JP7255000B2 - Defect removal method, lift method, photomask and lift system - Google Patents
Defect removal method, lift method, photomask and lift system Download PDFInfo
- Publication number
- JP7255000B2 JP7255000B2 JP2022096305A JP2022096305A JP7255000B2 JP 7255000 B2 JP7255000 B2 JP 7255000B2 JP 2022096305 A JP2022096305 A JP 2022096305A JP 2022096305 A JP2022096305 A JP 2022096305A JP 7255000 B2 JP7255000 B2 JP 7255000B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photomask
- donor substrate
- aperture
- lift
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Description
本発明は、走査型縮小投影光学系及びこれを用いたレーザ加工装置に関する。 The present invention relates to a scanning reduction projection optical system and a laser processing apparatus using the same.
ディスプレイ等の製造工程において用いられる技術として、ドナー基板上にマトリックス状に多数配置されたマイクロLEDなどの微小素子をレセプター基板に転写する技術がある。また、ドナー基板上に塗布された、導電性、粘着性等の各種の機能性膜や材料膜、有機EL膜等のレセプター基板への転写技術がある。例えば、リフト(LIFT:Laser Induced Forward Transfer)技術、スタンプ技術、ロール転写技術など様々である。しかし、いずれの技術もその工程に要求される高速処理と高い位置精度を両立させることは容易ではなく、高速であっても転写漏れや位置ずれなどが発生する。 As a technique used in the manufacturing process of displays, etc., there is a technique of transferring a large number of minute elements such as micro LEDs arranged in a matrix on a donor substrate to a receptor substrate. There is also a technique for transferring various functional films such as conductive and adhesive films, material films, organic EL films, etc. coated on a donor substrate to a receptor substrate. For example, there are various techniques such as a lift (LIFT: Laser Induced Forward Transfer) technique, a stamp technique, and a roll transfer technique. However, it is not easy to achieve both high-speed processing and high positional accuracy required for the process with any of the techniques, and even at high speeds, transfer omissions and positional deviations occur.
そこで出願人は、高速かつ高精度なリフト装置を開発した(特許文献1)。しかし、そのリフト装置において用いる前述のスタンプ技術やロール転写技術を用いた転写装置により転写され、実装されたドナー基板やレセプター基板上の微小素子等には、1%にも及ぶ不良が存在することがある。そこで、この不良箇所に対し微小素子等を再転写する技術やそれを用いた装置に対しても高精度化と高速化の両方を兼ね備えることが求められている。 Therefore, the applicant developed a high-speed and high-precision lift device (Patent Document 1). However, defects of up to 1% exist in minute elements, etc. on the donor substrate and receptor substrate that are transferred and mounted by the transfer device that uses the above-mentioned stamp technology and roll transfer technology used in the lift device. There is Therefore, there is a demand for a technique for re-transferring microelements and the like to the defective portion and an apparatus using the technique to achieve both high precision and high speed.
また、そのような技術は、ドナー基板からレセプター基板への再転写用のみならず、基板上に位置する不良の微小素子等の照射対象物や不要な材料の部分の除去用としても用いることができ、微小素子等の転写による実装工程のほか、不良の除去工程に用いることも期待される。 In addition, such techniques can be used not only for retransfer from a donor substrate to a receptor substrate, but also for removal of irradiated objects such as defective micro-elements located on the substrate and portions of unwanted material. It is also expected to be used in the process of removing defects in addition to the process of mounting microelements by transfer.
他方、特許文献1とは異なり、ステップアンドリピート方式による高精度な転写技術がある。例えば、修正対象基板上の不良の微小素子等があらかじめ除去されたあとの無素子箇所に、再度、微小素子等を再転写する技術では、エキシマレーザ光を、レンズアレイを組み合わせてなるビームホモジナイザーを用いて均一なエネルギー分布を持つレーザ光に整形し、これをフォトマスクと縮小投影レンズを用いて(再転写用の)ドナー基板上に位置する微小素子等に向け縮小投影し、その微小素子等を修正対象基板上にリフトする。この技術は、高い位置精度を持つステージによりドナー基板上の微小素子等を正確に修正対象基板上へリフト(再転写)することが可能であるが、微小素子1個あたりの処理時間として1~2秒程度必要とするため、1%に及ぶ大量な不良箇所が発生する可能性のある、ディスプレイ等の製造工程に用いる再転写装置としては、その生産効率に照らしても実用的とは言えない。
On the other hand, unlike
なお、高速化を可能とする技術として、ガルバノスキャナーとfθレンズを組み合わせた光学系により、レーザ光を高速でスキャンし照射対象物に照射する技術は周知であるが、この技術により、不良の微小素子等を高速で修正対象基板から除去することは、そのスキャナーによる位置精度が許容する限りにおいて可能であるが、その後の高い位置精度が要求される再転写においては、精度の限界ゆえ困難を伴う。 As a technology that enables high-speed scanning, an optical system that combines a galvanometer scanner and an fθ lens is well known. It is possible to remove the element from the substrate to be corrected at high speed as long as the positional accuracy of the scanner allows, but the subsequent retransfer, which requires high positional accuracy, is difficult due to the limit of accuracy. .
そこで、このスキャナーによる位置精度の問題を解消するため、スキャンされるレーザ光を、fθレンズ等を介してフォトマスク上に配列された開口部に向け選択的に照射し、これを基板上に位置する所定の照射対象物に縮小投影することで、スキャナーの走査精度に対する依存度を下げた、高速かつ高い位置精度の走査型縮小投影光学系を構築することが可能である。特許文献2においては、Nd:YAGレーザのビームをガルバノミラーにて走査し、fθレンズとフォトマスクを介して縮小投影することにより、低い走査精度に起因するドナー基板上の照射エリアの位置ずれを補償する光学系の例が示されている。
Therefore, in order to solve the problem of the positional accuracy of the scanner, the scanned laser light is selectively irradiated through an fθ lens or the like toward the openings arranged on the photomask, and the apertures are positioned on the substrate. It is possible to construct a high-speed, high-positional-precision scanning reduction projection optical system with reduced dependence on the scanning accuracy of the scanner. In
しかし、各基板の大型化やさらなる高速処理のためには、ドナー基板上の照射エリアを大きくとり、短時間に多くの照射対象物にスキャンされたレーザ光を縮小投影する必要がある。すなわち、フォトマスク上のスキャン可能な照射エリアを大きくとる必要がある。この場合、特許文献2において用いられているfθレンズや縮小投影レンズの口径を大きくする必要があり、且つテレセントリックな設計とするには高いコストがかかってしまう。
However, in order to increase the size of each substrate and achieve higher processing speeds, it is necessary to enlarge the irradiation area on the donor substrate and reduce and project the scanned laser beam onto many irradiation targets in a short time. That is, it is necessary to secure a large scannable irradiation area on the photomask. In this case, it is necessary to increase the apertures of the fθ lens and the reduction projection lens used in
さらに、微小素子等の照射対象物の極小化や高密度化に対応するためには、スキャナーの精度限界を補償することはもとより、隣接する照射対象物に干渉しないよう強度分布の安定且つ均一な極めて小さい照射エリアサイズのレーザ光がドナー基板上において必要である。加えて、そのような光学系を搭載した、特許文献1に記載の装置に代わるリフト装置や再転写装置、不良除去装置の実現も期待されている。
Furthermore, in order to cope with the miniaturization and high density of irradiation objects such as minute elements, it is necessary not only to compensate for the accuracy limit of the scanner, but also to achieve a stable and uniform intensity distribution so as not to interfere with adjacent irradiation objects. A very small irradiation area size of laser light is required on the donor substrate. In addition, it is expected to realize a lift device, a retransfer device, and a defect removal device that replace the device described in
そこで、大口径の高額なfθレンズやテレセントリック縮小投影レンズを用いることなく、スキャナーの精度不足を補いながら、均一で変動のないエネルギー分布を持つ微小な照射エリアを広範囲で高精度且つ高速でスキャンすることのできる走査型縮小投影光学系と、これを搭載した実装用若しくは再転写用のリフト装置等を低コストで提供し、さらに、これらを用いたその実施方法を提供することを目的とする。 Therefore, without using an expensive large-aperture f-theta lens or a telecentric reduction projection lens, while compensating for the lack of accuracy of the scanner, a small irradiation area with a uniform energy distribution without fluctuation is scanned over a wide range with high accuracy and high speed. It is an object of the present invention to provide a scanning type demagnification projection optical system capable of reducing the image, a lift device or the like for mounting or retransfer equipped with the optical system at low cost, and to provide a method for carrying out the same using these.
第1の発明は、基板上に複数配列されたミニLED若しくはマイクロLED等の微小素子、又は基板上に塗布若しくは印刷等により付着している材料膜や機能性膜などの照射対象物に向けてマルチモードのパルスレーザ光を照射し、照射対象物に直接、又は基板と照射対象物の間にある物質を介して反応を誘起させることを利用したレーザ加工装置において用いることのできる走査型縮小投影光学系であって、レンズアレイ型のズームホモジナイザー、1軸以上の駆動軸制御装置により走査されるスキャニングミラー、フォトマスク、及び、すくなくとも像側がテレセントリックである投影レンズ系をその構成光学素子として有し、前記フォトマスクには縮小投影される所定の形状の開口が所定のピッチにて複数配列されている。 The first invention is directed to irradiation objects such as microelements such as mini LEDs or micro LEDs arranged in multiple numbers on a substrate, or material films and functional films attached to the substrate by coating or printing. Scanning reduction projection that can be used in a laser processing apparatus that irradiates a multimode pulsed laser beam and induces a reaction directly on an object to be irradiated or through a substance between the substrate and the object to be irradiated An optical system comprising a lens array type zoom homogenizer, a scanning mirror scanned by one or more drive axis controllers, a photomask, and a projection lens system telecentric at least on the image side as constituent optical elements. A plurality of openings having a predetermined shape to be reduced and projected are arranged at a predetermined pitch in the photomask.
さらに、このホモジナイザーは、第1レンズアレイ及び第2レンズアレイ、並びにコンデンサーレンズを含み、第2レンズアレイとコンデンサーレンズにより無限遠補正光学系を構成するズームホモジナイザーであり、前記フォトマスク上の一以上の隣接する開口群をカバーする所定サイズの照射エリアをそのフォトマスク上に結像し、特に、当該照射エリアの位置及びサイズ並びに当該照射エリア内のエネルギー強度分布の変動を補償する。 Further, the homogenizer is a zoom homogenizer including a first lens array, a second lens array, and a condenser lens, the second lens array and the condenser lens constituting an infinity correction optical system, and one or more lenses on the photomask. An illuminated area of predetermined size covering the adjacent apertures is imaged onto the photomask to compensate, among other things, for variations in the location and size of the illuminated area and the energy intensity distribution within the illuminated area.
「変動を補償」とは、例えば発振状態の変動がレーザ光のビームポインティングスタビリティーやビームサイズ、さらにはビーム断面の強度分布に変動をきたすことが知られているが、このズームホモジナイザーにより、フォトマスク上に結像された照射エリア内において、その影響を回避する状態をいう。その結果として、マスク投影されるドナー基板上においては極めて高均一なエネルギー分布を持った微小エリアの結像が得られる。 “Compensation for fluctuations” means that fluctuations in the oscillation state, for example, are known to cause fluctuations in the beam pointing stability, beam size, and intensity distribution of the beam cross section. A state in which the influence is avoided in the irradiation area imaged on the mask. As a result, a very small area can be imaged on the mask-projected donor substrate with a highly uniform energy distribution.
前記所定サイズは、前記開口群の周辺に隣接する他のいずれの開口にも当該照射エリアが及ばないサイズである。すなわち、スキャニングミラーの走査精度によるフォトマスク上の照射位置精度を考慮の上、仮に、レーザ光がその隣接する開口を通過して基板上の(照射が意図されていない)照射対象物に照射されたとしたならば、反応が誘起されてしまう閾値以上のエネルギー分布の境界(外縁)が、その照射エリアに内包される開口群に隣接するいずれの開口にも及ばない(かからない)サイズである。例として、図1において、一点鎖線で囲まれた照射エリア(DP)は、4つの開口(61)からなる開口群をカバーする照射エリアの許容可能な最大サイズを例示し、点線で囲まれた小さな照射エリアは1つの開口をカバーする照射エリアの最小サイズを例示する。図中では、いずれの照射エリアの例も、スキャナーの位置精度によるズレを表現するため二重に図示されている。 The predetermined size is a size such that the irradiation area does not extend to any other openings adjacent to the periphery of the opening group. That is, considering the irradiation position accuracy on the photomask due to the scanning accuracy of the scanning mirror, it is assumed that the laser beam passes through the adjacent opening and is irradiated onto the irradiation object (not intended to be irradiated) on the substrate. If so, the boundary (outer edge) of the energy distribution above the threshold at which the reaction is induced has a size that does not reach (do not cover) any openings adjacent to the opening group included in the irradiation area. As an example, in FIG. 1, the irradiation area (DP) enclosed by the dash-dotted line illustrates the maximum allowable size of the irradiation area covering an aperture group consisting of four apertures (61), Small illumination area exemplifies the minimum size of the illumination area that covers one aperture. In the drawing, each example of the irradiation area is shown double to express the deviation due to the positional accuracy of the scanner.
例えば、この図1にて示すように開口(正方形)がフォトマスク(6)上にマトリックス状に配列されている場合において、そのうちn×n個(n≧1)を一括照射する照射エリア(正方形)の所定サイズの一辺(DP)は、各開口の一辺をMa、ピッチをPi、スキャナーによるフォトマスク上における走査位置精度をStとすると、次式の範囲にある。
Pi×(n-1)+Ma+St ≦ DP < Pi×(n+1)-Ma-St
この範囲を超える所定サイズの場合、意図しない隣接する開口(の一部)を通過した前記の閾値を超えたエネルギーを持つレーザ光が、同じく意図しない照射対象物に縮小投影され、反応を誘起してしまう可能性がある。開口の形状が正方形でない場合や、n×m個の一括照射における所定サイズ(DP)の範囲は設計事項である。
For example, when apertures (square) are arranged in a matrix on the photomask (6) as shown in FIG. ) is within the range of the following formula, where Ma is the side of each opening, Pi is the pitch, and St is the scanning positional accuracy of the scanner on the photomask.
Pi×(n−1)+Ma+St≦DP<Pi×(n+1)−Ma−St
For a given size exceeding this range, laser light having energy above the threshold that passes through (a portion of) an unintended adjacent aperture is reduced and projected onto an unintended object to be irradiated, inducing a reaction. There is a possibility that If the shape of the aperture is not square, or if the range of the predetermined size (DP) in the simultaneous irradiation of n×m pieces is a matter of design.
マトリックス状に配列された開口をもつフォトマスクを一括照射に用いる場合、フォトマスク上の開口のピッチ(Pi)は、縮小投影レンズの縮小倍率を1/cとすると、レセプター基板上にリフト予定の照射対象物のピッチのc倍に固定される。 When a photomask having apertures arranged in a matrix is used for collective irradiation, the pitch (Pi) of the apertures on the photomask is the distance to be lifted onto the receptor substrate, assuming that the reduction magnification of the reduction projection lens is 1/c. It is fixed at c times the pitch of the object to be irradiated.
なお、縮小投影レンズの仕様によっては、開口の数は図2のような1列に配列されたものから、上記の図1のようにマトリックス状に配列されたものまで様々なデザインを選択できる。これらはスキャニングミラーの走査可能範囲にも依存する。 Depending on the specifications of the reduction projection lens, the number of apertures can be selected from various designs ranging from one in which the apertures are arranged in a row as shown in FIG. 2 to one in which apertures are arranged in a matrix as shown in FIG. These also depend on the scannable range of the scanning mirror.
