JP7193357B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
図1は、実施形態の基板処理装置1のレイアウトを示す図解的な平面図である。基板処理装置1は、半導体ウェハである基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、インデクサブロック2、および処理ブロック3を備えている。
次に、処理ユニット6において、基板Wを処理するときの一連の流れについて説明する。なお、以下に説明する各動作は、特に断らない限り、制御ユニット8の制御下で行われるものとする。また、電解室72内は電解液72Lで充填されており、かつ処理液配管71および導入ポート77も処理液で充填されているものとする。
上記特許文献1,2のように、プラズマを生成する液体中に電極が位置する場合、電極材料が液中に溶出するため、基板を処理する処理液が汚染されるおそれがある。また、特許文献1のように、外部から気体を処理液に導入する場合、清浄度の高い処理液を得るためには、高純度のガスを処理液に供給する必要があるため、ランニングコストが問題となる。
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
6 処理ユニット
60 基板処理室
61 スピンチャック
62 ノズル
67 挟持部材
68 ヒーター
7 流体ボックス
71 処理液配管
713 放電配管部
72 電解室
723 電解液供給配管
72L 電解液
73 電解用電極
74 電解用電源
75 循環配管
76 気液分離ユニット
763 疎水性フィルター素材
77 導入ポート
78 放電電極
79 プラズマ電源
8 制御ユニット
B1 気体
W 基板
Claims (11)
- プラズマ励起によって生成される励起成分を含む処理液で基板を処理する基板処理装置であって、
基板処理室と、
前記基板処理室内に配置され、基板を保持する基板保持具と、
前記基板処理室に接続され、前記基板処理室内に処理液を供給する処理液配管と、
電解室と、
前記電解室内にある電解液を電気分解する電解用電極と、
前記電解用電極に接続される電解用電源と、
前記電解室で発生した気体を前記電解液から分離する気液分離ユニットと、
前記気液分離ユニットと前記処理液配管とに接続され、前記気体を前記処理液配管に導入する導入ポートと、
前記処理液配管における前記基板処理室と前記導入ポートとの間の配管部分に配置される放電電極と、
前記放電電極に接続されるプラズマ電源と、
を備える、基板処理装置。 - 請求項1の基板処理装置であって、
前記放電電極が、前記配管部分の外側に配置されている、基板処理装置。 - 請求項1または請求項2の基板処理装置であって、
両端が前記電解室に接続され、前記電解液を循環させる循環配管、
をさらに備え、
前記気液分離ユニットは、前記循環配管の途中に接続される、基板処理装置。 - 請求項1から請求項3のいずれか1項の基板処理装置であって、
前記気液分離ユニットは、疎水性フィルターを含む、基板処理装置。 - 請求項1から請求項4のいずれか1項の基板処理装置であって、
前記気液分離ユニットは、陰イオン交換膜を含む、基板処理装置。 - 請求項1から請求項4のいずれか1項の基板処理装置であって、
前記気液分離ユニットは、陽イオン交換膜を含む、基板処理装置。 - 請求項1から請求項6のいずれか1項の基板処理装置であって、
前記基板保持具に保持された基板を加熱するための加熱機構、
をさらに備える、基板処理装置。 - 請求項1から請求項7のいずれか1項の基板処理装置であって、
前記プラズマ電源は、高周波電力またはパルス電圧を出力する、基板処理装置。 - 請求項2の基板処理装置であって、
前記放電電極で挟まれる前記配管部分が、石英で形成されている、基板処理装置。 - 請求項1から請求項9のいずれか1項の基板処理装置であって、
前記電解用電源に接続され、前記電解用電源が前記電解用電極に印加する電圧の大きさを制御する制御部、
をさらに備える、基板処理装置。 - プラズマ励起によって生成される励起成分を含む処理液で基板を処理する基板処理方法であって、
a)電解室に電解液を供給する工程と、
b)前記電解室において、前記電解液を電気分解する工程と、
c)前記工程b)によって生成される気体を前記電解液から分離する工程と、
d)前記工程c)によって分離された前記気体を処理液に導入する工程と、
e)前記工程d)によって前記気体が導入された前記処理液をプラズマ励起する工程と、
f)前記工程e)によってプラズマ励起された前記処理液を基板に供給する工程と、
を含む、基板処理方法。
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