JP7187762B2 - LASER PROCESSING APPARATUS AND LASER PROCESSING METHOD - Google Patents

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Description

本発明は、被加工物の内部に集光点を合わせてレーザー光を照射することにより、被加工物の内部に切断の起点となる改質領域を形成するレーザー加工装置及びレーザー加工方法に関する。 The present invention relates to a laser processing apparatus and a laser processing method for forming a modified region that serves as a starting point for cutting inside a workpiece by irradiating laser light with a focal point aligned with the inside of the workpiece.

従来、表面に半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハを個々のチップに分割するには、細かな砥粒で形成された薄い砥石により、ウェーハに研削溝を入れてウェーハをカットするダイシング装置が用いられていた。 Conventionally, in order to divide a wafer with semiconductor devices and electronic components formed on the surface into individual chips, a thin whetstone formed with fine abrasive grains is used to make grinding grooves in the wafer and cut the wafer. was used.

ダイシング装置では、薄い砥石（以下、ダイシングブレードと称する）を高速回転させてウェーハを研削し、ウェーハを完全切断（フルカット）又は不完全切断（ハーフカット或いはセミフルカット）を行う。 A dicing machine grinds a wafer by rotating a thin grindstone (hereinafter referred to as a dicing blade) at high speed, and performs complete cutting (full cut) or incomplete cutting (half cut or semi-full cut) of the wafer.

しかし、このダイシングブレードによる研削加工の場合、ウェーハが高脆性材料であるため脆性モード加工となり、ウェーハの表面や裏面にチッピングが生じ、このチッピングが分割されたチップの性能を低下させる要因になっていた。特に裏面に生じたチッピングは、クラックが徐々に内部に進行するため大きな問題となっていた。 However, in the case of grinding with this dicing blade, since the wafer is made of a highly brittle material, it becomes brittle mode processing, and chipping occurs on the front and back surfaces of the wafer, and this chipping is a factor that reduces the performance of the divided chips. rice field. In particular, chipping that occurs on the back surface has been a serious problem because cracks gradually progress inside.

このような問題に対して、従来のダイシングブレードによる切断に替えて、ウェーハの内部に集光点を合わせてレーザー光を入射し、ウェーハ内部に改質領域を形成して個々のチップに分割する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このような技術では、ウェーハの内部に形成する改質領域をウェーハのレーザー光照射面から適切な深さに形成するため、オートフォーカス機構を用いてウェーハのレーザー光照射面の高さ位置（厚み方向位置）を検出してレーザー光の集光点の位置（焦点位置）を高精度に制御する必要がある。 To solve this problem, instead of cutting with a conventional dicing blade, laser light is incident on the inside of the wafer with a focal point aligned to form a modified region inside the wafer, dividing it into individual chips. Techniques have been proposed (see Patent Document 1, for example). In such a technique, an autofocus mechanism is used to form the modified region formed inside the wafer at an appropriate depth from the laser beam irradiation surface of the wafer. It is necessary to detect the direction position) and control the position of the focal point (focus position) of the laser beam with high accuracy.

特許文献１に開示された技術では、ウェーハ内部の所定深さに均一に改質領域（変質層）を形成するために、ウェーハのレーザー光照射面に検出用レーザー光（ＡＦ用レーザー光）を照射し、その反射光に基づいてウェーハのレーザー光照射面の高さ位置を検出し、ウェーハのレーザー光照射面の高さ位置に応じて加工用レーザー光の焦点位置を制御しながら加工を行っている。これにより、ウェーハのレーザー光照射面の変位に追従するように加工用レーザー光の集光位置を制御しながら、ウェーハの内部の所望の位置に改質領域を形成するリアルタイム加工を行うことが可能となる。 In the technique disclosed in Patent Document 1, in order to uniformly form a modified region (altered layer) at a predetermined depth inside the wafer, a detection laser beam (AF laser beam) is applied to the laser beam irradiation surface of the wafer. Based on the reflected light, the height position of the laser beam irradiation surface of the wafer is detected, and processing is performed while controlling the focal position of the processing laser beam according to the height position of the laser beam irradiation surface of the wafer. ing. As a result, it is possible to perform real-time processing to form a modified region at a desired position inside the wafer while controlling the focus position of the processing laser beam so as to follow the displacement of the laser beam irradiation surface of the wafer. becomes.

特開２００７－１６７９１８号公報JP 2007-167918 A

しかしながら、上述したような技術では、以下の理由により、ウェーハのエッジ部近傍領域ではウェーハの中央部（エッジ部近傍領域よりも内側の領域）と比べて加工精度が劣る傾向がある。 However, with the technique described above, there is a tendency for the processing accuracy to be inferior in the area near the edge of the wafer compared to the center of the wafer (the area inside the area near the edge) for the following reasons.

第１に、オートフォーカス機構を利用してウェーハのレーザー光照射面の変位に追従するように加工用レーザー光の集光位置を制御する場合には、ある程度の制御遅れが発生する。このため、ウェーハのエッジ部近傍領域でオートフォーカス機構が追従を開始した時点から加工用レーザー光の焦点位置が目標位置（ターゲット高さ）に合うまでに時間がかかる。 First, when the autofocus mechanism is used to control the focusing position of the processing laser beam so as to follow the displacement of the laser beam irradiation surface of the wafer, a certain amount of control delay occurs. For this reason, it takes time from the time when the autofocus mechanism starts tracking in the area near the edge of the wafer until the focal position of the processing laser light reaches the target position (target height).

第２に、ウェーハのエッジ部近傍領域はウェーハの中央部に比べてウェーハの厚みばらつきが大きい場合があり、フォーカスずれ量が大きくなる傾向がある。 Secondly, there is a case where the thickness variation of the wafer is larger in the region near the edge portion of the wafer than in the central portion of the wafer, and the amount of defocus tends to increase.

第３に、ウェーハの厚みばらつきや制御遅れが原因して、オートフォーカス機構による制御が発振状態になり、フォーカスずれ量が大きくなる場合がある。 Thirdly, due to variations in the thickness of the wafer and control delays, the control by the autofocus mechanism may enter an oscillating state and the amount of defocus may increase.

なお、このような問題は、ウェーハのエッジ部近傍領域だけでなく、例えば、ウェーハの中央部にレーザー光照射面の変位が急激に変化する部分が存在する場合（例えば、ウェーハの中央部に同心円状の凹み部分が存在する場合など）においても生じる可能性がある。 Such a problem occurs not only in the area near the edge of the wafer, but also, for example, when there is a portion in the center of the wafer where the displacement of the laser beam irradiation surface changes abruptly (for example, a concentric circle in the center of the wafer). (e.g., when there is a recessed portion of the shape).

本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、被加工物の内部の所望の位置に改質領域を精度良く形成することができるレーザー加工装置及びレーザー加工方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a laser processing apparatus and a laser processing method capable of precisely forming a modified region at a desired position inside a workpiece. and

上記目的を達成するために、以下の発明を提供する。 In order to achieve the above objects, the following inventions are provided.

本発明の第１態様に係るレーザー加工装置は、被加工物の内部に集光点を合わせてレーザー光を照射することにより、被加工物の分割予定ラインに沿って被加工物の内部に改質領域を形成するレーザー加工装置であって、被加工物を第１の領域と第２の領域とに分ける領域設定部と、被加工物における複数の分割予定ラインのうち、対象ラインの被加工物の主面の凹凸形状を示す第１のプロファイルと、対象ラインに近接した参照ラインの被加工物の主面の凹凸形状を示す第２のプロファイルとを取得するプロファイル取得部と、第２のプロファイルを平滑化処理した参照プロファイルを算出する参照プロファイル算出部と、対象ラインに沿って改質領域を形成する際、第１の領域では参照プロファイルに基づいて改質領域形成位置を制御し、第２の領域では第１のプロファイルに基づいて改質領域形成位置を制御するＡＦ制御部と、を備える。 The laser processing apparatus according to the first aspect of the present invention irradiates laser light with a focal point aligned with the interior of the workpiece, thereby modifying the interior of the workpiece along the planned division line of the workpiece. A laser processing apparatus for forming a textured region, comprising: a region setting unit for dividing a workpiece into a first region and a second region; a profile acquisition unit for acquiring a first profile representing the uneven shape of the main surface of the object and a second profile representing the uneven shape of the main surface of the workpiece on a reference line close to the target line; a reference profile calculation unit for calculating a reference profile obtained by smoothing the profile; The second area includes an AF control unit that controls the modified area formation position based on the first profile.

本発明の第２態様に係るレーザー加工装置は、第１態様において、対象ラインと参照ラインとは互いに隣接している。 In the laser processing apparatus according to the second aspect of the present invention, in the first aspect, the target line and the reference line are adjacent to each other.

本発明の第３態様に係るレーザー加工装置は、第１態様又は第２態様において、第１の領域は被加工物のエッジ部近傍領域であり、第２の領域はエッジ部近傍領域よりも内側の領域である。 In the laser processing apparatus according to the third aspect of the present invention, in the first aspect or the second aspect, the first region is a region near the edge of the workpiece, and the second region is inside the region near the edge is the area of

本発明の第４態様に係るレーザー加工装置は、第１態様から第３態様のいずれか１つの態様において、参照プロファイル算出部は、参照プロファイルの傾き（絶対値）が閾値よりも小さくなるように傾き修正処理を行う。 A laser processing apparatus according to a fourth aspect of the present invention is any one aspect of the first to third aspects, wherein the reference profile calculation unit adjusts the slope (absolute value) of the reference profile to be smaller than the threshold value. Perform tilt correction processing.

本発明の第５態様に係るレーザー加工方法は、第１態様から第４態様のいずれか１つの態様において、参照プロファイル算出部は、第１の領域と第２の領域との境界部において、参照プロファイルと第１のプロファイルとの間の段差が徐々に小さくなるように参照プロファイルを修正する段差処理を行う。 In the laser processing method according to the fifth aspect of the present invention, in any one aspect of the first to fourth aspects, the reference profile calculation unit includes, at the boundary between the first region and the second region, the reference Step difference processing is performed to correct the reference profile so that the step between the profile and the first profile is gradually reduced.

本発明の第６態様に係るレーザー加工方法は、被加工物の内部に集光点を合わせてレーザー光を照射することにより、被加工物の分割予定ラインに沿って被加工物の内部に改質領域を形成するレーザー加工方法であって、被加工物を第１の領域と第２の領域とに分ける領域設定工程と、被加工物における複数の分割予定ラインのうち、対象ラインの被加工物の主面の凹凸形状を示す第１のプロファイルと、対象ラインに近接した他のラインの被加工物の主面の凹凸形状を示す第２のプロファイルとを取得するプロファイル取得工程と、第２のプロファイルを平滑化処理した参照プロファイルを算出する参照プロファイル算出工程と、対象ラインに沿って改質領域を形成する際、第１の領域では参照プロファイルに基づいて改質領域形成位置を制御し、第２の領域では第１のプロファイルに基づいて改質領域形成位置を制御するＡＦ制御工程と、を備える。 In the laser processing method according to the sixth aspect of the present invention, by irradiating laser light with a focal point aligned with the inside of the workpiece, the inside of the workpiece is modified along the planned division line of the workpiece. A laser processing method for forming a textured region, comprising: a region setting step of dividing a workpiece into a first region and a second region; a profile acquisition step of acquiring a first profile indicating the uneven shape of the main surface of the object and a second profile indicating the uneven shape of the main surface of the workpiece on another line close to the target line; a reference profile calculating step of calculating a reference profile obtained by smoothing the profile of; and an AF control step of controlling the modified region formation position in the second region based on the first profile.

本発明によれば、被加工物の内部の所望の位置に改質領域を精度良く形成することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, a modified region can be precisely formed in the desired position inside a to-be-processed object.

第１の実施形態に係るレーザー加工装置の概略を示した構成図The configuration diagram showing the outline of the laser processing apparatus according to the first embodiment. 被加工物の内部の集光点近傍に形成される改質領域を説明する概念図Conceptual diagram for explaining the modified region formed near the condensing point inside the workpiece 制御装置の構成を示したブロック図Block diagram showing the configuration of the control device 被加工物に設定されたダイシングラインの一例を示した図Diagram showing an example of dicing lines set on a workpiece 実測プロファイルの一例を示した図Diagram showing an example of a measured profile 従来の問題点を説明するための図Diagram for explaining conventional problems 参照プロファイルの傾き修正処理の他の例を説明するための図A diagram for explaining another example of the inclination correction processing of the reference profile. 参照プロファイルの一例を示した図Diagram showing an example of a reference profile 参照プロファイルの他の例を示した図Diagram showing another example of a reference profile 移行プロファイルの一例を示した図Diagram showing an example migration profile 第２の実施形態における被加工物の平面図The top view of the workpiece in 2nd Embodiment 図１１に示した被加工物における実測プロファイルの一例を示した図The figure which showed an example of the measured profile in the to-be-processed object shown in FIG.

以下、添付図面に従って本発明の実施形態について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

（第１の実施形態）
まず、本発明の第１の実施形態について説明する。 (First embodiment)
First, a first embodiment of the present invention will be described.

図１は、第１の実施形態に係るレーザー加工装置１０の概略を示した構成図である。図１に示すように、本実施形態のレーザー加工装置１０は、被加工物Ｗを移動させるステージ１２と、被加工物Ｗに加工用レーザー光Ｌ１を照射し、また加工用レーザー光Ｌ１の集光点の位置（加工深さ）を調節する光学系装置２０と、レーザー加工装置１０の各部を制御する制御装置５０とを備える。 FIG. 1 is a configuration diagram showing an outline of a laser processing apparatus 10 according to the first embodiment. As shown in FIG. 1, the laser processing apparatus 10 of the present embodiment includes a stage 12 for moving a workpiece W, a laser beam L1 for irradiating the workpiece W with a laser beam L1 for processing, and a laser beam L1 for processing. An optical system device 20 for adjusting the position of the light spot (processing depth) and a control device 50 for controlling each part of the laser processing device 10 are provided.

なお、被加工物Ｗとしては、特に限定されるものではないが、例えば、シリコンウェーハ等の半導体基板、ガラス基板、圧電セラミック基板、ガラス基板などを適用することができる。 The workpiece W is not particularly limited, but for example, a semiconductor substrate such as a silicon wafer, a glass substrate, a piezoelectric ceramic substrate, a glass substrate, or the like can be applied.

ステージ１２は、ＸＹＺθ方向に移動可能に構成され、被加工物Ｗを吸着保持する。被加工物Ｗは、その表面（レーザー光照射面）がデバイス面とは反対側の面となるようにステージ１２上に載置される。なお、被加工物Ｗのデバイス面が被加工物Ｗの表面となるようにステージ１２上に被加工物Ｗが載置されてもよい。 The stage 12 is configured to be movable in XYZθ directions, and holds the workpiece W by suction. The workpiece W is placed on the stage 12 so that its surface (laser beam irradiation surface) is opposite to the device surface. The workpiece W may be placed on the stage 12 so that the device surface of the workpiece W is the surface of the workpiece W. FIG.

なお、図１に示す例では、ＸＹＺの３方向は互いに直交し、このうちＸ方向およびＹ方向は水平方向であり、Ｚ方向は鉛直方向である。またθ方向は、鉛直方向軸（Ｚ軸）を回転軸とする回転方向である。 In the example shown in FIG. 1, the three XYZ directions are orthogonal to each other, of which the X and Y directions are horizontal, and the Z direction is vertical. The θ direction is the direction of rotation about the vertical axis (Z axis).

光学系装置２０は、被加工物Ｗに対向する位置に配置されており、被加工物Ｗの内部に改質領域を形成するための加工用レーザー光Ｌ１を被加工物Ｗに対して照射する。 The optical system device 20 is arranged at a position facing the workpiece W, and irradiates the workpiece W with a processing laser beam L1 for forming a modified region inside the workpiece W. .

光学系装置２０は、レーザー光源２１と、ダイクロイックミラー２３と、集光レンズ２４と、アクチュエータ２５と、凹凸形状測定部３０とを備える。 The optical system device 20 includes a laser light source 21 , a dichroic mirror 23 , a condenser lens 24 , an actuator 25 , and an uneven shape measuring section 30 .

レーザー光源２１は、被加工物Ｗの内部に改質領域を形成するための加工用レーザー光Ｌ１を出射する。 The laser light source 21 emits a processing laser beam L1 for forming a modified region inside the object W to be processed.

ダイクロイックミラー２３は、加工用レーザー光Ｌ１を透過し、かつ後述する凹凸形状測定部３０から出射される検出用レーザー光Ｌ２を反射する。なお、本実施形態においては、ダイクロイックミラー２３によって、検出用レーザー光Ｌ２の光軸と加工用レーザー光Ｌ１の光軸とを同軸にして出射する構成となっている。 The dichroic mirror 23 transmits the processing laser beam L1 and reflects the detection laser beam L2 emitted from the concave-convex shape measuring unit 30, which will be described later. In this embodiment, the optical axis of the detection laser beam L2 and the optical axis of the processing laser beam L1 are made coaxial by the dichroic mirror 23 and emitted.

レーザー光源２１から出射された加工用レーザー光Ｌ１は、ダイクロイックミラー２３を通過した後、集光レンズ２４により被加工物Ｗの内部に集光される。加工用レーザー光Ｌ１の集光点の位置（焦点位置）は、アクチュエータ２５によって集光レンズ２４をＺ方向に微小移動させることにより調節される。 The processing laser beam L1 emitted from the laser light source 21 passes through the dichroic mirror 23 and is condensed inside the workpiece W by the condensing lens 24 . The position of the focal point (focus position) of the processing laser beam L1 is adjusted by slightly moving the condenser lens 24 in the Z direction by the actuator 25 .

図２は、被加工物Ｗの内部の集光点近傍に形成される改質領域を説明する概念図である。図２（ａ）は、被加工物Ｗの内部に入射された加工用レーザー光Ｌ１が集光点に改質領域Ｐを形成した状態を示し、図２（ｂ）は断続するパルス状の加工用レーザー光Ｌ１の下で被加工物Ｗが水平方向に移動され、不連続な改質領域Ｐ、Ｐ、…が並んで形成された状態を表している。図２（ｃ）は、被加工物Ｗの内部に改質領域Ｐが多層に形成された状態を示している。 FIG. 2 is a conceptual diagram for explaining a modified region formed in the vicinity of the focal point inside the workpiece W. As shown in FIG. FIG. 2(a) shows a state in which the processing laser beam L1 incident inside the workpiece W forms the modified region P at the focal point, and FIG. 2(b) shows intermittent pulse-like processing. The work piece W is horizontally moved under the laser beam L1, and discontinuous modified regions P, P, . . . are formed side by side. FIG. 2(c) shows a state in which the modified region P is formed in multiple layers inside the workpiece W. As shown in FIG.

図２（ａ）に示すように、被加工物Ｗの表面から入射した加工用レーザー光Ｌ１の集光点が被加工物Ｗの厚み方向の内部に設定されていると、被加工物Ｗの表面を透過した加工用レーザー光Ｌ１は、被加工物Ｗの内部の集光点でエネルギーが集中し、被加工物Ｗの内部の集光点近傍に改質領域Ｐが形成される。図２（ｂ）に示すように、断続するパルス状の加工用レーザー光Ｌ１を被加工物Ｗに照射して複数の改質領域Ｐ、Ｐ、…を分割予定ラインに沿って形成することで、被加工物Ｗは分子間力のバランスが崩れ、改質領域Ｐ、Ｐ、…を起点として自然に割断するか、或いは僅かな外力を加えることによって割断される。 As shown in FIG. 2(a), if the focal point of the processing laser beam L1 incident from the surface of the workpiece W is set inside the workpiece W in the thickness direction, the workpiece W The energy of the processing laser beam L1 transmitted through the surface is concentrated at a focal point inside the workpiece W, and a modified region P is formed in the vicinity of the focal point inside the workpiece W. As shown in FIG. 2(b), a plurality of modified regions P, P, . , the workpiece W loses the balance of the intermolecular forces, and is naturally split from the modified regions P, P, .

また、厚さの厚い被加工物Ｗの場合は、改質領域Ｐの層が１層では割断できないので、図２（ｃ）に示すように、被加工物Ｗの厚み方向に加工用レーザー光Ｌ１の集光点を移動し、改質領域Ｐを多層に形成させて割断する。 In addition, in the case of a thick workpiece W, since only one layer of the modified region P cannot be cleaved, as shown in FIG. By moving the condensing point of L1, the modified region P is formed in multiple layers and cut.

なお、図２（ｂ）、（ｃ）に示した例では、断続するパルス状の加工用レーザー光Ｌ１で不連続な改質領域Ｐ、Ｐ、…を形成した状態を示したが、加工用レーザー光Ｌ１の連続波の下で連続的な改質領域Ｐを形成するようにしてもよい。不連続の改質領域Ｐを形成した場合は、連続した改質領域Ｐを形成した場合に比べて割断され難いので、被加工物Ｗの厚さや搬送中の安全等の状況によって、加工用レーザー光Ｌ１の連続波を用いるか、断続波を用いるかが適宜選択される。 In the examples shown in FIGS. 2(b) and 2(c), discontinuous modified regions P, P, . A continuous modified region P may be formed under the continuous wave of the laser light L1. When a discontinuous modified region P is formed, it is less likely to be broken than when a continuous modified region P is formed. Whether to use the continuous wave of the light L1 or to use the intermittent wave is appropriately selected.

凹凸形状測定部３０は、分割予定ライン（以下、「ダイシングライン」という。）に沿って改質領域Ｐを形成する際にダイシングラインに沿った被加工物Ｗの表面（レーザー光照射面）の凹凸形状情報を示すプロファイル（以下、「実プロファイル」という。）を取得するために設けられている。なお、被加工物Ｗの表面は、本発明における「被加工物の主面」の一例である。 The uneven shape measuring unit 30 measures the surface (laser beam irradiation surface) of the workpiece W along the dicing lines when forming the modified regions P along the lines to be divided (hereinafter referred to as “dicing lines”). It is provided to acquire a profile (hereinafter referred to as "actual profile") indicating uneven shape information. The surface of the workpiece W is an example of the "principal surface of the workpiece" in the present invention.

凹凸形状測定部３０は、検出用レーザー光Ｌ２を出射する検出用光源部（不図示）を備える。検出用レーザー光Ｌ２は、加工用レーザー光Ｌ１とは異なる波長であって被加工物Ｗの表面（レーザー光照射面）で反射可能な波長を有する。 The uneven shape measuring unit 30 includes a detection light source unit (not shown) that emits a detection laser beam L2. The detection laser beam L2 has a wavelength different from that of the processing laser beam L1 and has a wavelength that can be reflected by the surface of the workpiece W (laser beam irradiation surface).

凹凸形状測定部３０から出射された検出用レーザー光Ｌ２は、ダイクロイックミラー２３で反射され、集光レンズ２４により集光されて被加工物Ｗの表面に照射される。被加工物Ｗで反射された検出用レーザー光Ｌ２の反射光は、集光レンズ２４を経由してダイクロイックミラー２３で反射され、凹凸形状測定部３０に設けられる光検出器（不図示）の受光面で受光される。そして、光検出器により受光した反射光の分布と光量が検出される。 The detection laser beam L2 emitted from the uneven shape measuring unit 30 is reflected by the dichroic mirror 23, condensed by the condensing lens 24, and irradiated onto the surface of the workpiece W. As shown in FIG. The reflected light of the detection laser beam L2 reflected by the workpiece W passes through the condenser lens 24 and is reflected by the dichroic mirror 23. light is received on the surface. Then, the photodetector detects the distribution and quantity of reflected light received.

ここで、被加工物Ｗの表面で反射された検出用レーザー光Ｌ２の反射光の分布と光量は、集光レンズ２４から被加工物Ｗまでの距離、すなわち、被加工物Ｗの表面の凹凸形状（表面変位）に応じて変化する。凹凸形状測定部３０は、この性質を利用して、被加工物Ｗの表面で反射された検出用レーザー光Ｌ２の反射光の分布と光量の変化に基づいて被加工物Ｗの表面位置を求める。なお、凹凸形状測定部３０における被加工物Ｗの表面位置の測定方法としては、例えば、非点収差方式、ナイフエッジ方式などを好ましく用いることができる。これらの方式については公知であるので、ここでは詳細な説明を省略する。 Here, the distribution and light quantity of the reflected light of the detection laser beam L2 reflected by the surface of the workpiece W are determined by the distance from the condenser lens 24 to the workpiece W, that is, the unevenness of the surface of the workpiece W. It changes according to the shape (surface displacement). The uneven shape measuring unit 30 utilizes this property to determine the surface position of the workpiece W based on the distribution of the reflected light of the detection laser light L2 reflected on the surface of the workpiece W and the change in the amount of light. . As a method for measuring the surface position of the workpiece W in the uneven shape measuring unit 30, for example, an astigmatism method, a knife edge method, or the like can be preferably used. Since these methods are publicly known, detailed description thereof is omitted here.

上述のような凹凸形状測定部３０による被加工物Ｗの表面位置の測定は、所定のダイシングライン上で連続的に行われる。これにより、ダイシングラインに沿って被加工物Ｗの内部に改質領域Ｐを形成する際に、凹凸形状測定部３０の測定結果に基づいて加工用レーザー光Ｌ１の集光位置をリアルタイムで制御することが可能となる。 Measurement of the surface position of the workpiece W by the uneven shape measuring unit 30 as described above is continuously performed on a predetermined dicing line. As a result, when forming the modified region P inside the workpiece W along the dicing line, the condensing position of the processing laser beam L1 is controlled in real time based on the measurement result of the uneven shape measuring unit 30. becomes possible.

なお、本実施形態では、光学系装置２０内に凹凸形状測定部３０が設けられており、検出用レーザー光Ｌ２の光軸をダイクロイックミラー２３により加工用レーザー光Ｌ１の光軸と同軸にして出射する構成となっているが、この構成に限らない。例えば、凹凸形状測定部３０が光学系装置２０とは独立して隣接した位置に設けられていてもよい。 In this embodiment, an uneven shape measuring unit 30 is provided in the optical system device 20, and the optical axis of the detection laser beam L2 is made coaxial with the optical axis of the processing laser beam L1 by the dichroic mirror 23 and emitted. However, it is not limited to this configuration. For example, the concavo-convex shape measuring unit 30 may be provided independently of the optical system device 20 and adjacent thereto.

図１に示す制御装置５０は、レーザー加工装置１０の各部の動作や加工に必要なデータの記憶等を行う。 A control device 50 shown in FIG. 1 performs operations of each part of the laser processing apparatus 10 and stores data necessary for processing.

制御装置５０は、例えばパーソナルコンピュータやマイクロコンピュータなどの汎用のコンピュータによって実現されるものである。 The control device 50 is implemented by a general-purpose computer such as a personal computer or a microcomputer.

制御装置５０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、及び入出力インターフェース等を備えている。制御装置５０では、ＲＯＭに記憶されている制御プログラム等の各種プログラムがＲＡＭに展開され、ＲＡＭに展開されたプログラムがＣＰＵによって実行されることにより、図３に示した制御装置５０内の各部の機能が実現され、入出力インターフェースを介して各種の演算処理や制御処理が実行される。 The control device 50 includes a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), an input/output interface, and the like. In the control device 50, various programs, such as a control program stored in the ROM, are developed in the RAM, and the programs developed in the RAM are executed by the CPU, so that each unit in the control device 50 shown in FIG. Functions are realized, and various arithmetic processing and control processing are executed via an input/output interface.

図３は、制御装置５０の構成を示したブロック図である。なお、制御装置５０は、ステージ制御部や光源制御部なども備えているが、これらは本発明と直接関係ないため図示を省略している。 FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of the control device 50. As shown in FIG. The control device 50 also includes a stage control section, a light source control section, and the like, but these are not shown because they are not directly related to the present invention.

図３に示すように、制御装置５０は、主制御部５２、演算処理部５４、ＡＦ制御部５６、及び領域設定部５７として機能する。 As shown in FIG. 3 , the control device 50 functions as a main control section 52 , an arithmetic processing section 54 , an AF control section 56 and an area setting section 57 .

主制御部５２は、レーザー加工装置１０の各部を統括的に制御する機能部である。例えば、主制御部５２は、被加工物Ｗの内部に改質領域Ｐを形成する際に、所定のダイシングラインに沿って被加工物Ｗに対して加工用レーザー光Ｌ１が走査されるように、ステージ１２の移動制御を行う。また、主制御部５２は、加工用レーザー光Ｌ１の出射制御を行い、例えば、加工用レーザー光Ｌ１の波長、パルス幅、強度、出射タイミング、繰り返し周波数などを制御する。 The main control unit 52 is a functional unit that controls each unit of the laser processing apparatus 10 in an integrated manner. For example, when forming the modified region P inside the workpiece W, the main controller 52 controls the workpiece W to be scanned with the processing laser beam L1 along a predetermined dicing line. , to control the movement of the stage 12 . Further, the main control unit 52 controls the emission of the processing laser light L1, and controls, for example, the wavelength, pulse width, intensity, emission timing, repetition frequency, etc. of the processing laser light L1.

演算処理部５４は、制御装置５０の各種データに対して演算処理を行う機能部である。演算処理部５４は、プロファイル取得部５８と、プロファイル記憶部６０と、参照プロファイル算出部６２とを備えている。 The arithmetic processing unit 54 is a functional unit that performs arithmetic processing on various data of the control device 50 . The arithmetic processing unit 54 includes a profile acquisition unit 58 , a profile storage unit 60 and a reference profile calculation unit 62 .

プロファイル取得部５８は、凹凸形状測定部３０の測定結果に基づいて被加工物Ｗの表面の凹凸形状を示すプロファイルＳ（以下、「実測プロファイルＳ」という。）を取得する機能部である。 The profile acquisition unit 58 is a functional unit that acquires a profile S (hereinafter referred to as “measured profile S”) representing the uneven shape of the surface of the workpiece W based on the measurement result of the uneven shape measurement unit 30 .

プロファイル記憶部６０は、プロファイル取得部５８で取得された実測プロファイルＳを記憶する機能部である。 The profile storage unit 60 is a functional unit that stores the measured profile S acquired by the profile acquisition unit 58 .

参照プロファイル算出部６２は、プロファイル記憶部６０に記憶された実測プロファイルＳに基づいて後述の参照プロファイルＴを算出する機能部である。 The reference profile calculation unit 62 is a functional unit that calculates a reference profile T, which will be described later, based on the measured profile S stored in the profile storage unit 60 .

ＡＦ制御部５６は、プロファイル取得部５８で取得された実測プロファイルＳと、参照プロファイル算出部６２で算出された参照プロファイルＴとに基づいて、被加工物Ｗの内部の所望の位置に改質領域Ｐが形成されるようにアクチュエータ２５の駆動を制御する機能部である。 Based on the measured profile S acquired by the profile acquisition unit 58 and the reference profile T calculated by the reference profile calculation unit 62, the AF control unit 56 creates a modified region at a desired position inside the workpiece W. It is a functional part that controls the driving of the actuator 25 so that P is formed.

領域設定部５７は、ＡＦ制御部５６で上述の制御が行われる際に、被加工物Ｗの表面を２つの領域、具体的には、参照プロファイルＴが適用される領域（以下、「第１の領域Ｍ１」という。）と実測プロファイルＳが適用される領域（以下、「第２の領域Ｍ２」という。）とに分ける機能部である。 When the above-described control is performed by the AF control unit 56, the area setting unit 57 divides the surface of the workpiece W into two areas, specifically, an area to which the reference profile T is applied (hereinafter referred to as "first area M1") and an area to which the measured profile S is applied (hereinafter referred to as a "second area M2").

次に、レーザー加工装置１０を用いたレーザー加工方法について、図４を参照して説明する。図４は、被加工物Ｗに設定されたダイシングラインの一例を示した図である。ここでは、図４に示すように、被加工物Ｗに設定された複数のダイシングラインＣ1～Ｃnを１ラインずつ順に、各ダイシングラインＣi（ｉ＝１，２・・・ｎ）に沿って改質領域Ｐを形成する場合について説明する、なお、図４では、図面の簡略化を図るため、Ｘ方向に沿ったダイシングラインのみを図示したが、実際にはＹ方向に沿ったダイシングラインも設定されることはいうまでもない。 Next, a laser processing method using the laser processing apparatus 10 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a diagram showing an example of dicing lines set on the workpiece W. As shown in FIG. Here, as shown in FIG. 4, a plurality of dicing lines C.sub.1 to C.sub.n set on the workpiece W are sequentially arranged line by line on each dicing line C.sub.i ( i =1, 2 . . . n). In FIG. 4, only the dicing line along the X direction is shown for the sake of simplification of the drawing, but actually dicing along the Y direction will be described. It goes without saying that the line is also set.

まず、初期設定として、領域設定部５７は、制御装置５０の記憶部（不図示）に記憶された領域設定条件に従って、被加工物Ｗの表面を第１の領域Ｍ１と第２の領域Ｍ２とに分ける。本実施形態では、図４に示すように、被加工物Ｗの表面は、プロファイル境界線Ｆ（一点鎖線で図示）を境として、プロファイル境界線Ｆよりも外側の領域（被加工物Ｗのエッジ部近傍領域）が第１の領域Ｍ１として設定され、プロファイル境界線Ｆよりも内側の領域（被加工物Ｗのエッジ部近傍領域よりも内側の領域）が第２の領域Ｍ２として設定される。領域設定部５７で設定された領域設定情報は、演算処理部５４及びＡＦ制御部５６に対して出力される。なお、領域設定部５７は、図示しない操作部によりユーザーが指定した領域設定条件に従って、第１の領域Ｍ１及び第２の領域Ｍ２と設定できるようにしてもよい。 First, as an initial setting, the area setting unit 57 divides the surface of the workpiece W into a first area M1 and a second area M2 according to area setting conditions stored in a storage unit (not shown) of the control device 50. Divide into In the present embodiment, as shown in FIG. 4, the surface of the workpiece W is defined by a profile boundary line F (illustrated by a dashed line) as a boundary, and an area outside the profile boundary line F (the edge of the workpiece W). area near the edge) is set as the first area M1, and the area inside the profile boundary line F (area inside the area near the edge of the workpiece W) is set as the second area M2. The area setting information set by the area setting section 57 is output to the arithmetic processing section 54 and the AF control section 56 . Note that the region setting unit 57 may set the first region M1 and the second region M2 according to region setting conditions specified by the user using an operation unit (not shown).

次に、集光レンズ２４と被加工物Ｗとの相対的な位置合わせ（アライメント）が行われた後、ダイシングラインＣiに沿って被加工物Ｗの表面位置を凹凸形状測定部３０により測定しながら、その測定結果に基づいてアクチュエータ２５の制御がＡＦ制御部５６により行われる。これにより、集光レンズ２４から被加工物Ｗまでの距離が適切な距離となるように集光レンズ２４がＺ方向に微小移動され、加工用レーザー光Ｌ１の焦点位置が調節される。 Next, after relative positioning (alignment) between the condenser lens 24 and the workpiece W is performed, the surface position of the workpiece W is measured along the dicing lines Ci by the uneven shape measuring unit 30. Meanwhile, the AF controller 56 controls the actuator 25 based on the measurement result. As a result, the condenser lens 24 is slightly moved in the Z direction so that the distance from the condenser lens 24 to the workpiece W becomes an appropriate distance, and the focal position of the processing laser beam L1 is adjusted.

このとき、凹凸形状測定部３０の測定結果はプロファイル取得部５８によりダイシングラインＣiに対応する実測プロファイルＳとして取得される。プロファイル取得部５８は、取得した実測プロファイルＳをＡＦ制御部５６に対して出力するとともに、プロファイル記憶部６０に対して出力する。 At this time, the measurement result of the uneven shape measuring unit 30 is acquired by the profile acquiring unit 58 as the measured profile S corresponding to the dicing line C i . The profile acquisition unit 58 outputs the acquired measured profile S to the AF control unit 56 and the profile storage unit 60 .

プロファイル記憶部６０は、凹凸形状測定部３０で測定対象とされたダイシングラインＣiと関連付けた状態で実測プロファイルＳを記憶する。 The profile storage unit 60 stores the measured profile S in association with the dicing line C i to be measured by the uneven shape measurement unit 30 .

図５は、実測プロファイルＳの一例を示した図である。図５において、横軸はダイシングラインＣiに沿った長さ方向の位置を示し、縦軸は被加工物Ｗの表面位置（Ｚ方向位置）を示している。なお、図５では、被加工物Ｗの表面上の任意の位置は基準位置としたときの相対的な高さ位置（変位）を示している。後述する他の図においても同様である。 FIG. 5 is a diagram showing an example of the measured profile S. As shown in FIG. In FIG. 5, the horizontal axis indicates the position in the length direction along the dicing line Ci , and the vertical axis indicates the surface position (Z-direction position) of the workpiece W. As shown in FIG. In addition, in FIG. 5, a relative height position (displacement) is shown when an arbitrary position on the surface of the workpiece W is set as a reference position. The same applies to other figures to be described later.

図５に示した実測プロファイルＳでは、第１の領域Ｍ１において局所的な凹凸の変化が生じている。すなわち、第１の領域Ｍ１は第２の領域Ｍ２に比べてウェーハ厚みのばらつきが大きい。そのため、このような実測プロファイルＳに基づいてアクチュエータ２５を制御しようとすると、局所的な凹凸の変化によって、例えば図６に示すように加工用レーザー光Ｌ１の焦点位置が被加工物Ｗの厚み方向（Ｚ方向）に大きく乱れてしまう。 In the measured profile S shown in FIG. 5, local unevenness changes occur in the first region M1. That is, the first region M1 has a larger variation in wafer thickness than the second region M2. Therefore, if an attempt is made to control the actuator 25 based on such a measured profile S, the focal position of the processing laser beam L1 may shift in the thickness direction of the workpiece W as shown in FIG. (Z direction) is greatly disturbed.

すなわち、実測プロファイルＳに局所的な凹凸の変化が大きい部分が含まれている場合、その実測プロファイルＳに基づいた制御がＡＦ制御部５６により行われると、加工用レーザー光Ｌ１の焦点位置が被加工物Ｗの表面の凹凸形状の変化に十分に追従できなくなり、加工用レーザー光Ｌ１の焦点位置と目標値とのずれ量(フォーカスずれ量)が大きくなり、加工精度や加工品質に影響を及ぼす要因となる。 That is, when the measured profile S includes a portion with a large local unevenness change, when the AF control unit 56 performs control based on the measured profile S, the focal position of the processing laser beam L1 is shifted to the object. Changes in the uneven shape of the surface of the workpiece W cannot be sufficiently followed, and the deviation amount (focus deviation amount) between the focal position of the processing laser beam L1 and the target value becomes large, affecting the processing accuracy and processing quality. be a factor.

その一方で、複数のダイシングラインＣ1～Ｃnに沿って改質領域Ｐを形成する場合にダイシングライン毎に毎回、実測プロファイルＳの計測を事前に行ってから加工すれば上記のような問題を防ぐことができるが、スループットが低下してしまう要因となる。 On the other hand, when forming the modified region P along a plurality of dicing lines C 1 to C n , if the measured profile S is measured in advance for each dicing line before processing, the above problems will occur. can be prevented, but it is a factor that lowers the throughput.

一般に円形ウェーハや矩形ウェーハなどの被加工物Ｗは、その形状や厚みが中心を挟んでほぼ対称形状である。また、そのような被加工物Ｗの厚みは面方向に滑らかに変化する。このため、ダイシングラインＣiの実測プロファイルＳと、ダイシングラインＣiに隣接したダイシングラインＣi-1の実測プロファイルＳとは類似性をもっている。 In general, workpieces W such as circular wafers and rectangular wafers are substantially symmetrical in shape and thickness across the center. Moreover, the thickness of such a workpiece W changes smoothly in the surface direction. Therefore, the measured profile S of the dicing line C i and the measured profile S of the dicing line C i −1 adjacent to the dicing line C i have similarity.

そこで本実施形態では、このような実測プロファイルＳの類似性を利用して、参照プロファイル算出部６２は、改質領域Ｐの形成が行われる対象ライン（ダイシングラインＣi）に隣接したダイシングラインＣi-1の実測プロファイルＳを元にして、図５に示すような参照プロファイルＴ１を算出する。参照プロファイルＴ１は、ダイシングラインＣi-1の実測プロファイルＳの第１の領域Ｍ１に対応した部分を直線近似又は曲線近似する近似処理を行うことで求めることができる。近似処理は、本発明の「平滑化処理」の一例である。 Therefore, in the present embodiment, by using such similarity of the measured profiles S, the reference profile calculator 62 calculates the dicing line C Based on the measured profile S of i-1 , a reference profile T1 as shown in FIG. 5 is calculated. The reference profile T1 can be obtained by approximating a portion corresponding to the first region M1 of the measured profile S of the dicing line C i-1 by linear approximation or curve approximation. The approximation process is an example of the "smoothing process" of the present invention.

さらに参照プロファイル算出部６２は、上記のようにして求めた参照プロファイルＴ１の傾き（絶対値）を修正する処理（傾き修正処理）を行う。具体的には、参照プロファイルＴ１において、被加工物Ｗの表面位置の変化量（表面変位量）ΔＺ（絶対値）と予め設定した閾値Ｒとを比較し、表面変位量ΔＺが閾値Ｒを超える場合には、表面変位量ΔＺが閾値Ｒよりも小さくなるように参照プロファイルＴ１を修正する。なお、傾き修正処理後の参照プロファイルを符号Ｔ２で示す。参照プロファイル算出部６２は、傾き修正処理後の参照プロファイルＴ２（Ｔ）をＡＦ制御部５６に対して出力する。 Further, the reference profile calculator 62 performs processing (tilt correction processing) for correcting the tilt (absolute value) of the reference profile T1 obtained as described above. Specifically, in the reference profile T1, the change amount (surface displacement amount) ΔZ (absolute value) of the surface position of the workpiece W is compared with a preset threshold value R, and the surface displacement amount ΔZ exceeds the threshold value R. In this case, the reference profile T1 is corrected so that the surface displacement amount ΔZ becomes smaller than the threshold R. Reference profile T2 indicates the reference profile after tilt correction processing. The reference profile calculator 62 outputs the reference profile T2(T) after the inclination correction process to the AF controller 56 .

ＡＦ制御部５６には、プロファイル取得部５８で取得された実測プロファイルＳが入力されるとともに、参照プロファイル算出部６２で算出された参照プロファイルＴ（傾き修正処理後の参照プロファイルＴ２）が入力される。 The AF control unit 56 receives the measured profile S acquired by the profile acquisition unit 58 and the reference profile T calculated by the reference profile calculation unit 62 (the reference profile T2 after tilt correction processing). .

ＡＦ制御部５６は、対象ラインであるダイシングラインＣiに沿った被加工物Ｗの表面位置を凹凸形状測定部３０で測定しながら、その測定結果に基づいてアクチュエータ２５を制御する際、第１の領域Ｍ１では、対象ラインの実測プロファイルＳ（第１のプロファイル）ではなく、対象ラインに近接した参照ライン（対象ラインよりも先に実測プロファイルＳが取得されたライン）であるダイシングラインＣi-1の実測プロファイルＳ（第２のプロファイル）を元に算出された参照プロファイルＴに従って制御を行う。 The AF control unit 56 controls the actuator 25 based on the measurement result while measuring the surface position of the workpiece W along the dicing line Ci , which is the target line, by the uneven shape measurement unit 30. In the area M1 of , the dicing line Ci- Control is performed according to the reference profile T calculated based on the measured profile S (second profile) of 1 .

参照プロファイル算出部６２で算出された参照プロファイルＴには、被加工物Ｗの表面の凹凸が局所的に発生する部分が存在せず、しかも第１の領域Ｍ１全体における傾きが緩やかなものとなっている。したがって、第１の領域Ｍ１において、参照プロファイルＴに基づいた制御を行うことにより、加工用レーザー光Ｌ１の焦点位置と目標値とが大きくずれることがなく、これらの差であるフォーカスずれ量を低減することが可能となる。 In the reference profile T calculated by the reference profile calculator 62, there is no portion where the surface of the workpiece W is locally uneven, and the slope of the entire first region M1 is gentle. ing. Therefore, in the first region M1, by performing control based on the reference profile T, the focal position of the processing laser beam L1 and the target value do not deviate greatly, and the defocus amount, which is the difference between them, is reduced. It becomes possible to

また、ＡＦ制御部５６は、第２の領域Ｍ２では、プロファイル取得部５８で取得された実測プロファイルＳ（第１のプロファイル）に従って制御を行う。第２の領域Ｍ２では、第１の領域Ｍ１に比べて被加工物Ｗの厚みばらつきが少ないため、被加工物Ｗの表面の凹凸形状に追従しながら加工用レーザー光Ｌ１の焦点位置を安定して制御することが可能となる。これにより、被加工物Ｗの内部に改質領域Ｐを精度よく安定して形成することが可能となる。 Further, the AF control unit 56 performs control in accordance with the measured profile S (first profile) obtained by the profile obtaining unit 58 in the second region M2. In the second region M2, since the variation in the thickness of the workpiece W is smaller than that in the first region M1, the focal position of the processing laser beam L1 can be stabilized while following the uneven shape of the surface of the workpiece W. can be controlled by As a result, the modified region P can be stably formed inside the workpiece W with high accuracy.

なお、ｉ＝１の場合、すなわち、最初のダイシングラインＣ1が対象ラインとなる場合には、プロファイル記憶部６０の中に参照ラインの実測プロファイルが存在しない。そのため、このような場合には、最初のダイシングラインＣ1に沿って改質領域Ｐを形成する前に、ダイシングラインＣ1の実測プロファイルＳを事前に取得しておき、その実測プロファイルＳに基づいて参照プロファイルＴを算出すればよい。 When i=1, that is, when the first dicing line C1 is the target line, the profile storage unit 60 does not have the measured profile of the reference line. Therefore, in such a case, before forming the modified region P along the first dicing line C 1 , the measured profile S of the dicing line C 1 is obtained in advance, and based on the measured profile S , the reference profile T can be calculated.

また、本実施形態では、被加工物Ｗに設定された複数のダイシングラインＣ1～Ｃnを１ラインずつ順に、各ダイシングラインＣi（ｉ＝１，２・・・ｎ）に沿って改質領域Ｐを形成する場合について説明したが、対象ラインであるダイシングラインＣiと参照ラインであるダイシングラインＣi-1とが空間的に離れており、これらの実測プロファイルの類似性を担保できない程度にライン同士が離間している場合には、最初のダイシングラインＣ1の場合と同様に、ダイシングラインＣiの実測プロファイルＳを事前に取得してから、その実測プロファイルＳに基づいて参照プロファイルＴを算出すればよい。 Further, in this embodiment, a plurality of dicing lines C 1 to C n set on the workpiece W are sequentially corrected line by line along each dicing line C i (i=1, 2 . . . n). Although the case of forming the quality area P has been described, the dicing line C i as the target line and the dicing line C i -1 as the reference line are spatially separated, and the similarity of the measured profiles cannot be ensured. If the lines are spaced apart from each other by a certain amount, as in the case of the first dicing line C 1 , after obtaining the measured profile S of the dicing line C i in advance, based on the measured profile S, the reference profile T can be calculated.

また、参照プロファイル算出部６２における参照プロファイルＴ１の傾き修正処理の方法として、図５に示した方法に代えて、図７に示す参照プロファイルＴ２のように、参照プロファイルＴ１の高さを変えることなく、ダイシングラインＣiに沿った長さ方向に拡大する方法も考えられる。ただし、例えば図８に示すように、実測プロファイルＳにおける第１の領域Ｍ１において急激に変化する部分が含まれる場合には、実測プロファイルＳと参照プロファイルＴ２との乖離が大きくなる。そのため、このような場合においては、図９に示す参照プロファイルＴ２のように修正することで、参照プロファイルＴ２における被加工物Ｗのエッジ部の位置Ｈが変わるので実測プロファイルＳからの乖離を緩和することができる。 As a method of correcting the inclination of the reference profile T1 in the reference profile calculation unit 62, instead of the method shown in FIG. , a method of enlarging in the length direction along the dicing line C i is also conceivable. However, for example, as shown in FIG. 8, when the first region M1 of the measured profile S includes a portion that changes abruptly, the deviation between the measured profile S and the reference profile T2 becomes large. Therefore, in such a case, by correcting the reference profile T2 shown in FIG. 9, the position H of the edge portion of the workpiece W in the reference profile T2 changes, so that the divergence from the measured profile S is alleviated. be able to.

また、本実施形態では、ＡＦ制御部５６は、第１の領域Ｍ１では参照プロファイルＴに基づいた制御を行い、第２の領域Ｍ２では実測プロファイルＳに基づいた制御を行っているが、これらの制御の切替位置（第１の領域Ｍ１と第２の領域Ｍ２との境界部）において各プロファイルの被加工物Ｗの表面位置の差が大きいと、加工用レーザー光Ｌ１の焦点位置が大きく乱れてしまい、制御が不安定となる場合がある。これを防ぐために、参照プロファイル算出部６２は、図１０に示すように、実測プロファイルＳと参照プロファイルＴとの差が徐々に小さくなるように、参照プロファイルを修正する段差処理を行うことが好ましい（図１０の破線円で囲んだ部分を参照）。具体的には、制御ゲインを下げたり、一度に制御する距離を制御したり、移動速度を制限したり、移動平均した差を制御目標にしたりする方法などがある。これにより、参照プロファイルＴに基づいた制御から実測プロファイルＳに基づいた制御に切り替える場合でも、加工用レーザー光Ｌ１の焦点位置が大きく乱れることなく、安定した制御を実現することが可能となる。 Further, in the present embodiment, the AF control unit 56 performs control based on the reference profile T in the first area M1 and performs control based on the measured profile S in the second area M2. If there is a large difference in the surface position of the workpiece W for each profile at the control switching position (the boundary between the first region M1 and the second region M2), the focal position of the processing laser beam L1 is greatly disturbed. Otherwise, the control may become unstable. In order to prevent this, the reference profile calculation unit 62 preferably performs step processing to correct the reference profile so that the difference between the measured profile S and the reference profile T gradually decreases, as shown in FIG. See the portion surrounded by the dashed circle in FIG. 10). Specifically, there are methods such as lowering the control gain, controlling the distance to be controlled at one time, limiting the moving speed, and setting the moving average difference as the control target. As a result, even when switching from control based on the reference profile T to control based on the measured profile S, stable control can be achieved without greatly disturbing the focal position of the processing laser beam L1.

以上説明したように本実施形態によれば、被加工物Ｗの表面位置を凹凸形状測定部３０で測定しながら、その測定結果に基づいてアクチュエータ２５を制御する際、第１の領域Ｍ１（被加工物Ｗのエッジ部近傍領域）では参照プロファイル算出部６２で算出された参照プロファイルＴに基づいた制御が行われ、第２の領域Ｍ２（被加工物Ｗのエッジ部近傍領域よりも内側の領域）ではプロファイル取得部５８で取得された実測プロファイルＳに基づいた制御が行われる。これにより、加工用レーザー光Ｌ１の焦点位置（すなわち、改質領域形成位置）を被加工物Ｗの表面の凹凸形状に追従しながら安定して制御することができるので、被加工物Ｗの内部の所望の位置に改質領域Ｐを精度よく安定して形成することが可能となる。 As described above, according to the present embodiment, when the surface position of the workpiece W is measured by the uneven shape measuring unit 30 and the actuator 25 is controlled based on the measurement result, the first area M1 (the workpiece In the area near the edge of the workpiece W), control based on the reference profile T calculated by the reference profile calculator 62 is performed. ), control based on the measured profile S acquired by the profile acquisition unit 58 is performed. As a result, the focal position of the processing laser beam L1 (that is, the modified region forming position) can be stably controlled while following the uneven shape of the surface of the workpiece W. It becomes possible to stably form the modified region P at a desired position of .

特に本実施形態では、対象ラインの実測プロファイルＳの中に被加工物Ｗの表面の凹凸形状への追従性能（オートフォーカスの追従性能）に影響を与えるような凹凸や段差が含まれる場合でも、参照プロファイル算出部６２において、その凹凸や段差による影響がなくなるように参照プロファイルＴが算出されるので、加工用レーザー光Ｌ１の焦点位置が大きく乱れることなく、安定した制御を実現することが可能となる。 In particular, in the present embodiment, even if the measured profile S of the target line includes irregularities or steps that affect the followability (autofocus followability) of the irregular shape on the surface of the workpiece W, In the reference profile calculation unit 62, the reference profile T is calculated so as to eliminate the influence of the unevenness and level difference, so that the focal position of the processing laser beam L1 is not greatly disturbed, and stable control can be realized. Become.

なお、本実施形態では、上記のような凹凸や段差が含まれる場合だけでなく、被加工物Ｗの表面のラフネス（粗さ）や、被加工物Ｗの表面に形成された、検出用レーザー光Ｌ２の反射に影響を及ぼす膜（光学的特性をもった膜）などによるノイズ成分により、対象ラインの実測プロファイルＳの中に被加工物Ｗの表面の凹凸形状への追従性能に影響を与えるようなプロファイル変化が発生した場合（参照プロファイルＴの傾きが大きくなる場合）でも、参照プロファイル算出部６２において、それらの影響がなくなるように参照プロファイルＴを算出することが可能となる。したがって、加工用レーザー光Ｌ１の焦点位置が大きく乱れることなく、安定した制御を実現することが可能となる。 In addition, in this embodiment, not only the case where unevenness and steps as described above are included, but also the roughness (roughness) of the surface of the workpiece W and the detection laser formed on the surface of the workpiece W Due to the noise component of the film (film with optical properties) that affects the reflection of the light L2, the tracking performance to the uneven shape of the surface of the workpiece W in the measured profile S of the target line is affected. Even when such a profile change occurs (when the slope of the reference profile T increases), the reference profile calculator 62 can calculate the reference profile T so as to eliminate the influence thereof. Therefore, stable control can be realized without greatly disturbing the focal position of the processing laser beam L1.

また、本実施形態によれば、参照プロファイルＴは、対象ラインに近接した参照ラインの実測プロファイルＳを元に算出しているので、ダイシングライン毎に毎回プロファイル計測を事前に行ってから加工する必要がなく、スループットの低下を効果的に抑えることができる。 In addition, according to the present embodiment, the reference profile T is calculated based on the measured profile S of the reference line adjacent to the target line. It is possible to effectively suppress the decrease in throughput.

なお、本実施形態では、対象ラインと参照ラインとが空間的に隣接している場合について説明したが、これに限らず、少なくとも空間的に近接したものであればよい。すなわち、対象ラインと参照ラインとの間に他のラインが存在していてもよい。また、対象ラインと参照ラインとは、少なくとも時間的に前後して形成されたものであればよく、必ずしも連続して形成されたものでなくてもよい。 In this embodiment, the case where the target line and the reference line are spatially adjacent to each other has been described. That is, another line may exist between the target line and the reference line. Also, the target line and the reference line need only be formed at least temporally one behind the other, and need not necessarily be formed continuously.

また、本実施形態では、参照プロファイル算出部６２は、１つの参照ラインの実測プロファイルＳに基づいて参照プロファイルＴを算出しているが、これに限らず、対象ラインに近接した複数の参照ラインの実測プロファイルＳに基づいて参照プロファイルＴを算出するようにしてもよい。 In the present embodiment, the reference profile calculator 62 calculates the reference profile T based on the measured profile S of one reference line. The reference profile T may be calculated based on the measured profile S.

また、本実施形態では、参照プロファイル算出部６２は、参照ラインの実測プロファイルＳに対して近似処理を行った後に、さらに傾き修正処理を行っているが、傾き修正処理は必ずしも必須なものではなく、近似処理のみを行うものであってもよい。この場合、参照プロファイル算出部６２は、参照プロファイルＴ１をＡＦ制御部５６に対して出力する。 Further, in the present embodiment, the reference profile calculator 62 further performs tilt correction processing after performing approximation processing on the actually measured profile S of the reference line, but the tilt correction processing is not necessarily essential. , only approximation processing may be performed. In this case, the reference profile calculator 62 outputs the reference profile T1 to the AF controller 56 .

また、本実施形態では、被加工物Ｗの表面（レーザー光照射面）で反射した検出用レーザー光Ｌ２の反射光を利用して被加工物Ｗの表面の凹凸形状を示すプロファイルを取得しながら、当該プロファイルに基づいて加工用レーザー光Ｌ１の焦点位置を制御する態様となっているが、これに限らず、被加工物Ｗの裏面（レーザー光照射面とは反対側の面）で反射した検出用レーザー光Ｌ２の反射光を利用して被加工物Ｗの裏面の凹凸形状を示すプロファイルを取得しながら、当該プロファイルに基づいて加工用レーザー光Ｌ１の焦点位置を制御する態様であってもよい。 Further, in the present embodiment, the reflected light of the detection laser beam L2 reflected by the surface of the workpiece W (laser beam irradiation surface) is used to obtain the profile indicating the uneven shape of the surface of the workpiece W. , the focal position of the processing laser beam L1 is controlled based on the profile, but not limited to this, the laser beam reflected by the back surface of the workpiece W (the surface opposite to the laser beam irradiation surface) Even in a mode in which the reflected light of the detection laser light L2 is used to obtain a profile indicating the uneven shape of the back surface of the workpiece W, and the focal position of the processing laser light L1 is controlled based on the profile. good.

（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。以下、第１の実施形態と共通する部分については説明を省略し、異なる部分を中心に説明する。 (Second embodiment)
Next, a second embodiment of the invention will be described. In the following, the description of the parts common to the first embodiment will be omitted, and the different parts will be mainly described.

図１１は、第２の実施形態における被加工物Ｗの平面図である。図１１に示すように、被加工物Ｗの表面には同心円状の凹み４０が存在する場合がある。 FIG. 11 is a plan view of the workpiece W in the second embodiment. As shown in FIG. 11, the surface of the workpiece W may have concentric recesses 40 .

図１２は、図１１に示した被加工物Ｗにおける実測プロファイルＳの一例を示した図である。図１２では、対象ラインであるダイシングラインＣiの実測プロファイルＳを実線で示し、参照ラインであるダイシングラインＣi-1の実測プロファイルＳを破線で示している。 FIG. 12 is a diagram showing an example of the measured profile S of the workpiece W shown in FIG. 11. As shown in FIG. In FIG. 12, the solid line indicates the measured profile S of the dicing line C i which is the target line, and the broken line indicates the measured profile S of the dicing line C i-1 which is the reference line.

図１２に示すように、ダイシングラインＣiの実測プロファイルＳとダイシングラインＣi-1の実測プロファイルＳとは類似性をもっており、いずれの実測プロファイルＳにおいても同心円状の凹み４０が形成された領域は被加工物Ｗの表面の凹凸形状が急激に変化する部分となる。このような同心円状の凹み４０が形成された領域では、第１の実施形態におけるエッジ部近傍領域と同様に、加工用レーザー光Ｌ１の焦点位置を被加工物Ｗの表面の凹凸形状に十分に追従させることができず、加工用レーザー光Ｌ１の焦点位置が目標値からオーバーシュートしてしまい、目標値からのずれ量（フォーカスずれ量）が大きくなり、加工精度や加工品質を低下させる要因となる。 As shown in FIG. 12, the measured profile S of the dicing line C i and the measured profile S of the dicing line C i-1 have similarity, and in both measured profiles S, the area where the concentric recesses 40 are formed is a portion where the uneven shape of the surface of the workpiece W changes abruptly. In the region where such concentric recesses 40 are formed, the focal position of the processing laser beam L1 is sufficiently aligned with the uneven shape of the surface of the workpiece W, as in the region near the edge portion in the first embodiment. Since the focal position of the processing laser beam L1 cannot be tracked, the focal position of the processing laser beam L1 overshoots the target value, and the amount of deviation from the target value (the amount of focus deviation) increases, which is a factor that lowers the processing accuracy and processing quality. Become.

そこで第２の実施形態では、被加工物Ｗに同心円状の凹み４０が存在する場合には、領域設定部５７は、被加工物Ｗの表面において同心円状の凹み４０が存在する領域を第１の領域Ｍ１として設定し、それ以外の領域を第２の領域Ｍ２として設定する。なお、図示しない操作部により、ユーザーが事前に同心円状の凹み４０が発生する可能性のある領域を位置と幅とで指定しておき、領域設定部５７は、その指定された情報に従って第１の領域Ｍ１及び第２の領域Ｍ２を設定してもよい。 Therefore, in the second embodiment, when the concentric recesses 40 exist in the workpiece W, the region setting unit 57 sets the region in which the concentric recesses 40 exist on the surface of the workpiece W to the first area M1, and the other area is set as a second area M2. Note that the user designates in advance a position and width of an area in which the concentric dent 40 may occur using an operation unit (not shown), and the area setting unit 57 sets the first You may set the area|region M1 and 2nd area|region M2.

参照プロファイル算出部６２は、参照ラインであるダイシングラインＣi-1の実測プロファイルＳを平滑化処理することで参照プロファイルＴを求める。具体的には、ダイシングラインＣi-1の実測プロファイルＳの第１の領域Ｍ１内で凹み４０の幅と両側の土手の位置と高さとを検出し、その検出結果を利用して参照プロファイルＴを求める。例えば、参照プロファイルＴは凹み４０の両側の土手を接続して得られる直線又は曲線である。 The reference profile calculator 62 obtains the reference profile T by smoothing the measured profile S of the dicing line C i-1 which is the reference line. Specifically, the width of the recess 40 and the positions and heights of the banks on both sides are detected in the first region M1 of the measured profile S of the dicing line C i-1 , and the reference profile T Ask for For example, the reference profile T is a straight line or curve obtained by connecting the banks on both sides of the recess 40 .

ＡＦ制御部５６は、第１の実施形態と同様に、第１の領域Ｍ１では参照プロファイル算出部６２で算出された参照プロファイルＴに基づいた制御を行い、第２の領域ではプロファイル取得部５８で取得された実測プロファイルＳに基づいた制御を行う。 As in the first embodiment, the AF control unit 56 performs control based on the reference profile T calculated by the reference profile calculation unit 62 in the first region M1, and the profile acquisition unit 58 performs control in the second region M1. Control based on the obtained measured profile S is performed.

したがって、本実施形態によれば、被加工物Ｗの表面に同心円状の凹み４０が存在する場合でも、その影響を受けることなく、加工用レーザー光Ｌ１の焦点位置を被加工物Ｗの表面の凹凸形状に追従しながら安定して制御することができるので、被加工物Ｗの内部の所望の位置に改質領域Ｐを精度よく安定して形成することが可能となる。 Therefore, according to the present embodiment, even if the concentric recesses 40 exist on the surface of the workpiece W, the focal position of the processing laser beam L1 can be adjusted to the surface of the workpiece W without being affected by the recesses. Since it is possible to perform stable control while following the uneven shape, it is possible to stably form the modified region P at a desired position inside the workpiece W with high accuracy.

なお、本実施形態では、被加工物Ｗの表面には同心円状の凹み４０が存在する場合を一例に説明したが、被加工物Ｗの端部に直線状の構造物が存在する場合や、凹み（窪み）ではなく突起状の構造物が存在する場合においても、本発明を同様に適用することが可能である。 In this embodiment, the case where the concentric recesses 40 are present on the surface of the workpiece W has been described as an example, but when a linear structure is present at the end of the workpiece W, The present invention can be similarly applied even when there is a projecting structure instead of a depression (dent).

なお、本実施形態は、上述した第１の実施形態と組み合わせもよい。すなわち、領域設定部５７は、被加工物Ｗの表面において同心円状の凹み４０が存在する領域と、被加工物Ｗのエッジ部近傍領域とを第１の領域Ｍ１として設定し、それ以外の領域を第２の領域Ｍ２として設定してもよい。 This embodiment may be combined with the first embodiment described above. That is, the region setting unit 57 sets the region where the concentric recesses 40 exist on the surface of the workpiece W and the region near the edge of the workpiece W as the first region M1, and the other regions. may be set as the second region M2.

本発明の一例について詳細に説明したが、本発明は、これに限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行ってもよいのはもちろんである。 Although an example of the present invention has been described in detail, the present invention is not limited to this, and it goes without saying that various improvements and modifications may be made without departing from the gist of the present invention.

１０…レーザー加工装置、１２…ステージ、２０…光学系装置、２１…レーザー光源、２３…ダイクロイックミラー、２４…集光レンズ、２５…アクチュエータ、３０…凹凸形状測定部、４０…凹み、５０…制御装置、５２…主制御部、５４…演算処理部、５６…ＡＦ制御部、５７…領域設定部、５８…プロファイル取得部、６０…プロファイル記憶部、６２…参照プロファイル算出部、Ｌ１…加工用レーザー光、Ｌ２…検出用レーザー光、Ｍ１…第１の領域、Ｍ２…第２の領域、Ｓ…実測プロファイル、Ｔ…参照プロファイル DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... Laser processing apparatus, 12... Stage, 20... Optical system apparatus, 21... Laser light source, 23... Dichroic mirror, 24... Condensing lens, 25... Actuator, 30... Concavo-convex shape measuring part, 40... Concave, 50... Control Apparatus 52 Main control unit 54 Arithmetic processing unit 56 AF control unit 57 Area setting unit 58 Profile acquisition unit 60 Profile storage unit 62 Reference profile calculation unit L1 Processing laser Light, L2... Laser light for detection, M1... First area, M2... Second area, S... Actual measurement profile, T... Reference profile

Claims (8)

被加工物の内部に集光点を合わせてレーザー光を照射することにより、前記被加工物の分割予定ラインに沿って前記被加工物の内部に改質領域を形成するレーザー加工装置であって、
前記被加工物を第１の領域と第２の領域とに分ける領域設定部と、
前記被加工物における複数の分割予定ラインの実プロファイルのうち、対象ラインの前記被加工物の主面の第１のプロファイルと、前記対象ラインに近接した参照ラインの前記被加工物の主面の第２のプロファイルとを取得するプロファイル取得部と、
前記第２のプロファイルを平滑化処理した参照プロファイルを算出する参照プロファイル算出部と、
前記対象ラインに沿って前記改質領域を形成する際、前記第１の領域では前記参照プロファイルに基づいて改質領域形成位置を制御し、前記第２の領域では前記第１のプロファイルに基づいて改質領域形成位置を制御するＡＦ制御部と、
を備え、
前記ＡＦ制御部が前記実プロファイルに基づいて改質領域形成位置を制御したと仮定した場合に当該制御に影響を与えるような領域を前記第１の領域とし、前記第１の領域以外の領域を前記第２の領域とする、
レーザー加工装置。 A laser processing apparatus for forming a modified region inside the work piece along a planned division line of the work piece by irradiating laser light with a focal point aligned with the inside of the work piece, ,
a region setting unit that divides the workpiece into a first region and a second region;
Among the actual profiles of the plurality of lines to be divided on the workpiece, a first profile of the main surface of the workpiece of the target line and a profile of the main surface of the workpiece of the reference line close to the target line a profile acquisition unit that acquires a second profile;
a reference profile calculator that calculates a reference profile obtained by smoothing the second profile;
When forming the modified region along the target line, the modified region forming position is controlled based on the reference profile in the first region, and based on the first profile in the second region an AF control unit that controls the modified region formation position;
with
Assuming that the AF control unit controls the modified region formation position based on the actual profile, the region that affects the control is the first region, and the region other than the first region is as the second region;
Laser processing equipment. 前記第１の領域は前記被加工物に形成された凹みが存在する領域である、
請求項１に記載のレーザー加工装置。 wherein the first region is a region in which there is a recess formed in the workpiece;
The laser processing apparatus according to claim 1. 前記第１の領域は前記被加工物に形成された構造物が存在する領域である、
請求項１又は２に記載のレーザー加工装置。 The first region is a region where a structure formed on the workpiece exists ,
The laser processing apparatus according to claim 1 or 2. 前記第１の領域は前記被加工物の表面の粗さによるノイズ成分が存在する領域である、
請求項１から３のいずれか１項に記載のレーザー加工装置。 The first region is a region in which a noise component is present due to surface roughness of the workpiece,
The laser processing apparatus according to any one of claims 1 to 3. 前記第１の領域は前記被加工物の表面に形成された膜によるノイズ成分が存在する領域である、
請求項１から４のいずれか１項に記載のレーザー加工装置。 The first region is a region in which a noise component is present due to a film formed on the surface of the workpiece,
The laser processing apparatus according to any one of claims 1 to 4. 前記参照プロファイル算出部は、前記参照プロファイルの傾き（絶対値）が、前記参照プロファイルを基にした目標値と前記ＡＦ制御部により制御された前記レーザー光の焦点位置とが大きくずれないように予め設定された閾値よりも小さくなるように傾き修正処理を行う、
請求項１から５のいずれか１項に記載のレーザー加工装置。 The reference profile calculation unit is configured so that the inclination (absolute value) of the reference profile does not deviate greatly between a target value based on the reference profile and the focal position of the laser beam controlled by the AF control unit. Perform slope correction processing so that it becomes smaller than the set threshold,
The laser processing apparatus according to any one of claims 1 to 5. 前記参照プロファイル算出部は、前記第１の領域と前記第２の領域との境界部において、前記レーザー光の焦点位置が大きく乱れて制御が不安定となるのを防ぐために、前記参照プロファイルと前記第１のプロファイルとの間の段差が徐々に小さくなるように前記参照プロファイルを修正する段差処理を行う、
請求項１から６のいずれか１項に記載のレーザー加工装置。 In order to prevent the focal position of the laser light from being greatly disturbed at the boundary between the first region and the second region, the reference profile calculating unit may prevent the control from becoming unstable. performing step processing for correcting the reference profile so that the step between the first profile and the first profile is gradually reduced;
The laser processing apparatus according to any one of claims 1 to 6. 被加工物の内部に集光点を合わせてレーザー光を照射することにより、前記被加工物の分割予定ラインに沿って前記被加工物の内部に改質領域を形成するレーザー加工方法であって、
前記被加工物を第１の領域と第２の領域とに分ける領域設定工程と、
前記被加工物における複数の分割予定ラインの実プロファイルのうち、対象ラインの前記被加工物の主面の第１のプロファイルと、前記対象ラインに近接した参照ラインの前記被加工物の主面の第２のプロファイルとを取得するプロファイル取得工程と、
前記第２のプロファイルを平滑化処理した参照プロファイルを算出する参照プロファイル算出工程と、
前記対象ラインに沿って前記改質領域を形成する際、前記第１の領域では前記参照プロファイルに基づいて改質領域形成位置を制御し、前記第２の領域では前記第１のプロファイルに基づいて改質領域形成位置を制御するＡＦ制御工程と、
を備え、
前記ＡＦ制御工程において前記実プロファイルに基づいて改質領域形成位置を制御したと仮定した場合に当該制御に影響を与えるような領域を前記第１の領域とし、前記第１の領域以外の領域を前記第２の領域とする、
レーザー加工方法。 A laser processing method for forming a modified region inside the work piece along a planned division line of the work piece by irradiating the work piece with a laser beam with a focal point aligned with the inside of the work piece, ,
a region setting step of dividing the workpiece into a first region and a second region;
Among the actual profiles of the plurality of lines to be divided on the workpiece, a first profile of the main surface of the workpiece of the target line and a profile of the main surface of the workpiece of the reference line close to the target line a profile acquisition step of acquiring a second profile;
a reference profile calculating step of calculating a reference profile obtained by smoothing the second profile;
When forming the modified region along the target line, the modified region forming position is controlled based on the reference profile in the first region, and based on the first profile in the second region an AF control step of controlling the modified region formation position;
with
Assuming that the modified region formation position is controlled based on the actual profile in the AF control step, the region that affects the control is the first region, and the region other than the first region is as the second region;
Laser processing method.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202106428A (en) * 2019-07-18 2021-02-16 日商東京威力科創股份有限公司 Processing device and processing method
JP7368246B2 (en) * 2020-01-22 2023-10-24 浜松ホトニクス株式会社 Laser processing equipment and laser processing method
JP7405365B2 (en) * 2020-01-31 2023-12-26 国立大学法人東海国立大学機構 Laser processing method, semiconductor member manufacturing method, and laser processing device
JP7427189B2 (en) * 2020-01-31 2024-02-05 国立大学法人東海国立大学機構 Laser processing method, semiconductor member manufacturing method, and laser processing device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008016577A (en) 2006-07-05 2008-01-24 Disco Abrasive Syst Ltd Laser processing method for wafer
JP2010010209A (en) 2008-06-24 2010-01-14 Tokyo Seimitsu Co Ltd Laser dicing method
JP2013086188A (en) 2011-10-13 2013-05-13 Disco Corp Machining device

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4715119B2 (en) * 2004-07-21 2011-07-06 ソニー株式会社 Laser processing equipment
KR101485451B1 (en) * 2007-12-19 2015-01-23 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 Laser dicing apparatus and dicing method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008016577A (en) 2006-07-05 2008-01-24 Disco Abrasive Syst Ltd Laser processing method for wafer
JP2010010209A (en) 2008-06-24 2010-01-14 Tokyo Seimitsu Co Ltd Laser dicing method
JP2013086188A (en) 2011-10-13 2013-05-13 Disco Corp Machining device

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