JP7228413B2 - プラズマ処理方法、及び、プラズマ処理装置 - Google Patents

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Description

本開示の例示的実施形態は、プラズマ処理方法、及び、プラズマ処理装置に関する。
プラズマ処理装置を用いて多層膜をエッチングする場合、多層膜に含まれる酸化層に深さの異なる複数のホールを形成する場合がある。特許文献１に開示されているプラズマ処理方法は、多層膜に深さの異なる複数のホールを形成する方法である。多層膜は、酸化層、複数のエッチングストップ層、及び、マスク層を有する。エッチングストップ層は、タングステンからなる。この方法は、処理容器に処理ガスを供給し、プラズマを発生させて、酸化層の上面から複数のエッチングストップ層に至るまでエッチングする。このエッチングによって、酸化層に深さの異なる複数のホールを同時に形成する。処理ガスは、フルオロカーボン系ガス、希ガス、酸素及び窒素を含む。
特開２０１４－９００２２号公報
本開示は、長さの異なる複数のホールを良好に並行して形成し得る技術を提供する。
例示的実施形態において、被加工物を処理するプラズマ処理方法が提供される。被加工物は、第１の層と第２の層とを備える。第２の層は、複数の開口を備え、第１の層の上面に設けられる。開口は、上面を露出する。第１の層は、複数のエッチングストップ層を備える。第１の層内において複数のエッチングストップ層の各々から上面までの長さは、互いに異なる。第１の層の材料は、シリコン酸化物である。第２の層の材料は、炭素を含む。この方法は、被加工物が収容されたプラズマ処理装置のチャンバ内において処理シーケンスを繰り返し実行する。処理シーケンスは、第１のガスのプラズマを生成して、被加工物に対し、第２の層をマスクとして開口を介したエッチングを行う。処理シーケンスは、第１のガスのプラズマによるエッチングの後に、被加工物に対し、第２のガスのプラズマを生成してエッチングを行う。第１のガスは、炭素原子及びフッ素原子からなるガスを含む。第２のガスは、炭素原子、フッ素原子及び水素原子からなるガスを含む。第１のガスのプラズマを生成して行うエッチングにおいて、第１のガスのプラズマによって高次のフルオロカーボンが生成される。第２のガスのプラズマを生成して行うエッチングにおいて、第２のガスのプラズマによって低次のフルオロカーボン又は低次のハイドロフルオロカーボンが生成される。
一つの例示的実施形態によれば、長さの異なる複数のホールを良好に並行して形成し得る技術を提供できる。
例示的実施形態に係るプラズマ処理方法の一例を示すフローチャートである。 図１に示すプラズマ処理方法を実行し得るプラズマ処理装置の構成の一例を示す図である。 図１に示すプラズマ処理方法が行われる被加工物の構成の一例を示す図である。 図１に示すプラズマ処理方法によって図３に示す被加工物が加工されることによって得られる構成の一例である。 図１に示すプラズマ処理方法によって図４に示す構成の被加工物が更に加工されることによって得られる構成の一例である。 図３に示す被加工物が図１に示すプラズマ処理方法が施されることによって得られる構成の一例を示す図である。
以下、種々の例示的実施形態について説明する。例示的実施形態において、被加工物を処理するプラズマ処理方法が提供される。被加工物は、第１の層と第２の層とを備える。第２の層は、複数の開口を備え、第１の層の上面に設けられる。開口は、上面を露出する。第１の層は、複数のエッチングストップ層を備える。第１の層内において複数のエッチングストップ層の各々から上面までの長さは、互いに異なる。第１の層の材料は、シリコン酸化物である。第２の層の材料は、炭素を含む。この方法は、被加工物が収容されたプラズマ処理装置のチャンバ内において処理シーケンスを繰り返し実行する。処理シーケンスは、第１のガスのプラズマを生成して、被加工物に対し、第２の層をマスクとして開口を介したエッチングを行う（工程Ａという場合がある）。処理シーケンスは、第１のガスのプラズマによるエッチングの後に、被加工物に対し、第２のガスのプラズマを生成してエッチングを行う（工程Ｂという場合がある）。第１のガスは、炭素原子及びフッ素原子からなるガスを含む。第２のガスは、炭素原子、フッ素原子及び水素原子からなるガスを含む。第１のガスのプラズマを生成して行うエッチングにおいて、第１のガスのプラズマによって高次のフルオロカーボンが生成される。第２のガスのプラズマを生成して行うエッチングにおいて、第２のガスのプラズマによって低次のフルオロカーボン又は低次のハイドロフルオロカーボンが生成される。
工程Ａでは、第１のガスのプラズマを用いたエッチングによって、第２の層の開口を介した第１の層に対するエッチングが進行し得る。
しかしながら、工程Ａでは、第１のガスのプラズマによって高次のフルオロカーボンが生成され得る。高次のフルオロカーボンは、高付着係数を有するポリマー（以下、第１ポリマーと総称する場合がある）である。工程Ａにおいて、このような第１ポリマーは、第２の層上に、及び、工程Ａの実行によって形成されるホールの側面に付着するが、ホールの底の方には到達し難い。従って、工程Ａが継続される場合、第２の層の上面に及び開口の側面に第１ポリマーが付着し続けて開口が閉塞し、第１の層に対するエッチングが困難になり得る。
また、第１ポリマーはホールの底まで到達し難く、工程Ａのエッチングにおいてエッチングストップ層に対する選択比は比較的に低い。このため、エッチングストップ層がホールを介して露出されている場合に、当該エッチングストップ層が第１ポリマーによって保護されず、当該エッチングストップ層がエッチングされる場合があり得る。
特に、当該方法は、第１の層の上面からエッチングストップ層に至るまでの長さが互いに異なる複数のホールの形成を、順次にではなく、並行して行う。このため、工程Ａのエッチングによって、比較的に短い長さのホールにおいてエッチングストップ層が過度にエッチングされる場合があり得る。
工程Ａに引き続いて行われる工程Ｂでは、第２のガスのプラズマによって低次のフルオロカーボン又は低次のハイドロフルオロカーボンが生成される。低次のフルオロカーボン、低次のハイドロフルオロカーボンは、低付着率係数を有するポリマー（以下、第２ポリマーと総称する場合がある）である。工程Ｂにおいて、このような第２ポリマーは、第２の層上に、及び、工程Ａによって形成されるホールの側面に付着し難いが、ホールの底の方には到達し易い。一方、このような第２ポリマーは、ホールを介してエッチングストップ層が露出されている場合に、当該ホールを介して、エッチングストップ層上に、付着し得る。
このように、第２ポリマーは、ホールの底まで到達し易い。従って、エッチングストップ層がホールを介して露出されている場合、第２ポリマーが当該エッチングストップ層（ホールの底）に堆積し、堆積した第２ポリマーによって当該エッチングストップ層が保護され得る。
上記したように、工程Ａにおいて行われるエッチングでは、エッチングストップ層に対する選択比は比較的に低い。更に、工程Ａにおいて行われるエッチングでは、第２の層（マスク）の開口に閉塞が発生してエッチングの継続が困難になる場合があり得る。これに対し、工程Ａの好適な実行の後に工程Ｂを実行することによって、工程Ａにおいて閉塞されつつある第２の層の開口が広がり得る。更に、工程Ｂの実行によって、エッチングストップ層が工程Ａによって形成されたホールを介して露出されている場合に、当該エッチングストップ層上に保護膜（第２ポリマー）が形成され得る。このため、工程Ｂの後に実行される工程Ａの開始時には、第２の層の開口が既に広げられている。更にこの時、工程Ａのエッチングにおいてエッチングストップ層がホールを介して露出されている場合に、当該エッチングストップ層上には保護膜（第２ポリマー）が既に形成されている。従って、工程Ｂの後に実行される工程Ａによって、第２の層の開口における閉塞が回避されつつ、エッチングストップ層に対する過度なエッチングが保護膜（第２ポリマー）によって抑制され得る。
更に、当該方法は、上記した処理シーケンスを繰り返し実行することができる。従って、当該方法の実行によって、長さの異なる複数のホールの形成が、順次にではなく、並行して行える。この場合、第１の層の上面からの長さが最も長いホールが形成されるまでの間において、開口の閉塞の回避と、比較的に短い長さのホールにおけるエッチングストップ層に対する過度なエッチングの抑制とが実現され得る。
例示的実施形態に係るプラズマ処理方法において、第１のガスは、Ｃ４Ｆ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガスのうち、少なくとも一のガスを含み得る。
例示的実施形態に係るプラズマ処理方法において、第２のガスは、ＣＨＦ３ガス、ＣＨ２Ｆ２ガス、ＣＨ３Ｆガスのうち、少なくとも一のガスを含み得る。
例示的実施形態に係るプラズマ処理方法において、第２のガスは、ＣＯガス、ＣＯ２ガス、Ｏ２ガス、Ｎ２ガス、Ｈ２ガスのうち、少なくとも一のガスを更に含み得る。
例示的実施形態に係るプラズマ処理方法において、エッチングストップ層の材料はタングステンであり得る。
例示的実施形態に係るプラズマ処理方法では、第１のガスのプラズマを生成して行うエッチングにおいて、主に第２の層上に、高次のフルオロカーボンが付着する。第２のガスのプラズマを生成して行うエッチングにおいて、処理シーケンスの実行によって形成されるホールを介して、エッチングストップ層上に、低次のフルオロカーボン又は低次のハイドロフルオロカーボンが付着する。
例示的実施形態において、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバと、載置台と、ガス供給系と、高周波電源と、制御部とを備える。載置台は、チャンバ内に設けられる。ガス供給系は、チャンバ内に、第１のガス、第２のガスを供給するように設けられる。高周波電源は、第１のガス、第２のガスを励起させるために高周波電力を供給するように設けられる。制御部は、ガス供給系及び高周波電源を制御するように設けられる。制御部は、第１のガスのプラズマ及び第２のガスのプラズマを生成して載置台上に載置され第１の層及び第２の層を備える被加工物をエッチングするために、処理シーケンスを繰り返し実行するようにガス供給系及び高周波電源を制御する。第２の層は、複数の開口を備え、第１の層の上面に設けられる。開口は、上面を露出する。第１の層は、複数のエッチングストップ層を備える。第１の層内において複数のエッチングストップ層の各々から上面までの長さは、互いに異なる。第１の層の材料は、シリコン酸化物である。第２の層の材料は、炭素を含む。処理シーケンスは、第１のガスのプラズマを生成して、被加工物に対し、第２の層をマスクとして開口を介したエッチングを行う。処理シーケンスは、第１のガスのプラズマによるエッチングの後に、被加工物に対し、第２のガスのプラズマを生成してエッチングを行う。第１のガスは、炭素原子及びフッ素原子からなるガスを含む。第２のガスは、炭素原子、フッ素原子及び水素原子からなるガスを含む。第１のガスのプラズマを生成して行うエッチングにおいて、第１のガスのプラズマによって高次のフルオロカーボンが生成される。第２のガスのプラズマを生成して行うエッチングにおいて、第２のガスのプラズマによって低次のフルオロカーボン又は低次のハイドロフルオロカーボンが生成される。
例示的実施形態に係るプラズマ処理装置において、第１のガスは、Ｃ４Ｆ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガスのうち、少なくとも一のガスを含み得る。
例示的実施形態に係るプラズマ処理装置において、第２のガスは、ＣＨＦ３ガス、ＣＨ２Ｆ２ガス、ＣＨ３Ｆガスのうち、少なくとも一のガスを含み得る。
例示的実施形態に係るプラズマ処理装置において、第２のガスは、ＣＯガス、ＣＯ２ガス、Ｏ２ガス、Ｎ２ガス、Ｈ２ガスのうち、少なくとも一のガスを更に含み得る。
例示的実施形態に係るプラズマ処理装置では、第１のガスのプラズマを生成して行うエッチングにおいて、主に第２の層上に、高次のフルオロカーボンが付着する。第２のガスのプラズマを生成して行うエッチングにおいて、処理シーケンスの実行によって形成されるホールを介して、エッチングストップ層上に、低次のフルオロカーボン又は低次のハイドロフルオロカーボンが付着する。
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
図１は、例示的実施形態に係るプラズマ処理方法（以下、方法ＭＴという）を示すフローチャートである。図１に示す方法ＭＴは、例えば図２に示すプラズマ処理装置１０を用いて実行され得る。まず、図２を参照してプラズマ処理装置１０の構成を説明する。
図２は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を示す図である。図２に示すプラズマ処理装置１０は、容量結合型平行平板プラズマエッチング装置であり、略円筒状のチャンバ１２を備えている。チャンバ１２は、例えば、陽極酸化処理されたアルミニウムの表面を有する。チャンバ１２は、保安接地されている。
プラズマ処理装置１０は、チャンバ１２、接地導体１２ａ、排気口１２ｅ、搬入出口１２ｇ、支持部１４、載置台１６、静電チャック１８、電極２０、直流電源２２を備える。プラズマ処理装置１０は、更に、冷媒室２４、配管２６ａ、配管２６ｂ、ガス供給ライン２８、上部電極３０、絶縁性遮蔽部材３２、電極板３４、ガス吐出孔３４ａ、電極支持体３６を備える。
プラズマ処理装置１０は、ガス拡散室３６ａ、ガス通流孔３６ｂ、ガス導入口３６ｃ、ガス供給管３８、ガス供給系４０、スプリッタ４３、デポシールド４６、排気プレート４８、排気装置５０、排気管５２、ゲートバルブ５４を備える。
プラズマ処理装置１０は、更に、導電性部材５６、給電棒５８、棒状導電部材５８ａ、筒状導電部材５８ｂ、絶縁部材５８ｃ、直流電源６０、第１の高周波電源６２、第２の高周波電源６４、整合器７０、整合器７１を備える。プラズマ処理装置１０は、更に、制御部Ｃｎｔ、フォーカスリングＦＲ、処理空間Ｓを備える。
支持部１４は、チャンバ１２の底部上に配置されている。支持部１４は、円筒状の形状を有し得る。支持部１４の材料は、絶縁材料であり得る。支持部１４は、載置台１６を支持している。
載置台１６は、チャンバ１２内に設けられている。載置台１６の材料は、アルミニウム等の金属であり得る。載置台１６は、チャンバ１２内に設けられている。載置台１６は、一実施形態においては、下部電極を構成している。
静電チャック１８は、載置台１６の上面に設けられている。静電チャック１８は、載置台１６と共に、一実施形態の載置台を構成している。静電チャック１８は、一対の絶縁層の間又は一対の絶縁シートの間に電極２０が配置された構造を有している。
電極２０は、導電膜であり得る。電極２０には、直流電源２２が電気的に接続されている。静電チャック１８は、直流電源２２からの直流電圧により生じた静電気力によって、被加工物（例えば図３に示す被加工物Ｗであり、以下同様）を吸着保持し得る。
フォーカスリングＦＲは、載置台１６の上面であって静電チャック１８の周囲に配置されている。フォーカスリングＦＲは、エッチングの均一性を向上させるために設けられ得る。フォーカスリングＦＲの材料は、例えば、シリコン又は石英であり得る。
冷媒室２４は、載置台１６の内部に設けられている。冷媒室２４には、外部に設けられたチラーユニットから配管２６ａ及び配管２６ｂを介して、所定温度の冷媒、例えば冷却水が、循環供給される。このように循環される冷媒の温度を制御することによって、静電チャック１８上に載置された被加工物の温度が制御され得る。
ガス供給ライン２８は、伝熱ガス供給機構（図示略）からの伝熱ガス、例えばＨｅガスを、静電チャック１８の上面と被加工物の裏面との間に供給する。
上部電極３０は、チャンバ１２内に設けられている。上部電極３０は、下部電極である載置台１６の上方において、載置台１６と対向配置されている。載置台１６と上部電極３０とは、互いに略平行に設けられている。上部電極３０と下部電極との間には、被加工物にプラズマエッチングを行うための処理空間Ｓが画成されている。
上部電極３０は、絶縁性遮蔽部材３２を介して、チャンバ１２の上部に支持されている。上部電極３０は、電極板３４及び電極支持体３６を含み得る。電極板３４は、処理空間Ｓに面しており、複数のガス吐出孔３４ａを画成している。電極板３４の材料は、ジュール熱の少ない低抵抗の導電体又は半導体であり得る。
電極支持体３６は、電極板３４を着脱自在に支持する。電極支持体３６の材料は、アルミニウム等の導電性材料であり得る。電極支持体３６は、水冷構造を有し得る。
ガス拡散室３６ａは、電極支持体３６の内部に設けられている。ガス拡散室３６ａは、複数のガス通流孔３６ｂ及び複数のガス吐出孔３４ａを介して、処理空間Ｓに連通している。
複数のガス通流孔３６ｂの各々は、複数のガス吐出孔３４ａの各々に連通している。複数のガス通流孔３６ｂは、電極支持体３６に設けられている。複数のガス吐出孔３４ａは、電極板３４に設けられている。
ガス導入口３６ｃは、ガス供給管３８に接続されている。ガス導入口３６ｃは、電極支持体３６に設けられている。ガス導入口３６ｃは、ガス拡散室３６ａに、ガス供給系４０から出力される各種ガスを導き得る。
ガス供給系４０は、チャンバ１２内に、図１に示す方法ＭＴの実行に用いられる第１のガス、第２のガスを供給するように設けられている。ガス供給系４０は、スプリッタ４３を介して、ガス供給管３８に接続されている。
第１のガスは、炭素原子及びフッ素原子からなるガスを含む。第１のガスは、例えば、Ｃ４Ｆ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガスのうち、少なくとも一のガスを含み得る。
第２のガスは、炭素原子、フッ素原子及び水素原子からなるガスを含む。第２のガスは、例えば、ＣＨＦ３ガス、ＣＨ２Ｆ２ガス、ＣＨ３Ｆガスのうち、少なくとも一のガスを含み得る。
第２のガスは、例えば、ＣＯガス、ＣＯ２ガス、Ｏ２ガス、Ｎ２ガス、Ｈ２ガスのうち、少なくとも一のガスを更に含み得る。
接地導体１２ａは、略円筒状の接地導体である。接地導体１２ａは、チャンバ１２の側壁から上部電極３０の高さ位置よりも上方に延びるように設けられている。
デポシールド４６は、チャンバ１２の内壁に沿って着脱自在に設けられている。デポシールド４６は、支持部１４の外周にも設けられている。デポシールド４６は、チャンバ１２にエッチングの副生成物（デポ）が付着することを防止し得る。デポシールド４６は、例えば、アルミニウム材にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆することによって設けられ得る。
排気プレート４８は、チャンバ１２の底部側において、支持部１４とチャンバ１２の内壁との間に設けられている。排気プレート４８は、例えば、アルミニウム材にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆することによって設けられ得る。
排気口１２ｅは、チャンバ１２内において排気プレート４８の下方に設けられている。排気口１２ｅは、排気管５２を介して排気装置５０に接続されている。
排気装置５０は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、チャンバ１２内を所望の真空度まで減圧することができる。
搬入出口１２ｇは、被加工物の搬入口である。搬入出口１２ｇは、チャンバ１２の側壁には設けられている。搬入出口１２ｇは、ゲートバルブ５４によって開閉可能である。
導電性部材５６は、チャンバ１２の内壁に設けられている。導電性部材５６は、高さ方向において被加工物と略同じ高さに位置するように、チャンバ１２の内壁に取り付けられている。導電性部材５６は、グランドにＤＣ的に接続されており、異常放電防止効果を発揮する。
導電性部材５６はプラズマ生成領域に設けられていればよく、導電性部材５６の設置位置は図２に示す位置に限られない。例えば、導電性部材５６は、載置台１６の周囲に設けられる等、載置台１６側に設けられてもよい。また、導電性部材５６は、上部電極３０の外側にリング状に設けられる等、上部電極３０の近傍に設けられてもよい。
給電棒５８は、下部電極を構成する載置台１６に高周波電力を供給する。給電棒５８は、同軸二重管構造を有している。給電棒５８は、棒状導電部材５８ａ及び筒状導電部材５８ｂを含む。
棒状導電部材５８ａは、チャンバ１２外からチャンバ１２の底部を通ってチャンバ１２内まで略鉛直方向に延在している。棒状導電部材５８ａの上端は、載置台１６に接続されている。
筒状導電部材５８ｂは、棒状導電部材５８ａの周囲を囲むように棒状導電部材５８ａと同軸に設けられている。筒状導電部材５８ｂは、チャンバ１２の底部に支持されている。棒状導電部材５８ａ及び筒状導電部材５８ｂの間に略環状の２枚の絶縁部材５８ｃが配置されている。従って、棒状導電部材５８ａと筒状導電部材５８ｂとは、電気的に絶縁されている。
整合器７０、整合器７１の各々は、棒状導電部材５８ａの下端及び筒状導電部材５８ｂの下端が接続されている。整合器７０は、第１の高周波電源６２に接続されている。整合器７１は、第２の高周波電源６４に接続されている。
第１の高周波電源６２は、第１のガス、第２のガスを励起させるために高周波電力を供給するように設けられている。第１の高周波電源６２は、プラズマ生成用の第１の高周波電力を発生する電源である。第１の高周波電力の周波数は、27 ～ 100 MHz の範囲内の周波数であり、一例においては 100 MHz であり得る。
第２の高周波電源６４は、載置台１６に高周波バイアスを印加し被加工物にイオンを引き込むための第２の高周波電力を発生する。第２の高周波電力の周波数は、400 kHz ～13.56 MHz の範囲内の周波数であり、一例においては 3 MHz であり得る。
直流電源６０は、整合器７０を介して、上部電極３０に接続されている。直流電源６０は、負の直流電圧を上部電極３０に印加する。上記構成によって、下部電極を構成する載置台１６に二つの異なる高周波電力が供給され、上部電極３０に直流電圧が印可され得る。
制御部Ｃｎｔは、プロセッサ、記憶部、入力装置、表示装置等を備えるコンピュータである。制御部Ｃｎｔは、プラズマ処理装置１０の各部、例えば電源系、ガス供給系、駆動系、及び電源系等を、制御する。制御部Ｃｎｔは、特に、ガス供給系４０と、第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４とを制御し得る。
制御部Ｃｎｔの記憶部は、例えば、プラズマ処理装置１０で実行される各種の処理をプロセッサによって実行するための制御プログラムを格納する。プロセッサによって実行され得る制御プログラムは、処理条件に応じてプラズマ処理装置１０の各構成部に処理を実行させるためのコンピュータプログラム、即ち、処理レシピを含む。
制御部Ｃｎｔの記憶部に格納された制御プログラムは、特に、図１に示す方法ＭＴのフローチャートの処理を実行するコンピュータプログラムを含み得る。制御部Ｃｎｔは、ガス供給系４０から供給される第１のガス及び第２のガスの各々のプラズマを生成して載置台１６上に載置された被加工物をエッチングするために、上記制御プログラムを実行する。制御部Ｃｎｔは、図１に示す方法ＭＴの処理シーケンスＳＱを繰り返し実行するようにガス供給系４０及び第１の高周波電源６２を制御する。
プラズマ処理装置１０を用いてエッチング処理を行う場合、静電チャック１８上に被加工物が載置される。排気装置５０によってチャンバ１２内を排気しつつ、ガス供給系４０からの各種ガスを所定の流量でチャンバ１２内に供給し、チャンバ１２内の圧力を、例えば、0.1～50［Pa］の範囲内に設定する。
第１の高周波電源６２によって第１の高周波電力が下部電極に供給され、第２の高周波電源６４によって第２の高周波電力が下部電極に供給される。直流電源６０によって第１の直流電圧が上部電極３０に供給される。これにより、上部電極３０と下部電極との間に高周波電界が形成され、処理空間Ｓに供給された各種のガスのプラズマが生成され得る。プラズマ中の各種イオン及びラジカル等によって被加工物がエッチングされ得る。
図１に示す方法ＭＴは、例えば図３に示す構成の被加工物Ｗをエッチングする方法であり得る。被加工物Ｗは、第１の層ＬＹ１と第２の層ＬＹ２とを備える。第１の層ＬＹ１は、複数のエッチングストップ層（エッチングストップ層ＭＬ１～ＭＬ４等）を備える。
エッチングストップ層ＭＬ４の上にエッチングストップ層ＭＬ３が設けられている。エッチングストップ層ＭＬ３の上にエッチングストップ層ＭＬ２が設けられている。エッチングストップ層ＭＬ２の上にエッチングストップ層ＭＬ１が設けられている。エッチングストップ層ＭＬ１の上に、上面ＳＦが設けられている。例えば、エッチングストップ層ＭＬ１～ＭＬ４の膜厚は、30 nm ～ 80 nm である。
第１の層ＬＹ１内において複数のエッチングストップ層（エッチングストップ層ＭＬ１～ＭＬ４等）の各々から上面ＳＦまでの長さは、互いに異なる。一実施形態において、エッチングストップ層ＭＬ１から上面ＳＦまでの長さＬ１は、エッチングストップ層ＭＬ２から上面ＳＦまでの長さＬ２よりも短い。長さＬ２は、エッチングストップ層ＭＬ３から上面ＳＦまでの長さＬ３よりも短い。長さＬ３は、エッチングストップ層ＭＬ４から上面ＳＦまでの長さＬ４よりも短い。例えば、長さＬ１は、500 nm ～ 1000 nm であり、長さＬ４は、7500 nm ～ 8000 nm である。
このように、方法ＭＴは、図３～図６に示す被加工物Ｗのように、上面ＳＦからエッチングストップ層（エッチングストップ層ＭＬ１等）に至るまでの長さが互いに異なる複数のホール（孔）（ホールＨＬ１～ＨＬ４等）の形成を、順次にではなく並行して行う。
第２の層ＬＹ２は、第１の層ＬＹ１の上面ＳＦに設けられている。第２の層ＬＹ２は、複数の開口（開口ＯＰ１～ＯＰ４等）を備える。複数の開口（開口ＯＰ１～ＯＰ４等）は、上面ＳＦを露出する。例えば、開口ＯＰ１～ＯＰ４の直径は、120 nm ～ 140 nm である。
一実施形態では、第１の層ＬＹ１内の複数のエッチングストップ層（エッチングストップ層ＭＬ１～ＭＬ４等）の積層方向ＤＬにおいて、開口ＯＰ１はエッチングストップ層ＭＬ１とオーバーラップしている。開口ＯＰ２は、積層方向ＤＬにおいて、エッチングストップ層ＭＬ２とオーバーラップしている。開口ＯＰ３は、積層方向ＤＬにおいて、エッチングストップ層ＭＬ３とオーバーラップしている。開口ＯＰ４は、積層方向ＤＬにおいて、エッチングストップ層ＭＬ４とオーバーラップしている。
第１の層ＬＹ１の材料は、シリコン酸化物である。第１の層ＬＹ１の材料は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）であり得る。第２の層ＬＹ２の材料は、炭素を含み得る。第２の層ＬＹ２は、例えば、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法によって形成された炭素層であり得る。エッチングストップ層ＭＬ１～ＭＬ４の材料は、タングステンであり得る。
一実施形態において、被加工物Ｗは、更に、第３の層ＬＹ３を備える。第３の層ＬＹ３の上に、第１の層ＬＹ１が設けられている。より具体的に、第３の層ＬＹ３の上に、エッチングストップ層ＭＬ４が設けられている。
図１に戻って、方法ＭＴについて説明する。方法ＭＴは、被加工物を処理するプラズマ処理方法の一つの例示的実施形態である。方法ＭＴは、より具体的に、第１のガスのプラズマ及び第２のガスのプラズマを生成して載置台１６上に載置された被加工物Ｗをエッチングする方法である。方法ＭＴは、図３～図６に示す被加工物Ｗのように、上面ＳＦからエッチングストップ層（エッチングストップ層ＭＬ１～ＭＬ４等）に至るまでの長さが互いに異なる複数のホール（ホールＨＬ１～ＨＬ４等）の形成を、順次にではなく、並行して行う。
方法ＭＴは、処理シーケンスＳＱを備える。処理シーケンスＳＱは、工程ＳＴ１及び工程ＳＴ２を備える。工程ＳＴ２は、工程ＳＴ１に引き続いて実行される。複数のホール（ホールＨＬ１～ＨＬ４等）は、処理シーケンスＳＱの実行によって形成される。
方法ＭＴは、更に、工程ＳＴ３を備える。工程ＳＴ３は、処理シーケンスＳＱに引き続いて実行される。
方法ＭＴは、図３に示す被加工物Ｗが収容され、載置台１６に載置されたプラズマ処理装置１０のチャンバ１２内において、処理シーケンスＳＱを繰り返し（より具体的に予め設定された回数だけ）実行する。方法ＭＴは、制御部Ｃｎｔの制御によって実行され得る。制御部Ｃｎｔは、方法ＭＴによるエッチングの実行時には、特にガス供給系４０及び第１の高周波電源６２を制御する。
処理シーケンスＳＱにおいて、工程ＳＴ１は、第１のガスのプラズマを生成して、被加工物Ｗに対し、第２の層ＬＹ２をマスクとして第２の層ＬＹ２の開口（開口ＯＰ１等）を介したエッチングを行う。第１のガスのプラズマを用いた工程ＳＴ１のエッチングによって、第２の層ＬＹ２の複数の開口（開口ＯＰ１～ＯＰ４等）を介した第１の層ＬＹ１に対するエッチングが進行し得る。
このように、工程ＳＴ１では、第１のガスのプラズマによって第１の層ＬＹ１に対するエッチングが進行する。しかしながら、工程ＳＴ１では、第１のガスのプラズマによって高次のフルオロカーボンが生成され得る。高次のフルオロカーボンは、主にＣｘＦｙ（ｘは２以上）の第１ポリマーであり、高付着係数を有する。工程ＳＴ１において、このような第１ポリマーは、主に第２の層ＬＹ２上に付着し、更に工程ＳＴ１によって形成され図６に示すホールＨＬ１等のホールの側面にも付着し得る。図４に示すように、このような第１ポリマーの付着によって、主に第２の層ＬＹ２上に、更にホールＨＬ１等のホールの側面（特に開口ＯＰ１等にある当該側面の上部）にも、第１ポリマーの堆積膜ＤＰ１が形成される。また、第１ポリマーは、ホールＨＬ１等のホールの底の方には到達し難い。
従って、工程ＳＴ１が比較的に長い時間に亘って継続される場合、第２の層ＬＹ２の上面に及びホールＨＬ１等のホールの側面（特に開口ＯＰ１等にある当該側面の上部）に第１ポリマーが付着し続けて堆積膜ＤＰ１の膜厚が増加し続け得る。この場合、特に開口ＯＰ１等の開口が堆積膜ＤＰ１によって閉塞して第１の層ＬＹ１に対するエッチングが困難になり得る。工程ＳＴ１は、工程ＳＴ１のエッチングによって形成されるホールＨＬ１等のホールの開口が堆積膜ＤＰ１によって閉塞されない適切な時間継続され得る。
また、第１ポリマーはホールＨＬ１等のホールの底まで到達し難く、工程ＳＴ１のエッチングにおいてエッチングストップ層ＭＬ１等のエッチングストップ層に対する選択比は比較的に低い。このため、エッチングストップ層ＭＬ１等のエッチングストップ層がホールＨＬ１等のホールを介して露出されている場合に、当該エッチングストップ層が第１ポリマーによって保護されず、当該エッチングストップ層がエッチングされる場合があり得る。
特に、方法ＭＴは、上面ＳＦからエッチングストップ層ＭＬ１等のエッチングストップ層に至るまでの長さが互いに異なる複数のホール（ホールＨＬ１等に対応）の形成を、順次にではなく、並行して行う。このため、工程ＳＴ１のエッチングによって、比較的に短い長さのホール（ホールＨＬ１等に対応）においてエッチングストップ層ＭＬ１等のエッチングストップ層が過度にエッチングされる場合があり得る。
工程ＳＴ１において用いられる第１の高周波電源６２によるプラズマ生成用の高周波電力は、例えば、300 W ～ 1000 W であり得る。なお、高周波電力が 1000 W より大きい場合には、第２の層ＬＹ２の上部及び側壁とホールＨＬ１等のホールの側壁及び底部との全てに亘って堆積膜ＤＰ１が形成されるので、エッチングが困難になり得る。
工程ＳＴ１に引き続く工程ＳＴ２は、工程ＳＴ１において形成された第１ポリマーを除去するために、更に工程ＳＴ１におけるエッチングストップ層に対する過度なエッチングを抑制するために、被加工物Ｗに対し第２のガスのプラズマを生成してエッチングを行う。
工程ＳＴ２では、第２のガスのプラズマによって、工程ＳＴ１において開口ＯＰ１等の開口等に形成された堆積膜ＤＰ１が除去されつつ低次のフルオロカーボン又は低次のハイドロフルオロカーボンが生成される。低次のフルオロカーボン、低次のハイドロフルオロカーボンは、主にＣＦ、ＣＦ２、ＣＦ３、ＣＨＦ、ＣＨＦ２の第２ポリマーであり、低付着率係数を有する。工程ＳＴ２において、このような第２ポリマーは、第２の層ＬＹ２上に、及び、工程ＳＴ１によって形成されるホールＨＬ１等のホールの側面には付着し難いが、ホールＨＬ１等のホールの底の方には到達し易い。このような第２ポリマーの付着によって、ホールＨＬ１等のホールの底部、及び、当該底部に続くホールＨＬ１等のホールの下部に、第２ポリマーの堆積膜ＤＰ２が形成される。
一方、このような第２ポリマーは、ホールＨＬ１等のホールを介してエッチングストップ層ＭＬ１等のエッチングストップ層が露出されている場合に、当該ホールを介して、エッチングストップ層ＭＬ１等のエッチングストップ層上に、付着し得る。この場合、第２ポリマーの堆積膜ＤＰ２は、ホールＨＬ１等のホールを介して、エッチングストップ層ＭＬ１等のエッチングストップ層上に形成される。
このように、第２ポリマーは、ホールＨＬ１等のホールの底まで到達し易い。従って、エッチングストップ層ＭＬ１等のエッチングストップ層がホールＨＬ１等のホールを介して露出されている場合、第２ポリマーが当該エッチングストップ層（ホールの底）に堆積して堆積膜ＤＰ２が形成される。堆積膜ＤＰ２によって当該エッチングストップ層が保護され得る。
更に、第２のガスにＣＯガス、ＣＯ２ガス、Ｏ２ガス、Ｎ２ガス、Ｈ２ガスのうち少なくとも一のガスが添加される場合には、ホールＨＬ１等のホールの開口の幅が調整し易くなり得る。
特に、第２のガスにＣＯガス、ＣＯ２ガスの少なくとも一のガスが添加される場合、ＣＯ，ＣＯ２が第２ポリマーのフッ素原子と結合することによってＣＯＦ２が生成され得る。この場合、第２ポリマー及び第１ポリマーにおいてフッ素原子がスカベンジ（scavenge）され、ホールＨＬ１等のホールの底に堆積する炭素原子が相対的に増加し得る。これにより、工程ＳＴ２の後に実行される第１工程において、エッチングストップ層ＭＬ１等のエッチングストップ層に対する過度なエッチングが効果的に抑制され得る。
工程ＳＴ１において行われるエッチングでは、エッチングストップ層ＭＬ１等のエッチングストップ層に対する選択比は比較的に低い。更に、工程ＳＴ１において行われるエッチングでは、第２の層ＬＹ２（マスク）の開口（開口ＯＰ１等）に閉塞が発生してエッチングの継続が困難になる場合があり得る。これに対し、上記したように、工程ＳＴ１の好適な実行の後に工程ＳＴ２を実行することによって、工程ＳＴ１において閉塞されつつある第２の層ＬＹ２の開口（開口ＯＰ１等）が広がり得る。更に、工程ＳＴ２の実行によって、エッチングストップ層ＭＬ１等のエッチングストップ層がホールＨＬ１等のホールを介して露出されている場合に、当該エッチングストップ層上に保護膜（第２ポリマー）が形成され得る。
このため、工程ＳＴ２の後に実行される工程ＳＴ１の開始時には、第２の層ＬＹ２の開口（開口ＯＰ１等）が既に広げられている。更にこの時、工程ＳＴ１のエッチングにおいてエッチングストップ層ＭＬ１等のエッチングストップ層がホールＨＬ１等のホールを介して露出されている場合に、当該エッチングストップ層上には保護膜（第２ポリマー）が既に形成されている。従って、工程ＳＴ２の後に実行される工程ＳＴ１によって、第２の層ＬＹ２の開口（開口ＯＰ１等）における閉塞が回避されつつ、エッチングストップ層ＭＬ１等のエッチングストップ層に対する過度なエッチングが保護膜（第２ポリマー）によって抑制され得る。
工程ＳＴ２の処理時間は、例えば、5 ～ 30 秒であり得るが、10 ～ 25 秒であることもでき得る。なお、工程ＳＴ２の処理時間が比較的に短い（例えば5 秒よりも短い）場合、堆積膜ＤＰ２は、図６に示すホールＨＬ１等のホールの底部に形成され難い。工程ＳＴ２の処理時間が比較的に長い（例えば 30 秒より長い）場合、堆積膜ＤＰ２の膜厚が過度に厚くなり得るので、後述の工程ＳＴ３を介して当該工程ＳＴ２の後に行われ得る工程ＳＴ１において、第１の層ＬＹ１のエッチングが困難になり得る。また、このように工程ＳＴ２の処理時間が比較的に長い場合には、開口ＯＰ１等の開口が過度に広がり得る。
工程ＳＴ２において用いられる第１の高周波電源６２によるプラズマ生成用の高周波電力は、例えば、2000 W 以上であり得る。なお、高周波電力が 2000 W 未満の場合には、エッチングストップ層が過度にエッチングされ得る。
更に、方法ＭＴでは、工程ＳＴ３の実行によって上記した処理シーケンスＳＱを予め設定された回数だけ繰り返し実行することができる。最初の処理シーケンスＳＱにおいて、工程ＳＴ１によって図３に示す構成の被加工物Ｗから図４に示す構成の被加工物Ｗが得られ、工程ＳＴ１に引き続く工程ＳＴ２によって図５に示す構成の被加工物Ｗが得られ得る。更に、複数回の処理シーケンスＳＱの実行によって、図６に示す構成の被加工物Ｗが得られ得る。従って、方法ＭＴの実行によって、長さの異なる複数のホール（ホールＨＬ１等に対応）の形成が、順次にではなく、並行して行える。この場合、上面ＳＦからの長さが最も長いホールＨＬ４が形成されるまでの間において、開口（開口ＯＰ１等）の閉塞の回避と、比較的に短い長さのホールにおけるエッチングストップ層に対する過度なエッチングの抑制とが実現され得る。なお、最初の処理シーケンスＳＱにおいて、工程ＳＴ１によって、図３に示す構成の被加工物Ｗから図４に示す構成の被加工物Ｗが形成される場合の様に開口ＯＰ１のホールＨＬ１がエッチングストップ層ＭＬ１上に到達している必要は必ずしも無い。また、開口ＯＰ２～ＯＰ４の各々のホールＨＬ１～ＨＬ４は、エッチングストップ層ＭＬ１の上面よりさらに深くエッチングされていてもよい。
上記したように処理シーケンスＳＱを予め設定された回数だけ繰り返し実行する方法ＭＴによって、図６に示すように、互いに長さの異なる複数のホール（ホールＨＬ１～ＨＬ４等）が第１の層ＬＹ１に良好に形成され得る。図６に示すように、方法ＭＴによって、ホールＨＬ１は、開口ＯＰ１を介して、エッチングストップ層ＭＬ１に至るまで、エッチングストップ層ＭＬ１に対する過度なエッチングが抑制されつつ、第１の層ＬＹ１に形成される。
ホールＨＬ２は、開口ＯＰ２を介して、エッチングストップ層ＭＬ２に至るまで、エッチングストップ層ＭＬ２に対する過度なエッチングが抑制されつつ、第１の層ＬＹ１に形成される。ホールＨＬ３は、開口ＯＰ３を介して、エッチングストップ層ＭＬ３に至るまで、エッチングストップ層ＭＬ３に対する過度なエッチングが抑制されつつ、第１の層ＬＹ１に形成される。ホールＨＬ４は、開口ＯＰ４を介して、エッチングストップ層ＭＬ４に至るまで、第１の層ＬＹ１に形成される。
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる例示的実施形態における要素を組み合わせて他の例示的実施形態を形成することが可能である。
以上の説明から、本開示の種々の例示的実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の例示的実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
１０…プラズマ処理装置、１２…チャンバ、１２ａ…接地導体、１２ｅ…排気口、１２ｇ…搬入出口、１４…支持部、１６…載置台、１８…静電チャック、２０…電極、２２…直流電源、２４…冷媒室、２６ａ…配管、２６ｂ…配管、２８…ガス供給ライン、３０…上部電極、３２…絶縁性遮蔽部材、３４…電極板、３４ａ…ガス吐出孔、３６…電極支持体、３６ａ…ガス拡散室、３６ｂ…ガス通流孔、３６ｃ…ガス導入口、３８…ガス供給管、４０…ガス供給系、４３…スプリッタ、４６…デポシールド、４８…排気プレート、５０…排気装置、５２…排気管、５４…ゲートバルブ、５６…導電性部材、５８…給電棒、５８ａ…棒状導電部材、５８ｂ…筒状導電部材、５８ｃ…絶縁部材、６０…直流電源、６２…第１の高周波電源、６４…第２の高周波電源、７０…整合器、７１…整合器、Ｃｎｔ…制御部、ＤＬ…積層方向、ＤＰ１…堆積膜、ＤＰ２…堆積膜、ＦＲ…フォーカスリング、ＨＬ１…ホール、ＨＬ２…ホール、ＨＬ３…ホール、ＨＬ４…ホール、Ｌ１…長さ、Ｌ２…長さ、Ｌ３…長さ、Ｌ４…長さ、ＬＹ１…第１の層、ＬＹ２…第２の層、ＬＹ３…第３の層、ＭＬ１…エッチングストップ層、ＭＬ２…エッチングストップ層、ＭＬ３…エッチングストップ層、ＭＬ４…エッチングストップ層、ＭＴ…方法、ＯＰ１…開口、ＯＰ２…開口、ＯＰ３…開口、ＯＰ４…開口、Ｓ…処理空間、ＳＦ…上面、ＳＱ…処理シーケンス、Ｗ…被加工物。

Claims (11)

  1. 被加工物を処理するプラズマ処理方法であって、
    前記被加工物は、第１の層と第２の層とを備え、
    前記第２の層は、複数の開口を備え、前記第１の層の上面に設けられ、
    前記開口は、前記上面を露出し、
    前記第１の層は、複数のエッチングストップ層を備え、
    前記第１の層内において複数の前記エッチングストップ層の各々から前記上面までの長さは、互いに異なり、
    前記第１の層の材料は、シリコン酸化物であり、
    前記第２の層の材料は、炭素を含み、
    当該方法は、前記被加工物が収容されたプラズマ処理装置のチャンバ内において処理シーケンスを繰り返し実行し、
    前記処理シーケンスは、
    第１のガスのプラズマを生成して、前記被加工物に対し、前記第２の層をマスクとして前記開口を介した第１のエッチングを行い、
    前記第１のガスのプラズマによる前記第１のエッチングの後に、前記被加工物に対し、第２のガスのプラズマを生成して第２のエッチングを行い、前記第１のエッチングにより前記開口の側面に付着したポリマーを除去し、前記第１のエッチングによって露出された前記エッチングストップ層上に保護膜を形成し、
    前記第１のガスは、炭素原子及びフッ素原子からなるガスを含み、
    前記第２のガスは、炭素原子、フッ素原子及び水素原子からなるガスを含み、
    前記第１のガスのプラズマを生成して行う前記第１のエッチングにおいて、該第１のガスのプラズマによって高次のフルオロカーボンが生成され、
    前記第２のガスのプラズマを生成して行う前記第２のエッチングにおいて、該第２のガスのプラズマによって低次のフルオロカーボン又は低次のハイドロフルオロカーボンが生成される、
    プラズマ処理方法。
  2. 前記第１のガスは、Ｃ４Ｆ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガスのうち、少なくとも一のガスを含む、
    請求項１に記載のプラズマ処理方法。
  3. 前記第２のガスは、ＣＨＦ３ガス、ＣＨ２Ｆ２ガス、ＣＨ３Ｆガスのうち、少なくとも一のガスを含む、
    請求項１又は２に記載のプラズマ処理方法。
  4. 前記第２のガスは、ＣＯガス、ＣＯ２ガス、Ｏ２ガス、Ｎ２ガス、Ｈ２ガスのうち、少なくとも一のガスを更に含む、
    請求項１～３の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
  5. 前記エッチングストップ層の材料は、タングステンである、
    請求項１～４の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
  6. 前記第１のガスのプラズマを生成して行う前記第１のエッチングにおいて、主に前記第２の層上に、前記高次のフルオロカーボンが付着し、
    前記第２のガスのプラズマを生成して行う前記第２のエッチングにおいて、前記処理シーケンスの実行によって形成されるホールを介して前記エッチングストップ層が露出されている場合に、該ホールを介して、前記エッチングストップ層上に、前記低次のフルオロカーボン又は前記低次のハイドロフルオロカーボンが付着する、
    請求項１～５の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
  7. チャンバと、
    前記チャンバ内に設けられた載置台と、
    前記チャンバ内に、第１のガス、第２のガスを供給するように設けられたガス供給系と、
    前記第１のガス、前記第２のガスを励起させるために高周波電力を供給するように設けられた高周波電源と、
    前記ガス供給系及び前記高周波電源を制御するように設けられた制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、
    前記第１のガスのプラズマ及び前記第２のガスのプラズマを生成して前記載置台上に載置され第１の層及び第２の層を備える被加工物をエッチングするために、処理シーケンスを繰り返し実行するように前記ガス供給系及び前記高周波電源を制御し、
    前記第２の層は、複数の開口を備え、前記第１の層の上面に設けられ、
    前記開口は、前記上面を露出し、
    前記第１の層は、複数のエッチングストップ層を備え、
    前記第１の層内において複数の前記エッチングストップ層の各々から前記上面までの長さは、互いに異なり、
    前記第１の層の材料は、シリコン酸化物であり、
    前記第２の層の材料は、炭素を含み、
    前記処理シーケンスは、
    第１のガスのプラズマを生成して、前記被加工物に対し、前記第２の層をマスクとして前記開口を介した第１のエッチングを行い、
    前記第１のガスのプラズマによる前記第１のエッチングの後に、前記被加工物に対し、第２のガスのプラズマを生成して第２のエッチングを行い、前記第１のエッチングにより前記開口の側面に付着したポリマーを除去し、前記第１のエッチングによって露出された前記エッチングストップ層上に保護膜を形成し、
    前記第１のガスは、炭素原子及びフッ素原子からなるガスを含み、
    前記第２のガスは、炭素原子、フッ素原子及び水素原子からなるガスを含み、
    前記第１のガスのプラズマを生成して行う前記第１のエッチングにおいて、該第１のガスのプラズマによって高次のフルオロカーボンが生成され、
    前記第２のガスのプラズマを生成して行う前記第２のエッチングにおいて、該第２のガスのプラズマによって低次のフルオロカーボン又は低次のハイドロフルオロカーボンが生成される、
    プラズマ処理装置。
  8. 前記第１のガスは、Ｃ４Ｆ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガスのうち、少なくとも一のガスを含む、
    請求項７に記載のプラズマ処理装置。
  9. 前記第２のガスは、ＣＨＦ３ガス、ＣＨ２Ｆ２ガス、ＣＨ３Ｆガスのうち、少なくとも一のガスを含む、
    請求項７又は８に記載のプラズマ処理装置。
  10. 前記第２のガスは、ＣＯガス、ＣＯ２ガス、Ｏ２ガス、Ｎ２ガス、Ｈ２ガスのうち、少なくとも一のガスを更に含む、
    請求項７～９の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
  11. 前記第１のガスのプラズマを生成して行う前記第１のエッチングにおいて、主に前記第２の層上に、前記高次のフルオロカーボンが付着し、
    前記第２のガスのプラズマを生成して行う前記第２のエッチングにおいて、前記処理シーケンスの実行によって形成されるホールを介して前記エッチングストップ層が露出されている場合に、該ホールを介して、前記エッチングストップ層上に、前記低次のフルオロカーボン又は前記低次のハイドロフルオロカーボンが付着する、
    請求項７～１０の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
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