JP7179179B2 - シリンダ装置と金属製摺動部品及び金属製摺動部品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、シリンダ装置と金属製摺動部品及び金属製摺動部品の製造方法に関する。
本願は、２０１９年６月２６日に、日本に出願された特願２０１９－１１８６８５号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

ピストンロッドなどの金属製摺動部品について、摺動特性を向上させるため、種々の技術開発がなされている。
例えば、厚さ方向に応力勾配がないクロム層を析出させる技術（特許文献１参照）、高速クロムめっき装置の構造を改良した技術（特許文献２参照）、クロムめっき膜の結晶子の平均直径を規定し、（｛２１１｝／｛２２２｝）で表記されるピーク強度比を規定した技術（特許文献３参照）が知られている。

日本国特許第３９１８１５６号公報 特開昭５５－１３８０９７号公報 特開２００６－３０７３２２号公報

しかしながら、上記した従来技術では、めっき膜の摩擦係数や耐摩耗性などの摺動特性が不十分な問題がある。これら特許文献に記載の技術は摺動部品ごとに実用可能なめっき膜を創り込んでゆくための製造技術であり、めっき膜表面の摺動特性については試行錯誤により創りこむ必要があった。
ところで、本発明者は、サスペンション用ピストンロッドのクロムめっきの成膜速度を高速化する技術の開発を進めている。
また、クロムめっきの成膜速度を高速化しても、得られためっき膜の特性値は従来のめっき品と同等とすることで検討を進めてきた。
しかし、本発明者が高速化によって得られたクロムめっき膜の結晶性について詳細な解析を行ったところ、ピストンロッドの摺動特性を改善しうる結晶性を有していることを見出した。

本発明は、製造段階でクロムめっき膜表面に形成される結晶構造に着目し、摺動特性に影響する基本的な結晶構造を具備したクロムめっき膜を有した金属製摺動部品とそれを備えたシリンダ装置及び金属製摺動部品の製造方法を提供する。

本発明の第一の態様によれば、シリンダ装置は、少なくとも一端側に開口部を有する筒状のシリンダと、前記シリンダの開口部から突出する金属製のロッドと、前記シリンダの開口部に設けられ前記ロッドと摺接する摺接部材と、を備える。前記ロッドの表面に、クロムめっき膜が設けられる。前記クロムめっき膜における結晶子の膜厚方向の平均結晶子径と面内方向の平均結晶子径のアスペクト比が０．２以下である。

上記したシリンダ装置によれば、クロムめっき膜を構成する結晶組織のアスペクト比を低減できる効果があり、摩擦係数を低減し、更に硬度も向上できるの。このため、摺動特性を改善したクロムめっき膜を有する金属製摺動部品を備えたシリンダ装置を提供できる。アスペクト比を０．２以下に小さくすることで、摺動する際に、相手材との真実接触部が安定するとともに、微細な段差を生じてしまう結晶粒界と摺動する回数を減じることができ、クロムめっき膜の摩擦係数を低下することができる。
また、このような金属製摺動部品としてのロッドを備えたシリンダ装置であれば、ロッドの摺動特性を改善することができ、耐久性に優れたシリンダ装置を提供できる。

本発明の一実施形態に係る金属製摺動部品としてのロッドを示す側面図である。 図１に示すロッドの表面部分に形成されたクロムめっき膜を示す部分断面図である。 図２に示すクロムめっき膜の結晶子の方位とアスペクト比を例示するもので、結晶の単位格子を示す説明図である。 図２に示すクロムめっき膜の結晶子の方位とアスペクト比を例示するもので、結晶格子のアスペクト比を示す説明図である。 図２に示すクロムめっき膜の結晶子を示す概念図である。 従来のクロムめっき膜の結晶子を示す概念図である。 図１に示すロッド表面のクロムめっき膜の粒界とオイルシールとの関係を示す説明図である。 従来のロッド表面のクロムめっき膜の粒界とオイルシールとの関係を示す説明図である。 本発明の一実施形態に係る金属製摺動部品としてのロッドにクロムめっき膜を形成するために用いる第１の製造装置を示す説明図である。 同ロッドにクロムめっき膜を形成するために用いる第２の製造装置の概要を示す説明図である。 同第２の製造装置について具体構造とした場合の要部詳細構造を示す断面図である。 図１に示すロッドを備えたシリンダ装置の一例を示す断面図である。 実施例においてロッド表面にクロムめっき膜を形成した場合の電流密度と形成されたクロムめっき膜の面内方向の結晶子径の相関関係を示すグラフである。 実施例においてロッド表面にクロムめっき膜を形成した場合の電流密度と形成されたクロムめっき膜結晶子のアスペクト比の相関関係を示すグラフである。 実施例においてロッド表面に形成したクロムめっき膜に関し、クロムめっき膜結晶子のアスペクト比とクロムめっき膜の最大摩擦係数との相関関係を求めたグラフである。

以下、本発明の一実施形態に係る金属製摺動部品としてのロッドについて説明する。
なお、以下に説明する実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。

図１は本発明の一実施形態に係る金属製摺動部品の一例としてのロッド１を示す側面図である。
このロッド１は、丸棒状の大径部２と、この大径部２の長さ方向一端部中央に大径部２を延長するように形成された小径部３とからなる。大径部２の一端側には径を絞るように形成されたテーパ面４が形成されている。このテーパ面４の終端側に形成された鍔部２ａを介し小径部３が形成されている。小径部３の先端側には雄ねじ部５が形成されている。
ロッド１はめっきが施された被めっき物である。大径部２の外周面とテーパ面４にめっきが電着されている。
図２は大径部２の表面部分を一部切り出して断面視した図である。大径部２を構成する鋼母材である金属基材６の表面にクロムめっき膜７が被覆されている。なお、ロッド１において大径部２と小径部３はいずれも鋼母材からなる。

本実施形態のクロムめっき膜７は、膜厚方向の平均結晶子径と面内方向の平均結晶子径のアスペクト比が０．２以下である。クロムめっき膜７は、クロムの結晶の（１１１）面を面内方向に平行に揃える優先方位となるように結晶配向されている。本実施形態において説明する結晶子とは単結晶が集合している領域を示す。結晶子径は一例としてＸ線回折法により求めることができる。
クロムめっき膜７において、結晶子の平均径は、膜厚方向（ＦＴＤ）で１２ｎｍ以下であり、面内方向（ＰＤ）で６０ｎｍ以上となるように形成されている。結晶子の膜厚方向の平均径は０．２８ｎｍ以上であることが好ましく、面内方向では２４０ｎｍ以下であることが好ましい。

図３Ａはｂｃｃ構造のクロム結晶の単位格子における（１１１）面を示す説明図である。図３Ｂはクロム結晶格子におけるアスペクト比の概念を示す説明図である。
ｂｃｃ単位格子の幅方向の軸長をａ０、高さ方向の軸長をｈ０と表記すると、図３Ｂに示すクロム結晶格子のアスペクト比（ＡＲ）はｈ０／ａ０で表される値となる。
図４は本実施形態に係るクロムめっき膜７の結晶構造を模式化して示す概念図である。図５は従来構造のクロムめっき膜８の結晶構造を模式化して示す概念図である。図４と図５に（１１１）面が堆積している方位を矢印で示す。クロムめっき膜７、８では面内（膜面）方向に（１１１）面が優先配向されている。
「優先方位」という用語は、多結晶集合体の状態であり、結晶方位はランダムでなく、特定の方向に配列する傾向を示すという意味を有する。
結晶性や優先方位については、例えばＸ線回折測定によって得られる回折パターンから分析することができる。本実施形態に係るクロムめっき膜の代表的なＸ線回折パターンでは、(１１１）面が優先配向していることを示す強い（２２２）ピークが観察される。このようなピークのパターンから積分強度を求め、強度比を算出すると、（２２２）ピークが９０％以上を示した。無配向なクロムにおける標準データでは、（２２２）ピークの強度比は３％程度であり、強く優先配向していると言える。

図４に示す本実施形態のクロムめっき膜７において、単結晶が連続している領域を結晶子９と定義する。結晶子９のアスペクト比は、図４において例えばｈ／ａを示し、図５に示す従来構造の結晶子１０のアスペクト比は、図５においてｈ２／ａ２を示す。
図４に示す本実施形態のクロムめっき膜７は、膜厚方向の平均結晶子径ｈと面内方向の平均結晶子径ａのアスペクト比（ｈ／ａ）が、０．２以下とされている。
クロムめっき膜７における結晶子の大きさの測定は、Ｘ線回折装置により特性Ｘ線Ｃｕ－Ｋαを用い、面内の回折線と広角での回折線とをＨａｌｌ法により結晶子の大きさと歪みとに分離して評価することができる。
本実施形態において膜厚方向の平均結晶子径ｈとは、広角Ｘ線回折装置によりめっき膜の１０ｍｍ×１０ｍｍの範囲を走査した時に発生する反射Ｘ線の回折線により上記のＨａｌｌ法により求めた値である。
本実施形態において面内方向の平均結晶子径ａとは、高分解能Ｘ線回折装置によりめっき膜の１０ｍｍ×１０ｍｍの範囲に広角Ｘ線回折よりも極めて低い照射角で走査した時に発生する試料の沿面方向へ走る面内回折Ｘ線の回折線により求めた値である。

図５に示す従来構造のクロムめっき膜８は、膜厚方向の平均結晶子径と面内方向の平均結晶子径のアスペクト比（ｈ２／ａ２）が、図４に示すクロムめっき膜７のアスペクト比（ｈ／ａ）よりも大きい。このため、図５に示す断面で示すクロムめっき膜８は膜厚方向に細長い結晶子１０が多く含まれる。これに対し、図４に断面で示すクロムめっき膜７では面方向に細長い結晶子９が多く含まれている。

図４に表示する１つ１つの結晶子９は４角形状を有する。図５に示す１つ１つの結晶子１０も４角形状を有する。しかしながら、図４の構造と図５の構造において同等の全体膜厚と仮定すると、図４の断面構造における膜厚方向に堆積している結晶子９の数は、図５の断面構造における膜厚方向に堆積している結晶子１０の数より多くなっている。
図４と図５を対比して分かるように、本実施形態のクロムめっき膜７では、前述のアスペクト比（ｈ／ａ）が０．２以下である。このことは、図７に示すクロムめっき膜７を構成する結晶子９において、面内方向の平均結晶子径が膜厚方向の平均結晶子径より相当に大きいことを意味する。

図６は、図４に示すクロムめっき膜７を備えたロッドにオイルシール１１を接触させた状態を示す概念図である。図７は、図５に示す従来のクロムめっき膜８を備えたロッドにオイルシール１２を接触させた状態を示す概念図である。
図４において、オイルシール１１の面方向に隣接する結晶子９、９の境界を粒界１３とみなすことができる。図５において、オイルシール１２の面方向に隣接する結晶子１０、１０の境界を粒界１４とみなすことができる。
このため、図６に示すクロムめっき膜７がオイルシール１１に対し摺動する場合と、図７に示すクロムめっき膜８がオイルシール１２に対し摺動する場合を対比すると、図６の構造の方が、オイルシール１１に粒界１３が擦れ合う確率が低くなる。このため、クロムめっき膜７の表面に凝着が発生し難くなり、ロッド１の摺動特性が向上する効果を得ることができる。

また、クロムめっき膜７は上述の如く膜厚方向の平均結晶子径と面内方向の平均結晶子径のアスペクト比が０．２以下である。このため、摺動方向に沿って存在する粒界１３の数が従来のクロムめっき膜よりも少なくなる。このため、本実施形態のクロムめっき膜７は、従来のクロムめっき膜よりも結晶粒界を摺動する回数が減少することで摩擦係数が低くなり、摩擦係数が低下することで摺動特性が向上する。このため、凝集によりクロムめっき膜結晶の変形が生じ難くなり、摩耗形態を滑り摩擦へと変化できることで摩耗速度を減じることができる。
このため、金属製摺動部品としてのロッド１は、摺動する際に、相手材との真実接触部が安定するとともに、微細な段差を生じてしまう結晶粒界を摺動する回数が減じることで摩擦係数を低くすることができる。

本実施形態のクロムめっき膜７は、面内方向に（１１１）面が優先的に揃っていることに加えて、前述のアスペクト比が十分に小さいため、面内方向の表面状態が安定し、目的の優れた摺動特性が得られる。しかも、結晶子９の膜厚方向の結晶子径を小さくできることで、クロムめっき膜７に十分高い硬さ（１０００ＨＶ以上）を付与することができ、クロムめっき膜７は耐摩耗性も十分となる。

なお、本実施形態のクロムめっき膜７を備えたロッド１に関し、めっき処理後に高周波加熱処理を行ってクロムめっき膜７の表面に酸化クロム主体の酸化膜を形成しても良い。

「クロムめっき膜の製造方法」
上記のクロムめっき膜７は、有機スルフォン酸を含むクロムめっき浴中で、直流定電流を利用しためっき処理を行うことにより形成される。めっき液は所定の流速でめっき面に沿った方向の定常流を与えるように設定することが好ましい。
なお、有機スルフォン酸を含むクロムめっき浴としては、特公昭６３－３２８７４号公報に記載される、以下の表１に示す成分組成のものを用いることが望ましい。

「クロムめっき膜製造装置の第１実施形態」
上記のクロムめっき膜７をロッド１の表面に形成するための装置の一形態を図８に示す。この装置は、ワーク（例えば、金属製ピストンロッド）Ｗを吊下支持し移動するハンガー２１を有する。その移動ラインの下には、装着ステーション２２、アルカリ電解脱脂槽２３、めっき槽２４、水洗槽２５および離脱ステーション２６がこの順序で配列されている。めっき槽２４は、アルカリ電解脱脂槽３側のエッチング処理槽２４Ａと、これに続くめっき処理槽２４Ｂとに分割されている。めっき処理槽２４Ｂには、前記した有機スルフォン酸を含むクロムめっき浴２４ｂが収納されている。
また、アルカリ電解脱脂槽２３、エッチング処理槽２４Ａおよびめっき処理槽２４Ｂに沿ってそれぞれの上方にブスバ２７、２８、２９が分割して配列されている。これらブスバのうち、アルカリ電解脱脂槽２３に対応するブスバ２７、エッチング処理槽２４Ａに対応するブスバ２８、めっき処理槽２４Ｂに対応するブスバ２９にはそれぞれ直流電源３０、３１、３２が接続されている。

一方、各ブスバ２７、２８、２９には、ハンガー２１に設けられた給電ブラシ３４が摺接される。これにより、各ハンガー２１には対応する電源３０、３１、３２から電流が均等に分配される。アルカリ電解脱脂槽２３およびエッチング処理槽２４Ａ内には、各槽単位で並列に接続した複数の陰極３５、３６がそれぞれ配設される。めっき処理槽２４Ｂ内には、ブスバ２９単位で並列に接続した陽極３７、３８が配設される。これら陰極３５、３６および陽極３７、３８には対応する電源３０、３１、３２から電流が供給される。なお、めっき処理槽２４Ｂ内の陽極３７、３８と電源３２との間にはそれぞれ電流計が介装されている。

上記製造装置を用いてクロムめっきを実施するには、先ず装着ステーション２２においてハンガー２１にワークＷを装着する。次いで、ワークＷをハンガー２１に吊下げた状態でアルカリ電解脱脂槽２３とエッチング処理槽２４Ａとに順次移送する。
そして、アルカリ電解脱脂槽２３においてワークＷを陽極とする脱脂処理を、エッチング処理槽２４ＡにおいてワークＷを陽極とするエッチング処理をそれぞれ行う。続いて、ワークＷをめっき処理槽２４Ｂに移送し、ここで、ワークＷを陰極とするクロムめっき処理を行う。

上記クロムめっき処理に際し、先ず、ワークＷの沿面方向にめっき液を流し、直流電源３２からブスバ２９および陽極３７を介してワークＷに直流電流を供給し、めっき処理を行う。このめっき処理は、当該ワークＷを吊下支持するハンガー２１の給電ブラシ３４がブスバ２９に接触している間継続され、クロムめっき膜７が形成される。なお、ワークＷは、その後、水洗槽２５において水洗されて離脱ステーション２６に至る。ワークＷは、離脱ステーション２６でハンガー２１から取り外される。

めっき処理の際には、前述のようにめっき液が定常的にワークＷの沿面方向に流れている状態で、直流電流を印加することでめっき処理される。ここで、めっき液の温度としてめっき液の流れ終端側、本実施形態においてはワークＷの液面において６０℃以上とすることで、光沢性のあるクロムめっき膜が得られる。
更に、めっき液の出口温度を９０℃以下、望ましくは８５℃以下とすることで、結晶子のアスペクト比が小さなクロムめっき膜を形成することができる。また、印加する直流電流としては、３５０ＡＳＤ（Ａ／ｄｍ^２）以上が好ましい。本実施形態においては、１５００ＡＳＤ以上を印加した場合に、めっき膜の平坦性が低下しめっき膜質異常を引き起こしたことから、実質的に３５０～１５００ＡＳＤとすることが望ましく、４００～１２００ＡＳＤとすることがより望ましい。この範囲の電流密度でめっき処理を施すことは、この種のクロムめっき膜を生成する一般的な電流密度より高い範囲となる。このため、前述の範囲でめっき処理することは高速クロムめっきを行っていることとなる。

本実施形態では、従来、一般的なこの種のワークを処理する場合の電流密度よりも電流密度を高く設定し、めっき液に流速を与えることが特徴である。このように高い電流密度で処理することで、めっき速度を速くすることが可能となる。また、めっき液の流速としては０．０１ｍ／ｓ以上、好ましくは０．０５ｍ／ｓ以上が好ましい。めっき液の流速が低すぎる場合、高電流によりめっき液の温度上昇が著しく、正常なクロムめっきを施すことができない。
更に、流速が２．５ｍ／ｓ以上となった場合には、めっき電流に伴うワーク表面の温度上昇が不十分となるとともに、めっき反応過程で生じる６価クロムの還元中間体がワーク表面に残存することが出来なくなる。このため、析出反応の継続的な進行が阻害され、結晶配向の低い膜が成長してしまう。

ただし、本実施形態で示した、流速の上限や下限の関係については、めっき設備に大きく依存する。設備の大きさなどにより熱容量が変化するとともに、接触抵抗などによる過剰な熱量が液温を大きく上昇させるためである。そのため、好ましくはめっき液の出口温度と流量の関係を整理したうえで運転条件を設定することが望ましい。
なお、高速クロムめっきを行うことで生産時のリードタイムを短縮し、生産効率を向上できる効果がある。

「クロムめっき膜製造装置の第２実施形態」
ワークＷにクロムめっき膜７を形成する場合の第２実施形態として、図９を参照して以下に説明する方法に従うこともできる。
第２実施形態では、内筒型の陽極４０と外筒型の処理槽本体４１を備えためっき処理装置４２を用いる。陽極４０の中心にロッド状のワークＷを設置してめっき処理を実施する。
めっき処理を行う場合、内筒型の陽極４０に収容しためっき液に上向きの循環流を生じさせることが好ましい。
このような電極配置にすることで、ワークＷの表面近傍におけるめっき液の流れが整い易くなるとともに、高電流を印加した場合の、めっき液温の上昇を管理し易くなり、適切な温度範囲と流量範囲を安定的に提供することが可能となる。

「製造装置の具体例」
図１０は、図９に示すめっき処理装置４２に関し、より具体的な構造とした一例を示す断面図である。
この例のめっき処理装置５１は、搬送ロボットの把持部５２を有している。把持部５２は、ロッド１の小径部３とは反対側の部分である大径部２を把持する。把持部５２は、ロッド１を把持部５２から鉛直下方に延出させた状態で把持する。把持部５２は、上下に昇降可能となっている。把持部５２で把持された状態のロッド１は鉛直方向に沿っており、大径部２よりも小径部３が下側に配置されている。

めっき処理装置５１は、外筒型の処理槽本体５６を備えている。処理槽本体５６は、把持部５２で把持され把持部５２とともに下降するロッド１が進入可能な挿入口５５を上部に備える。また、めっき処理装置５１は、処理槽本体５６内に、内筒型の電極６２を備えている。電極６２は、把持部５２で把持され把持部５２とともに下降するロッド１が進入可能な挿入口６１を上部に備える。処理槽本体５６の挿入口５５よりも電極６２の挿入口６１の方が下側に配置されている。

電極６２は、円筒状の壁電極部６５と、壁電極部６５の上端縁部側に図示せぬ螺子などの締結部材により締結された環状部材６６とを有している。環状部材６６は、外周側が壁電極部６５の外径と同径で、内周側は壁電極部６５の内径よりも小径に構成される。つまり、環状部材６６は、内周側に壁電極部６５よりも径方向内方まで延出する部分を有する。また、環状部材６６は、絶縁体である。この環状部材６６は、後述するマスキング治具７１が電極６２から飛び出さないようにするストッパの役割をしている。マスキング治具７１を交換するときに取り外しが容易となるように、環状部材６６を締結部材により壁電極部６５に締結しておくことが望ましい。

めっき処理装置５１は、電極６２の壁電極部６５の内側に配置されるマスキング治具７１を有している。マスキング治具７１は、ロッド１の大径部２にめっきを施す際にロッド１の鍔部２ａおよび小径部３をマスキングするために用いられる。マスキング治具７１は、電極６２に対して独立して移動可能であり、壁電極部６５の内周面６８を摺動可能であって、上下に昇降可能に設けられている。

マスキング治具７１は、壁電極部６５の内周面６８に摺接する外周面７２を有している。マスキング治具７１には、径方向の中央に、円形穴である収容穴７５が軸方向に沿って形成されている。収容穴７５は、マスキング治具７１の軸方向の一端から他端側の途中位置まで形成されている。言い換えれば、収容穴７５は、マスキング治具７１の軸方向の一端に開口部７６を有し他端側は開口しない袋穴となっている。収容穴７５は底面７８を有している。収容穴７５の内径は、ロッド１の小径部３の外径よりも大径であり、鍔部２ａの最大径よりも小径となっている。また、収容穴７５の深さは、ロッド１の小径部３の長さよりも深くなっている。

マスキング治具７１には、収容穴７５の開口部７６側の端部に、収容穴７５よりも収容穴７５の径方向における外側、言い換えれば収容穴７５よりもマスキング治具７１の径方向における外側に広がる当接部８１を有している。当接部８１は、マスキング治具７１の軸方向に直交して広がる平坦な円環状の当接面８２を有している。当接面８２の最小径は、収容穴７５の内径と同等であり、ロッド１の鍔部２ａの最大径よりも小径で、小径部３よりも大径となっている。よって、当接部８１には、その当接面８２に、収容穴７５に小径部３が収容された状態のロッド１の鍔部２ａが当接可能となっている。収容穴７５に小径部３が中心軸線を一致させた同軸状態で収容されると、鍔部２ａは当接面８２に当接する。

マスキング治具７１には、外周面７２から径方向内方に凹む溝状の貫通路８５が形成されている。貫通路８５は、マスキング治具７１を、マスキング治具７１の軸方向、言い換えれば収容穴７５の軸方向に沿って一端側から他端側まで貫通している。
貫通路８５は、めっき液をマスキング治具７１の軸方向に通過させるめっき液流通用の通路である。

マスキング治具７１には、図１０に示すように、軸方向の中間位置に中空部９１が、マスキング治具７１の軸方向に沿って形成されている。中空部９１は、当接部８１よりもマスキング治具７１の径方向における外側に配置されている。中空部９１は、空気を保持して密閉されている。中空部９１は、マスキング治具７１に浮力を生じさせる部分である。

マスキング治具７１は、絶縁性の合成樹脂材料により形成されており、全体が絶縁体となっている。マスキング治具７１は、比重が、めっき液よりも小さくなるように構成されている。マスキング治具７１は、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチエンで形成されている。なお、本実施形態では、マスキング治具７１全体を合成樹脂材料により形成した例を示したが、外周摺動面や収容穴７５を耐摺動性の無機材料や金属材料などで被覆するなど、適宜変更することが可能である。

マスキング治具７１は、図１０に示すように、当接部８１および収容穴７５の開口部７６が上に向く状態で、壁電極部６５内に配置されている。マスキング治具７１は、自重により壁電極部６５の下部位置まで下がると、図示略のストッパに当接して、それ以上の下降が規制される。マスキング治具７１は、図示略のストッパに当接して停止する図１０に示す位置が昇降範囲の最下位置となっている。マスキング治具７１は、この最下位置にある状態が待機状態となっている。

ロッド１の大径部２にめっきを施す際に、めっき処理装置５１は、把持部５２で把持したロッド１を小径部３側から、処理槽本体５６の挿入口５５に挿入し、さらに電極６２の挿入口６１に挿入する。そして、把持部５２は、大径部２を所定長さ電極６２内に挿入されるようにロッド１を下降させて停止する。このように把持部５２で把持されて停止するロッド１は、電極６２およびマスキング治具７１と同軸状に配置されて、待機状態にあるマスキング治具７１よりも上側に停止する。

めっき処理装置５１は、マスキング治具７１に向けて電極６２内で下から上に向けてめっき液を流す。すると、マスキング治具７１は、めっき液の抵抗構造になっており、比重がめっき液よりも小さいため、めっき液の流れで浮力が生じ、上昇する。
めっき液によって上昇したマスキング治具７１は、その収容穴７５にロッド１の小径部３を収容しつつ当接部８１をロッド１の鍔部２ａに当接させて停止する。めっき液は、貫通路８５を下から上に向けて流れて電極６２内で大径部２に接触する。電極６２の挿入口６１から溢れためっき液は、処理槽本体５６と電極６２との間を通って下方に流れる。

以上を言い換えれば、めっき処理装置５１は、当接部８１および収容穴７５の開口部７６を上に向けてマスキング治具７１を配置し、マスキング治具７１に向けて下から上に向けてめっき液を流すことにより、マスキング治具７１の収容穴７５にロッド１の小径部３を収容し、マスキング治具７１の当接部８１をロッド１の鍔部２ａに当接させるとともに、めっき液をマスキング治具７１の貫通路８５に下から上向きに流してロッド１の大径部２に接触させることができる。

上記のように電極６２内でめっき液を流し続けた状態で、ロッド１と電極６２の接点との間に給電する。すると、絶縁体であるマスキング治具７１と軸方向の位置が重なり合って覆われている小径部３は、めっきの電着すなわちめっき層の形成が抑制され、マスキング治具７１に軸方向の位置が重なり合わず覆われていない大径部２にはめっきが電着されクロムめっき層が形成される。
マスキング治具７１の外周面７２と壁電極部６５の内周面６８の隙間を狭くすることによって、マスキング治具７１が、マスキング治具７１より下部に位置する壁電極部６５の円筒面状の内周面６８から流れてくるはずの電流を遮蔽する遮蔽板として働くため、本来ロッド１の下方に集中するはずの電流を抑制する。このことにより膜厚均一化に効果が得られる。

大径部２に所定厚さのめっき層が形成されると、めっき処理装置５１は、電極６２内でマスキング治具７１に向けて下から流すめっき液を停止させる。すると、マスキング治具７１は、自重により最下位置まで下降してストッパに当接して待機状態に戻る。その後、図１０に示す把持部５２が上昇してロッド１を電極６２および処理槽本体５６から引き上げて、後工程に払い出し、把持部５２は次にめっき処理する別のロッド１を把持する。

ロッド１の外周面に沿ってめっき液の流れを生成しつつ、上述の温度のめっき液を用いて前述の直流電流印加条件によりめっき処理を行うことにより、本実施形態で目的とするクロムめっき層７を大径部２に備えたロッド１を得ることができる。
本実施形態では、クロムめっき膜７において、膜厚方向の平均結晶子径と面内方向の平均結晶子径のアスペクト比が０．２以下であり、クロムの結晶の（１１１）面を面内方向に平行に揃える優先方位となるように結晶配向されているクロムめっき膜７を形成することを目的とする。また、このクロムめっき膜７において、結晶子の平均径が膜厚方向で１２ｎｍ以下であり、面内方向で６０ｎｍ以上となることが好ましい。
このクロムめっき膜７を形成する場合、図１０に示す構造のめっき処理装置５１を用いて製造することが結晶配向性に優れ、目的の平均結晶子径のクロムめっき膜を得る上で望ましい。

「シリンダ装置」
図１１は前述のクロムめっき膜７を有するロッド１を備えた本発明に係るシリンダ装置の第１実施形態を示す断面図である。
図１１に示すシリンダ装置１１１は、自動車や鉄道車両等の車両のサスペンション装置に用いられる緩衝器である。具体的には自動車のストラット型サスペンションに用いられる緩衝器である。シリンダ装置１１１は、円筒状の内筒（シリンダ）１１２と、有底筒状の外筒１１４とを有している。内筒１１２には、作動液体が封入される。外筒１１４は、内筒１１２よりも大径で内筒１１２の外周側に設けられる。外筒１１４は、内筒１１２との間に作動液体および作動気体が封入されるリザーバ室１１３を形成する。つまり、シリンダ装置１１１は、外筒１１４内に内筒１１２が設けられた複筒式の緩衝器である。

外筒１１４は、金属製の一部材からなる一体成形品である。外筒１１４は、円筒状の側壁部１１７と、側壁部１１７の軸方向の一端側を閉塞する底部１１８と、側壁部１１７の底部１１８とは反対側の開口部１１９とを有している。側壁部１１７および底部１１８の中心軸線が外筒１１４の中心軸線となる。

底部１１８は、テーパ筒状部１２１と、平板状の円環部１２２と、テーパ筒状部１２３と、平板状の円板部１２４とを有している。テーパ筒状部１２１は、側壁部１１７の軸方向の端縁部から側壁部１１７から離れるほど縮径するように延出する。円環部１２２は、テーパ筒状部１２１の側壁部１１７とは反対側の端縁部から径方向内方に延出する。テーパ筒状部１２３は、円環部１２２のテーパ筒状部１２１とは反対側の端縁部から円環部１２２から離れるほど縮径するように延出する。円板部１２４は、テーパ筒状部１２３の円環部１２２とは反対側の端縁部から径方向内方に延出する。テーパ筒状部１２１、１２３は、外筒１１４の中心軸線を中心とするテーパ状となっている。円環部１２２および円板部１２４は、外筒１１４の中心軸線に対し直交して広がっている。

内筒（シリンダ）１１２は、金属製の一部材からなる一体成形品である。内筒１１２は、円筒状をなしている。内筒１１２は、その軸方向の一端側の開口部１１２ａに取り付けられた円環状のベース部材１３０を介して外筒１１４の底部１１８に係合している。内筒１２は、その軸方向の他端側の開口部１１２ｂに取り付けられた円環状のロッドガイド１３１を介して外筒１１４の側壁部１１７の底部１１８とは反対側に係合している。

ベース部材１３０は、内筒１１２に嵌合し固定された状態で外筒１１４の底部１１８に載置されている。ベース部材１３０は、底部１１８の円環部１２２に載置されており、その際に、テーパ筒状部１２１で径方向に位置決めされる。これにより、ベース部材１３０は、外筒１１４と同軸状に配置される。その結果、内筒１１２の軸方向の一端部を外筒１１４と同軸状に配置する。

ロッドガイド１３１は、内筒１１２と外筒１１４の側壁部１１７とに嵌合することで、内筒１１２の軸方向の他端部を外筒１１４と同軸状に配置する。このロッドガイド１３１に対して底部１１８とは反対側には、円環状のシール部材（摺接部材）１３３が配置されている。このシール部材１３３も側壁部１１７の内周部に嵌合されている。側壁部１１７の底部１１８とは反対の開口部１１９側には、カール加工によって径方向内方に塑性変形させられた加締め部１３４が形成されている。シール部材１３３は、この加締め部１３４とロッドガイド１３１とに挟持されている。シール部材１３３は、その軸方向の外側がこの加締め部１３４で係止されることによって、外筒１１４の開口部１１９側を封止する。

内筒１１２内には、ピストン１３５が摺動可能に嵌装されている。このピストン１３５は、内筒１１２内に第１室１３８と第２室１３９とを画成している。第１室１３８は、内筒１１２内のピストン１３５とロッドガイド１３１との間に設けられている。第２室１３９は、内筒１１２内のピストン１３５とベース部材１３０との間に設けられている。内筒１１２内の第２室１３９は、内筒１１２の一端側に設けられたベース部材１３０によって、リザーバ室１１３と画成されている。第１室１３８および第２室１３９には作動液体である油液が充填されている。リザーバ室１１３には作動気体であるガスと作動液体である油液とが充填されている。

ピストン１３５にはピストン１３５の中心を小径部３で貫通したロッド１がナット１４３によって連結されている。ピストン１３５は小径部３の外周面に嵌合されており、鍔部２ａに当接されている。ナット１４３は小径部３の雄ねじ部５に螺合されている。
ロッド１は、大径部２の外周面においてロッドガイド１３１およびシール部材１３３を通って内筒１１２および外筒１１４から外部へと延出している。これにより、ロッド１は、一端側が外筒１１４および内筒１１２内に配置され他端側が外筒１１４および内筒１１２の外部に配置されている。ロッド１は、大径部２の外周面がロッドガイド１３１に摺接し、ロッドガイド１３１で案内されて、内筒１１２および外筒１１４に対して、ピストン１３５と一体に軸方向に移動する。ロッド１は、大径部２の外周面がシール部材１３３に摺接する。シール部材１３３は、外筒１１４とロッド１との間を閉塞して、内筒１１２内の作動液体と、リザーバ室１１３内の作動気体および作動液体とが外部に漏出するのを規制する。

ピストン１３５には、軸方向に貫通する通路１４４および通路１４５が形成されている。通路１４４、１４５は、第１室１３８と第２室１３９とを連通可能となっている。ピストン１３５には、ピストン１３５に当接することで通路１４４を閉塞可能な円環状のディスクバルブ１４６が軸方向の底部１１８とは反対側に設けられている。また、ピストン１３５には、ピストン１３５に当接することで通路１４５を閉塞可能な円環状のディスクバルブ１４７が軸方向の底部１８側に設けられている。

ディスクバルブ１４６は、ロッド１が内筒１１２および外筒１１４内への進入量を増やす縮み側に移動しピストン１３５が第２室１３９を狭める方向に移動して第２室１３９の圧力が第１室１３８の圧力よりも所定値以上高くなると通路１４４を開く。ディスクバルブ１４６は、通路１４４を開く際に減衰力を発生させる減衰バルブである。ディスクバルブ１４７は、ロッド１が内筒１１２および外筒１１４からの突出量を増やす伸び側に移動しピストン１３５が第１室１３８を狭める方向に移動して第１室１３８の圧力が第２室１３９の圧力よりも所定値以上高くなると通路１４５を開く。ディスクバルブ１４７は、通路１４５を開く際に減衰力を発生させる減衰バルブである。

ベース部材１３０には、軸方向に貫通する通路１５２および通路１５３が形成されている。通路１５２、１５３は第２室１３９とリザーバ室１１３とを連通可能となっている。
ベース部材１３０には、その軸方向の底部１１８側に円環状のディスクバルブ１５５が配置され、その軸方向の底部１１８とは反対側に、円環状のディスクバルブ１５６が配置されている。ディスクバルブ１５５は、ベース部材１３０に当接することで通路１５２を閉塞可能である。ディスクバルブ１５６は、ベース部材１３０に当接することで通路１５３を閉塞可能である。

ディスクバルブ１５５は、ロッド１が縮み側に移動して第２室１３９の圧力がリザーバ室１１３の圧力よりも所定値以上高くなると通路１５２を開く。ディスクバルブ１５５は、通路１５２を開く際に減衰力を発生させる減衰バルブである。ディスクバルブ１５６は、ロッド１が伸び側に移動しピストン１３５が第１室１３８側に移動して第２室１３９の圧力がリザーバ室１１３の圧力より下降すると通路１５３を開く。ディスクバルブ１５６は、通路１５３を開く際、リザーバ室１１３から第２室１３９内に実質的に減衰力を発生させずに作動液体を流すサクションバルブである。

外筒１１４の底部１１８において円板部１２４の外側には円筒状の取付アイ１５８が溶接により固定されている。シリンダ装置１１１は、例えばロッド１が車両の車体側に連結され、取付アイ１５８が車両の車輪側に連結されて、車輪の車体に対する移動に対して減衰力を発生させる。シリンダ装置１１１は、ロッド１および外筒１１４が外部から衝撃力を受ける。

車両の走行時、シリンダ装置１１１は、ロッド１あるいは外筒１１４が外部側からの衝撃を繰り返し受ける。衝撃力を受ける度にロッド１が縮み側あるいは反対側に移動し、その際に減衰力が作用するのでシリンダ装置１１１は、自動車のストラット式サスペンションに用いられる緩衝器としての機能を奏する。
また、ロッド１の大径部２の外周面にクロムめっき膜７を設けているので、大径部２が繰り返しシール部材１３３に対し摺動したとしても、クロムめっき膜７が優れた摺動特性を発揮し、優れた耐摩耗性を発揮できる。

クロムめっき膜７は上述の如く膜厚方向の平均結晶子径と面内方向の平均結晶子径のアスペクト比が０．２以下であるので、摺動方向に沿って存在する粒界の数が従来のクロムめっき膜よりも少なくなる。このため、本実施形態のクロムめっき膜７は、従来のクロムめっき膜よりも結晶粒界を摺動する回数が減少することで摩擦係数が低くなり、摩擦係数が低下することで摺動特性が向上する。このため、凝集によりクロムめっき膜結晶の変形が生じ難くなり、摩耗形態を滑り摩擦へと変化できることで摩耗速度を減じることができるため、シリンダ装置１１１の耐久性が向上し、寿命の長いシリンダ装置１１１を提供できる。

ところで、以上説明した実施形態においては、ロッド１に本実施形態のクロムめっき膜を適用した例について説明したが、本実施形態のクロムめっき膜を適用できるのは、ロッドに限らない。耐摩耗性の要求される各種自動車部品、機械構造部材、油圧機器用のシャフトやロール、軸受やピストンあるいはシリンダなどの摺動部、金型、精密ロールなどの高硬度な表面処理など、種々の機械部品に広く適用することができる。

ＪＩＳ Ｓ２５Ｃからなる鋼棒（直径１２．５ｍｍ、長さ２００ｍｍ）を供試材とし、クロムめっき浴としてクロム酸２５０ｇ／Ｌ、硫酸２．５ｇ／Ｌ、有機スルフォン酸８ｇ／Ｌ、ほう酸１０ｇ／Ｌの成分組成のめっき浴を用いた。浴温６０℃、電流密度Ｉ＝５００Ａ／ｄｍ^２の条件でめっき処理を行い、供試材表面に厚さ約２０μｍのクロムめっき膜（図２参照）を形成した。
めっき液は鋼棒に対して図１０に示すめっき処理装置５１を用いて図９に示すように沿面方向（大径部２の外周面に沿って上向き方向）に流し、めっき処理を行った。
めっきを行う際のめっき液の流速は０、０．０５、０．１、１．０、２．５、３．０ｍ／ｓとして試料を作製した。
また、参考のため、同じ供試材および同じめっき浴を用い、浴温６０℃、電流密度１００Ａ／ｄｍ^２の一定条件で汎用の硬質クロムめっき処理を行い、供試材表面に厚さ約２０μｍのクロムめっき膜を形成した試料１を得た。めっきを行う際のめっき液の流速は１．０ｍ／ｓに設定した。

めっき液の流速を変えてめっき処理を行った試料について、析出膜厚と光沢性を評価した。流速が０．０５ｍ／ｓから２．５ｍ／ｓの範囲において処理しためっき膜は、約２０μｍの光沢性のクロムめっき膜が得られた。しかし、０ｍ／ｓの場合にはまだらな析出となり、３．０ｍ／ｓの場合には無光沢のめっき膜となってしまい、不適なめっき膜となった。次に、めっき液の流速をいずれも１．０ｍ／ｓとし、電流密度を１００Ａ／ｄｍ^２と５００Ａ／ｄｍ^２の場合に得られた試料について、表面硬さ（ＨＶ）を測定すると共に、結晶子の大きさ（ｎｍ）を後述の方法で測定し、以下の表２に記載した。
また、ＪＩＳ Ｚ２３７１による塩水噴霧試験を行って発錆の有無を観察した。
ここで、クロムめっき膜の残留応力の測定は、日本非破壊検査協会編「非破壊検査」第３７巻第８号第６３６～６４２頁に開示される「Ｘ線応力測定法」を用いて行った。
また、クロムめっき膜における結晶子の大きさの測定は、Ｘ線回折装置により特性Ｘ線Ｃｕ－Ｋαを用い、面内の回折線と広角での回折線とをＨａｌｌ法により結晶子の大きさを評価した。

高電流密度と流速を与えた方法でめっき処理を行った場合には、面内方向の平均結晶子サイズ（平均結晶子径：ａ）が大きくなり、膜厚方向の平均結晶子サイズ（平均結晶子径：ｈ）が小さくなり、アスペクト比（ｈ／ａ）が小さくなることが認められた。
得られたクロムめっき膜に対して、ニトリルブタジエンゴム（摺動部材を想定）との摩擦係数を往復摺動試験で評価した結果、５００ＡＳＤ（５００Ａ／ｄｍ^２）で電気めっきを行って得たクロムめっき膜は摩擦係数が小さくなることが認められた。このクロムめっき膜は、硬さ（ＨＶ）も向上しており、摩擦係数が小さいので、耐摩耗性も向上することが判明した。

また、これらの試料について、めっき処理後の塩水噴霧試験により１６８時間まで発錆は認められず、高電流密度（５００ Ａ／ｄｍ^２）で電気めっきしたクロムめっき膜は３００時間まで発錆は認められなかった。

次に、以下の表３に示した一般的な電流密度で電気クロムめっき処理した比較例試料＃１と、本発明に係る高電流密度で処理した実施例試料＃２を用意した。これらの試料において、鉄鋼基材上に電気めっきにより形成したクロムめっき膜の結晶構造を、Ｘ線回折法を用いて同定した結果を以下の表３に示す。
クロムめっき膜の結晶配向性は、広角Ｘ線回折法によって、(１１１）面が優先配向していることを示す強い（２２２）ピークと、(１００）面の（２００）ピークについてピーク面積比から定量的に求めた。

表３に示す結果から明らかなように、比較例試料＃１のクロムめっき膜の配向性が（１１１）９５．７％、（２００）３．４％という結果を得た。これに対し、本発明の実施例に係るクロムめっき膜は、（１１１）９９．２％、（２００）０．７％という配向を示した。
この結果から、高電流密度でクロムめっき膜を形成した本発明の実施例に係るクロムめっき膜の場合、（１１１）面の配向性が向上していることが明らかとなった。

図１２は、クロムめっき浴としてクロム酸２５０ｇ／Ｌ、硫酸２．５ｇ／Ｌ、有機スルフォン酸８ｇ／Ｌ、ほう酸１０ｇ／Ｌの成分組成のめっき浴を用い、浴温６０℃、電流密度Ｉ＝１００～５００Ａ／ｄｍ^２の条件でめっき処理を行い、鋼棒供試材の表面に厚さ約２０μｍのクロムめっき膜を形成した場合に、得られたクロムめっき膜の面内方向の平均結晶子径（ｎｍ）を求めた結果を示す。図１２において、縦軸は結晶子径（ＣｒＤ）（ｎｍ）を表し、横軸は電流密度（ＣＤ）（Ａ／ｄｍ^２）を表す。印加する電流密度は１００、２００、３００、３５０、４００、４５０、５００Ａ／ｄｍ^２のそれぞれの電流密度とした。
図１２に示す結果から、電流密度を３５０Ａ／ｄｍ^２以上に設定すると、面内方向の結晶子径を６０ｎｍ以上にできることが明らかになった。

図１３は、図１２に示す例で用いためっき浴と同等のめっき浴を用い、電流密度Ｉ＝１００～５００Ａ／ｄｍ^２の条件でめっき処理を行い、得られた各クロムめっき膜における膜厚方向の平均結晶子径と面内方向の平均結晶子径のアスペクト比を求めた結果を示す。図１３において、縦軸はアスペクト比（ＡＲ）を表し、横軸は電流密度（ＣＤ）（Ａ／ｄｍ^２）を表す。
印加した電流密度を１００、２００、３００、３５０、４００、４５０、５００Ａ／ｄｍ^２のそれぞれの値に設定し、得られたクロムめっき膜のアスペクト比の値との相関性を求めた結果を図１３に示している。
図１３に示す結果から、アスペクト比を０．２以下とするには、３５０Ａ／ｄｍ^２以上の電流密度でめっき処理を行う必要があることがわかった。

図１４は、図１２に示す例で用いためっき浴と同等のめっき浴を用い、電流密度Ｉ＝１００～５００Ａ／ｄｍ^２の条件でめっき処理を行い、得られた各クロムめっき膜におけるアスペクト比（ＡＲ）と、最大摩擦係数（ＭＦＣ）（ｖｓＮＢＲ：ニトリルブタジエンゴム）の相関性を求めた結果を示す。
図１４に示す結果から、アスペクト比が０．２以下の範囲で小さくなると最大摩擦係数も小さくなることがわかる。

図１２～図１４に示す結果を勘案すると、本発明の実施例に係るクロムめっき膜では、膜厚方向の平均結晶子径と面内方向の平均結晶子径のアスペクト比を０．２以下にすると最大摩擦係数が減少する。このため、耐摩耗性に優れたクロムめっき膜とするためにアスペクト比を０．２以下にすることが好ましいと判明した。
また、クロムめっき膜を製造する場合、電流密度を３５０Ａ／ｄｍ^２以上とすることがアスペクト比０．２以下のクロムめっき膜を製造する上で望ましく、電流密度を３５０Ａ／ｄｍ^２以上とすることにより面内方向の結晶子径を６０ｎｍ以上としたクロムめっき膜を製造できることがわかった。

上記したシリンダ装置によれば、クロムめっき膜を構成する結晶組織のアスペクト比を低減できる効果があり、摩擦係数を低減し、更に硬度も向上できるの。このため、摺動特性を改善したクロムめっき膜を有する金属製摺動部品を備えたシリンダ装置を提供できる。アスペクト比を０．２以下に小さくすることで、摺動する際に、相手材との真実接触部が安定するとともに、微細な段差を生じてしまう結晶粒界と摺動する回数を減じることができ、クロムめっき膜の摩擦係数を低下することができる。
また、このような金属製摺動部品としてのロッドを備えたシリンダ装置であれば、ロッドの摺動特性を改善することができ、耐久性に優れたシリンダ装置を提供できる。

１ ロッド
２ 大径部
３ 小径部
４ テーパ面
６ 金属基材
７ クロムめっき膜
９ 結晶子
１４ 粒界
Ｗ ワーク（ピストンロッド）
２１ ハンガー
２２ 装着ステーション
２３ アルカリ電解脱脂槽
２４ めっき層
２４Ａ エッチング処理槽
２４Ｂ めっき槽
２５ 水洗槽
２６ 離脱ステーション
２７、２８、２９ ブスバ
３０、３１、３２ 電源
３４ 給電ブラシ
３７、３８ 陽極、
４０ 陽極
４１ 処理槽本体
４２ めっき処理装置
５１ めっき処理装置、
５６ 処理槽本体
６２ 電極
７１ マスキング治具
１１１ シリンダ装置、
１１２ 内筒（シリンダ）
１１２ｂ 開口部
１３１ ロッドガイド
１３３ シール部材（摺接部材）。

Claims (11)

1. 少なくとも一端側に開口部を有する筒状のシリンダと、
   前記シリンダの開口部から突出する金属製のロッドと、
   前記シリンダの開口部に設けられ前記ロッドと摺接する摺接部材と、を備え、
   前記ロッドの表面には、クロムめっき膜が設けられ、
   前記クロムめっき膜における膜厚方向の平均結晶子径と面内方向の平均結晶子径のアスペクト比が０．２以下であることを特徴とするシリンダ装置。
2. 前記結晶子の面内方向の平均結晶子径が６０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載のシリンダ装置。
3. 前記結晶子が（１１１）面を面内方向に揃える優先方位となる結晶配向性を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のシリンダ装置。
4. 金属製基材の表面にクロムめっき膜を有し、該クロムめっき膜における結晶子の膜厚方向の平均結晶子径と面内方向の平均結晶子径のアスペクト比が０．２以下であることを特徴とする金属製摺動部品。
5. 前記結晶子の面内方向の平均結晶子径が６０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項４に記載の金属製摺動部品。
6. 前記結晶子が（１１１）面を面内方向に揃える優先方位となる結晶配向性を有することを特徴とする請求項４または請求項５に記載の金属製摺動部品。
7. 前記金属製基材がロッドであることを特徴とする請求項４～請求項６のいずれか一項に記載の金属製摺動部品。
8. 金属製基材を、流れ終端側における温度を６０℃以上、出口温度を９０℃以下とした有機スルフォン酸を含むクロムめっき液に浸漬して電流を印加することにより、結晶子の膜厚方向の平均結晶子径と面内方向の平均結晶子径のアスペクト比が０．２以下であるクロムめっき膜を形成する工程を備えることを特徴とする金属製摺動部品の製造方法。
9. 前記めっき液に浸漬して電流を印加する場合、電流密度３５０ＡＳＤ以上となる電流を印加する工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の金属製摺動部品の製造方法。
10. 前記結晶子の面内方向の平均結晶子径を６０ｎｍ以上とすることを特徴とする請求項８または９に記載の金属製摺動部品の製造方法。
11. 前記結晶子が（１１１）面を面内方向に揃える優先方位となる結晶配向性を有すること
    を特徴とする請求項８～請求項１０のいずれか一項に記載の金属製摺動部品の製造方法。

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