JP7189209B2 - 良好な可使時間及び熱伝導性を有する金属製接着性組成物、それの製造方法及び使用 - Google Patents
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Description
[本発明の組成物]
本発明の組成物は、パッケージ素子への半導体ダイの接着における軟質ハンダ及び金属充填ポリマーの代替品である。該組成物の高い体積金属負荷量及び低い多孔度は、半導体と金属パッケージ素子との間の優れた機械的、電気的及び熱的相互接続性能を提供する。
a.金属粒子の混合物80~99重量%(wt%)(但し、この混合物は、
i.少なくとも一種のLMP金属Yを含む鉛不含の低融点(LMP)粒子組成物30~70wt%; 及び
ii.加工温度T1で少なくとも一種のLMP金属Yと反応性の少なくとも一種の金属元素Mを含む高融点(HMP)粒子組成物25~70wt%を含み、
ここで、Yのwt%に対するMのwt%の比率は少なくとも1.0である)
b.金属粉末添加物A 0~30wt%、及び
c.融剤ビヒクルであって、
i.脂肪酸;
ii.任意選択のアミン;
iii.任意選択のトリグリセリド; 及び
iv.任意選択の機能性添加剤、
を含む融剤ビヒクル、
を含む。
TLPS組成物の熱硬化特性
本組成物は、電子部品を接続するためにTLPS組成物を温度T1で加工することができ、及び生じた加工された接続が、温度T1及び更にはより高い温度への後続の加熱の際に安定しているという観察に基づいている。言い換えれば、冶金的に加工された後は、TLPS組成物は、加工温度を超えて加熱されても溶融しない。それ故、TLPS組成物は、「熱可塑性物質」ではなく「熱硬化性物質」のように振る舞う。
高融点金属
HMP金属(M)には、次に限定はされないが、Cu、Ag、Pd、Au、Al、Ni、Be、Rh、Co、Fe、Mo、W、Mn及びPtが包含される。典型的には、本組成物に使用されるHMP金属は、Cu、Ag、Pd、Au、Al、NiまたはPt、最も頻繁にはHMP金属はCu、NiまたはAgである。Mを含むHMP粒子は、実質的に元素状Mであってよく、他の元素で合金化されたMであってよく、非金属もしくは他のコア粒子上にコーティングされたMであってよく、またはそれ自体が他の元素、無機コーティングもしくは有機コーティングでコーティングされたMであってよい。最適な特性を持つTLPS反応生成物を得るために複数種のHMP金属の使用が考慮される。例えば、一部の用途では、加工された組成物の機械的強度は電気伝導性よりは重要ではなく、または熱伝導性は展延性よりも重要な場合がある。他を犠牲にして一つの性質を最適化することがしばしば必要であるので、個々の成分は、従来技術で周知の元素の性質に従って、意図された用途における最適な性能を与えるために選択し得る。本発明の組成物及び方法での使用には、銀、金、パラジウム、ニッケル及びアルミニウムが、単独で、または銅との組み合わせを初めとする様々な組み合わせで具体的に考慮される。
低融点金属
理想的には、エレクトロニクス工業によって使用されている既存の鉛不含ハンダリフロー加工において代用するためには、本TLPS組成物中に使用されるLMP金属は、鉛不含ハンダペーストの製造に通常使用されるものである。例示的なLMPハンダペースト合金(Y/X)には、次には限定されないが、Sn/Ag/Cu、Sn/Cu、Sn/Ag、Sn/Sb、Sn/In,Sn/Bi、Sn/Bi/Agが包含される。商業的に利用可能な合金を使用することが有利である一方で、本組成物は、任意の適当な合金を用いて調製できる。構成分の正確な割合は変わり得、そしてカスタム設計の合金が本発明によって考慮される。鉛不含金属合金粒子の「Y/X」という表記では、「X」は、Yと合金を形成する少なくとも一種の金属を表す。本発明の幾つかの態様では、Xは、一種、二種、三種またはそれ超の種の合金金属を表す。例えば、ここではY/Xは、Yがスズであり、そしてXが単一の金属、例えば銅(Sn/Cu)、銀(Sn/Ag)、アンチモン(Sn/Sb)、インジウム(Sn/In)及びビスマス(Sn/Bi)である、Yの様々な合金を表すために使用される。Y/Xは、Yがスズであり、そしてXが二種の金属、例えば銀と銅(Sn/Ag/Cu; 例えばSAC)、及び銀とビスマス(Sn/Bi/Ag)である、Yの様々な合金を表すためにも使用される。
脂肪酸
任意の様々な既知の脂肪酸またはこれらの混合物を、本組成物中に使用することができる。一つの態様では、脂肪酸は、次式を有する化合物を含む:
アミン
脂肪酸自体をマトリックス/バインダーとして使用した組成物は、金属粉末と接触した時に室温で迅速に流動性を失う傾向がある、というのも、これらは反応して金属カルボキシレートを形成し得るからである。それ故、アミンの添加は、時折、脂肪酸塩を形成することによって脂肪酸を中和するのに有用な添加であり、前記脂肪酸塩は、非常に安定した貯蔵寿命及び可使時間を有する。
Xは、置換されていないかまたは置換された(C1~6)アルキレンからなる群から選択され; そして
R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素、ヒドロキシル、置換されていないかもしくは置換された(C1~6)アルキル、置換されていないかもしくは置換された(C1~6)アルケニル、及び置換されていないかもしくは置換された(C1~6)アルキニルからなる群から選択される。
トリグリセリド
一種または複数種のトリグリセリドの添加は、融剤系の長い可使時間を提供できる。加えて、トリグリセリドの低い粘度は、最終のペーストレオロジーを低下させるのに作用し得る。それ故、該粒子混合物組成物は、任意選択的に更にトリグリセリドを含む。一つの態様では、トリグリセリドは、次式を有する化合物を含む:
存在する場合は、トリグリセリドは、約2.0重量%未満、好ましくは約1.0重量%未満、より好ましくは約0.5重量%未満の量で該組成物に添加してよい。
添加剤
加工された該組成物の物理的特性を改良するため、加工された該組成物の色または屈折を変えるため、または或る種の堆積法(すなわち、ジェット法)の使用において助けとなるように、粒状添加剤を配合することができる。使用が考慮される粒状添加剤の例には、シリカ、HMP及びLMP以外の金属粉末、カーボンブラック; 酸化物系着色剤及び二酸化チタン; 軽量マイクロバルーン; ガラスマイクロスフィア; 並びに炭素及びポリマーマイクロバルーンなどが挙げられる。存在する場合、粒状添加剤は、用途が許すならば、金属系または非金属系コーティングを更に含んでよい。
調製法
本組成物は、第一金属成分、第二金属成分及び脂肪酸を所定の割合で組み合わせてこれらの混合物を形成するために任意の様々な既知の技術を用いて調製することができる。
使用
本TLPS組成物から形成された冶金学的ネットワークは、電気的構造物中の電気的、熱的及び/または機械的に接続する素子のために有用である。本組成物は、高い作動温度に接する場合がある用途、例えば、次には限定されないが、ステップハンダ付け、ダウンホール、石油採掘、電子制御、自動車用アンダーフード、スマートグリッド分配、及び航空宇宙用途などを包含する用途のための様々な電子部品の接続を提供する。
例1
オクタン酸及びCrayvallacTMUltraを混合し、この混合物を65℃に加熱し、次いでスピードミキサー中でこの混合物をせん断することによって、表1の融剤系を調製した。
オクタン酸及びN,N,N’,N’-テトラキス(2-ヒドロキシエチル)エチレンジアミンを混合し、この混合物を125℃に加熱し、次いで真空下に脱気することによって、表2の融剤系を調製した。
表3中の融剤ビヒクルは、全て、詳述した割合で混合して調製した。融剤ビヒクル2~4は、放熱させて、使用の前に室温にまで冷やした。表6中の全ての融剤ビヒクルは、高金属負荷ペースト中への配合の助けとなる粘度を保持する。融剤ビヒクル1は、特に低い粘度を有し、そして追加のレオロジー調節剤なしで、僅か4重量%の配合レベルで自動化された印刷に適したペーストのために利用できる。融剤ビヒクル2~4も低粘度であるが、追加の成分なしでは7重量%の配合レベルでの自動化印刷作業には有用ではない。
表4中の融剤ビヒクル5は、詳述した量で混合し、そしてその混合物を放熱させて室温まで冷やすことによって調製した。発熱反応の間に、この混合物は、固化反応を起こし、ペーストの調製の目的のためには有用でないものとなる。脂肪酸とアミンとのこの組み合わせは、溶剤不含の調合には不適であることが確認された。
表5の調合物のために、SAC305をIndium Corporation社から入手した。表5の調合物は、均一になるまでシアーブレードを用いて混合することによって、融剤ビヒクル3を使用して調製した。混合後に材料に真空を引き、そしてこの材料を、もはや泡立たなくなるまで(約10分間)真空中に維持した。この材料を計量して30gずつに分け、そしてシリンジ中に詰めた。
例5
表6中の例5は、例2に関して上述したように調製した。溶剤、樹脂及び増粘剤などのレオロジー調節剤の不在は、慣用の装置を用いてもなおも製造及び加工できる比較的高い金属負荷ペーストを可能にする。
比較例2及び3
表7及び8中の比較例2は、例2に関して上述したように調製した。比較例2は、典型的なTLPSペーストであり、他方で比較例3は典型的なハンダ材料である。
本願は特許請求の範囲に記載の発明に係るものであるが、本願の開示は以下も包含する:
1. ・高融点金属を含む第一金属成分;
・低融点金属を含む第二金属成分であって、前記低融点金属が、前記高融点金属と反応して、温度T1で金属間化学種を形成することができる、第二金属成分;
・脂肪酸;
・任意選択的に、第三級アミン;
・任意選択的に、トリグリセリド; 及び
・任意選択的に、添加剤、
を含む、粒子混合物組成物。
2. 希釈剤及び有機系添加剤を実質的に含まない、前記1.に記載の粒子混合物組成物。
3. 前記脂肪酸が室温で液状である、前記1.または2.に記載の粒子混合物組成物。
4. 前記脂肪酸が、第二金属成分の鉛不含ハンダリフロー温度を超える沸点を有する、前記1.~3.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
5. 前記脂肪酸が218℃を超える沸点を有する、前記1.~3.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
6. 前記脂肪酸が、次式を有する化合物を含む、前記1.~5.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
7. 脂肪酸がオクタン酸を含む、前記1.~5.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
8. 更にアミンを含む、前記1.~7.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
9. 前記アミンが室温で液状である、前記8.に記載の粒子混合物組成物。
10. 前記アミンが、第二金属成分の鉛不含ハンダリフロー温度を超える沸点を有する、前記8.または9.に記載の粒子混合物組成物。
11. 前記アミンが218℃を超える沸点を有する、前記8.または9.に記載の粒子混合物組成物。
12. 前記脂肪酸及びアミンが、混合された時に、室温で液体を形成する、前記8.~11.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
13. 前記アミンが、次式を有する化合物を含む、前記8.~12.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
Xは、置換されていないかまたは置換された(C 1~6 )アルキレンからなる群から選択され; そして
R 2 、R 3 、R 4 及びR 5 は、それぞれ独立して、水素、ヒドロキシル、置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )アルキル、置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )アルケニル、及び置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )アルキニルからなる群から選択される。]
14. Xがプロピレンである、前記13.に記載の粒子混合物組成物。
15. Xがエチレンである、前記13.に記載の粒子混合物組成物。
16. R 2 が、ヒドロキシル、置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルキル、置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルケニル、及び置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルキニルからなる群から選択される、前記13.~15.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
17. R 3 が、ヒドロキシル、置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルキル、置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルケニル、及び置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルキニルからなる群から選択される、前記13.~16.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
18. R 4 が、ヒドロキシル、置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルキル、置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルケニル、及び置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルキニルからなる群から選択される、前記13.~17.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
19. R 5 が、ヒドロキシル、置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルキル、置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルケニル、及び置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルキニルからなる群から選択される、前記13.~18.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
20. R 2 、R 3 、R 4 及びR 5 がそれぞれヒドロキシルである、前記13.~15.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
21. 前記アミンが、n,n,n’,n’-テトラキス(2-ヒドロキシエチル)エチレンジアミンまたはn,n,n’,n’-テトラキス(2-ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンを含む、前記8.~12.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
22. 前記アミンが、式NR 10 R 11 R 12 を有する化合物を含み、ここで、R 10 、R 11 及びR 12 は、それぞれ独立して、水素、ヒドロキシル、置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )アルキル、置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )アルケニル、置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )アルキニル、置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルキル、置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルケニル、及び置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルキニルからなる群から選択される、前記8.~12.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
23. 更にトリグリセリドを含む、前記1.~22.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
24. 前記トリグリセリドが次式を有する化合物を含む、前記23.に記載の粒子混合物組成物。
R 7 、R 8 及びR 9 は、それぞれ独立して、脂肪酸から誘導される一価の基、置換されていないかもしくは置換された(C 2~38 )アルキル、置換されていないかもしくは置換された(C 2~38 )アルケニル、置換されていないかもしくは置換された(C 2~38 )アルキニル、置換されていないかもしくは置換された(C 2~38 )カルボキシアルキル、置換されていないかもしくは置換された(C 2~38 )カルボキシアルケニル、及び置換されていないかもしくは置換された(C 2~38 )カルボキシアルキニルからなる群から選択される。]
25. R 7 、R 8 及びR 9 が、それぞれ独立して次式を有する化合物を含む、前記24.に記載の粒子混合物組成物。
Yは、置換されていないかもしくは置換された(C 1~20 )アルキレン及び置換されていないかもしくは置換された(C 1~20 )アルケニレンからなる群から選択され; そして
は結合点を表す。]
26. 前記トリグリセリドがグリセリルトリオクタノエートを含む、前記23.に記載の粒子混合物組成物。
27. シリカ; 金属粉末; カーボンブラック; 酸化物系着色剤; 二酸化チタン; マイクロバルーン; マイクロスフィア; チキソトロープ剤; 流動性制御剤; 接着促進剤; 酸化防止剤; 光安定化剤; 腐蝕防止剤; 界面活性剤; 及び消泡剤からなる群から選択される添加剤を更に含む、前記1.~26.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
28. 前記第一金属成分が、二種以上の高融点金属の混合物を含む、前記1.~29.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
29. 前記高融点金属または二種以上の高融点金属の混合物が、Cu、Ag、Al、Au、Pt、Pd、Be、Rh、Ni、Co、Fe、Mo及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、前記1.~28.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
30. 前記高融点金属が、第一の平均粒度分布を有する第一金属、及び第二の平均粒度分布を有する第二金属を含む、前記1.~29.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
31. 前記第一金属成分が、全固形物含有量を基準にして約30質量%と約70質量%との間の量で存在する、前記1.~30.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
32. 前記第二金属成分が、二種以上の低融点金属の混合物を含む、前記1.~31.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
33. 一種の低融点金属または二種以上の低融点金属の混合物が、Sn、Bi、Zn、Ga、In、Te、Hg、Tl、Sb、Se、Po及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、前記1.~32.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
34. 前記第二金属成分が、Sn、Ag及びCuの混合物を含む、前記1.~33.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
35. 前記第二金属成分が、キャリア金属を更に含む、前記1.~34.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
36. 前記キャリア金属が、Bi、In、Pb、Ag、Cu、Sb、Au、Ni及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、前記35.に記載の粒子混合物組成物。
37. 低融点金属が、全固形物含有量を基準にして約35質量%と約65質量%との間の量で前記第二金属成分中に存在し、ここで前記第二金属成分の残部はキャリア金属である、前記1.~36.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
38. 前記第二金属成分が、全固形物含有量を基準にして約10質量%と約60質量%との間の量で存在する、前記1.~37.のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
39. 前記1.に記載の粒子混合物の製造方法であって、第一金属成分、第二金属成分及び脂肪酸を所定の比率で組み合わせて、これらの混合物を形成するステップを含む、前記方法。
40. ・電子部品;
・基材; 及び
・電子部品の接合表面と基材の接合表面との間に配置された前記1.に記載の粒子混合物、
を含む、電子アセンブリ。
41. 基材、粒子混合物及び電子部品の一つまたはそれ超を加熱して粒子混合物を焼結して、電子部品を基材に接着する、前記40.に記載の電子アセンブリ。
42. 電子部品が、ダイオード、トランジスタ、レジスタ、キャパシタ、トランスデューサ、センサー、集積回路、光電子デバイス、回路トレース及びデータ伝送ライン/ワイヤからなる群から選択される、前記40.及び41.のいずれか一つに記載の電子アセンブリ。
43. 基材が、ケイ素、銅、アルミニウム、ポリマー性樹脂、二酸化ケイ素、金属、ドープした二酸化ケイ素、窒化ケイ素、タンタル、ポリシリコン、セラミック、アルミニウム/銅混合物、ヒ化ガリウム、金属表面でコーティングされたケイ素基材、窒化金属、低誘電率材料、及びIII/V族化合物からなる群から選択される、前記40.~42.のいずれか一つに記載の電子アセンブリ。
44. 電子部品を基材に接着させる方法であって、
・電子部品の接合可能な表面と、基材の接合可能な表面との間に前記1.に記載の粒子混合物を施与するステップ; 及び
・基材、粒子混合物及び電子部品のうちの一つまたはそれ超を加熱して粒子混合物を焼結することによって、電子部品を基材に接着させるステップ;
を含む前記方法。
Claims (32)
- ・Cu、Ag、Al、Au、Pt、Pd、Be、Rh、Ni、Co、Fe、Mo及びこれらの組み合わせからなる群から選択される高融点金属を含む第一金属成分;
・Sn、Bi、Zn、Ga、In、Te、Hg、Tl、Sb、Se、Po及びこれらの組み合わせからなる群から選択される低融点金属を含む第二金属成分であって、前記低融点金属が、前記高融点金属と反応して、温度T1で金属間化学種を形成することができる、第二金属成分;
・オクタン酸を含む脂肪酸、及び次式を有する化合物を含むアミン;
Xは、置換されていないかまたは置換された(C 1~6 )アルキレンからなる群から選択され; そしてR 2 は、ヒドロキシル、置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルキル、置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルケニル、及び置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルキニルからなる群から選択され、そしてR 3 は、ヒドロキシル、置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルキル、置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルケニル、及び置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルキニルからなる群から選択され、そしてR 4 は、ヒドロキシル、置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルキル、置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルケニル、及び置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルキニルからなる群から選択され、そしてR 5 は、ヒドロキシル、置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルキル、置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルケニル、及び置換されていないかもしくは置換された(C 1~6 )ヒドロキシアルキニルからなる群から選択される。]
・任意選択的に、トリグリセリド; 及び
・任意選択的に、添加剤、
を含む、粒子混合物組成物。 - 前記脂肪酸及びアミンとは異なる希釈剤及び有機系添加剤を0.5重量%未満でしか含まない、請求項1に記載の粒子混合物組成物。
- 前記脂肪酸が室温で液状である、請求項1または2に記載の粒子混合物組成物。
- 前記脂肪酸が、第二金属成分の鉛不含ハンダリフロー温度を超える沸点を有する、請求項1~3のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
- 前記脂肪酸が218℃を超える沸点を有する、請求項1~3のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
- 前記アミンが室温で液状である、請求項1~5のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
- 前記アミンが、第二金属成分の鉛不含ハンダリフロー温度を超える沸点を有する、請求項1~6のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
- 前記アミンが218℃を超える沸点を有する、請求項1~6のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
- 前記脂肪酸及びアミンが、混合された時に、室温で液体を形成する、請求項1~8のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
- Xがプロピレンである、請求項1~9のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
- Xがエチレンである、請求項1~9のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
- R2、R3、R4及びR5がそれぞれヒドロキシルである、請求項1~11のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
- 前記アミンが、n,n,n’,n’-テトラキス(2-ヒドロキシエチル)エチレンジアミンまたはn,n,n’,n’-テトラキス(2-ヒドロキシプロピル)エチレンジアミンを含む、請求項1~9のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
- 更にトリグリセリドを含む、請求項1~13のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
- 前記トリグリセリドがグリセリルトリオクタノエートを含む、請求項14に記載の粒子混合物組成物。
- シリカ; 金属粉末; カーボンブラック; 酸化物系着色剤; 二酸化チタン; マイクロバルーン; マイクロスフィア; チキソトロープ剤; 流動性制御剤; 接着促進剤; 酸化防止剤; 光安定化剤; 腐蝕防止剤; 界面活性剤; 及び消泡剤からなる群から選択される添加剤を更に含む、請求項1~17のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
- 前記第一金属成分が、二種以上の高融点金属の混合物を含む、請求項1~18のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
- 前記高融点金属が、第一の平均粒度分布を有する第一金属、及び第二の平均粒度分布を有する第二金属を含む、請求項1~19のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
- 前記第一金属成分が、全固形物含有量を基準にして30質量%と70質量%との間の量で存在する、請求項1~20のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
- 前記第二金属成分が、二種以上の低融点金属の混合物を含む、請求項1~21のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
- 前記第二金属成分が、Sn、Ag及びCuの混合物を含む、請求項1~22のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
- 前記第二金属成分が、キャリア金属を更に含む、請求項1~23のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
- 前記キャリア金属が、Bi、In、Pb、Ag、Cu、Sb、Au、Ni及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項24に記載の粒子混合物組成物。
- 低融点金属が、全固形物含有量を基準にして35質量%と65質量%との間の量で前記第二金属成分中に存在し、ここで前記第二金属成分の残部はキャリア金属である、請求項1~25のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
- 前記第二金属成分が、全固形物含有量を基準にして10質量%と60質量%との間の量で存在する、請求項1~26のいずれか一つに記載の粒子混合物組成物。
- 請求項1に記載の粒子混合物の製造方法であって、第一金属成分、第二金属成分及び脂肪酸を所定の比率で組み合わせて、これらの混合物を形成するステップを含む、前記方法。
- ・電子部品;
・基材; 及び
・電子部品の接合表面と基材の接合表面との間に配置された請求項1に記載の粒子混合物、
を含む、電子アセンブリ。 - 電子部品が、ダイオード、トランジスタ、レジスタ、キャパシタ、トランスデューサ、センサー、集積回路、光電子デバイス、回路トレース及びデータ伝送ライン/ワイヤからなる群から選択される、請求項29に記載の電子アセンブリ。
- 基材が、ケイ素、銅、アルミニウム、ポリマー性樹脂、二酸化ケイ素、金属、ドープした二酸化ケイ素、窒化ケイ素、タンタル、ポリシリコン、セラミック、アルミニウム/銅混合物、ヒ化ガリウム、金属でコーティングされたケイ素基材、窒化金属、低誘電率材料、及びIII/V族化合物からなる群から選択される、請求項29または30に記載の電子アセンブリ。
- 電子部品を基材に接着させる方法であって、
・電子部品の接合可能な表面と、基材の接合可能な表面との間に請求項1に記載の粒子混合物を施与するステップ; 及び
・基材、粒子混合物及び電子部品のうちの一つまたはそれ超を加熱して粒子混合物を焼結することによって、電子部品を基材に接着させるステップ;
を含む前記方法。
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