JP7177898B2 - 照明装置 - Google Patents

照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7177898B2
JP7177898B2 JP2021148201A JP2021148201A JP7177898B2 JP 7177898 B2 JP7177898 B2 JP 7177898B2 JP 2021148201 A JP2021148201 A JP 2021148201A JP 2021148201 A JP2021148201 A JP 2021148201A JP 7177898 B2 JP7177898 B2 JP 7177898B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
radiation
shows
conversion
sio
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021148201A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022000514A (ja
Inventor
ザイバルト マークス
バウマン ドミニク
フィードラー ティム
ランゲ シュテファン
フッパーツ フーベアト
ドゥツラー ダニエル
シュレーダー トアステン
ビヒラー ダニエル
プルンドリヒ グドルン
ペシュケ ズィーモン
ヘアダー グレゴア
アハライナー ジーナ
ヴアスト クラウス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Ams Osram International GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE102016121694.1A external-priority patent/DE102016121694A1/de
Application filed by Ams Osram International GmbH filed Critical Ams Osram International GmbH
Publication of JP2022000514A publication Critical patent/JP2022000514A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7177898B2 publication Critical patent/JP7177898B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77342—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77346—Aluminium Nitrides or Aluminium Oxynitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133609—Direct backlight including means for improving the color mixing, e.g. white
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、照明装置、特に変換型発光ダイオード（変換型ＬＥＤ）に関する。
本出願は、独国特許出願１０ ２０１６ １１４ ９９６．９および１０ ２０１６ １２１ ６９４．１の優先権を主張する。それらの開示内容は、参照により本明細書で援用される。
紫外、青色、または緑色の一次放射により効率的に励起させることができ、青色、緑色、黄色、赤色、または深赤色スペクトル領域で効率的な発光を示す蛍光体は、白色および有色の変換型ＬＥＤの製造のために非常に大きな関心が持たれている。変換型ＬＥＤは、多くの用途のために、例えば一般照明、ディスプレイバックライト、標識、表示パネルのために、自動車において、そして数多くのさらなる消費者製品において使用される。表示エレメント、例えばディスプレイのバックライトのための変換型ＬＥＤは、一般照明のための変換型ＬＥＤとは大きく異なる。一般照明のための変換型ＬＥＤへの要求は、特に、高い光収率と、高い効率、高い演色指数、および３５００Ｋを下回る色温度との組み合わせにある。表示エレメントのバックライトのための変換型ＬＥＤのために、特に、できる限り広い色空間をカバーするために、青色、緑色、および赤色スペクトル領域における狭帯域の発光を有する蛍光体が必要とされる。さらに、消費者の要求に適合された色を再現する有色の変換型ＬＥＤへの需要は大きい（いわゆる「カラーオンデマンド」用途）。
一般照明およびバックライトのための今までの白色発光する変換型ＬＥＤは、青色の一次放射を放出する半導体チップと、赤色蛍光体および緑色蛍光体とを使用している。この解決策での欠点は、エピタキシャル成長された半導体チップ、例えばＧａＮまたはＩｎＧａＮをベースとする半導体チップが、放出される一次放射のピーク波長においてばらつきを有する場合があることである。そのことは、白色の全照射におけるばらつき、例えば色位置および演色性の変化をもたらす。それというのも、その一次放射が全照射に対する青色成分に寄与するからである。それは、特に１つの装置において複数の半導体チップを使用する場合に問題となる。
ばらつきを抑えるために、該半導体チップは、その色位置に応じて選別される（「ビニング」）。放出される一次放射の波長に関する許容差が狭く設定されるほど、２つ以上の半導体チップからなる変換型ＬＥＤの品質はより一層高くなる。しかしまた、狭い許容差で選別されることにより、半導体チップのピーク波長は、可変の作動温度および順方向電流では大きく変化することがある。一般照明用途およびそれ以外の用途においては、そのことは光学的特性、例えば色位置および色温度の変化をもたらし得る。
テレビ、コンピュータモニタ、タブレット、およびスマートフォンにおけるディスプレイ等の表示エレメントのバックライトにおいては、製造業者は、色を生き生きと実物通りに再現することに努めている。それというのも、それは消費者にとって非常に魅力的であるからである。したがって、表示エレメントのバックライトのためには、できる限り広い色空間をカバーするために、非常に狭帯域の発光を有する、つまり緑色、青色、および赤色スペクトル領域において低い半値幅を有する光源が必要とされる。バックライト用途のための光源としては、主として、青色発光する半導体チップが、緑色スペクトル領域にピーク波長を有する蛍光体、および赤色スペクトル領域にピーク波長を有する蛍光体と組み合わされる。
バックライト用途のための変換型ＬＥＤは、従来は緑色蛍光体として、例えばイットリウム－アルミニウム－ガーネット、ルテチウム－アルミニウム－ガーネット、またはβ－ＳｉＡｌＯＮ（Ｓｉ6-zＡｌzＯzＮ8-z：ＲＥ、またはＳｉ6-xＡｌzＯyＮ8-y：ＲＥz（式中、ＲＥ＝希土類金属）が使用される。しかしながら、イットリウム－アルミニウム－ガーネットは、大きな半値幅を有する発光ピークを有するので、達成可能な色空間のかなりのフィルタ損失により制限されて、効率も下がる。β－ＳｉＡｌＯＮは、６０ｎｍ未満の半値幅をもって緑色スペクトル領域における狭帯域の発光を示し、それにより、ガーネット系蛍光体を用いるよりも飽和した緑色の再現がもたらされる。しかし、そのβ－ＳｉＡｌＯＮには、良好な内部量子効率および外部量子効率が欠けているため、バックライト全体は僅かな効率でしか構成されない。さらに、この蛍光体の製造は、非常に高い温度および高価な機器を必要とする。それにより、該蛍光体は、その製造の点で非常に高価であり、したがってまたこの蛍光体を有する変換型ＬＥＤの製造も非常に高価である。
量子ドットも、その非常に狭帯域の発光に基づいてバックライト用途のための一次放射の変換のために使用される。しかしながら、量子ドットは非常に不安定である。さらに、大抵の市販されている量子ドットは、ＨｇまたはＣｄ等の有害な元素を有し、その濃度は、市販の電気機器および電子機器におけるＲｏＨＳ指令（危険物質の削減、「ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ ｏｆ ｈａｚａｒｄｏｕｓ ｓｕｂｓｔａｎｃｅｓ」、ＥＵガイドライン２０１１／６５／ＥＵ）のもと制限されている。
変換型ＬＥＤのために知られる青緑色ないし緑色蛍光体は、例えば蛍光体Ｃａ8Ｍｇ（ＳｉＯ4）4Ｃｌ2：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）2ＳｉＯ4：Ｅｕ、およびＬｕ3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12：Ｃｅである。しかしながら、これらの蛍光体を有する変換型ＬＥＤは、不十分な色度を有し、決められた色位置を達成することができないため、それらは、多くの「カラーオンデマンド」用途のためには考慮の対象とならない。
本発明の課題は、先行技術に対して改善されており、特に一般照明、バックライトおよび「カラーオンデマンド」用途のために使用することができる照明装置、特に変換型ＬＥＤを挙げることにある。
前記課題は、独立形式請求項１記載の照明装置によって解決される。本発明の有利な実施形態および実施態様は、それぞれ従属形式請求項に示されている。
蛍光体が示されている。該蛍光体は、一般組成式：
（ＭＡ）a（ＭＢ）b（ＭＣ）c（ＭＤ）d（ＴＡ）e（ＴＢ）f（ＴＣ）g（ＴＤ）h（ＴＥ）i（ＴＦ）j（ＸＡ）k（ＸＢ）l（ＸＣ）m（ＸＤ）n
を有する。
この場合に、ＭＡは、一価の金属の群から選択され、ＭＢは、二価の金属の群から選択され、ＭＣは、三価の金属の群から選択され、ＭＤは、四価の金属の群から選択され、ＴＡは、一価の金属の群から選択され、ＴＢは、二価の金属の群から選択され、ＴＣは、三価の金属の群から選択され、ＴＤは、四価の金属の群から選択され、ＴＥは、五価の元素の群から選択され、ＴＦは、六価の元素の群から選択され、ＸＡは、ハロゲンを含む元素の群から選択され、ＸＢは、Ｏ、Ｓおよびそれらの組み合わせを含む元素の群から選択され、ＸＣ＝ＮおよびＸＤ＝Ｃである。さらに、
－ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝ｔ、
－ ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊ＝ｕ、
－ ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ＝ｖ、
－ ａ＋２ｂ＋３ｃ＋４ｄ＋ｅ＋２ｆ＋３ｇ＋４ｈ＋５ｉ＋６ｊ－ｋ－２ｌ－３ｍ－４ｎ＝ｗ、
－ ０．８≦ｔ≦１、
－ ３．５≦ｕ≦４、
－ ３．５≦ｖ≦４、
－ （－０．２）≦ｗ≦０．２、
が適用される。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、その組成式内に少なくともＥｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎを含む。Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎは、放射の放出を担う蛍光体の賦活剤として機能する。それにより、該蛍光体は、特に以下の式：
（ＭＡ）a（ＭＢ）b（ＭＣ）c（ＭＤ）d（ＴＡ）e（ＴＢ）f（ＴＣ）g（ＴＤ）h（ＴＥ）i（ＴＦ）j（ＸＡ）k（ＸＢ）l（ＸＣ）m（ＸＤ）n：Ｅ
（式中、Ｅ＝Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎ）を有し得る。
これ以降、蛍光体を組成式をもとに記載する。示された組成式の場合に、該蛍光体が、例えば不純物の形でさらなる元素を有することが可能であり、その際、これらの不純物は全部合わせて有利には、高くても一千分率または１００ｐｐｍ（百万分率）もしくは１０ｐｐｍの蛍光体に対する質量割合しかせいぜい有しないべきである。
少なくとも１つの実施形態によれば、一般組成式（ＭＡ）a（ＭＢ）b（ＭＣ）c（ＭＤ）d（ＴＡ）e（ＴＢ）f（ＴＣ）g（ＴＤ）h（ＴＥ）i（ＴＦ）j（ＸＡ）k（ＸＢ）l（ＸＣ）m（ＸＤ）nまたは（ＭＡ）a（ＭＢ）b（ＭＣ）c（ＭＤ）d（ＴＡ）e（ＴＢ）f（ＴＣ）g（ＴＤ）h（ＴＥ）i（ＴＦ）j（ＸＡ）k（ＸＢ）l（ＸＣ）m（ＸＤ）n：Ｅを有する蛍光体については、０≦ｍ＜０．８７５ｖ、および／またはｖ≧ｌ＞０．１２５ｖが適用される。
蛍光体を含む照明装置が示される。該蛍光体は、以下の一般組成式：
（ＭＡ）a（ＭＢ）b（ＭＣ）c（ＭＤ）d（ＴＡ）e（ＴＢ）f（ＴＣ）g（ＴＤ）h（ＴＥ）i（ＴＦ）j（ＸＡ）k（ＸＢ）l（ＸＣ）m（ＸＤ）n
を有し、式中、
－ ＭＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃｕ、Ａｇおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択され、
－ ＭＢは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏおよびそれらの組み合わせを含む二価の金属の群から選択され、
－ ＭＣは、Ｙ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｃ、Ｉｎ、希土類およびそれらの組み合わせを含む三価の金属の群から選択され、
－ ＭＤは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｎ、Ｃｅおよびそれらの組み合わせを含む四価の金属の群から選択され、
－ ＴＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｕ、Ａｇおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択され、
－ ＴＢは、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｎｉおよびそれらの組み合わせを含む二価の金属の群から選択され、
－ ＴＣは、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｙ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｃ、希土類およびそれらの組み合わせを含む三価の金属の群から選択され、
－ ＴＤは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｅおよびそれらの組み合わせを含む四価の金属の群から選択され、
－ ＴＥは、Ｐ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖおよびそれらの組み合わせを含む五価の元素の群から選択され、
－ ＴＦは、Ｗ、Ｍｏおよびそれらの組み合わせを含む六価の元素の群から選択され、
－ ＸＡは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒおよびそれらの組み合わせを含む元素の群から選択され、
－ ＸＢは、Ｏ、Ｓおよびそれらの組み合わせを含む元素の群から選択され、
－ ＸＣ＝Ｎ、
－ ＸＤ＝Ｃ、
－ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝ｔ、
－ ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊ＝ｕ、
－ ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ＝ｖ、
－ ａ＋２ｂ＋３ｃ＋４ｄ＋ｅ＋２ｆ＋３ｇ＋４ｈ＋５ｉ＋６ｊ－ｋ－２ｌ－３ｍ－４ｎ＝ｗ、
－ ０．８≦ｔ≦１、
－ ３．５≦ｕ≦４、
－ ３．５≦ｖ≦４、
－ （－０．２）≦ｗ≦０．２、かつ
０≦ｍ＜０．８７５ｖ、および／またはｖ≧ｌ＞０．１２５ｖ
である。前記蛍光体は、特にその組成式内に、少なくともＥｕ、Ｃｅ、Ｙｂおよび／またはＭｎを含み、特に組成式（ＭＡ）a（ＭＢ）b（ＭＣ）c（ＭＤ）d（ＴＡ）e（ＴＢ）f（ＴＣ）g（ＴＤ）h（ＴＥ）i（ＴＦ）j（ＸＡ）k（ＸＢ）l（ＸＣ）m（ＸＤ）n：Ｅ（式中、Ｅ＝Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎ）を有する。
ＭＡ、ＭＢ、ＭＣ、ＭＤ、ＴＡ、ＴＢ、ＴＣ、ＴＤ、ＴＥ、ＴＦへの元素の割り当ては、特に蛍光体の結晶構造内でのその配置を基礎とする。その場合に、特に結晶構造内でＴＡ、ＴＢ、ＴＣ、ＴＤ、ＴＥおよび／またはＴＦは、ＸＡ、ＸＢ、ＸＣおよび／またはＸＤによって取り囲まれており、それらから生ずる構成単位は共通の角および辺を介して連結されている。該構成単位の角および辺の連結によって、特に中にＭＡ、ＭＢ、ＭＣ、および／またはＭＤが配置されている空隙またはチャンネルが形成される。この割り当てのため、ＭＡ、ＭＢ、ＭＣ、ＭＤ、ＴＡ、ＴＢ、ＴＣ、ＴＤ、ＴＥ、およびＴＦにおいて可能な元素が重複することが可能である。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、以下の一般組成式：
（ＭＡ）a（ＭＢ）b（ＴＡ）e（ＴＢ）f（ＴＣ）g（ＴＤ）h（ＸＣ）m（ＸＢ）l
を有し、式中、
－ ＭＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃｕ、Ａｇおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択され、
－ ＭＢは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏおよびそれらの組み合わせを含む二価の金属の群から選択され、
－ ＴＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｕ、Ａｇおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択され、
－ ＴＢは、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｎｉおよびそれらの組み合わせを含む二価の金属の群から選択され、
－ ＴＣは、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｙ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｃ、希土類金属およびそれらの組み合わせを含む三価の金属の群から選択され、
－ ＴＤは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｅおよびそれらの組み合わせを含む四価の金属の群から選択され、
－ ＸＢは、Ｏ、Ｓおよびそれらの組み合わせを含む元素の群から選択され、
－ ＸＣ＝Ｎ、
－ ａ＋ｂ＝ｔ、
－ ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＝ｕ、
－ ｌ＋ｍ＝ｖ、
－ ａ＋２ｂ＋ｅ＋２ｆ＋３ｇ＋４ｈ－２ｌ－３ｍ＝ｗ、
－ ０．８≦ｔ≦１、
－ ３．５≦ｕ≦４、
－ ３．５≦ｖ≦４、
－ （－０．２）≦ｗ≦０．２、かつ
０≦ｍ＜０．８７５ｖ、および／またはｖ≧ｌ＞０．１２５ｖ
である。前記蛍光体は、特にその組成式内に、少なくともＥｕ、Ｃｅ、Ｙｂおよび／またはＭｎを含み、特に組成式（ＭＡ）a（ＭＢ）b（ＴＡ）e（ＴＢ）f（ＴＣ）g（ＴＤ）h（ＸＣ）m（ＸＢ）l：Ｅ（式中、Ｅ＝Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎ）を有する。有利には、
－ ＭＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択され、
－ ＭＢは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｅｕおよびそれらの組み合わせを含む二価の金属の群から選択され、
－ ＴＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｕ、Ａｇおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択され、
－ ＴＢは、Ｅｕを含む二価の金属の群から選択され、
－ ＴＣは、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎおよびそれらの組み合わせを含む三価の金属の群から選択され、
－ ＴＤは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｔｉおよびそれらの組み合わせを含む四価の金属の群から選択され、
－ ＸＢ＝Ｏ、
である。
１つの実施形態においては、前記照明装置は、変換型発光ダイオードである。
変換型発光ダイオード（変換型ＬＥＤ）が示される。該変換型発光ダイオード（変換型ＬＥＤ）は、組成式：
（ＭＡ）a（ＭＢ）b（ＭＣ）c（ＭＤ）d（ＴＡ）e（ＴＢ）f（ＴＣ）g（ＴＤ）h（ＴＥ）i（ＴＦ）j（ＸＡ）k（ＸＢ）l（ＸＣ）m（ＸＤ）n
の蛍光体を含む。
この場合に、ＭＡは、一価の金属の群から選択され、ＭＢは、二価の金属の群から選択され、ＭＣは、三価の金属の群から選択され、ＭＤは、四価の金属の群から選択され、ＴＡは、一価の金属の群から選択され、ＴＢは、二価の金属の群から選択され、ＴＣは、三価の金属の群から選択され、ＴＤは、四価の金属の群から選択され、ＴＥは、五価の元素の群から選択され、ＴＦは、六価の元素の群から選択され、ＸＡは、ハロゲンを含む元素の群から選択され、ＸＢは、Ｏ、Ｓおよびそれらの組み合わせを含む元素の群から選択され、ＸＣ＝ＮおよびＸＤ＝Ｃである。さらに、
－ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝ｔ、
－ ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊ＝ｕ、
－ ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ＝ｖ、
－ ａ＋２ｂ＋３ｃ＋４ｄ＋ｅ＋２ｆ＋３ｇ＋４ｈ＋５ｉ＋６ｊ－ｋ－２ｌ－３ｍ－４ｎ＝ｗ、
－ ０．８≦ｔ≦１、
－ ３．５≦ｕ≦４、
－ ３．５≦ｖ≦４、
－ （－０．２）≦ｗ≦０．２、
が適用される。前記蛍光体は、特にその組成式内に、少なくともＥｕ、Ｃｅ、Ｙｂおよび／またはＭｎを含み、特に組成式（ＭＡ）a（ＭＢ）b（ＭＣ）c（ＭＤ）d（ＴＡ）e（ＴＢ）f（ＴＣ）g（ＴＤ）h（ＴＥ）i（ＴＦ）j（ＸＡ）k（ＸＢ）l（ＸＣ）m（ＸＤ）n：Ｅ（式中、Ｅ＝Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎ）を有する。特に、該蛍光体は、変換エレメント内に配置されている。
１つの実施形態によれば、前記照明装置、特に変換型ＬＥＤは、該照明装置、特に変換型ＬＥＤの作動時に電磁的な一次放射を放出するように調整されている一次放射源を含む。さらに、該照明装置、特に変換型ＬＥＤは、電磁的な一次放射の放射経路に配置されている変換エレメントを含む。該変換エレメントは、前記照明装置、特に変換型ＬＥＤの作動時に電磁的な一次放射を少なくとも部分的に電磁的な二次放射へと変換するように調整されている蛍光体を含む。該蛍光体は、特に以下の組成式：
（ＭＡ）a（ＭＢ）b（ＭＣ）c（ＭＤ）d（ＴＡ）e（ＴＢ）f（ＴＣ）g（ＴＤ）h（ＴＥ）i（ＴＦ）j（ＸＡ）k（ＸＢ）l（ＸＣ）m（ＸＤ）n
を有し、式中、
－ ＭＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃｕ、Ａｇおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択され、
－ ＭＢは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏおよびそれらの組み合わせを含む二価の金属の群から選択され、
－ ＭＣは、Ｙ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｃ、Ｉｎ、希土類およびそれらの組み合わせを含む三価の金属の群から選択され、
－ ＭＤは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｎ、Ｃｅおよびそれらの組み合わせを含む四価の金属の群から選択され、
－ ＴＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｕ、Ａｇおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択され、
－ ＴＢは、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｎｉおよびそれらの組み合わせを含む二価の金属の群から選択され、
－ ＴＣは、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｙ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｃ、希土類およびそれらの組み合わせを含む三価の金属の群から選択され、
－ ＴＤは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｅおよびそれらの組み合わせを含む四価の金属の群から選択され、
－ ＴＥは、Ｐ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖおよびそれらの組み合わせを含む五価の元素の群から選択され、
－ ＴＦは、Ｗ、Ｍｏおよびそれらの組み合わせを含む六価の元素の群から選択され、
－ ＸＡは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒおよびそれらの組み合わせを含む元素の群から選択され、
－ ＸＢは、Ｏ、Ｓおよびそれらの組み合わせを含む元素の群から選択され、
－ ＸＣ＝Ｎ、
－ ＸＤ＝Ｃ、
－ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝ｔ、
－ ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊ＝ｕ、
－ ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ＝ｖ、
－ ａ＋２ｂ＋３ｃ＋４ｄ＋ｅ＋２ｆ＋３ｇ＋４ｈ＋５ｉ＋６ｊ－ｋ－２ｌ－３ｍ－４ｎ＝ｗ、
－ ０．８≦ｔ≦１、
－ ３．５≦ｕ≦４、
－ ３．５≦ｖ≦４、
－ （－０．２）≦ｗ≦０．２、かつ
０≦ｍ＜０．８７５ｖ、および／またはｖ≧ｌ＞０．１２５ｖ
である。前記蛍光体は、特にその組成式内に、少なくともＥｕ、Ｃｅ、Ｙｂおよび／またはＭｎを含み、特に組成式（ＭＡ）a（ＭＢ）b（ＭＣ）c（ＭＤ）d（ＴＡ）e（ＴＢ）f（ＴＣ）g（ＴＤ）h（ＴＥ）i（ＴＦ）j（ＸＡ）k（ＸＢ）l（ＸＣ）m（ＸＤ）n：Ｅ（式中、Ｅ＝Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎ）を有する。
０≦ｍ＜０．８７５ｖ、および／またはｖ≧ｌ＞０．１２５ｖは、蛍光体中のＸＣ、つまり窒素のモル割合が、ＸＡ、ＸＢ、ＸＣ、およびＸＤの全物質量ｖに対して８７．５ｍｏｌ％を上回り、かつ／または蛍光体中のＸＢ、つまり酸素および／または硫黄のモル割合が、ＸＡ、ＸＢ、ＸＣ、およびＸＤの全物質量ｖに対して１２．５ｍｏｌ％を上回ることを意味する。
蛍光体が、電磁的な一次放射を少なくとも部分的に電磁的な二次放射へと変換するということは、一方では、電磁的な一次放射が部分的に蛍光体により吸収され、少なくとも部分的に該一次放射とは異なる、特により長い波長領域を有する二次放射として放出されることを意味し得る。このいわゆる部分変換の場合には、照明装置、特に変換型ＬＥＤは、特に一次放射および二次放射から構成される全放射を放出する。したがって、該照明装置、特に変換型ＬＥＤは、一次放射および二次放射からの混合放射を放出することが可能である。
蛍光体が、電磁的な一次放射を少なくとも部分的に電磁的な二次放射へと変換するということはまた、電磁的な一次放射がほぼ完全に蛍光体により吸収され、電磁的な二次放射の形で放射されることも意味し得る。それはまた、完全変換とも呼ばれ得る。前記実施形態による照明装置、特に変換型ＬＥＤの放出される放射または全放射は、したがってほぼ完全に電磁的な二次放射に相当する。ほぼ完全な変換とは、９０％を上回る、特に９５％を上回る変換と解釈されるべきである。したがって、該照明装置、特に変換型ＬＥＤは、主として二次放射を放出することが可能である。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記一次放射源は、照明装置の作動時に電磁的一次放射を放出するように調整されている活性層を有する層列である。
「層列」とは、この関連においては、２層以上を含む層列、例えばｐドープおよびｎドープされた半導体層列を表し、その際、それらの層は重なり合って配置されており、かつ電磁的一次放射を放出する少なくとも１つの活性層が含まれている。
該層列は、エピタキシャル層列またはエピタキシャル層列を有する放射放出半導体チップ、つまりエピタキシャル成長された半導体層列として作製されていてよい。その場合に、該層列は、例えばＩｎＧａＡｌＮをベースに作製されていてよい。ＩｎＧａＡｌＮベースの半導体チップおよび半導体層列は、特に、エピタキシャル製造された半導体層列が、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体材料系ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（式中、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、およびｘ＋ｙ≦１）からの材料を有する少なくとも１つの個別層を含む種々の個別層からの層列を有するものである。ＩｎＧａＡｌＮベースの少なくとも１つの活性層を有する半導体層列は、例えば紫外ないし青色の波長領域において電磁放射を放出し得る。
前記活性半導体層列は、活性層の他に、さらなる機能的層および機能的領域、例えばｐドープまたはｎドープされた電荷担体輸送層、つまり電子輸送層または正孔輸送層、非ドープまたはｐドープもしくはｎドープされた閉じ込め層、クラッド層、または導波層、バリア層、平坦化層、バッファー層、保護層、および／または電極、ならびにそれらの組み合わせを含み得る。さらに、例えば半導体層列の成長基板とは反対側に１つ以上の鏡面層が設けられていてよい。上述の本明細書で記載される構造、活性層またはさらなる機能的層および領域は、当業者に、特に構成、機能および構造に関して知られており、したがってこの箇所ではより詳細には説明しない。
１つの実施形態においては、一次放射源または層列の活性層の放出する一次放射は、電磁スペクトルの近紫外領域ないし青色領域にある。その場合に近紫外領域とは、放出される一次放射が、３００ｎｍから４２０ｎｍの両者を含めたそれらの間の波長を有することを意味し得る。その場合に電磁スペクトルの青色領域とは、放出される一次放射が、４２０ｎｍから５００ｎｍを含めた、有利には４６０ｎｍを含めたそれらの間の波長を有することを意味し得る。
１つの実施形態においては、前記層列の活性層は、照明装置の作動時に３００ｎｍから５００ｎｍの両者を含めたそれらの間の、または３００ｎｍから４６０ｎｍの両者を含めたそれらの間の、有利には３００ｎｍまたは３３０ｎｍから４５０ｎｍまたは４４０ｎｍまたは４３０ｎｍの両者を含めたそれらの間の波長を有する電磁的な一次放射を放出する。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記一次放射源または層列は、変換エレメントが配置されている放射放出面を有する。
この場合に、一方の層またはエレメントが他方の層または別のエレメントの「上」またはそれを「覆って」配置または施与されているとは、これ以降では、該一方の層またはエレメントが、他方の層または他方のエレメントの上に直接的な機械的接触および／または電気的接触において直接配置されていることを意味する。さらにまた、該一方の層または該一方のエレメントが、他方の層または他方のエレメントの上またはそれを覆って配置されていることも意味し得る。その場合にさらに、その他の層および／またはエレメントが、該一方の層もしくは該他方の層の間に、または該一方のエレメントもしくは該他方のエレメントの間に配置されていてよい。
その場合に、放射放出面は、一次放射源または層列の主表面である。該放射放出面は、特に層列の半導体層の主延在面に対して平行に延びている。例えば、該層列を出て行く一次放射の少なくとも７５％または９０％は、層列から放射放出面を通じて出て行く。
１つの実施形態においては、前記変換エレメントは、一次放射源または層列との、特に一次放射源または層列の放射放出面との直接的な機械的接触を有する。
１つの実施形態においては、前記変換エレメントは、一次放射源または層列、特に一次放射源または層列の放射放出面を覆った全面に配置されている。
１つの実施形態においては、前記変換エレメントは、マトリクス材料を含む。前記蛍光体は、そのマトリクス材料中に分配されていてよく、例えば該蛍光体は、マトリクス材料中に均一に分配されている。
該マトリクス材料は、一次放射に対しても二次放射に対しても透明であり、例えばガラス、シリコーン、エポキシ樹脂、ポリシラザン、ポリメタクリレート、およびポリカーボネート、ならびにそれらの組み合わせからなる材料の群から選択される。透明とは、該マトリクス材料が、一次放射に対しても二次放射に対しても少なくとも部分的に透過性であることを表す。
少なくとも１つの実施形態によれば、ＭＡ、ＭＢ、ＭＣ、ＭＤ、ＴＡ、ＴＢ、ＴＣ、ＴＤ、ＴＥ、およびＴＦは、相応の一価、二価、三価、四価、五価、または六価のカチオンである。換言すると、ＭＡおよびＴＡは、酸化段階＋１を有し、ＭＢおよびＴＢは、酸化段階＋２を有し、ＭＣおよびＴＣは、酸化段階＋３を有し、ＭＤおよびＴＤは、酸化段階＋４を有し、ＴＥは、酸化段階＋５を有し、かつＴＦは、酸化段階＋６を有する。ＸＡ、ＸＢ、ＸＣ、およびＸＤは、特に相応の元素のアニオンである。その場合に、ＸＡは、有利には酸化段階－１を有し、ＸＢは、酸化段階－２を有し、ＸＣ、つまりＮは、酸化段階－３を有し、かつＸＤ、つまりＣは、酸化段階－４を有する。
国際公開第２０１３／１７５３３６号パンフレット（ＷＯ２０１３／１７５３３６Ａ１）は、小さい半値幅を有する発光を示す赤色発光蛍光体の新規のファミリーが記載されている。そこに開示される蛍光体は、該蛍光体のアニオン性元素の全量に対して、少なくとも８７．５％の窒素、および高くても１２．５％の酸素の割合を有する。該蛍光体中のより高い酸素含量は、国際公開第２０１３／１７５３３６号パンフレット（ＷＯ２０１３／１７５３３６Ａ１）によれば不安定な化合物をもたらす。１２．５％を上回る酸素含量を有する蛍光体は、したがって単離され得なかった。
半値幅とは、これ以降、発光ピークの極大の半分の高さでのスペクトル幅、略してＦＷＨＭまたは半値全幅を表す。発光ピークとは、最大強度を有するピークを表す。
驚くべきことに、本発明者らは、より高い酸素割合および／もしくは硫黄割合、つまりアニオン性元素の全物質量に対して１２．５ｍｏｌ％を上回る蛍光体中の酸素割合および／もしくは硫黄割合、またはより低い窒素割合、つまりアニオン性元素の全物質量に対して８７．５ｍｏｌ％を下回る蛍光体中の窒素割合は、非常に安定かつ効率的な高い量子効率を有する蛍光体をもたらすことを確認した。該蛍光体は、紫外領域ないし緑色領域、特に３００ｎｍから５００ｎｍの間の、または３００ｎｍから４６０ｎｍの間の、有利には３００ｎｍから４３０ｎｍの間のまたは３００ｎｍから４５０ｎｍの間の高い吸収能を有し、それによりこの波長領域において一次放射によって効率的に励起することができる。一次放射は、該蛍光体によって完全に（完全変換）または部分的に（部分変換）、より長波長の放射（二次放射とも呼ばれる）へと変換され得る。
少なくとも１つの実施形態によれば、有利には０≦ｍ＜０．７５ｖ、またはｖ≧ｌ＞０．２５ｖ、０≦ｍ＜０．６２５ｖ、またはｖ≧ｌ＞０．３７５ｖが適用される。特に有利には、０≦ｍ＜０．５ｖ、またはｖ≧ｌ＞０．５ｖ、０≦ｍ＜０．３７５ｖ、またはｖ≧ｌ＞０．６２５ｖ、０≦ｍ＜０．２５ｖ、またはｖ≧ｌ＞０．７ｖ、０≦ｍ＜０．１２５ｖ、またはｖ≧ｌ＞０．８７５ｖ、またはｍ＝０、またはｌ＝ｖである。
本発明者らは、驚くべきことに、酸素含量および／もしくは硫黄含量が増加すると、または窒素含量が減少すると、該蛍光体のピーク波長はより短い波長にシフトし、さらに非常に安定な蛍光体が得られることを見出した。それによって、有利には、該蛍光体の所望のピーク波長を、酸素含量または窒素含量の変更によって相応して調整することが可能である。また、該蛍光体のピーク波長および／または半値幅を、金属または元素ＭＡ、ＭＢ、ＭＣ、ＭＤ、ＴＡ、ＴＢ、ＴＣ、ＴＤ、ＴＥ、ＴＦ、ＸＡ、ＸＣ、ＸＤ、および／またはＸＢの組み合わせまたは置換によって変更することができる。つまり、特性の点で、特にピーク波長および半値幅の点で、狙い通りに相応の用途に適合させることができ、その場合に驚くべきことになおも非常に安定でもある蛍光体が得られる可能性も見出された。特に、該蛍光体は、非常に狭い半値幅、例えば５０ｎｍ未満、３０ｎｍ未満、または２０ｎｍ未満の半値幅を有することができるため、該蛍光体は、多くの用途のために、例えばバックライト用途のために興味深いものとなる。
「ピーク波長」とは、本明細書では、最大強度が発光スペクトル中にある発光スペクトルにおける波長を表す。
少なくとも１つの実施形態によれば、組成式
（ＭＡ）a（ＭＢ）b（ＭＣ）c（ＭＤ）d（ＴＡ）e（ＴＢ）f（ＴＣ）g（ＴＤ）h（ＴＥ）i（ＴＦ）j（ＸＡ）k（ＸＢ）l（ＸＣ）m（ＸＤ）n：Ｅ
を有する蛍光体については、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１、
ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊ＝４、
ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ＝４、
ａ＋２ｂ＋３ｃ＋４ｄ＋ｅ＋２ｆ＋３ｇ＋４ｈ＋５ｉ＋６ｊ－ｋ－２ｌ－３ｍ－４ｎ＝０、およびｍ＜３．５、またはｌ＞０．５
が適用される。したがってその場合に、該蛍光体は、電気的中性の蛍光体である。
少なくとも１つの実施形態によれば、ｎ＝０、ｋ＝０、ｖ＝４、およびｍ＜３．５、およびｌ＞０．５が適用される。したがってその場合に、該蛍光体は、以下の組成式：
（ＭＡ）a（ＭＢ）b（ＭＣ）c（ＭＤ）d（ＴＡ）e（ＴＢ）f（ＴＣ）g（ＴＤ）h（ＴＥ）i（ＴＦ）j（ＸＢ）l（ＸＣ）m：Ｅを有する。ＭＡ、ＭＢ、ＭＣ、ＭＤ、ＴＡ、ＴＢ、ＴＣ、ＴＤ、ＴＥ、ＴＦ、ＸＣ、およびＸＢは、その場合に上記定義の通りである。この実施形態によれば、該蛍光体は、アニオンとして、窒素および酸素、窒素および硫黄、または窒素、硫黄および酸素のみを有し、有利には窒素および酸素のみを有する。しかしこの場合に、さらなる、またアニオン性の元素が、不純物の形で存在することは除外されない。有利には、ｍ＜３．０およびｌ＞１．０、ｍ＜２．５およびｌ＞１．５、ｍ＜２．０およびｌ＜２．０、ｍ＜１．５およびｌ＞２．５、ｍ＜１．５およびｌ＞２．５、ｍ＜１．０およびｌ＞３．０、ｍ＜０．５およびｌ＞３．５、またはｍ＝０およびｌ＝４が適用される。
少なくとも１つの実施形態によれば、該蛍光体は、一般組成式（ＭＡ）a（ＭＢ）b（ＴＡ）e（ＴＤ）h（ＸＢ）l（ＸＣ）m：Ｅを有する。その場合に有利には以下のことが適用される：
－ ＭＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃｕ、Ａｇおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択される。特に有利には、ＭＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択され、
－ ＭＢは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏおよびそれらの組み合わせを含む二価の金属の群から選択される。特に有利には、ＭＢは、Ｍｎ、Ｅｕ、Ｙｂおよびそれらの組み合わせを含む二価の金属の群から選択される。殊に有利には、ＭＢは、Ｅｕ、またはＥｕおよびＭｎおよび／またはＹｂからの組み合わせであり、
－ ＴＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｕ、Ａｇおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択される。特に有利には、ＴＡは、Ｌｉ、Ｎａおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択される。殊に有利には、ＴＡは、Ｌｉであり、
－ ＴＤは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｅおよびそれらの組み合わせを含む四価の金属の群から選択される。特に有利には、ＴＤは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｔｉおよびそれらの組み合わせを含む四価の金属の群から選択される。殊に有利には、ＴＤは、Ｓｉであり、
－ ＸＢは、Ｏ、Ｓおよびそれらの組み合わせを含む元素の群から選択される。特に有利には、ＸＢは、Ｏであり、
－ ＸＣ＝Ｎである。さらに、
－ ａ＋ｂ＝ｔ、
－ ｅ＋ｈ＝ｕ、
－ ｌ＋ｍ＝ｖ、
－ ａ＋２ｂ＋ｅ＋４ｈ－２ｌ－３ｍ＝ｗ、
－ ０．８≦ｔ≦１、
－ ３．５≦ｕ≦４、
－ ３．５≦ｖ≦４、
－ （－０．２）≦ｗ≦０．２、
－ ０≦ｍ＜０．８７５ｖ、および／またはｖ≧ｌ＞０．１２５ｖ
であり、かつ
－ Ｅ＝Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎ、有利にはＥ＝Ｅｕ
である。
少なくとも１つの実施形態によれば、該蛍光体は、一般組成式（ＭＡ）a（ＭＢ）b（ＴＡ）e（ＴＤ）h（ＸＢ）l（ＸＣ）m：Ｅを有する。その場合に以下のことが適用される：
－ ＭＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃｕ、Ａｇおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択される。有利には、ＭＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択され、
－ ＭＢは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏおよびそれらの組み合わせを含む二価の金属の群から選択される。有利には、Ｍｎ、Ｅｕ、Ｙｂおよびそれらの組み合わせを含む二価の金属の群から選択される。特に有利には、ＭＢは、Ｅｕ、またはＥｕとＭｎおよび／またはＹｂとの組み合わせであり、
－ ＴＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｕ、Ａｇおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択される。有利には、ＴＡは、Ｌｉ、Ｎａおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択される。特に有利には、ＴＡは、Ｌｉであり、
－ ＴＤは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｅおよびそれらの組み合わせを含む四価の金属の群から選択される。有利には、ＴＤは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｔｉおよびそれらの組み合わせを含む四価の金属の群から選択される。特に有利には、ＴＤは、Ｓｉであり、
－ ＸＢは、Ｏ、Ｓおよびそれらの組み合わせを含む元素の群から選択される。有利には、ＸＢは、Ｏであり、
－ ＸＣ＝Ｎである。さらに、
ａ＋ｂ＝１、
ｅ＋ｈ＝４、
ｌ＋ｍ＝４、
－ ａ＋２ｂ＋ｅ＋４ｈ－２ｌ－３ｍ＝０、およびｍ＜３．５、またはｌ＞０．５、
であり、かつＥ＝Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎ、有利にはＥ＝Ｅｕ
である。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、以下の一般組成式：
（ＭＡ）a（ＭＢ）b（ＴＡ）e（ＴＣ）g（ＴＤ）h（ＸＢ）l（ＸＣ）m：Ｅ
を有し、式中、
－ ＭＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃｕ、Ａｇおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択され、
－ ＭＢは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏおよびそれらの組み合わせを含む二価の金属の群から選択され、
－ ＴＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｕ、Ａｇおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択され、
－ ＴＣは、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｙ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｃ、希土類金属およびそれらの組み合わせを含む三価の金属の群から選択され、
－ ＴＤは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｅおよびそれらの組み合わせを含む四価の金属の群から選択され、
－ ＸＢは、Ｏ、Ｓおよびそれらの組み合わせを含む元素の群から選択され、
－ ＸＣ＝Ｎ、
－ ａ＋ｂ＝ｔ、
－ ｅ＋ｇ＋ｈ＝ｕ、
－ ｌ＋ｍ＝ｖ、
－ ａ＋２ｂ＋ｅ＋３ｇ＋４ｈ－２ｌ－３ｍ＝ｗ、
－ ０．８≦ｔ≦１、
－ ３．５≦ｕ≦４、
－ ３．５≦ｖ≦４、
－ （－０．２）≦ｗ≦０．２、
であり、かつＥ＝Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎ
である。有利には、０≦ｍ＜０．８７５ｖ、および／またはｖ≧ｌ＞０．１２５ｖである。この実施形態によれば、該蛍光体は、アニオンとして、窒素および酸素、窒素および硫黄、または窒素、硫黄および酸素のみを有し、有利には窒素および酸素のみを有する。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、以下の一般組成式：
（ＭＡ）a（ＭＢ）b（ＴＡ）e（ＴＣ）g（ＴＤ）h（ＸＢ）l（ＸＣ）m：Ｅ
を有し、式中、
－ ＭＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃｕ、Ａｇおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択され、
－ ＭＢは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｅｕおよびそれらの組み合わせを含む二価の金属の群から選択され、
－ ＴＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｕ、Ａｇおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択され、
－ ＴＣは、Ｂ、Ａｌ、Ｇａおよびそれらの組み合わせを含む三価の金属の群から選択され、
－ ＴＤは、Ｓｉ、Ｇｅおよびそれらの組み合わせを含む四価の金属の群から選択され、
－ ＸＢ＝Ｏ、
－ ＸＣ＝Ｎ、
－ ａ＋ｂ＝１、
－ ｅ＋ｇ＋ｈ＝４、
－ ｌ＋ｍ＝４、
－ ａ＋２ｂ＋ｅ＋３ｇ＋４ｈ－２ｌ－３ｍ＝０、
であり、かつＥ＝Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎ
である。有利には、ｍ＜３．５、またはｌ＞０．５である。したがって、該蛍光体は、アニオンとして窒素および酸素のみを有する電気的中性の蛍光体である。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、以下の一般組成式：
（ＭＡ）a（ＭＢ）b（ＴＡ）e（ＴＣ）g（ＴＤ）h（ＸＢ）l（ＸＣ）m：Ｅ
を有し、式中、
－ ＭＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択され、
－ ＭＢは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｅｕおよびそれらの組み合わせを含む二価の金属の群から選択され、
－ ＴＡ＝Ｌｉ、
－ ＴＣ＝Ａｌ、
－ ＴＤ＝Ｓｉ、
－ ＸＢ＝Ｏ、
－ ＸＣ＝Ｎ、
－ ａ＋ｂ＝１、
－ ｅ＋ｇ＋ｈ＝４、
－ ｌ＋ｍ＝４、
－ ａ＋２ｂ＋ｅ＋３ｇ＋４ｈ－２ｌ－３ｍ＝０、
であり、かつＥ＝Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎ、有利にはＥ＝Ｅｕ
である。有利には、ｍ＜３．５、またはｌ＞０．５である。したがって、該蛍光体は、アニオンとして窒素および酸素のみを有する電気的中性の蛍光体である。前記蛍光体は、その組成式内に少なくともＥｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎを含む。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、酸化物であり、すなわち、該蛍光体中にはアニオン性元素として酸素のみが存在する。前記蛍光体は、その際、以下の一般組成式：
（ＭＡ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、
（ＭＡ）1（ＴＡ）3-x（ＴＤ）1-x（ＴＢ）x（ＴＣ）x（ＸＢ）4：Ｅ、
（ＭＡ）1-x’（ＭＢ）x’（ＴＡ）3（ＴＤ）1-x’（ＴＣ）x’（ＸＢ）4：Ｅ、
（ＭＡ）1-x’’（ＭＢ）x’’（ＴＡ）3-x’’（ＴＤ）1-x’’（ＴＢ）2x’’（ＸＢ）4：Ｅ、
（ＭＡ）1（ＴＡ）3-2z（ＴＢ）3z（ＴＤ）1-z（ＸＢ）4：Ｅ、または
（ＭＡ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1-2z’（ＴＣ）z’（ＴＥ）z’（ＸＢ）4：Ｅ、
の１つを有し、式中、ＸＢ＝Ｏ、
０≦ｘ≦１、例えばｘ＝０、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、または１、有利には０＜ｘ＜１、例えばｘ＝０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、または０．９、
０≦ｘ’≦１、例えばｘ’＝０、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、または１、有利には０＜ｘ’＜１、例えばｘ’＝０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、または０．９、
０≦ｘ’’≦１、例えばｘ’’＝０、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、または１、有利には０＜ｘ＜１、例えばｘ’’＝０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、または０．９、
０≦ｚ≦１、有利にはｚ＝０、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、または１、有利には０＜ｚ＜１、例えばｚ＝０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、または０．９、
０≦ｚ’≦０．５、有利には０＜ｚ’＜０．５、例えばｚ’＝０、０．１、０．２、０．３、または０．４であり、かつ
Ｅは、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、Ｍｎおよびそれらの組み合わせを含む群から選択される。
これ以降、Ｅは、賦活剤とも呼ばれることがある。該賦活剤、および特にホスト格子におけるその周囲は、発光、特に蛍光体の発光のピーク波長の要因となる。
金属または元素ＭＡ、ＭＢ、ＴＡ、ＴＢ、ＴＣ、ＴＤ、ＴＥ、および／またはＸＢは、蛍光体において、特にホスト格子を形成し、その場合にＥは、カチオン性元素ＭＡ、ＭＢ、ＴＡ、ＴＢ、ＴＣ、ＴＤ、および／またはＴＥの格子位置を部分的に置き換えるか、または格子間位置を占有することができる。その場合に特に、Ｅは、ＭＡの格子位置を占有する。電荷補償のために、さらなる元素、例えばＴＡおよび／またはＴＤの割合が変動し得る。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、酸化物または酸窒化物、有利には酸窒化物であり、したがってその組成式において、アニオン性元素として酸素のみ、または酸素および窒素のみを有する。その場合に、前記蛍光体は、以下の一般組成式：
（ＭＡ）1-y（ＴＢ）y（ＴＡ）3-2y（ＴＣ）3y（ＴＤ）1-y（ＸＢ）4-4y（ＸＣ）4y：Ｅ、
（ＭＡ）1-y*（ＭＢ）y*（ＴＡ）3-2y*（ＴＣ）3y*（ＴＤ）1-y*（ＸＢ）4-4y*（ＸＣ）4y*：Ｅ、
（ＭＡ）1（ＴＡ）3-y’（ＴＣ）y’（ＴＤ）1（ＸＢ）4-2y’（ＸＣ）2y’：Ｅ、
（ＭＡ）1（ＴＡ）3-y’’（ＴＢ）y’’（ＴＤ）1（ＸＢ）4-y’’（ＸＣ）y’’：Ｅ、
（ＭＡ）1-w’’’（ＭＢ）w’’’（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4-w’’’（ＸＣ）w’’’：Ｅ、
（ＭＡ）1（ＴＡ）3-w’（ＴＣ）2w’（ＴＤ）1-w’（ＸＢ）4-w’（ＸＣ）w’：Ｅ、または
（ＭＡ）1-w’’（ＭＢ）w’’（ＴＡ）3-w’’（ＴＤ）1-w’’（ＴＣ）2w’’（ＸＢ）4-2w’’（ＸＣ）2w’’：Ｅ、
を有し、式中、ＸＢ＝Ｏ、
０≦ｙ≦１、例えばｙ＝０、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、または１、有利には０＜ｙ＜０．８７５、例えばｙ＝０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、または０．８、殊に有利には０≦ｙ≦０．４、
０＜ｙ＊＜０．８７５、または有利には０＜ｙ＊≦０．５、特に有利には０＜ｙ＊≦０．３、殊に有利には０＜ｙ＊≦０．１、
０≦ｙ’≦２、例えばｙ’＝０、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．１、１．２、１．３、１．４、１．５、１．６、１．７、１．８、１．９、または２．０、有利には０＜ｙ’≦１．７５、特に有利には０≦ｙ’≦０．９、
０≦ｙ’’≦３、例えばｙ’’＝０、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．１、１．２、１．３、１．４、１．５、１．６、１．７、１．８、１．９、２．０、２．１、２．２、２．３、２．４、２．５、２．６、２．７、２．８、２．９、または３．０、有利には０＜ｙ’’＜３、特に有利には０＜ｙ’’≦１．９、
０≦ｗ’’’≦１、例えばｗ’’’＝０、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、または１、有利には０＜ｗ’’’＜１、
０≦ｗ’≦１、例えばｗ’＝０、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、または１、有利には０＜ｗ’＜１、
０≦ｗ’’≦１、例えばｗ’’＝０、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、または１、有利には０＜ｗ’’＜１
であり、かつＥは、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、Ｍｎおよびそれらの組み合わせを含む群から選択される。
少なくとも１つの実施形態によれば、Ｅは、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、Ｍｎおよびそれらの組み合わせを含む群から選択される。特に、Ｅは、Ｅｕ3+、Ｅｕ2+、Ｃｅ3+、Ｙｂ3+、Ｙｂ2+、および／またはＭｎ4+である。
金属または元素ＭＡ、ＭＢ、ＴＡ、ＴＢ、ＴＣ、ＴＤ、ＸＣ、および／またはＸＢは、蛍光体において、特にホスト格子を形成し、その場合にＥは、ＭＡ、ＭＢ、ＴＡ、ＴＢ、ＴＣ、および／またはＴＤ、有利にはＭＡの格子位置を部分的に置き換えるか、または格子間位置を占有することができる。
賦活剤Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎ、特にＥｕまたはＥｕを、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎと組み合わせて使用することによって、ＣＩＥ色空間における蛍光体の色位置、そのピーク波長λｐｅａｋ、またはドミナント波長λｄｏｍ、および半値幅を特に良好に調整することができる。
ドミナント波長は、非スペクトル（多色）混合光を、類似の色調知覚を生ずるスペクトル（単色）光によって記載する手法である。ＣＩＥ色空間において、規定の色についての点とＣＩＥ－ｘ＝０．３３３、ＣＩＥ－ｙ＝０．３３３の点とを結ぶ線は、それが２つの点でその空間の輪郭を通るように外挿される。上述の色に近い交点は、この交点で純粋なスペクトル色の波長としての色のドミナント波長を表す。したがってドミナント波長は、人間の目により知覚される波長である。
前記賦活剤Ｅは、さらなる実施形態によれば、０．１ｍｏｌ％～２０ｍｏｌ％、１ｍｏｌ％～１０ｍｏｌ％、０．５ｍｏｌ％～５ｍｏｌ％、２ｍｏｌ％～５ｍｏｌ％の間のｍｏｌ％の量で存在し得る。Ｅの濃度が高すぎると、濃度クエンチングにより効率損失がもたらされる場合がある。これ以降、賦活剤Ｅ、特にＥｕについてのｍｏｌ％表記は、特にそれぞれの蛍光体中のＭＡ、ＭＢ、ＭＣ、およびＭＤのモル割合に対するｍｏｌ％表記として表される。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、以下の一般組成式：
（ＭＡ）Ｌｉ3-xＳｉ1-xＺｎxＡｌxＯ4：Ｅ、
（ＭＡ）Ｌｉ3-xＳｉ1-xＭｇxＡｌxＯ4：Ｅ、
（ＭＡ）1-x’Ｃａx’Ｌｉ3Ｓｉ1-x’Ａｌx’Ｏ4：Ｅ、
（ＭＡ）1-x’’Ｃａx’’Ｌｉ3-x’’Ｓｉ1-x’’Ｍｇ2x’’Ｏ4：Ｅ、
（ＭＡ）Ｌｉ3-2zＭｇ3zＳｉ1-zＯ4：Ｅ、
（ＭＡ）Ｌｉ3Ｓｉ1-2z’Ａｌz’Ｐz’Ｏ4：Ｅ、
の１つを有する。特に、ＭＡ、Ｅ、ｘ、ｘ’、ｘ’’、ｚ、およびｚ’は、先に開示された定義に相応する。
組成式（ＭＡ）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅの蛍光体から出発して、少なくとも１つの実施形態によれば、ＬｉＳｉは、少なくとも部分的にＺｎＡｌまたはＭｇＡｌによって置き換えられていてよく、式（ＭＡ）Ｌｉ3-xＳｉ1-xＺｎxＡｌxＯ4：Ｅ、または（ＭＡ）Ｌｉ3-xＳｉ1-xＭｇxＡｌxＯ4：Ｅの蛍光体が得られる。
組成式（ＭＡ）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅの蛍光体から出発して、少なくとも１つの実施形態によれば、（ＭＡ）Ｓｉは、少なくとも部分的にＣａＡｌによって置き換えられていてよく、式（ＭＡ）1-x’Ｃａx’Ｌｉ3Ｓｉ1-x’Ａｌx’Ｏ4：Ｅの蛍光体が得られる。
組成式（ＭＡ）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅの蛍光体から出発して、少なくとも１つの実施形態によれば、（ＭＡ）ＬｉＳｉは、少なくとも部分的にＣａＭｇ2によって置き換えられていてよく、式（ＭＡ）1-x’’Ｃａx’’Ｌｉ3-x’’Ｓｉ1-x’’Ｍｇ２x’’Ｏ4：Ｅの蛍光体が得られる。
組成式（ＭＡ）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅの蛍光体から出発して、少なくとも１つの実施形態によれば、Ｌｉ2Ｓｉは、少なくとも部分的にＭｇ3によって置き換えられていてよく、式（ＭＡ）Ｌｉ3-2zＭｇ3zＳｉ1-zＯ4：Ｅの蛍光体が得られる。
組成式（ＭＡ）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅの蛍光体から出発して、少なくとも１つの実施形態によれば、Ｓｉ2は、少なくとも部分的にＡｌＰによって置き換えられていてよく、式（ＭＡ）Ｌｉ3Ｓｉ1-2z’Ａｌz’Ｐz’Ｏ4：Ｅの蛍光体が得られる。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、以下の一般組成式：
（ＭＡ）1-yＺｎyＬｉ3-2yＡｌ3yＳｉ1-yＯ4-4yＮ4y：Ｅ、
（ＭＡ）1-y*Ｃａy*Ｌｉ3-2y*Ａｌ3y*Ｓｉ1-y*Ｏ4-4y*Ｎ4y*：Ｅ、
（ＭＡ）1-y***Ｓｒy***Ｌｉ3-2y***Ａｌ3y***Ｓｉ1-y***Ｏ4-4y***Ｎ4y***：Ｅ、
