JP7253994B2 - How to relocate optical devices - Google Patents

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Description

本発明は、光デバイスの移設方法に関する。 The present invention relates to an optical device transfer method.

ＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの光デバイスは、例えば、ｐｎ接合を構成するｎ型半導体層およびｐ型半導体層をサファイア基板の表面上にエピタキシャル成長させることにより形成される。このように形成された光デバイス層をサファイア基板から剥離するレーザーリフトオフという剥離技術が知られている（特許文献１および２参照）。光デバイス層は、サファイア基板上にバッファ層を介して形成されている。レーザーリフトオフ方法では、バッファ層に対してレーザービームを照射することでサファイア基板と光デバイス層とを分離し、光デバイス層を移設基板へと移設する。 An optical device such as an LED (Light Emitting Diode) is formed, for example, by epitaxially growing an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer forming a pn junction on the surface of a sapphire substrate. A separation technique called laser lift-off is known for separating the optical device layer thus formed from the sapphire substrate (see Patent Documents 1 and 2). The optical device layer is formed on the sapphire substrate with a buffer layer interposed therebetween. In the laser lift-off method, the sapphire substrate and the optical device layer are separated by irradiating the buffer layer with a laser beam, and the optical device layer is transferred to the transfer substrate.

特開２００４－０７２０５２号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-072052 特開２０１６－０２１４６４号公報JP 2016-021464 A

従来では、移設後のデバイス層に塩酸（ＨＣｌ）による酸洗浄を実施することによって、レーザービームの照射により破壊されたバッファ層の残滓、および破壊されずに光デバイス層に付着したままのバッファ層などを除去していた。しかしながら、廃液処理によってコストが増大すること、廃液処理が危険作業であること、および酸洗浄後にさらに塩酸を除去するための洗浄工程が必要であり所要時間が増大することなどの問題があった。 Conventionally, the remnants of the buffer layer destroyed by the laser beam irradiation and the buffer layer remaining attached to the optical device layer without being destroyed are removed by acid cleaning with hydrochloric acid (HCl) after the transfer of the device layer. etc. was removed. However, there are problems such as increased costs due to waste liquid treatment, that waste liquid treatment is dangerous work, and that a washing step is required to remove hydrochloric acid after acid washing, which increases the required time.

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、光デバイス層を移設する際に、酸洗浄を実施せずに光デバイス層に残存したバッファ層を除去する光デバイスの移設方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide an optical device that removes the buffer layer remaining on the optical device layer without acid cleaning when the optical device layer is transferred. It is to provide a relocation method.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の光デバイスの移設方法は、エピタキシー基板の表面にバッファ層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイスを移設基板に移し替える光デバイスの移設方法であって、該光デバイスウエーハの光デバイス層の表面に接合層を介して移設基板を接合して複合基板を形成する移設基板接合ステップと、該移設基板接合ステップの後、該複合基板を構成する光デバイスウエーハのエピタキシー基板の裏面側からエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファ層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザービームを照射し、バッファ層を破壊するバッファ層破壊ステップと、該バッファ層破壊ステップの後、エピタキシー基板を光デバイス層から剥離して光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層移設ステップと、を含み、該光デバイス層移設ステップの後、バッファ層に対して吸収性を有する波長の該パルスレーザービームを、該エピタキシー基板が剥離された後に該光デバイス層に残存した該バッファ層に対して照射し、残存したバッファ層を除去するバッファ層除去ステップを実施することを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, an optical device transfer method of the present invention provides an optical device transfer substrate for transferring optical devices of an optical device wafer in which an optical device layer is laminated on the surface of an epitaxial substrate with a buffer layer interposed therebetween. a transfer substrate bonding step of bonding a transfer substrate to the surface of an optical device layer of the optical device wafer via a bonding layer to form a composite substrate; and the transfer substrate bonding step. Thereafter, a pulsed laser beam having a wavelength that is transparent to the epitaxial substrate and absorptive to the buffer layer is irradiated from the back surface side of the epitaxial substrate of the optical device wafer that constitutes the composite substrate. a buffer layer breaking step of breaking a layer; and after the buffer layer breaking step, an optical device layer transferring step of peeling the epitaxial substrate from the optical device layer and transferring the optical device layer to a transfer substrate, wherein the optical device After the layer transfer step , irradiate the pulsed laser beam of a wavelength that is absorptive to the buffer layer to the buffer layer remaining in the optical device layer after the epitaxial substrate is peeled off, and remove the remaining buffer layer. It is characterized by performing a buffer layer removing step of removing the buffer layer.

該移設基板接合ステップの前に、該光デバイス層をチップサイズに分割してマイクロＬＥＤを形成するマイクロＬＥＤ形成ステップを含んでもよい。 A micro LED forming step of dividing the optical device layer into chip sizes to form micro LEDs may be included before the transfer substrate bonding step.

該バッファ層除去ステップの後、該光デバイス層を移設基板からピックアップして実装基板に実装する実装ステップを含んでもよい。 After the buffer layer removing step, a mounting step of picking up the optical device layer from the transfer substrate and mounting it on a mounting substrate may be included.

本願発明は、光デバイス層を移設する際に、酸洗浄を実施せずに光デバイス層に残存したバッファ層を除去することができる。 The present invention can remove the buffer layer remaining on the optical device layer without acid cleaning when transferring the optical device layer.

図１は、実施形態に係る光デバイスの移設方法の移設対象を含む光デバイスウエーハの斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of an optical device wafer including a transfer target of an optical device transfer method according to an embodiment. 図２は、図１の光デバイスウエーハの断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the optical device wafer of FIG. 図３は、実施形態に係る光デバイスの移設方法を示すフローチャートである。FIG. 3 is a flow chart showing an optical device relocation method according to the embodiment. 図４は、図３の移設基板接合ステップの一状態を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing one state of the transfer substrate bonding step of FIG. 図５は、図３の移設基板接合ステップにおいて図４の後の一状態を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing one state after FIG. 4 in the transfer substrate bonding step of FIG. 図６は、図３のバッファ層破壊ステップの一例を示す断面図である。6 is a cross-sectional view showing an example of the buffer layer breaking step of FIG. 3. FIG. 図７は、図３の光デバイス層移設ステップの一状態を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing one state of the optical device layer transfer step of FIG. 図８は、図３のバッファ層除去ステップの一例を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example of the buffer layer removal step of FIG. 図９は、第１変形例に係る光デバイスの移設方法を示すフローチャートである。FIG. 9 is a flowchart showing an optical device relocation method according to the first modification. 図１０は、図９のマイクロＬＥＤ形成ステップを実施する前の光デバイスウエーハの断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of the optical device wafer prior to performing the micro LED formation step of FIG. 図１１は、図９のマイクロＬＥＤ形成ステップの一例を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of the micro-LED forming steps of FIG. 図１２は、第２変形例に係る光デバイスの移設方法を示すフローチャートである。FIG. 12 is a flow chart showing an optical device relocation method according to the second modification. 図１３は、図１２の実装ステップの一例を示す断面図である。13 is a cross-sectional view showing an example of the mounting steps of FIG. 12. FIG. 図１４は、図１２の実装ステップにおいて図１３の後の一状態を示す断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view showing one state after FIG. 13 in the mounting step of FIG.