前記第1レンズアレイ及び第2レンズアレイを構成するレンズエレメントは、フライアイ型に限定されず、円筒型、球面型でもよい。従って、各レンズアレイが直交するレンズエレメントの組み合わせにより構成される場合もある。さらに、第3のレンズアレイが追加されたズームホモジナイザーの場合もある。 The lens elements constituting the first lens array and the second lens array are not limited to the fly-eye type, and may be cylindrical or spherical. Therefore, each lens array may be composed of a combination of orthogonal lens elements. In addition, there are zoom homogenizers with the addition of a third lens array.
第2の発明は、第1の発明において、前記投影レンズ系が、前記コンデンサーレンズとフォトマスクの間に配置されたフィールドレンズと、少なくとも像側がテレセントリックな縮小投影レンズを含む構成からなる走査型縮小投影光学系である。 In a second aspect based on the first aspect, the projection lens system includes a field lens disposed between the condenser lens and the photomask, and a reduction projection lens telecentric at least on the image side. It is a projection optical system.
ここで、フィールドレンズの仕様は、ズームホモジナイザー、コンデンサーレンズ(3)及びテレセントリックレンズの仕様に基づき決定し、本発明においてその好適な位置は図3に示すようなフォトマスク(6)の直前である。このフィールドレンズ(5)の焦点距離はズームホモジナイザーからのレーザ光(第2レンズアレイ(2)のレンズエレメント数に相当する数の集光点)が像側テレセントリック縮小投影レンズ(8)の入射瞳位置に置かれた絞り(7)を通過できる曲率にて設計されている。 Here, the specifications of the field lens are determined based on the specifications of the zoom homogenizer, condenser lens (3) and telecentric lens, and the preferred position in the present invention is just before the photomask (6) as shown in FIG. . The focal length of this field lens (5) is such that the laser light from the zoom homogenizer (the number of condensing points corresponding to the number of lens elements in the second lens array (2)) reaches the entrance pupil of the image-side telecentric reduction projection lens (8). It is designed with a curvature that allows it to pass through the aperture (7) placed in position.
第3の発明は、第1又は2の発明における前記スキャニングミラー(4)が2軸のガルバノスキャナーで構成されている走査型縮小投影光学系である。これにより、フォトマスク(6)上に複数列配列された開口に向けレーザ光の照射エリアをスキャンすることができる。スキャニングミラーの制御装置は、専用のコントローラによる場合や専用のボードとPCの組み合わせによる場合など様々である。いずれも、パルスレーザ光の発振タイミングの制御としても用いることができる。 A third invention is a scanning reduction projection optical system according to the first or second invention, wherein the scanning mirror (4) is composed of a biaxial galvanometer scanner. Thereby, the irradiation area of the laser beam can be scanned toward the openings arranged in a plurality of rows on the photomask (6). There are various types of control devices for scanning mirrors, such as a dedicated controller or a combination of a dedicated board and a PC. Both can be used to control the oscillation timing of the pulsed laser light.
第4の発明は、第1乃至3のいずれかの発明において、レンズアレイを構成する各レンズエレメントのサイズより小さいサイズを持つ開口が当該各レンズエレメントに対向して配列されている開口群からなるアレイマスクを、第1レンズアレイの直前又は第1レンズアレイと第2レンズアレイとの間に配置したズームホモジナイザーを用いた走査型縮小投影光学系である。これにより、フォトマスク上の開口形状が縮小投影されたドナー基板上において、レンズエレメント間の迷光による虚像を取り除くとともに、安定かつ高均一なエネルギー分布をもつ極めて微小な結像が得られる。また、レンズエレメント形状によらず、フォトマスクの開口形状又は並びに合わせた任意形状の微小結像が得られる。 In a fourth invention, in any one of the first to third inventions, the lens array comprises an aperture group in which apertures each having a size smaller than the size of each lens element constituting the lens array are arranged so as to face each lens element. It is a scanning reduction projection optical system using a zoom homogenizer in which an array mask is arranged immediately before the first lens array or between the first lens array and the second lens array. As a result, a virtual image due to stray light between lens elements can be removed on the donor substrate on which the shape of the aperture on the photomask has been reduced and projected, and extremely fine image formation with stable and highly uniform energy distribution can be obtained. In addition, regardless of the shape of the lens element, an arbitrary shape microscopic image can be obtained in accordance with the shape of the aperture of the photomask.
レンズエレメントが円筒型の場合、細長い開口のアレイマスクを組み合わせて用いてもよい。なお、アレイマスクの位置は、第1レンズアレイの直前若しくは直後又は第1レンズアレイと第2レンズアレイ間に位置する範囲において、フォトマスク上の照射エリアをビームプロファイラー等で確認しながら決定する設計事項である。なお、レンズエレメントの数とアレイマスクの開口群の数は一致していなくても良い。例えば、アレイマスクの外周部の開口数を減らすことで光学系のNAを調整することができる。 If the lens elements are cylindrical, they may be used in combination with an elongated aperture array mask. The position of the array mask is determined while checking the irradiation area on the photomask with a beam profiler or the like in the range immediately before or after the first lens array or between the first lens array and the second lens array. matter. Note that the number of lens elements and the number of aperture groups of the array mask do not have to match. For example, the NA of the optical system can be adjusted by reducing the numerical aperture of the outer periphery of the array mask.
前記所定サイズの一例として、フライアイ型の第1レンズアレイのエレメントサイズ、又は第1レンズアレイの直前に配置された前記アレイマスクの開口のサイズをdA、第1レンズアレイの焦点距離をf1、第2レンズアレイの焦点距離をf2、これら第1及び第2レンズアレイ間の距離をa(ここではa=f2)とし、また、前記コンデンサーレンズの焦点距離をfC、前記投影レンズ系を構成するフィールドレンズの焦点距離をfF、これらのレンズ間隔をbとすると、前記フォトマスク上に結像する照射エリアの前記所定サイズ(DP)は、次式にて表される。 As an example of the predetermined size, dA is the element size of the first lens array of fly-eye type, or the size of the aperture of the array mask disposed immediately before the first lens array, f1 is the focal length of the first lens array, The focal length of the second lens array is f2, the distance between the first and second lens arrays is a (here, a=f2), and the focal length of the condenser lens is fC, forming the projection lens system. Assuming that the focal length of the field lens is fF and the distance between these lenses is b, the predetermined size (DP) of the irradiation area imaged on the photomask is expressed by the following equation.
しかし、この構成では、第1レンズアレイの収差の影響やアレイマスクによる回折が発生し好適とは言えない。そこで、第1レンズアレイを光源側に移動し、アレイマスクを第2レンズアレイの光源側焦点位置付近に置くことで、これらの問題を回避する。さらに、アレイマスクにより切り出されるパルスレーザ光の利用効率も高めることができる。 However, this configuration is not suitable because of the influence of the aberration of the first lens array and the diffraction caused by the array mask. These problems are avoided by moving the first lens array toward the light source and placing the array mask near the focal position of the second lens array on the light source side. Furthermore, the utilization efficiency of the pulsed laser light cut out by the array mask can be improved.
第5の発明は、第4の発明における前記アレイマスクが、その基材の面内において、サイズ若しくは形状又は開口の数の異なる開口群を切り替えて使用することを可能とする複数の種類の開口群が配列されている走査型縮小投影光学系である。 In a fifth aspect, the array mask according to the fourth aspect has a plurality of types of openings that enable switching between groups of openings having different sizes, shapes, or numbers of openings within the plane of the substrate. It is a scanning reduction projection optical system in which groups are arranged.
アレイマスクの開口の数が第1レンズアレイの各レンズエレメントの数より少ない場合は、異形照明の機能を持つアレイマスクとなる。この異形照明用の開口群と、レンズアレイのレンズエレメントと同数の対向する開口群が1枚の基材に配列されているアレイマスクの例を図4に示す。 If the number of apertures in the array mask is less than the number of lens elements in the first lens array, the array mask will have the function of profiled illumination. FIG. 4 shows an example of an array mask in which a group of apertures for irregular illumination and a group of apertures facing each other in the same number as the lens elements of the lens array are arranged on one substrate.
第6の発明は、第4又は5の発明において、前記アレイマスクが、光軸周りに微小な回転調整を可能とするθ軸を含むマウントに設置されている走査型縮小投影光学系である。 A sixth aspect of the present invention is the scanning reduction projection optical system according to the fourth or fifth aspect, wherein the array mask is mounted on a mount including a .theta.-axis that enables fine rotational adjustment around the optical axis.
第2レンズアレイの各レンズエレメントからの出射光がコンデンサーレンズによりフォトマスク上で重ね合わせることで均一性の高い結像が得られる。ここで、アレイマスクと第2レンズアレイの相対位置関係において、光軸に垂直な面内での位置ずれは均一性に影響しない。しかし、光軸周りの回転方向(θ)にずれがあると結像の輪郭がぼやけ、多重結像になる。その様子を図5に示す。(ここでは円形の開口形状を持つアレイマスクを用いている。)このような回転方向のずれの影響は、結像が小さくなるほど大きくなる。 Light emitted from each lens element of the second lens array is superimposed on the photomask by a condenser lens to obtain an image with high uniformity. Here, in the relative positional relationship between the array mask and the second lens array, the positional deviation within the plane perpendicular to the optical axis does not affect the uniformity. However, if there is a shift in the rotational direction (θ) around the optical axis, the outline of the image formation becomes blurred, resulting in multiple image formation. The situation is shown in FIG. (Here, an array mask having a circular aperture shape is used.) The influence of such rotational shift increases as the image formation becomes smaller.
第7の発明は、第1乃至6のいずれかの発明における各種光学素子が、エキシマレーザによる発振波長に対応している走査型縮小投影光学系である。 A seventh invention is a scanning reduction projection optical system according to any one of the first to sixth inventions, wherein the various optical elements correspond to oscillation wavelengths of an excimer laser.
第8の発明は、基板上に位置する照射対象物に向けてマルチモードパルスレーザ光を照射し、反応を誘起させることを利用したレーザ加工装置であって、レーザ装置から発振するマルチモードパルスレーザ光を、第1乃至6のいずれかに記載の走査型縮小投影光学系により、少なくともX軸とY軸の駆動軸を有するステージに保持された基板上に縮小投影する構成のレーザ加工装置である。 An eighth invention is a laser processing apparatus utilizing multimode pulsed laser light directed to an irradiation target positioned on a substrate to induce a reaction, wherein the multimode pulsed laser oscillates from the laser apparatus. A laser processing apparatus configured to reduce and project light onto a substrate held on a stage having at least X-axis and Y-axis drive axes by the scanning type reduction projection optical system according to any one of 1 to 6. .
ここで基板上に位置する照射対象物には、前述した不良の微小素子や、回路基板上の機能性膜の不要な部分など様々である。また、ここでの誘起される「反応」には、機械的反応、光学的反応、電気的反応、磁気的反応、及び熱的反応を含み、これらに限定されない。 Here, there are various types of objects to be irradiated on the substrate, such as the aforementioned defective microelements and unnecessary portions of the functional film on the circuit substrate. Also, induced "reactions" herein include, but are not limited to, mechanical, optical, electrical, magnetic, and thermal reactions.
第9の発明は、第8の発明において、前記基板がその表面に前記照射対象物の位置するドナー基板であり、その照射対象物に向けてドナー基板の裏面からパルスレーザ光を照射することにより照射対象物を選択的に剥離又は分離し、ドナー基板に対向するレセプター基板上にリフトするための、実装用若しくは再転写用、又はこれら兼用のレーザ加工装置であり、より具体的にはリフト装置である。 In a ninth aspect based on the eighth aspect, the substrate is a donor substrate having the object to be irradiated on the surface thereof, and a pulsed laser beam is irradiated from the back surface of the donor substrate toward the object to be irradiated. A laser processing apparatus for mounting, retransfer, or both for selectively peeling or separating an irradiation object and lifting it onto a receptor substrate facing a donor substrate, more specifically a lift apparatus. is.
また、前記ステージは、ドナー基板をその裏面が前記パルスレーザ光の入射側となる向きにて保持するドナーステージであり、さらに、前記レセプター基板を保持する、X軸、Y軸、鉛直方向のZ軸、及びX-Y平面内にて回転するθ軸を有するレセプターステージを有し、前記走査型縮小投影光学系とこのドナーステージは第1定盤に設置され、レセプターステージは第2定盤又は基礎定盤に設置され、さらに、第1定盤と第2定盤は、それぞれが独立して基礎定盤上に設置されている構造を特徴とする。 In addition, the stage is a donor stage that holds the donor substrate with its back surface facing the incident side of the pulsed laser beam, and further holds the receptor substrate in the X-axis, Y-axis, and Z-axis directions in the vertical direction. and a receptor stage having a θ axis that rotates in the XY plane, the scanning reduction projection optical system and the donor stage are installed on a first platen, and the receptor stage is a second platen or The first surface plate and the second surface plate are installed on the foundation surface plate, and the first surface plate and the second surface plate are each independently installed on the foundation surface plate.
ここで、照射対象物を選択的に剥離又は分離するとは、照射対象物が微小素子の場合は、その微小素子自体を選択的にドナー基板から剥離することを意味し、また、照射対象物が、ドナー基板上に印刷又は一葉に塗布された機能性膜等である場合は、フォトマスク上の開口を介して縮小投影されたレーザ光の結像位置とサイズに相当する部分の機能性膜等を選択的に剥離又は分離することを意味する。なお、この剥離又は分離においては、いわゆるアブレーションプロセスが介在しない場合も含む。 Here, selectively exfoliating or separating the irradiation object means, when the irradiation object is a microelement, selectively peeling off the microelement itself from the donor substrate. , In the case of a functional film, etc. printed or coated on a donor substrate, the functional film, etc. of the portion corresponding to the image formation position and size of the laser beam projected in a reduced size through the opening on the photomask. means to selectively peel or separate the Note that this peeling or separation includes a case where a so-called ablation process does not intervene.
なお、いずれのステージも、ステップアンドリピート動作を行うため、すなわち、レーザ光の照射時はいずれのステージも静止しているため、ガイドとの間で物理的に接触があり安定している転がり案内方式のほうが、エアベリング方式に比べ、コスト面も考慮して好適といえる。 In addition, since all stages perform step-and-repeat operations, that is, all stages are stationary when the laser beam is irradiated, there is physical contact between the stages and the guides, making the rolling guides stable. It can be said that the method is preferable to the air bearing method in consideration of cost.
他方、これらのステージが設置される第1定盤、第2定盤や基礎定盤のいずれの定盤も、その材質は、鉄鋼、石材又はセラミック材などの剛性の高い部材を用いる必要がある。石材として好適には、グラナイト(花崗岩/御影石)に代表される石材を用いる。 On the other hand, the first surface plate, the second surface plate, and the base surface plate on which these stages are installed must be made of a highly rigid member such as steel, stone, or ceramic. . Stone materials typified by granite (granite/granite) are preferably used as the stone material.
以上の構成により、レセプター基板上にリフトされる照射対象物の位置精度とその位置安定性は、これら走査型縮小投影光学系と振動を排除した各基板用ステージの設置構造により変動が抑制されたマスク、縮小投影レンズ及びドナー基板間の相対的位置関係、及びドナー基板上の照射対象物の配列位置精度により決定される。 With the above configuration, fluctuations in the positional accuracy and positional stability of the irradiation target lifted onto the receptor substrate are suppressed by the scanning reduction projection optical system and the installation structure of each substrate stage that eliminates vibration. It is determined by the relative positional relationship between the mask, the reduction projection lens and the donor substrate, and the arrangement positional accuracy of the object to be irradiated on the donor substrate.
第10の発明は、第9の発明において、前記スキャニングミラーの制御装置が、あらかじめ取得した前記ドナー基板上の照射対象物の位置情報、及び前記レセプター基板上へのリフト予定位置の情報に基づき選択されたフォトマスク上の開口に向け、パルスレーザの光軸を走査するスキャニングミラーの制御とパルスレーザ光の照射を制御する機能とを含むリフト装置である。 In a tenth aspect based on the ninth aspect, the scanning mirror control device selects based on previously acquired position information of an object to be irradiated on the donor substrate and information on a planned lift position on the receptor substrate. The lift device includes a function of controlling a scanning mirror that scans the optical axis of a pulsed laser and a function of controlling the irradiation of the pulsed laser light toward the opening on the photomask.
特に、リフト装置を再転写装置として用いる場合など、再転写用のドナー基板上に無素子箇所や不良素子が実装されている不良箇所が存在する可能性は否定できない。そこで、リフト先のレセプター基板とリフト元のドナー基板それぞれの不良箇所の情報を基に選択された、リフトされるべきドナー基板上の照射対象物にのみ走査型縮小投影光学系からのレーザ光が照射されるために、その選択された照射対象物に相対するフォトマスク上の開口に光軸が走査されるようスキャニングミラーを制御する。 In particular, when a lift device is used as a retransfer device, it is undeniable that the donor substrate for retransfer may have an element-free portion or a defective portion where a defective element is mounted. Therefore, the laser beam from the scanning reduction projection optical system is applied only to the irradiation target on the donor substrate to be lifted, which is selected based on the information on the defective portions of the receptor substrate to be lifted and the donor substrate to be lifted. A scanning mirror is controlled to scan the optical axis across an aperture on the photomask opposite the selected object to be illuminated.
第11の発明は、第9又は10の発明において、前記ドナーステージが、二以上のドナー基板を保持することができ、且つこれらを切り替えて使用することができるリフト装置である。 An eleventh invention is the lift device according to the ninth or tenth invention, wherein the donor stage can hold two or more donor substrates and can switch between them.
例えば、導電性ペースト膜が塗布された第1ドナー基板に対し、本発明に係る走査型縮小投影光学系により縮小投影された所定のサイズのパルスレーザ光を照射し、対向するレセプター基板上の位置にそのサイズに相当する部分の導電性ペースト膜をリフト(ペースト印刷)する。次に、ドナーステージの移動により、第1ドナー基板を第2ドナー基板(キャリア基板)に切り替え、そのキャリア基板上の微小素子(デバイス)をレセプター基板上の同一の位置にリフトし、導電性ペースト膜を介してこれを固定させる。 For example, a first donor substrate coated with a conductive paste film is irradiated with a pulsed laser beam of a predetermined size that has been reduced and projected by the scanning reduction projection optical system according to the present invention, and a position on the opposite receptor substrate is irradiated. Then, a portion of the conductive paste film corresponding to the size is lifted (paste printing). Next, by moving the donor stage, the first donor substrate is switched to the second donor substrate (carrier substrate), the microelement (device) on the carrier substrate is lifted to the same position on the receptor substrate, and the conductive paste is applied. It is fixed through the membrane.
第12の発明は、第9乃至11の発明において、前記ドナーステージが第1定盤の下面に吊設されているリフト装置である。 A twelfth invention is the lift device according to the ninth to eleventh inventions, wherein the donor stage is suspended from the lower surface of the first surface plate.
ドナーステージを構成する軸の設置順は設計事項であるが、好適には、水平に設置された第1定盤の下面から、X軸、Y軸の順で、θ軸を含む場合はその下に吊設する。なお、レセプターステージの軸構成も同様に設計事項である。 The order of installation of the axes constituting the donor stage is a matter of design, but preferably, from the lower surface of the horizontally installed first surface plate, the X-axis and the Y-axis are arranged in this order, and if the θ-axis is included, it is below it. to hang. Incidentally, the axial configuration of the receptor stage is also a matter of design.
第13の発明は、前記レーザ装置がエキシマレーザ装置であることを特徴とする、第8の発明に係るレーザ加工装置、又は第9乃至12のいずれかの発明に係るリフト装置である。 A thirteenth invention is the laser processing apparatus according to the eighth invention or the lift apparatus according to any one of the ninth to twelfth inventions, wherein the laser apparatus is an excimer laser apparatus.
第14の発明は、第9乃至13の発明のいずれかに記載の、走査型縮小投影光学系を搭載した本発明に係るリフト装置を用いて、ドナー基板上の照射対象物を対向するレセプター基板上に実装のため、又は再転写のためのリフト方法であって、ドナー基板上の照射対象物の位置情報である「位置情報D」、及びレセプター基板上への照射対象物のリフト予定位置である「位置情報R」をあらかじめ取得する検査工程と、ドナー基板上の領域を、所定のサイズの「分割エリアD」に区分する分割工程と、位置情報D及び位置情報Rに基づき、リフトする分割エリアD内の照射対象物の位置を選択する選択工程と、この選択された照射対象物の位置に(縮小投影レンズを介して)相対するフォトマスク上の開口を通過しドナー基板に照射されるレーザ光により、分割エリアD内の選択された照射対象物を、便宜上これと対向するレセプター基板上のエリアとして定める「分割エリアR」に向けリフトする転写工程と、当該転写工程後、ドナー基板とレセプター基板を次のリフト領域に移動する移動工程とを含み、以降、転写工程と移動工程を繰り返し、レセプター基板のリフト予定である全領域を対象にドナー基板上の選択された照射対象物をレセプター基板上に実装又は再転写を行うリフト方法である。 A fourteenth invention is a receptor substrate facing an irradiation target on a donor substrate using a lift device according to the present invention equipped with a scanning reduction projection optical system according to any one of the ninth to thirteenth inventions. For mounting on the top or for retransfer, the lift method includes "position information D" which is the position information of the irradiation object on the donor substrate, and the planned lift position of the irradiation object on the receptor substrate. An inspection process for obtaining certain "position information R" in advance, a division process for dividing a region on the donor substrate into "divided areas D" of a predetermined size, and division by lifting based on the position information D and the position information R A selection step of selecting a position of an object to be irradiated within area D, and irradiating the donor substrate through an opening on a photomask opposite (via a reduction projection lens) to the position of the selected object to be irradiated. a transfer step of lifting an irradiation object selected in the divided area D by laser light toward a "divided area R" defined as an area on the receptor substrate facing the divided area D for convenience; a moving step of moving the receptor substrate to the next lift area; thereafter, the transferring step and the moving step are repeated, and the selected irradiation object on the donor substrate is moved to the receptor for the entire area of the receptor substrate to be lifted. This is a lift method for mounting or re-transferring onto a substrate.
検査工程において、実装されている照射対象物の位置情報の取得方法は様々であるが、全ての又はサンプリングによる二以上の、個々の照射対象物の画像を処理することにより得られる個々の重心座標とするなど、設計事項である。またこれら座標の原点位置の決定も設計事項である。位置情報D及び/又は位置情報Rは、本リフト装置とは別の独立した検査装置を用いて検査し、その結果を本リフト装置の制御装置に通信手段を介して取得してもよいし、本リフト装置にてドナー基板とレセプター基板の位置決め(アライメント)の際の測定結果を基に、設計上の数値から算出してもよい。なお、この検査工程は、実装又は再転写の総タクトタイムにもよるが、分割工程の前に実施することが望ましい。 In the inspection process, there are various methods of acquiring the position information of the irradiation object that is mounted. It is a design matter. Determination of the origin position of these coordinates is also a matter of design. The position information D and/or the position information R may be inspected using an independent inspection device separate from the lift device, and the result may be acquired by the control device of the lift device via communication means, It may be calculated from design numerical values based on the measurement result when positioning (aligning) the donor substrate and the receptor substrate with this lift device. It is desirable that this inspection process be performed before the division process, although it depends on the total tact time for mounting or retransfer.
分割エリアD内の選択された照射対象物の位置とは、本リフト方法を実装用として用いる場合、対向する分割エリアR内のリフト予定位置に相対する全てのドナー基板上の照射対象物(但し、不良箇所を除く。)の位置であり、再転写用として用いる場合、レセプター基板上の不良箇所(無素子箇所)に相対するドナー基板上の照射対象物(但し、不良箇所(無素子箇所)を除く。)の位置である。 The position of the irradiation object selected in the divided area D means, when this lifting method is used for mounting, all the irradiation objects on the donor substrate opposite to the planned lift position in the opposing divided area R (however, , excluding defective areas), and when used for retransfer, the object to be irradiated on the donor substrate (however, defective areas (non-element areas) ) is the position of
転写工程においては、スキャニングミラーの走査を止めずに、その選択された照射対象物の位置に光軸が走査された時刻と同期してパルスレーザ光を発振させる場合と、走査と停止を繰り返す場合のいずれも含む。 In the transfer process, without stopping the scanning of the scanning mirror, the pulse laser light is oscillated in synchronization with the time when the optical axis is scanned at the position of the selected object to be irradiated, or the scanning and stopping are repeated. including any of
さらに、位置情報Dには、ドナー基板に正常に実装された、照射対象物としての微小素子又は正常に剥離や分離が可能な照射対象物の位置座標はもちろんのこと、不良又は欠損していると識別される照射対象物の位置座標も(異常位置情報として)含むことができる。本リフト方法を再転写用として用いる場合における位置情報Rも同様である。 Furthermore, the position information D includes not only the positional coordinates of the microelements as the irradiation target, which are normally mounted on the donor substrate, but also the position coordinates of the irradiation target that can be peeled off or separated normally. (as anomalous position information) can also be included (as anomaly position information). The same applies to the position information R when this lift method is used for retransfer.
分割エリアDの最大サイズは、本リフト装置に搭載される走査型縮小投影光学系を構成する縮小投影レンズに依存する。特にテレセントリック縮小投影レンズは、その製造コストに鑑み開口数と倍率が制限されるため、これらの仕様によっては1回の走査によりリフト可能なフォトマスク上の、ひいてはドナー基板上の領域は制限される。 The maximum size of the divided area D depends on the reduction projection lens that constitutes the scanning reduction projection optical system mounted on the lift device. In particular, telecentric demagnification projection lenses are limited in numerical aperture and magnification in view of their manufacturing costs, and these specifications limit the area on the photomask, and thus on the donor substrate, that can be lifted by a single scan. .
本リフト方法においては、本リフト装置が実装用として用いられるか、再転写用として用いられるかによらず、ドナー基板の領域に上記の分割エリアDを設定し、ドナー基板とレセプター基板を、これらを保持する各ステージのステップアンドリピート動作により移動し、これらステージの停止時に振動を回避して精度よくリフトする。 In this lifting method, regardless of whether the lifting device is used for mounting or for retransfer, the divided areas D are set in the region of the donor substrate, and the donor substrate and the receptor substrate are separated from each other. are moved by the step-and-repeat operation of each stage holding the , and when these stages are stopped, vibration is avoided and lifted with high accuracy.
第15の発明は、第14の発明において、ドナー基板上の照射対象物の設計上の実装ピッチが、本リフト方法を実装用として用いる場合には、位置情報Rから算出される設計上の実装ピッチに対し、又は再転写用として用いる場合には、既に実装されているレセプター基板上の照射対象物に対する設計上の実装ピッチに対し、1倍、1/2倍、1/3倍、、、となるような、1以上の整数分の1倍である場合のリフト方法である。 In a fifteenth aspect based on the fourteenth aspect, when the designed mounting pitch of the object to be irradiated on the donor substrate is used for mounting using the lift method, the designed mounting pitch is calculated from the position information R. 1, 1/2, 1/3, etc. of the designed mounting pitch for the irradiation target on the already mounted receptor substrate when used for the pitch or for retransfer. It is a lift method when it is a multiple of an integer of 1 or more, such that
なお、レセプター基板上におけるリフト予定位置がX×Yのマトリックス状の配列の場合は、対向する同一サイズのドナー基板上の実装ピッチが、X列において1/n倍、Y列において1/m倍(nとmは1以上の異なる整数)である場合も含むものとする。 When the planned lift positions on the receptor substrate are arranged in a matrix of X x Y, the mounting pitch on the opposing donor substrate of the same size is 1/n times in the X row and 1/m times in the Y row. (n and m are different integers of 1 or more).
第16の発明では、先ず、検査工程にて取得した位置情報Dから算出されるドナー基板上の照射対象物の現実の実装ピッチと、同じく位置情報Rから算出されるレセプター基板上の実装ピッチとの間に、(ドナー基板上の実装密度との違いを考慮の上、)基板間において誤差がある場合を想定する。このレセプター基板上の実装ピッチは、本リフト方法を実装用に用いる場合、照射対象物のリフト予定位置(設計上の位置)から算出され、再転写用に用いる場合、すでに実装されている照射対象物の現実の実装ピッチである。 In the sixteenth invention, first, the actual mounting pitch of the object to be irradiated on the donor substrate calculated from the positional information D acquired in the inspection process, and the mounting pitch on the receptor substrate similarly calculated from the positional information R. between the substrates (taking into account differences in packing density on the donor substrate). When this lift method is used for mounting, the mounting pitch on the receptor substrate is calculated from the planned lift position (designed position) of the object to be irradiated. It is the actual implementation pitch of things.
ドナー基板の製造工程に照らし、ドナー基板上に不良素子や無素子箇所が存在しないドナー基板であっても、実装されている照射対象物の現実の実装ピッチは、設計上の実装ピッチに対して誤差(δPi)を持つ場合がある。そして、この誤差が、同一基板上の場所によって傾向的に変動することはないとしても、ドナー基板の製造ロット間、ひいてはドナー基板間にて差がある(誤差を持っている)場合が想定できるからである。この場合、分割エリアDに内包される照射対象物の数に応じて誤差δPiが累積される。 In light of the manufacturing process of the donor substrate, even if the donor substrate does not have defective elements or non-elements on the donor substrate, the actual mounting pitch of the irradiation object mounted is different from the designed mounting pitch. It may have an error (δPi). Even if this error does not tend to fluctuate depending on the location on the same substrate, it can be assumed that there is a difference (has an error) between production lots of donor substrates, and further between donor substrates. It is from. In this case, the error δPi is accumulated according to the number of irradiation objects included in the divided area D.
そこで、第16の発明は、第15の発明の移動工程における各基板の移動量を、この「累積誤差量」を相殺する移動量とするリフト方法である。 Therefore, the sixteenth invention is a lift method in which the amount of movement of each substrate in the movement step of the fifteenth invention is set to the amount of movement that offsets this "accumulated error amount".
第16の発明において、誤差(δPi)が一定以上の大きさを持つドナー基板を用いて分割エリアD内の照射対象物をリフトしようとする場合、そのエリア内の照射対象物の位置(基準となる位置からの照射対象物の数)によっては、そこでの累積誤差量がリフト位置精度上、許容範囲を超える場合がある。レセプター基板上のリフト予定位置とリフトされるドナー基板上の照射対象物の位置のずれはさることながら、フォトマスク上の開口を通過したレーザ光がドナー基板上で結像する予定位置と、その照射を受けるべき照射対象物の位置とのずれは、ドナー基板上の照射対象物の実装密度が高くピッチが狭い場合、特に問題となる。 In the sixteenth invention, when trying to lift the irradiation target in the divided area D using a donor substrate having a certain size or more of the error (δPi), the position of the irradiation target in the area (reference and Depending on the number of irradiation objects from a certain position), the accumulated error amount at that position may exceed the allowable range in terms of lift position accuracy. In addition to the deviation between the planned lift position on the receptor substrate and the position of the object to be irradiated on the donor substrate to be lifted, the planned position where the laser light passing through the opening on the photomask forms an image on the donor substrate and its position. The deviation from the position of the object to be irradiated becomes a problem especially when the object to be irradiated on the donor substrate is densely packed and the pitch is narrow.
そこで、第17の発明においては、ドナー基板上の隣接する照射対象物の間隔を上限とし、且つ、ドナー基板上の照射対象物に向け照射されるレーザ光の照射サイズと照射対象物のサイズの差、及びそれらの位置ずれがリフト位置精度に及ぼす影響を考慮の上、許容できる累積誤差量の範囲を定め、分割エリアD内における累積誤差量が最大となる位置(例えば左上端を基準とした場合における右下端)において、この許容範囲を超える場合、第16の発明の分割工程における分割エリアDのサイズを、その許容範囲以内にその位置における累積誤差量が収まるサイズにまでさらに縮小した「修正分割エリアD」とする。 Therefore, in the seventeenth invention, the distance between adjacent irradiation objects on the donor substrate is set as the upper limit, and the irradiation size of the laser beam irradiated toward the irradiation object on the donor substrate and the size of the irradiation object Considering the difference and the effect of these positional deviations on the lift position accuracy, the range of the allowable cumulative error amount is determined, and the position where the cumulative error amount in the divided area D is the maximum (for example, the upper left corner as a reference case), if this allowable range is exceeded, the size of the divided area D in the dividing step of the sixteenth invention is further reduced to a size that allows the cumulative error amount at that position to fall within the allowable range. divided area D”.
そして、その修正分割エリアD内の選択された照射対象物を、対向するレセプター基板上の同じく便宜上同サイズとして定めた「修正分割エリアR」内へ実装又は再転写する。その後、次の修正分割エリアRへのリフトのためドナー基板とレセプター基板をステージにより移動する移動工程を実施する。その際、前記累積誤差量を相殺するように各ステージの移動量を調整する。 Then, the irradiation object selected in the correction divided area D is mounted or re-transferred in the "correction divided area R", which is also determined to have the same size for the sake of convenience, on the opposing receptor substrate. After that, a transfer step is performed in which the donor substrate and the receptor substrate are moved by a stage in order to be lifted to the next correction division area R. FIG. At that time, the amount of movement of each stage is adjusted so as to offset the accumulated error amount.
なお、この累積誤差量の許容範囲を定めるに際し、1つの分割エリアD内において、前述の最大値を超える累積誤差量が生じない場合であっても、レセプター基板全体に対しドナー基板上の(又はレセプター基板上の)設計上のピッチに従って移動工程を重ねた結果、その最大値を超える場合があることを想定して、又はあらかじめシミュレーションして、この許容範囲(修正分割エリアDのサイズ)を定めるとよい。 When determining the allowable range of the accumulated error amount, even if the accumulated error amount exceeding the above-mentioned maximum value does not occur in one divided area D, the donor substrate (or Assuming that the maximum value may be exceeded as a result of repeating the movement process according to the design pitch (on the receptor substrate), or by simulating in advance, this allowable range (size of the corrected divided area D) is determined. Good.
第18の発明は、第17の発明において、位置情報D、位置情報R、前記分割エリアDのサイズ、及び前記許容範囲、をパラメータとして、シミュレーションプログラムにより、レセプター基板全域の実装又は再転写に要する時間が最短となるよう前記修正分割エリアDのサイズ、各ステージの移動量の組み合わせ、及び各工程の実施順を決定して行うリフト方法である。 In an eighteenth aspect based on the seventeenth aspect, the positional information D, the positional information R, the size of the divided area D, and the allowable range are used as parameters by a simulation program to perform mounting or retransfer of the entire receptor substrate. In this lift method, the size of the corrected divided area D, the combination of the movement amounts of each stage, and the execution order of each process are determined so as to minimize the time.
大口径のfθレンズやテレセントリック投影レンズを用いることなく、スキャニングミラーの走査精度不足を補いながら、均一で変動のないエネルギー分布を持つ微小且つ安定した照射エリアをフォトマスク上に配列された開口に向け高速スキャンし、照射対象物上に高均一且つ高精度に縮小投影する走査型縮小光学系と、これを搭載した不良除去装置や、実装用又は再転写用のリフト装置を低コストで実現する。 A small and stable irradiation area with a uniform energy distribution without fluctuation is directed to the opening arranged on the photomask while compensating for the scanning accuracy deficiency of the scanning mirror without using a large-diameter f-theta lens or telecentric projection lens. To achieve at low cost a scanning type reduction optical system that scans at high speed and performs reduction projection on an object to be irradiated with high uniformity and precision, a defect removal device equipped with the system, and a lift device for mounting or retransfer.
以下、本発明を実施するための形態について、具体的な例と図を用いて説明する。なお、以下の説明では、便宜上前出の概念図等を用いる場合もある。 EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the form for implementing this invention is demonstrated using a specific example and figure. In addition, in the following description, the above-described conceptual diagrams and the like may be used for the sake of convenience.
本実施例1においては、サイズが6インチのドナー基板上に、マトリックス状に不良なく配列されたサイズが30×60[μm](X軸×Y軸)の微小素子(マイクロLED素子)である照射対象物を、同一サイズのレセプター基板に対し、222×225個の合計49950個マトリックス状に実装するリフト装置の実施例を示す。レセプター基板上に実装されるこの約5万個の微小素子に要求されるリフト位置精度は、±2[μm]であり、各軸方向のピッチは450[μm]である。なお、ドナー基板上には、レセプター基板にリフト予定位置の実装ピッチに対し、1/2倍のピッチで微小素子が不良なく(無素子箇所なく)配列され、その総数は、約20万個である。そして、隣接する微小素子との距離(間隔)はX:195[μm]、Y:165[μm]である。本実施例においては簡単のため、レセプター基板サイズをドナー基板と同サイズとし、微小素子の配列ピッチはX軸、Y軸共に同じとしたが、いずれも設計事項である。 In Example 1, microelements (micro LED elements) with a size of 30×60 [μm] (X axis×Y axis) are arranged in a matrix without defects on a 6-inch donor substrate. An embodiment of a lift device for mounting irradiation objects in a matrix of 222×225 (49950 in total) on a receptor substrate of the same size is shown. The lift position accuracy required for the approximately 50,000 minute elements mounted on the receptor substrate is ±2 [μm], and the pitch in each axial direction is 450 [μm]. On the donor substrate, minute elements are arranged without defects (no element-free portions) at a pitch that is 1/2 times the mounting pitch of the positions to be lifted on the receptor substrate, and the total number is about 200,000. be. The distance (interval) between adjacent microelements is X: 195 [μm] and Y: 165 [μm]. In this embodiment, for the sake of simplicity, the size of the receptor substrate is the same as that of the donor substrate, and the arrangement pitch of the microelements is the same on both the X axis and the Y axis.
はじめに、本発明の実施に係るリフト装置の外観の一例を図6Aに示す。この外観図の構成は、55インチサイズ以上のレセプター基板に対応可能である。また、主要構成部位の配置の概念図を図6Bに示す。なお、図6Bにおいてはレーザ装置、各種制御装置、その他各光学素子のマウント等の図示は省略し、X軸、Y軸及びZ軸方向は図中に示した。第1定盤(G11、G12)及び第2定盤(G2)には全てグラナイトを用いた石定盤とした。そして、基礎定盤(G)には剛性の高い鉄を用いた。 First, FIG. 6A shows an example of the appearance of a lift device according to the implementation of the present invention. The configuration shown in this external view can be applied to receptor substrates of 55 inches or more in size. Also, FIG. 6B shows a conceptual diagram of the layout of the main components. In FIG. 6B, illustration of the laser device, various control devices, mounts of other optical elements, etc. is omitted, and the X-axis, Y-axis, and Z-axis directions are shown in the figure. The first surface plates (G11, G12) and the second surface plate (G2) were all stone surface plates using granite. And iron with high rigidity was used for the foundation surface plate (G).
また、各定盤間や各定盤と各ステージの間には、その設置角度(直交/平行)を微調整するための回転調整機構を有していることが望ましい。具体的には、上述の特許文献1に記載の回転調整機構が好適である。さらに、各基板の位置をモニターする高倍率カメラがその基板を保持するステージ等の振動系統とは異なる部位に設置されていることが望ましい。
Moreover, it is desirable to have a rotation adjustment mechanism for finely adjusting the installation angle (perpendicular/parallel) between each surface plate and between each surface plate and each stage. Specifically, the rotation adjusting mechanism described in
本実施例1において用いるレーザ装置は、発振波長を248[nm]とするエキシマレーザである。出射するレーザ光の空間的分布は、概ね8×24[mm]であり、ビーム拡がり角は1×3[mrad]である。いずれも(縦×横)の表記であり、数値はFWHMである。なお、エキシマレーザの仕様は様々であり、出力の違い、繰り返し周波数の違い、ビームサイズの違い、ビーム拡がり角の違い等はもとより、出射するレーザ光が縦長(前記縦と横を逆転したもの。)のものも存在するが、光学系の追加、省略又は設計変更により、本実施例において用いることができるエキシマレーザは多く存在する。また、レーザ装置は、その大きさにも依るが、一般的にリフト装置のステージ群が設置される基礎とは異なる定盤の上に設置される場合もある。 The laser device used in Example 1 is an excimer laser with an oscillation wavelength of 248 [nm]. The spatial distribution of the emitted laser light is approximately 8×24 [mm], and the beam divergence angle is 1×3 [mrad]. Both are notation of (vertical x horizontal), and numerical values are FWHM. There are various specifications of excimer lasers, and there are differences in output, repetition frequency, beam size, beam divergence angle, etc. In addition, the emitted laser light is vertically elongated (the vertical and horizontal are reversed). ), but there are many excimer lasers that can be used in this embodiment by adding, omitting, or changing the design of the optical system. Also, depending on the size of the laser device, there are cases where it is installed on a surface plate different from the foundation on which the stage group of the lift device is generally installed.
エキシマレーザからの出射光はテレスコープ光学系に入射し、その先のズームホモジナイザーへと伝搬する。ここで、ズームホモジナイザーは、図6Bに示すとおり、その光軸がX軸に沿うように第1定盤(G11)上に配置されている。そして、このズームホモジナイザーに入射する直前におけるレーザ光は、概ね平行光となるようテレスコープ光学系により調整されており、ズームホモジナイザーの位置に依らず、概ね同一サイズにてX軸に沿ってこれに入射する。本実施例においては、そのサイズは、概ね25×25[mm](Z×Y)である。 Emitted light from the excimer laser enters the telescope optical system and propagates to the zoom homogenizer beyond it. Here, as shown in FIG. 6B, the zoom homogenizer is arranged on the first platen (G11) so that its optical axis is along the X-axis. The laser light immediately before entering this zoom homogenizer is adjusted by a telescope optical system so that it becomes roughly parallel light. Incident. In this embodiment, the size is approximately 25×25 [mm] (Z×Y).
本実施例におけるズームホモジナイザーを構成する各レンズアレイ(1、2)は、図7に示す概念図に示すように、光軸に対し垂直なY-Z面内にて2枚一組の1軸シリンドリカルレンズアレイを直角に組み合わせたものである。レーザ光は、初段の組の第1レンズアレイ(1)に入射し、集光しながら後段の第2レンズアレイ(2)の光源側焦点位置付近に置かれたアレイマスク(10)を通過し、第2レンズアレイ(2)、コンデンサーレンズ(3)の順に伝搬する。
本実施例1においては、アレイマスクとして、0.75[mm]角の開口がマトリックス状に配列されているものを用いた。その概念図を図8Aに示す。この概念図においては、レンズアレイとの相対する様子を表すために、フライアイ型のレンズアレイ(1)の直前に配置されたアレイマスク(10)とその開口(101)の位置関係を概念図にて示している。本実施例において用いたアレイマスクの様子は図8Bに示す。
Each lens array (1, 2) constituting the zoom homogenizer in this embodiment, as shown in the conceptual diagram shown in FIG. It is a combination of cylindrical lens arrays at right angles. The laser light enters the first lens array (1) in the first stage and passes through an array mask (10) placed near the focal position of the second lens array (2) in the rear stage on the light source side while condensing. , the second lens array (2), and the condenser lens (3).
In Example 1, an array mask in which 0.75 [mm] square openings are arranged in a matrix was used. A conceptual diagram thereof is shown in FIG. 8A. In this conceptual diagram, the positional relationship between the array mask (10) placed immediately before the fly-eye type lens array (1) and its aperture (101) is conceptually illustrated to show the state of facing the lens array. is shown. The state of the array mask used in this example is shown in FIG. 8B.
ズームホモジナイザーからドナー基板にかけての各光学素子の配置について、その概念図を図9に示す。詳細な配置位置については設計事項である。前記ズームホモジナイザーから出射したレーザ光は、2軸構成のスキャニングミラー(4)とその制御装置により走査され、フィールドレンズ(5)へと伝搬し、フォトマスク(6)上において結像する。 FIG. 9 shows a conceptual diagram of the arrangement of each optical element from the zoom homogenizer to the donor substrate. The detailed arrangement position is a matter of design. The laser light emitted from the zoom homogenizer is scanned by a two-axis scanning mirror (4) and its control device, propagates to a field lens (5), and forms an image on a photomask (6).
フォトマスク(6)上における結像面は、アレイマスク(10)の開口(101)を物体面として、第2レンズアレイ(2)とコンデンサーレンズ(3)により構成される無限遠補正光学系の像面である。
レーザ光は、スキャニングミラー(4)により走査され、そのフォトマスク(6)上の選択された1つの開口(61)に向けて伝搬され、所定サイズの照射エリアで結像する。図10Aはそのビームプロファイル画像である。この所定サイズは、選択されていない隣接するフォトマスク上の開口を介して意図していない照射対象物に照射されると反応が誘起されてしまう閾値以上を持つエネルギー分布の境界(外周・外縁)であり、本実施例においては概ね1[mm](FWHM)である。なお、図10Bは、アレイマスク(10)の開口形状が円形のものを用いた場合の、同じくフォトマスク(6)上のビームプロファイルである。
The image plane on the photomask (6) is the infinity correction optical system composed of the second lens array (2) and the condenser lens (3) with the aperture (101) of the array mask (10) as the object plane. image plane.
A laser beam is scanned by a scanning mirror (4), propagated toward one selected aperture (61) on the photomask (6), and imaged in an irradiation area of a predetermined size. FIG. 10A is the beam profile image. This predetermined size is the boundary (periphery/outer edge) of the energy distribution that has a threshold value or more at which a reaction is induced when an unintended irradiation target is irradiated through an unselected adjacent photomask opening. , which is approximately 1 [mm] (FWHM) in this embodiment. FIG. 10B also shows the beam profile on the photomask (6) when the array mask (10) having a circular opening is used.
本実施例1におけるフォトマスク(6)には、合成石英板にクロムメッキにてパターンが描画された(施された)ものを用いる。図11にその概念図を示す。レーザ光は、クロムメッキが施されていない白く示された窓部分(61)通過し、クロムメッキが施されている有色部分(62)にて遮断される。開口のサイズは60×100[μm]であり、これがX軸方向にピッチ600[μm]間隔にて74開口、Y軸方向に同じピッチで25開口、合計1850個配置されている。また、クロムメッキを施す面は、レーザ光の出射側であり、他方、入射側には248[nm]用の反射防止膜を施してある。さらに、クロムメッキに代えて、アルミ蒸着や誘電体多層膜を用いることもできる。 As the photomask (6) in Example 1, a synthetic quartz plate on which a pattern is drawn (applied) by chromium plating is used. FIG. 11 shows a conceptual diagram thereof. The laser light passes through the non-chrome-plated window portion (61) shown in white and is blocked by the chrome-plated colored portion (62). The size of the apertures is 60×100 [μm], and 74 apertures are arranged at a pitch of 600 [μm] in the X-axis direction, and 25 apertures are arranged at the same pitch in the Y-axis direction, for a total of 1850 apertures. The surface to be plated with chromium is the laser light emitting side, and the incident side is coated with an antireflection film for 248 [nm]. Further, instead of chromium plating, aluminum vapor deposition or dielectric multilayer film can be used.
なお、フォトマスク(6)及びアレイマスク(10)はそれぞれ専用のマウント(図示省略)に固定されており、このマウントは、X軸、Y軸、Z軸方向にそれぞれ移動するW軸、U軸、V軸、及びYZ面内の(光軸周りの)回転軸であるR軸(θ軸)、V軸に対する傾きを調整するTV軸及びU軸に対する傾きを調整するTU軸の計6軸調整機構を持つ。 The photomask (6) and the array mask (10) are respectively fixed to dedicated mounts (not shown), and the mounts move in the X-, Y-, and Z-axis directions respectively. , V-axis, and R-axis (θ-axis), which is the rotation axis (around the optical axis) in the YZ plane, TV-axis that adjusts the tilt with respect to the V-axis, and TU-axis that adjusts the tilt with respect to the U-axis. have a mechanism
なお、ズームホモジナイザーを通過するレーザ光(の光軸)は、スキャニングミラー(4)によりフォトマスク上の開口部を高速で走査され、エキシマレーザ装置は、その光軸が各開口の位置に走査されたタイミングに同期してパルス発振している。 The laser beam (optical axis) passing through the zoom homogenizer scans the apertures on the photomask at high speed by the scanning mirror (4), and the excimer laser device scans the optical axis to the position of each aperture. Pulses are oscillated in synchronization with the timing.
フォトマスクパターンを通過したレーザ光は、絞り(7)を経て3/4の縮小倍率を持つ像側テレセントリック投影レンズ(8)に伝搬し、次にドナー基板(91)に向けその裏面から表面(下面)のサイズが30×60[μm](X×Y)の微小素子が実装されている位置に縮小投影される。図12はその投影されたレーザ光のビームプロファイル画像である。走査されるレーザ光の照射を受けたドナー基板上の微小素子は、ピッチ450[μm]にて次々と対向するレセプター基板上にマトリックス状にリフトされ、実装される。 After passing through the photomask pattern, the laser light propagates through the diaphragm (7) to the image-side telecentric projection lens (8) having a reduction ratio of 3/4, and then toward the donor substrate (91) from its back surface to its front surface ( (lower surface) is reduced and projected to a position where a minute element having a size of 30×60 [μm] (X×Y) is mounted. FIG. 12 is a beam profile image of the projected laser light. The minute elements on the donor substrate irradiated with the scanning laser light are lifted and mounted in a matrix on the opposing receptor substrate one after another at a pitch of 450 [μm].
リフトされた30×60[μm]の照射対象物の数は、フォトマスク上の前述の74×25開口に相当する数であり、そのリフト範囲は、約33×11[mm]である。 The number of lifted irradiation objects of 30×60 [μm] corresponds to the aforementioned 74×25 apertures on the photomask, and the lift range is about 33×11 [mm].
なお、縮小投影レンズ(8)は像側テレセントリックであり、これを保持するZ軸駆動のステージ等による調整のほか、ドナー基板のZ軸方向の調整機能(Z軸ステージ(Zd))を追加し、光吸収層への結像をサポートする構成とすることもできる。しかし、ドナーステージのへの加重負荷が増加することによるリフト位置精度の低下を考慮する必要がある。 The reduction projection lens (8) is telecentric on the image side, and in addition to adjustment by means of a Z-axis drive stage that holds it, a function for adjusting the donor substrate in the Z-axis direction (Z-axis stage (Zd)) is added. , can also be configured to support imaging on the light absorbing layer. However, it is necessary to consider the decrease in lift position accuracy due to the increased weighted load on the donor stage.
また、ドナー基板表面と光吸収層等の境界面における結像位置の調整の際には、マスク面と縮小投影レンズに対し共役の関係にある平面を撮像面に持つ共焦点ビームプロファイラー(BP)を用いたリアルタイムモニターが有効である。本実施例1においては、ドナー基板表面と微小素子との境界面に縮小投影されるレーザ光の空間的強度分布を、リアルタイム且つ高分解能にてモニターする。 Also, when adjusting the imaging position at the interface between the surface of the donor substrate and the light absorbing layer, etc., a confocal beam profiler (BP) having a plane in a conjugate relationship with the mask surface and the reduction projection lens as the imaging surface is used. Real-time monitoring using In Example 1, the spatial intensity distribution of laser light projected in a reduced scale onto the interface between the surface of the donor substrate and the minute elements is monitored in real time and with high resolution.
フォトマスク(6)上の全ての開口に向けレーザ光を走査し、結像位置の調整されたドナー基板上に配列された微小素子に向け、レーザ光を順次照射する。これにより、フォトマスク上の開口数に相当する1850個の微小素子が、レセプター基板上の同数のリフト予定位置へ実装される。なお、この1850ヵ所のリフト領域は、レセプター基板をX軸方向に3分割(A~C)、Y軸方向に9分割(1~9)、合計27分割(A1~A9、B1~B9、C1~C9)した際の1つのエリアに相当する。そのサイズは、スキャニングミラーの走査角と縮小投影レンズの開口径により決まる約33×11[mm]である。この1つのエリアに対するリフトが完了したのち、ドナー基板とレセプター基板を次のリフトエリアに移動する。例えば、X軸方向に33.3[mm]、Y軸方向に11.25[mm]の移動である。その後、再び1850ヶ所のリフトを行い、以降はリフト予定位置全体にこれを繰り返し、ドナー基板からレセプター基板への49950個の微小素子の実装が完了する。ドナー基板上には、前述のとおり、レセプター基板上へのリフト予定位置のピッチの1/2倍の高密度で微小素子が不良なく実装されているため、1枚のドナー基板により、4枚のレセプター基板への実装が行える。 A laser beam is scanned toward all the openings on the photomask (6), and the laser beam is sequentially irradiated toward the minute elements arranged on the donor substrate whose imaging position is adjusted. As a result, 1850 microelements corresponding to the numerical aperture on the photomask are mounted on the same number of planned lift positions on the receptor substrate. The 1,850 lift regions are divided into three parts (A to C) in the X-axis direction and nine parts (1 to 9) in the Y-axis direction, for a total of 27 parts (A1 to A9, B1 to B9, C1 to C9) corresponds to one area. Its size is about 33×11 [mm] determined by the scanning angle of the scanning mirror and the aperture diameter of the reduction projection lens. After completing the lift for one area, the donor and receptor substrates are moved to the next lift area. For example, the movement is 33.3 [mm] in the X-axis direction and 11.25 [mm] in the Y-axis direction. Thereafter, 1,850 lifts are performed again, and thereafter, this is repeated over the entire planned lift positions, completing the mounting of 49,950 microelements from the donor substrate to the receptor substrate. On the donor substrate, as mentioned above, microelements are mounted without defects at a density of 1/2 times the pitch of the intended lift position on the receptor substrate. It can be mounted on the receptor substrate.
なお、レーザ光のドナー基板上への各開口の結像サイズとそのエネルギー密度の関係によって、フォトマスク上へのレーザ光の照射エリアの所定サイズ(DP)を、例えば図1において一点鎖線にて示すように4つの開口を一括にて照射できるサイズとすることができる場合、実装にかかる時間を約1/4とすることができる。 Depending on the relationship between the image size of each opening of the laser light on the donor substrate and its energy density, the predetermined size (DP) of the irradiation area of the laser light on the photomask is indicated, for example, by a dashed line in FIG. As shown, if four openings can be sized to be collectively irradiated, the time required for mounting can be reduced to about 1/4.
また、図13に示すように、ドナー基板の形状がウェハー形状であり、且つその有効なエリア全体に微小素子が実装されているものを用いる場合などは、その微小素子の実装エリアに沿ったリフトエリア(図中、斜線にて示すエリア。)を設定し、スキャニングミラーの走査範囲をこれに合わせて走査することにより、隅々に位置する微小素子のリフトを行うこともできる。 Further, as shown in FIG. 13, when the donor substrate has a wafer shape and microelements are mounted on the entire effective area, the lift along the mounting area of the microelements is used. By setting an area (the hatched area in the figure) and scanning the scanning range of the scanning mirror in accordance with this area, it is also possible to lift minute elements positioned at every corner.
以上が、ドナー基板上の微小素子を対向するレセプター基板上へ実装するリフト装置、及び実装方法の具体例である。 The above are specific examples of the lifting device and the mounting method for mounting the minute elements on the donor substrate onto the opposing receptor substrate.
本実施例2においは、転写不良が無いとしたならば、495×495=245025個の40[μm]角の微小素子が、隣接する素子と200[μm]のピッチにてマトリックス状に実装されている修正対象の6インチのレセプター基板(以下、本実施例2において単に「レセプター基板」という。)の約1%に相当する不良箇所への再転写による修正例を本発明に係る修正用のリフト装置を用いて示す。また、レセプター基板同様、6インチの修正用ドナー基板(以下、本実施例において単に「ドナー基板」という。)上に配列されている再転写(修正)に用いられる微小素子も約1%に及ぶ無素子箇所(と不良箇所)が分布しているものとする。なお、本実施例2におけるドナー基板上には、レセプター基板上に実装されている微小素子の設計上の実装ピッチに対し、設計上1/4倍のピッチである50[μm]で微小素子が配列され、その総数は390万以上である。よって隣接する微小素子との間隔は10[μm]である。その他、本実施例2のリフト装置に搭載される走査型縮小投影光学系の構成概略や装置の構造は実施例1と同様であるが、各光学素子の仕様やその配置位置、及びこれらにより定まるビームプロファイル形状は設計事項である。 In Example 2, 495×495=245025 microelements of 40 μm square are mounted in a matrix at a pitch of 200 μm with adjacent elements, assuming that there is no transfer failure. A 6-inch receptor substrate to be repaired (hereinafter simply referred to as "receptor substrate" in this second embodiment) was corrected by retransfer to a defective portion corresponding to about 1%. Shown with a lifting device. Also, similar to the receptor substrate, about 1% of microelements used for retransfer (correction) arranged on a 6-inch donor substrate for correction (hereinafter simply referred to as "donor substrate" in this embodiment). Assume that non-element locations (and defective locations) are distributed. Incidentally, on the donor substrate in Example 2, the microelements are mounted on the receptor substrate at a pitch of 50 μm, which is 1/4 times the design mounting pitch of the microelements mounted on the receptor substrate. arrayed, totaling more than 3.9 million. Therefore, the interval between adjacent microelements is 10 [μm]. In addition, the general configuration of the scanning reduction projection optical system mounted on the lift apparatus of the second embodiment and the structure of the apparatus are the same as those of the first embodiment, but the specifications of each optical element and their arrangement position are determined by these. Beam profile shape is a matter of design.
本実施例2におけるフォトマスク(6)上には、図1に示すように縮小投影レンズ(8)の倍率(1/4倍)と微小素子サイズ(40[μm]角)により定まる形状よりも一回り大きい200[μm]角の開口(Ma)が、800[μm]ピッチ(Pi)で165個×55個のマトリックスに配列されている。この配列はレセプター基板に実装されている微小素子の配列に対応している。走査型縮小投影光学系によりこのフォトマスク上に結像する照射エリアのサイズは、本実施例1と同様の約1[mm]角であり、フォトマスク上において隣接する開口に干渉することのなく照射できるサイズである。この開口を通過したレーザ光は像側テレセントリック縮小投影レンズ(8)を介してドナー基板(9)上の再転写(修正)に用いられる微小素子に向けて結像する。 On the photomask (6) in the second embodiment, as shown in FIG. 200 [μm] square apertures (Ma), which are one size larger, are arranged in a matrix of 165×55 at a pitch (Pi) of 800 [μm]. This array corresponds to the array of microelements mounted on the receptor substrate. The size of the irradiation area imaged on this photomask by the scanning reduction projection optical system is about 1 [mm] square, which is the same as in the first embodiment. It is a size that can be irradiated. The laser light passing through this aperture forms an image through an image-side telecentric demagnification projection lens (8) toward a minute element used for retransfer (correction) on a donor substrate (9).
スキャニングミラー(4)の動作と同期してパルス発振した前記照射エリアサイズを持つエキシマレーザ光は、フォトマスク(6)上の200[μm]角の開口に照射される。この開口を通過したレーザ光は、1/4倍の縮小倍率の像側テレセントリック投影レンズ(8)を通過し、ドナー基板の裏面から、これに配列された微小素子に向け、10[μm]の間隔にて隣接する微小素子に干渉することなく照射される。本実施例において、照射されたパルスレーザ光はこの微小素子サイズより一回り大きい50[μm]角にてドナー基板の表面(下面)にて結像し、反応を誘起し、その位置にある微小素子をレセプター基板上の無素子箇所に向けてリフトする。 The excimer laser light having the irradiation area size, which is pulse-oscillated in synchronization with the operation of the scanning mirror (4), is irradiated to the 200 [μm] square opening on the photomask (6). After passing through this aperture, the laser light passes through an image-side telecentric projection lens (8) with a reduction ratio of 1/4, and is directed from the back surface of the donor substrate to the microelements arranged thereon with a distance of 10 [μm]. Microelements adjacent to each other at intervals are irradiated without interfering with each other. In this embodiment, the irradiated pulsed laser light forms an image on the surface (lower surface) of the donor substrate at a 50 [μm] angle, which is one size larger than the microelement size, induces a reaction, and causes a microscopic image at that position. The device is lifted toward the non-device location on the receptor substrate.
以下、各工程に分けて具体的な再転写(修正)のためのリフト方法を示す。
(1)検査工程
ドナー基板上及びレセプター基板上に実装されている微小素子の位置情報として、設計上の位置情報と画像処理から得た現実の実装位置を取得する。具体的な座標は、微小素子の形状から得られる重心位置とし、座標原点は基板のオリフラの位置を参照して決定した。ここでは、ドナー基板上の位置情報を「位置情報D」、レセプター基板上の位置情報を「位置情報R」とした。
Hereinafter, a specific lift method for retransfer (correction) will be shown by dividing into each step.
(1) Inspection process As the positional information of the minute elements mounted on the donor substrate and the receptor substrate, design positional information and actual mounting positions obtained from image processing are obtained. The specific coordinates are the center of gravity obtained from the shape of the minute element, and the origin of the coordinates is determined with reference to the position of the orientation flat of the substrate. Here, the positional information on the donor substrate is referred to as "positional information D" and the positional information on the receptor substrate is referred to as "positional information R".
位置情報Dは、再転写に用いるべきではない不良と認定される微小素子、及びそもそも実装されていない無素子箇所を含む。それらの位置座標は、隣接する微小素子から算出され、「不良位置情報D」として取得される。位置情報Rにおける「不良位置情報R」も同様である。 The position information D includes microelements recognized as defective that should not be used for retransfer and non-element locations that are not mounted in the first place. Their positional coordinates are calculated from adjacent microelements and obtained as "defective position information D". The same applies to the "defective position information R" in the position information R.
また、本実施例において、ドナー基板上に配列された微小素子の設計上のピッチは、レセプター基板上に実装されている微小素子の設計上のピッチの1/4倍であり、その現実のピッチは、ドナー基板間、さらにはレセプター基板との間で誤差を持つ。そこで、この誤差を位置情報DとRから算出しておく。本実施例においては簡単のため、位置情報Rは設計上のピッチとし、そのピッチに対するドナー基板のピッチの誤差δPiの値は+0.0075[μm]である。 In this embodiment, the design pitch of the microelements arranged on the donor substrate is 1/4 times the design pitch of the microelements mounted on the receptor substrate. have errors between donor substrates and even between receptor substrates. Therefore, this error is calculated from the position information D and R in advance. In this embodiment, for the sake of simplicity, the positional information R is the design pitch, and the value of the donor substrate pitch error δPi with respect to the pitch is +0.0075 [μm].
(2)分割工程
6インチのドナー基板上の領域を実施例1と同様27の分割エリア(「分割エリアD」)に区分する。図14に示すとおり各エリアは、33×11[mm]であり、各分割エリアは便宜上A1~A9、B1~B9、C1~C9として図中に示す。レセプター基板も同様に27の「分割エリアR」として区分し、リフトは対向させる分割エリア間で行われる。
(2) Dividing Step A region on a 6-inch donor substrate is divided into 27 divided areas (“divided areas D”) as in the first embodiment. As shown in FIG. 14, each area is 33×11 [mm], and each divided area is shown as A1 to A9, B1 to B9, and C1 to C9 in the figure for convenience. The receptor substrate is similarly divided into 27 "divided areas R", and the lift is performed between the opposed divided areas.
なお、この分割エリアDのサイズは、実施例1と同様、縮小投影レンズの有効な開口径、その他の仕様により制限されるフォトマスクのサイズと、同じく縮小投影倍率により決定される設計事項である。 As in the first embodiment, the size of the divided area D is a design item determined by the effective aperture diameter of the reduction projection lens, the size of the photomask limited by other specifications, and the reduction projection magnification. .
ここで、分割エリアDに内包される照射対象物の長軸(X軸)方向の数660(-1)個に対し、前述の誤差δPiを掛けて得られる累積誤差量として許容できる範囲を±5[μm]と設定した。
この許容範囲は、図15に示すように、分割エリアD(一点鎖線)の左上端を位置合わせの基準とする場合、フォトマスク上(6)の開口(61)を通過したレーザ光がドナー基板上の40[μm]角の微小素子上で結像するサイズである50[μm]角(図中の破線)が、累積誤差量が最大となる右端の位置にある微小素子(実線)の全面を照射できる限界を基に、任意に設定したものである。なお、図中の二点鎖線の40[μm]角は設計上のドナー基板上の微小素子の実装位置であり、破線の結像サイズに対し、中央に位置している。本実施例においては、分割エリアD内に実装されているいずれの微小素子も、そこでの設計上の位置に対し、累積誤差量が前記許容範囲内(659×0.0075≒4.94)にあるので、この分割工程において、縮小された「修正分割エリアD」を設定する必要はない。
Here, the permissible range of the cumulative error amount obtained by multiplying the 660 (-1) irradiation objects in the long axis (X-axis) direction of the irradiation target contained in the divided area D by the aforementioned error δPi is ± It was set to 5 [μm].
As shown in FIG. 15, when the upper left end of the divided area D (one-dot chain line) is used as a reference for alignment, this allowable range is such that the laser light that has passed through the opening (61) on the photomask (6) reaches the donor substrate. The 50 [μm] square (dashed line in the figure), which is the size to be imaged on the upper 40 [μm] microelement, is the entire surface of the microelement (solid line) at the rightmost position where the accumulated error amount is maximum. is arbitrarily set based on the limit of irradiation. Note that the 40 [μm] square of the two-dot chain line in the figure is the design mounting position of the minute element on the donor substrate, and is located in the center of the imaging size of the dashed line. In this embodiment, any minute element mounted in the divided area D has a cumulative error amount within the allowable range (659×0.0075≈4.94) with respect to the design position there. Therefore, there is no need to set a reduced "correction division area D" in this division step.
(3)選択工程
分割エリアDに対向する同サイズの分割エリアRに対し、その分割エリアRに実装されている9075個の微小素子の約1%にあたる無素子箇所(約91ヶ所の不良位置情報R)に向け、分割エリアD内に配列されている微小素子の中のうち、これと対向する位置にある微小素子を、選択的に、1対1にてリフトする。
(3) Selection process With respect to the divided area R of the same size facing the divided area D, the non-element locations corresponding to about 1% of the 9075 microelements mounted in the divided area R (defective position information of about 91 locations) R), among the micro-elements arranged in the divided area D, the micro-elements located opposite to the micro-elements are selectively lifted on a one-to-one basis.
しかし、分割エリアD内にも実装されている微小素子(660×220=145200個)のうち、約1%にあたる1452個の不良素子が存在し、これら(不良位置情報D)は不良位置情報Rと重複する可能性がある。図16にその様子を示す。ここでは、ドナー基板越しにレセプター基板を観察しているイメージである。ドナー基板上に配列されている微小素子の配列の一部のエリアが示されている。この図では、分割エリアA1のうち破線で囲まれた左上の付近を拡大して示しており、このエリア内に位置するドナー基板上の微小素子の配列の様子が図示されている。 However, among the microelements (660×220=145200) mounted in the divided area D, there are 1452 defective elements, which is about 1%, and these (defective location information D) are based on the defective location information R may overlap with FIG. 16 shows the situation. Here, it is an image of observing the receptor substrate through the donor substrate. A partial area of an array of microelements arranged on a donor substrate is shown. In this figure, the vicinity of the upper left surrounded by the dashed line in the divided area A1 is shown in an enlarged manner, and the state of arrangement of microelements on the donor substrate located within this area is illustrated.
ここでは、あらかじめ除去工程によりレセプター基板から不良素子が取り除かれた無素子箇所の位置を、便宜上、白抜きの四角形(Mr)で示し、同じく正常にレセプター基板に実装されている微小素子の位置を黒色の四角形(Er)で、そのほかレセプター基板の16倍で高密度配列されたドナー基板上の微小素子の位置を灰色の四角形(Ed)で示した。(ErやMrと重なる位置のEdは図示省略。)前述のとおりドナー基板上の微小素子Edのピッチは、50[μm]であり、レセプター基板上の微小素子Erのピッチは200[μm]である。 Here, for the sake of convenience, the positions of non-element locations where defective elements have been removed from the receptor substrate in advance by the removal step are indicated by white rectangles (Mr), and likewise the positions of microelements normally mounted on the receptor substrate are indicated. The black squares (Er) indicate the positions of the microelements on the donor substrate, which is 16 times denser than the receptor substrate, and the gray squares (Ed). (Ed overlapping Er and Mr is not shown.) As mentioned above, the pitch of the microelements Ed on the donor substrate is 50 [μm], and the pitch of the microelements Er on the receptor substrate is 200 [μm]. be.
まず、初めて修正に用いるドナー基板により1枚目のレセプター基板を修正する場合について説明する。
(3-1) 不良位置情報Dと不良位置情報Rを基板単位にて照合し、無素子箇所(Mr)と不良素子位置(Md)が重複している位置を事前確認する。ここでの確認すべき重複の有無は、図中に示されたドナー基板のX軸方向に並ぶβ列群と、同じくY軸方向に並ぶα列群が交差する位置(計245025ヶ所/基板)における基板単位(27エリア全て)の重複を意味する。なお、他のα’、α’’、α’’’、β’、β’’及びβ’’’列群は、16倍の密度にて実装されているドナー基板上の他の微小素子の配列位置を表す。(図中、α列群は左から3列のみ矢印で図示、β列群は上から2列のみ矢印で図示。他の「’」列群も同様に限定的に矢印にて図示している。)
First, the case of correcting the first receptor substrate with the donor substrate used for the first correction will be described.
(3-1) Collate the defect position information D and the defect position information R for each board, and confirm in advance the position where the non-element location (Mr) overlaps the defect element position (Md). The presence or absence of overlap to be confirmed here is the position where the β row group aligned in the X-axis direction of the donor substrate shown in the figure and the α row group aligned in the Y-axis direction intersect (a total of 245,025 points/substrate). means an overlap of substrate units (all 27 areas) in . Note that the other groups of α', α'', α''', β', β'' and β''' columns are similar to those of other microelements on the donor substrate that are packed at 16 times the density. Represents an array position. (In the figure, the α column group is indicated by arrows only in the three columns from the left, the β column group is indicated by arrows in only the two columns from the top, and the other "'" column groups are similarly illustrated by arrows in a limited manner. .)
重複がなければ、選択工程として、無素子箇所(Mr)に相対するドナー基板上の微小素子の位置(Ed)が選択される。重複が確認された場合は後述する。 If there is no overlap, the selection step selects the microelement location (Ed) on the donor substrate relative to the no element location (Mr). If duplication is confirmed, it will be described later.
(3-2) 他方、修正に使用済みのドナー基板と、(1枚目又は)2枚目以降のレセプター基板の組み合わせによる修正の場合は、もともとドナー基板の持つ約1%の不良素子の位置情報(Md)に、さらに過去再転写に使われたことにより微小素子が欠損している使用済みの位置情報を加えた全ての位置情報(1%のMd+使用済みMd)とレセプター基板上の無素子箇所の分布位置情報(Mr)を照合し、重複の有無を事前確認する。その結果、重複がなければ、選択工程として、無素子箇所(Mr)に相対するドナー基板上の微小素子の位置(Ed)が選択される。 (3-2) On the other hand, in the case of a combination of a donor substrate that has already been used for repair and a (first or) second or subsequent receptor substrate, the position of about 1% of the defective elements that the donor substrate originally had In addition to the information (Md), all the position information (1% Md + used Md), which is the used position information where the microelements are missing due to being used for retransfer in the past, and the unused position information on the receptor substrate. The distribution position information (Mr) of the element location is collated, and the presence or absence of duplication is checked in advance. As a result, if there is no overlap, the micro-element locations (Ed) on the donor substrate relative to the no-element locations (Mr) are selected for the selection step.
(4)転写工程
上述(3-1)又は(3-2)の場合において、再転写に用いられるドナー基板上の微小素子の位置が選択されたあと、1枚目又は2枚目以降のレセプター基板の修正を前述の分割エリアA1から再転写を開始する。スキャニングミラー(4)によりフォトマスク(6)と縮小投影レンズ(8)を介して、レーザ光の光軸をドナー基板上のβの列に沿って走査する。このエリア内にて、選択された位置に、光軸が走査されたタイミングにて発振するエキシマレーザ光により、ドナー基板上の選択された位置に実装されている微小素子は、レセプター基板上の対向する無素子箇所(Mr)に向けてリフトされる。
(4) Transfer process In the case of (3-1) or (3-2) above, after the positions of the microelements on the donor substrate to be used for retransfer are selected, the first or second and subsequent receptors Re-transfer is started from the divided area A1 to correct the substrate. The scanning mirror (4) scans the optical axis of the laser light along the rows of β on the donor substrate through the photomask (6) and the reduction projection lens (8). In this area, excimer laser light oscillated at the timing when the optical axis is scanned at the selected position, and the minute element mounted at the selected position on the donor substrate is moved to the opposite position on the receptor substrate. is lifted toward a non-element location (Mr) where
(5)移動工程
ドナー基板のエリアA1内の選択された位置にある微小素子によるレセプター基板のエリアA1への修正が終了後、次のエリアA2に対しても同様に修正を行う。エリアの移動は、各基板を保持するステージの移動により任意の順番(例えば、A1~A9→B1~B9→C1~C9)にて全てのエリアにおける修正を行う。なお、各分割エリアの移動時のステージ移動量については、前述の累積誤差量(約+4.95[μm])を相殺するように設定する。修正の必要な全分割エリアへの修正完了後は、このレセプター基板を次に修正するレセプター基板に交換する。
(5) Moving Step After finishing the correction of the area A1 of the receptor substrate by the microelements in the selected position in the area A1 of the donor substrate, the next area A2 is similarly corrected. Areas are moved to correct all areas in an arbitrary order (eg, A1 to A9→B1 to B9→C1 to C9) by moving the stage holding each substrate. Note that the amount of stage movement during movement of each divided area is set so as to cancel out the aforementioned cumulative error amount (approximately +4.95 [μm]). After completing the correction of all divided areas that need to be corrected, this receptor substrate is replaced with the next receptor substrate to be corrected.
他方、前述の(3-1)又は(3-2)における基板単位による照合において、重複のあることが確認された場合、照合対象の列群をαからα’列群へ、又は、βからβ’列群へ変更し、変更後の列群の組み合わせ(変更された列群の交点)において、前述の(3-1)又は(3-2)と同様に基板単位で照合し重複がないか確認する。この場合、可能な列群の組み合わせは、15通りである。基板単位にて重複の無い列群の組み合わせが見つかった場合、その組み合わせに基づき無素子箇所(Mr)に相対するドナー基板上の微小素子の位置(Ed)が選択される。なお、転写工程の前に、その列群の組み合わせに応じた基板の移動を行う。図17にて、各分割エリア(A1)間における再転写時の基板間の位置の様子を示す。 On the other hand, if it is confirmed that there is overlap in the collation by substrate unit in the above (3-1) or (3-2), the column group to be collated is changed from α to α' column group or from β Change to the β' column group, and in the combination of the column group after the change (intersection point of the changed column group), collate by substrate unit as in (3-1) or (3-2) above, and there is no duplication. Check whether In this case, there are 15 possible column group combinations. When a combination of row groups that do not overlap is found for each substrate, the microelement position (Ed) on the donor substrate corresponding to the no-element location (Mr) is selected based on the combination. Before the transfer process, the substrate is moved according to the combination of the row groups. FIG. 17 shows the state of the position between the substrates at the time of retransfer between the divided areas (A1).
また、前述の(3-1)又は(3-2)における基板単位の照合において、15通りのいずれの組み合わせにおいても、重複の無い列群の組み合わせが見つからない場合は、広い基板単位ではなく狭い対向する分割エリア単位で照合する。例えば、レセプター基板のエリアA1とこれに対向するドナー基板のエリアA1に限定して照合する。その結果、α列群とβ列群の交差する位置において重複がなければそのまま転写工程に移行し、重複があれば、少なくとも対向する各基板の分割エリア(A1)内において、重複のない他の列群の組み合わせ(例:α’列群とβ’’列群)を摸索する。その組み合わせは最多で16通り存在する。見つかった重複のない列群の組み合わせにおいて、ドナー基板の分割エリアA1によるレセプター基板の分割エリアA1の修正が完了したあと、次のエリアA2に対しても同様の照合を経て重複のない列群の組み合わせにおいてレセプター基板のエリアA2を修正する。以降、ドナーA3とレセプターA3、ドナーA4とレセプターA4、、、とこれを繰り返す。なお、例えば分割エリアB5同士間においてのみ重複があり、このエリアを除けば基板単位で重複がない場合、それ以前と以降のエリア限定の照合は不要である。 In addition, in the above-described (3-1) or (3-2) board-by-board collation, if a combination of non-overlapping column groups is not found in any of the 15 combinations, narrow board units rather than wide board units are found. Verification is performed in units of opposing divided areas. For example, the matching is limited to area A1 of the receptor substrate and area A1 of the donor substrate facing thereto. As a result, if there is no overlap at the position where the α-row group and the β-row group intersect, the process proceeds to the transfer step as it is. Search for a combination of column groups (eg, α' column group and β'' column group). There are 16 combinations at most. In the combination of the found non-overlapping column groups, after the correction of the divided area A1 of the receptor substrate by the divided area A1 of the donor substrate is completed, the next area A2 is subjected to similar collation, and the non-overlapping column group is determined. Modify area A2 of the receptor substrate in combination. Thereafter, donor A3 and receptor A3, donor A4 and receptor A4, etc. are repeated. For example, if there is an overlap only between the divided areas B5, and there is no overlap for each substrate except for this area, it is not necessary to collate the areas before and after.
前述の対向する分割エリア同士の照合(A1とA1、B1とB1、、)において、重複の無い列群の組み合わせが見つからなかった場合は、その時点で、照合の対象とするドナー基板上のエリアをこれと対向する分割エリア同士に限定した照合から、ドナー基板の他の26の分割エリアとの照合へと、その限定を外し、重複の無い列群の組み合わせをエリア単位で摸索する。図18にその様子を示す。ここでは、ドナー基板の分割エリアC5とレセプター基板の分割エリアA3の組み合わせにおいて、例えばα’’’群とβ’’’群の交差位置による再転写である。但し、この照合対象の分割エリアを変更した時点までに修正に使用されてしまった微小素子の欠損位置が反映された不良位置情報(Md)を考慮して、重複のない列群の組み合わせを分割エリア間にて模索しなければならない点に留意する。加えて、頻繁な列群の移動や対向させる分割エリアへの移動のためのステージ移動に要する時間も総合的に勘案し、妥当なタクトタイムが実現できるかを検討する(計算する)必要がある。その計算結果に従い、適宜、重複の照合範囲の選択やドナー基板の交換時期の判断を行う。 In the collation of the opposing divided areas (A1 and A1, B1 and B1, etc.), if no combination of column groups without overlap is found, at that point, the area on the donor substrate to be collated are limited to the divided areas facing each other, and the other 26 divided areas of the donor substrate are removed from the limitation, and combinations of non-overlapping column groups are searched for in area units. FIG. 18 shows the situation. Here, in the combination of the dividing area C5 of the donor substrate and the dividing area A3 of the receptor substrate, the retransfer is performed at the intersection position of the α''' group and the β''' group, for example. However, considering the defect position information (Md) reflecting the defect position of the minute element used for correction by the time the divided area to be collated is changed, the combination of non-overlapping column groups is divided. Note that you have to grope between areas. In addition, it is necessary to consider (calculate) whether a reasonable takt time can be achieved, taking into comprehensive account the time required to move the stage for frequent movement of the row group and movement to the divided area to be opposed. . According to the result of the calculation, selection of overlapping collation range and judgment of replacement timing of the donor substrate are performed as appropriate.
なお、レセプター基板上へのレーザ光の直接照射が悪影響を及ぼさない限りにおいて、不良位置情報の重複の有無に拘わらず、転写工程を行ってしまい、例えば重複のために再転写されなかった無素子箇所については異なるドナー基板による2回目以降の修正に委ねる、などの選択肢も生じることになる。さらには基板ごとの照合と、分割エリアごとの照合を、タクトタイムのシミュレーションに基づき適時に組み合わせて行うこともでき、さらには、検査工程において予め取得した各基板の位置情報を基に、シミュレーションされた最もタクトタイムの短い各照合方法やその範囲の組み合わせを定めておくことも可能である。 As long as the direct irradiation of the laser beam onto the receptor substrate does not have an adverse effect, the transfer process may be performed regardless of whether or not the defective position information overlaps. As for the location, options such as entrusting it to the second and subsequent corrections using a different donor substrate will also arise. In addition, it is possible to perform matching for each board and matching for each divided area in a timely manner based on takt time simulation. It is also possible to define each collation method with the shortest tact time and a combination of ranges thereof.
本実施例のように、分割エリアRごとに再転写する場合、すなわち、フォトマスク上の開口数(165×55個)ごとに約30個/秒のスキャン速度を持つスキャニングミラーを一気に走査して再転写する場合、基板間で不良位置の重複が無いとしたならば、1分割エリアあたりの(約90箇所の)修正に要する時間は約3秒であり、これを27の分割エリアに行う時間と、分割エリア移動のための各基板の移動時間を考慮しても、基板がセットされてから修正が終わるまでに要する時間は、おおむね90秒前後である。 As in the present embodiment, when retransfer is performed for each divided area R, that is, each numerical aperture (165×55) on the photomask is scanned at once with a scanning mirror having a scanning speed of about 30/sec. In the case of retransfer, assuming that there is no overlapping of defective positions between substrates, the time required to correct (about 90 locations) per divided area is about 3 seconds, which is the time to perform this on 27 divided areas. Even if the movement time of each board for moving the divided area is taken into account, the time required from the time the board is set until the correction is completed is approximately 90 seconds.
1箇所の微小素子の再転写に約1秒を要する前述の従来装置を用いた場合の約2450秒のタクトタイムと比較して圧倒的な速さで1%に及ぶ不良素子の修正を実現できる。また、照合(重複確認)に要する計算時間と、重複回避のための前記列群移動及び分割エリア移動に要するステージの移動時間を考慮しても、本実施例におけるタクトタイムの圧倒的優位性は維持できる。 Compared to the takt time of about 2,450 seconds when using the above-mentioned conventional apparatus, which requires about one second to re-transfer a minute element at one location, it is possible to repair up to 1% of defective elements at an overwhelming speed. . In addition, even when considering the calculation time required for collation (duplication confirmation) and the stage movement time required for the row group movement and division area movement for avoiding overlap, the overwhelming superiority of the tact time in this embodiment is can be maintained.
なお、分割エリアを対向する分割エリアに限らずランダムに照合する場合や、累積誤差量を考慮する場合においては、検査工程において取得する位置情報D、位置情報R、前記分割エリアDのサイズ及び前記累積誤差量の許容範囲をパラメータとしたシミュレーションプログラムにより、レセプター基板全域の実装又は再転写に要する時間が最短となるよう前記修正分割エリアDのサイズ、各ステージの移動量の組み合わせ 、及び各工程の実施順 を決定し、各工程の最適化を行うとよい。 In addition, when randomly collating divided areas without being limited to opposing divided areas, or when considering the amount of accumulated error, the position information D and the position information R obtained in the inspection process, the size of the divided area D and the Using a simulation program using the allowable range of accumulated error as a parameter, the combination of the size of the modified divided area D, the amount of movement of each stage, and the size of each process are determined so as to minimize the time required for mounting or re-transferring the entire receptor substrate. It is recommended to determine the order of implementation and optimize each process.
以上、本発明の実施形態について詳述したが、一方で本発明について異なる視点から表現すると下記(1)~(19)のようになる。
(1) 照射対象物に向けてレーザ光を照射し、反応を誘起させることを利用したレーザ加工装置において用いる走査型縮小投影光学系であって、無限遠補正光学系、スキャニングミラー及びフォトマスクを有する走査型縮小投影光学系。
(2) 照射対象物に向けてレーザ光を照射し、反応を誘起させることを利用したレーザ加工装置であって、前記レーザ光を発振するレーザ装置、無限遠補正光学系及びスキャニングミラーを有するレーザ加工装置。
(3) 照射対象物が設けられたドナー基板に向けてレーザ光を照射し、前記照射対象物を前記ドナー基板から、レセプター基板へ移動させるためのリフト装置であって、前記レーザ光を発振するレーザ装置、無限遠補正光学系及びスキャニングミラーを有するリフト装置。
(4) 照射対象物に向けてレーザ光を照射し、反応を誘起させるレーザ加工方法であって、無限遠補正光学系、スキャニングミラー及びフォトマスクを有する走査型縮小投影光学系を用いて前記照射対象物に向けてレーザ光を照射することを特徴とするレーザ加工方法。
(5) 照射対象物が設けられたドナー基板に向けてレーザ光を照射し、前記照射対象物を前記ドナー基板から、レセプター基板へ移動させるリフト方法であって、無限遠補正光学系、スキャニングミラー及びフォトマスクを有する走査型縮小投影光学系を用いて前記照射対象物に向けてレーザ光を照射することを特徴とするリフト方法。
(6) 照射対象物が設けられたドナー基板に向けてレーザ光を照射し、前記照射対象物を前記ドナー基板から、レセプター基板へ移動させる照射対象物を実装した基板の製造方法であって、無限遠補正光学系、スキャニングミラー及びフォトマスクを有する走査型縮小投影光学系を用いて前記照射対象物に向けてレーザ光を照射することを特徴とする照射対象物を実装した基板の製造方法。
(7) 前記照射対象物が、微小素子である(6)記載の照射対象物を実装した基板の製造方法。
(8) 前記微小素子が、マイクロLEDである(7)記載の照射対象物を実装した基板の製造方法。
(9) 前記微小素子が、前記ドナー基板上にマトリックス状に配置されている(7)又は(8)記載の照射対象物を実装した基板の製造方法。
(10) 前記照射対象物が、膜である(6)記載の照射対象物を実装した基板の製造方法。
(11) 前記膜が、導電性を有する膜又は粘着性を有する膜である(10)記載の照射対象物を実装した基板の製造方法。
(12) 前記膜が、有機EL膜である(10)記載の照射対象物を実装した基板の製造方法。
(13) 膜が設けられた第1ドナー基板に向けてレーザ光を照射し、前記膜を前記第1ドナー基板から、レセプター基板へ移動させ、膜を実装した基板を得る工程、及び微小素子が設けられた第2ドナー基板に向けてレーザ光を照射し、前記微小素子を前記第2ドナー基板から、前記膜を実装した基板の膜上へ移動させる工程を有する微小素子を実装した基板の製造方法であって、無限遠補正光学系、スキャニングミラー及びフォトマスクを有する走査型縮小投影光学系を用いて前記膜又は前記微小素子に向けてレーザ光を照射することを特徴とする微小素子を実装した基板の製造方法。
(14) 不良箇所を有するドナー基板の前記不良箇所に向けてレーザ光を照射し、前記不良箇所を前記ドナー基板から除去する不良箇所の除去方法であって、無限遠補正光学系、スキャニングミラー及びフォトマスクを有する走査型縮小投影光学系を用いて前記不良箇所に向けてレーザ光を照射することを特徴とする不良箇所の除去方法。
(15) 照射対象物が設けられたドナー基板に向けてレーザ光を照射し、前記照射対象物を前記ドナー基板から、レセプター基板へ移動させる再転写方法であって、前記レセプター基板は、予め前記照射対象物が実装された領域と、実装予定領域に照射対象物が実装されていない不良領域を有し、無限遠補正光学系、スキャニングミラー及びフォトマスクを有する走査型縮小投影光学系を用いて前記ドナー基板に設けられた照射対象物に向けてレーザ光を照射し、前記レセプター基板の前記不良領域へ移動させることを特徴とする再転写方法。
(16) 照射対象物が設けられたドナー基板に向けてレーザ光を照射し、前記照射対象物を前記ドナー基板から、レセプター基板へ移動させるリフト方法であって、前記ドナー基板に設けられた前記照射対象物は、不良領域を有し、無限遠補正光学系、スキャニングミラー及びフォトマスクを有する走査型縮小投影光学系を用いて前記不良領域以外の照射対象物に向けてレーザ光を照射し、前記レセプター基板へ移動させることを特徴とするリフト方法。
(17) 照射対象物に向けてレーザ光を照射し、反応を誘起させるレーザ加工方法であって、前記レーザ光がスキャニングミラーにより走査され、フォトマスク上に無限遠補正光学系の像面として結像され、前記フォトマスクを通過した前記レーザ光が前記照射対象物に縮小投影されることを特徴とするレーザ加工方法。
(18) 照射対象物が設けられたドナー基板に向けてレーザ光を照射し、前記照射対象物を前記ドナー基板から、レセプター基板へ移動させるリフト方法であって、前記レーザ光がスキャニングミラーにより走査され、フォトマスク上に無限遠補正光学系の像面として結像され、前記フォトマスクを通過した前記レーザ光が前記照射対象物に縮小投影されることを特徴とするリフト方法。
(19) 照射対象物が設けられたドナー基板に向けてレーザ光を照射し、前記照射対象物を前記ドナー基板から、レセプター基板へ移動させる照射対象物を実装した基板の製造方法であって、 前記レーザ光がスキャニングミラーにより走査され、フォトマスク上に無限遠補正光学系の像面として結像され、前記フォトマスクを通過した前記レーザ光が前記照射対象物に縮小投影されることを特徴とする照射対象物を実装した基板の製造方法。
(20) 照射対象物に向けてレーザ光を照射し、反応を誘起させることを利用したレーザ加工装置において用いる走査型縮小投影光学系であって、
第1レンズアレイ、第2レンズアレイ、スキャニングミラー及びフォトマスクを有する走査型縮小投影光学系。
(21) 前記第1レンズアレイ又は前記第2レンズアレイは、レンズエレメントを配列させてなる(20)記載の走査型縮小投影光学系。
(22) 前記レンズエレメントは、フライアイ型、円筒型又は球面型である(21)記載の走査型縮小投影光学系。
(23) 前記第1レンズアレイ又は前記第2レンズアレイは、1軸シリンドリカルレンズを直角に組み合わせたものである(20)~(22)いずれか一項記載の走査型縮小投影光学系。
(24) 前記第1レンズアレイの直前にアレイマスクが配置された(20)~(23)いずれか一項記載の走査型縮小投影光学系。
(25) 前記第1レンズアレイと前記第2レンズアレイの間にアレイマスクが配置された(20)~(24)いずれか一項記載の走査型縮小投影光学系。
(26) 前記アレイマスクは開口群を有する(24)又は(25)記載の走査型縮小投影光学系。
(27) 前記開口群を形成する開口は、円形状、楕円形状、正方形状又は長方形状である(26)記載の走査型縮小投影光学系。
(28) 前記開口群を形成する開口のサイズは、前記レンズエレメントのサイズよりも小さい(26)又は(27)記載の走査型縮小投影光学系。
(29) 前記アレイマスクは、少なくとも二つの種類の開口群を有する(24)~(28)いずれか一項記載の走査型縮小投影光学系。
(30) 前記少なくとも二つの種類の開口群は、各々の開口群を形成する開口のサイズ、開口の形状、開口の数、若しくは、開口の配置が異なる(29)記載の走査型縮小投影光学系。
(31) 照射対象物に向けてレーザ光を照射し、反応を誘起させることを利用したレーザ加工装置において用いる走査型縮小投影光学系であって、
像側のみがテレセントリックである走査型縮小投影光学系。
(32) 不良箇所を有するドナー基板の前記不良箇所に向けてレーザ光を照射し、前記不良箇所を前記ドナー基板から除去する不良箇所の除去方法であって、
ガルバノスキャナー及びフォトマスクを有する走査型縮小投影光学系を用いて前記不良箇所に向けてレーザ光を照射することを特徴とする不良箇所の除去方法。
(33)
前記フォトマスクは、円形状、楕円形状、正方形状又は長方形状の開口を有する(32)記載の不良箇所の除去方法。
(34) 前記フォトマスクは、開口がマトリックス状に配置された領域を有する(32)又は(33)記載の不良箇所の除去方法。
(35) 前記フォトマスクは、少なくとも二つの種類の開口群を有する(32)~(34)いずれか一項記載の不良箇所の除去方法。
(36) 前記少なくとも二つの種類の開口群は、各々の開口群を形成する開口のサイズ、開口の形状、開口の数、若しくは、開口の配置が異なる(35)記載の不良箇所の除去方法。
(37) 照射対象物が設けられたドナー基板に向けてレーザ光を照射し、前記照射対象物を前記ドナー基板から、レセプター基板へ移動させる再転写方法であって、
前記レセプター基板は、予め前記照射対象物が実装された領域と、実装予定領域に照射対象物が実装されていない不良領域を有し、
ガルバノスキャナー及びフォトマスクを有する走査型縮小投影光学系を用いて前記ドナー基板に設けられた照射対象物に向けてレーザ光を照射し、前記レセプター基板の前記不良領域へ移動させることを特徴とする再転写方法。
(38) 照射対象物が設けられたドナー基板に向けてレーザ光を照射し、前記照射対象物を前記ドナー基板から、レセプター基板へ移動させるリフト方法であって、
前記ドナー基板に設けられた前記照射対象物は、不良領域を有し、
ガルバノスキャナー及びフォトマスクを有する走査型縮小投影光学系を用いて前記不良領域以外の照射対象物に向けてレーザ光を照射し、前記レセプター基板へ移動させることを特徴とするリフト方法。
The embodiments of the present invention have been described in detail above. On the other hand, the present invention can be expressed from different viewpoints as follows (1) to (19).
(1) A scanning reduction projection optical system used in a laser processing apparatus that irradiates a laser beam toward an irradiation target to induce a reaction, comprising an infinity correction optical system, a scanning mirror, and a photomask. a scanning reduction projection optical system.
(2) A laser processing apparatus that utilizes irradiating a laser beam toward an object to be irradiated to induce a reaction, the laser having a laser device that oscillates the laser beam, an infinity correction optical system, and a scanning mirror. processing equipment.
(3) A lift device for irradiating a donor substrate provided with an irradiation target with laser light and moving the irradiation target from the donor substrate to a receptor substrate, wherein the laser light is oscillated. Lift device with laser device, infinity correction optics and scanning mirror.
(4) A laser processing method for irradiating an object to be irradiated with a laser beam to induce a reaction, wherein the irradiation is performed using a scanning reduction projection optical system having an infinity correction optical system, a scanning mirror and a photomask. A laser processing method characterized by irradiating a laser beam toward an object.
(5) A lift method for irradiating a donor substrate provided with an irradiation target with a laser beam and moving the irradiation target from the donor substrate to a receptor substrate, comprising an infinity correction optical system and a scanning mirror. and a scanning reduction projection optical system having a photomask to irradiate the object with a laser beam.
(6) A method for manufacturing a substrate mounted with an irradiation target, wherein a donor substrate provided with an irradiation target is irradiated with a laser beam, and the irradiation target is moved from the donor substrate to a receptor substrate, A method of manufacturing a substrate on which an object to be irradiated is mounted, comprising irradiating the object with a laser beam using a scanning reduction projection optical system having an infinity correcting optical system, a scanning mirror, and a photomask.
(7) The method of manufacturing a substrate mounted with an irradiation target according to (6), wherein the irradiation target is a minute device.
(8) The method of manufacturing a substrate on which an irradiation object is mounted according to (7), wherein the minute elements are micro LEDs.
(9) The method of manufacturing a substrate mounted with an irradiation object according to (7) or (8), wherein the microelements are arranged in a matrix on the donor substrate.
(10) The method for manufacturing a substrate mounted with an irradiation target according to (6), wherein the irradiation target is a film.
(11) The method of manufacturing a substrate on which an irradiation target is mounted according to (10), wherein the film is a conductive film or an adhesive film.
(12) The method for manufacturing a substrate on which an irradiation object is mounted according to (10), wherein the film is an organic EL film.
(13) A step of irradiating a first donor substrate provided with a film with a laser beam to move the film from the first donor substrate to a receptor substrate to obtain a substrate on which the film is mounted; Manufacture of a substrate on which microelements are mounted, comprising a step of irradiating a provided second donor substrate with a laser beam to move the microelements from the second donor substrate onto the film of the substrate on which the film is mounted. A method for mounting a micro-element, characterized by irradiating a laser beam toward the film or the micro-element using a scanning reduction projection optical system having an infinity correction optical system, a scanning mirror and a photomask. A method for manufacturing a printed circuit board.
(14) A method of removing a defective portion by irradiating a laser beam onto the defective portion of a donor substrate to remove the defective portion from the donor substrate, comprising an infinity correction optical system, a scanning mirror, and A method of removing a defective portion, comprising irradiating the defective portion with a laser beam using a scanning reduction projection optical system having a photomask.
(15) A retransfer method of irradiating a donor substrate provided with an irradiation target with a laser beam and transferring the irradiation target from the donor substrate to a receptor substrate, wherein the receptor substrate Using a scanning reduction projection optical system having an area where the irradiation object is mounted and a defective area where the irradiation object is not mounted in the mounting planned area, and having an infinity correction optical system, a scanning mirror, and a photomask. A retransfer method, comprising: irradiating a laser beam onto an object to be irradiated provided on the donor substrate to move the object to the defective region of the receptor substrate.
(16) A lift method for irradiating a donor substrate provided with an irradiation target with a laser beam and moving the irradiation target from the donor substrate to a receptor substrate, wherein the The object to be irradiated has a defective area, and a scanning reduction projection optical system having an infinity correction optical system, a scanning mirror, and a photomask is used to irradiate the object to be irradiated other than the defective area with a laser beam, A lifting method, characterized in that it is moved to the receptor substrate.
(17) A laser processing method in which a laser beam is directed at an object to be irradiated to induce a reaction, wherein the laser beam is scanned by a scanning mirror and focused on a photomask as an image plane of an infinity correction optical system. A laser processing method, wherein the laser beam imaged and passed through the photomask is reduced and projected onto the object to be irradiated.
(18) A lift method for irradiating a donor substrate provided with an irradiation target with a laser beam and moving the irradiation target from the donor substrate to a receptor substrate, wherein the laser beam is scanned by a scanning mirror. and forming an image on a photomask as an image plane of an infinity correcting optical system, and reducing and projecting the laser light that has passed through the photomask onto the object to be irradiated.
(19) A method for manufacturing a substrate mounted with an irradiation target, wherein a donor substrate provided with an irradiation target is irradiated with a laser beam, and the irradiation target is moved from the donor substrate to a receptor substrate, The laser beam is scanned by a scanning mirror, an image is formed on a photomask as an image plane of an infinity correction optical system, and the laser beam passing through the photomask is reduced and projected onto the object to be irradiated. A method for manufacturing a board on which an irradiation object to be irradiated is mounted.
(20) A scanning reduction projection optical system for use in a laser processing apparatus that irradiates an object to be irradiated with a laser beam to induce a reaction,
A scanning reduction projection optical system having a first lens array, a second lens array, a scanning mirror and a photomask.
(21) The scanning reduction projection optical system according to (20), wherein the first lens array or the second lens array comprises an array of lens elements.
(22) The scanning reduction projection optical system according to (21), wherein the lens element is fly-eye type, cylindrical type or spherical type.
(23) The scanning reduction projection optical system according to any one of (20) to (22), wherein the first lens array or the second lens array is a perpendicular combination of uniaxial cylindrical lenses.
(24) The scanning reduction projection optical system according to any one of (20) to (23), wherein an array mask is arranged immediately before the first lens array.
(25) The scanning reduction projection optical system according to any one of (20) to (24), wherein an array mask is arranged between the first lens array and the second lens array.
(26) A scanning reduction projection optical system according to (24) or (25), wherein the array mask has an aperture group.
(27) The scanning reduction projection optical system according to (26), wherein the apertures forming the aperture group are circular, elliptical, square, or rectangular.
(28) The scanning reduction projection optical system according to (26) or (27), wherein the size of the apertures forming the aperture group is smaller than the size of the lens element.
(29) The scanning reduction projection optical system according to any one of (24) to (28), wherein the array mask has at least two kinds of aperture groups.
(30) The scanning reduction projection optical system according to (29), wherein the at least two types of aperture groups are different in aperture size, aperture shape, number of apertures, or arrangement of apertures forming each aperture group. .
(31) A scanning reduction projection optical system for use in a laser processing apparatus that irradiates an object to be irradiated with a laser beam to induce a reaction,
A scanning reduction projection optical system that is telecentric only on the image side.
(32) A method of removing a defective portion by irradiating a laser beam onto the defective portion of a donor substrate having the defective portion to remove the defective portion from the donor substrate, comprising:
A method of removing a defective portion, comprising irradiating the defective portion with a laser beam using a scanning reduction projection optical system having a galvanometer scanner and a photomask.
(33)
The method of removing defective portions according to (32), wherein the photomask has circular, elliptical, square or rectangular openings.
(34) The method of removing a defective portion according to (32) or (33), wherein the photomask has a region in which openings are arranged in a matrix.
(35) The method of removing defective portions according to any one of (32) to (34), wherein the photomask has at least two kinds of opening groups.
(36) The method of removing defective portions according to (35), wherein the at least two types of aperture groups are different in size, shape, number of apertures, or arrangement of apertures forming each aperture group.
(37) A retransfer method of irradiating a donor substrate provided with an irradiation target with a laser beam and moving the irradiation target from the donor substrate to a receptor substrate, comprising:
The receptor substrate has an area in which the object to be irradiated is mounted in advance and a defective area in which the object to be irradiated is not mounted in the planned mounting area,
A laser beam is applied to an irradiation target provided on the donor substrate by using a scanning reduction projection optical system having a galvanometer scanner and a photomask, and the object is moved to the defective region of the receptor substrate. retransfer method.
(38) A lift method for irradiating a donor substrate provided with an irradiation target with a laser beam and moving the irradiation target from the donor substrate to a receptor substrate, comprising:
The irradiation target provided on the donor substrate has a defective region,
A lift method comprising: irradiating a laser beam onto an irradiation object other than the defective region by using a scanning reduction projection optical system having a galvanometer scanner and a photomask, and moving the object to the receptor substrate.
前述した多くの実施形態における各構成要件を細分化し、細分化された構成要件を各々単独で、又は組み合わせて、これら(1)~(38)に導入することができる。例えば、各種レンズの使用形態と配置、レーザ光の種類、レーザ加工装置における各種構成と制御方法、フォトマスクの種類と形状、開口部の形状と配置、照射対象物の種類と形状、レーザリフトオフの反応メカニズム、光学系のメカニズム等が代表的な例である。 Each component in many of the above-described embodiments can be subdivided, and subdivided components can be introduced into (1) to (38) individually or in combination. For example, usage and layout of various lenses, types of laser light, various configurations and control methods in laser processing equipment, types and shapes of photomasks, shapes and layouts of openings, types and shapes of irradiation targets, laser lift-off Reaction mechanisms, optical system mechanisms, and the like are typical examples.
マイクロLEDディスプレイの製造工程の一部に利用可能である。
It can be used as part of the manufacturing process of micro LED displays.
Claims (16)
ガルバノスキャナー及びフォトマスクを有する走査型縮小投影光学系を用いて前記不良箇所に向けてレーザ光を照射し、
前記フォトマスクは、少なくとも二つの種類の開口群を有することを特徴とする不良箇所の除去方法。 A method for removing a defective portion by irradiating a laser beam onto the defective portion of a substrate having the defective portion to remove the defective portion from the substrate,
irradiating a laser beam toward the defective portion using a scanning reduction projection optical system having a galvanometer scanner and a photomask;
A method of removing a defective portion, wherein the photomask has at least two kinds of opening groups.
少なくとも二つの種類の開口群を備えたフォトマスクを有する走査型縮小投影光学系を用いて前記照射対象物に向けてレーザ光を照射することを特徴とするリフト方法。 A lift method for irradiating a substrate provided with an irradiation target with a laser beam and moving the irradiation target from the substrate to another substrate,
A lift method, comprising: irradiating a laser beam onto the irradiation object using a scanning reduction projection optical system having a photomask having at least two kinds of aperture groups.
少なくとも二つの種類の開口群を有するフォトマスク。 A photomask used in a lift method for irradiating a substrate provided with an irradiation target with a laser beam and moving the irradiation target from the substrate to another substrate,
A photomask having at least two types of apertures.
照射対象物が設けられた基板に向けてレーザ光を照射する光学系と、少なくとも二つの種類の開口群を有するフォトマスクを有することを特徴とするリフトシステム。 A lift system that irradiates a substrate provided with an irradiation target with a laser beam and moves the irradiation target from the substrate to another substrate,
1. A lift system comprising: an optical system for irradiating a substrate provided with an irradiation target with laser light; and a photomask having at least two kinds of aperture groups.
16. The lift system according to any one of claims 13 to 15, wherein the at least two types of aperture groups differ in aperture size, aperture shape, aperture number, or aperture arrangement forming each aperture group.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022096305A JP7255000B2 (en) | 2021-07-20 | 2022-06-15 | Defect removal method, lift method, photomask and lift system |
JP2023052605A JP7490848B2 (en) | 2022-06-15 | 2023-03-29 | Laser processing method, photomask and laser processing system |
JP2024065447A JP2024095815A (en) | 2022-06-15 | 2024-04-15 | Laser processing method, reduction projection optical system, substrate manufacturing method and laser processing device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021572954A JP7111916B1 (en) | 2021-07-20 | 2021-07-20 | Retransfer method and lift method |
PCT/JP2021/027082 WO2023002555A1 (en) | 2021-07-20 | 2021-07-20 | Scanning-type reduction projection optical system and laser machining apparatus using same |
JP2022096305A JP7255000B2 (en) | 2021-07-20 | 2022-06-15 | Defect removal method, lift method, photomask and lift system |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021572954A Division JP7111916B1 (en) | 2021-07-20 | 2021-07-20 | Retransfer method and lift method |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023052605A Division JP7490848B2 (en) | 2022-06-15 | 2023-03-29 | Laser processing method, photomask and laser processing system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023015998A JP2023015998A (en) | 2023-02-01 |
JP7255000B2 true JP7255000B2 (en) | 2023-04-10 |
Family
ID=87852946
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022096305A Active JP7255000B2 (en) | 2021-07-20 | 2022-06-15 | Defect removal method, lift method, photomask and lift system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7255000B2 (en) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006309994A (en) | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Sony Corp | Base plate for transfer, transfer method, and manufacturing method of display device |
JP2008110384A (en) | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Porous resin film and its punching method, anisotropic conductive sheet using the resin film, electric inspection method and circuit connection method |
JP2012123127A (en) | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Hitachi High-Technologies Corp | Exposure device, exposure method, and manufacturing method for display panel substrate |
JP2015534903A (en) | 2012-11-02 | 2015-12-07 | エム−ソルヴ・リミテッド | Method and apparatus for forming a fine scale structure in a dielectric substrate |
WO2019244362A1 (en) | 2018-06-20 | 2019-12-26 | 丸文株式会社 | Lift device and method for using same |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6815788B2 (en) * | 2016-08-17 | 2021-01-20 | 株式会社フォーサイトテクノ | Confocal beam profiler |
-
2022
- 2022-06-15 JP JP2022096305A patent/JP7255000B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006309994A (en) | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Sony Corp | Base plate for transfer, transfer method, and manufacturing method of display device |
JP2008110384A (en) | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Porous resin film and its punching method, anisotropic conductive sheet using the resin film, electric inspection method and circuit connection method |
JP2012123127A (en) | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Hitachi High-Technologies Corp | Exposure device, exposure method, and manufacturing method for display panel substrate |
JP2015534903A (en) | 2012-11-02 | 2015-12-07 | エム−ソルヴ・リミテッド | Method and apparatus for forming a fine scale structure in a dielectric substrate |
WO2019244362A1 (en) | 2018-06-20 | 2019-12-26 | 丸文株式会社 | Lift device and method for using same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023015998A (en) | 2023-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5068364B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP4500238B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
KR20130137713A (en) | Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method | |
KR20180100168A (en) | Method and apparatus for direct write maskless lithography | |
JP2006179919A (en) | Lithographic equipment and method for manufacturing device | |
JP2008003504A (en) | Drawing system | |
JP7491778B2 (en) | Scanning type reduction projection optical system and laser processing device using the same | |
KR20180099834A (en) | Method and apparatus for direct write maskless lithography | |
CN112272966B (en) | Transfer device, method of use and adjustment method | |
JP2022128476A (en) | Lift apparatus | |
JP7111916B1 (en) | Retransfer method and lift method | |
US7230677B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing hexagonal image grids | |
JP7255000B2 (en) | Defect removal method, lift method, photomask and lift system | |
JP2021151666A5 (en) | ||
JP2023082092A (en) | Laser processing method, photo-mask and laser processing system | |
JP4376227B2 (en) | Projection apparatus for lithographic apparatus | |
TW202314389A (en) | Scanning-type reduction projection optical system, laser machining apparatus, laser-induced forward transfer device, laser machining method, laser-induced forward transfer method, manufacturing method of substrate packaged with object to be irradiated, method of manufacturing substrate packaged with miniature components, method of removing defective parts, and retransfer printing method which is to scan a minute irradiation area with uniform and unvarying energy distribution over a wide range with high precision and high speed, without leakage of transfer printing | |
US20150062547A1 (en) | Lithography Apparatus, a Device Manufacturing Method, a Method Of Manufacturing an Attenuator | |
JP2023066566A (en) | Illumination optical system and laser processing device | |
JP2023066564A (en) | Illumination optical system and laser processing device | |
JP2008060458A (en) | Exposure equipment and exposure method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220615 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230314 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230329 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7255000 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |