JP7188283B2 - シリコンウェーハの評価方法 - Google Patents
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Description
1A 製品化対象部位
1B 検査対象部位
2 シリコンウェーハ
10 エッチング槽
11 エッチング液
12 熱電対
W ウェーハサンプル
Claims (7)
- CZ法により育成されたシリコン単結晶インゴットから検査用ウェーハサンプルを切り出すステップと、
前記ウェーハサンプルを洗浄するステップと、
前記ウェーハサンプルをエッチング液に浸漬して前記ウェーハサンプルの表面をエッチングするステップと、
前記ウェーハサンプルの品質を検査するステップとを備え、
前記ウェーハサンプルをエッチングするステップは、
予め定めたエッチング条件下で前記ウェーハサンプルのエッチング処理を開始するステップと、
エッチング処理開始時の前記エッチング液の液温を測定するステップと、
前記エッチング処理中の前記エッチング液の液温を測定するステップと、
前記エッチング処理中の前記エッチング液の液温と前記エッチング処理開始時の前記エッチング液の液温との差である反応熱量が所定の反応熱量に到達したときにエッチング処理を終了するステップとを備えることを特徴とするシリコンウェーハの評価方法。 - 前記エッチング条件下で前記ウェーハサンプルのエッチング処理を行ったときの前記ウェーハサンプルのエッチング量と反応熱量との関係を示す検量線を予め作成するステップと、
前記検量線から目標エッチング量に対応する前記所定の反応熱量を求めるステップをさらに備える、請求項1に記載のシリコンウェーハの評価方法。 - 前記ウェーハサンプルの品質を検査するステップは、選択エッチング法による結晶欠陥測定、FTIR法による酸素濃度測定、四探針法による抵抗率測定、μ-PCD法によるキャリアの再結合ライフタイム測定、SPV法による金属汚染分析の少なくとも一つを含む、請求項1又は2に記載のシリコンウェーハの評価方法。
- 前記シリコン単結晶インゴットから検査用ウェーハサンプルを切り出すステップは、前記シリコン単結晶インゴットから切り出した円形のウェーハを分割するステップを含む、請求項1乃至3のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの評価方法。
- 前記検査用ウェーハサンプルの品質の検査結果に基づいて、前記シリコン単結晶インゴットの製品化対象部位の後工程への払い出しを決定するステップをさらに備える、請求項1乃至4のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの評価方法。
- 前記検査用ウェーハサンプルの品質の検査結果に基づいて、後続のシリコン単結晶インゴットの育成条件を調整するステップをさらに備える、請求項1乃至4のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの評価方法。
- 前記エッチング液は、リサイクル液を含まない新液である、請求項1乃至6のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの評価方法。
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JPS5647569A (en) * | 1979-09-28 | 1981-04-30 | Toshiba Corp | Plasma etching method |
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