JP7246136B2 - 半導体装置、カメラおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図3(a)~(e)は、上述の半導体装置1の製造方法の各工程を説明するための模式図である。半導体装置1の製造には、公知の半導体製造プロセスが用いられればよい。また、ここでは説明を省略するが、各工程の間には、熱処理や洗浄処理などが必要に応じてなされうる。
図4(a)~(e)は、上述の半導体装置1’の製造方法の各工程を説明するための模式図である。半導体装置1’の製造には、公知の半導体製造プロセスが用いられればよい。また、ここでは説明を省略するが、各工程の間には、熱処理や洗浄処理等が必要に応じてなされうる。
Claims (19)
- 半導体素子が配された半導体基板と、支持基板と、が貼り合わされた半導体装置であって、
前記半導体基板のうち前記支持基板の側の表面と前記支持基板との間には、前記半導体基板と前記支持基板とを結合するための結合層が配され、
前記結合層は、前記表面に対する正射影において前記半導体基板の外縁よりも内側の第1の領域に配された熱硬化性の第1の樹脂部材と、前記表面に対する正射影において前記半導体基板のうち前記第1の領域と前記半導体基板の外縁との間の第2の領域に配された熱硬化性の第2の樹脂部材と、を含み、
熱硬化後の前記第1の樹脂部材の線膨張係数が、熱硬化後の前記第2の樹脂部材の線膨張係数よりも小さく、前記半導体基板が、前記支持基板から離れる方向に凸形状を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の樹脂部材は、硬化時の冷却後の収縮量が前記第2の樹脂部材より小さい材料で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 熱硬化後の前記第1の樹脂部材および熱硬化後の前記第2の樹脂部材の線膨張係数が、
1×10-6/℃以上かつ1×10-2/℃未満であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - 熱硬化後の前記第1の樹脂部材の線膨張係数が、熱硬化後の前記第2の樹脂部材の線膨張係数の1/10以下であることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の半導体装置。
- 前記第1の樹脂部材が、透明であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の半導体装置。
- 半導体素子が配された半導体基板と、支持基板と、が貼り合わされた半導体装置であって、
前記半導体基板のうち前記支持基板の側の表面と前記支持基板との間には、前記半導体基板と前記支持基板とを結合するための結合層が配され、
前記結合層は、前記表面に対する正射影において、前記半導体基板の外縁よりも内側の第1の領域と前記半導体基板の外縁との間の第2の領域に樹脂部材が配され、
前記半導体基板が、前記支持基板から離れる方向に凸形状を有し、
前記半導体基板の前記表面上には複数のマイクロレンズが配され、
前記半導体基板のうち前記表面とは反対側の裏面に配線層が配され、
前記配線層は、前記表面に対する正射影において前記複数のマイクロレンズの一部と重なる部分を有することを特徴とする半導体装置。 - 熱硬化後の前記樹脂部材の線膨張係数が、1×10-6/℃以上かつ1×10-2/℃未満であることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 前記表面に対する正射影において、前記半導体基板のうち前記第1の領域と重なる領域が、前記支持基板から離れる方向に凸形状を有することを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載の半導体装置。
- 前記半導体基板の厚さが、前記支持基板の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項1乃至8の何れか1項に記載の半導体装置。
- 前記表面に対する正射影において、前記半導体基板の外縁と前記支持基板の外縁とが互いに重なるように配されることを特徴とする請求項1乃至9の何れか1項に記載の半導体装置。
- 前記結合層が、前記半導体素子を封止することを特徴とする請求項1乃至10の何れか1項に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子が、複数の光電変換素子を含み、
前記表面に対する正射影において、前記複数の光電変換素子が、前記半導体素子のうち前記第1の領域と重なる領域に配されることを特徴とする請求項1乃至11の何れか1項に記載の半導体装置。 - 前記支持基板が、透明であることを特徴とする請求項1乃至12の何れか1項に記載の半導体装置。
- 前記表面に対する正射影において、前記半導体基板のうち前記第2の領域と重なる領域に、前記半導体素子と電気的に接続され、前記半導体基板を貫通する貫通電極が配されることを特徴とする請求項1乃至13の何れか1項に記載の半導体装置。
- 前記表面に対する正射影において、前記半導体基板のうち前記第2の領域と重なる領域に、前記半導体素子と電気的に接続され、前記半導体基板を貫通する貫通電極が配され、
前記半導体基板のうち前記表面とは反対側の裏面に、前記半導体装置を実装するための実装基板との電気的な接続を行うための配線層が配され、
前記配線層は、前記貫通電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の半導体装置。 - 請求項1乃至15の何れか1項に記載の半導体装置と、
前記半導体装置から出力された信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。 - 半導体素子が形成された半導体基板と支持基板とが貼り合わされた半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板の表面と前記支持基板とを結合するための結合層を形成する形成工程を含み、
前記形成工程は、
前記表面に対する正射影において、前記半導体基板の外縁よりも内側の第1の領域の上に熱硬化性の第1の樹脂材料を配する工程と、
前記表面に対する正射影において、前記半導体基板のうち前記第1の領域と前記半導体基板の外縁との間の第2の領域の上に熱硬化性の第2の樹脂材料を配する工程と、
前記第1の樹脂材料および前記第2の樹脂材料の上に前記支持基板を配する工程と、
前記第1の樹脂材料および前記第2の樹脂材料を加熱し、硬化させることによって前記結合層を形成する工程と、を含み、
熱硬化後の前記第1の樹脂材料の線膨張係数が、熱硬化後の前記第2の樹脂材料の線膨張係数よりも小さく、前記結合層を形成する工程において、前記半導体基板が、前記支持基板から離れる方向に凸形状となることを特徴とする製造方法。 - 前記第1の樹脂材料および前記第2の樹脂材料の上に前記支持基板を配する工程の前において、前記第1の樹脂材料の膜厚と前記第2の樹脂材料の膜厚とが同じ膜厚であることを特徴とする請求項17に記載の製造方法。
- 半導体素子が形成された半導体基板と支持基板とが貼り合わされた半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板の表面と前記支持基板とを結合するための結合層を形成する形成工程を含み、
前記形成工程は、
前記表面に対する正射影において、前記半導体基板の外縁に沿って樹脂材料を配する工程と、
真空チャンバ内で大気圧より低い圧力において前記半導体基板の上に前記樹脂材料を介して前記支持基板を配し、その後、前記真空チャンバ内を大気圧に戻す工程と、
前記樹脂材料を加熱し、硬化させることによって前記結合層を形成する工程と、を含み、
前記結合層を形成する工程において、前記半導体基板が、前記支持基板から離れる方向に凸形状となることを特徴とする製造方法。
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