JP7186770B2 - 研磨用物品およびその形成方法 - Google Patents

Description

本開示は、研磨用物品に関し、より詳細には、電子アセンブリを含む研磨用物品に関する。

研磨用物品は、マトリックス材料に付着した研磨用を含むことができ、物体から材料を除去するために使用することができる。コーティングされた研磨用物品、結合研磨用物品、回旋状研磨用物品、研磨用ブラシなどを含むが、これらに限定されない様々なタイプの研磨用物品を形成することができる。コーティングされた研磨用物品は、一般的に、基板を覆う研磨用材料の１つ以上の層を含む。研磨用は、１つ以上の接着剤層を使用して基板に固定することができる。結合研磨用物品は、結合材料の三次元マトリックスと、結合材料のマトリックス内に含まれる砥粒とを含むことができる。結合研磨用物品は、本体内にある含有量の空孔を含むことができる。

研磨用物品の製造および使用は大きく異なることができ、産業界は改良された研磨用物品を要求し続けている。

実施形態が例示的に示されるが、添付の図に限定されるものではない。

当業者は、図中の要素が単純化および明確化のために示され、必ずしも一定の縮尺で描かれていないことを理解する。

一実施形態に係る研磨用物品を形成するためのフローチャートを含む。 一実施形態に係る研磨用物品を形成するためのフローチャートを含む。 一実施形態に係る研磨用物品の一部の断面図を含む。 一実施形態に係る図２Ａの研磨用物品のトップダウンの図を含む。 一実施形態に係る電子アセンブリの一部の断面図を含む。 一実施形態に係る研磨用物品の一部の断面図を含む。 一実施形態に係る研磨用物品の一部のトップダウンの図を含む。 一実施形態に係る研磨用物品の一部の断面図を含む。 一実施形態に係る研磨用物品の一部の断面図を含む。 一実施形態に係る研磨用物品の一部の断面図を含む。 一実施形態に係る研磨用物品の一部の断面図を含む。 一実施形態に係る研磨用物品の一部の断面図を含む。 一実施形態に係る研磨用物品の一部の断面図を含む。 一実施形態に係る研磨用物品の一部のトップダウンの図を含む。 一実施形態に係る研磨用物品の一部の断面図を含む。 一実施形態に係る研磨用物品の上面図を含む。 一実施形態に係る、研磨用本体前駆体の一部の画像の図を含む。 一実施形態に係る研磨用物品の一部の上面図を含む。 一実施形態に係るコーティングされた研磨用物品の一部の断面図を含む。 一実施形態に係る研磨用物品の上面図の例示を含む。 別の一実施形態に係る研磨用物品の一部の図を含む。 別の一実施形態に係る研磨用物品の一部の図を含む。 一実施形態に係る研磨用物品のサプライチェーンおよび機能の図を含む。 一実施形態に係る研磨用物品のサプライチェーンおよび機能の図を含む。

以下の議論は、教示の特定の実装形態および実施形態に焦点を合わせる。詳細な説明は、特定の実施形態を説明するのを助けるために提供され、開示または教示の範囲または適用性に対する制限として解釈されるべきではない。本明細書で提供される開示および教示に基づいて他の実施形態を使用できることが理解される。

本明細書の実施形態の研磨用物品は、様々な構造、等級、およびアーキテクチャを有することができ、様々な材料除去操作で使用することができる。一実施形態では、研磨用物品は固定研磨用物品を含むことができる。特定の一実施形態では、研磨用物品は、結合研磨用物品、コーティングされた研磨用物品などを含むことができる。

図１Ａは、一実施形態に係る研磨用物品を形成するステップを提供するフローチャートを含む。図示のように、プロセスはステップ１０１で始まり、研磨用本体前駆体を形成する。研磨用本体前駆体は、グリーン体または未完成研磨用物品とすることができ、研磨用本体前駆体を最終的に形成される研磨用本体に変換するために少なくとももう１つのプロセスが必要である。そのようなプロセスは、硬化、加熱、焼結、冷却、乾燥、プレス、成形、鋳造、パンチング、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができるが、これらに限定されない。

一実施形態によれば、研磨用本体前駆体は、液体混合物などの液体材料とすることができる。液体混合物は、最終的に形成される研磨用物品を形成するように構成された構成要素の一部またはすべてを含むことができる。例えば、液体混合物は、砥粒および結合前駆体材料を含むことができる。

さらに別の一実施形態では、研磨用本体前駆体は、固体のグリーン体とすることができる。本明細書におけるグリーン体への言及は、固体の三次元体に形成されるが、グリーン体をさらに固化および／または緻密化するために硬化または熱処理などの最終処理を受ける物体である。特に、グリーン体は、固体である前駆体結合材料を含むが、最終的に形成される研磨用物品内の最終的に形成される結合材料に前駆体結合材料を変換するために、さらなる処理を受ける。

本明細書に記載されるように、研磨用本体前駆体は、結合前駆体材料を含むことができる。結合前駆体材料は、結合前駆体材料から最終的に形成される結合材料に変換するプロセスを受けることができる１つ以上の構成要素を含むことができる。いくつかの適切な結合前駆体材料は、有機または無機材料を含むことができる。例えば、結合前駆体材料は、樹脂、エポキシ、ポリアミド、金属、金属合金、ガラス質材料（例えば、フリット）、セラミックス、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。

研磨用本体前駆体はまた、砥粒を含むことができる。砥粒は、例えば、異なるタイプの砥粒の混合物を含む、１つ以上の様々なタイプを含むことができる。砥粒は、当業者によって使用され、知られている任意のタイプの砥粒を含むことができる。例えば、砥粒は、酸化物、炭化物、窒化物、ホウ化物、炭素系材料（例えば、ダイヤモンド）、酸炭化物、酸窒化物、酸ホウ化物、超砥粒材料、またはそれらの任意の組み合わせを含むがこれらに限定されない無機材料を含むことができる。砥粒は、成形砥粒、破砕砥粒、爆発砥粒、凝集粒子、非凝集粒子、単結晶粒子、多結晶粒子、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。砥粒は、二酸化ケイ素、炭化ケイ素、アルミナ、ジルコニア、フリント、ガーネット、エメリー、希土類酸化物、希土類含有材料、酸化セリウム、ゾルゲル由来粒子、石膏、酸化鉄、ガラス含有粒子、褐色溶融アルミナ（５７Ａ）、シードゲル砥粒、添加剤を含む焼結アルミナ、成形および焼結酸化アルミニウム、ピンクアルミナ、ルビーアルミナ（例、２５Ａおよび８６Ａ）、電融単結晶アルミナ３２Ａ、ＭＡ８８、アルミナジルコニア砥粒（ＮＺ、ＮＶ、ＺＦ）、押し出しボーキサイト、立方晶窒化ホウ素、ダイヤモンド、酸窒化アルミニウム、押し出しアルミナ（例えば、ＳＲ１、ＴＧ、ＴＧＩＩ）、またはこれらの任意の組み合わせの群から選択される材料を含むことができる。特定の例では、砥粒は、特に硬くすることができ、例えば、少なくとも６、例えば、少なくとも６．５、少なくとも７、少なくとも８、少なくとも８．５、少なくとも９のモース硬度を有する。最終的に形成される研磨用物品は、前駆体研磨用本体に含まれる任意のタイプの砥粒を含むことができる。

砥粒は、少なくとも０．１ミクロン、例えば、少なくとも１ミクロン、少なくとも５ミクロン、少なくとも１０ミクロン、少なくとも２０ミクロン、少なくとも３０ミクロン、少なくとも４０ミクロン、または少なくとも５０ミクロン、または少なくとも１００ミクロン、または少なくとも２００ミクロン、または少なくとも５００ミクロン、または少なくとも１０００ミクロンの平均粒子サイズ（Ｄ５０）を有することができる。さらに、別の非限定的な一実施形態では、砥粒は、５０００ミクロン以下、例えば、４０００ミクロン以下、または３０００ミクロン以下、または２０００ミクロン以下、または１０００ミクロン以下、または５００ミクロン以下、または２００ミクロン以下、または１００ミクロン以下、または８０ミクロン以下、または６０ミクロン以下、または３０ミクロン以下、または１０ミクロン以下、または１ミクロン以下の平均粒子サイズ（Ｄ５０）を有することができる。砥粒は、上記の最小値および最大値のいずれかを含む範囲内の平均粒子サイズを有することができることが理解される。さらに、最終的に形成される研磨用物品は、上記の最小および最大百分率のいずれかを含む範囲内の平均粒子サイズを有する砥粒を有することができることが理解される。

砥粒は、硬度、平均粒子サイズ、平均粒子（すなわち、微結晶サイズ）、靭性、二次元形状、三次元形状、組成、またはそれらの任意の組み合わせなどの１つ以上の砥粒特性に基づいて互いに異なり得る異なる粒子のブレンドを含むことができる。砥粒のブレンドは、一次および二次砥粒を含むことができる。一次および二次砥粒は、本明細書に記載される砥粒の組成物のいずれかを含むことができる。

研磨用本体前駆体は、研磨用物品としての使用に適した砥粒の含有量を含むことができる。例えば、研磨用本体前駆体は、研磨用本体前駆体の総体積に対して少なくとも０．５体積％の砥粒を含むことができる。さらに他の実施形態では、研磨用本体前駆体は、研磨用本体前駆体の総体積に対して少なくとも１体積％、例えば、少なくとも５体積％、または少なくとも１０体積％、または少なくとも１５体積％、または少なくとも２０体積％、または少なくとも３０体積％、少なくとも４０体積％、または少なくとも５０体積％、または少なくとも６０体積％、または少なくとも７０体積％、または少なくとも８０体積％の砥粒を含むことができる。さらに別の非限定的な一実施形態では、研磨用本体前駆体は、研磨用本体前駆体の総体積に対して、９０体積％以下、例えば、８０体積％以下、または７０体積％以下、６０体積％以下、または５０体積％以下、または４０体積％以下、または３０体積％以下、または２０体積％以下、または１０体積％以下、または５体積％以下の砥粒を有することができる。研磨用本体前駆体は、上記の最小および最大百分率のいずれかを含む範囲内の砥粒の含有量を有することができることが理解される。さらに、最終的に形成される研磨用物品は、上記の最小および最大百分率のいずれかを含む範囲内の砥粒の含有量を有することができることが理解される。

研磨用本体前駆体は、当業者に知られている１つ以上のタイプの充填剤をさらに含むことができる。充填剤は、砥粒と区別することができ、砥粒の硬度よりも低い硬度を有することができる。充填剤は、改善された機械的特性を提供し、研磨用物品の形成を促進することができる。少なくとも１つの実施形態では、充填剤は、繊維、織布材料、不織布材料、粒子、鉱物、ナッツ、シェル、酸化物、アルミナ、炭化物、窒化物、ホウ化物、有機材料、高分子材料、自然発生材料、細孔形成剤（中実または中空）、およびそれらの組み合わせなどの様々な材料を含むことができる。特定の例では、充填剤は、ウォラストナイト、ムライト、鋼、鉄、銅、真鍮、青銅、スズ、アルミニウム、カイアナイト、アルサイト、ガーネット、石英、フッ化物、雲母、霞石閃長岩、硫酸塩（例えば、硫酸バリウム）、炭酸塩（例えば、炭酸カルシウム）、氷晶石、ガラス、ガラス繊維、チタン酸塩（例えば、チタン酸カリウム繊維）、ロックウール、粘土、海泡石、硫化鉄（例えば、Ｆｅ_２Ｓ_３、ＦｅＳ_２、またはそれらの組み合わせ）、蛍石（ＣａＦ_２）、硫酸カリウム（Ｋ_２ＳＯ_４）、グラファイト、フッ化ホウ酸カリウム（ＫＢＦ_４）、フッ化カリウムアルミニウム（ＫＡｌＦ_４）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、ホウ酸亜鉛、ホウ砂、ホウ酸、微細なアランダム粉末、Ｐ１５Ａ、バブリングアルミナ、コルク、ガラス球、銀、Ｓａｒａｎ（商標名）樹脂、パラジクロロベンゼン、シュウ酸、ハロゲン化アルカリ、有機ハロゲン化物、およびアタパルジャイトなどの材料を含む。一部の充填剤は、揮発するか、後の処理中に消費される。一部の充填剤は、最終的に形成される研磨用物品の一部になる場合がある。本体は、本体に組み込まれ、最終的に形成される研磨用物品の一部となる１つ以上の補強物品（例えば、織布または不織布材料）を含むことができることが理解される。

研磨用本体前駆体は、例えば、安定剤、結合剤、可塑剤、界面活性剤、摩擦低減材料、レオロジー調整材料などを含むがこれらに限定されない１つ以上の添加剤をさらに含むことができる。

コーティングされた研磨用物品などの特定の研磨用物品では、研磨用本体前駆体は、１つ以上の研磨用層をその上に形成することができる基板またはバッキングを含むことができる。一実施形態によれば、基板は、有機材料、無機材料、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。特定の例では、基板は織布材料を含むことができる。しかしながら、基板は不織布材料で作られてもよい。特に適切な基板材料は、ポリエステル、ポリウレタン、ポリプロピレン、および／またはデュポン製のカプトンなどのポリイミドなどのポリマーを含む有機材料、および紙を含むことができる。いくつかの適切な無機材料は、金属、金属合金、特に、銅、アルミニウム、鋼の箔、およびそれらの組み合わせを含むことができる。バッキングは、触媒、カップリング剤、硬化剤、帯電防止剤、懸濁剤、抗負荷剤、潤滑剤、湿潤剤、染料、充填剤、粘度調整剤、分散剤、消泡剤、および粉砕剤の群から選択される１つ以上の添加剤を含むことができる。

基板を利用するものなどのいくつかの研磨用物品では、ポリマー配合物を使用して、例えば、フロントフィル、プレサイズ、メイクコート、サイズコート、および／またはスーパーサイズコートなどの様々な層のいずれかを形成することができる。フロントフィルを形成するために使用される場合、ポリマー配合物は、一般的に、ポリマー樹脂、フィブリル化繊維（好ましくはパルプの形態）、充填剤材料、および他のオプションの添加剤を含む。いくつかのフロントフィルの実施形態に適した配合物は、フェノール樹脂、ウォラストナイト充填剤、消泡剤、界面活性剤、フィブリル化繊維、および残りの水などの材料を含むことができる。適切なポリマー樹脂材料には、フェノール樹脂、尿素／ホルムアルデヒド樹脂、フェノール／ラテックス樹脂、ならびにそのような樹脂の組み合わせを含む熱硬化性樹脂から選択される硬化性樹脂が含まれる。他の適切な高分子樹脂材料には、エポキシ樹脂、アクリル化エポキシ樹脂のアクリル化オリゴマー、ポリエステル樹脂、アクリル化ウレタン、ポリエステルアクリル、およびモノアクリル化、マルチアクリル化モノマーを含むアクリル化モノマーなどの、電子線、紫外線、または可視光線を使用して硬化可能な樹脂などの放射線硬化性樹脂も含まれる。配合物はまた、侵食性を高めることにより堆積した砥粒の自己研ぎ特性を高めることができる非反応性熱可塑性樹脂バインダーも含むことができる。このような熱可塑性樹脂の例には、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリオキシプロピレン－ポリオキシエテンブロックコポリマーなどが含まれる。基板上にフロントフィルを使用すると、メイクコートを適切に塗布し、成形砥粒を所定の配向で改善された塗布および配向するために、表面の均一性を改善できる。

ステップ１０１で研磨用本体前駆体を形成した後、プロセスは、少なくとも１つの電気アセンブリを研磨用本体前駆体と組み合わせることによってステップ１０２に続く。一実施形態によれば、電気アセンブリは、少なくとも１つの電子デバイスを含むことができる。電子デバイスは、例えば、研磨用物品の製造、販売、流通、保管、使用、メンテナンス、および／または品質に含まれるシステムおよび／または個人を含む、研磨用物品の寿命内の１つ以上のシステムおよび／または個人に情報を保存および／または送信するように構成できる。

電子アセンブリを研磨用本体前駆体と組み合わせるプロセスは、研磨用本体前駆体の性質に応じて変えることができる。一例では、研磨用本体前駆体を電子アセンブリと組み合わせるプロセスは、研磨用本体前駆体を画定する材料の混合物の上または中に電子アセンブリを堆積させることを含むことができる。特に、混合物上にまたは混合物と共に電子アセンブリを堆積させるプロセスは、最終的に形成される研磨用物品の形成前に、混合物への電子アセンブリの組み込みを含むことができる。そのような場合、電子アセンブリは、混合物から最終的に形成される研磨用物品を作成するために使用される１つ以上の形成プロセスに耐えるように構成することができる。例えば、電子アセンブリは、混合物および電子アセンブリが、例えば、これらに限定されないが、プレス、加熱、乾燥、硬化、冷却、成形、スタンピング、切断、機械加工、ドレッシングなどを含むがこれらに限定されない１つ以上のプロセスに供された後も存続および機能するように構成することができる。

特定の一実施形態では、電子アセンブリは、電子アセンブリの少なくとも一部が混合物の外面と接触し、その上を覆うことができるように、混合物上に堆積させることができる。例えば、電子アセンブリ全体は、混合物の外面を覆うことができる。このような堆積プロセスは、研磨用本体の外面に電子アセンブリの少なくとも一部を有する研磨用物品の形成を促進することができる。

別の一実施形態では、電子アセンブリは、電子アセンブリの少なくとも一部が混合物の外面の下に配置されるように、電子アセンブリの一部が混合物内に含まれ得るように堆積され得る。例えば、一例では、電子アセンブリの一部を混合物内に埋め込むことができ、電子アセンブリの別の別個の部分を混合物の外面の上に置くことができる。そのような堆積プロセスは、電子アセンブリの一部が本体の外面の下の研磨用物品の本体内に埋め込まれる電子アセンブリの形成を促進することができる。さらに別の一実施形態では、電子アセンブリ全体を混合物内に埋め込むことができる。このような堆積プロセスは、研磨用物品の形成を促進することができ、電子アセンブリは、電子アセンブリのどの部分も本体の外面を貫通して突出しないように、研磨用物品の本体内に完全に埋め込むことができる。電子アセンブリが研磨用物品の本体内に部分的または全体的に埋め込まれた構成を利用して、電子アセンブリおよびその中に含まれる１つ以上の電子デバイスを改ざんする可能性を低減することが望ましい場合がある。

さらに別の一実施形態では、混合物上または混合物内に電子アセンブリを堆積させるプロセスは、電子アセンブリを１つ以上の構成要素に塗布し、次に混合物を構成要素に塗布することをさらに含むことができる。例えば、電子アセンブリは、最終的に形成される研磨用物品の一部となるように、物品（例えば、基板、バッキング、補強部材、部分硬化または完全硬化研磨用部分など）の上または内部に配置することができる。物品および混合物を物品に付着させることができる。一実施形態によれば、電子アセンブリは、物品に接着されてもよく、混合物は、電子アセンブリの少なくとも一部またはすべての上に堆積され得る。電子アセンブリの配置に関するさらなる詳細は、本明細書に記載されている。

製造情報は、１つ以上の形成プロセスの間または後に電子アセンブリに格納することができる。電子アセンブリは、製造データの測定および／または記憶を促進することができる１つ以上の電子デバイスを含むことができる。そのような製造データは、製造業者が研磨用物品を形成するために使用される製造条件を知るのに役立つ場合があり、さらに研磨用物品の品質を評価するのに役立つ場合がある。一実施形態によれば、１つ以上の読み取り、書き込み、または消去操作を各プロセスで実行することができる。例えば、研磨用物品の製造において第１のプロセスを実施することができ、製造情報の第１のセットを電子デバイスに書き込むことができる。第１のプロセスが完了した後、情報の読み取り、書き込み、または消去を実行できる。例えば、電子デバイスから製造情報を読み取ることができる。その代わりにまたはそれに加えて、新しい製造情報を電子デバイスに書き込むために、書き込み動作を行うことができる。その代わりにまたはそれに加えて、消去操作を行って、製造情報の第１のセットのすべてまたは一部を削除することができる。その後、さらなるプロセスを行うことができ、各プロセスは、１つ以上の読み取り、書き込み、または消去操作を含むことができる。特定の一実施形態では、電子デバイスは、区分けされた部分を含むことができる。区分けされた部分はメモリを含むことができ、特定のデータをメモリに記憶することができる。いくつかの例では、１つ以上の区分けされた部分をアクセス制限して、アクセス権のない担当者がデータを読み取ったり編集したりしないようにすることができる。例えば、製造データは、使用者または販売業者などの他の人が、製造データを変更できないように、製造業者が使用するためにのみ区分けされた部分に格納することができる。別の一例では、区分けされた部分に格納されたデータへのアクセスの制限を変更して、以前にデータへのアクセスが制限されていた担当者がデータを読み取ったり更新したりできるようにすることができる。

代替の一実施形態では、少なくとも１つの電子アセンブリを研磨用本体前駆体と組み合わせるプロセスは、固化したグリーン体の一部に電子アセンブリを堆積させることを含むことができる。本明細書に開示されるように、グリーン体は、さらなる処理を受ける物体であり得る。グリーン体の少なくとも一部の上に電子アセンブリを堆積させるプロセスは、電子アセンブリの少なくとも一部をグリーン体の外面に取り付けることを含むことができる。そのような場合、電子アセンブリは、１つ以上のプロセスを介してグリーン体と共に処理され、最終的に形成される研磨用物品を形成する。グリーン体の少なくとも一部に電子アセンブリを堆積させるための様々なプロセスを使用することができる。例えば、電子アセンブリは、グリーン体の外面などのグリーン体の一部に結合することができる。例えば、接着剤による結合剤を使用することができる。別の一実施形態では、電子アセンブリは、１つ以上の様々なタイプの締結具によってグリーン体の少なくとも一部に固定することができる。さらに別の一実施形態では、電子アセンブリの一部がグリーン体の本体内に埋め込まれるように、取り付けを促進するために、電子アセンブリの一部をグリーン体の一部に圧入することができる。

さらに別の一実施形態では、研磨用本体前駆体は、最終的に形成される本体の一部である未完成の研磨用本体を含むことができる。一例では、研磨用本体の一部を最初に形成することができ、いくつかの例では、最終的に形成される研磨用本体を形成するプロセス中にさらなる処理に供することができる。別の一例では、研磨用本体前駆体は、最終的に形成される本体の一部と、別の部分のグリーン体とを含むことができる。さらに別の一例では、研磨用本体前駆体は、最終的に形成される本体の一部と、最終的に形成される本体の別の一部を形成するための材料または材料前駆体とを含み得る。さらなる一実施形態では、電子アセンブリを研磨用本体前駆体の一部の上に配置することができ、最終的に形成される本体の別の一部を形成するための材料を研磨用本体前駆体および電子アセンブリに塗布することができる。電子アセンブリは、最終的に形成される研磨用本体を形成するためのさらなる処理の後に、研磨用本体に連結され得る。

ステップ１０２で少なくとも１つの電子アセンブリを研磨用本体前駆体と組み合わせた後、プロセスは、研磨用本体前駆体を研磨用本体に形成することによってステップ１０３に続くことができる。研磨用本体前駆体を研磨用本体に形成するための様々な適切なプロセスは、硬化、加熱、焼結、焼成、冷却、成形、プレス、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができるが、これらに限定されない。そのような場合、電子アセンブリは、最終的に形成される研磨用物品を形成するために使用される１つ以上の形成プロセスの後に存続し機能することができることが理解される。このような形成プロセスは、混合物または固化したグリーン体で使用することができる。

一実施形態によれば、形成プロセスは、本体を形成温度まで加熱することを含むことができる。形成温度は、混合物中の１つ以上の構成要素の転換に影響を与えて、最終的に形成される研磨用物品を形成することができる。例えば、形成温度は、少なくとも２５℃、例えば、少なくとも４０℃、または少なくとも６０℃、または少なくとも８０℃、または少なくとも１００℃、または少なくとも１５０℃、または少なくとも２００℃、または少なくとも３００℃、または少なくとも４００℃、または少なくとも５００℃、または少なくとも６００℃、または少なくとも７００℃、または少なくとも８００℃、または少なくとも９００℃、または少なくとも１０００℃、または少なくとも１１００℃、または少なくとも１２００℃、または少なくとも１３００℃とすることができる。さらに、非限定的な一実施形態では、形成温度は、１５００℃以下、または１４００℃以下、または１３００℃以下、または１２００℃以下、または１１００℃以下、または１０００℃以下、または９００℃以下、または８００℃以下、または７００℃以下、または６００℃以下、または５００℃以下、または４００℃以下、または３００℃以下、または２００℃以下、または１００℃以下、または８０℃以下、または６０℃以下とすることができる。形成温度は、上記の最小値および最大値のいずれかを含む範囲内とすることができることが理解される。

別の一実施形態では、形成プロセスは、電子アセンブリを硬化させることを含むことができる。例えば、電子アセンブリは、硬化プロセスを受けることができる材料または材料前駆体を含むことができる。電子アセンブリを硬化させることは、材料または材料前駆体の硬化を含むことができる。別の一例では、電子アセンブリの硬化は、加熱、照射、化学反応、または当技術分野で知られている任意の他の手段によって行うことができる。別の一例では、形成プロセスは、電子アセンブリを硬化させるための加熱、研磨用本体前駆体を硬化させるための加熱、または両方を硬化させるための加熱を含むことができる。研磨用本体前駆体の硬化は、研磨用本体前駆体の前駆体材料の硬化を含むことができる。一態様では、電子アセンブリまたは研磨用本体を硬化させることにより、電子アセンブリの研磨用本体への連結を促進することができ、特に、硬化により、電子アセンブリを最終的に形成される研磨用本体に不正改ざん防止（耐タンパ）で直接連結することを促進することができる。本明細書で使用する場合、不正改ざん防止という用語は、連結の方法が、研磨用物品に損傷を与えることなく、電子アセンブリを研磨用物品から取り外すまたは引き出すことを許容できないことを意味することを意図している。特定の一例では、電子アセンブリの硬化および研磨用本体前駆体の硬化は、同じ加熱プロセスで行うことができる。別の特定の一実施形態では、電子アセンブリおよび研磨用本体前駆体を加熱することにより、電子アセンブリおよび研磨用本体前駆体を共硬化させることができる。さらに別の一実施形態では、電子アセンブリの硬化および研磨用本体前駆体の硬化は、同じ加熱温度で起こり得る。さらに別の一例では、研磨用本体は、研磨用本体前駆体と電子アセンブリを共硬化させることによって最終的に形成することができる。

