JP7205286B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
2 :半導体装置
10 :炭化珪素基板
10A :素子領域
10B :周辺領域
11 :ドレイン領域
12 :ドリフト領域
13 :ボディ領域
14 :ボディコンタクト領域
15 :ソース領域
16 :表面領域
22 :ドレイン電極
24 :ソース電極
30 :トレンチゲート部
32 :ゲート電極
34 :ゲート絶縁膜
42 :ゲート配線
44 :ゲートパッド
52 :絶縁膜
54 :層間絶縁膜
Claims (2)
- 半導体装置であって、
トランジスタ構造が形成されている素子領域と、前記素子領域の周囲に位置する周辺領域と、に区画されている炭化珪素基板と、
前記炭化珪素基板の前記素子領域上の少なくとも一部に設けられているソース電極と、
前記炭化珪素基板の前記周辺領域上の少なくとも一部に絶縁膜を介して設けられているゲート配線と、を備えており、
前記炭化珪素基板は、
前記素子領域と前記周辺領域の双方に亘って設けられているn型のドリフト領域と、
前記素子領域と前記周辺領域の双方に亘って設けられており、前記ドリフト領域上に配置されており、前記ソース電極に電気的に接続されているp型のボディ領域と、
前記周辺領域に設けられており、前記ボディ領域上に配置されているn型の表面領域と、を有しており、
前記表面領域は、前記ゲート配線の下方の少なくとも一部に配置されており、前記絶縁膜を介して前記ゲート配線に対向しており、
前記表面領域は、前記ソース電極の電位及び前記ゲート配線の電位とは異なる電位に制御可能に構成されている、半導体装置。 - 前記表面領域は、前記炭化珪素基板の厚み方向におけるn型不純物の最大濃度が前記炭化珪素基板の表面から前記厚み方向に離れた位置となるよう構成されている、請求項1に記載の半導体装置。
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