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。 A form (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the configurations described below can be combined as appropriate. In addition, various omissions, substitutions, or changes in configuration can be made without departing from the gist of the present invention.

〔実施形態〕
本発明の実施形態に係る移設方法を図面に基づいて説明する。まず、実施形態に係る光デバイス７の移設方法の移設対象を含む光デバイスウエーハ１の構成について説明する。図１は、実施形態に係る光デバイス７の移設方法の移設対象を含む光デバイスウエーハ１の斜視図である。図２は、図１の光デバイスウエーハ１の断面図である。なお、図１および図２は、本実施形態の説明のため、実際よりも光デバイスウエーハ１に対して光デバイス層５などを大きく模式的に示しており、以降の図面についても同様である。光デバイスウエーハ１は、図２に示すように、エピタキシー基板２と、エピタキシー基板２の表面３側にバッファ層４を介して積層された光デバイス層５と、を含む。 [Embodiment]
A relocation method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. First, the configuration of the optical device wafer 1 including the transfer target of the optical device 7 transfer method according to the embodiment will be described. FIG. 1 is a perspective view of an optical device wafer 1 including a transfer target of an optical device 7 transfer method according to an embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view of the optical device wafer 1 of FIG. 1 and 2 schematically show the optical device layer 5 and the like larger than the actual optical device wafer 1 for the sake of explanation of the present embodiment, and the same applies to subsequent drawings. The optical device wafer 1 includes an epitaxial substrate 2 and an optical device layer 5 stacked on the surface 3 side of the epitaxial substrate 2 with a buffer layer 4 interposed therebetween, as shown in FIG.

エピタキシー基板２は、本実施形態において、直径が６インチ（約１５０ｍｍ）程度で厚みが１．２ｍｍ～１．５ｍｍ程度の円板形状を有するサファイア基板である。光デバイス層５は、本実施形態において、図２に示すように、エピタキシー基板２の表面３にエピタキシャル成長法によって合計６μｍ程度の厚さで形成されるｎ型窒化ガリウム半導体層５－１およびｐ型窒化ガリウム半導体層５－２である。光デバイス層５は、例えば、ＬＥＤとして使用されるものである。バッファ層４は、本実施形態において、エピタキシー基板２に光デバイス層５を積層する際に、エピタキシー基板２の表面３と光デバイス層５のｐ型窒化ガリウム半導体層５－２との間に形成される厚みが１μｍ程度の窒化ガリウム（ＧａＮ）層である。 In this embodiment, the epitaxial substrate 2 is a disk-shaped sapphire substrate having a diameter of approximately 6 inches (approximately 150 mm) and a thickness of approximately 1.2 mm to 1.5 mm. In this embodiment, the optical device layer 5 includes an n-type gallium nitride semiconductor layer 5-1 and a p-type gallium nitride semiconductor layer 5-1 formed on the surface 3 of the epitaxial substrate 2 by an epitaxial growth method to a total thickness of about 6 μm, as shown in FIG. This is the gallium nitride semiconductor layer 5-2. The optical device layer 5 is used, for example, as an LED. In this embodiment, the buffer layer 4 is formed between the surface 3 of the epitaxial substrate 2 and the p-type gallium nitride semiconductor layer 5-2 of the optical device layer 5 when laminating the optical device layer 5 on the epitaxial substrate 2. It is a gallium nitride (GaN) layer having a thickness of about 1 μm.

光デバイス層５は、本実施形態において、図１に示すように、格子状に交差した複数のストリート６によって区画された複数の領域に、チップサイズに分割されて積層され、光デバイス７を形成している。光デバイス層５同士の間隔、すなわち、光デバイス７同士の間隔は、ストリート６の幅と同じである。光デバイス層５同士の間隔は、本実施形態において、５μｍ程度である。光デバイス層５の大きさ、すなわち、光デバイス７の大きさは、ストリート６同士の間隔と同じである。光デバイス層５の大きさは、本実施形態において、１０μｍ～２０μｍ程度である。光デバイス層５は、本実施形態において、直径が６インチのエピタキシー基板２に２００万個程度の、ＬＥＤとして使用される光デバイス７が形成されている。なお、エピタキシー基板２は、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）ウエーハであってもよい。ＣＭＯＳデバイスのチップの大きさは、例えば、８ｍｍ～１１ｍｍ程度であり、このＣＭＯＳデバイス上に複数の光デバイス層５が形成されている。 In this embodiment, the optical device layer 5 is divided into chip sizes and stacked in a plurality of regions partitioned by a plurality of streets 6 intersecting in a grid pattern to form an optical device 7, as shown in FIG. are doing. The spacing between optical device layers 5 , that is, the spacing between optical devices 7 is the same as the width of street 6 . The distance between the optical device layers 5 is about 5 μm in this embodiment. The size of the optical device layer 5 , that is, the size of the optical device 7 is the same as the interval between the streets 6 . The size of the optical device layer 5 is about 10 μm to 20 μm in this embodiment. In the present embodiment, the optical device layer 5 includes approximately 2 million optical devices 7 used as LEDs formed on the epitaxial substrate 2 having a diameter of 6 inches. The epitaxy substrate 2 may be a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) wafer. The chip size of the CMOS device is, for example, about 8 mm to 11 mm, and a plurality of optical device layers 5 are formed on this CMOS device.

次に、実施形態に係る光デバイス７の移設方法を説明する。図３は、実施形態に係る光デバイス７の移設方法を示すフローチャートである。光デバイス７の移設方法は、図３に示すように、移設基板接合ステップＳＴ１１と、バッファ層破壊ステップＳＴ１２と、光デバイス層移設ステップＳＴ１３と、バッファ層除去ステップＳＴ１４と、を含む。 Next, a method for relocating the optical device 7 according to the embodiment will be described. FIG. 3 is a flow chart showing a method for relocating the optical device 7 according to the embodiment. The method for transferring the optical device 7 includes, as shown in FIG. 3, a transfer substrate bonding step ST11, a buffer layer breaking step ST12, an optical device layer transferring step ST13, and a buffer layer removing step ST14.