（ＭＡ）1-y**Ｅｕy**Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅ、
（ＭＡ）Ｌｉ3-y’Ａｌy’ＳｉＯ4-2y’Ｎ2y’：Ｅ、
（ＭＡ）Ｌｉ3-y’’Ｍｇy’’ＳｉＯ4-y’’Ｎy’’：Ｅ、
（ＭＡ）1-w’’’Ｃａw’’’Ｌｉ3ＳｉＯ4-w’’’Ｎw’’’：Ｅ、
（ＭＡ）Ｌｉ3-w’Ａｌ2w’Ｓｉ1-w’Ｏ4-w’Ｎw’：Ｅ、
（ＭＡ）1-w’’Ｃａw’’Ｌｉ3-w’’Ｓｉ1-w’’Ａｌ2w’’Ｏ4-2w’’Ｎ2w’’：Ｅ、
の１つを有する。特に、ＭＡ、Ｅ、ｙ、ｙ＊、ｙ’、ｙ’’、ｗ’’’、ｗ’、およびｗ’’は、先に開示された定義に相応する。さらに、０＜ｙ＊＊≦１、有利には０＜ｙ＊＊＜０．８７５または０＜ｙ＊＊＜０．５、特に有利には０．０５≦ｙ＊＊≦０．４５、殊に有利には０．１≦ｙ＊＊≦０．４、０．１５≦ｙ＊＊≦０．３５または０．２≦ｙ＊＊≦０．３、および０≦ｙ＊＊＊≦１、有利には０＜ｙ＊＊＊＜０．８７５または０＜ｙ＊＊＊≦０．５、特に有利には０＜ｙ＊＊＊≦０．３が適用される。
組成式（ＭＡ）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅの蛍光体から出発して、少なくとも１つの実施形態によれば、（ＭＡ）Ｌｉ3ＳｉＯ4は、少なくとも部分的にＣａＬｉＡｌ3Ｎ4によって置き換えられていてよく、式（ＭＡ）1-y*Ｃａy*Ｌｉ3-2y*Ａｌ3y*Ｓｉ1-y*Ｏ4-4y*Ｎ4y*：Ｅの蛍光体が得られる。その際、ＭＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃｕ、Ａｇおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択され、かつＥは、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、Ｍｎおよびそれらの組み合わせを含む群から選択される。有利には、ＭＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択され、かつＥ＝Ｅｕである。殊に有利には、ＭＡ＝Ｎａである。前記蛍光体は、オキソニトリドリトアルモシリケート蛍光体である。０＜ｙ＊＜０．８７５、有利には０＜ｙ＊≦０．５．特に有利には０＜ｙ＊≦０．３．殊に有利には０＜ｙ＊≦０．１が適用される。例えば、ｙ＊＝０．０１、０．０２、０．０３、０．０４、または０．０５が適用される。
組成式（ＭＡ）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅの蛍光体から出発して、少なくとも１つの実施形態によれば、（ＭＡ）Ｌｉ3ＳｉＯ4は、少なくとも部分的にＳｒＬｉＡｌ3Ｎ4によって置き換えられていてよく、式（ＭＡ）1-y***Ｓｒy***Ｌｉ3-2y***Ａｌ3y***Ｓｉ1-y***Ｏ4-4y***Ｎ4y***：Ｅの蛍光体が得られる。その際、ＭＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃｕ、Ａｇおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択され、かつＥは、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、Ｍｎおよびそれらの組み合わせを含む群から選択され、有利にはＥ＝Ｅｕである。有利には、ＭＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択される。殊に有利には、ＭＡ＝Ｎａである。前記蛍光体は、オキソニトリドリトアルモシリケート蛍光体である。０＜ｙ＊＊＊＜０．８７５、有利には０＜ｙ＊＊＊≦０．５、特に有利には０＜ｙ＊＊＊≦０．３が適用される。例えば、ｙ＊＊＊＝０．２５が適用される。
組成式（ＭＡ）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅの蛍光体から出発して、少なくとも１つの実施形態によれば、（ＭＡ）Ｌｉ3ＳｉＯ4は、少なくとも部分的にＥｕＬｉＡｌ3Ｎ4によって置き換えられていてよく、式（ＭＡ）1-y**Ｅｕy**Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅの蛍光体が得られる。その際、ＭＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃｕ、Ａｇおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択され、かつＥは、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、Ｍｎおよびそれらの組み合わせを含む群から選択され、有利にはＥ＝Ｅｕである。有利には、ＭＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択される。殊に有利には、ＭＡ＝Ｎａである。前記蛍光体は、オキソニトリドリトアルモシリケート蛍光体である。０＜ｙ＊＊＜０．８７５または０＜ｙ＊＊＜０．５、特に有利には０．０５≦ｙ＊＊≦０．４５、殊に有利には０．１≦ｙ＊＊≦０．４、０．１５≦ｙ＊＊≦０．３５、または０．２≦ｙ＊＊≦０．３が適用される。驚くべきことに、該蛍光体は、Ｅｕの部分的に非常に高い割合にもかかわらず、濃度に応じたクエンチ挙動も、それと関連した効率損失も示さない。Ｅｕの割合が高いにもかかわらず、それにより該蛍光体は、驚くべきことに非常に効率的である。
組成式（ＭＡ）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅの蛍光体から出発して、少なくとも１つの実施形態によれば、ＬｉＯ2は、少なくとも部分的にＡｌＮ2によって置き換えられていてよく、式（ＭＡ）Ｌｉ3-y’Ａｌy’ＳｉＯ4-2y’Ｎ2y’：Ｅの蛍光体が得られる。
組成式（ＭＡ）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅの蛍光体から出発して、少なくとも１つの実施形態によれば、ＬｉＯは、少なくとも部分的にＭｇＮによって置き換えられていてよく、式（ＭＡ）Ｌｉ3-y’’Ｍｇy’’ＳｉＯ4-y’’Ｎy’’：Ｅの蛍光体が得られる。
組成式（ＭＡ）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅの蛍光体から出発して、少なくとも１つの実施形態によれば、（ＭＡ）Ｏは、少なくとも部分的にＣａＮによって置き換えられていてよく、式（ＭＡ）1-w’’’Ｃａw’’’Ｌｉ3ＳｉＯ4-w’’’Ｎw’’’：Ｅの蛍光体が得られる。
組成式（ＭＡ）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅの蛍光体から出発して、少なくとも１つの実施形態によれば、ＬｉＳｉＯは、少なくとも部分的にＡｌ2Ｎによって置き換えられていてよく、式（ＭＡ）Ｌｉ3-w’Ａｌ2w’Ｓｉ1-w’Ｏ4-w’Ｎw’：Ｅの蛍光体が得られる。
組成式（ＭＡ）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅの蛍光体から出発して、少なくとも１つの実施形態によれば、（ＭＡ）Ｌｉ3ＳｉＯ2は、少なくとも部分的にＣａＡｌ2Ｎ2によって置き換えられていてよく、式（ＭＡ）1-w’’Ｃａw’’Ｌｉ3-w’’Ｓｉ1-w’’Ａｌ2w’’Ｏ4-2w’’Ｎ2w’’：Ｅの蛍光体が得られる。
少なくとも１つの実施形態によれば、ＭＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択される。例えば、ＭＡは、以下のように選択され得る：ＭＡ＝Ｎａ、Ｋ、（Ｎａ，Ｋ）、（Ｒｂ，Ｌｉ）。この場合に（Ｎａ，Ｋ）、（Ｒｂ，Ｌｉ）は、ＮａおよびＫからの組み合わせ、またはＲｂおよびＬｉからの組み合わせが存在することを意味する。このＭＡの選択は、多岐にわたり使用することが可能な特に効率的な蛍光体を生ずる。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、以下の一般組成式：
ＮａＬｉ3-xＳｉ1-xＺｎxＡｌxＯ4：Ｅ、
ＮａＬｉ3-xＳｉ1-xＭｇxＡｌxＯ4：Ｅ、
Ｎａ1-x’Ｃａx’Ｌｉ3Ｓｉ1-x’Ａｌx’Ｏ4：Ｅ、
Ｎａ1-x’’Ｃａx’’Ｌｉ3-x’’Ｓｉ1-x’’Ｍｇ2x’’Ｏ4：Ｅ、
ＮａＬｉ3-2zＭｇ3zＳｉ1-zＯ4：Ｅ、
ＮａＬｉ3Ｓｉ1-2z’Ａｌz’Ｐz’Ｏ4：Ｅ
を有する。特に、ｘ、ｘ’、ｘ’’、ｚ、およびｚ’は、上述された意味に相応する。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、以下の一般組成式：
（ＮａrＫ1-r）1Ｌｉ3-xＳｉ1-xＺｎxＡｌxＯ4：Ｅ、
（ＮａrＫ1-r）1Ｌｉ3-xＳｉ1-xＭｇxＡｌxＯ4：Ｅ、
（ＮａrＫ1-r）1-x’Ｃａx’Ｌｉ3Ｓｉ1-x’Ａｌx’Ｏ4：Ｅ、
（ＮａrＫ1-r）1-x’’Ｃａx’’Ｌｉ3-x’’Ｓｉ1-x’’Ｍｇ2x’’Ｏ4：Ｅ、
（ＮａrＫ1-r）1Ｌｉ3-2zＭｇ3zＳｉ1-zＯ4：Ｅ、
（ＮａrＫ1-r）1Ｌｉ3Ｓｉ1-2z’Ａｌz’Ｐz’Ｏ4：Ｅ
を有し、式中、０≦ｒ≦１、例えばｒ＝０、０．０５、０．１、０．１５、０．２、０．２５、０．３、０．３５、０．４、０．４５、０．５、０．５５、０．６、０．６５、０．７、０．７５、０．８、０．８５、０．９、０．９５、１．０である。有利には、０≦ｒ≦０．１、または０．１＜ｒ≦０．４、または０．４＜ｒ≦１．０、例えば有利にはｒ＝０、０．１２５、０．２５、０．５、または１．０である。特に、ｘ、ｘ’、ｘ’’、ｚ、およびｚ’は、上述された意味に相応する。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、以下の一般組成式：
（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）1Ｌｉ3-xＳｉ1-xＺｎxＡｌxＯ4：Ｅ、
（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）1Ｌｉ3-xＳｉ1-xＭｇxＡｌxＯ4：Ｅ、
（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）1-x’Ｃａx’Ｌｉ3Ｓｉ1-x’Ａｌx’Ｏ4：Ｅ、
（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）1-x’’Ｃａx’’Ｌｉ3-x’’Ｓｉ1-x’’Ｍｇ2x’’Ｏ4：Ｅ、
（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）1Ｌｉ3-2zＭｇ3zＳｉ1-zＯ4：Ｅ、
（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）1Ｌｉ3Ｓｉ1-2z’Ａｌz’Ｐz’Ｏ4：Ｅ
を有し、式中、０≦ｒ’≦１、例えばｒ’＝０、０．０５、０．１、０．１５、０．２、０．２５、０．３、０．３５、０．４、０．４５、０．５、０．５５、０．６、０．６５、０．７、０．７５、０．８、０．８５、０．９、０．９５、１．０、有利には０．２５≦ｒ’≦０．７５、特に有利には０．４≦ｒ’≦０．６、殊に有利にはｒ’＝０．５である。特に、ｘ、ｘ’、ｘ’’、ｚ、およびｚ’は、上述された意味に相応する。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、以下の一般組成式：
（ＮａrＫ1-r）1-y*Ｃａy*Ｌｉ3-2y*Ａｌ3y*Ｓｉ1-yＯ4-4y*Ｎ4y*：Ｅ、
（ＮａrＫ1-r）Ｌｉ3-y’Ａｌy’ＳｉＯ4-2y’Ｎ2y’：Ｅ、
（ＮａrＫ1-r）Ｌｉ3-y’’Ｍｇy’’ＳｉＯ4-y’’Ｎy’’：Ｅ、
（ＮａrＫ1-r）1-w’’’Ｃａw’’’Ｌｉ3ＳｉＯ4-w’’’Ｎw：Ｅ、
（ＮａrＫ1-r）Ｌｉ3-w’Ａｌ2w’Ｓｉ1-w’Ｏ4-w’Ｎw’：Ｅ、
（ＮａrＫ1-r）1-w’’Ｃａw’’Ｌｉ3-w’’Ｓｉ1-w’’Ａｌ2w’’Ｏ4-2w’’Ｎ2w’’：Ｅ、
を有し、式中、０≦ｒ≦１、例えばｒ＝０、０．０５、０．１、０．１５、０．２、０．２５、０．３、０．３５、０．４、０．４５、０．５、０．５５、０．６、０．６５、０．７、０．７５、０．８、０．８５、０．９、０．９５、１．０である。有利には、０≦ｒ≦０．１、または０．１＜ｒ≦０．４、または０．４＜ｒ≦１．０、例えば有利にはｒ＝０、０．２５、０．５、または１．０である。特に、ｙ＊、ｙ’、ｙ’’、ｗ’’’、ｗ’、およびｗ’’は、上述された意味に相応する。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、以下の一般組成式：
（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）1-y*Ｃａy*Ｌｉ3-2y*Ａｌ3y*Ｓｉ1-y*Ｏ4-4y*Ｎ4y*：Ｅ、
（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）Ｌｉ3-y’Ａｌy’ＳｉＯ4-2y’Ｎ2y’：Ｅ、
（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）Ｌｉ3-y’’Ｍｇy’’ＳｉＯ4-y’’Ｎy’’：Ｅ、
（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）1-w’’’Ｃａw’’’Ｌｉ3ＳｉＯ4-w’’’Ｎw：Ｅ、
（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）Ｌｉ3-w’Ａｌ2w’Ｓｉ1-w’Ｏ4-w’Ｎw’：Ｅ、
（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）1-w’’Ｃａw’’Ｌｉ3-w’’Ｓｉ1-w’’Ａｌ2w’’Ｏ4-2w’’Ｎ2w’’：Ｅ、
を有し、式中、０≦ｒ’≦１、例えばｒ’＝０、０．０５、０．１、０．１５、０．２、０．２５、０．３、０．３５、０．４、０．４５、０．５、０．５５、０．６、０．６５、０．７、０．７５、０．８、０．８５、０．９、０．９５、１．０、有利には０．２５≦ｒ’≦０．７５、特に有利には、０．４≦ｒ’≦０．６、殊に有利にはｒ’＝０．５である。特に、ｙ＊、ｙ’、ｙ’’、ｗ’’’、ｗ’、およびｗ’’は、上述された意味に相応する。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、以下の一般組成式：
Ｎａ1-y*Ｃａy*Ｌｉ3-2y*Ａｌ3y*Ｓｉ1-y*Ｏ4-4y*Ｎ4y*：Ｅ、
ＮａＬｉ3-y’Ａｌy’ＳｉＯ4-2y’Ｎ２y’：Ｅ、
ＮａＬｉ3-y’’Ｍｇy’’ＳｉＯ4-y’’Ｎy’’：Ｅ、
Ｎａ1-w’’’Ｃａw’’’Ｌｉ3ＳｉＯ4-w’’’Ｎw：Ｅ、
ＮａＬｉ3-w’Ａｌ2w’Ｓｉ1-w’Ｏ4-w’Ｎw’:Ｅ、
Ｎａ1-w’’Ｃａw’’Ｌｉ3-w’’Ｓｉ1-w’’Ａｌ2w’’Ｏ4-2w’’Ｎ2w’’：Ｅ、
を有する。特に、ｙ＊、ｙ’、ｙ’’、ｗ’’’、ｗ’、およびｗ’’は、上述された意味に相応する。
少なくとも１つの実施形態によれば、該蛍光体は、一般組成式（ＭＡ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅを有する。その場合に、ＭＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃｕ、Ａｇおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択される。有利には、ＭＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択される。有利には、ＴＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｕ、Ａｇおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択される。ＴＤは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｍ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｅおよびそれらの組み合わせを含む四価の金属の群から選択される。ＸＢは、Ｏ、Ｓおよびそれらの組み合わせを含む元素の群から選択される。Ｅは、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、Ｍｎおよびそれらの組み合わせを含む群から選択され、有利にはＥ＝Ｅｕである。特に、Ｅは、ＭＡの格子位置または格子間位置を占有する。その場合に、電荷補償のために、さらなる元素、例えばＴＡおよび／またはＴＤの割合が変動し得る。例えば、Ｅ＝Ｅｕ2+であり、かつ組成式ＭＡ+で置き換えられており、電荷補償は、ＴＡおよび／またはＴＤの成分の変更を介して行われる。
少なくとも１つの実施形態によれば、該蛍光体は、一般組成式（ＭＡ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅを有する。その場合に、ＭＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択される。ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏであり、かつＥは、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、Ｍｎおよびそれらの組み合わせを含む群から選択される。有利には、Ｅ＝Ｅｕ、またはＥｕとＣｅ、Ｙｂおよび／もしくはＭｎからの組み合わせが適用される。
驚くべきことに、ＭＡの組成の変動により、蛍光体の、特にピーク波長および半値幅に関する特性を大幅に変更することができることが分かった。さらに、該蛍光体は、３００ｎｍ～４６０ｎｍ、または３００ｎｍ～５００ｎｍの範囲の、特に３００ｎｍ～４５０ｎｍまたは３００ｎｍ～４３０ｎｍの間の一次放射の大きな吸収能を有する。
例えば、式ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの蛍光体は、４００ｎｍの波長を有する一次放射による励起に際して電磁スペクトルの青色スペクトル領域で発光を示し、かつ狭帯域の発光、すなわち低い半値幅を有する発光を示す。４００ｎｍの波長を有する一次放射による励起に際して、それに対して式ＫＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの蛍光体は、青色スペクトル領域から赤色スペクトル領域までの非常に広帯域で発光を示すので、白色の光印象を生ずる。式（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｒｂ0.25Ｎａ0.75）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｃｓ0.25Ｎａ0.5Ｋ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｒｂ0.25Ｎａ0.5Ｋ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、および（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｒｂ0.25Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの蛍光体は、電磁スペクトルの青緑色スペクトル領域で狭帯域で発光を示し、式（Ｒｂ0.5Ｌｉ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｒｂ0.5Ｎａ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｎａ0.25Ｋ0.75）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｎａ0.25Ｋ0.50Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、および（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｋ0.25Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの蛍光体は、電磁スペクトルの緑色スペクトル領域で狭帯域で発光を示す。４６０ｎｍの波長を有する一次放射による励起に際して、それに対して式Ｎａ0.125Ｋ0.875Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの蛍光体は、黄橙色領域の帯域を有する。Ｎａ0.125Ｋ0.875Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕは、この他に青緑色領域の高い強度を有するさらなる発光ピークを示す。
以下の表において、蛍光体の特性を示す。
Figure 0007177898000001
種々の発光特性によって、それらの蛍光体は、種々の用途のために適している。
青色または青緑色スペクトル領域とは、４２０ｎｍ～５２０ｎｍの間の電磁スペクトルの領域を表す。
緑色スペクトル領域とは、５２０ｎｍ～５８０ｎｍを含めたその間の電磁スペクトルの領域を表す。
赤色スペクトル領域とは、６３０ｎｍ～７８０ｎｍの間の電磁スペクトルの領域を表す。
黄色または黄橙色スペクトル領域とは、５８０ｎｍ～６３０ｎｍの間の電磁スペクトルの領域を表す。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、一般組成式（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅを有し、０≦ｒ≦１、例えばｒ＝０、０．０５、０．１、０．１２５、０．１５、０．２、０．２５、０．３、０．３５、０．４、０．４５、０．５、０．５５、０．６、０．６５、０．７、０．７５、０．８、０．８５、０．９、０．９５、１．０である。有利には、０≦ｒ≦０．１、または０．１＜ｒ≦０．４、または０．４＜ｒ≦１．０、例えば有利にはｒ＝０、０．１２５、０．２５、０．５、または１．０である。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏ、およびＥ＝Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎであり、有利にはＥ＝Ｅｕである。驚くべきことに、前記蛍光体の特性、特にピーク波長および半値幅は、蛍光体中のＮａおよびＫの割合を変動させた場合に変化する。結果として、これらの蛍光体により種々の用途が使用可能である。
少なくとも１つの実施形態によれば、蛍光体（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、または（ＮａrＫ1-r）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅは、正方晶、単斜晶、または三斜晶の結晶系、特に正方晶または三斜晶の結晶系において結晶化する。有利には、この実施形態による蛍光体は、空間群Ｉ４1／ａ、Ｉ４／ｍ、またはＰ－１において結晶化する。特に有利には、この実施形態による蛍光体は、空間群Ｉ４1／ａもしくはＩ４／ｍを有する正方晶の結晶系において、または空間群Ｐ－１を有する三斜晶の結晶系において結晶化する。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、式（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅを有し、式中、０．４＜ｒ≦１、有利には０．４５＜ｒ≦１、殊に有利にはｒ＝０．５または１を有する。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏ、およびＥ＝Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎであり、かつ該蛍光体は、式（ＮａrＫ1-r）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅを有する。有利には、Ｅ＝Ｅｕが適用される。例えば、前記蛍光体は、式ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、または（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕを有する。該蛍光体のピーク波長は、青色スペクトル領域、特に４５０ｎｍ～５００ｎｍの間の領域にある。
蛍光体（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、または（ＮａrＫ1-r）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅ（式中、０．４＜ｒ≦１）、例えばＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、または（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕは、特に白色放射を放出する変換型ＬＥＤにおいて使用するために適している。そのためには、該蛍光体は、赤色蛍光体および緑色蛍光体と組み合わされ得る。
さらに、蛍光体（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、または（ＮａrＫ1-r）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅ（式中、０．４＜ｒ≦１）、特に（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕは、青色放射を放出する変換型ＬＥＤ等の照明装置で使用するために適している。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、式（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅを有し、式中、０．２＜ｒ≦０．４、有利には０．２＜ｒ≦０．３、殊に有利にはｒ＝０．２５を有する。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏであり、かつ該蛍光体は、式（ＮａrＫ1-r）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅを有する。Ｅは、Ｅｕ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｙｂおよびそれらの組み合わせを含む群から選択され、有利にはＥ＝Ｅｕである。例えば、前記蛍光体は、式（Ｎａ0.25Ｋ0.75）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕを有する。該蛍光体のピーク波長は、特に緑色スペクトル領域にある。
蛍光体（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、または（ＮａrＫ1-r）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅ（式中、０．２＜ｒ≦０．４、有利には０．２＜ｒ≦０．４、特に有利には０．２＜ｒ≦０．３、殊に有利にはｒ＝０．２５）は、特にディスプレイのバックライトのための変換型ＬＥＤにおいて使用するために適している。
さらに、蛍光体（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、または（ＮａrＫ1-r）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅ（式中、０．２＜ｒ≦０．４、有利には０．２＜ｒ≦０．４）、特に（Ｎａ0.25Ｋ0.75）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕは、緑色放射を放出する変換型ＬＥＤ等の照明装置で使用するために適している。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、式（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅを有し、式中、０．０５＜ｒ≦０．２、有利には０．１＜ｒ≦０．２を有する。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏであり、かつ該蛍光体は、式（ＮａrＫ1-r）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅを有する。Ｅは、Ｅｕ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｙｂおよびそれらの組み合わせを含む群から選択され、有利にはＥ＝Ｅｕである。例えば、蛍光体Ｎａ0.125Ｋ0.875Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕである。
驚くべきことに、式（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、または（ＮａrＫ1-r）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅ（式中、０．０５＜ｒ≦０．２）の蛍光体は、広い発光帯域を有する。特に、該蛍光体は、最高の強度を有するバンド（＝ピーク波長）の他に、そのピーク波長での発光ピークと同様の高さの強度を有するさらなる発光ピークを有する。
蛍光体（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、または（ＮａrＫ1-r）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅ（式中、０．０５＜ｒ≦０．２、有利には０．１＜ｒ≦０．２）、特にＮａ0.125Ｋ0.875Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕは、例えば白色放射を放出する変換型ＬＥＤ等の照明装置で使用するために適している。広い発光、特に青色領域または青緑色領域および黄橙色領域における２つの発光ピークによって、該蛍光体は、有利には変換型ＬＥＤ等の照明装置における唯一の蛍光体として使用され得る。特に、そのような変換型ＬＥＤを用いて、８０００Ｋを上回る色温度および高い演色指数および大きい色空間カバー率を有する白色の全放射が生成され得、それは特に、一般照明およびディスプレイのバックライトのために使用することができる。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、式（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅを有し、式中、０≦ｒ≦０．０５、有利にはｒ＝０を有する。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏであり、かつ該蛍光体は、式（ＮａrＫ1-r）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅを有する。Ｅは、Ｅｕ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｙｂおよびそれらの組み合わせを含む群から選択され、有利にはＥ＝Ｅｕである。例えば、該蛍光体は、ＫＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕである。該蛍光体は、青色スペクトル領域から赤色スペクトル領域までの非常に広帯域に発光するので、白色の光印象を生ずる。
蛍光体（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、または（ＮａrＫ1-r）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅ（式中、０≦ｒ≦０．０５）、特にＫＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕは、例えば白色放射を放出する変換型ＬＥＤ等の照明装置で使用するために適している。該蛍光体の広い発光によって、この蛍光体は、有利には変換型ＬＥＤ等の照明装置における唯一の蛍光体として使用され得る。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、一般組成式（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅを有し、式中、０≦ｒ’≦１、例えばｒ’＝０、０．０５、０．１、０．１５、０．２、０．２５、０．３、０．３５、０．４、０．４５、０．５、０．５５、０．６、０．６５、０．７、０．７５、０．８、０．８５、０．９、０．９５、１．０、有利には０．２５≦ｒ’≦０．７５、特に有利には０．４≦ｒ’≦０．６、殊に有利にはｒ’＝０．５である。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏであり、かつ該蛍光体は、式（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅを有する。Ｅは、Ｅｕ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｙｂおよびそれらの組み合わせを含む群から選択され、有利にはＥ＝Ｅｕである。これらの蛍光体は、低い半値幅を有し、かつ多岐にわたり使用可能であることが分かった。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、一般組成式（Ｋ，Ｎａ，Ｌｉ，Ｃｓ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅを有し、その際、該蛍光体中には、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、およびＣｓが含まれている。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏであり、かつ該蛍光体は、式（Ｋ，Ｎａ，Ｌｉ，Ｃｓ）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅを有する。Ｅは、Ｅｕ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｙｂおよびそれらの組み合わせを含む群から選択され、有利にはＥ＝Ｅｕである。特に有利には、該蛍光体は、式（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｋ0.25Ｌｉ0.25）（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、または（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｋ0.25Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅを有する。該蛍光体のピーク波長は、特に緑色スペクトル領域にあり、かつ５０ｎｍ未満の半値幅を有する。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、一般組成式（Ｒｂ，Ｎａ，Ｌｉ，Ｃｓ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅを有し、その際、該蛍光体中には、Ｒｂ、Ｎａ、Ｌｉ、およびＣｓが含まれている。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏであり、かつ該蛍光体は、式（Ｒｂ，Ｎａ，Ｌｉ，Ｃｓ）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅを有する。Ｅは、Ｅｕ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｙｂおよびそれらの組み合わせを含む群から選択され、有利にはＥ＝Ｅｕである。特に有利には、該蛍光体は、式（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｒｂ0.25Ｌｉ0.25）（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、または（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｒｂ0.25Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅを有する。該蛍光体のピーク波長は、特に青色スペクトル領域にあり、かつ３０ｎｍ未満の半値幅を有する。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、一般組成式（Ｃｓ，Ｎａ，Ｋ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅを有し、その際、該蛍光体中には、Ｎａ、Ｋ、およびＣｓが含まれている。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏであり、かつ該蛍光体は、式（Ｃｓ，Ｎａ，Ｋ）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅを有する。Ｅは、Ｅｕ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｙｂおよびそれらの組み合わせを含む群から選択され、有利にはＥ＝Ｅｕである。特に有利には、該蛍光体は、式（Ｃｓ0.25Ｎａ0.50Ｋ0.25）（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、または（Ｃｓ0.25Ｎａ0.50Ｋ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅを有する。該蛍光体のピーク波長は、特に青色スペクトル領域にあり、かつ３０ｎｍ未満の半値幅を有する。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、一般組成式（Ｒｂ，Ｎａ，Ｋ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅを有し、その際、該蛍光体中には、Ｎａ、Ｋ、およびＲｂが含まれている。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏであり、かつ該蛍光体は、式（Ｒｂ，Ｎａ，Ｋ）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅを有する。Ｅは、Ｅｕ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｙｂおよびそれらの組み合わせを含む群から選択され、有利にはＥ＝Ｅｕである。特に有利には、該蛍光体は、式（Ｒｂ0.25Ｎａ0.50Ｋ0.25）（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、または（Ｒｂ0.25Ｎａ0.50Ｋ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅを有する。該蛍光体のピーク波長は、特に青色スペクトル領域にあり、かつ３０ｎｍ未満の半値幅を有する。
前記蛍光体（Ｒｂ，Ｎａ，Ｌｉ，Ｃｓ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、（Ｃｓ，Ｎａ，Ｋ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、および（Ｒｂ，Ｎａ，Ｋ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅは、特に白色放射を放出する変換型ＬＥＤにおいて使用するために適している。そのためには、該蛍光体は、それぞれ赤色蛍光体および緑色蛍光体と組み合わされ得る。また、これらの蛍光体は、青色放射を放出する変換型ＬＥＤ等の照明装置で使用するために適している。
少なくとも１つの実施形態によれば、蛍光体（Ｒｂ，Ｎａ，Ｌｉ，Ｃｓ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、（Ｋ，Ｎａ，Ｌｉ，Ｃｓ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、（Ｒｂ，Ｎａ，Ｋ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、（Ｃｓ，Ｎａ，Ｋ）（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、（Ｋ，Ｎａ，Ｌｉ，Ｃｓ）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅ、（Ｒｂ，Ｎａ，Ｌｉ，Ｃｓ）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅ、（Ｒｂ，Ｎａ，Ｋ）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅ、または（Ｃｓ，Ｎａ，Ｋ）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅは、正方晶の結晶系において結晶化する。有利には、この実施形態による蛍光体は、空間群Ｉ４／ｍにおいて結晶化する。特に有利には、この実施形態による蛍光体は、空間群Ｉ４／ｍを有する正方晶において結晶化する。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、一般組成式（Ｋ1-r’’-r’’’Ｎａr’’Ｌｉr’’’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅを有し、式中、０＜ｒ’’＜０．５、および０＜ｒ’’’＜０．５、例えばｒ’’＝０．０５、０．１、０．１５、０．２、０．２５、０．３、０．３５、０．４、０．４５、およびｒ’’’＝０．０５、０．１、０．１５、０．２、０．２５、０．３、０．３５、０．４、０．４５である。有利には、０．１＜ｒ’’＜０．４、および０．１＜ｒ’’’＜０．４、特に有利には０．２＜ｒ’’＜０．３、および０．２＜ｒ’’’＜０．３である。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏであり、かつ該蛍光体は、式（Ｋ1-r’’-r’’’Ｎａr’’Ｌｉr’’’）1Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅを有する。Ｅは、Ｅｕ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｙｂおよびそれらの組み合わせを含む群から選択され、有利にはＥ＝Ｅｕである。驚くべきことに、前記蛍光体の特性、特にピーク波長および半値幅は、蛍光体中のＮａ、ＬｉおよびＫの割合を変動させた場合に変化する。結果として、これらの蛍光体は、種々の用途で使用可能である。例えば、前記蛍光体は、式（Ｋ0.5Ｎａ0.25Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕを有する。該蛍光体のピーク波長は、特に緑色スペクトル領域にあり、かつ５０ｎｍ未満の半値幅を有する。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体（Ｋ1-r’’-r’’’Ｎａr’’Ｌｉr’’’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、または（Ｋ1-r’’-r’’’Ｎａr’’Ｌｉr’’’）1Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅは、正方晶または単斜晶の結晶系において結晶化する。有利には、この実施形態による蛍光体は、空間群Ｉ４／ｍまたはＣ２／ｍにおいて結晶化する。特に有利には、この実施形態による蛍光体は、空間群Ｉ４／ｍを有する正方晶の結晶系、または空間群Ｃ２／ｍを有する単斜晶の結晶系において、特に有利には空間群Ｃ２／ｍを有する単斜晶の結晶系において結晶化する。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、一般組成式（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅを有し、式中、０＜ｒ＊＜１、例えばｒ＊＝０．０５、０．１、０．１５、０．２、０．２５、０．３、０．３５、０．４、０．４５、０．５、０．５５、０．６、０．６５、０．７、０．７５、０．８、０．８５、０．９、０．９５である。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏであり、かつ該蛍光体は、式（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅを有する。Ｅは、Ｅｕ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｙｂおよびそれらの組み合わせを含む群から選択され、有利にはＥ＝Ｅｕである。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、または（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅは、正方晶または単斜晶の結晶系において結晶化する。有利には、この実施形態による蛍光体は、空間群Ｉ４／ｍまたはＣ２／ｍにおいて結晶化する。特に有利には、この実施形態による蛍光体は、空間群Ｉ４／ｍを有する正方晶の結晶系において、または空間群Ｃ２／ｍを有する単斜晶の結晶系において結晶化する。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、一般組成式（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅを有し、式中、０．４≦ｒ＊＜１．０、有利には０．４≦ｒ＊＜０．８７５、または０．４≦ｒ＊≦０．７５、特に有利には０．４≦ｒ＊≦０．６、殊に有利にはｒ＊＝０．５である。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏであり、かつ該蛍光体は、式（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅを有する。Ｅは、Ｅｕ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｙｂおよびそれらの組み合わせを含む群から選択され、有利にはＥ＝Ｅｕである。例えば、前記蛍光体は、式（Ｒｂ0.5Ｎａ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕを有する。該蛍光体のピーク波長は、特に緑色スペクトル領域にあり、かつ４２ｎｍ～４４ｎｍの間の半値幅を有する。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、一般組成式（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅを有し、式中、０＜ｒ＊＜０．４、例えばｒ＊＝０．０５、０．１、０．１５、０．２、０．２５、０．３、０．３５、有利には０．１≦ｒ＊≦０．３５、特に有利には０．２≦ｒ＊≦０．３、殊に有利にはｒ＊＝０．２５である。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏであり、かつ該蛍光体は、式（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅを有する。Ｅは、Ｅｕ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｙｂおよびそれらの組み合わせを含む群から選択され、有利にはＥ＝Ｅｕである。該蛍光体のピーク波長は、有利には青色スペクトル領域にあり、かつ２０ｎｍ～２４ｎｍの間の半値幅を有する。
前記蛍光体（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、または（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅ（式中、０＜ｒ＊＜０．４、有利には０．１≦ｒ＊≦０．３５、特に有利には０．２≦ｒ＊≦０．３、殊に有利にはｒ＊＝０．２５）は、特に白色放射を放出する変換型ＬＥＤにおいて使用するために適している。そのためには、該蛍光体は、赤色蛍光体および緑色蛍光体と組み合わされ得る。
さらに、蛍光体（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、または（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅ（式中、０＜ｒ＊＜０．４、有利には０．１≦ｒ＊≦０．３５、特に有利には０．２≦ｒ＊≦０．３、殊に有利にはｒ＊＝０．２５）は、青色放射を放出する変換型ＬＥＤ等の照明装置において使用するために適している。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、式（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、もしくは（ＮａrＫ1-r）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅ（式中、０．２＜ｒ≦０．４、有利には０．２＜ｒ≦０．３、特に有利にはｒ＝０．２５）、または（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、もしくは（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅ（式中、０≦ｒ’≦１、有利には０．２５≦ｒ’≦０．７５、特に有利には０．４≦ｒ’≦０．６）を有する。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏである。該蛍光体のピーク波長は、特に緑色スペクトル領域にあり、かつ５０ｎｍ未満の半値幅を有する。
驚くべきことに、本発明による蛍光体（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０．２＜ｒ≦０．４）、（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０≦ｒ’≦１）、（Ｋ1-r’’-r’’’Ｎａr’’Ｌｉr’’’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０＜ｒ’’＜０．５、および０＜ｒ’’’＜０．５）、（Ｋ，Ｎａ，Ｌｉ，Ｃｓ）（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、ならびに（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０．４≦ｒ＊＜１．０）、例えば、（Ｒｂ0.5Ｌｉ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｎａ0.25Ｋ0.75）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｎａ0.25Ｋ0.50Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｋ0.25Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、および（Ｒｂ0.5Ｎａ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕは、緑色スペクトル領域においてピーク波長を有し、かつ非常に小さい半値幅を有し、したがって特に白色発光する照明装置、例えば白色発光する変換型ＬＥＤのために、青色の一次放射を放出する半導体チップおよび赤色蛍光体と組み合わせて、バックライト用途のために、特にディスプレイ等の表示エレメントのために適している。有利には、そのような白色発光する変換型ＬＥＤにより、特に大きな色のバンド幅を達成することができる。本発明による蛍光体（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０．２＜ｒ≦０．４）、（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０≦ｒ’≦１）、（Ｋ1-r’’-r’’’Ｎａr’’Ｌｉr’’’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０＜ｒ’’＜０．５、および０＜ｒ’’’＜０．５）、（Ｋ，Ｎａ，Ｌｉ，Ｃｓ）（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、ならびに（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０．４≦ｒ＊＜１．０）、例えば、（Ｒｂ0.5Ｌｉ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｎａ0.25Ｋ0.75）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｎａ0.25Ｋ0.50Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｋ0.25Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、および（Ｒｂ0.5Ｎａ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの低い半値幅によって、発光ピークは、標準的な緑色フィルタの透過領域と大きな重複を示すので、僅かな光しか失われず、かつ達成可能な色空間は大きい。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、以下の一般組成式：Ｎａ1-y*Ｃａy*Ｌｉ3-2y*Ａｌ3y*Ｓｉ1-y*Ｏ4-4y*Ｎ4y*：Ｅを有し、式中、０＜ｙ＊＜０．８７５、有利には０＜ｙ＊≦０．５、特に有利には０＜ｙ＊≦０．３、殊に有利には０＜ｙ＊≦０．１である。例えば、ｙ＊＝０．０１、０．０２、０．０３、０．０４、または０．０５が適用される。Ｅは、Ｅｕ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｙｂおよびそれらの組み合わせを含む群から選択される。有利には、Ｅ＝ＥｕまたはＥｕ2+である。
驚くべきことに、式ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの蛍光体は、公知の蛍光体ＣａＬｉＡｌ3Ｎ4：Ｅｕと同形の結晶構造を有することが分かった。２つの化合物が同形の結晶構造において結晶化するということは、特に、一方の化合物の原子が、結晶構造内で、もう一方の化合物の対応する原子と同じ位置を占有することを意味する。それにより、構造内の構成単位同士の連結は不変のままである。酸化物および窒化物の場合の同形の結晶構造は不定形である。それというのも、窒化物は酸化物に対して、通常は、結晶構造内で多面体、特に四面体のより高い縮合度を示すからである。そのことは、この場合に特に驚くべきことである。それというのも、本発明による式ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの蛍光体の縮合度は１であり、それに対して典型的なオキソシリケートは、０．５以下の縮合度を有するからである。驚くべきことに、本発明者らは、組成式ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの蛍光体から出発して、元素Ｎａ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｏを部分的に元素Ｃａ、Ｌｉ、ＡｌおよびＮにより置き換えることで、式Ｎａ1-y*Ｃａy*Ｌｉ3-2y*Ａｌ3y*Ｓｉ1-yＯ4-4y*Ｎ4y*：Ｅｕの蛍光体を得ることができることを見出した。この蛍光体は、特に混合相で存在するので、ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの結晶構造内で、格子位置は、元素Ｃａ、Ｌｉ、ＡｌおよびＮで部分的に占有されている。
公知の蛍光体ＣａＬｉＡｌ3Ｎ4：Ｅｕは、電磁スペクトルの赤色領域で発光する、約６７０ｎｍでピーク波長を有し、約６０ｎｍの半値幅を有し、かつＮａＬｉ3ＳｉＯ4と同形の結晶構造において結晶化する蛍光体である。それに比べて、ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕは、電磁スペクトルの青色スペクトル領域において約４７０ｎｍのピーク波長をもって発光を示し、より狭帯域の発光、すなわち６０ｎｍより低い半値幅を有する発光を示す。前記蛍光体の本発明による混合相によって、有利には式Ｎａ1-y*Ｃａy*Ｌｉ3-2y*Ａｌ3y*Ｓｉ1-yＯ4-4y*Ｎ４y*：Ｅｕの蛍光体であって、ＣａＬｉＡｌ3Ｎ4の割合が変動され得る（それは、式中で係数ｙ＊により表現される）蛍光体を得ることができる。この変動によって、可変の組成により４７０ｎｍ～６７０ｎｍの間の範囲のピーク波長を調整することが可能な蛍光体を得ることができる。したがって、該蛍光体は、要求に応じてまたは用途に応じて、所望の色位置に関して狙い通りに調整することができる。したがって、１つだけの蛍光体により、驚くべきことに、青色から赤色までのほぼすべての可視領域の色を生成することができる。
蛍光体Ｎａ1-y*Ｃａy*Ｌｉ3-2y*Ａｌ3y*Ｓｉ1-y*Ｏ4-4y*Ｎ4y*：Ｅ（式中、０＜ｙ＊＜０．８７５、有利には０＜ｙ＊≦０．５、特に有利には０＜ｙ＊≦０．３、殊に有利には０＜ｙ＊≦０．１）のピーク波長は、有利には青色または緑色スペクトル領域にある。該蛍光体は、特に緑色蛍光体および赤色蛍光体と組み合わせて白色の変換型ＬＥＤのために、特に一般照明のために適している。さらに、該蛍光体は、有色の変換型ＬＥＤに適している。
少なくとも１つの実施形態によれば、蛍光体Ｎａ1-y*Ｃａy*Ｌｉ3-2y*Ａｌ3y*Ｓｉ1-y*Ｏ4-4y*Ｎ4y*：Ｅは、正方晶の結晶系において結晶化する。有利には、この実施形態による蛍光体は、空間群Ｉ４1／ａにおいて結晶化する。特に有利には、この実施形態による蛍光体は、空間群Ｉ４1／ａを有する正方晶において結晶化する。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、以下の一般組成式：
Ｎａ1-y***Ｓｒy***Ｌｉ3-2y***Ａｌ3y***Ｓｉ1-y***Ｏ4-4y***Ｎ4y***：Ｅを有し、式中、０＜ｙ＊＊＊＜０．８７５、有利には０＜ｙ＊＊＊≦０．５、特に有利には０＜ｙ＊＊＊≦０．３である。例えば、ｙ＊＊＊＝０．０１、０．０２、０．０３、０．０４、または０．０５が適用される。Ｅは、Ｅｕ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｙｂおよびそれらの組み合わせを含む群から選択される。有利には、Ｅ＝ＥｕまたはＥｕ2+である。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、式：
（ＭＢ）b（ＴＡ）e（ＴＣ）g（ＴＤ）h（ＸＢ）l（ＸＣ）m：Ｅ
を有し、式中、
－ ＭＢは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏおよびそれらの組み合わせを含む二価の金属の群から選択され、
－ ＴＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｕ、Ａｇおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択され、
－ ＴＣは、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｙ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｃ、希土類金属およびそれらの組み合わせを含む三価の金属の群から選択され、
－ ＴＤは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｅおよびそれらの組み合わせを含む四価の金属の群から選択され、
－ ＸＢ＝Ｏおよび／またはＳ、
－ ＸＣ＝Ｎ、
－ ｂ＝１、
－ ｅ＋ｇ＋ｈ＝４、
－ ｌ＋ｍ＝４、
－ ２ｂ＋ｅ＋３ｇ＋４ｈ－２ｌ－３ｍ＝０、およびｍ＜３．５、またはｌ＞０．５、
－ Ｅ＝Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎ、有利にはＥ＝Ｅｕ
である。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、式：
（ＭＢ）b（ＴＡ）e（ＴＣ）g（ＴＤ）h（ＸＢ）l（ＸＣ）m：Ｅ
を有し、式中、
－ ＭＢは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａおよびそれらの組み合わせを含む二価の金属の群から選択され、
－ ＴＡは、Ｌｉ、Ｎａおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択され、
－ ＴＣは、Ｂ、Ａｌ、Ｇａおよびそれらの組み合わせを含む三価の金属の群から選択され、
－ ＴＤは、Ｓｉ、Ｇｅおよびそれらの組み合わせを含む四価の金属の群から選択され、
－ ＸＣ＝Ｎ、
－ ＸＢ＝Ｏ、
－ ｂ＝１、
－ ｅ＋ｇ＋ｈ＝４、
－ ｌ＋ｍ＝４、
－ ２ｂ＋ｅ＋３ｇ＋４ｈ－２ｌ－３ｍ＝０、およびｍ＜３．５、またはｌ＞０．５、
－ Ｅ＝Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎ、有利にはＥ＝Ｅｕ
である。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、以下の一般組成式：
（ＭＢ）（Ｓｉ0.25Ａｌ-1/8+r**/2Ｌｉ7/8-r**/2）4（Ｏ1-r**Ｎr**）4：Ｅ
を有し、式中、０．２５≦ｒ＊＊≦１、有利には０．２５＜ｒ＊＊＜０．８７５、特に有利には０．４≦ｒ＊＊≦０．８である。ＭＢは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａおよびそれらの組み合わせを含む二価の金属の群から選択され、かつＥ＝Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂおよび／またはＭｎ、有利にはＥ＝Ｅｕである。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、以下の一般組成式：
Ｓｒ（Ｓｉ0.25Ａｌ-1/8+r**/2Ｌｉ7/8-r**/2）4（Ｏ1-r**Ｎr**）4：Ｅ
を有し、式中、０．２５≦ｒ＊＊≦１、有利には０．２５＜ｒ＊＊＜０．８７５、特に有利には０．４≦ｒ＊＊≦０．８であり、かつＥ＝Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎである。前記蛍光体は、特に化合物ＳｒＳｉＬｉ3Ｏ3Ｎ：Ｅｕ（ｒ＊＊＝０．２５）、およびＳｒ2Ｓｉ2Ａｌ3Ｌｉ3Ｎ8：Ｅｕ（ｒ＊＊＝１）の混合相である。
本発明による混合相によって、有利には窒素の割合が変動され得る（それは、式中で係数ｒ＊＊により表現される）蛍光体を得ることができる。この変動によって、可変の組成により黄色スペクトル領域から赤色スペクトル領域までのピーク波長を調整することが可能な蛍光体を得ることができる。したがって、該蛍光体は、要求に応じてまたは用途に応じて、所望の色位置および／または演色指数に関して狙い通りに調整することができる。したがって、１つだけの蛍光体により、驚くべきことに可視領域、特に黄色から赤色までの多くの色を生成することができる。
少なくとも１つの実施形態によれば、蛍光体（ＭＢ）（Ｓｉ0.25Ａｌ-1/8+r**/2Ｌｉ7/8-r**/2）4（Ｏ1-r**Ｎr**）4：Ｅ、またはＳｒ（Ｓｉ0.25Ａｌ-1/8+r**/2Ｌｉ7/8-r**/2）4（Ｏ1-r**Ｎr**）4：Ｅは、正方晶の結晶系において結晶化する。有利には、この実施形態による蛍光体は、空間群Ｉ４／ｍにおいて結晶化する。特に有利には、この実施形態による蛍光体は、空間群Ｉ４／ｍを有する正方晶において結晶化する。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、以下の一般組成式：
Ｎａ1-y**Ｅｕy**Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅ
を有し、式中、０＜ｙ＊＊≦１．０、有利には０＜ｙ＊＊＜０．８７５、または０＜ｙ＊＊＜０．５、特に有利には０．０５≦ｙ＊＊≦０．４５、殊に有利には０．１≦ｙ＊＊≦０．４、０．１５≦ｙ＊＊≦０．３５、または０．２≦ｙ＊＊≦０．３である。Ｅ＝Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎであり、有利にはＥ＝Ｅｕである。
驚くべきことに、式Ｎａ1-y**Ｅｕy**Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅ、有利にはＮａ1-y**Ｅｕy**Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅｕは、ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：ＥまたはＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ（ｙ＊＊＝０）と、化合物ＥｕＬｉＡｌ3Ｎ4（ｙ＊＊＝１）との間の混合相として製造することができ、さらに類を見ない特性を有する効率的な蛍光体であることが分かった。この蛍光体は、特に混合相で存在するので、ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの結晶構造内で格子位置は、元素Ｅｕ、Ｌｉ、ＡｌおよびＮで部分的に占有されている。
ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕは、青色スペクトル領域において発光を示す。本発明によるＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕと化合物ＥｕＬｉＡｌ3Ｎ4との混合相によって、有利には、式Ｎａ1-y**Ｅｕy**Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅｕの蛍光体であって、ＥｕＬｉＡｌ3Ｎ4の割合が変動され得る（それは、式中で係数ｒ＊＊により表現される）蛍光体を得ることができる。この変動によって、可変の組成により黄色領域から赤色領域までの範囲でピーク波長を調整することが可能な蛍光体を得ることができる。したがって、該蛍光体は、要求に応じてまたは用途に応じて、所望の色位置に関して狙い通りに調整することができる。したがって、１つだけの蛍光体により、驚くべきことに、黄色から赤色までのほぼすべての可視領域の色を生成することができる。
少なくとも１つの実施形態によれば、蛍光体Ｎａ1-y**Ｅｕy**Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅｕは、正方晶の結晶系において結晶化する。有利には、この実施形態による蛍光体は、空間群Ｉ４／ｍにおいて結晶化する。特に有利には、この実施形態による蛍光体は、空間群Ｉ４／ｍを有する正方晶において結晶化する。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、式：
（ＭＢ）b（ＴＡ）e（ＴＣ）g（ＸＢ）l（ＸＣ）m：Ｅ
を有し、式中、
－ ＭＢは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏおよびそれらの組み合わせを含む二価の金属の群から選択され、
－ ＴＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｕ、Ａｇおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択され、
－ ＴＣは、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｙ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｃ、希土類金属およびそれらの組み合わせを含む三価の金属の群から選択され、
－ ＸＢ＝Ｏ、
－ ＸＣ＝Ｎ、
－ ｂ＝１、
－ ｅ＋ｇ＝４、
－ ｌ＋ｍ＝４、
－ ２ｂ＋ｅ＋３ｇ－２ｌ－３ｍ＝０、およびｍ＜３．５、またはｌ＞０．５、
－ Ｅ＝Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎ、有利にはＥ＝Ｅｕ
である。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、式：
（ＭＢ）b（ＴＡ）e（ＴＣ）g（ＸＢ）l（ＸＣ）m：Ｅ
を有し、式中、
－ ＭＢは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎおよびそれらの組み合わせを含む二価の金属の群から選択され、
－ ＴＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｕ、Ａｇおよびそれらの組み合わせを含む一価の金属の群から選択され、
－ ＴＣは、Ｂ、Ａｌ、Ｇａおよびそれらの組み合わせを含む三価の金属の群から選択され、
－ ＸＢ＝Ｏ、
－ ＸＣ＝Ｎ、
－ ｂ＝１、
－ ｅ＋ｇ＝４、
－ ｌ＋ｍ＝４、
－ ２ｂ＋ｅ＋３ｇ－２ｌ－３ｍ＝０、およびｍ＜３．５、またはｌ＞０．５、
－ Ｅ＝Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎ、有利にはＥ＝Ｅｕ
である。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、以下の一般組成式：
（ＭＢ）Ｌｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ
を有し、式中、０＜ｘ＊＊≦１．０、有利には０＜ｘ＊＊＜０．８７５、特に有利には０．１２５≦ｘ＊＊＜０．８７５、または０．１２５≦ｘ＊＊≦０．５、殊に有利には０．１２５≦ｘ＊＊≦０．４５である。ＭＢは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎおよびそれらの組み合わせを含む二価の金属の群から選択される。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、以下の一般組成式：
ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ
を有し、式中、０＜ｘ＊＊≦１．０、有利には０＜ｘ＊＊＜０．８７５、特に有利には０．１２５≦ｘ＊＊＜０．８７５、または０．１２５≦ｘ＊＊≦０．５、殊に有利には０．１２５≦ｘ＊＊≦０．４５である。
驚くべきことに、ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕは、ＳｒＬｉ3ＡｌＯ4：Ｅｕ（ｘ＊＊＝０）と、化合物ＳｒＬｉＡｌ3Ｎ4（ｘ＊＊＝１）との間の混合相として製造することができ、さらに類を見ない特性を有する効率的な蛍光体であることが分かった。特に、前記蛍光体は、低い半値幅を有する。
ＳｒＬｉＡｌ3Ｎ4：Ｅｕは、狭帯域で赤色スペクトル領域で発光する公知の蛍光体である。本発明によるＳｒＬｉ3ＡｌＯ4：Ｅｕと化合物ＳｒＬｉＡｌ3Ｎ4との混合相によって、有利には式ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕの蛍光体であって、ＳｒＬｉＡｌ3Ｎ４の割合が変動され得る（それは、式中で係数ｘ＊＊により表現される）蛍光体を得ることができる。この変動によって、可変の組成により緑色領域から黄色領域または黄橙色領域までの範囲でピーク波長を調整することが可能な蛍光体を得ることができる。それにより、公知の蛍光体で達成することができなかった色位置を達成することができる。したがって、該蛍光体は、要求に応じてまたは用途に応じて、緑色領域から黄色領域における所望の色位置に関して狙い通りに調整することができる。
驚くべきことに、式ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕの蛍光体は、ｘ＊＊の増大に伴いｘ＊＊≧０．１２５０以降から同じ結晶構造において結晶化するが、その場合に、単位格子の格子体積は増大し、同時にｘ＊＊の増大に伴い、ピーク波長は、より長波長の領域に、特に緑色スペクトル領域から赤色スペクトル領域にまでシフトすることが分かった。それにより、蛍光体ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ（式中、０．１２５≦ｘ＊＊≦１、有利には０．１２５≦ｘ＊＊＜０．８７５、特に有利には０．１２５≦ｘ＊＊≦０．５、殊に有利には０．１２５≦ｘ＊＊≦０．４５）は、多岐にわたり使用することができ、特に単独の蛍光体としてＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕを有する有色の変換型ＬＥＤのために適している。さらに、前記蛍光体は、有利には８０ｎｍ未満の低い半値幅を有する。
蛍光体ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ（式中、特にｘ＊＊≧０．１２５０）は、例えば白色放射を放出する変換型ＬＥＤ等の照明装置において使用するために適しており、その際、青色の一次放射と二次放射との重ね合わせにより、白色の全放射が得られる。該蛍光体は、非常にロバスト性であり、かつ有利には、３６００Ｋ未満、特に３４００Ｋ±１００Ｋの色温度およびプランク曲線に近い色位置を有する全放射を放出する変換型ＬＥＤを得ることが可能である。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、以下の一般組成式：
ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ
を有し、式中、０＜ｘ＊＊＜０．１２５、有利には０＜ｘ＊＊＜０．１２０である。
蛍光体ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ（式中、０＜ｘ＊＊＜０．１２５）は、驚くべきことに、ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ（式中、ｘ＊＊≧０．１２５）の結晶構造と同形の結晶構造において結晶化しない。特に、０＜ｘ＊＊＜０．１２５の蛍光体は、結晶構造の結晶学的超格子としてｘ＊＊≧０．１２５を有する蛍光体の別形により説明することができる結晶構造を形成することができる。
有利には、この蛍光体のピーク波長は、電磁スペクトルの緑色領域にある。ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ（式中、ｘ＊＊≧０．１２５）と比較して、半値幅は、有利にはより低い。
少なくとも１つの実施形態によれば、蛍光体（ＭＢ）Ｌｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ、またはＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕは、正方晶の結晶系において結晶化する。有利には、この実施形態による蛍光体は、空間群Ｉ４／ｍにおいて結晶化する。特に有利には、この実施形態による蛍光体は、空間群Ｉ４／ｍを有する正方晶において結晶化する。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、ＵＣｒ4Ｃ4、ＣｓＫＮａ2Ｌｉ12Ｓｉ4Ｏ16、またはＲｂＬｉ5｛Ｌｉ［ＳｉＯ4］｝2と同じ原子配列を有する結晶構造において結晶化する。前記蛍光体が、ＵＣｒ4Ｃ4、ＣｓＫＮａ2Ｌｉ12Ｓｉ4Ｏ16、またはＲｂＬｉ5｛Ｌｉ［ＳｉＯ4］｝2と同じ原子配列を有する結晶構造において結晶化するということは、これ以降、蛍光体の原子の順序が、ＵＣｒ4Ｃ4、ＣｓＫＮａ2Ｌｉ12Ｓｉ4Ｏ16、またはＲｂＬｉ5｛Ｌｉ［ＳｉＯ4］｝2における原子の順序と同じパターンに従うことを意味する。言い換えると、前記結晶構造は、ＵＣｒ4Ｃ4、ＣｓＫＮａ2Ｌｉ12Ｓｉ4Ｏ16、またはＲｂＬｉ5｛Ｌｉ［ＳｉＯ4］｝2と同じ構造モチーフを示す。例えば、式（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ3：Ｅｕの蛍光体は、ＣｓＫＮａ2Ｌｉ12Ｓｉ4Ｏ16と同じ原子配列を有する結晶構造において結晶化し、その場合に、Ｋは、ＣｓおよびＫの位置を占有し、Ｎａは、Ｎａの位置を占有し、Ｌｉは、Ｌｉの位置を占有し、Ｓｉは、Ｓｉの位置を占有し、かつＯは、Ｏの位置を占有する。別のイオン種での置換に際してイオン半径が変動することによって、原子の絶対位置（原子配置）が変化し得る。
前記蛍光体はまた、ＵＣｒ4Ｃ4により誘導される構造と同じ原子配列を有する結晶構造ＮａＬｉ3ＳｉＯ4またはＫＬｉ3ＧｅＯ4においても結晶化し得る。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、
－ ＮａＬｉ3ＳｉＯ4
－ ＫＬｉ3ＳｉＯ4
－ ＲｂＬｉ5｛Ｌｉ［ＳｉＯ4］｝2
－ ＵＣｒ4Ｃ4
－ ＣｓＫＮａ2Ｌｉ12Ｓｉ4Ｏ16、または
－ ＣｓＫＮａＬｉ9｛Ｌｉ［ＳｉＯ4］｝4
と同じ構造型において結晶化する。
前記実施形態の結晶構造は、特に三次元的に連結された三次元骨格を特徴とする。その場合に、ＴＡ、ＴＢ、ＴＣ、ＴＤ、ＴＥおよび／またはＴＦは、ＸＡ、ＸＢ、ＸＣおよび／またはＸＤによって取り囲まれており、それらから生ずる構成単位は、有利には共通の角および辺を介して連結されている。この配置は、三次元的に広がるアニオン性構成単位をもたらす。それらから生ずる空隙またはチャンネルにおいて、ＭＡ、ＭＢ、ＭＣ、および／またはＭＤが配置されている。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、ＴＡ、ＴＢ、ＴＣ、ＴＤ、ＴＥ、および／またはＴＦがＸＡ、ＸＢ、ＸＣ、および／またはＸＤによって取り囲まれており、かつそれらから生ずる構成単位が共通の角および辺を介して連結されて、空隙またはチャンネルを有する三次元骨格となり、該空隙またはチャンネル中にＭＡ、ＭＢ、ＭＣおよび／またはＭＤが配置されている。特に、前記構成単位は、四面体であり、その際、有利にはＸＡ、ＸＢ、ＸＣおよび／またはＸＤは、該四面体の角を占有し、ＴＡ、ＴＢ、ＴＣ、ＴＤ、ＴＥおよび／またはＴＦは、該四面体の中心に配置されている。
例えば、ＫＬｉ3ＧｅＯ4と同形である前記実施形態の結晶構造ＫＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅにおいては、ＬｉおよびＳｉはＯによって取り囲まれており、架橋された（Ｌｉ／Ｓｉ）Ｏ4四面体からなる三次元骨格の形のアニオン性構成単位を形成する。その場合に生ずる空隙において、Ｋ原子は、歪んだ正方形状に８個のＯ原子によって取り囲まれている。
前記実施形態の結晶構造ＲｂＬｉ5｛Ｌｉ［ＳｉＯ4］｝2：Ｅにおいて、Ｌｉ原子およびＳｉの一部はＯにより取り囲まれており、かつ三次元骨格の形のアニオン性構成単位を形成する。その場合に、Ｓｉ原子は、歪んだ四面体状に４個のＯ原子によって取り囲まれている。前記構成単位に関与するＬｉ原子は、その第一配位球において歪んだ平面三角形状に３個のＯ原子によって取り囲まれている。周囲にさらなるＯ原子が加えられると、その配位は、歪んだ四面体または歪んだ三方両錐形とも記載され得る。生じた空隙において、Ｒｂ原子は歪んだ立方体状に８個のＯ原子により取り囲まれているが、Ｌｉ原子の別の部分は、歪んだ平面四角形状に４個のＯ原子によって取り囲まれている。
本明細書で開示される蛍光体の化学組成に依存して、ＭＡ、ＭＢ、ＭＣ、および／またはＭＤの周りの配位球の激しい歪みが引き起こされ得る。それは、例えば実施例ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅの場合には、Ｎａ原子の周囲が歪んだ三角柱として存在し、またはさらなるＯ原子が加えられると歪んだ角が落とされた立方体として存在する。
上述の蛍光体の実施形態は、以下に示される方法により製造することができる。したがって、蛍光体のために記載されるすべての特徴は、その製造方法のためにも適用され、その逆も適用される。
蛍光体の製造方法が示される。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、一般組成式：
（ＭＡ）a（ＭＢ）b（ＭＣ）c（ＭＤ）d（ＴＡ）e（ＴＢ）f（ＴＣ）g（ＴＤ）h（ＴＥ）i（ＴＦ）j（ＸＡ）k（ＸＢ）l（ＸＣ）m（ＸＤ）n：Ｅ
を有する。この場合に、ＭＡは、一価の金属の群から選択され、ＭＢは、二価の金属の群から選択され、ＭＣは、三価の金属の群から選択され、ＭＤは、四価の金属の群から選択され、ＴＡは、一価の金属の群から選択され、ＴＢは、二価の金属の群から選択され、ＴＣは、三価の金属の群から選択され、ＴＤは、四価の金属の群から選択され、ＴＥは、五価の元素の群から選択され、ＴＦは、六価の元素の群から選択され、ＸＡは、ハロゲンを含む元素の群から選択され、ＸＢは、Ｏ、Ｓおよびそれらの組み合わせを含む元素の群から選択され、ＸＣ＝ＮおよびＸＤ＝Ｃである。さらに、
－ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝ｔ、
－ ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊ＝ｕ、
－ ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ＝ｖ、
－ ａ＋２ｂ＋３ｃ＋４ｄ＋ｅ＋２ｆ＋３ｇ＋４ｈ＋５ｉ＋６ｊ－ｋ－２ｌ－３ｍ－４ｎ＝ｗ、
－ ０．８≦ｔ≦１、
－ ３．５≦ｕ≦４、
－ ３．５≦ｖ≦４、
－ （－０．２）≦ｗ≦０．２、かつ
Ｅ＝Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂおよび／またはＭｎ、
が適用される。有利には、０≦ｍ＜０．８７５ｖ、および／またはｖ≧ｌ＞０．１２５ｖである。
前記方法は、以下の方法工程：
Ａ）蛍光体の出発物質を混合する工程、
Ｂ）Ａ）で得られた混合物を５００℃～１４００℃の間、有利には７００℃～１４００℃の間の温度Ｔ１に加熱する工程、
Ｃ）該混合物を５００℃～１４００℃の、有利には７００℃～１４００℃の間の温度Ｔ１で０．５分間～１０時間にわたり強熱する工程、
を含む。
１つの実施形態においては、前記出発物質は粉体として存在する。
１つの実施形態においては、方法工程Ｃ）の後に、さらなる方法工程：
Ｄ）前記混合物を室温に冷却させる工程
が続く。室温とは、特に２０℃を表す。
１つの実施形態においては、方法工程Ｄ）に続いて再び方法工程Ｂ）およびＣ）が行われ、その後に方法工程Ｄ）において得られた蛍光体は加熱または強熱される。このさらなる強熱過程によって、蛍光体の光学的特性を改善することができる。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記出発物質は、Ａ）で得られた混合物の方法工程Ｂ）における加熱において溶融する。
加熱速度および冷却速度は、例えば１時間当たりに２５０℃であり得る。
１つの実施形態においては、前記方法工程Ｂ）、Ｃ）および／またはＤ）は、フォーミングガス雰囲気下で行われる。有利には、該フォーミングガスにおいて、窒素：水素の比率は、９２．５：７．５である。
１つの実施形態においては、前記方法工程Ｂ）、Ｃ）および／またはＤ）は、管状炉中で行われる。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記方法は、以下の方法工程Ａ）：
Ａ）Ｋ2ＣＯ3、Ｃｓ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、および／またはＲｂ2ＣＯ3を含む出発物質を混合する工程
を含む。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記方法は、以下の方法工程Ａ）：
Ａ）ＳｉＯ2、Ｅｕ2Ｏ3、Ｌｉ2ＣＯ3と、Ｋ2ＣＯ3、Ｃｓ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、およびＲｂ2ＣＯ3からの少なくとも１種の炭酸塩とを含むまたはそれらからなる出発物質を混合する工程
を含む。特に、前記出発物質を使用する場合に、蛍光体（ＮａrＫ1-r）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、および（Ｋ1-r’’-r’’’Ｎａr’’Ｌｉr’’’）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、有利にはＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、ＫＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｒｂ0.5Ｌｉ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｎａ0.25Ｋ0.75）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、および（Ｎａ0.25Ｋ0.5Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕが製造され得る。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記方法は、以下の方法工程Ａ）：
Ａ）ＣａＯ、ＮａＦ、ＬｉＮ3、Ｌｉ2Ｏ、ＬｉＡｌＨ4、ＡｌＦ3、ＳｉＯ2、およびＥｕＦ3を含むまたはそれらからなる出発物質を混合する工程
を含む。特に、前記出発物質が使用される場合に、式Ｎａ1-y*Ｃａy*Ｌｉ3-2y*Ａｌ3y*Ｓｉ1-yＯ4-4y*Ｎ4y*：Ｅｕ、例えばＮａ0.97Ｃａ0.03Ｌｉ2.94Ａｌ0.09Ｓｉ0.97Ｏ3.88Ｎ0.12：Ｅｕの蛍光体が製造され得る。
前記製造方法は、蛍光体のためのその他の多くの製造方法と比べて非常に簡単に実施することができる。特に、保護ガス雰囲気は必要とされない。それというのも、該生成物は、湿分または酸素に強いからである。さらに、合成は控えめな温度で行われ、したがって非常にエネルギー効率が良い。それにより、例えば使用される炉への要求は低い。前記出発物質は、廉価に市場から入手可能であり、毒性ではない。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記照明装置、特に変換型ＬＥＤは、作動時に白色放射を放出する。該放射は、一次放射および二次放射の重ね合わせ、または二次放射のみから構成され得る。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、電磁スペクトルの青色または青緑色スペクトル領域におけるピーク波長を有する二次放射を放出する。白色の全放射を生成するために、前記変換エレメントは、第２の蛍光体および第３の蛍光体を含み得る。特に、第２の蛍光体は、照明装置の作動時に電磁的な一次放射を電磁スペクトルの赤色スペクトル領域にある電磁的な二次放射に部分的に変換するように調整されていてよい。第３の蛍光体は、特に、照明装置の作動時に電磁的な一次放射を電磁スペクトルの緑色スペクトル領域にある電磁的な二次放射に部分的に変換するように調整されていてよい。青色、緑色、および赤色の二次放射の重ね合わせにより、白色の光印象が生ずる。この実施形態による照明装置、特に変換型ＬＥＤは、特に一般照明のために適している。
ＵＶ一次放射または青色の一次放射の、電磁スペクトルの青色領域または青緑色領域における幾らかより長い波長を有する二次放射への変換は、照明装置、特に変換型ＬＥＤの効率を高める。その二次放射のピーク波長は、一次放射と比較して、５５５ｎｍでの視覚感度の最大値により近く、それにより、放出される放射は、視覚感度曲線とより高い重複を示し、そのためより明るく感じられる。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、電磁スペクトルの緑色スペクトル領域におけるピーク波長を有する二次放射を放出する。白色の全放射を生成するために、前記変換エレメントは、照明装置の作動時に電磁的な一次放射を電磁スペクトルの赤色スペクトル領域にある電磁的な二次放射に部分的に変換するように調整されていてよい第２の蛍光体を含み得る。青色の一次放射と緑色および赤色の二次放射との重ね合わせにより、白色の光印象が生ずる。この実施形態による照明装置、特に変換型ＬＥＤは、特にバックライト用途のために適している。
緑色スペクトル領域におけるピーク波長を有する第３の蛍光体は、β－ＳｉＡｌＯＮ、α－ＳｉＡｌＯＮ、クロロシリケート、オルトシリケート、ケイ素酸窒化物（ＳｉＯＮ）、ガーネット、およびそれらの組み合わせを含む群から選択され得る。
前記ガーネット蛍光体は、１つの実施形態によれば、材料系（Ｙ，Ｌｕ，Ｇｄ）3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12：Ｃｅ、または（Ｙ，Ｌｕ，Ｇｄ）3（Ａｌ）5Ｏ12：Ｃｅから選択され得る。有利には、該ガーネット蛍光体は、（Ｙ，Ｌｕ）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、および（Ｙ，Ｌｕ）3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12：Ｃｅから選択される。例えば、該蛍光体は、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅである。
α－ＳｉＡｌＯＮは、例えば以下の組成式：ＭtＳｉ12-(t’+t’’)Ａｌ(t’+t’’)ＯnＮ16-n：Ｅｕ（式中、Ｍ＝Ｃａ、Ｍｇ、Ｙ、有利にはＣａ）を有し得る。
前記クロロシリケートは、例えば以下の組成式：（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｅｕ）8Ｍｇ（ＳｉＯ4）4Ｃｌ2を有し得る。
前記ケイ素酸窒化物は、例えば以下の組成式：（ＥＡ＊1-t’’’Ｅｕt’’’）Ｓｉ2Ｏ2Ｎ2（式中、０＜ｔ’’’≦０．２、有利には０＜ｔ’’’≦０．１５、特に有利には０．０２≦ｔ’’’≦０．１５であり、かつＥＡ＊＝Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａおよび／またはＭｇである）を有し得る。有利には、（Ｓｒ1-t’’’-oＥＡ＊oＥｕt’’’）Ｓｉ2Ｏ2Ｎ2（式中、ＥＡ＊＝Ｂａ、Ｃａおよび／またはＭｇであり、かつ０≦ｏ＜０．５である）である。
赤色スペクトル領域におけるピーク波長を有する第２の蛍光体は、例えばニトリドシリケートまたはニトリドアルミネートであり得る。特に、前記ニトリドシリケートは、材料系（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｅｕ）2（Ｓｉ，Ａｌ）5（Ｎ，Ｏ）8、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｅｕ）ＡｌＳｉ（Ｎ，Ｏ）3、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｅｕ）ＡｌＳｉ（Ｎ，Ｏ）3・Ｓｉ2Ｎ2Ｏ、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｅｕ）2Ｓｉ5Ｎ8、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｅｕ）ＡｌＳｉＮ3およびそれらの組み合わせから選択され得る。該ニトリドアルミネートは、式ＭＬｉＡｌ3Ｎ4：Ｅｕ（式中、Ｍ＝Ｃａ、Ｓｒ）を有し得る。
さらに、前記第２の蛍光体は、赤色スペクトル領域におけるピーク波長を有する材料系から選択され得、該蛍光体は、特許出願の国際公開第２０１５／０５２２３８号パンフレット（ＷＯ２０１５／０５２２３８Ａ１）に記載されており、その開示内容は参照により全範囲が援用される。例えば、前記第２の蛍光体は、式Ｓｒ（Ｓｒ，Ｃａ）Ｓｉ2Ａｌ2Ｎ6：Ｅｕを有する。
赤色スペクトル領域におけるピーク波長を有する第２の蛍光体は、組成式Ａ2［ＳｉＦ6］：Ｍｎ4+（式中、Ａ＝Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｓｃである）、例えばＫ2ＳｉＦ6：Ｍｎ4+であってもよい。
赤色スペクトル領域におけるピーク波長を有する第２の蛍光体は、Ｍｇ4ＧｅＯ5.5Ｆ：Ｍｎであってもよい。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記照明装置、特に変換型ＬＥＤは、白色放射を放出するように調整されている。その場合に、該蛍光体は、式（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０≦ｒ≦０．０５、有利にはｒ＝０）を有する。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏであり、かつＥ＝Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂ、および／またはＭｎであり、有利にはＥ＝Ｅｕである。例えば、該蛍光体は、ＫＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕである。該蛍光体は、青色スペクトル領域から赤色スペクトル領域までの非常に広帯域に発光するので、白色の光印象を生ずる。その場合に有利には、前記変換エレメントが、該蛍光体からなるか、または該蛍光体およびマトリクス材料からなることが可能である。特に、この実施形態による変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤは、さらなる蛍光体を有しない。したがってそれにより、前記蛍光体は、単独の蛍光体として、前記変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤ中に存在し得る。該照明装置、特に変換型ＬＥＤは、高い効率および高い演色指数を有する。特に、この実施形態による照明装置、特に変換型ＬＥＤは、３５００Ｋ未満の、特に３０００Ｋ未満の色温度を有する温白色の放射を放出する。それにより、この照明装置、特にこの変換型ＬＥＤは、特に一般照明のために適している。
白色光の生成のために青色発光する半導体チップと赤色蛍光体および緑色蛍光体とを使用する公知の白色発光する変換型ＬＥＤと比較して、本明細書では、半導体チップの手間のかかるビニングを省くことができ、またはこれを少なくともより大きな許容差をもって実施することができる。人間の目によって知覚されないか、またはほとんど知覚されない一次放射（３００ｎｍ～４３０ｎｍまたは４４０ｎｍまで）を有する半導体チップを使用することができる。製造、温度、または順方向電流により引き起こされる一次放射のばらつきは、全放射特性に影響を及ぼさない。２種以上の蛍光体を使用するのに比べて、蛍光体の濃度の変動による色の適合は必要とされない。それというのも、１種の蛍光体だけによって発光スペクトルが生成され、そのため一定であるからである。変換型ＬＥＤは、こうして高いスループットで製造することができる。それというのも、色の適合または手間のかかるチップのビニングが必要とされないからである。１種だけの蛍光体の選択的な分解による色のシフト、または発光スペクトルへのその他の悪影響は生じない。用途に応じて、一次放射の部分変換も行うことができる。該蛍光体を３００ｎｍ～４３０ｎｍまたは４４０ｎｍの範囲の一次放射で励起することが可能であるので、一次放射、有利には電磁スペクトルの短波長の青色領域における一次放射が全放射に寄与することで、それにより照らされた物体はより白く、より鮮やかに、したがって魅力的に見えるようになる。それにより、例えばテキスタイル中の蛍光増白剤を励起することができる。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記照明装置、特に変換型ＬＥＤは、白色放射を放出するように調整されている。その場合に、該蛍光体は、式（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅまたは（ＮａrＫ1-r）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅを有し、式中、０．０５＜ｒ≦０．２、有利には０．１＜ｒ≦０．２であり、ここで、Ｅ＝Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂおよび／またはＭｎ、有利にはＥ＝Ｅｕである。例えば、該蛍光体は、Ｎａ0.125Ｋ0.875Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕである。該蛍光体は、広帯域に緑色スペクトル領域から赤色スペクトル領域までの発光を示すので、青色の一次放射および二次放射の重ね合わせによって白色の全放射を生ずる。その場合に有利には、前記変換エレメントが、該蛍光体からなるか、または該蛍光体およびマトリクス材料からなることが可能である。特に、この実施形態による変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤは、さらなる蛍光体を有しない。したがってそれにより、前記蛍光体は、単独の蛍光体として、前記変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤ中に存在し得る。したがって、複数の蛍光体を有する変換型ＬＥＤとは異なり、１種だけの蛍光体の選択的な分解による色のシフト、または発光スペクトルへのその他の悪影響は生じない。該照明装置、特に変換型ＬＥＤは、特に、さらなる赤色蛍光体が存在しないにもかかわらず、高い演色指数を有する。特に、この実施形態による照明装置、特に変換型ＬＥＤは、６５００Ｋを上回る、有利には８０００Ｋを上回る冷白色の放射を放出する。該色温度の最大値は、１００００Ｋであり得る。それにより、この照明装置、特にこの変換型ＬＥＤは、特に一般照明、例えばオフィス空間のための一般照明のために適している。一般照明における冷白色の全放射は、全放射中の高い青色成分によってメラトニンの産生を低下させ得るので、集中力を高めることができることが、研究により裏付けられている。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記照明装置、特に変換型発光ダイオードは、白色放射を放出するように調整されており、その際、該蛍光体は、式（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０．２＜ｒ≦０．４、有利には０．２＜ｒ≦０．３）、（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０≦ｒ’≦１、有利には０．２５≦ｒ’≦０．７５、特に有利には０．４≦ｒ’≦０．６）、（Ｋ1-r’’-r’’’Ｎａr’’Ｌｉr’’’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０＜ｒ’’＜０．５および０＜ｒ’’’＜０．５、有利には０．１＜ｒ’’＜０．４および０．１＜ｒ’’’＜０．４、特に有利には０．２＜ｒ’’＜０．３および０．２＜ｒ’’’＜０．３）、（Ｃｓ，Ｎａ，Ｋ，Ｌｉ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、有利には（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｋ0.25Ｌｉ0.25）（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅまたは（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０．４≦ｒ＊＜０．８７５、有利には０．４≦ｒ＊≦０．７５、特に有利には０．４≦ｒ＊≦０．６、殊に有利にはｒ＊＝０．５）を有する。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏである。特に有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、Ｅ＝Ｅｕ、およびＸＢ＝Ｏである。前記変換エレメントは、照明装置、特に変換型ＬＥＤの作動時に電磁的な一次放射を電磁スペクトルの赤色スペクトル領域にある電磁的な二次放射に部分的に変換するように調整されている少なくとも１種の第２の蛍光体を含む。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記蛍光体は、式（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０．２＜ｒ≦０．４、有利には０．２＜ｒ≦０．３、特に有利にはｒ＝０．２５）、（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０≦ｒ’≦１、有利には０．２５≦ｒ’≦０．７５、特に有利には０．４≦ｒ’≦０．６）、（Ｋ1-r’’-r’’’Ｎａr’’Ｌｉr’’’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０＜ｒ’’＜０．５および０＜ｒ’’’＜０．５、有利には０．１＜ｒ’’＜０．４および０．１＜ｒ’’’＜０．４、特に有利には０．２＜ｒ’’＜０．３および０．２＜ｒ’’’＜０．３）、（Ｃｓ，Ｎａ，Ｋ，Ｌｉ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、有利には（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｋ0.25Ｌｉ0.25）（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅまたは（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０．４≦ｒ＊＜０．８７５、有利には０．４≦ｒ＊≦０．７５、特に有利には０．４≦ｒ＊≦０．６、殊に有利にはｒ＊＝０．５）を有する。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏである。特に有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、Ｅ＝Ｅｕ、およびＸＢ＝Ｏである。該蛍光体のピーク波長は、有利には緑色スペクトル領域にあり、かつ５０ｎｍ未満の半値幅を有する。該変換エレメントは、照明装置の作動時に電磁的な一次放射を電磁スペクトルの赤色スペクトル領域にある電磁的な二次放射に部分的に変換するように調整されている第２の蛍光体を含む。前記変換エレメントが、該蛍光体および該第２の蛍光体からなるか、または該蛍光体、該第２の蛍光体、およびマトリクス材料からなることが可能である。特に、この実施形態による変換エレメントまたは変換型ＬＥＤは、さらなる蛍光体を有しない。したがってそれにより、前記蛍光体および前記第２の蛍光体は、単独の蛍光体として、前記変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤ中に存在し得る。前記一次放射と赤色スペクトル領域および緑色スペクトル領域における二次放射との重ね合わせにより、白色の光印象が引き起こされる。
有利には、この実施形態による照明装置、特に変換型ＬＥＤにより、特に大きな色のバンド幅を再現することができる。それにより、この実施形態による照明装置、特に変換型ＬＥＤは、特にディスプレイ等の表示エレメントのためのバックライト用途のために適している。
ＬＣＤディスプレイ（「液晶ディスプレイ」）およびその他のディスプレイの場合に、色は、原色の赤色、緑色、および青色によって再現される。ディスプレイで再現され得る色のバンド幅は、したがって赤色、緑色、および青色の広がったカラートライアングルによって制限される。これらの色は、バックライトに関するスペクトルから、赤色、緑色、および青色のカラーフィルタによって相応してフィルタされる。しかしながら、カラーフィルタを透過した放射の波長範囲は、依然として非常に広い。したがって、できる限り広い色空間をカバーするためには、非常に狭帯域の発光を有する、つまり緑色、青色、および赤色スペクトル領域において低い半値幅を有する光源が必要とされる。バックライト用途のための光源としては、主として、青色発光する半導体チップが、緑色スペクトル領域にピーク波長を有する蛍光体、および赤色スペクトル領域にピーク波長を有する蛍光体と組み合わされ、その際、それらの蛍光体は、できる限り低い発光の半値幅を有する。その場合に、理想的には発光ピークは、それぞれのカラーフィルタの透過領域と合同であるため、できる限り僅かな光しか失われず、最大効率が達成され、そして達成可能な色空間を制限する異なるカラーチャンネルのクロストークまたは重複が低減される。
本発明による蛍光体（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０．２＜ｒ≦０．４）、（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０≦ｒ’≦１）、（Ｋ1-r’’-r’’’Ｎａr’’Ｌｉr’’’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０＜ｒ’’＜０．５、および０＜ｒ’’’＜０．５）、（Ｃｓ，Ｎａ，Ｋ，Ｌｉ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、または（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０．４≦ｒ＊＜０．８７５）、例えば、（Ｒｂ0.5Ｌｉ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｎａ0.25Ｋ0.75）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｎａ0.25Ｋ0.50Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｋ0.25Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、または（Ｒｂ0.5Ｎａ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの低い半値幅によって、発光ピークは、標準的な緑色フィルタ（一般的に７０ｎｍ～１２０ｎｍの範囲の半値幅を有する）の透過領域と大きな重複を示すので、僅かな光しか失われず、かつ達成可能な色空間は大きい。特に、第２の蛍光体としては、低い半値幅を有する蛍光体、例えばＫ2ＳｉＦ6：Ｍｎ、Ｍｇ4ＧｅＯ5.5Ｆ：Ｍｎ、ＳｒＬｉＡｌ3Ｎ4：Ｅｕ、またはＳｒ（Ｓｒ，Ｃａ）Ｓｉ2Ａｌ2Ｎ6：Ｅｕが使用される。特に、低い半値幅を有する緑色蛍光体および赤色蛍光体の組み合わせは、大きな色空間のカバー率をもたらす。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記照明装置、特に変換型ＬＥＤは、白色放射を放出するように調整されている。その場合に、該蛍光体は、式（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅまたは（ＮａrＫ1-r）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅを有し、式中、０．０５＜ｒ≦０．２、有利には０．１＜ｒ≦０．２であり、ここで、Ｅ＝Ｅｕ、Ｃｅ、Ｙｂおよび／またはＭｎ、有利にはＥ＝Ｅｕである。例えば、該蛍光体は、Ｎａ0.125Ｋ0.875Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕである。該蛍光体は、有利には緑色スペクトル領域から赤色スペクトル領域までの広帯域で発光を示す。青色の一次放射と組み合わせると、全放射は、標準的な緑色フィルタ、赤色フィルタおよび青色フィルタの透過領域と非常に大きな重複を示すので、僅かな光しか失われず、達成可能な色空間は大きい。したがって有利には、前記変換エレメントが、該蛍光体からなるか、または該蛍光体およびマトリクス材料からなることが可能である。特に、この実施形態による変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤは、さらなる蛍光体を有しない。したがってそれにより、前記蛍光体は、単独の蛍光体として、前記変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤ中に存在し得る。それにより、この照明装置、特にこの変換型ＬＥＤは、特にバックライト用途のために適している。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記照明装置、特に変換型発光ダイオードは、緑色放射を放出するように調整されており、その際、該蛍光体は、式（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０．２＜ｒ≦０．４、有利には０．２＜ｒ≦０．３、特に有利にはｒ＝０．２５）、（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０≦ｒ’≦１、有利には０．２５≦ｒ’≦０．７５、特に有利には０．４≦ｒ’≦０．６）、（Ｋ1-r’’-r’’’Ｎａr’’Ｌｉr’’’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０＜ｒ’’＜０．５および０＜ｒ’’’＜０．５、有利には０．１＜ｒ’’＜０．４および０．１＜ｒ’’’＜０．４、特に有利には０．２＜ｒ’’＜０．３および０．２＜ｒ’’’＜０．３）、（Ｃｓ，Ｎａ，Ｋ，Ｌｉ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、有利には（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｋ0.25Ｌｉ0.25）（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅまたは（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０．４≦ｒ＊＜０．８７５、有利には０．４≦ｒ＊≦０．７５、特に有利には０．４≦ｒ＊≦０．６、殊に有利にはｒ＊＝０．５）を有する。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏである。特に有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、Ｅ＝Ｅｕ、およびＸＢ＝Ｏである。該蛍光体のピーク波長は、特に緑色スペクトル領域にあり、かつ５０ｎｍ未満の半値幅を有する。前記変換エレメントが、該蛍光体からなるか、または該蛍光体およびマトリクス材料からなることが可能である。特に、この実施形態による変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤは、さらなる蛍光体を有しない。したがってそれにより、前記蛍光体は、単独の蛍光体として、前記変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤ中に存在し得る。
緑色の波長領域で放射を放出する緑色発光ダイオードは、一方で、直接的に緑色発光する半導体チップによって、または半導体チップと緑色蛍光体とを有する変換型ＬＥＤの形で得ることができる。直接的に緑色発光する半導体チップは、非常に低い量子効率を示す。変換型ＬＥＤでは、その一次放射は、一方で完全に緑色の二次放射に変換され得（完全変換）、または他方では部分的にのみ緑色の二次放射に変換され得（部分変換）、その一次放射の残りの成分はフィルタによりフィルタされるので、該照明装置は、二次放射、特に緑色の二次放射のみ、またはほぼそれのみを放出する。
従来では、（Ｙ，Ｌｕ）3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12：Ｃｅ、オルトシリケート、またはオキソニトリドオルトシリケートが、緑色蛍光体として使用される。従来の変換型ＬＥＤは、しばしば低い効率および色度を有する。これらの欠点を回避するために、発光の適合のためにフィルタが使用される。しかしながら、それは変換型ＬＥＤの全性能に悪影響を及ぼす。
式（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０．２＜ｒ≦０．４）、（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０≦ｒ’≦１）、（Ｋ1-r’’-r’’’Ｎａr’’Ｌｉr’’’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０＜ｒ’’＜０．５、および０＜ｒ’’’＜０．５）、（Ｃｓ，Ｎａ，Ｋ，Ｌｉ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、有利には（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｋ0.25Ｌｉ0.25）（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、または（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０．４≦ｒ＊＜０．８７５）、例えば（Ｒｂ0.5Ｌｉ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｎａ0.25Ｋ0.75）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｎａ0.25Ｋ0.50Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｋ0.25Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、または（Ｒｂ0.5Ｎａ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの本発明による緑色蛍光体を有する照明装置、特に変換型ＬＥＤは、それに対して非常に効率的であり、カラーフィルタを使用せずとも高い色度および高い性能を示す。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記照明装置、特に変換型発光ダイオードは、白色放射を放出するように調整されている。前記蛍光体は、式（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅを有し、式中、０．４＜ｒ≦１、有利には０．４５＜ｒ≦１、殊に有利にはｒ＝０．５または１を有する。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏである。その一方で、前記蛍光体は、式（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０＜ｒ＊＜０．４、例えばｒ＊＝０．０５、０．１、０．１５、０．２、０．２５、０．３、０．３５、有利には０．１≦ｒ＊≦０．３５、特に有利には０．２≦ｒ＊≦０．３、殊に有利にはｒ＊＝０．２５）、または（Ｃｓ，Ｎａ，Ｒｂ，Ｌｉ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、（Ｃｓ，Ｎａ，Ｋ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、および（Ｒｂ，Ｎａ，Ｋ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅを有する。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏである。例えば、前記蛍光体は、式ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｒｂ0.25Ｎａ0.75）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｒｂ0.25Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｃｓ0.25Ｎａ0.5Ｋ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、または（Ｒｂ0.25Ｎａ0.5Ｋ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕを有する。該蛍光体のピーク波長は、有利には青色スペクトル領域、特に４５０ｎｍ～５００ｎｍの間の領域にある。前記変換エレメントは、第２の蛍光体および第３の蛍光体を含み、その際、前記第２の蛍光体は、電磁的な一次放射が、電磁スペクトルの赤色スペクトル領域にある電磁的な二次放射へと部分的に変換されるように調整されており、かつ前記第３の蛍光体は、照明装置の作動時に電磁的な一次放射が、電磁スペクトルの緑色スペクトル領域にある電磁的な二次放射へと変換されるように調整されている。前記変換エレメントが、該蛍光体、第２の蛍光体および第３の蛍光体から、または該蛍光体、該第２の蛍光体および第３の蛍光体、ならびにマトリクス材料からなることが可能である。特に、この実施形態による変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤは、さらなる蛍光体を有しない。したがってそれにより、前記蛍光体ならびに前記第２の蛍光体および第３の蛍光体は、単独の蛍光体として、前記変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤ中に存在し得る。青色スペクトル領域、赤色スペクトル領域および緑色スペクトル領域における二次放射の重ね合わせにより、白色の光印象が引き起こされる。この実施形態による照明装置、特に変換型ＬＥＤは、特に一般照明のために適している。
公知の白色発光する変換型ＬＥＤは、青色の一次放射を放出する半導体チップと、少なくとも１種の赤色蛍光体および緑色蛍光体とを使用している。青色の一次照射と赤色および緑色の二次放射との重ね合わせにより、白色光が生ずる。この解決策での欠点は、エピタキシャル成長された半導体チップ、例えばＧａＮまたはＩｎＧａＮをベースとする半導体チップが、放出される一次放射のピーク波長においてばらつきを有する場合があることである。そのことは、白色の全照射におけるばらつき、例えば色位置および演色性の変化をもたらす。それというのも、その一次放射が全照射に対する青色成分に寄与するからである。それは、特に１つの装置において複数の半導体チップを使用する場合に問題となる。ばらつきを抑えるために、該半導体チップは、その色位置に応じて選別されねばならない（「ビニング」）。放出される一次放射の波長に関する許容差が狭く設定されるほど、２つ以上の半導体チップからなる装置の品質はより一層高くなる。しかしまた、狭い許容差で選別されることにより、半導体チップのピーク波長は、可変の作動温度および順方向電流では大きく変化する。一般照明用途およびそれ以外の用途においては、そのことは光学的特性、例えば色位置および色温度の変化をもたらし得る。従来の解決策のためには、さらに電磁スペクトルの４５０ｎｍ～５００ｎｍの範囲において発光スペクトル中に、光を放出しないか、または非常に僅かしか光を放出しないスペクトルギャップが存在することが付け加わる。それは、参照光源と比較して演色指数が低下するという結果をもたらす。