別の一実施形態では、形成プロセスは、電子アセンブリを加熱すること、および研磨用本体前駆体の少なくとも一部を加熱することを含むことができる。加熱は、研磨用本体前駆体および／または電子アセンブリが硬化できる温度で行うことができる。特に、加熱は、研磨用本体前駆体と電子アセンブリの両方を硬化させることができる温度で行うことができる。一態様では、電子アセンブリと研磨用本体との共硬化は、電子アセンブリの研磨用本体への連結の改善および研磨用物品の形成を促進することができる温度で実行することができる。例えば、電子アセンブリと研磨用本体前駆体の共硬化は、少なくとも９０℃、少なくとも９５℃、少なくとも１００℃、少なくとも１０５℃、少なくとも１０８℃、少なくとも１１０℃、少なくとも１１５℃、少なくとも１２０℃、少なくとも１３０℃、少なくとも１４０℃、少なくとも１５０℃、少なくとも１５５℃、少なくとも１６０℃、少なくとも１６５℃、少なくとも１７０℃、少なくとも１７５℃、少なくとも１８０℃、少なくとも１９０℃、少なくとも２００℃、少なくとも２１０℃、少なくとも２２０℃、少なくとも２３０ ℃、少なくとも２４０、℃、または少なくとも２５０℃の温度で実行できる。別の一例では、研磨用本体前駆体および電子アセンブリを共硬化させることは、２５０℃以下、２４５℃以下、２４０℃以下、２３５℃以下、２３０℃以下、２２０℃以下、２１５℃以下、２１０℃以下、２００℃以下、１９５℃以下、１８５℃以下、 １８０℃以下、または１７０℃以下、１６５℃以下、１６０℃以下、１５５℃以下、１５０℃以下、１４５℃以下、 １４０℃以下、１３５℃以下、１３０℃以下、１２５℃以下、または１２０℃以下の温度で実行できる。さらに、研磨用本体前駆体および電子アセンブリを共硬化させることは、本明細書に記載されている最小値および最大値のいずれかを含む温度で実行することができる。例えば、共硬化は、少なくとも９０℃かつ２５０℃以下を含む範囲内、例えば、少なくとも１２０℃かつ１４０℃以下を含む範囲内、または少なくとも１５０℃かつ１９０℃以下の範囲内の温度で実行することができる。

さらなる一態様では、研磨用本体前駆体および電子アセンブリを共硬化させることは、電子アセンブリの研磨用本体への連結の改善および研磨用物品の形成を促進するために、一定期間実行され得る。例えば、共硬化は、少なくとも０．５時間、少なくとも１時間、少なくとも２時間、少なくとも３時間、少なくとも４時間、少なくとも５時間、少なくとも６時間、少なくとも７時間、少なくとも８時間、少なくとも１０時間、少なくとも１２時間、少なくとも１５時間、少なくとも１８時間、少なくとも２０時間、少なくとも３０時間、少なくとも２６時間、少なくとも２８時間、少なくとも３０時間、少なくとも３２時間、少なくとも３５時間、または少なくとも３６時間行うことができる。別の一例では、共硬化は、３８時間以下、３６時間以下、３２時間以下、３０時間以下、２８時間以下、２５時間以下、以下２１時間、１８時間以下、１６時間以下、１４時間以下、１２時間以下、１０時間以下、８時間以下、７時間以下、６時間以下、５時間以下、４時間以下、３時間以下、または２時間以下行うことができる。さらに、研磨用本体前駆体および電子アセンブリを共硬化させることは、本明細書に記載されている最小値および最大値のいずれかを含む一定期間行うことができる。例えば、共硬化は、少なくとも０．５時間かつ３８時間以下を含む範囲、例えば、少なくとも４時間かつ１０時間以下を含む範囲、または少なくとも２０時間かつ３２時間以下を含む範囲の期間行うことができる。

この開示を読んだ後、当業者は、特定の実装形態に適するように、研磨用本体前駆体および電子アセンブリが硬化する温度に影響を及ぼし得る要因、例えば、硬化される前駆体材料の性質を考慮して、研磨用本体前駆体および電子アセンブリを共硬化させるための条件を決定できることを理解するであろう。

図１Ｂは、一実施形態に係る研磨用物品を形成するためのフローチャートを含む。図１Ｂに示すように、プロセスは、研磨用本体前駆体を形成するステップ１１０で開始することができる。研磨用本体前駆体は、本明細書の実施形態に記載されているプロセスのいずれかを使用して形成することができる。研磨用本体前駆体は、本明細書の実施形態に記載されるような研磨用本体前駆体の構成のいずれかを含むことができる。研磨用本体前駆体を形成するプロセスは、本明細書の実施形態に記載されるような混合物を形成することを含むことができる。

ステップ１１０で研磨用本体前駆体を形成した後、プロセスは、研磨用本体前駆体を最終的に形成される研磨用本体に形成することにより、ステップ１１１に続くことができる。適切な形成プロセスは、例えば、硬化、加熱、焼結、焼成、冷却、プレス、成形、またはそれらの任意の組み合わせを含むがこれらに限定されない本明細書の実施形態に記載されるものを含むことができる。一実施形態によれば、研磨用本体前駆体を最終的に形成される研磨用本体に形成するプロセスは、本明細書の実施形態に記載されるように、研磨用本体前駆体を形成温度に加熱することを含むことができる。

ステップ１１１で研磨用本体前駆体を最終的に形成される研磨用本体に形成した後、プロセスは、電子アセンブリを研磨用本体に取り付けることによってステップ１１２に続くことができ、電子アセンブリは少なくとも１つの電子デバイスを含む。取り付けるプロセスは、接着、化学結合、焼結結合、ろう付け、穴あけ、締結、接続、加熱、プレス、硬化、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。さらに、取り付け方法は、電子アセンブリの配置、向き、および露出を決定することができることが理解されるだろう。例えば、電子アセンブリの少なくとも一部は、研磨用物品の本体の外面に取り付けられ、露出され得る。一実施形態では、電子アセンブリの少なくとも一部は、研磨用物品の本体内に埋め込むことができ、電子アセンブリの別の一部は、露出させて研磨用物品の本体の外面から突出させることができる。

一実施形態では、電子アセンブリを研磨用本体に取り付けることは、電子アセンブリを研磨用本体の表面上に配置することを含むことができる。特定の一実施形態では、電子アセンブリは、研磨用本体の外面に配置することができる。外面の一例は、研磨用本体の主面または周辺面を含むことができる。特定の一例では、電子アセンブリは、材料除去操作中に損傷する可能性を低減するために、研磨用本体の研磨面ではない外面に配置することができる。別の特定の一例では、外面は、砥石車の主面または切断ホイールの主面などの研磨用本体の主面を含むことができる。さらに別の特定の一例では、外面は、中央開口部を有する研磨用本体の内周壁の表面とすることができる。

一実施形態では、電子アセンブリを研磨用本体に取り付けることは、電子アセンブリを加熱することを含むことができる。加熱は、電子アセンブリの研磨用本体への結合の改善を促進することができる温度で行うことができる。例えば、加熱は、電子アセンブリの一部がそのガラス転移温度に到達し、その後の冷却ステップで研磨用本体に付着できるような温度で実行することができる。別の一実施形態では、取り付けることは、研磨用本体の一部および電子アセンブリの一部がそれらのそれぞれのガラス転移温度に到達することができ、研磨用本体および電子アセンブリの結合がその後の冷却中に形成され得るように、研磨用本体および電子アセンブリを加熱することを含み得る。

別の一実施形態では、電子アセンブリを研磨用本体に取り付けることは、電子アセンブリの研磨用本体への連結の改善を促進するために高温で電子アセンブリをプレスすることを含むことができる。高温には、室温（つまり、２０℃～２５℃）より高い温度が含まれ得る。特定の一例では、高温は、電子アセンブリの一部を形成する材料のガラス転移温度、結合材料のガラス転移温度、またはその両方を含むことができる。別の特定の一例では、電子アセンブリをプレスすることは、少なくとも９０℃、例えば、少なくとも１００℃、少なくとも１１０℃、少なくとも１２０℃、少なくとも１２５℃、少なくとも１３０℃、少なくとも１５０℃、少なくとも１５０℃、または少なくとも１６０℃の温度で実行することができる。その代わりにまたはそれに加えて、電子アセンブリのプレスは、１８０℃以下、１７５℃以下、１７０℃以下、１６５℃以下、１６０℃以下、１５５℃以下、１５０℃以下、１４５℃以下、１４０℃以下、１３０℃以下、または１２５℃以下の温度で実行できる。さらに、電子アセンブリをプレスすることは、本明細書に記載される最小値および最大値のいずれかを含む範囲の温度で実行され得る。例えば、電子アセンブリをプレスすることは、少なくとも９０℃かつ１８０℃以下の範囲内の温度で実行されてもよい。

さらなる一例において、電子アセンブリをプレスすることは、電子アセンブリの結合本体への連結の改善および研磨用物品の形成を促進するために一定期間、例えば、少なくとも１０秒、少なくとも３０秒、少なくとも１分、少なくとも２分、少なくとも５分、少なくとも１０分、少なくとも１５分、少なくとも２０分、少なくとも２５分、または少なくとも３０分、実行することができる。その代わりにまたはそれに加えて、電子アセンブリをプレスすることは、３５分間以下、３０分間以下、２５分間以下、または２０分間以下実行され得る。さらに、電子アセンブリをプレスすることは、本明細書に記載される最小値および最大値のいずれかを含む範囲内の期間実行され得る。例えば、電子アセンブリをプレスすることは、少なくとも１０秒から３５分以下の間実行することができる。

さらなる一例では、電子アセンブリをプレスすることは、接合体への電子アセンブリの取り付けおよび研磨用物品の形成を促進するために、特定の圧力、例えば、少なくとも０．３バール、少なくとも１バール、少なくとも３バール、少なくとも５バール、少なくとも１０バール、少なくとも１５バール、少なくとも２０バール、少なくとも２５バール、少なくとも３０バール、少なくとも３５バール、少なくとも４０バール、少なくとも４５バール、または少なくとも５０バール、少なくとも６０バール、少なくとも６５バール、少なくとも７０バール、少なくとも７５バール、少なくとも８０バール、少なくとも８５バール、少なくとも９０バール、少なくとも１００バール、少なくとも１２０バール、少なくとも１３０バール、少なくとも１３５バール、少なくとも１４０バール、少なくとも１５０バール、少なくとも１６０バール、少なくとも１７０バール、または少なくとも１８０バールで実行することができる。その代わりにまたはそれに加えて、圧力は、最大２００バール、最大１９０バール、最大１８０バール、最大１７０バール、最大１６０バール、最大１５０バール、最大１４０バール、最大１３０バール、最大１２０バール、最大１１０バール、最大１００バール、最大９０バール、最大８０バール、最大７０バール、最大６０バール、または最大５０バールとすることができる。さらに、プレスすることは、本明細書に記載されている最小値と最大値のいずれかを含む範囲内の圧力で操作できる。例えば、プレスすることは、少なくとも１０バールかつ最大２００バールを含む範囲内の圧力で行うことができる。

特定の一例では、電子アセンブリを研磨用本体に取り付けることは、電子アセンブリおよび研磨用本体の少なくとも一部をオートクレーブ操作に供することを含むことができる。特定の一例では、オートクレーブを行って、複数の電子アセンブリを研磨用本体に取り付けることができる。一態様では、オートクレーブ操作は、例えば、少なくとも２バール、少なくとも５バール、少なくとも８バール、少なくとも１０バール、少なくとも１２バール、少なくとも１３バール、少なくとも１５バール、または少なくとも１６バールの圧力を電子アセンブリに印加することを含むことができる。その代わりにまたはそれに加えて、圧力は、最大１６バール、最大１３バール、最大１１バール、最大１０バール、最大９バール、最大７バール、最大５バール、最大３バール、または最大２バールとすることができる。さらに、オートクレーブは、本明細書に記載されている最小値と最大値のいずれかを含む圧力で操作され得る。例えば、オートクレーブの圧力は、少なくとも０．３バールかつ最大１６バールを含む範囲内とすることができる。

オートクレーブ操作は、少なくとも９０℃、例えば、少なくとも１００℃、少なくとも１１０℃、少なくとも１２０℃、少なくとも１２５℃、１３０℃以上、１５０℃以上、１５０℃以上、または１６０℃以上の温度で電子アセンブリを加熱することも含むことができる。その代わりにまたはそれに加えて、オートクレーブを実行するための加熱温度は、１６０℃以下、１５５℃以下、１５０℃以下、１４５℃以下、１４０℃以下、１３０℃以下、１２５℃以下、または１２０℃以下とすることができる。さらに、オートクレーブは、本明細書に記載されている最小値と最大値のいずれかを含む温度で操作することができる。オートクレーブを一定期間、例えば、少なくとも１０分間かつ３０分間以下作動させて、電子アセンブリを研磨用本体に連結することを促進することができる。

別の一実施形態では、電子アセンブリを研磨用本体に取り付けることは、研磨用アセンブリの少なくとも一部、研磨用本体の外面の少なくとも一部、または両方の上に結合材料を塗布することを含むことができる。結合材料は、ポリマー、無機材料、セメント材料、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。結合材料の特定の例は、セメント材料を含むことができる。セメント材料は、油圧式または非油圧式とすることができる。セメント材料のさらなる例は、酸化物、ケイ酸塩、例えば、カルシウム系ケイ酸塩、アルミニウム系ケイ酸塩、マグネシウム系ケイ酸塩、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。結合材料の別の例示は、接着剤を含むことができ、いくつかの特定の例では、接着剤はエポキシを含むことができる。さらなる一実施形態では、電子アセンブリを研磨用本体に取り付けることは、結合材料を硬化して、電子アセンブリに連結された研磨用本体を含む研磨用物品を形成することを含むことができる。いくつかの例では、硬化は少なくとも１５℃の温度で実行することができ、それに加えてまたはその代わりに、硬化は４０℃以下、例えば３５℃以下、または３０℃以下、または２５℃以下の温度で実行することができる。特に、セメント材料の硬化は、室温などの２０℃～４０℃の温度で実行することができる。

一実施形態では、電子アセンブリは、研磨用本体の少なくとも一部に連結され、直接接触することができる。いくつかの特定の例では、電子アセンブリは、研磨用本体の一部に結合することができる。例えば、電子アセンブリは、結合材料、研磨用、添加剤、またはそれらの任意の組み合わせなどの研磨用本体の構成要素に結合することができる。特定の実施形態では、電子アセンブリは、不正改ざん防止方式で研磨用本体に連結することができる。

図２Ａは、一実施形態に係る研磨用物品の一部の断面図を含む。図２Ｂは、一実施形態に係る図２Ａの研磨用物品の上面図を含む。

図２Ａおよび図２Ｂに示すように、研磨用物品２００は、本体２０１、第１の主表面２０２、第２の主表面２０３、および第１の主表面２０２と第２の主表面２０３との間に延びる側面または周辺表面を含む結合研磨用を含む。本体２０１は、結合材料２０６に含まれる砥粒２０７をさらに含むことができる。本体２０１は、本体２０１全域にわたって分布することができるオプションの空孔２０８をさらに含むことができる。砥粒２０７は、本明細書の実施形態のいずれかに記載される砥粒の特徴のいずれかを有することができる。

一実施形態によれば、結合材料２０６は、無機材料、有機材料、またはそれらの任意の組み合わせとすることができる。例えば、適切な無機材料は、金属、金属合金、ガラス質材料、単結晶材料、多結晶材料、ガラス、セラミックス、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。有機材料の適切な例には、熱可塑性材料、熱硬化性樹脂、エラストマー、またはそれらの任意の組み合わせが含まれ得るが、これらに限定されない。特定の一実施形態では、結合材料２０６は、樹脂、エポキシ、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。

一実施形態によれば、結合材料２０６は、本明細書の実施形態に記載される研磨用本体を形成するために使用される形成温度と同じ特定の形成温度を有することができる。例えば、結合材料２０６は、少なくとも２５℃、例えば少なくとも４０℃、または少なくとも６０℃、または少なくとも８０℃、または少なくとも１００℃、または少なくとも１５０℃、または少なくとも２００℃、または少なくとも３００℃、または少なくとも４００℃、または少なくとも５００℃、または少なくとも６００℃、または少なくとも７００℃、または少なくとも８００℃、または少なくとも９００℃、または少なくとも１０００℃、または少なくとも１１００℃、または少なくとも１２００℃、または少なくとも１３００℃の形成温度を有することができる。さらに、非限定的な一実施形態では、形成温度は、１５００℃以下、または１４００℃以下、または１３００℃以下、または１２００℃以下、または１１００℃以下、または１０００℃以下、または９００℃以下、または８００℃以下、または７００℃以下、または６００℃以下、または５００℃以下、または４００℃以下、または３００℃以下、または２００℃以下、または１００℃以下、または８０℃以下、または６０℃以下とすることができる。結合材料２０６の形成温度は、上記の最小値および最大値のいずれかを含む範囲内とすることができることが理解される。

本明細書で述べるように、本体２０１は、本体内に含まれる空孔２０８を含むことができる。例えば、本体２０１は、閉鎖空孔、開放空孔、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。閉鎖空孔は、一般的に、結合材料２０６内に含まれる別個の分離した細孔である。対照的に、開放空孔は、本体２０１を通って延びる相互接続されたチャネルを画定することができる。特定の一実施形態では、研磨用本体は、本体２０１の総体積に対して少なくとも０．５体積％から９５体積％以下の範囲内の空孔２０８の含有量を有することができる。

一実施形態によれば、研磨用物品２００は、第１の主表面２０２などの本体２０１の外面に取り付けられた電子アセンブリ２２０を含むことができる。一実施形態では、電子アセンブリ２２０は、パッケージ２２１内に含まれ得る少なくとも１つの電子デバイス２２２を含むことができる。パッケージ２２１は、電子アセンブリ２２０を本体２０１に取り付けるのに適していることがあり、その中に含まれる１つ以上の電子デバイスのいくつかの適切な保護を提供することができる。特定の例では、電子デバイス２２２は、パッケージ２２１内に封入することができる。

一実施形態によれば、電子デバイス２２２は、情報で書き込まれるか、情報を格納するか、または読み取り動作中に他のオブジェクトに情報を提供するように構成することができる。このような情報は、研磨用物品の製造、研磨用物品の動作、または電子アセンブリ２２０が遭遇する条件に関連する場合がある。本明細書における電子デバイスへの言及は、少なくとも１つの電子デバイスへの言及であると理解され、１つ以上の電子デバイスを含むことができる。少なくとも１つの実施形態では、電子デバイス２２２は、集積回路およびチップ、データトランスポンダ、高周波ベースのタグまたはチップを含むまたは含まないセンサ、電子タグ、電子メモリ、センサ、Ａ／Ｄコンバータ、トランスミッター、レシーバ、トランシーバ、変調器回路、マルチプレクサ、アンテナ、近距離無線通信デバイス、電源、ディスプレイ（例えば、ＬＣＤまたはＯＬＥＤスクリーン）、光学デバイス（例えば、ＬＥＤ）、全地球測位システム（ＧＰＳ）またはデバイス、またはそれらの任意の組み合わせを含む群から選択される少なくとも１つのデバイスを含むことができる。いくつかの場合において、電子デバイスは、オプションで、基板、電源、またはその両方を含むことができる。特定の一実施形態では、電子デバイス２２２は、パッシブ高周波識別（ＲＦＩＤ）タグなどのタグを含むことができる。別の一実施形態では、電子デバイス２２２は、アクティブ高周波識別（ＲＦＩＤ）タグを含むことができる。アクティブＲＦＩＤタグには、バッターまたは誘導容量性（ＬＣ）タンク回路などの電源を含めることができる。さらなる一実施形態では、電子デバイス２２２は、有線または無線とすることができる。

一態様によれば、電子デバイス２２２は、センサを含むことができる。センサは、サプライチェーン内の任意のシステムおよび／または個人によって選択的に操作できる。例えば、センサは、研磨用物品の形成中に１つ以上の処理条件を感知するように構成することができる。別の一実施形態では、センサは、研磨用物品の使用中に状態を感知するように構成されてもよい。さらに別の一実施形態では、センサは、研磨用物品の環境の状態を感知するように構成することができる。センサは、音響センサ（例えば、超音波センサ）、力センサ、振動センサ、温度センサ、水分センサ、圧力センサ、ガスセンサ、タイマー、加速度計、ジャイロスコープ、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。センサは、製造業者および／または顧客などの研磨用物品に関連する任意のシステムおよび／または個人に、センサによって感知された特定の状態を警告するように構成することができる。センサは、製造業者、流通業者、顧客、使用者、またはそれらの任意の組み合わせを含むがこれらに限定されない、サプライチェーン内の１つ以上のシステムおよび／または個人に警告信号を生成するように構成することができる。

別の一実施形態では、電子デバイス２２２は、近距離無線通信デバイスを含むことができる。近距離無線通信デバイスは、デバイスの特定の画定された半径内、通常は２０メートル未満の範囲内で電磁放射を介して情報を送信できる任意のデバイスであり得る。近距離無線通信デバイスは、例えば、センサを含む１つ以上の電子デバイスに連結され得る。特定の一実施形態では、センサは、近距離無線通信デバイスに連結され、近距離無線通信デバイスを介してサプライチェーン内の１つ以上のシステムおよび／または個人に情報を中継するように構成され得る。

代替の一実施形態では、電子デバイス２２２は、トランシーバを含むことができる。トランシーバは、情報を受信および／または情報を送信できるデバイスであり得る。通常、読み取り動作のための情報を格納する読み取り専用デバイスであるパッシブＲＦＩＤタグまたはパッシブ近距離無線通信デバイスとは異なり、トランシーバは、アクティブな読み取り動作を行う必要なしに、情報をアクティブに送信できる。さらに、トランシーバは、様々な選択周波数を介して情報を送信可能とすることができ、これは、サプライチェーン内の様々なシステムおよび／または個人との電子アセンブリの通信能力を改善し得る。

別の一実施形態では、電子アセンブリ２２０は、可撓性電子デバイスを含むことができる。例えば、電子デバイスは、電子デバイスの厚さの１３倍以下、電子デバイスの厚さの１２倍以下、電子デバイスの厚さの１０倍以下、電子デバイスの厚さの９倍以下、電子デバイスの厚さの８倍以下、電子デバイスの厚さの７倍以下、電子デバイスの厚さの６倍以下、電子デバイスの厚さの５倍以下などの特定の曲げ半径を有することができる。その代わりにまたはそれに加えて、電子デバイスは、電子デバイスの厚さの少なくとも半分、または少なくとも電子デバイスの厚さの曲げ半径を有することができる。可撓性電子デバイスは、本明細書に記載される最小値および最大値のいずれかを含む範囲内の曲げ半径を有することができることを理解すべきである。本明細書で使用されるように、曲げ半径は、内側の曲率に対して測定され、損傷することなく電子デバイスを曲げることができる最小の半径である。一実施形態では、曲げ半径は、可撓性電子デバイスの構造によって影響を受ける可能性がある。例えば、単層の可撓性電子デバイスは、その厚さの５倍以下の曲げ半径を有することができ、複数の層を有する可撓性電子デバイスは、その厚さの１２倍以下の曲げ半径を有することができる。

一態様では、可撓性電子デバイスは基板を含むことができ、基板は可撓性の材料を含むことができる。別の一態様では、可撓性電子デバイスは、フレキシブル基板を含むことができる。例えば、基板は、ポリマーなどの有機材料を含むことができる。別の一例では、基板は、導電性ポリエステルなどの可撓性の導電性材料を含むことができる。特定の一例では、基板は本質的に有機材料からなることができ、より具体的な例では、基板は本質的にポリマーからなることができる。ポリマーの特定の一例は、プラスチック材料を含むことができる。基板のより具体的な一例は、ポリエステル（例えば、ＰＥＴ）、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、またはポリイミド‐フルオロポリマーなどを含むことができる。基板の別の一例は、Ｐｙｒａｌｕｘ（登録商標）材料を含むことができる。いくつかのさらに特定の例では、基板は、本明細書に記載されている材料のうちの少なくとも１つから本質的になることができる。別の一実施形態では、基板は、可撓性の薄いシリコン層または単結晶シリコンを含むことができる。

さらなる一例では、基板は少なくとも１つの層を含むことができる。さらなる一態様では、可撓性電子デバイスは、プリント回路を含むことができる。別の一態様では、電子デバイスは複数の層を含むことができる。特定の一態様では、可撓性電子デバイスは、本質的に１つの層からなる基板を含むことができる。より具体的な一態様では、可撓性電子デバイスは、単層の電子デバイスとすることができる。

特定の一実施形態では、可撓性電子デバイスは、１ｍｍ以下、例えば０．８０ｍｍ以下、０．６０ｍｍ以下、０．５０ｍｍ以下、０．４０ｍｍ以下、０．３０ｍｍ以下、０．２０ｍｍ以下、０．１５ｍｍ以下、または０．１２ｍｍ以下、または０．１０ｍｍ以下の厚さを有することができる。その代わりにまたはそれに加えて、可撓性電子デバイスは、少なくとも０．０６ｍｍ、例えば、少なくとも０．０８ｍｍ、少なくとも０．１０ｍｍ、少なくとも０．１２ｍｍ、少なくとも０．１５ｍｍ、または少なくとも０．２０ｍｍの厚さを有することができる。さらに、可撓性電子デバイスは、本明細書に記載される最小値および最大値のいずれかを含む厚さを有することができる。

一実施形態では、電子アセンブリ２２０は、フレキシブルプリント回路を含むことができる。一例では、図２Ａおよび図２Ｂに示されるように、フレキシブルプリント回路は、パッケージ２２１内に含まれ得る。特定の例では、フレキシブルプリント回路は、パッケージ内に封入することができる。本明細書の実施形態に開示されるフレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）などの可撓性電子デバイスは、少なくともアーキテクチャ特性のために、プリント回路基板（ＰＣＢ）とは異なると考えられる。そのような特性により、電子アセンブリを研磨用本体に連結するために特定の配置および配向を実装することが可能になる。例えば、そのような特性により、電子アセンブリを不正改ざん防止方式で連結することができる。

一実施形態では、本明細書の実施形態で説明される可撓性電子デバイスは、コーティングされた研磨用、不織布研磨用、薄型ホイールなどを含む研磨用物品に特に適している場合がある。いくつかの状況では、単層のフレキシブル電子機器をコーティングされた研磨用または不織布研磨用に結合しても、研磨用の厚さ、可撓性、またはその他の性能に検出可能な変化または目立った変化が生じない場合がある。特定の状況では、フレキシブル電子機器を利用することで、ホイールへの電子アセンブリの連結による不均一な重量配分によって引き起こされ得るホイールの不均衡などの問題を防ぐのを助長することができる。

一実施形態では、電子アセンブリが研磨用本体に連結されている間、電子デバイスは、特定の通信範囲を有することができる。本明細書で使用される場合、通信範囲は、適用できる場合、近距離通信または遠距離通信方式を使用して、ＩＳＯ／ＩＥＣ１８０００（１２５Ｋｈｚ－５．８Ｇｈｚ）、またはＩＳＯ／ＩＥＣ１５６９３、ＩＳＯ／ＩＥＣ１４４４３、ＥＰＣ Ｇｌｏｂａｌ Ｇｅｎ２、またはＩＳＯ／ＩＥＣ２４７５３などの関連規格に従って決定できる。適用できる規格は、電子デバイスの無線周波数に基づいて選択される。研磨用物品は３軸ターンテーブルに配置でき、送信アンテナまたは受信アンテナは、異なる方向の通信範囲をテストできるように配置できる。

