JP7238687B2 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
成膜装置及び成膜方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7238687B2 JP7238687B2 JP2019149459A JP2019149459A JP7238687B2 JP 7238687 B2 JP7238687 B2 JP 7238687B2 JP 2019149459 A JP2019149459 A JP 2019149459A JP 2019149459 A JP2019149459 A JP 2019149459A JP 7238687 B2 JP7238687 B2 JP 7238687B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- gas
- forming
- processing container
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
- C23C14/0063—Reactive sputtering characterised by means for introducing or removing gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
前記処理容器内にて基板を載置するステージと、
前記処理容器内の部材に有機膜を成膜するための第1の成膜ガスを供給する第1の成膜ガス供給部と、
前記基板に成膜するための第2の成膜ガスを供給する第2の成膜ガス供給部と、
前記第2の成膜ガスによる前記有機膜の表面への成膜を抑制するために、当該有機膜を改質する改質ガスを供給する改質ガス供給部と、
前記ステージに基板が載置されていない状態で前記処理容器内に前記第1の成膜ガスを供給して前記部材にプリコートを行うプリコートステップと、次いで前記処理容器内に前記改質ガスを供給して前記有機膜を改質する改質ステップと、続いて前記ステージに基板が載置された状態で前記処理容器内に前記第2の成膜ガスを供給して当該基板に成膜する基板成膜ステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、
を備え、
前記第1の成膜ガス及び前記第2の成膜ガスは同じ材料を含むガスであり、
前記基板成膜ステップは、前記基板に前記有機膜を成膜するステップである。
本開示の他の成膜装置は、内部に真空雰囲気が形成される処理容器と、
前記処理容器内にて基板を載置するステージと、
前記処理容器内の部材に有機膜を成膜するための第1の成膜ガスを供給する第1の成膜ガス供給部と、
前記基板に成膜するための第2の成膜ガスを供給する第2の成膜ガス供給部と、
前記第2の成膜ガスによる前記有機膜の表面への成膜を抑制するために、当該有機膜を改質する改質ガスを供給する改質ガス供給部と、
を備え、
前記改質ガスはフッ素により構成される化合物を含むガスである。
続いて、既述の実施形態に関連して行われた評価試験について説明する。
(評価試験1)
評価試験1として、ウエハWにポリ尿素膜を成膜した後、ステップT3で説明したNF3ガスのプラズマの供給を行い、フッ化処理した。このフッ化処理におけるウエハWの温度については、90℃~120℃の範囲内でウエハW毎に変更した。フッ化処理後の各ウエハWについてポリ尿素膜の表面に水を滴下し、水滴の接触角を測定した。
また比較試験として、ポリ尿素膜の成膜後、フッ化処理を行わないウエハWについても、フッ化処理を行ったウエハWと同様に、水滴の接触角を測定した。
評価試験2として、複数のウエハWにポリ尿素膜を200nmの膜厚で各々成膜した。続いて、各ウエハWに既述のNF3ガスのプラズマを用いたフッ化処理を行い、さらにその後、2回目のポリ尿素膜の成膜処理を行った。この2回目のポリ尿素膜の成膜処理の時間はウエハW毎に変更しており、0.5分、2分、6分、10分、20分に夫々設定した。この2回目の成膜処理後、各ウエハWについて電子顕微鏡(SEM)により撮像を行い、初回と2回目の成膜処理により形成されたポリ尿素膜63の膜厚を測定した。その一方で、比較試験2として、フッ化処理を行わないことを除いて評価試験2と同様の試験を行った。
1 成膜装置
11 処理容器
3 ステージ
43 シャワーヘッド
Claims (7)
- 内部に真空雰囲気が形成される処理容器と、
前記処理容器内にて基板を載置するステージと、
前記処理容器内の部材に有機膜を成膜するための第1の成膜ガスを供給する第1の成膜ガス供給部と、
前記基板に成膜するための第2の成膜ガスを供給する第2の成膜ガス供給部と、
前記第2の成膜ガスによる前記有機膜の表面への成膜を抑制するために、当該有機膜を改質する改質ガスを供給する改質ガス供給部と、
前記ステージに基板が載置されていない状態で前記処理容器内に前記第1の成膜ガスを供給して前記部材にプリコートを行うプリコートステップと、次いで前記処理容器内に前記改質ガスを供給して前記有機膜を改質する改質ステップと、続いて前記ステージに基板が載置された状態で前記処理容器内に前記第2の成膜ガスを供給して当該基板に成膜する基板成膜ステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、
を備え、
前記第1の成膜ガス及び前記第2の成膜ガスは同じ材料を含むガスであり、
前記基板成膜ステップは、前記基板に前記有機膜を成膜するステップである成膜装置。 - 前記プリコートが行われる前記処理容器内の部材には、少なくとも前記ステージが含まれる請求項1記載の成膜装置。
- 前記制御部は、前記基板成膜ステップを繰り返し行うにあたり、前記基板に成膜される膜の累積値に基づいて、一の基板成膜ステップの終了後に、再度の前記改質ステップを行うか否かを決定する請求項1または2記載の成膜装置。
- 内部に真空雰囲気が形成される処理容器と、
前記処理容器内にて基板を載置するステージと、
前記処理容器内の部材に有機膜を成膜するための第1の成膜ガスを供給する第1の成膜ガス供給部と、
前記基板に成膜するための第2の成膜ガスを供給する第2の成膜ガス供給部と、
前記第2の成膜ガスによる前記有機膜の表面への成膜を抑制するために、当該有機膜を改質する改質ガスを供給する改質ガス供給部と、
を備え、
前記改質ガスはフッ素により構成される化合物を含むガスである成膜装置。 - 前記処理容器内にクリーニングガスを供給して前記有機膜を除去するクリーニングガス供給部が設けられ、
先に前記クリーニングガスが供給されてから、次に当該クリーニングガスが供給されるまでに、
前記処理容器内への前記第2の成膜ガスの供給と、
前記処理容器内への前記改質ガスの供給と、が繰り返し行われる請求項1ないし4のいずれか一つに記載の成膜装置。 - 処理容器の内部に真空雰囲気を形成する工程と、
前記処理容器内に設けられるステージに基板を載置する工程と、
前記処理容器内に第1の成膜ガスを供給して、前記処理容器内の部材に有機膜を成膜する工程と、
前記処理容器内に第2の成膜ガスを供給して、前記基板に成膜する工程と、
前記第2の成膜ガスによる前記有機膜の表面への成膜を抑制するために、改質ガスを供給して当該有機膜を改質する工程と、
を備え、
前記部材に有機膜を成膜する工程は、前記ステージに基板が載置されていない状態で前記処理容器内に前記第1の成膜ガスを供給して前記部材にプリコートを行うプリコート工程であり、
