JP7187762B2 - LASER PROCESSING APPARATUS AND LASER PROCESSING METHOD - Google Patents
LASER PROCESSING APPARATUS AND LASER PROCESSING METHOD Download PDFInfo
- Publication number
- JP7187762B2 JP7187762B2 JP2021110752A JP2021110752A JP7187762B2 JP 7187762 B2 JP7187762 B2 JP 7187762B2 JP 2021110752 A JP2021110752 A JP 2021110752A JP 2021110752 A JP2021110752 A JP 2021110752A JP 7187762 B2 JP7187762 B2 JP 7187762B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- profile
- workpiece
- laser processing
- reference profile
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Description
本発明は、被加工物の内部に集光点を合わせてレーザー光を照射することにより、被加工物の内部に切断の起点となる改質領域を形成するレーザー加工装置及びレーザー加工方法に関する。 The present invention relates to a laser processing apparatus and a laser processing method for forming a modified region that serves as a starting point for cutting inside a workpiece by irradiating laser light with a focal point aligned with the inside of the workpiece.
従来、表面に半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハを個々のチップに分割するには、細かな砥粒で形成された薄い砥石により、ウェーハに研削溝を入れてウェーハをカットするダイシング装置が用いられていた。 Conventionally, in order to divide a wafer with semiconductor devices and electronic components formed on the surface into individual chips, a thin whetstone formed with fine abrasive grains is used to make grinding grooves in the wafer and cut the wafer. was used.
ダイシング装置では、薄い砥石(以下、ダイシングブレードと称する)を高速回転させてウェーハを研削し、ウェーハを完全切断(フルカット)又は不完全切断(ハーフカット或いはセミフルカット)を行う。 A dicing machine grinds a wafer by rotating a thin grindstone (hereinafter referred to as a dicing blade) at high speed, and performs complete cutting (full cut) or incomplete cutting (half cut or semi-full cut) of the wafer.
しかし、このダイシングブレードによる研削加工の場合、ウェーハが高脆性材料であるため脆性モード加工となり、ウェーハの表面や裏面にチッピングが生じ、このチッピングが分割されたチップの性能を低下させる要因になっていた。特に裏面に生じたチッピングは、クラックが徐々に内部に進行するため大きな問題となっていた。 However, in the case of grinding with this dicing blade, since the wafer is made of a highly brittle material, it becomes brittle mode processing, and chipping occurs on the front and back surfaces of the wafer, and this chipping is a factor that reduces the performance of the divided chips. rice field. In particular, chipping that occurs on the back surface has been a serious problem because cracks gradually progress inside.
このような問題に対して、従来のダイシングブレードによる切断に替えて、ウェーハの内部に集光点を合わせてレーザー光を入射し、ウェーハ内部に改質領域を形成して個々のチップに分割する技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。このような技術では、ウェーハの内部に形成する改質領域をウェーハのレーザー光照射面から適切な深さに形成するため、オートフォーカス機構を用いてウェーハのレーザー光照射面の高さ位置(厚み方向位置)を検出してレーザー光の集光点の位置(焦点位置)を高精度に制御する必要がある。
To solve this problem, instead of cutting with a conventional dicing blade, laser light is incident on the inside of the wafer with a focal point aligned to form a modified region inside the wafer, dividing it into individual chips. Techniques have been proposed (see
特許文献1に開示された技術では、ウェーハ内部の所定深さに均一に改質領域(変質層)を形成するために、ウェーハのレーザー光照射面に検出用レーザー光(AF用レーザー光)を照射し、その反射光に基づいてウェーハのレーザー光照射面の高さ位置を検出し、ウェーハのレーザー光照射面の高さ位置に応じて加工用レーザー光の焦点位置を制御しながら加工を行っている。これにより、ウェーハのレーザー光照射面の変位に追従するように加工用レーザー光の集光位置を制御しながら、ウェーハの内部の所望の位置に改質領域を形成するリアルタイム加工を行うことが可能となる。
In the technique disclosed in
しかしながら、上述したような技術では、以下の理由により、ウェーハのエッジ部近傍領域ではウェーハの中央部(エッジ部近傍領域よりも内側の領域)と比べて加工精度が劣る傾向がある。 However, with the technique described above, there is a tendency for the processing accuracy to be inferior in the area near the edge of the wafer compared to the center of the wafer (the area inside the area near the edge) for the following reasons.
第1に、オートフォーカス機構を利用してウェーハのレーザー光照射面の変位に追従するように加工用レーザー光の集光位置を制御する場合には、ある程度の制御遅れが発生する。このため、ウェーハのエッジ部近傍領域でオートフォーカス機構が追従を開始した時点から加工用レーザー光の焦点位置が目標位置(ターゲット高さ)に合うまでに時間がかかる。 First, when the autofocus mechanism is used to control the focusing position of the processing laser beam so as to follow the displacement of the laser beam irradiation surface of the wafer, a certain amount of control delay occurs. For this reason, it takes time from the time when the autofocus mechanism starts tracking in the area near the edge of the wafer until the focal position of the processing laser light reaches the target position (target height).
第2に、ウェーハのエッジ部近傍領域はウェーハの中央部に比べてウェーハの厚みばらつきが大きい場合があり、フォーカスずれ量が大きくなる傾向がある。 Secondly, there is a case where the thickness variation of the wafer is larger in the region near the edge portion of the wafer than in the central portion of the wafer, and the amount of defocus tends to increase.
第3に、ウェーハの厚みばらつきや制御遅れが原因して、オートフォーカス機構による制御が発振状態になり、フォーカスずれ量が大きくなる場合がある。 Thirdly, due to variations in the thickness of the wafer and control delays, the control by the autofocus mechanism may enter an oscillating state and the amount of defocus may increase.
なお、このような問題は、ウェーハのエッジ部近傍領域だけでなく、例えば、ウェーハの中央部にレーザー光照射面の変位が急激に変化する部分が存在する場合(例えば、ウェーハの中央部に同心円状の凹み部分が存在する場合など)においても生じる可能性がある。 Such a problem occurs not only in the area near the edge of the wafer, but also, for example, when there is a portion in the center of the wafer where the displacement of the laser beam irradiation surface changes abruptly (for example, a concentric circle in the center of the wafer). (e.g., when there is a recessed portion of the shape).
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、被加工物の内部の所望の位置に改質領域を精度良く形成することができるレーザー加工装置及びレーザー加工方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a laser processing apparatus and a laser processing method capable of precisely forming a modified region at a desired position inside a workpiece. and
上記目的を達成するために、以下の発明を提供する。 In order to achieve the above objects, the following inventions are provided.
本発明の第1態様に係るレーザー加工装置は、被加工物の内部に集光点を合わせてレーザー光を照射することにより、被加工物の分割予定ラインに沿って被加工物の内部に改質領域を形成するレーザー加工装置であって、被加工物を第1の領域と第2の領域とに分ける領域設定部と、被加工物における複数の分割予定ラインのうち、対象ラインの被加工物の主面の凹凸形状を示す第1のプロファイルと、対象ラインに近接した参照ラインの被加工物の主面の凹凸形状を示す第2のプロファイルとを取得するプロファイル取得部と、第2のプロファイルを平滑化処理した参照プロファイルを算出する参照プロファイル算出部と、対象ラインに沿って改質領域を形成する際、第1の領域では参照プロファイルに基づいて改質領域形成位置を制御し、第2の領域では第1のプロファイルに基づいて改質領域形成位置を制御するAF制御部と、を備える。 The laser processing apparatus according to the first aspect of the present invention irradiates laser light with a focal point aligned with the interior of the workpiece, thereby modifying the interior of the workpiece along the planned division line of the workpiece. A laser processing apparatus for forming a textured region, comprising: a region setting unit for dividing a workpiece into a first region and a second region; a profile acquisition unit for acquiring a first profile representing the uneven shape of the main surface of the object and a second profile representing the uneven shape of the main surface of the workpiece on a reference line close to the target line; a reference profile calculation unit for calculating a reference profile obtained by smoothing the profile; The second area includes an AF control unit that controls the modified area formation position based on the first profile.
本発明の第2態様に係るレーザー加工装置は、第1態様において、対象ラインと参照ラインとは互いに隣接している。 In the laser processing apparatus according to the second aspect of the present invention, in the first aspect, the target line and the reference line are adjacent to each other.
本発明の第3態様に係るレーザー加工装置は、第1態様又は第2態様において、第1の領域は被加工物のエッジ部近傍領域であり、第2の領域はエッジ部近傍領域よりも内側の領域である。 In the laser processing apparatus according to the third aspect of the present invention, in the first aspect or the second aspect, the first region is a region near the edge of the workpiece, and the second region is inside the region near the edge is the area of
本発明の第4態様に係るレーザー加工装置は、第1態様から第3態様のいずれか1つの態様において、参照プロファイル算出部は、参照プロファイルの傾き(絶対値)が閾値よりも小さくなるように傾き修正処理を行う。 A laser processing apparatus according to a fourth aspect of the present invention is any one aspect of the first to third aspects, wherein the reference profile calculation unit adjusts the slope (absolute value) of the reference profile to be smaller than the threshold value. Perform tilt correction processing.
本発明の第5態様に係るレーザー加工方法は、第1態様から第4態様のいずれか1つの態様において、参照プロファイル算出部は、第1の領域と第2の領域との境界部において、参照プロファイルと第1のプロファイルとの間の段差が徐々に小さくなるように参照プロファイルを修正する段差処理を行う。 In the laser processing method according to the fifth aspect of the present invention, in any one aspect of the first to fourth aspects, the reference profile calculation unit includes, at the boundary between the first region and the second region, the reference Step difference processing is performed to correct the reference profile so that the step between the profile and the first profile is gradually reduced.
本発明の第6態様に係るレーザー加工方法は、被加工物の内部に集光点を合わせてレーザー光を照射することにより、被加工物の分割予定ラインに沿って被加工物の内部に改質領域を形成するレーザー加工方法であって、被加工物を第1の領域と第2の領域とに分ける領域設定工程と、被加工物における複数の分割予定ラインのうち、対象ラインの被加工物の主面の凹凸形状を示す第1のプロファイルと、対象ラインに近接した他のラインの被加工物の主面の凹凸形状を示す第2のプロファイルとを取得するプロファイル取得工程と、第2のプロファイルを平滑化処理した参照プロファイルを算出する参照プロファイル算出工程と、対象ラインに沿って改質領域を形成する際、第1の領域では参照プロファイルに基づいて改質領域形成位置を制御し、第2の領域では第1のプロファイルに基づいて改質領域形成位置を制御するAF制御工程と、を備える。 In the laser processing method according to the sixth aspect of the present invention, by irradiating laser light with a focal point aligned with the inside of the workpiece, the inside of the workpiece is modified along the planned division line of the workpiece. A laser processing method for forming a textured region, comprising: a region setting step of dividing a workpiece into a first region and a second region; a profile acquisition step of acquiring a first profile indicating the uneven shape of the main surface of the object and a second profile indicating the uneven shape of the main surface of the workpiece on another line close to the target line; a reference profile calculating step of calculating a reference profile obtained by smoothing the profile of; and an AF control step of controlling the modified region formation position in the second region based on the first profile.
本発明によれば、被加工物の内部の所望の位置に改質領域を精度良く形成することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, a modified region can be precisely formed in the desired position inside a to-be-processed object.
以下、添付図面に従って本発明の実施形態について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
(第1の実施形態)
まず、本発明の第1の実施形態について説明する。
(First embodiment)
First, a first embodiment of the present invention will be described.
図1は、第1の実施形態に係るレーザー加工装置10の概略を示した構成図である。図1に示すように、本実施形態のレーザー加工装置10は、被加工物Wを移動させるステージ12と、被加工物Wに加工用レーザー光L1を照射し、また加工用レーザー光L1の集光点の位置(加工深さ)を調節する光学系装置20と、レーザー加工装置10の各部を制御する制御装置50とを備える。
FIG. 1 is a configuration diagram showing an outline of a
なお、被加工物Wとしては、特に限定されるものではないが、例えば、シリコンウェーハ等の半導体基板、ガラス基板、圧電セラミック基板、ガラス基板などを適用することができる。 The workpiece W is not particularly limited, but for example, a semiconductor substrate such as a silicon wafer, a glass substrate, a piezoelectric ceramic substrate, a glass substrate, or the like can be applied.
ステージ12は、XYZθ方向に移動可能に構成され、被加工物Wを吸着保持する。被加工物Wは、その表面(レーザー光照射面)がデバイス面とは反対側の面となるようにステージ12上に載置される。なお、被加工物Wのデバイス面が被加工物Wの表面となるようにステージ12上に被加工物Wが載置されてもよい。
The
なお、図1に示す例では、XYZの3方向は互いに直交し、このうちX方向およびY方向は水平方向であり、Z方向は鉛直方向である。またθ方向は、鉛直方向軸(Z軸)を回転軸とする回転方向である。 In the example shown in FIG. 1, the three XYZ directions are orthogonal to each other, of which the X and Y directions are horizontal, and the Z direction is vertical. The θ direction is the direction of rotation about the vertical axis (Z axis).
