JP7223521B2 - Rf環境内で加熱される構成要素のための高電力ケーブル - Google Patents
Rf環境内で加熱される構成要素のための高電力ケーブル Download PDFInfo
- Publication number
- JP7223521B2 JP7223521B2 JP2018138106A JP2018138106A JP7223521B2 JP 7223521 B2 JP7223521 B2 JP 7223521B2 JP 2018138106 A JP2018138106 A JP 2018138106A JP 2018138106 A JP2018138106 A JP 2018138106A JP 7223521 B2 JP7223521 B2 JP 7223521B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate support
- wires
- heating elements
- inductor
- edge ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 115
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 67
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 27
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 23
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 oxides Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B9/00—Power cables
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B9/00—Power cables
- H01B9/006—Constructional features relating to the conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32577—Electrical connecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Control Of Resistance Heating (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Communication Cables (AREA)
- Insertion, Bundling And Securing Of Wires For Electric Apparatuses (AREA)
- Supply And Distribution Of Alternating Current (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
本願は、2017年7月31日出願の米国仮出願第62/539,065号の利益を主張する。上記の出願の開示全体が、参照によって本明細書に組み込まれる。
[適用例1]基板支持体であって、
エッジリングと、
1または複数の加熱素子と、
電源から前記エッジリングならびに前記1または複数の加熱素子に電力を供給するよう構成されたケーブルと
を備え、
前記ケーブルは、
前記エッジリングに接続された第1の複数ワイヤと、
前記1または複数の加熱素子に接続された第2の複数ワイヤと、
フィルタモジュールであって、前記第1の複数ワイヤおよび前記第2の複数ワイヤが前記フィルタモジュール内で撚り合わせられているフィルタモジュールと、
前記第1の複数ワイヤに接続され、前記フィルタモジュールと前記エッジリングとの間に配置された分離装置であって、前記エッジリングならびに前記1または複数の加熱素子の動作中に発生した共振周波数を補償するよう構成された分離装置と
を備える基板支持体。
[適用例2]適用例1に記載の基板支持体であって、前記第2の複数ワイヤは、複数対のワイヤを備え、各対のワイヤは、前記1または複数の加熱素子の内のそれぞれの加熱素子に電力を供給するよう構成されている基板支持体。
[適用例3]適用例1に記載の基板支持体であって、前記第1の複数ワイヤは、前記エッジリングに電力を供給するよう構成された1対のワイヤを含む基板支持体。
[適用例4]適用例1に記載の基板支持体であって、さらに、セラミック層を備え、前記1または複数の加熱素子は、前記セラミック層内に配列されている基板支持体。
[適用例5]適用例1に記載の基板支持体であって、前記分離装置は、前記共振周波数を相殺することによって前記共振周波数を補償するよう構成されている基板支持体。
[適用例6]適用例1に記載の基板支持体であって、前記分離装置は、前記基板支持体に供給された高周波電力の1または複数の動作周波数に対して前記共振周波数をシフトさせることによって前記共振周波数を補償するよう構成されている基板支持体。
[適用例7]適用例1に記載の基板支持体であって、前記分離装置は、前記共振周波数に従って選択されたインピーダンスを有することによって前記共振周波数を補償するよう構成されている基板支持体。
[適用例8]適用例1に記載の基板支持体であって、前記分離装置は、インダクタを備える基板支持体。
[適用例9]適用例8に記載の基板支持体であって、前記インダクタは、空芯巻きされている基板支持体。
[適用例10]適用例8に記載の基板支持体であって、前記インダクタは、インダクタコアの周りに形成されている基板支持体。
[適用例11]適用例10に記載の基板支持体であって、前記インダクタコアは、誘電性コアである基板支持体。
[適用例12]適用例10に記載の基板支持体であって、前記インダクタコアは、導電性である基板支持体。
[適用例13]適用例12に記載の基板支持体であって、前記インダクタコアは、フェライトおよび鉄の一方である基板支持体。
[適用例14]適用例1に記載の基板支持体であって、前記分離装置は、トランスを備える基板支持体。
[適用例15]適用例1に記載の基板支持体であって、前記分離装置は、フェライトビーズおよびフェライトビーズ材料の少なくとも一方を含む基板支持体。
[適用例16]適用例1に記載の基板支持体であって、前記第1の複数ワイヤおよび前記第2の複数ワイヤは、前記フィルタモジュール内でインダクタを形成するように、撚り合わせられて巻回されている基板支持体。
[適用例17]基板支持体のためのケーブル・フィルタシステムであって、
前記基板支持体に電力を供給するための電源に接続するよう構成されたコネクタと、
前記基板支持体のエッジリングに電力を供給するよう構成された第1の複数ワイヤと、
前記基板支持体の1または複数の加熱素子に電力を供給するよう構成された第2の複数ワイヤと、
フィルタモジュールであって、前記第1の複数ワイヤおよび前記第2の複数ワイヤが前記フィルタモジュール内で撚り合わせられているフィルタモジュールと、
前記第1の複数ワイヤに接続され、前記フィルタモジュールの外部にある分離装置であって、前記エッジリングならびに前記1または複数の加熱素子の動作中に発生した共振周波数を補償するよう構成された分離装置と
を備えるケーブル・フィルタシステム。
[適用例18]適用例17に記載のケーブル・フィルタシステムであって、前記分離装置は、インダクタおよびトランスの少なくとも一方を備えるケーブル・フィルタシステム。
[適用例19]適用例17に記載のケーブル・フィルタシステムであって、前記第1の複数ワイヤおよび前記第2の複数ワイヤは、前記フィルタモジュール内でインダクタコアの周りに撚り合わせられているケーブル・フィルタシステム。
Claims (16)
- 基板支持体であって、
エッジリングと、
当該基板支持体のセラミック層内に設けられた1または複数の加熱素子と、
電源から前記エッジリングならびに前記1または複数の加熱素子に電力を供給するよう構成されたケーブルと
を備え、
前記ケーブルは、
前記エッジリングに接続され、前記エッジリングに電力を供給するよう構成された1対のワイヤを含む第1の複数ワイヤと、
前記セラミック層内の前記1または複数の加熱素子に接続された第2の複数ワイヤと、
フィルタモジュールであって、前記第1の複数ワイヤおよび前記第2の複数ワイヤが前記フィルタモジュール内で撚り合わせられているフィルタモジュールと、
インダクタを有し、前記第1の複数ワイヤに接続され、前記フィルタモジュールと前記エッジリングとの間に配置された分離装置であって、前記エッジリングならびに前記1または複数の加熱素子の動作中に発生した共振周波数を補償するよう構成された分離装置と
を備える基板支持体。 - 請求項1に記載の基板支持体であって、前記第2の複数ワイヤは、複数対のワイヤを備え、各対のワイヤは、前記1または複数の加熱素子の内のそれぞれの加熱素子に電力を供給するよう構成されている基板支持体。
- 請求項1に記載の基板支持体であって、前記分離装置は、前記共振周波数を相殺することによって前記共振周波数を補償するよう構成されている基板支持体。
- 請求項1に記載の基板支持体であって、前記分離装置は、前記基板支持体に供給された高周波電力の1または複数の動作周波数に対して前記共振周波数をシフトさせることによって前記共振周波数を補償するよう構成されている基板支持体。
- 請求項1に記載の基板支持体であって、前記分離装置は、前記共振周波数に従って選択されたインピーダンスを有することによって前記共振周波数を補償するよう構成されている基板支持体。
- 請求項1に記載の基板支持体であって、前記インダクタは、空芯巻きされている基板支持体。
- 請求項1に記載の基板支持体であって、前記インダクタは、インダクタコアの周りに形成されている基板支持体。
- 請求項7に記載の基板支持体であって、前記インダクタコアは、誘電性コアである基板支持体。
- 請求項7に記載の基板支持体であって、前記インダクタコアは、導電性である基板支持体。
- 請求項9に記載の基板支持体であって、前記インダクタコアは、フェライトおよび鉄の一方である基板支持体。
- 請求項1に記載の基板支持体であって、前記分離装置は、トランスを備える基板支持体。
- 請求項1に記載の基板支持体であって、前記分離装置は、フェライトビーズおよびフェライトビーズ材料の少なくとも一方を含む基板支持体。
- 請求項1に記載の基板支持体であって、前記第1の複数ワイヤおよび前記第2の複数ワイヤは、前記フィルタモジュール内でインダクタを形成するように、撚り合わせられて巻回されている基板支持体。
- 基板支持体のためのケーブル・フィルタシステムであって、
前記基板支持体に電力を供給するための電源に接続するよう構成されたコネクタと、
前記基板支持体のエッジリングに電力を供給するよう構成された第1の複数ワイヤと、
前記基板支持体のセラミック層内に設けられた1または複数の加熱素子に電力を供給するよう構成された第2の複数ワイヤと、
フィルタモジュールであって、前記第1の複数ワイヤおよび前記第2の複数ワイヤが前記フィルタモジュール内で撚り合わせられているフィルタモジュールと、
前記第1の複数ワイヤに接続され、前記フィルタモジュールの外部にある分離装置であって、前記エッジリングならびに前記1または複数の加熱素子の動作中に発生した共振周波数を補償するよう構成された分離装置と
を備えるケーブル・フィルタシステム。 - 請求項14に記載のケーブル・フィルタシステムであって、前記分離装置は、インダクタおよびトランスの少なくとも一方を備えるケーブル・フィルタシステム。
- 請求項15に記載のケーブル・フィルタシステムであって、前記第1の複数ワイヤおよび前記第2の複数ワイヤは、前記フィルタモジュール内でインダクタコアの周りに撚り合わせられているケーブル・フィルタシステム。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762539065P | 2017-07-31 | 2017-07-31 | |
US62/539,065 | 2017-07-31 | ||
US16/017,357 US11837446B2 (en) | 2017-07-31 | 2018-06-25 | High power cable for heated components in RF environment |
US16/017,357 | 2018-06-25 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019029346A JP2019029346A (ja) | 2019-02-21 |
JP2019029346A5 JP2019029346A5 (ja) | 2021-09-02 |
JP7223521B2 true JP7223521B2 (ja) | 2023-02-16 |
Family
ID=65138322
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018138106A Active JP7223521B2 (ja) | 2017-07-31 | 2018-07-24 | Rf環境内で加熱される構成要素のための高電力ケーブル |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11837446B2 (ja) |
JP (1) | JP7223521B2 (ja) |
KR (2) | KR102618643B1 (ja) |
CN (2) | CN117577501A (ja) |
TW (1) | TWI811228B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US12002653B2 (en) * | 2019-06-20 | 2024-06-04 | Lam Research Corporation | Systems and methods for compensating for RF power loss |
CN114761616A (zh) * | 2019-12-06 | 2022-07-15 | 朗姆研究公司 | 具有集成式rf滤波器的衬底支撑件 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006196640A (ja) | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2011135052A (ja) | 2009-11-24 | 2011-07-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2013104945A (ja) | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Toshiba Corp | フレキシブル光電配線モジュール |
JP2013175573A (ja) | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置台及びプラズマエッチング装置 |
JP2014075579A (ja) | 2012-09-12 | 2014-04-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2014229565A (ja) | 2013-05-24 | 2014-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びフィルタユニット |
JP2015173027A (ja) | 2014-03-11 | 2015-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2015220368A (ja) | 2014-05-19 | 2015-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | ヒータ給電機構 |
JP2016027601A (ja) | 2014-06-24 | 2016-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7777152B2 (en) * | 2006-06-13 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | High AC current high RF power AC-RF decoupling filter for plasma reactor heated electrostatic chuck |
TW200832901A (en) * | 2007-01-18 | 2008-08-01 | Asustek Comp Inc | Filter circuit for reducing EMI of differential signal |
CN102217054B (zh) * | 2008-11-25 | 2013-05-08 | 京瓷株式会社 | 晶片加热装置、静电卡盘以及晶片加热装置的制造方法 |
US8742666B2 (en) * | 2010-08-06 | 2014-06-03 | Lam Research Corporation | Radio frequency (RF) power filters and plasma processing systems including RF power filters |
CN103187943B (zh) | 2011-12-28 | 2017-02-08 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种用于静电吸盘的射频滤波器 |
JP5905735B2 (ja) * | 2012-02-21 | 2016-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板温度の設定可能帯域の変更方法 |
US9224583B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-12-29 | Lam Research Corporation | System and method for heating plasma exposed surfaces |
US9449797B2 (en) * | 2013-05-07 | 2016-09-20 | Lam Research Corporation | Component of a plasma processing apparatus having a protective in situ formed layer on a plasma exposed surface |
US9312832B2 (en) | 2014-07-23 | 2016-04-12 | Lam Research Corporation | High power filter with single adjust for multiple channels |
JP6452449B2 (ja) * | 2015-01-06 | 2019-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び基板処理装置 |
US10879041B2 (en) * | 2015-09-04 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus of achieving high input impedance without using ferrite materials for RF filter applications in plasma chambers |
US10044338B2 (en) * | 2015-10-15 | 2018-08-07 | Lam Research Corporation | Mutually induced filters |
-
2018
- 2018-06-25 US US16/017,357 patent/US11837446B2/en active Active
- 2018-07-19 KR KR1020180083886A patent/KR102618643B1/ko active IP Right Grant
- 2018-07-24 JP JP2018138106A patent/JP7223521B2/ja active Active
- 2018-07-26 CN CN202311377184.9A patent/CN117577501A/zh active Pending
- 2018-07-26 CN CN201810832761.1A patent/CN109326497B/zh active Active
- 2018-07-30 TW TW107126277A patent/TWI811228B/zh active
-
2023
- 2023-12-01 US US18/526,215 patent/US20240105429A1/en active Pending
- 2023-12-21 KR KR1020230188979A patent/KR20240004160A/ko active Application Filing
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006196640A (ja) | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2011135052A (ja) | 2009-11-24 | 2011-07-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2013104945A (ja) | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Toshiba Corp | フレキシブル光電配線モジュール |
JP2013175573A (ja) | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置台及びプラズマエッチング装置 |
JP2014075579A (ja) | 2012-09-12 | 2014-04-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2014229565A (ja) | 2013-05-24 | 2014-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びフィルタユニット |
JP2015173027A (ja) | 2014-03-11 | 2015-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2015220368A (ja) | 2014-05-19 | 2015-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | ヒータ給電機構 |
JP2016027601A (ja) | 2014-06-24 | 2016-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN117577501A (zh) | 2024-02-20 |
KR20190013510A (ko) | 2019-02-11 |
US20190035608A1 (en) | 2019-01-31 |
US11837446B2 (en) | 2023-12-05 |
KR102618643B1 (ko) | 2023-12-26 |
CN109326497B (zh) | 2023-11-14 |
TW201921416A (zh) | 2019-06-01 |
US20240105429A1 (en) | 2024-03-28 |
TWI811228B (zh) | 2023-08-11 |
JP2019029346A (ja) | 2019-02-21 |
CN109326497A (zh) | 2019-02-12 |
KR20240004160A (ko) | 2024-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102088594B1 (ko) | 정전 척들의 전극들의 파라미터들을 설정하고 조정하기 위한 임피던스들을 갖는 튜닝 회로들을 포함하는 rf 튜닝 시스템들 | |
JP7266524B2 (ja) | 処理均一性を改善した基板支持体 | |
CN110337714B (zh) | 一种衬底支撑件和衬底处理*** | |
KR102505150B1 (ko) | 변압기들 및/또는 변압기 커플링된 결합기들 (combiners) 을 포함하는 무선 주파수 분배 회로들 | |
US20240105429A1 (en) | High power cable for heated components in rf environment | |
US20230290611A1 (en) | Distributed plasma source array | |
KR20220110816A (ko) | 통합된 rf 필터들을 가진 기판 지지부들 | |
CN114556542A (zh) | 用于衬底处理***的衬底支撑件的加热器元件的电源隔离电路 | |
JP7527361B2 (ja) | 基板処理システムの基板支持体の発熱体のための電源分離回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210726 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220712 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221012 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230206 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7223521 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |