ｓと、の間に設けられる。金属膜４５は、例えば、Ａｇ、Ａｌ及びＲｈよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。誘電体膜４６は、例えば、酸化シリコンなどを含む。このような構成においても、高い反射率が得られる。

（第２実施形態）
第２実施形態は、発光装置に係る。
図１２は、第２実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。
図１２に示すように、実施形態に係る発光装置１１０は、半導体積層体２０、樹脂層３０及び反射膜４０を含む。

半導体積層体２０は、第１導電形の第１半導体層２１、第２導電形の第２半導体層２２、及び、発光層２３を含む。発光層２３は、第１半導体層２１と第２半導体層２２との間に設けられる。例えば、第１導電形はｎ形であり、第２導電形はｐ形である。これらの半導体層は、例えば、ガリウム及び窒素を含む。半導体積層体２０は、例えば、窒化物半導体からなる。

第２半導体層２２から第１半導体層２１に向かう方向を第１方向Ｄ１とする。第１方向Ｄ１は、例えば、Ｚ軸方向に沿う。

樹脂層３０は、第１～第６部分領域ｐｒ１～ｐｒ６を含む。第２方向Ｄ２において、第１部分領域ｐｒ１と第２部分領域ｐｒ２との間に半導体積層体２０が設けられる。第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１と交差する。例えば、第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１と交差する。例えば、第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１に対して垂直である。第２方向Ｄ２は、例えば、Ｘ軸方向である。

第２方向Ｄ２において、第１部分領域ｐｒ１と半導体積層体２０との間に、第３部分領域ｐｒ３が設けられる。第２方向Ｄ２において、第２部分領域ｐｒ２と半導体積層体２０との間に、第４部分領域ｐｒ４が設けられる。第１部分領域ｐｒ１から第５部分領域ｐｒ５に向かう方向は、第１方向Ｄ１（Ｚ軸方向）に沿う。第２部分領域ｐｒ２から第６部分領域ｐｒ６に向かう方向は、第１方向Ｄ１（Ｚ軸方向）に沿う。第１～第６部分領域ｐｒ１～ｐｒ６は、樹脂層３０における第１～第６位置に対応する。第１～第６部分領域ｐｒ１～ｐｒ６は、互いに連続する。

反射膜４０は、第１領域４１ｐ及び第２領域４２ｐを含む。第３部分領域ｐｒ３から第１領域４１ｐに向かう方向は、第１方向Ｄ１（Ｚ軸方向）に沿う。第４部分領域ｐｒ４から第２領域４２ｐに向かう方向は、第１方向Ｄ１に沿う。

実施形態に係る発光装置１１０においては、上記の反射膜４０が設けられることで、半導体積層体２０から出射する光を反射膜４０で効果的に反射させる。光の取り出し効率を向上できる。実施形態によれば、高効率の発光装置を提供できる。

第５部分領域ｐｒ５は、第１領域４１ｐに対向する第１対向面３８ｆａを含む。例えば、第１対向面３８ｆａは、第１方向Ｄ１に沿う。例えば、第１対向面３８ｆａは、第１方向Ｄ１に対して実質的に平行である。

第６部分領域ｐｒ６は、第２領域４２ｐに対向する第２対向面３８ｆｂを含む。例えば、第２対向面３８ｆｂは、第１方向Ｄ１に沿う。例えば、第２対向面３８ｆｂは、第１方向Ｄ１に対して実質的に平行である。

第１対向面３８ｆａ及び第２対向面３８ｆｂが第１方向Ｄ１に沿うことで、反射膜４０の形成が容易である。例えば、反射膜４０の表面は、第１方向Ｄ１に沿う。光を反射膜４０で反射させ、光を効率的に取り出すことができる。

発光装置１１０において、第１領域４１ｐ及び第２領域４２ｐのそれぞれの第２方向Ｄ２に沿う長さ（厚さ）は、例えば、０．５μｍ以上３μｍ以下である。第１領域４１ｐ及び第２領域４２ｐのそれぞれの第１方向Ｄ１に沿う長さ（高さ）は、例えば、５０μｍ以上２００μｍ以下である。

図１２に示すように、発光装置１１０は、波長変換部材３５をさらに含んでも良い。波長変換部材３５は、第２方向Ｄ２において、第１領域４１ｐと第２領域４２ｐとの間にある。

樹脂部材３６がさらに設けられても良い。第１方向Ｄ１において、半導体積層体２０と樹脂部材３６との間に、波長変換部材３５が設けられる。発光装置１１０において、支持部材６０がさらに設けられても良い。

第２実施形態に係る発光装置１１０において、第１実施形態に関して説明した構成が適用されても良い。

例えば、発光装置１１０において、側面対向領域４０ｓｐの第２方向Ｄ２に沿う長さ４０ｔ（厚さ）は、例えば、０．５μｍ以上３μｍ以下である。側面対向領域４０ｓｐの第１方向Ｄ１に沿う長さ４０ｈ（高さ）は、例えば、５０μｍ以上２００μｍ以下である。

例えば、発光素子の側面に、光反射部材として酸化チタン等を含む樹脂層を設けて、光取り出し効率を向上させる構成がある。樹脂層を厚くすると、樹脂層における光吸収が大きくなる。さらに、厚い樹脂層を設けた場合、発光装置の小型化が困難になる。一方、樹脂層を薄くした場合、小型化は可能になるが、樹脂層を光が通過し、高い反射率が得られない。