蛍光体（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０．４＜ｒ≦１）、例えばＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０＜ｒ＊＜０．４）、（Ｃｓ，Ｎａ，Ｒｂ，Ｌｉ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、（Ｃｓ，Ｎａ，Ｋ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、または（Ｒｂ，Ｎａ，Ｋ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、または（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕは、３００ｎｍ～４４０ｎｍの一次放射で効率的に励起することができる。３００ｎｍ～４４０ｎｍの一次照射を有する、例えばＧａＩｎＮをベースとする半導体チップの組み合わせは、明らかにより広い温度範囲およびより大きい順方向電流に関する範囲にわたって安定である青色スペクトル領域における二次放射の放出をもたらす。３００ｎｍ～４４０ｎｍの一次放射は可視性でなくまたはほとんど可視性ではないので、一次放射源として種々の半導体チップを使用することができ、それにもかかわらず、変換型ＬＥＤの一定かつ安定な発光スペクトルを得ることができる。こうして、半導体チップの手間のかかる「ビニング」は回避または簡素化することができ、効率を高めることができる。４５０ｎｍおよび５００ｎｍの範囲における蛍光体のピーク波長によって、この領域における発光が高められる。それにより、有利には演色指数は高められ得る。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記照明装置、特に変換型発光ダイオードは、白色放射を放出するように調整されている。前記蛍光体は、式Ｎａ1-y*Ｃａy*Ｌｉ3-2y*Ａｌ3y*Ｓｉ1-y*Ｏ4-4y*Ｎ4y*：Ｅ（式中、０＜ｙ＊＜０．８７５、有利には０＜ｙ＊≦０．５、特に有利には０＜ｙ＊≦０．３、殊に有利には０＜ｙ＊≦０．１）、例えばＮａ0.97Ｃａ0.03Ｌｉ2.94Ａｌ0.09Ｓｉ0.97Ｏ3.88Ｎ0.12：Ｅｕを有する。該蛍光体のピーク波長は、有利には青色または緑色スペクトル領域に、特に４７０ｎｍから５６０ｎｍの間の範囲に、有利には４７０ｎｍから５２０ｎｍの範囲にある。前記変換エレメントは、特に、第２の蛍光体および第３の蛍光体を含み、その際、前記第２の蛍光体は、電磁的な一次放射が、電磁スペクトルの赤色スペクトル領域にある電磁的な二次放射へと部分的に変換されるように調整されており、かつ前記第３の蛍光体は、照明装置の作動時に電磁的な一次放射が、電磁スペクトルの緑色スペクトル領域にある電磁的な二次放射へと変換されるように調整されている。その場合に第３の蛍光体は、特に５２０ｎｍを上回るピーク波長を有する電磁的な二次放射を有する。前記変換エレメントが、該蛍光体、第２の蛍光体および第３の蛍光体から、または該蛍光体、該第２の蛍光体および第３の蛍光体、ならびにマトリクス材料からなることが可能である。特に、この実施形態による変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤは、さらなる蛍光体を有しない。したがってそれにより、前記蛍光体ならびに前記第２の蛍光体および第３の蛍光体は、単独の蛍光体として、前記変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤ中に存在し得る。二次放射との重ね合わせにより、白色の光印象が引き起こされる。蛍光体Ｎａ1-y*Ｃａy*Ｌｉ3-2y*Ａｌ3y*Ｓｉ1-y*Ｏ4-4y*Ｎ４y*：Ｅの使用により、電磁スペクトルの４５０ｎｍ～５００ｎｍの範囲の放射も放出される。標準的な蛍光体を使用する場合に、この場合にしばしば、全発光スペクトルにおいて、光を放出しないか、または非常に僅かしか光を放出しないスペクトルギャップが存在する。それにより、全放射は、特に電磁スペクトルの可視領域をほぼ連続的にカバーし、それにより全放射は、高い演色指数を有する。この実施形態による照明装置、特に変換型ＬＥＤは、特に一般照明のために適している。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記照明装置、特に変換型発光ダイオードは、白色放射を放出するように調整されている。前記蛍光体は、式Ｓｒ（Ｓｉ0.25Ａｌ-1/8+r**/2Ｌｉ7/8-r**/2）4（Ｏ1-r**Ｎr**）4：Ｅ（式中、０．２５≦ｒ＊＊≦１、有利には０．２５＜ｒ＊＊＜０．８７５、特に有利には０．４≦ｒ＊＊≦０．８）を有する。有利には、Ｅ＝Ｅｕである。該蛍光体のピーク波長は、有利には黄色スペクトル領域ないし赤色スペクトル領域にある。前記変換エレメントは、さらなる蛍光体を含んでよく、その際、二次放射および／または一次放射および二次放射の重ね合わせにより、白色の光印象が生ずる。蛍光体Ｓｒ（Ｓｉ0.25Ａｌ-1/8+r**/2Ｌｉ7/8-r**/2）4（Ｏ1-r**Ｎr**）4：Ｅのピーク波長は割合ｒ＊＊に応じて黄色ないし赤色スペクトル領域にあり得るので、白色光の生成のための変換型ＬＥＤ内のさらなる蛍光体の選択は、蛍光体Ｓｒ（Ｓｉ0.25Ａｌ-1/8+r**/2Ｌｉ7/8-r**/2）4（Ｏ1-r**Ｎr**）4：Ｅのピーク波長に依存する。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記照明装置、特に変換型発光ダイオードは、黄色ないし赤色スペクトル領域にある放射を放出するように調整されている。前記蛍光体は、式Ｎａ1-y**Ｅｕy**Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅｕを有し、式中、０＜ｙ＊＊≦１．０、有利には０＜ｙ＊＊＜０．８７５、または０＜ｙ＊＊＜０．５、特に有利には０．０５≦ｙ＊＊≦０．４５、殊に有利には０．１≦ｙ＊＊≦０．４、０．１５≦ｙ＊＊≦０．３５、または０．２≦ｙ＊＊≦０．３である。前記変換エレメントが、該蛍光体からなるか、または該蛍光体およびマトリクス材料からなることが可能である。特に、この実施形態による変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤは、さらなる蛍光体を有しない。したがってそれにより、前記蛍光体は、単独の蛍光体として、前記変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤ中に存在し得る。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記照明装置、特に変換型発光ダイオードは、黄色または黄橙色スペクトル領域にある放射を放出するように調整されている。前記蛍光体は、式Ｎａ1-y**Ｅｕy**Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅｕを有し、式中、０．１≦ｙ＊＊≦０．４、０．１５≦ｙ＊＊≦０．３５、または０．２≦ｙ＊＊≦０．３である。この実施形態の変換型発光ダイオードは、自動車における警告灯および点滅灯においてそれを使用するために特に適している。本発明者らは、この実施形態の変換型発光ダイオードの全放射の色位置が、欧州における自動車の点滅灯のためのＥＣＥ／ＵＮＥＣＥによって規定された色空間、および北米における自動車の点滅灯のためのＳＡＥによって規定された色空間にあることを示すことができた。
特に、前記電磁的な一次放射は、ほぼ完全に蛍光体Ｎａ1-y**Ｅｕy**Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅｕによって吸収され、電磁的な二次放射の形で放射される。前記実施形態による照明装置、特に変換型ＬＥＤの放出される放射または全放射は、したがってほぼ完全に電磁的な二次放射に相当する。
黄色または黄橙色の波長領域で放射を放出する黄色または黄橙色発光ダイオードは、一方で、直接的にこのスペクトル領域で発光するＩｎＧａＡｌＰをベースとする半導体チップによって、または半導体チップと黄色蛍光体とを有する変換型ＬＥＤによって得ることができる。しかしながら、直接的に黄色発光する半導体チップは、変換型ＬＥＤと比較して非常に低い量子効率を示す。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記照明装置、特に変換型発光ダイオードは、青色放射を放出するように調整されている。前記蛍光体は、式（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅを有し、式中、０．４＜ｒ≦１、有利には０．４５＜ｒ≦１、殊に有利にはｒ＝０．５を有する。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏである。その一方で、該蛍光体は、式（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０＜ｒ＊＜０．４、有利には０．１≦ｒ＊≦０．３５、特に有利には０．２≦ｒ＊≦０．３、殊に有利にはｒ＊＝０．２５）、または（Ｃｓ，Ｎａ，Ｒｂ，Ｌｉ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、（Ｃｓ，Ｎａ，Ｋ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、および（Ｒｂ，Ｎａ，Ｋ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅを有する。例えば、前記蛍光体は、式ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、または（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｒｂ0.25Ｎａ0.75）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、または（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｒｂ0.25Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｃｓ0.25Ｎａ0.5Ｋ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、または（Ｒｂ0.25Ｎａ0.5Ｋ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕを有する。これらの蛍光体のピーク波長は、青色スペクトル領域にある。前記変換エレメントが、該蛍光体からなるか、または該蛍光体およびマトリクス材料からなることが可能である。特に、この実施形態による変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤは、さらなる蛍光体を有さず、したがってそれにより、前記蛍光体は、単独の蛍光体として、前記変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤ中に存在し得る。有利には、この実施形態による照明装置、特に変換型ＬＥＤを用いて、電磁スペクトルの青色領域における、今まで達成できなかった多くの色位置を実現することが可能である。
この実施形態の照明装置、特に変換型ＬＥＤは、例えば、警察車両、救急車、緊急車両、または消防車の青色灯等の信号灯のために適している。これらの信号灯は、一方で非常に明るくなければならず、他方で規定の色位置範囲（通常は、４６５ｎｍから４８０ｎｍの間のドミナント波長にある）になければならないので、この用途のためにあらゆる青色光源が適しているわけではない。他方で、蛍光体（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０．４＜ｒ≦１）、特に（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕまたは（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０＜ｒ＊＜０．４）、特に（Ｒｂ0.25Ｎａ0.75）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕを有する照明装置、特に変換型ＬＥＤは、人間におけるメラトニン産生を抑えるために適している。同様に、このためには、（Ｃｓ，Ｎａ，Ｒｂ，Ｌｉ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、（Ｃｓ，Ｎａ，Ｋ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、および（Ｒｂ，Ｎａ，Ｋ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、例えば（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｒｂ0.25Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｃｓ0.25Ｎａ0.5Ｋ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、または（Ｒｂ0.25Ｎａ0.5Ｋ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕが適している。有利には、該蛍光体に関しては、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏが適用される。この実施形態の照明装置、特に変換型ＬＥＤは、それにより覚醒および／または集中力を高める目的のために使用することができる。例えば、前記照明装置は、時差ボケを迅速に克服するために寄与し得る。さらに、該蛍光体または該蛍光体を有する照明装置、特に変換型ＬＥＤは、「カラーオンデマンド」用途のために、すなわち消費者の要求に沿った青色の色位置を有する照明装置、特に変換型ＬＥＤのために、例えば規定の市場向けまたは製品向けの色を実現するために、例えば宣伝において、または自動車のインテリアのデザインにおいても適している。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記照明装置、特に変換型発光ダイオードは、青色放射または緑色放射を放出するように調整されている。前記蛍光体は、式Ｎａ1-y*Ｃａy*Ｌｉ3-2y*Ａｌ3y*Ｓｉ1-y*Ｏ4-4y*Ｎ4y*：Ｅ（式中、０＜ｙ＊＜０．８７５、有利には０＜ｙ＊≦０．５、特に有利には０＜ｙ＊≦０．３、殊に有利には０＜ｙ＊≦０．１）を有する。例えば、前記蛍光体は、式Ｎａ0.97Ｃａ0.03Ｌｉ2.94Ａｌ0.09Ｓｉ0.97Ｏ3.88Ｎ0.12：Ｅｕを有する。該蛍光体のピーク波長は、青色または緑色スペクトル領域にある。前記変換エレメントが、該蛍光体からなるか、または該蛍光体およびマトリクス材料からなることが可能である。特に、この実施形態による変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤは、さらなる蛍光体を有さず、したがってそれにより、前記蛍光体は、単独の蛍光体として、前記変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤ中に存在し得る。有利には、この実施形態による照明装置、特に変換型ＬＥＤを用いて、電磁スペクトルの緑色領域における多くの色位置を実現することが可能である。この実施形態の変換型発光ダイオードまたは照明装置は、特に、飽和した緑色発光が必要となる用途のために、例えば映像投影のために、例えば映画館、オフィスまたは家庭での映像投影、ヘッドアップディスプレイ、演色指数もしくは色温度を調整可能な光源のために、用途に適合されたスペクトルを有する光源、例えば店舗照明またはＦＣＩランプ（「目立ち指数」）のために適している。ＦＣＩランプは、特に高い色対比指数を有する白色光を生ずるように調整されている照明装置である。この実施形態の変換型発光ダイオードまたは照明装置は、有色スポットライト、壁付灯、または可動式ヘッドライトのために、特に舞台照明においても適している。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記照明装置、特に変換型発光ダイオードは、黄色放射ないし赤色放射を放出するように調整されている。前記蛍光体は、式Ｓｒ（Ｓｉ0.25Ａｌ-1/8+r**/2Ｌｉ7/8-r**/2）4（Ｏ1-r**Ｎr**）4：Ｅ（式中、０．２５≦ｒ＊＊≦１、有利には０．２５＜ｒ＊＊≦０．８７５、特に有利には０．４≦ｒ＊＊≦０．８）を有する。有利には、Ｅ＝Ｅｕである。例えば、該蛍光体は、式ＳｒＳｉＡｌ0.84Ｌｉ2.16Ｏ1.32Ｎ2.68：Ｅｕ2+を有する。特に、一次放射は、完全にまたはほぼ完全に該蛍光体によって二次放射に変換されるので、全放射は完全にまたはほぼ完全に二次放射に相当する。該蛍光体のピーク波長は、黄色スペクトル領域ないし赤色スペクトル領域にある。前記変換エレメントが、該蛍光体からなるか、または該蛍光体およびマトリクス材料からなることが可能である。特に、この実施形態による変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤは、さらなる蛍光体を有さず、したがってそれにより、前記蛍光体は、単独の蛍光体として、前記変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤ中に存在し得る。有利には、この実施形態による照明装置、特に変換型ＬＥＤを用いて、電磁スペクトルの黄色領域ないし赤色領域における多くの色位置を実現することが可能である。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記照明装置、特に変換型発光ダイオードは、白色放射を放出するように調整されている。前記蛍光体は、以下の一般組成式ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕを有し、式中、０＜ｘ＊＊≦１．０、有利には０＜ｘ＊＊＜０．８７５、特に有利には０．１２５≦ｘ＊＊＜０．８７５、または０．１２５≦ｘ＊＊≦０．５、殊に有利には０．１２５≦ｘ＊＊≦０．４５である。有利には、Ｅ＝Ｅｕである。その場合に有利には、前記変換エレメントが、該蛍光体からなるか、または該蛍光体およびマトリクス材料からなることが可能である。特に、この実施形態による変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤは、さらなる蛍光体を有しない。したがってそれにより、前記蛍光体は、単独の蛍光体として、前記変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤ中に存在し得る。全放射は、一次放射および二次放射から構成される。特に、この実施形態による照明装置、特に変換型ＬＥＤは、３６００Ｋ未満の、特に３４００Ｋ±１００Ｋの色温度を有する温白色の放射を放出する。有利には、全放射の色位置はプランク曲線に近くなり得る。それにより、この照明装置、特にこの変換型ＬＥＤは、特に一般照明、例えば住居のための一般照明のために適している。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記照明装置、特に変換型発光ダイオードは、緑色放射ないし赤色放射を放出するように調整されている。前記蛍光体は、式ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕを有し、式中、０＜ｘ＊＊≦１．０、有利には０＜ｘ＊＊＜０．８７５、特に有利には０．１２５≦ｘ＊＊＜０．８７５、または０．１２５≦ｘ＊＊≦０．５、殊に有利には０．１２５≦ｘ＊＊≦０．４５である。該蛍光体のピーク波長は、割合ｘ＊＊に応じて緑色スペクトル領域ないし赤色スペクトル領域にある。前記変換エレメントが、該蛍光体からなるか、または該蛍光体およびマトリクス材料からなることが可能である。特に、この実施形態による変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤは、さらなる蛍光体を有さず、したがってそれにより、前記蛍光体は、単独の蛍光体として、前記変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤ中に存在し得る。有利には、この実施形態による照明装置、特に変換型ＬＥＤを用いて、電磁スペクトルの緑色領域ないし赤色領域における多くの色位置を実現することが可能である。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記照明装置、特に変換型発光ダイオードは、白色放射を放出するように調整されている。該蛍光体は、以下の一般組成式：（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０．０５＜ｒ≦０．２、有利には０．１＜ｒ≦０．２）、特にＮａ0.125Ｋ0.875Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕを有する。その場合に有利には、前記変換エレメントが、該蛍光体からなるか、または該蛍光体およびマトリクス材料からなることが可能である。特に、この実施形態による変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤは、さらなる蛍光体を有しない。したがってそれにより、前記蛍光体は、単独の蛍光体として、前記変換エレメントまたは照明装置、特に変換型ＬＥＤ中に存在し得る。全放射は、一次放射および二次放射から構成される。特に、この実施形態による照明装置、特に変換型ＬＥＤは、８０００Ｋを上回る色温度を有する冷白色の放射を放出する。さらに、さらなる蛍光体を必要とすることなく、高い演色指数を達成することができる。それにより、この照明装置、特にこの変換型ＬＥＤは、特に一般照明、例えばオフィス空間のための一般照明のために適している。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記照明装置、特に変換型ＬＥＤは、一次放射および／または部分的に二次放射を吸収するフィルタまたはフィルタ粒子を有する。特に、該照明装置、特に変換型ＬＥＤは、該照明装置、特に該変換型ＬＥＤが表示エレメントのバックライトのために使用される場合に、一次放射および／または部分的に二次放射を吸収するフィルタまたはフィルタ粒子を有する。
１つの実施形態においては、前記フィルタは、赤色、緑色および青色のカラーフィルタ系である。
１つの実施形態においては、前記カラーフィルタ系は、赤色、緑色、青色について７０ｎｍ～１２０ｎｍの範囲の半値幅をそれぞれ有する。
該カラーフィルタ系は、有利には、全放射をフィルタして、第１の、第２の、および第３の透過スペクトルの光とする青色フィルタ、緑色フィルタ、および赤色フィルタを有する。
１つの実施形態においては、前記照明装置、特に変換型ＬＥＤの発光、およびカラーフィルタ系の透過は、極大値が同様の波長にあるように選択される。それにより、カラーフィルタ系では僅かな再吸収しか起こらない。
１つの実施形態においては、前記１種以上の蛍光体は、変換エレメント中に均一に分配されている。
１つの実施形態においては、前記１種以上の蛍光体は、濃度勾配をもって変換エレメント中に分配されている。
１つの実施形態においては、より短いピーク波長を有する蛍光体は、吸収損失を減らすために、より長いピーク波長を有する１種以上の蛍光体の後に配置される。
１つの実施形態においては、前記１種以上の蛍光体は、相応の蛍光体の粒子である。
蛍光体の粒子は、互いに独立して、１μｍから５０μｍの間の、有利には５μｍから４０μｍの間の、特に有利には８μｍから３５μｍの間の、殊に有利には８μｍから３０μｍの間の平均粒度を有し得る。これらの粒度によって、一次放射または二次放射は、これらの粒子で、有利には僅かにかつ／または主として順方向に制御されるため、効率損失は低下する。
１つの実施形態においては、前記変換エレメントは、１種の蛍光体およびマトリクス材料からなるか、または複数種の蛍光体およびマトリクス材料からなる。
１つの実施形態においては、前記変換エレメントは、小板として形成されている。
１つの実施形態においては、前記小板は、１μｍ～１ｍｍの、有利には１０μｍ～１５０μｍの、特に有利には２５μｍ～１００μｍの厚さを有する。
該小板全体の層厚は、均一であり得る。こうして、該小板の全面にわたって一定の色位置を達成することができる。
１つの実施形態においては、前記変換エレメントは、セラミック小板であり得る。それは、該小板が、１種以上の蛍光体の複数の粒子が一緒に焼結されたものからなると解釈される。
１つの実施形態においては、前記小板は、１種以上の蛍光体が包埋されているマトリクス材料、例えばガラスを含む。該小板は、マトリクス材料、例えばガラスおよび１種以上の蛍光体からなってもよい。小板のためのマトリクス材料としては、シリコーン、エポキシ樹脂、ポリシラザン、ポリメタクリレート、およびポリカーボネート、ならびにそれらの組み合わせも可能である。
１つの実施形態によれば、前記変換エレメントは、一次放射源または層列の上に配置されている小板として形成されている。
該変換エレメントは、小板として形成されて、一次放射源または層列の直上に取り付けられていてよい。該小板は、一次放射源または層列の全表面、特に放射放出面を完全に覆っていてもよい。
前記照明装置、特に変換型ＬＥＤは、ハウジングを有してよい。該ハウジングには真ん中に凹部が存在し得る。前記一次放射源または層列は、該凹部内に取り付けられていてよい。１つ以上のさらなる一次放射源または層列が該凹部内に取り付けられていてもよい。該凹部は、一次放射源または層列を覆う封止材で充填されていてもよい。しかしながら、前記凹部は、空気空間からなっていてもよい。
１つの実施形態においては、前記変換エレメントは、ハウジングの凹部の上部に配置されている。この実施形態では、特に、該変換エレメントと一次放射源または層列との直接的な接触および／または形状結合的接触は存在しない。すなわち、前記変換エレメントと一次放射源または層列との間には間隔が存在し得る。言い換えると、前記変換エレメントは、一次放射源または層列の後に配置されており、一次放射によって照射される。その際、前記変換エレメントおよび一次放射源または層列の間には封止材または空隙が形成されていてよい。この配置は、「リモートフォスファー変換」と呼ばれ得る。
１つの実施形態においては、前記変換エレメントは、一次放射源もしくは層列の封止材の一部であり、または前記変換エレメントは、封止材を形成する。
１つの実施形態においては、前記変換エレメントは、層として形成されている。該層は、一次放射源もしくは積層物の放射放出面を覆って、または一次放射源もしくは積層物の放射放出面および側面を覆って配置されていてよい。
照明装置、特に変換型ＬＥＤの使用が示される。前記照明装置および変換型ＬＥＤのすべての特徴は、それらの使用のためにも明らかであり、その逆も言える。
表示装置、特にディスプレイのバックライトのための照明装置、特に変換型ＬＥＤの使用が示される。例えば、それは、テレビのディスプレイ、例えば液晶ディスプレイ、コンピュータモニタ、タブレットまたはスマートフォンである。
表示エレメントのバックライトのためには、使用される照明装置、特に変換型ＬＥＤは、一方では高い明度を有さねばならず、他方で大きな色空間をカバーせねばならない。バックライトのための変換型ＬＥＤ中で使用される公知のフィルタ系は、３つまたは４つのカラーフィルタ（青色、緑色、および赤色、または青色、緑色、黄色、および赤色）からなる。該フィルタは、通常では一般的に７０ｎｍ～１２０ｎｍの範囲の半値幅を有する。透過が、３つのカラーフィルタの重ね合わせから生じ、それにより完全な透過が達成されない可視スペクトルの領域が生ずる。それにより、カラーフィルタを後方から照らす変換型ＬＥＤの広帯域のスペクトルの場合に、放出された光の成分は該フィルタにより吸収される。ディスプレイ平面に対して変換型ＬＥＤからの最大の光量を得るために、したがって狭帯域の蛍光体が必要となる。さらに高い色飽和を得るためには、変換型ＬＥＤの個々の発光が、スペクトル的にそれぞれできるだけカラーフィルタ系の１つの色にだけ応答することが重要である。
驚くべきことに、本発明による照明装置、特に変換型ＬＥＤは、ディスプレイのバックライトのために非常に適性が良い。特に、式（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０．２＜ｒ≦０．４、有利には０．２＜ｒ≦０．３、殊に有利にはｒ＝０．２５）、（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０≦ｒ’≦１、有利には０．２５≦ｒ’≦０．７５、特に有利には０．４≦ｒ’≦０．６）、（Ｋ1-r’’-r’’’Ｎａr’’Ｌｉr’’’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０＜ｒ’’＜０．５および０＜ｒ’’’＜０．５、有利には０．１＜ｒ’’＜０．４および０．１＜ｒ’’’＜０．４、特に有利には０．２＜ｒ’’＜０．３および０．２＜ｒ’’’＜０．３）、（Ｃｓ，Ｎａ，Ｋ，Ｌｉ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、有利には（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｋ0.25Ｌｉ0.25）（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅまたは（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０．４≦ｒ＊＜１．０、有利には０．４≦ｒ＊≦０．７５、特に有利には０．４≦ｒ＊≦０．６、殊に有利にはｒ＊＝０．５）の蛍光体を含む変換エレメントを有する照明装置、特に変換型ＬＥＤは、表示エレメントのバックライトのために特に適しているとみなされる。それというのも、該蛍光体のピーク波長は、電磁スペクトルの緑色スペクトル領域にあり、かつ５０ｎｍ未満の半値幅を有するからである。本発明による蛍光体の低い半値幅によって、発光ピークは、標準的な緑色フィルタの透過領域と非常に大きな重複を示すので、僅かな光しか失われず、達成可能な色空間は大きい。
蛍光体（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０．０５＜ｒ≦０．２、有利には０．１＜ｒ≦０．２）を有する変換エレメントを有する照明装置、特に変換型ＬＥＤは、ディスプレイのバックライトのためにも適している。
自動車における警告灯および点滅灯における照明装置、特に変換型ＬＥＤの使用が示される。前記照明装置、特に変換型発光ダイオードは、橙色放射または黄橙色放射を放出するように調整されている。好ましくは、前記蛍光体は、式Ｎａ1-y**Ｅｕy**Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅｕを有し、式中、０．１≦ｙ＊＊≦０．４、０．１５≦ｙ＊＊≦０．３５、または０．２≦ｙ＊＊≦０．３である。
メラトニン産生を低下させるための青色光源における、またはカラーオンデマンド用途のための照明装置、特に変換型ＬＥＤの使用が示される。前記照明装置、特に変換型発光ダイオードは、青色放射を放出するように調整されている。有利には、前記蛍光体は、式（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅを有し、式中、０．４＜ｒ≦１、有利には０．４５＜ｒ≦１、殊に有利にはｒ＝０．５である。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏである。例えば、前記蛍光体は、式（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕを有する。その一方で、該蛍光体は、式（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０＜ｒ＊＜０．４、有利には０．１≦ｒ＊≦０．３５、特に有利には０．２≦ｒ＊≦０．３、殊に有利にはｒ＊＝０．２５）を有する。例えば、前記蛍光体は、式（Ｒｂ0.25Ｎａ0.75）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕを有する。その一方で、該蛍光体は、式（Ｃｓ，Ｎａ，Ｒｂ，Ｌｉ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、（Ｃｓ，Ｎａ，Ｋ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、または（Ｒｂ，Ｎａ，Ｋ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、例えば（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｒｂ0.25Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｃｓ0.25Ｎａ0.5Ｋ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、または（Ｒｂ0.25Ｎａ0.5Ｋ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕを有する。該蛍光体のピーク波長は、青色スペクトル領域にある。
メラトニン産生の低下によって、覚醒および／または集中力を高めることができる。
一般照明のための照明装置、特に変換型ＬＥＤの使用が示される。前記照明装置、特に変換型発光ダイオードは、白色放射を放出するように調整されている。特に、それは、３５００Ｋ未満、有利には３０００Ｋ未満の色温度を有する温白色の放射である。
一般照明のためには、その場合に該蛍光体は、例えば、式（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０≦ｒ≦０．０５、有利にはｒ＝０）を有する。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏである。例えば、該蛍光体は、ＫＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕである。該蛍光体は、青色スペクトル領域から赤色スペクトル領域までの非常に広帯域に発光するので、白色の光印象を生ずる。この実施形態による照明装置、特に変換型ＬＥＤは、３５００Ｋ未満の、特に３０００Ｋ未満の色温度を有する温白色の放射を放出する。
一般照明のためには、前記蛍光体は、以下の式（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅを有し、式中、０．４＜ｒ≦１、有利には０．４５＜ｒ≦１、殊に有利にはｒ＝０．５または１である。有利には、ＴＡ＝Ｌｉ、ＴＤ＝Ｓｉ、およびＸＢ＝Ｏである。例えば、前記蛍光体は、式ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、または（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕを有する。その一方で、該蛍光体は、式（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０＜ｒ＊＜０．４、有利には０．１≦ｒ＊≦０．３５、特に有利には０．２≦ｒ＊≦０．３、殊に有利にはｒ＊＝０．２５）を有し得る。例えば、前記蛍光体は、式（Ｒｂ0.25Ｎａ0.75）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕを有する。その一方で、該蛍光体は、式（Ｃｓ，Ｎａ，Ｒｂ，Ｌｉ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、（Ｃｓ，Ｎａ，Ｋ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、または（Ｒｂ，Ｎａ，Ｋ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、例えば（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｒｂ0.25Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｃｓ0.25Ｎａ0.5Ｋ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、または（Ｒｂ0.25Ｎａ0.5Ｋ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕを有する。該蛍光体のピーク波長は、有利には青色スペクトル領域、特に４５０ｎｍ～５００ｎｍの間の領域にある。前記変換エレメントは、第２の蛍光体および第３の蛍光体を含み、その際、前記第２の蛍光体は、電磁的な一次放射が、赤色スペクトル領域にある電磁的な二次放射へと部分的に変換されるように調整されており、かつ前記第３の蛍光体は、照明装置の作動時に電磁的な一次放射が、緑色スペクトル領域にある電磁的な二次放射へと変換されるように調整されている。
一般照明のためには、前記蛍光体は、以下の式Ｎａ1-y*Ｃａy*Ｌｉ3-2y*Ａｌ3y*Ｓｉ1-y*Ｏ4-4y*Ｎ4y*：Ｅ（式中、０＜ｙ＊≦０．８７５、有利には０＜ｙ＊≦０．５、特に有利には０＜ｙ＊≦０．３、殊に有利には０＜ｙ＊≦０．１）も有し得る。該蛍光体のピーク波長は、有利には青色または緑色スペクトル領域にある。前記変換エレメントは、第２の蛍光体および第３の蛍光体を含み、その際、前記第２の蛍光体は、電磁的な一次放射が、赤色スペクトル領域にある電磁的な二次放射へと部分的に変換されるように調整されており、かつ前記第３の蛍光体は、照明装置の作動時に電磁的な一次放射が、緑色スペクトル領域にある電磁的な二次放射へと変換されるように調整されている。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記表示装置は、ディスプレイ、例えばテレビ、スマートフォン、コンピュータスクリーン、またはタブレットのディスプレイである。
少なくとも１つの実施形態によれば、前記照明装置、特に変換型ＬＥＤは、式（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０．２＜ｒ≦０．４、有利には０．２＜ｒ≦０．３、特に有利にはｒ＝０．２５）、または（Ｒｂr’Ｌｉ1-r’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０≦ｒ’≦１、有利には０．２５≦ｒ’≦０．７５、特に有利には０．４≦ｒ’≦０．６、殊に有利にはｒ’＝０．５）、（Ｋ1-r’’-r’’’Ｎａr’’Ｌｉr’’’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０＜ｒ’’＜０．５および０＜ｒ’’’＜０．５、有利には０．１＜ｒ’’＜０．４および０．１＜ｒ’’’＜０．４、特に有利には０．２＜ｒ’’＜０．３および０．２＜ｒ’’’＜０．３）、（Ｃｓ，Ｎａ，Ｋ，Ｌｉ）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、有利には（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｋ0.25Ｌｉ0.25）（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅまたは（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ（式中、０．４≦ｒ＊＜１．０、有利には０．４≦ｒ＊≦０．７５、特に有利には０．４≦ｒ＊≦０．６、殊に有利にはｒ＊＝０．５）の蛍光体を含む変換エレメントを有する。該変換エレメントは、照明装置の作動時に電磁的な一次放射を電磁スペクトルの赤色スペクトル領域にある電磁的な二次放射に部分的に変換するように調整されている第２の蛍光体を含む。
実施例
本発明による蛍光体の第１の実施例（ＡＢ１）は、組成式ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+（Ｎａの物質量に対して２ｍｏｌ％のＥｕ2+）を有し、以下のように製造される：Ｎａ2ＣＯ3、Ｌｉ2ＣＯ3、ＳｉＯ2、およびＥｕ2Ｏ3を、前記組成式に相当する化学量論比で開放したニッケル坩堝中で溶融させる。出発物質の秤量分を、以下の第１表に示す。混合された出発物質を含むニッケル坩堝を、フォーミングガス雰囲気（Ｎ2：Ｈ2＝９２．５：７．５）下で約１０００℃に１時間にわたり加熱し、引き続き冷却した。同じフォーミングガス雰囲気下で、蛍光体の融点未満の温度へとさらに加熱を実施することで、蛍光体の光学的特性をさらに改善することができる。
第１表：
Figure 0007177898000002
前記蛍光体の出発物質は、市販されており、安定であり、さらに非常に廉価である。比較的低い温度での簡単な合成により、前記蛍光体はその製造の点で非常に廉価なものとなり、それにより経済的に魅力的なものとなる。
第１の実施例（ＡＢ１）の蛍光体は、電磁スペクトルの青色スペクトル領域において発光を示す。
本発明による蛍光体の第２の実施例（ＡＢ２）は、組成式ＫＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+（Ｋの物質量に対して２ｍｏｌ％のＥｕ2+）を有し、以下のように製造される：Ｋ2ＣＯ3、Ｌｉ2ＣＯ3、ＳｉＯ2、およびＥｕ2Ｏ3を、前記組成式に相当する化学量論比で開放したニッケル坩堝中で溶融させる。出発物質の秤量分を、以下の第２表に示す。混合された出発物質を含むニッケル坩堝を、フォーミングガス雰囲気（Ｎ2：Ｈ2＝９２．５：７．５）下で約１０００℃に１時間にわたり加熱し、引き続き冷却した。同じフォーミングガス雰囲気下で、蛍光体の融点未満の温度へとさらに加熱を実施することで、蛍光体の光学的特性をさらに改善することができる。
第２表：
Figure 0007177898000003
第２の実施例（ＡＢ２）の蛍光体は、電磁スペクトルの青色スペクトル領域から赤色スペクトル領域までの広い発光を示し、それにより３５００Ｋ未満の色温度を有する白色の、特に温白色の放射を放出する。
本発明による蛍光体の第３の実施例（ＡＢ３）は、組成式（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+（ＮａおよびＫの物質量に対して２ｍｏｌ％のＥｕ2+）またはＮａＫＬｉ6Ｓｉ2Ｏ8：Ｅｕ2+を有し、以下のように製造される：Ｋ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、Ｌｉ2ＣＯ3、ＳｉＯ2、およびＥｕ2Ｏ3を、前記組成式に相当する化学量論比で開放したニッケル坩堝中で溶融させる。出発物質の秤量分を、以下の第３表に示す。混合された出発物質を含むニッケル坩堝を、フォーミングガス雰囲気（Ｎ2：Ｈ2＝９２．５：７．５）下で８００℃～１１００℃に１時間～８時間にわたり加熱し、引き続き冷却した。同じフォーミングガス雰囲気下で、蛍光体の融点未満の温度へとさらに加熱を実施することで、蛍光体の光学的特性をさらに改善することができる。
第３表：
Figure 0007177898000004
第３の実施例（ＡＢ３）の蛍光体は、電磁スペクトルの青色スペクトル領域において発光を示す。
本発明による蛍光体の第４の実施例（ＡＢ４）は、組成式（Ｎａ0.25Ｋ0.75）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+（ＮａおよびＫの物質量に対して２ｍｏｌ％のＥｕ2+）またはＮａＫ3Ｌｉ12Ｓｉ4Ｏ16：Ｅｕ2+を有し、以下のように製造される：Ｋ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、Ｌｉ2ＣＯ3、ＳｉＯ2、およびＥｕ2Ｏ3を、前記組成式に相当する化学量論比で開放したニッケル坩堝中で混合する。出発物質の秤量分を、以下の第４表に示す。混合された出発物質を含むニッケル坩堝を、フォーミングガス雰囲気（Ｎ2：Ｈ2＝９２．５：７．５）下で９００℃～１１００℃に４時間にわたり加熱し、引き続き冷却した。同じフォーミングガス雰囲気下で、蛍光体の融点未満の温度へとさらに加熱を実施することで、蛍光体の光学的特性をさらに改善することができる。
第４表：
Figure 0007177898000005
第４の実施例（ＡＢ４）の蛍光体は、電磁スペクトルの緑色スペクトル領域において発光を示す。
本発明による蛍光体の第５の実施例（ＡＢ５）は、組成式（Ｒｂ0.5Ｌｉ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+（（Ｒｂ0.5Ｌｉ0.5）の物質量に対して２ｍｏｌ％のＥｕ2+）またはＲｂＬｉＬｉ6Ｓｉ2Ｏ8：Ｅｕ2+を有し、以下のように製造される：Ｒｂ2ＣＯ3、Ｌｉ2ＣＯ3、ＳｉＯ2、およびＥｕ2Ｏ3を、前記組成式に相当する化学量論比で開放したニッケル坩堝中で混合する。出発物質の秤量分を、以下の第５表に示す。混合された出発物質を含むニッケル坩堝を、フォーミングガス雰囲気（Ｎ2：Ｈ2＝９２．５：７．５）下で約１０００℃に４時間にわたり加熱し、引き続き冷却した。引き続き、得られた生成物を粉砕し、緑色の粉体が得られる。
同じフォーミングガス雰囲気下で、蛍光体の融点未満の温度へとさらに加熱を実施することで、蛍光体の光学的特性をさらに改善することができる。
第５表：
Figure 0007177898000006
第５の実施例（ＡＢ５）の蛍光体は、電磁スペクトルの緑色スペクトル領域において発光を示す。
本発明による蛍光体の第６の実施例（ＡＢ６）は、組成式Ｎａ1-y*Ｃａy*Ｌｉ3-2y*Ａｌ3y*Ｓｉ1-y*Ｏ4-4y*Ｎ4y*：Ｅｕ（式中、ｙ＊＝０．０３、ＮａおよびＣａの物質量に対して約２ｍｏｌ％のＥｕ2+）を有し、以下のように製造される：ＣａＯ、ＮａＦ、ＮｉＮ3、Ｌｉ2Ｏ、ＬｉＡｌＨ4、ＡｌＦ3、ＳｉＯ2、およびＥｕＦ3を、前記組成式に相当する化学量論比で溶接で閉じられたタンタル製アンプル中で最高９５０℃に加熱する。加熱または焼成過程の間に、前記アンプルは、アンプルの酸化（安定性の低下）、ひいては加熱時の蒸発した出発物質の蒸気圧に起因する破裂を避けるために、真空のガラス管中にある。室温に冷却した後に、蛍光体の個々の結晶を副生成物から単離し、構造的かつ光学的に調査され得る。出発物質の秤量分を、以下の第６表に示す。
第６表：
Figure 0007177898000007
比較的低い温度での合成により、前記蛍光体はその製造の点で非常に廉価なものとなり、それにより経済的に魅力的なものとなる。該蛍光体の単結晶のエネルギー分散型Ｘ線分析法によって、ＮａおよびＣａの全物質量に対して３ｍｏｌ％の平均Ｃａ割合、および窒素および酸素の全物質量に対して３ｍｏｌ％の窒素割合が測定されたので、Ｎａ0.97Ｃａ0.03Ｌｉ2.94Ａｌ0.09Ｓｉ0.97Ｏ3.88Ｎ0.12：Ｅｕと一致している。
第６の実施例（ＡＢ６）の蛍光体は、電磁スペクトルの青緑色スペクトル領域において発光を示す。
本発明による蛍光体の第７の実施例（ＡＢ７）は、組成式（Ｎａ0.25Ｋ0.5Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+またはＮａＫ2Ｌｉ（Ｌｉ3ＳｉＯ4）4：Ｅｕ2+を有し、以下のように製造される：Ｋ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、Ｌｉ2ＣＯ3、ＳｉＯ2、およびＥｕ2Ｏ3を、前記組成式に相当する化学量論比で開放したニッケル坩堝中で混合する。出発物質の秤量分を、以下の第７表に示す。混合された出発物質を含むニッケル坩堝を、フォーミングガス雰囲気（Ｎ2：Ｈ2＝９２．５：７．５）下で７５０℃に４時間にわたり加熱し、引き続き冷却した。同じフォーミングガス雰囲気下で、蛍光体の融点未満の温度へとさらに加熱を実施することで、蛍光体の光学的特性をさらに改善することができる。冷却した後に、明るい緑色の結晶の凝集物が得られ、それを、例えばメノー乳鉢中で粉砕することにより個々の結晶に引き離す。
第７表：
Figure 0007177898000008
第７の実施例（ＡＢ７）の蛍光体は、電磁スペクトルの緑色スペクトル領域において発光を示す。単結晶回折法によって、前記蛍光体に組成式（Ｎａ0.25Ｋ0.50Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を割り当てることができる。
本発明による蛍光体の第８の実施例（ＡＢ８）は、組成式（Ｒｂ0.5Ｎａ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+またはＲｂＮａＬｉ6Ｓｉ2Ｏ8：Ｅｕ2+を有し、以下のように製造される：Ｒｂ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、Ｌｉ2ＣＯ3、ＳｉＯ2、およびＥｕ2Ｏ3を、前記組成式に相当する化学量論比で開放したニッケル坩堝中で混合する。出発物質の秤量分を、以下の第８表に示す。混合された出発物質を含むニッケル坩堝を、フォーミングガス雰囲気（Ｎ2：Ｈ2＝９２．５：７．５）下で７００℃～１０００℃の間の温度に１時間～８時間にわたり加熱し、引き続き冷却した。引き続き、得られた生成物を粉砕し、緑色の粉体が得られる。
同じフォーミングガス雰囲気下で、蛍光体の融点未満の温度へとさらに加熱を実施することで、蛍光体の光学的特性をさらに改善することができる。
第８表：
Figure 0007177898000009
第８の実施例（ＡＢ８）の蛍光体は、電磁スペクトルの緑色スペクトル領域において発光を示す。
本発明による蛍光体の第９の実施例（ＡＢ９）は、組成式（Ｒｂ0.25Ｎａ0.75）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+またはＲｂＮａ3Ｌｉ12Ｓｉ4Ｏ16：Ｅｕ2+を有し、以下のように製造される：Ｒｂ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、Ｌｉ2ＣＯ3、ＳｉＯ2、およびＥｕ2Ｏ3を、前記組成式に相当する化学量論比で開放したニッケル坩堝中で混合する。出発物質の秤量分を、以下の第９表に示す。混合された出発物質を含むニッケル坩堝を、フォーミングガス雰囲気（Ｎ2：Ｈ2＝９２．５：７．５）下で７００℃～１０００℃の間の温度に１時間～８時間にわたり加熱し、引き続き冷却した。引き続き、得られた生成物を粉砕し、緑色の粉体が得られる。
同じフォーミングガス雰囲気下で、蛍光体の融点未満の温度へとさらに加熱を実施することで、蛍光体の光学的特性をさらに改善することができる。
第９表：
Figure 0007177898000010
第９の実施例（ＡＢ９）の蛍光体は、電磁スペクトルの青色スペクトル領域において発光を示す。
本発明による蛍光体の第１０の実施例（ＡＢ１０）は、組成式Ｓｒ（Ｓｉ0.25Ａｌ-1/8+r**/2Ｌｉ7/8-r**/2）4（Ｏ1-r**Ｎr**）4（式中、ｒ＊＊＝０．６７）、したがってＳｒＳｉＡｌ0.84Ｌｉ2.16Ｏ1.32Ｎ2.68：Ｅｕ2+を有し、以下のように製造される：ＮａＬｉ3ＳｉＯ4、ＳｒＯ、ＬｉＡｌＨ4、およびＥｕ2Ｏ3を、開放したニッケル坩堝中で混合する。出発物質の秤量分を、以下の第１０表に示す。混合された出発物質を含むニッケル坩堝を、フォーミングガス雰囲気（Ｎ2：Ｈ2＝９２．５：７．５）下で８００℃～１０００℃の間、有利には９００℃の温度に１時間～８時間、有利には２時間～６時間、殊に有利には４時間にわたり管状炉内で加熱し、引き続き冷却した。
同じフォーミングガス雰囲気下で、蛍光体の融点未満の温度へとさらに加熱を実施することで、蛍光体の光学的特性をさらに改善することができる。
第１０表：
Figure 0007177898000011
第１０の実施例（ＡＢ１０）の蛍光体は、電磁スペクトルの黄色または黄橙色スペクトル領域において発光を示す。第１０の実施例の組成は、単結晶のエネルギー分散型Ｘ線分析法および単結晶回折法によって測定した。
本発明による蛍光体の第１１の実施例（ＡＢ１１）は、組成式Ｎａ1-y**Ｅｕy*Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅｕ（式中、ｙ＊＊＝０．２２２４）を有し、以下のように製造される：ＣａＯ、ＬｉＦ、ＬｉＮ3、Ｌｉ2Ｏ、ＬｉＡｌＨ4、ＳｉＯ2、およびＥｕＦ3を、溶接で閉じられたタンタル製アンプル中で最高９００℃に加熱する。加熱または焼成過程の間に、前記アンプルは、アンプルの酸化（安定性の低下）、ひいては加熱時の蒸発した出発物質の蒸気圧に起因する破裂を避けるために、真空のガラス管中にある。室温に冷却した後に、蛍光体の個々の橙色の結晶を副生成物から単離し、構造的かつ光学的に調査され得る。出発物質の秤量分を、以下の第１１表に示す。
第１１表：
Figure 0007177898000012
第１１の実施例（ＡＢ１１）の蛍光体は、電磁スペクトルの黄橙色スペクトル領域において発光を示す。
本発明による蛍光体の第１２の実施例（ＡＢ１２）は、組成式ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ（式中、ｘ＊＊＝０．２０１４）を有し、以下のように製造される：ＳｒＡｌ2Ｏ4：ＥｕおよびＬｉＮ3を、溶接で閉じられたタンタル製アンプル中で最高９００℃に加熱する。加熱または焼成過程の間に、前記アンプルは、アンプルの酸化（安定性の低下）、ひいては加熱時の蒸発した出発物質の蒸気圧に起因する破裂を避けるために、真空のガラス管中にある。室温に冷却した後に、蛍光体の個々の黄色／緑色の結晶を副生成物から単離し、構造的かつ光学的に調査され得る。出発物質の秤量分を、以下の第１２表に示す。
第１２表：
Figure 0007177898000013
該蛍光体は、１０００℃未満の比較的低い温度で製造することができるので、費用を削減した合成が可能となる。
第１２の実施例（ＡＢ１２）の蛍光体は、電磁スペクトルの緑色ないし黄色スペクトル領域において発光を示す。
組成式ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕを有する蛍光体のさらなる実施例は、以下の第１３表による出発物質を、開放したニッケル坩堝中で混合することにより製造される。混合された出発物質を含むニッケル坩堝を、フォーミングガス雰囲気（Ｎ2：Ｈ2＝９２．５：７．５）下で８００℃～１２００℃の間、有利には９００℃の温度に１２時間まで、有利には４時間～８時間にわたり大気圧または軽い減圧下で管状炉内で加熱し、引き続き冷却した。室温に冷却した後に、個々の黄色／緑色の結晶を単離することができる。
第１３表：
Figure 0007177898000014
Figure 0007177898000015
Figure 0007177898000016
本発明による蛍光体の第１３の実施例（ＡＢ１３）は、組成式（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｋ0.25Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を有し、第８の実施例と同様に製造される。出発物質は、以下の第１４表に示されている。
第１４表：
Figure 0007177898000017
第１３の実施例（ＡＢ１３）の蛍光体は、電磁スペクトルの緑色スペクトル領域において発光を示す。
本発明による蛍光体の第１４の実施例（ＡＢ１４）は、組成式（Ｃｓ0.25Ｎａ0.50Ｋ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を有し、第８の実施例と同様に製造される。出発物質は、以下の第１５表に示されている。
第１５表：
Figure 0007177898000018
第１４の実施例（ＡＢ１４）の蛍光体は、電磁スペクトルの青色スペクトル領域において発光を示す。
本発明による蛍光体の第１５の実施例（ＡＢ１５）は、組成式（Ｒｂ0.25Ｎａ0.50Ｋ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を有し、第８の実施例と同様に製造される。出発物質は、以下の第１６表に示されている。
第１６表：
Figure 0007177898000019
第１５の実施例（ＡＢ１５）の蛍光体は、電磁スペクトルの青色スペクトル領域において発光を示す。
本発明による蛍光体の第１６の実施例（ＡＢ１６）は、組成式（Ｒｂ0.25Ｎａ0.25Ｃｓ0.25Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を有し、第８の実施例と同様に製造される。出発物質は、以下の第１７表に示されている。
第１７表：
Figure 0007177898000020
第１６の実施例（ＡＢ１６）の蛍光体は、電磁スペクトルの青色スペクトル領域において発光を示す。
本発明による蛍光体の第１７の実施例（ＡＢ１７）は、組成式（Ｎａ0.125Ｋ0.875）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+またはＮａＫ7（Ｌｉ3ＳｉＯ4）8：Ｅｕ2+を有し、以下のように製造される：Ｋ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、Ｌｉ2ＣＯ3、ＳｉＯ2、およびＥｕ2Ｏ3を、前記組成式に相当する化学量論比で開放したニッケル坩堝中で混合する。出発物質の秤量分を、以下の第１８表に示す。混合された出発物質を含むニッケル坩堝を、フォーミングガス雰囲気（Ｎ2：Ｈ2＝９２．５：７．５）下で１０００℃に４時間にわたり加熱し、引き続き一定の冷却速度で３００℃に冷却した。炉を止め、室温に冷却した後に、黄緑色の単結晶が単離される。
第１８表：
Figure 0007177898000021
第１７の実施例（ＡＢ１７）の蛍光体は、電磁スペクトルの青緑色スペクトル領域および黄橙色スペクトル領域において発光を示す。
本発明のさらなる有利な実施形態および実施態様は、以下で図面と関連付けて記載される実施例から明らかである。
置換実験からの可能な電気的中性な組成式の選択を示す。 置換実験からの可能な電気的中性な組成式の選択を示す。 置換実験からの可能な電気的中性な組成式の選択を示す。 置換実験からの可能な電気的中性な組成式の選択を示す。 置換実験からの可能な電気的中性な組成式の選択を示す。 置換実験からの可能な電気的中性な組成式の選択を示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 本発明による蛍光体の実施例についてのクベルカ－ムンク関数を示す。 本発明による蛍光体の実施例の光学的特性の比較例との比較を示す。 実施例の発光スペクトルの比較例との比較を示す。 実施例の発光スペクトルの比較例との比較を示す。 実施例のクベルカ－ムンク関数の比較例との比較を示す。 本発明による蛍光体の実施例についての結晶構造の一部を示す。 銅－Ｋα1線またはモリブデン－Ｋα1線を使用したＸ線回折粉末回折図を示す。 本発明による蛍光体の実施例のＸ線粉末回折図のリートベルト精密化を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 本発明による蛍光体の実施例についてのクベルカ－ムンク関数を示す。 本発明による蛍光体の実施例を有する変換型ＬＥＤの発光スペクトルの比較例との比較を示す。 本発明による蛍光体の実施例を有する変換型ＬＥＤの発光スペクトルの比較例との比較を示す。 本発明による蛍光体の実施例を有する変換型ＬＥＤの光学的特性の比較例との比較を示す。 本発明による蛍光体の実施例についての結晶構造の一部を示す。 銅－Ｋα1線またはモリブデン－Ｋα1線を使用したＸ線回折粉末回折図を示す。 本発明による蛍光体の実施例のＸ線粉末回折図のリートベルト精密化を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 本発明による蛍光体の実施例についてのクベルカ－ムンク関数を示す。 本発明による蛍光体の実施例についての結晶構造の一部を示す。 本発明による蛍光体の実施例のＸ線粉末回折図のリートベルト精密化を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 実施例の発光スペクトルの比較例およびメラトニン産生に関する感度曲線との比較を示す。 種々の蛍光体および種々の青色発光ＬＥＤの発光スペクトルとメラトニン産生に関する感度曲線との重ね合わせを示す。 ＣＩＥ標準表（１９３１）における種々の蛍光体の色位置を示す。 実施例の一次放射の種々のドミナント波長での色度の比較例との比較を示す。 実施例の一次放射の種々のドミナント波長での色度の比較例との比較を示す。 実施例の一次放射の種々のドミナント波長での色度の比較例との比較を示す。 種々の励起波長でシミュレートされたＬＥＤスペクトルを示す。 種々の励起波長でシミュレートされたＬＥＤスペクトルを示す。 種々の励起波長でシミュレートされたＬＥＤスペクトルを示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 本発明による蛍光体の実施例についてのクベルカ－ムンク関数を示す。 銅－Ｋα1線またはモリブデン－Ｋα1線を使用したＸ線回折粉末回折図を示す。 本発明による蛍光体の実施例のＸ線回折粉末回折図の反射位置および反射の相対強度を示す。 従来の蛍光体と比較した、本発明による蛍光体の実施例の熱消光挙動を示す。 本発明による蛍光体の実施例の光学的特性の比較例との比較を示す。 実施例の発光スペクトルの比較例との比較を示す。 緑色蛍光体および赤色蛍光体の種々の組み合わせによる色空間ｒｅｃ２０２０のカバー率を示す。 緑色蛍光体および赤色蛍光体の種々の組み合わせによる色空間ｒｅｃ２０２０のカバー率のグラフ図を示す。 緑色蛍光体および赤色蛍光体の種々の組み合わせによる色空間ｒｅｃ２０２０のカバー率のグラフ図を示す。 緑色蛍光体および赤色蛍光体の種々の組み合わせによる色空間ｒｅｃ２０２０のカバー率のグラフ図を示す。 緑色蛍光体および赤色蛍光体の種々の組み合わせによる色空間ｒｅｃ２０２０のカバー率のグラフ図を示す。 緑色蛍光体および赤色蛍光体の種々の組み合わせによる色空間ｒｅｃ２０２０のカバー率のグラフ図を示す。 緑色蛍光体および赤色蛍光体の種々の組み合わせによる色空間ｒｅｃ２０２０のカバー率のグラフ図を示す。 緑色蛍光体および赤色蛍光体の種々の組み合わせによる色空間ｒｅｃ２０２０のカバー率のグラフ図を示す。 緑色蛍光体および赤色蛍光体の種々の組み合わせによる色空間ｒｅｃ２０２０のカバー率のグラフ図を示す。 緑色蛍光体および赤色蛍光体の種々の組み合わせのフィルタされたスペクトルの種々の標準色空間および色位置のカバー率を示す。 緑色蛍光体および赤色蛍光体の種々の組み合わせのフィルタされたスペクトルの種々の標準色空間および色位置のカバー率を示す。 緑色蛍光体および赤色蛍光体の種々の組み合わせのフィルタされたスペクトルの種々の標準色空間および色位置のカバー率を示す。 緑色蛍光体および赤色蛍光体の種々の組み合わせによる一次放射λｄｏｍ＝４４８ｎｍでの励起に際してのフィルタされたスペクトルの広がった色空間を示す。 緑色蛍光体および赤色蛍光体の種々の組み合わせによる一次放射λｄｏｍ＝４４８ｎｍでの励起に際してのフィルタされたスペクトルの広がった色空間を示す。 緑色蛍光体および赤色蛍光体の種々の組み合わせによる一次放射λｄｏｍ＝４４８ｎｍでの励起に際してのフィルタされたスペクトルの広がった色空間を示す。 緑色蛍光体および赤色蛍光体の種々の組み合わせによる一次放射λｄｏｍ＝４４８ｎｍでの励起に際してのフィルタされたスペクトルの広がった色空間を示す。 緑色蛍光体および赤色蛍光体の種々の組み合わせを有する変換型ＬＥＤのシミュレートされた発光スペクトルを示す。 緑色蛍光体および赤色蛍光体の種々の組み合わせを有する変換型ＬＥＤのシミュレートされた発光スペクトルを示す。 緑色蛍光体および赤色蛍光体の種々の組み合わせを有する変換型ＬＥＤのシミュレートされた発光スペクトルを示す。 緑色蛍光体および赤色蛍光体の種々の組み合わせを有する変換型ＬＥＤのシミュレートされた発光スペクトルを示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 本発明による蛍光体の実施例についてのクベルカ－ムンク関数を示す。 銅－Ｋα1線またはモリブデン－Ｋα1線を使用したＸ線回折粉末回折図を示す。 本発明による蛍光体の実施例の光学的特性の比較例との比較を示す。 実施例の発光スペクトルの比較例との比較を示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 実施例の発光スペクトルの比較例との比較を示す。 本発明による蛍光体の実施例の光学的特性の比較例との比較を示す。 本発明による蛍光体の実施例についての結晶構造の一部を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 実施例の発光スペクトルの比較例との比較を示す。 本発明による蛍光体の実施例の光学的特性の比較例との比較を示す。 本発明による蛍光体の実施例についての結晶構造の一部を示す。 本発明による蛍光体の実施例についての結晶構造の一部を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 本発明による蛍光体の実施例についてのクベルカ－ムンク関数を示す。 実施例の発光スペクトルの比較例との比較を示す。 本発明による蛍光体の実施例の光学的特性の比較例との比較を示す。 従来の蛍光体と比較した、本発明による蛍光体の実施例の熱消光挙動を示す。 本発明による蛍光体の実施例についての結晶構造の一部を示す。 本発明による蛍光体の実施例のＸ線粉末回折図のリートベルト精密化を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 本発明による蛍光体の実施例についてのクベルカ－ムンク関数を示す。 実施例の発光スペクトルの比較例との比較を示す。 本発明による蛍光体の実施例の光学的特性の比較例との比較を示す。 本発明による蛍光体の実施例についての結晶構造の一部を示す。 本発明による蛍光体の実施例のＸ線粉末回折図のリートベルト精密化を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 従来の蛍光体と比較した、本発明による蛍光体の実施例の熱消光挙動を示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 本発明による蛍光体の実施例についてのクベルカ－ムンク関数を示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 実施例の光学的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例についての結晶構造の一部を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 銅－Ｋα1線またはモリブデン－Ｋα1線を使用したＸ線回折粉末回折図を示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 実施例の光学的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例についての結晶構造の一部を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 銅－Ｋα1線またはモリブデン－Ｋα1線を使用したＸ線回折粉末回折図を示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 実施例の光学的特性を示す。 ＣＩＥ標準表（１９３１）における種々の蛍光体の色位置を示す。 本発明による蛍光体の実施例の光学的特性の比較例との比較を示す。 実施例の発光スペクトルの比較例との比較を示す。 本発明による蛍光体の実施例の光学的特性の比較例との比較を示す。 本発明による蛍光体の実施例を有する変換型ＬＥＤの発光スペクトルの比較例との比較を示す。 本発明による蛍光体の実施例を有する変換型ＬＥＤの光学的特性の比較例との比較を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 本発明による蛍光体の実施例についてのクベルカ－ムンク関数を示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 本発明による蛍光体の実施例についてのクベルカ－ムンク関数を示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 本発明による蛍光体の実施例についてのクベルカ－ムンク関数を示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 本発明による蛍光体の実施例についてのクベルカ－ムンク関数を示す。 本発明による蛍光体の実施例についての結晶構造の一部を示す。 本発明による蛍光体の実施例についての結晶構造の一部を示す。 本発明による蛍光体の実施例についての結晶構造の一部を示す。 本発明による蛍光体の実施例についての結晶構造の一部を示す。 本発明による蛍光体の実施例のＸ線粉末回折図のリートベルト精密化を示す。 本発明による蛍光体の実施例のＸ線粉末回折図のリートベルト精密化を示す。 本発明による蛍光体の実施例のＸ線粉末回折図のリートベルト精密化を示す。 本発明による蛍光体の実施例のＸ線粉末回折図のリートベルト精密化を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 実施例の光学的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 実施例の光学的特性を示す。 ピーク波長の、単位格子の格子体積に対する依存性を示す。 ピーク波長の、単位格子の格子体積に対する依存性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例についての結晶構造の一部を示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 実施例の光学的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の発光スペクトルを示す。 本発明による蛍光体の実施例を有する変換型ＬＥＤの光学的特性の比較例との比較を示す。 ＣＩＥ標準表（１９３１）における種々の蛍光体の色位置を示す。 種々の励起波長でシミュレートされたＬＥＤスペクトルを示す。 本発明による蛍光体の実施例を有する変換型ＬＥＤの光学的特性の比較例との比較を示す。 種々の励起波長でシミュレートされたＬＥＤスペクトルを示す。 種々の変換型ＬＥＤのフィルタされた全放射の広がった色空間を示す。 種々の変換型ＬＥＤのフィルタされた全放射の広がった色空間を示す。 本発明による蛍光体の実施例についての結晶構造の一部を示す。 本発明による蛍光体の実施例についての結晶構造の一部を示す。 本発明による蛍光体の実施例についての結晶構造の一部を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 本発明による蛍光体の実施例の特徴的特性を示す。 銅－Ｋα1線またはモリブデン－Ｋα1線を使用したＸ線回折粉末回折図を示す。 本明細書で記載される変換型ＬＥＤの種々の実施形態の概略側面図を示す。 本明細書で記載される変換型ＬＥＤの種々の実施形態の概略側面図を示す。 本明細書で記載される変換型ＬＥＤの種々の実施形態の概略側面図を示す。
図１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、および１Ｆは、置換実験によって一般組成式（ＭＡ）a（ＭＢ）b（ＭＣ）c（ＭＤ）d（ＴＡ）e（ＴＢ）f（ＴＣ）g（ＴＤ）h（ＴＥ）i（ＴＦ）j（ＸＡ）k（ＸＢ）l（ＸＣ）m（ＸＤ）nと同様に得ることができる可能な電気的中性の蛍光体を含む表を示す。示された置換は、例示的なものにすぎず、その他の置換も同様に可能である。前記賦活剤Ｅは、それぞれ一般式においてのみ示されており、具体的な実施形態においては示されていないが、具体的な実施形態においても存在する。
図２においては、組成式ＮａＬｉ3ＳｉＯ4を有する本発明による蛍光体の第１の実施例ＡＢ１の発光スペクトルが示されている。ｘ軸にはナノメートルで波長がプロットされており、ｙ軸にはパーセントで発光強度がプロットされている。発光スペクトルの測定のために、本発明による蛍光体は、４００ｎｍの波長の一次放射により励起された。該蛍光体は、３２ｎｍまたは１４７７ｃｍ-1の半値幅を有し、４７３ｎｍのドミナント波長を有し、ピーク波長は、約４６９ｎｍである。
図３は、ｎｍでの波長λに対してプロットされた、本発明による蛍光体の第１の実施例（ＡＢ１）についての正規化されたクベルカ－ムンク関数（Ｋ／Ｓ）を示す。この場合に、Ｋ／Ｓは、以下のように計算された：
Ｋ／Ｓ＝（１－Ｒinf）2／２Ｒinf
式中、Ｒinfは、蛍光体の拡散反射（Ｒｅｍｉｓｓｉｏｎ）に相当する。
図３から、本発明による蛍光体の第１の実施例（ＡＢ１）についてのＫ／Ｓの最大値が、約３６０ｎｍであることが明らかである。高いＫ／Ｓ値は、この領域における高い吸収を意味する。該蛍光体は、約３００ｎｍ～４３０ｎｍまたは４４０ｎｍ以降の一次放射により効率的に励起され得る。
図４においては、第１の比較例（ＶＢ１：ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ）、第２の比較例（ＶＢ２：Ｓｒ5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ）、第３の比較例（ＶＢ３：ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ）、および本発明による蛍光体の第１の実施例ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ（ＡＢ１）の間の半値幅（ＦＷＨＭ）、ピーク波長（λpeak）、ドミナント波長（λdom）、および光収率（ＬＥＲ）の比較が示されている。ＶＢ１およびＶＢ３は、Ｅｕの濃度の点で異なる。すべての蛍光体は、電磁スペクトルの青色領域の放射を放出する。本発明による蛍光体ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕのピーク波長は、比較例と比較して幾らか長波長である。明らかなように、本発明による蛍光体ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕは、比較例よりも明らかに低い半値幅、および／またはより高い光収率（ＬＥＲ）を有する。ピーク波長のより長波長へのシフトおよびより小さい半値幅により、視覚感度曲線との重複が高まる。したがって、本発明による蛍光体は、非常に高く、かつ比較例と比べてより高い発光効率または光収率を有する。
図５および６は、図４に記載されているＶＢ１、ＶＢ２、ＶＢ３、およびＡＢ１の発光スペクトルを示す。図５において、ｘ軸にはナノメートルで波長がプロットされており、ｙ軸にはパーセントで発光強度がプロットされている。図６において、ｘ軸にはｃｍ-1で波数がプロットされており、ｙ軸にはパーセントで発光強度がプロットされている。ここでは、本発明による蛍光体ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの、ＶＢ１およびＶＢ３（ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ）と比較して大幅に低い半値幅が明らかとなる。ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ蛍光体は、さらにＡＢ１に対して、３５０ｎｍの波長以降の低い吸収を示す（比較図７）。それにより、比較的大きな半値幅と一緒に、蛍光体ＶＢ１およびＶＢ３の比較的粗悪な色度がもたらされる。確かに公知の蛍光体ＶＢ２は小さい半値幅を示すが、これが塩素を含有するという欠点を有する。多くの用途は、塩素含量に関する厳しい条件に従うので、この蛍光体の使用はそのため制限される。欠点はまた、その製造に際しての腐食性のＨＣｌの遊離の危険性であり、合成設備およびその維持対策のための費用が増加する。
図７は、ｎｍでの波長λに対してプロットされた、図４に定義されている種々の蛍光体ＶＧ１、ＶＧ２、ＶＧ３、およびＡＢ１についての正規化されたクベルカ－ムンク関数（Ｋ／Ｓ）を示す。符号ＶＧ１、ＶＧ２、およびＶＧ３を有する曲線は、公知の蛍光体についてのＫ／Ｓを表し、符号ＡＢ１を有する曲線は、本発明による蛍光体の第１の実施例についてのＫ／Ｓを表す。本発明による蛍光体ＡＢ１は、比較例ＶＧ１、ＶＧ２、およびＶＧ３と比較して、より大きな波長で、特に３６０ｎｍ以降の範囲の波長において、より高い吸収を示すことが明らかである。そのことは、電磁スペクトルのＵＶ領域から青色領域における、特に３００ｎｍ～４６０ｎｍの間の範囲の、有利には３００ｎｍ～４３０ｎｍまたは４４０ｎｍの間の範囲のピーク波長の一次放射により本発明による蛍光体の効率的な励起が可能であるので、特に有利である。したがって、本発明による蛍光体は、３００ｎｍ～４３０ｎｍまたは４４０ｎｍの間の範囲の一次放射を示す半導体チップと組み合わせて特に好ましく使用することが可能である。
図８は、蛍光体ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの正方晶の結晶構造の概略図を示す。斜線の丸は、Ｎａ原子を表す。該結晶構造は、Ｂ．Ｎｏｗｉｔｚｋｉ，Ｒ． Ｈｏｐｐｅ，Ｎｅｕｅｓ ｕｅｂｅｒ Ｏｘｉｄｅ ｖｏｍ Ｔｙｐ Ａ［（ＴＯ）ｎ］：ＮａＬｉ3ＳｉＯ4，ＮａＬｉ3ＧｅＯ4，ＮａＬｉ3ＴｉＯ4，Ｒｅｖｕｅ ｄｅ Ｃｈｉｍｉｅ ｍｉｎｅｒａｌｅ，１９８６，２３，２１７－２３０に記載されているようなＮａＬｉ3ＳｉＯ4の結晶構造に相当する。該結晶構造は、Ｐ．Ｐｕｓｔ，Ａ．Ｓ．Ｗｏｃｈｎｉｋ，Ｅ．Ｂａｕｍａｎｎ，Ｐ．Ｊ．Ｓｃｈｍｉｄｔ，Ｄ．Ｗｉｅｃｈｅｒｔ，Ｃ．Ｓｃｈｅｕ，Ｗ．Ｓｃｈｎｉｃｋ，Ｃａ［ＬｉＡｌ3Ｎ4］：Ｅｕ2+ － Ａ Ｎａｒｒｏｗ－Ｂａｎｄ Ｒｅｄ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｎｉｔｒｉｄｏｌｉｔｈｏａｌｕｍｉｎａｔｅ，Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ２０１４ ２６，３５４４－３５４９に記載されるＣａＬｉＡｌ3Ｎ4：Ｅｕの結晶構造と同形である。
図９においては、銅－Ｋα1線を使用した２つのＸ線回折粉末回折図が示されている。ｘ軸には°２θ値で回折角が示されており、ｙ軸には強度が示されている。符号Ｉが付いているＸ線回折粉末回折図は、本発明による蛍光体ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの第１の実施例ＡＢ１の回折図を示す。符号ＩＩが付いているＸ線回折粉末回折図は、ＮａＬｉ3ＳｉＯ4の結晶構造（Ｂ．Ｎｏｗｉｔｚｋｉ，Ｒ． Ｈｏｐｐｅ，Ｎｅｕｅｓ ｕｅｂｅｒ Ｏｘｉｄｅ ｖｏｍ Ｔｙｐ Ａ［（ＴＯ）ｎ］：ＮａＬｉ3ＳｉＯ4，ＮａＬｉ3ＧｅＯ4，ＮａＬｉ3ＴｉＯ4，Ｒｅｖｕｅ ｄｅ Ｃｈｉｍｉｅ ｍｉｎｅｒａｌｅ，１９８６，２３，２１７－２３０）からシミュレートされたＮａＬｉ3ＳｉＯ4についてのＸ線回折粉末回折図を示す。反射の一致から、本発明による蛍光体ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕは、ＮａＬｉ3ＳｉＯ4と同じ結晶構造において結晶化することが分かる。
図１０において、結晶学的な評価が示される。図１０は、第１の実施例ＡＢ１の、つまりＮａＬｉ3ＳｉＯ4：ＥｕについてのＸ線粉末回折図のリートフェルト精密化を示す。リートフェルト精密化のためには、ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの結晶構造がＮａＬｉ3ＳｉＯ4の結晶構造に相当することを示すために、ＮａＬｉ3ＳｉＯ4に関する原子パラメーター（Ｂ．Ｎｏｗｉｔｚｋｉ，Ｒ．Ｈｏｐｐｅ，Ｒｅｖｕｅ ｄｅ Ｃｈｉｍｉｅ ｍｉｎｅｒａｌｅ，１９８６，２３，２１７－２３０中の表７）を使用した。その場合に、上図において、ＮａＬｉ3ＳｉＯ4についての、測定された反射と計算された反射との重ね合わせが示されている。下図において、測定された反射と計算された反射との差異が示されている。
図１１は、ＮａＬｉ3ＳｉＯ4の結晶学的データを示す。
図１２は、ＮａＬｉ3ＳｉＯ4の構造における原子層を示す。
図１３においては、組成式ＫＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を有する本発明による蛍光体の第２の実施例ＡＢ２の発光スペクトルが示されている。ｘ軸にはナノメートルで波長がプロットされており、ｙ軸にはパーセントで発光強度がプロットされている。発光スペクトルの測定のために、本発明による蛍光体は、４００ｎｍの波長の一次放射により励起された。該蛍光体は、約４３０ｎｍから約７８０ｎｍまでの広帯域発光を示し、それにより白色放射を放出し、または放出された放射は、白色の光印象を生ずる。有利には、前記蛍光体の色位置は、２７００Ｋでの完全放射体の色位置の近くにある。その色位置は、１９３１年のＣＩＥ標準表において、以下の座標ＣＩＥ－ｘ＝０．４４９およびＣＩＥ－ｙ＝０．３９７にある。色温度（ＣＣＴ）は２７４２Ｋであり、光収率または光効率は２９０ｌｍ／Ｗであり、ＣＲＩ（演色指数）は８１であり、かつ演色指数Ｒ９は２１である。それにより、本発明による蛍光体ＫＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を含む変換型ＬＥＤは、特に一般照明のために適している。
図１４は、ｎｍでの波長λに対してプロットされた、本発明による蛍光体の第２の実施例（ＡＢ２）についての正規化されたクベルカ－ムンク関数（Ｋ／Ｓ）を示す。図１４から、本発明による蛍光体の第２の実施例（ＡＢ２）についてのＫ／Ｓの最大値が、約３４０ｎｍであることが明らかである。該蛍光体は、約３００ｎｍ～４３０ｎｍまたは４４０ｎｍ以降の一次放射により効率的に励起され得る。
図１５および１６は、白色放射を放出する種々の変換型ＬＥＤのシミュレートされた発光スペクトルを示す。一次放射源としては、４１０ｎｍのピーク波長（図１５）または３９０ｎｍのピーク波長（図１６）を有する一次放射を放出するＩｎＧａＮベースの半導体層列が用いられる。該変換型ＬＥＤの構造は、図１７に示されている。明らかなように、本発明による変換型ＬＥＤ（ＬＥＤ１およびＬＥＤ２）は、１つだけの蛍光体、すなわち本発明によるＫＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を使用して、緑色蛍光体および赤色蛍光体をそれぞれ有する比較例ＶＬＥＤ２およびＶＬＥＤ１と同様の発光スペクトルを示す。有利には、それにより本発明による蛍光体は、３５００Ｋ未満、有利には３０００Ｋ未満の色温度を有する温白色の光を放出するとともに、そのために、少なくとも１つの緑色蛍光体および赤色蛍光体を青色の一次放射と組み合わせることが必要な公知の白色発光する変換型ＬＥＤとは異なって１つだけの蛍光体だけしか必要としない変換型ＬＥＤを得ることが可能である。
図１７において、本発明による蛍光体ＫＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+（ＬＥＤ１、ＬＥＤ２）および比較例（ＶＬＥＤ１およびＶＬＥＤ２）を有する変換型ＬＥＤの種々の特性が照らし合わされている。その場合に、λprimは、一次放射の波長を表す。第３列目および第４列目には、第１の蛍光体および第２の蛍光体が示されている。ＣＩＥ－ｘおよびＣＩＥ－ｙは、１９３１年のＣＩＥ標準表における放射の色座標ｘおよびｙを示している。ＣＣＴ／Ｋは、全放射の較正された色温度をケルビンで示している。Ｒ９は、当業者に公知の演色指数（飽和赤）を表す。ＬＥＲは、１ワット当たりのルーメンでの光収率（「発光効率」）を表す。明らかなように、本発明による蛍光体ＫＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を単一の蛍光体として有する変換型ＬＥＤは、２種の蛍光体をベースとする従来の変換型ＬＥＤと同様の光学的特性を示す。その場合にさらに、２種以上の蛍光体を使用するときに引き起こされる欠点は無くなる。一方で、得られるスペクトルは、使用された蛍光体の比率に依存する。蛍光体の製造における装入量のばらつきによって、それによりしばしば蛍光体の濃度の頻繁な適合が必要となるため、その変換型ＬＥＤの製造は非常に費用がかかるものとなる。さらに、該蛍光体は、温度、一次放射の放射密度、および励起波長に応じて種々の発光特性を示し、さらに種々の分解挙動、したがって温度、放射、湿度、またはガスの影響に関する種々の安定性を示す。また、蛍光体混合物の製造は、蛍光体同士が、例えば密度、粒度、および沈降挙動のようなその物理的特性の点で大幅に異なる場合には困難な場合がある。すべてのこれらの効果は、２種の蛍光体が使用される場合には、作業条件、例えば電流および／または温度が変化する場合に、生成物において色位置分布のばらつきおよび色のシフトをもたらす。従来は高い演色指数を、有利には低い色温度、特に３５００Ｋ未満または３０００Ｋ未満の色温度で実現するためには、赤色発光する蛍光体が必要とされる。しかしながら、すべての公知の赤色発光する蛍光体は、手間のかかる製造方法によってのみ合成することができるため、公知の緑色蛍光体および黄色蛍光体よりも非常に大幅に高価である。それに対して、本発明による蛍光体ＫＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+は、出発物質が市販されており、安定であり、さらに非常に廉価であるので費用的に好ましく製造することができる。さらに、その合成には、不活性ガス雰囲気は必要とされないため、比較的簡単な形となる。
白色発光する変換型ＬＥＤにおける本発明による蛍光体の使用は、数多くの利点を有する。人間の目によって知覚されないか、またはほとんど知覚されない一次放射（３００ｎｍ～４３０ｎｍまたは４４０ｎｍ）を使用することができる。一次放射のばらつきは、こうして全放射特性に影響を及ぼさない。該発光スペクトルは一定であるため、色の適合は必要とされない。変換型ＬＥＤは、高いスループットで製造することができる。それというのも、色の適合または手間のかかるチップのビニングが必要とされないからである。１種だけの蛍光体の選択的な分解による色のシフト、または発光スペクトルへのその他の悪影響、または温度もしくは順方向電流のばらつきにより引き起こされる一次放射の変化は生じない。さらに、該変換型ＬＥＤは固有色を有さず、スイッチを切った状態で白色の外観を示す。したがって、前記蛍光体はまた、スイッチを切った状態で黄色または橙色の外観が望ましくない「リモート－フォスファー」のためにも適している。用途に応じて、一次放射の部分変換も行うことができる。該蛍光体を３００ｎｍ～４３０ｎｍまたは４４０ｎｍの範囲の一次放射で励起することが可能であるので、一次放射、有利には電磁スペクトルの短波長の青色領域における一次放射が全放射に寄与することで、それにより照らされた物体はより白く、より鮮やかに、したがって魅力的に見えるようになる。それにより、例えばテキスタイル中の蛍光増白剤を励起することができる。
図１８は、蛍光体ＫＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの三斜晶の結晶構造の概略図を示す。斜線の丸は、Ｋ原子を表す。該結晶構造は、Ｋ．Ｗｅｒｔｈｍａｎｎ，Ｒ．Ｈｏｐｐｅ，Ｕｅｂｅｒ Ｏｘｉｄｅ ｄｅｓ ｎｅｕｅｎ Ｆｏｒｍｅｌｔｙｐｓ Ａ［（Ｔ4Ｏ4）］： Ｚｕｒ Ｋｅｎｎｔｎｉｓ ｖｏｎ ＫＬｉ3ＧｅＯ4，ＫＬｉ3ＳｉＯ4 ｕｎｄ ＫＬｉ3ＴｉＯ4，Ｚ．Ａｎｏｒｇ．Ａｌｌｇ．Ｃｈｅｍ．，１９８４，５０９，７－２２に記載されているようなＫＬｉ3ＳｉＯ4の結晶構造に相当する。該結晶構造は、Ｐ．Ｐｕｓｔ，Ｖ．Ｗｅｉｌｅｒ，Ｃ．Ｈｅｃｈｔ，Ａ．Ｔｕｅｃｋｓ，Ａ．Ｓ．Ｗｏｃｈｎｉｋ，Ａ．－Ｋ．Ｈｅｎｓｓ，Ｄ．Ｗｉｅｃｈｅｒｔ，Ｃ．Ｓｃｈｅｕ，Ｐ．Ｊ．Ｓｃｈｍｉｄｔ，Ｗ．Ｓｃｈｎｉｃｋ，Ｎａｒｒｏｗ－Ｂａｎｄ Ｒｅｄ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｓｒ［ＬｉＡｌ3Ｎ4］：Ｅｕ2+ ａｓ ａ Ｎｅｘｔ－ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ＬＥＤ－Ｐｈｏｓｐｈｏｒ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｎａｔ．Ｍａｔｅｒ．２０１４ １３，８９１－８９６に記載されるＳｒＬｉＡｌ3Ｎ4の結晶構造と同形である。
図１９においては、銅－Ｋα1線を使用した２つのＸ線回折粉末回折図が示されている。ｘ軸には°２θ値で回折角が示されており、ｙ軸には強度が示されている。符号ＩＩＩが付いているＸ線回折粉末回折図は、本発明による蛍光体ＫＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの第２の実施例の回折図を示す。符号ＩＶが付いているＸ線回折粉末回折図は、ＫＬｉ3ＳｉＯ4の結晶構造からシミュレートされたＫＬｉ3ＳｉＯ4についてのＸ線回折粉末回折図を示す。反射の一致から、本発明による蛍光体ＫＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕは、ＫＬｉ3ＳｉＯ4と同じ結晶構造において結晶化することが分かる。
図２０において、結晶学的な評価が示される。図２０は、第２の実施例ＡＢ２、つまりＫＬｉ3ＳｉＯ4：ＥｕのＸ線粉末回折図のリートフェルト精密化を示す。リートフェルト精密化のためには、ＫＬｉ3ＳｉＯ4に関する原子パラメーター（Ｋ．Ｗｅｒｔｈｍａｎｎ，Ｒ．Ｈｏｐｐｅ，Ｕｅｂｅｒ Ｏｘｉｄｅ ｄｅｓ ｎｅｕｅｎ Ｆｏｒｍｅｌｔｙｐｓ Ａ［（Ｔ4Ｏ4）］： Ｚｕｒ Ｋｅｎｎｔｎｉｓ ｖｏｎ ＫＬｉ3ＧｅＯ4，ＫＬｉ3ＳｉＯ4 ｕｎｄ ＫＬｉ3ＴｉＯ4，Ｚ． Ａｎｏｒｇ．Ａｌｌｇ．Ｃｈｅｍ．，１９８４，５０９，７－２２）を使用することで、ＫＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの結晶構造がＫＬｉ3ＳｉＯ4の結晶構造に相当することが示された。その場合に、上図において、ＫＬｉ3ＳｉＯ4についての、測定された反射と計算された反射との重ね合わせが示されている。下図において、測定された反射と計算された反射との差異が示されている。未知の副相のピークは、アスタリスクで示した。
図２１は、ＫＬｉ3ＳｉＯ4の結晶学的データを示す。
図２２は、ＫＬｉ3ＳｉＯ4の構造における原子層を示す。
図２３においては、組成式（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を有する本発明による蛍光体の第３の実施例ＡＢ３の発光スペクトルが示されている。ｘ軸にはナノメートルで波長がプロットされており、ｙ軸にはパーセントで発光強度がプロットされている。発光スペクトルの測定のために、本発明による蛍光体は、４００ｎｍの波長の一次放射により励起された。該蛍光体は、２０ｎｍ未満の半値幅、および４８６ｎｍのピーク波長を有する。この低い半値幅により、この蛍光体は、非常に狭帯域の公知のＥｕ2+ドープされた蛍光体に属する。該ピーク波長は、電磁スペクトルの青緑色の、シアン色とも呼ぶことができるスペクトル領域に存在する。今までは、この領域にピーク波長を有する蛍光体は僅かしか知られておらず、これらの蛍光体のいずれもそのような低い半値幅を有していない。４８６ｎｍのピーク波長および小さい半値幅により、該蛍光体は、視覚感度曲線との良好な重複を示す。ＵＶ一次放射または青色の一次放射の、電磁スペクトルの青色領域における幾らかより長い波長を有する二次放射（４８６ｎｍのピーク波長）への変換は、変換型ＬＥＤの効率を高める。その二次放射のピーク波長は、一次放射と比較して、５５５ｎｍでの視覚感度の最大値により近く、それにより、放出される放射は、視覚感度曲線とより高い重複を示し、そのためより明るく感じられる。同様の光学的特性は、ＡＢ９、ＡＢ１４、ＡＢ１５、およびＡＢ１６によっても達成される。
図２４は、ｎｍでの波長λに対してプロットされた、本発明による蛍光体の第３の実施例（ＡＢ３）についての正規化されたクベルカ－ムンク関数（Ｋ／Ｓ）を示す。図２４から、本発明による蛍光体の第３の実施例（ＡＢ３）についてのＫ／Ｓの最大値が、３５０ｎｍ～４２０ｎｍの間であることが明らかである。５００ｎｍまでは、Ｋ／Ｓは０の値を明らかに上回る。蛍光体（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+は、約３４０ｎｍ以降の一次放射により効率的に励起され得る。
図２５は、蛍光体（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+の正方晶の結晶構造の概略図を示す。斜線の丸は、Ｎａ原子を表し、白抜きの丸は、Ｋ原子を表す。該結晶構造は、Ｘ線粉末回折図データから求めた。出発点として、ＣｓがＫと置き換えられたＣｓＫＮａ2Ｌｉ12Ｓｉ4Ｏ16の結晶構造を使用した。
図２６において、結晶学的な評価が示される。図２６は、第３の実施例ＡＢ３、つまり（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+のＸ線粉末回折図のリートフェルト精密化を示す。すべての非Ｌｉ原子のパラメーターおよび原子座標は自由に精密化した。その場合に、上図において、ＣｓＫＮａ2Ｌｉ12Ｓｉ4Ｏ16についての、測定された反射と計算された反射との重ね合わせが示されている。下図において、測定された反射と計算された反射との差異が示されている。蛍光体（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+は、化合物ＣｓＫＮａ2Ｌｉ8｛Ｌｉ［ＳｉＯ4］｝4、ＲｂＮａ3Ｌｉ8｛Ｌｉ［ＳｉＯ4］｝4、ＣｓＮａ3Ｌｉ8｛Ｌｉ［ＧｅＯ4］｝4、およびＲｂＮａ3Ｌｉ8｛Ｌｉ［ＴｉＯ4］｝4と構造的に同形である。該構造は、本発明による蛍光体の第１の実施例ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕおよび第２の実施例ＫＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの構造とも類似しているが、アルカリ金属の複雑な配置を有する。
図２７は、（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4の結晶学的データを示す。
図２８は、（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4の構造における原子層を示す。
図２９は、本発明による蛍光体の第３の実施例ＡＢ３および３つの比較例ＣｌＳ、ＯＳ、およびＧの発光スペクトルを示し、その際、ＣｌＳは、Ｃａ8Ｍｇ（ＳｉＯ4）4Ｃｌ2：Ｅｕを表し、ＯＳは、（Ｓｒ，Ｂａ）2ＳｉＯ4：Ｅｕを表し、かつＧは、Ｌｕ3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12：Ｃｅを表す。すべての蛍光体は、電磁スペクトルの青色領域から青緑色領域において発光を示す。ＡＢ３は、明らかなように、非常に低い半値幅を有し、ピーク波長は、比較例と比べてより短い波長へとシフトしている。それにより、本発明による蛍光体は、例えば、ドミナント波長が有利には４６５ｎｍから４８０ｎｍの間の範囲にある、例えば警察車両、救急車、緊急車両、または消防車の青色灯等の信号灯において使用するために適している。比較例の使用は、そのピーク波長が５１０ｎｍを上回るためあまり適しておらず、それに対して、本発明による蛍光体は、４８６ｎｍのピーク波長を有する。同様の光学的特性に基づき、ＡＢ９、ＡＢ１４、ＡＢ１５、およびＡＢ１６も、信号灯において使用するために適している。
ｓｍｅｌと表記された曲線は、メラトニン産生に関する感度曲線、すなわち体内でのメラトニン産生がどの波長で最も抑えられ得るかの感度曲線を示す（「メラノピック作用に関するヒト応答関数」；Ｌｕｃａｓ ｅｔ ａｌ．，Ｔｒｅｎｄｓ ｉｎ Ｎｅｕｒｏｓｃｉｅｎｃｅｓ Ｊａｎｕａｒｙ ２０１４ Ｖｏｌ．３７ Ｎｏ．１）。明らかなように、ＡＢ３の発光スペクトルは、ｓｍｅｌと高い重複を示すので、この放射は、メラトニン形成の抑制のために効果的に使用することができる。そのような照射は、高められた覚醒または集中力をももたらし得る。
図３０は、種々の蛍光体（図２９に記載されるようなＡＢ３、ＣｌＳ、ＯＳ、およびＧ）および種々の青色発光ＬＥＤ（非変換型）の発光スペクトルとメラトニン産生に関する感度曲線との重複を示す。該ＬＥＤは、ＩｎＧａＮをベースとする半導体チップを有する発光ダイオードである。ＬＥＤのＩｐｅａｋ４３０ｎｍ（ピーク波長４３０ｎｍ）およびＩｐｅａｋ４３５ｎｍ（ピーク波長４３５ｎｍ）は、通常は多くの個数においては商業的に入手することができないが、非常に効率的である。ＬＥＤのＩｐｅａｋ４４０ｎｍ（ピーク波長４４０ｎｍ）、Ｉｐｅａｋ４４５ｎｍ（ピーク波長４４５ｎｍ）、Ｉｐｅａｋ４５０ｎｍ（ピーク波長４５０ｎｍ）、およびＩｐｅａｋ４５５ｎｍ（ピーク波長４５５ｎｍ）は、商業的に入手することができ、廉価であり、かつ効率的である。ＬＥＤのＩｐｅａｋ４６０ｎｍ（ピーク波長４６０ｎｍ）、Ｉｐｅａｋ４６５ｎｍ（ピーク波長４６５ｎｍ）、およびＩｐｅａｋ４７０ｎｍ（ピーク波長４７０ｎｍ）は、僅かにのみ効率的であるにすぎず、通常は商業的に入手することができない。ＩｎＧａＮをベースとする半導体チップは、原則的に５００ｎｍ以下のピーク波長を有する放射を放出するが、波長の増加に伴い効率が下がり、そのため、これらは大規模な個数においては通常は約４６０ｎｍまでのピーク波長まででのみ製造されるにすぎない。それによって、ＩｎＧａＮベースの半導体チップの使用分野は、発光ダイオード（蛍光体無し）に限定されている。明らかなように、本発明による蛍光体ＡＢ３の発光は、蛍光体ＣｌＳ、ＯＳおよびＧ、そしてまたＩｎＧａＮベースのＬＥＤよりも大きな、メラトニン産生に関する感度曲線との重複を示す。それにより、メラトニン産生は、本発明による蛍光体により効果的に抑制することができる。同様の光学的特性に基づき、ＡＢ９、ＡＢ１４、ＡＢ１５、およびＡＢ１６も、メラトニン産生の抑制のために適している。
図３１においては、ＣＩＥ標準表（１９３１）が示されており、その際、ｘ軸には原色の赤色のＣＩＥ－ｘ成分がプロットされており、ｙ軸には原色の緑色のＣＩＥ－ｙ成分がプロットされている。ＣＩＥ標準表においては、種々の蛍光体（図２９に記載されるようなＡＢ３、ＣｌＳ、ＯＳおよびＧ）の色位置が書き込まれている。黒色の四角形は、４３０ｎｍから４９２ｎｍの間のピーク波長および４３６ｎｍから４９３ｎｍのドミナント波長を有する種々の青色および青緑色のＩｎＧａＮ半導体チップの色位置を表す。黒色の点は、座標ＣＩＥ－ｘ＝１／３およびＣＩＥ－ｙ＝１／３を有する白色点Ｅｗを示している。青色の窒化インジウムガリウム半導体チップ（λｐｅａｋ＝４４５ｎｍ、λｄｏｍ＝４４９ｎｍ）の色点と蛍光体の色位置とを結ぶ黒色の線は、窒化インジウムガリウム半導体チップと相応の蛍光体とから構成されている変換型ＬＥＤの変換線を表す。ｅＶＬと表記された面は、例えば警察車両のための信号灯の範囲で使用するための製品に関する典型的な青色の色空間を示している。白抜きの丸は、選択された４６８ｎｍ、４７６ｎｍ、および４８７ｎｍでのドミナント波長についての１００％色度を有する色位置を示している。破線は、種々の色度を有する４８７ｎｍでのドミナント波長に関する色位置を表す。この破線上の白抜きの丸４８７のより近くにある色位置は、白色点Ｅのより近くにある色位置よりも高い色度を示す。この図から、新規の蛍光体ＡＢ３の有利な効果が明らかになる：典型的な青色ＬＥＤの、本発明による蛍光体ＡＢ３の色位置までの変換線（ＫＬ）は、ｅＶＬ色空間の真ん中を横切っているのに対して、蛍光体ＯＳ、ＣｌＳおよびＧを有する同じ青色ＬＥＤの変換線は、ｅＶＬ色空間との少ない重複しか示さない。それにより、有利には蛍光体ＡＢ３の使用によって、ｅＶＬ色空間内に、従来の蛍光体を用いた場合よりも多くの色空間を実現することができる。さらに、変換線Ｋは、ドミナント波長４８７ｎｍについての破線を、公知の蛍光体の変換線の交点と比較してより高い色度を有する点Ｉ１において交差している。本発明による蛍光体ＡＢ３を使用した色度の同じ改善が、別の目標ドミナント波長についても、特にｅＶＬ色空間の範囲内で示される。相応の線は、明瞭にするために示されていない。高い色度は、飽和した色印象をもたらす。本発明による蛍光体を用いると、それにより、今まで実現することができなかった追加の色位置を達成することが可能である。本発明による蛍光体（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+は、したがって、高い色飽和で青色放射を放出する変換型ＬＥＤのために特に適している。これらの変換型ＬＥＤは、青色灯において使用するために、または「カラーオンデマンド」用途のためにも適している。同様の光学的特性に基づき、ＡＢ９、ＡＢ１４、ＡＢ１５、およびＡＢ１６も、高い色飽和で青色放射を放出する変換型ＬＥＤのために適している。
図３２、３３、および３４は、種々の目標ドミナント波長および一次放射の波長での、種々の変換型ＬＥＤの達成可能な色度の比較を示している。シミュレーション実験の実施のために、青色半導体チップと、種々の蛍光体ＡＢ３、ＣｌＳ、ＯＳ、およびＧとを組み合わせた。その場合に、高い効率を有するＩｎＧａＮをベースとする半導体チップが使用された。蛍光体の含量を、目標ドミナント波長を達成するために各々の実験につき変動させ、引き続き得られたスペクトルから色度を測定した。それらの結果から、すべての選択された目標ドミナント波長および一次放射のすべての選択された波長に関して、蛍光体ＡＢ３を有する変換型ＬＥＤも、ＡＢ９、ＡＢ１４、ＡＢ１５、およびＡＢ１６を有する変換型ＬＥＤ（示されていない）も、比較例よりも大幅に高い色度を示すことが明らかである。
図３５、３６、および３７は、図３２、３３、および３４に相当する、変換型ＬＥＤのシミュレートされた発光スペクトルを示す。その場合に、図３５は、４６８ｎｍの目標ドミナント波長の場合の、それぞれ蛍光体ＡＢ３を有する４３０ｎｍの一次放射を有する変換型ＬＥＤおよび４５５ｎｍの一次放射を有する変換型ＬＥＤの発光スペクトルを示す。図３６は、４８７ｎｍの目標ドミナント波長の場合の、それぞれ蛍光体ＡＢ３を有する４３０ｎｍの一次放射を有する変換型ＬＥＤおよび４５５ｎｍの一次放射を有する変換型ＬＥＤの発光スペクトルを示す。図３７は、４７６ｎｍの目標ドミナント波長の場合の、それぞれ蛍光体ＡＢ３を有する４３０ｎｍの一次放射を有する変換型ＬＥＤおよび４５５ｎｍの一次放射を有する変換型ＬＥＤの発光スペクトルを示す。
図３８においては、組成式（Ｎａ0.25Ｋ0.75）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を有する本発明による蛍光体の第４の実施例ＡＢ４の発光スペクトルが示されている。ｘ軸にはｎｍで波長がプロットされており、ｙ軸には％で発光強度がプロットされている。発光スペクトルの測定のために、本発明による蛍光体は、４００ｎｍの波長の一次放射により励起された。該蛍光体は、５０ｎｍ未満の半値幅、５２９ｎｍのピーク波長、５４１ｎｍのドミナント波長、および座標ＣＩＥ－ｘ：０．２５５およびＣＩＥ－ｙ：０．６８０を有するＣＩＥ色空間における色点を示している。該蛍光体の狭い半値幅は、該蛍光体の飽和した緑色発光をもたらす。
図３９は、ｎｍでの波長λに対してプロットされた、本発明による蛍光体の第４の実施例（ＡＢ４）についての正規化されたクベルカ－ムンク関数（Ｋ／Ｓ）を示す。３３０ｎｍから５００ｎｍの間の、有利には３４０ｎｍ～４６０ｎｍ、特に有利には３５０ｎｍ～４５０ｎｍの範囲の一次放射を用いて、本発明による蛍光体は、効率的に励起され得る。それによって、該蛍光体は、電磁スペクトルの近紫外領域または青色領域における一次放射を有する半導体チップを使用して、特にバックライト用途のために適している。
図４０においては、第４の実施例ＡＢ４のＸ線粉末回折図が示されている。ｙ軸には強度が示されており、かつｘ軸には°２θ値が示されている。図４１においては、Ｘ線粉末回折図の反射位置および反射位置の％での相対強度が示されている。
図４２においては、％での発光強度が、℃での温度に対してプロットされている。明らかなように、本発明による蛍光体の実施例ＡＢ４は、高い熱安定性を示す。図４２においては、従来の蛍光体ＯＳ２、つまり式（Ｓｒ，Ｂａ）2ＳｉＯ4：Ｅｕの緑色のオルトシリケートと比較して本発明による蛍光体ＡＢ４の熱消光挙動が示されている。該蛍光体は、２５℃～２２５℃の種々の温度において、４６０ｎｍの波長を有する青色の一次放射によって励起され、その場合にその発光強度が記録された。本発明による蛍光体ＡＢ４は、変換型ＬＥＤにおいてよくある典型的な温度、特に１４０℃を上回る温度で、明らかにより低い発光強度の損失を示すことが明らかに分かる。有利には、それにより該蛍光体は、変換型ＬＥＤにおけるより高い作動温度でも使用することができる。
図４３は、従来の蛍光体Ｇ２およびＯＳ２と比較した、本発明による蛍光体の第４の実施例ＡＢ４の種々の光学的特性を示す。その場合に、ＯＳ２は、式（Ｓｒ，Ｂａ）2ＳｉＯ4：Ｅｕの蛍光体を表し、Ｇ２は、式Ｌｕ３（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12：Ｃｅの蛍光体を表す。すべての３種の蛍光体は、同様のドミナント波長を示す。しかしその場合に、本発明による蛍光体ＡＢ４は、明らかにより高い光収率（ＬＥＲ）および明らかにより高い色度を示す。それは、改善された色飽和をもたらし、それにより、より高い色空間カバー率を達成することができ、改善された全効率がもたらされる。改善された特性の根拠は、従来の蛍光体と比較した、本発明による蛍光体の式（Ｎａ0.25Ｋ0.75）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を有する第４の実施例ＡＢ４の低い半値幅である。同様の水準のピーク波長および半値幅に基づき、実施例ＡＢ５、ＡＢ７、ＡＢ１３、およびＡＢ８は、同様に改善された特性を示す。高い光収率は、部分変換または完全変換による緑色の変換型ＬＥＤの効率を、同等のドミナント波長および／またはピーク波長を有する公知の緑色蛍光体を有する緑色の変換型ＬＥＤと比較して高める。
図４４は、図４３に記載される従来の蛍光体Ｇ２およびＯＳ２と比較した、本発明による蛍光体の第４の実施例ＡＢ４の発光スペクトルの比較を示す。
図４５においては、種々のドミナント波長の青色の一次放射と組み合わせた緑色蛍光体および赤色蛍光体の種々の組み合わせによる、ＣＩＥ色空間系における色空間ｒｅｃ２０２０（ｘｙ）およびＣＩＥ－ＬＵＶ色空間系（１９７６）におけるｒｅｃ２０２０（ｕ’ｖ’）のカバー率が示されている。ＡＢ４は、本発明による蛍光体の第４の実施例（Ｎａ0.25Ｋ0.75）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を表し、ＡＢ５は、本発明による蛍光体の第５の実施例（Ｒｂ0.5Ｌｉ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4を表し、ＢＳは、従来の緑色発光するβ－ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ蛍光体を表す。青色、緑色および赤色の放射の割合は、典型的なバックライト用途のための白色の色位置（ＣＩＥ－ｘ＝０．２７８およびＣＩＥ－ｙ＝０．２５５）に達するように適合させた。得られたスペクトルを、典型的なカラーフィルタ曲線に当てはめ、青色、緑色および赤色について得られた色点を計算した。得られた色空間と標準色空間との重複を引き続き計算し、比較した。すべての場合において、本発明による蛍光体の実施例ＡＢ４およびＡＢ５を用いて得られたスペクトルは、それぞれの色空間のより大きなカバー率をもたらすことが明らかである。ＡＢ４およびＡＢ５と同様に、ＡＢ７、ＡＢ１３、およびＡＢ８も、類似のピーク波長および半値幅（図７６、１２９、８６）に基づいて、図４５に示される赤色蛍光体と組み合わせて、それぞれの色空間の高いカバー率を有する。したがって、本発明による蛍光体を用いると、より広いバンド幅の色を再現することができる。それにより、例えば本発明による蛍光体を含む変換型ＬＥＤを用いたディスプレイ等の表示装置は、今までの従来の蛍光体を用いて可能であったよりも明らかに高められた色数を再現することができる。
図４６～５３は、図４５に記載される、４４８ｎｍでの一次放射のドミナント波長に関する色空間カバー率の結果のグラフ図を示す。そのグラフにおいては、使用される第２の赤色蛍光体がその組成式と一緒に示されている。
図５４Ａ、５４Ｂ、および５４Ｃは、図４５からのデータの網羅的なリストを示しており、そのリストはさらに、フィルタされたスペクトルの色位置および別の標準色空間でのカバー率を示している。
図５５～５８は、一次放射の波長λｄｏｍ＝４４８ｎｍによる、図４５に示される組み合わせの種々の例の広がった色空間を示す。各々の図は、それぞれ図中に組成式で示されている赤色蛍光体と組み合わされた３種の異なる緑色蛍光体（ＡＢ４、ＡＢ５、またはＢＳ）の比較を示す。本発明による実施例ＡＢ４およびＡＢ５を用いたフィルタされたスペクトルにより広がった色空間はほぼ合同である。本発明による蛍光体の実施例ＡＢ４およびＡＢ５を用いると、より広いバンド幅の色が、とりわけ広がったカラートライアングルの緑色および赤色の頂点（矢印で示される）において再現され得ることが明らかである。同様の挙動は、実施例ＡＢ７、ＡＢ１３、およびＡＢ８を用いても得られる（示されていない）。それは、本発明による蛍光体ＡＢ４およびＡＢ５、ＡＢ７、ＡＢ１３およびＡＢ８の非常に狭帯域の発光に関連付けられる。それにより、緑色のバンド幅は、本発明による蛍光体ＡＢ４、ＡＢ５、ＡＢ７、ＡＢ１３、およびＡＢ８の使用によって、従来の蛍光体と比較して拡大される。本発明による蛍光体の狭い半値幅は、さらにフィルタリングにより生ずる放射の損失を減らす。公知の蛍光体β－ＳｉＡｌＯＮ（ＢＳ）と比較して、本発明による蛍光体は、廉価な出発物質から出発して製造することができ、さらに合成は、控えめな温度で行われる。それは、製造費用を低く抑えるため、該蛍光体は、ＬＣＤテレビ、コンピュータモニタ、またはスマートフォンもしくはタブレット用のディスプレイ等の量産品の製造のために経済的に非常に魅力的なものとなる。
図５９～６２は、図５５～５８の例の相応する変換型ＬＥＤスペクトルを示す。赤色蛍光体は、その組成式と一緒に図中に示されている。
図６３においては、組成式（Ｒｂ0.5Ｌｉ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4を有する本発明による蛍光体の第５の実施例ＡＢ５の発光スペクトルが示されている。ｘ軸にはｎｍで波長がプロットされており、ｙ軸には％で発光強度がプロットされている。発光スペクトルの測定のために、本発明による蛍光体は、４００ｎｍの波長の光により励起された。該蛍光体は、４３ｎｍの半値幅を有し、５２８ｎｍのピーク波長および５３９ｎｍのドミナント波長を有する。座標ＣＩＥ－ｘおよびＣＩＥ－ｙは、０．２３８および０．６９４である。それにより、該蛍光体は、飽和した緑色調を有さねばならないバックライト用途のために非常に適しているとみなされる。
図６４は、ｎｍでの波長λに対してプロットされた、本発明による蛍光体の第５の実施例についての正規化されたクベルカ－ムンク関数（Ｋ／Ｓ）を示す。本発明による蛍光体の第５の実施例についてのＫ／Ｓの最大値は、約４００ｎｍであるが、高い吸収の範囲は、約５００ｎｍまでの青緑色スペクトル領域へと延びている。したがって、該蛍光体は、３３０ｎｍから５００ｎｍの間の、有利には３４０ｎｍから４６０ｎｍの間の、特に有利には３５０ｎｍから４５０ｎｍの間の波長の一次放射により効率的に励起され得る。
図６５は、符号Ｖを有する本発明による蛍光体の第５の実施例ＡＢ５のＸ線粉末回折図を示す。符号ＶＩが付いているＸ線粉末回折図は、化合物ＲｂＬｉ（Ｌｉ3ＳｉＯ4）2のシミュレートされた回折図（Ｋ．Ｂｅｒｎｅｔ，Ｒ．Ｈｏｐｐｅ，Ｅｉｎ “Ｌｉｔｈｏｓｉｌｉｃａｔ” ｍｉｔ Ｋｏｌｕｍｎａｒｅｉｎｈｅｉｔｅｎ： ＲｂＬｉ5｛Ｌｉ［ＳｉＯ4］｝2，Ｚ．Ａｎｏｒｇ．Ａｌｌｇ．Ｃｈｅｍ．，１９９１，５９２，９３－１０５）を示す。副相Ｌｉ4ＳｉＯ4に割り当てることができるＸ線粉末回折図Ｖにおけるピークは、アスタリスクで印が付けられている。
図６６は、従来の蛍光体Ｇ１およびＯＳ１と比較した、本発明による蛍光体の第５の実施例ＡＢ５の種々の光学的特性を示す。その場合に、ＯＳ１は、式（Ｓｒ，Ｂａ）2ＳｉＯ4：Ｅｕの蛍光体を表し、Ｇ１は、式Ｌｕ3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12：Ｃｅの蛍光体を表す。蛍光体Ｇ２およびＯＳ２との比較において、蛍光体Ｇ１およびＯＳ１は、それぞれ実施例ＡＢ５と同じドミナント波長を達成するために、別のＥｕ含量またはＣｅ含量を有する。すべての３種の蛍光体は、同様のドミナント波長を示す。しかしその場合に、本発明による蛍光体ＡＢ５は、明らかにより高い光収率（ＬＥＲ）および明らかにより高い色度を示す。それは、改善された色飽和をもたらし、それにより、より高い色空間カバー率を達成することができ、改善された全効率がもたらされる。改善された特性の根拠は、従来の蛍光体と比較した、本発明による蛍光体の式（Ｒｂ0.5Ｌｉ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4を有する第４の実施例ＡＢ５の低い半値幅である。高い光収率は、部分変換または完全変換による緑色の変換型ＬＥＤの効率を、同等のピーク波長を有する公知の緑色蛍光体を有する緑色の変換型ＬＥＤと比較して高める。
図６７は、図６６に記載される従来の蛍光体Ｇ１およびＯＳ１と比較した、本発明による蛍光体の第５の実施例ＡＢ５の発光スペクトルの比較を示す。
図６８においては、組成式ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕを有する第１の実施例ＡＢ１、および組成式Ｎａ0.97Ｃａ0.03Ｌｉ2.94Ａｌ0.09Ｓｉ0.97Ｏ3.88Ｎ0.12：Ｅｕを有する第６の実施例ＡＢ６の発光スペクトルが示されている。ｘ軸にはナノメートルで波長がプロットされており、ｙ軸にはパーセントで発光強度がプロットされている。発光スペクトルの測定のために、本発明による蛍光体は、４００ｎｍ（ＡＢ１）および４６０ｎｍ（ＡＢ６）の波長の一次放射により励起された。蛍光体ＡＢ１は、３２ｎｍまたは１４７７ｃｍ-1の半値幅を有し、４７３ｎｍのドミナント波長を有し、ピーク波長は、約４６９ｎｍである。蛍光体ＡＢ６は、７２．８ｎｍの半値幅を有し、５４８ｎｍのドミナント波長を有し、ピーク波長は、約５１６．９ｎｍである。ＡＢ６の色位置は、１９３１年のＣＩＥ標準表において、以下の座標ＣＩＥ－ｘ＝０．３０１およびＣＩＥ－ｙ＝０．２８２にある。ＡＢ６の光収率または発光効率は、４３２．８ｌｍ／Ｗである。ＡＢ１およびＡＢ６の種々の特性、特にＮａ0.97Ｃａ0.03Ｌｉ2.94Ａｌ0.09Ｓｉ0.97Ｏ3.88Ｎ0.12：Ｅｕの、ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕに比べてより長波長領域にシフトしたピーク波長は、賦活剤イオン、ここではＥｕ2+イオンを混合相Ｎａ0.97Ｃａ0.03Ｌｉ2.94Ａｌ0.09Ｓｉ0.97Ｏ3.88Ｎ0.12：Ｅｕ中で取り囲む窒素原子のより強い電子雲膨張効果によるものである。賦活剤イオンの周囲の窒素の割合が多いほど、ピーク波長はより長波長になる。それにより、窒素含量が増大し、したがって蛍光体Ｎａ1-y*Ｃａy*Ｌｉ3-2y*Ａｌ3y*Ｓｉ1-yＯ4-4y*Ｎ4y*：Ｅｕ中のｙ＊についての値が増加すると、ピーク波長は、電磁スペクトルの可視領域内で、特に４７０ｎｍから６７０ｎｍの間の範囲においてシフトし得る。したがって、該蛍光体は、とても特別な特性を有する蛍光体が必要とされる照明装置または変換型ＬＥＤのために特に適している（いわゆる「カラーオンデマンド」用途）。
図６９は、ＡＢ６（励起波長４６０ｎｍ）および比較例としての４種のガーネット蛍光体（それぞれ４６０ｎｍの励起波長、Ｙ3Ａｌ3Ｇａ2Ｏ12：Ｃｅの場合には４４０ｎｍ）の発光スペクトルを示す。公知のガーネット蛍光体Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、Ｙ3Ａｌ3Ｇａ2Ｏ12：Ｃｅ、およびＬｕ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅと比較して、本発明による実施例ＡＢ６は、より短い波長にシフトしたピーク波長およびより小さい半値幅を有する。Ｌｕ3Ａｌ3Ｇａ2Ｏ12：Ｃｅは、ＡＢ６と同様のピーク波長を示す。ガーネット蛍光体Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、Ｙ3Ａｌ3Ｇａ2Ｏ12：Ｃｅ、およびＬｕ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅと比較して、ＡＢ６およびＬｕ3Ａｌ3Ｇａ2Ｏ12：Ｃｅのピーク波長は、不利な従来の変換型ＬＥＤでは光が放出されないかまたは非常に僅かしか光が放出されないスペクトルギャップが見られる青色スペクトル領域のより近くにある。このスペクトルギャップは、粗悪な演色性をもたらす。したがって、スペクトルギャップの減少のために、しばしばＬｕ3Ａｌ3Ｇａ2Ｏ12：Ｃｅが使用される。しかし、第６の実施例Ｎａ0.97Ｃａ0.03Ｌｉ2.94Ａｌ0.09Ｓｉ0.97Ｏ3.88Ｎ0.12：Ｅｕは、Ｌｕ3Ａｌ3Ｇａ2Ｏ12：Ｃｅと比較して、明らかにより低い半値幅を有し、より小さい半値幅により引き起こされるより大きな色度を有する。結果的に、本発明による実施例ＡＢ６は、視覚感度曲線とのより高い重複を示し、それにより、より高い光収率が得られることとなる。光学的データの比較は、図７０に示されている。括弧内に示されるパーセントは、Ｌｕ3Ａｌ3Ｇａ2Ｏ12：Ｃｅと比較した値の変化を表している。ＵＶ一次放射または青色の一次放射の、電磁スペクトルの緑色領域における波長を有する二次放射（５１６．９ｎｍのピーク波長）への変換は、変換型ＬＥＤの効率を高める。その二次放射のピーク波長は、一次放射と比較して、５５５ｎｍでの視覚感度の最大値により近く、それにより、放出される放射は、視覚感度曲線とより高い重複を示し、そのためより明るく感じられる。該蛍光体を、特に緑色蛍光体および赤色蛍光体と組み合わせて有する変換型ＬＥＤは、特に白色の変換型ＬＥＤのために、例えば一般照明のために適している。特に、高い色温度を有する白色の全放射を生成することができる。
図７１は、結晶学的なｃ軸に沿った概略図における、蛍光体Ｎａ0.97Ｃａ0.03Ｌｉ2.94Ａｌ0.09Ｓｉ0.97Ｏ3.88Ｎ0.12：Ｅｕの正方晶の結晶構造を示す。該構造は、蛍光体の単結晶のＸ線解析によって測定した。斜線の丸は、Ｎａ原子およびＣａ原子についての混合占有位置を表す。斜線の領域は、混合占有されたＬｉ／Ｓｉ／Ａｌ－Ｏ／Ｎ四面体を表す。該結晶構造は、ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ（図８を参照）の結晶構造に相当する。該結晶構造は、Ｐ．Ｐｕｓｔ，Ａ．Ｓ．Ｗｏｃｈｎｉｋ，Ｅ．Ｂａｕｍａｎｎ，Ｐ．Ｊ．Ｓｃｈｍｉｄｔ，Ｄ．Ｗｉｅｃｈｅｒｔ，Ｃ．Ｓｃｈｅｕ，Ｗ．Ｓｃｈｎｉｃｋ，Ｃａ［ＬｉＡｌ3Ｎ4］：Ｅｕ2+ － Ａ Ｎａｒｒｏｗ－Ｂａｎｄ Ｒｅｄ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｎｉｔｒｉｄｏｌｉｔｈｏａｌｕｍｉｎａｔｅ，Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ２０１４ ２６，３５４４－３５４９に記載されるＣａＬｉＡｌ3Ｎ4：Ｅｕの結晶構造と同形である。
図７２は、Ｎａ0.97Ｃａ0.03Ｌｉ2.94Ａｌ0.09Ｓｉ0.97Ｏ3.88Ｎ0.12：Ｅｕの結晶学的データを示す。
図７３は、Ｎａ0.97Ｃａ0.03Ｌｉ2.94Ａｌ0.09Ｓｉ0.97Ｏ3.88Ｎ0.12：Ｅｕの構造における原子層を示す。
図７４においては、組成式（Ｎａ0.25Ｋ0.5Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を有する本発明による蛍光体の第７の実施例ＡＢ７の発光スペクトルが示されている。発光スペクトルの測定のために、本発明による蛍光体の単結晶は、４６０ｎｍの波長の一次放射により励起された。該蛍光体は、５０ｎｍ未満の半値幅、５３２ｎｍのピーク波長、５４０．３ｎｍのドミナント波長、および座標ＣＩＥ－ｘ：０．２３５およびＣＩＥ－ｙ：０．６４０を有するＣＩＥ色空間における色点を示している。該蛍光体の狭い半値幅は、該蛍光体の飽和した緑色発光をもたらす。したがって、蛍光体（Ｋ1-r’’-r’’’Ｎａr’’Ｌｉr’’’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅまたは（Ｋ1-r’’-r’’’Ｎａr’’Ｌｉr’’’）1Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅ（式中、０＜ｒ’’＜０．５および０＜ｒ’’’＜０．５）、特に（Ｎａ0.25Ｋ0.5Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+は、ＬＣＤディスプレイのバックライトのためのように緑色スペクトル領域における狭帯域の発光が必要となる変換型ＬＥＤにおいてそれを使用するために特に魅力的なものとなる。
図７５は、ＡＢ７および比較例としてのβ－ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ（ＢＳ）の発光スペクトルを示す。該蛍光体は、同等のピーク波長およびドミナント波長ならびに色度を有するが、ＡＢ７は、より低い半値幅を有し、それと関連したより大きな光収率およびより高い色度を有する。それは、改善された色飽和をもたらし、それにより、より高い色空間カバー率を達成することができ、改善された全効率がもたらされる。改善された特性の根拠は、公知の蛍光体ＢＳと比較した、本発明による蛍光体の式（Ｎａ0.25Ｋ0.50Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を有する第７の実施例ＡＢ７の低い半値幅である。高い光収率は、部分変換または完全変換による緑色の変換型ＬＥＤの効率を、同等のドミナント波長および／またはピーク波長を有する公知の緑色蛍光体を有する緑色の変換型ＬＥＤと比較して高める。蛍光体ＡＢ７およびＢＳの光学的データは、図７６に示されている。それにより、蛍光体（Ｋ1-r’’-r’’’Ｎａr’’Ｌｉr’’’）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅまたは（Ｋ1-r’’-r’’’Ｎａr’’Ｌｉr’’’）1Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅ（式中、０＜ｒ’’＜０．５および０＜ｒ’’’＜０．５）、特に（Ｎａ0.25Ｋ0.5Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+は、バックライト用途の場合のような飽和した緑色調が望ましい用途のために非常に適していることが明らかである。
図７７は、結晶学的なｂ軸に沿った概略図における、蛍光体（Ｎａ0.25Ｋ0.50Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+の単斜晶の結晶構造を示す。黒色の丸は、Ｎａ原子を表し、斜線が入った丸は、Ｋ原子を表し、白抜きの丸は、Ｌｉ原子を表す。蛍光体ＡＢ７は、同等の格子パラメーターを有する第５の実施例（Ｒｂ0.5Ｌｉ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+と同じ空間群Ｃ２／ｍにおいて結晶化する。蛍光体（Ｎａ0.25Ｋ0.50Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕおよび（Ｒｂ0.5Ｌｉ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+の結晶構造は、同じ（Ｌｉ3ＳｉＯ4）構成単位を有する。しかしながらこの場合に、この構成単位内のチャンネルの占有率は異なる。（Ｒｂ0.5Ｌｉ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+は、２種類のチャンネルを有し、その際、一方のチャンネルは、Ｒｂによってのみ占有され、もう一方のチャンネルはＬｉによってのみ占有されており、その一方で、（Ｎａ0.25Ｋ0.50Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕも、２種類のチャンネルを有し、その際、一方のチャンネルはＫによってのみ占有され、もう一方のチャンネルは、ＬｉおよびＮａによってのみ占有されている。（Ｎａ0.25Ｋ0.50Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ中のＮａおよびＫの配置は、Ｋ．Ｂｅｒｎｅｔ，Ｒ．Ｈｏｐｐｅ，Ｚ．Ａｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９９１，５９２，９３－１０５に記載されるようなＣｓＫＮａＬｉ（Ｌｉ3ＳｉＯ4）4における配置と類似している。チャンネル内のＮａおよびＬｉの正確な配置は、Ｘ線回折によって確認することはできない。この場合に、統計的配置から求められる。ＡＢ７の結晶構造は、ＵＣｒ4Ｃ4構造型から誘導される、より高い秩序度を有する結晶構造である。
図７８においては、（Ｎａ0.25Ｋ0.50Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕについて（Ｌｉ3ＳｉＯ4）構成単位のチャンネル内のＬｉ、Ｎａ、およびＫの配置が示されている。黒色の丸は、Ｎａ原子を表し、斜線が入った丸は、Ｋ原子を表し、白抜きの丸は、Ｌｉ原子を表す。該配置は、結晶学的なｃ軸に沿って示されている。
図７９は、（Ｎａ0.25Ｋ0.50Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの結晶学的データを示す。
図８０は、（Ｎａ0.25Ｋ0.50Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの構造における原子層を示す。
図８１は、（Ｎａ0.25Ｋ0.50Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの異方性変位パラメーター（英語でｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ）を示す。
図８２においては、組成式（Ｎａ0.5Ｒｂ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を有する本発明による蛍光体の第８の実施例ＡＢ８の発光スペクトルが示されている。ｘ軸にはｎｍで波長がプロットされており、ｙ軸には％で発光強度がプロットされている。発光スペクトルの測定のために、本発明による蛍光体の粉体は、４００ｎｍの波長の一次放射により励起された。該蛍光体は、約５２５ｎｍのピーク波長、および５３１ｎｍのドミナント波長を有する。半値幅は、４５ｎｍ未満であり、ＣＩＥ色空間における色点は、座標ＣＩＥ－ｘ：０．２１１およびＣＩＥ－ｙ：０．６７１である。
図８３においては、組成式（Ｎａ0.5Ｒｂ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を有する本発明による蛍光体の第８の実施例ＡＢ８の発光スペクトルが示されている。発光スペクトルの測定のために、本発明による蛍光体の粉体は、４６０ｎｍの波長の一次放射により励起された。該蛍光体は、４５ｎｍ未満の半値幅、５２８ｎｍのピーク波長、５３３ｎｍのドミナント波長、および座標ＣＩＥ－ｘ：０．２１２およびＣＩＥ－ｙ：０．６８６を有するＣＩＥ色空間における色点を示している。該蛍光体の狭い半値幅は、該蛍光体の飽和した緑色発光をもたらす。低い半値幅に基づいて、蛍光体（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅ、または（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅ（式中、０．４≦ｒ＊＜１．０）、特に（Ｎａ0.5Ｒｂ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+は、ＬＣＤディスプレイのバックライトのためのように緑色スペクトル領域における狭帯域の発光が必要となる変換型ＬＥＤにおいてそれを使用するために特に魅力的なものとなる。
図８４は、ｎｍでの波長λに対してプロットされた、本発明による蛍光体の第８の実施例（ＡＢ８）についての正規化されたクベルカ－ムンク関数（Ｋ／Ｓ）を示す。３３０ｎｍから５００ｎｍの間の、有利には３４０ｎｍ～４６０ｎｍ、特に有利には３５０ｎｍ～４５０ｎｍの範囲の一次放射を用いて、本発明による蛍光体は、効率的に励起され得る。それによって、該蛍光体は、特に電磁スペクトルの近紫外領域または青色領域における一次放射を有する半導体チップを使用して、特にバックライト用途のために適している。
図８５は、図８６に記載される従来の蛍光体ＣｌＳおよびＯＳ１と比較した、本発明による蛍光体の第８の実施例ＡＢ８の発光スペクトルの比較を示す。
図８６は、従来の蛍光体ＣｌＳおよびＯＳ１と比較した、本発明による蛍光体の第８の実施例ＡＢ８の種々の光学的特性を示す。その場合に、ＯＳ１は、式（Ｓｒ，Ｂａ）2ＳｉＯ4：Ｅｕを表し、ＣｌＳは、Ｃａ7.8Ｅｕ0.2Ｍｇ（ＳｉＯ4）4Ｃｌ2を表す。すべての３種の蛍光体は、同様のドミナント波長を示す。しかしその場合に、本発明による蛍光体ＡＢ８は、明らかにより高い光収率（ＬＥＲ）を示す。それは、改善された色飽和をもたらし、それにより、より高い色空間カバー率を達成することができ、改善された全効率がもたらされる。改善された特性の根拠は、従来の蛍光体と比較した、本発明による蛍光体の式（Ｎａ0.5Ｒｂ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を有する第８の実施例ＡＢ８の低い半値幅である。高い光収率は、部分変換または完全変換による緑色の変換型ＬＥＤの効率を、同等のドミナント波長および／またはピーク波長を有する公知の緑色蛍光体を有する緑色の変換型ＬＥＤと比較して高める。
図８７においては、％での相対明度が、℃での温度に対してプロットされている。明らかなように、本発明による蛍光体の実施例ＡＢ８は、高い熱安定性を示す。図８７においては、式（Ｓｒ，Ｂａ）2ＳｉＯ4：Ｅｕの従来の蛍光体ＯＳ１（黒塗りの菱形として表される）と比較して本発明による蛍光体ＡＢ８（白抜きの正方形として表される）の熱消光挙動が示されている。該蛍光体は、２５℃～２２５℃の種々の温度において、本発明による蛍光体ＡＢ８については４００ｎｍの、またはＯＳ１については４６０ｎｍの波長を有する青色の一次放射によって励起され、その場合にその発光強度が記録された。本発明による蛍光体ＡＢ８は、変換型ＬＥＤにおいてよくある典型的な温度、特に１４０℃を上回る温度で、明らかにより低い発光強度の損失を示すことが明らかに分かる。有利には、それにより該蛍光体は、変換型ＬＥＤにおけるより高い作動温度でも使用することができる。１２５℃以降で、ＡＢ８は、ＯＳ１と比較して明らかにより低い発光強度の損失を示す。さらに、ＡＢ８は、２２５℃の温度で、依然として２５℃での１００％の発光強度と比較して９０％の発光強度を示す。２２５℃での発光強度は、２２５℃でのＯＳ１の発光強度よりも２倍を上回る高さである。
図８８は、蛍光体（Ｎａ0.5Ｒｂ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+の単斜晶の結晶構造の概略図を示す。黒色の丸は、Ｒｂ原子を表し、白抜きの丸は、Ｎａ原子を表す。蛍光体ＡＢ８は、同等の格子パラメーターを有する第５の実施例（Ｒｂ0.5Ｌｉ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+、および第７の実施例（Ｎａ0.25Ｋ0.50Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕと同じ空間群Ｃ２／ｍにおいて結晶化する。蛍光体（Ｎａ0.5Ｒｂ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+、（Ｎａ0.25Ｋ0.50Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ、および（Ｒｂ0.5Ｌｉ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+の結晶構造は、同じ（Ｌｉ3ＳｉＯ4）構成単位を有する。前記（Ｌｉ3ＳｉＯ4）構成単位は、ＳｉＯ4四面体およびＬｉＯ4四面体であり、その際、酸素が頂点であり、かつＬｉまたはＳｉが四面体の中心を占有する。しかしながらこの場合に、この構成単位内のチャンネルの占有率は異なる。（Ｒｂ0.5Ｌｉ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+は、２種類のチャンネルを有し、その際、一方のチャンネルは、Ｒｂによってのみ占有され、もう一方のチャンネルはＬｉによってのみ占有されており、（Ｎａ0.25Ｋ0.50Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕも、２種類のチャンネルを有し、その際、一方のチャンネルはＫによってのみ占有され、もう一方のチャンネルは、ＬｉおよびＮａによってのみ占有されており、かつ（Ｒｂ0.5Ｎａ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+は、２種類のチャンネルを有し、その際、一方のチャンネルはＲｂによってのみ占有され、もう一方のチャンネルは、Ｎａによってのみ占有されている。
図８９において、結晶学的な評価が示される。図８９は、第８の実施例ＡＢ８のＸ線粉末回折図のリートフェルト精密化を示す。該図において、（Ｎａ0.5Ｒｂ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕについての、測定された反射と計算された反射との重ね合わせ、および測定された反射と計算された反射との差異が示されている。該蛍光体には、僅かな割合でＮａ3ＲｂＬｉ12Ｓｉ4Ｏ16が混ざっている。
図９０は、（Ｎａ0.5Ｒｂ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの結晶学的データを示す。
図９１は、（Ｎａ0.5Ｒｂ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの構造における原子層を示す。
図９２においては、組成式（Ｒｂ0.25Ｎａ0.75）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕを有する本発明による蛍光体の第９の実施例ＡＢ９の発光スペクトルが示されている。ｘ軸にはｎｍで波長がプロットされており、ｙ軸には％で発光強度がプロットされている。発光スペクトルの測定のために、本発明による蛍光体の粉体は、４００ｎｍの波長の一次放射により励起された。該蛍光体は、約４７３ｎｍのピーク波長、および４７６ｎｍのドミナント波長を有する。半値幅は、２２ｎｍであり、ＣＩＥ色空間における色点は、座標ＣＩＥ－ｘ：０．１２７およびＣＩＥ－ｙ：０．１２０である。
図９３においては、組成式（Ｎａ0.75Ｒｂ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を有する本発明による蛍光体の第９の実施例ＡＢ９の発光スペクトルが示されている。発光スペクトルの測定のために、本発明による蛍光体の粉体は、４２０ｎｍまたは４４０ｎｍの波長の一次放射により励起された。該蛍光体は、図９２に示される４００ｎｍの一次放射による励起と比較して、１９ｎｍから２１ｎｍの間のなおもより低い半値幅を有する。（Ｎａ0.75Ｒｂ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+および（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+は、非常に狭帯域の公知のＥｕ2+ドープされた蛍光体に属する。
図９４は、ｎｍでの波長λに対してプロットされた、本発明による蛍光体の第９の実施例（ＡＢ９）および比較例としてのＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ（５０ｍｏｌ％）（ＶＢ１）についての正規化されたクベルカ－ムンク関数（Ｋ／Ｓ）を示す。３４０ｎｍから４７０ｎｍの間の、有利には３４０ｎｍ～４５０ｎｍ、特に有利には３４０ｎｍ～４２０ｎｍの範囲の一次放射を用いて、本発明による蛍光体は、効率的に励起され得る。それによって、蛍光体（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅまたは（Ｒｂr*Ｎａ1-r*）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅ（式中、０＜ｒ＊＜０．４）、特に（Ｎａ0.75Ｒｂ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+は、電磁スペクトルの近紫外領域または青色領域における一次放射を有する半導体チップを使用して、特にバックライト用途のために適している。明らかなように、ＡＢ９は、ＶＢ１と比較して電磁スペクトルの青色領域においても効率的に励起可能である。
図９５は、４００ｎｍの励起波長の場合での、図９６に記載される従来の蛍光体ＶＢ１およびＶＢ４と比較した、本発明による蛍光体の第９の実施例ＡＢ９の発光スペクトルの比較を示す。
図９６は、従来の蛍光体ＶＢ１およびＶＢ４と比較した、本発明による蛍光体の第９の実施例ＡＢ９の種々の光学的特性を示す。その場合に、ＶＢ１は、式ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕの蛍光体を表し、ＶＢ４は、（Ｂａ0.75Ｓｒ0.25）Ｓｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕを表す。すべての３種の蛍光体は、同様のドミナント波長およびピーク波長を示す。しかしその場合に、本発明による蛍光体ＡＢ９は、比較例よりも明らかにより低い半値幅を示す。
図９７は、蛍光体（Ｎａ0.75Ｒｂ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+の正方晶の結晶構造の概略図を示す。黒色の丸は、Ｒｂ原子を表し、白抜きの丸は、Ｎａ原子を表す。蛍光体ＡＢ９は、第３の実施例（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+と同じ空間群Ｉ４／ｍにおいて結晶化する。蛍光体（Ｎａ0.5Ｋ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+および（Ｎａ0.75Ｒｂ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+の結晶構造は、同じ（Ｌｉ3ＳｉＯ4）構成単位を有する。前記（Ｌｉ3ＳｉＯ4）構成単位は、ＳｉＯ4四面体およびＬｉＯ4四面体を有し、その際、酸素が頂点であり、かつＬｉまたはＳｉが四面体の中心を占有する。該蛍光体では、この構成単位内のチャンネルの占有率は異なる。（Ｋ0.5Ｎａ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+は、２種類のチャンネルを有し、その際、一方のチャンネルは、Ｋによってのみ占有されており、もう一方のチャンネルは、Ｎａによってのみ占有されている。（Ｎａ0.75Ｒｂ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+は、同様に２種類のチャンネルを有し、その際、一方のチャンネルは、Ｎａによってのみ占有されており、もう一方のチャンネルは、交互にＮａおよびＲｂによって混合占有されている。
図９８において、結晶学的な評価が示される。図９８は、第９の実施例ＡＢ９のＸ線粉末回折図のリートフェルト精密化を示す。該図において、（Ｎａ0.75Ｒｂ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕについての、測定された反射と計算された反射との重ね合わせ、および測定された反射と計算された反射との差異が示されている。該蛍光体には、僅かな割合でＮａＬｉ3ＳｉＯ4が混ざっている。
図９９は、（Ｎａ0.75Ｒｂ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの結晶学的データを示す。
図１００は、（Ｎａ0.75Ｒｂ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの構造における原子層を示す。
図１０１においては、％での相対明度が、℃での温度に対してプロットされている。明らかなように、本発明による蛍光体の実施例ＡＢ９は、高い熱安定性を示す。図１０１においては、公知の蛍光体ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ（ＶＢ１）と比較して本発明による蛍光体ＡＢ９の熱消光挙動が示されている。該蛍光体は、２５℃～２２５℃の種々の温度において、４００ｎｍの波長を有する青色の一次放射によって励起され、その場合に４１０ｎｍから７８０ｎｍの間のその発光強度が記録された。本発明による蛍光体ＡＢ９は、１００℃を上回る温度で、明らかにより低い発光強度の損失を示すことが明らかに分かる。ＡＢ９は、２２５℃の温度で、依然として２５℃での１００％の発光強度と比較して９５％を上回る発光強度を示す。
図１０２においては、組成式ＳｒＳｉＡｌ0.84Ｌｉ2.16Ｏ1.32Ｎ2.68：Ｅｕを有する本発明による蛍光体の第１０の実施例ＡＢ１０の発光スペクトルが示されている。発光スペクトルの測定のために、本発明による蛍光体の単結晶は、４６０ｎｍの波長の一次放射により励起された。該蛍光体は、約６２８．７ｎｍのピーク波長、および５９８ｎｍのドミナント波長を有する。半値幅は、９９ｎｍであり、ＣＩＥ色空間における色点は、座標ＣＩＥ－ｘ：０．６１７およびＣＩＥ－ｙ：０．３８１である。
図１０３においては、組成式ＳｒＳｉＡｌ0.84Ｌｉ2.16Ｏ1.32Ｎ2.68：Ｅｕを有する本発明による蛍光体の第１０の実施例ＡＢ１０の発光スペクトルが示されている。発光スペクトルの測定のために、本発明による蛍光体の粉体は、４６０ｎｍの波長の一次放射により励起された。該蛍光体は、約６３２ｎｍのピーク波長、および６００ｎｍのドミナント波長を有する。半値幅は、９７．７ｎｍであり、ＣＩＥ色空間における色点は、座標ＣＩＥ－ｘ：０．６２６およびＣＩＥ－ｙ：０．３７２である。自己吸収に基づいて、該粉体の発光スペクトルは、図１０２の単結晶の発光スペクトルより低い半値幅を有する。
図１０４は、ｎｍでの波長λに対してプロットされた、本発明による蛍光体の第１０の実施例（ＡＢ１０）についての正規化されたクベルカ－ムンク関数（Ｋ／Ｓ）を示す。３４０ｎｍから５００ｎｍの間の、有利には３４０ｎｍ～４６０ｎｍの範囲の一次放射を用いて、本発明による蛍光体は、効率的に励起され得る。
図１０５においては、組成式ＳｒＳｉＡｌ0.84Ｌｉ2.16Ｏ1.32Ｎ2.68：Ｅｕを有する本発明による蛍光体の第１０の実施例ＡＢ１０、および一般式Ｓｒ（Ｓｉ0.25Ａｌ-1/8+r**/2Ｌｉ7/8-r**/2）4（Ｏ1-r**Ｎr**）4を有する蛍光体の２つのさらなる実施例（ＡＢ－１０ａおよびＡＢ－１０ｂ）の発光スペクトルが示されている。それらの実施例は、ＡＢ１０のようにして製造された。それらの秤量分は、以下の表に示されている。
ＡＢ－１０ａのための出発物質の秤量分
Figure 0007177898000022
ＡＢ－１０ｂのための出発物質の秤量分
Figure 0007177898000023
明らかなように、式Ｓｒ（Ｓｉ0.25Ａｌ-1/8+r**/2Ｌｉ7/8-r**/2）4（Ｏ1-r**Ｎr**）4中のｒ＊＊の変動によって、ピーク波長は、黄色スペクトル領域から赤色スペクトル領域へとシフトし得る。ＡＢ１０、ＡＢ－１０ａ、およびＡＢ－１０ｂの光学的特性の比較は、図１０６に示されている。このスペクトル領域に発光を示す公知の蛍光体は、α－ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕまたは（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕである。しかしながら、α－ＳｉＡｌＯＮは、Ｓｒ（Ｓｉ0.25Ａｌ-1/8+r**/2Ｌｉ7/8-r**/2）4（Ｏ1-r**Ｎr**）4よりも低いピーク波長の調節可能性を示すため、その使用において制限される。（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕは、確かにより良好なピーク波長の調節可能性を示すが、その使用は、アルカリ土類金属窒化物と同様に高価な出発物質および１４００℃を上回る合成温度によって高い費用に結びつく。したがって、蛍光体（ＭＢ）（Ｓｉ0.25Ａｌ-1/8+r**/2Ｌｉ7/8-r**/2）4（Ｏ1-r**Ｎr**）4：ＥまたはＳｒ（Ｓｉ0.25Ａｌ-1/8+r**/2Ｌｉ7/8-r**/2）4（Ｏ1-r**Ｎr**）4：Ｅ（式中、０．２５≦ｒ＊＊≦１）は、要求に応じてまたは用途に応じて、所望の色位置および／または演色指数に関して狙い通りに調整することができる。したがって、１つだけの蛍光体により、驚くべきことに、可視領域、特に黄色から赤色までの多くの色を生成することができる。該蛍光体は、特に、黄色ないし赤色の放射または白色の放射を放出するように調整されている変換型発光ダイオードのために適している。
図１０７は、結晶学的なｃ軸に沿った概略図における、蛍光体ＳｒＳｉＡｌ0.84Ｌｉ2.16Ｏ1.32Ｎ2.68：Ｅｕの正方晶の結晶構造を示す。斜線の丸は、Ｓｒ原子を表し、斜線の領域は、（Ｌｉ，Ｓｉ，Ａｌ）（Ｏ，Ｎ）4四面体を表す。蛍光体ＡＢ１０は、ＵＣｒ4Ｃ4構造型において結晶化する。該Ｓｒ原子は、角および辺が連結された（Ｌｉ，Ｓｉ，Ａｌ）（Ｏ，Ｎ）4四面体によって形成される正方晶のチャンネル中に存在する。該蛍光体は、空間群Ｉ４／ｍにおいて結晶化する。
図１０８は、ＳｒＳｉＡｌ0.84Ｌｉ2.16Ｏ1.32Ｎ2.68：Ｅｕの結晶学的データを示す。
図１０９は、ＳｒＳｉＡｌ0.84Ｌｉ2.16Ｏ1.32Ｎ2.68：Ｅｕの構造における原子層を示す。
図１１０は、ＳｒＳｉＡｌ0.84Ｌｉ2.16Ｏ1.32Ｎ2.68：Ｅｕの異方性変位パラメーターを示す。
図１１１は、第１０の実施例ＡＢ１０のＸ線粉末回折図の結晶学的評価を示す。該図において、ＳｒＳｉＡｌ0.84Ｌｉ2.16Ｏ1.32Ｎ2.68：Ｅｕについての、測定された反射と計算された反射との重ね合わせが示されている。図の上部は、実験的に観察された反射（Ｃｕ－Ｋα1線）を示し、図の下部は、計算された反射位置を示す。計算は、図１０７～１１０に記載されるようなＳｒＳｉＡｌ0.84Ｌｉ2.16Ｏ1.32Ｎ2.68：Ｅｕについての構造モデルに基づいて行った。副相の反射は、＊で示されている。副相は、非常に低い割合で存在する。
図１１２においては、組成式Ｎａ1-y**Ｅｕy**Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅｕ（式中、ｙ＊＊＝０．２２２４）を有する本発明による蛍光体の第１１の実施例ＡＢ１１の発光スペクトルが、第１の実施例ＡＢ１のＮａＬｉ3ＳｉＯ4と比べて示されている。蛍光体ＡＢ１１は、約６１３．４ｎｍのピーク波長、および５９３．６ｎｍのドミナント波長を有する。半値幅は、１０５ｎｍであり、ＣＩＥ色空間における色点は、座標ＣＩＥ－ｘ：０．５９５およびＣＩＥ－ｙ：０．４０４である。ＡＢ１およびＡＢ１１の種々の特性、特にＮａ1-y**Ｅｕy**Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅｕ（式中、ｙ＊＊＝０．２２２４）の、ＮａＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕに比べてより長波長領域にシフトしたピーク波長は、賦活剤イオン、ここではＥｕ2+イオンを混合相Ｎａ1-y**Ｅｕy**Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅｕ（式中、ｙ＊＊＝０．２２２４）中で取り囲む窒素原子のより強い電子雲膨張効果によるものである。賦活剤イオンの周囲の窒素の割合が多いほど、ピーク波長はより長波長になる。それにより、窒素含量が増大し、したがって蛍光体Ｎａ1-y**Ｅｕy**Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅｕ中のｙ＊＊についての値が増加すると、ピーク波長は、電磁スペクトルの可視領域内で、特に４７０ｎｍから６７０ｎｍの間の範囲においてシフトし得る。したがって、蛍光体（ＭＡ）1-y***Ｓｒy***Ｌｉ3-2y***Ａｌ3y***Ｓｉ1-y***Ｏ4-4y***Ｎ4y***：ＥまたはＮａ1-y**Ｅｕy**Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅ（式中、０＜ｙ＊＊＊＜０．８７５）は、とても特別な特性を有する蛍光体が必要とされる照明装置または変換型ＬＥＤのために、例えば自動車の点滅灯のために特に適している（いわゆる「カラーオンデマンド」用途）。
ＡＢ１１のための光学的データは、図１１３に示されている。
図１１４は、結晶学的なｃ軸に沿った概略図における、蛍光体Ｎａ1-y**Ｅｕy**Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅｕ（式中、ｙ＊＊＝０．２２２４）（ＡＢ１１）の正方晶の結晶構造を示す。斜線の丸は、Ｎａ／Ｅｕ原子を表し、斜線の領域は、（Ｌｉ，Ｓｉ，Ａｌ）（Ｏ，Ｎ）4四面体を表す。蛍光体ＡＢ１１は、ＵＣｒ4Ｃ4構造型において結晶化する。該Ｎａ原子およびＥｕ原子は、角および辺が連結された（Ｌｉ，Ｓｉ，Ａｌ）（Ｏ，Ｎ）4四面体によって形成される正方晶のチャンネル中に存在する。該蛍光体は、空間群Ｉ４／ｍにおいて結晶化する。該結晶構造は、例えば式Ｓｒ［Ｍｇ2Ａｌ2Ｎ4］：Ｅｕ2+（国際公開第２０１３／１７５３３６号パンフレット（ＷＯ２０１３／１７５３３６Ａ１）またはＰ．Ｐｕｓｔ ｅｔ ａｌ．，Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，２０１４，２６，６１１３）の蛍光体に関して知られている。驚くべきことに、本発明においては、８７．５％未満の窒素の割合を有する蛍光体も合成することができ、該蛍光体は安定であると示すことができた。
図１１５は、Ｎａ1-y**Ｅｕy**Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅｕ（式中、ｙ＊＊＝０．２２２４）の結晶学的データを示している。
図１１６は、Ｎａ1-y**Ｅｕy**Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅｕ（式中、ｙ＊＊＝０．２２２４）の構造における原子層を示している。
図１１７は、Ｎａ1-y**Ｅｕy**Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅｕ（式中、ｙ＊＊＝０．２２２４）の異方性変位パラメーターを示している。
図１１８ａは、第１１の実施例ＡＢ１１のＸ線粉末回折図の結晶学的評価を示す。該図において、Ｎａ1-y**Ｅｕy**Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅｕ（式中、ｙ＊＊＝０．２２２４）についての、測定された反射と計算された反射との対比が示されている。図の上部は、実験的に観察された反射（Ｍｏ－Ｋα1線）を示し、図の下部は、計算された反射位置を示す。計算は、図１１４～１１７に記載されるようなＮａ1-y**Ｅｕy**Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅｕ（式中、ｙ＊＊＝０．２２２４）についての構造モデルに基づいて行った。計算された粉末回折図の反射と測定された粉末回折図の反射との一致によって、該蛍光体の単結晶および粉体の結晶構造の一致が明らかである。
図１１８ｂにおいては、Ｎａ1-y**Ｅｕy**Ｌｉ3-2y**Ａｌ3y**Ｓｉ1-y**Ｏ4-4y**Ｎ4y**：Ｅｕ（式中、ｙ＊＊＝０．１）（ＡＢ１１－１）、Ｎａ1-y*Ｃａy*Ｌｉ3-2y*Ａｌ3y*Ｓｉ1-y*Ｏ4-4y*Ｎ4y*：Ｅｕ（式中、ｙ＊＝０．２５）（ＡＢ６－１、ＡＢ６－２）、およびＮａ1-y***Ｓｒy***Ｌｉ3-2y***Ａｌ3y***Ｓｉ1-y***Ｏ4-4y***Ｎ４y***：Ｅｕ（式中、ｙ＊＊＊＝０．２５）（ＡＢ１８）の発光スペクトルが示されている。光学的特性の比較は、図１１９に示されている。
図１２０は、ＣＩＥ色空間の一部を示す。この部分においては、ＥＣＥで示された領域は、ＥＣＥ規定（ＥＣＥ：欧州経済委員会）に対応する黄色または黄橙色の色領域における自動車のエクステリア領域の点滅灯のための色位置に相当する。ＥＣＥ規定は、国際的に合意された、自動車ならびに自動車の部品および装備品のための統一技術規則の要覧である。さらに、第１１の実施例ＡＢ１１および比較例（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕ（Ｃｏｍｐ２５８）の色位置が示されている。両方の蛍光体の色位置は、ＥＣＥの範囲内にあり、したがって自動車における点滅灯のための変換型ＬＥＤでそれを使用するために適している。（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕとは異なり、本発明による蛍光体ＡＢ１１は、より低い温度で製造することができる。ＡＢ１１を有する黄色または黄橙色の変換型ＬＥＤ（完全変換）は、ＩｎＧａＡｌＰをベースとする黄色または黄橙色のＬＥＤと比較してより一層効率的であり、より温度安定性である。
図１２１は、ＡＢ１１およびＣｏｍｐ２５８の色位置を示す。
図１２２においては、組成式ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ（式中、ｘ＊＊＝０．２０１４）を有する本発明による蛍光体の第１２の実施例ＡＢ１２の単結晶の発光スペクトルが、比較例（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）2ＳｉＯ4：Ｅｕと比べて示されている。蛍光体ＡＢ１２は、約５８０．３ｎｍのピーク波長、および５７６．５ｎｍのドミナント波長を有する。半値幅は、８０ｎｍであり、ＣＩＥ色空間における色点は、座標ＣＩＥ－ｘ：０．４８６およびＣＩＥ－ｙ：０．５０６である。ＡＢ１２および（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）2ＳｉＯ4：Ｅｕの光学的データの比較は、図１２３に示されている。（ＭＢ）Ｌｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：ＥｕまたはＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ（式中、０＜ｘ＊＊＜０．８７５、特にｘ＊＊＝０．２０１４）は、一次放射が完全にまたはほぼ完全に二次放射に変換されるため、特に「カラーオンデマンド」用途のために使用可能である有色の変換型ＬＥＤにおいて使用するために適している。図１２３に示されるように、ＡＢ１２を有する変換型ＬＥＤは、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）2ＳｉＯ4：Ｅｕを有する変換型ＬＥＤよりも高い光収率を有する。
図１２４は、変換型ＬＥＤのシミュレートされた発光スペクトルを示す。第１２の実施例ＡＢ１２および比較例としての蛍光体を有する、４４２ｎｍの一次放射による変換型ＬＥＤの発光スペクトルが示されている。全放射が一次放射およびそれぞれの二次放射から構成される白色の発光スペクトルが示されている。光学的データは、図１２５に示されている。比較例と比較して低いＡＢ１２の半値幅に基づいて、本発明による蛍光体ＡＢ１２を有する変換型ＬＥＤは、視覚感度曲線との重複が比較例の場合よりも大きいので、より高い光収率（ＬＥＲ）を有する。したがって、（ＭＢ）Ｌｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：ＥｕまたはＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ（式中、０＜ｘ＊＊＜０．８７５）、特に第１２の実施例は、特に、ＵＶ領域ないし青色領域における一次放射と組み合わせて、例えばＩｎＧａＮをベースとする層列と組み合わせて、温白色の全放射を生成するための、特に３４００Ｋ±１００Ｋの色温度を有する変換型ＬＥＤにおける単独の蛍光体として使用するために適している。プランク曲線の近くの色位置を有する３４００Ｋ±１００Ｋの色温度は、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅを使用する場合には達成されない。Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅの変態、例えば（Ｙ，Ｌｕ，Ｇｄ，Ｔｂ）3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12：Ｃｅ（図１２５）の使用は確かに、所望の色位置および色温度をもたらすが、光収率は、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅを使用した場合よりも低く、熱消光挙動はより高い。オルトシリケート、例えば（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）2ＳｉＯ4：Ｅｕは、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅと比べて熱的かつ化学的に不安定であり、さらにＡＢ１２を有する変換型ＬＥＤと比べてより粗悪な光収率を示す。
図１１４および図１６０は、結晶学的なｃ軸に沿った概略図における、蛍光体ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ（式中、ｘ＊＊＝０．２０１４）（ＡＢ１２）の正方晶の結晶構造を示す。斜線の丸は、Ｓｒ原子を表し、斜線の領域は、（Ｌｉ，Ａｌ）（Ｏ，Ｎ）4四面体を表す。蛍光体ＡＢ１２は、ＵＣｒ4Ｃ4構造型において結晶化する。該蛍光体は、空間群Ｉ４／ｍにおいて結晶化する。該結晶構造は、例えば式Ｓｒ［Ｍｇ2Ａｌ2Ｎ4］：Ｅｕ2+（国際公開第２０１３／１７５３３６号パンフレット（ＷＯ２０１３／１７５３３６Ａ１）またはＰ．Ｐｕｓｔ ｅｔ ａｌ．，Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，２０１４，２６，６１１３）の蛍光体に関して知られている。前記（Ｌｉ，Ａｌ）（Ｏ，Ｎ）4四面体は、Ｓｒ原子が配置されている正方晶のチャンネルを形成する。驚くべきことに、本発明においては、８７．５％未満の窒素の割合を有する蛍光体も合成することができ、該蛍光体は安定であると示すことができた。式ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ（式中、ｘ＊＊≧０．１２５０）の蛍光体は、この結晶型において結晶化し、これは、実施例ＡＢ１２－１～ＡＢ１２－８をもとに示すことができた。ｘ＊＊の増加に伴い、単位格子の体積は増大し、ピーク波長は、より長波長へとシフトする。
図１２６は、ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ（式中、ｘ＊＊＝０．２０１４）（ＡＢ１２）の結晶学的データを示している。
図１２７は、ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ（式中、ｘ＊＊＝０．２０１４）（ＡＢ１２）の構造における原子層を示している。
図１２８は、ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ（式中、ｘ＊＊＝０．２０１４）（ＡＢ１２）の異方性変位パラメーターを示している。
図１２９においては、組成式（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｋ0.25Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を有する本発明による蛍光体のＡＢ１３の発光スペクトルが示されている。発光スペクトルの測定のために、本発明による蛍光体の粉体は、４００ｎｍの波長の一次放射により励起された。該蛍光体は、４６ｎｍの半値幅を有し、５３０ｎｍのピーク波長および５３２ｎｍのドミナント波長を有する。色位置は、ＣＩＥ－ｘ：０．２２２およびＣＩＥ－ｙ：０．６４７である。該光学的特性は、第８の実施例の特性に類似している。約４９０ｎｍでのピークは、おそらくＣｓＮａ2Ｋ（Ｌｉ3ＳｉＯ4）4：Ｅｕ2+の混入に起因するものである。
図１３０は、ｎｍでの波長λに対してプロットされた、ＡＢ１３についての正規化されたクベルカ－ムンク関数（Ｋ／Ｓ）を示す。該蛍光体は、青色領域における一次放射により効率的に励起され得る。
図１３１においては、組成式（Ｃｓ0.25Ｎａ0.5Ｋ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を有する本発明による蛍光体のＡＢ１４の発光スペクトルが示されている。発光スペクトルの測定のために、本発明による蛍光体の粉体は、４００ｎｍの波長の一次放射により励起された。該蛍光体は、２６ｎｍの半値幅を有し、４８６ｎｍのピーク波長および４９７ｎｍのドミナント波長を有する。色位置は、ＣＩＥ－ｘ：０．１３８およびＣＩＥ－ｙ：０．４１９である。
図１３２は、ｎｍでの波長λに対してプロットされた、ＡＢ１４についての正規化されたクベルカ－ムンク関数（Ｋ／Ｓ）を示す。該蛍光体は、青色領域における一次放射により効率的に励起され得る。
図１３３においては、組成式（Ｒｂ0.25Ｎａ0.5Ｋ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を有する本発明による蛍光体のＡＢ１５の発光スペクトルが示されている。発光スペクトルの測定のために、本発明による蛍光体の粉体は、４００ｎｍの波長の一次放射により励起された。該蛍光体は、２７ｎｍの半値幅を有し、４８０ｎｍのピーク波長および４９０ｎｍのドミナント波長を有する。色位置は、ＣＩＥ－ｘ：０．１３９およびＣＩＥ－ｙ：０．３１３である。約５３０ｎｍでのピークは、おそらくＲｂＮａ（Ｌｉ3ＳｉＯ4）2またはＫ2ＮａＬｉ（Ｌｉ3ＳｉＯ4）4の混入に起因するものである。
図１３４は、ｎｍでの波長λに対してプロットされた、ＡＢ１５についての正規化されたクベルカ－ムンク関数（Ｋ／Ｓ）を示す。該蛍光体は、青色領域における一次放射により効率的に励起され得る。
図１３５においては、組成式（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｒｂ0.25Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を有する本発明による蛍光体のＡＢ１６の発光スペクトルが示されている。発光スペクトルの測定のために、本発明による蛍光体の粉体は、４００ｎｍの波長の一次放射により励起された。該蛍光体は、２４ｎｍの半値幅を有し、４７３ｎｍのピーク波長および４８９ｎｍのドミナント波長を有する。約５３０ｎｍでのピークは、おそらくＲｂＮａ（Ｌｉ3ＳｉＯ4）2の混入に起因するものである。
ＡＢ１４、ＡＢ１５、およびＡＢ１６の光学的特性は、ＡＢ９およびＡＢ３の特性に類似している。
図１３６は、ｎｍでの波長λに対してプロットされた、ＡＢ１６についての正規化されたクベルカ－ムンク関数（Ｋ／Ｓ）を示す。該蛍光体は、青色領域における一次放射により効率的に励起され得る。
図１３７は、組成式（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｋ0.25Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を有する本発明による蛍光体のＡＢ１３の正方晶の結晶構造を示している。黒色の丸は、Ｃｓ原子を表し、白抜きの丸は、Ｌｉ原子を表し、線が入った丸は、Ｋ原子を表し、格子模様の丸は、Ｎａ原子を表す。該結晶構造は、第９の実施例ＡＢ９の結晶構造と類似しており、ＡＢ１３は、同じ空間群Ｉ４／ｍにおいて結晶化されている。前記（Ｌｉ3ＳｉＯ4）構成単位は、ＳｉＯ4四面体およびＬｉＯ4四面体を有し、その際、酸素が頂点であり、かつＬｉまたはＳｉが四面体の中心を占有する。（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｋ0.25Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+は、（Ｌｉ3ＳｉＯ4）構成単位内に２種類のチャンネルを有し、その際、一方のチャンネルは、ＮａおよびＬｉによって占有されており、もう一方のチャンネルは、交互にＣｓおよびＫによって占有されている。チャンネル内のＮａおよびＬｉの配置は、ＡＢ７の配置に相当する。チャンネル内のＮａおよびＬｉの正確な配置は、Ｘ線回折によって確認することはできない。
図１３８は、組成式（Ｃｓ0.25Ｎａ0.5Ｋ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を有する本発明による蛍光体のＡＢ１４の正方晶の結晶構造を示している。黒色の丸は、Ｃｓ原子を表し、線が入った丸は、Ｋ原子を表し、格子模様の丸は、Ｎａ原子を表す。該結晶構造は、第９の実施例ＡＢ９の結晶構造と類似しており、ＡＢ１３は、同じ空間群Ｉ４／ｍにおいて結晶化されている。前記（Ｌｉ3ＳｉＯ4）構成単位は、ＳｉＯ4四面体およびＬｉＯ4四面体を有し、その際、酸素が頂点であり、かつＬｉまたはＳｉが四面体の中心を占有する。（Ｃｓ0.25Ｎａ0.5Ｋ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+は、（Ｌｉ3ＳｉＯ4）構成単位内に２種類のチャンネルを有し、その際、一方のチャンネルは、Ｎａによって占有されており、もう一方のチャンネルは、交互にＣｓおよびＫによって占有されている。
図１３９は、組成式（Ｒｂ0.25Ｎａ0.5Ｋ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を有する本発明による蛍光体のＡＢ１５の正方晶の結晶構造を示している。黒色の丸は、Ｒｂ原子を表し、線が入った丸は、Ｋ原子を表し、格子模様の丸は、Ｎａ原子を表す。該結晶構造は、ＡＢ１４の構造と同型構造であり、その際、Ｃｓ原子の位置は、Ｒｂ原子によって占有されている。
図１４０は、組成式（Ｃｓ0.25Ｎａ0.25Ｒｂ0.25Ｌｉ0.25）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ2+を有する本発明による蛍光体のＡＢ１６の正方晶の結晶構造を示している。黒色の丸は、Ｃｓ原子を表し、線が入った丸は、Ｒｂ原子を表し、格子模様の丸は、Ｎａ原子を表し、白抜きの丸は、Ｌｉ原子を表す。該結晶構造は、ＡＢ１３の構造と同型構造であり、その際、Ｋ原子の位置は、Ｒｂ原子によって占有されている。
図１４１～１４４は、ＡＢ１３（図１４１）、ＡＢ１４（図１４２）、ＡＢ１５（図１４３）、およびＡＢ１６（図１４４）のＸ線粉末回折図のそれぞれのリートフェルト精密化を示す。該図において、測定された反射と計算された反射との重ね合わせ、および測定された反射と計算された反射との差異が示されている。
図１４５は、結晶学的データを示し、図１４６は、ＡＢ１３の原子層を示す。
図１４７は、結晶学的データを示し、図１４８は、ＡＢ１４の原子層を示す。
図１４９は、結晶学的データを示し、図１５０は、ＡＢ１５の原子層を示す。
図１５１は、結晶学的データを示し、図１５２ａは、ＡＢ１６の原子層を示す。
図１５２ｂにおいては、組成式ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ2+（式中、ｘ＊＊＝０．１２５）（ＡＢ１２－１）および（式中、ｘ＊＊＝０．１３７５）（ＡＢ１２－２）を有する本発明による蛍光体ＡＢ１２－１およびＡＢ１２－２の単結晶の発光スペクトルが示されている。光学的特性は、図１５３に示されている。
図１５４においては、蛍光体ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ2+（式中、ｘ＊＊＜０．１２５）の単結晶の発光スペクトルが示されている。蛍光体ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ2+（式中、ｘ＊＊＜０．１２５）は、ｘ＊＊≧０．１２５を有する蛍光体よりも低い半値幅を有する。光学的特性は、図１５５に示されている。式ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ2+（式中、ｘ＊＊＜０．１２５）の蛍光体の結晶構造は、ＵＣｒ4Ｃ4の構造型と類似しているが、単結晶回折データにおける反射は、より高い秩序度を示す。それは、ＵＣｒ4Ｃ4構造型から誘導される、より高い秩序度を有する結晶構造をもたらす。驚くべきことに、より高い酸素含量を有する蛍光体は、該結晶構造内でより高い秩序度を示す。より低い半値幅は、該結晶構造のより高い秩序度に起因するものである。
図１５６においては、種々の割合ｘ＊＊を有するＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕの粉体および単結晶に関する、式ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ（式中、ｘ＊＊≧０．１２５０）の蛍光体の結晶構造の単位格子の格子体積に対する、ピーク波長λｐｅａｋがｎｍで示されている。粉体および単結晶の測定におけるピーク波長における差異は、粉体測定における再吸収作用により引き起こされ、その作用は、観察されるピーク波長の長波長シフトをもたらし得る。該ピーク波長は、単位格子の格子体積の適合によって調整され得る。ｘ＊＊の増加に伴い、単位格子の格子体積は増大し、同時にピーク波長はより長波長領域にシフトする。有利には、ｘ＊＊≧０．１２５の変動によって、ピーク波長は、緑色スペクトル領域から赤色スペクトル領域へとシフトし得る。種々の割合ｘ＊＊についてのピーク波長および格子体積（Ｖ）は、図１５７に示されている。一般組成式ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕの蛍光体は、それにより非常に多くの用途のために関心が持たれる。特に、黄色発光するＹ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、橙赤色発光する（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕ、および赤色発光する（Ｓｒ，Ｃａ）ＳｉＡｌＮ3：Ｅｕの間のピーク波長を有する蛍光体を得ることができる。
図１５８は、組成式ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ2+（式中、ｘ＊＊＝０．１２５）（ＡＢ１２－１）および（式中、ｘ＊＊＝０．１３７５）（ＡＢ１２－２）を有する本発明による蛍光体ＡＢ１２－１およびＡＢ１２－２の単結晶の結晶学的データを示している。
図１５９は、ＡＢ１２－２についての、ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ2+の構造における原子層を示している。
図１６１においては、組成式Ｎａ0.125Ｋ0.875Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕを有する本発明による蛍光体のＡＢ１７の発光スペクトルが示されている。発光スペクトルの測定のために、本発明による蛍光体の単結晶は、４６０ｎｍの波長の一次放射により励起された。ピーク１およびピーク２で示される曲線は、２つの発光ピークを有する全発光を記載するための２つのガウス曲線を示している。測定された曲線は、計算された曲線としての２つのガウス曲線の和と一致している。最も大きな強度を有する発光ピークの波長が、ピーク波長と呼ばれる。より低い強度を有する発光ピークの波長は、相対発光極大と呼ばれる。該スペクトルから得られたデータは、図１６２にまとめられている。
図１６３においては、種々の割合ｒを有する本発明による蛍光体（ＮａrＫ1-r）1Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ（式中、０．０５＜ｒ＜０．２）の３つの実施形態の発光スペクトルが示されている。これらも幅広い発光を示す。
図１６４は、変換型ＬＥＤのシミュレートされた光学的データの一覧を示す。一次放射源としては、ＩｎＧａＮをベースとする青色発光する半導体チップが使用され、該一次放射のピーク波長は、４３８ｎｍまたは４４３ｎｍである。一次放射の変換のために使用される蛍光体は、ＡＢ１７および（Ｌｕ，Ｙ）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅである。比較例は、Ｃｏｍｐ１、Ｃｏｍｐ２、およびＣｏｍｐ３で示されており、本発明による実施形態は、ＡＢ１７－ＬＥＤ１、およびＡＢ１７－ＬＥＤ２で示されている。変換型ＬＥＤの全放射は、すべての変換型ＬＥＤにおいて一次放射と二次放射との重ね合わせにより生ずる。全放射の色位置はすべて、完全放射体に近い８０００Ｋを上回る色温度を有する冷白色の範囲にある。驚くべきことに、本発明による実施形態は、ＣＲＩ＞８０およびＲ９＞５０で高い演色指数を有し、その一方で、比較例は、ＣＲＩ＜７０およびＲ９＜０を有するにすぎない。それは、緑色スペクトル領域から赤色スペクトル領域までの蛍光体ＡＢ１７の幅広い発光に起因するものである。それにより、蛍光体（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅｕ（式中、０．０５＜ｒ＜０．２）、特に（ＮａrＫ1-r）1Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕは、特に一般照明のための変換型ＬＥＤのために適している。有利には、一般照明のための変換型ＬＥＤにおいて単独の蛍光体として使用することができる。
図１６５においては、図１６４からの変換型ＬＥＤの全放射の色位置が示されている。明らかなように、その色位置はすべて、完全放射体の色位置の近くにある。
図１６６においては、図１６４からのＡＢ１７－ＬＥＤ２およびＣｏｍｐ２の変換型ＬＥＤの発光スペクトルが示されている。
図１６７は、変換型ＬＥＤのシミュレートされた光学的データの一覧を示す。一次放射源としては、ＩｎＧａＮをベースとする青色発光する半導体チップが使用され、該ピーク波長は、４４３ｎｍ、４４６ｎｍ、または４３３ｎｍにある。一次放射の変換のために使用される蛍光体は、ＡＢ１７およびＬｕ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅである。比較例は、Ｃｏｍｐ４およびＣｏｍｐ５で示されており、本発明による実施形態は、ＡＢ１７－ＬＥＤ３、ＡＢ１７－ＬＥＤ４、およびＡＢ１７－ＬＥＤ５で示されている。本発明による実施形態においては、蛍光体としてＡＢ１７のみが使用され、その一方で、比較例においては、Ｌｕ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅの他に、第２の赤色発光する蛍光体ＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕが使用される。驚くべきことに、本発明による実施形態の全放射は、標準的フィルタおよびより大きい色空間（ＨＣＧ、高色域）のためのフィルタの透過領域と非常に大きな重複を示すので、僅かな光しか失われず、達成可能な色空間はかなり大きい。明らかなように、本発明による実施形態は、１種の蛍光体だけで、２種の蛍光体を使用する比較例よりも高く、部分的により大きいｓＲＧＢ色空間の色のカバー率を達成することができる。それにより、蛍光体（ＮａrＫ1-r）1（ＴＡ）3（ＴＤ）1（ＸＢ）4：Ｅｕ（式中、０．０５＜ｒ≦０．２）、特に（ＮａrＫ1-r）1Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕは、特にバックライト用途のための変換型ＬＥＤのために適している。有利には、バックライト用途のための変換型ＬＥＤにおいて単独の蛍光体として使用することができる。
図１６８においては、図１６７からのＡＢ１７－ＬＥＤ５およびＣｏｍｐ５の変換型ＬＥＤの発光スペクトルが示されている。
図１６９および１７０は、図１６７からの種々の変換型ＬＥＤのフィルタされた全放射の広がった色空間、およびそれとｓＲＧＢ色空間との重複を示している。実施例ＡＢ１７－ＬＥＤ３およびＡＢ１７－ＬＥＤ５を用いると、大きなバンド幅の色が再現され得、とりわけ広がったカラートライアングルの緑色の頂点において、比較例の場合よりも多くの色を達成することができることが明らかである。
図１７１は、結晶学的なｃ軸に沿った概略図における、蛍光体Ｎａ0.125Ｋ0.875Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ（ＡＢ１７）の正方晶の結晶構造の単位格子を示す。狭く斜線が入った丸は、Ｎａ原子を表し、白抜きの丸は、Ｋ原子を表す。斜線が入った領域は、ＬｉＯ4四面体を表し、狭く斜線が入った領域は、ＳｉＯ4四面体を表す。ＬｉＯ4四面体およびＳｉＯ4四面体は、角および辺が連結されており、Ｎａ原子およびＫ原子が配置されているチャンネルを形成する。該結晶構造は、ＡＢ３、ＡＢ７、ＡＢ８、ＡＢ９、ＡＢ１３、ＡＢ１４、ＡＢ１５、およびＡＢ１６の結晶構造に類似している。
特に、２種類のチャンネルが該結晶構造中に含まれている。その一方のチャンネルにおいては、もっぱらＫ原子のみが配置されているが、もう一方のチャンネル中にはＮａ原子およびＫ原子が配置されている。もっぱらＫ原子のみが配置されているチャンネルの周りには、ＳｉＯ4四面体（狭い線が入っている）は、螺旋形に配置されている（図１７２）。Ｎａ原子（狭い斜線が入った丸）は、Ｎａ原子およびＫ原子が配置されているチャンネル中で、歪んだ四面体状にＳｉＯ4四面体によって取り囲まれている（黒色の領域、図１７３）。図１７２においては、Ｋ原子のみを含むチャンネルが示されている。図１７３においては、Ｋ原子およびＮａ原子を含むチャンネルが示されている。チャンネル内でのＫ原子およびＮａ原子の配置の順序は、ＮａＫＫＫＮａＫＫＫである。図１７２および１７３における結晶構造の一部の図は、結晶学的なｃ軸に対して垂直である。
図１７４は、Ｎａ0.125Ｋ0.875Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ（ＡＢ１７）の結晶学的データを示す。
図１７５は、Ｎａ0.125Ｋ0.875Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ（ＡＢ１７）の構造における原子層を示す。
図１７６は、Ｎａ0.125Ｋ0.875Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕ（ＡＢ１７）の異方性変位パラメーターを示す。
図１７７は、第１７の実施例ＡＢ１７のＸ線粉末回折図の結晶学的評価を示す。該図において、Ｎａ0.125Ｋ0.875Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕについての測定された反射と計算された反射との対比が示されている。図の上部は、実験的に観察された反射（Ｍｏ－Ｋα1線）を示し、図の下部は、計算された反射位置を示す。計算は、図１７１～１７６に記載されるようなＮａ0.125Ｋ0.875Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕについての構造モデルに基づいて行った。副相の反射は、＊で示されている。計算された粉末回折図の反射と測定された粉末回折図の反射との一致によって、該蛍光体の単結晶および粉体の結晶構造の一致が明らかである。
図１７８による変換型ＬＥＤは、基板１０上に配置されている層列２を有する。基板１０は、例えば反射性に形成されていてよい。該層列２を覆って変換エレメント３が層の形で配置されている。該層列２は、変換型ＬＥＤの作動時に３００ｎｍ～５００ｎｍの波長を有する一次放射を放出する活性層を有する（示されていない）。該変換エレメントは、一次放射の放射経路Ｓに配置されている。該変換エレメント３は、マトリクス材料、例えばシリコーンと、一次放射を変換型ＬＥＤの作動時に少なくとも部分的に電磁スペクトルの緑色領域における二次放射へと変換する１０μｍの平均粒度を有する蛍光体（Ｒｂ0.5Ｌｉ0.5）Ｌｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕの粒子とを含む。該蛍光体は、変換エレメント３においてマトリクス材料中に製造許容差の範囲内で均一に分配されている。該変換エレメント３は、層列２の放射放出面２ａおよび層列２の側面を覆って全面に施与されており、層列２の放射放出面２ａおよび層列２の側面と直接的な機械的接触状態にある。一次放射はまた、層列２の側面を介して放射することもできる。
変換エレメント３は、例えば射出成形法、トランスファー成形法、または噴霧コーティング法により施与され得る。さらに、前記変換型ＬＥＤは、電気的接点を有する（示されていない）。その構成および配置は、当業者に公知である。
図１７９においては、変換型ＬＥＤ１のさらなる実施例が示されている。図６８との比較において、変換エレメント３は小板として形成されている。該小板は、蛍光体の複数の粒子が一緒に焼結されたものからなり、したがってセラミック小板であってよく、または該小板は、例えばマトリクス材料としてのガラス、シリコーン、エポキシ樹脂、ポリシラザン、ポリメタクリレート、もしくはポリカーボネートを、そこに包埋された蛍光体の粒子と一緒に有する。該変換エレメント３は、層列２の放射放出面２ａを覆って全面に施与されている。特に、一次放射は、層列２の側面を介して放射されず、主として放射放出面２ａを介して放射される。該変換エレメント３は、例えばシリコーン製の接着層（示されていない）を介して層列２上に施与されていてよい。
図１８０による変換型ＬＥＤ１は、凹部を有するハウジング１１を有する。該凹部において、変換型ＬＥＤの作動時に３００ｎｍ～４６０ｎｍの波長を有する一次放射を放出する活性層を有する（示されていない）層列２が配置されている。変換エレメント３は、層列２の封止材として前記凹部において形成されており、マトリクス材料、例えばシリコーンと、一次放射を変換型ＬＥＤ１の作動時に少なくとも部分的に白色の光印象を与える二次放射へと変換する蛍光体、例えばＫＬｉ3ＳｉＯ4：Ｅｕとを含む。また、該変換エレメント３中の蛍光体は、空間的に放射放出面２ａの上部に集中していてもよい。それは、例えば沈降によって達成することができる。
本発明は、実施例での記載によりこの記載に制限されるものではない。むしろ、本発明は、あらゆる新規の特徴だけでなく、あらゆる特徴の組み合わせを含むので、この特徴またはこの組み合わせ自体が特許請求の範囲または実施例に明確に示されていなくても、特に特許請求の範囲における特徴のあらゆる組み合わせが含まれる。
ｐｐｍ 百万分率、 λｐｅａｋ ピーク波長、 λｄｏｍ ドミナント波長、 ＡＢ 実施例、 ｇ グラム、 Ｅ 発光、 ｍｍｏｌ ミリモル、 ｍｏｌ％ モルパーセント、 Ｒinf 拡散反射、 ｌｍ ルーメン、 Ｗ ワット、 ＬＥＲ 光収率、 ＬＥＤ 発光ダイオード、 ＣＲＩ 演色指数、 ＣＣＴ 較正色温度、 Ｒ９ 演色指数、 Ｋ／Ｓ クベルカ－ムンク関数、 Ｋ ケルビン、 ｃｍ センチメートル、 ｎｍ ナノメートル、 °２θ ２シータ度、 Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、Ｖ、ＶＩ Ｘ線粉末回折図、 Ｅｗ 白色点、 ＫＬ 変換線、 Ｔ 温度、 ℃ 摂氏度、 １ 変換型ＬＥＤ、 ２ 層列／半導体チップ、 ２ａ 放射放出面、 ３ 変換エレメント、 １０ 基板、 １１ ハウジング、 Ｓ 一次放射の放射経路

Claims (10)

  1. 一般組成式：（ＭＢ）Ｌｉ 3-2x** Ａｌ 1+2x** Ｏ 4-4x** Ｎ 4x** ：Ｅを有し、式中、０＜ｘ＊＊＜０．８７５であり、ＭＢは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎおよびそれらの組み合わせを含む二価の金属の群から選択され、かつＥは、Ｅｕ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｙｂおよびそれらの組み合わせを含む群から選択される、蛍光体を含む照明装置。
  2. 前記蛍光体は、式：
    ＳｒＬｉ3-2x**Ａｌ1+2x**Ｏ4-4x**Ｎ4x**：Ｅｕ
    を有する、請求項１記載の照明装置。
  3. ０．１２５≦ｘ＊＊＜０．８７５である、請求項１または２記載の照明装置。
  4. ０．１２５≦ｘ＊＊≦０．５である、請求項１から３までのいずれか１項記載の照明装置。
  5. ０．１２５≦ｘ＊＊≦０．４５である、請求項１から４までのいずれか１項記載の照明装置。
  6. 前記蛍光体が、正方晶の結晶系において結晶化する、請求項１から５までのいずれか１項記載の照明装置。
  7. 前記蛍光体が、空間群Ｉ４／ｍにおいて結晶化する、請求項１から６までのいずれか１項記載の照明装置。
  8. 前記照明装置が、変換型ＬＥＤであり、且つ
    ・ 前記変換型ＬＥＤの作動時に電磁的な一次放射を放出するように調整されている一次放射源、および
    ・ 電磁的な一次放射の放射経路に配置されている変換エレメントを含み、
    前記変換エレメントが、変換型ＬＥＤの作動時に電磁的な一次放射を少なくとも部分的に電磁的な二次放射へと変換するように調整されている蛍光体を含む、請求項１から７までのいずれか１項記載の照明装置。
  9. 表示装置、特にディスプレイのバックライトのための、請求項１から８までのいずれか１項記載の照明装置の使用。
  10. 請求項１から８までのいずれか１項記載の照明装置を含む表示装置。
JP2021148201A 2016-08-12 2021-09-10 照明装置 Active JP7177898B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016114996.9 2016-08-12
DE102016114996 2016-08-12
DE102016121694.1 2016-11-11
DE102016121694.1A DE102016121694A1 (de) 2016-08-12 2016-11-11 Beleuchtungsvorrichtung
JP2019507204A JP6944516B2 (ja) 2016-08-12 2017-08-10 照明装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019507204A Division JP6944516B2 (ja) 2016-08-12 2017-08-10 照明装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022000514A JP2022000514A (ja) 2022-01-04
JP7177898B2 true JP7177898B2 (ja) 2022-11-24

Family

ID=59683541

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019507204A Active JP6944516B2 (ja) 2016-08-12 2017-08-10 照明装置
JP2021148201A Active JP7177898B2 (ja) 2016-08-12 2021-09-10 照明装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019507204A Active JP6944516B2 (ja) 2016-08-12 2017-08-10 照明装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10505080B2 (ja)
JP (2) JP6944516B2 (ja)
KR (2) KR102531061B1 (ja)
CN (2) CN109642155B (ja)
DE (1) DE112017004059A5 (ja)
WO (1) WO2018029304A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016121692A1 (de) 2016-08-12 2018-02-15 Osram Gmbh Leuchtstoff und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs
US10711192B2 (en) 2016-08-12 2020-07-14 Osram Oled Gmbh Lighting device
JP7050774B2 (ja) 2016-11-11 2022-04-08 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 蛍光体、照明装置および照明装置の使用
DE102017108190A1 (de) * 2017-04-18 2018-10-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement
DE112018004067A5 (de) 2017-08-10 2020-04-23 Osram Oled Gmbh Dimmbare Lichtquelle
US11532770B2 (en) * 2017-10-13 2022-12-20 The Regents Of The University Of California Mining unexplored chemistries for phosphors for high-color-quality whitelight-emitting diodes
DE102018205464A1 (de) * 2017-11-10 2019-05-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsvorrichtung und verwendung einer beleuchtungsvorrichtung
DE112019001792B4 (de) 2018-04-04 2023-09-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtstoff und beleuchtungsvorrichtung
DE102018004827B4 (de) * 2018-06-15 2023-09-14 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Gelber leuchtstoff und beleuchtungsvorrichtung
DE102019208285A1 (de) 2019-06-06 2020-12-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Gelber leuchtstoff und lichtquelle
CN110484254A (zh) * 2019-07-12 2019-11-22 广东工业大学 一种高效宽激发窄发射绿色发光材料及其制备方法和应用
DE102020204429A1 (de) * 2020-04-06 2021-10-07 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Schmalbandiger grüner leuchtstoff
CN112210370B (zh) * 2020-10-10 2021-08-31 北京科技大学 一种单一基质白光荧光粉的制备方法、白光荧光粉和白光led发光装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006313902A (ja) 2005-05-02 2006-11-16 Samsung Electro Mech Co Ltd 白色発光素子
JP2007146154A (ja) 2005-10-31 2007-06-14 Kyocera Corp 波長変換器、照明装置および照明装置集合体
JP2012524141A (ja) 2009-04-16 2012-10-11 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 赤色発光の発光材料
JP2015526532A (ja) 2012-05-22 2015-09-10 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 固体照明のための新規狭帯域赤色発光蛍光体のような新規蛍光体
CN105400513A (zh) 2015-07-21 2016-03-16 杭州萤鹤光电材料有限公司 一种红色荧光粉及其制备方法
JP2016042579A (ja) 2014-08-18 2016-03-31 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10123236A1 (de) 2001-05-12 2002-11-14 Philips Corp Intellectual Pty Plasmabildschirm mit blauem Leuchtstoff
JP4581120B2 (ja) 2004-04-26 2010-11-17 独立行政法人物質・材料研究機構 酸窒化物粉末およびその製造方法
WO2005123876A1 (ja) * 2004-06-18 2005-12-29 National Institute For Materials Science α型サイアロン及びα型サイアロン蛍光体並びにその製造方法
JP4899319B2 (ja) 2005-02-23 2012-03-21 住友化学株式会社 白色ｌｅｄ
JP2006232906A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Sumitomo Chemical Co Ltd 蛍光体およびそれを用いた発光装置
US20100155753A1 (en) * 2005-02-23 2010-06-24 Sumitomo Chemical Company, Limited Phosphor, light emitting device and white light emitting diode
ATE492141T1 (de) * 2005-06-30 2011-01-15 Koninkl Philips Electronics Nv Beleuchtungssystem mit einem gelbes und grünes licht emittierenden leuchtstoff
KR20080084235A (ko) 2007-03-15 2008-09-19 삼성전자주식회사 퀀텀 도트를 이용한 무기 전계발광소자
JP5361199B2 (ja) 2008-01-29 2013-12-04 株式会社東芝 蛍光体および発光装置
DE202008018060U1 (de) 2008-03-19 2011-05-12 Samsung LED Co., Ltd., Suwon Weißlicht-emittierende Vorrichtung und Weißlichtquellenmodul, das diese Vorrichtung verwendet
JP5766386B2 (ja) * 2008-08-29 2015-08-19 株式会社東芝 発光デバイス及び発光装置
DE102009010705A1 (de) 2009-02-27 2010-09-02 Merck Patent Gmbh Co-dotierte 2-5-8 Nitride
US20140159584A1 (en) 2009-08-14 2014-06-12 Once Innovations, Inc. Spectral shift control and methods for dimmable ac led lighting
EP2488603B1 (de) 2009-10-13 2014-01-08 Merck Patent GmbH Leuchtstoffmischungen mit europium dotierten ortho-silikaten
EP2554629B1 (en) 2010-03-31 2016-03-09 Ube Industries, Ltd. Method for producing sialon-based acid nitride phosphor, and sialon-based acid nitride phosphor
DE102010030473A1 (de) 2010-06-24 2011-12-29 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
US20120019126A1 (en) 2010-07-22 2012-01-26 General Electric Company Oxynitride phosphors, method of preparation, and light emitting instrument
EP2428543B1 (en) 2010-09-08 2013-05-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device
US9382475B2 (en) * 2010-11-16 2016-07-05 Denka Company Limited Phosphor, light-emitting device and use thereof
BR112013013485B1 (pt) 2010-12-01 2020-12-29 Lumileds Holding B.V. material ba1-x-y-zsrxcayeuz)2si5-a-balan8-a-4boa+4b, estrutura emissora de luz e sistema
CN102559177B (zh) 2010-12-28 2014-09-03 北京宇极科技发展有限公司 一种氮氧化合物发光材料、其制备方法以及由其制成的照明光源
US20130127333A1 (en) 2010-12-28 2013-05-23 Beijing Yuji Science And Technology Co. Ltd Oxynitride luminescent material, preparation method thereof and illumination light source made from such material
WO2013096969A1 (en) * 2011-12-23 2013-06-27 Martin, Richard, James Photoluminescent illuminators for passive illumination of sights and other devices
US9425365B2 (en) 2012-08-20 2016-08-23 Pacific Light Technologies Corp. Lighting device having highly luminescent quantum dots
TWI472843B (zh) * 2012-11-20 2015-02-11 Au Optronics Corp 顯示裝置
DE112014004638B4 (de) 2013-10-08 2023-11-23 Osram Gmbh Leuchtstoff und Verfahren zum Herstellen eines Leuchtstoffs
KR102441273B1 (ko) * 2014-08-27 2022-09-08 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
DE102014112750A1 (de) 2014-09-04 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE112016002074B9 (de) 2015-05-07 2023-01-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtstoff, Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs und Verwendung eines Leuchtstoffs
DE102015107580A1 (de) 2015-05-13 2016-11-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement
EP3296377B1 (en) 2015-05-15 2020-06-10 National Institute for Materials Science Phosphor, production method for same, illumination instrument, and image display device
KR102477353B1 (ko) 2015-08-06 2022-12-16 삼성전자주식회사 적색 형광체, 백색 발광장치 및 조명 장치
US10585228B2 (en) 2015-12-29 2020-03-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dots, production methods thereof, and electronic devices including the same
JP2017188592A (ja) 2016-04-06 2017-10-12 日亜化学工業株式会社 発光装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006313902A (ja) 2005-05-02 2006-11-16 Samsung Electro Mech Co Ltd 白色発光素子
JP2007146154A (ja) 2005-10-31 2007-06-14 Kyocera Corp 波長変換器、照明装置および照明装置集合体
JP2012524141A (ja) 2009-04-16 2012-10-11 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 赤色発光の発光材料
JP2015526532A (ja) 2012-05-22 2015-09-10 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 固体照明のための新規狭帯域赤色発光蛍光体のような新規蛍光体
JP2016042579A (ja) 2014-08-18 2016-03-31 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
CN105400513A (zh) 2015-07-21 2016-03-16 杭州萤鹤光电材料有限公司 一种红色荧光粉及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Philipp Pust et al.，Nature Materials，2014年，13，891-896，DOI: 10.1038/NMAT4012

Also Published As

Publication number Publication date
DE112017004059A5 (de) 2019-05-02
JP6944516B2 (ja) 2021-10-06
WO2018029304A1 (de) 2018-02-15
JP2022000514A (ja) 2022-01-04
KR102436381B1 (ko) 2022-08-24
KR20190039496A (ko) 2019-04-12
JP2019533028A (ja) 2019-11-14
KR20220087570A (ko) 2022-06-24
CN116496778A (zh) 2023-07-28
US10505080B2 (en) 2019-12-10
CN109642155A (zh) 2019-04-16
CN109642155B (zh) 2023-04-07
KR102531061B1 (ko) 2023-05-09
US20190326481A1 (en) 2019-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7177899B2 (ja) 蛍光体および蛍光体の製造方法
JP7177898B2 (ja) 照明装置
US11453822B2 (en) Lighting device
US10644206B2 (en) Lighting device
TWI394815B (zh) 螢光體組成物及其製造方法、使用該螢光體組成物之發光裝置
JP4843990B2 (ja) 蛍光体およびそれを用いた発光装置
KR101176212B1 (ko) 알카리 토류 포스포러스 나이트라이드계 형광체와 그 제조방법 및 이를 이용한 발광장치
CN111247228B (zh) 发光材料和转换型led
US11851596B2 (en) Lighting device
CN115397948B (zh) 窄带的绿色的发光材料

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210910

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211008

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220914

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20220929

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221111

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7177898

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150