光学系装置20は、被加工物Wに対向する位置に配置されており、被加工物Wの内部に改質領域を形成するための加工用レーザー光L1を被加工物Wに対して照射する。
The
光学系装置20は、レーザー光源21と、ダイクロイックミラー23と、集光レンズ24と、アクチュエータ25と、凹凸形状測定部30とを備える。
The
レーザー光源21は、被加工物Wの内部に改質領域を形成するための加工用レーザー光L1を出射する。
The
ダイクロイックミラー23は、加工用レーザー光L1を透過し、かつ後述する凹凸形状測定部30から出射される検出用レーザー光L2を反射する。なお、本実施形態においては、ダイクロイックミラー23によって、検出用レーザー光L2の光軸と加工用レーザー光L1の光軸とを同軸にして出射する構成となっている。
The
レーザー光源21から出射された加工用レーザー光L1は、ダイクロイックミラー23を通過した後、集光レンズ24により被加工物Wの内部に集光される。加工用レーザー光L1の集光点の位置(焦点位置)は、アクチュエータ25によって集光レンズ24をZ方向に微小移動させることにより調節される。
The processing laser beam L1 emitted from the
図2は、被加工物Wの内部の集光点近傍に形成される改質領域を説明する概念図である。図2(a)は、被加工物Wの内部に入射された加工用レーザー光L1が集光点に改質領域Pを形成した状態を示し、図2(b)は断続するパルス状の加工用レーザー光L1の下で被加工物Wが水平方向に移動され、不連続な改質領域P、P、…が並んで形成された状態を表している。図2(c)は、被加工物Wの内部に改質領域Pが多層に形成された状態を示している。 FIG. 2 is a conceptual diagram for explaining a modified region formed in the vicinity of the focal point inside the workpiece W. As shown in FIG. FIG. 2(a) shows a state in which the processing laser beam L1 incident inside the workpiece W forms the modified region P at the focal point, and FIG. 2(b) shows intermittent pulse-like processing. The work piece W is horizontally moved under the laser beam L1, and discontinuous modified regions P, P, . . . are formed side by side. FIG. 2(c) shows a state in which the modified region P is formed in multiple layers inside the workpiece W. As shown in FIG.
図2(a)に示すように、被加工物Wの表面から入射した加工用レーザー光L1の集光点が被加工物Wの厚み方向の内部に設定されていると、被加工物Wの表面を透過した加工用レーザー光L1は、被加工物Wの内部の集光点でエネルギーが集中し、被加工物Wの内部の集光点近傍に改質領域Pが形成される。図2(b)に示すように、断続するパルス状の加工用レーザー光L1を被加工物Wに照射して複数の改質領域P、P、…を分割予定ラインに沿って形成することで、被加工物Wは分子間力のバランスが崩れ、改質領域P、P、…を起点として自然に割断するか、或いは僅かな外力を加えることによって割断される。 As shown in FIG. 2(a), if the focal point of the processing laser beam L1 incident from the surface of the workpiece W is set inside the workpiece W in the thickness direction, the workpiece W The energy of the processing laser beam L1 transmitted through the surface is concentrated at a focal point inside the workpiece W, and a modified region P is formed in the vicinity of the focal point inside the workpiece W. As shown in FIG. 2(b), a plurality of modified regions P, P, . , the workpiece W loses the balance of the intermolecular forces, and is naturally split from the modified regions P, P, .
また、厚さの厚い被加工物Wの場合は、改質領域Pの層が1層では割断できないので、図2(c)に示すように、被加工物Wの厚み方向に加工用レーザー光L1の集光点を移動し、改質領域Pを多層に形成させて割断する。 In addition, in the case of a thick workpiece W, since only one layer of the modified region P cannot be cleaved, as shown in FIG. By moving the condensing point of L1, the modified region P is formed in multiple layers and cut.
なお、図2(b)、(c)に示した例では、断続するパルス状の加工用レーザー光L1で不連続な改質領域P、P、…を形成した状態を示したが、加工用レーザー光L1の連続波の下で連続的な改質領域Pを形成するようにしてもよい。不連続の改質領域Pを形成した場合は、連続した改質領域Pを形成した場合に比べて割断され難いので、被加工物Wの厚さや搬送中の安全等の状況によって、加工用レーザー光L1の連続波を用いるか、断続波を用いるかが適宜選択される。 In the examples shown in FIGS. 2(b) and 2(c), discontinuous modified regions P, P, . A continuous modified region P may be formed under the continuous wave of the laser light L1. When a discontinuous modified region P is formed, it is less likely to be broken than when a continuous modified region P is formed. Whether to use the continuous wave of the light L1 or to use the intermittent wave is appropriately selected.
凹凸形状測定部30は、分割予定ライン(以下、「ダイシングライン」という。)に沿って改質領域Pを形成する際にダイシングラインに沿った被加工物Wの表面(レーザー光照射面)の凹凸形状情報を示すプロファイル(以下、「実プロファイル」という。)を取得するために設けられている。なお、被加工物Wの表面は、本発明における「被加工物の主面」の一例である。
The uneven
凹凸形状測定部30は、検出用レーザー光L2を出射する検出用光源部(不図示)を備える。検出用レーザー光L2は、加工用レーザー光L1とは異なる波長であって被加工物Wの表面(レーザー光照射面)で反射可能な波長を有する。
The uneven
凹凸形状測定部30から出射された検出用レーザー光L2は、ダイクロイックミラー23で反射され、集光レンズ24により集光されて被加工物Wの表面に照射される。被加工物Wで反射された検出用レーザー光L2の反射光は、集光レンズ24を経由してダイクロイックミラー23で反射され、凹凸形状測定部30に設けられる光検出器(不図示)の受光面で受光される。そして、光検出器により受光した反射光の分布と光量が検出される。
The detection laser beam L2 emitted from the uneven
ここで、被加工物Wの表面で反射された検出用レーザー光L2の反射光の分布と光量は、集光レンズ24から被加工物Wまでの距離、すなわち、被加工物Wの表面の凹凸形状(表面変位)に応じて変化する。凹凸形状測定部30は、この性質を利用して、被加工物Wの表面で反射された検出用レーザー光L2の反射光の分布と光量の変化に基づいて被加工物Wの表面位置を求める。なお、凹凸形状測定部30における被加工物Wの表面位置の測定方法としては、例えば、非点収差方式、ナイフエッジ方式などを好ましく用いることができる。これらの方式については公知であるので、ここでは詳細な説明を省略する。
Here, the distribution and light quantity of the reflected light of the detection laser beam L2 reflected by the surface of the workpiece W are determined by the distance from the
上述のような凹凸形状測定部30による被加工物Wの表面位置の測定は、所定のダイシングライン上で連続的に行われる。これにより、ダイシングラインに沿って被加工物Wの内部に改質領域Pを形成する際に、凹凸形状測定部30の測定結果に基づいて加工用レーザー光L1の集光位置をリアルタイムで制御することが可能となる。
Measurement of the surface position of the workpiece W by the uneven
なお、本実施形態では、光学系装置20内に凹凸形状測定部30が設けられており、検出用レーザー光L2の光軸をダイクロイックミラー23により加工用レーザー光L1の光軸と同軸にして出射する構成となっているが、この構成に限らない。例えば、凹凸形状測定部30が光学系装置20とは独立して隣接した位置に設けられていてもよい。
In this embodiment, an uneven
図1に示す制御装置50は、レーザー加工装置10の各部の動作や加工に必要なデータの記憶等を行う。
A
制御装置50は、例えばパーソナルコンピュータやマイクロコンピュータなどの汎用のコンピュータによって実現されるものである。
The
制御装置50は、CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、及び入出力インターフェース等を備えている。制御装置50では、ROMに記憶されている制御プログラム等の各種プログラムがRAMに展開され、RAMに展開されたプログラムがCPUによって実行されることにより、図3に示した制御装置50内の各部の機能が実現され、入出力インターフェースを介して各種の演算処理や制御処理が実行される。
The
図3は、制御装置50の構成を示したブロック図である。なお、制御装置50は、ステージ制御部や光源制御部なども備えているが、これらは本発明と直接関係ないため図示を省略している。
FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of the
図3に示すように、制御装置50は、主制御部52、演算処理部54、AF制御部56、及び領域設定部57として機能する。
As shown in FIG. 3 , the
主制御部52は、レーザー加工装置10の各部を統括的に制御する機能部である。例えば、主制御部52は、被加工物Wの内部に改質領域Pを形成する際に、所定のダイシングラインに沿って被加工物Wに対して加工用レーザー光L1が走査されるように、ステージ12の移動制御を行う。また、主制御部52は、加工用レーザー光L1の出射制御を行い、例えば、加工用レーザー光L1の波長、パルス幅、強度、出射タイミング、繰り返し周波数などを制御する。
The
演算処理部54は、制御装置50の各種データに対して演算処理を行う機能部である。演算処理部54は、プロファイル取得部58と、プロファイル記憶部60と、参照プロファイル算出部62とを備えている。
The
プロファイル取得部58は、凹凸形状測定部30の測定結果に基づいて被加工物Wの表面の凹凸形状を示すプロファイルS(以下、「実測プロファイルS」という。)を取得する機能部である。
The
プロファイル記憶部60は、プロファイル取得部58で取得された実測プロファイルSを記憶する機能部である。
The
参照プロファイル算出部62は、プロファイル記憶部60に記憶された実測プロファイルSに基づいて後述の参照プロファイルTを算出する機能部である。
The reference
AF制御部56は、プロファイル取得部58で取得された実測プロファイルSと、参照プロファイル算出部62で算出された参照プロファイルTとに基づいて、被加工物Wの内部の所望の位置に改質領域Pが形成されるようにアクチュエータ25の駆動を制御する機能部である。
Based on the measured profile S acquired by the
領域設定部57は、AF制御部56で上述の制御が行われる際に、被加工物Wの表面を2つの領域、具体的には、参照プロファイルTが適用される領域(以下、「第1の領域M1」という。)と実測プロファイルSが適用される領域(以下、「第2の領域M2」という。)とに分ける機能部である。
When the above-described control is performed by the
次に、レーザー加工装置10を用いたレーザー加工方法について、図4を参照して説明する。図4は、被加工物Wに設定されたダイシングラインの一例を示した図である。ここでは、図4に示すように、被加工物Wに設定された複数のダイシングラインC1~Cnを1ラインずつ順に、各ダイシングラインCi(i=1,2・・・n)に沿って改質領域Pを形成する場合について説明する、なお、図4では、図面の簡略化を図るため、X方向に沿ったダイシングラインのみを図示したが、実際にはY方向に沿ったダイシングラインも設定されることはいうまでもない。
Next, a laser processing method using the
まず、初期設定として、領域設定部57は、制御装置50の記憶部(不図示)に記憶された領域設定条件に従って、被加工物Wの表面を第1の領域M1と第2の領域M2とに分ける。本実施形態では、図4に示すように、被加工物Wの表面は、プロファイル境界線F(一点鎖線で図示)を境として、プロファイル境界線Fよりも外側の領域(被加工物Wのエッジ部近傍領域)が第1の領域M1として設定され、プロファイル境界線Fよりも内側の領域(被加工物Wのエッジ部近傍領域よりも内側の領域)が第2の領域M2として設定される。領域設定部57で設定された領域設定情報は、演算処理部54及びAF制御部56に対して出力される。なお、領域設定部57は、図示しない操作部によりユーザーが指定した領域設定条件に従って、第1の領域M1及び第2の領域M2と設定できるようにしてもよい。
First, as an initial setting, the
次に、集光レンズ24と被加工物Wとの相対的な位置合わせ(アライメント)が行われた後、ダイシングラインCiに沿って被加工物Wの表面位置を凹凸形状測定部30により測定しながら、その測定結果に基づいてアクチュエータ25の制御がAF制御部56により行われる。これにより、集光レンズ24から被加工物Wまでの距離が適切な距離となるように集光レンズ24がZ方向に微小移動され、加工用レーザー光L1の焦点位置が調節される。
Next, after relative positioning (alignment) between the
このとき、凹凸形状測定部30の測定結果はプロファイル取得部58によりダイシングラインCiに対応する実測プロファイルSとして取得される。プロファイル取得部58は、取得した実測プロファイルSをAF制御部56に対して出力するとともに、プロファイル記憶部60に対して出力する。
At this time, the measurement result of the uneven
プロファイル記憶部60は、凹凸形状測定部30で測定対象とされたダイシングラインCiと関連付けた状態で実測プロファイルSを記憶する。
The
図5は、実測プロファイルSの一例を示した図である。図5において、横軸はダイシングラインCiに沿った長さ方向の位置を示し、縦軸は被加工物Wの表面位置(Z方向位置)を示している。なお、図5では、被加工物Wの表面上の任意の位置は基準位置としたときの相対的な高さ位置(変位)を示している。後述する他の図においても同様である。 FIG. 5 is a diagram showing an example of the measured profile S. As shown in FIG. In FIG. 5, the horizontal axis indicates the position in the length direction along the dicing line Ci , and the vertical axis indicates the surface position (Z-direction position) of the workpiece W. As shown in FIG. In addition, in FIG. 5, a relative height position (displacement) is shown when an arbitrary position on the surface of the workpiece W is set as a reference position. The same applies to other figures to be described later.
図5に示した実測プロファイルSでは、第1の領域M1において局所的な凹凸の変化が生じている。すなわち、第1の領域M1は第2の領域M2に比べてウェーハ厚みのばらつきが大きい。そのため、このような実測プロファイルSに基づいてアクチュエータ25を制御しようとすると、局所的な凹凸の変化によって、例えば図6に示すように加工用レーザー光L1の焦点位置が被加工物Wの厚み方向(Z方向)に大きく乱れてしまう。
In the measured profile S shown in FIG. 5, local unevenness changes occur in the first region M1. That is, the first region M1 has a larger variation in wafer thickness than the second region M2. Therefore, if an attempt is made to control the
すなわち、実測プロファイルSに局所的な凹凸の変化が大きい部分が含まれている場合、その実測プロファイルSに基づいた制御がAF制御部56により行われると、加工用レーザー光L1の焦点位置が被加工物Wの表面の凹凸形状の変化に十分に追従できなくなり、加工用レーザー光L1の焦点位置と目標値とのずれ量(フォーカスずれ量)が大きくなり、加工精度や加工品質に影響を及ぼす要因となる。
That is, when the measured profile S includes a portion with a large local unevenness change, when the
その一方で、複数のダイシングラインC1~Cnに沿って改質領域Pを形成する場合にダイシングライン毎に毎回、実測プロファイルSの計測を事前に行ってから加工すれば上記のような問題を防ぐことができるが、スループットが低下してしまう要因となる。 On the other hand, when forming the modified region P along a plurality of dicing lines C 1 to C n , if the measured profile S is measured in advance for each dicing line before processing, the above problems will occur. can be prevented, but it is a factor that lowers the throughput.
一般に円形ウェーハや矩形ウェーハなどの被加工物Wは、その形状や厚みが中心を挟んでほぼ対称形状である。また、そのような被加工物Wの厚みは面方向に滑らかに変化する。このため、ダイシングラインCiの実測プロファイルSと、ダイシングラインCiに隣接したダイシングラインCi-1の実測プロファイルSとは類似性をもっている。 In general, workpieces W such as circular wafers and rectangular wafers are substantially symmetrical in shape and thickness across the center. Moreover, the thickness of such a workpiece W changes smoothly in the surface direction. Therefore, the measured profile S of the dicing line C i and the measured profile S of the dicing line C i −1 adjacent to the dicing line C i have similarity.
そこで本実施形態では、このような実測プロファイルSの類似性を利用して、参照プロファイル算出部62は、改質領域Pの形成が行われる対象ライン(ダイシングラインCi)に隣接したダイシングラインCi-1の実測プロファイルSを元にして、図5に示すような参照プロファイルT1を算出する。参照プロファイルT1は、ダイシングラインCi-1の実測プロファイルSの第1の領域M1に対応した部分を直線近似又は曲線近似する近似処理を行うことで求めることができる。近似処理は、本発明の「平滑化処理」の一例である。
Therefore, in the present embodiment, by using such similarity of the measured profiles S, the
さらに参照プロファイル算出部62は、上記のようにして求めた参照プロファイルT1の傾き(絶対値)を修正する処理(傾き修正処理)を行う。具体的には、参照プロファイルT1において、被加工物Wの表面位置の変化量(表面変位量)ΔZ(絶対値)と予め設定した閾値Rとを比較し、表面変位量ΔZが閾値Rを超える場合には、表面変位量ΔZが閾値Rよりも小さくなるように参照プロファイルT1を修正する。なお、傾き修正処理後の参照プロファイルを符号T2で示す。参照プロファイル算出部62は、傾き修正処理後の参照プロファイルT2(T)をAF制御部56に対して出力する。
Further, the
AF制御部56には、プロファイル取得部58で取得された実測プロファイルSが入力されるとともに、参照プロファイル算出部62で算出された参照プロファイルT(傾き修正処理後の参照プロファイルT2)が入力される。
The
AF制御部56は、対象ラインであるダイシングラインCiに沿った被加工物Wの表面位置を凹凸形状測定部30で測定しながら、その測定結果に基づいてアクチュエータ25を制御する際、第1の領域M1では、対象ラインの実測プロファイルS(第1のプロファイル)ではなく、対象ラインに近接した参照ライン(対象ラインよりも先に実測プロファイルSが取得されたライン)であるダイシングラインCi-1の実測プロファイルS(第2のプロファイル)を元に算出された参照プロファイルTに従って制御を行う。
The
参照プロファイル算出部62で算出された参照プロファイルTには、被加工物Wの表面の凹凸が局所的に発生する部分が存在せず、しかも第1の領域M1全体における傾きが緩やかなものとなっている。したがって、第1の領域M1において、参照プロファイルTに基づいた制御を行うことにより、加工用レーザー光L1の焦点位置と目標値とが大きくずれることがなく、これらの差であるフォーカスずれ量を低減することが可能となる。
In the reference profile T calculated by the
また、AF制御部56は、第2の領域M2では、プロファイル取得部58で取得された実測プロファイルS(第1のプロファイル)に従って制御を行う。第2の領域M2では、第1の領域M1に比べて被加工物Wの厚みばらつきが少ないため、被加工物Wの表面の凹凸形状に追従しながら加工用レーザー光L1の焦点位置を安定して制御することが可能となる。これにより、被加工物Wの内部に改質領域Pを精度よく安定して形成することが可能となる。
Further, the
なお、i=1の場合、すなわち、最初のダイシングラインC1が対象ラインとなる場合には、プロファイル記憶部60の中に参照ラインの実測プロファイルが存在しない。そのため、このような場合には、最初のダイシングラインC1に沿って改質領域Pを形成する前に、ダイシングラインC1の実測プロファイルSを事前に取得しておき、その実測プロファイルSに基づいて参照プロファイルTを算出すればよい。
When i=1, that is, when the first dicing line C1 is the target line, the
また、本実施形態では、被加工物Wに設定された複数のダイシングラインC1~Cnを1ラインずつ順に、各ダイシングラインCi(i=1,2・・・n)に沿って改質領域Pを形成する場合について説明したが、対象ラインであるダイシングラインCiと参照ラインであるダイシングラインCi-1とが空間的に離れており、これらの実測プロファイルの類似性を担保できない程度にライン同士が離間している場合には、最初のダイシングラインC1の場合と同様に、ダイシングラインCiの実測プロファイルSを事前に取得してから、その実測プロファイルSに基づいて参照プロファイルTを算出すればよい。 Further, in this embodiment, a plurality of dicing lines C 1 to C n set on the workpiece W are sequentially corrected line by line along each dicing line C i (i=1, 2 . . . n). Although the case of forming the quality area P has been described, the dicing line C i as the target line and the dicing line C i -1 as the reference line are spatially separated, and the similarity of the measured profiles cannot be ensured. If the lines are spaced apart from each other by a certain amount, as in the case of the first dicing line C 1 , after obtaining the measured profile S of the dicing line C i in advance, based on the measured profile S, the reference profile T can be calculated.
また、参照プロファイル算出部62における参照プロファイルT1の傾き修正処理の方法として、図5に示した方法に代えて、図7に示す参照プロファイルT2のように、参照プロファイルT1の高さを変えることなく、ダイシングラインCiに沿った長さ方向に拡大する方法も考えられる。ただし、例えば図8に示すように、実測プロファイルSにおける第1の領域M1において急激に変化する部分が含まれる場合には、実測プロファイルSと参照プロファイルT2との乖離が大きくなる。そのため、このような場合においては、図9に示す参照プロファイルT2のように修正することで、参照プロファイルT2における被加工物Wのエッジ部の位置Hが変わるので実測プロファイルSからの乖離を緩和することができる。
As a method of correcting the inclination of the reference profile T1 in the reference
また、本実施形態では、AF制御部56は、第1の領域M1では参照プロファイルTに基づいた制御を行い、第2の領域M2では実測プロファイルSに基づいた制御を行っているが、これらの制御の切替位置(第1の領域M1と第2の領域M2との境界部)において各プロファイルの被加工物Wの表面位置の差が大きいと、加工用レーザー光L1の焦点位置が大きく乱れてしまい、制御が不安定となる場合がある。これを防ぐために、参照プロファイル算出部62は、図10に示すように、実測プロファイルSと参照プロファイルTとの差が徐々に小さくなるように、参照プロファイルを修正する段差処理を行うことが好ましい(図10の破線円で囲んだ部分を参照)。具体的には、制御ゲインを下げたり、一度に制御する距離を制御したり、移動速度を制限したり、移動平均した差を制御目標にしたりする方法などがある。これにより、参照プロファイルTに基づいた制御から実測プロファイルSに基づいた制御に切り替える場合でも、加工用レーザー光L1の焦点位置が大きく乱れることなく、安定した制御を実現することが可能となる。
Further, in the present embodiment, the
以上説明したように本実施形態によれば、被加工物Wの表面位置を凹凸形状測定部30で測定しながら、その測定結果に基づいてアクチュエータ25を制御する際、第1の領域M1(被加工物Wのエッジ部近傍領域)では参照プロファイル算出部62で算出された参照プロファイルTに基づいた制御が行われ、第2の領域M2(被加工物Wのエッジ部近傍領域よりも内側の領域)ではプロファイル取得部58で取得された実測プロファイルSに基づいた制御が行われる。これにより、加工用レーザー光L1の焦点位置(すなわち、改質領域形成位置)を被加工物Wの表面の凹凸形状に追従しながら安定して制御することができるので、被加工物Wの内部の所望の位置に改質領域Pを精度よく安定して形成することが可能となる。
As described above, according to the present embodiment, when the surface position of the workpiece W is measured by the uneven
特に本実施形態では、対象ラインの実測プロファイルSの中に被加工物Wの表面の凹凸形状への追従性能(オートフォーカスの追従性能)に影響を与えるような凹凸や段差が含まれる場合でも、参照プロファイル算出部62において、その凹凸や段差による影響がなくなるように参照プロファイルTが算出されるので、加工用レーザー光L1の焦点位置が大きく乱れることなく、安定した制御を実現することが可能となる。
In particular, in the present embodiment, even if the measured profile S of the target line includes irregularities or steps that affect the followability (autofocus followability) of the irregular shape on the surface of the workpiece W, In the reference
なお、本実施形態では、上記のような凹凸や段差が含まれる場合だけでなく、被加工物Wの表面のラフネス(粗さ)や、被加工物Wの表面に形成された、検出用レーザー光L2の反射に影響を及ぼす膜(光学的特性をもった膜)などによるノイズ成分により、対象ラインの実測プロファイルSの中に被加工物Wの表面の凹凸形状への追従性能に影響を与えるようなプロファイル変化が発生した場合(参照プロファイルTの傾きが大きくなる場合)でも、参照プロファイル算出部62において、それらの影響がなくなるように参照プロファイルTを算出することが可能となる。したがって、加工用レーザー光L1の焦点位置が大きく乱れることなく、安定した制御を実現することが可能となる。
In addition, in this embodiment, not only the case where unevenness and steps as described above are included, but also the roughness (roughness) of the surface of the workpiece W and the detection laser formed on the surface of the workpiece W Due to the noise component of the film (film with optical properties) that affects the reflection of the light L2, the tracking performance to the uneven shape of the surface of the workpiece W in the measured profile S of the target line is affected. Even when such a profile change occurs (when the slope of the reference profile T increases), the
また、本実施形態によれば、参照プロファイルTは、対象ラインに近接した参照ラインの実測プロファイルSを元に算出しているので、ダイシングライン毎に毎回プロファイル計測を事前に行ってから加工する必要がなく、スループットの低下を効果的に抑えることができる。 In addition, according to the present embodiment, the reference profile T is calculated based on the measured profile S of the reference line adjacent to the target line. It is possible to effectively suppress the decrease in throughput.
なお、本実施形態では、対象ラインと参照ラインとが空間的に隣接している場合について説明したが、これに限らず、少なくとも空間的に近接したものであればよい。すなわち、対象ラインと参照ラインとの間に他のラインが存在していてもよい。また、対象ラインと参照ラインとは、少なくとも時間的に前後して形成されたものであればよく、必ずしも連続して形成されたものでなくてもよい。 In this embodiment, the case where the target line and the reference line are spatially adjacent to each other has been described. That is, another line may exist between the target line and the reference line. Also, the target line and the reference line need only be formed at least temporally one behind the other, and need not necessarily be formed continuously.
また、本実施形態では、参照プロファイル算出部62は、1つの参照ラインの実測プロファイルSに基づいて参照プロファイルTを算出しているが、これに限らず、対象ラインに近接した複数の参照ラインの実測プロファイルSに基づいて参照プロファイルTを算出するようにしてもよい。
In the present embodiment, the
また、本実施形態では、参照プロファイル算出部62は、参照ラインの実測プロファイルSに対して近似処理を行った後に、さらに傾き修正処理を行っているが、傾き修正処理は必ずしも必須なものではなく、近似処理のみを行うものであってもよい。この場合、参照プロファイル算出部62は、参照プロファイルT1をAF制御部56に対して出力する。
Further, in the present embodiment, the
また、本実施形態では、被加工物Wの表面(レーザー光照射面)で反射した検出用レーザー光L2の反射光を利用して被加工物Wの表面の凹凸形状を示すプロファイルを取得しながら、当該プロファイルに基づいて加工用レーザー光L1の焦点位置を制御する態様となっているが、これに限らず、被加工物Wの裏面(レーザー光照射面とは反対側の面)で反射した検出用レーザー光L2の反射光を利用して被加工物Wの裏面の凹凸形状を示すプロファイルを取得しながら、当該プロファイルに基づいて加工用レーザー光L1の焦点位置を制御する態様であってもよい。 Further, in the present embodiment, the reflected light of the detection laser beam L2 reflected by the surface of the workpiece W (laser beam irradiation surface) is used to obtain the profile indicating the uneven shape of the surface of the workpiece W. , the focal position of the processing laser beam L1 is controlled based on the profile, but not limited to this, the laser beam reflected by the back surface of the workpiece W (the surface opposite to the laser beam irradiation surface) Even in a mode in which the reflected light of the detection laser light L2 is used to obtain a profile indicating the uneven shape of the back surface of the workpiece W, and the focal position of the processing laser light L1 is controlled based on the profile. good.
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。以下、第1の実施形態と共通する部分については説明を省略し、異なる部分を中心に説明する。
(Second embodiment)
Next, a second embodiment of the invention will be described. In the following, the description of the parts common to the first embodiment will be omitted, and the different parts will be mainly described.
図11は、第2の実施形態における被加工物Wの平面図である。図11に示すように、被加工物Wの表面には同心円状の凹み40が存在する場合がある。
FIG. 11 is a plan view of the workpiece W in the second embodiment. As shown in FIG. 11, the surface of the workpiece W may have
図12は、図11に示した被加工物Wにおける実測プロファイルSの一例を示した図である。図12では、対象ラインであるダイシングラインCiの実測プロファイルSを実線で示し、参照ラインであるダイシングラインCi-1の実測プロファイルSを破線で示している。 FIG. 12 is a diagram showing an example of the measured profile S of the workpiece W shown in FIG. 11. As shown in FIG. In FIG. 12, the solid line indicates the measured profile S of the dicing line C i which is the target line, and the broken line indicates the measured profile S of the dicing line C i-1 which is the reference line.
図12に示すように、ダイシングラインCiの実測プロファイルSとダイシングラインCi-1の実測プロファイルSとは類似性をもっており、いずれの実測プロファイルSにおいても同心円状の凹み40が形成された領域は被加工物Wの表面の凹凸形状が急激に変化する部分となる。このような同心円状の凹み40が形成された領域では、第1の実施形態におけるエッジ部近傍領域と同様に、加工用レーザー光L1の焦点位置を被加工物Wの表面の凹凸形状に十分に追従させることができず、加工用レーザー光L1の焦点位置が目標値からオーバーシュートしてしまい、目標値からのずれ量(フォーカスずれ量)が大きくなり、加工精度や加工品質を低下させる要因となる。
As shown in FIG. 12, the measured profile S of the dicing line C i and the measured profile S of the dicing line C i-1 have similarity, and in both measured profiles S, the area where the
そこで第2の実施形態では、被加工物Wに同心円状の凹み40が存在する場合には、領域設定部57は、被加工物Wの表面において同心円状の凹み40が存在する領域を第1の領域M1として設定し、それ以外の領域を第2の領域M2として設定する。なお、図示しない操作部により、ユーザーが事前に同心円状の凹み40が発生する可能性のある領域を位置と幅とで指定しておき、領域設定部57は、その指定された情報に従って第1の領域M1及び第2の領域M2を設定してもよい。
Therefore, in the second embodiment, when the
参照プロファイル算出部62は、参照ラインであるダイシングラインCi-1の実測プロファイルSを平滑化処理することで参照プロファイルTを求める。具体的には、ダイシングラインCi-1の実測プロファイルSの第1の領域M1内で凹み40の幅と両側の土手の位置と高さとを検出し、その検出結果を利用して参照プロファイルTを求める。例えば、参照プロファイルTは凹み40の両側の土手を接続して得られる直線又は曲線である。
The
AF制御部56は、第1の実施形態と同様に、第1の領域M1では参照プロファイル算出部62で算出された参照プロファイルTに基づいた制御を行い、第2の領域ではプロファイル取得部58で取得された実測プロファイルSに基づいた制御を行う。
As in the first embodiment, the
したがって、本実施形態によれば、被加工物Wの表面に同心円状の凹み40が存在する場合でも、その影響を受けることなく、加工用レーザー光L1の焦点位置を被加工物Wの表面の凹凸形状に追従しながら安定して制御することができるので、被加工物Wの内部の所望の位置に改質領域Pを精度よく安定して形成することが可能となる。
Therefore, according to the present embodiment, even if the
なお、本実施形態では、被加工物Wの表面には同心円状の凹み40が存在する場合を一例に説明したが、被加工物Wの端部に直線状の構造物が存在する場合や、凹み(窪み)ではなく突起状の構造物が存在する場合においても、本発明を同様に適用することが可能である。
In this embodiment, the case where the
なお、本実施形態は、上述した第1の実施形態と組み合わせもよい。すなわち、領域設定部57は、被加工物Wの表面において同心円状の凹み40が存在する領域と、被加工物Wのエッジ部近傍領域とを第1の領域M1として設定し、それ以外の領域を第2の領域M2として設定してもよい。
This embodiment may be combined with the first embodiment described above. That is, the
本発明の一例について詳細に説明したが、本発明は、これに限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行ってもよいのはもちろんである。 Although an example of the present invention has been described in detail, the present invention is not limited to this, and it goes without saying that various improvements and modifications may be made without departing from the gist of the present invention.
10…レーザー加工装置、12…ステージ、20…光学系装置、21…レーザー光源、23…ダイクロイックミラー、24…集光レンズ、25…アクチュエータ、30…凹凸形状測定部、40…凹み、50…制御装置、52…主制御部、54…演算処理部、56…AF制御部、57…領域設定部、58…プロファイル取得部、60…プロファイル記憶部、62…参照プロファイル算出部、L1…加工用レーザー光、L2…検出用レーザー光、M1…第1の領域、M2…第2の領域、S…実測プロファイル、T…参照プロファイル
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記被加工物を第1の領域と第2の領域とに分ける領域設定部と、
前記被加工物における複数の分割予定ラインの実プロファイルのうち、対象ラインの前記被加工物の主面の第1のプロファイルと、前記対象ラインに近接した参照ラインの前記被加工物の主面の第2のプロファイルとを取得するプロファイル取得部と、
前記第2のプロファイルを平滑化処理した参照プロファイルを算出する参照プロファイル算出部と、
前記対象ラインに沿って前記改質領域を形成する際、前記第1の領域では前記参照プロファイルに基づいて改質領域形成位置を制御し、前記第2の領域では前記第1のプロファイルに基づいて改質領域形成位置を制御するAF制御部と、
を備え、
前記AF制御部が前記実プロファイルに基づいて改質領域形成位置を制御したと仮定した場合に当該制御に影響を与えるような領域を前記第1の領域とし、前記第1の領域以外の領域を前記第2の領域とする、
レーザー加工装置。 A laser processing apparatus for forming a modified region inside the work piece along a planned division line of the work piece by irradiating laser light with a focal point aligned with the inside of the work piece, ,
a region setting unit that divides the workpiece into a first region and a second region;
Among the actual profiles of the plurality of lines to be divided on the workpiece, a first profile of the main surface of the workpiece of the target line and a profile of the main surface of the workpiece of the reference line close to the target line a profile acquisition unit that acquires a second profile;
a reference profile calculator that calculates a reference profile obtained by smoothing the second profile;
When forming the modified region along the target line, the modified region forming position is controlled based on the reference profile in the first region, and based on the first profile in the second region an AF control unit that controls the modified region formation position;
with
Assuming that the AF control unit controls the modified region formation position based on the actual profile, the region that affects the control is the first region, and the region other than the first region is as the second region;
Laser processing equipment.
請求項1に記載のレーザー加工装置。 wherein the first region is a region in which there is a recess formed in the workpiece;
The laser processing apparatus according to claim 1.
請求項1又は2に記載のレーザー加工装置。 The first region is a region where a structure formed on the workpiece exists ,
The laser processing apparatus according to claim 1 or 2.
請求項1から3のいずれか1項に記載のレーザー加工装置。 The first region is a region in which a noise component is present due to surface roughness of the workpiece,
The laser processing apparatus according to any one of claims 1 to 3.
請求項1から4のいずれか1項に記載のレーザー加工装置。 The first region is a region in which a noise component is present due to a film formed on the surface of the workpiece,
The laser processing apparatus according to any one of claims 1 to 4.
請求項1から5のいずれか1項に記載のレーザー加工装置。 The reference profile calculation unit is configured so that the inclination (absolute value) of the reference profile does not deviate greatly between a target value based on the reference profile and the focal position of the laser beam controlled by the AF control unit. Perform slope correction processing so that it becomes smaller than the set threshold,
The laser processing apparatus according to any one of claims 1 to 5.
請求項1から6のいずれか1項に記載のレーザー加工装置。 In order to prevent the focal position of the laser light from being greatly disturbed at the boundary between the first region and the second region, the reference profile calculating unit may prevent the control from becoming unstable. performing step processing for correcting the reference profile so that the step between the first profile and the first profile is gradually reduced;
The laser processing apparatus according to any one of claims 1 to 6.
前記被加工物を第1の領域と第2の領域とに分ける領域設定工程と、
前記被加工物における複数の分割予定ラインの実プロファイルのうち、対象ラインの前記被加工物の主面の第1のプロファイルと、前記対象ラインに近接した参照ラインの前記被加工物の主面の第2のプロファイルとを取得するプロファイル取得工程と、
前記第2のプロファイルを平滑化処理した参照プロファイルを算出する参照プロファイル算出工程と、
前記対象ラインに沿って前記改質領域を形成する際、前記第1の領域では前記参照プロファイルに基づいて改質領域形成位置を制御し、前記第2の領域では前記第1のプロファイルに基づいて改質領域形成位置を制御するAF制御工程と、
を備え、
前記AF制御工程において前記実プロファイルに基づいて改質領域形成位置を制御したと仮定した場合に当該制御に影響を与えるような領域を前記第1の領域とし、前記第1の領域以外の領域を前記第2の領域とする、
レーザー加工方法。 A laser processing method for forming a modified region inside the work piece along a planned division line of the work piece by irradiating the work piece with a laser beam with a focal point aligned with the inside of the work piece, ,
a region setting step of dividing the workpiece into a first region and a second region;
Among the actual profiles of the plurality of lines to be divided on the workpiece, a first profile of the main surface of the workpiece of the target line and a profile of the main surface of the workpiece of the reference line close to the target line a profile acquisition step of acquiring a second profile;
a reference profile calculating step of calculating a reference profile obtained by smoothing the second profile;
When forming the modified region along the target line, the modified region forming position is controlled based on the reference profile in the first region, and based on the first profile in the second region an AF control step of controlling the modified region formation position;
with
Assuming that the modified region formation position is controlled based on the actual profile in the AF control step, the region that affects the control is the first region, and the region other than the first region is as the second region;
Laser processing method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021110752A JP7187762B2 (en) | 2017-09-22 | 2021-07-02 | LASER PROCESSING APPARATUS AND LASER PROCESSING METHOD |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017182782A JP6911277B2 (en) | 2017-09-22 | 2017-09-22 | Laser processing equipment and laser processing method |
JP2021110752A JP7187762B2 (en) | 2017-09-22 | 2021-07-02 | LASER PROCESSING APPARATUS AND LASER PROCESSING METHOD |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017182782A Division JP6911277B2 (en) | 2017-09-22 | 2017-09-22 | Laser processing equipment and laser processing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021151668A JP2021151668A (en) | 2021-09-30 |
JP7187762B2 true JP7187762B2 (en) | 2022-12-13 |
Family
ID=66106958
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017182782A Active JP6911277B2 (en) | 2017-09-22 | 2017-09-22 | Laser processing equipment and laser processing method |
JP2021110752A Active JP7187762B2 (en) | 2017-09-22 | 2021-07-02 | LASER PROCESSING APPARATUS AND LASER PROCESSING METHOD |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017182782A Active JP6911277B2 (en) | 2017-09-22 | 2017-09-22 | Laser processing equipment and laser processing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP6911277B2 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW202106428A (en) * | 2019-07-18 | 2021-02-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | Processing device and processing method |
JP7368246B2 (en) * | 2020-01-22 | 2023-10-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | Laser processing equipment and laser processing method |
JP7405365B2 (en) * | 2020-01-31 | 2023-12-26 | 国立大学法人東海国立大学機構 | Laser processing method, semiconductor member manufacturing method, and laser processing device |
JP7427189B2 (en) * | 2020-01-31 | 2024-02-05 | 国立大学法人東海国立大学機構 | Laser processing method, semiconductor member manufacturing method, and laser processing device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008016577A (en) | 2006-07-05 | 2008-01-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | Laser processing method for wafer |
JP2010010209A (en) | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Laser dicing method |
JP2013086188A (en) | 2011-10-13 | 2013-05-13 | Disco Corp | Machining device |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4715119B2 (en) * | 2004-07-21 | 2011-07-06 | ソニー株式会社 | Laser processing equipment |
KR101485451B1 (en) * | 2007-12-19 | 2015-01-23 | 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 | Laser dicing apparatus and dicing method |
-
2017
- 2017-09-22 JP JP2017182782A patent/JP6911277B2/en active Active
-
2021
- 2021-07-02 JP JP2021110752A patent/JP7187762B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008016577A (en) | 2006-07-05 | 2008-01-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | Laser processing method for wafer |
JP2010010209A (en) | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Laser dicing method |
JP2013086188A (en) | 2011-10-13 | 2013-05-13 | Disco Corp | Machining device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6911277B2 (en) | 2021-07-28 |
JP2019055427A (en) | 2019-04-11 |
JP2021151668A (en) | 2021-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7187762B2 (en) | LASER PROCESSING APPARATUS AND LASER PROCESSING METHOD | |
JP7172016B2 (en) | LASER PROCESSING APPARATUS AND LASER PROCESSING METHOD | |
US9685355B2 (en) | Laser dicing device and dicing method | |
JP5670647B2 (en) | Processing object cutting method | |
US11325205B2 (en) | Laser processing method | |
JP2012016735A (en) | Laser beam machining device and laser beam machining method | |
US20200201281A1 (en) | Device and Method for the Controlled Processing of a Workpiece with Processing Radiation | |
JP5752930B2 (en) | Laser processing equipment | |
TWI679076B (en) | Laser processing device and laser processing method | |
JP7308396B2 (en) | LASER PROCESSING APPARATUS AND LASER PROCESSING METHOD | |
JP2015085336A (en) | Laser processing method, and processing apparatus | |
WO2017130914A1 (en) | Laser machining device and laser machining method | |
JP7088761B2 (en) | Laser processing equipment | |
JP2018129540A (en) | Laser dicing device | |
WO2019181637A1 (en) | Laser machining device and laser machining method | |
JP6327524B2 (en) | Laser dicing equipment | |
JP7285433B2 (en) | LASER PROCESSING APPARATUS AND LASER PROCESSING METHOD | |
JP2001150159A (en) | Laser marking system | |
JP2014223672A (en) | Method of and device for laser-processing rotor | |
KR20080014935A (en) | Laser processing apparatus and method using beam split | |
JP5286039B2 (en) | Laser processing equipment | |
JP2023013750A (en) | Laser processing device and control method of the same | |
KR20230049143A (en) | Laser beam irradiation device for semiconductor grinding processing and operation method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210702 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220530 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220726 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221031 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221113 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7187762 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |