JP7191720B2 - アイソレータ、光源装置、光送信機、光スイッチ、光増幅器、及びデータセンター - Google Patents
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Description
L=mλ0/2|(neven-nodd)| (m:奇数、λ0:真空中の波長)
によって算出される。
1導波路と第2導波路とを備える。前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有する。前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する。前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向の少なくとも一部に非相反性部材が並んで位置し、前記第1端に入力される電磁波の偏光方向は、前記基板面に平行であり、前記第2導波路の長さは、前記第2端から前記第1端に伝搬する電磁波に対する、前記第1導波路と前記第2導波路との結合長の奇数倍である。前記光源は、前記ポートに光学的に接続される。
L=mλ0/2|(neven-nodd)| (m:奇数、λ0:真空中の波長)
によって算出される。前記光源は、前記ポートに光学的に接続される。
L=mλ0/2|(neven-nodd)| (m:奇数、λ0:真空中の波長)
によって算出される。前記光源は、前記ポートに光学的に接続される。前記光送信機は、光の変調機能を有する。
、前記第2端から前記第1端に伝搬する電磁波に対する、偶モード屈折率を表すnevenと、奇モード屈折率を表すnoddとを含む式
L=mλ0/2|(neven-nodd)| (m:奇数、λ0:真空中の波長)
によって算出される。
L=mλ0/2|(neven-nodd)| (m:奇数、λ0:真空中の波長)
によって算出される。
て通信する。前記光アイソレータは、基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備える。前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有する。前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する。前記第2導波路のコアは、前記第2導波路が延在する方向の少なくとも一部に非相反性部材が並んで位置し、縦横比が0.8乃至1.2である。前記第1端に入力される電磁波の偏光方向は、前記基板面に平行であり、前記第2導波路の長さは、前記第2端から前記第1端に伝搬する電磁波に対する、前記第1導波路と前記第2導波路との結合長の奇数倍である。
L=mλ0/2|(neven-nodd)| (m:奇数、λ0:真空中の波長)
によって算出される。
アイソレータ10は、光を入力する構成と組み合わされて使用されうる。この場合、アイソレータ10は、光アイソレータともいう。図19に示されるように、光源装置100は、アイソレータ10と、光源110と、レンズ112と、光源110に電力を供給する電源114とを含む。光源110は、例えば、LD(Laser Diode)又はVCSEL(Vertical Cavity SurfaceEmitting LASER)等の半導体レーザであってよい。光源110は、基板50上に形成されてよい。
20 第1導波路
201 第1端
202 第2端
21 コア
211 第1ポート
212 第2ポート
22、23 クラッド
24 孔部
25 整合調整回路
30 第2導波路
301、302 端部
31 コア
32 非相反性部材
33、34 クラッド
40 クラッド
50 基板
50a 基板面
60 アンテナ
70 電磁波吸収部材
80 磁場印加部
100 光源装置
110 光源
112 レンズ
114 電源
120 接続導波路
121 コア
122、123 クラッド
Claims (22)
- 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備え、
前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向の少なくとも一部に非相反性部材が並んで位置し、前記第1端に入力される電磁波の偏光方向は、前記基板面に平行であり、前記第2導波路の長さは、前記第2端から前記第1端に伝搬する電磁波に対する、前記第1導波路と前記第2導波路との結合長の奇数倍である、
アイソレータ。 - 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備え、
前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向の少なくとも一部に非相反性部材が並んで位置し、前記第1端に入力される電磁波の偏光方向は、前記基板面に平行であり、前記第2導波路の長さを表すLは、前記第1導波路と前記第2導波路との結合における、前記第2端から前記第1端に伝搬する電磁波に対する、偶モード屈折率を表すnevenと、奇モード屈折率を表すnoddとを含む式
L=mλ0/2|(neven-nodd)| (m:奇数、λ0:真空中の波長)
によって算出される、
アイソレータ。 - 前記基板面に交差する方向に磁場を印加する磁場印加部をさらに備える、請求項1または2のいずれか一項に記載のアイソレータ。
- 前記コアの誘電率は、前記クラッドの誘電率より高い、請求項1乃至3のいずれか一項に記載のアイソレータ。
- 前記第1導波路は、前記基板面に平行な方向に並ぶ、第1誘電体と、前記第1誘電体と異なる種類の第2誘電体とを含み、
前記第2導波路は、前記基板面に平行な方向に並ぶ、第3誘電体と、前記第3誘電体と異なる種類の第4誘電体と、前記非相反性部材とを含み、
前記第3誘電体と前記第4誘電体と前記非相反性部材とは、前記基板面の面内方向に接触している、請求項1乃至4のいずれか一項に記載のアイソレータ。 - 前記第1導波路のクラッドは、前記第2導波路のクラッドと一体である、請求項1乃至5のいずれか一項に記載のアイソレータ。
- 前記第2導波路の両端は、前記第1導波路から移ってきた電磁波を放射するアンテナとして機能する、請求項1乃至6のいずれか一項に記載のアイソレータ。
- 前記第1端及び前記第2端に入力された電磁波は、シングルモードで伝搬される、請求項1乃至7のいずれか一項に記載のアイソレータ。
- 前記第1導波路及び前記第2導波路それぞれのコアの比誘電率は、空気の比誘電率よりも高い、請求項1乃至8のいずれか一項に記載のアイソレータ。
- 前記第2導波路の両端は、切断面を有する、請求項1乃至9のいずれか一項に記載のアイソレータ。
- 前記切断面の法線ベクトルは、前記第2導波路における電磁波の伝搬方向に交差する方向の成分を有する、請求項10に記載のアイソレータ。
- 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備える光アイソレータと、光源とを備え、
前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
前記第2導波路のコアは、前記第2導波路が延在する方向の少なくとも一部に非相反性部材が並んで位置し、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第1端に入力される電磁波の偏光方向は、前記基板面に平行であり、前記第2導波路の長さは、前記第2端から前記第1端に伝搬する電磁波に対する、前記第1導波路と前記第2導波路との結合長の奇数倍であり、
前記光源は、前記ポートに光学的に接続される、光源装置。 - 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備える光アイソレータと、光源とを備え、
前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
前記第2導波路のコアは、前記第2導波路が延在する方向の少なくとも一部に非相反性部材が並んで位置し、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第1端に入力される電磁波の偏光方向は、前記基板面に平行であり、前記第2導波路の長さを表すLは、前記第1導波路と前記第2導波路との結合における、前記第2端から前記第1端に伝搬する電磁波に対する、偶モード屈折率を表すnevenと、奇モード屈折率を表すnoddとを含む式
L=mλ0/2|(neven-nodd)| (m:奇数、λ0:真空中の波長)
によって算出され、
前記光源は、前記ポートに光学的に接続される、光源装置。 - 前記光源に電力を供給する電源をさらに備える、請求項12または13のいずれか一項に記載の光源装置。
- 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備える光アイソレータと、光源とを備え、
前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向の少なくとも一部に非相反性部材が並んで位置し、前記第1端に入力される電磁波の偏光方向は、前記基板面に平行であり、前記第2導波路の長さは、前記第2端から前記第1端に伝搬する電磁波に対する、前記第1導波路と前記第2導波路との結合長の奇数倍であり、
前記光源は、前記ポートに光学的に接続される、光源装置を搭載し、
光の変調機能を有する光送信機。 - 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備える光アイソレータと、光源とを備え、
前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向の少なくとも一部に非相反性部材が並んで位置し、前記第1端に入力される電磁波の偏光方向は、前記基板面に平行であり、前記第2導波路の長さを表すLは、前記第1導波路と前記第2導波路との結合における、前記第2端から前記第1端に伝搬する電磁波に対する、偶モード屈折率を表すnevenと、奇モード屈折率を表すnoddとを含む式
L=mλ0/2|(neven-nodd)| (m:奇数、λ0:真空中の波長)
によって算出され、
前記光源は、前記ポートに光学的に接続される、光源装置を搭載し、
光の変調機能を有する光送信機。 - 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備え、
前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向の少なくとも一部に非相反性部材が並んで位置し、前記第1端に入力される電磁波の偏光方向は、前記基板面に平行であり、前記第2導波路の長さは、前記第2端から前記第1端に伝搬する電磁波に対する、前記第1導波路と前記第2導波路との結合長の奇数倍である、光アイソレータを備える光スイッチ。 - 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備え、
前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向の少なくとも一部に非相反性部材が並んで位置し、前記第1端に入力される電磁波の
偏光方向は、前記基板面に平行であり、前記第2導波路の長さを表すLは、前記第1導波路と前記第2導波路との結合における、前記第2端から前記第1端に伝搬する電磁波に対する、偶モード屈折率を表すnevenと、奇モード屈折率を表すnoddとを含む式
L=mλ0/2|(neven-nodd)| (m:奇数、λ0:真空中の波長)
によって算出される、光アイソレータを備える光スイッチ。 - 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備え、
前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向の少なくとも一部に非相反性部材が並んで位置し、前記第1端に入力される電磁波の偏光方向は、前記基板面に平行であり、前記第2導波路の長さは、前記第2端から前記第1端に伝搬する電磁波に対する、前記第1導波路と前記第2導波路との結合長の奇数倍である、光アイソレータを備える光増幅器。 - 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備え、
前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向の少なくとも一部に非相反性部材が並んで位置し、前記第1端に入力される電磁波の偏光方向は、前記基板面に平行であり、前記第2導波路の長さを表すLは、前記第1導波路と前記第2導波路との結合における、前記第2端から前記第1端に伝搬する電磁波に対する、偶モード屈折率を表すnevenと、奇モード屈折率を表すnoddとを含む式
L=mλ0/2|(neven-nodd)| (m:奇数、λ0:真空中の波長)
によって算出される、光アイソレータを備える光増幅器。 - 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備え、
前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向の少なくとも一部に非相反性部材が並んで位置し、前記第1端に入力される電磁波の偏光方向は、前記基板面に平行であり、前記第2導波路の長さは、前記第2端から前記第1端に伝搬する電磁波に対する、前記第1導波路と前記第2導波路との結合長の奇数倍である、光アイソレータを備えるデバイスによって通信するデータセンター。 - 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備え、
前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向の少なくとも一部に非相反性部材が並んで位置し、前記第1端に入力される電磁波の偏光方向は、前記基板面に平行であり、前記第2導波路の長さを表すLは、前記第1導波路と前記第2導波路との結合における、前記第2端から前記第1端に伝搬する電磁波に対
する、偶モード屈折率を表すnevenと、奇モード屈折率を表すnoddとを含む式
L=mλ0/2|(neven-nodd)| (m:奇数、λ0:真空中の波長)
によって算出される、光アイソレータを備えるデバイスによって通信するデータセンター。
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7328276B2 (ja) * | 2021-05-27 | 2023-08-16 | 京セラ株式会社 | 非相反性導波路、アイソレータ、光スイッチ、光送受信機、データセンタ、及び製造方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002023205A (ja) | 2000-07-05 | 2002-01-23 | Hitachi Ltd | 方向性結合器、光変調器、及び波長選択器 |
US20040179256A1 (en) | 2003-05-12 | 2004-09-16 | Hammer Jacob M. | Ferromagnetic-semiconductor composite isolator and method |
JP2005516253A (ja) | 2002-01-29 | 2005-06-02 | キネティック リミテッド | 光学回路製造方法及び装置 |
US20080266644A1 (en) | 2007-04-26 | 2008-10-30 | Mihali Sigalas | Micron-size optical Faraday rotator |
US20100316327A1 (en) | 2009-02-13 | 2010-12-16 | Juan Montoya | Surface Plasmon Enhanced Optical Devices for Integrated Photonics |
US20110311181A1 (en) | 2008-07-01 | 2011-12-22 | Duke University | Optical Isolator |
JP2015106083A (ja) | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 日本電信電話株式会社 | 光方向性結合器 |
JP2015125186A (ja) | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 国立大学法人東京農工大学 | 光アイソレータ |
JP2015169833A (ja) | 2014-03-07 | 2015-09-28 | 国立大学法人東京工業大学 | 導波路型磁気光学デバイス及びその製造方法 |
US20160341981A1 (en) | 2015-05-18 | 2016-11-24 | Government Of The United States, As Represented By The Secretary Of The Air Force | Nonreciprocal Coupler Isolator |
WO2019044557A1 (ja) | 2017-08-29 | 2019-03-07 | 京セラ株式会社 | アイソレータ、光源装置、光送信機、光スイッチ、光増幅器、及びデータセンター |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2452489C2 (de) * | 1974-11-05 | 1984-11-15 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Nichtreziprokes Bauelement für die integrierte Optik |
JPS5627105A (en) * | 1979-08-14 | 1981-03-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Phase matching and coupling length adjusting hethod |
JPS6419309A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-23 | Ibiden Co Ltd | Thin film waveguide type isolator |
JPH0310212A (ja) * | 1989-06-08 | 1991-01-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光非相反移相器 |
JP2862630B2 (ja) * | 1990-04-16 | 1999-03-03 | 日本電信電話株式会社 | 導波路型光アイソレータ |
JP3200996B2 (ja) * | 1992-08-26 | 2001-08-20 | ソニー株式会社 | 光導波路装置 |
JP3248280B2 (ja) * | 1992-12-01 | 2002-01-21 | 日本電信電話株式会社 | 導波型アイソレータ |
JP3112048B2 (ja) * | 1992-12-01 | 2000-11-27 | 日本電信電話株式会社 | 積層型ガーネット結晶光導波路の製法 |
JP3457711B2 (ja) * | 1993-08-26 | 2003-10-20 | 京セラ株式会社 | ファイバ型光アイソレータ |
-
2019
- 2019-02-25 JP JP2019031121A patent/JP7191720B2/ja active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002023205A (ja) | 2000-07-05 | 2002-01-23 | Hitachi Ltd | 方向性結合器、光変調器、及び波長選択器 |
JP2005516253A (ja) | 2002-01-29 | 2005-06-02 | キネティック リミテッド | 光学回路製造方法及び装置 |
US20040179256A1 (en) | 2003-05-12 | 2004-09-16 | Hammer Jacob M. | Ferromagnetic-semiconductor composite isolator and method |
US20080266644A1 (en) | 2007-04-26 | 2008-10-30 | Mihali Sigalas | Micron-size optical Faraday rotator |
US20110311181A1 (en) | 2008-07-01 | 2011-12-22 | Duke University | Optical Isolator |
US20100316327A1 (en) | 2009-02-13 | 2010-12-16 | Juan Montoya | Surface Plasmon Enhanced Optical Devices for Integrated Photonics |
JP2015106083A (ja) | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 日本電信電話株式会社 | 光方向性結合器 |
JP2015125186A (ja) | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 国立大学法人東京農工大学 | 光アイソレータ |
JP2015169833A (ja) | 2014-03-07 | 2015-09-28 | 国立大学法人東京工業大学 | 導波路型磁気光学デバイス及びその製造方法 |
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