JP7241367B2 - TiAl合金部材の製造方法及びTiAl合金部材の製造システム - Google Patents

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Description

本発明は、TiAl合金部材の製造方法及びTiAl合金部材の製造システムに関する。
TiAl合金は、Ti(チタン)とAl(アルミニウム)とが結合して構成される合金(金属間化合物)であり、軽量、かつ高温での強度が高いため、エンジンや航空宇宙機器の高温用構造材などへ適用されている。特許文献1には、TiAl合金を機械加工してタービンの動翼を製造する旨が記載されている。
特開2002-356729号公報
しかし、TiAl合金は、機械加工性が高くないため、成形が難しい場合がある。また、TiAl合金は、高温で用いられる場合があるため、高温下での特性低下を抑制することが望まれる。従って、TiAl合金部材を、高温特性の低下を抑制しつつ、容易に成形することが求められている。
本発明は、上述した課題を解決するものであり、TiAl合金部材を、高温特性の低下を抑制しつつ、容易に成形可能なTiAl合金部材の製造方法及びTiAl合金部材の製造システムを提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本開示に係るTiAl合金部材の製造方法は、TiAl合金の粉末にビームを照射することで前記粉末を溶融固化又は焼結させた固化体を積層して積層体を成形する成形ステップと、前記積層体を、α相への相変態が開始する温度以上である設定温度で加熱してTiAl合金部材を生成する熱処理ステップと、を有する。
この製造方法によると、好適にラメラ組織にすることが可能となるため、TiAl合金部材を、高温特性の低下を抑制しつつ、容易に成形することができる。
前記熱処理ステップにおいて、前記設定温度を、前記積層体がα相単相となる温度とすることが好ましい。この製造方法によると、TiAl合金部材の高温特性の低下をより好適に抑制することができる。
前記熱処理ステップにおいて、前記設定温度を、1300℃以上1500℃以下とすることが好ましい。この製造方法によると、TiAl合金部材の高温特性の低下をより好適に抑制することができる。
加熱した前記積層体を冷却する冷却ステップを更に有することが好ましい。この製造方法によると、TiAl合金部材の高温特性の低下をより好適に抑制することができる。
前記成形ステップにおいて、前記ビームとして電子ビームを前記粉末に照射することが好ましい。この製造方法によると、TiAl合金部材の高温特性の低下をより好適に抑制することができる。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本開示に係るTiAl合金部材の製造システムは、TiAl基合金の粉末にビームを照射することで前記粉末を溶融固化又は焼結させた固化体を積層して積層体を成形する成形装置と、前記積層体を、α相への相変態が開始する温度以上である設定温度で加熱してTiAl合金部材を生成する熱処理装置と、を有する。この製造システムによると、好適にラメラ組織にすることが可能となるため、TiAl合金部材を、高温特性の低下を抑制しつつ、容易に成形することができる。
本発明によれば、TiAl合金部材を、高温特性の低下を抑制しつつ、容易に成形することができる。
図1は、本実施形態に係るTiAl合金部材の製造システムの構成を示すブロック図である。 図2は、本実施形態に係る成形装置の模式図である。 図3は、本実施形態に係る制御部の模式的なブロック図である。 図4は、本実施形態に係る熱処理装置の模式図である。 図5は、TiAl合金部材の状態図の一例を示す模式図である。 図6は、本実施形態に係るTiAl合金部材の製造フローを説明するフローチャートである。 図7は、実施例1に係るTiAl合金部材の内部組織の撮像写真を示す図である。 図8は、実施例1に係るTiAl合金部材の内部組織の撮像写真を示す図である。 図9は、実施例2に係るTiAl合金部材の内部組織の撮像写真を示す図である。 図10は、実施例と比較例とにおける温度毎の引張強度の測定結果を示すグラフである。
