JP7200956B2 - インダクタ部品 - Google Patents

Description

本開示は、インダクタ部品に関する。

特許文献１に記載されているインダクタ部品は、樹脂及び同樹脂に含有された金属磁性粉を含む一対の磁性層と、一対の磁性層の間に挟まれたスパイラル導体とを備えている。スパイラル導体は、絶縁樹脂層に覆われている。また、インダクタ部品は、磁性層及び絶縁樹脂層の双方を貫通するバンプ電極を備えており、バンプ電極によってスパイラル導体と外部端子との導通を図っている。

特許第６０２４２４３号公報

上記のようなインダクタ部品においては、スパイラル導体とバンプ電極との接続強度の向上が求められている。

上記課題を解決するためのインダクタ部品は、磁性層を含み、第１主面及び第２主面を有する本体と、前記本体内において所定の平面上に沿って延伸するインダクタ配線と、前記本体内に設けられているとともに、前記インダクタ配線に接触しており、当該インダクタ配線との接触部分から前記第１主面まで延伸する垂直配線と、を備えている。前記第２主面は、前記インダクタ配線を挟んで前記第１主面の反対側に位置している。前記インダクタ配線の延びる方向に直交する当該インダクタ配線の横断面及び前記所定の平面の双方に沿う方向を、前記インダクタ配線の幅方向とし、前記横断面に沿う方向のうち前記幅方向と直交する方向を、前記インダクタ配線の厚み方向とする。また、前記インダクタ配線の側面のうち、前記幅方向の第１側に位置する側面を第１側面とし、前記幅方向の第２側に位置する側面を第２側面とし、前記幅方向における前記第１側面と前記第２側面との間に位置するとともに前記第１側面及び前記第２側面の双方よりも前記厚み方向で前記第１主面側に位置する側面を第３側面とし、前記幅方向における前記第１側面と前記第２側面との間に位置するとともに前記第１側面及び前記第２側面の双方よりも前記厚み方向で前記第２主面側に位置する側面を第４側面とする。この場合、前記垂直配線は、前記第１側面と、前記第３側面と、に跨がって前記インダクタ配線と接触している。

上記構成によれば、インダクタ配線の側面のうち、第１側面と、第３側面とに跨がって垂直配線がインダクタ配線に接触している。これにより、インダクタ配線の側面のうちの第３側面にのみインダクタ配線が接触している場合と比較し、垂直配線におけるインダクタ配線との接触部分の面積を拡大できる。また、インダクタ配線に対して、複数の方向から垂直配線を接触させることができる。したがって、インダクタ配線と垂直配線との接続強度を向上できる。

上記インダクタ配線によれば、インダクタ配線と垂直配線との接続強度を向上できる。

インダクタ部品の第１実施形態を模式的に示す斜視図。 同インダクタ部品のインダクタ配線の形状を説明する断面図。 同インダクタ部品の断面図。 同インダクタ部品の一部を拡大した断面図。 同インダクタ部品のインダクタ配線の横断面を示す図。 同インダクタ部品の製造方法の一例を説明するフローチャート。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 第２実施形態のインダクタ部品の一部を示す断面図。 同インダクタ部品の一部を拡大した断面図。 同インダクタ部品の製造方法の一例の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 変更例のインダクタ部品の一部を示す断面図。 変更例のインダクタ部品の一部を示す断面図。 変更例のインダクタ部品の一部を示す断面図。 変更例のインダクタ部品の一部を示す断面図。 変更例のインダクタ部品の概略を示す斜視図。 同インダクタ部品のインダクタ配線の形状を説明する断面図。 同インダクタ部品を示す断面図。 変更例のインダクタ部品を示す断面図。

（第１実施形態）
以下、インダクタ部品の一実施形態を図１～図２２に従って説明する。なお、図面は理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図中のものと異なる場合がある。また、断面図ではハッチングを付しているが、理解を容易にするために一部の構成要素のハッチングを省略している場合がある。

図１に示すように、インダクタ部品１０の本体ＢＤは、磁性材料で構成されている磁性層２０を備えている。磁性層２０は、例えば、金属磁性粉を含む樹脂で構成される。金属磁性粉を含む樹脂で磁性層２０を構成する場合、金属磁性粉としては、例えば、鉄、ニッケル、クロム、銅、アルミニウム、並びにこれらの合金を挙げることができる。また、金属磁性粉を含む樹脂としては、エポキシ樹脂などの樹脂材料を挙げることができる。絶縁性や成形性を考慮すると、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂を、当該樹脂として採用することが好ましい。なお、磁性層２０にあっては、その全重量に対して金属磁性粉が「６０ｗｔ％」以上含まれることが好ましい。また、金属磁性粉を含む樹脂の充填性を高くするために、粒度分布の異なる２種類又は３種類の金属磁性粉を樹脂に含ませることがさらに好ましい。

なお、磁性層２０は、金属磁性粉の代わりにフェライト粉を含む樹脂で構成されるものであってもよいし、金属磁性粉及びフェライト粉の双方を含む樹脂で構成されるものであってもよい。また例えば、磁性層２０は、フェライト粉を焼結によって固めた基板、すなわちフェライトの焼結体であってもよい。

図１に示す例では、本体ＢＤは直方体状をなしている。本体ＢＤの形状は、直方体に限定されず、例えば、円柱状及び多角形状であってもよい。本体ＢＤの側面のうち、図３における上面を、「第１主面２１」という。また、本体ＢＤの側面のうち、後述するインダクタ配線４０を挟んだ第１主面２１の反対側に位置する主面を、「第２主面２２」という。

図３に示すように、第１主面２１及び第２主面２２の並ぶ方向における本体ＢＤの寸法を本体ＢＤの厚みＴ１とした場合、厚みＴ１は、「０．１５ｍｍ」以上且つ「０．３ｍｍ」以下である。つまり、第１主面２１と第２主面２２との間隔が、「０．１５ｍｍ」以上且つ「０．３ｍｍ」以下である。よって、インダクタ部品１０は、非常に薄いものである。

図１及び図３に示すように、インダクタ部品１０は、本体ＢＤの第１主面２１上に位置する絶縁性の表層３０を備えている。表層３０の厚みは、本体ＢＤの厚みＴ１よりも薄い。表層３０は、樹脂によって構成される。表層３０を構成する樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、液晶ポリマーを挙げることができる。また、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及び液晶ポリマーのうちの少なくとも２つを混合したもので表層３０を構成してもよい。さらに、表層３０の絶縁性能を高めるために、表層３０は、シリカフィラーなどの絶縁フィラーを含有していてもよい。ただし、表層３０は、磁性粉を含有していない。

インダクタ部品１０は、本体ＢＤ内に設けられているインダクタ配線４０と、本体ＢＤ内に位置していてインダクタ配線４０に接触する絶縁層５０とを備えている。絶縁層５０は、インダクタ配線４０を挟んで第１主面２１の反対側に配置されている。

絶縁層５０は、非磁性体である。絶縁層５０の絶縁性は、磁性層２０の絶縁性よりも高い。絶縁層５０は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、液晶ポリマーを含んでいる。絶縁層５０の絶縁性能を高めるために、絶縁層５０は、シリカフィラーなどの絶縁フィラーを含有していてもよい。なお、本実施形態において非磁性体とは、比抵抗が「１ＭΩ・ｃｍ」以上のもののことをいう。

インダクタ部品１０は、インダクタ配線４０に接触している複数の垂直配線６０，７０を備えている。垂直配線６０は、本体ＢＤ内においてインダクタ配線４０との接触部分から第１主面２１に向けて延びている。そして、垂直配線６０は、表層３０に露出している第１外部端子６５にも接触している。垂直配線７０は、本体ＢＤ内においてインダクタ配線４０との接触部分から第２主面２２に向けて延びている。そして、垂直配線７０の先端が、外部に露出する第２外部端子７０ａとなっている。

次に、インダクタ配線４０について説明する。
インダクタ配線４０は、導電性材料で構成されている。インダクタ配線４０は、例えば、銅、銀、金及びアルミニウムの少なくとも１つを導電性材料として含んでいる。また例えば、インダクタ配線４０は、銅、銀、金及びアルミニウムの少なくとも２つの合金を導電材料として含んでいてもよい。本実施形態では、図４に示すように、インダクタ配線４０は、絶縁層５０に接触するシード層である配線用シード層４０１と、配線用シード層４０１を挟んで絶縁層５０の反対側に位置する導電層４０２とを備えている。配線用シード層４０１は、導電性材料の一例として銅を含んでいる。第１主面２１及び第２主面２２の並ぶ方向における配線用シード層４０１の寸法を配線用シード層４０１の厚みとした場合、配線用シード層４０１の厚みは、「３０ｎｍ」以上且つ「５００ｎｍ」以下である。導電層４０２は、例えば、銅及び硫黄を含んでいる。このように導電層４０２が銅及び硫黄を含んでいる場合、例えば、導電層４０２では、銅の比率を「９９ｗｔ％」以上とし、硫黄の比率を「０．１ｗｔ％」以上であって「１．０ｗｔ％」未満としてよい。なお、インダクタ配線４０は、配線用シード層４０１を備えない構成であってもよい。

図３に示すように、第１主面２１及び第２主面２２の並ぶ方向におけるインダクタ配線４０の寸法をインダクタ配線４０の厚みＴ２とした場合、インダクタ配線４０の厚みＴ２は、「４０μｍ」以上且つ「５５μｍ」以下である。

なお、配線用シード層４０１は、層として、チタンを含む層、タングステンを含む層の少なくとも一方の層を含む構成であってもよい。このように配線用シード層４０１を多層構造とすることにより、インダクタ配線４０と絶縁層５０との密着性をより高めることができる。

図２及び図３に示すように、インダクタ配線４０は、磁性層２０内の所定の平面１００に沿って設けられている。所定の平面１００は、絶縁層５０におけるインダクタ配線４０に面接触する部位によって形成される仮想の平面である。本実施形態において所定の平面１００は第１主面２１と平行な面であるものの、第１主面２１と平行ではない仮想の平面を所定の平面１００としてもよい。なお、図３は、図２に一点鎖線で示す線ＬＮ１に直交する方向でインダクタ部品１０を切断した場合の断面を示す図である。

インダクタ配線４０のうち、垂直配線６０が接触する部位を「第１パッド４１」といい、垂直配線７０が接触する部位を「第２パッド４２」といい、第１パッド４１と第２パッド４２との間に位置する部分を「配線本体４３」という。第１パッド４１及び第２パッド４２の配線幅は、配線本体４３の配線幅よりも広い。配線本体４３は、所定の平面１００上において、磁性層２０の中心軸２０ｚを中心とした渦巻状をなしている。具体的には、配線本体４３は、上面視すると、径方向外側の外周端部４３ｂから径方向内側の内周端部４３ａに向かって渦巻き状に巻回されている。

ここで、インダクタ配線のターン数は、仮想ベクトルに基づいて定められる。仮想ベクトルの始点は、インダクタ配線の配線幅中央を通ってインダクタ配線の延伸方向に延びる仮想中心線上に配置されている。そして、仮想ベクトルは、図３に示す幅方向Ｘ２から見たときにインダクタ配線の延伸方向に延びる仮想中心線に接している。仮想ベクトルの始点を仮想中心線の一方の端に配置した状態から、始点を仮想中心線の他方の端まで移動させたときに、仮想ベクトルの向きが回転した角度が「３６０°」のときに、ターン数は「１．０ターン」として定められている。したがって、例えば「１８０°」巻回されると、ターン数は「０．５ターン」となる。

本実施形態では、インダクタ配線４０の配線本体４３が巻回されている角度は、「５４０°」である。そのため、本実施形態において配線本体４３が巻回されているターン数は、「１．５ターン」となっている。

第２パッド４２には、配線本体４３の外周端部４３ｂが接続されている。第２パッド４２には、所定の平面１００に沿って磁性層２０の外縁側に向かって延びる第１ダミー配線４４が接続されている。第１ダミー配線４４は、インダクタ部品１０の外面に露出している。第１パッド４１は、配線本体４３及び第２パッド４２と同様に、所定の平面１００上に配置されている。第１パッド４１には、配線本体４３の内周端部４３ａが接続されている。すなわち、第１パッド４１が、インダクタ配線４０の第１端部であり、第２パッド４２が、インダクタ配線４０の第２端部である。

配線本体４３の外周端部４３ｂと内周端部４３ａとの間の部分において、外周端部４３ｂから「０．５ターン」巻回されている箇所には、所定の平面１００に沿って磁性層２０の外縁側に向かって延びる第２ダミー配線４５が接続されている。第２ダミー配線４５は、インダクタ部品１０の外面に露出している。

ここで、本体ＢＤ内に設けられているインダクタ配線は、所定の平面１００上に位置するインダクタ配線４０のみである。つまり、インダクタ配線４０の第３側面４３３と第１主面２１との間に位置する仮平面上、及び、平面１００と第２主面２２との間に位置する仮平面上の各々にはインダクタ配線が設けられていない。言い換えると、磁性層２０内に設けられるインダクタ配線は、所定の平面１００上に配置されるインダクタ配線４０のみである。よって、本実施形態のインダクタ部品１０にあっては、インダクタ配線の層数は１層のみであるといえる。

図４は、図３の一部を拡大した図である。図４には、インダクタ配線４０の第１端部である第１パッド４１からのインダクタ配線４０の延びる方向と直交する第１パッド４１の横断面が図示されている。ここでは、当該横断面に沿う方向のうち、第１主面２１及び第２主面２２が並ぶ方向である図中上下方向を、インダクタ配線４０の厚み方向Ｘ１という。また、当該横断面に沿う方向のうち、厚み方向Ｘ１と直交する方向をインダクタ配線４０の幅方向Ｘ２という。幅方向Ｘ２は、所定の平面１００に沿う方向でもある。

図４に示すように、垂直配線６０が接触する部分であるインダクタ配線４０の第１パッド４１の横断面は四角形状をなしている。ここでいう四角形状とは、４つの側面を有するものであれば、４つの側面のうち、少なくとも１つの側面は、当該横断面上で直線状をなしていなくてもよい。また、４つの側面のうち、少なくとも１つの側面は、当該横断面上で円弧をなす部分を有していてもよい。

第１パッド４１の横断面の幅方向Ｘ２における中心を基準とした場合、第１パッド４１の側面のうち、幅方向Ｘ２の第１側に位置する側面、すなわち図中左側の側面を第１側面４３１とし、幅方向Ｘ２の第２側に位置する側面、すなわち図中右側の側面を第２側面４３２とする。また、第１パッド４１の側面のうち、幅方向Ｘ２における第１側面４３１と第２側面４３２との間に位置するとともに第１側面４３１及び第２側面４３２の双方よりも厚み方向Ｘ１で第１主面２１側に位置する側面を第３側面４３３とする。すなわち、図４及び図５に示す第１パッド４１の横断面において、第３側面４３３は天面４３３ｃを含んでいる。また、第３側面４３３は、第１側面４３１との接続部４３３ａと、第２側面４３２との接続部４３３ｂとをさらに含んでいる。図４及び図５に示す例では、各接続部４３３ａ，４３３ｂは、図面上において円弧状をなしている。接続部４３３ａは、天面４３３ｃと第１側面４３１とを接続する面であるともいえる。接続部４３３ｂは、天面４３３ｃと第２側面４３２とを接続する面であるともいえる。第１パッド４１の側面のうち、幅方向Ｘ２における第１側面４３１と第２側面４３２との間に位置するとともに第１側面４３１及び第２側面４３２の双方よりも厚み方向Ｘ１で第２主面２２側に位置する側面を第４側面４３４とする。すなわち、図４及び図５に示す第１パッド４１の横断面において、第４側面４３４は底面４３４ｃを含んでいる。また、第４側面４３４は、第１側面４３１との接続部４３４ａと、第２側面４３２との接続部４３４ｂとをさらに含んでいる。図４及び図５に示す例では、各接続部４３４ａ，４３４ｂは、図面上において円弧状をなしている。接続部４３４ａは、底面４３４ｃと第１側面４３１とを接続する面であるともいえる。接続部４３４ｂは、底面４３４ｃと第２側面４３２とを接続する面であるともいえる。

本実施形態では、第４側面４３４が絶縁層５０に面接触している。図４に示す例では、第４側面４３４の一部である底面４３４ｃが絶縁層５０に面接触している。なお、第４側面４３４の接続部４３４ａの少なくとも一部が絶縁層５０に接触していてもよいし、第４側面４３４の接続部４３４ｂの少なくとも一部が絶縁層５０に接触していてもよい。一方で、第１側面４３１、第２側面４３２及び第３側面４３３は絶縁層５０に接していない。なお、インダクタ配線４０が配線用シード層４０１を有している場合、第４側面４３４の底面４３４ｃは配線用シード層４０１によって構成される。

