JP7199982B2

JP7199982B2 - photoelectric conversion module

Info

Publication number: JP7199982B2
Application number: JP2019011664A
Authority: JP
Inventors: 孝明川井; 英治駒山
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 2019-01-25
Filing date: 2019-01-25
Publication date: 2023-01-06
Anticipated expiration: 2039-01-25
Also published as: JP2020120050A

Description

本発明は、光電変換モジュールに関する。 The present invention relates to a photoelectric conversion module.

複数の光電変換セルを含む太陽電池モジュールのような光電変換モジュールが知られている（下記特許文献１）。特許文献１は、太陽エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽電池モジュールを開示する。特許文献１に記載された太陽電池モジュールは、複数の光電変換セルを有する。各々の光電変換セルは、表面電極層と、裏面電極層と、表面電極層と裏面電極層との間の光吸収層と、を有する。裏面電極は、光電変換セルの端部から外側へ延びており、この裏面電極に、電力を取り出すための配線が接続されている。配線は、光電変換セルが形成された領域の外側に設けられている。配線は、基板の表側から基板の裏面側に引き回されている。ここでは、基板の「表側」は、表面電極層、裏面電極層及び光吸収層が形成されている側を意味するものとする。 A photoelectric conversion module such as a solar cell module including a plurality of photoelectric conversion cells is known (Patent Document 1 below). Patent Literature 1 discloses a solar cell module that converts solar energy into electrical energy. A solar cell module described in Patent Document 1 has a plurality of photoelectric conversion cells. Each photoelectric conversion cell has a front electrode layer, a back electrode layer, and a light absorbing layer between the front and back electrode layers. The back electrode extends outward from the end of the photoelectric conversion cell, and is connected to wiring for taking out power. The wiring is provided outside the region where the photoelectric conversion cells are formed. The wiring is routed from the front side of the substrate to the back side of the substrate. Here, the "front side" of the substrate means the side on which the front electrode layer, back electrode layer, and light absorption layer are formed.

特許文献１では、配線は、モジュールの一端部に沿って第１方向に延び、光電変換モジュールの角において第１方向に直交する第２方向に曲がっている。第２方向に曲げられた配線は、第２方向におけるモジュールの中央寄りの位置で再び第１方向に曲げられ、基板の端部で基板の裏側に引き回されている。このように、配線を第２方向に曲げてから基板の裏側に引き回すことで、第２方向における絶縁距離を確保することができる。 In Patent Document 1, the wiring extends in a first direction along one end of the module and bends in a second direction orthogonal to the first direction at the corner of the photoelectric conversion module. The wiring bent in the second direction is bent again in the first direction at a position near the center of the module in the second direction and routed to the back side of the substrate at the edge of the substrate. In this way, by bending the wiring in the second direction and then routing it to the back side of the substrate, it is possible to ensure the insulation distance in the second direction.

米国特許出願公開２０１４－３１１５６５号US Patent Application Publication No. 2014-311565

配線は、光電変換モジュールに形成された光電変換素子（光電変換に寄与する領域）のまわりに設けられる。したがって、絶縁距離を確保するために配線が引き回される領域を広くすると、光電変換素子の領域が狭くなる。その結果、光電変換モジュールの外形寸法あたりの光電変換の効率が低下する。 The wiring is provided around photoelectric conversion elements (regions contributing to photoelectric conversion) formed in the photoelectric conversion module. Therefore, if the area in which the wiring is routed is widened in order to secure the insulation distance, the area of the photoelectric conversion element is narrowed. As a result, the photoelectric conversion efficiency per outer dimension of the photoelectric conversion module is lowered.

したがって、少なくとも一方向における光電変換モジュールの端部から配線までの絶縁距離を確保しつつ、光電変換素子の領域も確保することができる光電変換モジュールが望まれる。 Therefore, a photoelectric conversion module is desired that can secure an area for a photoelectric conversion element while securing an insulation distance from an end of the photoelectric conversion module to wiring in at least one direction.

一態様に係る光電変換モジュールは、基板と、前記基板の第１面側に設けられた光電変換素子と、前記光電変換素子と電気的に接続され、前記基板の前記第１面側から前記基板の前記第１面とは反対の第２面側に引き回された引き回し部を有する配線と、を有し、前記配線は、前記基板の第１面側において、前記光電変換素子の一端部に沿って第１方向に延びた第１区間と、前記第１区間から前記引き回し部に至る第２区間と、を有しており、前記引き回し部は、前記第１方向に交差する第２方向において前記第１区間よりも内側に位置しており、前記配線の前記第２区間の少なくとも一部は、前記第２方向からみて前記光電変換素子と重なる領域に設けられている。 A photoelectric conversion module according to one aspect includes a substrate, a photoelectric conversion element provided on a first surface side of the substrate, and electrically connected to the photoelectric conversion element. and a wiring having a routing portion that is routed on the second surface side opposite to the first surface of the substrate, and the wiring is provided at one end of the photoelectric conversion element on the first surface side of the substrate. a first section extending in a first direction along the It is positioned inside the first section, and at least a part of the second section of the wiring is provided in a region overlapping the photoelectric conversion element when viewed from the second direction.

上記態様によれば、少なくとも第２方向における光電変換モジュールの端部から配線の引き回し部までの絶縁距離を確保するとともに、光電変換素子の領域も確保することができる。 According to the above-described aspect, it is possible to secure the insulation distance from the end of the photoelectric conversion module to the routing portion of the wiring at least in the second direction, and to secure the area for the photoelectric conversion element.

図１は、第１実施形態に係る光電変換モジュールの模式的平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view of a photoelectric conversion module according to the first embodiment. FIG. 図２は、図１とは反対側から見た光電変換モジュールの模式的平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view of the photoelectric conversion module viewed from the side opposite to FIG. 図３は、図１の３Ａ－３Ａ線に沿った光電変換モジュールの模式的断面図である。3 is a schematic cross-sectional view of the photoelectric conversion module along line 3A-3A in FIG. 1. FIG. 図４は、図１の４Ａ－４Ａ線に沿った光電変換モジュールの模式的断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the photoelectric conversion module along line 4A-4A in FIG. 図５は、図１の５Ａ－５Ａ線に沿った光電変換モジュールの模式的断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the photoelectric conversion module along line 5A-5A in FIG. 図６は、図１の６Ａ－６Ａ線に沿った光電変換モジュールの模式的断面図である。6 is a schematic cross-sectional view of the photoelectric conversion module along line 6A-6A in FIG. 1. FIG. 図７は、図１の７Ａ－７Ａ線に沿った光電変換モジュールの模式的断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the photoelectric conversion module along line 7A-7A in FIG. 図８は、基板と電極と配線の位置関係を示す模式的平面図である。FIG. 8 is a schematic plan view showing the positional relationship among the substrate, electrodes, and wiring. 図９は、第２実施形態に係る光電変換モジュールの模式的平面図である。FIG. 9 is a schematic plan view of a photoelectric conversion module according to the second embodiment. 図１０は、第３実施形態に係る光電変換モジュールの模式的平面図である。FIG. 10 is a schematic plan view of a photoelectric conversion module according to the third embodiment. 図１１は、第４実施形態に係る光電変換モジュールの模式的平面図である。FIG. 11 is a schematic plan view of a photoelectric conversion module according to the fourth embodiment. 図１２は、図１１の領域Ｒの模式的拡大図である。12 is a schematic enlarged view of region R in FIG. 11. FIG. 図１３は、図１２の１３Ａ－１３Ａ線に沿った模式的断面図である。13 is a schematic cross-sectional view taken along line 13A-13A in FIG. 12. FIG. 図１４は、図１１の領域Ｒの模式的斜視図である。14 is a schematic perspective view of region R in FIG. 11. FIG. 図１５は、第５実施形態に係る光電変換モジュールの模式的平面図である。FIG. 15 is a schematic plan view of a photoelectric conversion module according to the fifth embodiment.

以下、図面を参照して、実施形態について説明する。以下の図面において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることがあることに留意すべきである。 Embodiments will be described below with reference to the drawings. In the following drawings, the same or similar parts are given the same or similar reference numerals. However, it should be noted that the drawings are schematic, and the ratio of each dimension may differ from the actual one.

