JP7204893B2 - ガスプラグ、静電吸着用部材およびプラズマ処理装置 - Google Patents

ガスプラグ、静電吸着用部材およびプラズマ処理装置 Download PDF

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Description

本開示は、ガスプラグ、静電吸着用部材およびプラズマエッチング装置に関する。
従来、プラズマ処理装置等の半導体製造装置の内部には、半導体基板を吸着して支持する、静電チャック等の基板支持アッセンブリが用いられている。
例えば、特許文献１では、図８に示すように、取付プレート４６５、絶縁プレート４６０、設備プレート４５８、熱伝導性ベース４５５および静電パック４３０からなる基板支持アセンブリ４２２が記載されており、静電パック４３０は、接着剤４５０（例えば、シリコーン接着剤）によって熱伝導性ベース４５５に接合されている。Ｏリング４４５は、接着剤４５０の周りに配置されて、接着剤４５０を保護している。基板支持アセンブリ４２２は、静電パック４３０、接着剤４５０、熱伝導ベース４５５、設備プレート４５８、絶縁プレート４６０および取付プレート４６５を貫通する貫通孔を有し、この貫通孔を通して取付プレート４６５の裏面側からヘリウムガスを供給して、半導体基板（図示しない）を冷却することができるようにされている。ガスプラグ４０５、４３５は、貫通孔内に装着され、腐食性を有するエッチングガスの基板支持体アセンブリ４２２内への浸透を抑制している。そして、ガスプラグ４０５、４３５は、セラミックス、金属－セラミックス複合材料（例えば、ＡｌＯ／ＳｉＯ、ＡｌＯ／ＭｇＯ／ＳｉＯ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＡｌＮ／ＳｉＯなど）、金属（例えば、アルミニウム、ステンレス鋼）、ポリマー、ポリマーセラミック複合材料、マイラー、ポリエステルからなることが記載されている。
特開２０１８－１６２２０５号公報
本開示のガスプラグは、複数の珪素化合物相どうしが、珪素を主成分とする珪素相を介して接続されてなる柱状の多孔質複合体からなる。
本開示の静電吸着用部材は、上記ガスプラグを厚み方向に延びる通気孔の内部に装着してなる。
本開示のプラズマ処理装置は、処理チャンバーと、該処理チャンバー内に上記静電吸着用部材と、を備えてなる。
本開示のガスプラグを備えた静電吸着用部材を用いたプラズマ処理装置の概略を示す模式図である。 本開示のガスプラグを備えた静電吸着用部材の一例を示す拡大断面図である。 （ａ）は、図１、２のガスプラグの一例を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ－Ａ’線での断面における要部拡大図である。 （ａ）は、図１、２のガスプラグの他の例を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＢ－Ｂ’線での断面における要部拡大図である。 本開示のガスプラグを形成する多孔質複合体の組織図である。 多孔質複合体から切り出した試料に存在する気孔の各気孔径Ｄと気孔の累積容積との関係を示す累積分布曲線の一例である。 （ａ）および（ｂ）は、それぞれ図１、２のガスプラグの他の例を示す斜視図である。 従来のガスプラグを備えた静電吸着用部材の一例を示す断面図である。
以下、図面を参照して、本開示のガスプラグ、静電吸着用部材およびプラズマ処理装置について詳細に説明する。図１は、本開示のガスプラグを備えた静電吸着用部材を用いたプラズマ処理装置の概略を示す模式図である。
図１に示すプラズマ処理装置１０は、ドーム状の上部容器１と、この上部容器１の下側に配置された下部容器２とからなる処理チャンバー３を備えている。この処理チャンバー３内には、下部容器２側に支持テーブル４が配置され、この支持テーブル４の上に静電吸着用部材の一例である静電チャック５が設けられている。静電チャック５の吸着用電極には直流電源（図示しない）が接続されており、給電されることによって、静電チャック５の載置面に半導体基板６が吸着、支持される。