また、図３及び図４に示すように、第１パッド４１にあっては、第１側面４３１が径方向内側の側面となり、第２側面４３２が径方向外側の側面となる。ここでいう「径方向」とは、インダクタ配線４０の周回形状における径方向である。すなわち、第１パッド４１の第１側面４３１は、配線本体４３と隣り合っていないのに対し、第１パッド４１の第２側面４３２は、配線本体４３における第１パッド４１よりも径方向外側に位置する部分と隣り合っている。よって、第１パッド４１にあっては、第１側面４３１及び第２側面４３２のうち、第１側面４３１が、インダクタ配線４０の密度が粗となる方に位置する面に相当する。一方、第２側面４３２が、インダクタ配線４０の密度が密となる方に位置する面に相当する。

次に、垂直配線７０について説明する。
図３に示すように、絶縁層５０のうち、インダクタ配線４０の第２パッド４２に接触する部分には、貫通孔であるビアホール５０ａが設けられている。そして、垂直配線７０は、ビアホール５０ａを貫通して第２パッド４２に接続されている。

垂直配線７０は、ビア７１と、第２柱状配線７２とを有している。ビア７１は、ビアホール５０ａ内に位置しているとともに、第２パッド４２の第４側面４３４に接触している。第２柱状配線７２は、ビア７１の両端のうち、第２パッド４２とは反対側の端に接続されている。第２柱状配線７２は、一方向に延びている。第２柱状配線７２の太さは、ビア７１の太さよりも太い。すなわち、厚み方向Ｘ１と直交する第２柱状配線７２の断面の面積は、厚み方向Ｘ１に直交するビア７１の断面の面積よりも広い。

次に、垂直配線６０について説明する。
図３及び図４に示すように、垂直配線６０は、第１パッド４１との接触部分６０ａから一方向に延びている。本実施形態では、垂直配線６０が、インダクタ配線４０との接触部分６０ａから第１主面２１まで延伸する「垂直配線」であり、垂直配線６０の延びる方向を「規定方向Ｙ」とする。図３及び図４に示す例では、規定方向Ｙは、厚み方向Ｘ１と同じ方向である。

垂直配線６０は、第１パッド４１の第３側面４３３と第１側面４３１との双方に跨がって第１パッド４１に接触している。そして、図４に示すように第１側面４３１において垂直配線６０と接触している部分を、「横接続面ＣＳ」ともいう。

図４に示すインダクタ部品１０の一部分の断面にあっては、垂直配線６０における図中左右方向の両端、すなわち幅方向Ｘ２の両端のうち、図中右側の端である第１パッド４１側の端は、第１パッド４１の幅方向Ｘ２における中心と第２側面４３２との間に位置している。一方、垂直配線６０における幅方向Ｘ２の両端のうち、図中左側の端である第１パッド４１から離れている側の端は、幅方向Ｘ２において第１側面４３１と、絶縁層５０の図中左端との間に位置している。すなわち、第１パッド４１の幅方向Ｘ２における中心を基準とした場合、第１パッド４１から離れている側の端は、幅方向Ｘ２において第１側面４３１よりも外側に位置している。

また、図５に示すように、規定方向Ｙにおける第１側面４３１の長さを「側面長さＬ１」とし、側面長さＬ１の３分の１の長さを「規定長さＬ２」とする。第１側面４３１における第３側面４３３の接続部４３３ａとの接続部分を、「接続部分４３１ａ」とし、接続部分４３１ａから絶縁層５０側に規定長さＬ２だけ離れた位置を、「規定位置４３１ｃ」とする。この場合、第１側面４３１のうち、接続部分４３１ａから規定位置４３１ｃまでは垂直配線６０に接触している。本実施形態では、第１パッド４１の第１側面４３１は、接続部分４３１ａから接続部分４３１ｂまで垂直配線６０に接触している。接続部分４３１ｂとは、第１側面４３１における第４側面４３４の接続部４３４ａとの接続部分である。さらに、第４側面４３４の接続部４３４ａも垂直配線６０に接触している。すなわち、本実施形態では、厚み方向Ｘ１における横接続面ＣＳの長さを横接続面長さとした場合、横接続面長さが、厚み方向Ｘ１における第１側面４３１の長さの３分の１よりも大きい。なお、本実施形態では、垂直配線６０は、インダクタ配線４０の第１パッド４１に加え、絶縁層５０にも接触している。

図４に示すように、垂直配線６０の接触部分６０ａは、第３側面４３３に接触する第１接触部６０ａ１と、第１側面４３１及び第４側面４３４に接触する第２接触部６０ａ２とを有している。本実施形態では、第１接触部６０ａ１及び第２接触部６０ａ２は、シード層６１によって構成されている。本実施形態では、垂直配線６０のシード層６１を、「柱状配線用シード層６１」という。

柱状配線用シード層６１は、導電材料の一例として銅を含んでいる。柱状配線用シード層６１は、複数の層が積層されている積層体である。柱状配線用シード層６１は、層として、銅の比率が「９０ｗｔ％」以上となる層を含んでいる。また、柱状配線用シード層６１は、層として、パラジウムを含む層を含んでいる。複数の層のうち、パラジウムを含む層が、インダクタ配線４０に接触している。柱状配線用シード層６１の厚みは、「３０ｎｍ」以上且つ「５００ｎｍ」以下である。また、柱状配線用シード層６１を構成するパラジウムの層の厚みは、例えば、「１ｎｍ」以上且つ「１００ｎｍ」以下である。

なお、柱状配線用シード層６１は、層として、チタンを含む層、タングステンを含む層の少なくとも一方の層を含む構成であってもよい。ちなみに、柱状配線用シード層６１を多層構造とすることにより、垂直配線６０とインダクタ配線４０との密着性を高めることができる。

次に、本実施形態の作用及び効果について説明する。
（１）本実施形態では、第１側面４３１と第３側面４３３とに跨がって垂直配線６０がインダクタ配線４０に接触している。そのため、垂直配線６０が第３側面４３３のみに繋がっている場合と比較し、垂直配線６０の接触部分６０ａの面積を拡大できる。また、インダクタ配線４０に対して、複数の方向から垂直配線６０を接触させることができる。詳しくは、厚み方向Ｘ１からだけではなく幅方向Ｘ２からも垂直配線６０がインダクタ配線４０に接触している。

ここで、第３側面４３３にのみ接触する態様で垂直配線をインダクタ配線４０に接触させる比較例について考える。この場合、垂直配線に対して幅方向Ｘ２への外力が作用した場合、インダクタ配線４０に対して垂直配線が幅方向Ｘ２にスライド移動したり、当該スライド移動に起因して垂直配線がインダクタ配線４０から剥離したりすることが懸念される。

これに対し、本実施形態では、第３側面４３３及び第１側面４３１の何れにも接触する態様で垂直配線６０がインダクタ配線４０に接触している。これにより、垂直配線６０に対して、幅方向Ｘ２において第１側面４３１から第２側面４３２に向かう方向、すなわち図４における右方向への外力が作用した場合、垂直配線６０の接触部分６０ａのうちの第１側面４３１と接触する部位と、第１側面４３１とによって、インダクタ配線４０に対する垂直配線６０の幅方向Ｘ２へのスライド移動を抑制できる。その結果、インダクタ配線４０に対する垂直配線６０の幅方向Ｘ２への位置ずれを抑制したり、インダクタ配線４０からの垂直配線６０の剥離を抑制したりすることができる。

すなわち、本実施形態では、インダクタ配線４０と垂直配線６０との接続強度を高くできる。
（２）また、垂直配線７０とインダクタ配線４０との接続形態のようなビア接続によって垂直配線６０をインダクタ配線４０に繋げる場合と比較し、垂直配線６０の接触部分６０ａの面積を拡大できる。これにより、垂直配線６０の接触部分６０ａの近傍を太くできる分、接触部分６０ａの近傍での断線の発生を抑制できる。

（３）垂直配線６０の接触部分６０ａは、第１側面４３１のうち、規定位置４３１ｃよりも接続部分４３１ｂ側の部分にも接触している。これにより、垂直配線６０とインダクタ配線４０との間で発生するアンカー効果を高めることができる。すなわち、垂直配線６０とインダクタ配線４０との接続強度を高くできる。

（４）垂直配線６０は、絶縁層５０にも接触している。これにより、垂直配線６０とインダクタ配線４０との接続強度をさらに高くできる。
（５）磁性層２０の第１主面２１上には、絶縁性の表層３０が設けられている。これにより、第１主面２１側に複数の外部端子が設けられる場合、各外部端子間での絶縁性を高くできる。

（６）垂直配線６０の接触部分６０ａは、第１側面４３１及び第３側面４３３の双方に接触する柱状配線用シード層６１を有している。このように第１側面４３１にも接触するシード層を設けることにより、第１側面４３１にも接触する垂直配線６０を形成しやすくなる。