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る光電変換モジュールの模式的平面図である。図２は、図１とは反対側から見た光電変換モジュールの模式的平面図である。図３は、図１の３Ａ－３Ａ線に沿った光電変換モジュールの模式的断面図である。図４は、図１の４Ａ－４Ａ線に沿った光電変換モジュールの模式的断面図である。図５は、図１の５Ａ－５Ａ線に沿った光電変換モジュールの模式的断面図である。図６は、図１の６Ａ－６Ａ線に沿った光電変換モジュールの模式的断面図である。図７は、図１の７Ａ－７Ａ線に沿った光電変換モジュールの模式的断面図である。ここで、図１及び図２では、説明の都合上、後述する封止層４００、封止材５００、裏側封止材８００及び裏側シート９００は示されていない。また、図１では、透明基板６００は破線によって描かれている。さらに、図４～７では、説明の都合上、後述する封止層４００、透明基板６００、裏側封止材８００及び裏側シート９００は明示的には示されていない。なお、図１では、透明基板６００は破線によって描かれている。 [First embodiment]
FIG. 1 is a schematic plan view of a photoelectric conversion module according to the first embodiment. FIG. FIG. 2 is a schematic plan view of the photoelectric conversion module viewed from the side opposite to FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the photoelectric conversion module along line 3A-3A in FIG. 1. FIG. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the photoelectric conversion module along line 4A-4A in FIG. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the photoelectric conversion module along line 5A-5A in FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the photoelectric conversion module along line 6A-6A in FIG. 1. FIG. FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the photoelectric conversion module along line 7A-7A in FIG. Here, FIGS. 1 and 2 do not show a sealing layer 400, a sealing material 500, a back side sealing material 800, and a back side sheet 900, which will be described later, for convenience of explanation. Also, in FIG. 1, the transparent substrate 600 is drawn with a dashed line. Furthermore, FIGS. 4 to 7 do not explicitly show a sealing layer 400, a transparent substrate 600, a back side sealing material 800, and a back side sheet 900, which will be described later, for convenience of explanation. In addition, in FIG. 1, the transparent substrate 600 is drawn with a dashed line.

光電変換モジュールは、光エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽電池モジュールであってよい。この代わりに、光電変換モジュールは、電気エネルギーを光エネルギーに変換するモジュールであってもよい。光電変換モジュールは、例えば集積型の薄膜光電変換モジュールであってよい。 The photoelectric conversion module may be a solar cell module that converts light energy into electrical energy. Alternatively, the photoelectric conversion module may be a module that converts electrical energy into light energy. The photoelectric conversion module may be, for example, an integrated thin-film photoelectric conversion module.

光電変換モジュールは、光電変換素子１０と、光電変換素子１０を封止する封止層４００と、透明基板６００と、を有していてよい。透明基板６００は、例えばガラス基板であってよい。透明基板６００は、封止層４００よりも表面側に設けられている。ここで、「表面側」は、光電変換素子１０へ光が入射する側、又は光電変換素子１０から光が出射する側に相当する。また、「裏面側」は、表面側とは反対側の面に相当する。例えば、光電変換モジュールが太陽電池モジュールである場合、「表面側」は光が入射する受光面側に相当し、「裏面側」は非受光面側に相当する。 The photoelectric conversion module may have a photoelectric conversion element 10 , a sealing layer 400 that seals the photoelectric conversion element 10 , and a transparent substrate 600 . The transparent substrate 600 may be, for example, a glass substrate. The transparent substrate 600 is provided on the surface side of the sealing layer 400 . Here, the “surface side” corresponds to the side from which light enters the photoelectric conversion element 10 or the side from which light exits from the photoelectric conversion element 10 . Also, the “rear surface side” corresponds to the surface opposite to the front surface side. For example, when the photoelectric conversion module is a solar cell module, the "front side" corresponds to the light-receiving side on which light is incident, and the "back side" corresponds to the non-light-receiving side.

封止層４００は、透明な絶縁体によって構成されていてよい。封止層４００は、少なくとも光電変換素子１０の受光面側を覆っていてよい。封止層４００は、合成樹脂によって形成されていてよい。そのような合成樹脂として、例えばＥＶＡ樹脂（エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂）、オレフィン系樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラール）樹脂、アイオノマー樹脂もしくはシリコーン樹脂、又はこれらの組み合わせを用いることができる。 The sealing layer 400 may be composed of a transparent insulator. The sealing layer 400 may cover at least the light receiving surface side of the photoelectric conversion element 10 . The sealing layer 400 may be made of synthetic resin. Examples of such synthetic resin include EVA resin (ethylene-vinyl acetate copolymer resin), olefin resin, PVB (polyvinyl butyral) resin, ionomer resin, silicone resin, or a combination thereof.

光電変換素子１０は、基板２０上に設けられている。光電変換素子１０は、基板２０のほぼ全域にわたって形成されていてよいが、基板２０の３辺付近には設けられていなくてよい。より具体的には、基板２０の３辺には、後述する光電変換セル１２を構成する材料は設けられていない。一方、光電変換素子１０は、基板２０の残りの一辺、図１では紙面上側の一辺にも存在していてよい。すなわち、基板２０の一辺には、後述する光電変換セル１２を構成する材料が設けられていてよい。 The photoelectric conversion element 10 is provided on the substrate 20 . The photoelectric conversion element 10 may be formed over substantially the entire area of the substrate 20 , but may not be formed near the three sides of the substrate 20 . More specifically, the three sides of the substrate 20 are not provided with the material that constitutes the photoelectric conversion cells 12 to be described later. On the other hand, the photoelectric conversion element 10 may also exist on the remaining side of the substrate 20, which is the upper side of the paper surface in FIG. That is, one side of the substrate 20 may be provided with a material that forms the photoelectric conversion cell 12, which will be described later.

光電変換素子１０は、基板２０の第１面側（表面側）に集積された複数の光電変換セル１２を含んでいてよい（図１参照）。基板２０は絶縁基板であってよい。各々の光電変換セル１２は、光電変換素子１０の厚み方向（図のＺ方向。以下同様。）から見て、実質的に帯状の形状を有していてよい。各々の光電変換セル１２は、第１方向（図のＹ方向。以下同様。）に長く延びていてよい。また、複数の光電変換セル１２は、第１方向に交差する第２方向（図のＸ方向。以下同様。）に並んでいる。互いに隣接する光電変換セル１２は、第１方向に延びる分割部Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３によって互いに分断されていてよい。 The photoelectric conversion element 10 may include a plurality of photoelectric conversion cells 12 integrated on the first surface side (surface side) of the substrate 20 (see FIG. 1). Substrate 20 may be an insulating substrate. Each photoelectric conversion cell 12 may have a substantially belt-like shape when viewed from the thickness direction of the photoelectric conversion element 10 (the Z direction in the drawing; the same shall apply hereinafter). Each photoelectric conversion cell 12 may be elongated in the first direction (the Y direction in the drawing; the same shall apply hereinafter). Moreover, the plurality of photoelectric conversion cells 12 are arranged in a second direction (the X direction in the drawing; the same applies hereinafter) that intersects the first direction. Photoelectric conversion cells 12 adjacent to each other may be separated from each other by partitions P1, P2, and P3 extending in the first direction.

各々の光電変換セル１２は、少なくとも、第１電極層２２と、第２電極層２４と、光電変換層２６と、を含んでいてよい。光電変換層２６は、光電変換素子１０の厚み方向において、第１電極層２２と第２電極層２４との間に設けられている。第１電極層２２は、光電変換層２６と基板２０との間に設けられている。第２電極層２４は、光電変換層２６に関して基板２０とは反対側に位置する。 Each photoelectric conversion cell 12 may include at least a first electrode layer 22 , a second electrode layer 24 and a photoelectric conversion layer 26 . The photoelectric conversion layer 26 is provided between the first electrode layer 22 and the second electrode layer 24 in the thickness direction of the photoelectric conversion element 10 . The first electrode layer 22 is provided between the photoelectric conversion layer 26 and the substrate 20 . The second electrode layer 24 is located on the side opposite to the substrate 20 with respect to the photoelectric conversion layer 26 .

第２電極層２４は透明電極層によって構成されていてよい。第２電極層２４が透明電極層によって構成されている場合、光電変換層２６へ入射する光、又は光電変換層２６から出射する光は、第２電極層２４を通過する。 The second electrode layer 24 may be composed of a transparent electrode layer. When the second electrode layer 24 is composed of a transparent electrode layer, light incident on the photoelectric conversion layer 26 or light emitted from the photoelectric conversion layer 26 passes through the second electrode layer 24 .

第２電極層２４が透明電極層によって構成される場合、第１電極層２２は、不透明電極層によって構成されていてもよく、透明電極層によって構成されていてもよい。第１電極層２２は、例えば、モリブデン、チタン又はクロムのような金属によって形成されていてよい。 When the second electrode layer 24 is composed of a transparent electrode layer, the first electrode layer 22 may be composed of an opaque electrode layer or a transparent electrode layer. The first electrode layer 22 may be made of metal such as molybdenum, titanium or chromium, for example.

本実施形態では、好ましい一例として、第２電極層２４は、ｎ型半導体、より具体的には、ｎ型の導電性を有し、禁制帯幅が広く、比較的低抵抗の材料によって形成される。第２電極層２４は、例えば、ＩＩＩ族元素を添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ）や、酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）によって構成されていてよい。この場合、第２電極層２４は、ｎ型半導体と透明電極層の機能を兼ねることができる。 In this embodiment, as a preferred example, the second electrode layer 24 is formed of an n-type semiconductor, more specifically, a material having n-type conductivity, a wide bandgap, and relatively low resistance. be. The second electrode layer 24 may be made of, for example, zinc oxide (ZnO) to which a group III element is added, or indium tin oxide (ITO). In this case, the second electrode layer 24 can function as both an n-type semiconductor and a transparent electrode layer.