図４は、図３の移設基板接合ステップＳＴ１１の一状態を示す断面図である。図５は、図３の移設基板接合ステップＳＴ１１において図４の後の一状態を示す断面図である。移設基板接合ステップＳＴ１１は、図４および図５に示すように、光デバイスウエーハ１の光デバイス層５の表面に接合層１２を介して移設基板１１を接合して複合基板１０を形成するステップである。 FIG. 4 is a sectional view showing one state of the transfer substrate joining step ST11 of FIG. FIG. 5 is a sectional view showing a state after FIG. 4 in the transfer substrate bonding step ST11 of FIG. The transfer substrate bonding step ST11 is a step of bonding the transfer substrate 11 to the surface of the optical device layer 5 of the optical device wafer 1 via the bonding layer 12 to form the composite substrate 10, as shown in FIGS. be.

移設基板接合ステップＳＴ１１では、具体的には、図４に示すように、まず、エピタキシー基板２と同様の大きさを有する移設基板１１を準備する。移設基板１１の一方の面には、接着剤を塗布して、接合層１２を形成する。 Specifically, in the transfer substrate bonding step ST11, first, as shown in FIG. 4, a transfer substrate 11 having the same size as the epitaxial substrate 2 is prepared. An adhesive is applied to one surface of the transfer substrate 11 to form a bonding layer 12 .

なお、移設基板１１は、本実施形態において、エピタキシー基板２と同程度の２．０ｍｍ程度の厚みを有するガラス基板が好適な基板として用いられるが、本発明はこれに限定されない。移設基板１１は、所定の接着剤との間で接着可能なものであれば、金属製の基板などのその他の種々の材料の基板を用いることができる。 In this embodiment, the transfer substrate 11 is preferably a glass substrate having a thickness of about 2.0 mm, which is about the same as the epitaxial substrate 2, but the present invention is not limited to this. As the transfer substrate 11, substrates made of various materials such as metal substrates can be used as long as they can be adhered with a predetermined adhesive.

また、接着剤は、有機化合物を含んで構成されるもの、例えば、粘着テープに使用される糊が好適なものとして用いられる。接着剤は、加熱されることで軟化して粘性が低下し、さらに加熱するか、または紫外線を照射することで、硬化反応等の化学反応が起きて硬化して粘性がさらに低下する性質を有する。 Moreover, as the adhesive, one containing an organic compound, for example, glue used for adhesive tape is preferably used. Adhesives soften and become less viscous when heated, and when further heated or irradiated with ultraviolet rays, a chemical reaction such as a curing reaction occurs, causing them to harden and further decrease their viscosity. .

移設基板接合ステップＳＴ１１では、次に、エピタキシー基板２に積層された光デバイス層５と移設基板１１に塗布された接着剤による接合層１２とを対向させて、接近させ、接触させる。移設基板接合ステップＳＴ１１では、さらに、エピタキシー基板２の表面３とは反対側の面である裏面８側から移設基板１１に向かって、または、移設基板１１の接着剤が塗布された接合層１２側とは反対側の面からエピタキシー基板２に向かって、押圧する。これにより、移設基板接合ステップＳＴ１１では、図５に示すように、光デバイス層５に沿って接合層１２を変形させて、光デバイス層５の一部を接合層１２にめり込ませる。このようにして、移設基板接合ステップＳＴ１１では、光デバイスウエーハ１の光デバイス層５の表面に接合層１２を介して移設基板１１を接合して複合基板１０を形成する。 In the transfer substrate bonding step ST11, the optical device layer 5 laminated on the epitaxial substrate 2 and the bonding layer 12 of the adhesive applied to the transfer substrate 11 are opposed to each other and brought into contact with each other. In the transfer substrate bonding step ST11, further, from the back surface 8 side of the epitaxial substrate 2 opposite to the front surface 3, toward the transfer substrate 11, or to the bonding layer 12 side of the transfer substrate 11 to which the adhesive is applied. It presses toward the epitaxial substrate 2 from the surface on the opposite side. As a result, in the transfer substrate bonding step ST11, the bonding layer 12 is deformed along the optical device layer 5 so that a part of the optical device layer 5 sinks into the bonding layer 12, as shown in FIG. Thus, in the transfer substrate bonding step ST11, the transfer substrate 11 is bonded to the surface of the optical device layer 5 of the optical device wafer 1 via the bonding layer 12 to form the composite substrate 10. FIG.

移設基板接合ステップＳＴ１１では、本実施形態において、光デバイスウエーハ１のチップサイズに分割された光デバイス層５と光デバイス層５の間に空隙１５を有するように、接着剤による接合層１２で、光デバイスウエーハ１の光デバイス層５側と移設基板１１とを接合する。ここで、移設基板接合ステップＳＴ１１では、押圧力および接着時の温度が、ともに、光デバイス層５同士の間の空隙１５が接着剤で埋まらない程度に制御されていることが好ましい。なお、移設基板接合ステップＳＴ１１では、本実施形態では接着剤による接合を採用したが、本発明はこれに限定されず、その他の接合方法を採用してもよい。 In the transfer substrate bonding step ST11, in this embodiment, the bonding layer 12 is bonded with an adhesive so as to have a gap 15 between the optical device layers 5 divided into the chip size of the optical device wafer 1, The optical device layer 5 side of the optical device wafer 1 and the transfer substrate 11 are bonded. Here, in the transfer substrate bonding step ST11, both the pressing force and the temperature during bonding are preferably controlled to such an extent that the gap 15 between the optical device layers 5 is not filled with the adhesive. In addition, in the transfer substrate bonding step ST11, bonding with an adhesive is used in this embodiment, but the present invention is not limited to this, and other bonding methods may be used.

図６は、図３のバッファ層破壊ステップＳＴ１２の一例を示す断面図である。バッファ層破壊ステップＳＴ１２は、図６に示すように、移設基板接合ステップＳＴ１１の後、複合基板１０を構成する光デバイスウエーハ１のエピタキシー基板２の裏面８側からエピタキシー基板２に対しては透過性を有しバッファ層４に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザービーム３４を照射し、バッファ層４を破壊するステップである。 FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of buffer layer breaking step ST12 in FIG. As shown in FIG. 6, the buffer layer breaking step ST12 is, after the transfer substrate bonding step ST11, the epitaxial substrate 2 from the back surface 8 side of the epitaxial substrate 2 of the optical device wafer 1 constituting the composite substrate 10. In this step, the buffer layer 4 is destroyed by irradiating a pulsed laser beam 34 having a wavelength that has an absorptivity to the buffer layer 4 .

バッファ層破壊ステップＳＴ１２では、具体的には、図６に示すように、まず、移設基板接合ステップＳＴ１１で接合した光デバイスウエーハ１と移設基板１１との複合基板１０の移設基板１１側の面を、不図示の真空源に接続したチャックテーブル２０の保持面２１で吸引保持する。 Specifically, in the buffer layer breaking step ST12, first, as shown in FIG. , is held by suction on a holding surface 21 of a chuck table 20 connected to a vacuum source (not shown).

バッファ層破壊ステップＳＴ１２では、次に、チャックテーブル２０で保持した光デバイスウエーハ１と移設基板１１との複合基板１０のエピタキシー基板２の裏面８側から、レーザービーム照射ユニット３０により、パルスレーザービーム３４をバッファ層４に照射する。パルスレーザービーム３４は、エピタキシー基板２に対しては透過性を有しバッファ層４に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザービームである。これにより、バッファ層破壊ステップＳＴ１２では、バッファ層４を破壊する。バッファ層破壊ステップＳＴ１２は、本実施形態において、エピタキシー基板２の全面に対してパルスレーザービーム３４の照射を実行しているが、本発明はこれに限定されない。バッファ層破壊ステップＳＴ１２では、エピタキシー基板２のバッファ層４が形成されている位置のみに対してパルスレーザービーム３４の照射を実行しても良い。 In the buffer layer destruction step ST12, next, a laser beam irradiation unit 30 emits a pulsed laser beam 34 from the back surface 8 side of the epitaxial substrate 2 of the composite substrate 10 of the optical device wafer 1 and the transfer substrate 11 held on the chuck table 20. is applied to the buffer layer 4 . The pulsed laser beam 34 is a pulsed laser beam having a wavelength that is transmissive to the epitaxial substrate 2 and absorptive to the buffer layer 4 . As a result, the buffer layer 4 is destroyed in the buffer layer destruction step ST12. In the present embodiment, the buffer layer breaking step ST12 irradiates the entire surface of the epitaxial substrate 2 with the pulsed laser beam 34, but the present invention is not limited to this. In the buffer layer breaking step ST12, only the position of the epitaxial substrate 2 where the buffer layer 4 is formed may be irradiated with the pulse laser beam 34. FIG.

ここで、レーザービーム照射ユニット３０は、図６に示すように、レーザービーム発振手段３１により上記した所定の波長のパルスレーザービーム３４を発振する。レーザービーム照射ユニット３０は、光学ミラー３２によりレーザービーム発振手段３１からのパルスレーザービーム３４をチャックテーブル２０で保持した複合基板１０のエピタキシー基板２の裏面８に直交する方向に向きを変更する。レーザービーム照射ユニット３０は、集光レンズ３３により光学ミラー３２からのパルスレーザービーム３４を集光する。レーザービーム照射ユニット３０は、出力やデフォーカス量など、バッファ層破壊ステップＳＴ１２におけるパルスレーザービーム３４の照射条件を調整する。 Here, as shown in FIG. 6, the laser beam irradiation unit 30 oscillates the pulsed laser beam 34 of the above-described predetermined wavelength by the laser beam oscillating means 31 . The laser beam irradiation unit 30 uses an optical mirror 32 to change the direction of a pulsed laser beam 34 from a laser beam oscillation means 31 in a direction perpendicular to the rear surface 8 of the epitaxial substrate 2 of the composite substrate 10 held by the chuck table 20 . The laser beam irradiation unit 30 converges the pulsed laser beam 34 from the optical mirror 32 with the condensing lens 33 . The laser beam irradiation unit 30 adjusts the irradiation conditions of the pulsed laser beam 34 in the buffer layer breaking step ST12, such as output and defocus amount.

バッファ層破壊ステップＳＴ１２では、例えば、繰り返し周波数が５０ｋＨｚ～２００ｋＨｚ程度であり、平均出力が０．１Ｗ～２．０Ｗ程度の紫外線レーザー光をパルスレーザービーム３４として用いる。バッファ層破壊ステップＳＴ１２では、例えば、スポット径を１０μｍ～５０μｍ程度とし、デフォーカスを１．０ｍｍ～２．０ｍｍ程度に調整し、オーバーラップ率を２０％～６０％程度に調整して、バッファ層４の破壊処理を実行する。 In the buffer layer breaking step ST12, for example, an ultraviolet laser beam having a repetition frequency of about 50 kHz to 200 kHz and an average output of about 0.1 W to 2.0 W is used as the pulsed laser beam . In the buffer layer destruction step ST12, for example, the spot diameter is set to about 10 μm to 50 μm, the defocus is adjusted to about 1.0 mm to 2.0 mm, and the overlap rate is adjusted to about 20% to 60%, and the buffer layer 4 destruction processing is executed.

図７は、図３の光デバイス層移設ステップＳＴ１３の一例を示す断面図である。光デバイス層移設ステップＳＴ１３は、バッファ層破壊ステップＳＴ１２の後、エピタキシー基板２を光デバイス層５から剥離して、エピタキシー基板２に積層されていた光デバイス層５を移設基板１１に移設するステップである。 FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of the optical device layer transfer step ST13 of FIG. The optical device layer transfer step ST13 is a step of separating the epitaxial substrate 2 from the optical device layer 5 and transferring the optical device layer 5 laminated on the epitaxial substrate 2 to the transfer substrate 11 after the buffer layer breaking step ST12. be.

光デバイス層移設ステップＳＴ１３では、具体的には、バッファ層破壊ステップＳＴ１２でバッファ層４が破壊された複合基板１０のエピタキシー基板２の裏面８側から、不図示の超音波振動手段が配設されたホーンにより超音波振動を付与する。これにより、光デバイス層移設ステップＳＴ１３では、破壊されたバッファ層４を起点として、エピタキシー基板２を光デバイス層５から剥離して光デバイス層５を移設基板１１に移設する。 Specifically, in the optical device layer transfer step ST13, ultrasonic vibration means (not shown) is provided from the back surface 8 side of the epitaxial substrate 2 of the composite substrate 10 whose buffer layer 4 has been destroyed in the buffer layer destruction step ST12. Ultrasonic vibration is applied by a horn. As a result, in the optical device layer transfer step ST13, the epitaxial substrate 2 is separated from the optical device layer 5 starting from the destroyed buffer layer 4, and the optical device layer 5 is transferred to the transfer substrate 11. FIG.

光デバイス層移設ステップＳＴ１３では、図７に示すように、エピタキシー基板２を光デバイス層５、移設基板１１および接合層１２から引き離すことで、移設基板１１に移設された光デバイス層５（光デバイス７）が接合層１２から突出した状態の光デバイス層移設基板１３が形成される。 In the optical device layer transfer step ST13, as shown in FIG. 7, the epitaxial substrate 2 is separated from the optical device layer 5, the transfer substrate 11 and the bonding layer 12, whereby the optical device layer 5 (optical device layer 5) transferred to the transfer substrate 11 is removed. 7) protrudes from the bonding layer 12 to form the optical device layer transfer substrate 13 .

図８は、バッファ層除去ステップＳＴ１４の一例を示す断面図である。バッファ層除去ステップＳＴ１４は、図８に示すように、光デバイス層移設ステップＳＴ１３の後、光デバイス層５に残存したバッファ層４に対して吸収性を有する波長のパルスレーザービーム３４を照射し、残存したバッファ層４を除去するステップである。 FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example of the buffer layer removing step ST14. In the buffer layer removing step ST14, as shown in FIG. 8, after the optical device layer transfer step ST13, the buffer layer 4 remaining in the optical device layer 5 is irradiated with a pulsed laser beam 34 having a wavelength having an absorptive property. This is the step of removing the remaining buffer layer 4 .

バッファ層除去ステップＳＴ１４では、具体的には、図８に示すように、光デバイス層移設ステップＳＴ１３でエピタキシー基板２を剥離した光デバイス層移設基板１３の光デバイス層５側から、レーザービーム照射ユニット３０により、パルスレーザービーム３４を残存したバッファ層４に照射する。この際、光デバイス層移設基板１３の移設基板１１側の面は、不図示の真空源に接続したチャックテーブル２０の保持面２１で吸引保持される。チャックテーブル２０は、バッファ層破壊ステップＳＴ１２から継続して吸引保持していることが好ましい。パルスレーザービーム３４は、バッファ層４に対して吸収性を有する波長のパルスレーザービームである。これにより、バッファ層除去ステップＳＴ１４では、バッファ層４を除去する。ここで、レーザービーム照射ユニット３０は、バッファ層破壊ステップＳＴ１２で用いたレーザービーム照射ユニット３０と同じ装置であることが好ましい。 Specifically, in the buffer layer removal step ST14, as shown in FIG. 8, a laser beam irradiation unit is applied from the optical device layer 5 side of the optical device layer transfer substrate 13 from which the epitaxial substrate 2 has been removed in the optical device layer transfer step ST13. 30 irradiates the remaining buffer layer 4 with a pulsed laser beam 34 . At this time, the surface of the optical device layer transfer substrate 13 on the transfer substrate 11 side is suction-held by the holding surface 21 of the chuck table 20 connected to a vacuum source (not shown). The chuck table 20 is preferably held by suction continuously from the buffer layer breaking step ST12. The pulsed laser beam 34 is a pulsed laser beam with a wavelength that is absorptive to the buffer layer 4 . Thereby, the buffer layer 4 is removed in the buffer layer removing step ST14. Here, the laser beam irradiation unit 30 is preferably the same device as the laser beam irradiation unit 30 used in the buffer layer destruction step ST12.

バッファ層除去ステップＳＴ１４では、例えば、繰り返し周波数が５０ｋＨｚ～２００ｋＨｚ程度であり、平均出力が０．１Ｗ～２．０Ｗ程度の紫外線レーザー光をパルスレーザービーム３４として用いる。バッファ層除去ステップＳＴ１４では、例えば、スポット径を１０μｍ～５０μｍ程度とし、デフォーカスを１．０ｍｍ～２．０ｍｍ程度に調整し、オーバーラップ率を２０％～６０％程度に調整して、バッファ層４の除去処理を実行する。バッファ層除去ステップＳＴ１４におけるパルスレーザービーム３４の繰り返し周波数、平均出力、スポット径、デフォーカスおよびオーバーラップ率は、バッファ層破壊ステップＳＴ１２における各パラメータと異なる値でもよい。例えば、平均出力は、バッファ層破壊ステップＳＴ１２では０．６８Ｗとし、バッファ層除去ステップＳＴ１４では０．６４Ｗとしてもよい。例えば、デフォーカスは、バッファ層破壊ステップＳＴ１２では１．２ｍｍとし、バッファ層除去ステップＳＴ１４では２．０ｍｍとしてもよい。 In the buffer layer removing step ST14, for example, an ultraviolet laser beam having a repetition frequency of about 50 kHz to 200 kHz and an average output of about 0.1 W to 2.0 W is used as the pulse laser beam . In the buffer layer removing step ST14, for example, the spot diameter is adjusted to about 10 μm to 50 μm, the defocus is adjusted to about 1.0 mm to 2.0 mm, and the overlap rate is adjusted to about 20% to 60%, and the buffer layer is removed. 4 removal processing is executed. The repetition frequency, average output, spot diameter, defocus and overlap ratio of the pulsed laser beam 34 in the buffer layer removing step ST14 may be different values from each parameter in the buffer layer destroying step ST12. For example, the average output may be 0.68 W in the buffer layer destroying step ST12 and 0.64 W in the buffer layer removing step ST14. For example, the defocus may be 1.2 mm in the buffer layer destruction step ST12 and 2.0 mm in the buffer layer removal step ST14.

実施形態に係る光デバイスウエーハ１の光デバイス７の移設方法は、移設基板接合ステップＳＴ１１と、バッファ層破壊ステップＳＴ１２と、光デバイス層移設ステップＳＴ１３と、バッファ層除去ステップＳＴ１４と、を含む。移設基板接合ステップＳＴ１１では、光デバイスウエーハ１の光デバイス層５の表面に接合層１２を介して移設基板１１を接合して複合基板１０を形成する。バッファ層破壊ステップＳＴ１２では、複合基板１０を構成する光デバイスウエーハ１のエピタキシー基板２の裏面８側からエピタキシー基板２に対しては透過性を有しバッファ層４に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザービーム３４を照射し、バッファ層４を破壊する。光デバイス層移設ステップＳＴ１３では、バッファ層破壊ステップＳＴ１２の後、エピタキシー基板２を光デバイス層５から剥離して光デバイス層５を移設基板１１に移設する。バッファ層除去ステップＳＴ１４では、光デバイス層移設ステップＳＴ１３の後、光デバイス層５に残存したバッファ層４に対して吸収性を有する波長のパルスレーザービーム３４を照射し、残存したバッファ層４を除去する。 The method for transferring the optical devices 7 of the optical device wafer 1 according to the embodiment includes a transfer substrate bonding step ST11, a buffer layer breaking step ST12, an optical device layer transferring step ST13, and a buffer layer removing step ST14. In the transfer substrate bonding step ST11, the transfer substrate 11 is bonded to the surface of the optical device layer 5 of the optical device wafer 1 via the bonding layer 12 to form the composite substrate 10. FIG. In the buffer layer destruction step ST12, from the back surface 8 side of the epitaxial substrate 2 of the optical device wafer 1 constituting the composite substrate 10, a wavelength which is transparent to the epitaxial substrate 2 and absorptive to the buffer layer 4 is emitted. of the pulsed laser beam 34 to destroy the buffer layer 4 . In the optical device layer transfer step ST13, the epitaxial substrate 2 is separated from the optical device layer 5 and the optical device layer 5 is transferred to the transfer substrate 11 after the buffer layer destruction step ST12. In the buffer layer removal step ST14, the buffer layer 4 remaining in the optical device layer 5 after the optical device layer transfer step ST13 is irradiated with a pulsed laser beam 34 having an absorptive wavelength to remove the remaining buffer layer 4. do.

これにより、バッファ層４を破壊するバッファ層破壊ステップＳＴ１２で用いたレーザービーム照射手段（レーザービーム照射ユニット３０）と同じ手段を用いてバッファ層４の洗浄を行うことができる。したがって、光デバイス７の移設にかかる工程を短縮することができる。また、酸洗浄のための薬液、酸洗浄設備および廃液処理設備を用意する必要がないため、コスト増大を抑制することができる。また、酸洗浄および廃液処理による環境負荷を削減することができる。 As a result, the buffer layer 4 can be cleaned by using the same means as the laser beam irradiation means (laser beam irradiation unit 30) used in the buffer layer destruction step ST12 for destroying the buffer layer 4. FIG. Therefore, the process for relocating the optical device 7 can be shortened. In addition, since there is no need to prepare a chemical liquid for acid cleaning, acid cleaning equipment, and waste liquid treatment equipment, it is possible to suppress an increase in cost. In addition, the environmental load caused by acid washing and waste liquid treatment can be reduced.

〔第１変形例〕
本発明の実施形態の第１変形例に係る移設方法を説明する。図９は、第１変形例に係る光デバイス７の移設方法を示すフローチャートである。光デバイス７の移設方法は、図９に示すように、マイクロＬＥＤ形成ステップＳＴ１０と、移設基板接合ステップＳＴ１１と、バッファ層破壊ステップＳＴ１２と、光デバイス層移設ステップＳＴ１３と、バッファ層除去ステップＳＴ１４と、を含む。変形例に係る移設方法は、マイクロＬＥＤ形成ステップＳＴ１０をさらに含むこと以外、実施形態と同じである。 [First modification]
A relocation method according to the first modification of the embodiment of the present invention will be described. FIG. 9 is a flow chart showing a method for relocating the optical device 7 according to the first modified example. As shown in FIG. 9, the method of transferring the optical device 7 includes a micro LED formation step ST10, a transfer substrate bonding step ST11, a buffer layer destruction step ST12, an optical device layer transfer step ST13, and a buffer layer removal step ST14. ,including. The relocation method according to the modification is the same as the embodiment except for further including a micro LED forming step ST10.

図１０は、図９のマイクロＬＥＤ形成ステップＳＴ１０を実施する前の光デバイスウエーハ１の断面図である。図１１は、図９のマイクロＬＥＤ形成ステップＳＴ１０の一例を示す断面図である。なお、図１０および図１１は、実施形態と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。マイクロＬＥＤ形成ステップＳＴ１０は、移設基板接合ステップＳＴ１１の前に、光デバイス層５をチップサイズに分割してマイクロＬＥＤを形成するステップである。 FIG. 10 is a cross-sectional view of the optical device wafer 1 before performing the micro LED formation step ST10 of FIG. FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of the micro LED formation step ST10 of FIG. 10 and 11, the same reference numerals are assigned to the same parts as in the embodiment, and the description thereof is omitted. The micro LED formation step ST10 is a step of dividing the optical device layer 5 into chip sizes to form micro LEDs before the transfer substrate bonding step ST11.

光デバイス７は、第１変形例において、マイクロＬＥＤである。光デバイス層５は、第１変形例において、マイクロＬＥＤを形成する前の状態である。第１変形例において、光デバイスウエーハ１は、図１０に示すように、エピタキシー基板２と、エピタキシー基板２の表面３側にバッファ層４を介して積層された光デバイス層５と、を含む。 The optical device 7 is a micro LED in a first variant. The optical device layer 5 is in the state before forming the micro LEDs in the first modification. In the first modification, an optical device wafer 1 includes an epitaxial substrate 2 and an optical device layer 5 stacked on the surface 3 side of the epitaxial substrate 2 with a buffer layer 4 interposed therebetween, as shown in FIG.

マイクロＬＥＤ形成ステップＳＴ１０では、具体的には、まず、光デバイス層５を分割する分割予定ラインを設定する。分割予定ラインは、ストリート６に一致するラインである。図１１に示すように、レーザービーム照射ユニット３０により、パルスレーザービーム３４を分割予定ラインに沿って光デバイス層５に照射する。パルスレーザービーム３４は、エピタキシー基板２に対しては透過性を有しバッファ層４に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザービームである。マイクロＬＥＤ形成ステップＳＴ１０では、予め設定されたストリート６の幅および深さを形成するように、パルスレーザービーム３４を分割予定ラインに沿って照射する。ストリート６の深さは、光デバイス層５の厚さと等しいか、あるいは光デバイス層５の厚さよりも大きい。これにより、マイクロＬＥＤ形成ステップＳＴ１０では、光デバイス層５にストリート６を形成し、ストリート６によって区画された領域にマイクロＬＥＤである光デバイス７を形成する。 Specifically, in the micro LED formation step ST10, first, division lines for dividing the optical device layer 5 are set. The line to be divided is a line that coincides with Street 6. As shown in FIG. 11, the laser beam irradiation unit 30 irradiates the optical device layer 5 with a pulsed laser beam 34 along the dividing line. The pulsed laser beam 34 is a pulsed laser beam having a wavelength that is transmissive to the epitaxial substrate 2 and absorptive to the buffer layer 4 . In the micro LED formation step ST10, the pulse laser beam 34 is irradiated along the planned dividing line so as to form the preset width and depth of the streets 6 . The depth of the streets 6 is equal to or greater than the thickness of the optical device layer 5 . Thus, in the micro-LED forming step ST10, the streets 6 are formed in the optical device layer 5, and the optical devices 7, which are micro-LEDs, are formed in the regions partitioned by the streets 6. FIG.