また、下部容器２には、真空ポンプ９が接続されており、処理チャンバー３内を真空にすることができる。また、下部容器２の周壁には、エッチングガスを供給するガスノズル７が設けられている。また、上部容器１の周壁には、ＲＦ電源と電気的に接続する誘導コイル８が設けられている。
プラズマ処理装置１０を用いて、半導体基板６をエッチングする場合、まず、真空ポンプ９により処理チャンバー３内を所定の真空度まで脱気する。次いで、静電チャック５の載置面に半導体基板６を吸着した後、ガスノズル７からエッチングガス、例えば、ＣＦ4ガスを供給しつつ、ＲＦ電源から誘導コイル８に給電する。この給電により、半導体基板６の上方の内部空間にエッチングガスのプラズマが形成され、半導体基板６を所定パターンにエッチングすることができる。
ここで、エッチングガスとして、ＣＦ4、ＳＦ6、ＣＨＦ3、ＣｌＦ3、ＮＦ3、Ｃ4Ｆ8、ＨＦ等のフッ素化合物であるフッ素系ガス、Ｃｌ2、ＨＣｌ、ＢＣｌ3、ＣＣｌ4等の塩素化合物である塩素系ガス、あるいはＢｒ2、ＨＢｒ、ＢＢｒ3等の臭素化合物である臭素系ガス等のハロゲン系ガスが挙げられる。
図２は、図１に示す静電チャックの一例を示す拡大断面図である。図２に示す静電チャック５は、取付プレート１１、絶縁プレート１２、設備プレート１３、伝熱部材１４および絶縁基体１５からなる。絶縁基体１５は、接合層１６を介して伝熱部材１４に接合されている。
絶縁基体１５は、半導体基板６等の被処理物を載置するための部材である。この絶縁基体１５は、酸化アルミニウム、酸化イットリウムまたは窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスからなる。絶縁基体１５の内部には、白金、モリブデン、タングステン等の金属からなる吸着用電極１７が設けられている。リード線１８は吸着用電極１７に接続され、吸着用電極１７はリード線１８を介して直流電源１９に接続されている。
静電チャック５は、絶縁基体１５、接合層１６、伝熱部材１４、設備プレート１３、絶縁プレート１２および取付プレート１１を厚み方向に貫通する通気孔２０を有し、取付プレート１１の裏面側からヘリウムガスを通気孔２０の内部に流すことによって、半導体基板６を冷却するようにされている。
伝熱部材１４は、絶縁基体１５の内部で生じた熱を下方に逃がすための部材であり、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）ニッケル（Ｎｉ）またはこれらの合金からなる。
接合層１６は、絶縁基体１５と伝熱部材１４とを接合するための部材であり、例えば、エポキシ樹脂、フッ素樹脂またはシリコーン樹脂等の樹脂からなる。接合層１６の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下である。
環状部材２３は、エポキシ、フッ素またはシリコーン等の樹脂からなり、接合層１６の端面側に配置されて、エッチングガスによる接合層１６の劣化を抑制する。
本開示のガスプラグ２１、２２は、通気孔２０の内部（図１，２に示す例では、両端部）に装着され、エッチングガスの供給によって生じるパーティクルを捉えることができる。
また、ガスプラグ２１，２２は、通気孔２０内における二次的なプラズマの形成を抑制することができる。
図３（ａ）は、図１、２のガスプラグの一例を示す斜視図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）におけるＡ－Ａ’線での断面における要部拡大図である。
また、図４（ａ）は、図１、２のガスプラグの他の例を示す斜視図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）におけるＢ－Ｂ’線での断面における要部拡大図である。
図３（ａ）に示すガスプラグ２１は、直胴状の円柱体である。図４（ａ）に示すガスプラグ２２は、円柱状の軸部２２ａと、軸部２２ａの先端側に軸部の径よりも大きい径を有する先端部２２ｂと、からなる。ガスプラグ２１、２２は、図３（ｂ）、図４（ｂ）に示すように複数の珪素化合物相２４どうしが珪素を主成分とする珪素相２５を介して接続されてなる多孔質複合体からなる。機械的強度の高い珪素化合物相２４どうしを熱伝導率および電気伝導度がいずれも高い珪素相２５を介して接続することによって、熱伝導率および機械的強度が高く、しかも、流れたプラズマのアーク放電を抑制することができる。
なお、珪素化合物相２４の主成分は、例えば、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化珪素（ＳｉＣ）、炭窒化珪素（ＳｉＣｘＮｙ（ｘおよびｙは、それぞれ０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜４／３の範囲で、４ｘ＋３ｙ＝４を満たす数値である。））、酸化珪素（ＳｉＯ２）、サイアロン（Ｓｉ６－ＺＡｌＺＯＺＮ８－Ｚ（ｚは０．１≦ｚ≦１を満たす数値である。））等が挙げられ、これら組成は、定比であっても不定比であってもよい。
珪素化合物相２４を構成する成分の含有量は、走査型電子顕微鏡に付随するエネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いて求めればよい。また、珪素化合物はＸ線回折装置を用いて同定することができる。
ここで、多孔質複合体は、気孔２６を有するとともに、後述する水銀圧入法を用いて測定した気孔率が１０体積％以上の複合体である。
また、多孔質複合体は、複数の珪素化合物相２４を３次元的に配置させるとともに、隣り合う珪素化合物相２４間を珪素を主成分とする珪素相２５により接合した立体的な網目構造を形成したものであり、珪素化合物相２４を珪素相２５で取り囲んでいてもよい。特に、珪素化合物相２４は、炭化珪素が主成分であるとよい。
炭化珪素が主成分であると、珪素相２５の濡れ性が良好となるため、珪素化合物相２４どうしの接合強度を高くすることができる。加えて、珪素および炭化珪素とも熱伝導率が高いので、半導体基板６を効率よく冷却することができる。
また、珪素化合物相２４の断面形状は、多角形状であってもよい。このような構成であると、断面形状が球状である場合よりもエッチングガスの供給によって生じるパーティクルを珪素化合物相２４によって容易に捉えることができる。
また、珪素化合物相２４の少なくともいずれかの表面は凹部２４ａを有していてもよい。このような構成であると、エッチングガスの供給によって生じるパーティクルを凹部２４ａによってさらに容易に捉えることができる。
また、珪素相２５における珪素の含有量はそれぞれの珪素相２５に対して９０質量％以上であり、不可避不純物としてＡｌ，Ｆｅ，Ｃａ等を含んでいてもよい。特に、珪素相２５は、珪素が９９質量％以上であって、不可避不純物の含有量の合計が１質量%以下であるとよい。
特に、珪素相２５における鉄の含有量が０．４質量％以下であるとよい。鉄の含有量がこの範囲であると、鉄がパーティクルとなってプラズマ処理装置内を浮遊するおそれが低減する。
珪素相２５を構成する成分の含有量は、走査型電子顕微鏡に付随するエネルギー分散型X線分析装置を用いて求めればよい。
また、多孔質複合体は、平均気孔径が圧力損失に影響を与え、平均気孔径が小さいと、圧力損失が増加するおそれがある。一方、平均気孔径が大きいと、半導体基板６を吸着した場合と、半導体基板６の表面は気孔に沿って凹状の大きな窪みが生じやすく、エッチング後、半導体基板６の表面の平面度が大きくなるおそれがある。
このような観点から、多孔質複合体の平均気孔径は、３０μｍ以上１００μｍ以下にするとよい。
多孔質複合体の平均気孔径をこの範囲にすると、圧力損失が増加したり、半導体基板６の表面の平面度を大きくしたりすることがない。
多孔質複合体の平均気孔径はＪＩＳ Ｒ １６５５－２００３に準拠した水銀圧入法により求めることができる。
具体的には、まず、多孔質複合体から、一辺の長さが６～７ｍｍの立方状の試料を切り出す。この試料に存在する気孔に水銀圧入型ポロシメータを用いて水銀を圧入し、水銀に加えられた圧力と、気孔内に浸入した水銀の容積を測定する。この容積は気孔の容積に等しく、水銀に加えられた圧力と気孔径には以下の式（２）（Washburnの関係式）が成り立つ。
Ｄ＝－４γｃｏｓθ／ｐ・・・（２）
但し、Ｄ：気孔径（ｍ）
ｐ：水銀に加えられた圧力
γ：水銀の表面張力（０．４８Ｎ／ｍ）
θ：水銀と細孔壁面の接触角（１４０°）
式（２）から各圧力ｐに対する各気孔径Ｄが求められ、各気孔径Ｄに対する気孔の容積分布および累積容積を導くことができる。
図５は、多孔質複合体から切り出した試料に存在する気孔の各気孔径Ｄと気孔の累積容積との関係を示す累積分布曲線の一例である。この累積分布曲線において、気孔の全累積容積をＶＯとしたとき、気孔の累積容積がＶＯ／２の気孔径が平均気孔径（ＭＤ）である。
また、多孔質複合体は、気孔径と気孔の累積容積との関係を示す累積分布曲線における累積２０体積％の気孔径（ｐ２０）に対する累積８０体積％の気孔径（ｐ８０）の比（ｐ８０／ｐ２０）が１．２以上１．６以下であってもよい。比（ｐ８０／ｐ２０）がこの範囲であると、エッチングガスに含まれる様々な大きさのパーティクルを捉えることができるとともに、圧力損失の増加を抑制することができるので、圧力損失の増加に伴って生じる静電吸着用部材からの脱離のおそれを低減することができる。
図６は、本開示のガスプラグを形成する多孔質複合体の組織図である。図６に示す多孔質複合体は、気孔２６を有するとともに、炭化珪素を主成分とする珪素化合物相２４が３次元的に配置され、隣り合う珪素化合物相２４を珪素相２５を介して接合された立体的な網目構造を備えている。珪素相２５の間隙および気泡である非連結部２７は、その面積が少ないほうがよい。その理由について説明する。炭化珪素に対する珪素の濡れ性は良好であることから、珪素は珪素化合物相２４に容易に被着し、この被着した珪素は互いに連結して珪素相２５を形成する。この形成過程で、珪素相２５の内部には、非連結部２７が発生する場合があり、この非連結部２７は熱伝導性を低下させるので、珪素相２５の間隙および気泡である非連結部２７は、その面積が少ないほうがよい。
多孔質複合体の断面における観察範囲（２２００μｍ×１７００μｍ）における非連結部２７の面積比率を以下の式（１）のように表した場合、非連結部２７の面積比率は３．５％以下であるとよい。
（非連結部２７の面積比率）
＝｛（非連結部２７の面積）／（珪素相２５の面積＋非連結部２７の面積）｝×１００（％） ・・・（１）
非連結部２７の面積比率を求めるには、先ず、多孔質複合体の一部を真空中でポリエステル系の冷間埋込樹脂（例えば、丸本ストルアス製、Ｎｏ.１０５）に埋め込んで円柱状の試料とする。そして、この試料の端面をダイヤモンド砥粒（例えば、フジミインコーポレーテッド製、ＦＤＣＷ－０．３）を用いて研磨して鏡面とする。その後、工業用顕微鏡（ニコン製、ECLIPSE LV150）を用いて、この鏡面を５～５０倍にて撮影した画像をＪＰＥＧ形式にて保存する。
次に、ＪＰＥＧ形式で保存した画像ファイルをAdobe(R) Photoshop(R) Elementsというソフトを用いて画像処理を施し、ＢＭＰ形式にて保存する。具体的には画像上の有彩色を削除し、白黒の二階調化（白黒化）を行なう。この二階調化では、工業用顕微鏡（ニコン製、ECLIPSE LV150）で撮影した画像と比べながら、珪素化合物相２４と珪素相２５が識別できる閾値を設定する。
閾値を設定した後、この二階調化された画像を、例えば「画像から面積」（制作者：赤尾鉄平）というフリーソフトを用いて、珪素相２５の面積をピクセル単位で読みとる。
そして、二階調化された画像中の珪素相２５内の間隙および気泡である非連結部２７を画像処理によって黒および白以外の色で着色し、非連結部２７の面積を上述と同様の方法で読みとり、珪素相２５の面積および非連結部２７の面積を式（１）に代入すれば、非連結部２７の面積比率を求めることができる。
また、多孔質複合体の気孔率は、２０体積％以上４０体積％以下であってもよい。
気孔率をこの範囲にすると、圧力損失が増加したり、熱伝導率や機械的強度が低下したりすることがない。多孔質複合体の気孔率は、アルキメデス法により求めることができる。
熱伝導率は、例えば、５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である。熱伝導率は、ＪＩＳ Ｒ １６１１：２０１０（ＩＳＯ １８７５５：２００５）に準拠して求めればよい。
機械的強度を示す３点曲げ強度は、例えば、２０ＭＰａ以上である。３点曲げ強度は、
ＪＩＳ Ｒ １６０１：２００８（ＩＳＯ １４７０４：２０００）に準拠して求めればよい。
また、珪素化合物相２４の平均径を１０５μｍ以上３５０μｍ以下としてもよい。珪素化合物相２４の平均径は、例えば走査型電子顕微鏡（以下、走査型電子顕微鏡をＳＥＭと称す。）で得られた倍率２０～８００倍の画像を用いたインターセプト法により測定するか、あるいはＳＥＭで得られた倍率２０～８００倍で得られた画像、例えば、０．２～２．０ｍｍ×０．２～２．０ｍｍの範囲で観察された珪素化合物相２４の１０～３０個の円相当径と円相当径の平均値とを画像解析により算出することにより求めることができる。インターセプト法を用いる場合、具体的には、珪素化合物相２４の個数が１０以上、好ましくは２０以上となるように数枚のＳＥＭ写真より一定長さの直線上にある珪素化合物相２４の個数から粒径を測定し、その平均値を算出する。
珪素化合物相２４および珪素相２５の周囲に、導電性を有する撥水性樹脂が被着されていてもよい。導電性の撥水性樹脂が被着されていると、珪素化合物相２４および珪素相２５に浮遊粒子が静電付着することを抑制することができる。導電性を有するとは、表面抵抗が１０１２Ω以下であることをいい、被着された撥水性樹脂の表面抵抗は１０６～１０１２Ωであるとよい。
撥水性樹脂は、フッ素樹脂またはシリコーン樹脂が好ましい。これらの樹脂は撥水性能が高いからである。特に、撥水性樹脂はフッ素化したポリシロキサンを含む化合物またはシリコーンオリゴマーを含む組成物であるとよい。
水溶性の洗剤を用いて洗浄した後、撥水性樹脂の表面に付着した水滴が汚れを吸着するロータス効果が得られるので、多孔質複合体の内部に付着した汚れの除去効率を高くすることができる。
撥水性樹脂は、フーリエ変換赤外分光分析装置（ＦＴＩＲ）またはガスクロマトグラフ（ＧＣｍａｓｓ）を用いて同定すればよい。例えば、撥水性樹脂がフッ素樹脂の場合、ＦＴＩＲでパワースペクトルを測定し、フッ素樹脂の標準パワースペクトルと測定したパワースペクトルを比較することによって同定することができる。ＧＣｍａｓｓを用いる場合、熱分解した気体としてポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、ヘキサフロロエチレン（ＨＦＥ）等が検出されれば、フッ素樹脂であることを同定することができる。
図7（ａ）、（ｂ）は、それぞれ図１、２のガスプラグの他の例を示す斜視図である。図７（ａ）、（ｂ）に示すガスプラグ２１、２２は、多孔質複合体２１ｘ、２２ｘと、緻密質のセラミックスからなる筒状体２１ｙ、２２ｙとからなる。多孔質複合体２１ｘ、２２ｘは、筒状体２１ｙ、２２ｙの内部に収容されている。このような構成であると、通気孔２０にガスプラグ２１、２２を装着する場合、多孔質複合体２１ｘ、２２ｘは外周側を多孔質複合体２１ｘ、２２ｘよりも機械的強度が高い筒状体２２ｙ、２２ｙで覆われた状態になるので、多孔質複合体２１ｘ、２２ｘの破損のおそれを低減することができる。本開示における緻密質のセラミックスとは、気孔率が１０体積％未満のセラミックスをいい、アルキメデス法を用いて測定すればよい。
また、緻密質のセラミックスは、酸化アルミニウムまたは炭化珪素を主成分とするセラミックスであるとよい。
なお、図１に示すプラズマ処理装置１０は、プラズマエッチング装置であるが、これ以外、例えば、プラズマＣＶＤ成膜装置等、腐食性ガスによりプラズマ生成が行なわれる装置に、図３，４、８に示すガスプラグを備えた静電吸着用部材を用いてもよい。
次に、本開示のガスプラグの製造方法の一例について説明する。
まず、平均粒径９０～２５０μｍのα型炭化珪素粉末１００質量部に対して、平均粒径１～９０μｍの珪素粉末５～３０質量部を調合し、成形助剤として後の脱脂処理後の残炭率が１０％以上となるような熱硬化性樹脂、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、フラン樹脂、フェノキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、アニリン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂およびメタクリル樹脂の少なくともいずれかを添加し、ボールミル、振動ミル、コロイドミル、アトライター、高速ミキサー等で湿式混合する。特に、成形助剤として、熱硬化後の低収縮性の点からレゾール型またはノボラック型のフェノール樹脂がよい。
ここで、珪素化合物相の断面形状を多角形状であるガスプラグを得るには、α型炭化珪素粉末を、研磨材として用いられるＧＣ砥粒とすればよい。
また、珪素化合物相の少なくともいずれかの表面が凹部を有するガスプラグを得るには、表面が凹部を有するＧＣ砥粒を用いればよい。
多孔質複合体の気孔径の比（ｐ８０／ｐ２０）が１．２以上１．６以下であるガスプラグを得るには、平均粒径が１１０～２３０μｍであるα型炭化珪素粉末を用いればよい。
多孔質複合体の気孔率が２０体積％以上４０体積％以下であって、平均気孔径が３０μｍ以上１００μｍ以下であるガスプラグを得るには、α型炭化珪素粉末１００質量部に対し、成形助剤の添加量を５～２０質量部とすればよい。
また、珪素粉末は、後の熱処理で珪素相となって、炭化珪素を主成分とする珪素化合物相を連結する。
珪素粉末の純度は高いほうが好ましく、９５質量％以上の純度のものが好適で、９９質量％以上の純度のものが特に好ましい。なお、珪素粉末の形状は特に限定されず、球形又はそれに近い形状のみならず、不規則形状であってもよい。
α型炭化珪素粉末、珪素粉末の各平均粒径は液相沈降法、光投下法、レーザー散乱回折法等により測定することができる。
次に、混合したα型炭化珪素粉末、珪素粉末および成形助剤を転動造粒機、スプレードライヤー、圧縮造粒機、押し出し造粒機等の各種造粒機を用いて造粒して顆粒を得る。
得られた顆粒を、乾式加圧成形、冷間等方静水圧成形等の成形方法で成形して成形体とする。
次に、アルゴン、ヘリウム、ネオン、窒素、真空等の非酸化雰囲気中で、４００～６００℃で脱脂処理を行なう。その後、非酸化雰囲気中、１４００～１４５０℃で熱処理することで、炭化珪素を主成分とする複数の珪素化合物相どうしが珪素相を介して接続された多孔質複合体を得ることができる。ここで、気孔率が２０％以上４０％以下であって、平均気孔径が３０μｍ以上１００μｍ以下である多孔質複合体を得る場合、１４２０～１４４０℃で熱処理するとよい。
なお、熱処理の温度を下げるには、珪素の純度を９９．５～９９．８質量％とするとよい。
このような製造方法で得られた多孔質複合体は、両端面および外周面を研削、研磨等の機械加工を施して、図１、２に示すガスプラグを得ることができる。
また、図７に示すガスプラグを得るには、上述した製造方法で得られた多孔質複合体の外周面に接合後の各成分が、例えば、ＳｉＯ２：６０質量％、Ａｌ２Ｏ３：１５質量％、Ｂ２Ｏ３：１４質量％、ＣａＯ：４質量％、ＭｇＯ：３質量％、ＢａＯ：３質量％、ＳｒＯ：１質量％になるように調整された、これら各成分を含むペーストを塗布する。そして、緻密質のセラミックスからなる筒状体の内部に、ペーストを塗布した多孔質複合体を挿入した後、９００℃以上１１００℃以下で熱処理することで図７に示すガスプラグを得ることができる。
珪素化合物相および前記珪素相の周囲に、導電性を有するフッ素樹脂を被着する場合、上記ガスプラグをフッ素樹脂溶液（導電性を有するフッ素樹脂をフッ素系溶媒に溶解させた溶液）に含浸した後、この溶液からガスプラグを取り出す。ガスプラグを常温で乾燥後、さらに７０℃～８０℃で１時間～２時間加熱することにより導電性を有するフッ素樹脂を被着することができる。シリコーン樹脂を被着する場合、ガスプラグをシリコーン樹脂溶液に含浸した後、この溶液からガスプラグを取り出す。そして、ガスプラグを常温で乾燥後、導電性を有するシリコーン樹脂を被着することができる。
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の改良や改善が可能である。
１： 上部容器
２：下部容器
３：処理チャンバー
４：支持テーブル
５：静電チャック
６：半導体基板
７：ガスノズル
８：誘導コイル
９：真空ポンプ
１０：プラズマ処理装置
１１：取付プレート
１２：絶縁プレート
１３：設備プレート
１４：伝熱部材
１５：絶縁基体
１６：接合層
１７：吸着用電極
１８：リード線
１９：直流電源
２０： 通気孔
２１、２２：ガスプラグ
２３：環状部材
２４：珪素化合物相
２５：珪素相
２６：気孔
２７：非連結部

Claims (10)

  1. 複数の珪素化合物相どうしが、珪素を主成分とする珪素相を介して接続されてなる柱状の多孔質複合体からなり、
    前記多孔質複合体は、気孔径と気孔の累積容積との関係を示す累積分布曲線における累積２０体積％の気孔径（ｐ２０）に対する累積８０体積％の気孔径（ｐ８０）の比（ｐ８０／ｐ２０）が１．２以上１．６以下である、ガスプラグ。
  2. 前記珪素化合物相は、炭化珪素を主成分とする、請求項１に記載のガスプラグ。
  3. 前記珪素化合物相の断面形状は、多角形状である、請求項１または請求項２に記載のガスプラグ。
  4. 前記珪素化合物相の少なくともいずれかの表面は凹部を有する、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のガスプラグ。
  5. 前記珪素相における鉄の含有量が０．４質量％以下である、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のガスプラグ。
  6. 前記珪素化合物相および前記珪素相の周囲に、導電性を有する撥水性樹脂が被着されてなる、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のガスプラグ。
  7. 前記撥水性樹脂がフッ素化したポリシロキサンを含む化合物またはシリコーンオリゴマーを含む組成物である、請求項６に記載のガスプラグ。
  8. 前記多孔質複合体と、緻密質のセラミックスからなる筒状体とからなり、前記多孔質複合体は、前記筒状体の内部に収容されてなる、請求項１乃至請求項７のいずれかに記載のガスプラグ。
  9. 請求項１乃至請求項８のいずれかに記載のガスプラグを厚み方向に延びる通気孔の内部に装着してなる静電吸着用部材。
  10. 処理チャンバーと、該処理チャンバー内に請求項９に記載の静電吸着用部材と、を備えてなるプラズマ処理装置。


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