JP7212988B2 - 相決定用の光センサ - Google Patents

相決定用の光センサ Download PDF

Info

Publication number
JP7212988B2
JP7212988B2 JP2020510108A JP2020510108A JP7212988B2 JP 7212988 B2 JP7212988 B2 JP 7212988B2 JP 2020510108 A JP2020510108 A JP 2020510108A JP 2020510108 A JP2020510108 A JP 2020510108A JP 7212988 B2 JP7212988 B2 JP 7212988B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light beam
measurement chamber
window
detector
entrance window
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020510108A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020531822A (ja
Inventor
マリーヴ,イヴァン
ミハイロフ,ミハイル
チュ,ハンヨウ
メン,チン-リン
ガオ,チォンリン
チェン,ヤン
ティアン,シンカン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of JP2020531822A publication Critical patent/JP2020531822A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7212988B2 publication Critical patent/JP7212988B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/41Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length
    • G01N21/4133Refractometers, e.g. differential
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/01Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
    • G01N21/03Cuvette constructions
    • G01N21/0303Optical path conditioning in cuvettes, e.g. windows; adapted optical elements or systems; path modifying or adjustment
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/55Specular reflectivity
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/0004Gaseous mixtures, e.g. polluted air
    • G01N33/0009General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
    • G01N33/0027General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
    • G01N33/0036General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector specially adapted to detect a particular component
    • G01N33/004CO or CO2
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02101Cleaning only involving supercritical fluids
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N2021/1761A physical transformation being implied in the method, e.g. a phase change
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/41Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length
    • G01N21/4133Refractometers, e.g. differential
    • G01N2021/4153Measuring the deflection of light in refractometers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/41Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length
    • G01N2021/4173Phase distribution
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/41Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length
    • G01N2021/4173Phase distribution
    • G01N2021/4193Phase distribution using a PSD
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06Illumination; Optics
    • G01N2201/061Sources
    • G01N2201/06113Coherent sources; lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
  • Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)

Description

優先権の主張及び相互参照
本開示は、参照によりその全体を本明細書に援用する、2017年8月21日に出願された米国仮特許出願第62/548,382号明細書の利益を主張する。
一定の温度を超えて加熱すると殆どの物質は気体に変わる。同様に、気体は一定の圧力を超えて圧縮される場合又は一定の温度を下回って冷却される場合、液体及び/又は固体に変わる。二酸化炭素等の物質は、所謂臨界点を超える圧力及び温度にさらされると、液体又は気体と著しく異なる特性を有する所謂超臨界流体に変わる。概して液体に似ているが、超臨界COはほぼゼロの粘度を有し、ほぼゼロの表面張力を示す。
半導体産業のウエハ洗浄液の開発は、超臨界流体を利用してウエハ表面から湿潤洗浄剤及び/又は他の残留物を除去することをもたらした。一実施形態では、イソプロピルアルコール(IPA)等の溶媒を使用して不純物を溶解し除去することができる。しかし、とりわけ高アスペクト比(高さ対幅)の構造では溶媒自体がウエハ表面に閉じ込められる可能性がある。典型的には、高アスペクト比の構造に閉じ込められた液体は毛管効果の影響下にある。液体が蒸発すると、構造壁が表面張力にさらされ崩壊する可能性がある。この問題を解決するための1つの手法は、超臨界流体を使用することである。超臨界二酸化炭素は、例えばウエハ表面上の及びオンウエハ構造内のイソプロパノールを溶解し、置換することができる。純粋な超臨界COだけが残ると、COが気体に変わるまで洗浄チャンバ内の圧力が低下し得る。表面張力が欠如し毛管効果がないため、このプロセスは構造壁を損傷することなしに行われる。気体相に入ると、COは残留物、損傷、又は不純物を残さずにウエハ表面から逃れる。
課題の1つは、洗浄プロセスを容易にするために洗浄チャンバ内のCOの相/状態を正確に決定することである。新規の遠隔検査方法が求められている。
本開示は、任意選択的に物質の温度及び圧力の同時測定と組み合わせて、物質体積における光学的屈折率の空間分布及び時間分布を測定することによって物質の相状態を決定するための方法及び機器を提供する。本開示は、同じ物質の異なる相(気相、液相、及び超臨界相)について屈折率が異なることを示す理論的及び実験的研究に基づく。
本開示の重要な要素は、物質を通して光の成形ビームを送り出し、物質を通る光路をビームが横断した後の変位を測定する光センサである。この方法はスネルの法則に基づき、スネルの法則とはつまり、屈折率nと入射角θの正弦との積は、光のビームが或る媒体/物質から別の媒体/物質に通過するとき一定のままであることである:
sin(θ1)=n sin(θ2)
入射角は、ビーム伝搬(「光線」)の方向と2つの媒体間の境界面に対する法線との間の角度である。
入力ビーム(例えば入射光ビーム)はコリメートされた光源の出力から形成され、ライン、細い「ペンシル」ビーム、又は構造化された(即ちパターン化された)照明プロファイル分布へと成形され得る。ビームは、実質的にゼロでない入射角(即ち窓の面への法線に対して)において入射光ビームにとって透過的な窓を通って光センサの測定チャンバに入り、同様の窓を通って反対側から測定チャンバを出る。測定チャンバ内の物質の屈折率が変化すると、物質内のビームの伝搬方向も変化する。チャンバの反対側では、ビーム重心位置、即ちチャンバの反対側でビームによって照らされるスポットの重心を検出するセンサ上にビームが当たる。ビーム重心位置と物質の屈折率との関係を確立するために正確な較正を行う。チャンバ内の屈折率の正確な測定は、ビーム重心位置と物質の屈折率との関係に基づいて光センサによって得られる。ライン又は構造化された(パターン化された)照明が使用される場合、センサは測定チャンバ内の様々な位置にわたる屈折率の空間分布も測定できるようにし得る。個別に、十分に高速な応答時間を有するセンサは、時間の経過に伴う屈折率の変化を測定すること並びに自己相関関数等の時間分布の特性を計算することを可能にし得る。
光学的屈折率、温度、圧力、及び物質の物理的状態(気体、液体、超臨界)間の理論的に又は実験的に確立された関係を所与とし、センサは光学的屈折率の測定から物質の状態を正確に決定することを可能にする。更にセンサは、物理的特性が平均と局所的に異なる超臨界流体の層及び泡の形成、液体内の気泡の形成、キャビテーション等、検査対象の体積内の物質の均一性及び局所的な状態変化に関する情報を提供でき得る。
本開示の一態様は、インサイチュー相決定のための機器を提供する。本機器は、物質を保持するように構成される測定チャンバと、測定チャンバの一側に取り付けられる入口窓とを含む。測定チャンバの反対側に出口窓が取り付けられ、出口窓は入口窓と平行である。この機器は、入射光ビームを生成するように構成される光源を更に含む。入射光ビームは、入口窓の法線に対してゼロでない入射角で入口窓に向けられる。入射光ビームは、入口窓、測定チャンバ、及び出口窓を通過して出力光ビームを形成する。検出器が出口窓の下に配置され、出口窓を通過する出力光ビームを集め、測定データを生成するように構成される。
本開示の別の態様は、インサイチュー相決定のための機器を含む。本機器は、物質を保持するように構成される測定チャンバと、測定チャンバの一側に取り付けられる入口窓と、測定チャンバの反対側に取り付けられる出口窓とを含む。出口窓は入口窓と平行である。この機器は、入射光ビームを生成するように構成される光源を更に含む。入射光ビームは、入口窓の法線に対してゼロでない入射角で入口窓に向けられる。入射光ビームは、入口窓、測定チャンバを通過し、出口窓に反射して反射光ビームを形成する。反射光ビームは測定チャンバ及び入口窓を通過して検出器に到達する。検出器は入口窓の上に取り付けられ、入口窓を通過する反射光ビームを受光し、測定データを生成するように構成される。
本開示の更に別の態様は、インサイチュー相決定のための方法を提供する。開示する方法では、入射光ビームが入口窓の法線に対してゼロでない入射角で測定チャンバの入口窓に向けられる。入口窓は測定チャンバの一側に取り付けられ、測定チャンバは物質を保持する。出力光ビームが検出器によって集められる。入射光ビームは、入口窓、測定チャンバ、及び出口窓を通過して出力光ビームを形成する。出口窓は測定チャンバの反対側に取り付けられ、入口窓と平行である。検出器が出口窓の下に配置される。測定データが生成され、測定チャンバ内に保持される物質の特性が測定データに基づいて決定される。決定された特性に基づいて製造プロセスが制御される。
上記の段落は全般的な導入として提供しており、添付の特許請求の範囲を限定することは意図しない。記載する実施形態は、更なる利点と共に、添付図面に関連して解釈される以下の詳細な説明を参照することによって最もよく理解される。
本開示の態様は、添付図面と共に読まれるとき以下の詳細な説明から最もよく理解される。業界の標準慣行に従い、様々な特徴が縮尺通り描かれていないことを指摘しておく。実際、解説を明瞭にするために様々な特徴の寸法を任意に増加又は低減する場合がある。
一部の実施形態による、COの例示的な相図である。 一部の実施形態による、超臨界CO流体の光学的屈折率の図である。 一部の実施形態による、超臨界CO流体に基づくウエハ洗浄サイクルの概略図である。 一部の実施形態による、超臨界CO流体に基づくウエハ洗浄サイクルの例示的な流れ図である。 一部の実施形態による、超臨界CO流体の相及び状態を決定するための例示的な単一パス型光センサの概略図である。 一部の実施形態による、超臨界CO流体の相及び状態を決定するための別の例示的な単一パス型光センサの概略図である。 一部の実施形態による、単一パス型光センサの例示的な動作のシミュレーション結果である。 一部の実施形態による、超臨界CO流体の相及び状態を決定するための例示的なデュアルパス型光センサの概略図である。 一部の実施形態による、デュアルパス型光センサの例示的な動作のシミュレーション結果である。 一部の実施形態による、デュアルパス型光センサのシミュレーション試験結果である。 一部の実施形態による、単一パス型光センサの第1の例示的試験結果である。 一部の実施形態による、単一パス型光センサの第2の例示的試験結果である。 一部の実施形態による、単一パス型光センサの第3の例示的試験結果である。 一部の実施形態による、光センサに基づくインサイチュー相モニタリングのための方法を示す流れ図である。