以下に添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではなく、また、実施形態が複数ある場合には、各実施形態を組み合わせて構成するものも含むものである。
図1は、本実施形態に係るTiAl合金部材の製造システムの構成を示すブロック図である。本実施形態に係る製造システム1は、TiAl合金部材の製造方法を実行するためのシステムである。本実施形態におけるTiAl合金部材は、TiとAlとが結合した合金であり、さらにいえば、TiとAlとが結合した金属間化合物(例えばTiAl、TiAl、AlTi等)である。
本実施形態におけるTiAl合金部材は、Alが38~47原子%含まれ、残部がTi及び不可避不純物となるものが用いられてよい。また、TiAl合金部材として、例えば、Alが38~45原子%含まれ、Mnが3~10原子%含まれ、残部がTi及び不可避不純物となるものが用いられてよい。また、TiAl合金部材としては、例えば、Alが38~45原子%含まれ、Cr又はVのうちの1種以上が3~10原子%含まれ、残部がTi及び不可避不純物となるものが用いられてもよい。さらに、上記で例示した組成のTiAl合金部材に対し、さらに、1~2.5原子%のNbと、0.2~1.0原子%のMo、W、Zrのうちの1種以上と、0.1~0.4原子%のCと、0.2~1.0原子%のSi、Ni、Taのうちの1種以上と、のうちの少なくともいずれかを含有してもよい。
図1に示すように、製造システム1は、成形装置2と熱処理装置4とを有する。成形装置2は、本実施形態に係る成形ステップを実行する装置であり、TiAl合金部材の粉末である粉末Pから、TiAl合金部材の立体造形物である積層体Lを成形する。熱処理装置4は、本実施形態に係る熱処理ステップを実行する装置であり、積層体Lを熱処理して熱処理後のTiAl合金部材である部材Mを生成する。このように、部材Mは、粉末Pから成形された積層体Lを熱処理して製造されるものであるため、部材Mと積層体Lと粉末Pとは、上述で説明した組成のTiAl合金部材であるといえる。製造システム1は、部材Mとして、例えば航空機用エンジンの低圧タービンの動翼や、自動車用のターボチャージャのタービンホイールなどを製造するものである。ただし、部材Mは、これら動翼やタービンホイールに限られず、任意の用途に用いられるものであってよい。
図2は、本実施形態に係る成形装置の模式図である。本実施形態に係る成形装置2は、粉末PにビームBを照射して粉末Pを溶融固化又は焼結させた固化体を生成することを繰り返して、固化体を積層した積層体Lを成形する。図2に示すように、成形装置2は、成形室10と、粉末供給部12と、ブレード14と、照射源部16と、照射部18と、制御部20とを有する。成形装置2は、制御部20の制御により、粉末供給部12から成形室10内に粉末Pを供給し、成形室10内に供給された粉末Pに、照射源部16及び照射部18からのビームBを照射することで、粉末Pを溶融固化又は焼結させて、積層体Lを成形する。以下、鉛直方向上方から鉛直方向下方に向かう方向を、方向Z1とし、方向Z1と反対方向、すなわち鉛直方向下方から鉛直方向上方に向かう方向を、方向Z2とする。
成形室10は、筐体30と、ステージ32と、移動機構34とを有する。筐体30は、上側、すなわち方向Z2側が開放された筐体である。ステージ32は、筐体30内に、筐体30に囲われるように配置される。ステージ32は、筐体30内で方向Z1及び方向Z2に移動可能に構成される。ステージ32の上面と、筐体30の内周面とで囲われる空間Rが、粉末Pが供給される空間Rとなる。移動機構34は、ステージ32に接続される。移動機構34は、制御部20の制御により、ステージ32を、鉛直方向に、すなわち方向Z1及び方向Z2に移動させる。
粉末供給部12は、内部に粉末Pを貯留する機構である。粉末供給部12は、制御部20により粉末Pの供給が制御され、制御部20の制御により、供給口12Aから、ステージ32上の空間Rに粉末Pを供給する。ブレード14は、空間Rに供給された粉末Pを水平に掃き均す(スキージングする)スキージングブレードである。ブレード14は、制御部20によって制御される。
照射源部16は、ビームBの照射源である。ビームBは、並進する粒子又は波の束であり、本実施形態では電子ビームである。そして、本実施形態では、照射源部16は、タングステンフィラメントである。ただし、ビームBは、粉末Pを焼結又は溶融可能なビームであれば電子ビームに限られず、照射源部16は、ビームBを照射可能なものであれば任意のものであってよい。例えば、ビームBは、レーザ光であってもよい。
照射部18は、成形室10の上方、すなわち方向Z2側に設けられる。照射部18は、照射源部16からのビームBを、成形室10に照射させる機構である。照射部18は、例えば、非点収差レンズ、収束レンズ、及び偏向レンズなどの光学素子を有する。また、照射部18は、例えば制御部20によって制御されることでビームBを走査可能な走査機構を有しており、照射源部16からのビームBを、走査しつつ成形室10に照射することで、ステージ32に敷き詰められた粉末Pの特定の位置にビームを照射する。粉末Pは、ビームBが照射された位置において、溶融固化し(溶融した後固化し)、又は、焼結される。
図3は、本実施形態に係る制御部の模式的なブロック図である。制御部20は、例えばコンピュータであり、CPU(Central Processing Unit)などで構成された演算処理装置と、記憶部とを有する。図2に示すように、制御部20は、粉末制御部40と、照射制御部42と、移動制御部44とを有する。粉末制御部40と、照射制御部42と、移動制御部44とは、制御部20が記憶部からプログラムを読み出すことで実現されて、それぞれの処理を実行する。ただし、粉末制御部40と、照射制御部42と、移動制御部44とは、それぞれ個別のハードウェアであってもよい。
粉末制御部40は、ステージ32への粉末Pの供給を制御する。粉末制御部40は、例えば粉末供給部12を制御して、移動距離Hだけ下降したステージ32上に、粉末Pを供給させる。そして、粉末制御部40は、ブレード14を制御して、ブレード14でステージ32上の粉末Pをスキージさせる。
照射制御部42は、ステージ32上の粉末PへのビームBの照射を制御する。照射制御部42は、例えば記憶部に記憶された3次元データを読み出し、その3次元データに基づいてビームBの走査経路を設定し、設定した走査経路でビームBが照射されるよう、照射部18を制御する。
移動制御部44は、移動機構34を制御して、ステージ32を移動させる。移動制御部44は、粉末PへのビームBの照射により固化体Aが形成された後、ステージ32を移動距離Hだけ方向Z1側に移動させる。
成形装置2は、以上のような構成となっている。成形装置2は、粉末制御部40に制御された粉末供給部12により、粉末Pをステージ32に供給し、照射制御部42に制御された照射源部16及び照射部18によって、ステージ32上の粉末Pに向けて、ビームBを照射する。粉末Pは、ビームBが照射された箇所が、焼結又は溶融固化して、固化体Aとなる。固化体Aを成形した後、成形装置2は、移動制御部44に制御された移動機構34によって、ステージ32を方向Z1側に移動距離Hだけ移動させる。そして、成形装置2は、粉末供給部12によって、ステージ32に、すなわち固化体A上に、粉末Pを供給し、照射源部16及び照射部18によって、ステージ32上の粉末Pに向けて、ビームBを照射する。これにより、固化体A上に別の固化体Aが積層される。固化体Aが積層されたら、成形装置2は、ステージ32を方向Z1側に移動距離Hだけ移動させて、同様の処理を繰り返す。成形装置2は、この処理を繰り返すことで、固化体Aを積層して、積層体Lを成形する。
なお、成形装置2は、粉末Pを溶融固化又は焼結させる前に、すなわち固化体を生成する前に、固化体となる粉末Pの周囲の粉末Pを加熱して、固化体となる粉末Pの周囲の粉末Pを予熱してもよい。成形装置2は、固化体の生成中にも、固化体となる粉末Pの周囲の粉末Pへの加熱を継続してもよい。
このように、成形装置2は、ステージ32を下降させる毎に粉末Pの供給とビームBの照射を繰り返すパウダーベッド方式の成形装置である。ただし、成形装置2は、粉末Pを固化させた固化体を積層して積層体Lを成形する装置であればよく、パウダーベッド方式の成形装置に限られない。例えば、成形装置2は、ビームBの照射で溶融した粉末Pを滴下して積層体Lを成型するものであってもよい。
成形装置2による積層体Lの成形条件は、例えば後述するニアラメラ組織を好適に生成するために、以下のように設定することが好ましい。例えば、ビームBを照射させるために照射源部16に印加するエネルギー密度を5.0J/mm以上50J/mm以下に設定することが好ましく、ビームBを照射させるために照射源部16に印加する印加電圧を、50kV以上70kV以下に設定することが好ましい。また、粉末Pに当たる位置でのビームBのスポット径を、50μm以上200μm以下に設定することが好ましい。また、ビームBの走査速度を、0.1m/s以上5.0m/s以下にすることが好ましい。また、固化体となる粉末Pの周囲の粉末Pを加熱する加熱温度を、粉末Pの融点に対して0.5倍以上0.8倍以下に設定することが好ましい。
次に、熱処理装置4について説明する。図4は、本実施形態に係る熱処理装置の模式図である。熱処理装置4は、成形装置2により製造された積層体Lを加熱する装置である。図4に示すように、熱処理装置4は、加熱室50と加熱部52とを有する。加熱室50は、積層体Lを収納する容器又は部屋である。加熱部52は、加熱室50内を所定の温度に加熱する熱源である。
熱処理装置4は、加熱室50内に積層体Lが収納された状態で、加熱部52により加熱室50内を設定温度Tまで加熱し、設定温度Tに加熱した状態を所定時間保持させる。これにより、積層体Lは、設定温度Tで所定時間加熱される。設定温度Tで所定時間加熱した後、積層体Lを冷却することで、部材Mが生成される。すなわち、部材Mは、設定温度Tで熱処理された後、冷却された積層体Lであるといえる。
本実施形態において、設定温度Tは、TiAl合金部材である積層体Lがα相単相となる温度である単相温度の範囲内である。単相温度は、積層体Lがα相を含むが、α相以外の相(本実施形態では後述のα相、β相、γ相、L相)を含まなくなる温度範囲ともいえる。ただし、設定温度Tは、単相温度の範囲内であることに限られず、変態開始温度以上の温度であり、融点温度より低い温度であってよい。変態開始温度とは、TiAl合金部材である積層体Lにおいて、α相への相変態が開始する温度である。融点温度は、TiAl合金部材である積層体Lの融点である。また、設定温度Tとした状態を保持する所定時間は、0.5時間以上10時間以下であることが好ましい。また、設定温度Tで加熱した後の積層体Lの冷却は、自然冷却によって常温まで冷却することによって行われるが、それに限られず、例えば設定温度Tより低い所定の温度に保持することで冷却されてもよい。
以下、状態図を用いて、設定温度Tを説明する。図5は、TiAl合金部材の状態図の一例を示す模式図である。図5は、TiAl合金部材の状態図の一例であり、横軸がAlの濃度、すなわち含有量(原子%)であり、縦軸がTiAl合金部材の温度である。
図5に示すように、TiAl合金部材は、Alの含有量とTiAl合金部材の温度とによって、金属相が変化する。図5の領域R1は、TiAl合金部材が、α相(TiAlの最密立方晶)とγ相(TiAlの面心立方晶)とを含む構成となる領域である。領域R2は、領域R1に対しAlの含有量を増加させた位置に対応する領域である。領域R2は、TiAl合金部材が、γ相単相となる領域である。領域R3は、領域R1に対し、TiAl合金部材の温度を増加させた位置に対応する領域である。領域R3は、TiAl合金部材が、α相(Ti単体の最密立方晶)とγ相とを含む構成となる領域である。領域R4は、領域R1に対しTiAl合金部材の温度を増加させた位置であり、領域R3に対しAlの含有量を低下させた位置に対応する領域である。領域R4は、TiAl合金部材が、α相単相となる領域である。
領域R5は、領域R4に対しTiAl合金部材の温度を増加させた位置に対応する領域である。領域R5は、TiAl合金部材が、α相とβ相(Tiの体心立方晶)とを含む構成となる領域である。領域R6は、領域R5に対してTiAl合金部材の温度を増加させた位置に対応する領域である。領域R6は、TiAl合金部材が、β相単相となる領域である。領域R7は、領域R3に対しTiAl合金部材の温度を増加させた位置に対応する領域である。領域R7は、TiAl合金部材が、γ相とL相(液相)とを含む構成となる領域である。領域R8は、領域R5、R6、R7、R8に対しTiAl合金部材の温度を増加させた位置に対応する領域である。領域R8は、TiAl合金部材が、β相とL相(液相)とを含む構成となる領域である。領域R9は、領域R7、R8に対しTiAl合金部材の温度を増加させた位置に対応する領域である。領域R9は、TiAl合金部材が、L相単相となる領域である。