（７）柱状配線用シード層６１は、銅を含む層を有している。これにより、エレクトロマイグレーションの抑制効果を高めることができる。また、柱状配線用シード層６１が銅を含んだ構成とすることにより、インダクタ部品１０の製造コストの増大を抑制したり、柱状配線用シード層６１を含むインダクタ配線４０の配線抵抗を低くしたりすることができる。

（８）柱状配線用シード層６１は、パラジウムを含む層を有している。これにより、銅を含む層を形成しやすくなる。
（９）垂直配線６０は、第１パッド４１の第１側面４３１及び第２側面４３２のうち、インダクタ配線４０の密度が粗となる方に位置する第１側面４３１に接触している。言い換えると、垂直配線６０は、第１パッド４１の第１側面４３１及び第２側面４３２のうち、インダクタ配線４０の密度が密となる方に位置する第２側面４３２に繋がっていない。これにより、インダクタ配線４０のうちの第１パッド４１以外の部分が垂直配線６０と接触してしまうことを抑制できる。

（１０）磁性層２０の厚みＴ１が「０．１５ｍｍ」未満である場合、インダクタ部品１０が薄すぎてインダクタ部品１０が反ってしまうおそれがある。一方、厚みＴ１が「０．３ｍｍ」よりも厚い場合、インダクタ部品１０の実装の自由度が低くなるおそれがある。この点、本実施形態では、厚みＴ１は、「０．１５ｍｍ」以上且つ「０．３ｍｍ」以下である。そのため、インダクタ部品１０として十分な強度を確保しつつ、インダクタ部品１０の実装の自由度の低下を抑制できる。

（１１）インダクタ配線４０の厚みＴ２が「４０μｍ」未満である場合、インダクタ配線４０のアスペクト比が小さくなりすぎ、インダクタ配線４０の配線抵抗が高くなるおそれがある。一方、厚みＴ２が「５５μｍ」よりも厚い場合、インダクタ配線４０に対して幅方向Ｘ２に押す力が大きくなり、インダクタ配線４０の位置が所定の設計位置からずれてしまうおそれがある。設計位置とは、インダクタ部品１０の設計に際して決めたインダクタ配線４０の位置である。この点、本実施形態では、厚みＴ２は、「４０μｍ」以上且つ「５５μｍ」以下である。そのため、インダクタ配線４０の配線抵抗の増大を抑制しつつ、インダクタ配線４０の位置が設計位置からずれることを抑制できる。

次に、図６～図２２を参照し、上記のインダクタ部品１０の製造方法の一例について説明する。本実施形態における製造方法は、セミアディティブ法を利用した方法である。
図６に示すように、はじめのステップＳ１１では、基板２００上にベース絶縁層２１０を形成する。図７に示すように、基板２００は、板状をなしている。基板２００の材質としては、例えば、セラミックスを挙げることができる。図７において、基板２００の上面を表面２０１とし、基板２００の下面を裏面２０２とする。そして、基板２００の表面２０１全体を覆うように、基板２００上にベース絶縁層２１０が形成される。ベース絶縁層２１０は、上記インダクタ部品１０を構成する絶縁層５０と同じ非磁性の材料によって構成される。例えば、トリフルオロメチル基とシルセスキオキサンとを含むポリイミドワニスをスピンコートによって基板２００の表面２０１に塗布することにより、ベース絶縁層２１０を形成できる。

ベース絶縁層２１０の形成が完了すると、処理が次のステップＳ１２に移行される。ステップＳ１２では、図７に示すようにベース絶縁層２１０上にパターン用絶縁層２１１を形成する。パターン用絶縁層２１１のうち、少なくとも図７における上側の部分は、インダクタ部品１０の絶縁層５０を構成することになる。例えば、フォトリソグラフィによってベース絶縁層２１０上に非磁性の絶縁樹脂をパターニングすることにより、パターン用絶縁層２１１を形成することができる。この場合、ベース絶縁層２１０の形成に用いたものと同種のポリイミドワニスを用い、パターン用絶縁層２１１が形成される。

パターン用絶縁層２１１の形成が完了すると、処理が次のステップＳ１３に移行される。ステップＳ１３では、シード層２２０を形成する。すなわち、図８に示すように、ベース絶縁層２１０とパターン用絶縁層２１１とからなる製造時絶縁層２１２の図中上面全体を覆うようにシード層２２０が形成される。例えば、スパッタリングによって、銅を含むシード層２２０が形成される。例えば、ステップＳ１３では、「２００ｎｍ」程度の厚みのシード層２２０が形成される。シード層２２０のうち、パターン用絶縁層２１１上に位置する部分の一部が、インダクタ配線４０を構成する配線用シード層４０１となる。

シード層２２０の形成が完了すると、処理が次のステップＳ１４に移行される。ステップＳ１４では、シード層２２０全体にフォトレジストが塗布される。例えば、スピンコートによってフォトレジストがシード層２２０上に塗布される。続いて、露光装置を用いた露光が実行される。これにより、フォトレジストのうち、導電層４０２を形成する位置に対応する部分は後述する現像処理によって除去可能となり、それ以外の部分は硬化する。なお、フォトレジストとしてネガ型のレジストを採用する場合、当該フォトレジストのうち、露光された部分が硬化し、それ以外の部分が除去可能になる。一方、フォトレジストとしてポジ型のレジストを採用する場合、当該フォトレジストのうち、露光された部分が除去可能となり、それ以外の部分が硬化する。フォトレジストのうち、露光される部分を制御することにより、製造時絶縁層２１２上に付着している部分の一部分を硬化させることができる。続いて、現像液を用いた現像処理によって、図８に示すように、フォトレジストのうち、導電層４０２を形成する位置に対応する部分が除去される。また、フォトレジストのうち、硬化した部分は、第１保護膜２３０Ａとしてシード層２２０上に残る。このように第１保護膜２３０Ａをシード層２２０上にパターニングすることにより、配線パターンＰＴが形成される。配線パターンＰＴは、インダクタ部品１０のインダクタ配線４０の形状に応じた開口形状をなす。

配線パターンＰＴの形成が終了すると、処理が次のステップＳ１５に移行される。ステップＳ１５では、配線パターンＰＴ内に導電性材料を供給することによって、図９に示すような導電層４０２を形成する。例えば、硫酸銅水溶液を用いた電解銅めっきを行うことにより、シード層２２０のうち露出している部分に主に銅及び微量の硫黄が析出する。これにより、導電層４０２が形成される。硫酸銅水溶液を用いるため、導電層４０２には硫黄が含まれることになる。シード層２２０のうちの導電層４０２が接触する部分と、導電層４０２とにより、インダクタ配線４０が形成される。すなわち、シード層２２０のうちの導電層４０２が接触する部分が、配線用シード層４０１となる。

導電層４０２の形成が完了すると、処理が次のステップＳ１６に移行される。ステップＳ１６では、剥離液を用いた処理によって、図１０に示すように第１保護膜２３０Ａが除去される。また、第１保護膜２３０Ａの除去が完了すると、シード層２２０のうち、第１保護膜２３０Ａに接触していた部分が除去される。例えば、ウェットエッチングによって、シード層２２０のうち、第１保護膜２３０Ａに接触していた部分が除去される。これにより、シード層２２０のうち、配線用シード層４０１となる部分のみが残ることになる。

ステップＳ１６の除去処理が完了すると、処理が次のステップＳ１７に移行される。ステップＳ１７では、フォトレジストがインダクタ配線４０を隠すように塗布される。例えば、スピンコートによってフォトレジストが塗布される。続いて、露光装置を用いた露光が実行される。これにより、フォトレジストのうち、垂直配線６０を形成する位置に対応する部分は後述する現像処理によって除去可能となり、それ以外の部分は硬化する。フォトレジストのうち、後述する現像処理によって除去される部分は、図１１に示すインダクタ配線４０の第１パッド４１に対して径方向内側に少しずれている。続いて、現像液を用いた現像処理によって、図１１に示すように、フォトレジストのうち、パターン用絶縁層２１１上に付着している部分が除去される。また、フォトレジストのうち、硬化した部分は、第２保護膜２３０Ｂとして製造時絶縁層２１２上に残る。このように第２保護膜２３０Ｂを製造時絶縁層２１２上にパターニングすることにより、垂直配線６０を形成するためのパターンである垂直パターンＰＴ１が形成される。このように垂直パターンＰＴ１が形成されると、第１パッド４１の側面のうち、垂直配線６０を接触させる部分である第３側面４３３と、第１側面４３１と、第４側面４３４の少なくとも一部とが露出する。

垂直パターンＰＴ１の形成が終了すると、処理が次のステップＳ１８に移行される。ステップＳ１８では、図１１に示すように柱状配線用シード層６１を形成する。例えば、スパッタリングによって、銅を含む柱状配線用シード層６１が形成される。例えば、ステップＳ１３では、「２００ｎｍ」程度の厚みの柱状配線用シード層６１が形成される。本実施形態では、インダクタ配線４０の第３側面４３３と、第１側面４３１との双方に付着する柱状配線用シード層６１が形成される。続いて、垂直パターンＰＴ１内に導電性材料を供給することによって、図１２に示すように導電性の第１柱６２を形成する。上述したように、例えば、硫酸銅水溶液を用いた電解銅めっきを行うことにより、第１柱６２が形成される。硫酸銅水溶液を用いるため、第１柱６２には微少の硫黄が含まれることになる。第１柱６２と、柱状配線用シード層６１とにより、垂直配線６０が形成される。

垂直配線６０の形成が完了すると、処理が次のステップＳ１９に移行される。ステップＳ１９では、剥離液を用いた処理によって、図１３に示すように第２保護膜２３０Ｂが除去される。なお、第２保護膜２３０Ｂが除去されると、柱状配線用シード層６１の一部が露出することがある。そのため、第２保護膜２３０Ｂの除去後では、例えばウェットエッチングによって、柱状配線用シード層６１のうち露出している部分の除去が行われる。

ステップＳ１９の除去処理が完了すると、処理が次のステップＳ２０に移行される。ステップＳ２０では、図１４に示す第１磁性シート２５Ａが図中上方からプレスされる。これにより、インダクタ配線４０及び垂直配線６０が第１磁性シート２５Ａ内に埋設される。ステップＳ２０において図中上方からプレスされる第１磁性シート２５Ａは、単層のシートであってもよいし、複数の層を積層した積層体であってもよい。続いて、図１５に示すように、垂直配線６０の両端のうち、インダクタ配線４０に接触しない側の端が図中上側から見えるようになるまで、第１磁性シート２５Ａの図中上側が研削される。

第１磁性シート２５Ａのプレス及び第１磁性シート２５Ａの研削が完了すると、処理が次のステップＳ２１に移行される。ステップＳ２１では、図１５に示すように第１磁性シート２５Ａの図中上面に、表層３０が形成される。例えば、フォトリソグラフィによって第１磁性シート２５Ａ上に非磁性の絶縁樹脂をパターニングすることにより、表層３０を形成することができる。続いて、表層３０のうち、第１外部端子６５が形成される位置に、貫通孔３０ａが形成される。例えば、レーザーを表層３０に照射することによって、貫通孔３０ａを形成できる。

表層３０の形成が完了すると、処理が次のステップＳ２２に移行される。ステップＳ２２では、研削によって、図１６に示すように基板２００及びベース絶縁層２１０を除去する。この際、パターン用絶縁層２１１の一部を除去してもよい。当該処理を得て、残っているパターン用絶縁層２１１が、インダクタ部品１０の絶縁層５０となる。

研削が完了すると、処理が次のステップＳ２３に移行される。ステップＳ２３では、図１７に示すように絶縁層５０にビアホール５０ａを形成する。例えば、レーザーを絶縁層５０に照射することによって、ビアホール５０ａが形成される。

ビアホール５０ａの形成が完了すると、処理が次のステップＳ２４に移行される。ステップＳ２４では、図１７に示すように、第１磁性シート２５Ａのうち、表層３０が設けられている側とは反対側に、シード層２４０を形成する。シード層２４０を、「反対側シード層２４０」ともいう。例えば、スパッタリングによって、銅を含む反対側シード層２４０が形成される。この場合、絶縁層５０のうち、インダクタ配線４０の位置とは反対側に位置する面５１、及び、ビアホール５０ａの周壁の双方に、銅が付着することになる。続いて、反対側シード層２４０全体にフォトレジストが塗布される。例えば、スピンコートによってフォトレジストが反対側シード層２４０上に塗布される。続いて、露光装置を用いた露光が実行される。これにより、フォトレジストのうち、垂直配線７０を形成する位置に付着している部分は後述する現像処理によって除去可能となり、それ以外の部分は硬化する。そして、現像液を用いた現像処理によって、図１８に示すように、フォトレジストのうち、垂直配線７０を形成する位置に対応する部分が除去される。また、フォトレジストのうち、硬化した部分は、第３保護膜２３０Ｃとして残る。このように第３保護膜２３０Ｃを反対側シード層２４０上にパターニングすることにより、インダクタ部品１０における垂直配線７０を形成するためのパターンである垂直パターンＰＴ２が形成される。

垂直パターンＰＴ２の形成が終了すると、処理が次のステップＳ２５に移行される。ステップＳ２５では、垂直パターンＰＴ２内に導電性材料を供給することによって、図１９に示すように導電性の第２柱７４を形成する。上述したように、例えば、硫酸銅水溶液を用いた電解銅めっきを行うことにより、第２柱７４が形成される。硫酸銅水溶液を用いるため、第２柱７４には硫黄が含まれることになる。第２柱７４のうち、ビアホール５０ａ内に位置する部分がビア７１となり、ビアホール５０ａ外に位置する部分が第２柱状配線７２となる。つまり、垂直配線７０が形成される。

垂直配線７０の形成が完了すると、処理が次のステップＳ２６に移行される。ステップＳ２６では、剥離液を用いた処理によって、図２０に示すように第３保護膜２３０Ｃが除去される。また、第３保護膜２３０Ｃの除去が完了すると、反対側シード層２４０のうち、第３保護膜２３０Ｃに接触していた部分が除去される。例えば、ウェットエッチングによって、反対側シード層２４０のうち、第３保護膜２３０Ｃに接触していた部分が除去される。これにより、反対側シード層２４０のうち、垂直配線７０を構成する部分のみが残ることになる。

ステップＳ２６の除去処理が完了すると、処理が次のステップＳ２７に移行される。ステップＳ２７では、図２１に示す第２磁性シート２５Ｂが図中下方からプレスされる。これにより、垂直配線７０が第２磁性シート２５Ｂ内に埋設される。また、インダクタ配線４０が、第１磁性シート２５Ａと第２磁性シート２５Ｂとによって挟み込まれた状態となる。ステップＳ２７において図中下方からプレスされる第２磁性シート２５Ｂは、単層のシートであってもよいし、複数の層を積層した積層体であってもよい。続いて、垂直配線７０の両端のうち、インダクタ配線４０に接触しない側の端が図中下側から見えるようになるまで、第２磁性シート２５Ｂの図中下側が研削される。これにより、インダクタ部品１０の本体ＢＤが構成される。

第２磁性シート２５Ｂのプレス及び第２磁性シート２５Ｂの研削が完了すると、処理が次のステップＳ２８に移行される。ステップＳ２８では、図２２に示すように表層３０に、第１外部端子６５が形成される。これにより、インダクタ部品１０の製造方法を構成する一連の処理が終了される。

（第２実施形態）
次に、インダクタ部品の第２実施形態を図２３～図２７に従って説明する。以下の説明においては、第１実施形態と相違している部分について主に説明するものとし、第１実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。

図２３は、本実施形態のインダクタ部品１０Ａの一部を示す断面図である。具体的には、図２３には、第１パッド４１から延びるインダクタ配線４０の延伸方向に直交する第１パッド４１の横断面が図示されている。インダクタ部品１０Ａにあっては、磁性層２０は、金属磁性粉を含む樹脂で構成されている。また、垂直配線６０Ａは、インダクタ配線４０の第３側面４３３と、第１側面４３１の一部とに接触している。第１側面４３１のうち、垂直配線６０Ａに接触する部分が、横接続面ＣＳに相当する。

図２４は、図２３の一部を拡大した図である。図２４に示す本体ＢＤの断面では、第１側面４３１のうち、接続部分４３１ａから規定位置４３１ｃまでは垂直配線６０Ａに接触している。本実施形態では、第１パッド４１の第１側面４３１のうち、接続部分４３１ａから、規定位置４３１ｃと接続部分４３１ｂとの間の位置までの部分が、垂直配線６０Ａに接触している。

本実施形態では、垂直配線６０Ａは、絶縁層５０に接触していない。そして、厚み方向Ｘ１において、垂直配線６０Ａと絶縁層５０との間に、空隙ＳＰが設けられている。すなわち、空隙ＳＰは本体ＢＤ内に設けられている。また、空隙ＳＰは、垂直配線６０Ａと、インダクタ配線４０の第１側面４３１と、絶縁層５０と、磁性層２０とによって区画されている。なお、空隙ＳＰの大きさは、磁性層２０に含まれる金属磁性粉の大きさよりも大きい。

本実施形態によれば、以下に示す効果をさらに得ることができる。
（１２）垂直配線６０Ａに接する空隙ＳＰを本体ＢＤ内に設けることにより、垂直配線６０Ａに外力が加わった際に垂直配線６０Ａで生じる応力を低減できる。同様に、空隙ＳＰは、インダクタ配線４０にも接している。そのため、インダクタ配線４０に外力が加わった際にインダクタ配線４０で生じる応力を低減できる。

次に、図６及び図２５～図２７を参照し、上記のインダクタ部品１０Ａの製造方法のうち、インダクタ部品１０の製造方法とは異なる部分について説明する。
インダクタ部品１０Ａを製造する場合、図６に示すステップＳ１７では、図２５に示すような第２保護膜２３０Ｂを形成する。すなわち、幅方向Ｘ２におけるインダクタ配線４０の第１パッド４１の中心を基準とした場合、絶縁層５０のうち、幅方向Ｘ２において第１パッド４１よりも内側に位置する部分を第２保護膜２３０Ｂで覆うように、第２保護膜２３０Ｂが形成される。これは、例えば露光装置による露光時における露光光の焦点の位置を調整することによって実現できる。なお、当該部分を覆う第２保護膜２３０Ｂの厚みは、露光光の焦点の位置を調整することによって調整できる。

図２５に示した第２保護膜２３０Ｂを形成すると、処理が次のステップＳ１８に移行される。ステップＳ１８では、上記第１実施形態の場合と同じ処理を実行することによって、垂直配線６０Ａを形成する。そして、ステップＳ１９において第２保護膜２３０Ｂが除去されると、図２６に示すように、絶縁層５０に接触しない垂直配線６０Ａが形成される。

続いて、ステップＳ２０では、図２７に示す第１磁性シート２５Ａが図中上方からプレスされる。これにより、インダクタ配線４０及び垂直配線６０Ａが第１磁性シート２５Ａ内に埋設されるとともに、垂直配線６０Ａと、インダクタ配線４０と、絶縁層５０と、磁性層２０とによって区画された空隙ＳＰが形成される。なお、空隙ＳＰの大きさは、第１磁性シート２５Ａの剛性の強さによって調整できる。すなわち、第１磁性シート２５Ａとして剛性の強いシートを採用した場合では、第１磁性シート２５Ａとして剛性の弱いシートを採用した場合と比較し、空隙ＳＰを大きくできる。

なお、ステップＳ２１以降は、第１実施形態の場合と同様であるため、その詳細な説明を割愛する。
（変更例）
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記各実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。

・垂直配線は、規定方向Ｙにおいて太さの異なる複数の配線部を有する垂直配線６０Ｂであってもよい。例えば、図２８に示すように、垂直配線６０Ｂは、厚み方向Ｘ１で互いに接触する第１配線部６４１と第２配線部６４２とを有していてもよい。この場合、第１配線部６４１と第２配線部６４２との境界は、厚み方向Ｘ１におけるインダクタ配線４０の第３側面４３３と本体ＢＤの第１主面２１との間に位置する。そして、第１配線部６４１及び第２配線部６４２のうち、第１外部端子６５と繋がる第１配線部６４１の太さを、第２配線部６４２の太さよりも太くしてもよい。反対に、第１配線部６４１の太さを、第２配線部６４２の太さよりも細くしてもよい。すなわち、厚み方向Ｘ１と直交する第１配線部６４１の断面の面積を、厚み方向Ｘ１と直交する第２配線部６４２の断面の面積と異ならせてもよい。このように垂直配線を、厚み方向Ｘ１において太さの異なる複数の配線部を有する構成とすることにより、垂直配線の設計の自由度を高くできる。

・第１外部端子６５の直径は、垂直配線６０，６０Ａの直径と異なっていてもよい。例えば、図２９に示すように、第１外部端子６５の直径を垂直配線６０，６０Ａの直径よりも小さくしてもよい。この場合、第１外部端子６５の大きさに合わせて、垂直配線６０，６０Ａの太さを設計しなくてもよくなる。その結果、垂直配線６０，６０Ａが細くなりすぎることを抑制でき、ひいては垂直配線６０，６０Ａの断線の発生を抑制できる。

・第１主面２１に沿う方向において、第１外部端子６５の中心を、垂直配線６０，６０Ａの中心とずらしてもよい。すなわち、図３０に示すように、第１主面２１に沿う方向において、第１外部端子６５の中心軸６５ｚを、垂直配線６０の中心軸６０ｚとずらしてもよい。第１外部端子６５の中心軸６５ｚとは、厚み方向Ｘ１に延びる線のうち、第１外部端子６５の中心を通過する線であり、垂直配線６０の中心軸６０ｚとは、厚み方向Ｘ１に延びる線のうち、垂直配線６０の中心を通過する線である。例えば、第１外部端子６５の中心軸６５ｚを、幅方向Ｘ２で垂直配線６０の中心軸６０ｚとずらすことにより、第１外部端子６５の中心を、幅方向Ｘ２で垂直配線６０の中心とずらすことができる。また、第１外部端子６５の中心軸６５ｚを、幅方向Ｘ２と異なる方向で垂直配線６０の中心軸６０ｚとずらすことにより、第１外部端子６５の中心を、幅方向Ｘ２と異なる方向で垂直配線６０の中心とずらすことができる。

・インダクタ部品は、絶縁層５０を備えない構成であってもよい。
・インダクタ部品は、表層３０を備えない構成であってもよい。
・上記各実施形態では、柱状配線用シード層６１は、第１側面４３１と第３側面４３３との双方に接触している。しかし、柱状配線用シード層６１は、第１側面４３１及び第３側面４３３の一方には接触し、他方には接触しないように構成してもよい。また、柱状配線用シード層６１を省略してもよい。

・垂直配線６０，６０Ａとインダクタ配線４０との接続強度を確保できるのであれば、第１側面４３１における垂直配線６０，６０Ａとの接触部分である横接続面ＣＳを、第１側面４３１の接続部分４３１ａから、接続部分４３１ａと規定位置４３１ｃとの間の位置までの部分としてもよい。

・インダクタ部品は、本体ＢＤの第２主面２２上に位置する絶縁層を設けてもよい。この場合、当該絶縁層には、垂直配線７０に接触する外部端子を露出させることが好ましい。

・図３１に示す断面において、第１パッド４１の幅方向Ｘ２における中心を基準とした場合、垂直配線６０の接触部分６０ａにおける幅方向Ｘ２の両端のうち、第１パッド４１から離れている側の端を、幅方向Ｘ２において絶縁層５０の端よりも外側に位置するように、垂直配線６０を構成してもよい。この場合、垂直配線６０は、磁性層２０のうち、第２磁性シート２５Ｂによって構成される部分にも接することになる。なお、図３１において、絶縁層５０の図中上面である絶縁層５０の天面を、「第１絶縁主面５０１」とする。厚み方向Ｘ１において本体ＢＤの第２主面２２と第１絶縁主面５０１との間に位置する絶縁層５０の主面であって且つ絶縁層５０の図中下面を、「第２絶縁主面５０２」とする。絶縁層５０の側面であって、幅方向Ｘ２における第１絶縁主面５０１の第１側の端（図中左端）と、幅方向Ｘ２における第２絶縁主面５０２の第１側の端（図中左端）とを繋ぐ側面を、「絶縁非主面５０３」とする。この場合、垂直配線６０は、絶縁層５０の第１絶縁主面５０１のうち、インダクタ配線４０よりも幅方向Ｘ２における第１側の部分と、絶縁非主面５０３とに接触することになる。

・インダクタ配線４０において、配線本体４３のうち、第１パッド４１とは径方向で隣り合う部分と、第１パッド４１との間隔が十分に広いのであれば、第１パッド４１の第２側面４３２にも垂直配線６０，６０Ａを接触させてもよい。

・インダクタ部品は、所定の平面１００上に複数のインダクタ配線が配置される構成であってもよい。図３２、図３３及び図３４には、所定の平面１００上において、幅方向Ｘ２に沿って複数のインダクタ配線４０Ａ，４０Ｂが配置されているインダクタ部品１０Ｂが一例として図示されている。この場合、幅方向Ｘ２を、複数のインダクタ配線４０Ａ，４０Ｂが並ぶ並設方向ということができる。各インダクタ配線４０Ａ，４０Ｂは、所定の平面１００に沿う方向のうち幅方向Ｘ２と直交する延伸方向Ｘ３に延びる部分として、第１端部１４１Ａ、中間部１４１Ｂ及び第２端部１４１Ｃを有している。また、インダクタ配線４０Ａ，４０Ｂのうち、第１端部１４１Ａと中間部１４１Ｂとの接続部分は、幅方向Ｘ２及び延伸方向Ｘ３に対して斜行する形状であってもよいし、湾曲形状であってもよい。また、第１端部１４１Ａ、中間部１４１Ｂ及び第２端部１４１Ｃの一部又は全部が曲線であってもよい。

図３４には、図３３にて一点鎖線で示す線ＬＮ２と直交する方向でインダクタ部品１０Ｂを切断した場合の断面図が図示されている。この断面図には、延伸方向Ｘ３と直交する方向でインダクタ配線４０Ａと垂直配線６０とを切断した場合の断面が示されている。図３４に示すように、インダクタ配線４０Ａの第１側面４３１及び第２側面４３２のうち、第１側面４３１が、他のインダクタ配線４０Ｂとは幅方向Ｘ２で離れている側の面となり、第２側面４３２が、他のインダクタ配線４０Ｂ側の面となる。そのため、第１側面４３１と、第３側面４３３とに跨がるように、垂直配線６０がインダクタ配線４０Ａに接触している。これにより、インダクタ配線４０Ａ用の垂直配線６０がインダクタ配線４０Ｂと接触してしまうことを抑制できる。

なお、インダクタ配線４０Ａとインダクタ配線４０Ｂとの間の間隔が十分に広いのであれば、第２側面４３２と、第３側面４３３とに跨がるように、垂直配線６０をインダクタ配線４０Ａに接触させてもよい。また、この場合、インダクタ配線４０Ａの第１側面４３１と第３側面４３３と第２側面４３２との何れにも接触するように垂直配線６０をインダクタ配線４０Ａに接触させてもよい。

また、図３４に示す断面図には、延伸方向Ｘ３と直交する方向でインダクタ配線４０Ｂと垂直配線６０とを切断した場合の断面が示されている。図３４に示すように、インダクタ配線４０Ｂの第１側面４３１及び第２側面４３２のうち、第２側面４３２が、他のインダクタ配線４０Ａとは幅方向Ｘ２で離れている側の面となり、第１側面４３１が、他のインダクタ配線４０Ａ側の面となる。そのため、第２側面４３２と、第３側面４３３とに跨がるように、垂直配線６０がインダクタ配線４０Ｂに接触している。これにより、インダクタ配線４０Ｂ用の垂直配線６０がインダクタ配線４０Ａと接触してしまうことを抑制できる。

なお、インダクタ配線４０Ａとインダクタ配線４０Ｂとの間の間隔が十分に広いのであれば、第１側面４３１と、第３側面４３３とに跨がるように、垂直配線６０をインダクタ配線４０Ｂに接触させてもよい。また、この場合、インダクタ配線４０Ｂの第１側面４３１と第３側面４３３と第２側面４３２との何れにも接触するように垂直配線６０をインダクタ配線４０Ｂに接触させてもよい。

・図３２～図３４に示したインダクタ部品１０Ｂは、インダクタ配線４０Ａ，４０Ｂの両端部が垂直配線６０に接触する構成となっている。このように幅方向Ｘ２に沿って複数のインダクタ配線４０Ａ，４０Ｂが設けられている場合、インダクタ配線４０Ａの第１端部１４１Ａに垂直配線６０を接触させるとともに、インダクタ配線４０Ａの第２端部１４１Ｃには、第２主面２２まで延びる垂直配線７０を接触させるようにしてもよい。この場合、インダクタ配線４０Ｂの第２端部１４１Ｃに垂直配線６０を接触させるとともに、インダクタ配線４０Ｂの第１端部１４１Ａには、垂直配線７０を接触させるようにしてもよい。この場合、インダクタ配線４０Ａの第１端部１４１Ａに接触する垂直配線６０を、「第１垂直配線」といい、インダクタ配線４０Ｂの第２端部１４１Ｃに接触する垂直配線６０を、「第２垂直配線」という。

・インダクタ配線は、上記各実施形態及び各変更例で説明した形状とは異なる形状であってもよい。インダクタ配線は、電流が流れた場合に周囲に磁束を発生させることによって、インダクタ部品にインダクタンスを付与できるものであれば、その構造、形状、材料などに特に限定はない。インダクタ配線は、「１ターン」以上のスパイラル状、「１．０ターン」未満の曲線状、蛇行するミアンダ状などの公知の様々な配線形状の配線であってもよい。

・上記各実施形態では、インダクタ部品１０，１０Ａ，１０Ｂは、規定方向Ｙが厚み方向Ｘ１と一致する垂直配線６０，６０Ａ，６０Ｂを備えている。しかし、インダクタ部品１０，１０Ａ，１０Ｂは、規定方向Ｙが厚み方向Ｘ１と一致しない垂直配線６０，６０Ａ，６０Ｂを備えるものであってもよい。

・インダクタ部品は、インダクタ配線４０と、インダクタ配線４０に接触する垂直配線とを備えるのであれば、インダクタ部品１０，１０Ａ，１０Ｂとは異なる構成であってもよい。例えば、インダクタ部品は、厚み方向Ｘ１において、第１磁性層、絶縁層、第２絶縁層の順に積層された本体を備えるものであってもよい。この場合、第１磁性層と絶縁層とによってインダクタ配線が挟まれたり、第２磁性層と絶縁層との間にインダクタ配線が挟まれたりすることになる。さらに、第１磁性層自体も、複数の層を積層した積層体であってもよい。同様に、第２磁性層自体も、複数の層を積層した積層体であってもよい。こうした構成のインダクタ部品では、第１磁性層によって本体の第１主面が構成され、第２磁性層によって本体の第２主面が構成される。そして、こうしたインダクタ部品では、第１磁性層によって構成される本体の第１主面と、第２磁性層によって構成される本体の第２主面との間隔を、「０．１５ｍｍ」以上且つ「０．３ｍｍ」以下としてもよい。

また、インダクタ部品は、例えば図３５に示すように、インダクタ配線４０Ｃが絶縁層５０Ａによって覆われたインダクタ部品１０Ｃであってもよい。この場合、絶縁層５０Ａには、絶縁層５０Ａよりも内側と外側とを繋ぐビアホール５０Ａ１によって、インダクタ配線４０Ｃの第１側面４３１と第３側面４３３とが、絶縁層５０Ａ外に露出することになる。そして、第１側面４３１と第３側面４３３とに跨がってインダクタ配線４０Ｃに接触する垂直配線６０Ｃが設けられる。この垂直配線６０Ｃは、ビアホール５０Ａ１内に位置するビア６０Ｃ１と、ビア６０Ｃ１と第１外部端子６５とを繋ぐ柱状配線６０Ｃ２とを有する。この場合、ビア６０Ｃ１が、第１側面４３１と第３側面４３３とに跨がってインダクタ配線４０Ｃに接触する。この場合であっても、ビア６０Ｃ１におけるインダクタ配線４０Ｃとの接触部分の面積を拡大できるとともに、インダクタ配線４０Ｃに対して複数の方向からビア６０Ｃ１を接触させることができる。その結果、インダクタ配線４０Ｃと垂直配線６０Ｃとの接続強度を強くできる。

・インダクタ部品は、セミアディティブ法を利用しない他の製造方法で製造したものであってもよい。例えば、インダクタ部品は、シート積層工法、印刷積層工法などを用いて製造したものであってもよい。インダクタ配線は、スパッタリング、蒸着などの薄膜法、印刷・塗布などの厚膜法、フルアディティブ、サブトラクティブなどのめっき工法で形成したものであってもよい。この場合であっても、垂直配線を、インダクタ配線の第３側面だけではなく、第１側面にも接触させることにより、インダクタ配線と当該垂直配線との接続強度を強くできる。

１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ…インダクタ部品
２０…磁性層
２１…第１主面
２２…第２主面
３０…表層
４０，４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ…インダクタ配線
４１…第１パッド
４２…第２パッド
４３１…第１側面
４３１ａ…第１接続部
４３１ｂ…第２接続部
４３１ｃ…規定位置
４３２…第２側面
４３３…第３側面
４３４…第４側面
１４１Ａ…第１端部
１４１Ｃ…第２端部
６４１…第１配線部
６４２…第２配線部
５０，５０Ａ…絶縁層
５０１…第１絶縁主面
５０２…第２絶縁主面
５０３…絶縁非主面
６０，６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃ…垂直配線
６０ａ…接触部分
６１…柱状配線用シード層
６５…第１外部端子
１００…所定の平面
ＢＤ…本体
ＣＳ…横接続面
ＳＰ…空隙

Claims (18)

1. 磁性層を含み、第１主面及び第２主面を有する本体と、
   前記本体内において所定の平面上に沿って延伸するインダクタ配線と、
   前記本体内に設けられているとともに、前記インダクタ配線に接触しており、当該インダクタ配線との接触部分から前記第１主面まで延伸する垂直配線と、
   前記本体内に設けられている絶縁層と、を備え、
   前記第２主面は、前記インダクタ配線を挟んで前記第１主面の反対側に位置しており、
   前記インダクタ配線の延びる方向に直交する当該インダクタ配線の横断面及び前記所定の平面の双方に沿う方向を、前記インダクタ配線の幅方向とし、前記横断面に沿う方向のうち前記幅方向と直交する方向を、前記インダクタ配線の厚み方向とし、
   前記インダクタ配線の側面のうち、前記幅方向の第１側に位置する側面を第１側面とし、前記幅方向の第２側に位置する側面を第２側面とし、前記幅方向における前記第１側面と前記第２側面との間に位置するとともに前記第１側面及び前記第２側面の双方よりも前記厚み方向で前記第１主面側に位置する側面を第３側面とし、前記幅方向における前記第１側面と前記第２側面との間に位置するとともに前記第１側面及び前記第２側面の双方よりも前記厚み方向で前記第２主面側に位置する側面を第４側面とした場合、
   前記垂直配線は、前記第１側面と、前記第３側面と、に跨がって前記インダクタ配線と接触しており、
   前記絶縁層は、前記インダクタ配線の前記第４側面に接触しており、
   前記絶縁層の一端は、前記本体内に位置しており、
   前記垂直配線は、前記インダクタ配線に加え、前記絶縁層にも接触しており、
   前記インダクタ配線と前記垂直配線とを含むとともに、当該インダクタ配線の延びる方向に直交する前記本体の断面において、前記インダクタ配線の前記幅方向の中心を基準とした場合、前記垂直配線の端は前記絶縁層の前記一端よりも前記幅方向における外側に位置する
   インダクタ部品。
2. 前記絶縁層は、前記第１側面には接触していない
   請求項１に記載のインダクタ部品。
3. 前記絶縁層は、前記インダクタ配線が接触する主面である第１絶縁主面と、前記厚み方向において前記第１絶縁主面と前記第２主面との間に位置する主面である第２絶縁主面と、前記第１絶縁主面の前記幅方向の第１側の端と前記第２絶縁主面の前記幅方向の第１側の端とを接続する面である絶縁非主面と、を有しており、
   前記垂直配線は、前記第１絶縁主面のうち、前記インダクタ配線との接触部分よりも前記幅方向の第１側の部分と、前記絶縁非主面と、に接触している
   請求項１又は請求項２に記載のインダクタ部品。
4. 磁性層を含み、第１主面及び第２主面を有する本体と、
   前記本体内において所定の平面上に沿って延伸するインダクタ配線と、
   前記本体内に設けられているとともに、前記インダクタ配線に接触しており、当該インダクタ配線との接触部分から前記第１主面まで延伸する垂直配線と、を備え、
   前記第２主面は、前記インダクタ配線を挟んで前記第１主面の反対側に位置しており、
   前記インダクタ配線の延びる方向に直交する当該インダクタ配線の横断面及び前記所定の平面の双方に沿う方向を、前記インダクタ配線の幅方向とし、前記横断面に沿う方向のうち前記幅方向と直交する方向を、前記インダクタ配線の厚み方向とし、
   前記インダクタ配線の側面のうち、前記幅方向の第１側に位置する側面を第１側面とし、前記幅方向の第２側に位置する側面を第２側面とし、前記幅方向における前記第１側面と前記第２側面との間に位置するとともに前記第１側面及び前記第２側面の双方よりも前記厚み方向で前記第１主面側に位置する側面を第３側面とし、前記幅方向における前記第１側面と前記第２側面との間に位置するとともに前記第１側面及び前記第２側面の双方よりも前記厚み方向で前記第２主面側に位置する側面を第４側面とした場合、
   前記垂直配線は、前記第１側面と、前記第３側面と、に跨がって前記インダクタ配線と接触しており、
   前記磁性層は、金属磁性粉を含有する樹脂で構成されており、
   前記本体内には、前記磁性層と、前記第１側面と、前記垂直配線と、によって区画された空隙が設けられており、前記空隙の大きさは、前記金属磁性粉の大きさよりも大きい
   インダクタ部品。
5. 前記第１側面のうち、前記垂直配線に接触している部分を横接続面とし、前記厚み方向における前記横接続面の長さを横接続面長さとした場合、前記横接続面長さが、前記厚み方向における前記第１側面の長さの３分の１よりも大きい
   請求項１～請求項４のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
6. 前記垂直配線は、前記厚み方向で互いに接触する第１配線部と第２配線部とを有し、前記第１配線部及び前記第２配線部は、前記厚み方向における前記第３側面と前記第１主面との間にそれぞれ位置しており、
   前記厚み方向と直交する前記第１配線部の断面の面積は、前記厚み方向と直交する前記第２配線部の断面の面積と異なる
   請求項１～請求項５のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
7. 前記本体の前記第１主面上に位置する絶縁性の表層と、
   前記垂直配線に接触しているとともに、前記表層に露出する外部端子と、を備える
   請求項１～請求項６のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
8. 前記第１主面に沿う方向において、前記外部端子の中心が前記垂直配線の中心とずれている
   請求項７に記載のインダクタ部品。
9. 前記垂直配線における前記インダクタ配線との接触部分は、シード層を有する
   請求項１～請求項８のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
10. 前記シード層は、前記第１側面と前記第３側面とのうちの少なくとも一方に接触している
    請求項９に記載のインダクタ部品。
11. 前記シード層は、銅の含有率が「９０ｗｔ％」以上となる層を含む
    請求項９又は請求項１０に記載のインダクタ部品。
12. 前記シード層は、パラジウムを含有する層を含む
    請求項９～請求項１１のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
13. 前記本体内には、前記所定の平面上に沿って配置されるとともに、当該所定の平面に沿う並設方向に並ぶ複数の前記インダクタ配線が設けられており、
    前記垂直配線は、前記第２側面には接触しておらず、
    複数の前記インダクタ配線のうち、前記並設方向で最も外側に位置する前記インダクタ配線では、前記第１側面は、前記並設方向において前記第２側面よりも他の前記インダクタ配線から離れた位置に設けられている
    請求項１～請求項１２のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
14. 前記本体内には、
    前記所定の平面上に沿って配置されるとともに、当該所定の平面に沿う並設方向に並ぶ複数の前記インダクタ配線と、
    複数の前記インダクタ配線の各々に対して個別に設けられている複数の前記垂直配線と、が設けられており、
    複数の前記インダクタ配線のうち、第１インダクタ配線には、複数の前記垂直配線のうちの第１垂直配線が接触しており、
    複数の前記インダクタ配線のうち、前記並設方向で第１インダクタ配線の隣りに位置する第２インダクタ配線には、複数の前記垂直配線のうちの第２垂直配線が接触しており、
    前記第１垂直配線は、前記第１インダクタ配線の前記第２側面には接触していないとともに、前記第２垂直配線は、前記第２インダクタ配線の前記第２側面には接触しておらず、
    前記第１インダクタ配線において、前記第１側面は、前記並設方向において前記第２側面よりも前記第２インダクタ配線から離れた位置に設けられており、
    前記第２インダクタ配線において、前記第１側面は、前記並設方向において前記第２側面よりも前記第１インダクタ配線から離れた位置に設けられている
    請求項１～請求項１２のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
15. 前記インダクタ配線は、前記所定の平面上で１ターンを超えて巻回された渦巻状をなしており、
    前記第１側面は、前記インダクタ配線の密度が粗となる方に位置し、前記第２側面は、前記インダクタ配線の密度が密となる方に位置している
    請求項１～請求項１２のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
16. 前記垂直配線は、前記インダクタ配線の第１端部に接触しており、
    前記本体内には、前記インダクタ配線の第２端部に接触しており、当該インダクタ配線との接触部分から前記第１主面又は前記第２主面まで延伸する他の垂直配線が設けられている
    請求項１～請求項１５のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
17. 前記第１主面と前記第２主面との間隔は、「０．１５ｍｍ」以上且つ「０．３ｍｍ」以下である
    請求項１～請求項１６のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
18. 前記インダクタ配線の厚みは、「４０μｍ」以上且つ「５５μｍ」以下である
    請求項１～請求項１７のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。

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