以下の開示は、提供する内容の様々な特徴を実装するための多くの異なる実施形態又は例を与える。本開示を単純にするために、コンポーネント及び構成の具体例を以下に記載する。当然ながらこれらは例に過ぎず、限定的であることは意図しない。加えて本開示は、様々な例において参照番号及び/又は参照文字を繰り返す場合がある。この繰り返しは、単純さと明快さのためであり、解説する様々な実施形態及び/又は構成間の関係をそれ自体が指示するものではない。
更に本明細書では、図示の或る要素又は特徴に対する別の要素又は特徴の関係を説明しやすくするために、「下部」、「下」、「下の」、「上部」、「上」等の空間的に相対的な用語を使用することがある。空間的に相対的な用語は、図示の向きに加えて使用中又は動作中の機器の様々な向きを包含することを意図する。機器は異なるように方向付ける(90度又は他の向きに回転させる)ことができ、本明細書で使用する空間的に相対的な記述子も同様にしかるべく解釈することができる。
本明細書の全体を通して「一実施形態」又は「或る実施形態」に言及することは、その実施形態に関して記載する特定の特徴、構造、材料、又は特性が少なくとも1つの実施形態に含まれることを意味するが、それらが全ての実施形態にあることは示さない。従って本明細書の様々な箇所で「一実施形態では」という語句が登場することは、必ずしも同じ実施形態を言及しているわけではない。更に1つ又は複数の実施形態では、特定の特徴、構造、材料、又は特性を任意の適切なやり方で組み合わせることができる。
本開示が対処する主な制約は、境界面又は薄膜内ではなく、体積内の光学的屈折率の測定を行う必要性である。測定は遠隔的に且つ高温高圧チャンバへのアクセスが制限された状態で行われる必要がある。測定は、リアルタイム且つ費用対効果の高い方法で、十分な精度(<0.01)、高い安定性/分解能(<0.005)、及び比較的大きな範囲の屈折率(例えば1.00から1.50)で実行する必要がある。
これらの制約を所与とし、媒体内に挿入する必要がある光ファイバ及び他のプローブは遠隔測定の要件を理由に不適切である。臨界角/ブルースター角/アッベ屈折計等の従来の幾何学的方法は空間の制約のために実用的ではない。干渉縞カウント等の波動光学的方法は十分な範囲を提供せず、幾らかの安定性の懸念を生じさせる可能性がある。反射率及び吸収の方法は基準を必要とし、限られた感度を有し得る。
本明細書で開示する機器は、ビームが測定チャンバを通過して屈折を経た後に検出器上に照明ビームの位置を合わせ、照明ビームの位置をチャンバ内の物質の光学的屈折率の値と相関させる直接撮像方法を適用する。本明細書に記載する機器は、境界面又は薄膜内ではなく、体積内の光学的屈折率の測定を行えることが確認されている。測定は、高温高圧チャンバへのアクセスが制限された状態で遠隔的に行われる。測定は、リアルタイム且つ費用対効果の高い方法で、十分な精度(<0.01)、高い安定性/分解能(<0.005)、及び比較的大きな範囲の屈折率(例えば1.00から1.50)で実行される。
図1は、一部の実施形態によるCOの例示的な相図10である。図1に示すように、COは、固体、液体、気体、及び超臨界流体を含む4つの相(又は状態)を有することができる。相図10には、平衡又は相境界の4本の線12~18が含まれる。これらの平衡線は、平衡において複数の相が共存し得る条件(例えば温度及び圧力)を記す。相転移は平衡線に沿って起こる。相図10は、三重点A及び臨界点Bを更に含む。三重点は3つの異なる相が共存し得る条件を記す。図1に示すように、三重点Aにおいて気体、固体、及び液体が共存し得る。COの三重点は217Kで約5.1bar(517kPa)である。臨界点Bは、著しい高温高圧において、液相及び気相が超臨界流体として知られている区別不能なものになることを反映する。図1に示すように、COはその臨界温度(即ち304.25K)及び臨界圧力(即ち約7.4MPa)よりも上で超臨界流体として振る舞う。超臨界相にある間、COは液体のような密度を有するが気体のように流れることができ、例えばIPAを溶解させることができる。
図2は、一部の実施形態による、超臨界CO流体の光学的屈折率の図20である。図2に示すように、COの屈折率は相(例えば気体、液体、及び超臨界流体)によって異なる。図2には屈折率と条件(例えば温度及び圧力)との関係を実証する5本の例示的な曲線21~25が含まれる。例えば曲線24は、圧力が約ゼロから約24MPaに上昇し且つ温度が80℃に維持される場合のCOの屈折率の約0.15の増分を示す。図1の相図によれば、温度が80℃で圧力が約ゼロの場合COは気相を有し、温度が80℃で圧力が約24MPaの場合COは超臨界相を有する。図2は、COの屈折率が気相で約1から超臨界相で約1.15に変化することを示す。
図3は、本開示の一部の実施形態による、超臨界CO流体に基づくウエハ洗浄サイクルの概略図である。洗浄サイクルは、始点である点Sから始まる。点Sで、IPAで覆われたウエハがP1圧力とT1温度で処理チャンバに入れられる。一部の実施形態では、P1圧力が大気圧である。ウエハが内側にあるとき、処理チャンバがロックされ、SCF(超臨界流体)投入弁が開く。次いで洗浄サイクルは点Cに進み、点Cでは超臨界CO流体が連続的に処理チャンバ内に投入され、IPAを溶解し始めるとき、処理チャンバの圧力が7.4MPaの超臨界CO2形成圧力を実質的に上回るP2圧力に達する。点Cでは、超臨界CO2流体が溶解済みのIPAをウエハから離してチャンバの外に運べるようにするために出口弁が開いている。洗浄プロセスが点Dを超えて進むとき、IPAが超臨界CO流体に置換され運び去られる。この洗浄サイクルが転移点である点Eに進むと、処理チャンバ内のIPA質量含有率が約0%に低下し、SCF投入弁が閉じられる。点Eから始まり、SCF投入弁が閉じ、出口弁がまだ開いているため処理チャンバの圧力は下がる。処理チャンバの圧力が7.4MPaを下回るとき、超臨界CO流体が蒸気COに転移する。洗浄サイクルが終点である点Gに達すると、処理チャンバの圧力が減少し(P1)、出て行くCOがT1からT2へと断熱冷却される。そのX点においてチャンバを開き、洗浄されたウエハを除去し、洗浄プロセスを繰り返すことができる。
図4は、本開示の一部の実施形態による、超臨界CO流体に基づくウエハ洗浄サイクルの例示的な流れ図400である。洗浄サイクルは402から始まり、402では超臨界CO流体が供給パイプ内に保たれる。ステップ404で、IPAで覆われたウエハが処理チャンバに入る。一部の実施形態では、ウエハは複数のマイクロ構造を有することができる。マイクロ構造は、幅及び高さを有する開口部であり得る。IPAは、IPAドライプロセス等の前の処理ステップから開口部内に閉じ込められ得る。ステップ406で、超臨界CO流体が投入弁経由で処理チャンバに投入され、超臨界CO流体がウエハの上面を流れる。ステップ408で、処理チャンバ内に超臨界CO流体がますます投入されるようになるにつれ、開口部に閉じ込められている超臨界CO流体がIPA内に溶解する。ステップ410で、処理時間が進むにつれ、IPAが超臨界CO流体内に伴出され運び去られる。ステップ412で、処理時間が進むにつれてバルク超臨界CO流体が残りのIPAを移動させる。ステップ414で、出口弁がオンのまま投入弁が閉じられ、処理チャンバの圧力が下がる。超臨界CO流体は気体へと転移し、圧力が下がるにつれてウエハを離れる。流れ図400は、表面張力が約ゼロの洗浄方法を示す。流れ図400に示す洗浄方法は、毛管力による基板上の構造の損傷を引き起こす可能性のある液体-気体-固体メニスカスの形成を有さない。
図5Aは、一部の実施形態による超臨界CO流体の相及び状態を決定するための例示的な単一パス型光センサ100の概略図である。光センサ100は、光源102を有することができる。光源102は、390nmから700nmまでの波長で可視入射光ビーム120を生成するレーザダイオードとすることができる。光源は、生成された入射光ビーム120の回折を低減するための集束レンズ(不図示)も含むことができる。光源102は、入射ビームをライン状の光ビーム又は他の構造/パターン化された光ビームに変調するためのビーム成形光学素子(不図示)を更に含むことができる。図5Aの実施形態では、ビーム成形光学素子は、ガウスプロファイルを有するシートビームへと入射光ビームを変調するように構成される回折光学素子である。シートビームは645nmから655nmまでの範囲で650nmを中心とすることができる。
この光センサはコンテナ104を含むことができ、コンテナ104内に光源102を搭載することができる。光センサ100は、80℃及び16MPa等の高温高圧に耐え得る測定チャンバ126を有することができる。物質116(例えば超臨界CO流体)は、様々な設計に応じて測定チャンバ126内に保持することができ又は測定チャンバ126を流れることができる。測定チャンバ126は、測定チャンバ126の上側に配置される入口窓110、及び測定チャンバ126の底側に配置される出口窓112を有する。入口窓110及び出口窓112は、高温高圧に耐え得るガラスで作ることができる。入口窓110及び出口窓112は、入射光ビーム120にとって透過的とすることもできる。図5Aの実施形態では、入口窓110及び出口窓112はホウケイ酸ガラスで作ることができる。
コンテナ104と測定チャンバ126との間の接続を提供するために上部シェル106aが光センサ100内に含まれる。漏出防止のために入口窓110と上部シェル106aとの境界面に上部シール108a及び108bを取り付けることができる。コンテナ104と入口窓110との間に間隙128があることができる。一実施形態では、間隙128は大気圧下にあり得る。別の実施形態では、リレー光学素子、保護ガラス、又は光学フィルタ等の光学素子を間隙128内に設置することができる。加えて、結合性向上のために出口窓112と下部シェル106bとの境界面に下部シール114a及び114bが取り付けられる。シェル106は、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス鋼、又は他の適切な材料で作ることができる。
光源102は、入口窓110の法線に対してゼロでない角度で機械的に配置される。入射光ビーム120は、入口窓110の法線に対してゼロでない入射角を有する。入射光ビームの入射角は、入口窓110の法線に対して0度から90度までとすることができる。入射光ビーム120は、設計要件に応じてガウスプロファイルを有する入射シートビーム、フラットトッププロファイルを有する入射シートビーム、狭い円錐又は円筒形の入射ペンシルビーム、入射ガウスビーム、又は他の形状を有するビームとすることができる。光源102は、複数のペンシルビーム、複数のガウスビーム、ダークスポットを有する照明プロファイル、複数の平行ライン、交差ラインによって形成されるパターン、又は同心円によって形成されるパターンを生成するための構造化された照明器(不図示)を更に含むことができる。図5Aの実施形態では、入射光ビーム120は645nmから655nmまでの範囲で650nmを中心とするガウスプロファイルを有するシートビームである。
引き続き図5Aを参照し、入射光ビーム120がゼロでない入射角で入口窓110に向けられ、入口窓の入力時に境界面を横断するとき屈折する。図5の実施形態では、間隙128内の媒体(例えば空気)の屈折率が入口窓110の屈折率よりも小さく、従ってスネルの法則に従い、入口窓内の屈折角は入口窓の入力時の入射角よりも小さい。この屈折は図5Aに示すが、間隙128及び入口窓110の特性に基づいて屈折が一定なので角度変数を用いてラベル付けしていない。
ビームは、物質116の境界面に対して入射角θ1で入口窓110を通過し、この境界面を越えて物質116内で屈折角θ2を有する屈折光ビーム122を形成する。図5Aの実施形態では、屈折光ビーム122の屈折角θ2は窓内の光ビームの入射角θ1よりも小さい。この屈折角θ2は物質116(例えば超臨界CO流体)の特性の変化に伴って変化する。屈折光ビーム122は物質116及び出口窓112を更に通過し、出力光ビーム124を形成する。図5Aの実施形態では、出口窓112の屈折率は物質116の屈折率よりも大きい。これに対応して、屈折光ビーム122の入射角θ3は出口窓内の光ビームの屈折角θ4よりも小さい。角度θ2、θ3、及びθ4の関係は物質116の空間的不均一性に基づいて変化し得る。光は出口窓を通過し、(別の屈折角度で)出て出力光ビーム124になる。
出力光ビーム124は検出器118に到達する。検出器118は出口窓112の下に配置され、出口窓112を通過する出力光ビームを集め、測定データを生成するように構成される。検出器118は、二次元(2D)撮像マルチピクセル(CMOS又はCCD)センサ、一次元(1D)ライン(ラインスキャン)センサ、単一ピクセル位置敏感型センサ等を含む。一部の実施形態では、保護ガラス、フィルタ、又は集束光学素子を検出器の面上に導入して迷光を最小限に抑え、検出器感度を最大化することができる。上述したように、図5Aの実施形態では、入射光ビーム120はビーム成形光学素子(不図示)によって変調された後のシートビームである。入射光ビーム120は、入口窓110、物質116、及び出口窓112を通過して出力光ビーム124を形成する。物質116が測定チャンバ内で一定の屈折率を有する安定した状態にあるとき、入射光ビームはシート状のパターンを伴って物質内に伝搬することができ、出力光ビーム124はシート状のパターンを引き継ぎ、検出器118上に光線を形成することができる。しかし物質116が不安定な状態(例えば気体から液体への転移)を有する場合、又は測定チャンバ内で不十分な均一性を有する場合、入射光ビームは変化する屈折率によって物質内で分散する可能性があり、出力光ビーム124が対応する散乱パターン又は分散パターンを検出器118上に投影させる可能性がある。加えて検出器118上の光線の位置は、異なる物質116が測定チャンバ126に導入されるとき屈折率の変化に伴って変化し得る。
測定チャンバ内の物質の屈折率が変化するにつれ、物質内の光ビームの伝搬方向も変化する。出口窓では、ビーム重心位置を検出するセンサ上に光ビームが当たる。ビーム重心位置と物質の屈折率との関係を確立するために正確な較正を行うことができる。チャンバ内の屈折率の正確な測定は、ビーム重心位置と物質の屈折率との関係に基づいて光センサ100によって得られる。シートビーム120等の構造化された(パターン化された)照明が使用される場合、センサは測定チャンバ内の様々な位置にわたる屈折率の空間分布又は時間分布も測定できるようにし得る。
光学的屈折率、温度、圧力、及び物質の物理的状態(気体、液体、超臨界)間の理論的に又は実験的に確立された関係を所与とし、光センサ100は光学的屈折率の測定から物質の状態を正確に決定することを可能にする。更にセンサは、液体内の気泡の形成、キャビテーション等、検査対象の体積内の物質の均一性及び局所的な状態変化に関する情報を提供でき得る。
検出器118は、出力光ビーム124を受光し、電気信号を生成することができる。電気信号は処理回路に送ることができる。処理回路は、検出器118上に出力光ビームのビーム重心位置を合わせる測定データを生成するための信号処理を行うことができる。図9~図12に一部の例示的な測定データを示すことができる。測定データは、測定チャンバ内の物質にわたる光学的屈折率の平均値、測定チャンバ内の物質にわたる光学的屈折率の値の分布プロファイル、検出器に到達する出力光ビームの強度に基づく測定チャンバ内の物質の透過係数の平均値及び吸収係数の平均値、検出器に到達する出力光ビームの強度に基づく測定チャンバ内の物質の透過係数の値の分布プロファイル及び吸収係数の値の分布プロファイル、並びに検出器に到達する反射光ビームの強度に基づく物質と出口窓との間の境界面における反射率値も含む。分布プロファイルは、或る時点のスナップショットにおいて空間的とすることができ、又は分布の動的な変化を示すために時間的とすることができる。
図6は、一部の実施形態による、単一パス型光センサの例示的な動作のシミュレーション結果である。図6に示すように、入射光ビーム120が光源102によって生成される。入射光ビーム120は、光源102のビーム成形光学素子(不図示)によってシートビームに変調することができる。入射光ビーム120は光学フィルタ130を通過し、次いで間隙128内を伝搬する。光学フィルタ130は、650nm等の特定の波長を有する光を選択的に透過するように構成される。入射光ビーム120は更に入口窓110を通過し、物質116に入って屈折光ビーム122を形成する。図6に示すように、測定チャンバ内の物質116を横切る座標Yを適用することができる。座標Yは測定チャンバ内の位置を示すことができる。屈折光ビーム122は更に出口窓112を通過して出力光ビーム124を形成する。出力光ビーム124は更に伝搬し、検出器118に到達する。検出器118に到達する前に、保護ガラス、フィルタ、又は集束光学素子等の光学素子132を検出器の面上に導入して迷光を最小限に抑え、検出器感度を最大化することができる。検出器118は出力光ビーム124を集め、電気信号を生成する。生成された電気信号は解析のために処理回路に送られる。処理回路は、測定データを生成するための信号処理を行うことができる。図10~図12に一部の例示的な測定データを示すことができる。
図5Bは、一部の実施形態による、超臨界CO流体の相及び状態を決定するための別の例示的な単一パス型光センサの概略図である。見ての通り、センサ100’は、集束レンズ550に3本のペンシルビームを出力する光源102と、入射ビーム120’を与えるための光屈曲入力プリズム551とを含む。入射ビーム120’は屈折ビーム122’になり、出口窓112を通過すると出力光ビーム124’になる。更に、出力光124’は検出器118に到達する前に別のプリズム553を通過する。
図7は、一部の実施形態による、超臨界CO流体の相及び状態を決定するための例示的なデュアルパス型光センサ200の概略図である。光センサ200は光源202を有することができる。光源202は、390nmから700nmまでの波長で可視入射光ビーム220を生成するレーザダイオードとすることができる。光源は、生成された入射光ビーム220の回折を低減するための集束レンズ(不図示)も含むことができる。光源202は、入射ビームをライン状の光ビーム又は他の構造/パターン化された光ビームに変調するためのビーム成形光学素子(不図示)を更に含むことができる。図7の実施形態では、ビーム成形光学素子は、ガウスプロファイルを有するシートビームへと入射光ビームを変調するように構成される回折光学素子である。シートビームは645nmから655nmまでの範囲で650nmを中心とすることができる。
光センサ200はコンテナ204を含むことができ、コンテナ204内に光源202を搭載することができる。光センサ200は、超臨界流体が存在し得る臨界点を実質的に上回る高温高圧に耐え得る測定チャンバ226を有することができる。物質216(例えば超臨界CO流体)は、様々な設計に応じて測定チャンバ226内に保持することができ又は測定チャンバ226を流れることができる。測定チャンバ226は、測定チャンバの上側に配置される入口窓210、及び測定チャンバ226の底側に配置される出口窓212を有する。入口窓210及び出口窓212は、高温高圧に耐え得るガラスで作ることができる。入口窓210は入射光ビーム220にとって透過的とすることもできるが、出口窓は図示のように反射する。図7の実施形態では、入口窓210及び出口窓212はホウケイ酸ガラスで作ることができるが、出口窓は適切な反射特性を有するように修正することができる。
コンテナ204と測定チャンバ226との間の接続を提供するためにシェル206が光センサ200内に含まれる。結合性向上のために入口窓210とシェル206との境界面にシール208a及び208bを取り付けることができる。コンテナ104と入口窓210との間に任意選択的なリレー光学素子214が存在し得る。一実施形態では、任意選択的なリレー光学素子214が同じ材料で作られ得る。別の実施形態では、リレー光学素子214は、650nm等の特定の波長を有する光を選択的に透過するように構成される保護ガラス又はフィルタとすることができる。シェル206は、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス鋼、又は他の適切な材料で作ることができる。
光源202は、入口窓210の法線に対してゼロでない角度で機械的に配置される。入射光ビーム220は、入口窓210の法線に対してゼロでない入射角を有する。入射光ビームの入射角は、入口窓210の法線に対して0度から90度までとすることができる。入射光ビーム220は、ガウスプロファイルを有する入射シートビーム、フラットトッププロファイルを有する入射シートビーム、狭い円錐又は円筒形の入射ペンシルビーム、又は入射ガウスビームとすることができる。光源202は、複数のペンシルビーム、複数のガウスビーム、ダークスポットを有する照明プロファイル、複数の平行ライン、交差ラインによって形成されるパターン、又は同心円によって形成されるパターンを生成するための構造化された照明器(不図示)を更に含む。図7の実施形態では、入射光ビーム220は645nmから655nmまでの範囲で650nmを中心とするガウスプロファイルを有するシートビームである。
引き続き図7を参照し、入射光ビーム220がゼロでない入射角で任意選択的なリレー光学素子214に当たる。入射光ビーム220は、任意選択的なリレー光学素子214、入口窓210を更に通過し、物質216内に透過する。任意選択的なリレー光学素子214、入口窓210、及び物質216は異なる屈折率を有し得るので、入射光ビーム220の伝搬方向はリレー光学素子214、入口窓210、及び物質216内でスネルの法則に従って変わり得る。入射光ビーム220は物質216内を更に伝搬し、出口窓212に到達する。入射光ビーム220は、出口窓212の面に反射して反射光ビーム222を形成することができる。反射光ビームは、物質216、入口窓210、リレー光学素子214を更に通過し、検出器218に到達する。
検出器218は、コンテナ204内に取り付けられ、任意選択的なリレー光学素子214上に配置される。検出器218は反射光ビームを集め、測定データを生成するように構成される。検出器218は、二次元(2D)撮像マルチピクセル(CMOS又はCCD)センサ、一次元(1D)ライン(ラインスキャン)センサ、単一ピクセル位置敏感型センサ等を含む。一部の実施形態では、保護ガラス、フィルタ、又は集束光学素子を検出器の面上に導入して迷光を最小限に抑え、検出器感度を最大化することができる。図7の実施形態では、入射光ビーム220はビーム成形光学素子によって変調された後のシートビームである。物質216が測定チャンバ内で一定の屈折率を有する安定した状態にあるとき、入射光ビーム220はシート状のパターンを伴って物質内に伝搬することができ、反射光ビーム222はシート状のパターンを引き継ぎ、検出器218上に光線を形成することができる。しかし物質216が不安定な状態(例えば気体から液体への転移)を有する場合、又は測定チャンバ内で不十分な均一性を有する場合、入射光ビームは変化する屈折率によって物質内で分散する可能性があり、反射光ビーム222が対応する散乱パターン又は分散パターンを検出器218上に投影させる可能性がある。加えて検出器218上の光線の位置は、異なる物質216が測定チャンバ226に導入されるとき屈折率の変化に伴って変化し得る。
図8は、一部の実施形態による、デュアルパス型光センサ200の例示的な動作のシミュレーション結果である。図8に示すように、入射光ビーム220が光源202によって生成される。入射光ビーム220は、光源202のビーム成形光学素子(不図示)によってシートビームに変調することができる。入射光ビーム220は光学素子224を通過し、次いでリレー光学素子214内を伝搬する。光学素子224は、650nm等の特定の波長を有する光を選択的に透過するように構成される光学フィルタとすることができる。入射光ビーム220は、更に入口窓210を通過し、物質216に入る。出口窓212の面上で入射光ビームが反射して反射光ビーム222を形成する。図8に示すように、測定チャンバ内の物質216を横切る座標Yを適用することができる。座標Yは測定チャンバ内の位置を示すことができる。反射光ビーム222は、物質216、入口窓210、及び任意選択的なリレー光学素子214を通過する。反射光ビーム222は、検出器218の面上に配置される光学素子224を更に透過する。一部の実施形態では、光学素子224は保護ガラス、フィルタ、又は集束光学素子とすることもでき、検出器218の感度を改善するために迷光を最小限に抑えるように構成される。反射光ビーム222は検出器218に到達し、検出器218によって集められる。検出器218は、入射光ビームに応答して電気信号を生成する。生成された電気信号は、処理回路に更に送られる。処理回路は、検出器218上に反射光ビームのビーム重心位置を合わせる測定データを生成するための信号処理を行うことができる。一部の例示的なシミュレーションデータを図9で見ることができる。
図9は、入射光ビームがラインビームである一部の実施形態による、デュアルパス型光センサのシミュレーション試験結果である。受光される光ビームがセンサに当たるとき、対応する光線がセンサ内で受光される。図9に示すように、X座標は、異なる屈折率を有する光センサ200の測定チャンバ内の物質を通過する受光光ビーム(例えば反射光ビーム)の変位を示す。Y座標は、図8でラベル付けされている測定チャンバ内の位置を示す。図9のX座標内のシミュレーションデータは、物質の屈折率が上がるにつれて受光光ビームが同じ方向(例えば図9の左)にシフトすることを示す。加えて、より高い屈折率はより大きな変位に対応する。図9のY座標内のシミュレーションデータは、物質の屈折率が上がるにつれて入射光ビームが物質内でより少ない分布を有することも示す。
図10は、一部の実施形態による、単一パス型光センサ100の第1の例示的試験結果である。X座標の測定データは、ベースライン物質を通過する出力光ビームに対する超臨界CO流体を通過する出力光ビームの変位を示す。図10の上部は、出力光ビームがベースライン物質を通過した後の検出器上の出力光ビームの収集位置を示す。図10の下部は、出力光ビームが超臨界CO流体を通過した後のセンサ上の出力光ビームの別の収集位置を示す。出力光ビームは、屈折率が1.12(超臨界)から1(ベースライン)に増加するとき図10の左にシフトすることが分かる。構造化された照明(例えば入射シートビーム120)に基づき、Y座標内の測定データは測定チャンバのY方向(例えば直径)にわたり均一に非分散の屈折率分布を示す。均一に非分散の屈折率分布は、光センサの測定チャンバ内の均一且つ安定した媒体に対応する。
図10に示す測定データに基づき、ビーム重心位置と様々な状態にある物質の屈折率との関係を確立するために正確な較正を行うことができる。ビーム重心位置と様々な状態にある物質の屈折率との関係に基づき、チャンバ内のインサイチューの屈折率の正確な測定を光センサによって得ることができる。得られたインサイチューの屈折率に基づいて物質の状態を決定することができる。加えて、ライン又は構造化された(パターン化された)照明が使用される場合、センサは測定チャンバ内の様々な位置にわたる屈折率の分布も測定できるようにし得る。
機器の較正は、検出器上の照光ライン又は他のパターンの幾何学的位置を、試験対象のサンプル物質の光学的屈折率の値にマップすることである。通常、較正は、入射角及び測定チャンバの長さ等の設定に関する幾何学的情報の恩恵を受ける。加えて較正は、既知の光学的屈折率を有する基準較正サンプルの測定の恩恵を受けることができる。例えば1点較正(既知の屈折率の単一のサンプル)は、公称位置からの検出器の機械的オフセットに対する依存を除去することを可能にし、2点較正(異なる且つ既知の屈折率の2つのサンプル)は公称値からのチャンバ長又は同様の極めて重要な幾何学的パラメータの機械的オフセットに対する依存を低減することを可能にし、3点較正は光学系の最大3つの異なる幾何学的パラメータの測定に対する影響を軽減することを理論的に可能にし得る。
図11は、分散/散乱信号が受け付けられる(図11の下部)単一パス型光センサの第2の例示的試験結果である。分散/散乱信号は、光センサの測定チャンバ内の不均一/不安定な物質を示す。一部の実施形態では、分散/散乱信号がCOの遷移過程に対応している。
図12は、図11と比較して更に多くの分散/散乱信号が受信される、単一パス型光センサの第3の例示的試験結果である。より分散/散乱した信号は、光センサの測定チャンバ内の超臨界CO状態の細分を示す。
図13は、一部の実施形態による、光センサ100又は200に基づくインサイチュー相モニタリングのための方法700を示す流れ図である。方法700は、超臨界CO流体が光センサの測定チャンバを流れているステップ702から始まる。ステップ704で、測定チャンバの入口窓に入射光ビームを向ける。入射光ビームは、入口窓、超臨界CO流体、及び出口窓を通過して出力光ビームを形成する。出力光ビームが検出器に当たる。ステップ706で、検出器が入口窓、超臨界CO流体、及び出口窓を通過する出力光ビームを集め、電気信号を生成する。ステップ708で、その電気信号を処理回路に送る。処理回路は、測定データを生成するための信号処理を行う。
測定データは、測定チャンバ内の物質にわたる光学的屈折率の平均値、測定チャンバ内の物質にわたる光学的屈折率の値の分布プロファイル、検出器に到達する出力光ビームの強度に基づく測定チャンバ内の物質の透過係数の平均値及び吸収係数の平均値、検出器に到達する出力光ビームの強度に基づく測定チャンバ内の物質の透過係数の値の分布プロファイル及び吸収係数の値の分布プロファイル、並びに検出器に到達する反射光ビームの強度に基づく物質と出口窓との間の境界面における反射率値を含む。
次に方法700はステップ710に進み、ステップ710では、光センサの測定チャンバ内に保持される物質(例えば超臨界CO流体)の特性(例えば相状態)を測定データに基づいて決定することができる。例えば図10~図12に示される測定データに基づいてCOの相状態を決定することができ、COは図10では超臨界状態にあり、図11では遷移過程にあり、図12では細分状態にある。物質の特性を決定したら、ステップ712で対応する制御を適用することができる。例えば図11又は図12に示すように測定データが超臨界CO流体の不安定な状態を示す場合、図4に示す洗浄サイクルの流れ図400を停止することができ、機器を確認することができる。
半導体産業のウエハ洗浄液の開発は、超臨界流体を利用してウエハ表面から洗浄剤を除去することをもたらした。課題の1つは、洗浄プロセスを容易にするために処理チャンバ内の超臨界流体の相/状態を正確に決定することである。本開示は、任意選択的に物質の温度及び圧力の同時測定と組み合わせて、物質体積における光学的屈折率を測定することによって物質の相状態を決定するための方法及び機器を提供する。本開示は、同じ物質の異なる相(気相、液相、及び超臨界相)について屈折率が異なることを示す理論的及び実験的研究に基づく。光学的屈折率、温度、圧力、及び物質の物理的状態(気体、液体、超臨界)間の理論的に又は実験的に確立された関係を所与とし、センサは光学的屈折率の測定から物質の状態を正確に決定することを可能にする。更にセンサは、液体内の気泡の形成又はキャビテーション等、検査対象の体積内の物質の均一性及び局所的な状態変化に関する情報を提供でき得る。
当業者が本開示の態様をよりよく理解できるように、上記では幾つかの実施形態の特徴を概説した。本明細書で紹介した実施形態の同じ目的を実行するために及び/又は同じ利点を実現するために、他のプロセス及び構造を設計し又は修正するための基礎として本開示を難なく利用できることを当業者なら理解すべきである。かかる等価の構成が本開示の趣旨及び範囲から逸脱しないこと、及び本開示の趣旨及び範囲から逸脱することなしに様々な変更、置換、及び改変を加えることができることも当業者なら理解すべきである。

Claims (20)

  1. インサイチュー相決定のための機器であって、
    物質を保持するように構成される測定チャンバと、
    前記測定チャンバの一側に取り付けられ、外側境界面及び内側境界面を有する入口窓と、
    前記測定チャンバの反対側に取り付けられ、外側境界面及び内側境界面を有する出口窓であって、前記入口窓の前記外側境界面及び前記内側境界面と前記出口窓の前記外側境界面及び前記内側境界面とは互いに平行である、出口窓と、
    入射光ビームを生成するように構成される光源であって、前記入射光ビームは前記入口窓の前記外側境界面の法線に対してゼロでない入射角で前記入口窓に向けられ、前記入口窓、前記測定チャンバ、及び前記出口窓を通過して出力光ビームを形成する、光源と、
    前記出口窓の外側に配置される検出器であって、前記出口窓を通過する前記出力光ビームを集め、測定データを生成するように構成される、検出器と
    を含む、機器。
  2. 前記物質が二酸化炭素を含み、前記二酸化炭素が気体状態、液体状態、又は超臨界状態にある、請求項1に記載の機器。
  3. 前記入口窓及び前記出口窓がホウケイ酸ガラスで作られる、請求項1に記載の機器。
  4. 前記入口窓及び前記出口窓が異なる屈折率を有する、請求項1に記載の機器。
  5. 前記光源が、前記入射光ビームを生成するように構成されるレーザダイオード、光損失を減らすために前記入射光ビームを集束するように構成される集束レンズ、及び前記入射光ビームの形状を変調するように構成されるビーム成形光学素子を含む、請求項1に記載の機器。
  6. 前記光源が、ガウスプロファイルを有する入射シートビーム、フラットトッププロファイルを有する入射シートビーム、狭い円錐又は円筒形の入射ペンシルビーム、又は入射ガウスビームを生成する、請求項5に記載の機器。
  7. 前記光源が、複数のペンシルビーム、複数のガウスビーム、ダークスポットを有する照明プロファイル、複数の平行ライン、交差ラインによって形成されるパターン、又は同心円によって形成されるパターンを生成するための構造化された照明器を更に含む、請求項5に記載の機器。
  8. 迷光を最小限に抑え、検出器感度を最大化するために前記検出器の面上に導入される保護ガラス、フィルタ、又は集束光学素子を更に含む、請求項1に記載の機器。
  9. 前記検出器が、二次元(2D)撮像マルチピクセル(CMOS又はCCD)センサ、一次元(1D)ライン(ラインスキャン)センサ、又は単一ピクセル位置敏感型センサを含む、請求項1に記載の機器。
  10. 前記入射光ビームが、前記入口窓の前記法線に対して0度より大きく90度より小さい前記入射角を有する、請求項1に記載の機器。
  11. インサイチュー相決定のための機器であって、
    物質を保持するように構成される測定チャンバと、
    前記測定チャンバの一側に取り付けられる入口窓と、
    前記測定チャンバの反対側に取り付けられる出口窓であって、前記入口窓と平行である、出口窓と、
    入射光ビームを生成するように構成される光源であって、前記入射光ビームは前記入口窓の法線に対してゼロでない入射角で前記入口窓に向けられ、前記入口窓、前記測定チャンバを通過し、前記出口窓に反射して反射光ビームを形成し、前記反射光ビームは前記測定チャンバ及び前記入口窓を通過する、光源と、
    前記入口窓に取り付けられる検出器であって、前記入口窓を通過する前記反射光ビームを受光し、測定データを生成するように構成される、検出器と
    を含む、機器。
  12. 前記光源が、特定の波長を有する光を選択的に透過するように構成される光学フィルタを更に含む、請求項11に記載の機器。
  13. 前記入口窓及び前記出口窓がホウケイ酸ガラスで作られる、請求項11に記載の機器。
  14. 迷光を最小限に抑え、検出器感度を最大化するために前記検出器の面上に導入される保護ガラス、フィルタ、又は集束光学素子を更に含む、請求項11に記載の機器。
  15. インサイチュー相決定のための方法であって、
    外側境界面及び内側境界面を有する入口窓の前記外側境界面の法線に対してゼロでない入射角で測定チャンバの前記入口窓に入射光ビームを向けるステップであって、前記入口窓は前記測定チャンバの一側に取り付けられ、前記測定チャンバは物質を保持する、向けるステップと、
    検出器によって出力光ビームを集めるステップであって、前記入射光ビームは前記入口窓、前記測定チャンバ、及び出口窓を通過して前記出力光ビームを形成し、前記出口窓は、外側境界面及び内側境界面を有し、前記測定チャンバの反対側且つ前記入口窓の前記外側境界面及び前記内側境界面と前記出口窓の前記外側境界面及び前記内側境界面とは互いに平行になるように取り付けられ、前記検出器は前記出口窓のに配置される、集めるステップと、
    前記出力光ビームのビーム重心位置を合わせる測定データを処理回路によって生成するステップと、
    前記測定チャンバ内に保持される前記物質の特性を前記測定データに基づいて決定するステップと、
    前記決定した特性に基づいて製造プロセスを制御するステップと
    を含む、方法。
  16. 反射光ビームのビーム重心位置を合わせるために前記検出器によって前記反射光ビームを集めるステップであって、前記入射光ビームは前記入口窓、前記測定チャンバを通過し、出口窓に反射して前記反射光ビームを形成し、前記出口窓は前記測定チャンバの反対側且つ前記入口窓と平行に取り付けられ、前記反射光ビームは前記測定チャンバ及び前記入口窓を通過して前記検出器に到達し、前記検出器は前記入口窓の上に配置される、集めるステップ
    を更に含む、請求項15に記載の方法。
  17. 前記測定データが、
    前記測定チャンバ内の前記物質にわたる光学的屈折率の平均値、
    前記測定チャンバ内の前記物質にわたる光学的屈折率の値の分布プロファイル、
    前記検出器に到達する前記出力光ビームの強度に基づく前記測定チャンバ内の前記物質の透過係数の平均値及び吸収係数の平均値、
    前記検出器に到達する前記出力光ビームの前記強度に基づく前記測定チャンバ内の前記物質の透過係数の値の分布プロファイル及び吸収係数の値の分布プロファイル、並びに
    前記検出器に到達する反射光ビームの強度に基づく前記物質と前記出口窓との間の境界面における反射率値
    のうちの少なくとも1つを含む、請求項15に記載の方法。
  18. 前記測定チャンバ内に保持される前記物質の特性を前記測定データに基づいて決定する前記ステップが、
    前記ビーム重心位置と様々な状態にある前記物質の屈折率との関係を確立するために較正を行うステップと、
    前記ビーム重心位置と前記様々な状態にある前記物質の前記屈折率との関係に基づいて前記測定チャンバ内の前記物質のインサイチューの屈折率を光センサによって得るステップと、
    前記得られたインサイチューの屈折率に基づいて前記物質の状態を決定するステップと
    を更に含む、請求項15に記載の方法。
  19. 較正データを得るステップを更に含み、前記較正データは前記測定チャンバ内に導入される単一のサンプルに基づく1点較正データ、前記測定チャンバ内に導入される2つの異なるサンプルに基づく2点較正データ、及び前記測定チャンバ内に導入される3つの異なるサンプルに基づく3点較正データのうちの少なくとも1つを含む、請求項18に記載の方法。
  20. 前記入口窓の前記法線に対して前記ゼロでない入射角で前記測定チャンバの前記入口窓に前記入射光ビームを向けるステップの前に、特定の波長を有する光を選択的に透過する光学フィルタに前記入射光ビームを向けるステップを更に含む、請求項15に記載の方法。
JP2020510108A 2017-08-21 2018-08-21 相決定用の光センサ Active JP7212988B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762548382P 2017-08-21 2017-08-21
US62/548,382 2017-08-21
PCT/IB2018/056325 WO2019038679A1 (en) 2017-08-21 2018-08-21 OPTICAL SENSOR FOR PHASE DETERMINATION