光電変換層２６は、例えば、ｐ型の半導体を含んでいてよい。ＣＩＳ系の光電変換モジュールの一例では、光電変換層２６は、Ｉ族元素（Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等）、ＩＩＩ族元素（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ等）及びＶＩ族元素（Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ等）を含む化合物半導体で形成される。光電変換層２６は、前述したものに限定されず、光電変換を起こす任意の材料によって構成されていてよい。 The photoelectric conversion layer 26 may contain, for example, a p-type semiconductor. In an example of a CIS-based photoelectric conversion module, the photoelectric conversion layer 26 includes group I elements (Cu, Ag, Au, etc.), III group elements (Al, Ga, In, etc.), and VI group elements (O, S, Se, It is made of a compound semiconductor containing Te, etc.). The photoelectric conversion layer 26 is not limited to those described above, and may be made of any material that causes photoelectric conversion.

光電変換セル１２の構成は、上記態様に限定されず、様々な態様をとり得ることに留意されたい。例えば、光電変換セル１２は、ｎ型半導体とｐ型半導体の両方が第１電極層と第２電極層との間に挟まれた構成を有していてもよい。この場合、第２電極層はｎ型半導体によって構成されていなくてよい。また、光電変換セル１２は、ｐ－ｎ結合型の構造に限らず、ｎ型半導体とｐ型半導体との間に真性半導体層（ｉ型半導体）を含むｐ－ｉ－ｎ結合型の構造を有していてもよい。 It should be noted that the configuration of the photoelectric conversion cell 12 is not limited to the above aspect, and can take various aspects. For example, the photoelectric conversion cell 12 may have a configuration in which both the n-type semiconductor and the p-type semiconductor are sandwiched between the first electrode layer and the second electrode layer. In this case, the second electrode layer does not have to be made of an n-type semiconductor. Further, the photoelectric conversion cell 12 is not limited to a pn junction structure, and may have a pin junction structure including an intrinsic semiconductor layer (i-type semiconductor) between an n-type semiconductor and a p-type semiconductor. may have.

光電変換セル１２は、光電変換層２６と第２電極層２４との間に不図示のバッファ層を有していてもよい。この場合、バッファ層は、第２電極層２４と同じ導電型を有する半導体材料であってもよく、異なる導電型を有する半導体材料であってもよい。バッファ層は、第２電極層２４よりも電気抵抗の高い材料によって構成されていればよい。バッファ層は、例えばＺｎ系バッファ層、Ｃｄ系バッファ層又はＩｎ系バッファ層であってよい。 The photoelectric conversion cell 12 may have a buffer layer (not shown) between the photoelectric conversion layer 26 and the second electrode layer 24 . In this case, the buffer layer may be a semiconductor material having the same conductivity type as the second electrode layer 24, or may be a semiconductor material having a different conductivity type. The buffer layer may be made of a material having higher electrical resistance than the second electrode layer 24 . The buffer layer may be, for example, a Zn-based buffer layer, a Cd-based buffer layer, or an In-based buffer layer.

互いに隣接する光電変換セル１２の第１電極層２２は、第１分割部Ｐ１によって互いに電気的に分断されている。同様に、互いに隣接する光電変換セル１２の第２電極層２４は、第３分割部Ｐ３によって互いに電気的に分断されている。互いに隣接する光電変換セル１２の光電変換層２６は、第２分割部Ｐ２及び第３分割部Ｐ３によって互いに分断されている。 The first electrode layers 22 of the photoelectric conversion cells 12 adjacent to each other are electrically separated from each other by the first dividing portion P1. Similarly, the second electrode layers 24 of the photoelectric conversion cells 12 adjacent to each other are electrically separated from each other by the third dividing portion P3. The photoelectric conversion layers 26 of the photoelectric conversion cells 12 adjacent to each other are separated from each other by the second division portion P2 and the third division portion P3.

光電変換素子１０は、互いに隣接する光電変換セル１２どうしの間に電気接続部３４を有していてよい。電気接続部３４は、互いに隣接する光電変換セル１２どうしを電気的に直列に接続する。本実施形態では、電気接続部３４は、第２電極層２４から連続する部分によって形成されている。この場合、電気接続部３４は、第２電極層２４と同じ材料から構成されていてよい。この代わりに、電気接続部３４は、第２電極層２４と異なる導電材料から構成されていてもよい。電気接続部３４は、第２分割部Ｐ２のところで光電変換素子１０の厚み方向に延びることで、一方の光電変換セル１２の第１電極層２２と他方の光電変換セル１２の第２電極層２４とを互いに電気的に接続する。 The photoelectric conversion element 10 may have electrical connections 34 between adjacent photoelectric conversion cells 12 . The electrical connection portion 34 electrically connects the photoelectric conversion cells 12 adjacent to each other in series. In this embodiment, the electrical connection portion 34 is formed by a portion that continues from the second electrode layer 24 . In this case, the electrical connection portion 34 may be made of the same material as the second electrode layer 24 . Alternatively, the electrical connection portion 34 may be composed of a conductive material different from that of the second electrode layer 24 . The electrical connection portion 34 extends in the thickness direction of the photoelectric conversion element 10 at the second division portion P2 so that the first electrode layer 22 of one photoelectric conversion cell 12 and the second electrode layer 24 of the other photoelectric conversion cell 12 are connected. are electrically connected to each other.

光電変換モジュールが太陽電池モジュールである場合、各々の光電変換セル１２の光電変換層２６に光が照射されると起電力が生じ、第１電極層２２及び第２電極層２４がそれぞれ正極及び負極となる。したがって、ある光電変換セル１２で生じた自由電子の一部は、第２電極層２４から直接電気接続部３４を通って、隣接する光電変換セル１２の第１電極層２２に移動する。このように、光電変換セル１２で生じた自由電子は、第２方向に複数の光電変換セル１２を通って流れることになる。 When the photoelectric conversion module is a solar cell module, an electromotive force is generated when the photoelectric conversion layer 26 of each photoelectric conversion cell 12 is irradiated with light, and the first electrode layer 22 and the second electrode layer 24 are positive electrodes and negative electrodes, respectively. becomes. Therefore, some of the free electrons generated in one photoelectric conversion cell 12 move from the second electrode layer 24 through the direct electrical connection portion 34 to the first electrode layer 22 of the adjacent photoelectric conversion cell 12 . Thus, free electrons generated in the photoelectric conversion cells 12 flow through the plurality of photoelectric conversion cells 12 in the second direction.

光電変換素子１０は、光電変換素子１０と電気的に接続された一対の配線５０を有する。一対の配線５０は、外部から光電変換素子１０に電力を供給したり、光電変換素子１０から外部へ電力を取り出したりすることができる。一対の配線５０は、基板２０と透明基板６００との間に設けられている。 The photoelectric conversion element 10 has a pair of wirings 50 electrically connected to the photoelectric conversion element 10 . The pair of wirings 50 can supply electric power to the photoelectric conversion element 10 from the outside, or extract electric power from the photoelectric conversion element 10 to the outside. A pair of wirings 50 is provided between the substrate 20 and the transparent substrate 600 .

一対の配線５０は、第２方向における光電変換素子１０の端に位置する光電変換セル１２に隣接して設けられていてよい。すなわち、一対の配線５０は、光電変換素子１０のまわりに設けられていてよい。一対の配線５０は、それぞれ一方向に並んだ光電変換セル１２のうちの端に位置する光電変換セル１２の第１電極層２２が延出して露出した部分（電極層）に接している。これにより、一対の配線５０は、光電変換素子１０と電気的に接続されている。 The pair of wirings 50 may be provided adjacent to the photoelectric conversion cell 12 positioned at the end of the photoelectric conversion element 10 in the second direction. That is, the pair of wirings 50 may be provided around the photoelectric conversion element 10 . The pair of wirings 50 are in contact with the portions (electrode layers) where the first electrode layers 22 of the photoelectric conversion cells 12 positioned at the ends of the photoelectric conversion cells 12 aligned in one direction are extended and exposed. Thereby, the pair of wirings 50 are electrically connected to the photoelectric conversion element 10 .

一対の配線５０のそれぞれは、基板２０の第１面側（表面側）から基板２０の第１面とは反対の第２面側（裏面側）に引き回された引き回し部５０ｃを有する。引き回し部５０ｃは、光電変換素子１０が存在する基板２０の一辺、図１では紙面上側の一辺に位置していてよい。また、一対の配線５０のそれぞれは、基板２０の第１面側において、光電変換素子１０の端部に沿って第１方向に延びる第１区間５０ａと、第１区間５０ａから引き回し部５０ｃに至る第２区間５０ｂと、を有している。すなわち、一対の配線５０のそれぞれは、基板２０の表面側において、第１区間５０ａから第２区間５０ｂと引き回し部５０ｃを通って、基板２０の裏面側に延びている。一対の配線５０は、基板２０の裏面側に引き回されている。基板２０の裏面側の配線５０は、後述する裏側封止材８００を貫通し、裏側シート９００の外に設けられた中継器（ジャンクションボックス）７００に接続されている（図３参照）。なお、図２では、図を簡便にするため、中継器７００は示されていないことに留意されたい。 Each of the pair of wirings 50 has a routing portion 50c that is routed from the first surface side (surface side) of the substrate 20 to the second surface side (back surface side) opposite to the first surface of the substrate 20 . The routing portion 50c may be positioned on one side of the substrate 20 where the photoelectric conversion elements 10 are present, which is one side on the upper side of the paper surface in FIG. Moreover, each of the pair of wirings 50 extends from the first section 50a in the first direction along the edge of the photoelectric conversion element 10 on the first surface side of the substrate 20, and from the first section 50a to the routing section 50c. and a second section 50b. That is, each of the pair of wirings 50 extends from the first section 50a to the back side of the substrate 20 through the second section 50b and the routing portion 50c on the front surface side of the substrate 20 . A pair of wirings 50 are routed on the back side of the substrate 20 . The wiring 50 on the back side of the substrate 20 passes through a back side sealing material 800, which will be described later, and is connected to a repeater (junction box) 700 provided outside the back side sheet 900 (see FIG. 3). Note that repeater 700 is not shown in FIG. 2 for simplicity of illustration.

配線５０の第２区間５０ｂ及び引き回し部５０ｃは、第１方向に交差する第２方向において、第１区間５０ａよりも内側、すなわち光電変換モジュールの中心に近い方に位置している。これにより、第２方向における光電変換モジュールの端部から配線５０の引き回し部５０ｃまでの距離Ｌ１は、第２方向における光電変換モジュールの端部から配線５０の第１区間５０ａまでの距離Ｌ２よりも長くなっている。したがって、配線５０全体が第１方向に直線的に延びている場合と比較すると、少なくとも第２方向における光電変換モジュールの端部から配線５０の引き回し部５０ｃまでの絶縁距離が長くなる。 The second section 50b and the routing portion 50c of the wiring 50 are located inside the first section 50a, that is, closer to the center of the photoelectric conversion module, in the second direction intersecting the first direction. Accordingly, the distance L1 from the end of the photoelectric conversion module to the routing portion 50c of the wiring 50 in the second direction is longer than the distance L2 from the end of the photoelectric conversion module to the first section 50a of the wiring 50 in the second direction. getting longer. Therefore, compared to the case where the wiring 50 as a whole extends linearly in the first direction, the insulation distance from the end of the photoelectric conversion module to the routing portion 50c of the wiring 50 is longer at least in the second direction.

本実施形態では、配線５０の第２区間５０ｂは、第１方向から傾斜した方向に直線的に延びている。このように、配線５０の第２区間５０ｂが直線的に延びている場合、第２区間５０ｂを形成しやすい。この代わりに、配線５０は、第２区間５０ｂにおいて、湾曲又は屈曲するように曲げられていてもよい。なお、第２区間５０ｂは、第１区間５０ａと引き回し部５０ｃとを電気的に接続するため、第２方向において第１区間５０ａよりも内側に位置する区間である。 In this embodiment, the second section 50b of the wiring 50 linearly extends in a direction inclined from the first direction. Thus, when the second section 50b of the wiring 50 extends linearly, it is easy to form the second section 50b. Alternatively, the wiring 50 may be bent so as to curve or bend in the second section 50b. Note that the second section 50b is a section located inside the first section 50a in the second direction in order to electrically connect the first section 50a and the routing portion 50c.

さらに、配線５０の第２区間５０ｂの少なくとも一部は、第２方向からみて光電変換素子１０と重なる領域に設けられている。より具体的には、配線５０の第２区間５０ｂの少なくとも一部は、第２方向からみたときに、厚み方向で封止材５００に重なっていない光電変換素子１０の部分と重なる領域に設けられていてよい。すなわち、配線５０は、第２方向からみて光電変換素子１０と重なる領域において、光電変換モジュールの中心の方に向かって曲がり始めることになる。言い換えると、光電変換素子１０は、第２方向からみて第２区間５０ｂと重なる領域にも設けられる。これにより、光電変換素子１０が設けられた領域をできるだけ大きくすることができる。以上により、少なくとも第２方向における光電変換モジュールの端部から配線５０の引き回し部５０ｃまでの絶縁距離を長くしつつも、光電変換素子１０の領域を広く確保することができる。 Furthermore, at least part of the second section 50b of the wiring 50 is provided in a region overlapping the photoelectric conversion element 10 when viewed from the second direction. More specifically, at least part of the second section 50b of the wiring 50 is provided in a region that overlaps a portion of the photoelectric conversion element 10 that does not overlap the sealing material 500 in the thickness direction when viewed from the second direction. It's okay. That is, the wiring 50 begins to bend toward the center of the photoelectric conversion module in the region overlapping the photoelectric conversion element 10 when viewed from the second direction. In other words, the photoelectric conversion element 10 is also provided in a region overlapping the second section 50b when viewed from the second direction. Thereby, the area in which the photoelectric conversion element 10 is provided can be made as large as possible. As described above, it is possible to ensure a wide area for the photoelectric conversion element 10 while increasing the insulation distance from the end of the photoelectric conversion module to the routing portion 50c of the wiring 50 at least in the second direction.

図８は、基板２０と配線５０と第１電極層２２を構成する部材の位置関係を示す模式的平面図である。図８では、説明の都合上、第１電極層２２よりも表面側に積層される部材は省略されている。配線５０の第１区間５０ａは、第１電極層２２を構成する部材上に設けられている（図４及び図７も参照）。一方、配線５０の第２区間５０ｂは、第１電極層２２を構成する部材上には設けられておらず、基板２０上に設けられている（図５、図６及び図７も参照）。より具体的には、第１電極層２２を構成する部材（電極層）は、第２方向からみて第２区間５０ｂと重なる領域において、第２方向における第２区間５０ｂよりも内側にのみ設けられている。本実施形態では、厚み方向から見て略四角形状の第１電極層２２のうちの２つの角部が切除されており、配線５０の第２区間５０ｂは、第１電極層２２の切除された部分２２ｃを通っている。これにより、第２方向において第２区間５０ｂよりも外側には、第１電極層２２のような活電部が存在しないことになる。したがって、少なくとも第２方向における光電変換モジュールの端部から引き回し部５０ｃの方に向かう絶縁距離が短くなることを抑制することができる。 FIG. 8 is a schematic plan view showing the positional relationship of the substrate 20, the wiring 50, and the members forming the first electrode layer 22. As shown in FIG. In FIG. 8, for convenience of explanation, the members laminated on the surface side of the first electrode layer 22 are omitted. A first section 50a of the wiring 50 is provided on a member forming the first electrode layer 22 (see also FIGS. 4 and 7). On the other hand, the second section 50b of the wiring 50 is not provided on the member forming the first electrode layer 22, but is provided on the substrate 20 (see also FIGS. 5, 6 and 7). More specifically, the member (electrode layer) constituting the first electrode layer 22 is provided only inside the second section 50b in the second direction in the region overlapping the second section 50b when viewed from the second direction. ing. In the present embodiment, two corners of the substantially rectangular first electrode layer 22 are cut when viewed from the thickness direction, and the second section 50b of the wiring 50 is the cut corner of the first electrode layer 22. through portion 22c. As a result, there is no active portion such as the first electrode layer 22 outside the second section 50b in the second direction. Therefore, it is possible to prevent the insulation distance from the end portion of the photoelectric conversion module toward the routing portion 50c from being shortened in at least the second direction.

光電変換モジュールは、基板２０の外辺に沿って形成された封止材５００を有していてよい。封止材５００は、絶縁材によって構成されていてよい。封止材５００は、ポリイソブチレン（ＰＩＢ）、ブチルゴムもしくは合成ゴム、又はこれらの組み合わせを含む材料によって構成されていてもよい。また、封止材５００を構成する材料は、前述した封止層４００を構成する材料と同じであってもよく、異なっていてもよい。封止層４００を構成する材料と封止材５００を構成する材料の組み合わせは、任意に選択可能である。 The photoelectric conversion module may have a sealing material 500 formed along the outer edge of the substrate 20 . The encapsulant 500 may be made of an insulating material. Encapsulant 500 may be composed of materials including polyisobutylene (PIB), butyl rubber or synthetic rubber, or combinations thereof. Also, the material forming the sealing material 500 may be the same as or different from the material forming the sealing layer 400 described above. The combination of the material forming the sealing layer 400 and the material forming the sealing material 500 can be arbitrarily selected.

本実施形態では、封止材５００は、基板２０の４つの外辺に沿って形成されており、光電変換モジュールの外周に沿って枠状に形成されている。封止材５００は、光電変換素子１０の厚み方向において基板２０と透明基板６００との間に設けられていてよい。 In this embodiment, the sealing material 500 is formed along the four outer sides of the substrate 20 and is formed in a frame shape along the outer periphery of the photoelectric conversion module. The sealing material 500 may be provided between the substrate 20 and the transparent substrate 600 in the thickness direction of the photoelectric conversion element 10 .

封止材５００の少なくとも一部は、第２方向において一対の配線５０の第１区間５０ａよりも外側に設けられていることが好ましい（図４及び図５参照）。本実施形態では、第２方向における封止材５００の内側の端は、配線５０の第１区間５０ａ上に位置する（図４参照）。この代わりに、第２方向における封止材５００の内側の端は、配線５０の第１区間５０ａよりも外側に位置していてもよい。また、第２方向における封止材５００の内側の端は、配線５０の第１区間５０ａよりも内側に位置していてもよい。この場合、封止材５００は、配線５０の第１区間５０ａ全体を覆うことになる。また、封止材５００は、第２方向において光電変換セル１２よりも外側に設けられる。 At least part of the sealing material 500 is preferably provided outside the first section 50a of the pair of wirings 50 in the second direction (see FIGS. 4 and 5). In the present embodiment, the inner edge of the encapsulant 500 in the second direction is located on the first section 50a of the wiring 50 (see FIG. 4). Alternatively, the inner end of the encapsulant 500 in the second direction may be positioned outside the first section 50a of the wiring 50. FIG. Also, the inner end of the sealing material 500 in the second direction may be located inside the first section 50 a of the wiring 50 . In this case, the sealing material 500 covers the entire first section 50 a of the wiring 50 . Also, the sealing material 500 is provided outside the photoelectric conversion cells 12 in the second direction.

封止材５００は、第１方向における基板２０の一端部において基板２０上に設けられており、第１方向において光電変換セル１２よりも外側に位置する（図３の右側の端を参照）。この場合、封止材５００は、光電変換セル１２と接していてもよいが、好ましくは光電変換セル１２から離れて設けられる。また、封止材５００は、第１方向における基板２０の別の端部において光電変換セル１２を構成する材料の上に設けられている（図３の左側の端を参照）。 The encapsulant 500 is provided on the substrate 20 at one end of the substrate 20 in the first direction and positioned outside the photoelectric conversion cells 12 in the first direction (see the right end in FIG. 3). In this case, the sealing material 500 may be in contact with the photoelectric conversion cells 12 , but is preferably provided away from the photoelectric conversion cells 12 . Also, the encapsulant 500 is provided on the material forming the photoelectric conversion cells 12 at another end of the substrate 20 in the first direction (see the left end in FIG. 3).

配線５０の引き回し部５０ｃは、基板２０の表面側から裏面側に引き回されるため、封止材５００に覆われず、第１方向における基板２０の端部に露出することになる。したがって、前述した封止材５００が用いられた構造では、第２方向における絶縁距離は、光電変換モジュールの端部から配線５０の引き回し部５０ｃまでの距離によって定まる。よって、封止材５００が用いられる構造では、前述したように第２方向における絶縁距離を長くすることが特に重要である。もっとも、本発明の配線５０に関する構造は、前述した封止材５００が用いられる構造以外の構造であっても適用できることに留意されたい。 Since the routed portion 50c of the wiring 50 is routed from the front surface side to the rear surface side of the substrate 20, it is not covered with the sealing material 500 and is exposed at the end portion of the substrate 20 in the first direction. Therefore, in the structure using the sealing material 500 described above, the insulation distance in the second direction is determined by the distance from the end of the photoelectric conversion module to the routing portion 50 c of the wiring 50 . Therefore, in the structure using the sealing material 500, it is particularly important to lengthen the insulation distance in the second direction as described above. However, it should be noted that the structure related to the wiring 50 of the present invention can be applied to structures other than the structure using the sealing material 500 described above.

また、第２方向において一対の配線５０よりも外側に封止材５００が設けられている場合、第２方向における光電変換モジュールのサイズを光電変換素子１０のサイズに関して過度に大きくしなくても、電気的な安全性を確保することができる。この場合、第２方向における光電変換素子のサイズを大きくすることができるため、光電変換モジュールの単位面積あたりの光電変換効率を向上させることができる。 Further, when the sealing material 500 is provided outside the pair of wirings 50 in the second direction, even if the size of the photoelectric conversion module in the second direction is not excessively increased with respect to the size of the photoelectric conversion element 10, Electrical safety can be ensured. In this case, the size of the photoelectric conversion element in the second direction can be increased, so that the photoelectric conversion efficiency per unit area of the photoelectric conversion module can be improved.

基板２０の裏側には、必要に応じて、裏側封止材８００が設けられていてよい。裏側封止材８００は、例えばＥＶＡ樹脂（エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂）、オレフィン系樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラール）樹脂、アイオノマー樹脂もしくはシリコーン樹脂、又はこれらの組み合わせによって構成することができる。 A back side encapsulant 800 may be provided on the back side of the substrate 20 if necessary. The back side encapsulant 800 can be made of, for example, EVA resin (ethylene-vinyl acetate copolymer resin), olefin resin, PVB (polyvinyl butyral) resin, ionomer resin, silicone resin, or a combination thereof.

裏側封止材８００は、少なくとも基板２０の裏側うち、配線５０が形成されている領域に設けられていることが好ましい。すなわち、裏側封止材８００は、基板２０の裏側の配線５０を覆っていてよい。これにより、裏側封止材８００は、配線５０を保護することができる。 It is preferable that the back side sealing material 800 is provided at least in a region of the back side of the substrate 20 where the wiring 50 is formed. That is, the back side sealing material 800 may cover the wiring 50 on the back side of the substrate 20 . Thereby, the back side sealing material 800 can protect the wiring 50 .

一例として、裏側封止材８００は、基板２０の裏面全体を覆っていてよい。この場合、裏側封止材８００は、図３に示すように、光電変換モジュールの側部において、基板２０の裏面から透明基板６００の裏側にわたって設けられていてよい。この場合、裏側封止材８００は、光電変換モジュールの側部を保護することもできる。 As an example, the back side encapsulant 800 may cover the entire back side of the substrate 20 . In this case, the back side sealing material 800 may be provided from the back side of the substrate 20 to the back side of the transparent substrate 600 on the side of the photoelectric conversion module, as shown in FIG. In this case, the back side encapsulant 800 can also protect the sides of the photoelectric conversion module.

前述した例の代わりに、裏側封止材８００は、基板２０の一部のみを覆っていてもよい。この場合であっても、裏側封止材８００は、配線５０が形成されている領域を覆っていることが好ましい。この場合、基板２０の裏面の一部は、裏側封止材８００から露出することになる。この基板２０の露出部分に、必要に応じて保護シートが設けられてもよい。この保護シートは、基板２０の割れを抑制することができる。保護シートは、例えば、基材と接着剤が互いに積層されたシートであってよい。この基材と接着剤は、それぞれ例えば４０μｍ～６０μｍの厚さを有していてよい。保護シートの基材は、例えばＥＶＡ樹脂やオレフィン系樹脂などの合成樹脂によって構成されていてよい。保護シートの接着剤は、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂やＰＥ（ポリエチレン）樹脂などの合成樹脂によって構成されていてよい。もっとも、必要でなければ、基板２０の露出部分に、保護シートは設けられていなくてもよい。 Alternatively, the back side encapsulant 800 may only partially cover the substrate 20 . Even in this case, the back side sealing material 800 preferably covers the region where the wiring 50 is formed. In this case, part of the back surface of the substrate 20 is exposed from the back side sealing material 800 . A protective sheet may be provided on the exposed portion of the substrate 20 as necessary. This protective sheet can suppress cracking of the substrate 20 . The protective sheet may be, for example, a sheet in which a substrate and an adhesive are laminated together. The substrate and adhesive may each have a thickness of, for example, 40 μm to 60 μm. The base material of the protective sheet may be made of synthetic resin such as EVA resin or olefin resin. The adhesive of the protective sheet may be made of synthetic resin such as PET (polyethylene terephthalate) resin or PE (polyethylene) resin. However, the protective sheet may not be provided on the exposed portion of the substrate 20 if not necessary.

裏側封止材８００は、裏側シート９００で覆われていることが好ましい。したがって、裏側シート９００は、裏側封止材８００が設けられた領域に設けられていてよい。裏側シート９００は、例えば３００μｍ～３３０μｍの厚みを有していてよい。裏側シート９００は、例えば、基材と接着剤が互いに積層されたシートであってよい。裏側封止材８００は、一層の基材のみを有していてもよく、複数層の基材を有していてもよい。裏側封止材８００が複数層の基材を有する場合、互いに隣接する層の基材どうしは接着剤によって接着されていてよい。 Back side encapsulant 800 is preferably covered with back side sheet 900 . Therefore, the back sheet 900 may be provided in the area where the back encapsulant 800 is provided. Backing sheet 900 may have a thickness of, for example, 300 μm to 330 μm. The backing sheet 900 can be, for example, a sheet of substrate and adhesive laminated together. The backside encapsulant 800 may have only one layer of substrate, or may have multiple layers of substrate. When the back side encapsulant 800 has a substrate of multiple layers, the substrates of adjacent layers may be adhered by an adhesive.

裏側シート９００の基材は、例えばＰＥＴ樹脂、ＰＶＦ（ポリフッ化ビニル）樹脂、ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）樹脂、ナイロン樹脂もしくはポリアミド樹脂、又はこれらの組み合わせによって構成されていてよい。裏側封止材８００が複数層の基材を有する場合、各層の基材は、同じ材料によって構成されていてもよく、異なる材料によって構成されていてもよい。 The base material of the back sheet 900 may be composed of, for example, PET resin, PVF (polyvinyl fluoride) resin, PVDF (polyvinylidene fluoride) resin, nylon resin, polyamide resin, or a combination thereof. When the back side encapsulant 800 has a base material of multiple layers, the base material of each layer may be composed of the same material, or may be composed of different materials.

裏側シート９００の接着剤は、例えばアクリル樹脂、ポエステル樹脂もしくはポリウレタン樹脂、又はこれらの組み合わせによって構成されていてよい。 The backing sheet 900 adhesive may be composed of, for example, an acrylic, polyester or polyurethane resin, or a combination thereof.

［第２実施形態］
次に、第２実施形態に係る光電変換モジュールについて、図９を用いて説明する。図９は、第２実施形態に係る光電変換モジュールの模式的平面図である。ここで、図９では、説明の都合上、封止層４００及び封止材５００は示されていない。また、図９では、透明基板６００は破線によって描かれている。 [Second embodiment]
Next, a photoelectric conversion module according to the second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a schematic plan view of a photoelectric conversion module according to the second embodiment. Here, FIG. 9 does not show the sealing layer 400 and the sealing material 500 for convenience of explanation. Also, in FIG. 9, the transparent substrate 600 is drawn with a dashed line.

図９において、第１実施形態と同じ構成要素には、同じ符号が付されている。以下では第１実施形態と同じ構成については、その説明を省略することがあることに留意されたい。 In FIG. 9, the same reference numerals are given to the same components as in the first embodiment. Note that the description of the same configuration as that of the first embodiment may be omitted below.

第２実施形態では、第１実施形態と比較すると、配線５０の第２区間５０ｂは、第２方向における光電変換モジュールの中心に向かってより傾斜している。具体的には、配線５０の引き回し部５０ｃは、第１方向からみて、最も外側の光電変換セル１２よりも内側の光電変換セル１２と重なる領域に位置する。この場合、第１方向からみて第２区間５０ｂと重なる光電変換セル１２の第１方向における長さＬ３は、第１方向からみて第２区間５０ｂと重ならない光電変換セル１２の第１方向における長さＬ４よりも短い。 In the second embodiment, compared to the first embodiment, the second section 50b of the wiring 50 is more inclined towards the center of the photoelectric conversion module in the second direction. Specifically, the routed portion 50c of the wiring 50 is located in a region overlapping the photoelectric conversion cells 12 inside the outermost photoelectric conversion cells 12 when viewed from the first direction. In this case, the length L3 in the first direction of the photoelectric conversion cells 12 overlapping the second sections 50b when viewed from the first direction is the length in the first direction of the photoelectric conversion cells 12 not overlapping the second sections 50b when viewed from the first direction. shorter than L4.

このような構造は、配線５０の第２区間５０ｂが設けられる領域に予め形成されていた光電変換素子１０の一部を除去することによって構成することができる。なお、光電変換素子１０の一部を除去した除去領域は、図９において符号「Ｒ１」によって示されている。なお、除去領域Ｒ１は、第１電極層２２、第２電極層２４及び光電変換層２６が除去された領域であってよい。すなわち、配線５０の第２区間５０ｂは、除去領域Ｒ１において基板２０上を通る。このように、配線５０の第２区間５０ｂが通る領域において、光電変換素子１０の一部が除去されていることで、配線５０の第２区間５０ｂが、最も外側の光電変換セル１２よりも内側の光電変換セル１２に短絡しないようにすることができる。さらに、光電変換素子１０の一部を除去することによって、配線５０の引き回し部５０ｃを第２方向における光電変換モジュールの中心により寄せて配置することができる。 Such a structure can be constructed by removing a part of the photoelectric conversion element 10 previously formed in the region where the second section 50b of the wiring 50 is provided. In addition, the removal area|region which removed a part of photoelectric conversion element 10 is shown by the code|symbol "R1" in FIG. The removed region R1 may be a region where the first electrode layer 22, the second electrode layer 24 and the photoelectric conversion layer 26 are removed. That is, the second section 50b of the wiring 50 passes over the substrate 20 in the removal region R1. In this way, part of the photoelectric conversion element 10 is removed in the region through which the second section 50b of the wiring 50 passes, so that the second section 50b of the wiring 50 is located inside the outermost photoelectric conversion cell 12. can be prevented from being short-circuited to the other photoelectric conversion cells 12 . Further, by removing a part of the photoelectric conversion element 10, the routing portion 50c of the wiring 50 can be arranged closer to the center of the photoelectric conversion module in the second direction.

第２実施形態において、第１方向からみて第２区間５０ｂと重なる光電変換セル１２の第２方向における幅Ｗ２は、第１方向からみて第２区間５０ｂと重ならない光電変換セル１２の第２方向における幅Ｗ１よりも大きいことが好ましい。これにより、帯状の複数の光電変換セル１２の面積を均一化することができる。したがって、各々の光電変換セル１２の性能を均一化することができる。仮に、１つの光電変換セル１２の性能が他の光電変換セル１２の性能よりも低い場合、性能の低い光電変換セルを流れる電流量に応じて、他の光電変換セル１２を流れる電流の量も低下してしまう。本態様によれば、帯状の複数の光電変換セル１２の面積を均一化することによって、そのような不具合を抑制することができる。もっとも、光電変換セル１２の面積の差異に応じた性能の低下が小さければ、光電変換セル１２の第２方向における幅Ｗ１，Ｗ２は、同じであってもよいことに留意されたい。 In the second embodiment, the width W2 in the second direction of the photoelectric conversion cells 12 overlapping the second sections 50b when viewed from the first direction is the second direction of the photoelectric conversion cells 12 not overlapping the second sections 50b when viewed from the first direction. is preferably larger than the width W1 at . Thereby, the areas of the plurality of strip-shaped photoelectric conversion cells 12 can be made uniform. Therefore, the performance of each photoelectric conversion cell 12 can be made uniform. If the performance of one photoelectric conversion cell 12 is lower than the performance of the other photoelectric conversion cells 12, the amount of current flowing through the other photoelectric conversion cells 12 will also vary according to the amount of current flowing through the photoelectric conversion cells with low performance. will decline. According to this aspect, such a problem can be suppressed by uniformizing the areas of the plurality of strip-shaped photoelectric conversion cells 12 . However, it should be noted that the widths W1 and W2 of the photoelectric conversion cells 12 in the second direction may be the same as long as the deterioration in performance due to the difference in the area of the photoelectric conversion cells 12 is small.

［第３実施形態］
次に、第３実施形態に係る光電変換モジュールについて、図１０を用いて説明する。図１０は、第３実施形態に係る光電変換モジュールの模式的平面図である。ここで、図１０では、説明の都合上、封止層４００及び封止材５００は示されていない。また、図１０では、透明基板６００は破線によって描かれている。 [Third embodiment]
Next, a photoelectric conversion module according to the third embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a schematic plan view of a photoelectric conversion module according to the third embodiment. Here, FIG. 10 does not show the sealing layer 400 and the sealing material 500 for convenience of explanation. Also, in FIG. 10, the transparent substrate 600 is drawn with a dashed line.

図１０において、第２実施形態と同じ構成要素には、同じ符号が付されている。以下では第２実施形態と同じ構成については、その説明を省略することがあることに留意されたい。 In FIG. 10, the same reference numerals are assigned to the same components as in the second embodiment. Note that the description of the same configuration as that of the second embodiment may be omitted below.

第３実施形態では、複数の光電変換セル１２のうちの一部の光電変換セル１２に第１グリッド電極３１と第２グリッド電極３２が設けられている。第１グリッド電極３１及び第２グリッド電極３２以外の構成は、第２実施形態と同じである。 In the third embodiment, the first grid electrode 31 and the second grid electrode 32 are provided in some of the photoelectric conversion cells 12 among the plurality of photoelectric conversion cells 12 . Configurations other than the first grid electrode 31 and the second grid electrode 32 are the same as those of the second embodiment.

第３実施形態において、第１グリッド電極３１と第２グリッド電極３２は、第２電極層２４に隣接して設けられている。具体的には、第１グリッド電極３１と第２グリッド電極３２は、第２電極層２４上に設けられていてよい。第１グリッド電極３１と第２グリッド電極３２は、第２電極層２４よりも電気抵抗率の低い電気抵抗率を有する。 In the third embodiment, the first grid electrode 31 and the second grid electrode 32 are provided adjacent to the second electrode layer 24 . Specifically, the first grid electrode 31 and the second grid electrode 32 may be provided on the second electrode layer 24 . The first grid electrode 31 and the second grid electrode 32 have electrical resistivity lower than that of the second electrode layer 24 .

第１グリッド電極３１は、第２方向に沿って延びていてよい。また、第１グリッド電極３１は、第１方向に複数並んでいてもよい。第２グリッド電極３２は、第１方向に沿って延びていてよい。また、第２グリッド電極３２は、各々のセル１２に１本設けられていてよい。この代わりに、第２グリッド電極３２は、各々のセル１２に複数本設けられていてもよい。第２グリッド電極３２は、第１方向に並んだ複数の第１グリッド電極３１を電気的に連結している。 The first grid electrode 31 may extend along the second direction. Also, a plurality of first grid electrodes 31 may be arranged in the first direction. The second grid electrode 32 may extend along the first direction. Also, one second grid electrode 32 may be provided for each cell 12 . Alternatively, a plurality of second grid electrodes 32 may be provided in each cell 12 . The second grid electrode 32 electrically connects the plurality of first grid electrodes 31 arranged in the first direction.

第１グリッド電極３１及び第２グリッド電極３２は、光電変換セル１２のうち、配線５０の第２区間５０ｂのまわりの少なくとも一部の領域に設けられていることが好ましい。言い換えると、第１グリッド電極３１及び第２グリッド電極３２は、光電変換セル１２の、除去領域Ｒ１のまわりに設けられていることが好ましい。本実施形態では、第１グリッド電極３１及び第２グリッド電極３２は、配線５０の第２区間５０ｂから近い領域にのみ設けられている。 The first grid electrode 31 and the second grid electrode 32 are preferably provided in at least a partial area around the second section 50 b of the wiring 50 in the photoelectric conversion cell 12 . In other words, the first grid electrode 31 and the second grid electrode 32 are preferably provided around the removed region R1 of the photoelectric conversion cell 12 . In this embodiment, the first grid electrode 31 and the second grid electrode 32 are provided only in a region near the second section 50b of the wiring 50. As shown in FIG.

第３実施形態では、光電変換素子１０を流れる電流は、第２方向に沿って流れることになる。この場合、電流は、除去領域Ｒ１のまわりでは、第２方向に直線的に流れることができず、除去領域Ｒ１を迂回して光電変換セル１２中を流れることになる。したがって、第１グリッド電極３１及び第２グリッド電極３２がない場合、除去領域Ｒ１付近で電気抵抗が高くなってしまう。本実施形態では、第１グリッド電極３１を設けることによって、除去領域Ｒ１付近の電気抵抗の増大を抑制することができる。これにより、各々の光電変換セル１２の性能を均一化することができる。さらに、第２グリッド電極３２によって、除去領域Ｒ１付近で電流を第１方向の内側に集電させやすくなる。これにより、各々の光電変換セル１２の性能をより均一化することができる。 In the third embodiment, the current flowing through the photoelectric conversion element 10 flows along the second direction. In this case, the current cannot flow linearly in the second direction around the removed region R1, and flows through the photoelectric conversion cells 12 bypassing the removed region R1. Therefore, without the first grid electrode 31 and the second grid electrode 32, the electric resistance increases near the removal region R1. In this embodiment, by providing the first grid electrode 31, it is possible to suppress an increase in electrical resistance in the vicinity of the removal region R1. Thereby, the performance of each photoelectric conversion cell 12 can be made uniform. Furthermore, the second grid electrode 32 makes it easier to collect current inward in the first direction in the vicinity of the removal region R1. Thereby, the performance of each photoelectric conversion cell 12 can be made more uniform.

［第４実施形態］
次に、第４実施形態に係る光電変換モジュールについて、図１１～図１４を用いて説明する。図１１は、第４実施形態に係る光電変換モジュールの模式的平面図である。図１２は、図１１の領域Ｒ２の模式的拡大図である。図１３は、図１２の１３Ａ－１３Ａ線に沿った模式的断面図である。図１４は、図１１の領域Ｒの模式的斜視図である。ここで、図１１では、説明の都合上、封止層４００及び封止材５００は示されていない。また、図１２～図１４では、説明の都合上、封止層４００、及び封止材５００及び透明基板６００は明示的に示されていない。ただし、図１１では、透明基板６００は破線によって描かれている。 [Fourth embodiment]
Next, a photoelectric conversion module according to a fourth embodiment will be described with reference to FIGS. 11 to 14. FIG. FIG. 11 is a schematic plan view of a photoelectric conversion module according to the fourth embodiment. FIG. 12 is a schematic enlarged view of region R2 in FIG. 13 is a schematic cross-sectional view taken along line 13A-13A in FIG. 12. FIG. 14 is a schematic perspective view of region R in FIG. 11. FIG. Here, FIG. 11 does not show the sealing layer 400 and the sealing material 500 for convenience of explanation. 12 to 14 do not explicitly show the sealing layer 400, the sealing material 500, and the transparent substrate 600 for convenience of explanation. However, in FIG. 11, the transparent substrate 600 is drawn by dashed lines.

図１１～図１４において、第３実施形態と同じ構成要素には、同じ符号が付されている。以下では第３実施形態と同じ構成については、その説明を省略することがあることに留意されたい。 11 to 14, the same reference numerals are given to the same components as in the third embodiment. Note that the description of the same configuration as that of the third embodiment may be omitted below.

第４実施形態では、グリッド電極３１、３２の配置が、第３実施形態と異なっている。それ以外の構成は、第３実施形態と同じである。 In the fourth embodiment, the arrangement of grid electrodes 31 and 32 is different from that in the third embodiment. Other configurations are the same as those of the third embodiment.

第４実施形態において、グリッド電極３１、３２は、光電変換素子１０全体に設けられている。この場合であっても、グリッド電極３１、３２のおかげで各光電変換セル１２の電気抵抗が低下するため、除去領域Ｒ１付近での電気抵抗の増大を緩和することができる。したがって、各々の光電変換セル１２の性能を均一化することができる。 In the fourth embodiment, grid electrodes 31 and 32 are provided over the entire photoelectric conversion element 10 . Even in this case, the electrical resistance of each photoelectric conversion cell 12 is reduced thanks to the grid electrodes 31 and 32, so the increase in electrical resistance in the vicinity of the removal region R1 can be mitigated. Therefore, the performance of each photoelectric conversion cell 12 can be made uniform.

第３実施形態と同様に、第２グリッド電極３２は、第１方向に並んだ複数の第１グリッド電極３１を連結している。第１グリッド電極３１及び第２グリッド電極３２は、第２電極層２４上に設けられている。好ましくは、第２グリッド電極３２は、分割部Ｐ１，Ｐ２の上に設けられており、分割部Ｐ３から離れている（図１４参照）。これにより、第２グリッド電極３２を構成する材料が、製造時に分割部Ｐ３に入ってしまうことを抑制できる。したがって、第２グリッド電極３２が分割部Ｐ３内に入ることにより生じる第１電極層２２への短絡を抑制しやすくなる。 As in the third embodiment, the second grid electrode 32 connects a plurality of first grid electrodes 31 arranged in the first direction. The first grid electrode 31 and the second grid electrode 32 are provided on the second electrode layer 24 . Preferably, the second grid electrode 32 is provided on the divisions P1 and P2 and is separated from the division P3 (see FIG. 14). This can prevent the material forming the second grid electrode 32 from entering the divided portion P3 during manufacturing. Therefore, it becomes easier to suppress a short circuit to the first electrode layer 22 caused by the second grid electrode 32 entering the dividing portion P3.

第４実施形態では、第２グリッド電極３２は、各々の光電変換セル１２に対して１本のみ設けられているが、第２グリッド電極３２は、各々の光電変換セル１２に対して複数本設けられていてもよい。 In the fourth embodiment, only one second grid electrode 32 is provided for each photoelectric conversion cell 12, but a plurality of second grid electrodes 32 are provided for each photoelectric conversion cell 12. may have been

［第５実施形態］
次に、第５実施形態に係る光電変換モジュールについて、図１５を用いて説明する。図１５は、第５実施形態に係る光電変換モジュールの模式的平面図である。ここで、図１５では、説明の都合上、封止層４００及び封止材５００は示されていない。また、図１５では、透明基板６００は破線によって描かれている。 [Fifth embodiment]
Next, a photoelectric conversion module according to the fifth embodiment will be described with reference to FIG. 15. FIG. FIG. 15 is a schematic plan view of a photoelectric conversion module according to the fifth embodiment. Here, FIG. 15 does not show the sealing layer 400 and the sealing material 500 for convenience of explanation. Also, in FIG. 15, the transparent substrate 600 is drawn with a dashed line.

図１５において、第４実施形態と同じ構成要素には、同じ符号が付されている。以下では第４実施形態と同じ構成については、その説明を省略することがあることに留意されたい。 In FIG. 15, the same reference numerals are given to the same components as in the fourth embodiment. Note that the description of the same configuration as that of the fourth embodiment may be omitted below.

第５実施形態では、光電変換モジュールは、第２方向に延びる第１グリッド電極３１と、第１方向に延びる第２グリッド電極３２と、を有している。ただし、第１グリッド電極３１及び第２グリッド電極３２の配置が、第４実施形態と異なっている。 In the fifth embodiment, the photoelectric conversion module has a first grid electrode 31 extending in the second direction and a second grid electrode 32 extending in the first direction. However, the arrangement of the first grid electrode 31 and the second grid electrode 32 is different from that of the fourth embodiment.

第５実施形態では、配線５０の第２区間５０ｂに近い第１グリッド電極３１どうしのピッチは、配線５０の第２区間５０ｂから遠い第１グリッド電極３１のピッチよりも小さい。同様に、配線５０の第２区間５０ｂに近い第２グリッド電極３２どうしのピッチは、配線５０の第２区間５０ｂから遠い第２グリッド電極３２のピッチよりも小さい。これにより、除去領域Ｒの影響で電気抵抗が増大しやすい領域に第１グリッド電極３１と第２グリッド電極３２が密に配置される。したがって、電気抵抗の分布が均一化され、各々の光電変換セル１２の性能を均一化することができる。 In the fifth embodiment, the pitch between the first grid electrodes 31 near the second section 50b of the wiring 50 is smaller than the pitch between the first grid electrodes 31 far from the second section 50b of the wiring 50 . Similarly, the pitch of the second grid electrodes 32 close to the second section 50b of the wiring 50 is smaller than the pitch of the second grid electrodes 32 far from the second section 50b of the wiring 50 . As a result, the first grid electrode 31 and the second grid electrode 32 are densely arranged in the area where the electric resistance tends to increase due to the influence of the removed area R. Therefore, the distribution of electrical resistance is made uniform, and the performance of each photoelectric conversion cell 12 can be made uniform.

第５実施形態では、第１グリッド電極３２及び第２グリッド電極３２の両方のピッチが、除去領域Ｒ付近の領域と、除去領域Ｒから遠い領域とで異なっている。この代わりに、第１グリッド電極３２及び第２グリッド電極３２のいずれか一方のみのピッチが、除去領域Ｒ付近の領域と、除去領域Ｒから遠い領域とで異なっていてもよい。すなわち、
配線５０の第２区間５０ｂに近い第１グリッド電極３１又は第２グリッド電極３２のピッチが、配線５０の第２区間５０ｂから遠い第１グリッド電極３１又は第２グリッド電極３２のピッチよりも小さければよい。 In the fifth embodiment, the pitches of both the first grid electrode 32 and the second grid electrode 32 are different between the region near the removal region R and the region far from the removal region R. FIG. Alternatively, the pitch of only one of the first grid electrode 32 and the second grid electrode 32 may be different between the region near the removal region R and the region far from the removal region R. FIG. i.e.
If the pitch of the first grid electrode 31 or the second grid electrode 32 near the second section 50b of the wiring 50 is smaller than the pitch of the first grid electrode 31 or the second grid electrode 32 far from the second section 50b of the wiring 50 good.

上述したように、実施形態を通じて本発明の内容を開示したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替の実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなる。したがって、本発明の技術的範囲は、上述の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。 As described above, the subject matter of the present invention has been disclosed through embodiments, but the statements and drawings forming part of this disclosure should not be construed as limiting the present invention. Various alternative embodiments, implementations and operational techniques will become apparent to those skilled in the art from this disclosure. Therefore, the technical scope of the present invention is defined only by the matters specifying the invention according to the valid scope of claims based on the above description.

例えば、上記複数の実施形態で説明した各々の構成は、可能な限り、互いに置き換え、および又は組み合わせ可能である。 For example, each configuration described in the above multiple embodiments can be replaced and/or combined with each other as much as possible.

また、前述した光電変換セル１２の厚み方向の構造は一例であり、前述した構造に限定されないことに留意されたい。さらに、上記実施形態では、配線５０は、第１電極層２２に接して設けられている。この代わりに、可能であれば、配線５０は、第２電極層２４に接して設けられていてもよい。 Also, it should be noted that the structure in the thickness direction of the photoelectric conversion cell 12 described above is an example, and is not limited to the structure described above. Furthermore, in the above embodiment, the wiring 50 is provided in contact with the first electrode layer 22 . Alternatively, if possible, the wiring 50 may be provided in contact with the second electrode layer 24 .

上記実施形態では、封止材５００は、光電変換モジュールの４辺を取り囲むよう設けられている。この代わりに、封止材５００は、配線５０の引き回し部ｃが存在する辺に設けられていなくてもよい。さらに、光電変換モジュールは、封止材５００を有していなくてもよい。 In the above embodiment, the sealing material 500 is provided so as to surround the four sides of the photoelectric conversion module. Alternatively, the encapsulant 500 may not be provided on the side where the lead-around portion c of the wiring 50 exists. Furthermore, the photoelectric conversion module may not have the encapsulant 500 .

また、図１、図８～図１１及び図１５に示す実施形態では、一対の配線５０は、図の上側の辺において基板２０の表面側から裏面側に引き回されている。この代わりに、一対の配線５０は、図の下側の辺において基板２０の表面側から裏面側に引き回されていてもよい。 In addition, in the embodiments shown in FIGS. 1, 8 to 11 and 15, the pair of wirings 50 are routed from the front surface side to the rear surface side of the substrate 20 on the upper side of the drawing. Alternatively, the pair of wirings 50 may be routed from the front surface side to the rear surface side of the substrate 20 on the lower side of the drawing.

１０光電変換素子
１２光電変換セル
２０基板
３１第１グリッド電極
３２第２グリッド電極
５０配線
５０ａ第１区間
５０ｂ第２区間
５０ｃ引き回し部

10 photoelectric conversion element 12 photoelectric conversion cell 20 substrate 31 first grid electrode 32 second grid electrode 50 wiring 50a first section 50b second section 50c routing part

Claims

基板と、
前記基板の第１面側に設けられた光電変換素子と、
前記光電変換素子と電気的に接続され、前記基板の前記第１面側から前記基板の前記第１面とは反対の第２面側に引き回された引き回し部を有する配線と、を有し、
前記配線は、前記基板の第１面側において、前記光電変換素子の一端部に沿って第１方向に延びた第１区間と、前記第１区間から前記引き回し部に至る第２区間と、を有しており、
前記引き回し部は、前記第１方向に交差する第２方向において前記第１区間よりも内側に位置しており、かつ、前記第１方向において前記第１区間と前記第２区間との接続点とは異なる位置に位置しており、
前記配線の前記第２区間から前記第２方向にずれた位置に、前記光電変換素子の光電変換可能な部分が設けられている、光電変換モジュール。 a substrate;
a photoelectric conversion element provided on the first surface side of the substrate;
a wiring electrically connected to the photoelectric conversion element and having a routing portion that is routed from the first surface side of the substrate to the second surface side of the substrate opposite to the first surface. ,
The wiring includes, on the first surface side of the substrate, a first section extending in a first direction along one end portion of the photoelectric conversion element, and a second section extending from the first section to the routing portion. has
The routing portion is located inside the first section in a second direction that intersects the first direction, and is a connection point between the first section and the second section in the first direction. are located in different positions,
A photoelectric conversion module, wherein a portion capable of photoelectric conversion of the photoelectric conversion element is provided at a position shifted in the second direction from the second section of the wiring.

前記光電変換素子と前記配線とを電気的に接続する電極層を有し、
前記電極層は、前記第２方向からみて前記第２区間と重なる領域において、前記第２方向における前記第２区間よりも内側にのみ設けられている、請求項１に記載の光電変換モジュール。 Having an electrode layer electrically connecting the photoelectric conversion element and the wiring,
2. The photoelectric conversion module according to claim 1, wherein said electrode layer is provided only inside said second section in said second direction in a region overlapping said second section when viewed from said second direction.

前記光電変換素子は、前記第２方向に並んだ複数の光電変換セルを有し、
各々の前記光電変換セルは、前記第１方向に沿って延びており、
前記第１方向からみて前記第２区間と重なる前記光電変換セルの前記第１方向における長さは、前記第１方向からみて前記第２区間と重ならない前記光電変換セルの前記第１方向における長さよりも短い、請求項１又は２に記載の光電変換モジュール。 The photoelectric conversion element has a plurality of photoelectric conversion cells arranged in the second direction,
Each photoelectric conversion cell extends along the first direction,
The length in the first direction of the photoelectric conversion cell that overlaps with the second section when viewed from the first direction is the length in the first direction of the photoelectric conversion cell that does not overlap with the second section when viewed from the first direction. 3. The photoelectric conversion module according to claim 1, wherein the photoelectric conversion module is shorter than the height.

前記第１方向からみて前記第２区間と重なる前記光電変換セルの前記第２方向における幅は、前記第１方向からみて前記第２区間と重ならない前記光電変換セルの前記第２方向における幅よりも大きい、請求項３に記載の光電変換モジュール。 The width in the second direction of the photoelectric conversion cell that overlaps the second section when viewed from the first direction is greater than the width in the second direction of the photoelectric conversion cell that does not overlap the second section when viewed from the first direction. 4. The photoelectric conversion module according to claim 3, wherein the photoelectric conversion module is also large.

前記光電変換セルは、第１電極層と、第２電極層と、前記第１電極層と前記第２電極層との間の光電変換層と、を有し、
少なくとも一部の前記光電変換セルは、前記第２電極層に隣接し前記第２電極層よりも電気抵抗率の低い電気抵抗率を有するグリッド電極を有し、
前記グリッド電極は、前記光電変換セルのうち、前記配線の前記第２区間のまわりの少なくとも一部の領域に設けられている、請求項３又は４に記載の光電変換モジュール。 The photoelectric conversion cell has a first electrode layer, a second electrode layer, and a photoelectric conversion layer between the first electrode layer and the second electrode layer,
At least some of the photoelectric conversion cells have a grid electrode adjacent to the second electrode layer and having an electrical resistivity lower than that of the second electrode layer,
5. The photoelectric conversion module according to claim 3, wherein said grid electrode is provided in at least a partial area around said second section of said wiring in said photoelectric conversion cell.

前記グリッド電極は、少なくとも一方向に並んで複数設けられており、
前記配線の前記第２区間に近い前記グリッド電極のピッチは、前記配線の前記第２区間から遠い前記グリッド電極のピッチよりも小さい、請求項５に記載の光電変換モジュール。 A plurality of the grid electrodes are arranged side by side in at least one direction,
6. The photoelectric conversion module according to claim 5, wherein the pitch of said grid electrodes close to said second section of said wiring is smaller than the pitch of said grid electrodes far from said second section of said wiring.

前記グリッド電極は、前記配線の前記第２区間から近い領域にのみ設けられている、請求項５に記載の光電変換モジュール。
6. The photoelectric conversion module according to claim 5, wherein said grid electrode is provided only in a region near said second section of said wiring.