JP7192383B2 - 金属酸窒化物薄膜および金属酸窒化物薄膜の製造方法、並びに、容量素子 - Google Patents
金属酸窒化物薄膜および金属酸窒化物薄膜の製造方法、並びに、容量素子 Download PDFInfo
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Description
[1]ペロブスカイト構造を有する金属酸窒化物薄膜であって、
前記金属酸窒化物薄膜が、組成式A1+αBOx+αNyで表される組成を有し、αが0より大きく0.300以下、xが2.450より大きく、yが0.300以上0.700以下であり、
ペロブスカイト構造のc軸に垂直な面に平行な層状構造であって、一般式AOで表される組成を有するAO構造を有し、
AO構造は、ペロブスカイト構造中に、ペロブスカイト構造と結合して組み込まれていることを特徴とする金属酸窒化物薄膜である。
[5]成膜用原料を用いて、ペロブスカイト構造を有する金属酸窒化物を堆積させて金属酸窒化物薄膜を形成する工程を有し、
成膜用原料として、ペロブスカイト構造のBサイト元素のモル量に対するペロブスカイト構造のAサイト元素のモル量の比が1.00より大きい原料を用い、
金属酸窒化物薄膜を形成する工程において、雰囲気ガスとして、窒素ガスおよび酸素ガスを含む混合ガスを用い、窒素ガスが示す分圧に対する酸素ガスが示す分圧の比が0.2以上であることを特徴とする金属酸窒化物薄膜の製造方法である。
[7][1]から[4]のいずれかに記載の金属酸窒化物薄膜を備えることを特徴とする容量素子である。
1.薄膜キャパシタ
1.1.薄膜キャパシタの全体構成
1.2.金属酸窒化物薄膜
1.2.1.金属酸窒化物の組成
1.2.2.ペロブスカイト構造
1.2.3.AO構造
2.薄膜キャパシタの製造方法
2.1.金属酸窒化物薄膜の製造方法
2.1.1.成膜用原料
2.1.2.薄膜形成工程
3.本実施形態における効果
本実施形態では、容量素子の一例として、本実施形態に係る金属酸窒化物薄膜を誘電体として有する薄膜キャパシタについて説明する。薄膜キャパシタ以外の容量素子としては、サーミスタ、フィルター、ダイプレクサ、共振器、発信子、アンテナ、圧電素子、トランジスタのゲート材料、強誘電体メモリ等が例示される。
図3に示すように、本実施形態に係る容量素子の一例としての薄膜キャパシタ1は、基板51と、下部電極52と、金属酸窒化物薄膜53と、上部電極54とがこの順序で積層された構成を有している。
本実施形態に係る金属酸窒化物薄膜は、後述するが、所定の組成およびペロブスカイト構造を有する金属酸窒化物から構成されている。
本実施形態に係る金属酸窒化物薄膜を構成する金属酸窒化物の組成は、組成式A1+αBOx+αNyで表される。組成式中のAは、ペロブスカイト構造およびAO構造のAサイトを占めるAサイト原子を表し、組成式中のBは、ペロブスカイト構造のBサイトを占めるBサイト原子を表す。
本実施形態に係る金属酸窒化物薄膜はペロブスカイト構造から構成される主相を有している。図1に示すように、ペロブスカイト構造においては、陰イオン(11,12)が6つの頂点を占め、中心にBサイト原子13が存在する八面体15が頂点を互いに共有して3次元ネットワークを構成しており、このネットワークの間隙にAサイト原子14が配置されている。本実施形態に係る金属酸窒化物薄膜の組成を、組成式A1+αBOx+αNyで表した場合、このペロブスカイト構造中に存在する各元素は、組成式ABOxNyで表すことができる。すなわち、ペロブスカイト構造におけるO量およびN量は化学量論組成ではない。以下では、説明を簡略化するために、本実施形態で規定する範囲からは外れているが、ペロブスカイト構造の組成がABO2Nである場合について説明する。
金属酸窒化物薄膜において、AO構造は、薄膜の主相であるペロブスカイト構造と結合して当該ペロブスカイト構造中に組み込まれている。AO構造は、岩塩型構造を有するAサイト原子と酸素との化合物において、当該岩塩型構造のc軸に垂直な面に平行な層のうち、1層以上からなる層状構造である。
次に、図1に示す薄膜キャパシタ1の製造方法の一例について以下に説明する。
続いて、公知の成膜法を用いて、金属酸窒化物薄膜53を下部電極52上に形成する。本実施形態では、後述する条件を採用して成膜することにより、上述したペロブスカイト構造とAO構造とを有する金属酸窒化物薄膜を容易に形成できる。換言すれば、金属酸窒化物がA1+αBOx+αNyで表される組成を有するように、ABOxNyに対して、Aサイト元素および酸素をαだけ過剰に含有させても、AO構造は容易に形成されない。
成膜用原料としては、各種ターゲット材料、蒸着材料、有機金属材料等が例示される。PLD法を用いて金属酸窒化物薄膜を成膜する場合、成膜用原料として、所定の組成を有するターゲットを用いる。
金属酸窒化物薄膜を成膜(形成)する工程では、まず、下部電極の一部を露出させるために、メタルマスクを用いて、下部電極上に金属酸窒化物薄膜が成膜されない領域を形成する。
本実施形態では、所定の組成を有する金属酸窒化物に、Aサイト元素および酸素を過剰に含有させるとともに、このAサイト元素および酸素から形成されるAO構造を導入している。このAO構造は、金属酸窒化物薄膜の主相であるペロブスカイト構造中においてペロブスカイト構造と結合している。
(付記1)
ペロブスカイト構造を有する金属酸窒化物薄膜であって、
前記金属酸窒化物薄膜が、組成式A1+αBOx+αNyで表される組成を有し、αが0より大きく0.300以下、xが2.450より大きく、yが0.300以上0.700以下であり、
電界強度が0.5Vrms/μm、周波数が1kHzで測定した前記金属酸窒化物薄膜の比誘電率と、電界強度が0.5V/μmで測定した前記金属酸窒化物薄膜の絶縁抵抗率との積が2.0×1013以上であることを特徴とする金属酸窒化物薄膜。
まず、成膜用原料としてのターゲットの原料として、SrCO3、Ta2O5を準備した。試料番号1、2および5においてはSr:Ta=1.1:1.0になるように秤量し、試料番号3および4においてはSr:Ta=1.0:1.0になるように秤量した。秤量後の原料を、溶媒としてのエタノールとともに湿式ボールミルにて16時間混合を行った。得られた混合スラリーを恒温乾燥機にて80℃で12時間乾燥した。得られた混合物を乳鉢にて軽く解砕し、セラミック製のるつぼにいれ電気炉で1000℃、大気雰囲気中で2時間熱処理し、仮焼物を得た。
成膜用原料としてのターゲットの原料として、さらに、BaCO3、La(OH)3およびTiO2を準備した。
51… 基板
52… 下部電極
53… 金属酸窒化物薄膜
54… 上部電極
15… 八面体
11… 酸素
12… 窒素
13… Bサイト原子
14… Aサイト原子
25… Sr2TaO3N
21… SrTaO2N層
22… SrO層
Claims (5)
- ペロブスカイト構造を有する金属酸窒化物薄膜であって、
前記金属酸窒化物薄膜が、組成式A1+αBOx+αNyで表される組成を有し、αが0より大きく0.300以下、x+αが2.450より大きく、yが0.300以上0.700以下であり、
前記ペロブスカイト構造のc軸に垂直な面に平行な層状構造であって、一般式AOで表される組成を有するAO構造を有し、
前記AO構造は、前記ペロブスカイト構造中に、前記ペロブスカイト構造と結合して組み込まれていることを特徴とする金属酸窒化物薄膜。 - 前記AO構造が、前記ペロブスカイト構造中に点在していることを特徴とする請求項1に記載の金属酸窒化物薄膜。
- 前記Aは、Ba、Sr、Ca、LaおよびNdからなる群から選ばれる1種以上であり、前記Bは、Ta、Nb、WおよびTiからなる群から選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の金属酸窒化物薄膜。
- 電界強度が0.5Vrms/μm、周波数が1kHzで測定した前記金属酸窒化物薄膜の比誘電率と、電界強度が0.5V/μmで測定した前記金属酸窒化物薄膜の絶縁抵抗率との積が2.0×1013Ωcm以上であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の金属酸窒化物薄膜。
- 請求項1から4のいずれかに記載の金属酸窒化物薄膜を備えることを特徴とする容量素子。
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