前記有機膜を改質する工程は、前記プリコート工程に次いで行われる改質工程であり、
前記基板に成膜する工程は、前記改質工程に続いて行われる、前記ステージに基板が載置された状態で前記処理容器内に前記第2の成膜ガスを供給して当該基板に有機膜を成膜する基板成膜工程であり、
前記第1の成膜ガス及び前記第2の成膜ガスは同じ材料を含むガスであり、
前記基板成膜工程は、前記基板に前記有機膜を成膜する工程である成膜方法。 - 処理容器の内部に真空雰囲気を形成する工程と、
前記処理容器内に設けられるステージに基板を載置する工程と、
前記処理容器内に第1の成膜ガスを供給して、前記処理容器内の部材に有機膜を成膜する工程と、
前記処理容器内に第2の成膜ガスを供給して、前記基板に成膜する工程と、
前記第2の成膜ガスによる前記有機膜の表面への成膜を抑制するために、改質ガスを供給して当該有機膜を改質する工程と、
を備え、
前記改質ガスはフッ素により構成される化合物を含むガスである成膜方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019149459A JP7238687B2 (ja) | 2019-08-16 | 2019-08-16 | 成膜装置及び成膜方法 |
KR1020200100446A KR20210020804A (ko) | 2019-08-16 | 2020-08-11 | 성막 장치 및 성막 방법 |
US16/992,550 US20210047724A1 (en) | 2019-08-16 | 2020-08-13 | Film forming apparatus and film forming method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019149459A JP7238687B2 (ja) | 2019-08-16 | 2019-08-16 | 成膜装置及び成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021034417A JP2021034417A (ja) | 2021-03-01 |
JP7238687B2 true JP7238687B2 (ja) | 2023-03-14 |
Family
ID=74567636
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019149459A Active JP7238687B2 (ja) | 2019-08-16 | 2019-08-16 | 成膜装置及び成膜方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210047724A1 (ja) |
JP (1) | JP7238687B2 (ja) |
KR (1) | KR20210020804A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004285469A (ja) | 2003-01-31 | 2004-10-14 | Tokyo Electron Ltd | 載置台、処理装置及び処理方法 |
JP2009194099A (ja) | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2011026634A (ja) | 2009-07-22 | 2011-02-10 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2013520028A (ja) | 2010-02-17 | 2013-05-30 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 蒸着に対する反応部位の不活性化 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3678889A (en) * | 1970-02-06 | 1972-07-25 | Tokyo Shibaura Electric Co | Reflector assembly for reflecting the vapors of high temperature volatile materials |
US5221414A (en) * | 1991-07-16 | 1993-06-22 | Micron Technology, Inc. | Process and system for stabilizing layer deposition and etch rates while simultaneously maintaining cleanliness in a water processing reaction chamber |
JPH05283541A (ja) * | 1992-04-01 | 1993-10-29 | Sony Corp | 層間絶縁膜の形成方法 |
US5528451A (en) * | 1994-11-02 | 1996-06-18 | Applied Materials, Inc | Erosion resistant electrostatic chuck |
DE10131144B4 (de) * | 2001-06-28 | 2006-01-19 | Infineon Technologies Ag | Verstärkung von Resiststrukturen aus fluorierten Resistpolymeren durch strukturelles Aufwachsen der Strukturen mittels gezieltem chemischem Anbinden von fluorierten Oligomeren |
US6776851B1 (en) * | 2001-07-11 | 2004-08-17 | Lam Research Corporation | In-situ cleaning of a polymer coated plasma processing chamber |
WO2004001804A2 (en) * | 2002-06-19 | 2003-12-31 | Ziegler Byron J | Device for generation of reactive ions |
US20060063682A1 (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Platinum Research Organization Llc | Friction-induced in-situ formation of organo-fluorides |
US7494943B2 (en) * | 2005-10-20 | 2009-02-24 | Tokyo Electron Limited | Method for using film formation apparatus |
WO2011117945A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置及び電子デバイスの製造方法 |
US9887097B2 (en) * | 2014-12-04 | 2018-02-06 | Lam Research Corporation | Technique to deposit sidewall passivation for high aspect ratio cylinder etch |
US10695794B2 (en) * | 2015-10-09 | 2020-06-30 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
US10312055B2 (en) * | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US20190169444A1 (en) * | 2017-12-04 | 2019-06-06 | Applied Materials, Inc. | Anti-wetting coating |
US20210032750A1 (en) * | 2019-07-31 | 2021-02-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Deposition apparatus and method of forming metal oxide layer using the same |
-
2019
- 2019-08-16 JP JP2019149459A patent/JP7238687B2/ja active Active
-
2020
- 2020-08-11 KR KR1020200100446A patent/KR20210020804A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-08-13 US US16/992,550 patent/US20210047724A1/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004285469A (ja) | 2003-01-31 | 2004-10-14 | Tokyo Electron Ltd | 載置台、処理装置及び処理方法 |
JP2009194099A (ja) | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2011026634A (ja) | 2009-07-22 | 2011-02-10 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2013520028A (ja) | 2010-02-17 | 2013-05-30 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 蒸着に対する反応部位の不活性化 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210020804A (ko) | 2021-02-24 |
US20210047724A1 (en) | 2021-02-18 |
JP2021034417A (ja) | 2021-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI736840B (zh) | 基底處理方法 | |
JP7325417B2 (ja) | 半導体処理のためのチャンバ構成要素のエクスサイチュコーティング | |
TWI689613B (zh) | 用於具有可重複蝕刻與沉積率之增進效能之調節遠端電漿源的方法 | |
US9644266B2 (en) | Film forming apparatus, gas supply device and film forming method | |
US6925731B2 (en) | Thin film forming apparatus cleaning method | |
US10626496B2 (en) | Film forming apparatus, method of cleaning film forming apparatus, and storage medium | |
US9776202B2 (en) | Driving method of vertical heat treatment apparatus, storage medium and vertical heat treatment apparatus | |
US20050211167A1 (en) | Processing device and processing method | |
JP6242933B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
US10256107B2 (en) | Substrate processing method | |
JP2006190977A (ja) | 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体 | |
JP2004035971A (ja) | 薄膜製造装置 | |
KR20100029041A (ko) | 성막 방법 및 성막 장치 | |
US20180158671A1 (en) | Film forming apparatus and film forming method | |
JP6647260B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム | |
TW201939613A (zh) | 蝕刻方法及蝕刻裝置 | |
JP2024059868A (ja) | 準安定活性ラジカル種を使用する原子層処置プロセス | |
US7520937B2 (en) | Thin film forming apparatus and method of cleaning the same | |
JP7238687B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
US20200234974A1 (en) | Etching Method and Etching Apparatus | |
JP2011058031A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
TW202334492A (zh) | 用於化學氣相沈積的裝置、方法以及噴淋頭 | |
KR20230029414A (ko) | Ale용 배치-타입 장치, 및 그 장치에 기반한 ale 방법과 반도체 소자 제조방법 | |
JP2020033625A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
US20230008131A1 (en) | Chemical vapor deposition furnace with a cleaning gas system to provide a cleaning gas |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230131 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7238687 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |