JP7242911B2 - 配線基体および電子装置 - Google Patents
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Description
本開示は、配線基体および電子装置に関する。
通信端末の普及および高性能化により、電子装置は、情報の高速な伝送、かつ、大容量の情報を伝送するために電気信号の高周波化が進められている。国際公開第2014/192687号には、高周波帯での周波数特性を良好とするために、隣り合う複数の差動信号線路が設けられた入出力端子が開示されている。
本開示の配線基体は、第1面を有する絶縁基体と、第1面上に位置する第1差動信号線路と、第1面上に位置するとともに、第1差動信号線路と第1方向に並んで位置する第2差動信号線路と、を有する。第1差動信号線路は、第1方向に交わる第2方向に延びる一対の第1信号導体と、一対の第1信号導体を挟むとともに第1信号導体に沿って位置する一対の第1接地導体と、を有する。第2差動信号線路は、第2方向に延びる一対の第2信号導体と、一対の第2信号導体を挟むとともに第2信号導体に沿って位置する一対の第2接地導体と、を有する。そして、配線基体は、第1面に向かう平面視をした場合、隣接する第1接地導体と第2接地導体との間に、第2方向にわたって位置する第1膜を有する。
本開示の電子装置は、上記の配線基体と、該配線基体と接続された電子部品と、を有する。
本開示のいくつかの例示的な実施形態に係る配線基体1および電子装置100について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明では、配線基体1に電子部品101が実装された構成を電子装置100とする。本明細書において、配線基体1および電子装置100は、便宜的に直交座標系xyzを定義して説明する場合がある。また、z方向の正側を上方とし、z方向の負側を下方として説明する場合がある。
<配線基体1の構成>
図1に示す配線基体1は、絶縁基体10と、第1差動信号線路20と、第2差動信号線路30と、第1膜41と、を有する。
図1に示す配線基体1は、絶縁基体10と、第1差動信号線路20と、第2差動信号線路30と、第1膜41と、を有する。
絶縁基体10は誘電体材料を含んでいてもよい。誘電体材料としては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体あるいは窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、あるいはガラスセラミック材料を用いることができる。
絶縁基体10は、誘電体材料の積層によって形成されてもよい。なお、本明細書において、誘電体材料が積層されたものを絶縁層と表現する場合がある。絶縁基体10は、第1面11を有している。絶縁基体10の形状は、例えば、第1面11に向かう平面視をした場合、矩形状あるいはU字形状であってもよい。絶縁基体10の大きさは、2mm×2mm~25mm×50mmで、高さが1mm~10mmの範囲であってもよい。絶縁基体10および第1面11の大きさは適宜設定できる。なお、本明細書において、第1面11を上面とし、第1面11と反対の面を下面として説明する場合がある。
第1面11上には、第1差動信号線路20および第2差動信号線路30が位置している。第1差動信号線路20と第2差動信号線路30とは、第1方向に並んで位置している。なお、第1方向は、図のx軸方向に対応している。
第1差動信号線路20は、第1方向に交わる第2方向に延びる一対の第1信号導体21と、一対の第1信号導体21を挟むとともに第1信号導体21に沿って位置する一対の第1接地導体22と、を有している。つまり、第1信号導体21と第1接地導体22とは、差動配線となる配置がなされている。言い換えると、第1差動信号線路20は、第1面11に向かう平面視をした場合、第1接地導体22、第1信号導体21、第1信号導体21、第1接地導体22の順に並んでいる。第1信号導体21と第1接地導体22と、が差動配線となる配置がなされることで、耐ノイズ性が向上した配線基体1となる。なお、第2方向は図のy軸方向に対応している。第2方向は、第1方向と垂直に交わっていてもよい。
第2差動信号線路30は、第2方向に延びる一対の第2信号導体31と、一対の第2信号導体31を挟むとともに第2信号導体31に沿って位置する一対の第2接地導体32と、を有している。つまり、第2信号導体31と第2接地導体32とは、差動配線となる配置がなされている。言い換えると、第2差動信号線路30は、第1面11に向かう平面視をした場合、第2接地導体32、第2信号導体31、第2信号導体31、第2接地導体32の順に並んでいる。第2信号導体31と第2接地導体32と、が差動配線として配置されることで、耐ノイズ性が向上した配線基体1となる。
第1信号導体21および第2信号導体31は、第1面11に向かう平面視をした場合、第1面11の内側を始点として絶縁基体10の外側に向かって延びている。なお、本明細書において、便宜的にy方向の正側を絶縁基体10の外側とし、y方向の負側を第1面11の内側として説明する場合がある。
第1信号導体21および第2信号導体31は、高周波信号が伝送される伝送路である。高周波信号の周波数帯域は、例えば10~100GHzであってもよい。第1信号導体21あるいは第2信号導体31には、リード端子が接続される。第1信号導体21あるいは第2信号導体31と接続されたリード端子は、信号端子として機能する。リード端子と、第1信号導体21あるいは第2信号導体31とは、半田あるいはろう材等の接合材によって接合される。リード端子は、外部の電気回路基板等と電気的に接続するための部材である。
第1信号導体21および第2信号導体31の形状は、第1面11に向かう平面視をした場合、例えば矩形状であり、第1方向に沿った幅が0.1mm~2mmで、第2方向に沿った幅が0.3mm~10mmであってもよい。なお、第1信号導体21および第2信号導体31の形状は矩形状に限定されるものではなく、幅、長さ、厚みと併せて適宜設定できる。
第1信号導体21および第2信号導体31は第1面11に形成されたメタライズ層であってもよい。メタライズ層は、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)、銀(Ag)、もしくは銅(Cu)を含んでいてもよく、ニッケルめっきあるいは金めっきなどが施されていてもよい。また、メタライズ層は、上述の金属のうち少なくとも1種以上の金属材料を含有する合金等を含んでいてもよい。
第1接地導体22および第2接地導体32はグランド電位を有する導体である。第1接地導体22あるいは第2接地導体32には、リード端子が接続される。第1接地導体22あるいは第2接地導体32と接続されたリード端子は、グランド端子として機能する。リード端子と、第1接地導体22あるいは第2接地導体32とは、半田あるいはろう材等の接合材によって接合される。
第1接地導体22および第2接地導体32の形状は第1面11に向かう平面視をした場合、例えば矩形状であり、第1方向に沿った幅が0.1mm~2mmで、第2方向に沿った幅が0.3mm~10mmであってもよい。なお、第1接地導体22および第2接地導体32の形状は矩形状に限定されるものではなく、幅、長さ、厚みと併せて適宜設定できる。
第1接地導体22および第2接地導体32は第1面11に形成されたメタライズ層であってもよい。メタライズ層は、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)、銀(Ag)、もしくは銅(Cu)を含んでいてもよく、ニッケルめっきあるいは金めっきなどが施されていてもよい。また、メタライズ層は、上述の金属のうち少なくとも1種以上の金属材料を含有する合金等を含んでいてもよい。
一対の第1接地導体22および一対の第2接地導体32は、それぞれ第1面11上に位置する他の導体とy軸方向の負側で繋がっていてもよい。これによって、グランドとして機能する面積が増加するため、高周波特性が安定した配線基体1となる。一対の第1接地導体22と他の導体、および一対の第2接地導体32と他の導体とが繋がるとき、第1面11に向かう平面視をした場合、第1接地導体22および第2接地導体32は、それぞれU字形状であってもよい。他の導体は、第1面11に向かう平面視をした場合、第1信号導体21および第2信号導体31の端部のうち、配線基体1のy軸方向の負側に位置する端部と接続していてもよい。
また、互いに隣り合う第1接地導体22および第2接地導体32は、離れていてもよいし、後述する第3接地導体50と接続されていてもよい。互いに隣り合う第1接地導体22および第2接地導体32が一体であることによって、第1接地導体22および第2接地導体32のグランドとして機能する面積を増加できるため、高周波特性が安定した配線基体1となる。
なお、本明細書において、第1信号導体21および第2信号導体31の両方を指すときは、便宜的に信号導体と記載して説明する場合があり、この場合、信号導体には符号を付さない。また、本明細書において、第1接地導体22および第2接地導体32の両方を指すときは、便宜的に接地導体と記載して説明する場合があり、この場合、接地導体には符号を付さない。
一対の信号導体の間には第2凹部15が位置していてもよい。また、第1信号導体21と第1接地導体22との間あるいは第2信号導体31と第2接地導体32との間には第3凹部16が位置していてもよい。第2凹部15および第3凹部16は、第1面11に開口している。第2凹部15および第3凹部16が形成する空間は、電気的に絶縁されていることで信号導体近傍の実効的な誘電率が低くできるため、配線基体1のインピーダンスの整合が行いやすくなる。インピーダンスが整合されることにより、高周波信号の伝送が安定した配線基体1となる。
