JP7181680B2 - 半導体リードフレーム、半導体リードフレームの製造方法、及び半導体リードフレーム製造装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体素子が配設される、半導体リードフレーム、半導体リードフレームの製造方法、及び半導体リードフレーム製造装置に関する。

近年、半導体素子の高集積化が進み、素子が大型化している。その一方で、例えばメモリ系ＩＣの場合、高密度実装のためにパッケージはできる限り小型化することが望まれている。
そこで、大きな素子を効率良く収納できるパッケージ構造が特許文献１で提案されている。

特許文献１記載技術では、リードフレームの半導体素子が装着される側の面と反対側の面に、樹脂製の素子保持体を固定することで、この素子保持体に半導体素子を接着することが記載されている。また、素子保持体の一部は半導体素子の周辺に配置された内部リードを固定する機能を備えることで、半導体素子を乗せるアイランドやこれを保持する吊りピンなどの金属製の部材が不要になるという効果もある。

しかし、素子保持体を半導体素子が装着される側の面と反対側の面に接着するため、半導体素子を樹脂封止した後の半導体封止体は、素子保持体の厚み分だけ厚くなってしまい、小型化、薄型化に反するという課題があった。
また、樹脂製の素子保持体は吸湿する性質をもっているため、半導体素子をＦＣＢ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ Ｂｏｎｄｉｎｇ）工法で接合する場合、はんだ付けする温度は２３５℃の高温に達し、このとき樹脂に吸湿された水分が気化し、半導体封止体（パッケージ）の内部の圧力を上げる場合があり、パッケージクラックに至った場合には歩留まりが低下していた。

特開平４－１０６９４１号公報

本発明は、半導体封止体の薄型化、小型化が可能な半導体リードフレーム技術の提供を目的とする。

（１）請求項１に記載の発明では、外枠部と、前記外枠部から中心方向に向かって延設された、一端が前記外枠部と接続するアウターリードと一端が前記アウターリードの他端と接続するインナーリードとを有する複数のリード部と、前記リード部における半導体素子が配設される側の面に、配設される半導体素子の投影領域の外周縁に沿って前記投影領域を囲う環状形状のうちの少なくとも互いに直交する２辺に接着されたリード支持部材と、を具備し、前記リード支持部材は、前記２辺に接着された前記リード支持部材の内側面と前記半導体素子の側面とが当接するように接着されている、ことを特徴とする半導体リードフレームを提供する。
（２）請求項２に記載の発明では、前記リード支持部材は、配設される半導体素子の外側を囲う、方形の環状形状である、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体リードフレームを提供する。
（３）請求項３に記載の発明では、前記リード支持部材は、Ｌ字形状又はコ字形状である、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体リードフレームを提供する。
（４）請求項４に記載の発明では、前記リード支持部材は、その厚さｓが、配設された後の半導体素子の高さｈ以下である、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体リードフレームを提供する。
（５）請求項５に記載の発明では、前記リード支持部材は、樹脂フィルムで形成されている、ことを特徴とする請求項１から請求項４のうちのいずれか１の請求項に記載の半導体リードフレームを提供する。
（６）請求項６に記載の発明では、前記外枠部と前記リード部と前記リード支持部材を有する単位リードが、連続して所定方向に複数形成されている、ことを特徴とする請求項１から請求項５のうちのいずれか１の請求項に記載の半導体リードフレームを提供する。
（７）請求項７に記載の発明では、前記単位リードは、所定幅の金属箔リールの長尺方向に複数形成されている、ことを特徴とする請求項６に記載の半導体リードフレームを提供する。
（８）請求項８に記載の発明では、前記複数の単位リードが形成された金属箔リールは、その幅方向の両側にスプロケット受部が所定間隔で形成されている、ことを特徴とする請求項６に記載の半導体リードフレームを提供する。
（９）請求項９に記載の発明では、前記単位リードは、幅方向に複数状並んで形成されている、ことを特徴とする請求項６から請求項８のうちのいずれか１の請求項に記載の半導体リードフレームを提供する。
（１０）請求項１０に記載の発明では、前記半導体素子がフェイスダウン実装されている、ことを特徴とする請求項９に記載の半導体リードフレームを提供する。
（１１）請求項１１に記載の発明では、半導体リードフレームの製造方法であって、長尺の金属箔の幅方向の両端側に、長手方向に沿って所定間隔でスプロケット孔を形成する工程と、前記スプロケット孔が形成された前記長尺の金属箔に、前記長手方向に沿って所定間隔でリード部を形成する工程と、前記形成された前記リード部の、半導体素子が配設される側の面に、前記配設される半導体素子の投影領域の外周縁に沿って前記投影領域を囲う環状形状のうちの少なくとも互いに直交する２辺にリード支持部材を接着する工程と、を具備し、前記リード支持部材を接着する工程は、前記２辺に接着される前記リード支持部材の内側面と前記半導体素子の側面とが当接するように接着する、ことを特徴とする半導体リードフレームの製造方法を提供する。
（１２）請求項１２に記載の発明では、半導体リードフレームの製造装置であって、長尺の金属箔の幅方向の両端側に、長手方向に沿って所定間隔でスプロケット孔をプレス形成する第１プレス部と、前記スプロケット孔が形成された前記長尺の金属箔に、前記長手方向に沿って所定間隔でリード部をプレス形成する第２プレス部と、前記形成された前記リード部の、半導体素子が配設される側の面に、前記配設される半導体素子の投影領域の外周縁に沿って前記投影領域を囲う環状形状のうちの少なくとも互いに直交する２辺にリード支持部材を接着する支持部材接着部と、を具備し、前記支持部材接着部は、前記２辺に接着される前記リード支持部材の内側面と前記半導体素子の側面とが当接するように接着する、ことを特徴とする半導体リードフレーム製造装置を提供する。
（１３）請求項１３に記載の発明では、前記形成されたスプロケット孔と係合するスプロケットを有し、前記長尺の金属箔をその長手方向に、前記金属箔を所定間隔で、前記第１プレス部から前記第２プレス部に移送する移送部と、を備えたことを特徴とする請求項１２に記載の半導体リードフレーム製造装置を提供する。

