JP7242469B2 - イオン注入装置およびイオン注入方法 - Google Patents
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Description
(項1-1)
イオンビームを生成するビーム生成装置と、
前記イオンビームを第1方向に往復スキャンさせるビームスキャナと、
前記往復スキャンされるイオンビームがウェハ処理面に照射されるようにウェハを保持しながら、前記第1方向と直交する第2方向に前記ウェハを往復スキャンさせるプラテン駆動装置と、
前記ウェハ処理面に所望の二次元不均一ドーズ量分布のイオンが注入されるように、前記ウェハ処理面内において前記イオンビームが照射される前記第1方向および前記第2方向のビーム照射位置に応じて、前記第1方向のビームスキャン速度および前記第2方向のウェハスキャン速度を変化させる制御装置と、を備え、
前記制御装置は、複数の注入レシピを保持し、前記複数の注入レシピのそれぞれは、前記ウェハ処理面内における二次元不均一ドーズ量分布と、前記ウェハ処理面内において前記第2方向に異なる複数の位置における前記第1方向の複数の一次元ドーズ量分布に基づいて定められる複数の補正関数と、前記二次元不均一ドーズ量分布と前記複数の補正関数とを対応付ける相関情報とを含み、
前記制御装置は、前記二次元不均一ドーズ量分布の目標値を新たに取得した場合、前記目標値に類似する前記二次元不均一ドーズ量分布を含む注入レシピを前記複数の注入レシピの中から特定し、
前記制御装置は、前記特定した注入レシピに含まれる前記複数の補正関数および前記相関情報に基づいて前記第1方向のビームスキャン速度および前記第2方向のウェハスキャン速度を変化させ、前記ウェハ処理面に前記目標値に類似する二次元不均一ドーズ量分布のイオンを注入することを特徴とするイオン注入装置。
(項1-2)
前記複数の注入レシピのそれぞれに含まれる前記二次元不均一ドーズ量分布は、前記ウェハ処理面内における複数の格子点の位置とドーズ量を対応付けるデータにより定義され、
前記制御装置は、前記複数の格子点のそれぞれのドーズ量を比較して前記二次元不均一ドーズ量分布の類似性を評価することを特徴とする項1-1に記載のイオン注入装置。
(項1-3)
前記制御装置は、前記複数の格子点のドーズ量の差の標準偏差に基づいて前記類似性を評価することを特徴とする項1-2に記載のイオン注入装置。
(項1-4)
前記制御装置は、前記二次元不均一ドーズ量分布の前記目標値を前記複数の格子点の位置とドーズ量を対応付けるデータに変換し、前記二次元不均一ドーズ量分布の類似性を評価することを特徴とする項1-2または項1-3に記載のイオン注入装置。
(項1-5)
前記複数の注入レシピのそれぞれは、前記イオンビームのイオン種、エネルギー、ビーム電流およびビームサイズを定めるビーム条件をさらに含み、
前記制御装置は、前記二次元不均一ドーズ量分布の前記目標値とともに前記ビーム条件の少なくとも一部を取得し、前記複数の注入レシピのうち、前記取得した少なくとも一部のビーム条件に対応する注入レシピの中から、前記目標値に類似する二次元不均一ドーズ量分布を含む注入レシピを特定することを特徴とする項1-1から項1-4のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
(項1-6)
前記複数の注入レシピのそれぞれは、前記イオンビームのイオン種、エネルギー、ビーム電流およびビームサイズを定めるビーム条件をさらに含み、
前記制御装置は、前記二次元不均一ドーズ量分布の前記目標値に基づいて前記ビーム条件の少なくとも一部を決定し、前記複数の注入レシピのうち、前記決定した少なくとも一部のビーム条件に対応する注入レシピの中から、前記目標値に類似する二次元不均一ドーズ量分布を含む注入レシピを特定することを特徴とする項1-1から項1-5のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
(項1-7)
前記イオン注入装置は、イオン注入時に前記ウェハ処理面が位置する注入位置において前記イオンビームの前記第1方向のビーム電流密度分布を測定可能なビーム測定装置をさらに備え、
前記制御装置は、前記ウェハ処理面にイオンを注入する前に、前記特定した注入レシピに含まれる前記複数の補正関数のそれぞれに基づいて前記イオンビームを往復スキャンさせたときに前記ビーム測定装置により測定される複数のビーム電流密度分布が前記二次元不均一ドーズ量分布の前記目標値に類似する形状であるかを確認することを特徴とする項1-1から項1-6のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
(項1-8)
前記イオンビームのビームサイズを調整するための収束/発散装置をさらに備え、
前記制御装置は、前記特定した注入レシピに含まれる前記複数の補正関数の少なくとも一つに基づいて前記イオンビームを往復スキャンさせたときに前記ビーム測定装置に測定される少なくとも一つのビーム電流密度分布が前記二次元不均一ドーズ量分布の前記目標値に類似する形状ではない場合、前記イオンビームのビームサイズが小さくなるように前記収束/発散装置のパラメータを調整することを特徴とする項1-7に記載のイオン注入装置。
(項1-9)
前記制御装置は、前記特定した注入レシピに含まれる前記複数の補正関数の少なくとも一つに基づいて前記イオンビームを往復スキャンさせたときに前記ビーム測定装置に測定される少なくとも一つのビーム電流密度分布が前記二次元不均一ドーズ量分布の前記目標値に類似する形状ではない場合、前記イオンビームのビーム電流が小さくなるように前記ビーム生成装置のパラメータを調整することを特徴とする項1-7または項1-8に記載のイオン注入装置。
(項1-10)
前記複数の注入レシピの少なくとも一つに含まれる前記二次元不均一ドーズ量分布は、前記イオン注入装置が前記複数の注入レシピの少なくとも一つにしたがってイオンを注入したときの前記ウェハ処理面内におけるドーズ量の実測値に基づくことを特徴とする項1-1から項1-9のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
(項1-11)
前記複数の注入レシピの少なくとも一つに含まれる前記二次元不均一ドーズ量分布は、前記イオン注入装置とは別のイオン注入装置が前記複数の注入レシピの少なくとも一つにしたがってイオンを注入したときの前記ウェハ処理面内におけるドーズ量の実測値に基づくことを特徴とする項1-1から項1-10のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
(項1-12)
前記複数の注入レシピの少なくとも一つに含まれる前記二次元不均一ドーズ量分布は、前記複数の注入レシピの少なくとも一つにしたがったイオン注入をシミュレーションしたときの前記ウェハ処理面内におけるドーズ量の推定値に基づくことを特徴とする項1-1から項1-11のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
(項1-13)
前記制御装置は、前記二次元不均一ドーズ量分布の前記目標値を示す第1マップ、前記目標値に類似する二次元不均一ドーズ量分布を示す第2マップ、および、前記第1マップと前記第2マップの差を示す差分マップの少なくとも一つをディスプレイに表示させることを特徴とする項1-1から項1-12のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
(項1-14)
前記制御装置は、前記複数の注入レシピに含まれる二次元不均一ドーズ量分布のいずれも前記目標値に類似しない場合、前記二次元不均一ドーズ量分布の前記目標値を実現するための前記複数の補正関数および前記相関情報を新規作成することを特徴とする項1-1から項1-13のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
(項1-15)
前記制御装置は、同一ロットに含まれる複数のウェハのそれぞれに設定される前記二次元不均一ドーズ量分布の複数の目標値を新たに取得した場合、前記複数の目標値に類似する前記二次元不均一ドーズ量分布を含む注入レシピを前記複数の注入レシピの中から特定し、
前記制御装置は、前記特定した注入レシピに含まれる前記複数の補正関数および前記相関情報に基づいて前記第1方向のビームスキャン速度および前記第2方向のウェハスキャン速度を変化させ、前記複数のウェハのそれぞれのウェハ処理面に前記複数の目標値に類似する二次元不均一ドーズ量分布のイオンを注入することを特徴とする項1-1から項1-14のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
(項1-16)
前記制御装置は、同一ロットに含まれる複数のウェハのそれぞれに設定される前記二次元不均一ドーズ量分布の複数の目標値を新たに取得した場合、前記複数の目標値のそれぞれに類似する前記二次元不均一ドーズ量分布を含む注入レシピを前記複数の注入レシピの中から前記複数のウェハのそれぞれについて特定し、
前記制御装置は、前記複数のウェハのそれぞれについて特定した注入レシピに含まれる前記複数の補正関数および前記相関情報に基づいて前記第1方向のビームスキャン速度および前記第2方向のウェハスキャン速度を変化させ、前記複数のウェハのそれぞれのウェハ処理面に前記複数の目標値のそれぞれに類似する二次元不均一ドーズ量分布のイオンを注入することを特徴とする項1-1から項1-14のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
(項1-17)
項1-1から項1-16のいずれか一項に記載のイオン注入装置を用いるイオン注入方法であって、
前記ウェハ処理面内における前記二次元不均一ドーズ量分布の目標値を新たに取得することと、
前記目標値に類似する前記二次元不均一ドーズ量分布を含む注入レシピを前記複数の注入レシピの中から特定することと、
前記特定した注入レシピに含まれる前記複数の補正関数および前記相関情報に基づいて前記第1方向のビームスキャン速度および前記第2方向のウェハスキャン速度を変化させ、前記ウェハ処理面に前記目標値に類似する二次元不均一ドーズ量分布のイオンを注入することと、を備えることを特徴とするイオン注入方法。
(項2-1)
イオンビームを生成するビーム生成装置と、
前記イオンビームを第1方向に往復スキャンさせるビームスキャナと、
前記往復スキャンされるイオンビームがウェハ処理面に照射されるようにウェハを保持しながら、前記第1方向と直交する第2方向に前記ウェハを往復スキャンさせるプラテン駆動装置と、
前記ウェハ処理面に所望の二次元不均一ドーズ量分布のイオンが注入されるように、前記ウェハ処理面内において前記イオンビームが照射される前記第1方向および前記第2方向のビーム照射位置に応じて、前記第1方向のビームスキャン速度および前記第2方向のウェハスキャン速度を変化させる制御装置と、を備え、
前記制御装置は、前記ウェハ処理面内における二次元不均一ドーズ量分布の目標値を取得した場合、前記ウェハ処理面内において前記第2方向に異なる複数の位置における前記第1方向の一次元ドーズ量分布に基づいて定められる複数の集約関数と、前記二次元不均一ドーズ量分布の前記目標値と前記複数の集約関数とを対応付ける相関情報とを生成し、
前記制御装置は、前記複数の集約関数および前記相関情報に基づくイオン注入をシミュレーションしたときの前記ウェハ処理面内における二次元不均一ドーズ量分布の推定値を算出し、前記推定値が前記目標値に類似するように前記複数の集約関数を修正して複数の補正関数を生成し、
前記制御装置は、前記複数の補正関数および前記相関情報に基づいて前記第1方向のビームスキャン速度および前記第2方向のウェハスキャン速度を変化させ、前記ウェハ処理面に前記目標値に類似する二次元不均一ドーズ量分布のイオンを注入することを特徴とするイオン注入装置。
(項2-2)
前記制御装置は、前記二次元不均一ドーズ量分布の前記目標値を前記第2方向に分割することで、前記第2方向に分割された前記ウェハ処理面内の複数の領域のそれぞれにおける前記第1方向の複数の一次元不均一ドーズ量分布を生成し、
前記制御装置は、前記複数の一次元不均一ドーズ量分布に対応する複数の初期関数を生成し、前記複数の初期関数のうち類似する関数を集約することで、前記複数の初期関数の個数よりも少ない個数の前記複数の集約関数を生成することを特徴とする項2-1に記載のイオン注入装置。
(項2-3)
前記制御装置は、前記複数の初期関数のそれぞれの最大値、前記複数の初期関数のそれぞれの平均値、または、前記複数の初期関数のそれぞれを前記第1方向に積分した積分値が所定値となるように前記複数の一次元不均一ドーズ量分布を規格化することにより、前記複数の初期関数を生成することを特徴とする項2-2に記載のイオン注入装置。
(項2-4)
前記複数の初期関数は、前記ウェハ処理面が位置する注入範囲と、前記ウェハ処理面を超えて前記イオンビームが前記第1方向にオーバースキャンされる非注入範囲とを含むビームスキャン範囲にわたって定義され、
前記制御装置は、前記複数の初期関数のそれぞれの前記注入範囲における関数の類似性に基づいて前記複数の初期関数を集約することを特徴とする項2-2または項2-3に記載のイオン注入装置。
(項2-5)
前記制御装置は、前記注入範囲における関数が互いに類似する二以上の初期関数を平均化して前記二以上の初期関数を一つの集約関数に集約することを特徴とする項2-4に記載のイオン注入装置。
(項2-6)
前記複数の初期関数のそれぞれの前記注入範囲は、前記複数の初期関数のそれぞれが生成される前記ウェハ処理面内の前記第2方向の位置における前記ウェハ処理面の前記第1方向の大きさに応じて異なることができ、
前記制御装置は、第1初期関数と、前記第1初期関数よりも前記注入範囲の小さい第2初期関数とを集約する場合、前記第1初期関数の前記注入範囲と前記第2初期関数の前記注入範囲が重なる前記第1方向の位置において前記第1初期関数と前記第2初期関数を平均化し、前記第1初期関数の前記注入範囲と前記第2初期関数の前記非注入範囲が重なる前記1方向の別の位置において前記第1初期関数の値を採用することにより、前記第1初期関数および前記第2初期関数を集約することを特徴とする項2-4または項2-5に記載のイオン注入装置。
(項2-7)
前記制御装置は、互いに類似する初期関数と集約関数を集約して、または、互いに類似する二以上の集約関数を集約して新たな集約関数を生成することを特徴とする特徴とする項2-2から6のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
(項2-8)
前記制御装置は、互いに類似する初期関数または集約関数が存在しなくなるまで、または、集約関数の個数が所定数以下となるまで、初期関数または集約関数の集約を繰り返すことを特徴とする項2-7に記載のイオン注入装置。
(項2-9)
前記複数の集約関数の個数は、前記複数の初期関数の個数の半分以下であることを特徴とする項2-2から項2-8のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
(項2-10)
前記第2方向に分割された前記ウェハ処理面内の前記複数の領域のそれぞれの前記第2方向における大きさは、前記イオンビームの前記第2方向におけるビームサイズの半分以下であることを特徴とする項2-2から項2-9のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
(項2-11)
前記制御装置は、前記二次元不均一ドーズ量分布の前記目標値と前記推定値の差分値を算出し、前記目標値と前記差分値の合計値を算出し、前記合計値を新たな目標値に設定して前記複数の集約関数を新たに生成することにより、前記複数の補正関数を生成することを特徴とする項2-1から項2-10のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
(項2-12)
前記制御装置は、前記複数の補正関数および前記相関情報に基づくイオン注入をシミュレーションしたときの前記ウェハ処理面内における二次元不均一ドーズ量分布の新たな推定値を算出し、前記新たな推定値が前記目標値に類似するように前記複数の集約関数を修正することを繰り返すことを特徴とする項2-1から項2-11のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
(項2-13)
前記制御装置は、前記ビームスキャナのビームスキャン速度変化の応答性および前記プラテン駆動装置のウェハスキャン速度変化の応答性に基づいて、前記二次元不均一ドーズ量分布の前記推定値を算出することを特徴とする項2-1から項2-12のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
(項2-14)
前記イオン注入装置は、イオン注入時に前記ウェハ処理面が位置する注入位置において前記イオンビームの前記第1方向のビーム電流密度分布を測定可能なビーム測定装置をさらに備え、
前記制御装置は、前記ウェハ処理面にイオンを注入する前に、前記複数の補正関数のそれぞれに基づいて前記イオンビームを往復スキャンさせたときに前記ビーム測定装置により測定されるビーム電流密度分布が対応する補正関数に類似する形状であるかを確認することを特徴とする項2-1から項2-13のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
(項2-15)
前記制御装置は、前記複数の補正関数の少なくとも一つに基づいて前記イオンビームを往復スキャンさせたときに前記ビーム測定装置により測定される少なくとも一つのビーム電流密度分布が対応する補正関数に類似する形状ではない場合、前記複数の補正関数の少なくとも一つの前記第1方向における変化率が所定値よりも小さくなるように前記複数の補正関数の少なくとも一つを平滑化することを特徴とする項2-14に記載のイオン注入装置。
(項2-16)
前記制御装置は、前記複数の集約関数のそれぞれの前記第1方向における変化率が所定値よりも小さくなるように前記複数の集約関数を平滑化することにより、前記複数の補正関数を生成することを特徴とする項2-1から項2-15のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
(項2-17)
項2-1から項2-16のいずれか一項に記載のイオン注入装置を用いるイオン注入方法であって、
前記ウェハ処理面内における二次元不均一ドーズ量分布の目標値を取得することと、
前記目標値に基づいて、前記ウェハ処理面内において前記第2方向に異なる複数の位置における前記第1方向の一次元ドーズ量分布に基づいて定められる複数の集約関数と、前記二次元不均一ドーズ量分布の前記目標値と前記複数の集約関数とを対応付ける相関情報とを生成することと、
前記複数の集約関数および前記相関情報に基づくイオン注入をシミュレーションしたときの前記ウェハ処理面内における二次元不均一ドーズ量分布の推定値を算出することと、
前記推定値に基づいて、前記推定値が前記目標値に類似するように前記複数の集約関数を修正して複数の補正関数を生成することと、
前記複数の補正関数および前記相関情報に基づいて前記第1方向のビームスキャン速度および前記第2方向のウェハスキャン速度を変化させ、前記ウェハ処理面に前記目標値に類似する二次元不均一ドーズ量分布のイオンを注入することと、を備えることを特徴とするイオン注入方法。
Claims (17)
- イオンビームを生成するビーム生成装置と、
前記イオンビームを第1方向に往復スキャンさせるビームスキャナと、
前記往復スキャンされるイオンビームがウェハ処理面に照射されるようにウェハを保持しながら、前記第1方向と直交する第2方向に前記ウェハを往復スキャンさせるプラテン駆動装置と、
前記ウェハ処理面に所望の二次元不均一ドーズ量分布のイオンが注入されるように、前記ウェハ処理面内において前記イオンビームが照射される前記第1方向および前記第2方向のビーム照射位置に応じて、前記第1方向のビームスキャン速度および前記第2方向のウェハスキャン速度を変化させる制御装置と、を備え、
前記制御装置は、複数の注入レシピを保持し、前記複数の注入レシピのそれぞれは、前記ウェハ処理面内における二次元不均一ドーズ量分布と、前記ウェハ処理面内において前記第2方向に異なる複数の位置における前記第1方向の複数の一次元ドーズ量分布に基づいて定められる複数の補正関数と、前記二次元不均一ドーズ量分布と前記複数の補正関数とを対応付ける相関情報とを含み、
前記制御装置は、前記二次元不均一ドーズ量分布の目標値を新たに取得した場合、前記目標値に類似する前記二次元不均一ドーズ量分布を含む注入レシピを前記複数の注入レシピの中から特定し、