本実施形態においては、例えば、樹脂層３０の側面３０ｓに反射膜４０が設けられる。高い精度で選択的に反射膜４０を設けることができる。反射膜４０により高い反射率が得られるため、発光素子の側面に設ける樹脂層を薄くしても、高い光取り出し効率の発光装置を製造できる。したがって、本実施形態によれば、小型化された高い光取り出し効率を有する発光装置を精度よく製造することができる。

実施形態によれば、高効率の発光装置の製造方法を提供できる。

なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直、及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直または実質的に平行であれば良い。

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、発光装置に含まれる、半導体積層体、樹脂層、反射膜部材及び波長変換部材などのそれぞれの具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

１０…シリコン基板、 １０ｃ、１０ｄ…第３、第４端部、 １０ｆｃ…第３面、 １０ｆｄ…第４面、 １５…構造体、 ２０…半導体積層体、 ２０Ｅ、２０Ｆ…第１、第２素子電極、 ２０ａ、２０ｂ…第１、第２端部、 ２０ｄｐ…凹凸、 ２０ｆａ…第１面、 ２０ｆｃ…対向面、 ２０ｈ…高さ、 ２１、２２…第１、第２半導体層、 ２３…発光層、 ３０…樹脂層、 ３０ｆｂ…第２面、 ３０ｓ…側面、 ３１…第１領域、 ３５…波長変換部材、 ３６…樹脂部材、 ３６ｃ…一部、 ３８ｆａ、３８ｆｂ…第１、第２対向面、 ４０…反射膜、 ４０ｆｐ、４０ｆｑ…第１、第２面対向領域、 ４０ｈ、４０ｔ…長さ、 ４０ｓｐ…側面対向領域、 ４１、４２…第１、第２膜、 ４１ｐ、４２ｐ…第１、第２領域、 ４５…金属膜、 ４６…誘電体膜、 ５１、５２…第１、第２電極、 ５１Ｃ、５２Ｃ…第１、第２接続部材、 ６０…支持部材、 θ１、θ２…角度、 １１０…発光装置、 Ｄ１、Ｄ２…第１、第２方向、 Ｒ１…領域、 ｐｒ１～ｐｒ６…第１～第６部分領域

Claims (9)

1. シリコン基板と、前記シリコン基板と接する第１面を含む半導体積層体と、を含む構造体の周りに前記シリコン基板に対向する側面を含む樹脂層を形成する工程と、
   前記シリコン基板を除去して、前記樹脂層から前記半導体積層体の前記第１面を露出させる工程と、
   前記半導体積層体の前記第１面及び前記樹脂層の前記側面に、前記半導体積層体の前記第１面に対向する第１面対向領域と、前記樹脂層の前記側面に対向する側面対向領域と、を含む反射膜を形成する工程と、
   前記反射膜の前記第１面対向領域を除去し前記反射膜の前記側面対向領域の少なくとも一部を残す異方性エッチングを実施する工程と、
   前記異方性エッチングを実施する工程の後に、前記樹脂層及び前記側面対向領域を覆うように、前記シリコン基板が除去されて形成された領域の少なくとも一部に透光性の樹脂部材を形成する工程と、
   前記樹脂部材の一部及び前記樹脂層の一部を除去し、前記側面対向領域を露出させる工程と、
   を備え、
   前記反射膜を形成する工程において、前記樹脂層の前記側面の少なくとも一部は、前記第１面に対して実質的に垂直である、発光装置の製造方法。
2. 前記樹脂層は、前記半導体積層体から前記シリコン基板に向かう第１方向において、前記シリコン基板と重ならない第２面をさらに含み、
   前記反射膜を形成する工程において、前記反射膜は前記第２面と対向する第２面対向領域をさらに含み、
   前記異方性エッチングを実施する工程において、前記第２面対向領域をさらに除去する、請求項１記載の発光装置の製造方法。
3. 前記側面対向領域は、前記第１面対向領域及び前記第２面対向領域と連続している、請求項２記載の発光装置の製造方法。
4. 前記側面対向領域は、前記第１方向において前記半導体積層体と重ならない、請求項２または３に記載の発光装置の製造方法。
5. 前記半導体積層体は、第１端部及び第２端部を含み、前記第１端部から前記第２端部に向かう第２方向は前記第１方向に対して垂直であり、
   前記シリコン基板は、第３端部及び第４端部を含み、前記第３端部から前記第４端部に向かう方向は、前記第２方向に対して平行であり、
   前記第２方向において、前記第１端部及び前記第２端部は、前記第３端部と前記第４端部との間にある、請求項２～４のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
6. 前記シリコン基板は、第３面と第４面を含み、
   前記第３面は、前記第１面と接し、
   前記第３面は、前記第１面と、前記第４面と、の間にあり、
   前記樹脂層を形成する工程は、前記樹脂層により前記第４面を覆うことを含み、
   前記樹脂層は、前記第４面を覆う第１領域を含み、
   前記第１面を露出させる工程は、前記第１領域を除去して、前記シリコン基板を露出させることを含む、請求項２～５のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
7. 前記異方性エッチングを実施する工程の後であって、前記樹脂部材を形成する工程の前に、前記シリコン基板が除去されて形成された領域の少なくとも一部に波長変換部材を形成する工程をさらに備え、
   前記樹脂部材は、前記波長変換部材を覆うように形成される、請求項１～６のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
8. 前記第１面を露出させる工程と、前記反射膜を形成する工程と、の間に、前記第１面に粗面加工を施す工程をさらに備えた請求項１～７のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
9. 前記シリコン基板は、前記第１面に接する第３面を含み、
   前記側面の少なくとも一部は、前記第３面に対して実質的に垂直である、請求項１～５のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。

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