本発明によれば、リード部における半導体素子が配設される側の面に、配設される半導体素子の投影領域の外周を囲う環状形状のうちの少なくとも互いに直行する２辺にリード支持部材が接着されることで、半導体封止体の薄型化、小型化が可能になる。
また、接着したリード支持部材の内側面をガイドとして半導体素子を配設することができる。

本実施形態における半導体リードフレームの構成を表した平面図と斜視図である。 半導体リードフレームの製造装置の説明図である。 半導体リードフレームの製造工程における状態を表した説明図である。 半導体フレームに半導体素子を配設した状態を表した説明図である。 半導体リードフレームにおけるリード支持部材の変形例を表した説明図である。 半導体リードフレームにおけるスプロケット受部の変形例を表した説明図である。

以下、本発明の半導体リードフレームとその製造方法、及び製造装置の好適な実施形態について説明する。
（１）実施形態の概要
本実施形態は、ＦＣＢ工法により半導体素子が接合される半導体リードフレーム１を対象とし、外枠部３０から中心方向に延設する複数のリード部４０が形成されている。そして、リード部４０の、半導体素子がボンディングされる側の面に、リード支持部材５０が接着されている。
このように、リード支持部材５０を半導体素子が接合される側の面に接着することで、半導体素子１００をボンディングしたパッケージを薄型化、小型化することができる。

また、リード支持部材５０の形状を、半導体素子の外周を囲う方形の環状形状とすることで、全てのリード部４０を対象に支持することができる。また、半導体素子を配設する際のガイド穴として機能することができ、半導体素子の電極とインナーリード電極の位置を合わせることが容易になる。
但し、リード支持部材５０は、全てのリード部４０を保持対象とする必要はなく、方形の環状形状のうちの一部分からなる形状、例えば、少なくとも互いに直交する２辺（連続、不連続を問わない）を有する形状とすることも可能である。

更に、本実施形態の半導体リードフレームでは、リード支持部材５０の厚さｓを、半導体素子を配置した場合の高さｈ以下の厚さ、好ましくはｈ／２以下の樹脂フィルムを使用する。これにより、リード支持部材５０全体の体積を少なくすることができ、半導体封止体のクラックを抑制することができる。

（２）実施形態の詳細
図１は本実施形態における半導体リードフレーム１の平面図（ａ）と斜視図（ｂ）を表したものである。
図１に示すように、半導体リードフレーム１は、長尺の金属箔１０に、その長手方向に沿って複数の単位リード２０が形成されている。
金属箔１０は、例えば、約φ２０～４０ｃｍのリールに巻き取られることを前提とした長尺サイズに形成されている。金属箔１０の幅Ｗは、図１（ａ）に示すように、例えば写真撮影用３５ｍｍフィルムと同一規格で、全幅Ｗ＝３４．９７５ｍｍの長尺形状に形成されている。また、対象となる製品に応じた幅として４８ｍｍや７０ｍｍ等の各種サイズに形成される。
本実施形態の金属箔１０は銅箔で構成されるが、他の金属として基板材料に通常使用されているものであれば特にその種類を限定するものではない。例えば、金属箔１０として、銅（Ｃｕ）以外に、Ｃｕ合金、及びＦｅ合金等の通常のリードフレーム材として用いられるものであればよい。
金属箔１０の厚みは、５～４００μｍの範囲である。好ましくは、２０～３００μｍの範囲であり、特に好ましくは、３０～２５０μｍの範囲である。

金属箔１０には、その幅方向の両側に、後述する製造装置のスプロケットと係合して、金属箔１０を移送させるためのスプロケット孔（スプロケット受部として機能）１１が所定間隔Ｐ毎に複数形成されている。なお、スプロケット孔１１の形状は円形の貫通孔であるが、方形の貫通孔により形成するようにしてもよい。
本実施形態では、所定間隔Ｐ（パーフォレーションピッチ）＝４．７５ｍｍの寸法規格に従って形成されているが、この所定間隔Ｐは、製造装置における金属箔１０の移動機構で使用されるスプロケット等の規格に合わせたものであるため、この値に限られず製造装置等に応じて変更可能である。
本実施形態におけるスプロケット孔１１は、金属箔１０の幅方向の両端面に、打ち抜きにより形成している。

金属箔１０には、スプロケット孔１１のピッチに従って順次長手方向に移送されながら、各単位リード２０が形成されている。
各単位リード２０は、金属箔１０に形成された外枠部３０とリード部４０、及び、リード部４０に接着されたリード支持部材５０を備えている。単位リード２０の外枠部３０とリード部４０は、金属箔１０を打ち抜くことで形成している。なお、本実施形態では打ち抜き形成によるが、エッチング等の各種公知の方法に外枠部３０とリード部４０を形成することも可能である。

外枠部３０は、方形に形成されている。
リード部４０は、外枠部３０の各辺から中心方向に向かって延設されている。すなわち、配設される半導体素子に応じた本数のリード部４０が、半導体素子の電極の配設位置に対応する位置に向かって延設されている。本実施形態では、一例として方形の外枠部３０における各辺から中心方向に５本ずつリード部４０が形成されている。

リード部４０は、一端が外枠部３０と接続するアウターリード４１と、一端がアウターリード４１の他端と接続し他端が開放端となっているインナーリード４２とを有している。ここでリード部４０のうち、後に半導体素子を配設し樹脂封止した後の半導体封止体の外部に出ている部分をアウターリード４１といい、半導体封止体の中に埋もれている部分をインナーリード４２という。
なお、図１ではリード部４０の形状として全て直線形状であるが、その途中で直角方向に曲がっている形状であってもよい。例えば、図面左右側に形成された（長手方向に延びる）リード部４０を、開放端側をそのままとし、途中から９０度曲げ、外枠部３０の長手方向に延びる辺（図面上下に位置する辺）に接続する形状にすることも可能である。この場合、アウターリード４１とインナーリード４２の境目、またはアウターリード４１部分、インナーリード４２部分のいずれの位置で曲げてもよい。

リード支持部材５０は、ＰＩ（ポリイミド）フィルム等の樹脂フィルムが使用され、図１に示すように方形の環状に形成される。
このリード支持部材５０は、接着材によりリード部４０に接着されている。接着材としては、アクリル系、エポキシ系、ポリイミド系の熱硬化型を半硬化状態で用いるか、またはポリエーテルアミドイミド等の熱可塑型を用いることができる。
リード支持部材５０の厚さｓは、半導体素子を配置した場合の高さｈ以下とし、好ましくはｈ／２以下の樹脂フィルムを使用する。
これにより、リード支持部材５０全体の体積を少なくすることができる。その結果、リード支持部材５０（樹脂フィルム）に吸収される水分を少なくすることができ、半導体素子を配置する際の半田リフロー工程において、半導体封止体（パッケージ）の圧力上昇を抑え、クラックを抑制することができる。
一方、リード支持部材５０の厚さをｈとする場合、半導体素子をＦＣＢした後に半導体素子を樹脂封止する際の封止枠としてリード支持部材５０を使用することができる。

本実施形態では、リード支持部材５０の体積をより小さくするために、配設される半導体素子の各辺より０．０５～０．１ｍｍほど大きい方形の環状（額縁形状）に形成される。
リード支持部材５０の環状部分の幅は、体積を小さくするために０．１ｍｍ～２ｍｍの範囲で選択されるが、本実施形態では約１ｍｍとしている。環状部分の幅が０．１ｍｍ以下だと、インナーリード４２を支持する支持部としての機能を十分に発揮できなくなるためである。また、リード支持部材５０をインナーリード４２に固着するための接着材を塗布することが難しくなるためである。

次に、以上のように構成された半導体リードフレーム１の製造装置、及び製造方法について説明する。
図２は半導体リードフレーム製造装置５００の構成を表したものである。
図２に示すように、半導体リードフレーム製造装置５００は、所定幅Ｗで長尺の金属箔１０（プレス前）が巻かれた送りリール５１０、ゴムロール５２０、金属箔１０の両側にスプロケット孔１１を形成する第１プレス装置５３０、金属箔１０に外枠部３０とリード部４０をプレス形成する第２プレス装置５４０と、リード部４０にリード支持部材５０を接着する接着装置５６０と、単位リード２０が形成された金属箔１０を巻き取る巻き取りリール５８０を備えている。

この半導体リードフレーム製造装置５００による、半導体リードフレームの製造工程は次の通りである。
図３は、半導体リードフレーム１の製造工程を表したものである。
最初に、図２に示すように、所定幅で長尺の金属箔１０が巻かれた送りリール５１０をセットし、金属箔１０を長手方向に順次第１プレス装置５３０に供給する。すなわち、金属箔１０の両面から挟むゴムロール５２０を回転させることで、送りリール５１０から金属箔１０を引出して第１プレス装置５３０に供給する。供給される金属箔１０は、図３（ａ）に示すように、幅Ｗの長尺状態である。

次に、第１プレス装置５３０において、図３（ｂ）に示すように、金属箔１０の両側面にスプロケット孔１１を所定間隔で打ち抜くことで、プレス形成する。
金属箔１０に形成されたスプロケット孔１１は、図示しないスプロケットに係合することで、金属箔１０をその長手方向に所定間隔で、第１プレス装置５３０から第２プレス装置５４０に移送される。なお、図示しないスプロケットは、移送部として機能し、第１プレス装置５３０と第２プレス装置５４０との間、第２プレス装置５４０と接着装置５６０との間、及び、接着装置５６０と巻き取りリール５８０との間の少なくとも１箇所以上に配置される。

第２プレス装置５４０では、スプロケット孔１１の間の金属箔部分を打ち抜くことで、リード部４０をプレス形成する。本実施形態における第２プレス装置５４０では、単位リード２０毎にプレス形成を行うが、複数の単位リード２０を纏めてプレス形成することも可能である。この場合、図３（ｃ）に示すように幅方向は１つで長手方向に複数の単位リード２０を同時にプレス形成する場合だけでなく、金属箔１０の幅Ｗを複数個並べて形成できる幅とし、幅方向に複数同時にプレス形成してもよく、長さ方向、幅方向ともに複数（４個）以上の単位リード２０を同時にプレス形成するようにしてもよい。

次に、接着装置５６０において、図３（ｄ）に示すように、プレス形成されたリード部４０にリード支持部材５０を接着する。
接着装置５６０は、図示しない接着材塗布部と配設部とを備えている。
接着材塗布部では、リード部４０におけるリード支持部材５０の接着領域に接着材を塗布し、リード支持部材５０を接着する。接着材の塗布領域は、半導体素子が配設される投影領域の各辺よりもインナーリード４２から０．０５ｍｍ～０．１ｍｍだけ外側の位置から外側に、リード支持部材５０の幅に応じた１ｍｍ～２ｍｍの幅の領域で塗布する。
ここで、塗布する接着材としては、アクリル系、エポキシ系、ポリイミド系の熱硬化型を半硬化状態で用いるか、またはポリエーテルアミドイミド等の熱可塑型を用いることができる。

接着装置５６０の配設部では、方形の環状形状に形成されたリード支持部材５０を吸引により把持し、リード部４０の接着材が塗布された領域上に配置及び押圧することで接着する。
なお、接着装置５６０は、接着材をリード部４０に塗布するのではなく、予め接着材が塗布されたリード支持部材５０を吸引により把持、移動してリード部４０の所定領域に接着するようにしてもよい。

以上の各工程により、長尺の金属箔１０に対し単位リード２０が順次形成される。
形成された単位リード２０は順次巻き取りリール５８０に巻き取られることで、半導体リードフレーム１が形成される。

図４は、本実施形態の半導体リードフレーム１に半導体素子１００を配設した状態を表した説明図である。
この図に示すように、本実施形態の半導体リードフレーム１の各単位リード２０に半導体素子１００をＦＣＢによりはんだ付けする。
この際、半導体素子１００を配設する側の面にリード支持部材５０が接着されているので、半導体素子１００をフェイスダウン実装できるため、画像認識付きの高精度なマウンタを必要とせずに、ＦＣＢを確実に行うことができる。
また、リード支持部材５０の内周面がガイドとなると共に、各インナーリード４２がリード支持部材５０によって指示されているので、各インナーリード４２と半導体素子１００の対応する各電極とを、位置ずれを生じることなく合わせることができる。

次に、半導体リードフレーム１の各種変形例について説明する。
図５は、各単位リード２０に接着するリード支持部材５０についての変形例を表した説明図である。
図１で説明したリード支持部材５０では、その形状が方形の環状形状であったのに対し、図５の各変形例に示すように、方形の環状形状のリード支持部材５０のうち一部分からなる形状である。
例えば図５（ａ）に示すリード支持部材５１は、リード支持部材５０の対角線に沿って２分したＬ字状の形状で、外枠部３０における一方の長辺に形成された全てのリード部４０と、一方の短辺に形成された全てのリード部４０とに接着される。

図５（ｂ）に示すリード支持部材５２はコ字形状の例で、外枠部３０における一方の短辺に形成されたリード部４０をコ字の縦棒部分が接着され、上下の横棒部分で外枠部３０における長辺に形成されたリード部４０の一部が接着される。このリード支持部材５２では、コ字形状の上下横棒部分がそれぞれ１本のリード部４０と接着する場合について表示しているが、上下横棒部分をより長く形成することで複数本のリード部４０と接着する形状であってもよい。

図５（ｃ）に示すリード支持部材５３は、Ｌ字形状に形成され、各単位リード２０に対して対角線上に２つ配置したものである。このリード支持部材５３は、図５（ａ）のリード支持部材５１よりも縦棒、横棒部分が共に短く形成されていて、外枠部３０の長辺と短辺のそれぞれに形成されているリード部４０の一部と接着する。接着するリード部４０の本数は任意であり、接着する本数に応じてＬ字形状の縦棒、横棒の長さが設定される。

この図５に示した各変形例によれば、方形の環状形状に形成されたリード支持部材５０に比べて、支持対象となるリード部４０の本数が少なくなるが、変形しにくいリード部４０である場合（例えば、長さが短い場合や、幅が広い場合）には有効である。
そして、各変形例のリード支持部材５１～５３の形状であっても、少なくとも互いに直交する２辺（連続、不連続を問わない）を有する形状とすることで、半導体素子１００のガイドとして機能することができる。

図６は、金属箔１０の両側辺に形成するスプロケット受部の変形例を表した説明図である。
なお、図６では、スプロケット受部の形状を説明するものであるため、金属箔１０に形成する各単位リード２０については表示を省略している。
図１で説明した実施形態では、スプロケット受部として、スプロケット孔１１を形成する場合について説明した。
これに対し、図６（ａ）に示す変形例では、金属箔１０の端部を残さない切欠き形状のスプロケット受部１１ｂとしている。このスプロケット受部１１ｂによれば、金属箔１０の幅Ｗを狭くすることが可能になり、又は、同一の幅Ｗに対しては、両側のスプロケット受部１１ｂの間隔が広がることで、リードパターンの形成領域を広くすることができる。なお、図６（ａ）に示すようにスプロケット受部１１ｂの切欠き形状は、方形に形成されているが、これに限らず、製造装置の搬送手段に合わせて、円形や楕円形等の各種他の形状とすることが可能である。

図６（ｂ）に示す変形例では、金属箔１０の幅方向の両側側に突起状のスプロケット受部１１ｃが形成されている。このスプロケット受部１１ｃは、金属箔１０の裏側（半導体素子１００が配設される側の反対側）に形成される場合について示しているが、表側に配設することも可能である。また、スプロケット受部１１ｃの形状は円柱形状の突起であるが、角柱形状の突起であってもよい。
図６（ａ）、（ｂ）に示したスプロケット受部の両変形例は、半導体リードフレーム製造装置５００の移送部の形状に合わせた形状、及び、間隔で形成される。

以上説明したように本実施形態の半導体リードフレーム、その製造方法、製造装置によれば、次の効果を得ることができる。
（１）半導体リードフレーム１では、各単位リード２０におけるリード部４０の、半導体素子が配置される側の面にリード支持部材５０を接着しているので、半導体素子を配置、封止した後の半導体封止体を薄型化、小型化することができる。
（２）各単位リード２０に接着するリード支持部材５０の形状を方形の環状形状としたので、リード支持部材５０が半導体素子１００の配設の際のガイドとして機能し、インナーリード４２と半導体素子の電極との位置を一致させることができる。
（３）各単位リード２０に接着するリード支持部材５０～５３の体積が小さいため、吸湿量を少なくすることができるので、本実施形態の半導体リードフレーム１を用いることにより半導体封止体のクラック発生を抑制することができる。
（４）ＦＣＢされる半導体素子の全面ではなく、リード支持部材５０の形状を、半導体素子を囲う方形の環状形状としているので、樹脂フィルムの使用量が削減できるためコストの低減が図れる。
（５）リード支持部材５０の内側面をガイドとして半導体素子をフェイスダウン実装できるため、画像認識付きの高精度なマウンタを必要とせずに、ＦＣＢを確実に行うことができる。
（６）リード支持部材５０によりリード部４０と半導体素子を支持するので、金属製のダイパッドや吊りピンが不要になるため、計量化が実現される。

１ 半導体リードフレーム
１０ 金属箔
１１ スプロケット孔
１１ｂ、１１ｃ スプロケット受部
２０ 単位リード
３０ 外枠部
４０ リード部
４１ アウターリード
４２ インナーリード
５０～５３ リード支持部材
１００ 半導体素子
５００ 半導体リードフレーム製造装置
５１０ 送りリール
５２０ ゴムロール
５３０ 第１プレス装置
５４０ 第２プレス装置
５６０ 接着装置
５８０ 巻き取りリール

Claims (13)

1. 外枠部と、
   前記外枠部から中心方向に向かって延設された、一端が前記外枠部と接続するアウターリードと一端が前記アウターリードの他端と接続するインナーリードとを有する複数のリード部と、
   前記リード部における半導体素子が配設される側の面に、配設される半導体素子の投影領域の外周縁に沿って前記投影領域を囲う環状形状のうちの少なくとも互いに直交する２辺に接着されたリード支持部材と、を具備し、
   前記リード支持部材は、前記２辺に接着された前記リード支持部材の内側面と前記半導体素子の側面とが当接するように接着されている、
   ことを特徴とする半導体リードフレーム。
2. 前記リード支持部材は、配設される半導体素子の外側を囲う、方形の環状形状である、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体リードフレーム。
3. 前記リード支持部材は、Ｌ字形状又はコ字形状である、
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体リードフレーム。
4. 前記リード支持部材は、その厚さｓが、配設された後の半導体素子の高さｈ以下である、
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体リードフレーム。
5. 前記リード支持部材は、樹脂フィルムで形成されている、
   ことを特徴とする請求項１から請求項４のうちのいずれか１の請求項に記載の半導体リードフレーム。
6. 前記外枠部と前記リード部と前記リード支持部材を有する単位リードが、連続して所定方向に複数形成されている、
   ことを特徴とする請求項１から請求項５のうちのいずれか１の請求項に記載の半導体リードフレーム。
7. 前記単位リードは、所定幅の金属箔リールの長尺方向に複数形成されている、
   ことを特徴とする請求項６に記載の半導体リードフレーム。
8. 前記複数の単位リードが形成された金属箔リールは、その幅方向の両側にスプロケット受部が所定間隔で形成されている、
   ことを特徴とする請求項６に記載の半導体リードフレーム。
9. 前記単位リードは、幅方向に複数状並んで形成されている、
   ことを特徴とする請求項６から請求項８のうちのいずれか１の請求項に記載の半導体リードフレーム。
10. 前記半導体素子がフェイスダウン実装されている、
    ことを特徴とする請求項９に記載の半導体リードフレーム。
11. 半導体リードフレームの製造方法であって、
    長尺の金属箔の幅方向の両端側に、長手方向に沿って所定間隔でスプロケット孔を形成する工程と、
    前記スプロケット孔が形成された前記長尺の金属箔に、前記長手方向に沿って所定間隔でリード部を形成する工程と、
    前記形成された前記リード部の、半導体素子が配設される側の面に、前記配設される半導体素子の投影領域の外周縁に沿って前記投影領域を囲う環状形状のうちの少なくとも互いに直交する２辺にリード支持部材を接着する工程と、を具備し、
    前記リード支持部材を接着する工程は、前記２辺に接着される前記リード支持部材の内側面と前記半導体素子の側面とが当接するように接着する、
    ことを特徴とする半導体リードフレームの製造方法。
12. 半導体リードフレームの製造装置であって、
    長尺の金属箔の幅方向の両端側に、長手方向に沿って所定間隔でスプロケット孔をプレス形成する第１プレス部と、
    前記スプロケット孔が形成された前記長尺の金属箔に、前記長手方向に沿って所定間隔でリード部をプレス形成する第２プレス部と、
    前記形成された前記リード部の、半導体素子が配設される側の面に、前記配設される半導体素子の投影領域の外周縁に沿って前記投影領域を囲う環状形状のうちの少なくとも互いに直交する２辺にリード支持部材を接着する支持部材接着部と、を具備し、
    前記支持部材接着部は、前記２辺に接着される前記リード支持部材の内側面と前記半導体素子の側面とが当接するように接着する、
    ことを特徴とする半導体リードフレーム製造装置。
13. 前記形成されたスプロケット孔と係合するスプロケットを有し、前記長尺の金属箔をその長手方向に、前記金属箔を所定間隔で、前記第１プレス部から前記第２プレス部に移送する移送部と、
    を備えたことを特徴とする請求項１２に記載の半導体リードフレーム製造装置。

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