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020531822A JP2020531822A (ja) 2020-11-05
JP7212988B2 true JP7212988B2 (ja) 2023-01-26

Family

ID=65361047

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020510108A Active JP7212988B2 (ja) 2017-08-21 2018-08-21 相決定用の光センサ

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10837902B2 (ja)
EP (1) EP3673255A4 (ja)
JP (1) JP7212988B2 (ja)
KR (1) KR102491750B1 (ja)
CN (1) CN110998292B (ja)
TW (1) TWI775924B (ja)
WO (1) WO2019038679A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9625378B2 (en) * 2014-03-31 2017-04-18 Redshift Bioanalytics, Inc. Fluid analyzer with modulation for liquids and gases
US11664283B2 (en) 2021-08-20 2023-05-30 Tokyo Electron Limited Raman sensor for supercritical fluids metrology

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003520942A (ja) 1998-08-27 2003-07-08 アボット・ラボラトリーズ 生体試料の無試薬分析
JP2004325364A (ja) 2003-04-28 2004-11-18 Alps Electric Co Ltd 濃度測定用の光学部材及びこの光学部材を備えた濃度測定ユニット並びにこの濃度測定ユニットを備えた燃料電池
JP2007309931A (ja) 2006-05-15 2007-11-29 Syspotek Corp 屈折式燃料濃度検出器
JP2008107098A (ja) 2006-10-23 2008-05-08 Toyota Motor Corp 燃料性状検出装置
WO2009019619A1 (en) 2007-08-09 2009-02-12 Koninklijke Philips Electronics N. V. Microelectronic sensor device for optical examinations in a sample medium
CN101706425A (zh) 2009-11-20 2010-05-12 南京邮电大学 液体棱镜折射计
US20150101419A1 (en) 2013-10-11 2015-04-16 Waters Technologies Corporation Phase Detection in Multi-Phase Fluids
CN106970045A (zh) 2017-05-31 2017-07-21 华中科技大学 一种透射式薄层物质折射率测量装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58129235A (ja) * 1982-01-27 1983-08-02 Hitachi Ltd 燃料性状検出器
US5197464A (en) 1988-02-26 1993-03-30 Babb Albert L Carbon dioxide detection
JP2875291B2 (ja) * 1989-08-07 1999-03-31 株式会社タツノ・メカトロニクス ガス検出器
US5900632A (en) 1997-03-12 1999-05-04 Optiscan Biomedical Corporation Subsurface thermal gradient spectrometry
US6161028A (en) * 1999-03-10 2000-12-12 Optiscan Biomedical Corporation Method for determining analyte concentration using periodic temperature modulation and phase detection
US5835230A (en) * 1997-07-10 1998-11-10 American Air Liquide Inc. Method for calibration of a spectroscopic sensor
US6313910B1 (en) * 1998-09-11 2001-11-06 Dataray, Inc. Apparatus for measurement of optical beams
GB9916236D0 (en) * 1999-07-10 1999-09-15 Whitland Res Ltd Carbon dioxide sensor
EP1309990A1 (en) * 2000-08-14 2003-05-14 Tokyo Electron Limited Removal of photoresist and photoresist residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
JP2005101074A (ja) 2003-09-22 2005-04-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 超臨界乾燥方法
US7027138B2 (en) * 2004-01-29 2006-04-11 Wyatt Technology Corporation Enhanced sensitivity differential refractometer incorporating a photodetector array
GB0417337D0 (en) * 2004-08-04 2004-09-08 Chu Andrew C Low cost air bubble detector and alarm system for fluid administrative applications
JP2007036193A (ja) * 2005-06-23 2007-02-08 Canon Inc 露光装置
GB0709134D0 (en) * 2007-05-11 2007-06-20 Surman Philip Multi-user autostereoscopic Display
US7898656B2 (en) * 2008-04-30 2011-03-01 The General Hospital Corporation Apparatus and method for cross axis parallel spectroscopy
US8184276B2 (en) * 2008-12-08 2012-05-22 Carl Embry Continuous index of refraction compensation method for measurements in a medium
US8470540B2 (en) * 2009-04-17 2013-06-25 Staterra Llc Method for the effective delivery of photonic energy to cultures in a fluid medium
GB2487311B (en) * 2010-10-18 2013-02-20 Berrys Holdings Technologies Ltd Fluid discrimination apparatus and method
TWI440842B (zh) * 2010-11-15 2014-06-11 Nat Univ Kaohsiung 利用在此同一波長光源臨場監測感光或含碳氫成分之薄膜材料抗極紫外光輻射性的量測方法及裝置
CN201926616U (zh) * 2010-11-19 2011-08-10 华中科技大学 一种液体多参数传感器
DE102011087679B3 (de) * 2011-12-02 2013-04-18 Schildtec GmbH Meßkammer für einen optisch arbeitenden Sensor zum Bestimmen einer Konzentration eines Stoffes
WO2014195917A2 (en) * 2013-06-07 2014-12-11 Malvern Instruments Limited Array based sample characterization
CN103454247B (zh) * 2013-08-26 2016-05-25 华中科技大学 一种大量程范围的折射率测量装置及方法
KR20240089005A (ko) * 2015-06-18 2024-06-20 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Pecvd 프로세스들 동안 두께 측정을 위한 인-시츄 계측 방법
FI128037B (fi) * 2015-06-29 2019-08-15 Janesko Oy Sovitelma refraktometrin mittaikkunan yhteydessä ja refraktometri
KR101893870B1 (ko) * 2015-12-18 2018-08-31 김창현 가스 농도 측정 장치

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003520942A (ja) 1998-08-27 2003-07-08 アボット・ラボラトリーズ 生体試料の無試薬分析
JP2004325364A (ja) 2003-04-28 2004-11-18 Alps Electric Co Ltd 濃度測定用の光学部材及びこの光学部材を備えた濃度測定ユニット並びにこの濃度測定ユニットを備えた燃料電池
JP2007309931A (ja) 2006-05-15 2007-11-29 Syspotek Corp 屈折式燃料濃度検出器
JP2008107098A (ja) 2006-10-23 2008-05-08 Toyota Motor Corp 燃料性状検出装置
WO2009019619A1 (en) 2007-08-09 2009-02-12 Koninklijke Philips Electronics N. V. Microelectronic sensor device for optical examinations in a sample medium
US20110188030A1 (en) 2007-08-09 2011-08-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Microelectronic sensor device for optical examinations in a sample medium
CN101706425A (zh) 2009-11-20 2010-05-12 南京邮电大学 液体棱镜折射计
US20150101419A1 (en) 2013-10-11 2015-04-16 Waters Technologies Corporation Phase Detection in Multi-Phase Fluids
CN106970045A (zh) 2017-05-31 2017-07-21 华中科技大学 一种透射式薄层物质折射率测量装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20190056320A1 (en) 2019-02-21
WO2019038679A1 (en) 2019-02-28
KR102491750B1 (ko) 2023-01-26
EP3673255A4 (en) 2021-05-26
CN110998292B (zh) 2023-12-15
EP3673255A1 (en) 2020-07-01
TW201923328A (zh) 2019-06-16
US10837902B2 (en) 2020-11-17
JP2020531822A (ja) 2020-11-05
TWI775924B (zh) 2022-09-01
KR20200035157A (ko) 2020-04-01
CN110998292A (zh) 2020-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10502609B2 (en) Interferometric measurement of liquid volumes
US10094695B2 (en) Interferometric measurement of liquid volumes
JP7212988B2 (ja) 相決定用の光センサ
KR20100061038A (ko) 초점타원계측 표면 플라즈몬 공명 측정장치
KR20180008895A (ko) 핸드 헬드, 필드 휴대용, 표면 플리즈몬 공명 장치 및 이의 화학적 및 생물학적 작용제에 대한 적용
TWI394946B (zh) Method and device for measuring object defect
Davydov et al. Concerning some features of studying the flow of liquid media by a Doppler method
CN107561007A (zh) 一种薄膜测量装置和方法
TW202107215A (zh) 使用數值孔徑減量之光學度量衡裝置
Onofri et al. Optical particle characterization
Li et al. Liquid film thickness measurements on a plate based on brightness curve analysis with acute PLIF method
US5502560A (en) Analytical sensor using grating light reflection spectroscopy
JP4565663B2 (ja) 液滴の形状計測方法及び装置
JP5105377B2 (ja) 表面張力測定装置及び方法
WO1997036167A1 (en) Optical instrument
JP2012052998A (ja) 粗面を有する固体の屈折率を測定する光学測定方法及び光学測定装置
JP3716305B2 (ja) 内部反射型二次元イメージングエリプソメータ
CN214503264U (zh) 一种基于双波长激光调制的细颗粒物测量装置
US20220091033A1 (en) System and method for measuring a refractive index of a medium
JP2012052997A (ja) 固体の粗面の見掛けの屈折率を測定する光学測定方法及び光学測定装置
EP3698123B1 (en) Method and apparatus for comparing optical properties of two fluids
KR100870131B1 (ko) 임계각 및 표면 플라스몬 공명각의 동시 측정 장치 및 방법
Räty et al. Measurement of wavelength-dependent complex refractive index of transparent and absorbing liquids by a multifunction reflectometer
US20090279076A1 (en) Self calibrated measurement of index of refraction changes to ultra-fast phenomena
Schnekenburger et al. Álvaro Barroso, Rohan Radhakrishnan, Steffi Ketelhut

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210416

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220524

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220823

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20221213

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20230110

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230110

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7212988

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150