JP7218494B2 - Laser dicing machine - Google Patents
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Description
本発明は、レーザダイシング装置に係り、特にレーザ光を利用してウェーハをレーザ加工するレーザダイシング装置に関する。 The present invention relates to a laser dicing apparatus, and more particularly to a laser dicing apparatus that laser-processes a wafer using laser light.
従来、シリコン等のウェーハの内部に集光点を合わせてレーザ光を切断予定ラインに沿って照射し、切断予定ラインに沿ってウェーハ内部に切断の起点となる改質層を形成するレーザダイシング装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。改質層が形成されたウェーハは、その後、エキスパンド又はブレーキングといった割断プロセスによって切断予定ラインに沿って割断されて個々のチップに分断される。 Conventionally, a laser dicing apparatus that aligns a focal point inside a wafer such as silicon and irradiates a laser beam along a scheduled cutting line to form a modified layer that serves as a starting point for cutting inside the wafer along the scheduled cutting line. is known (see, for example, Patent Document 1). The wafer on which the modified layer is formed is then split along the planned cutting lines by a splitting process such as expanding or breaking into individual chips.
ところで、レーザ加工が行われるウェーハは、レーザ加工の前処理として、アライメント調整がレーザダイシング装置内で実施される。このアライメント調整は、撮像部によってウェーハの上面を撮像し、ウェーハの画像に基づいてパターンマッチング処理を実行することにより行われる。 By the way, a wafer to be laser-processed is subjected to alignment adjustment in a laser dicing apparatus as a pretreatment for laser processing. This alignment adjustment is performed by capturing an image of the upper surface of the wafer with an imaging unit and executing pattern matching processing based on the image of the wafer.
一方、レーザ加工が終了したウェーハは、レーザ加工の後処理として、レーザダイシング装置から搬出された後、各種の検査が検査装置にて行われる。検査装置による検査の一例としては、改質層からウェーハの厚さ方向に伸展した亀裂の深さを測定する検査、又は改質領域の形成状態を確認する検査が行われる(例えば、特許文献2参照)。 On the other hand, as a post-processing of the laser processing, the wafer that has undergone the laser processing is carried out from the laser dicing device and then subjected to various inspections by the inspection device. As an example of the inspection by the inspection device, an inspection for measuring the depth of a crack extending from the modified layer in the thickness direction of the wafer, or an inspection for confirming the formation state of the modified region is performed (for example, Patent Document 2 reference).
検査装置による検査結果は、レーザダイシング装置にフィードバックされ、その検査結果に基づいてレーザ光の照射条件等の加工条件が修正される。 The inspection result by the inspection device is fed back to the laser dicing device, and processing conditions such as laser light irradiation conditions are corrected based on the inspection result.
しかしながら、従来のレーザダイシング装置は、レーザダイシング装置にて加工不良が発生していることを、検査装置にて加工不良が発見されるまで把握することができない。このため、従来のレーザダイシング装置は、加工不良を把握するまでに多くの不良品が発生するという問題があった。 However, the conventional laser dicing apparatus cannot recognize that a processing defect has occurred in the laser dicing apparatus until the inspection apparatus discovers the processing defect. For this reason, the conventional laser dicing apparatus has a problem that a large number of defective products are generated before the processing defect is detected.
このような問題は、レーザダイシング装置に検査装置を搭載し、レーザ加工終了直後のウェーハを検査装置によって検査することで解消することができる。しかしながら、検査装置にて検査を実施している間はレーザ加工を実施することができないので、スループットが低下するという問題があった。 Such a problem can be solved by installing an inspection device in the laser dicing apparatus and inspecting the wafer immediately after the laser processing by the inspection device. However, since the laser processing cannot be performed while the inspection is being performed by the inspection device, there is a problem that the throughput is lowered.
また、同様に従来のレーザダイシング装置は、撮像部にてアライメント調整を実施している間もレーザ加工を実施することができないので、この点においてもスループットが低下するという問題があった。 Similarly, the conventional laser dicing apparatus cannot carry out laser processing even while alignment adjustment is being carried out in the imaging unit, so there is also the problem of reduced throughput in this respect as well.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、レーザ加工する際の無駄な待機時間を無くしてスループットを向上させることができるレーザダイシング装置を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a laser dicing apparatus capable of improving throughput by eliminating wasteful waiting time during laser processing.
本発明のレーザダイシング装置は、本発明の目的を達成するために、ウェーハを保持する複数のウェーハテーブルと、ウェーハに対してレーザ光を照射してウェーハをレーザ加工する第1装置と、ウェーハの検査を行う検査部又はウェーハの撮像を行う撮像部の少なくとも一方を有する第2装置と、第1装置及び第2装置の双方に対して、ウェーハテーブルごとに独立してウェーハテーブルを相対移動させる相対移動機構と、を備え、相対移動機構は、複数のウェーハテーブルのうちの一つを第1装置及び第2装置のいずれか一方に対向する位置に相対移動させた場合、複数のウェーハテーブルのうちの一つとは異なる他の一つを第1装置及び第2装置の他方に対向する位置に相対移動させる。 In order to achieve the object of the present invention, the laser dicing apparatus of the present invention comprises a plurality of wafer tables for holding wafers, a first device for laser processing the wafers by irradiating the wafers with laser light, A second device having at least one of an inspection unit that performs inspection or an imaging unit that captures an image of a wafer; and a moving mechanism, wherein when one of the plurality of wafer tables is relatively moved to a position facing either one of the first device and the second device, the relative movement mechanism moves one of the plurality of wafer tables is relatively moved to a position facing the other of the first device and the second device.