前記制御装置は、前記特定した注入レシピに含まれる前記複数の補正関数および前記相関情報に基づいて前記第1方向のビームスキャン速度および前記第2方向のウェハスキャン速度を変化させ、前記ウェハ処理面に前記目標値に類似する二次元不均一ドーズ量分布のイオンを注入することを特徴とするイオン注入装置。 - 前記複数の注入レシピのそれぞれに含まれる前記二次元不均一ドーズ量分布は、前記ウェハ処理面内における複数の格子点の位置とドーズ量を対応付けるデータにより定義され、
前記制御装置は、前記複数の格子点のそれぞれのドーズ量を比較して前記二次元不均一ドーズ量分布の類似性を評価することを特徴とする請求項1に記載のイオン注入装置。 - 前記制御装置は、前記複数の格子点のドーズ量の差の標準偏差に基づいて前記類似性を評価することを特徴とする請求項2に記載のイオン注入装置。
- 前記制御装置は、前記二次元不均一ドーズ量分布の前記目標値を前記複数の格子点の位置とドーズ量を対応付けるデータに変換し、前記二次元不均一ドーズ量分布の類似性を評価することを特徴とする請求項2または3に記載のイオン注入装置。
- 前記複数の注入レシピのそれぞれは、前記イオンビームのイオン種、エネルギー、ビーム電流およびビームサイズを定めるビーム条件をさらに含み、
前記制御装置は、前記二次元不均一ドーズ量分布の前記目標値とともに前記ビーム条件の少なくとも一部を取得し、前記複数の注入レシピのうち、前記取得した少なくとも一部のビーム条件に対応する注入レシピの中から、前記目標値に類似する二次元不均一ドーズ量分布を含む注入レシピを特定することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のイオン注入装置。 - 前記複数の注入レシピのそれぞれは、前記イオンビームのイオン種、エネルギー、ビーム電流およびビームサイズを定めるビーム条件をさらに含み、
前記制御装置は、前記二次元不均一ドーズ量分布の前記目標値に基づいて前記ビーム条件の少なくとも一部を決定し、前記複数の注入レシピのうち、前記決定した少なくとも一部のビーム条件に対応する注入レシピの中から、前記目標値に類似する二次元不均一ドーズ量分布を含む注入レシピを特定することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載のイオン注入装置。 - 前記イオン注入装置は、イオン注入時に前記ウェハ処理面が位置する注入位置において前記イオンビームの前記第1方向のビーム電流密度分布を測定可能なビーム測定装置をさらに備え、
前記制御装置は、前記ウェハ処理面にイオンを注入する前に、前記特定した注入レシピに含まれる前記複数の補正関数のそれぞれに基づいて前記イオンビームを往復スキャンさせたときに前記ビーム測定装置により測定される複数のビーム電流密度分布が前記二次元不均一ドーズ量分布の前記目標値に類似する形状であるかを確認することを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載のイオン注入装置。 - 前記イオンビームのビームサイズを調整するための収束/発散装置をさらに備え、
前記制御装置は、前記特定した注入レシピに含まれる前記複数の補正関数の少なくとも一つに基づいて前記イオンビームを往復スキャンさせたときに前記ビーム測定装置に測定される少なくとも一つのビーム電流密度分布が前記二次元不均一ドーズ量分布の前記目標値に類似する形状ではない場合、前記イオンビームのビームサイズが小さくなるように前記収束/発散装置のパラメータを調整することを特徴とする請求項7に記載のイオン注入装置。 - 前記制御装置は、前記特定した注入レシピに含まれる前記複数の補正関数の少なくとも一つに基づいて前記イオンビームを往復スキャンさせたときに前記ビーム測定装置に測定される少なくとも一つのビーム電流密度分布が前記二次元不均一ドーズ量分布の前記目標値に類似する形状ではない場合、前記イオンビームのビーム電流が小さくなるように前記ビーム生成装置のパラメータを調整することを特徴とする請求項7または8に記載のイオン注入装置。
- 前記複数の注入レシピの少なくとも一つに含まれる前記二次元不均一ドーズ量分布は、前記イオン注入装置が前記複数の注入レシピの少なくとも一つにしたがってイオンを注入したときの前記ウェハ処理面内におけるドーズ量の実測値に基づくことを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
- 前記複数の注入レシピの少なくとも一つに含まれる前記二次元不均一ドーズ量分布は、前記イオン注入装置とは別のイオン注入装置が前記複数の注入レシピの少なくとも一つにしたがってイオンを注入したときの前記ウェハ処理面内におけるドーズ量の実測値に基づくことを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
- 前記複数の注入レシピの少なくとも一つに含まれる前記二次元不均一ドーズ量分布は、前記複数の注入レシピの少なくとも一つにしたがったイオン注入をシミュレーションしたときの前記ウェハ処理面内におけるドーズ量の推定値に基づくことを特徴とする請求項1から11のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
- 前記制御装置は、前記二次元不均一ドーズ量分布の前記目標値を示す第1マップ、前記目標値に類似する二次元不均一ドーズ量分布を示す第2マップ、および、前記第1マップと前記第2マップの差を示す差分マップの少なくとも一つをディスプレイに表示させることを特徴とする請求項1から12のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
- 前記制御装置は、前記複数の注入レシピに含まれる二次元不均一ドーズ量分布のいずれも前記目標値に類似しない場合、前記二次元不均一ドーズ量分布の前記目標値を実現するための前記複数の補正関数および前記相関情報を新規作成することを特徴とする請求項1から13のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
- 前記制御装置は、同一ロットに含まれる複数のウェハのそれぞれに設定される前記二次元不均一ドーズ量分布の複数の目標値を新たに取得した場合、前記複数の目標値に類似する前記二次元不均一ドーズ量分布を含む注入レシピを前記複数の注入レシピの中から特定し、
前記制御装置は、前記特定した注入レシピに含まれる前記複数の補正関数および前記相関情報に基づいて前記第1方向のビームスキャン速度および前記第2方向のウェハスキャン速度を変化させ、前記複数のウェハのそれぞれのウェハ処理面に前記複数の目標値に類似する二次元不均一ドーズ量分布のイオンを注入することを特徴とする請求項1から14のいずれか一項に記載のイオン注入装置。 - 前記制御装置は、同一ロットに含まれる複数のウェハのそれぞれに設定される前記二次元不均一ドーズ量分布の複数の目標値を新たに取得した場合、前記複数の目標値のそれぞれに類似する前記二次元不均一ドーズ量分布を含む注入レシピを前記複数の注入レシピの中から前記複数のウェハのそれぞれについて特定し、
前記制御装置は、前記複数のウェハのそれぞれについて特定した注入レシピに含まれる前記複数の補正関数および前記相関情報に基づいて前記第1方向のビームスキャン速度および前記第2方向のウェハスキャン速度を変化させ、前記複数のウェハのそれぞれのウェハ処理面に前記複数の目標値のそれぞれに類似する二次元不均一ドーズ量分布のイオンを注入することを特徴とする請求項1から14のいずれか一項に記載のイオン注入装置。 - 請求項1から16のいずれか一項に記載のイオン注入装置を用いるイオン注入方法であって、
前記ウェハ処理面内における前記二次元不均一ドーズ量分布の目標値を新たに取得することと、
前記目標値に類似する前記二次元不均一ドーズ量分布を含む注入レシピを前記複数の注入レシピの中から特定することと、
前記特定した注入レシピに含まれる前記複数の補正関数および前記相関情報に基づいて前記第1方向のビームスキャン速度および前記第2方向のウェハスキャン速度を変化させ、前記ウェハ処理面に前記目標値に類似する二次元不均一ドーズ量分布のイオンを注入することと、を備えることを特徴とするイオン注入方法。
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