第2凹部15および第3凹部16は、絶縁基体10を第1面11から反対の面である下面にかけて切削等で切欠いて形成されてもよい。また、絶縁基体10が誘電体材料の積層により形成される場合、第2凹部15および第3凹部16は、第2凹部15および第3凹部16が位置する場所に金型、パンチングあるいはレーザ等で誘電体を切り取り、誘電体を重ね合わせて形成されてもよい。
第2凹部15および第3凹部16の形状は、第1面11に向かう平面視をした場合、矩形状であってもよい。また、第2凹部15および第3凹部16の形状は、第1面11に向かう平面視をした場合、半円形状あるいは半長円形状であってもよい。これにより、第2凹部15および第3凹部16の形状が矩形状である場合と比べ、角部への応力集中が緩和される。角部への応力集中が緩和されることにより、クラックが少ない配線基体1になる。また、第1面11に向かう平面視をした場合、第2凹部15および第3凹部16の端部に窪み17が位置していてもよい。窪み17によって、第1信号導体21および第2信号導体31近傍の実効的な誘電率が更に低くなるため、その結果、配線基体1のインピーダンス整合が行いやすくなる。インピーダンスが整合されることで、高周波信号の伝送が更に安定した配線基体1となる。窪み17は、第1面11に向かう平面視をした場合、矩形状であってもよい。また、窪み17は、第1面11に向かう平面視をした場合、半円形状、あるいは、半長円形状であってもよい。これによって、窪み17の形状が矩形状である場合と比べ、角部への応力集中が緩和され、クラックが少ない配線基体1となる。
第1面11に向かう平面視をした場合、絶縁基体10の外周、かつ、接地導体の先に第1凹部13が位置していてもよい。第1凹部13が形成されることにより、z方向に接地導体を冗長させる構成を作りやすくすることができるため、グランドとして機能する面積を増加させることができる。グランドの面積が増加することで高周波性能が向上した配線基体1となる。
第1凹部13は、接地導体と一対一対応して位置していてもよい。また、第1凹部13は、互いに隣り合う第1接地導体22および第2接地導体32の2つに対して1つの第1凹部13が位置していてもよい。第1接地導体22および第2接地導体32の2つに対して1つの第1凹部13が位置することで、第1接地導体22および第2接地導体32をz方向に位置する他の導体で接続できるため、高周波性能が向上した配線基体1となる。
第1凹部13のz軸方向の深さは第2凹部15および第3凹部16のz軸方向の深さよりも深くてもよい。これにより、第1凹部13のz方向に位置する接地導体の領域を大きくできるため、グランドとして機能する面積を広げられる。グランドとして機能する面積が増加することで、配線基体1のインピーダンスの整合が容易となる。インピーダンスが整合されることで、高周波信号の伝送が安定した配線基体1となる。
第1凹部13の大きさは、x軸方向の幅が0.3mm~5mm、y軸方向の幅が0.05mm~1mm、z軸方向の深さが0.5mm~10mmであってもよい。
第1膜41は、図1を上方から平面視した図3、あるいは図3の要部を拡大した図4に示す通り、第1面11に向かう平面視をした場合、隣接する第1接地導体22と第2接地導体32との間に、第2方向にわたって位置している。
隣り合う第1差動信号線路と第2差動信号線路との境界に位置する接地導体がひとつながりになっている構成では、リード端子を接地導体に配置する際に、接合材が偏ってしまう場合がある。接合材の偏りに起因して、入出力端子のインピーダンスにずれが生じるおそれがある。
これに対し、第1膜41を設けた本開示の構成によれば、接合材によって信号導体あるいは接地導体とリード端子を接続する場合、接合材は信号導体あるいは接地導体と第1膜41との境界で堰き止められて、接合材の、第1面11上での広がりを低減することができる。接合材の広がりが低減されることによって、接合材の広がりによるインダクタンスの変動が低減されるため、配線基体1のインピーダンスの整合が行いやすくなる。インピーダンスが整合されることにより、高周波信号の伝送が安定した配線基体1となる。また、接合材の広がりが低減されることによって、適度な接合材のフィレットが形成されるため、信号導体あるいは接地導体と、リード端子と、の接合強度を向上させるとともに、接合強度のばらつきを低減することができる。なお、各図では内容を明確にするために、第1膜41および後述する第2膜42、第3膜43、第4膜44、第5膜45を斜線でハッチングして表現している。
第1膜41の材料は、接合材を堰き止められれば、限定されない。第1膜41は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体あるいは窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、ガラスセラミック材料、クロム材料等を用いることができる。
第1膜41は、接合材のぬれ性が、信号導体および接地導体よりも低いものであってもよい。このような第1膜41である場合、接合材は、信号導体あるいは接地導体と第1膜41との境界で、ぬれ性の違いにより、堰き止められる。
第1膜41は、第1面11に向かう平面視をした場合に、第1膜41と隣接する第1接地導体22と第2接地導体32とを均等に分断していてもよい。言い換えると、第1接地導体22の第1方向の幅W1と、第1接地導体22と第1膜41を介して隣接する第2接地導体32の第1方向の幅W2とが同じ長さであってもよい。これらの幅が同じであることで、リード端子が各接地導体に接続される際、各接地導体に配置される接合材をより均一にすることができるため、各接地導体間における接合強度の均一化とインピーダンス整合の精度を向上することができる。
第1膜41の大きさは、第1方向の幅が0.05mm~0.5mm、第2方向の幅が0.3mm~10mmであってもよい。
図7は、図6の要部を拡大した図である。この図7に示す通り、配線基体1は、第1面11に向かう平面視をした場合、絶縁基体10の外周、かつ、信号導体の先に位置する第2膜42を有していてもよい。第2膜42が、絶縁基体10の外周、かつ、信号導体の先に位置することによって、信号導体が絶縁基体10の端部から剥離することを低減することができる。信号導体の剥離の発生が低減することによって、高周波信号の伝送が安定した配線基体1とすることができる。
第2膜42は、第1面11に向かう平面視をした場合、第2膜42の第2方向の幅W3が、第1凹部13の第2方向の幅W4より小さくてもよい。リード端子を信号導体に接合する際に、接合材のフィレットが形成されやすくなり、リード端子の接合強度が向上する。
第2膜42の材質は、第1膜41の材質と同じであってもよい。これによって、配線基体1を作製する際の工数を少なくすることができる。第2膜42の大きさは、第1方向の幅が0.1mm~2mm、第2方向の幅が0.05mm~1mmであってもよい。
図4に示す通り、配線基体1は、第1面11に向かう平面視をした場合、第1差動信号線路20および第2差動信号線路30よりも絶縁基体10の中心の近くに位置する第3膜43を有していてもよい。第3膜43によって、信号導体および接地導体に配置される接合材が配線基体1の中心方向に流れることを堰き止めることができる。そのため、信号導体および接地導体にリード端子を接合する際に、接合材の適量配置が容易となり、リード端子の接合強度の安定化が図れる。また、第3膜43は、第1膜41に繋がっていてもよい。これによって、隣り合う第1接地導体22と第2接地導体32に配置される接合材が互いに流れ込むことがないため、それぞれへの接合材の適量配置が容易となる。
第3膜43の材質は、第1膜41の材質と同じであってもよい。これによって、配線基体1を作製する際の工数を少なくすることができる。第3膜43の大きさは、第1方向の幅が5mm~50mm、第2方向の幅が1mm~5mmであってもよい。
絶縁基体10は第1面11上に、第3膜43よりも絶縁基体10の中心近くに位置するとともにグランド電位を有する他の導体を有していてもよい。これによって、グランドとして機能する面積が増加するため、高周波特性が安定した配線基体1となる。第3膜43よりも絶縁基体10の中心に近いと言うのは、第3膜43よりもy軸方向の負側に位置すると言い換えることができる。
図5は、図3の要部を拡大した図である。この図5に示す通り、配線基体1は、第4膜44を有していてもよい。第1面11に位置するとともに第1方向に並ぶ差動信号線路のうち、最も端に位置するものを第1差動信号線路20、この第1差動信号線路20と隣接するものを第2差動信号線路30とし、以下に第4膜44を説明する。第4膜44は、第1面11に向かう平面視をした場合、一対の第1接地導体22のうち第2接地導体32と離れて位置する第1接地導体22に沿って隣接していてもよい。第4膜44は、第1方向において、第1差動信号線路20よりも絶縁基体10の外周近くに位置していてもよい。これにより、第4膜44と隣接する差動信号線路は、第1差動信号線路20のみとなる。第1差動信号線路20以外に第4膜44と隣接する差動信号線路がなければ、後述する屈曲部441を設けることで第4膜44が位置する方向に第1接地導体22の面積を広げられる。第1接地導体22の面積を広げることによって、グランドとして機能する面積が増加するため、配線基体1のインピーダンスの整合が容易となる。インピーダンスが整合されることで高周波信号の伝送が安定した配線基体1となる。
第4膜44は、第3膜43と繋がるとともに第2方向に延びて位置していてもよい。これにより、接地導体に適切な量の接合材を配置することが容易となり、リード端子の接合強度の安定化が図れる。
また、第4膜44の形状は、直線形状であっても、曲線形状であってもよい。また、第4膜44は、図9に示す通り、第1面11に向かう平面視をした場合、第1信号導体21から離れる方向に延びている屈曲部441を有していてもよい。屈曲部441は、第1差動信号線路20から離れる方向に延びていると言い換えることもできる。第4膜44が屈曲部441を有していることによって、隣接する第1接地導体22の面積を広げることができる。第1接地導体22の面積を広げることにより、第1接地導体22に配置される接合材が過多となり、接合材が第1凹部13に流れ落ちる可能性を低減することができる。
第4膜44の材質は、第1膜41の材質と同じであってもよい。これによって、配線基体1を作製する際の工数を少なくすることができる。第4膜44の大きさは、第1方向の幅が0.1mm~2mm、第2方向の幅が0.3mm~10mmであってもよい。
絶縁基体10は第1面11上に、第1方向で第4膜44よりも絶縁基体10の外周の近くに位置するとともにグランド電位を有する他の導体を有していてもよい。これによって、グランドとして機能する面積が増加するため、高周波特性が安定した配線基体1となる。
図8は、図6の要部を拡大した図である。この図8に示す通り、配線基体1は、第1面11に向かう平面視をした場合、信号導体の外周に位置するとともに、第2方向に延びて位置する第5膜45を有していてもよい。第5膜45が、信号導体の外周に位置するとともに、第2方向に延びて位置することによって、信号導体が第2方向に沿った絶縁基体10の端部から剥離することを低減することができる。信号導体の剥離の発生が低減することによって、高周波信号の伝送が安定した配線基体1とすることができる。
また、第5膜45は、第2膜42と繋がるとともに、第2方向に延びていてもよい。これによって、信号導体の端部に第5膜45および第2膜42が連続して位置することになるため、信号導体の剥離の発生を一層低減することができる。
第5膜45の材質は、第1膜41の材質と同じであってもよい。これによって、配線基体1を作製する際の工数を少なくすることができる。第5膜45の大きさは、第1方向の幅が0.02mm~0.5mm、第2方向の幅が0.1mm~2mmであってもよい。
絶縁基体10は、第1面11および電子部品101が実装される部分である載置部12を有していてもよい。言い換えると、載置部12は絶縁基体10と一体であってもよい。絶縁基体10が載置部12を有している場合、載置部12は、第1面11上に位置する面であってもよいし、第1面11と反対の面に位置する面であってもよい。なお、図2では載置部12と絶縁基体10とが一体になっている配線基体1を開示している。また、載置部12は、絶縁基体10と別体である基板に位置していてもよい。
図10に示す通り、第1面11と第1膜41、第2膜42、第3膜43、第4膜44あるいは第5膜45との間には、第3接地導体50が位置していてもよい。言い換えると、第3接地導体50上に第1膜41、第2膜42、第3膜43、第4膜44あるいは第5膜45が位置していてもよい。第3接地導体50は、第1接地導体22および第2接地導体32と接続する。第3接地導体50が位置することによって、差動信号線路のグランドとして機能する面積を増加させることができ、高周波信号の伝送が安定した配線基体1となる。なお、図10では内容を明確にするために、第3接地導体50をドットでハッチングして表現している。
第3接地導体50の形状は、第3接地導体50上に位置する第1膜41、第2膜42、第3膜43、第4膜44あるいは第5膜45の形状と同じであってもよい。
第3接地導体50は第1面11に形成されたメタライズ層であってもよい。メタライズ層は、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)、銀(Ag)、もしくは銅(Cu)を含んでいてもよく、ニッケルめっきあるいは金めっきなどが施されていてもよい。また、メタライズ層は、上述の金属のうち少なくとも1種以上の金属材料を含有する合金等を含んでいてもよい。
基板は、平面視をした場合、例えば矩形状であってもよく、平面視をした場合の大きさが5mm×10mm~50mm×50mmであってもよい。
基板は、例えば、鉄(Fe)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、モリブデン(Mo)あるいはタングステン(W)のような金属、あるいはこれらの金属の合金を含んでいてもよい。基板が金属材料を含むとき、金属材料のインゴットに圧延加工法、打ち抜き加工法のような金属加工法を施すことによって、基板を作製することができる。また、基板は、誘電体材料を含んでいてもよい。誘電体材料としては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体あるいは窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料あるいはガラスセラミック材料を用いることができる。基板が誘電材料を含んでいる場合、基板の表面には、ニッケルめっきあるいは金めっきを設けてもよい。基板の表面にニッケルめっき、あるいは金めっきを設けることによって、基板は、接合材の濡れ性、耐腐食性および耐候性が向上する。
絶縁基体10は、載置部12を囲んで位置する枠部14を有していてもよい。絶縁基体10が載置部12と一体であるとき、枠部14は絶縁基体10と一体であってもよい。また、絶縁基体10が載置部12と別体であるとき、枠部14は、絶縁基体10と別体であってもよい。なお、図2では枠部14と絶縁基体10とが一体になっている配線基体1を開示している。
枠部14は、平面視をした場合、矩形状あるいはU字形状であってもよく、大きさが5mm×10mm~50mm×50mmで、高さが2mm~15mmの範囲であってもよい。また、厚みは0.5mm~2mmであってもよい。
枠部14は、例えば、鉄(Fe)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、モリブデン(Mo)あるいはタングステン(W)のような金属、あるいはこれらの金属の合金を含んでいてもよい。枠部14が金属材料を含むとき、金属材料のインゴットに圧延加工法、打ち抜き加工法のような金属加工法を施すことによって、枠部14を作製することができる。また、枠部14は、誘電体材料を含んでいてもよい。誘電体材料としては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体あるいは窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料あるいはガラスセラミック材料を用いることができる。枠部14が誘電材料を含んでいる場合、枠部14の表面には、ニッケルめっきあるいは金めっきを設けてもよい。枠部14の表面にニッケルめっき、あるいは金めっきを設けることで、枠部14は、接合材の濡れ性、耐腐食性および耐候性が向上する。
載置部12および枠部14が絶縁基体10と別体であるとき、枠部14の側壁には配線基体1が篏合される篏合部が位置していてもよい。篏合部は、電子部品101が実装される載置部12の実装面に沿った方向に枠部14の内外を貫通していてもよい。
絶縁基体10は、絶縁層間に他の導体を含んでいてもよい。例えば、絶縁層間に位置する他の導体は、第1面11に向かう平面透視をした場合、第1凹部13の周囲、第2凹部15の周囲、第3凹部16の周囲、信号導体と重なる位置および接地導体と重なる位置等に位置していてもよい。さらに、絶縁層間に位置する他の導体は、絶縁層間に位置する他の導体同士が、第1凹部13、第2凹部15、第3凹部16あるいはビア導体等で電気的に接続されていてもよい。また、絶縁層間に位置する他の導体は、ビア導体等で、第1面11に位置する信号導体、接地導体あるいは他の導体と接続していてもよい。ビア導体によって絶縁層間に位置する導体と信号導体および接地導体とが接続する場合、それぞれと接続する他の導体は、信号導体と接地導体とが短絡しないように配置される必要がある。なお、本明細書において、平面透視とは、任意の平面に向かって透視をしたものであり、奥行きが異なる物体の位置関係を説明する場合に用いることがある。
<電子装置100の構成>
図11に示す電子装置100は、配線基体1と、電子部品101、を備えている。また、図12に示す電子装置100は、更に蓋体102を備えている。
図11に示す電子装置100は、配線基体1と、電子部品101、を備えている。また、図12に示す電子装置100は、更に蓋体102を備えている。
電子部品101は、例えば、コンデンサ、LD(Laser diode)あるいはPD(Photo Diode)等の光半導体であってもよい。また、電子部品101は、LED(Light Emitting Diode)等の発光素子あるいはLSI(Large Scale Integration)等の集積回路等であってもよい。
電子部品101は、載置部12に電子部品101を搭載している。電子部品101は、例えば、ボンディングワイヤあるいはフリップチップなどで配線基体1と電気的に接続している。
蓋体102は、枠部14の上方に位置し、電子装置100を覆っていてもよい。このとき、蓋体102は、電子装置100を封止していてもよい。蓋体102は、第1面11に向かう平面視をした場合、矩形状であってもよく、矩形状である場合、大きさが5mm×10mm~50mm×50mmで、厚みが0.5mm~2mmであってもよい。蓋体102は、例えば、鉄(Fe)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、モリブデン(Mo)あるいはタングステン(W)のような金属、あるいはこれらの金属の合金を含んでいてもよい。このような金属材料のインゴットに圧延加工法、打ち抜き加工法のような金属加工法を施すことによって、蓋体102を構成する金属部材を作製することができる。
<配線基体1および電子装置100の製造方法>
次に、本開示の一実施形態の配線基体1および電子装置100の製造方法の一例を説明する。なお、本明細書においては、配線基体1と載置部12、および枠部14と、が一体になっている配線基体1の製造方法の一例を紹介する。
次に、本開示の一実施形態の配線基体1および電子装置100の製造方法の一例を説明する。なお、本明細書においては、配線基体1と載置部12、および枠部14と、が一体になっている配線基体1の製造方法の一例を紹介する。
(1)まず、スラリーは、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末に適当な有機バインダおよび溶剤等を添加し、その後混合することで作製する。次に、作製したスラリーにドクターブレード法等の成形法を施し、シート状に成形して複数枚のセラミックグリーンシートを作製する。このとき、セラミックグリーンシートの所定の位置に第1凹部13、第2凹部15あるいは第3凹部16となる切欠きを設けてもよい。第1凹部13、第2凹部15、第3凹部16、窪み17、載置部12あるいは枠部14を設ける場合、セラミックグリーンシートの所定の箇所に、金型、パンチングあるいはレーザ等を用いて切欠きを設けてもよい。
(2)次に、スクリーン印刷法等により、金属ペーストを(1)の工程で得たセラミックグリーンシートのうち第1差動信号線路20、第2差動信号線路30、第3接地導体50および他の導体となる部分に塗布する。この金属ペーストは、上述した金属材料を含む金属粉末に適当な溶剤およびバインダを加えて混練することによって、適度な粘度に調整して作製する。なお、金属ペーストは、絶縁基体10との接合強度を高めるために、ガラスあるいはセラミックスを含んでいても構わない。ビア導体を設ける場合は、(1)の工程で、セラミックグリーンシートの所定の位置に貫通孔を設け、貫通孔内に、第1差動信号線路20、第2差動信号線路30、および他の導体を形成する金属ペーストを充填する。
(3)前述した複数枚のセラミックグリーンシートを積層し、その後加圧する。
(4)次に、この積層されたセラミックグリーンシートを還元雰囲気中で約1600℃の温度で焼成するとともに、切断加工あるいは打ち抜き加工により適当な形状とし、所望の形状の絶縁基体10を作製する。なお、(1)の工程で、第1凹部13、第2凹部15、第3凹部16、窪み17、載置部12あるいは枠部14となる切欠きを設けておくことで、焼成後に、第1凹部13、第2凹部15、第3凹部16、窪み17、載置部12あるいは枠部14を作製できる。また、(2)で金属ペーストを上述した部分に塗布あるいは充填すれば、(4)の工程を経ることで第1差動信号線路20、第2差動信号線路30、第3接地導体50、他の導体あるいはビア導体を作製できる。
(5)次に、(4)で作製した絶縁基体10の表面に、めっき等の処理を行う。表面にニッケルめっき、あるいは金めっきを設けてもよい。表面にニッケルめっきあるいは金めっきを設けることで、絶縁基体10は、接合材の濡れ性、耐腐食性および耐候性が向上する。
(6)次に、絶縁基体10の表面に、第1膜41、第2膜42、第3膜43、第4膜44、および第5膜45の処理を行う。
(7)次に、電子部品101を、載置部12に実装する。電子部品101はワイヤボンディング等で配線基体1と電気的に接合させる。またこのとき、電子部品101は、載置部12に接着剤等を設けることで、載置部12に固定してもよい。また、電子装置100と蓋体102とは、電子部品101を載置部12に実装した後に、接合材を用いて接合してもよい。
以上(1)~(7)の工程のようにして配線基体1を作製し、配線基体1の載置部12に電子部品101を実装することで、電子装置100を作製することができる。なお、上記(1)~(7)の工程順番および、工程の回数等は指定されない。
以上、本開示の配線基体1および電子装置100は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更等が可能である。更に、特許請求の範囲に属する変更等は全て本開示の範囲内のものである。
本開示は、配線基体および電子装置に利用することができる。
1:配線基体
10:絶縁基体
11:第1面
12:載置部
13:第1凹部
14:枠部
15:第2凹部
16:第3凹部
17:窪み
20:第1差動信号線路
21:第1信号導体
22:第1接地導体
30:第2差動信号線路
31:第2信号導体
32:第2接地導体
41:第1膜
42:第2膜
43:第3膜
44:第4膜
45:第5膜
50:第3接地導体
100:電子装置
101:電子部品
102:蓋体
10:絶縁基体
11:第1面
12:載置部
13:第1凹部
14:枠部
15:第2凹部
16:第3凹部
17:窪み
20:第1差動信号線路
21:第1信号導体
22:第1接地導体
30:第2差動信号線路
31:第2信号導体
32:第2接地導体
41:第1膜
42:第2膜
43:第3膜
44:第4膜
45:第5膜
50:第3接地導体
100:電子装置
101:電子部品
102:蓋体
Claims (14)
- 第1面を有する絶縁基体と、
前記第1面上に位置する第1差動信号線路と、
前記第1面上に位置するとともに、前記第1差動信号線路と第1方向に並んで位置する第2差動信号線路と、を有し、
前記第1差動信号線路は、前記第1方向に交わる第2方向に延びる一対の第1信号導体と、一対の前記第1信号導体を挟むとともに前記第1信号導体に沿って位置する一対の第1接地導体と、を有し、
前記第2差動信号線路は、前記第2方向に延びる一対の第2信号導体と、一対の前記第2信号導体を挟むとともに前記第2信号導体に沿って位置する一対の第2接地導体と、を有し、
前記第1面に向かう平面視をした場合、隣接する前記第1接地導体と前記第2接地導体との間に、前記第2方向にわたって位置する第1膜を有する、配線基体。 - 前記第1膜と隣接する前記第1接地導体の前記第1方向の幅W1と、前記第1接地導体と前記第1膜を介して隣接する前記第2接地導体の前記第1方向の幅W2とが同じ長さである請求項1に記載の配線基体。
- 前記第1面と前記第1膜と、の間に位置する第3接地導体を有し、
前記第3接地導体は、前記第1接地導体および前記第2接地導体と接続する、請求項1または請求項2に記載の配線基体。 - 前記平面視をした場合、前記絶縁基体の外周、かつ、前記第1信号導体の先に位置する第2膜を有する、請求項2または請求項3に記載の配線基体。
- 前記第2膜の材質は、前記第1膜の材質と同じである、請求項4に記載の配線基体。
- 前記絶縁基体は、前記平面視をした場合、前記絶縁基体の外周、かつ、前記第1接地導体の先に位置する第1凹部を有する、請求項4または請求項5に記載の配線基体。
- 前記第2膜は、前記平面視をした場合の前記第2方向の幅W3が、前記平面視をした場合の前記第1凹部の前記第2方向の幅W4より小さい、請求項6に記載の配線基体。
- 前記平面視をした場合、前記第1差動信号線路および前記第2差動信号線路よりも前記絶縁基体の中心の近くに位置するとともに、前記第1膜に繋がる第3膜を有する、請求項1~請求項7のいずれか1つに記載の配線基体。
- 前記平面視をした場合、前記一対の第1接地導体のうち前記第2接地導体と離れて位置する第1接地導体に隣接するとともに、前記第3膜から前記第2方向に延びて位置する第4膜を有する、請求項8に記載の配線基体。
- 前記第4膜は、前記第1方向で、前記第1差動信号線路よりも前記絶縁基体の外周の近くに位置する、請求項9に記載の配線基体。
- 前記第4膜は、前記平面視をした場合、屈曲部を有する、請求項9または請求項10に記載の配線基体。
- 前記屈曲部は、前記第1信号導体から離れる方向に延びている、請求項11に記載の配線基体。
- 前記平面視をした場合、前記第1信号導体の外周に位置するとともに、前記第2膜から前記第2方向に延びて位置する第5膜を有する、請求項4~請求項7のいずれか1つに記載の配線基体。
- 請求項1~13のいずれか1つに記載の配線基体と、
該配線基体に接続された電子部品と、を有する電子装置。
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Patent Citations (2)
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---|---|---|---|---|
WO2018003332A1 (ja) | 2016-06-27 | 2018-01-04 | Ngkエレクトロデバイス株式会社 | 高周波用セラミックス基板および高周波用半導体素子収納パッケージ |
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