本発明の一形態は、検査部が第1装置によるレーザ加工後のウェーハの検査を行うものであり、一つが第1装置によるレーザ加工後のウェーハを保持するウェーハテーブルであり、且つ他の一つが第1装置によるレーザ加工前のウェーハを保持するウェーハテーブルであり、相対移動機構が、一つを検査部に対向する位置に相対移動させた場合、他の一つを第1装置に対向する位置に相対移動させることが好ましい。 In one aspect of the present invention, the inspection unit inspects the wafer after laser processing by the first device, one is a wafer table that holds the wafer after laser processing by the first device, and the other is a wafer table that holds the wafer after laser processing by the first device. One is a wafer table that holds a wafer before laser processing by the first device, and when the relative movement mechanism relatively moves one to a position facing the inspection unit, the other one faces the first device It is preferable to move them relative to each other.
本発明の一形態は、第1装置が、ウェーハに対するレーザ光の照射によりウェーハの内部に改質層を形成し、検査部が、ウェーハに向けて検査光を出射してウェーハの内部に検査光を入射させる光出射部と、ウェーハからの検査光の反射光を検出する光検出部と、を備え、光検出部による検出結果に基づき、改質層に形成された亀裂の深さを検出する亀裂深さ検出部を備えることが好ましい。 In one aspect of the present invention, a first apparatus forms a modified layer inside the wafer by irradiating the wafer with a laser beam, and an inspection unit emits inspection light toward the wafer to irradiate the inside of the wafer with the inspection light. and a light detection unit that detects the reflected light of the inspection light from the wafer, and detects the depth of the crack formed in the modified layer based on the detection result of the light detection unit. It is preferable to have a crack depth detector.
本発明の一形態は、撮像部が第1装置によるレーザ加工前のウェーハの撮像を行うものであり、一つが第1装置によるレーザ加工前のウェーハを保持するウェーハテーブルであり、他の一つが撮像部による撮像前のウェーハを保持するウェーハテーブルであり、相対移動機構が、一つを第1装置に対向する位置に移動させた場合、他の一つを撮像部に対向する位置に移動させることが好ましい。 In one aspect of the present invention, the image capturing unit captures an image of the wafer before laser processing by the first device, one is a wafer table that holds the wafer before laser processing by the first device, and the other is A wafer table that holds a wafer before being imaged by an imaging unit, and when one of the relative movement mechanisms is moved to a position facing the first device, the other one is moved to a position facing the imaging unit. is preferred.
本発明の一形態は、相対移動機構は、ウェーハテーブルごとに独立してウェーハテーブルを、ウェーハの表面に平行な第1方向に移動させるテーブル移動部と、第1装置を、ウェーハの表面に平行で且つ第1方向に直交する第2方向と、第1方向及び第2方向の両方向に直交する第3方向とに移動させる第1装置移動部と、第2装置を、第1装置とは独立して第2方向及び第3方向に移動させる第2装置移動部と、を備えることが好ましい。 In one aspect of the present invention, the relative movement mechanism includes a table moving unit that independently moves each wafer table in a first direction parallel to the surface of the wafer, and a first device parallel to the surface of the wafer. and moving the second device in a second direction perpendicular to the first direction and in a third direction perpendicular to both the first direction and the second direction; and the second device independent of the first device. and a second device moving unit that moves the device in the second direction and the third direction.
本発明の一形態は、第1方向において複数のウェーハテーブルの移動範囲の途中位置に設けられ且つ第2方向に平行な方向に延びたベースを備え、第1装置及び第1装置移動部が、ベースの第1方向の一方向側に設けられ、第2装置及び第2装置移動部が、ベースの第1方向の他方向側に設けられていることが好ましい。 According to one aspect of the present invention, a base provided at an intermediate position in a moving range of a plurality of wafer tables in a first direction and extending in a direction parallel to the second direction is provided, and the first device and the first device moving section are configured to: It is preferable that the base is provided on one side in the first direction, and the second device and the second device moving section are provided on the other side of the base in the first direction.
本発明の一形態は、第1方向において複数のウェーハテーブルの移動範囲の途中位置に設けられ且つ第2方向に平行な方向に延びたベースを備え、第1装置及び第1装置移動部と、第2装置及び第2装置移動部とがベースの第1方向の一方向側に設けられていることが好ましい。 According to one aspect of the present invention, a base provided at an intermediate position in a movement range of a plurality of wafer tables in a first direction and extending in a direction parallel to a second direction includes a first device and a first device moving section; It is preferable that the second device and the second device moving part are provided on one side of the base in the first direction.
本発明によれば、レーザ加工する際の無駄な待機時間を無くしてスループットを向上させることができる。 According to the present invention, the throughput can be improved by eliminating unnecessary waiting time during laser processing.
以下、添付図面に従って本発明に係るレーザダイシング装置の好ましい実施形態について詳説する。 A preferred embodiment of a laser dicing apparatus according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.
図1は、レーザダイシング装置10の加工部12の構造を示した平面図であり、図2は、図1を矢印A方向から見た加工部12の右側面図である。また、図3は、図1を矢印B方向から加工部12の左側面図である。なお、図1から図3において、加工対象のウェーハW(図6参照)の表面に平行な第1方向をX軸方向と称する。また、加工対象のウェーハW(図6参照)の表面に平行でX軸方向と直交する第2方向をY軸方向と称する。更に、X軸方向及びY軸方向の両方向に直交する第3方向をZ軸方向と称する。
FIG. 1 is a plan view showing the structure of a
図1から図3に示すように、レーザダイシング装置10の加工部12は、複数(図1では2台)のXテーブル14、16を有する。Xテーブル14は、X軸方向に配置された一対のレールからなるXガイド部18によってX軸方向に移動自在に設けられる。また、Xテーブル14は、X軸方向に配置されたリニアモータ20によってX軸方向に移動される。
As shown in FIGS. 1 to 3, the
Xテーブル16もXテーブル14と同様に、X軸方向に配置された一対のレールからなるXガイド部22によってX軸方向に移動自在に設けられる。また、Xテーブル16もXテーブル14と同様に、X軸方向に配置されたリニアモータ24によってX軸方向に移動される。
Like the X table 14, the X table 16 is also provided movably in the X axis direction by an
図2及び図3に示すように、Xテーブル14にはモータ26が搭載される。このモータ26の二点鎖線で示す回転軸28は、Z軸方向に沿って設けられており、この回転軸28に円盤状のウェーハテーブル30が連結されている。このウェーハテーブル30に、加工対象のウェーハW(図6参照)が保持される。また、ウェーハテーブル30は、その中心が回転軸28の軸芯と同軸上に位置するように回転軸28に連結されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the X table 14 is equipped with a
Xテーブル16もXテーブル14と同様に、モータ32が搭載される。このモータ32の二点鎖線で示す回転軸34も、Z軸方向に沿って設けられており、この回転軸34に円盤状のウェーハテーブル36が連結されている。このウェーハテーブル36にも、加工対象のウェーハW(図6参照)が保持される。また、ウェーハテーブル36は、その中心が回転軸34の軸芯と同軸上に位置するように回転軸34に連結されている。
A
したがって、ウェーハテーブル30、36に保持されたウェーハWは、Xテーブル14、16によってX軸方向に移動され、モータ26、32によってZ軸を中心に回転される。なお、Xテーブル14、16が本発明のテーブル移動部に相当し、このテーブル移動部によってウェーハテーブル30、36が独立してX軸方向に移動される。また、ウェーハテーブル30、36によるウェーハ保持形態の一例として、吸着保持形態を挙げることができる。
Therefore, the wafers W held on the wafer tables 30, 36 are moved in the X-axis direction by the
図1に戻り、加工部12は、レーザ加工部38と亀裂測定部40とを備えている。レーザ加工部38及び亀裂測定部40は、架台42に設けられている。この架台42は、Xガイド部18、22の各レールを跨ぐように基台44に跨設されている。また、架台42は、基台44に立設された一対の支柱46、46と、一対の支柱46、46 の上部に連結された梁48とからなる。
Returning to FIG. 1 , the
梁48は、本発明のベースに相当する。この梁48は、X軸方向においてウェーハテーブル30、36の移動範囲の途中位置に設けられている。また、梁48は、Y軸方向に平行な方向に延設されている。このような梁48によって加工部12は、X軸方向において、梁48を境として図1の右側の領域Cと左側の領域Dとに作業領域が分割されている。
後述するが、領域Cがレーザ加工を行う領域に設定され、領域Dがアライメント調整を実施し、且つ亀裂深さを測定する領域に設定されている。また、領域Cは、ウェーハテーブル30、36に加工前のウェーハWを供給するロード領域、且つ加工終了したウェーハをウェーハテーブル30、36から回収するアンロード領域としても設定されている。よって、以下の説明において、領域Cを「レーザ加工/ロード・アンロード領域」と称し、領域Dを「アライメント/亀裂深さ測定領域」と称することもある。 As will be described later, the region C is set as a region for performing laser processing, and the region D is set as a region for performing alignment adjustment and measuring the crack depth. Area C is also set as a load area for supplying wafers W before processing to wafer tables 30 and 36 and as an unload area for recovering wafers after processing from wafer tables 30 and 36 . Therefore, in the following description, the area C may be referred to as the "laser processing/loading/unloading area" and the area D may be referred to as the "alignment/crack depth measurement area".
梁48は、Y軸方向に沿った第1面48Aと、第1面48Aの反対側でY軸方向に沿った第2面48Bとを有している。第1面48Aは、領域Cに対面されており、この第1面48A側にレーザ加工部38が設けられる。第2面48Bは、領域Dに対面されており、この第2面48B側に亀裂測定部40が設けられている。
The
図1に示すように、レーザ加工部38は、Z軸移動部50及びY軸移動部52を介して第1面48Aに設けられている。具体的には、レーザ加工部38は、Z軸移動部50に固定されており、このZ軸移動部50は、不図示のガイドレールとリニアモータとを介してY軸移動部52にZ軸方向に移動自在に取り付けられる。また、Y軸移動部52は、図2に示すように、Y軸方向に配置された一対のレールからなるYガイド部54とリニアモータ56とを介して第1面48AにY軸方向に移動自在に取り付けられる。したがって、レーザ加工部38は、Z軸移動部50によってZ軸方向に移動され、Y軸移動部52によってY軸方向に移動される。このような構成によりレーザ加工部38は、ウェーハテーブル30、36に対し、相対的に移動自在に配置される。ここで、レーザ加工部38が本発明の第1装置に相当する。また、Z軸移動部50及びY軸移動部52が本発明の第1装置移動部に相当する。すなわち、レーザ加工部38、Z軸移動部50及びY軸移動部52が、梁48のX軸方向の一方側に設けられている。
As shown in FIG. 1 , the
レーザ加工部38は、図示は省略するが、レーザ発振器、コリメートレンズ、ミラー及び集光レンズ等を有する(特開2004-111946号公報参照)。このレーザ加工部38は、レーザ発振器から発振されたレーザ光をコリメートレンズで平行光線とした後、ミラーを経て集光レンズにより集光させる。このレーザ光の集光点は、ウェーハWの内部に設定されている。これにより、ウェーハWの表面を透過したレーザ光がウェーハWの内部の集光点で集光され、ウェーハWの内部に改質領域が形成される。
Although not shown, the
図1及び図3に示すように、亀裂測定部40は、Z軸移動部58及びY軸移動部60を介して第2面48Bに設けられている。具体的には、亀裂測定部40は、Z軸移動部58に固定されており、このZ軸移動部58は、不図示のガイドレールとリニアモータとを介してY軸移動部60にZ軸方向に移動自在に取り付けられる。また、Y軸移動部60は、Y軸方向に配置された一対のレールからなるYガイド部62とリニアモータ64とを介して第2面48BにY軸方向に移動自在に取り付けられる。したがって、亀裂測定部40は、Z軸移動部58によってZ軸方向に移動され、Y軸移動部60によってY軸方向に移動される。このような構成により亀裂測定部40は、ウェーハテーブル30、36に対し、相対的に移動自在に配置される。ここで、亀裂測定部40は、本発明の検査部の一例である。また、Z軸移動部58及びY軸移動部60が本発明の第2装置移動部に相当する。すなわち、亀裂測定部40、Z軸移動部58及びY軸移動部60が、梁48のX方向の他方側に設けられている。また、前述したテーブル移動部と、第1装置移動部と、第2装置移動部とによって、本発明の相対移動機構が構成されている。
As shown in FIGS. 1 and 3 , the
亀裂測定部40は、図3に示すように、光出射部40Aと、2つに分割された受光面を有する光検出部40Bと、を備える。光出射部40Aは、ウェーハWに対して検査光を斜め方向に照射する偏射照明を行う光源部(不図示)と、この光源部から出射した検査光をウェーハWの内部に集光させる集光レンズ41と、を備える。そして、光出射部40Aは、集光レンズ41の集光点をウェーハWの厚さ方向に変化させながら、光源部による偏射照明を行いウェーハWの内部に検査光を入射させる。
As shown in FIG. 3, the
光検出部40Bは、ウェーハWからの検査光の反射光を2つの受光面でそれぞれ検出し、受光面ごとの検出信号を後述の演算回路72(図4参照)へ出力する。演算回路72は、光検出部40Bから入力される受光面ごとの検出信号を解析してウェーハWの改質層に形成された亀裂の深さを求める。この場合、演算回路72が本発明の亀裂深さ検出部として機能する。なお、亀裂深さ測定の詳細については、公知技術であるのでその詳細についての説明は省略する(特開2017-133007号公報参照)。また、光検出部40Bの検出結果に基づき、亀裂の深さを検出する亀裂深さ検出部が亀裂測定部40内に設けられていてもよい。
The
一方、ウェーハWのアライメント調整を行うための撮像部(又は顕微鏡)66が、亀裂測定部40とともにZ軸移動部58及びY軸移動部60を介して第2面48Bに設けられている。この撮像部66は、本発明の撮像部の一例である。
On the other hand, an imaging unit (or microscope) 66 for performing alignment adjustment of the wafer W is provided on the
撮像部66によるアライメント調整は、レーザ加工前のウェーハWに対して実施される。すなわち、撮像部66は、ウェーハテーブル30、36に保持されたレーザ加工前のウェーハWの上面を撮像し、その画像の画像信号を画像処理装置(不図示)に出力する。画像処理装置は、撮像部66から得られた画像信号を画像処理して、ウェーハWに形成された所定の溝に関する情報を検出し、検出した情報を加工部12の制御部68(図4参照)に与える。制御部68は、与えられた情報に基づいてパターンマッチング処理を実行し、切削ラインとする位置を割り出してウェーハWの位置決めを行う。なお、実施形態では、亀裂測定部40と撮像部66とが本発明の第2装置に相当する。この第2装置は、亀裂測定部40又は撮像部66の少なくとも一方を有していればよい。
Alignment adjustment by the
図4は、加工部12の動作を制御する制御部68の機能ブロック図である。
FIG. 4 is a functional block diagram of the
図4に示す制御部68は、CPU(central processing unit)70を含む演算処理回路72、メモリ等の記憶媒体74及び入出力インターフェース等を備えている。この入出力インターフェースにXテーブル14、16、モータ26、32、Z軸移動部50、Y軸移動部52、Z軸移動部58及びY軸移動部60が接続されている。制御部68は、記憶媒体74に記憶されたプログラムがCPU70によって実行されることにより、入出力インターフェースを介してXテーブル14、16、モータ26、32、Z軸移動部50、Y軸移動部52、Z軸移動部58及びY軸移動部60の動作を制御する。
The
実施形態の制御部68は、レーザ加工部38、亀裂測定部40及び撮像部66に対し、ウェーハテーブル30、36ごとに独立してウェーハテーブル30、36を相対移動させる制御を行う。
The
以下、制御部68の具体的な制御について図5に示す動作説明図、及び図6に示すタイミングチャートを参照して説明する。
Specific control of the
図5では、前述した相対移動機構の図示を省略し、相対移動機構によって移動される各部材の位置をS1、S2、S3、S4、S5、S6、T1、T2、H1、H2でそれぞれ示している。ここで、S1はウェーハWがロードとアンロードされるウェーハテーブル30の位置であり、S2は、レーザ加工が行われるウェーハテーブル30の位置であり、S3は、アライメント調整と検査とが行われるウェーハテーブル30の位置である。S4は、ウェーハWがロードとアンロードされるウェーハテーブル36の位置であり、S5は、レーザ加工が行われるウェーハテーブル36の位置であり、S6は、アライメント調整と検査とが行われるウェーハテーブル36の位置である。T1は、ウェーハテーブル30に保持されたウェーハWに対してレーザ加工を行うレーザ加工部38の位置であり、T2は、ウェーハテーブル36に保持されたウェーハWに対してレーザ加工を行うレーザ加工部38の位置である。H1は、ウェーハテーブル30に保持されたウェーハWに対してアライメント調整と検査とを行う撮像部66及び亀裂測定部40の位置であり、H2は、ウェーハテーブル36に保持されたウェーハWに対してアライメント調整と検査とを行う撮像部66及び亀裂測定部40の位置である。
In FIG. 5, illustration of the above-described relative movement mechanism is omitted, and positions of members moved by the relative movement mechanism are indicated by S1, S2, S3, S4, S5, S6, T1, T2, H1, and H2, respectively. there is Here, S1 is the position of the wafer table 30 where the wafer W is loaded and unloaded, S2 is the position of the wafer table 30 where laser processing is performed, and S3 is the wafer where alignment adjustment and inspection are performed. This is the position of the table 30 . S4 is the position of the wafer table 36 where the wafer W is loaded and unloaded, S5 is the position of the wafer table 36 where laser processing is performed, and S6 is the wafer table 36 where alignment adjustment and inspection are performed. is the position of T1 is the position of the
また、図6のタイミングチャートは、ウェーハテーブル30に保持されたウェーハW(L1)と、ウェーハテーブル36に保持されたウェーハW(L2)の各処理工程の順番を時間軸(t)に沿って示している。 The timing chart of FIG. 6 shows the order of the processing steps of the wafer W (L1) held on the wafer table 30 and the wafer W (L2) held on the wafer table 36 along the time axis (t). showing.
まず、加工開始前において、ウェーハテーブル30、36、レーザ加工部38、亀裂測定部40及び撮像部66は、例えば図5に示したS1、S4、T1、H1にそれぞれ待機されている。つまり、この待機位置において、ウェーハテーブル30、36は領域Cの「レーザ加工/ロード・アンロード領域」に位置されており、この待機位置でレーザ加工前のウェーハWがウェーハテーブル30、36に順次供給される。なお、この待機位置は一例であり、この位置に限定されるものではない。
First, before starting processing, the wafer tables 30 and 36, the
加工部12による加工が開始されると(図6:t0)、まず、S1の位置に待機しているウェーハテーブル30に加工前の1枚目のウェーハWが供給されてウェーハテーブル30に保持される。次に、制御部68がXテーブル14を制御して、ウェーハテーブル30をS1の位置からS3の位置に移動させる。そして、制御部68がXテーブル14、Z軸移動部58及びY軸移動部60を制御して、1枚目のウェーハWに対する撮像部66のX軸方向、Z軸方向及びY軸方向の相対位置を調整し、1枚目のウェーハWの上面を撮像部66によって撮像し、パターンマッチング処理を実行してアライメント調整を行う(図6:t0~t1)。
When the processing by the
1枚目のウェーハWのアライメント調整が終了すると、制御部68がXテーブル14を制御して、ウェーハテーブル30をS3の位置からS2の位置に移動させる。その後、制御部68がXテーブル14、Z軸移動部50及びY軸移動部52を制御して、レーザ加工部38によって1枚目のウェーハWにレーザ加工を実施する。具体的には、制御部68がZ軸移動部50(図1参照)を制御して、ウェーハWに対するレーザ加工部38のZ軸方向の相対位置を調整した後、制御部68がXテーブル14を制御してウェーハWをX軸方向に移動させながら、レーザ加工部38からのレーザ光によってウェーハの切削予定ラインに改質層を形成する。この際、ウェーハWには複数本の切削予定ラインが格子状に形成されている。このため、前述の如く、ウェーハWをX軸方向に移動してX軸方向の1本目の切削予定ラインに改質層を形成した後、制御部68がY軸移動部52を制御して、レーザ加工部38をY軸方向にインデックス送りする。この後、制御部68がXテーブル14を制御してウェーハWをX軸方向に移動させながら、レーザ加工部38からのレーザ光によって2本目の切削予定ラインに改質層を形成する。この動作をX軸方向の全ての切削予定ラインに対して実施し、X軸方向の全ての切削予定ラインに改質層を形成した後、制御部68がモータ26(図2参照)を制御して、ウェーハテーブル30を90度回転させ、そのときに位置するX軸方向の全ての切削予定ラインに対して上述の如く改質層を形成する(図6:t1~t3)。
When the alignment adjustment for the first wafer W is completed, the
実施形態の制御部68は、レーザ加工時間(図6:t1~t3)を利用して、以下の処理を実施する。
The
まず、1枚目のウェーハWのレーザ加工開始と略同時に2枚目のウェーハWを、S4の位置に待機しているウェーハテーブル36に供給してウェーハテーブル36に保持させる。次に、制御部68がXテーブル16を制御して、ウェーハテーブル36をS4の位置からS6の位置に移動させるとともに、制御部68がY軸移動部60を制御して、H1の位置に位置している撮像部66をH2の位置に移動させる。その後、制御部68がXテーブル16、Z軸移動部58及びY軸移動部60を制御して、2枚目のウェーハWに対する撮像部66のX軸方向、Z軸方向及びY軸方向の相対位置を調整し、2枚目のウェーハWの上面を撮像部66によって撮像し、パターンマッチング処理を実行してアライメント調整を行う(図6:t1~t2)。2枚目のウェーハWのアライメント調整が終了すると、制御部68がXテーブル16を制御して、S6の位置に位置しているウェーハテーブル36を、S5の位置に移動させる。
First, substantially simultaneously with the start of laser processing of the first wafer W, the second wafer W is supplied to the wafer table 36 waiting at the position S4 and held by the wafer table 36 . Next, the
このように、実施形態の加工部12によれば、ウェーハテーブル30がレーザ加工部38に対向する位置に相対移動した場合、ウェーハテーブル36が撮像部66に対向する位置に相対移動する。これは、ウェーハテーブル36の移動時間を含むアライメント調整時間よりも、レーザ加工時間の方が長いというレーザ加工の特性を利用したものである。これにより、実施形態の加工部12によれば、レーザ加工とアライメント調整とを並列的に実施することができる。
As described above, according to the
なお、ウェーハテーブル36が、S5の位置に移動したときに、レーザ加工部38による1枚目のウェーハWのレーザ加工が継続している場合、制御部68がXテーブル16を制御して、ウェーハテーブル36をS5の位置で待機させる。
When the wafer table 36 moves to the position S5, if the
次に、1枚目のウェーハWに対するレーザ加工が終了すると、制御部68がY軸移動部52を制御して、レーザ加工部38をT1の位置からT2の位置に移動させる。そして、制御部68がXテーブル14を制御して、ウェーハテーブル30をS2の位置からS3の位置に移動させる。そして、制御部68がY軸移動部60を制御して、撮像部66及び亀裂測定部40をH2の位置からH1の位置に移動させる。
Next, when the laser processing of the first wafer W is completed, the
上記の移動が完了すると、制御部68が既述したようにXテーブル16、Z軸移動部50及びY軸移動部52を制御して、2枚目のウェーハWのレーザ加工をレーザ加工部38によって実施しつつ(図6:t3~t6)、制御部68がXテーブル14、Z軸移動部58及びY軸移動部60を制御して、1枚目のウェーハWに対する亀裂測定部40のX軸方向、Z軸方向及びY軸方向の相対位置を調整し、亀裂深さの測定を亀裂測定部40によって実施する(図6:t3~t4)。
When the above movement is completed, the
このように、実施形態の加工部12によれば、ウェーハテーブル36がレーザ加工部38に対向する位置に相対移動した場合、ウェーハテーブル30が亀裂測定部40に対向する位置に相対移動する。これにより、実施形態の加工部12によれば、レーザ加工と亀裂深さの測定とを並列的に実施することができる。
Thus, according to the
上記の亀裂測定部40による検査時において、亀裂測定部40によって測定されたウェーハWの亀裂深さに問題がある場合には、レーザ加工部38のレーザ照射を直ちに停止して、レーザ加工部38に不具合が生じていないか否か等を確認する。これにより、ウェーハW不良品の発生率を低減することができる。
During the inspection by the
一方、亀裂測定部40による亀裂深さの測定時間は、通常、レーザ加工部38によるレーザ加工時間よりも短いので、実施形態の加工部12は、2枚目のウェーハWのレーザ加工時間を利用して、3枚目のウェーハに対するアライメント調整を行う。
On the other hand, since the crack depth measurement time by the
すなわち、亀裂測定部40による1枚目のウェーハの亀裂深さの測定が終了すると、制御部68がXテーブル14を制御して、ウェーハテーブル30をS3の位置からS1の位置に移動させる。次に、S1の位置で1枚目のウェーハWをウェーハテーブル30から回収する。次に、S1の位置に位置しているウェーハテーブル30に3枚目のウェーハWを保持させる。次に、制御部68がXテーブル14を制御して、ウェーハテーブル30をS1の位置からS3の位置に移動させるとともに、制御部68がXテーブル14、Z軸移動部58及びY軸移動部60を制御して、3枚目のウェーハWに対する撮像部66のX軸方向、Z軸方向及びY軸方向の相対位置を調整し、3枚目のウェーハWの上面を撮像部66によって撮像し、パターンマッチング処理を実行してアライメント調整を行う(図6:t4~t5)。
That is, when the measurement of the crack depth of the first wafer by the
このように、実施形態の加工部12によれば、ウェーハテーブル36がレーザ加工部38に対向する位置に相対移動した場合、ウェーハテーブル30が撮像部66に対向する位置に相対移動する。これにより、実施形態の加工部12によれば、レーザ加工とアライメント調整とを並列的に実施することができる。
As described above, according to the
そして、2枚目のウェーハWのレーザ加工が終了すると、2枚目のウェーハWは、1枚目のウェーハWと同様の手順に従って亀裂深さの測定が実施される(図6:t6~t7)。その後、2枚目のウェーハWは、ウェーハテーブル36のS4の位置への移動によりウェーハテーブル36から回収される。そして、4枚目のウェーハWがウェーハテーブル36に保持された後、4枚目のウェーハWがアライメント調整される(図6:t7~t8)。そして、2枚目のウェーハWの検査時間(図6:t6~t7)と4枚目のウェーハWのアライメント調整時間(図6:t7~t8)を利用して、3枚目のウェーハWがレーザ加工される(図6:t6~t9)。そして、前述した3枚目のウェーハW及び4枚目のウェーハも1枚目のウェーハW及び2枚目のウェーハ同様の処理が行われ、また、5枚目以降のウェーハWについても同様の処理が繰り返し行われる。 Then, when the laser processing of the second wafer W is completed, the crack depth of the second wafer W is measured according to the same procedure as that of the first wafer W (FIG. 6: t6 to t7 ). After that, the second wafer W is recovered from the wafer table 36 by moving the wafer table 36 to the position S4. After the fourth wafer W is held on the wafer table 36, the alignment of the fourth wafer W is adjusted (FIG. 6: t7-t8). Then, using the inspection time for the second wafer W (t6 to t7 in FIG. 6) and the alignment adjustment time for the fourth wafer W (t7 to t8 in FIG. 6), the third wafer W is Laser processing is performed (Fig. 6: t6 to t9). Then, the third wafer W and the fourth wafer described above are processed in the same manner as the first wafer W and the second wafer, and the fifth and subsequent wafers W are processed in the same manner. is repeated.
以上の如く、実施形態の加工部12によれば、レーザ加工部38、亀裂測定部40及び撮像部66に対し、独立して相互に移動可能なウェーハテーブル30、36を設けたので、ウェーハテーブル30がレーザ加工部38に対向する位置に相対移動した場合、ウェーハテーブル36が撮像部66に対向する位置に相対移動し、また、ウェーハテーブル36がレーザ加工部38に対向する位置に相対移動した場合、ウェーハテーブル30が亀裂測定部40又は撮像部66に対向する位置に相対移動することができる。これによって、レーザ加工と、そのレーザ加工の前後に実施されるアライメント調整及び亀裂深さの測定とを並列的に実施することが可能になるので、レーザ加工する際の無駄な待機時間をなくすことができ、スループットを向上させることができる。
As described above, according to the
また、実施形態のレーザダイシング装置10では、図2及び図3に示したように、梁48の第1面48A側にレーザ加工部38を設け、第2面48B側に亀裂測定部40と撮像部66を設けた例を説明したが、これに限られるものではない。
Further, in the
例えば、図7に示す加工部12の変形例の如く、梁48の第1面48A側にレーザ加工部38、亀裂測定部40及び撮像部66を設けてもよい。図7では、第1面48Aが、上下方向においてX軸方向に段付き形状に構成され、その上段の面49Aが領域Cに向けて突設されており、その下段の面49Bが、図1に示した第1面48Aと同様に領域Cに対面されている。
For example, as in the modified example of the
上段の面49Aには、Z軸移動部50及びY軸移動部52を介してレーザ加工部38が設けられている。また、下段の面49Bには、Z軸移動部58及びY軸移動部60を介して亀裂測定部40及び撮像部66が設けられている。
A
このように図7の変形例では、梁48の第1面48Aを上下方向においてX軸方向に段付き形状に構成したので、同一の第1面48A側であってもレーザ加工部38と、亀裂測定部40及び撮像部66とを緩衝することなく配置することができる。
As described above, in the modification of FIG. 7, the
また、図7の変形例では、領域Cにてアライメント調整とレーザ加工と検査とを実施することができる。このため、図7の変形例よれば、図1に示した加工部12と比較して、ウェーハテーブル30、36を領域Dに移動する必要がなく、その移動時間分だけウェーハWの加工時間を短縮することができる。よって、ウェーハWの加工効率を向上させることができる。更に、Xガイド部18、22のX軸方向の長さを短縮できるので、加工部12の小型化を図ることができる。
Further, in the modified example of FIG. 7, alignment adjustment, laser processing, and inspection can be performed in the region C. FIG. Therefore, according to the modified example of FIG. 7, compared with the
以上説明した実施形態では、2台のウェーハテーブル30、36を備えたレーザダイシング装置10について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、レーザ加工部38、撮像部66及び亀裂測定部40に要する処理時間に基づいて好適なアルゴリズムを構成することにより、3台以上のウェーハテーブルを備えても装置のスループットを向上させることができる。
In the embodiment described above, the
また、実施形態のレーザダイシング装置10では、検査部として亀裂測定部40を例示したがこれに限定されるものではなく、改質領域の形成状態やレーザ照射後のレーザダメージの形成状態などを確認する検査部のように、加工後のウェーハWを検査する検査部であれば適用可能である。
In addition, in the
10…レーザダイシング装置、12…加工部、14…Xテーブル、16…Xテーブル、18…Xガイド部、20…リニアモータ、22…Xガイド部、24…リニアモータ、26…モータ、28…回転軸、30…ウェーハテーブル、32…モータ、34…回転軸、36…ウェーハテーブル、38…レーザ加工部、40…亀裂測定部、42…架台、44…基台、46…支柱、48…梁、48A…第1面、48B…第2面、50…Z軸移動部、52…Y軸移動部、54…Yガイド部、56…リニアモータ、58…Z軸移動部、60…Y軸移動部、62…Yガイド部、64…リニアモータ、66…撮像部、68…制御部、70…CPU、72…各演算処理回路、74…記憶媒体
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記ウェーハに対してレーザ光を照射して前記ウェーハをレーザ加工する第1装置と、
前記第1装置による前記レーザ加工の後のウェーハの検査を行う検査部及び前記レーザ加工の前のウェーハを撮像し、撮像した画像に基づき前記第1装置に対する前記ウェーハのアライメントを行うための撮像部を有する第2装置と、
前記第1装置及び前記第2装置の双方に対して、前記ウェーハテーブルごとに独立して前記ウェーハテーブルを相対移動させる相対移動機構と、
を備え、
前記相対移動機構は、複数の前記ウェーハテーブルのうちの一つを前記第1装置及び前記第2装置のいずれか一方に対向する位置に相対移動させた場合、複数の前記ウェーハテーブルのうちの前記一つとは異なる他の一つを前記第1装置及び前記第2装置の他方に対向する位置に相対移動させ、
前記第1装置による前記レーザ加工の後のウェーハに対する前記検査部による検査結果に問題がある場合には、前記第1装置を停止するレーザダイシング装置。 a plurality of wafer tables holding wafers;
a first device for laser processing the wafer by irradiating the wafer with laser light;
An inspection unit for inspecting the wafer after the laser processing by the first device and an imaging unit for capturing an image of the wafer before the laser processing and performing alignment of the wafer with respect to the first device based on the captured image. a second device having
a relative movement mechanism for independently moving the wafer table relative to both the first device and the second device;
with
When one of the plurality of wafer tables is relatively moved to a position facing either one of the first device and the second device, the relative movement mechanism moves one of the plurality of wafer tables to a position facing either one of the first device and the second device. Relatively moving another one different from the one to a position facing the other of the first device and the second device ;
A laser dicing apparatus that stops the first apparatus when there is a problem in the inspection result by the inspection unit of the wafer after the laser processing by the first apparatus.
前記一つが前記第1装置によるレーザ加工後の前記ウェーハを保持する前記ウェーハテーブルであり、且つ前記他の一つが前記第1装置によるレーザ加工前の前記ウェーハを保持する前記ウェーハテーブルであり、
前記相対移動機構が、前記一つを前記検査部に対向する位置に相対移動させた場合、前記他の一つを前記第1装置に対向する位置に相対移動させる請求項1に記載のレーザダイシング装置。 The inspection unit inspects the wafer after laser processing by the first device,
The one is the wafer table that holds the wafer after laser processing by the first device, and the other one is the wafer table that holds the wafer before laser processing by the first device,
2. Laser dicing according to claim 1, wherein the relative movement mechanism relatively moves the other one to a position facing the first device when the one is relatively moved to the position facing the inspection unit. Device.
前記検査部が、前記ウェーハに向けて検査光を出射して前記ウェーハの内部に前記検査光を入射させる光出射部と、前記ウェーハからの前記検査光の反射光を検出する光検出部と、を備え、
前記光検出部による検出結果に基づき、前記改質層に形成された亀裂の深さを検出する亀裂深さ検出部を備える請求項2に記載のレーザダイシング装置。 The first device forms a modified layer inside the wafer by irradiating the wafer with the laser light,
The inspection unit includes a light emitting unit that emits inspection light toward the wafer and causes the inspection light to enter the inside of the wafer, and a light detection unit that detects the reflected light of the inspection light from the wafer; with
3. The laser dicing apparatus according to claim 2, further comprising a crack depth detection section that detects the depth of the crack formed in the modified layer based on the detection result of the light detection section.
前記一つが前記第1装置によるレーザ加工前の前記ウェーハを保持する前記ウェーハテーブルであり、前記他の一つが前記撮像部による撮像前の前記ウェーハを保持する前記ウェーハテーブルであり、
前記相対移動機構が、前記一つを前記第1装置に対向する位置に移動させた場合、前記他の一つを前記撮像部に対向する位置に移動させる請求項1に記載のレーザダイシング装置。 The imaging unit is for imaging the wafer before laser processing by the first device,
The one is the wafer table that holds the wafer before laser processing by the first device, and the other one is the wafer table that holds the wafer before imaging by the imaging unit,
2. The laser dicing apparatus according to claim 1, wherein said relative movement mechanism moves said other one to a position facing said imaging unit when said one is moved to a position facing said first device.
前記ウェーハテーブルごとに独立して前記ウェーハテーブルを、前記ウェーハの表面に平行な第1方向に移動させるテーブル移動部と、
前記第1装置を、前記ウェーハの表面に平行で且つ前記第1方向に直交する第2方向と、前記第1方向及び前記第2方向の両方向に直交する第3方向とに移動させる第1装置移動部と、
前記第2装置を、前記第1装置とは独立して前記第2方向及び前記第3方向に移動させる第2装置移動部と、
を備える請求項1から4のいずれか1項に記載のレーザダイシング装置。 The relative movement mechanism is
a table moving unit for moving each wafer table independently in a first direction parallel to the surface of the wafer;
A first device for moving the first device in a second direction parallel to the surface of the wafer and orthogonal to the first direction, and a third direction orthogonal to both the first direction and the second direction. a moving part;
a second device moving unit that moves the second device in the second direction and the third direction independently of the first device;
The laser dicing apparatus according to any one of claims 1 to 4, comprising:
前記第1装置及び前記第1装置移動部が、前記ベースの前記第1方向の一方向側に設けられ、前記第2装置及び前記第2装置移動部が、前記ベースの前記第1方向の他方向側に設けられている請求項5に記載のレーザダイシング装置。 a base extending in a direction parallel to the second direction provided at an intermediate position in the moving range of the plurality of wafer tables in the first direction;
The first device and the first device moving section are provided on one side of the base in the first direction, and the second device and the second device moving section are provided on the other side of the base in the first direction. 6. The laser dicing apparatus according to claim 5, which is provided on the direction side.
前記第1装置及び前記第1装置移動部と、前記第2装置及び前記第2装置移動部とが前記ベースの前記第1方向の一方向側に設けられている請求項5に記載のレーザダイシング装置。 a base extending in a direction parallel to the second direction provided at an intermediate position in the moving range of the plurality of wafer tables in the first direction;
6. Laser dicing according to claim 5, wherein said first device and said first device moving section, and said second device and said second device moving section are provided on one side of said base in said first direction. Device.
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003163178A (en) | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Dicing apparatus |
JP2005183586A (en) | 2003-12-18 | 2005-07-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | Cutting device of plate-like article |
JP2008112884A (en) | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | Processing method of wafer |
JP2014233727A (en) | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 株式会社ディスコ | Laser processing apparatus |
US20150111366A1 (en) | 2013-10-21 | 2015-04-23 | Chi Wah Cheng | Singulation apparatus and method |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003163178A (en) | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Dicing apparatus |
JP2005183586A (en) | 2003-12-18 | 2005-07-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | Cutting device of plate-like article |
JP2008112884A (en) | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | Processing method of wafer |
JP2014233727A (en) | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 株式会社ディスコ | Laser processing apparatus |
US20150111366A1 (en) | 2013-10-21 | 2015-04-23 | Chi Wah Cheng | Singulation apparatus and method |
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