一実施形態では、電子デバイスは、少なくとも１．０メートル、少なくとも１．５メートル、少なくとも２．０メートル、少なくとも２．５メートル、少なくとも３．０メートル、少なくとも３．５メートル、少なくとも４．０メートル、少なくとも４．５メートル、少なくとも５．０メートル、少なくとも５．５メートル、少なくとも６．０メートル、少なくとも６．５メートル、少なくとも７．０メートル、少なくとも７．５メートル、少なくとも８．０メートル、少なくとも８．５メートル、少なくとも９．０メートル、少なくとも９．５メートル、少なくとも１０メートル、少なくとも１１メートル、少なくとも１２メートル、少なくとも１３メートル、少なくとも１４メートル、少なくとも１５メートル、少なくとも１６メートル、少なくとも１７メートル、少なくとも１８メートル、少なくとも１９メートル、または少なくとも２０メートルの通信範囲を有することができる。それに加えてまたはその代わりに、電子デバイスは、２０メートル以下、１９メートル以下、１８メートル以下、１７メートル以下、１６メートル以下、１５メートル以下、１４メートル以下、１３メートル以下、１２メートル以下、１１メートル以下、１０メートル以下、９．０メートル以下、８．５メートル以下、８．０メートル以下、７．５以下メートル、７．０メートル以下、６．５メートル以下、６．０メートル以下、５．５メートル以下、５．０メートル以下、４．５メートル以下、４．０メートル以下、３．５メートル以下、３．０メートル以下、２．５メートル以下、または２．０メートル以下の通信範囲を有することができる。さらに、電子デバイスの通信範囲は、本明細書に記載されている最小値および最大値のいずれかを含む範囲とすることができる。

別の一実施形態では、研磨用物品は、より高い通信範囲を有するアクティブＲＦＩＤなどの特定の電子デバイスを含むことができる。いくつかの場合では、通信範囲は、少なくとも１００メートル、少なくとも２００メートル、少なくとも４００メートル、少なくとも５００メートル、または少なくとも７００メートルとすることができる。別の一例では、通信範囲は、１０００メートル以下、例えば、８００メートル以下、または７００メートル以下とすることができる。通信範囲は、本明細書に記載されている最小値および最大値のいずれかを含む範囲とすることができることを理解すべきである。

別の一実施形態では、研磨用物品は、３５ｍｍ以下、３０ｍｍ以下、または２５ｍｍ以下の通信範囲を有する電子デバイスを含むことができる。それに加えてまたはその代わりに、電子デバイスは、少なくとも１０ｍｍ、少なくとも１５ｍｍ、少なくとも２０ｍｍ、または少なくとも２５ｍｍの通信範囲を有することができる。さらに、電子デバイスの通信範囲は、本明細書に記載されている最小値および最大値のいずれかを含む範囲とすることができる。本開示を読んだ後、当業者は、通信範囲が、電子デバイスの性質、電子アセンブリの構成および材料、連結の方法、研磨用物品の構成およびタイプ、またはそれらの任意の組み合わせなどの要因によって影響を受ける可能性があることを理解するであろう。当業者はまた、特定の用途に適合することができる研磨用物品を形成するために、任意のまたはすべての要因の選択を行い、組み合わせることができることを理解するであろう。

一実施形態によれば、パッケージ２２１は、熱障壁材料を含むことができる。例えば、熱障壁材料は、熱可塑性ポリマー（例えば、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、ポリケトン、ポリベンズイミダゾール、ポリエステル）、熱可塑性ポリマーのブレンド、熱硬化性ポリマー（例えば、エポキシ、シアノエステル、フェノールホルムアルデヒド、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、架橋可能な不飽和ポリエステル）、熱硬化性ポリマーのブレンド、セラミックス、サーメット、金属、金属合金、ガラス、またはそれらの任意の組み合わせを含むがこれらに限定されない材料のグループからの材料を含むことができる。特定の一実施形態によれば、パッケージ２２１は、最終形成研磨用物品を形成するために使用される形成温度を含む、１つ以上のプロセスに耐えるのに適した熱障壁材料を含むことができる。

別の一実施形態によれば、パッケージ２２１の熱障壁材料は、その中に含まれる１つ以上の電子デバイスを保護するのに適する可能性のある特定の熱伝導率を有することができる。例えば、熱障壁パッケージは、少なくとも０．３３Ｗ／ｍ／Ｋ、例えば、少なくとも約０．４０Ｗ／ｍ／Ｋ、例えば、少なくとも０．５０Ｗ／ｍ／Ｋ、または少なくとも１Ｗ／ｍ／Ｋ、または少なくとも２Ｗ／ｍ／Ｋ、または少なくとも５Ｗ／ｍ／Ｋ、または少なくとも１０Ｗ／ｍ／Ｋ、または少なくとも２０Ｗ／ｍ／Ｋ、または少なくとも５０Ｗ／ｍ／Ｋ、または少なくとも８０Ｗ／ｍ／Ｋ、または少なくとも１００Ｗ／ｍ／Ｋ、または少なくとも１２０Ｗ／ｍ／Ｋ、または少なくとも１５０Ｗ／ｍ／Ｋ、または少なくとも１８０Ｗ／ｍ／Ｋの熱伝導率を有することができる。さらに別の非限定的な一実施形態では、熱障壁材料は、２００Ｗ／ｍ／Ｋ以下、例えば、１８０Ｗ／ｍ／Ｋ以下、または１５０Ｗ／ｍ／Ｋ以下、１２０Ｗ／ｍ／Ｋ以下、または１００Ｗ／ｍ／Ｋ以下、または８０Ｗ／ｍ／Ｋ以下、または６０Ｗ／ｍ／Ｋ以下、または４０Ｗ／ｍ／Ｋ以下、２０Ｗ／ｍ／Ｋ以下、または１０Ｗ／ｍ／Ｋ以下の熱伝導率を有することができる。熱障壁材料は、例えば、少なくとも０．３３Ｗ／ｍ／Ｋから２００Ｗ／ｍ／Ｋ以下の範囲内を含む、上記の最小値および最大値のいずれかを含む範囲内の熱伝導率を有することができることが理解される。

一実施形態によれば、パッケージ２２１は、熱障壁材料とその中に含まれる電子デバイスとの間にある体積空間を封入する熱障壁材料を含むことができる。一実施形態では、体積空間は、１つ以上の製造プロセスを介した電子デバイスの存続および／または電子アセンブリの改善された性能に適した特定のガス状材料を含むことができる。ガス状材料のいくつかの適切な例は、希ガス、窒素、空気、酸素、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。

別の一実施形態では、体積空間は、１つ以上の製造プロセス中の電子デバイスの存続および／または電子アセンブリの改善された性能を促進し得る特定の圧力を有することができる。例えば、一実施形態では、電子アセンブリ内の圧力は、大気圧より低くすることができる。さらに別の一実施形態では、電子アセンブリ内の圧力は、大気圧よりも高くすることができる。さらに別の一実施形態では、体積空間の少なくとも一部を液体材料で満たすことができ、これにより、１つ以上の製造作業中の電子デバイスの存続および／または電子アセンブリの性能の向上が促進され得る。ガス状材料または液体材料は、電子デバイスへの熱損傷を制限するために特に適切な熱伝導率を有することができる。

さらに別の一態様では、パッケージ２２１は、特定の水蒸気透過率を有する１つ以上の材料を含み、パッケージ２２２の外部から内部に移動する水および水蒸気を低減または排除することができる。このようなパッケージは、電子アセンブリ２２０内に含まれる１つ以上の電子デバイス２２２への損傷を低減または排除するのに適している可能性がある。一実施形態によれば、パッケージ２２１は、水蒸気透過率を有する材料を含むことができる。一実施形態では、バリア層は、従来の研磨工具と比較して、結合研磨用本体への水蒸気の透過を防止または低減することができる。非限定的な一実施形態では、パッケージ２２１および／またはパッケージ２２１を含む１つ以上の材料は、ＡＳＴＭ Ｆ１２４９－０１（変調された赤外線センサを使用したプラスチックフィルムとシートを介した水蒸気透過率の標準試験方法）に従って測定される場合、約２．０ｇ／ｍ^２・日（つまり、１平方メートルあたりのグラム数、２４時間あたり）以下、例えば、約１．５ｇ／ｍ^２・日以下、例えば、約１ｇ／ｍ^２・日以下、または約０．１ｇ／ｍ^２・日以下、または約０．０１５ｇ／ｍ^２・日以下、または約０．０１０ｇ／ｍ^２・日以下、または約０．００５ｇ／ｍ^２・日以下、または約０．００１ｇ／ｍ^２・日以下、またはさらに約０．０００５ｇ／ｍ^２・日以下の水蒸気透過率（ＷＶＴＲ）を有することができる。別の非限定的な一実施形態では、パッケージ２２２１、したがってパッケージ２２１の１つ以上の材料のＷＶＴＲは、少なくとも０．００００１ｇ／ｍ^２・日など、０ｇ／ｍ^２・日よりも大きくすることができる。ＷＶＴＲは、本明細書に記載される最小値および最大値のいずれかを含む範囲内とすることができることが理解される。例えば、ＷＶＴＲは、少なくとも０．００００１ｇ／ｍ^２・日かつ２．０ｇ／ｍ^２・日以下を含む範囲内など、０ｇ／ｍ^２・日よりも大きく２．０ｇ／ｍ^２・日以下を含む範囲内とすることができる。

別の一態様では、電子デバイス２２２は、１つ以上の電磁放射波長を介して情報を送信するように構成することができる。したがって、パッケージ２２１は、情報を受信および／または送信するために電子デバイス２２２によって使用される電磁放射の周波数または波長に対して実質的に透過的または透過性とすることができる。例えば、パッケージ２２１は、３ｋＨｚ～３００ＧＨｚの周波数および１ｍｍ～１００ｋｍの範囲内のおおよその波長を有する電磁放射など、高周波スペクトルの電磁放射に対して透過的である１つ以上の材料を含むことができる。そのような材料のいくつかの適切な例は、ガラス、セラミックス、熱可塑性樹脂、エラストマー、熱硬化性樹脂などの非金属材料を含むことができる。

本明細書の実施形態で述べるように、電子デバイス２２２は、１つ以上のシステムおよび／または個人と通信するように構成することができる。特定の例では、電子デバイス２２２は、モバイルデバイスと通信するように構成することができる。モバイルデバイスは、個人的な使用を目的とし、個人によって持ち運ばれるまたは使用されるように構成された電子デバイスとして理解されるであろう。

一実施形態によれば、電子デバイス２２２は、読み取り専用デバイスを含むことができる。代替の一実施形態では、電子デバイス２２２は、読み書きデバイスとすることができる。読み取り専用デバイスは、情報を格納することができるデバイスであり、アクティブな読み取り動作でシステムおよび／または個人が読み取ることができることが理解される。アクティブな読み取り動作は、電子デバイス２２２に格納された情報にアクセスするためのシステムおよび／または個人による任意のアクションを含む。読み取り専用デバイスは、情報を格納するためにアクティブな書き込み動作で書き込むことができない。対照的に、読み書きデバイスは、アクティブな読み取り動作で情報をデバイスから読み取ることができる電子デバイスであり得るか、またはアクティブな書き込み動作で１つ以上のシステムおよび／または個人が電子デバイスに情報を格納できる。電子デバイス２２２に格納することができる情報のいくつかの適切な例は、製造情報および／または顧客情報を含むことができる。一実施形態によれば、製造情報は、処理情報、製造日、出荷情報、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができるが、これらに限定されない。別の一実施形態によれば、顧客情報は、登録情報、製品識別情報、製品コスト情報、製造日、出荷日、環境情報、使用情報、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができるが、これらに限定されない。顧客登録情報は、顧客の口座番号などの特定の情報を含むことができる。環境情報は、輸送、保管、または使用中に研磨用物品が遭遇する状態（例えば、水蒸気、温度など）に関する寿命または一般的な情報に関する詳細を含むことができる。使用情報は、例えば、適切なホイール速度、力、使用される機械の動力、バースト速度などを含むがこれらに限定されない、ホイールの使用条件に関する詳細を含むことができる。

さらなる一実施形態では、パッケージ２２１は、電子デバイスが１つ以上の形成プロセス、環境条件、または研磨作業に耐えるか、または電子アセンブリの研磨用本体への結合を促進するのを助けることができる保護層を含むことができる。例えば、保護層は、電子アセンブリの湿気または湿度に対する改善された耐性を促進することができる。別の一例では、保護層は、改善された機械的完全性、特定の圧力または化学腐食に対する耐性、または改善された電気絶縁、またはいくつかの例では改善された熱抵抗を促進することができる。一実施形態では、保護層は、電子デバイスの少なくとも一部を覆うことができる。一態様では、保護層は、電子デバイスと接触することができる。さらなる一態様では、保護層は、研磨用本体から離間されていてもよい。別の一実施形態では、保護層は、研磨用本体の少なくとも一部と接触することができる。さらに別の一実施形態では、保護層は電子デバイスを封入することができる。

図２Ｃを参照すると、例示的な電子アセンブリ２２０の断面が示されている。電子アセンブリ２２０は、基板２５９上に配置された電子デバイス２５６および２５７の外面を覆い、それに接触する保護層２５４を含む。図示のように、電子デバイス２５７の上面および側面は、保護層２５４によって覆うことができ、電子デバイス２５６の上面のみが、保護層２５４によって覆われる。一実施形態では、電子デバイス２５７はトランスデューサを含むことができ、電子デバイス２５６は高周波ベースのタグを含むことができる。トランスデューサの一例は、送信機、受信機、またはアンテナなどを含むことができる。電子デバイス２５６および２５７は、本明細書の実施形態に記載されている任意の電子デバイスを含むことができることを理解すべきである。図示のように、保護層２５４は、基板２５９の外面の下にあり、接触している。いくつかの例では、基板は、保護層として機能するか、または電子アセンブリの研磨用本体への連結を促進して、基板の下に配置される保護層の使用を不要にすることができる。別の一例では、電子デバイス２５７は、研磨用本体および基板と直接接触することができるか、または保護層は、研磨用本体と電子デバイス２５７との間に必要とされないことが可能である。別の一例では、保護層は、電子デバイスの下になるように配置することができ、電子デバイス２５７、２５６の上面および側面は、保護層で覆われていなくてもよい。さらなる一実施形態では、電子アセンブリ２２０は、追加の保護のために保護層２５４の上および／または下に配置される追加の保護層を含むことができる。図２Ｄに示すように、研磨用物品２００の別の一例は、研磨用本体２０１と、保護層２５４を覆う追加の層２６０を含む電子アセンブリ２２０とを含むことができる。電子アセンブリ２２０は、基板２５９上に配置される電子デバイス２５６および２５７をさらに含む。図示のように、保護層２５４は、基板２５９の露出した上面および電子デバイス２５６の外面を覆うように配置することができる。追加の層２６０は、保護層２５４と同じ材料または異なる材料を含む追加の保護層とすることができる。

一実施形態では、保護層は、有機材料、無機材料、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。いくつかの例では、保護層は、パリレン、シリコーン、アクリル、エポキシベースの樹脂、セラミックス、合金（例えば、ステンレス鋼）などの金属、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリイミド、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、ポリウレタン（ＰＵ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、高機能ポリマー（例えば、ポリエステル、ポリウレタン、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリスルホン（ＰＳＵ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリ（フェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、芳香族ポリマー、ポリ（ｐ－フェニレン）、エチレンプロピレンゴム、および／または架橋ポリエチレン）、またはＰＴＦＥなどのフルオロポリマーなどを含むことができる。いくつかの場合、保護層は、電子アセンブリに含まれるアンテナと同じ金属を含むことができる。いくつかの例では、保護層は、ポリマーコーティング、例えば、エポキシベースの樹脂コーティングなどのポリマーコーティング、またはセラミックスコーティング層などのセラミックスコーティングなどのコーティングの形態とすることができる。別の一例では、保護層は、テフロン（登録商標）テープ、ＰＥＴテープ、またはカプトン（登録商標）テープなどの片面に接着剤を備えたポリイミドフィルムなどのテープの形態であってもよい。

いくつかの例では、保護層は、研磨用物品が例えば温度または湿度に曝される環境条件を感知するなと、感知要素がその機能を実行ために感知要素を露出可能にする少なくとも１つの開口部を含むことができる。

さらなる一実施形態では、保護層は、いくつかの操作で使用される冷却剤またはスラリーなどの特定の流体によって引き起こされる潜在的な損傷から電子デバイスを保護するのに役立つ疎水性層を含むことができる。例示的な疎水性層は、酸化マンガンポリスチレン（ＭｎＯ_２／ＰＳ）ナノ複合材、酸化亜鉛ポリスチレン（ＺｎＯ／ＰＳ）ナノ複合材、炭酸カルシウム（例えば、沈降炭酸カルシウム）、カーボンナノチューブ、シリカナノコーティング、フッ素化シラン、フルオロポリマー、またはそれらの任意の組み合わせを含む材料を含むことができる。例示的な形成プロセスにおいて、疎水性層は、本明細書に記載される材料のいずれかを含むゲルベースまたはエアロゾルベースの溶液を調製し、電子デバイスにまたは保護層上に塗布することによって形成することができる。

さらなる一実施形態では、保護層は、電子アセンブリがオートクレーブ操作に耐え、電子アセンブリの研磨用本体への結合を促進するのを助けることができるオートクレーブ可能な材料を含むことができる。いくつかの場合は、オートクレーブ可能な材料はまた、電子アセンブリの改善された耐環境性および電気的完全性を促進することができる。例示的な材料は、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、音響ＰＶＢ、熱制御ＰＶＢ、エチレン酢酸ビニル（ＥＶＡ）、熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）、アイオノマー、熱可塑性材料、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンビニルアセテート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶｆ）、ポリアクリレート（ＰＡ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリウレタン（ＰＵＲ）、またはこれらの組み合わせを含むことができる。

一実施形態では、パッケージは、本明細書の実施形態に記載されるような、保護層、熱障壁、圧力障壁、またはそれらの任意の組み合わせのいずれかを含むことができる。パッケージの構成要素層のいずれも、押し出し、印刷、吹き付け、コーティングなどによって形成することができる。複数の層を含むパッケージは、接着、積層、コーティング、印刷などによって形成することができる。特定の実施形態では、加熱、硬化、プレス、またはそれらの任意の組み合わせなどの処理を行って、構成要素層またはパッケージを形成することができる。例えば、前駆体材料を使用して硬化させ、保護層を形成することができる。

一実施形態では、電子アセンブリは、研磨用本体に連結することができる。いくつかの場合、研磨用本体への連結は、直接的または間接的とすることができる。特定の例では、電子アセンブリは、不正改ざん防止方式で研磨用本体に連結することができる。別の一実施形態によれば、図２Ａまたは図２Ｂに示されるように、電子アセンブリ２２０は、本体２０１と直接接触することができ、いくつかの特定の例では、電子アセンブリ２２０は、本体２０１の第１の主表面２０２などの本体２０１の外面に直接結合することができる。より具体的な例では、電子アセンブリ２２０は、研磨用本体２０１の内周領域２３１内に配置することができる。例えば、図２Ｂに示すように、本体２０１は、内周領域２３１および外周領域２３２を有することができる。内周領域２３１および外周領域２３２は、上から見たときに、研磨用本体の別個の同軸領域であり得る。一実施形態によれば、外周領域２３２は、本体２０１の外周を画定する側壁２０４を含むことができる。本体２０１は、側壁２０４と中央開口部（すなわち、アーバー穴）２０５の壁との間の半径方向距離によって画定される幅２３３を有することができる。内周領域２３１は、側壁２０４から離間し、本体２０１の内側領域を画定することができる。より具体的には、内周領域２３１は、中央開口部２０５から半径方向外側におよそ幅２３３の半分以下の距離にわたって延びることができる。図２Ｂにおいて図示されているように、内周領域２３１は、点線と中央開口部２０５を画定する壁との間の領域である。内周領域２３１は、顧客および材料除去作業によって使用される可能性が低い本体２０１の一部を含み得る。

本明細書の実施形態は、研磨用アセンブリの本体２０１に連結することができる電子アセンブリ２２０を取り付ける様々な方法を含む。例えば、電子アセンブリ２２０は、第１の主表面２０２などの研磨用本体２０１の外面に直接結合することができる。電子アセンブリ２２０は、例えば、第２の主表面２０３の一部を含む、本体２０１の他の表面に直接結合することができることが理解される。

図２Ｅは、内周壁２５１および外周壁２５２を有する研磨用本体２０１を含む研磨用物品２００の別の一例の上面図の例示を含む。図示された特定の実装形態では、電子アセンブリ２２０は、内周壁２５１の表面に配置される。結合剤は、電子アセンブリ２２０の少なくとも一部および内周壁２５１の表面の少なくとも一部の上に塗布することができる。例示的な結合剤は、セメント材料、有機材料、または結合材料などを含むことができる。結合剤の硬化により、電子アセンブリを研磨用本体に結合させることができる。特定の一実施形態では、結合剤はセメント材料を含むことができ、より具体的な例では、セメント材料は室温で硬化することができる。

特定の一例では、結合剤は、内周壁２５１の表面上に層２５３を形成することができ、より具体的には、層２５３は、実質的に内周壁の表面全体を覆うことができる。図示のように、電子アセンブリ２２０は、層２５３に完全に埋め込むことができる。一実施形態では、電子アセンブリ２２０の一部を層２５３に埋め込むことができ、電子アセンブリ２２０の一部を環境に曝すことができる。電子アセンブリの一部を露出させることは、研磨用物品の動作または保管状態の検出など、電子デバイスがその機能を実行するのに役立つ可能性がある。さらなる一実施形態では、電子アセンブリ２２０の一部は、層２５３の表面の上方にあり得る。一実施形態では、研磨用物品は、砥石車などの結合研磨用物品を含み得る。より具体的な一例では、研磨用物品２００の研磨用本体は、ガラス質材料、セラミックス材料、ガラス、金属、酸化物、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。

図３Ａは、一実施形態に係る研磨用物品の一部の断面図を含む。より具体的な一実施形態では、研磨用物品は、本体３０１、外面３０２、および本体３０１の外面３０２に取り付けられた電子アセンブリ３１０を含む結合研磨用を含む。図示のように一実施形態によれば、電子アセンブリ３１０は、パッケージ３１１と、パッケージ３１１内に含まれる少なくとも１つの電子デバイス３１２とを含むことができる。図３Ａにさらに示されるように、パッケージ３１１は、少なくとも１つの電子デバイス３１２の概ね３つの表面の周りに延びることができる。しかしながら、図示のように特定の一実施形態では、電子デバイス３１２の少なくとも一部は、本体３０１の外面３０２と直接接触することができる。さらに、パッケージ３１１の少なくとも一部は、本体３０１の外面３０２と直接接触することができる。一実施形態では、電子アセンブリ３１０の全体は、本体３０１の外面３０２上に配置することができる。そのような例では、パッケージ３１１および少なくとも１つの電子デバイス３１２を含む電子アセンブリ３１０の本質的にいかなる部分も、外面３０２の下に配置されないか、または本体３０１の一部に埋め込まれない。

一実施形態では、非研磨用部分は、外面３０２の少なくとも一部および電子アセンブリ３０１の少なくとも一部の上に配置することができる。例えば、非研磨用部分は、電子アセンブリの少なくとも一部および研磨用本体の少なくとも一部を覆う最終的に形成される研磨用物品の外面を形成することができる。別の一例では、非研磨用部分は、露出した外面３０２および電子アセンブリ３１０の露出した外面を完全に覆うことができる。さらなる一例では、非研磨用部分は、電子アセンブリ３１０の少なくとも一部および外面３０２の少なくとも一部と直接接触していてもよい。非研磨用部分の例は、布地、繊維、フィルム、織布材料、不織布材料、ガラス、ガラス繊維、セラミックス、ポリマー、樹脂、ポリマー、フッ素化ポリマー、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン、ポリエステル、ゴム、ポリイミド、ポリベンゾイミダゾール、芳香族ポリアミド、変性フェノール樹脂、紙、またはそれらの任意の組み合わせを含む材料を含むことができる。

例示的な形成プロセスにおいて、非研磨用部分は、電子アセンブリの少なくとも一部および研磨用本体の少なくとも一部を覆って塗布されてもよく、それらの組み合わせは、最終的に形成される研磨用本体を形成するためのさらなる処理を受けることができる。さらなる処理は、加熱、プレス、硬化、またはそれらの任意の組み合わせなど、本明細書の実施形態に記載されている任意の処理を含むことができる。形成プロセスの特定の一例では、非研磨用部分を電子アセンブリ上に直接配置することができ、電子アセンブリは、研磨用本体の内周領域の外面の一部に配置される。非研磨用部分は、内周領域全体を覆うことができる。非研磨用部分を高温で電子アセンブリおよび本体に押し付けて、最終的に形成される研磨用本体を形成することができ、非研磨用部分は、電子アセンブリおよび結合研磨用本体に取り付けることができ、電子アセンブリを研磨用本体に結合することができる。

いくつかの例では、電子アセンブリは、研磨用本体前駆体の表面上に配置することができ、非研磨用部分は、電子アセンブリおよび研磨用本体前駆体の表面の少なくとも一部を覆って配置することができる。電子アセンブリ、研磨用本体前駆体、またはその両方の硬化によって、電子アセンブリと研磨用本体との間の結合、および非研磨用部分の研磨用本体への取り付けを実現可能とするために、熱を印加することができる。一例では、非研磨用部分は、結合研磨用本体の外面の少なくとも一部、電子アセンブリの一部、またはその両方に直接取り付けることができる。

特定の一実施形態では、非研磨用部分は、補強構成要素、布の層、織布または不織布材料を含む層、繊維または吸取り紙などを含む層、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。別の特定の一実施形態では、研磨用本体は、砥石車、切断ホイールなどの薄型ホイール、組み合わせホイール、または超薄型ホイールの結合体とすることができる。より具体的な実施形態では、結合体は有機結合材料を含むことができ、さらにより具体的な実施形態では、結合材料は本質的に有機材料からなることができる。薄型ホイールの特定の一例では、結合体は、本体内に、少なくとも１つの研磨用部分と、結合体の表面に取り付けられた非研磨用部分と同じまたは異なることができる少なくとも１つの非研磨用部分とを含むことができる。研磨用本体内の非研磨用部分の一例は、補強構成要素を含むことができる。

図３Ｂは、一実施形態に係る研磨用物品の一部の断面図を含む。特に、図３Ｂは、外面３０２を含む本体３０１と、本体３０１の外面３０２に連結された電子アセンブリ３２０とを有する結合研磨用を含む。図３Ｂに示すよう名実施形態では、電子アセンブリ３２０は、パッケージ３２１と、パッケージ３２１内に含まれる少なくとも１つの電子デバイス３２２とを含むことができる。図３Ｂにさらに示すように、一実施形態によれば、電子アセンブリ３２０は、パッケージ３２１と、パッケージ３２１内に含まれる少なくとも一つの電子デバイス３２２とを含むことができる。図３Ｂにさらに示されるように一実施形態によれば、電子アセンブリ３２０の少なくとも一部は、本体内に含まれ、本体３０１の外面３０２の下に延びることができる。より具体的な例では、パッケージ３２１の一部は、外面３０２の下に延び、本体３０１内に埋め込まれることができる。図３Ｂに示されるように、電子デバイス３２２の下のパッケージ３２３の一部は、本体３０１内および本体３０１の外面３０２の下に延びることができる。特定の例では、少なくとも１つの電子デバイス３２２の本質的にすべてをパッケージ３２１内に含め、本体３０１の外面３０２の上方に含めることができる。例えば、図３Ｂの図示の実施形態では、本質的に、電子デバイス３２２のいずれも本体３０１と接触しておらず、完全にパッケージ３２１内に含まれていない。

図３Ｃは、一実施形態に係る研磨用物品の一部の断面図を含む。図示のように、研磨用物品は、外面３０２を含む本体３０１と、本体３０１に連結された電子アセンブリ３３０とを含むことができる。より具体的には、電子アセンブリ３３０は、少なくとも１つの電子デバイス３２２の少なくとも一部を内部に含むように構成されたパッケージ３３１を含むことができる。一実施形態によれば、電子アセンブリ３３０は、第１の埋め込み部分３３４および第２の埋め込み部分３３５を含むことができる埋め込み部分３３３を含むことができる。埋め込み部分は、単一部分または複数の異なる部分を含み得ることが理解される。第１および第２の埋め込み部分３３４および３３５は、本体３０１の外面３０２の下で、本体３０１の内部体積内に延びるように構成され得る。特定の一実施形態では、第１の埋め込み部分３３４および第２の埋め込み部分３３５は、本体３０１の結合材料に直接結合することができる。埋め込み部分３３３、特に第１および第２の埋め込み部分３３４および３３５は、外面３０２の下で本体３０１内に延びるパッケージ３３１の延長部であり得る。第１および第２の埋め込み部分３３４および３３５は、電子アセンブリ３３０と本体３０１との間の強力な取り付けを促進するのに適したサイズおよび形状を有することができる。例えば、図３Ｃに示すように、第１および第２の埋め込み部分３３４および３３５は、電子アセンブリ３３０の本体３０１との堅固かつ永久的な取り付けを促進するために互いに反対方向に延びる湾曲したタブであり得る。１つ以上の埋め込み部分の他の形状、サイズ、および配向が、電子アセンブリ３３０と本体３０１との間の取り付けを促進するために使用され得ることが理解される。

一実施形態によれば、埋め込み部分３３３は、本体３０１との適切な係合を促進する電子アセンブリの総体積に対して特定のサイズを有することができる。例えば、埋め込み部分３３３は、電子アセンブリの総体積の少なくとも１％、例えば、少なくとも５％。または少なくとも１０％、または少なくとも１５％、または少なくとも２０％、または少なくとも３０％、または少なくとも４０％、または少なくとも５０％、または少なくとも６０％、または少なくとも７０％、または少なくとも８０％、またはさらには電子アセンブリ３３０の総体積の少なくとも９０％とすることができる。さらに、別の非限定的な一実施形態では、埋め込み部分３３３は、例えば、電子アセンブリの総体積の９５％以下、例えば、の特定のサイズを有することができる。 ９０％以下、または８０％以下、または７０％以下、または６０％以下、または５０％以下、または４０％以下、または３０％以下、または２０％以下、または１０％以下、または電子アセンブリの総体積の５％以下の特定のサイズを有することができる。埋め込み部分３３３は、電子アセンブリ３３０の体積に対して、上記の最小および最大百分率のいずれかを含む範囲内にあるサイズを有することができることが理解される。さらに、本体３０１内における電子アセンブリ３３０の適切な取り付けを促進するために、代替のサイズおよび形状の埋め込み部分が利用されてもよいことが理解される。

図３Ｃの実施形態にさらに示されているように、電子デバイス３３２の少なくとも一部は、本体３０１と直接接触することができ、より具体的には、本体３０１の外面３０２と直接接触することができる。しかしながら、他の実施形態では、電子デバイス３３２は、パッケージ３３１内に完全に含まれることができ、埋め込み部分３３３は、パッケージ３３１から本体３０１内に延びることができる。

別の一実施形態によれば、特定の量の電子アセンブリ３３０を、本体３０１の外面３０２の下の本体３０１の内部体積内に含まれ得る。例えば、電子アセンブリ３３０の総体積の少なくとも１％、例えば、少なくとも５％、または少なくとも１０％、または少なくとも１５％、または少なくとも２０％、または少なくとも３０％、または少なくとも４０％、または少なくとも５０％、または少なくとも６０％、または少なくとも７０％、または少なくとも８０％、または少なくとも９０％は、研磨用本体３０１の内部体積内に含まれ得る。さらに、別の非限定的な一実施形態では、電子アセンブリの９９％以下、例えば、９５％以下、または９０％以下、または８０％以下、または７０％以下、または６０％以下、または５０％以下、または４０％以下、または３０％以下、または２０％以下、または１０％以下、または５％以下は、外面３０２の下の本体３０１の内部体積内に含まれ得る。研磨用本体３０１の内部体積内に含まれる電子アセンブリ３３０の総体積は、上記の最小および最大百分率のいずれかの間の範囲内であり得ることが理解される。本体３０１の内部体積内に含まれる電子要約３３０の特定の体積の利用は、電子デバイス３３２および／または電子アセンブリ３３０の改ざんを制限するために適切であり得ることが理解される。

図３Ｄは、一実施形態に係る研磨用物品の一部の断面図を含む。図示のように、研磨用物品は、外面３０２を含む本体３０１と、本体３０１の一部に連結された研磨用アセンブリ３４０とを含むことができる。電子アセンブリ３４０は、パッケージ３４１内に含まれる電子デバイス３４２を含むことができる。さらに図示されるように、少なくとも一部、電子アセンブリの約半分は、外面３０２の下の本体３０１の内部に含まれ得る。さらに、図３Ｄに示されるように一実施形態によれば、電子アセンブリ３４０の約半分は、本体３０１の外面３０２の上方に含まれ得る。

図３Ｅは、一実施形態に係る研磨用物品の一部の断面図を含む。図示されるように、研磨用物品は、外面３０２を含む本体３０１と、本体３０１に連結された電子アセンブリ３５０とを含み得る。図示されるように、電子アセンブリ３５０は、少なくとも１つの電子デバイス３５２と、少なくとも１つの電子デバイス３５２を内部に含むように構成されたパッケージ３５１とを含み得る。さらに図示されるように、電子アセンブリ３５０の大部分は、電子アセンブリ３５０の体積の大部分が本体３０１の外面３０２の下に含まれ得るように、本体３０１に埋め込まれ得る。また一実施形態によれば、本質的にすべての電子装置３５２が本体３０１の外面３０２の下にあるように、本質的にすべての電子装置３５２は、本体３０１の内部体積内に含まれ得る。さらに、しかしながら、図３Ｅに示すように、電子アセンブリ３５０の少なくとも一部、特にパッケージ３５１の上面は、本体３０１の外面３０２を通って突出することができる。

図３Ｆは、一実施形態に係る研磨用物品の一部の断面図を含む。図示のように、研磨用物品は、本体３０１、外面３０２、および本体３０１内に含まれる少なくとも１つの電子アセンブリ３６０を含むことができる。電子アセンブリ３６０は、パッケージ３６１内に含まれる少なくとも１つの電子デバイス３６２を含むことができる。図３Ｆにさらに示されるように、電子アセンブリ３６０は、本体３０１の体積内に完全に埋め込まれ、本体３０１の外面３０２から離間され得る。一実施形態では、外面３０２は、例えば、材料除去作業におけるワークピースと接触することができる研磨面とすることができる。電子アセンブリは、研磨面から離間することができる。一実施形態では、研磨用本体３０１は、結合材料を含む結合研磨用本体とすることができ、研磨用アセンブリは、結合材料に直接結合することができる。特定の一実施形態では、結合材料は、本明細書の実施形態で記載される任意の有機材料を含むことができ、より具体的な例では、結合材料は本質的に有機材料からなることができる。

一実施形態によれば、電子アセンブリ３６０は、電子デバイス３６２への情報の送信および／または電子デバイス３６２による情報の受信を可能にする適切な機能を維持しながら、電子アセンブリ３６０を保護するのに適した特定の深さに埋め込むことができる。例えば、電子アセンブリ３６０は、研磨用本体の総厚（Ｔ_Ｂ）の５０％未満の深さ（Ｄ_ＥＡ）で埋め込むことができる。他の例では、電子アセンブリ３６０の埋め込み深さ（Ｄ_ＥＡ）は、研磨用本体の総厚（Ｔ_Ｂ）の４５％以下、または４０％以下、または３５％以下、または３０％以下、または２５％以下、２０％以下、または１５％以下、または１０％以下、または５％以下、または３％以下など、より小さくなり得る。さらに、非限定的な一実施形態では、電子アセンブリ３６０は、研磨用本体（Ｔ_Ｂ）の総厚の少なくとも１％、例えば、研磨用本体の総厚（Ｔ_Ｂ）の少なくとも２％、または少なくとも３％、または少なくとも５％、または少なくとも８％、または少なくとも１０％、または少なくとも１２％、または少なくとも１３％、または少なくとも１５％、または少なくとも２０％、または少なくとも２５％、または少なくとも３０％、またはさらには少なくとも４０％の深さ（Ｄ_ＥＡ）で埋め込むことができる。電子アセンブリ３６０の埋め込み深さ（Ｄ_ＥＡ）は、上記の最小および最大百分率のいずれかを含む範囲内であり得ることが理解される。

代替的な一実施形態では、本体は、２つ以上の研磨用部分で作製することができる。図３Ｇは、一実施形態に係る研磨用物品の一部のトップダウンの図を含む。図示のように、研磨用物品は、外面３０２を有する本体３０１と、本体３０１の一部内に含まれる電子アセンブリ３７０とを含むことができる。より具体的には、本体３０１は、互いに同軸の外側研磨用部分３７３と内側研磨用部分３７４を含むことができる。一実施形態によれば、外側研磨用部分３７３および内側研磨用部分３７４は、異なるタイプの砥粒、異なる結合材料、異なる構造（すなわち、結合剤、砥粒、および／または空孔の含有量）、異なるタイプの空孔率、異なる充填剤、またはそれらの任意の組み合わせなど、少なくとも１つの互いに対して異なる研磨用特性を有することができる。

１つの特定の実施形態によれば、外側研磨用部分３７３は、内側研磨用部分３７４を形成するために使用される結合材料とは異なり得る第１のタイプの結合材料を含むことができる。例えば、外側研磨用部分３７３は、ビトリファイド材料を含むことができ、内側研磨用部分３７４は、樹脂またはエポキシ材料などの有機材料を含むことができる。そのような場合、外側研磨用部分３７３は、最初にビトリファイド結合された研磨用構成要素に形成されてもよい。外側研磨用部分３７３の後、パッケージ３７１および電子デバイス３７２を含む電子アセンブリ３７０は、外側研磨用部分３７３の内周壁に取り付けることができる。その後、内側研磨用部分３７４は、外側研磨用部分３７３の内部に電子アセンブリ３７０を覆うおよび／またはそれを取り囲んで形成することができる。

一実施形態によれば、電子アセンブリは、内側研磨用部分３７４の材料に完全に包み込まれるか、または包含されることができる。別の一実施形態では、電子アセンブリ３７０は、内側研磨用部分３７４の材料によって部分的に囲まれるか、またはその中に包み込まれてもよい。図示されるように、電子アセンブリ３７０は、内側研磨用部分３７４と外側研磨用部分３７３との界面に配置することができる。このような構成は、２成分研磨用物品の形成を促進することができる。さらに、そのような構成は、外側研磨用部分３７３の特定の量または内容物が材料除去作業に使用または費やされた後、内側研磨用部分３７４および電子アセンブリのリサイクルを促進することができる。図示されていないが、電子アセンブリ３７０は、例えば完全に内側研磨用部分３７４内に配置されることを含む、内側研磨用部分の別の場所に配置されてもよいことが理解されるであろう。

図３Ｈは、一実施形態に係る研磨用物品の一部の断面図を含む。図示されるように、研磨用は、外面３０２および外面３０２の反対側の外面３０３を含む本体３０１を含むことができる。さらに図示されるように、本体３０１は、第１の研磨用部分３８４、第２の研磨用部分３８５、および第１の研磨用部分３８４と第２の研磨用部分３８５との間に配置される補強部材３８３を含むことができる。一実施形態によれば、電子アセンブリ３８０は、パッケージ３８１内に含まれる電子デバイス３８２を含むことができる。電子アセンブリ３８０は、強化部材３８３の表面に連結することができる。

一実施形態の場合、第１の研磨用部分３８４は、一般的に層の形態とすることができ、第２の研磨用部分３８５もまた、層の形態とすることができる。形成プロセスに関して、電子アセンブリ３８０は、最初に補強部材３８３に連結されてもよい。その後、第１の研磨用層３８４および第２の研磨用層３８５が、補強部材３８３および電子アセンブリ３８０の周りに形成されてもよい。別の一実施形態では、第２の研磨用層３８５が最初に形成され、その後、補強部材３８３およびそれに連結された電子アセンブリ３８０が、部分的に形成されたまたは完全に形成された第２の研磨用層３８５の最上部に配置され得る。電子アセンブリ３８０を含む補強部材３８３と第２の研磨用層３８５を連結させた後、第１の研磨用層３８４は、補強部材３８３および電子アセンブリ３８０を覆って形成されて、最終的に形成される研磨用物品を形成することができる。他の研磨用物品が１つ以上の補強層および１つ以上の研磨用層を利用できることが理解される。

図３Ｉは、一実施形態に係る研磨用物品の上面図を含む。図示のように、研磨用物品は、研磨用部分の外面３０２を有する研磨用本体３０１を含むことができる。本体３０１は、対向する主表面の間で本体を通って軸方向に延びる中央開口部３９４をさらに含むことができる。中央開口部３９４は、中央開口部３９４に嵌合し、材料除去操作のために本体３０１をスピンドルに取り付けるのを促進するように構成されたブッシング３９７を含むことができる。一実施形態では、本体３０１は、中央開口部３９４に隣接して交差する少なくとも１つの空洞３９５をさらに含むことができる。空洞３９５は、研磨用本体３０１の少なくとも一部によって画定される表面３９６を有することができるので、その表面は研磨用本体３０１の結合材料および／または砥粒によって少なくとも部分的に画定される。パッケージ３９２内に含まれる電子デバイス３９１を含む少なくとも１つの電子アセンブリ３９０は、空洞３９５内に含まれることができる。

一態様では、電子アセンブリ３９０は、空洞３９５の表面３９６に取り外し可能に連結することができる。例えば、電子アセンブリ３９０は、研磨用物品使用後に電子アセンブリ３９０の取り外しを促進することができる接着剤によって空洞３９５の表面３９６に結合することができる。特定の一実施形態では、接着剤は、表面３９６からの電子アセンブリ３９０の取り外しを促進するように、１つ以上の外部刺激によって変化させることができる。一例は、熱を加えて、接着剤の一部を変化および／または揮発させて、表面３９６からの電子アセンブリ３９０の除去を促進することを含むことができる。このような場合、電子アセンブリは、別の異なる研磨用物品と共に使用するためにリサイクルされてもよい。代替の一実施形態によれば、電子アセンブリ３９０は、電子アセンブリ３９０の取り外しおよびリサイクルを促進する１つ以上の締結具を使用して表面３９６に取り付けることができる。当業者に知られているような他の取り外し可能な接続を利用することができる。さらに、そのような取り外し可能な接続は、本明細書の実施形態、特に電子アセンブリが本体の表面に連結される実施形態で説明される他の電子アセンブリのいずれかと共に使用することができる。

図３Ｊおよび図３Ｋは、研磨用本体に連結された電子アセンブリを含む研磨用物品を形成する特定の一実施形態の図を含む。図３Ｊは、内側研磨用部分３７７、外側研磨用部分３７６、および本体前駆体３７５の内周壁によって画定される開口部３７９を含む研磨用本体前駆体３７５のクローズアップ図を含む。内側研磨用部分３７７および外側研磨用部分３７６は、本開示の内側および外側研磨用部分に関して実施形態で記載される任意の構成を含むことができる。図３Ｊに示されるように、内側研磨用部分３７７の厚さは、外側研磨用部分３７６の厚さよりも薄い。例えば、内側研磨用部分３７７の厚さは、外側研磨用部分の厚さの９０％以下、例えば、外側研磨用部分３７６の厚さの８０％以下、７０％以下、６０％以下、または５０％以下とすることができる。それに加えてまたはその代わりに、内側研磨用部分３７７の厚さは、外側研磨用部分３７６の厚さの少なくとも１０％、少なくとも１５％、少なくとも２０％、少なくとも２５％、少なくとも３０％、少なくとも４０％、少なくとも４５％、または外側研磨用部分３７６の厚さの少なくとも５０％とすることができる。さらに、内側研磨用部分は、本明細書に記載される最小および最大百分率のいずれかを含む範囲内の厚さを含むことができる。例えば、内側研磨用部分３７７の厚さは、外側研磨用部分の厚さの少なくとも１０％かつ９０％以下とすることができる。

一実施形態では、研磨用本体前駆体３７５は、有機材料、無機材料、またはそれらの任意の組み合わせを含む結合材料を含む結合研磨用本体とすることができる。いくつかの具体的な例では、結合材料は、ガラス質材料、セラミックス材料、ガラス、金属、酸化物、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができ、より具体的な例では、研磨用本体前駆体の結合材料は本質的にガラス質材料、セラミックス材料、ガラス、金属、酸化物、またはそれらの組み合わせからなることができる。別の一実施形態では、内側研磨用部分３７７に含まれる結合材料は、外側研磨用部分３７６に含まれる結合材料と同じにすることができる。より詳細には、内側研磨用部分３７７は、外側研磨用部分３７６と実質的に同じ組成を含むことができる。

図３Ｊに示されるように、電子アセンブリ３７８は、内側研磨用部分３７７の表面上に配置することができる。一実施形態において、最終的に形成される研磨用本体を形成するために、材料３９９は、内側研磨用部分３７７の表面上に配置することができる。例えば、材料３９９は、有機材料、無機材料、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができ、より具体的な例では、材料３９９は、本質的に有機材料からなることができる。別の一例では、材料３９９は、ポリマー、樹脂、またはそれらの組み合わせを含む結合材料を含むことができる。材料３９９の具体的な例は、エポキシまたはセメント材料を含むことができる。図３Ｋに示すように、材料３９９は、電子アセンブリ３７８、および内側研磨用部分３７７の表面全体を完全に覆うことができる。他のいくつかの例では、電子アセンブリ３７８は、電子アセンブリ３７８の一部が露出され得るように、材料３９９に部分的に埋め込むことができる。

さらなる一実施形態では、材料３９９、電子アセンブリ３７８、およびオプションで、研磨用本体前駆体３７５の少なくとも一部に処理を施して、最終的に形成される研磨用物品を形成することができる。例えば、材料３９９を硬化させるために、加熱、放射、化学反応、またはそれらの任意の組み合わせを印加または実施することができる。いくつかの例では、加熱は、材料３９９の硬化を促進する温度で実行されてもよい。材料３９９を硬化させるための例示的な温度は、最高１６０℃とすることができる。別の一例では、加熱は、電子アセンブリ３７８の材料３９９、内側研磨用部分３７７、外側研磨用部分３７６、またはそれらの任意の組み合わせへの結合を促進することができる。さらに別の一例では、加熱は、材料３９９の内側研磨用部分３７７、外側研磨用部分３７６、またはその両方への結合を促進することができる。

最終的に形成される研磨用本体３８９は、第１の部分（例えば、材料３９９によって形成される）および第２の部分を含む内側研磨用部分と、内側研磨用部分に埋め込まれた電子アセンブリとを含むことができ、第１の部分および第２の部分は、第１および第２の部分を形成するために使用される材料または材料の含有量の違いを含む異なる組成、または同じ組成を含むことができる。一例では、内側研磨用部分の第１の部分は、有機材料を含むことができ、第２の部分は、有機材料、無機材料、またはそれらの組み合わせを含むことができる。特定の例において、内側研磨用部分の第１の部分は、本質的に有機材料からなることができる結合材料を含むことができ、第２の研磨用部分は、ガラス質材料、ガラス、結晶材料、金属、酸化物、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。一実施形態では、内側研磨用部分の厚さは、外側研磨用部分と実質的に同じにすることができる。さらなる一実施形態では、電子アセンブリ３７８は、第１の部分の材料に結合することができる。別の一実施形態では、電子アセンブリ３７８は、内側研磨用部分の第１の部分、第２の部分、またはその両方と直接接触することができる。さらに別の一実施形態では、電子アセンブリ３７８は、外側研磨用部分３７７の内周壁と直接接触するなど、外側研磨用部分３７６と直接接触することができる。

図４は、一実施形態に係るコーティングされた研磨用物品の断面図を含む。図示のように、コーティングされた研磨用４００は、基板４０１と、基板４０１の表面を覆うメイクコート４０２とを含むことができる。コーティングされた研磨用４００は、砥粒（例えば、一次砥粒および／または二次砥粒）、充填剤粒子、添加剤粒子、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる１つ以上のタイプの粒子状材料４０４をさらに含むことができる。コーティングされた研磨用４００は、粒子状材料４０４およびメイクコート４０２の上にあり、それらに結合されたサイズコート４０３をさらに含むことができる。

一実施形態によれば、基板４０１は、有機材料、無機材料、およびそれらの組み合わせを含むことができる。特定の例では、基板４０１は、織布材料を含むことができる。しかしながら、基板４０１は、不織布材料から作製されてもよい。特に適切な基板材料は、ポリマー、特にポリエステル、ポリウレタン、ポリプロピレン、デュポン製のカプトンのようなポリイミド、紙、またはそれらの任意の組み合わせを含む有機材料を含むことができる。いくつかの適切な無機材料は、金属、金属合金、特に、銅、アルミニウム、鋼の箔、およびそれらの組み合わせを含むことができる。

メイクコート４０２は、単一のプロセスで基板４０１の表面に塗布することができるか、あるいはまた、粒子状材料４０４をメイクコート４０２の材料と組み合わせることができ、メイクコート４０２と粒子状材料４０４の組み合わせを混合物として基板４０１の表面に塗布することができる。特定の例では、メイクコート４０２内での粒子状材料４０４の制御された堆積または配置は、メイクコート４０２内での粒子状材料の堆積からメイクコート４０２の塗布プロセスを分離することにより、より適切になり得る。それでもなお、そのようなプロセスを組み合わせることができると考えられる。メイクコート４０２の適切な材料は、有機材料、特に、例えば、ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリアミド、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリシロキサン、シリコーン、酢酸セルロース、ニトロセルロース、天然ゴム、デンプン、シェラック、およびそれらの混合物を含むポリマー材料を含むことができる。一実施形態では、メイクコート４０２は、ポリエステル樹脂を含むことができる。次に、樹脂および粒子状材料４０４を基板４０１に硬化させるために、コーティングされた基板を加熱することができる。一般的に、この硬化プロセス中に、コーティングされた基板４０１は、約１００℃～約２５０℃未満の温度に加熱することができる。

粒子状材料４０４は、本明細書の実施形態に係る異なるタイプの砥粒を含むことができる。異なるタイプの砥粒は、異なるタイプの成形砥粒、異なるタイプの二次粒子、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。異なるタイプの粒子は、組成、二次元形状、三次元形状、粒子サイズ、粒子サイズ、硬度、破砕性、凝集性、またはそれらの任意の組み合わせにおいて互いに異なり得る。

中に含まれる粒子状材料４０４でメイクコート４０２を十分に形成した後、サイズコート４０３は、粒子状材料４０４を覆い、メイクコート４０２および基板４０１に結合するように形成され得る。サイズコート４０３は、有機材料を含むことができ、本質的にポリマー材料でできている可能性があり、特に、ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリアミド、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリシロキサン、シリコーン、酢酸セルロース、ニトロセルロース、天然ゴム、デンプン、シェラック、およびそれらの混合物を使用できる。

図４にさらに示されるように、コーティングされた研磨用４００は、パッケージ４２１内に含まれる電子デバイス４２２を含む電子アセンブリ４２０を含むことができる。一実施形態によれば、パッケージはオプションとすることができ、電子デバイス４２２の少なくとも一部をパッケージングおよび封入するのに適した材料として、メイクコート４０２および／またはサイズコート４０３を利用することを選択することができる。電子アセンブリ４２０は、本明細書の実施形態で説明される電子アセンブリの任意の構成を有することができる。電子デバイス４２２は、本明細書の実施形態で説明される他の電子デバイスの構成のいずれかを有することができる。パッケージ４２１は、本明細書の実施形態で説明される他のパッケージのいずれかの構成のいずれかを有することができる。

特定の一実施形態によれば、電子アセンブリ４２０は、基板４０１を覆う、および／または基板４０１に連結することができる。特定の一実施形態では、電子デバイス４２２の少なくとも一部は、基板４０１と接触することができる。さらに、図４に示されるように、電子デバイス４２２の少なくとも一部は、パッケージ４２１によって取り囲まれ得る。一実施形態によれば、電子アセンブリ４２０は、メイクコート４０２が電子アセンブリ４２０の全体を覆うようにメイクコート４０２内に埋め込まれ得る。しかしながら、他の実施形態では、電子アセンブリ４１０の少なくとも一部は、電子アセンブリ４２０の少なくとも一部が、サイズコート４０３の外面４３１の上方に露出され得るように、メイクコート４０２および／またはサイズコート４０３から突出することができる。

図４は、電子アセンブリ４２０をコーティングされた研磨用物品４００に組み込むための１つの潜在的な実施形態を提供する。電子アセンブリ４２０の他の可能な配置および配向が可能である。例えば、電子アセンブリ４２０は、バッキング４０１の裏側４２５など、バッキング４０１の反対側に配置することができる。さらに別の一実施形態では、電子アセンブリ４２０は、研磨用物品４００の外面４３１の少なくとも一部の上、特にサイズコート４０３の上に置くことができる。特定の例では、電子アセンブリ４２０のいずれも、コーティングされた研磨用物品４００のサイズコート４０３またはメイクコート４０２内に埋め込まれていなくてもよい。

一実施形態では、研磨用物品は、基板と、基板を覆う研磨用コーティングとを含むことができる。基板は、本明細書の実施形態で開示される任意の基板とすることができる。例えば、研磨用物品は不織布研磨用物品を含むことができ、基板は繊維ウェブを含むことができる。研磨用コーティングは、不織布研磨用物品を形成するために当業者に知られている任意の組成物を含むことができる。別の一例では、研磨用物品は、バッキング４０１と同様の基板を含むコーティングされた研磨用物品を含むことができ、研磨用コーティングは、メイクコート４０２および砥粒４０４、およびオプションでサイズコート４０３を含むことができる。いくつかの例では、研磨用コーティングは、サイズコート４０３を覆うトップコートを含むことができる。一実施形態では、研磨用コーティングは、研磨面であることができる外面を含むことができる。例えば、研磨面は、図４Ａに示されるように、サイズコート４０３の上面であり得る。

一実施形態では、電子アセンブリは、電子アセンブリの少なくとも一部が研磨用コーティングの一部と直接接触するような方法で研磨用コーティングに結合することができる。例えば、図４Ａに示すように、電子アセンブリ４２０はメイクコート４０２と直接接触している。特定の一実施形態では、電子アセンブリは、不正改ざん防止方式で研磨用コーティングに連結することができる。

一実施形態では、電子アセンブリは、少なくとも部分的に研磨用コーティングに埋め込まれ得る。例えば、電子アセンブリは、電子アセンブリの少なくとも一部が研磨用コーティングの研磨面の下にあり得るように配置され得る。特定の一実施形態では、電子アセンブリは、研磨用コーティング内に完全に埋め込むことができる。例えば、電子アセンブリは、研磨用コーティング内に完全に包まれ得る。別の一例では、電子アセンブリ全体が研磨用コーティングの研磨面の下にあることができる。

さらなる一実施形態では、電子アセンブリは、基板と研磨用コーティングの間など、基板の上に配置することができる。一例では、電子アセンブリは基板上にあることができる。あるいはまた、電子アセンブリは、基板から離間することができる。いくつかの場合、電子アセンブリは部分的に基板に埋め込まれていてもよい。

別の一実施形態では、電子アセンブリは、電子アセンブリの配置および研磨用コーティングへの連結を促進することができる特定の厚さを有することができる。一例では、電子アセンブリは、少なくとも１ミクロン、例えば、少なくとも２ミクロン、少なくとも３ミクロン、または少なくとも４ミクロンの厚さを有することができる。別の一例では、電子アセンブリは、より厚く、少なくとも０．５ｍｍ、少なくとも０．７ｍｍ、少なくとも０．８ｍｍ、少なくとも１ｍｍ、または少なくとも２ｍｍの厚さを有することができる。その代わりにまたはそれに加えて、電子アセンブリは、５ｍｍ以下、例えば、４ｍｍ以下、３ｍｍ以下、２ｍｍ以下、または１ｍｍ以下の厚さを有することができる。いくつかの場合、電子アセンブリは、より薄く、例えば、１０ミクロン以下、９ミクロン以下、７ミクロン以下、５ミクロン以下、または４ミクロン以下の厚さを有することができる。さらに、電子アセンブリの厚さは、本明細書に記載される最小値および最大値のいずれかを含む範囲内とすることができる。例えば、電子アセンブリは、少なくとも１ミクロンかつ５ｍｍ以下を含む範囲、または少なくとも１ミクロンかつ１０ミクロン以下を含む範囲、または少なくとも１ｍｍかつ５ｍｍ以下を含む範囲の厚さを有することができる。本開示を読んだ後、当業者は、電子アセンブリの厚さが、電子アセンブリの配置および連結、または研磨用物品を形成するために、または電子アセンブリを有する研磨用物品の使用を改善するために使用される条件に耐えるなど、研磨用物品の形成プロセスに適合するように選択できることを理解するであろう。

別の一実施形態では、電子アセンブリは、研磨用物品の形成を促進することができる研磨用コーティングの平均厚さに対して特定の厚さを有することができる。例えば、電子アセンブリの厚さは、研磨用コーティングの平均厚さの９９％以下、例えば、９８％以下、９６％以下、９４％以下、９２％以下、９０％以下、８８％以下、８６％以下、８４％以下、８２％以下、８０％以下、７８％以下、７６％以下、７５％以下、７３％以下、７１％以下、７０％以下、６８％以下、６６％以下、６４％以下、６２％以下、６０％以下、５８％以下、５５％以下、５３％以下、５１％以下、５０％以下、４８％以下、４５％以下、４３％以下、４１％以下、４０％以下、３８％以下、３６％以下、３４％以下、３２％以下、または研磨用コーティングの平均厚さの３０％以下とすることができる。別の一例では、電子アセンブリは、研磨用コーティングの平均厚さの少なくとも５％、例えば、少なくとも１０％、少なくとも１２％、少なくとも１３％、少なくとも１５％、少なくとも１７％、少なくとも１８％、少なくとも２０％、少なくとも２２％、少なくとも２４％、少なくとも２５％、少なくとも２７％、少なくとも３０％、少なくとも３１％、少なくとも３３％、少なくとも３５％、少なくとも３７％、少なくとも４０％、少なくとも４２％、少なくとも４４％、少なくとも４６％、少なくとも４８％、少なくとも５０％、少なくとも５２％、少なくとも５４％、少なくとも５５％、少なくとも５８％、少なくとも６０％、少なくとも６２％、少なくとも６４％、少なくとも６６％、少なくとも６８％、または研磨用コーティングの平均厚さの少なくとも７０％の厚さを有することができる。さらに、電子アセンブリの厚さは、本明細書に記載される任意の最小および最大百分率を含むことができる。例えば、電子アセンブリは、研磨用コーティングの平均厚さの少なくとも５％かつ最大９９％の厚さを有することができる。別の一実施形態では、研磨用コーティングは、０．０１５ｍｍ～１．５ｍｍの平均厚さを有することができる。本明細書で使用する場合、研磨用コーティングの平均厚さは、ＡＳＴＭ Ｄ１７７７－９６に準拠して決定され得る。平均厚さは、同じ長手方向（または機械方向）で研磨用物品から採取した１０サンプルの平均とすることができる。

別の一実施形態では、電子アセンブリは、研磨用物品の形成を促進することができる研磨用物品の平均厚さに対して特定の厚さを有することができる。特定の研磨用物品は、図４に示されるようなコーティングされた研磨用、または不織布研磨用物品を含むことができる。例えば、電子アセンブリの厚さは、研磨用物品の平均厚さの５５％以下、例えば、５３％以下、５１％以下、５０％以下、４８％以下、４５％以下、４３％以下、４１％以下、４０％以下、３８％以下、３６％以下、３４％以下、３２％以下、または研磨用物品の平均厚さの３０％以下とすることができる。別の一例では、電子アセンブリは、研磨用物品の平均厚さの少なくとも１％、例えば、少なくとも３％、少なくとも５％、少なくとも７％、少なくとも１０％、少なくとも１２％、少なくとも１３％、少なくとも１５％、少なくとも１７％、少なくとも１８％、少なくとも２０％、少なくとも２２％、少なくとも２４％、少なくとも２５％、少なくとも２７％、少なくとも３０％、少なくとも３１％、少なくとも３３％、少なくとも３５％、少なくとも３７％、少なくとも４０％、少なくとも４２％、少なくとも４４％、少なくとも４６％、少なくとも４８％、または研磨用物品の平均厚みの少なくとも５０％の厚さを有することができる。さらに、電子アセンブリの厚さは、本明細書に記載される任意の最小および最大百分率を含むことができる。例えば、電子アセンブリは、研磨用物品の平均厚さの少なくとも１％かつ多くとも５５％の厚さを有することができる。別の一実施形態では、コーティングされた研磨用の平均厚さは、０．２ｍｍ～３．５ｍｍとすることができる。本明細書で使用する場合、研磨用物品の平均厚さは、ＡＳＴＭ Ｄ１７７７－９６に準拠して決定され得る。平均厚さは、同じ長手方向（または機械方向）で研磨用物品から採取した１０サンプルの平均とすることができる。

例示的な研磨用物品を形成するための例示的な形成プロセスでは、電子アセンブリは、バッキング４０１などの基板の上に配置することができ、メイクコート４０２の少なくとも一部などの研磨用コーティングの少なくとも一部は、基板および電子アセンブリ４２０の上に配置することができる。一例では、残りの研磨用コーティングを塗布する前に、その部分の硬化を行うことができる。例えば、電子アセンブリ４２０を覆うメイクコート４０２は、砥粒４０４、サイズコート４０３、またはその両方の塗布前に硬化され得る。残りの研磨用コーティングを塗布して硬化させ、最終的に形成される研磨用物品を形成することができる。別の一例では、電子アセンブリが基板上に配置される前に研磨用コーティングの第１の部分を基板に塗布することができ、研磨用コーティングの別の部分または残りの部分を、研磨用コーティングの第１の部分の硬化の前または後に塗布して硬化することができる。研磨用物品は、研磨用コーティングのすべてが塗布および硬化されたときに形成され得る。

一実施形態では、研磨用物品は、特に研磨用物品が不織布またはコーティングされた研磨用である場合に、電子アセンブリを含まない同じ研磨用物品と同様の方法で研磨用物品が実行し機能することを可能にすることができる特定の可撓性差を有することができる。電子アセンブリを含む研磨用物品の第１の部分および電子アセンブリを含まない実質的に同じ第２の部分は、研磨用物品から切断することができる。第１および第２の部分の可撓性を使用して、可撓性差を決定することができる。第１および第２の部分サンプルのそれぞれは、７５ｍｍ×１５０ｍｍのサイズを有することができる。可撓性のテストは、ＡＳＴＭ Ｄ４３３８－９７に準拠したマンドレル曲げテストを変更して実行できる。テストは、新たに調製された部分サンプルに対して行われる。各部分サンプルを折り曲げて、マンドレル上に逆Ｕ字型の角度を形成し、マンドレル表面全体で密接な接触を維持する。テストは、サンプルに亀裂が入るか、曲げができなくなるまで、直径が徐々に小さくなるマンドレルで繰り返される。可撓性は、５つのテスト部分サンプルのうち４つが破損しない最小の直径のマンドレルと見なされる。第１および第２の部分の可撓性の試験は、長手方向、横方向、または両方向で行うことができる。

可撓性の差は、式δＦ＝［｜（Ｆ_２ｎｄ－Ｆ_１ｓｔ）｜／Ｆ_２ｎｄ］×１００％を使用して決定でき、ここで、δＦはテストされた方向の可撓性の差、Ｆ_１ｓｔはテストされた方向（すなわち、長手方向または横方向）の第１の可撓性であり、Ｆ_２ｎｄはテストされた方向の第２の可撓性である。一態様では、第１の部分は長手方向に第１の可撓性を有することができ、第２の部分は長手方向に第２の可撓性を有することができ、第１の可撓性と第２の可撓性との間の可撓性差は５０％以下、４５％以下、４０％以下、３５％以下、３０％以下、２５％以下、２０％以下、１５％以下、１０％以下、以下９％、８％以下、６％以下、５％以下、４％以下、２％以下、または１％以下とすることができる。別の一態様では、長手方向の可撓性差は、０より大きく、例えば、少なくとも０．００１％、少なくとも０．００５％、少なくとも０．０１％、少なくとも０．０５％、少なくとも０．１％、少なくとも０．３％、少なくとも０．５％、少なくとも０．８％、少なくとも１％、少なくとも２％、少なくとも５％、または少なくとも１０％とすることができる。さらなる一態様では、長手方向の可撓性差は、本明細書に記載される最小および最大百分率のいずれかを含む範囲内とすることができる。特定の一態様では、長手方向の第１の可撓性および第２の可撓性は、実質的に同じであり得る。

さらなる一態様では、第１の部分は横方向に第３の可撓性を有することができ、第２の部分は横方向に第４の可撓性を有することができ、横方向の第１および第２の部分の間の可撓性差は、以下であり得る。 ５０％以下、４５％以下、４０％以下、３５％以下、３０％以下、２５％以下、２０％以下、１５％以下、第４の可撓性の１０％以下、または９％以下、または８％以下、または６％以下、または５％以下、または４％以下、または２％以下とすることができる。別の一態様では、第３の可撓性と第４の可撓性との間の可撓性の差は、０より大きく、例えば、少なくとも０．００１％、少なくとも０．００５％、少なくとも０．０１％、少なくとも０．０５％、少なくとも０．１％、少なくとも０．３％、少なくとも０．５％、少なくとも０．８％、少なくとも１％、少なくとも２％、少なくとも５％、または少なくとも１０％とすることができる。さらなる一態様では、第３の可撓性と第４の可撓性との間の可撓性差は、本明細書に記載される最小および最大百分率のいずれかを含む範囲内とすることができる。特定の一態様では、長手方向の第３の可撓性および第４の可撓性は、実質的に同じとすることができる。

別の一実施形態では、研磨用物品は、特に研磨用物品が不織布またはコーティングされた研磨用である場合に、電子アセンブリを含まない同じ研磨用物品と同様の方法で研磨用物品が実行し機能することを可能にすることができる特定の曲げ剛性の差を有することができる。曲げ剛性の差は、第１の部分と第２の部分の曲げ剛性の差に基づいて、式δＦＸ＝［｜（ＦＸ_２ｎｄ－ＦＸ_１ｓｔ）｜／ＦＸ_２ｎｄ］×１００％を使用して決定でき、ここで、δＦＸは曲げ剛性の差であり、ＦＸ_１ｓｔは第１の部分の曲げ剛性であり、ＦＸ_２ｎｄは第２の部分の曲げ剛性である。研磨用物品の第１の部分は電子アセンブリを含み、第２の部分は電子アセンブリを含まないことと実質的に同じである。第１の部分と第２の部分のサンプルは、２００ｍｍ×２５ｍｍの寸法を有して機械方向に切断される。第１の部分と第２の部分の曲げ剛性は、ハートループテスターを使用してＡＳＴＭ Ｄ１３８８－９６に準拠して決定され得る。第１部分と第２部分のそれぞれについて５つのサンプルをテストできる。各サンプルはハート型のループに形成される。ループの長さは、ループがそれ自体の質量の下で鉛直方向にぶら下がっているときに測定される。この測定された長さから、曲げ長さおよび曲げ剛性を計算できる。

一態様では、研磨用物品の曲げ剛性の差は、第２の曲げ剛性の５０％以下、または４５％以下、または４０％以下、または３５％以下、または３０％以下、または２５％以下、または２０％以下、または１９％以下、または１８％以下、または１６％以下、または１５％以下、または１４％以下、または１２％以下、または１１％以下、または１０％以下、または９％以下、または８％以下、または６％以下、または５％以下、または４％以下、または２％以下、または１％以下とすることができる。別の一態様態では、曲げ剛性の差は、０より大きく、例えば、少なくとも０．００１％、少なくとも０．００５％、少なくとも０．０１％、少なくとも０．０５％、少なくとも０．１％、少なくとも０．３％、少なくとも０．５％、少なくとも０．８％、少なくとも１％、少なくとも２％、少なくとも５％、または少なくとも１０％とすることができる。さらなる一態様では、曲げ剛性の差は、本明細書に記載される最小および最大百分率のいずれかを含む範囲内とすることができる。特定の一態様では、第１の部分および第２の部分の曲げ剛性は、実質的に同じとすることができる。

別の一実施形態では、研磨用物品は、特に研磨用物品が不織布またはコーティングされた研磨用である場合に、電子アセンブリを含まない同じ研磨用物品と同様の方法で研磨用物品が実行し機能することを可能にすることができる特定の引張強度の差を有することができる。引張強度の差は、式δＴ＝［｜（Ｔ_２ｎｄ－Ｔ_１ｓｔ）｜／Ｔ_２ｎｄ］×１００％を使用して、研磨用物品の第１の部分と第２の部分の引張強度の差に基づいて決定でき、ここで、δＴは引張強度の差、Ｔ_１ｓｔは第１の部分の引張強度、Ｔ_２ｎｄは第２の部分の引張強度である。第１および第２の部分の引張強度は、ＡＳＴＭ Ｄ５０３５に由来する方法を使用して決定される。第１の部分は電子アセンブリを含み、第２の部分は電子アセンブリがなくても実質的に同じである。部分サンプルは、ゲージの長さが研磨用物品のタイプに基づいて長手（機械）方向または半径軸に平行になるように切断される。第１の部分と第２の部分のそれぞれについて２５ｍｍ×５０ｍｍのサイズを有する５つのサンプルが調製され得る。各サンプルは引張り試験機にクランプされ、サンプルが３００ｍｍ／分の負荷率で破断されるまで力が加えられる。破断力と伸びが記録され、引張強度を決定するために使用される。５つのサンプルの平均が研磨用物品の引張強度として使用される。

一態様では、研磨用物品の引張強度の差は、第２の曲げ強度の５０％以下、または４５％以下、または４０％以下、または３５％以下、または３０％以下、または２５％以下、または２０％以下、または１９％以下、または１８％以下、または１６％以下、または１５％以下、または１４％以下、または１２％以下、または１１％以下、または１０％以下、または９％以下、または８％以下、または６％以下、または５％以下、または４％以下、または２％以下、または１％以下とすることができる。別の一態様では、引張差は、０より大きく、例えば、少なくとも０．００１％、少なくとも０．００５％、少なくとも０．０１％、少なくとも０．０５％、少なくとも０．１％、少なくとも０．３％、少なくとも０．５％、少なくとも０．８％、少なくとも１％、少なくとも２％、少なくとも５％、または少なくとも１０％とすることができる。さらなる一態様では、引張強度の差は、本明細書に記載されている最小および最大百分率のいずれかを含む範囲内とすることができる。特定の一態様では、第１の部分および第２の部分の引張強度は、実質的に同じとすることができる。

一実施形態では、電子アセンブリは、フランジ領域の外側に配置されて、研磨用物品の材料除去作業中に電子アセンブリを損傷する可能性を低減するのを助けることができる。さらなる一実施形態では、電子アセンブリは、ホイールの廃棄直径とフランジ直径との間の領域に配置することができる。別の一実施形態では、電子アセンブリは、内周領域内に配置することができる。

別の一実施形態では、研磨用物品は、中央開口部を有するディスクまたはホイールの形態とすることができる。図４Ｂに示されるように、研磨用物品４５０は、内側半径４５３および外側半径４５２（「Ｒ」と呼ばれる）を有する開口部４５１を含む。一実施形態では、少なくとも１つの電子デバイス４５９を含むパッケージ４５８を含む電子アセンブリ４５４は、中央開口部４５１に対する位置に配置されて、研磨用物品を利用する操作を促進し、電子アセンブリの機能および性能を促進し、および／または、電子アセンブリを損傷する可能性を低減する。例えば、電子アセンブリは、中央開口部４５１に隣接することができ、研磨用物品の中心と電子アセンブリ４５４との間の距離４５５は、０．５Ｒ未満、例えば、０．４Ｒ以下、０．３Ｒ以下、０．２Ｒ以下、または０．１Ｒ以下とすることができる。それに加えてまたはその代わりに、距離４５５は、少なくとも０．０５Ｒ、例えば、少なくとも０．０８Ｒ、または少なくとも０．１Ｒとすることができる。さらに、距離４５５は、本明細書に記載される最小値および最大値のいずれかを含む範囲内とすることができる。

別の一例では、電子アセンブリは、中央開口部４５１の遠位にあり、研磨用物品の外周に隣接することができる。例えば、研磨用物品の中心と電子アセンブリ４５４との間の距離４５５は、０．５Ｒよりも大きく、例えば、少なくとも０．６Ｒ、少なくとも０．７Ｒ、少なくとも０．８Ｒ、または少なくとも０．９Ｒにすることができる。それに加えてまたはその代わりに、距離４５５は、０．９９Ｒ以下、または０．９５Ｒ以下、または０．９３Ｒ以下、または０．９Ｒ以下とすることができる。さらに、距離４５５は、本明細書に記載される最小値および最大値のいずれかを含む範囲内とすることができる。

別の一実施形態では、電子アセンブリ４５４は、電子アセンブリの性能の向上を促進することができる、または研磨用物品を利用する動作中に電子アセンブリを損傷する可能性を低減するのに役立つ特定の向きを有することができる。例えば、図４Ｂに示されるように、研磨用物品４５０は、径方向軸４５７を有することができ、電子アセンブリ４５４は、長手軸４５６を有することができ、径方向軸４５７および長手軸４５６は、角度を付けることができる。

別の一実施形態では、研磨用物品はベルトの形態であってよい。図４Ｃに示されるように、研磨用ベルト４６０の一部は、縁部４６１および反対側の縁部４６２と、長手軸４７１とを含むことができる。図示のように、長手軸４７１は、ベルト４６０の中線に沿って延びる。ベルト４６０は、ベルトを横方向に横切る幅４６５（「Ｗ」と呼ばれる）を含むことができる。電子アセンブリ４７０は、パッケージ４６７および電子デバイス４６６を含むことができる。一実施形態では、電子デバイス４７０は、図示の４６２などの縁部に隣接し、ベルトの中心線の遠位にある位置に配置することができる。これは、研磨用物品を利用する操作を促進し、電子アセンブリの機能および性能を促進し、および／またはベルトを利用する動作中に電子アセンブリを損傷する可能性を低減することができる。例えば、縁部４６２と電子アセンブリ４７０との間の距離４７５は、０．５Ｗ未満、または０．４Ｗ以下、または０．３Ｗ以下、または０．２Ｗ以下、または０．１Ｗ以下とすることができ、ここでＷは、横方向にベルトを横断する幅である。別の一例では、ベルト４６０の縁部４６２から電子アセンブリ４７０までの距離４７５は、少なくとも０．０５Ｗ、または少なくとも０．０７Ｗ、または少なくとも０．０９Ｗ、または少なくとも０．１Ｗ、または少なくとも０．１５Ｗとすることができる。さらに、距離４７５は、本明細書に記載される最小値および最大値のいずれかを含む範囲内とすることができる。

さらなる一実施形態では、電子アセンブリ４７０は、電子アセンブリの性能の改善を促進することができる、または研磨用物品を利用する動作中に電子アセンブリを損傷する可能性を低減するのに役立つ特定の向きを有することができる。例えば、図示されるように、電子アセンブリ４７０の長手軸４７１は、研磨用物品４６０の長手軸４６３と実質的に揃えることができる。別の一例では、電子アセンブリの横軸は、研磨用物品の長手軸と実質的に揃えることができる。別の一例では、電子アセンブリの長手軸は、研磨用物品の長手軸に対して角度を付けることができる。

図４Ｄに示されるように、研磨用物品４８０は、曲率および曲率軸４８２を有することができる。電子アセンブリ４８１は、パッケージ４８３および少なくとも１つの電子デバイス４８２を含むことができる。図示されるように、電子アセンブリ４８１はまた、曲率を有することができ、いくつかの特定の例では、電子アセンブリの曲率は、研磨物品４８０の曲率と同軸とすることができる。

図５は、一実施形態に係る研磨用物品のサプライチェーンおよび機能の図を含む。図５に提供される実施形態は、研磨用物品の一部として、特にサプライチェーンの製造部分の一部として、電子アセンブリを使用する例を含む。図５の図に示されるように。図は、５０１で電子アセンブリを含む研磨用本体を形成することを含む。研磨用本体の形成は、本明細書の実施形態に記載される任意の形成方法を含むことができる。

電子デバイスを含む電子アセンブリを備えた研磨用本体を形成した後、プロセスは、５０２で電子デバイスに製造情報を書き込むことをさらに含むことができる。情報の書き込みは、書き込み動作中に行うことができ、情報は電子デバイスに書き込まれ格納することができる。製造情報のいくつかの適切な例は、処理情報、製造日、出荷情報、製品識別情報、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。特定の例では、処理情報は、研磨用本体の形成中に使用される少なくとも１つの処理条件に関する情報を含むことができる。処理情報のいくつかの適切な例は、製造機械データ（例えば、機械識別、シリアル番号など）、処理温度、処理圧力、処理時間、処理雰囲気、またはそれらの任意の組み合わせを含み得る。

一実施形態によれば、製造情報を電子デバイスに書き込むことは、研磨用本体を形成する少なくとも１つのプロセスの間に起こり得る。形成プロセスは、例えば、限定はしないが、プレス、成形、鋳造、加熱、硬化、コーティング、冷却、スタンピング、乾燥、またはそれらの任意の組み合わせを含むがこれらに限定されない、本明細書に記載のプロセスのいずれかを含むことができる。特定の例において、形成プロセスを行う機械は、書き込み動作を行い、製造情報を電子デバイスに書き込むことができる。そのような製造情報は処理情報であり得ることが理解されるであろう。

代替の一実施形態では、電子アセンブリに含まれるセンサは、研磨用本体の形成中に電子デバイスへの製造情報の書き込みを支援することができる。センサは、処理中に発生する状態を感知し、この情報を製造情報として電子デバイスに書き込むように構成することができる。さらに別の一実施形態では、１つ以上の他のシステムおよび／または個人が、研磨用本体の形成中に使用される１つ以上の処理条件を製造情報として電子デバイスに書き込むことができる。

代替の一実施形態では、製造情報を電子デバイスに書き込むプロセスは、研磨用本体を形成した後に行うことができる。１つ以上のシステムおよび／または個人が、研磨用本体の形成後、電子デバイスに製造情報を書き込むための書き込み動作を行うことができる。

一実施形態によれば、電子デバイスに格納された製造情報を利用して、１つの研磨用物品または複数の研磨用物品の品質管理検査を実施することができる。処理情報などの製造情報の確認は、処理条件の特定と、所望の最低品質評価を満たしていない可能性のある研磨用物品の特定に役立ち得る。

電子デバイスに情報を書き込んだ後、製造情報を使用して１つ以上のアクションを実行することができる。例えば、一実施形態では、システムおよび／または個人は、研磨用物品を顧客に送る前に、製造情報の少なくとも一部を削除することができる。研磨用物品を形成する態様に関連する特定の処理情報などの特定の製造情報を削除することが適切な場合がある。

別の一実施形態では、研磨用物品を顧客に送る前に情報を電子デバイスに書き込むために、１つ以上の書き込み動作を行うことができる。そのような書き込み動作は、顧客情報を電子デバイスに格納することを含み得る。顧客情報は、研磨用物品の発送および／または使用を支援する場合がある。本明細書では、電子デバイスに含めることができる様々なタイプの顧客情報について説明する。

別の一実施形態では、電子デバイスに情報を書き込んだ後に、読み取り動作を実行することができる。例えば、読み取り動作は、研磨用物品を顧客に送る前に電子デバイスから情報を読み取ることができる。読み取り動作を行うことにより、研磨用物品および電子デバイスに含まれる情報の品質検査を促進することができる。製造作業が完了すると、研磨用物品は出荷に送られ、その後、研磨用物品の使用のために顧客に送ることができる。

図６は、一実施形態に係る研磨用物品のサプライチェーンおよび機能の図を含む。図示のように、顧客は、電子デバイスを含む研磨用物品を入手するか、または提供されることができる。１つ以上の電子デバイスに応じて、研磨用物品には顧客情報を供給することができ、または代替として、顧客は特定の顧客情報を電子デバイスに書き込むための書き込み動作を行うことができる。一実施形態によれば、顧客情報は、顧客登録情報、製品識別情報、製品コスト情報、製造日、出荷日、環境情報、使用情報、またはそれらの任意の組み合わせなどの情報を含むことができる。顧客情報は、６０２で顧客の使用を改善するために使用できる。例えば、顧客情報は、製造業者と顧客の間の情報交換の改善を促進し、顧客から製造業者への情報のそのようなフィードバックは、研磨用物品の使用の改善を促進することができる。

特定の一実施形態では、顧客情報は、研磨用物品の適切な使用条件に関する使用情報を含むことができる。したがって、顧客は使用情報を使用して、研磨用物品が適切な動作条件下で使用されることを確実にすることができる。使用情報の特定の例は、最小動作速度、最大動作速度、バースト速度、機械の最大出力、最大切込み、最大ダウンフォース、最適ホイール角度などを含むことができるが、これらに限定されない。

さらに別の一実施形態では、顧客情報を使用するプロセスは、サプライチェーン内の１つ以上のシステムおよび／または個人に特定の警告状態を警告することを含むことができる。警告状態は、１つ以上の事前にプログラムされた閾値に基づくことができ、そのような閾値を超えると、電子デバイスは、警告信号を生成するように構成することができる。警告信号は、製造、出荷、および顧客に関連する任意のシステムおよび／または個人を含む、サプライチェーン内のシステムおよび／または個人に連絡するのに適した任意の信号とすることができる。一実施形態によれば、警告信号は、使用者に警告することを意図した音、光学的指標、またはそれらの組み合わせとすることができる。別の一実施形態では、警告信号は、１つ以上の遠隔システムまたは個人に送信される電子通信とすることができる。例えば、警告信号は、顧客登録デバイス、製造業者登録デバイス、またはそれらの任意の組み合わせに送信することができる。顧客登録デバイスのいくつかの例には、顧客登録モバイルデバイスまたは研磨用物品を使用するように構成された機械が含まれ得る。一実施形態では、警告信号は、顧客登録モバイルデバイスへのテキストメッセージの形態とすることができる。別の一実施形態では、警告信号は、顧客登録モバイルデバイスへの電子メール（すなわち、ｅメール）通信とすることができる。製造業者登録デバイスは、例えば、様々な顧客および関連する研磨用物品からの警告信号を監視するように構成された製造業者登録モバイルデバイスまたは製造業者登録コンピュータシステムを含むことができる。

一実施形態では、警告状態は、研磨用物品への潜在的な損傷を警告することができる。警告信号は、使用者、研磨用物品を利用するシステム、および／または研磨用物品のサプライチェーン内の他のシステムおよび／または個人に送ることができる。特定の一実施形態によれば、電子デバイスは、１つ以上の動作条件を感知するように構成された１つ以上のセンサを含むことができる。動作条件の１つを超えると、センサは電子アセンブリ内の１つ以上の他の電子デバイスと通信し、警告状態を作成できる。警告状態は、サプライチェーン内の１つ以上のシステムおよび／または個人に送信できる警告信号を生成できる。特定の例では、警告信号は、研磨用物品を使用して研磨盤に送信することができる。警告信号は、動作条件を変更し、警告状態を排除するために研磨盤によって使用され得る。

別の一実施形態では、顧客に警告するプロセスは、研磨用物品の寿命に関連する警告状態を顧客に警告することを含むことができる。例えば、電子デバイスは、１つ以上のタイマーを含むことができ、研磨用物品を使用せずにプログラムされた量の時間が経過した後、タイマーは、顧客に研磨用物品の寿命を警告する警告状態を生成することができる。サプライチェーン内の他のシステムおよび／または個人に警告することができることが理解される。

別の一態様によれば、顧客に警告することは、研磨用物品の１つ以上の環境条件に関連する警告状態を顧客に警告することを含むことができる。例えば、一実施形態では、電子デバイスは、１つ以上の環境条件を感知するように構成されたセンサに連結することができる。センサによって感知され得る環境条件のいくつかの適切な例は、研磨用物品のパッケージ内の閾値量の水蒸気の存在、研磨用物品内の閾値量の水蒸気の存在、研磨用物品の温度、研磨用物品への圧力、パッケージ内の有害化学物質の存在、研磨用物品中の有害化学物質の存在、研磨用物品への損傷、改ざん、研磨用物品の寿命、またはそれらの任意の組み合わせを含み得るが、これらに限定されない。センサは、特定の環境条件に適した閾値で事前にプログラムできる。事前にプログラムされた閾値のいずれかを超えた場合、センサは電子デバイスと通信して警告状態を生成し、警告信号を送信できる。警告信号は、サプライチェーン内の１つ以上のシステムおよび／または個人に送信できる。

さらに別の一実施形態では、顧客に警告することは、研磨用物品の出荷に関連する警告状態について顧客および／または製造業者に警告することを含むことができる。そのような警告信号は、製造業者と顧客との間の研磨用物品の改善された分配および移送を促進し得る。例えば、電子アセンブリは、ＧＰＳを含むことができ、これは、顧客または製造業者による研磨用物品の追跡を促進し得る。顧客情報は、サプライチェーン内の他のシステムおよび／または個人にフィードバックを提供するために使用され得る。例えば、顧客情報は、製造業者と顧客との間の研磨用物品の出荷に関連するシステムおよび／または個人にフィードバックを提供するために使用され得る。本明細書で述べたように、顧客情報のフィードバックは、研磨用物品の顧客への販売、流通、および／または輸送の円滑化および改善を促進することができる。

別の一態様によれば、顧客情報を利用して、製造業者にフィードバックを提供することができる。例えば、一実施形態では、製品使用情報などの顧客情報を利用し、製造業者に提供して、所与の研磨用物品に対する顧客による使用条件をよりよく理解することができる。そのような情報は、最適化された研磨用物品を顧客に提供する、および／または、代替の使用条件または代替の研磨用製品を提案するのを支援するために、製造業者にとって価値がある可能性がある。

別の一実施形態では、顧客情報を使用して、製造業者と顧客の間の将来の交換を促進することができる。例えば、環境情報または顧客情報などの１つ以上のタイプの情報を使用して、顧客がより多くの研磨用物品を必要としていることを製造業者に通知することができる。特定の一実施形態では、顧客情報は、例えば、製造業者の１つ以上のウェブサイトアドレス、電子メール、および／または販売担当者に対する警告を含む、サプライチェーン内の１つ以上のシステムまたは個人に警告するために使用できる。

多くの異なる態様および実施形態が可能である。それらの態様および実施形態のいくつかは、本明細書に記載されている。本明細書を読んだ後、当業者は、それらの態様および実施形態が単なる例示であり、本発明の範囲を限定しないことを理解するであろう。実施形態は、以下に列記される項目のいずれか１つ以上に従うことができる。

（実施形態１）
研磨用物品であって、
研磨用本体であって、
結合材料と、
結合材料内に含まれる砥粒と、
研磨用本体に連結された電子アセンブリであって、電子アセンブリは、少なくとも１つの電子デバイスを含む電子アセンブリとを含む研磨用本体を含む研磨用物品。

（実施形態２）
研磨用物品であって、
研磨用本体であって、
結合材料と、
結合材料内に含まれる砥粒と、
研磨用本体に接合された電子アセンブリであって、電子アセンブリの少なくとも一部は、研磨用本体の内部体積内に含まれ、電子アセンブリが少なくとも１つの電子デバイスを含む電子アセンブリとを含む研磨用本体を含む研磨用物品。

（実施形態３）
少なくとも１つの電子デバイスは、電子タグ、電子メモリ、センサ、アナログ／デジタルコンバータ、送信機、受信機、トランシーバ、変調器回路、マルチプレクサ、アンテナ、近距離無線通信デバイス、電源、ディスプレイ、光学デバイス、全地球測位システム、またはそれらの任意の組み合わせからなる群から選択されるデバイスを含む、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態４）
少なくとも１つの電子デバイスは、受動的高周波識別（ＲＦＩＤ）タグを含む、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態５）
少なくとも１つの電子デバイスは、能動的高周波識別（ＲＦＩＤ）タグを含む、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態６）
少なくとも１つの電子デバイスは、音響センサ、力センサ、振動センサ、温度センサ、水分センサ、圧力センサ、ガスセンサ、タイマー、またはそれらの任意の組み合わせからなる群から選択されるセンサを含む、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態７）
少なくとも１つの電子デバイスは、近距離無線通信デバイスを含み、研磨用物品は、近距離無線通信デバイスに連結されたセンサをさらに含む、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態８）
少なくとも１つの電子デバイスは、近距離無線通信デバイスを含む、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態９）
少なくとも１つの電子デバイスは、トランシーバを含む、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態９）
少なくとも１つの電子デバイスは、モバイルデバイスと通信するように構成される、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態１０）
少なくとも１つの電子デバイスは、読み取り専用デバイスである、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態１１）
少なくとも１つの電子デバイスは、読み書きデバイスである、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態１２）
少なくとも１つの電子デバイスは、処理情報、製造日、出荷情報、製品識別情報、またはそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される製造情報を含む、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態１３）
少なくとも１つの電子デバイスは、顧客登録情報、製品識別情報、製品コスト情報、製造日、出荷日、環境情報、使用情報、またはそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される顧客情報を含む、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態１４）
電子アセンブリは、研磨用本体の外面に直接結合される、実施形態１に記載の研磨用物品。

（実施形態１５）
電子アセンブリは、研磨用本体の内周領域に配置される、実施形態１に記載の研磨用物品。

（実施形態１６）
電子アセンブリの全体は、研磨用本体の外面に直接結合される、実施形態１５に記載の研磨用物品。

（実施形態１７）
電子アセンブリの少なくとも一部は、研磨用本体の外面で露出している、実施形態１５に記載の研磨用物品。

（実施形態１８）
電子アセンブリは、研磨用本体の外面の下の研磨用本体の内部体積内に延びる埋め込み部分を含む、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態１９）
埋め込み部分は、結合材料に直接接合されている、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態２０）
埋め込み部分は、電子アセンブリの総体積の少なくとも１％、または少なくとも５％、または少なくとも１０％、または少なくとも１５％、または少なくとも２０％、または少なくとも３０％、または少なくとも４０％、または少なくとも５０％、または少なくとも６０％、または少なくとも７０％、または少なくとも８０％、または少なくとも９０％である、実施形態１９に記載の研磨用物品。

（実施形態２１）
埋め込み部分は、電子アセンブリの総体積の９５％以下、または９０％以下、または８０％以下、または７０％以下、または６０％以下、または５０％以下、または４０％以下、または３０％以下、または２０％以下、または１０％以下、または５％以下である、実施形態１９に記載の研磨用物品。

（実施形態２２）
埋め込み部分は、パッケージの一部を含み、電子デバイスは、研磨用本体の外面に連結される、実施形態１９に記載の研磨用物品。

（実施形態２３）
電子アセンブリは、研磨用本体の内周領域に配置される、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態２４）
電子アセンブリの総体積の少なくとも１％は、研磨用本体の内部体積内に、または少なくとも５％、または少なくとも１０％、または少なくとも１５％、または少なくとも２０％、または少なくとも３０％、または少なくとも４０％、または少なくとも５０％、または少なくとも６０％、または少なくとも７０％、または少なくとも８０％、または少なくとも９０％内に含まれる、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態２６）
電子アセンブリの９９％以下は、研磨用本体の内部体積内に、または９５％以下、または９０％以下、または８０％以下、または７０％以下、または６０％以下、または５０％以下、または４０％以下、または３０％以下、または２０％以下、または１０％以下、または５％以下内に含まれる、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態２７）
電子アセンブリは、本体の体積内に完全に埋め込まれ、研磨用本体の外面から離間される、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態２８）
電子アセンブリは、研磨用本体の総厚さ（Ｔ_Ｂ）の５０％未満、または４５％以下、または４０％以下、または３５％以下、または３０％以下、または２５％以下、または２０％以下、または１５％以下、または１０％以下、または５％以下、または３％以下の深さ（Ｄ_ＥＡ）で埋め込まれる、実施形態２７に記載の研磨用物品。

（実施形態２８）
電子アセンブリは、研磨用本体の総厚さ（Ｔ_Ｂ）の少なくとも１％、または少なくとも２％、または少なくとも３％、または少なくとも５％、または少なくとも８％、または少なくとも１０％、または少なくとも１２％、または少なくとも１５％、または少なくとも２０％、または少なくとも２５％、または少なくとも３０％、または少なくとも４０％の深さ（Ｄ_ＥＡ）で埋め込まれる、実施形態２７に記載の研磨用物品。

（実施形態２９）
電子アセンブリは、パッケージを含み、電子デバイスは、パッケージ内に含まれる、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態３０）
パッケージは、熱障壁材料を含む、実施形態２９に記載の研磨用物品。

（実施形態３１）
熱障壁材料は、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、ポリケトン、ポリベンズイミジゾール、ポリエステル、および上記のポリマーのブレンドを含む熱可塑性ポリマー、エポキシ、シアノエステル、フェノールホルムアルデヒド、ポリウレタン、ポリ（アミド／イミド）、架橋可能な不飽和ポリエステルを含む熱硬化性ポリマー、セラミックス、またはそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される材料を含む、実施形態３０に記載の研磨用物品。

（実施形態３２）
熱障壁パッケージは、少なくとも０．３３Ｗ／ｍ／Ｋ～２００Ｗ／ｍ／Ｋ以下の範囲内の熱伝導率を含む、実施形態３０に記載の研磨用物品。

（実施形態３３）
パッケージは、２．０ｇ／ｍ^２・日以下の範囲内の水蒸気透過率を含む、実施形態３０に記載の研磨用物品。

（実施形態３４）
パッケージは、高周波電磁放射に対して実質的に透過的である、実施形態３０に記載の研磨用物品。

（実施形態３５）
砥粒は、酸化物、炭化物、窒化物、ホウ化物、またはそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される材料を含む、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態３６）
砥粒は、超研磨用を含む、実施形態３５に記載の研磨用物品。

（実施形態３７）
研磨用本体は、研磨用本体の総体積に対して少なくとも０．５体積％～９０体積％以下の範囲内の砥粒の含有量を含む、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態３８）
砥粒は、少なくとも０．１ミクロン～５０００ミクロン以下の範囲内の中央粒径（Ｄ５０）を含む、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態３９）
結合材料は、無機材料、有機材料、またはそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される材料を含む、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態４０）
結合材料は、金属、金属合金、ガラス質材料、単結晶材料、多結晶材料、ガラス、セラミックス、またはそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される無機材料を含む、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態４１）
結合材料は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、エラストマー、またはそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される有機材料を含む、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態４２）
結合材料は、樹脂、エポキシ、またはそれらの任意の組み合わせのうちの少なくとも１つを含む、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態４３）
結合材料は、１５００℃以下、または１４００℃以下、または１３００℃以下、１２００℃以下、または１１００℃以下、または１０００℃以下、または９００℃以下、または８００℃以下、または７００℃以下、または６００℃以下、または５００℃以下、または４００℃以下、または３００℃以下の形成温度を含む、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態４４）
結合材料は、少なくとも１００℃、または少なくとも２００℃、または少なくとも３００℃、または少なくとも４００℃、または少なくとも５００℃、または少なくとも６００℃、または少なくとも７００℃、または少なくとも８００℃、または少なくとも９００℃、または少なくとも１０００℃、または少なくとも１１００℃、または少なくとも１２００℃、または少なくとも１３００℃、または少なくとも１４００℃の形成温度を含む、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態４５）
研磨用本体は、研磨用本体の総体積に対して少なくとも０．５体積％～９０体積％以下を含む範囲内の量で存在する空孔率を含む。実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態４６）
研磨用本体は、閉鎖空孔率、開放空孔率、またはそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される空孔率を含む、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態４７）
研磨用本体は、結合された研磨用本体を画定する結合材料の三次元体積内に含まれる砥粒を含む、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態４８）
研磨用本体は、基板を覆い、コーティングされる研磨用物品を画定する１つ以上の砥粒の層に含まれる砥粒の層を含む、実施形態１および２のいずれか１つに記載の研磨用物品。

（実施形態４９）
研磨用物品を形成する方法であって、
砥粒および結合材料前駆体を含む研磨用本体前駆体を形成するステップと、
少なくとも１つの電子アセンブリを研磨用本体前駆体と組み合わせるステップであって、少なくとも１つの電子アセンブリは電子デバイスを含むステップと、
研磨用本体前駆体を研磨用本体に形成するステップとを含む方法。

（実施形態５０）
研磨用本体前駆体は、砥粒および結合材料前駆体を含む液体混合物である、実施形態４９に記載の方法。

（実施形態５１）
研磨用本体前駆体は、砥粒および結合材料前駆体を含む固体のグリーン体である、実施形態４９に記載の方法。

（実施形態５２）
形成するステップは、少なくとも２５℃かつ１５００℃以下の範囲内の形成温度に研磨用本体を加熱するステップを含む、実施形態４９に記載の方法。

（実施形態５３）
砥粒と結合材料前駆体の混合物を生成することにより研磨用本体前駆体を形成するステップと、
混合物上または混合物内に電子アセンブリを堆積させるステップと、
硬化、加熱、焼結、焼成、冷却、成形、プレス、またはそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つのプロセスを使用して、研磨用本体前駆体を研磨用本体に形成するステップとをさらに含む、実施形態４９に記載の方法。

（実施形態５４）
砥粒および結合材料前駆体を含む研磨用本体前駆体を固化したグリーン体に形成するステップと、
固化したグリーン体上に電子アセンブリを堆積させるステップと、
硬化、加熱、焼結、焼成、冷却、成形、プレス、またはそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つのプロセスを使用して、固化したグリーン体を研磨用本体に形成するステップとをさらに含む、実施形態４９に記載の方法。

（実施形態５５）
電子アセンブリは、研磨用本体の外面に直接結合される、実施形態４９に記載の方法。

（実施形態５６）
電子アセンブリは、研磨用本体の内周領域に配置される、実施形態４９に記載の方法。

（実施形態５７）
電子アセンブリの全体は、研磨用本体の外面に直接結合される、実施形態４９に記載の方法。

（実施形態５８）
電子アセンブリの少なくとも一部は、研磨用本体の外面で露出される、実施形態４９に記載の方法。

（実施形態５９）
電子アセンブリは、研磨用本体の外面の下の研磨用本体の内部体積内に延びる埋め込み部分を含む、実施形態４９に記載の方法。

（実施形態６０）
埋め込み部分は、結合材料に直接結合されている、実施形態４９記載の方法。

（実施形態６１）
埋め込み部分は、パッケージの一部を含み、電子デバイスは、研磨用本体の外面に連結されている、実施形態４９記載の方法。

（実施形態６２）
電子アセンブリは、研磨用本体の体積内に完全に埋め込まれ、研磨用本体の外面から離間される、実施形態４９に記載の方法。

（実施形態６３）
電子アセンブリは、パッケージを含み、電子デバイスは、パッケージ内に含まれ、パッケージは、熱障壁材料を含む、実施形態４９に記載の方法。

（実施形態６４）
研磨用物品を形成する方法であって、
砥粒および結合材料前駆体を含む研磨用本体前駆体を形成することと、
砥粒および結合材料を含む研磨用本体に研磨用本体前駆体を形成することと、
電子アセンブリを研磨用本体に取り付けることであって、電子アセンブリは、少なくとも１つの電子デバイスを含むこととを含む方法。

（実施形態６５）
砥粒および結合材料前駆体を含む研磨用本体前駆体を形成することは、砥粒および結合材料前駆体を含む混合物を形成することを含む、実施形態６４に記載の方法。

（実施形態６６）
砥粒および結合材料を含む研磨用本体に研磨用本体前駆体を形成することは、硬化、加熱、焼結、焼成、冷却、プレス、成形、またはそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つのプロセスを含む、実施形態６４に記載の方法。

（実施形態６７）
形成することは、少なくとも１００℃かつ１５００℃以下の範囲内の形成温度に本体を加熱することを含む、実施形態６４に記載の方法。

（実施形態６８）
取り付けることは、接着、化学結合、焼結結合、ろう付け、穴あけ、締結、接続、またはそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つのプロセスを含む、実施形態６４に記載の方法。

（実施形態６９）
研磨用物品の使用方法であって、
研磨用本体を形成することであって、研磨用本体は、
結合材料と、
結合材料内に含まれる砥粒と、
研磨用本体に連結され、電子デバイスを含む電子アセンブリとを含むことと、
電子デバイスに製造情報を書き込むこととを含む方法。

（実施形態７０）
電子デバイスに製造情報を書き込むことは、研磨用本体を形成する少なくとも１つのプロセス中に行われる、実施形態６９に記載の方法。

（実施形態７１）
電子デバイスに製造情報を書き込むことは、研磨用本体を形成した後に行われる、実施形態６９に記載の方法。

（実施形態７２）
製造情報は、処理情報、製造日、出荷情報、製品識別情報、またはそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される、実施形態６９に記載の方法。

（実施形態７３）
処理情報は、研磨用本体を形成するために使用される少なくとも１つの処理条件に関する情報を含む、実施形態７２に記載の方法。

（実施形態７４）
処理情報は、製造機械データ、処理温度、処理圧力、処理時間、処理雰囲気、またはそれらの任意の組み合わせのうちの少なくとも１つを含む、実施形態６９に記載の方法。

（実施形態７５）
製造情報を検討することによって品質管理検査を実施することをさらに含む、実施形態６９に記載の方法。

（実施形態７６）
ａ）研磨用物品を顧客に送る前に製造情報の少なくとも一部を削除すること、
ｂ）研磨用物品を顧客に送る前に電子機器から情報を読み取ること、
ｃ）研磨用物品を顧客に送る前に情報を電子デバイスに書き込むこと、または、
ｄ）それらの任意の組み合わせ、
からなる群から選択される少なくとも１つの動作を実行することをさらに含む、実施形態６９に記載の方法。

（実施形態７７）
研磨用物品を使用する方法であって、方法は、
研磨用本体の提供することであって、研磨用本体は、
結合材料と、
結合材料内に含まれる砥粒と、
研磨用本体に連結された電子アセンブリであって、電子アセンブリは、顧客情報を含む電子デバイスを含む電子アセンブリとを含むことと、
電子デバイスに含まれている顧客情報を使用することとを含む方法。

（実施形態７８）
顧客情報は、顧客登録情報、製品識別情報、製品コスト情報、製造日、出荷日、環境情報、使用情報、またはそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される情報を含む、実施形態７７に記載の方法。

（実施形態７９）
使用することは、研磨用物品の使用のための適切な条件を決定するために顧客情報にアクセスすることを含む、実施形態７７に記載の方法。

（実施形態８０）
使用することは、１つ以上の警告状態について顧客に警告することを含む、実施形態７７に記載の方法。

（実施形態８１）
顧客に警告することは、研磨用物品の使用に関連する警告状態について顧客に警告することを含む、実施形態８０に記載の方法。

（実施形態８２）
顧客に警告することは、研磨用物品の寿命に関連する警告状態について顧客に警告することを含む、実施形態８１に記載の方法。

（実施形態８３）
顧客に警告することは、研磨用物品の１つ以上の環境条件に関連する警告状態について顧客に警告することを含む、実施形態８１に記載の方法。

（実施形態８４）
１つ以上の環境条件は、研磨用物品のパッケージ内の水蒸気の存在、研磨用物品中の水蒸気、研磨用物品の温度、研磨用物品への圧力、パッキング内の有害化学物質の存在、研磨用物品内の有害化学物質の存在、研磨用物品への損傷、改ざん情報、研磨用物品の寿命、またはそれらの任意の組み合わせのうちの少なくとも１つを含む、実施形態８３に記載の方法。

（実施形態８５）
顧客に警告することは、顧客登録デバイス、製造業者登録デバイス、またはそれらの任意の組み合わせのうちの少なくとも１つに少なくとも１つの警告信号を送信することを含む、実施形態８０に記載の方法。

（ 実施形態８６）
顧客に警告することは、顧客登録モバイルデバイス、製造業者登録モバイルデバイス、またはそれらの任意の組み合わせに少なくとも１つの警告信号を送信することを含む、実施形態８０に記載の方法。

（実施形態８７）
警告信号は、顧客登録モバイルデバイスへのテキストメッセージを含むことができる、実施形態８５に記載の方法。

（実施態８８）
顧客に警告することは、研磨用物品の出荷に関連する警告状態について顧客または製造業者に警告することを含む、実施形態８０に記載の方法。

（実施形態８９）
研磨用物品を使用する方法であって、
顧客情報を有する電子デバイスを含む研磨用物品を提供することと、
１つ以上の警告状態について顧客に警告することであって、警告することは、１つ以上の顧客登録モバイルデバイスに警告信号を送信することを含むこととを含む方法。

（実施形態９０）
顧客情報は、顧客登録情報、製品識別情報、製品コスト情報、製造日、出荷日、環境情報、使用情報、またはそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される情報を含む、実施形態８９に記載の方法。

（実施形態９１）
顧客に警告することは、研磨用物品の使用に関連する警告状態について顧客に警告することを含む、実施形態８９に記載の方法。

（実施形態９２）
顧客に警告することは、研磨用物品の寿命に関連する警告状態について顧客に警告することを含む、実施形態８９に記載の方法。

（実施形態９３）
顧客に警告することは、研磨用物品の１つ以上の環境条件に関連する警告状態について顧客に警告することを含む、実施形態８９に記載の方法。

（実施形態９４）
１つ以上の環境条件は、研磨用物品のパッケージ内の水蒸気の存在、研磨用物品中の水蒸気、研磨用物品の温度、研磨用物品への圧力、パッキング内の有害化学物質の存在、研磨用物品内の有害化学物質の存在、研磨用物品への損傷、改ざん情報、研磨用物品の寿命、またはそれらの任意の組み合わせのうちの少なくとも１つを含む、実施形態９３に記載の方法。

（実施形態９５）
警告信号は、顧客登録モバイルデバイスへのテキストメッセージを含むことができる、実施形態９０に記載の方法。

（実施形態９６）
顧客に警告することは、研磨用物品の出荷に関連する警告状態について顧客または製造業者に警告することを含む、実施形態９０に記載の方法。

（実施形態９７）
研磨用部分と、
研磨用部分の一部と直接連結している電子アセンブリであって、電子アセンブリの少なくとも一部は、研磨用部分の一部と直接接触している電子アセンブリとを含む研磨用物品。

（実施形態９８）
バッキングと、
バッキングを覆う研磨用コーティングであって、研磨用部分は研磨用コーティングの一部である研磨用コーティングと、
研磨用コーティングに連結された電子アセンブリであって、電子アセンブリの少なくとも一部は、研磨用コーティングの一部と直接接触している電子アセンブリとをさらに含み、
研磨用物品はコーティングされた研磨用物品である、実施形態９７に記載の研磨用物品。

（実施形態９９）
電子アセンブリは、不正改ざん防止方式で研磨用コーティングに連結されている、実施形態９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１００）
電子アセンブリは、少なくとも部分的に研磨用コーティングに埋め込まれている、実施形態９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１０１）
電子アセンブリの少なくとも一部は、研磨用部分の研磨面または研磨用コーティングの研磨面の下に配置される、実施形態９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１０２）
電子アセンブリ全体は、研磨用コーティングの研磨面の下にある、実施形態９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１０３）
電子アセンブリ全体は、研磨用コーティング内に埋め込まれている、実施形態９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１０４）
電子アセンブリ全体は、研磨用コーティングに完全に包まれている、実施形態９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１０５）
電子アセンブリは、バッキングと研磨用コーティングとの間に配置される、実施形態９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１０６）
電子アセンブリは、バッキングから離間している、実施形態９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１０７）
電子アセンブリは、バッキング上に配置される、実施形態９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１０８）
電子アセンブリは、バッキング内に部分的に埋め込まれている、実施形態９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１０９）
電子アセンブリは、研磨用部分の平均厚さの９９％以下、例えば、研磨用部分の平均厚さの９８％以下、９６％以下、９４％以下、９２％以下、９０％以下、８８％以下、８６％以下、８４％以下、８２％以下、８０％以下、７８％以下、７６％以下、７５％以下、７３％以下、７１％以下、７０％以下、６８％以下、６６％以下、６４％以下、６２％以下、６０％以下、５８％以下、５５％以下、５３％以下、５１％以下、５０％以下、４８％以下、４５％以下、４３％以下、４１％以下、４０％以下、３８％以下、３６％以下、３４％以下、３２％以下、または３０％以下の厚さを有する、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１１０）
電子アセンブリは、研磨用部分の平均厚さの１０％、例えば、研磨用部分の平均厚さの少なくとも１２％、少なくとも１３％、少なくとも１５％、少なくとも１７％、少なくとも１８％、少なくとも２０％、少なくとも２２％、少なくとも２４％、少なくとも２５％、少なくとも２７％、少なくとも３０％、少なくとも３１％、少なくとも３３％、少なくとも３５％、少なくとも３７％、少なくとも４０％、少なくとも４２％、少なくとも４４％、少なくとも４６％、少なくとも４８％、少なくとも５０％、少なくとも５２％、少なくとも５４％、少なくとも５５％、少なくとも５８％、少なくとも６０％、少なくとも６２％、少なくとも６４％、少なくとも６６％、少なくとも６８％、または少なくとも７０％の厚さを有する、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１１１）
電子アセンブリは、研磨用物品の平均厚さの５５％以下、例えば、コーティングされた研磨用の平均厚さの５３％以下、５１％以下、５０％以下、４８％以下、４５％以下、４３％以下、４１％以下、４０％以下、３８％以下、３６％以下、３４％以下、３２％以下、または３０％以下の厚さを有する、実施形態９７に記載のコーティングされた研磨用物品。

（実施形態１１２）
電子アセンブリは、研磨用物品の平均厚さの少なくとも１０％、例えば、コーティングされた研磨用の平均厚さの少なくとも１２％、少なくとも１３％、少なくとも１５％、少なくとも１７％、少なくとも１８％、少なくとも２０％、少なくとも２２％、少なくとも２４％、少なくとも２５％、少なくとも２７％、少なくとも３０％、少なくとも３１％、少なくとも３３％、少なくとも３５％、少なくとも３７％、少なくとも４０％、少なくとも４２％、少なくとも４４％、少なくとも４６％、少なくとも４８％、または少なくとも５０％の厚さを有する、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１１３）
研磨用物品は、コーティングされた研磨用または不織布研磨用を含み、研磨用物品は、５０％以下、４５％以下、４０％以下、３５％以下、３０％以下、２５％以下、２０％以下、１５％以下、１０％以下、９％以下、８％以下、６％以下、５％以下、４％以下、２％以下、または１％以下の長手方向の可撓性差を含む、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１１４）
研磨用物品は、コーティングされた研磨用または不織布研磨用を含み、研磨用物品は、５０％以下、４５％以下、４０％以下、３５％以下、３０％以下、２５％以下、２０％以下、１５％以下、１０％以下、９％以下、８％以下、６％以下、５％以下、４％以下、２％以下の横方向の可撓性差を含む、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１１５）
研磨用物品は、コーティングされた研磨用または不織布研磨用を含み、研磨用物品は、第２の曲げ強度の５０％以下、または４５以下、または４０％以下、または３５％以下、または３０％以下、または２５％以下、または２０％以下、または１９％以下、または１８％以下、または１６％以下、または１５％以下、または１４％以下、または１２％以下、または１１％以下、または１０％以下、または９％以下、または８％以下、または６％以下、または５％以下、または４％以下、または２％以下、または１％以下の曲げ強度差を含む、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１１６）
研磨用物品は、コーティングされた研磨用または不織布研磨用を含み、研磨用物品は、第２の引張強度の５０％以下、または４５以下、または４０％以下、または３５％以下、または３０％以下、または２５％以下、または２０％以下、または１９％以下、または１８％以下、または１６％以下、または１５％以下、または１４％以下、または１２％以下、または１１％以下、または１０％以下、または９％以下、または８％以下、または６％以下、または５％以下、または４％以下、または２％以下、または１％以下の引張強度差を含む、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１１７）
研磨用物品は、中央開口部を含むディスクの形態であり、電子アセンブリは、中央開口部に隣接して配置され、ディスクの中心と電子アセンブリの間の距離は、０．５Ｒ未満、例えば、０．４Ｒ以下、０．３Ｒ以下、０．２Ｒ以下、または０．１Ｒ以下であり、Ｒはディスクの外側半径である、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１１８）
距離は、少なくとも０．０５Ｒ、例えば、少なくとも０．０８Ｒ、または少なくとも０．１Ｒである、実施形態１１７に記載の研磨用物品。

（実施形態１１９）
研磨用物品は、外周面を含むディスクの形態であり、電子アセンブリは、外周面に隣接して配置され、ディスクの中心と電子アセンブリの間の距離は、０．５Ｒよりも大きい、例えば、少なくとも０．６Ｒ、少なくとも０．７Ｒ、少なくとも０．８Ｒ、または少なくとも０．９Ｒであり、Ｒはディスクの外側半径である、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１２０）
ディスクの中心と電子アセンブリの間の距離は、０．９９Ｒ以下、または０．９５Ｒ以下、または０．９３Ｒ以下、または０．９Ｒ以下である、実施形態１１９に記載の研磨用物品。

（実施形態１２１）
研磨用物品は、ベルトの形態であり、電子アセンブリは、ベルトの縁部に隣接して配置され、ベルトの縁部と電子アセンブリとの間の距離は、０．５Ｗ未満、または０．４Ｗ以下、または０．３Ｗ以下、または０．２Ｗ以下、または０．１Ｗ以下であり、Ｗはベルトを横方向に横切る幅である、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１２２）
ベルトの縁部と電子アセンブリとの間の距離は、少なくとも０．０５Ｗ、または少なくとも０．０７Ｗ、または少なくとも０．０９Ｗ、または少なくとも０．１Ｗ、または少なくとも０．１５である、実施形態１２１に記載の研磨用物品。

（実施形態１２３）
電子アセンブリの長手軸は、コーティングされた研磨用物品の長手軸と実質的に揃えられる、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１２４）
電子アセンブリの横軸は、研磨用物品の長手軸と実質的に揃えられる、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１２５）
電子アセンブリの長手軸は、研磨用物品の長手軸に対して傾斜している、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１２６）
電子アセンブリの長手軸は、研磨用物品の半径方向軸と実質的に揃えられる、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１２７）
電子アセンブリの長手軸は、コーティングされた研磨用物品の半径方向軸に対して角度が付けられている、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１２８）
電子アセンブリは、曲率を含み、研磨用物品の曲率と同軸である、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１２９）
電子アセンブリは、高周波識別タグ、近距離無線通信タグ、水分センサ、温度センサ、またはそれらの組み合わせを含む少なくとも１つの電子デバイスを備える、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１３０）
電子アセンブリはパッケージを備え、少なくとも１つの電子デバイスはパッケージ内に含まれる、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１３１）
パッケージは、熱障壁材料を備える、実施形態１３０に記載の研磨用物品。

（実施形態１３２）
熱障壁材料は、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、ポリケトン、ポリベンズイミジゾール、ポリエステル、および上記のポリマーのブレンドを含む熱可塑性ポリマー、エポキシ、シアノエステル、フェノールホルムアルデヒド、ポリウレタン、ポリ（アミド／イミド）、架橋可能な不飽和ポリエステルを含む熱硬化性ポリマー、セラミックス、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリスルホン（ＰＳＵ）、ポリ（エーテルスルホン）（ＰＥＳ）およびポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリ（フェニレンスルフィド）（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、芳香族ポリマー、ポリ（ｐ－フェニレン）、エチレンプロピレンゴムおよび／または架橋ポリエチレン、ポリテトラフルオロエチレンまたはテフロン（登録商標）を含むフルオロポリマー、またはそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される材料を含む、実施形態１３１に記載の研磨用物品。

（実施形態１３３）
熱障壁パッケージは、
少なくとも０．３３Ｗ／ｍ／Ｋ～２００Ｗ／ｍ／Ｋ以下の範囲内の熱伝導率、
２．０ｇ／ｍ^２・日以下の範囲内の水蒸気透過率
のうちの少なくとも１つを含む、実施形態１３１に記載の研磨用物品。

（実施形態１３４）
パッケージは、高周波電磁放射に対して実質的に透過的である、実施形態１３０に記載の研磨用物品。

（実施形態１３５）
パッケージは、疎水性材料を含む層を含む、実施形態１３０に記載の研磨用物品。

（実施形態１３６）
疎水性材料は、酸化マンガンポリスチレン（ＭｎＯ_２／ＰＳ）ナノ複合材、酸化亜鉛ポリスチレン（ＺｎＯ／ＰＳ）ナノ複合材、炭酸カルシウム、カーボンナノチューブ、シリカナノコーティング、フッ素化シラン、フルオロポリマー、またはこれらの組み合わせを含む、実施形態１３５に記載の研磨用物品。

（実施形態１３７）
パッケージは保護層を含み、保護層は、少なくとも１つの電子デバイスの少なくとも一部を覆う、実施形態１３０に記載の研磨用物品。

（実施形態１３８）
パッケージは保護層を含み、保護層は、少なくとも１つの電子デバイスの外面全体を覆う、実施形態１３０の研磨用物品。

（実施形態１３９）
パッケージは保護層を含み、保護層は、パリレン、シリコーン、アクリル、エポキシベースの樹脂、セラミックス、金属、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリイミド、ＰＶＢ、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、ポリウレタン（ＰＵ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンビニルアセテート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、ポリアクリレート（ＰＡ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリウレタン（ＰＵＲ）、またはこれらの組み合わせを含む、実施形態１３０に記載の研磨用物品。

（実施形態１４０）
パッケージは、オートクレーブ可能な材料を含む、実施形態１３０に記載の研磨用物品。

（実施形態１４１）
電子アセンブリは、電子集積回路チップ、データトランスポンダ、タグ、センサ、またはそれらの任意の組み合わせを含む少なくとも１つの電子デバイスを含む、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１４２）
電子デバイスは、アンテナをさらに含む、実施形態１４１に記載の研磨用物品。

（実施形態１４３）
電子アセンブリは、電源、基板、またはそれらの組み合わせをさらに含む、実施形態１４１に記載の研磨用物品。

（実施形態１４４）
電子アセンブリは、少なくとも１０ｍｍ、少なくとも１５ｍｍ、少なくとも２０ｍｍ、または少なくとも２５ｍｍの通信範囲を有する電子デバイスを含む、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１４５）
電子アセンブリは、３５ｍｍ以下、３０ｍｍ以下、または２５ｍｍ以下の通信範囲を有する電子デバイスを含む、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１４６）
電子アセンブリは、少なくとも１．０メートル、少なくとも１．５メートル、少なくとも２．０メートル、少なくとも２．５メートル、少なくとも３．０メートル、少なくとも３．５メートル、少なくとも４．０メートル、少なくとも４．５メートル、少なくとも５．０メートル、少なくとも５．５メートル、少なくとも６．０メートル、少なくとも６．５メートル、または少なくとも７．０メートルの通信範囲を有する電子デバイスを含む、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１４７）
電子アセンブリは、９．０メートル以下、８．５メートル以下、８．０メートル以下、７．５メートル以下、７．０メートル以下、６．５メートル以下、６．０メートル以下、５．５メートル以下、５．０メートル以下、４．５メートル以下、４．０メートル以下、３．５メートル以下、３．０メートル以下、２．５メートル以下、または２．０メートル以下の通信範囲を有する電子デバイスを含む、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１４８）
電子アセンブリは、少なくとも１００メートル、少なくとも２００メートル、少なくとも４００メートル、少なくとも５００メートル、または少なくとも７００メートルの通信範囲を有する電子デバイスを含む、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１４９）
電子アセンブリは、１０００メートル以下、例えば、８００メートル以下、または７００メートル以下の通信範囲を有する電子デバイスを含む、実施形態９７または９８に記載の研磨用物品。

（実施形態１５０）
研磨用物品は、不織布研磨用物品を含み、不織布研磨用物品は、繊維ウェブを覆う研磨用部分を含み、研磨用部分は、研磨用コーティングである、実施形態９７に記載の研磨用物品。

（実施形態１５１）
電子アセンブリは、繊維ウェブと研磨用コーティングとの間に配置される、実施形態１５０に記載の研磨用物品。

（実施形態１５２）
電子アセンブリは、繊維ウェブから離間している、実施形態１５０に記載の研磨用物品。

（実施形態１５３）
電子アセンブリは、繊維ウェブ上に配置される、実施形態１５０に記載の研磨用物品。

（実施形態１５４）
電子アセンブリは、繊維ウェブの一部と接触している、実施形態１５０に記載の研磨用物品。

（実施形態１５５）
電子アセンブリは、繊維ウェブに部分的に埋め込まれる、実施形態１５０に記載の研磨用物品。

（実施形態１５６）
研磨用部分を含む研磨用本体を含み、研磨用部分は、結合材料と、結合材料内に含まれる砥粒とを含む、実施形態９７に記載の研磨用物品。

（実施形態１５７）
結合材料は、有機材料、ガラス質材料、セラミックス材料、またはそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態１５６に記載の研磨用物品。

（実施形態１５８）
電子アセンブリは、電子デバイスを含み、電子デバイスは、結合研磨用本体の結合材料に直接結合されている、実施形態１５６に記載の研磨用物品。

（実施形態１５９）
電子アセンブリは、研磨用本体の外面に直接結合される、実施形態１５６に記載の研磨用物品。

（実施形態１６０）
結合研磨用本体の外面は、結合研磨用本体の主表面である、実施形態１５９に記載の研磨用物品。

（実施形態１６１）
電子アセンブリは、研磨用本体の内周領域内に配置される、実施形態１５６に記載の研磨用物品。

（実施形態１６２）
電子アセンブリは、研磨用本体の内側研磨用部分に配置される、実施形態１５６に記載の研磨用物品。

（実施形態１６３）
電子アセンブリは、少なくとも部分的に研磨用本体内に埋め込まれる、実施形態１５６に記載の研磨用物品。

（実施形態１６４）
電子アセンブリは、完全に結合研磨用本体内に埋め込まれ、結合研磨用本体の外面から離間している、実施形態１５６に記載の研磨用物品。

（実施形態１６５）
埋め込まれた電子アセンブリは、結合材料に直接結合される、実施形態１６４に記載の研磨用物品。

（実施形態１６６）
電子アセンブリは、結合研磨用本体の総厚（Ｔ_Ｂ）の８０％未満、または７５％以下、または７０％以下、または６５％以下、または６０％以下、または５５％以下、または５０％以下、または４５％以下、または４０％以下、または３５％以下、または３０％以下、または２５％以下、または２０％以下、または１５％以下、または１０％以下、または５％以下、または研磨用本体の総厚（Ｔ_Ｂ）の３％以下の深さ（Ｄ_ＥＡ）で埋め込まれる、実施形態１６４に記載の研磨用物品。

（実施形態１６７）
電子アセンブリは、研磨用本体の総厚（Ｔ_Ｂ）の少なくとも１％、または少なくとも２％、または少なくとも３％、または少なくとも５％、または少なくとも８％、または少なくとも１０％、または少なくとも１２％、または少なくとも１５％、または少なくとも２０％、または少なくとも２５％、または少なくとも３０％、または少なくとも４０％、または研磨用本体の総厚（ＴＢ）の少なくとも５０％の深さ（Ｄ_ＥＡ）で埋め込まれる、実施形態１６４に記載の研磨用物品。

（実施形態１６８）
本体は、内側研磨用部分および外側研磨用部分を含み、電子アセンブリは、少なくとも部分的に内側研磨用部分内に埋め込まれる、実施形態１５６に記載の研磨用物品。

（実施形態１６９）
内側研磨用部分および外側研磨用部分は、異なる結合材料を含む、実施形態１６８に記載の研磨用物品。

（実施形態１７０）
内側研磨用部分および外側研磨用部分は、同じ結合材料を含む、実施形態１６８に記載の研磨用物品。

（実施形態１７１）
外側研磨用部分は、ガラス質材料を含み、内側研磨用部分は、外側研磨用部分と本質的に同じであるガラス質材料を含む、実施形態１６８に記載の研磨用物品。

（実施形態１７２）
外側研磨用部分は、ガラス質材料を含み、内側研磨用部分は、有機材料を含む、実施形態１６８に記載の研磨用物品。

（実施形態１７３）
内側研磨用部分は、ガラス質材料を含む第１の部分と、有機材料を含む第２の部分とを含み、電子アセンブリは、第１の部分と第２の部分との間に配置される、実施形態１６８に記載の研磨用物品。

（実施形態１７４）
有機材料は、樹脂、フェノール樹脂、エポキシ、セメント、またはそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態１６８に記載の研磨用物品。

（実施形態１７５）
電子アセンブリは、外側研磨用部分の内周壁と接触している、実施形態１６８に記載の研磨用物品。

（実施形態１７６）
電子アセンブリは、内側研磨用部分内に完全に埋め込まれ、外側研磨用部分から離間される、実施形態１６８に記載の研磨用物品。

（実施形態１７７）
本体は、中央開口部と、中央開口部を画定する内周壁とを含み、電子アセンブリは、周壁の一部と接触している、実施形態１５６に記載の研磨用物品。

（実施形態１７８）
電子アセンブリは、内周壁に結合されている、実施形態１７７に記載の研磨用物品。

（実施形態１７９）
セメント材料が、電子アセンブリの外面の少なくとも一部を覆う、実施形態１７５に記載の研磨用物品。

（実施形態１８０）
セメント材料が、内周壁の少なくとも一部を覆い、電子アセンブリは、少なくとも部分的にセメント材料内に埋め込まれている、実施形態１７９に記載の研磨用物品。

（実施形態１８１）
セメント材料は、ケイ酸カルシウム、酸化物、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、またはそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態１７８に記載の研磨用物品。

（実施形態１８２）
結合材料は、本質的に有機材料からなる、実施形態１５６に記載の研磨用物品。

（実施形態１８３）
結合材料は、有機材料およびガラス質材料を含む、実施形態１５６に記載の研磨用物品。

（実施形態１８４）
結合材料は、本質的にガラス質材料からなる、実施形態１５６に記載の研磨用物品。

（実施形態１８５）
本体は、非研磨用部分をさらに含む、実施形態１５６に記載の研磨用物品。

（実施形態１８６）
電子アセンブリは、研磨用部分と非研磨用部分との間に配置される、実施形態１８５に記載の研磨用物品。

（実施形態１８７）
電子アセンブリは、非研磨用部分と接触している、実施形態１８５に記載の研磨用物品。

（実施形態１８８）
電子アセンブリは、非研磨用部分から離間している、実施形態１８５に記載の研磨用物品。

（実施形態１８９）
非研磨用部分は、布地、繊維、フィルム、織布材料、不織布材料、ガラス、ガラス繊維、セラミックス、ポリマー、樹脂、ポリマー、フッ素化ポリマー、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン、ポリエステル、ゴム、ポリイミド、ポリベンズイミダゾール、芳香族ポリアミド、変性フェノール樹脂、紙、またはそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される材料を含む、実施形態１８５に記載の研磨用物品。

（実施形態１９０）
本体を覆う非研磨用部分をさらに含む、実施形態１５６に記載の研磨用物品。

（実施形態１９１）
電子アセンブリは、研磨用部分と非研磨用部分との間に配置される、実施形態１９０に記載の研磨用物品。

（実施形態１９２）
電子アセンブリは、非研磨用部分と接触している、実施形態１９０に記載の研磨用物品。

（実施形態１９３）
電子アセンブリは、非研磨用部分から離間される、実施形態１９０に記載の研磨用物品。

（実施形態１９４）
非研磨用部分は、研磨用物品の外面を形成し、非研磨用部分は、本体の主表面を覆う、実施形態１９０に記載の研磨用物品。

（実施形態１９５）
非研磨用部分は、布地、繊維、フィルム、織布材料、不織布材料、ガラス、ガラス繊維、セラミックス、ポリマー、樹脂、ポリマー、フッ素化ポリマー、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン、ポリエステル、ゴム、ポリイミド、ポリベンズイミダゾール、芳香族ポリアミド、変性フェノール樹脂、紙、またはそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される材料を含む、実施形態１９０に記載の研磨用物品。

（実施形態１９６）
研磨用物品は、超薄型ホイール、切断ホイール、または組み合わせホイールを含む、実施形態１８５に記載の研磨用物品。

（実施形態１９７）
電子アセンブリは、少なくとも１つの電子デバイスを含み、電子デバイスは、データを含む区分けされた部分を含み、区分けされた部分は、アクセス制限されている、実施形態９７に記載の研磨用物品。

（実施形態１９８）
研磨用物品を形成するプロセスであって、
電子アセンブリに連結された研磨用本体前駆体を形成することと、
電子アセンブリに連結された研磨用本体前駆体に処理を施して研磨用物品を形成することとを含むプロセス。

（実施形態１９９）
処理を施すことは、電子アセンブリに連結された研磨用本体前駆体に熱、圧力、またはそれらの組み合わせを施すことを含む、実施形態１９８に記載のプロセス。

（実施形態２００）
電子アセンブリに連結された研磨用本体前駆体を形成することは、
電子アセンブリをバッキングまたは繊維ウェブの一部の上に配置することと、
電子アセンブリの少なくとも一部およびバッキングまたは繊維ウェブの少なくとも一部を覆う研磨用コーティング層を配置することであって、研磨用コーティング層は前駆体結合材料を含むこととを含む、実施形態１９８に記載のプロセス。

（実施形態２０１）
処理を施すことは、研磨用コーティング層および電子アセンブリを共硬化させるために加熱することを含む、実施形態１９８に記載のプロセス。

（実施形態２０２）
研磨用コーティング層および電子アセンブリを共硬化させることは、少なくとも９０℃、少なくとも９５℃、少なくとも１００℃、少なくとも１０５℃、少なくとも１０８℃、少なくとも１１０℃、少なくとも１１５℃、または少なくとも１２０℃の温度で実行される、実施形態２０１に記載のプロセス。

（実施形態２０３）
研磨用コーティング層および電子アセンブリを共硬化させることは、１８５℃以下、１８０℃以下、１７５℃以下、１７０℃以下、１６５℃以下、１６０℃以下、１５５℃以下、１５０℃以下、１４５℃以下、１４０℃以下、 １３５℃以下、１３０℃以下、１２５℃以下、または１２０℃以下の温度で実行される、実施形態２０１に記載のプロセス。

（実施形態２０４）
研磨用コーティング層および電子アセンブリを共硬化させることは、少なくとも０．５時間、少なくとも１時間、少なくとも２時間、少なくとも３時間、少なくとも４時間、少なくとも５時間、少なくとも６時間、少なくとも７時間、または少なくとも８時間実行される、実施形態２０１に記載のプロセス。

（実施形態２０５）
研磨用コーティング層および電子アセンブリを共硬化することは、８時間以下、７時間以下、６時間以下、５時間以下、４時間以下、３時間以下、または２時間以下実行される、実施形態２０１に記載のプロセス。

（実施形態２０６）
研磨用コーティング層を配置することは、電子アセンブリの少なくとも一部およびバッキングまたは繊維ウェブの少なくとも一部の上に前駆体結合材料を含む第１の研磨用コーティング層を配置することを含む、実施形態２００に記載のプロセス。

（実施形態２０７）
研磨用コーティング層を配置することは、第１の研磨用コーティング層の上に第２の研磨用コーティング層を配置すること、第２の研磨用コーティング層の上に砥粒を配置すること、および砥粒および第２の研磨用コーティング層の少なくとも一部の上に第３の研磨用コーティング層を配置することを含む、実施形態２００に記載のプロセス。

（実施形態２０８）
処理を施すことは、研磨用コーティング層を加熱することを含み、研磨用コーティング層を加熱することは、第１の研磨用コーティング層を硬化することを含み、第２の研磨用コーティング層は、第１の研磨用コーティング層を硬化することの後に配置される、実施形態１９８に記載のプロセス。

（実施形態２０９）
研磨用コーティング層を加熱することは、第２の研磨用コーティング層を硬化することを含み、第３の研磨用コーティング層は、第２研磨用コーティング層を硬化することの後に配置される、実施形態２０８に記載のプロセス。

（実施形態２１０）
研磨用コーティング層を加熱することは、第３の研磨用コーティング層を硬化することを含み、第１、第２、および第３の研磨層を硬化することは、少なくとも１１０℃、少なくとも１１５℃、少なくとも１２０℃、少なくとも１２５℃、少なくとも１３０℃、少なくとも１３５℃、または少なくとも１４０℃の温度で実行される、実施形態２０８に記載のプロセス。

（実施形態２１１）
研磨用コーティング層を加熱することは、第３の研磨用コーティング層を硬化することを含み、第１、第２、および第３の研磨層を硬化することは、１４５℃以下、１４０℃以下、１３５℃以下、１３０℃以下、１２５℃以下、または１２０℃以下の温度で実行される、実施形態２０８に記載のプロセス。

（実施形態２１２）
研磨用コーティング層を加熱することは、第３の研磨用コーティング層を硬化することを含み、第１、第２、および第３研磨層を硬化することは、少なくとも０．５時間かつ８時間以下実行される、実施形態２０８に記載のプロセス。

（実施形態２１３）
電子アセンブリを研磨用本体前駆体に連結することは、電子アセンブリを砥粒および結合材料前駆体を含む混合物と組み合わせることを含む、実施形態１９８に記載のプロセス。

（実施形態２１４）
電子アセンブリを研磨用本体前駆体に連結することは、混合物および電子アセンブリをプレスすることを含む、実施形態２１３に記載のプロセス。

（実施形態２１５）
プレスすることは、少なくとも１５℃、少なくとも２０℃、少なくとも２５℃、少なくとも３０℃、少なくとも５０℃、少なくとも７０℃、少なくとも８０℃、または少なくとも９０℃の温度で実行される、実施形態２１３に記載のプロセス。

（実施形態２１６）
プレスすることは、１６０℃以下、１５０℃以下、１４０℃以下、１３０℃以下、１２０℃以下、１１０℃以下、１００℃以下、９０℃以下、７０℃以下、６０℃以下、５０℃以下、または４０℃以下の温度で実行される、実施形態２１３に記載のプロセス。

（実施形態２１７）
プレスすることは、少なくとも０．３バール、少なくとも１バール、少なくとも３バール、少なくとも１０バール、少なくとも１５バール、少なくとも２０バール、少なくとも２５バール、少なくとも３０バール、少なくとも３５バール、少なくとも４０バール、少なくとも４５バールまたは少なくとも５０バール、少なくとも６０バール、少なくとも６５バール、少なくとも７０バール、少なくとも７５バール、少なくとも８０バール、少なくとも８５バール、少なくとも９０バール、少なくとも１００バール、少なくとも１２０バール、少なくとも１３０バール、少なくとも１３５バール、少なくとも１４０バール、少なくとも１５０バール、少なくとも１６０バール、少なくとも１７０バール、または少なくとも１８０バールの圧力で実行される、実施形態２１３に記載のプロセス。

（実施形態２１８）
プレスすることは、最大２００バール、最大１９０バール、最大１８０バール、最大１７０バール、最大１６０バール、最大１５０バール、最大１４０バール、最大１３０バール、最大１２０バール、最大１１０バール、最大１００バール、最大９０バール、最大８０バール、最大７０バール、最大６０バール、または最大５０バールの圧力で実行される、実施形態２１３に記載のプロセス。

（実施形態２１９）
プレスすることは、少なくとも１０秒間、少なくとも３０秒間、少なくとも１分間、少なくとも２分間、少なくとも５分間、または少なくとも１０分間実行される、実施形態２１３に記載のプロセス。

（実施形態２２０）
プレスすることは、３０分間以下、２０分間以下、１５分間以下、１０分間以下、または５分間以下実行される、実施形態２１３に記載のプロセス。

（実施形態２２１）
形成することは、電子デバイスを研磨用前駆体本体の外面上に配置することを含む、実施形態１９８に記載のプロセス。

（実施形態２２２）
処理を施すことは、研磨用本体前駆体および電子アセンブリを共硬化するための熱を含み、共硬化することは、少なくとも１５０℃、少なくとも１５５℃、少なくとも１６０℃、少なくとも１６５℃、少なくとも１７０℃、少なくとも１７５℃、少なくとも１８０℃、少なくとも１９０℃、少なくとも２００℃、少なくとも２１０℃、少なくとも２２０℃、少なくとも２３０℃、少なくとも２４０℃、または少なくとも２５０℃の温度で行われる、実施形態２２１に記載のプロセス。

（実施形態２２３）
研磨用本体前駆体および電子アセンブリを共硬化させることは、２５０℃以下、２４５℃以下、２４０℃以下、２３５℃以下、２３０℃以下、２２０℃以下、２１５℃以下、２１０℃以下、２００℃以下、１９５℃以下、１８０℃以下、または１７０℃以下の温度で行われる、実施形態２２２に記載のプロセス。

（実施形態２２４）
研磨用本体前駆体および電子アセンブリを共硬化させることは、少なくとも１０時間、少なくとも１２時間、少なくとも１５時間、少なくとも１８時間、少なくとも２０時間、少なくとも３０時間、少なくとも２６時間、少なくとも２８時間、少なくとも３０時間、少なくとも３２時間、少なくとも３５時間、または少なくとも３６時間行われる、実施形態２２２に記載のプロセス。

（実施形態２２５）
研磨用本体前駆体および電子アセンブリを共硬化させることは、３８時間以下、３６時間以下、３２時間以下、３０時間以下、２８時間以下、２５時間以下、または２１時間以下行われる、実施形態２２２に記載のプロセス。

（実施形態２２６）
形成することは、非研磨用部分を電子アセンブリ上に配置することをさらに含む、実施形態２２１に記載のプロセス。

（実施形態２２７）
研磨用物品を形成するプロセスであって、
電子アセンブリを研磨用物品の研磨用本体の上に配置することと、
少なくとも１００℃の温度で電子アセンブリをプレスして、結合研磨用物品を形成することとを含むプロセス。

（実施形態２２８）
温度は、少なくとも１１０℃、少なくとも１２０℃、少なくとも１２５℃、少なくとも１３０℃、少なくとも１５０℃、少なくとも１５０℃、または少なくとも１６０℃である、実施形態２２６に記載のプロセス。

（実施形態２２９）
温度は、１８０℃以下、１７５℃以下、１７０℃以下、１６５℃以下、１６０℃以下、１５５℃以下、１５０℃以下、１４５℃以下、１４０℃以下、１３０℃以下、または１２５℃以下である、実施形態２２６に記載のプロセス。

（実施形態２３０）
プレスすることは、少なくとも１５分間、少なくとも２０分間、少なくとも２５分間、または少なくとも３０分間行われる、実施形態２２６に記載のプロセス。

（実施形態２３１）
プレスすることは、３５分間以下、３０分間以下、２５分間以下、または２０分間以下行われる、実施形態２２６に記載のプロセス。

（実施形態２３２）
プレスすることは、少なくとも０．３バール、少なくとも１バール、少なくとも３バール、少なくとも１０バール、少なくとも１５バール、少なくとも２０バール、少なくとも２５バール、少なくとも３０バール、少なくとも３５バール、少なくとも４０バール、少なくとも４５バール、または少なくとも５０バール、少なくとも６０バール、少なくとも６５バール、少なくとも７０バール、少なくとも７５バール、少なくとも８０バール、少なくとも８５バール、少なくとも９０バール、少なくとも１００バール、少なくとも１２０バール、少なくとも１３０バール、少なくとも１３５バール、少なくとも１４０バール、少なくとも１５０バール、少なくとも１６０バール、少なくとも１７０バール、または少なくとも１８０バールの力で行われる、実施形態２２６に記載のプロセス。

（実施形態２３３）
プレスすることは、最大２００バール、最大１９０バール、最大１８０バール、最大１７０バール、最大１６０バール、最大１５０バール、最大１４０バール、最大１３０バール、最大１２０バール、最大１１０バール、最大１００バール、最大９０バール、最大８０バール、最大７０バール、最大６０バール、または最大５０バールの圧力で行われる、実施形態２２６に記載のプロセス。

（実施形態２３４）
電子アセンブリを研磨用本体の内周壁の表面に連結することを含む、研磨用物品を形成するプロセス。

（実施形態２３５）
連結することは、電子アセンブリの少なくとも一部および内周壁の表面の少なくとも一部の上に結合材料を塗布することを含む、実施形態２３４に記載のプロセス。

（実施形態２３６）
連結することは、電子アセンブリを内周壁の表面に結合することを含む、実施形態２３４に記載のプロセス。

（実施形態２３７）
結合材料は、セメント材料、ポリマー材料、またはそれらの組み合わせを含む、実施形態２３６に記載のプロセス。

（実施形態２３８）
結合することは、４０℃以下、例えば、３５℃以下、または３０℃以下、または２５℃以下の温度でセメント材料を硬化させることを含む、実施形態２３６に記載のプロセス。

（実施形態２３９）
結合材料は、ポリマーを含む接着剤を含む、実施形態２３６に記載のプロセス。

（実施形態２４０）
ポリマーは、樹脂、エポキシ、フェノール樹脂、セメント、またはそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態２３６に記載のプロセス。

（実施形態２４１）
研磨用物品を形成するプロセスであって、
電子アセンブリを研磨用本体前駆体の上に配置することと、
電子アセンブリの少なくとも一部および研磨用本体前駆体の少なくとも一部の上に結合材料前駆体を含む結合材料を配置することと、
結合材料前駆体と電子アセンブリに処理を施すこととを含むプロセス。

（実施形態２４２）
電子アセンブリは、結合研磨用本体前駆体の内側研磨用部分の上に配置され、内側研磨用部分は、結合研磨用本体前駆体の外側研磨用部分の第２の厚さよりも薄い第１の厚さを有する、実施形態２４１に記載のプロセス。

（実施形態２４３）
内側研磨用部分の第１の厚さは、外側研磨用部分の第２の厚さの９０％以下、８０％以下、７０％以下、６０％以下、または外側研磨用部分の第２の厚さの５０％以下である、実施形態２４２に記載のプロセス。

（実施形態２４４）
内側研磨用部分の第１の厚さは、外側研磨用部分の第２の厚さの少なくとも１０％、少なくとも１５％、少なくとも２０％、少なくとも２５％、少なくとも３０％、少なくとも４０％、少なくとも４５％、または外側研磨用部分の第２の厚さの少なくとも５０％である、実施形態２４２に記載のプロセス。

（実施形態２４５）
結合研磨用本体前駆体の外側研磨用部分は、ガラス質材料を含む結合材料を含む、実施形態２４２に記載のプロセス。

（実施形態２４６）
結合研磨用本体前駆体の内側研磨用部分は、外側研磨用部分と同じ結合材料を含む、実施形態２４２に記載のプロセス。

（実施形態２４７）
処理を施すことは、結合研磨用本体前駆体および電子アセンブリを共硬化するために加熱することを含む、実施形態２４２に記載のプロセス。

（実施形態２４８）
共硬化は、９０℃、少なくとも９５℃、少なくとも１００℃、少なくとも１０５℃、少なくとも１０８℃、少なくとも１１０℃、少なくとも１１５℃、または少なくとも１２０℃の温度で行われる、実施形態２４７に記載のプロセス。

（実施形態２４９）
共硬化は、１８５℃以下、１８０℃以下、１７５℃以下、１７０℃以下、１６５℃以下、１６０℃以下、１５５℃以下、１５０℃以下、１４５℃以下、１４０℃以下、１３５℃以下、１３０℃以下、１２５℃以下、または１２０℃以下の温度で行われる、実施形態２４７に記載のプロセス。

（実施形態２５０）
共硬化は、少なくとも０．５時間、少なくとも１時間、少なくとも２時間、少なくとも３時間、少なくとも４時間、少なくとも５時間、少なくとも６時間、少なくとも７時間、または少なくとも８時間行われる、実施形態２４７に記載のプロセス。

（実施形態２５１）
共硬化は、８時間以下、７時間以下、６時間以下、５時間以下、４時間以下、３時間以下、または２時間以下行われる、実施形態２４７に記載のプロセス。

（実施形態２５２）
研磨用物品は、内側研磨用部分および外側研磨用部分を含む研磨用本体を含み、内側研磨用部分および外側研磨用部分は、実質的に同じ厚さを有する、実施形態２４１に記載のプロセス。

（実施形態２５３）
結合研磨用物品は、内側研磨用部分および外側研磨用部分を含む結合研磨用本体を含み、内側研磨用部分および外側研磨用部分は異なる結合材料を含む、実施形態２４１に記載のプロセス。

（実施形態２５４）
研磨用部分と、研磨用部分に連結された電子アセンブリとを含み、電子アセンブリは可撓性電子デバイスを含む、研磨用物品。

（実施形態２５５）
可撓性電子デバイスは、本質的に可撓性材料からなる基板を含む、実施形態２５４に記載の研磨用物品。

（実施形態２５６）
可撓性電子デバイスは、本質的に有機材料からなる基板を含む、実施形態２５４に記載の研磨用物品。

（実施形態２５７）
可撓性電子デバイスは、本質的にプラスチック材料からなる基板を含む、実施形態２５４に記載の研磨用物品。

（実施形態２５８）
可撓性電子デバイスは、本質的にポリマーからなる基板を含む、実施形態１５８に記載の研磨用物品。

（実施形態２５９）
可撓性電子デバイスは、ポリエステル、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリイミド、ポリイミド‐フルオロポリマー、ＰＥＥＫ、および導電性ポリエステルからなる群から選択される少なくとも１つの材料から本質的になる基板を含む、実施形態２５４に記載の研磨用物品。

（実施形態２６０）
研磨用物品は、コーティングされた研磨用物品、不織布研磨用物品、またはそれらの組み合わせを含む、実施形態２５４に記載の研磨用物品。

（実施形態２６１）
可撓性電子デバイスは、電子デバイスの厚さの最大１３倍の曲げ半径を含む、実施形態２５４に記載の研磨用物品。

（実施形態２６２）
可撓性電子デバイスは、電子デバイスの厚さの最大５倍の曲げ半径を含む、実施形態２５４に記載の研磨用物品。

（実施形態２６３）
可撓性電子デバイスは、パッケージに封入される、実施形態２５４に記載の研磨用物品。

（実施形態２６４）
研磨用部分と、研磨用部分に連結された電子アセンブリとを含み、電子アセンブリは、パッケージに封入された電子デバイスを含む、研磨用物品。

本明細書の実施形態に開示されるように、代表的な切断ホイールＳ１が形成された。簡単に述べると、砥粒と結合材料を含む混合物を型に入れ、プレスしてグリーン体を形成した。表１に開示されている電子アセンブリ１～３または４～６を、グリーン体の内周領域の表面上に配置した。ホイールサンプルのセットＳ１は、電子アセンブリ１～３を使用して形成され、別のセットは電子アセンブリ４～６で形成された。ＲＦＩＤおよびＮＦＣタグは、ポリイミドまたはＰＥＮで作られた保護層内に封入された。温度センサを取り囲む保護層には、本体の表面の温度を検出するための感知素子用の開口部があった。そうでなければ、温度センサは保護層で覆われていた。電子アセンブリを備えたグリーン体を積み重ね、最高１８０℃の温度で１６時間硬化させて、最終的に形成される切断ホイールを形成した。電子アセンブリは、各ホイールの表面に接着された。

本明細書に記載の実施形態に従って、追加の切断ホイールＳ２が形成された。つまり、ホイールＳ１と同じ方法でグリーン体を成形した。グリーン体を積み重ね、ホイールＳ１について述べたのと同じ条件で硬化させた。最終的に形成されるホイール本体の内周領域の表面に、ＲＦＩＤタグ、ＮＦＣタグ、および温度センサを配置した。内周領域を覆うようにブロッター紙を配置し、吸取紙、タグ、および本体に０．２～３バールの圧力を約１５０℃の温度で２０～３０分間印加して、最終的に形成されるホイールＳ２を形成した。

ホイールサンプルＳ１およびＳ２を、タグおよびセンサの可読性についてテストした。成形プロセスを行わなかったものと比較して、タグとセンサの可読性は成形プロセスの影響を受けなかった。

異なる電子アセンブリが使用されたことを除いて、サンプルＳ１と同じ方法でさらなる切断ホイールサンプルが形成された。ホイールサンプルＳ３は、サンプルＳ１で説明したのと同じ電子デバイスと保護層を含み、保護層に加えて疎水性層を含む電子アセンブリを使用して形成された。ホイールサンプルＳ４は、ＲＦＩＤ、ＮＦＣ、および温度センサのそれぞれが疎水性層に封入された電子アセンブリを使用して形成された。すべてのサンプルの疎水性層は、フッ素化シランでできていた。

サンプルＳ３およびＳ４は、８．５～９．５のｐＨを有する水ベースの冷却剤に８日間浸され、タグおよびセンサの可読性は、リーダーを使用することによってテストされた。別のホイールサンプルセットＳ１およびＳ２に、通常の動作条件下で同様のクーラントを２０～３０分間噴射した。クーラントの流量は、０．２～５ｍ^３／時であった。各テスト後のタグとセンサの可読性は、テスト前と比較して影響を受けなかった。さらに、ホイールサンプルＳ３およびＳ４に、冷却剤と砥粒を含むスラリーを、ノズルを使用して垂直方向に２０～３０分間噴射した。スラリーの流速は０．２～１ｍ^３／時であった。タグとセンサの可読性は、テスト前と比較してテスト条件の影響を受けなかった。

砥石車サンプルＳ５およびＳ６は、本明細書の実施形態に従って形成された。サンプルＳ５を形成するために、砥粒および有機結合材料を含む混合物の半分を型内に配置し、プレスして、第１のグリーン体を成形した。ＲＦＩＤタグを含む電子アセンブリが第１のグリーン体上に配置され、残りの混合物で覆われた。ＲＦＩＤタグは、熱障壁の層と圧力障壁の層を含むパッケージ内に含まれた。各層の厚さは約８０ミクロンで、ポリイミドで作製された。混合物をプレスして、総厚の５０％の深さに電子アセンブリが埋め込まれた総厚を有するグリーン体を成形した。次に、グリーン体を加熱して、１６０℃の温度で２４時間硬化させて、砥石車を形成した。サンプルＳ６は、ＮＦＣタグと温度センサを含む電子アセンブリが２０％の深さに埋め込まれたことを除いて、Ｓ５と同じ方法で形成された。

ホイールをグラインダーで動作させ、２８００ｒｐｍの速度で２０～３０分間走らせた。研磨作業の最後にタグの可読性をテストしたところ、タグは完全に機能していた。

砥石車サンプルＳ７は、本明細書に記載された実施形態に従って形成された。手短に言えば、ビトリファイドホイールの内周壁にＲＦＩＤタグを配置した。カルシウムベースのケイ酸塩を含むセメント材料を電子アセンブリおよび内周壁の露出面全体に塗布し、室温で３０分間硬化させてサンプルＳ７を形成した。ＲＦＩＤタグの可読性をテストしたが、ビトリファイドホイールに取り付ける前のＲＦＩＤタグの可読性と比較して違いは観察されなかった。

「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「有する（ｈａｓ）」、「有する（ｈａｖｉｎｇ）、」またはそれらの他の変形の用語は、非排他的な包含を網羅することを意図している。例えば、構成のリストを含む方法、物品、または装置は、必ずしもそれらの構成のみに限定されるわけではなく、明示的に列挙されていない、またはそのような方法、物品、または装置に固有の他の構成を含み得る。さらに、反対に明確に述べられていない限り、「または」は、排他的論理和ではなく包含的論理和を指す。例えば、条件ＡまたはＢは、Ａは真（または存在）かつＢは偽（または存在しない）、Ａは偽（または存在しない）かつＢは真（または存在）、およびＡとＢの両方が真（または存在）のいずれかによって満たされる。

また、「ａ」または「ａｎ」の使用は、本明細書で説明される要素および構成要素を説明するために使用される。これは、単に便宜上、および本発明の範囲の一般的な意味を与えるために行われる。この説明は、他の意味であることが明らかでない限り、１つ、少なくとも１つ、または単数形を含み、複数形も含むように、またはその逆も含むと読まれるべきである。例えば、本明細書で単一のアイテムが説明されている場合、単一のアイテムの代わりに複数のアイテムを使用することができる。同様に、複数のアイテムが本明細書で説明されている場合、単一のアイテムがその複数のアイテムの代わりに使用することができる。

Claims (29)

1. 研磨用物品であって、
   結合材料と、前記結合材料内に含まれる砥粒とを含む結合研磨用本体と、
   前記結合研磨用本体に連結された１つ以上の電子アセンブリであって、１つの電子アセンブリの少なくとも一部は、前記研磨用本体の一部と直接接触している電子アセンブリと、を含み、
   前記１つの電子アセンブリの一部は、前記研磨用本体の外面の下の前記結合材料と砥粒を含む前記結合研磨用本体の内部体積内に延びており、前記１つの電子アセンブリの他の部分は、前記結合研磨用本体の外面において曝されている、研磨用物品。
2. 研磨用物品であって、
   結合材料と、前記結合材料内に含まれる砥粒とを含む結合研磨用本体と、
   前記結合研磨用本体に連結された１つ以上の電子アセンブリであって、１つの電子アセンブリの少なくとも一部は、前記研磨用本体の一部と直接接触している電子アセンブリと、を含み、
   前記１つの電子アセンブリは、少なくとも１つの電子デバイスを含み、当該少なくとも１つの電子デバイスは、アンテナ、および集積回路チップを含み、
   前記１つの電子アセンブリの一部は、前記研磨用本体の外面の下の前記結合材料と砥粒を含む前記結合研磨用本体の内部体積内に延びており、
   前記１つの電子アセンブリは、前記結合研磨用本体の外面の完全に下にある、研磨用物品。
3. 研磨用物品であって、
   結合材料と、前記結合材料内に含まれる砥粒とを含む結合研磨用本体であって、外周壁と、内周壁によって画定された中央開口部と、を含む、結合研磨用本体と、
   前記結合研磨用本体に連結された１つ以上の電子アセンブリであって、１つの電子アセンブリの少なくとも一部は、前記研磨用本体の一部と直接接触している電子アセンブリと、を含み、
   前記１つの電子アセンブリの一部は、前記研磨用本体の外面に曝されており、前記１つの電子アセンブリは、前記結合研磨用本体の前記内周壁に連結されている、研磨用物品。
4. セメント材料が、前記電子アセンブリの少なくとも一部および前記内周壁の表面の少なくとも一部を覆う、請求項３に記載の研磨用物品。
5. 前記電子アセンブリは、少なくとも部分的に前記セメント材料内に埋め込まれている、請求項４に記載の研磨用物品。
6. 結合研磨用本体であって、
   結合材料と、前記結合材料内に含まれる砥粒とを含む研磨用部分と、
   前記研磨用部分に隣接する非研磨用部分であって、布地、繊維、フィルム、織布材料、不織布材料、ガラス、ガラス繊維、セラミックス、ポリマー、樹脂、フッ素化ポリマー、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン、ポリエステル、ゴム、ポリイミド、ポリベンゾイミダゾール、芳香族ポリアミド、変性フェノール樹脂、紙、またはそれらの任意の組み合わせを含む、前記非研磨用部分と、
   前記結合研磨用本体に連結された１つ以上の電子アセンブリであって、１つの電子アセンブリの少なくとも一部は、前記研磨用部分の一部と直接接触している電子アセンブリと、を含み、
   前記１つの電子アセンブリは前記研磨用部分に部分的に埋め込まれており、
   前記１つの電子アセンブリの一部は前記結合研磨用本体の外面を通り突出している、結合研磨用本体を含む研磨用物品。
7. 前記電子アセンブリは、前記結合研磨用本体の内周領域に配置される、請求項１から３、および６のいずれか一項に記載の研磨用物品。
8. 前記電子アセンブリは、前記研磨用物品に損傷を与えることなく、前記電子アセンブリを前記研磨用物品から取り外すまたは引き出すことを許容できない方式で前記結合研磨用本体に連結されている、請求項１から３、および６のいずれか一項に記載の研磨用物品。
9. 前記電子アセンブリはパッケージを含み、少なくとも１つの電子デバイスは前記パッケージ内に含まれる、請求項１、３、および６のいずれか一項に記載の研磨用物品。
10. 前記少なくとも１つの電子デバイスは、アンテナ、および集積回路チップを含む、請求項９に記載の研磨用物品。
11. 前記パッケージは、２．０ｇ／ｍ ^２ ・日以下の範囲内の水蒸気透過率を含む、請求項９に記載の研磨用物品。
12. 前記パッケージは、少なくとも０．３３Ｗ／ｍ／Ｋから２００Ｗ／ｍ／Ｋ以下の熱伝導率を含む熱障壁材料を含む、請求項９に記載の研磨用物品。
13. 前記パッケージは、酸化マンガンポリスチレン（ＭｎＯ_２／ＰＳ）ナノ複合材、酸化亜鉛ポリスチレン（ＺｎＯ／ＰＳ）ナノ複合材、炭酸カルシウム、カーボンナノチューブ、シリカナノコーティング、フッ素化シラン、フルオロポリマー、またはこれらの組み合わせを含む疎水性材料を含む層を含む、請求項９に記載の研磨用物品。
14. 前記パッケージは、前記電子デバイスを覆う保護層を含む、請求項９に記載の研磨用物品。
15. 前記保護層は、パリレン、シリコーン、アクリル、エポキシベースの樹脂、セラミックス、ステンレス鋼、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリイミド、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、ポリウレタン（ＰＵ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンビニルアセテート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、ポリアクリレート（ＰＡ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリウレタン（ＰＵＲ）、またはそれらの組み合わせを含む、請求項１４に記載の研磨用物品。
16. 前記電子アセンブリは、少なくとも１つの電子デバイスを含み、当該少なくとも１つの電子デバイスは、電子タグ、電子メモリ、センサ、アナログ／デジタルコンバータ、送信機、受信機、トランシーバ、変調器回路、マルチプレクサ、アンテナ、近距離通信デバイス、電源、ディスプレイ、光学デバイス、全地球測位システム、またはそれらの任意の組み合わせからなる群から選択されるデバイスを含み、前記少なくとも１つの電子デバイスは、少なくとも部分的に前記結合研磨用本体内に埋め込まれている、請求項１、３、および６のいずれか一項に記載の研磨用物品。
17. 研磨用物品であって、
    結合材料と、前記結合材料内に含まれる砥粒とを含む結合研磨用本体と、
    前記結合研磨用本体に連結された１つ以上の電子アセンブリであって、１つの電子アセンブリの少なくとも一部は、前記研磨用本体の一部と直接接触している電子アセンブリと、を含み、
    前記１つの電子アセンブリは、前記結合材料と砥粒を含む前記結合研磨用本体の外面の下の前記結合研磨用本体の内部体積内に延びている埋め込まれた部分を含み、前記埋め込まれた部分は前記電子アセンブリの総体積の９９％以下である、研磨用物品。
18. 前記埋め込まれた部分は前記電子アセンブリの総体積の少なくとも１％である、請求項１７に記載の研磨用物品。
19. 前記電子アセンブリは前記結合研磨用本体の総厚さ（Ｔ _Ｂ ）の少なくとも２％で、前記結合研磨用本体の総厚さ（Ｔ _Ｂ ）の８０％未満を含む範囲の深さ（Ｄ _ＥＡ ）で埋め込まれる、請求項１７または１８に記載の研磨用物品。
20. 前記結合研磨用本体は、内側研磨用部分と、外側研磨用部分と、を含み、前記電子アセンブリは、前記内側研磨用部分内に少なくとも部分的に埋め込まれる、請求項１７または１８に記載の研磨用物品。
21. 前記内側研磨用部分および前記外側研磨用部分は異なる結合材料を含む、請求項２０に記載の研磨用物品。
22. 前記電子アセンブリはパッケージを含み、少なくとも１つの電子デバイスは前記パッケージ内に含まれる、請求項１７または１８に記載の研磨用物品。
23. 前記パッケージは少なくとも０．３３Ｗ／ｍ／Ｋから２００Ｗ／ｍ／Ｋ以下の熱伝導率を含む熱障壁材料を含む、請求項２２に記載の研磨用物品。
24. 前記パッケージは保護層を含み、前記電子デバイスは前記保護層内に封入される、請求項２２に記載の研磨用物品。
25. 前記保護層はオートクレーブ可能な材料を含む、請求項２４に記載の研磨用物品。
26. 前記パッケージは疎水性材料を含む層を含み、前記疎水性材料は酸化マンガンポリスチレン（ＭｎＯ _２ ／ＰＳ）ナノ複合材、酸化亜鉛ポリスチレン（ＺｎＯ／ＰＳ）ナノ複合材、炭酸カルシウム、カーボンナノチューブ、シリカナノコーティング、フッ素化シラン、フルオロポリマー、またはこれらの組み合わせを含む、請求項２２に記載の研磨用物品。
27. 前記パッケージは、２．０ｇ／ｍ ^２ ・日以下の範囲内の水蒸気透過率を含む、請求項２２に記載の研磨用物品。
28. 前記電子アセンブリは、前記研磨用物品に損傷を与えることなく、前記電子アセンブリを前記研磨用物品から取り外すまたは引き出すことを許容できない方式で前記結合研磨用本体に連結されている、請求項１７または１８に記載の研磨用物品。
29. 前記電子アセンブリは、少なくとも１つの電子デバイスを含み、当該少なくとも１つの電子デバイスは、電子タグ、電子メモリ、センサ、アナログ／デジタルコンバータ、送信機、受信機、トランシーバ、変調器回路、マルチプレクサ、アンテナ、近距離通信デバイス、電源、ディスプレイ、光学デバイス、全地球測位システム、またはそれらの任意の組み合わせからなる群から選択されるデバイスを含む、請求項１７または１８に記載の研磨用物品。

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