マイクロＬＥＤ形成ステップＳＴ１０では、第１変形例において、レーザー加工によってストリート６を形成したが、本発明はこれに限定されず、その他の加工方法を採用してもよい。マイクロＬＥＤ形成ステップＳＴ１０では、例えば、切削装置などを用いたエッチング加工によってストリート６を形成してもよい。 In the micro LED forming step ST10, the streets 6 are formed by laser processing in the first modified example, but the present invention is not limited to this, and other processing methods may be employed. In the micro LED forming step ST10, the streets 6 may be formed by etching using a cutting device, for example.

第１変形例に係る光デバイスウエーハ１の光デバイス７の移設方法は、移設基板接合ステップＳＴ１１の前に、光デバイス層５（光デバイス７）をチップサイズに分割してマイクロＬＥＤを形成するマイクロＬＥＤ形成ステップＳＴ１０を含む。光デバイス７がマイクロＬＥＤである場合、バッファ層４の除去に酸洗浄を行うと、薬液が光デバイス７の側面に回り込むため、バッファ層４だけでなく光デバイス層５まで除去してしまう恐れがある。バッファ層除去ステップＳＴ１４において、吸収性を有する波長のパルスレーザービーム３４を照射することによって、残存したバッファ層４を除去するので、バッファ層４のみを狙った加工が可能である。したがって、光デバイス層５および接合層１２を除去してしまうことを抑制できる。 In the method of transferring the optical devices 7 of the optical device wafer 1 according to the first modification, the optical device layer 5 (optical device 7) is divided into chip sizes to form micro LEDs before the transfer substrate bonding step ST11. An LED forming step ST10 is included. In the case where the optical device 7 is a micro LED, if the buffer layer 4 is removed by acid cleaning, the chemical solution will flow around the side surface of the optical device 7, so there is a risk that not only the buffer layer 4 but also the optical device layer 5 will be removed. be. In the buffer layer removing step ST14, the remaining buffer layer 4 is removed by irradiating the pulsed laser beam 34 with an absorptive wavelength, so that only the buffer layer 4 can be processed. Therefore, removal of the optical device layer 5 and the bonding layer 12 can be suppressed.

〔第２変形例〕
本発明の実施形態の第２変形例に係る移設方法を説明する。図１２は、第２変形例に係る光デバイス７の移設方法を示すフローチャートである。光デバイス７の移設方法は、図１２に示すように、移設基板接合ステップＳＴ１１と、バッファ層破壊ステップＳＴ１２と、光デバイス層移設ステップＳＴ１３と、バッファ層除去ステップＳＴ１４と、実装ステップＳＴ１５と、を含む。変形例に係る移設方法は、実装ステップＳＴ１５をさらに含むこと以外、実施形態と同じである。 [Second modification]
A relocation method according to a second modification of the embodiment of the present invention will be described. FIG. 12 is a flow chart showing a method of relocating the optical device 7 according to the second modification. As shown in FIG. 12, the method of transferring the optical device 7 includes a transferring substrate joining step ST11, a buffer layer breaking step ST12, an optical device layer transferring step ST13, a buffer layer removing step ST14, and a mounting step ST15. include. The relocation method according to the modification is the same as the embodiment except that the mounting step ST15 is further included.

図１３は、図１２の実装ステップＳＴ１５の一状態を示す断面図である。図１４は、図１２の実装ステップＳＴ１５において図１３の後の一状態を示す断面図である。なお、図１３および図１４は、実施形態と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。実装ステップＳＴ１５は、図１３および図１４に示すように、バッファ層除去ステップＳＴ１４の後、光デバイス層５を移設基板１１からピックアップして実装基板１００に実装するステップである。 FIG. 13 is a sectional view showing one state of the mounting step ST15 of FIG. FIG. 14 is a sectional view showing a state after FIG. 13 in mounting step ST15 of FIG. 13 and 14, the same reference numerals are assigned to the same parts as in the embodiment, and the description thereof is omitted. The mounting step ST15 is, as shown in FIGS. 13 and 14, a step of picking up the optical device layer 5 from the transfer substrate 11 and mounting it on the mounting substrate 100 after the buffer layer removing step ST14.

実装ステップＳＴ１５では、具体的には、まず、光デバイス層５（光デバイス７）を支持する接合層１２の接着剤の粘着性を低下させる粘着性低下処理を実施することが好ましい。粘着性低下処理は、例えば、接合層１２の加熱により接着剤の粘性を低下させる処理、あるいは接合層１２への紫外線照射または加熱によって重合反応等の硬化反応を引き起こすことにより接着剤の粘着性を低下させる処理である。粘着性低下処理は、ピックアップユニット５０による光デバイス層５（光デバイス７）をより低い力でピックアップすることを可能にし、ピックアップする確率を高めるとともに、光デバイス層５（光デバイス７）に接着剤が残存することを低減、抑制するものである。 Specifically, in the mounting step ST15, first, it is preferable to carry out a stickiness reduction process to reduce the stickiness of the adhesive of the bonding layer 12 that supports the optical device layer 5 (optical device 7). The tackiness reduction treatment is, for example, a treatment to reduce the viscosity of the adhesive by heating the bonding layer 12, or a curing reaction such as a polymerization reaction by irradiating the bonding layer 12 with ultraviolet light or heating to reduce the tackiness of the adhesive. It is a process to lower. The tackiness reduction treatment enables the optical device layer 5 (optical device 7) to be picked up by the pickup unit 50 with a lower force, increases the probability of picking up, and allows the optical device layer 5 (optical device 7) to adhere to the adhesive. is reduced or suppressed.

実装ステップＳＴ１５では、次に、図１３に示すように、ピックアップユニット５０のピックアップ部５１で、光デバイス層５（光デバイス７）を把持または吸着保持する。この際、光デバイス層移設基板１３の移設基板１１側の面は、不図示の真空源に接続したチャックテーブル２０の保持面２１で吸引保持されている。チャックテーブル２０は、バッファ層破壊ステップＳＴ１２から継続して吸引保持していてもよい。これにより、移設基板１１および接合層１２は、チャックテーブル２０上に残り、光デバイス層５だけがピックアップユニット５０のピックアップ部５１によってピックアップされる。ピックアップ部５１は、光デバイス層５（光デバイス７）と対向する位置に配列して設けられる。各ピックアップ部５１は、対向する位置の各光デバイス層５（光デバイス７）をピックアップする。実装ステップＳＴ１５では、その後、図１４に示すように、ピックアップユニット５０の各ピックアップ部５１でピックアップした各光デバイス層５（光デバイス７）を、実装基板１００上に設けられた接合層１１０上に移動させて載置する。接合層１１０は、光デバイス層５（光デバイス７）と同様の形状、サイズおよび間隔等で配列して設けられる。 In the mounting step ST15, next, as shown in FIG. 13, the optical device layer 5 (optical device 7) is gripped or held by suction with the pickup section 51 of the pickup unit 50. FIG. At this time, the surface of the optical device layer transfer substrate 13 on the transfer substrate 11 side is suction-held by the holding surface 21 of the chuck table 20 connected to a vacuum source (not shown). The chuck table 20 may be sucked and held continuously from the buffer layer destruction step ST12. As a result, the transfer substrate 11 and the bonding layer 12 remain on the chuck table 20 and only the optical device layer 5 is picked up by the pickup section 51 of the pickup unit 50 . The pickup unit 51 is arranged and provided at a position facing the optical device layer 5 (optical device 7). Each pickup unit 51 picks up each optical device layer 5 (optical device 7) at an opposing position. In the mounting step ST15, as shown in FIG. 14, each optical device layer 5 (optical device 7) picked up by each pickup section 51 of the pickup unit 50 is mounted on the bonding layer 110 provided on the mounting substrate 100. Move and place. The bonding layers 110 are arranged in the same shape, size, spacing, etc. as the optical device layer 5 (optical device 7).

実装ステップＳＴ１５で実装基板１００の接合層１１０上に移設された各光デバイス層５（光デバイス７）は、接合層１１０を介して実装基板１００に接合されて実装される。 Each optical device layer 5 (optical device 7) transferred onto the bonding layer 110 of the mounting substrate 100 in the mounting step ST15 is bonded to the mounting substrate 100 via the bonding layer 110 and mounted.

このようにして、実装ステップＳＴ１５では、本実施形態では、ピックアップユニット５０の各ピックアップ部５１で、接合層１２から突出した各光デバイス層５（光デバイス７）を、全面一度に、実装基板１００へと移設するので、効率よく光デバイス層５（光デバイス７）を移設することができる。なお、本発明の実装ステップＳＴ１５は第２変形例に限定されず、１つのピックアップ部５１で、接合層１２から突出した各光デバイス層５（光デバイス７）を１つずつ実装基板１００へと移設してもよい。この場合、各光デバイス層５（光デバイス７）の移設精度を高めることができる。 In this manner, in the mounting step ST15, in this embodiment, each optical device layer 5 (optical device 7) protruding from the bonding layer 12 is mounted on the entire surface of the mounting substrate 100 by the pickup sections 51 of the pickup unit 50. Therefore, the optical device layer 5 (optical device 7) can be efficiently transferred. Note that the mounting step ST15 of the present invention is not limited to the second modified example, and the optical device layers 5 (optical devices 7) protruding from the bonding layer 12 are mounted on the mounting board 100 one by one by one pickup unit 51. May be relocated. In this case, the transfer accuracy of each optical device layer 5 (optical device 7) can be improved.

第２変形例に係る光デバイスウエーハ１の光デバイス７の移設方法は、バッファ層除去ステップＳＴ１４の後、光デバイス層５（光デバイス７）を移設基板１１からピックアップして実装基板１００に実装する実装ステップＳＴ１５を含む。 In the method of transferring the optical devices 7 of the optical device wafer 1 according to the second modification, after the buffer layer removing step ST14, the optical device layer 5 (optical device 7) is picked up from the transfer substrate 11 and mounted on the mounting substrate 100. It includes a mounting step ST15.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。 It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiments. That is, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

１ 光デバイスウエーハ
２ エピタキシー基板
３ 表面
４ バッファ層
５ 光デバイス層
７ 光デバイス
８ 裏面
１０ 複合基板
１１ 移設基板
１２ 接合層
３４ パルスレーザービーム REFERENCE SIGNS LIST 1 optical device wafer 2 epitaxial substrate 3 front surface 4 buffer layer 5 optical device layer 7 optical device 8 back surface 10 composite substrate 11 transfer substrate 12 bonding layer 34 pulse laser beam

Claims (3)

エピタキシー基板の表面にバッファ層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイスを移設基板に移し替える光デバイスの移設方法であって、
該光デバイスウエーハの光デバイス層の表面に接合層を介して移設基板を接合して複合基板を形成する移設基板接合ステップと、
該移設基板接合ステップの後、該複合基板を構成する光デバイスウエーハのエピタキシー基板の裏面側からエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファ層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザービームを照射し、バッファ層を破壊するバッファ層破壊ステップと、
該バッファ層破壊ステップの後、エピタキシー基板を光デバイス層から剥離して光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層移設ステップと、を含み、
該光デバイス層移設ステップの後、バッファ層に対して吸収性を有する波長の該パルスレーザービームを、該エピタキシー基板が剥離された後に該光デバイス層に残存した該バッファ層に対して照射し、残存したバッファ層を除去するバッファ層除去ステップを実施することを特徴とする、光デバイスの移設方法。 An optical device transfer method for transferring an optical device of an optical device wafer in which an optical device layer is laminated on the surface of an epitaxial substrate via a buffer layer to a transfer substrate,
a transfer substrate bonding step of bonding a transfer substrate to the surface of the optical device layer of the optical device wafer via a bonding layer to form a composite substrate;
After the transfer substrate bonding step, a pulsed laser beam having a wavelength that is transparent to the epitaxial substrate and absorptive to the buffer layer from the back side of the epitaxial substrate of the optical device wafer constituting the composite substrate. a buffer layer destruction step of irradiating to destroy the buffer layer;
after the buffer layer breaking step, an optical device layer transfer step of peeling the epitaxial substrate from the optical device layer and transferring the optical device layer to a transfer substrate;
After the optical device layer transfer step , irradiating the pulsed laser beam having a wavelength that is absorptive to the buffer layer to the buffer layer remaining in the optical device layer after the epitaxial substrate is peeled off. and a buffer layer removing step for removing the remaining buffer layer. 該移設基板接合ステップの前に、該光デバイス層をチップサイズに分割してマイクロＬＥＤを形成するマイクロＬＥＤ形成ステップを含むことを特徴とする、請求項１に記載の光デバイスの移設方法。 2. The optical device transfer method according to claim 1, further comprising a micro LED forming step of dividing the optical device layer into chip sizes to form micro LEDs before the transferring substrate joining step. 該バッファ層除去ステップの後、該光デバイス層を移設基板からピックアップして実装基板に実装する実装ステップを含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の光デバイスの移設方法。 3. The optical device transfer method according to claim 1, further comprising a mounting step of picking up the optical device layer from the transfer substrate and mounting it on a mounting substrate after the buffer layer removing step.
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