このように、領域R4は、α相単相となる領域である。従って、領域R4を囲う線、すなわち領域R4と他の領域との境界線は、Al濃度毎の単相温度の上下限値を示している。言い換えれば、単相温度は、領域R4の範囲内の温度であるといえる。従って、本実施形態において、設定温度Tは、領域R4内の温度となる。本実施形態の一例に係る積層体LのAl含有量は、46原子%であり、一例における設定温度Tは、Al含有量が46原子%における領域R4の下限値である1300℃以上であって、Al含有量が46原子%における領域R4の上限値である1500℃以下である。また、例えば、設定温度Tを、1350℃としてもよい。
熱処理装置4は、領域R4の範囲内に設定された設定温度Tで積層体Lを加熱した後、常温まで冷却する。従って、積層体Lは、図5の矢印A1に示すように冷却される。
なお、上述のように、設定温度Tは、変態開始温度以上であって融点温度より低い温度であってもよい。ここで、領域R3と領域R4と領域R5とは、α相を含む領域である。領域R3と領域R4と領域R5とを合わせた領域と、その領域よりも低温側の領域との境界線を、線L1とする。この場合、線L1は、それを超える温度になるとα相への相変態を開始する境界を示しているということができる。すなわち、線L1は、Al濃度毎の変態開始温度を示している。また、領域R7と領域R8とは、L相を含む領域である。領域R7と領域R8とを合わせた領域と、その領域よりも低温側の領域との境界線を、線L2とする。この場合、線L2は、それを超える温度になると、溶融が開始してL相への相変態が開始する境界を示しているということができる。すなわち、線L2は、Al濃度毎の融点温度を示している。従って、設定温度Tは、線L1以上であって線L2以下の温度であってよいといえる。
また、図5はTiとAlとの2元状態図であるため、TiAl合金部材の状態図は、他の金属元素の含有により、図5と異なる場合がある。ただし、何れの状態図であっても、設定温度Tは、変態開始温度以上であって融点温度より低い温度であればよく、好ましくは、α相単相となる領域R4の範囲内であればよい。
このように、本実施形態に係る製造システム1は、成形装置2によりTiAl合金部材の積層体Lを成形し、熱処理装置4によって積層体Lを設定温度Tで熱処理することで、TiAl合金部材の部材Mを製造する。製造システム1は、成形装置2により粉末Pから積層体Lを成形しているため、機械加工が難しいTiAl合金部材を、所望の形状に容易に成形することができる。さらに、製造システム1は、成形装置2によりTiAl合金部材の積層体Lを成形することで、積層体Lを好適にニアラメラ組織とし、ニアラメラ組織である積層体Lを設定温度Tで熱処理することで、部材Mを好適にラメラ組織とすることができる。すなわち、製造システム1は、成形装置2によりニアラメラ組織を形成させた後、ニアラメラ組織の積層体Lを、α相を含む設定温度Tで熱処理することで、ラメラ組織を好適に形成することができる。ここで、ラメラ組織とは、配向が整った線状の組織を指し、ニアラメラ組織とは、ラメラ組織と少量のγ相とで構成される組織を指す。ラメラ組織は、強度が高く、さらに高温下での強度低下が少ない。従って、本実施形態に係る製造システム1は、このようにニアラメラ組織を経て熱処理を行うことで、好適にラメラ組織を形成して、強度の低下を抑制することができる。
次に、本実施形態における部材Mの製造方法のフローを説明する。図6は、本実施形態に係るTiAl合金部材の製造フローを説明するフローチャートである。図6に示すように、製造システム1は、成形装置2により、粉末PにビームBを照射して固化した固化体を積層して、積層体Lを成形する(ステップS10;成形ステップ)。積層体Lを成形したら、製造システム1は、熱処理装置4により、積層体Lを設定温度Tで加熱し(ステップS12;熱処理ステップ)、加熱した積層体Lを冷却して(ステップS14;冷却ステップ)、TiAl合金部材の部材Mを製造する。
以上説明したように、本実施形態に係るTiAl合金部材の製造方法は、成形ステップと熱処理ステップとを有する。成形ステップにおいては、TiAl合金の粉末PにビームBを照射することで粉末Pを溶融固化又は焼結させた固化体を積層して、積層体Lを成形する。熱処理ステップにおいては、積層体Lを、α相への相変態が開始する温度以上である設定温度Tで加熱して、TiAl合金部材の部材Mを生成する。なお、このTiAl合金部材の製造方法は、製造システム1により実行されてもよく、成形装置2が成形ステップを実行し、熱処理装置4が熱処理ステップを実行する。
本実施形態に係るTiAl合金部材の製造方法は、粉末Pを溶融固化又は焼結した固化体を積層することで、積層体Lを成形する。従って、この製造方法によると、機械加工が難しいTiAl合金部材を、所望の形状に容易に成形することができる。さらに、この製造方法によると、積層体Lを好適にニアラメラ組織にすることが可能となり、さらにその積層体Lを設定温度Tで熱処理することで、部材Mを好適にラメラ組織にすることが可能となる。従って、この製造方法によると、TiAl合金部材を、高温特性の低下を抑制しつつ、容易に成形することが可能となる。
また、本実施形態に係るTiAl合金部材の製造方法は、熱処理ステップにおいて、設定温度Tを、積層体Lがα相単相となる単相温度とする。この製造方法によると、ニアラメラ組織の積層体Lをα相単相となる温度で熱処理することで、部材Mをより好適にラメラ組織にすることが可能となる。従って、この製造方法によると、TiAl合金部材の高温特性の低下をより好適に抑制することができる。
また、本実施形態に係るTiAl合金部材の製造方法は、熱処理ステップにおいて、設定温度Tを、1300℃以上1500℃以下とする。この製造方法によると、積層体Lをα相単相温度で熱処理することが可能となるため、TiAl合金部材の高温特性の低下をより好適に抑制することができる。
また、本実施形態に係るTiAl合金部材の製造方法は、加熱した積層体Lを冷却する冷却ステップを更に有する。この製造方法によると、設定温度Tで熱処理した積層体Lを冷却して部材Mを生成することで、ラメラ組織を好適に生成させ、TiAl合金部材の高温特性の低下を好適に抑制することができる。
また、本実施形態に係るTiAl合金部材の製造方法は、成形ステップにおいて、ビームBとして電子ビームを粉末Pに照射する。この製造方法によると、電子ビームによって粉末Pを溶融させるため、ニアラメラ組織の積層体Lを好適に成形することが可能となり、TiAl合金部材の高温特性の低下を好適に抑制することができる。
(実施例)
次に、本実施形態の実施例について説明する。実施例では、ARCAM社製のEBM(Electron Beam Melting)方式の成形装置を用いて、次の成形条件で積層体を成形した。すなわち、成形条件としては、固化体となる粉末Pの周囲の粉末Pを加熱する加熱温度を1060℃とし、照射源部16に印加する印加電流を、0.5mA以上2.5mA以下にし、照射源部16に印加する印加電圧を60kVとし、粉末Pに当たる位置でのビームBのスポット径を15μmとし、移動距離Hを90μmとし、ビームBの走査速度を、0.1m/s以上7.6m/s以下とした。また、粉末Pは、Alが46.4原子%含有され、Nbが6.36原子%含有され、Crが0.57原子%含有され、Oが0.07原子%含有され、残部がTiであるものを用いた。また、粉末Pは、レーザ回折・散乱法によって求めた粒度分布が、45μm以上150μm以下であり、レーザ回折・散乱法によって求めた平均粒径が100μmのものを用いた。このような条件で積層された積層体に対し、実施例1では、設定温度Tを1300℃として1時間熱処理を行って、TiAl合金部材を製造した。
図7及び図8は、実施例1に係るTiAl合金部材の内部組織の撮像写真を示す図である。図7は、成形後であって熱処理前のTiAl合金部材の写真である。図7に示すように、実施例1のTiAl合金部材、すなわち積層体は、成形装置による成形により、ニアラメラ組織が形成されていることが分かる。図8は、熱処理後のTiAl合金部材の写真である。図8に示すように、実施例1のTiAl合金部材は、熱処理により、ラメラ組織が形成されていることが分かる。
図9は、実施例2に係るTiAl合金部材の内部組織の撮像写真を示す図である。実施例2として、実施例1と同様の条件で成形した積層体に対し、設定温度Tを1350℃として1時間熱処理を行って、TiAl合金部材を製造した。図9は、熱処理後のTiAl合金部材の写真である。図9に示すように、実施例2のTiAl合金部材も、熱処理により、ラメラ組織が形成されていることが分かる。
また、実施例1のTiAl合金部材と、比較例のTiAl合金部材とについて、温度毎に引張強度を測定した。比較例のTiAl合金部材は、TiAl合金部材のインゴッドを鋳造で成形した後、1370℃で1.0時間熱処理したものである。
図10は、実施例と比較例とにおける温度毎の引張強度の測定結果を示すグラフである。図10の横軸は、TiAl合金部材の温度であり、縦軸は、引張強度である。図10の線L3は、実施例1の条件での熱処理後のTiAl合金部材の引張強度であり、線L4は、実施例1の条件での成形後であって熱処理前のTiAl合金部材の引張強度であり、線L5は、比較例の条件での熱処理後のTiAl合金部材の引張強度である。線L3及び線L4に示すように、設定温度Tで熱処理を行うことで、特に高温における強度低下が抑制されていることがわかる。さらに、線L3及び線L5に示すように、鋳造によるものよりも、粉末Pから成形したものの方が、強度が高くなることが分かる。
以上、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態の内容により実施形態が限定されるものではない。また、前述した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、前述した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。さらに、前述した実施形態の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
1 製造システム
2 成形装置
4 熱処理装置
10 成形室
12 粉末供給部
14 ブレード
16 照射源部
18 照射部
20 制御部
50 加熱室
52 加熱部
B ビーム
L 積層体
M 部材
P 粉末
T 設定温度

Claims (7)

  1. TiAl合金の粉末にビームを照射することで前記粉末を溶融固化又は焼結させた固化体を積層して、ニアラメラ組織である積層体を成形する成形ステップと、
    前記積層体を、α相への相変態が開始する温度以上である設定温度で加熱してTiAl合金部材を生成する熱処理ステップと、
    を有する、TiAl合金部材の製造方法。
  2. 前記熱処理ステップにおいて、前記設定温度を、前記積層体がα相単相となる温度とする、請求項1に記載のTiAl合金部材の製造方法。
  3. 前記熱処理ステップにおいて、前記設定温度を、1300℃以上1500℃以下とする、請求項2に記載のTiAl合金部材の製造方法。
  4. 加熱した前記積層体を冷却する冷却ステップを更に有する、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のTiAl合金部材の製造方法。
  5. 前記成形ステップにおいて、前記ビームとして電子ビームを前記粉末に照射する、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のTiAl合金部材の製造方法。
  6. 前記成形ステップにおいて、
    前記ビームの照射源部に印加する印加電圧を50kV以上70kV以下とし、
    前記ビームの走査速度を0.1m/s以上5.0m/s以下とし、
    前記固化体となる粉末の周囲の粉末を加熱する加熱温度を、前記粉末の融点に対して0.5倍以上0.8倍以下とする、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のTiAl合金部材の製造方法
  7. TiAl基合金の粉末にビームを照射することで前記粉末を溶融固化又は焼結させた固化体を積層して、ニアラメラ組織である積層体を成形する成形装置と、
    前記積層体を、α相への相変態が開始する温度以上である設定温度で加熱してTiAl合金部材を生成する熱処理装置と、
    を有する、TiAl合金部材の製造システム。
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