JP7174242B2 - Semiconductor device manufacturing method - Google Patents

Semiconductor device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP7174242B2
JP7174242B2 JP2018235816A JP2018235816A JP7174242B2 JP 7174242 B2 JP7174242 B2 JP 7174242B2 JP 2018235816 A JP2018235816 A JP 2018235816A JP 2018235816 A JP2018235816 A JP 2018235816A JP 7174242 B2 JP7174242 B2 JP 7174242B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package
translucent member
bonding
manufacturing
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018235816A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2019220672A (en
Inventor
一真 ▲高▼鶴
凌太 奥野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to US16/442,114 priority Critical patent/US10811581B2/en
Publication of JP2019220672A publication Critical patent/JP2019220672A/en
Priority to US17/025,545 priority patent/US11258000B2/en
Priority to US17/579,449 priority patent/US11600757B2/en
Priority to JP2022175985A priority patent/JP7436907B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7174242B2 publication Critical patent/JP7174242B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

本開示は、半導体装置の製造方法に関する。 The present disclosure relates to a method of manufacturing a semiconductor device.

特許文献１には、光電変換素子（例えば、半導体レーザやフォトダイオード）が実装された基板と、パッケージを不活性雰囲気下で半田接合により気密封止された光モジュールが開示されている。 Patent Document 1 discloses an optical module in which a substrate on which a photoelectric conversion element (for example, a semiconductor laser or a photodiode) is mounted and a package are hermetically sealed by solder bonding in an inert atmosphere.

特開２００７－３２４３０３号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-324303

しかしながら、特許文献１にはパッケージと基板を接合することが記載されているが、真空引きせず、置換された雰囲気内で接合する場合、パッケージ表面や基板表面などに水分やガスなどが残留する。一方、真空引きを行うとすれば、真空チャンバー内で接合するので、位置精度よく両者を接合することは難しいと考えられる。 However, although Patent Document 1 describes bonding a package and a substrate, when bonding is performed in a replaced atmosphere without vacuuming, moisture, gas, etc. remain on the surface of the package or substrate. . On the other hand, if vacuuming is performed, bonding is performed in a vacuum chamber, so it is considered difficult to bond both with high positional accuracy.

そこで、本発明は、透光性部材とパッケージとを位置精度良く接合することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can join a translucent member and a package with high positional accuracy.

以上の課題を解決するために、本発明に係る一実施形態の半導体装置の製造方法は、パッケージの凹部内に設けられた半導体レーザ素子を前記凹部を透光性部材で覆うことにより封止することを含む半導体装置の製造方法であって、
前記半導体レーザ素子が設けられた凹部の周りの前記パッケージの表面、又は該表面に対向する前記透光性部材の表面に、複数の半田ボールを間隔を開けて形成する半田ボール形成工程と、
前記透光性部材の表面又は前記パッケージの表面を、半田ボール間に前記凹部内に通じる気道が形成されるように、軟化した状態の半田ボールの上面に接触させて仮固定する仮止め工程と、
前記気道を介して前記凹部内を減圧し、減圧した後に封止用気体を注入した状態で、前記透光性部材とパッケージとを加熱して押圧することにより前記半田ボールを溶融して前記透光性部材と前記パッケージとを接合する接合工程と、含む。 In order to solve the above problems, a semiconductor device manufacturing method according to an embodiment of the present invention seals a semiconductor laser element provided in a recess of a package by covering the recess with a translucent member. A method of manufacturing a semiconductor device comprising
a solder ball forming step of forming a plurality of spaced apart solder balls on the surface of the package around the recess in which the semiconductor laser element is provided, or on the surface of the translucent member facing the surface;
a temporarily fixing step of temporarily fixing the surface of the translucent member or the surface of the package by contacting the upper surfaces of the softened solder balls so that an airway leading to the recess is formed between the solder balls; ,
The interior of the concave portion is decompressed through the airway, and in a state in which the sealing gas is injected after decompressing, the translucent member and the package are heated and pressed to melt the solder ball and melt the translucent member. and a joining step of joining the optical member and the package.

本発明に係る一実施形態の半導体装置の製造方法によれば、透光性部材とパッケージとを位置精度良く接合することができる半導体装置を提供することができる。 According to the method of manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention, it is possible to provide a semiconductor device capable of joining the translucent member and the package with high positional accuracy.

本発明に係る実施形態１の半導体装置の製造方法におけるダイボンディング工程を模式的に示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view schematically showing a die bonding step in the method of manufacturing a semiconductor device according to Embodiment 1 of the present invention; 実施形態１の半導体装置の製造方法におけるワイヤボンディング工程を模式的に示す斜視図である。3 is a perspective view schematically showing a wire bonding step in the method of manufacturing the semiconductor device of Embodiment 1; FIG. 実施形態１の半導体装置の製造方法における半田ボール形成工程を模式的に示す斜視図である。4 is a perspective view schematically showing a solder ball forming step in the manufacturing method of the semiconductor device of Embodiment 1; FIG. 実施形態１の半導体装置の製造方法における仮止め工程を模式的に示す斜視図である。4 is a perspective view schematically showing a temporary fixing step in the method of manufacturing the semiconductor device of Embodiment 1. FIG. 実施形態1の半導体装置の製造方法における接合工程を模式的に示す斜視図である。4 is a perspective view schematically showing a bonding step in the manufacturing method of the semiconductor device of Embodiment 1. FIG. 実施形態1の半導体装置の製造方法における個片化工程を模式的に示す斜視図である。4 is a perspective view schematically showing a singulation step in the method for manufacturing a semiconductor device of Embodiment 1. FIG. 実施形態1の半導体装置の製造方法において個片化された発光装置を示す斜視図である。2 is a perspective view showing a light-emitting device separated into pieces in the method for manufacturing a semiconductor device according to Embodiment 1. FIG. 実施形態1の半導体装置の製造方法において、配線基板実装工程を模式的に示す斜視図である。2 is a perspective view schematically showing a wiring board mounting step in the manufacturing method of the semiconductor device of Embodiment 1. FIG. 実施形態1の半導体装置の製造方法において、コリメートレンズ実装工程を模式的に示す斜視図である。4 is a perspective view schematically showing a collimating lens mounting step in the method of manufacturing the semiconductor device of Embodiment 1. FIG. 実施形態２の半導体装置のパッケージ上面図である。FIG. 10 is a top view of the package of the semiconductor device of Embodiment 2; 実施形態2の透光性部材および波長変換部材の上面図である。FIG. 10 is a top view of a translucent member and a wavelength converting member of Embodiment 2; 実施形態2に半導体装置の上面図である。2 is a top view of a semiconductor device according to Embodiment 2. FIG. 実施形態２の半導体装置の製造方法における接合工程を模式的に示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a bonding step in the method for manufacturing a semiconductor device according to Embodiment 2; 実施形態２の半導体装置の製造方法における接合工程を模式的に示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a bonding step in the method for manufacturing a semiconductor device according to Embodiment 2;

以下、図面を参照しながら、本発明に係る実施形態
の半導体装置を製造方法について説明する。実施形態の半導体装置の製造方法は、パッケージの凹部内に設けられた半導体レーザ素子を前記凹部を透光性部材で覆うことにより気密封止することを含む半導体装置の製造方法である。 A method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. A method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment is a method of manufacturing a semiconductor device including hermetically sealing a semiconductor laser element provided in a recess of a package by covering the recess with a translucent member.

＜実施形態１＞
以下、実施形態１の半導体装置の製造方法について、詳細に説明する。
尚、以下の説明では、３つの半導体レーザ素子１，２，３を含む半導体装置を製造する例により説明する。ただし、実施形態１の製造方法は、３つの半導体レーザ素子１，２，３を用いたものに限定されるものではなく、少なくとも１つの半導体レーザ素子を含むものであればよい。 <Embodiment 1>
The method for manufacturing the semiconductor device of Embodiment 1 will be described in detail below.
In the following description, an example of manufacturing a semiconductor device including three semiconductor laser elements 1, 2 and 3 will be described. However, the manufacturing method of Embodiment 1 is not limited to the one using the three semiconductor laser elements 1, 2, and 3, and may include at least one semiconductor laser element.

実施形態１の半導体装置の製造方法においては、まず、パッケージ１０、半導体レーザ素子１，２，３及び透光性部材２０を準備する。
（１）パッケージ１０の準備
ここでは、複数のパッケージ１０が集合状態で設けられた集合基板１００を準備する。集合基板１００は、図１に示すように、各パッケージ１０に対応する領域（以下、集合状態にある場合であっても単にパッケージという。）にそれぞれ凹部１０ｒを含む。また、凹部１０ｒの内部には半導体レーザ素子の電極が接続される正負の配線電極が設けられており、その配線電極は、各パッケージ１０においてそれぞれ、凹部１０ｒの反対側の下面に設けられた外部端子電極に接続されている。さらに、各パッケージ１０において凹部１０ｒの周りにはそれぞれ接合用金属膜１０ｍが設けられている。ここで、集合基板１００は、例えば、半導体レーザ素子が発生する熱を効率よく放熱するために熱伝導率の高いセラミックスにより構成することが好ましい。セラミックスとしては、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、又は炭化ケイ素が挙げられる。配線電極及び外部端子電極には、Ｃｕ、Ｗ、Ａｕ等の金属を用いることができる。接合用金属膜１０ｍには、Ａｕ等を用いることができる。また、集合基板１００には予め個片化用の切り込みが設けられている。 In the manufacturing method of the semiconductor device of Embodiment 1, first, the package 10, the semiconductor laser elements 1, 2 and 3, and the translucent member 20 are prepared.
(1) Preparation of Packages 10 Here, an aggregate substrate 100 on which a plurality of packages 10 are provided in an aggregate state is prepared. As shown in FIG. 1, the aggregate substrate 100 includes recesses 10r in regions corresponding to the respective packages 10 (hereinafter simply referred to as packages even in the aggregated state). Positive and negative wiring electrodes to which the electrodes of the semiconductor laser element are connected are provided inside the recess 10r. Connected to the terminal electrode. Furthermore, in each package 10, a bonding metal film 10m is provided around the recess 10r. Here, the collective substrate 100 is preferably made of ceramics having high thermal conductivity, for example, in order to efficiently dissipate heat generated by the semiconductor laser elements. Ceramics include, for example, aluminum oxide, aluminum nitride, silicon nitride, or silicon carbide. Metals such as Cu, W, and Au can be used for the wiring electrodes and the external terminal electrodes. Au or the like can be used for the bonding metal film 10m. In addition, the collective substrate 100 is provided in advance with notches for singulation.

（２）半導体レーザ素子１，２，３の準備
半導体レーザ素子として、例えば、ＲＧＢ（赤色、緑色、青色）の三種類の半導体レーザ素子１，２，３を準備する。半導体レーザ素子１は、例えば、発光ピーク波長が６０５ｎｍ～７５０ｎｍの範囲内にある赤色発光のレーザダイオード（ＬＤ）素子である。赤色発光のＬＤ素子としては、例えば、ＩｎＡｌＧａＰ系やＧａＡｓ系の半導体を含むものが挙げられる。赤色発光のＬＤ素子として、２以上の導波路領域を備えるものを用いることが好ましい。これにより、レーザ発振による発熱を複数の導波路領域に分散させることができるので、発熱による出力低下を抑制することができる。 (2) Preparation of semiconductor laser elements 1, 2 and 3 As semiconductor laser elements, for example, three types of semiconductor laser elements 1, 2 and 3 of RGB (red, green and blue) are prepared. The semiconductor laser element 1 is, for example, a red light emitting laser diode (LD) element having an emission peak wavelength in the range of 605 nm to 750 nm. Examples of LD elements emitting red light include those containing InAlGaP-based or GaAs-based semiconductors. It is preferable to use an LD element that emits red light that has two or more waveguide regions. As a result, the heat generated by the laser oscillation can be dispersed over the plurality of waveguide regions, so that the output reduction due to the heat generation can be suppressed.

また、半導体レーザ素子２は、例えば、発光ピーク波長が４９５ｎｍ～５７０ｎｍの範囲内にある緑色発光のＬＤ素子である。緑色発光のＬＤ素子としては、ＧａＮ系の半導体、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮの少なくとも１つを含むものを用いることができる。 The semiconductor laser element 2 is, for example, an LD element emitting green light having an emission peak wavelength in the range of 495 nm to 570 nm. A GaN-based semiconductor such as one containing at least one of GaN, InGaN, and AlGaN can be used as the green light-emitting LD element.

半導体レーザ素子３は、例えば、発光ピーク波長が４２０ｎｍ～４９４ｎｍの範囲内にある青色発光のＬＤ素子である。青色発光のＬＤ素子としては、ＧａＮ系の半導体、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮの少なくとも１つを含むものを用いることができる。 The semiconductor laser element 3 is, for example, an LD element that emits blue light with an emission peak wavelength in the range of 420 nm to 494 nm. A GaN-based semiconductor such as one containing at least one of GaN, InGaN, and AlGaN can be used as the blue-emitting LD element.

（３）半導体レーザ素子１，２，３のサブマウント４ａ、４ｂへの搭載
ここでは、上記準備した半導体レーザ素子１，２，３をサブマウント４ａ、４ｂの上に搭載する。具体的には、ＧａＡｓ系のレーザダイオードである半導体レーザ素子１は、例えば、単独でサブマウント４ａの上に搭載する。また、ＧａＮ系のレーザダイオードである半導体レーザ素子２及び半導体レーザ素子３は、例えば、ツェナーダイオード等の保護素子８とともにサブマウント４ｂの上に搭載する。半導体レーザ素子２及び半導体レーザ素子３をそれぞれ保護素子８と並列接続することにより、ある一定以上の電圧が半導体レーザ素子２，３に印加されないようにすることができる。
このように、半導体レーザ素子１，２，３を、サブマウント４ａ、４ｂを介して凹部１０ｒの底面に実装するか否かは任意であるが、サブマウント４ａ、４ｂを介して凹部１０ｒの底面に実装すると、半導体レーザ素子の光出射端面における発光点から凹部１０ｒの底面までの距離をサブマウント４ａ、４ｂの厚みの分だけ大きくすることができる。これにより、ＬＤ素子から放射された光を効率よく光反射部材６０に照射することができる。各サブマウント４ａ、４ｂには配線電極が設けられており、各半導体レーザ素子はＡｕＳｎ等の接合部材により各サブマウント４ａ、４ｂ上に固定されている。 (3) Mounting of semiconductor laser elements 1, 2 and 3 on submounts 4a and 4b Here, the semiconductor laser elements 1, 2 and 3 prepared above are mounted on submounts 4a and 4b. Specifically, the semiconductor laser element 1, which is a GaAs-based laser diode, is mounted alone on the submount 4a, for example. The semiconductor laser element 2 and the semiconductor laser element 3, which are GaN-based laser diodes, are mounted on the submount 4b together with a protective element 8 such as a Zener diode. By connecting the semiconductor laser element 2 and the semiconductor laser element 3 in parallel with the protection element 8, it is possible to prevent a voltage exceeding a certain level from being applied to the semiconductor laser elements 2 and 3. FIG.
In this way, it is optional whether or not the semiconductor laser elements 1, 2, 3 are mounted on the bottom surface of the recess 10r via the submounts 4a, 4b. , the distance from the light emitting point on the light emitting end surface of the semiconductor laser element to the bottom surface of the recess 10r can be increased by the thickness of the submounts 4a and 4b. Thereby, the light radiated from the LD element can be efficiently irradiated onto the light reflecting member 60 . Each submount 4a, 4b is provided with a wiring electrode, and each semiconductor laser element is fixed on each submount 4a, 4b by a bonding member such as AuSn.

サブマウント４ａ、４ｂとして、例えば、窒化アルミニウム、又は炭化ケイ素を用いることができる。 Aluminum nitride or silicon carbide, for example, can be used as the submounts 4a, 4b.

ここで、半導体レーザ素子１を単独でサブマウント４ａの上に搭載し、半導体レーザ素子２，３を保護素子８とともにサブマウント４ｂの上に搭載する理由は、ＧａＡｓ等の結晶はＧａＮ系の結晶に比べて結晶欠陥の少ない材料であり静電耐圧が比較的高いからである。
尚、以下の説明において、サブマウント４ａ、４ｂとサブマウント４ａ、４ｂ上に搭載された半導体レーザ素子を含むものをレーザユニットという。 Here, the reason why the semiconductor laser element 1 is mounted alone on the submount 4a and the semiconductor laser elements 2 and 3 are mounted on the submount 4b together with the protective element 8 is that GaAs crystals are GaN-based crystals. This is because it is a material with less crystal defects and has a relatively high electrostatic withstand voltage.
In the following description, a laser unit includes the submounts 4a and 4b and the semiconductor laser elements mounted on the submounts 4a and 4b.

（４）光反射部材６の準備
光反射部材６は、図１に示すように、例えば、３つの側面を有しその１つの側面を反射面とする略三角柱形状であり、その反射面によりレーザ光を反射してレーザ光を所定の方向に出射させる部材である。光反射部材６は、反射面に対して各半導体レーザ素子のレーザ光が所定の角度で入射されるように凹部１０ｒの底面に設けられる。この光反射部材６を用いることにより、凹部１０ｒの底面と平行に進行する光を凹部１０ｒの底面と垂直な方向に方向転換することができる。これにより、各半導体レーザ素子のレーザ光の出射方向を凹部１０ｒの底面と平行にでき、発光装置を薄型にできる。 (4) Preparation of Light Reflecting Member 6 As shown in FIG. 1, the light reflecting member 6 has, for example, a substantially triangular prism shape having three side surfaces, one of which is a reflecting surface. It is a member that reflects light and emits laser light in a predetermined direction. The light reflecting member 6 is provided on the bottom surface of the concave portion 10r so that the laser light of each semiconductor laser element is incident on the reflecting surface at a predetermined angle. By using this light reflecting member 6, the direction of light traveling parallel to the bottom surface of the recess 10r can be changed to the direction perpendicular to the bottom surface of the recess 10r. As a result, the direction of emission of laser light from each semiconductor laser element can be made parallel to the bottom surface of the recess 10r, and the light emitting device can be made thin.

光反射部材６としては、母材に反射膜が形成されたもの、又は、反射膜を設けずに、母材そのものが反射率の高い金属等から形成されたものを用いることができる。母材としては、石英若しくはＢＫ７等のガラス、Ｓｉ等の比較的熱に強い材料を用いることができる。母材として金属を用いてもよい。反射膜としては、反射率の高い金属や誘電体多層膜等を用いることができる。反射膜は光反射面のみに形成されていてもよい。尚、光反射部材６は、複数の光反射部材に分離されていてもよく、例えば、半導体レーザ素子１，２，３にそれぞれ対応させて複数の光反射部材を用いてもよい。 As the light-reflecting member 6, it is possible to use a base material on which a reflective film is formed, or a base material itself formed of a highly reflective metal or the like without providing a reflective film. As the base material, quartz, glass such as BK7, and materials relatively heat-resistant such as Si can be used. A metal may be used as the base material. As the reflective film, a metal having a high reflectance, a dielectric multilayer film, or the like can be used. The reflective film may be formed only on the light reflecting surface. The light reflecting member 6 may be divided into a plurality of light reflecting members. For example, a plurality of light reflecting members may be used corresponding to the semiconductor laser elements 1, 2, and 3, respectively.

（５）透光性部材２０の準備
透光性部材２０は、レーザ光を透過させる透光性を有する部材であり、パッケージ１０の凹部１０ｒ内に設けられた半導体レーザ素子を覆って半導体レーザ素子を気密封止するものである。透光性部材２０は、下面の外周部に接合用金属膜２０ｍが設けられており、その接合用金属膜２０ｍがパッケージ１０の凹部１０ｒの周りに設けられた接合用金属膜１０ｍに半田ボール１５を介して接合されて、パッケージ１０に固定される。透光性部材２０は、例えば、ガラスに上記接合用金属膜２０ｍが設けられたもの又はサファイアに上記接合用金属膜２０ｍが設けられたものを用いることができる。中でもサファイアに接合用金属膜２０ｍが設けられたものを用いることが好ましい。例えば、サファイアは、比較的強度が高く破損しにくいため、半導体レーザ素子が配置される凹部１０ｒ内の気密信頼性を高くできる。また、サファイアは熱伝導率がガラスより高いので、後に説明する仮接合工程や本接合工程時に熱が伝わりやすく、半田ボールの軟化および溶融させやすい。 (5) Preparation of Light-Transmitting Member 20 The light-transmitting member 20 is a member having a light-transmitting property that allows laser light to pass therethrough. is hermetically sealed. The translucent member 20 is provided with a bonding metal film 20m on the outer peripheral portion of the lower surface, and the bonding metal film 20m is attached to the bonding metal film 10m provided around the recess 10r of the package 10, and the solder ball 15 is attached to the bonding metal film 10m. and fixed to the package 10 . As the translucent member 20, for example, glass provided with the bonding metal film 20m or sapphire provided with the bonding metal film 20m can be used. Among them, it is preferable to use sapphire provided with a bonding metal film 20m. For example, sapphire has relatively high strength and is hard to be damaged, so that the airtightness reliability in the recess 10r in which the semiconductor laser element is arranged can be improved. In addition, since sapphire has a higher thermal conductivity than glass, heat is easily conducted during the temporary bonding process and the final bonding process, which will be described later, and the solder balls are easily softened and melted.

実施形態1の半導体装置の製造方法では、準備したパッケージ１０に、準備したレーザユニット、光反射部材及び透光性部材２０等を以下のような工程を経て組み込んで発光装置を製造する。 In the method of manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment, a light-emitting device is manufactured by incorporating the prepared laser unit, the light reflecting member, the translucent member 20, etc. into the prepared package 10 through the following steps.

１．実装工程
工程では、図１に示すように、集合基板１００の各パッケージ１０の凹部１０ｒの底面にそれぞれレーザユニット１ｕ，２ｕ，３ｕと光反射部材６を実装する。ここでは、例えば、各部材を以下の配置として、それぞれ実装する。半導体レーザ素子１，２，３から出射されるレーザ光が互いに平行でかつ凹部１０ｒの底面に平行に出射されるようにレーザユニット１ｕ，２ｕ，３ｕを配置する。また、半導体レーザ素子１，２，３から出射されるレーザ光が反射面６ａにより上方に反射されるように光反射部材６を配置する。尚、実装用の接合部材としては、ＡｕＳｎ、Ａｇ粒子ペースト、Ａｕ粒子ペースト等を用いることができる。 1. Mounting Process In the mounting process, as shown in FIG. 1, the laser units 1u, 2u, 3u and the light reflecting member 6 are mounted on the bottom surfaces of the recesses 10r of the packages 10 of the collective substrate 100, respectively. Here, for example, each member is mounted as the following arrangement. The laser units 1u, 2u, 3u are arranged so that the laser beams emitted from the semiconductor laser elements 1, 2, 3 are parallel to each other and are emitted in parallel to the bottom surface of the recess 10r. Further, the light reflecting member 6 is arranged so that the laser light emitted from the semiconductor laser elements 1, 2 and 3 is reflected upward by the reflecting surface 6a. AuSn, Ag particle paste, Au particle paste, or the like can be used as the bonding member for mounting.

２．ワイヤボンディング工程
ワイヤボンディング工程では、図２に示すように、レーザユニット１ｕ，２ｕ，３ｕの配線電極と凹部１０ｒ内の配線電極とをワイヤ７によって接続する。 2. Wire Bonding Process In the wire bonding process, as shown in FIG. 2, the wiring electrodes of the laser units 1u, 2u, 3u and the wiring electrodes in the recess 10r are connected by wires 7. FIG.

３．半田ボール形成工程
半田ボール形成工程では、図３に示すように、パッケージ１０上面の接合用金属膜１０ｍの上に、例えば、ＡｕＳｎからなる複数の半田ボール１５を間隔を開けて並べる。この半田ボール１５は、ＡｕＳｎ等の半田を用いる。半田ボール１５は、例えば、８０～４００μｍの範囲の径で形成することができる。半田ボール１５の径及び隣接する半田ボール１５間の間隔は、後述の仮止め工程において適度の気道が確保され、本接合工程において確実に気密封止できるように適宜設定される。半田ボール１５の径は、１００～２００μｍの範囲が好ましい。半田ボールの径が１００μｍ未満の場合、例えば、セラミックパッケージのように接合面の平坦性が良好ではないものを接合するときに、半田ボールの体積が十分ではなく、接合面の凹凸を十分埋めることが難しい。また、半田ボールの径が２００μｍ以上の場合、半田ボールの体積は過剰な状態であり、接合時に半田ボールが必要以上に広がってしまう。また、隣接する半田ボール１５間の間隔は、１００～１０００μｍの範囲に設定されることが好ましい。上記範囲は、半田ボールの径に依存して決定される。半田ボールの径が上記範囲であれば、接合工程において、溶融状態となった半田ボールが過不足なく広がり効果的な接合が得られる。尚、半田ボール１５の形状は、球形に限定されるものではなく、楕円球、半球形、楕円半球形であってもよい。ここで、半田ボール１５の径とは、半田ボール１５の最大径をいう。また、半田ボールの径が上記範囲で形成できなかった場合、同じ位置に複数の半田ボール１５を重ねて形成してもよい。こうすれば、半田ボール１５を所望の体積で形成することができる。よって、後述する仮止め工程において、適度に気道が確保され、本接合工程において確実に気密封止できる。その際、重なった半田ボール１５の形状及び／又は径は、半田ボールが１個からなる場合と異なっていても良い。 3. Solder Ball Forming Step In the solder ball forming step, as shown in FIG. 3, a plurality of solder balls 15 made of, for example, AuSn are arranged at intervals on the bonding metal film 10m on the upper surface of the package 10 . Solder such as AuSn is used for the solder ball 15 . The solder ball 15 can be formed with a diameter in the range of 80 to 400 μm, for example. The diameter of the solder balls 15 and the spacing between the adjacent solder balls 15 are appropriately set so that an appropriate airway can be secured in the temporary fixing process described below and airtight sealing can be ensured in the main bonding process. The diameter of the solder ball 15 is preferably in the range of 100-200 μm. If the diameter of the solder ball is less than 100 μm, the volume of the solder ball is not sufficient to sufficiently fill the unevenness of the bonding surface when bonding a device such as a ceramic package whose bonding surface does not have good flatness. is difficult. Further, when the diameter of the solder ball is 200 μm or more, the volume of the solder ball is excessive, and the solder ball expands more than necessary during bonding. Also, the interval between adjacent solder balls 15 is preferably set in the range of 100 to 1000 μm. The above range is determined depending on the diameter of the solder ball. If the diameter of the solder ball is within the above range, the molten solder ball spreads just enough in the bonding step, and effective bonding can be obtained. The shape of the solder ball 15 is not limited to a spherical shape, and may be an elliptical sphere, a hemisphere, or an elliptical hemisphere. Here, the diameter of the solder ball 15 means the maximum diameter of the solder ball 15 . In addition, when the diameter of the solder ball cannot be formed within the above range, a plurality of solder balls 15 may be formed by overlapping at the same position. By doing so, the solder ball 15 can be formed with a desired volume. Therefore, in the temporary fixing step described later, an appropriate airway is ensured, and airtight sealing can be ensured in the main bonding step. At that time, the shape and/or diameter of the overlapping solder balls 15 may be different from that in the case of one solder ball.

以上の半田ボール形成工程において、半導体レーザ素子が設けられた凹部１０ｒの周りのパッケージ１０の表面に複数の半田ボール１５を間隔を開けて形成する例について説明した。これに限らず、例えば上下を逆転させて、透光性部材２０の外周部分に設けられた接合用金属膜２０ｍの上に複数の半田ボールを間隔を開けて形成してもよい。この場合、後述の仮止め工程では、パッケージ１０の表面に設けられた接合用金属膜１０ｍを、軟化した状態の半田ボール１５の上面に接触させて仮固定する。 In the solder ball forming process described above, an example has been described in which a plurality of solder balls 15 are formed at intervals on the surface of the package 10 around the recess 10r provided with the semiconductor laser element. Alternatively, for example, a plurality of solder balls may be formed at intervals on the bonding metal film 20m provided on the outer peripheral portion of the translucent member 20 by turning it upside down. In this case, in the temporary fixing step described later, the bonding metal film 10m provided on the surface of the package 10 is brought into contact with the upper surface of the softened solder ball 15 and temporarily fixed.

以上のように、複数の半田ボール１５は、パッケージ１０の表面に形成してもよいし、透光性部材２０の表面に形成してもよいが、本実施形態１では、パッケージ１０及び透光性部材２０のうち熱伝導率の高い方の部材に形成することが好ましい。このようにすると、以下の仮止め工程及び接合工程において半田ボール１５に熱が伝わり易くなる。例えば、パッケージ１０を主としてＡｌＮセラミックスで構成し、透光性部材２０を主としてサファイアで構成する場合には、パッケージ１０の表面に半田ボール１５を形成するようにする。 As described above, the plurality of solder balls 15 may be formed on the surface of the package 10 or may be formed on the surface of the translucent member 20. It is preferable to form it on the member having the higher thermal conductivity among the thermally conductive members 20 . By doing so, heat can be easily conducted to the solder balls 15 in the following temporary fixing process and bonding process. For example, when the package 10 is mainly made of AlN ceramics and the translucent member 20 is mainly made of sapphire, the solder balls 15 are formed on the surface of the package 10 .

４．接合工程
接合工程は、（１）半田ボール１５間に凹部１０ｒ内に通じる気道が形成されるように、透光性部材２０の表面（下面に設けられた接合用金属膜２０ｍの表面）を、軟化した状態の半田ボール１５の上面に接触させて仮固定する仮止め工程と、（２）半田ボール１５間に形成された気道を介して凹部１０ｒ内を減圧し、減圧した後に封止用気体を注入した状態で、透光性部材２０とパッケージ１０とを加熱して押圧する本接合工程とを含む。本接合工程では、半田ボール１５を溶融して透光性部材２０とパッケージ１０とを接合する。
ここで、加熱して押圧するとは、加熱するタイミングと押圧するタイミングの順序を限定するものではなく、加熱した後に加熱した状態で押圧することと、押圧した後に押圧した状態で加熱することと、加熱と押圧を同時に行うことの全てを含む。
以下、接合工程についてより具体的に説明する。 4. Bonding Step In the bonding step, (1) the surface of the translucent member 20 (the surface of the bonding metal film 20m provided on the bottom surface) is formed so that an airway leading to the recess 10r is formed between the solder balls 15, (2) depressurizing the interior of the recess 10r through the airway formed between the solder balls 15, and after depressurizing, sealing gas. is injected, the translucent member 20 and the package 10 are heated and pressed together. In this bonding step, the solder balls 15 are melted to bond the translucent member 20 and the package 10 together.
Here, the heating and pressing does not limit the order of the timing of heating and the timing of pressing, but heating and then pressing in a heated state, pressing and then heating in a pressed state, Including all simultaneous heating and pressing.
The joining process will be described in more detail below.

（１）仮止め工程
仮止め工程では、透光性部材２０を、透光性部材２０の下面の外周に形成された接合用金属膜２０ｍが複数の半田ボール１５に対向するように位置あわせをして凹部１０ｒ上に仮止めする。仮止め工程では、例えば、半田ボールの融点未満の温度で透光性部材２０を半田ボール上に押圧する。これにより容易に接合することができる。仮止め工程における接合の際、透光性部材２０の加熱温度よりパッケージ１０の加熱温度を低くすることが好ましい。このようにすれば、パッケージ１０及びレーザユニット１ｕ、２ｕ、３に設けられている電極が熱ダメージによって劣化することを低減でき、レーザユニットの駆動電圧上昇を抑制することができる。また、パッケージよりも熱伝導率が低い透光性部材２０の温度を短時間で高めることができる。例えば、半田ボール１５として、融点が２８５℃のＡｎＳｎを使用した場合、透光性部材２０の加熱温度を２３０℃～２７０℃の範囲に設定し、パッケージ１０の加熱温度を１８０℃～２２０℃の範囲に設定する。熱圧着時における、加熱温度、圧力、時間等の熱圧着条件は、半田ボール１５の形状及び径、隣接する半田ボール１５間の間隔を考慮して適宜設定される。 (1) Temporary Fixing Step In the temporary fixing step, the translucent member 20 is aligned so that the bonding metal film 20 m formed on the outer periphery of the lower surface of the translucent member 20 faces the plurality of solder balls 15 . and temporarily fixed on the concave portion 10r. In the temporary fixing step, for example, the translucent member 20 is pressed onto the solder balls at a temperature lower than the melting point of the solder balls. This facilitates joining. It is preferable that the heating temperature of the package 10 is lower than the heating temperature of the translucent member 20 when joining in the temporary fixing step. By doing so, it is possible to reduce the deterioration of the electrodes provided on the package 10 and the laser units 1u, 2u, and 3 due to thermal damage, and to suppress the drive voltage rise of the laser units. Also, the temperature of the translucent member 20, which has a lower thermal conductivity than the package, can be raised in a short period of time. For example, when AnSn having a melting point of 285° C. is used as the solder balls 15, the heating temperature of the translucent member 20 is set in the range of 230° C. to 270° C., and the heating temperature of the package 10 is set in the range of 180° C. to 220° C. Set to range. Thermocompression bonding conditions such as heating temperature, pressure, and time at the time of thermocompression bonding are appropriately set in consideration of the shape and diameter of the solder balls 15 and the spacing between adjacent solder balls 15 .

この仮止め工程は、例えば、ダイボンダー装置等を用いて、透光性部材２０、必要に応じて透光性部材２０とパッケージ１０とを介して半田ボール１５を融点未満の温度に加熱して軟化させる。これにより、半田ボール１５間に前記凹部１０ｒ内に通じる気道が形成されるように、透光性部材２０を軟化した状態の半田ボール１５の上面に接触させて仮止めする。仮止め工程は、半田ボールが軟化した際に、隣合った半田ボール同士が接触しないように行う。これにより、確実に凹部１０ｒ内に通じる気道を確保することができる。尚、仮止め工程は、大気中で実施することができ、以下の本接合工程のように真空チャンバー中で実施する必要はない。真空チャンバー内で仮止め又は、仮止めを行わず本接合する場合と比べて、真空チャンバー外で仮止めをする場合、位置精度よく接合することができる。また、真空外で仮止めしておくことで、パッケージ１０を搬送する時に透光性部材２０とパッケージ１０がずれることを抑制できる。 In this temporary fixing step, for example, using a die bonder or the like, the solder balls 15 are heated to a temperature below the melting point through the light-transmitting member 20 and, if necessary, the light-transmitting member 20 and the package 10 to soften them. Let As a result, the translucent member 20 is brought into contact with the upper surfaces of the softened solder balls 15 and temporarily fixed so that an airway communicating with the recess 10 r is formed between the solder balls 15 . The temporary fixing process is performed so that adjacent solder balls do not come into contact with each other when the solder balls are softened. As a result, an airway leading to the recess 10r can be ensured. Note that the temporary fixing process can be performed in the air, and does not need to be performed in a vacuum chamber as in the following main bonding process. In the case of temporary fixing outside the vacuum chamber, bonding can be performed with high positional accuracy as compared with the case of temporary fixing or permanent bonding without temporary fixing in the vacuum chamber. Further, by temporarily fixing the package 10 outside the vacuum, it is possible to prevent the translucent member 20 and the package 10 from shifting when the package 10 is transported.

（２）本接合工程
本接合工程では、まず、透光性部材２０が仮止めされたパッケージ１０（集合基板１００）を真空チャンバーに搬入する。次に、真空チャンバー内を減圧することにより、半田ボール１５間に形成された気道を介して透光性部材２０で覆われた凹部１０ｒ内を減圧する。凹部１０ｒ内を減圧した後に、真空チャンバーに封止用気体を導入することにより、凹部１０ｒ内に封止用気体を注入する。そして、凹部１０ｒ内に封止用気体を注入した状態で、透光性部材２０とパッケージ１０とを加熱して押圧する。
この加熱・押圧は、例えば、減圧可能な真空チャンバーの中にそれぞれ加熱温度を調節できる上金型（第１押圧体）と下金型（第２押圧体）を備えたホットプレスを配置し、これを用いて、例えば以下のように行う。 (2) Main Bonding Step In the main bonding step, first, the package 10 (collective substrate 100) to which the translucent member 20 is temporarily fixed is carried into a vacuum chamber. Next, by decompressing the inside of the vacuum chamber, the interior of the recess 10 r covered with the translucent member 20 is decompressed through the airway formed between the solder balls 15 . After decompressing the inside of the recess 10r, the sealing gas is injected into the recess 10r by introducing the sealing gas into the vacuum chamber. Then, the translucent member 20 and the package 10 are heated and pressed while the sealing gas is injected into the recess 10r.
For this heating and pressing, for example, a hot press equipped with an upper mold (first pressing body) and a lower mold (second pressing body) whose heating temperatures can be adjusted is placed in a decompressible vacuum chamber, Using this, for example, it is performed as follows.

最初に、図５に模式的に示すように、真空チャンバー内の上金型３１と下金型３２の間に、凹部１０ｒの上にそれぞれ透光性部材２０が載置された集合基板１００を配置する。 First, as schematically shown in FIG. 5, a collective substrate 100 having translucent members 20 mounted on recesses 10r is placed between an upper mold 31 and a lower mold 32 in a vacuum chamber. Deploy.

次に、半田ボール１５間に形成された気道を塞がない程度に上下から上金型３１と下金型３２とを集合基板１００に接触させる。この状態で真空チャンバー内を減圧し、減圧した後、真空チャンバー内に封止用気体を投入する。これにより、半田ボール１５間に形成された気道を介して透光性部材２０で覆われた凹部１０ｒ内に封止用気体が注入される。封止用気体としては、例えば、乾燥空気（ドライエア）とヘリウムガスとを含む混合気体を用いることができる。乾燥空気とヘリウムガスとを含む混合気体を用いる場合は、乾燥空気を構成する酸素及び窒素とヘリウムガスの比率は、例えば、酸素２０％、窒素６０％、ヘリウム２０％とする。 Next, the upper mold 31 and the lower mold 32 are brought into contact with the collective substrate 100 from above and below to such an extent that the airways formed between the solder balls 15 are not blocked. In this state, the pressure in the vacuum chamber is reduced, and after the pressure is reduced, a sealing gas is introduced into the vacuum chamber. As a result, the sealing gas is injected into the recess 10r covered with the translucent member 20 through the airway formed between the solder balls 15. As shown in FIG. As the sealing gas, for example, a mixed gas containing dry air and helium gas can be used. When a mixed gas containing dry air and helium gas is used, the ratio of oxygen and nitrogen constituting the dry air to helium gas is, for example, 20% oxygen, 60% nitrogen, and 20% helium.

次に、封止用気体を注入した状態で、透光性部材２０とパッケージ１０とを上金型３１と下金型３２とによって加熱して押圧する。
この際、上金型３１と下金型３２とによる加熱温度は、例えば、半田ボール１５が融点以上の温度になるように加熱する。加熱の際、例えば、上金型３１の温度より下金型３２の温度を低くして、透光性部材２０の加熱温度よりもパッケージ１０の加熱温度を低くすることが好ましい。すなわち、透光性部材２０側に第１温度で加熱した上金型３１（第１押圧体）を接触させて押圧し、パッケージ１０側に第１温度よりも低い第２温度で加熱した下金型３２（第２押圧体）を接触させて押圧し、これにより半田ボール１５を溶融して透光性部材２０とパッケージ１０とを接合することが好ましい。このようにすると、パッケージ１０及びレーザユニット１ｕ、２ｕ、３ｕに設けられている電極が熱ダメージによって劣化することを低減でき、レーザユニットの駆動電圧上昇を抑制することができる。
例えば、凹部１０ｒ内に半導体レーザ素子を実装する際に用いた接合部材の融点より低い温度になるように、パッケージ１０を加熱して押圧することにより、半導体レーザ素子の所定の位置からの実装位置のずれを抑えることができる。
また、半導体レーザ素子が第１接合部材によりサブマウント４ａ、４ｂ上に接合され、そのサブマウント４ａ、４ｂが凹部１０ｒ内に第２接合部材により実装されているような場合には、例えば、パッケージ１０を第１接合部材の融点及び第２接合部材の融点より低い温度で加熱して押圧する。これにより、半導体レーザ素子の所定の位置からの実装位置のずれを抑えることができる。上記本接合工程では、例えば、上金型３１（第１押圧体）の温度を２８０℃以上４００℃以下、下金型３２（第２押圧体）の温度を１００℃以上２００℃以下の範囲であることが好ましい。また、押圧時の荷重を１ｃｍ２あたり１０Ｎ以上１００Ｎ以下の範囲とすることが好ましい。 Next, while the sealing gas is injected, the translucent member 20 and the package 10 are heated and pressed by the upper mold 31 and the lower mold 32 .
At this time, the heating temperature by the upper mold 31 and the lower mold 32 is such that, for example, the solder balls 15 are heated to a temperature equal to or higher than the melting point. When heating, for example, it is preferable to lower the temperature of the lower mold 32 than the temperature of the upper mold 31 and lower the heating temperature of the package 10 than the heating temperature of the translucent member 20 . That is, the upper metal mold 31 (first pressing body) heated at a first temperature is brought into contact with the translucent member 20 and pressed, and the lower metal heated at a second temperature lower than the first temperature is placed on the package 10 side. It is preferable to bring the mold 32 (second pressing body) into contact and press, thereby melting the solder balls 15 and joining the translucent member 20 and the package 10 . By doing so, it is possible to reduce deterioration of the electrodes provided on the package 10 and the laser units 1u, 2u, and 3u due to thermal damage, and to suppress an increase in driving voltage of the laser units.
For example, by heating and pressing the package 10 so that the temperature is lower than the melting point of the bonding material used when mounting the semiconductor laser element in the concave portion 10r, the mounting position of the semiconductor laser element from a predetermined position is lowered. deviation can be suppressed.
Further, in the case where the semiconductor laser element is bonded on the submounts 4a and 4b by the first bonding member and the submounts 4a and 4b are mounted in the recess 10r by the second bonding member, for example, the package 10 is heated and pressed at a temperature lower than the melting point of the first joining member and the melting point of the second joining member. As a result, deviation of the mounting position from the predetermined position of the semiconductor laser element can be suppressed. In the main bonding step, for example, the temperature of the upper mold 31 (first pressing body) is set to 280° C. or higher and 400° C. or lower, and the temperature of the lower mold 32 (second pressing body) is set to 100° C. or higher and 200° C. or lower. Preferably. Moreover, it is preferable that the load at the time of pressing is in the range of 10 N or more and 100 N or less per 1 cm 2 .

以上の接合工程において、上金型３１（第１押圧体）と透光性部材２０との間に加熱温度に耐えうる耐熱性と柔軟性を有する緩衝シートを配置し、透光性部材２０を緩衝シートを介して加熱して押圧することが好ましい。このようにすると、各透光性部材２０に対して全体に均一に押圧することができ、それぞれ確実に気密封止することができる。気密封止されていることは例えば、ドライエアのリーク量で判断することができる。ドライエアのリーク量が１０－８Ｐａ・ｍ３／ｓ以下であれば十分気密封止できていると考えられる。また、緩衝シートを用いることにより、上金型３１（第１押圧体）と透光性部材２０の間の接触熱抵抗を低くでき、すなわち熱伝導を良好にでき、これにより、透光性部材２０を効率的に加熱することができる。
ここで、緩衝シートとしては、例えば、カーボンシートを用いることができる。カーボンシートであれば、耐熱性が高くかつ広い温度範囲で柔軟性及び圧縮復元性を有するため適している。また、カーボンシートは、例えば、ゴム等の他の弾性部材に比較すると、封止用気体を汚染するガスの発生がない点でも適している。 In the above bonding process, a buffer sheet having heat resistance and flexibility that can withstand the heating temperature is placed between the upper mold 31 (first pressing body) and the translucent member 20, and the translucent member 20 is attached. It is preferable to heat and press via a buffer sheet. In this way, the entire translucent member 20 can be uniformly pressed, and each can be reliably airtightly sealed. The hermetic sealing can be determined, for example, by the amount of dry air leaked. If the leak amount of dry air is 10 −8 Pa·m 3 /s or less, it is considered that hermetic sealing is sufficiently achieved. In addition, by using the buffer sheet, the contact heat resistance between the upper mold 31 (first pressing body) and the translucent member 20 can be reduced, that is, the heat conduction can be improved, thereby improving the translucent member. 20 can be efficiently heated.
Here, for example, a carbon sheet can be used as the buffer sheet. A carbon sheet is suitable because it has high heat resistance and flexibility and compression recovery over a wide temperature range. Carbon sheets are also suitable in that they do not generate gas that contaminates the sealing gas, compared to other elastic members such as rubber.

また、以上の接合工程において、上金型３１（第１押圧体）と透光性部材２０との間に配置された緩衝シートに代えて、あるいはこれに加えて、下金型３２（第２押圧体）とパッケージ１０の間に加熱温度に耐えうる耐熱性と柔軟性を有する緩衝シートを配置するようにしてもよい。
下金型３２（第２押圧体）とパッケージ１０の間に緩衝シートを配置した場合には、パッケージ１０の底面側の接触状態が良好になり効率的に放熱できるようになる。これにより、例えば、下金型３２の加熱温度を上金型３１の加熱温度より低くした場合に、上金型３１側の熱を効率的に下金型側へ逃がすことができ、パッケージ１０の温度上昇を抑えることができる。下金型３２側の緩衝シートとしては、上金型３１側の緩衝シートと同様に、カーボンシートを用いることができる。 Further, in the above joining process, instead of or in addition to the cushioning sheet arranged between the upper mold 31 (first pressing body) and the translucent member 20, the lower mold 32 (second A buffer sheet having heat resistance and flexibility that can withstand the heating temperature may be arranged between the pressing body) and the package 10 .
When a buffer sheet is arranged between the lower mold 32 (second pressing body) and the package 10, the contact state on the bottom side of the package 10 is improved, and heat can be efficiently dissipated. As a result, for example, when the heating temperature of the lower mold 32 is lower than the heating temperature of the upper mold 31, the heat on the upper mold 31 side can be efficiently released to the lower mold side. Temperature rise can be suppressed. A carbon sheet can be used as the cushioning sheet on the lower die 32 side, similarly to the cushioning sheet on the upper die 31 side.

５．個片化工程
以上のようにして、集合状態で作製された発光装置を、図６に示すように、例えば、ブレイク用のブレード４０を用いて素子単位に分割する。集合基板には上記したように、予め個片化用の切り込みが設けられているので、ブレイク用のブレード４０を切り込みに対して押し当てることで個片化することができる。この個片化工程では、ブレイク用のブレード４０をパッケージ側から押し当てる。このようにすれば、透光性部材２０側からブレイク用のブレード４０を押し当てる場合と比べて、透光性部材が傷つくことを抑制することができる。図７には、個片化された発光装置を示す。
以上のようにして、凹部１０ｒ内に設けられた半導体レーザ素子が透光性部材２０によって気密封止された発光装置を製造することができる。 5. Singulation Process As shown in FIG. 6, the assembled light emitting device is divided into individual elements using a breaking blade 40, for example. As described above, the collective substrate is preliminarily provided with cuts for singulation, so that it can be cut into pieces by pressing the breaking blade 40 against the cuts. In this singulation process, a breaking blade 40 is pressed from the package side. In this way, compared to the case where the blade 40 for breaking is pressed from the side of the translucent member 20, it is possible to suppress damage to the translucent member. FIG. 7 shows the individualized light emitting device.
As described above, a light-emitting device in which the semiconductor laser element provided in the recess 10r is airtightly sealed by the translucent member 20 can be manufactured.

以上のように構成された実施形態１の半導体装置の製造方法によれば、本接合工程の前に仮止め工程を設けているので、仮止め工程を真空チャンバー外で行うことができる。これにより、透光性部材とパッケージとを位置精度良く接合することができる。もし、仮止め工程を行わず、透光性部材とパッケージを真空チャンバー内で位置決めする場合、真空チャンバー内を観測するためには、真空チャンバーに設けられた観測用窓から視認する。そうすると、観察範囲が制限されるので、正確な位置を検知することが難しいことがある。また、汎用的なダイボンダー装置等を用いて容易に透光性部材を配置することができる。 According to the manufacturing method of the semiconductor device of Embodiment 1 configured as described above, since the temporary fixing process is provided before the main bonding process, the temporary fixing process can be performed outside the vacuum chamber. As a result, the translucent member and the package can be joined with high positional accuracy. If the translucent member and the package are positioned in the vacuum chamber without performing the temporary fixing step, the inside of the vacuum chamber is observed through an observation window provided in the vacuum chamber. Then, since the observation range is limited, it may be difficult to detect the exact position. Also, the translucent member can be easily arranged using a general-purpose die bonder or the like.

また、実施形態１の半導体装置の製造方法では、本接合工程において、真空チャンバー内を減圧することにより半田ボール１５間に形成された気道を介して透光性部材２０で覆われた凹部１０ｒ内を減圧して、減圧した後に封止用気体を注入している。これにより、この減圧を利用してパッケージ１０に付着した水分や付着したガス成分を除去することが可能になる。したがって、仮止めしない場合と比較して、例えば２００℃の温度で長時間加熱することにより付着した水分や付着したガス成分を除去する必要がなく、長時間の加熱による半導体レーザ素子の劣化を抑制できる。 Further, in the manufacturing method of the semiconductor device of the first embodiment, in the main bonding step, the inside of the recess 10r covered with the translucent member 20 is passed through the airway formed between the solder balls 15 by decompressing the inside of the vacuum chamber. is decompressed, and the sealing gas is injected after the decompression. As a result, it becomes possible to remove the moisture adhering to the package 10 and the adhering gas components by utilizing this reduced pressure. Therefore, it is not necessary to remove adhering moisture or adhering gas components by heating at a temperature of 200° C. for a long time, for example, compared to the case where temporary fixing is not performed, and deterioration of the semiconductor laser element due to long-term heating is suppressed. can.

また、実施形態１の半導体装置の製造方法によれば、集合基板１００を用いて一括で気密封止を行うことが可能であるため、ＣＡＮパッケージを用いて構成された発光装置に比較して安価に製造することができる。 Further, according to the method of manufacturing the semiconductor device of Embodiment 1, it is possible to perform hermetic sealing all at once using the collective substrate 100. Therefore, the cost is lower than that of a light emitting device configured using a CAN package. can be manufactured to

以上の実施形態１では、発光装置を製造する場合を例に、半導体装置の製造方法について説明した。ただし、実施形態１の半導体装置の製造方法は、発光装置の製造に限定されるものではなく、気密封止を必要とする他の半導体装置に適用することもできる。他の半導体装置に適用した場合も、上述の実施形態１の半導体装置の製造方法と同様に、透光性部材とパッケージを位置精度よく接合することができる。また、半導体装置を安価に製造することが可能になる。 In the first embodiment described above, the method for manufacturing a semiconductor device has been described by taking the case of manufacturing a light-emitting device as an example. However, the method for manufacturing a semiconductor device according to Embodiment 1 is not limited to manufacturing a light-emitting device, and can also be applied to other semiconductor devices that require hermetic sealing. Even when the method is applied to other semiconductor devices, the translucent member and the package can be joined with high positional accuracy in the same manner as in the semiconductor device manufacturing method of the first embodiment. Moreover, it becomes possible to manufacture a semiconductor device at low cost.

なお、以上の実施形態１で説明した半導体装置は、例えば、配線基板、コリメートレンズ等の他の部材を含んでいてもよい。発光装置５０は、例えば、以下のように透光性部材２０の上にコリメートレンズ設けることにより、各半導体レーザ素子からの光を平行光にして出射させることができる。 Note that the semiconductor device described in the above first embodiment may include other members such as a wiring board and a collimating lens. For example, the light emitting device 50 can emit collimated light from each semiconductor laser element by providing a collimating lens on the translucent member 20 as described below.

例えば、コリメートレンズを有する発光装置は、実施形態１の製造方法で作製された発光装置５０を用いてさらに以下の工程を経て作製することができる。 For example, a light-emitting device having a collimator lens can be manufactured by using the light-emitting device 50 manufactured by the manufacturing method of the first embodiment and further through the following steps.

６．配線基板実装工程
ここでは、図８に示すように、実施形態１の製造方法で作製された発光装置５０のパッケージ１０を配線基板１１０上に実装する。配線基板１１０は、図８に示すように、例えば、セラミックスからなり、パッケージ１０を配線基板１１０に実装する際のアライメントマークとして機能する金属膜１１２が形成された基板１１１と、発光装置５０と電気的に接続するための配線電極１１３と、パッケージ１０の放熱面と基板１１１を固定するための金属膜１１４と、を含む。基板１１１は、パッケージ１０と同一の材料で構成することが好ましく、例えば、パッケージ１０をセラミックスで構成する場合には、同一のセラミック材料で基板１１１を構成する。 6. Wiring Substrate Mounting Step Here, as shown in FIG. 8, the package 10 of the light emitting device 50 manufactured by the manufacturing method of the first embodiment is mounted on the wiring substrate 110 . As shown in FIG. 8, the wiring substrate 110 is made of, for example, ceramics, and includes a substrate 111 formed with a metal film 112 that functions as an alignment mark when the package 10 is mounted on the wiring substrate 110, a light emitting device 50, and an electrical wiring board 111. and a metal film 114 for fixing the heat dissipation surface of the package 10 and the substrate 111 . The substrate 111 is preferably made of the same material as the package 10. For example, when the package 10 is made of ceramics, the substrate 111 is made of the same ceramic material.

７．コリメートレンズ取り付け工程
次に、図９に示すように、透光性部材２０の上に、コリメートレンズ７０を取り付ける。透光性部材２０の上面の四隅に接着剤９０を塗布して、コリメートレンズ７０を位置あわせして固定する。コリメートレンズ７０は、硼珪酸ガラスなどのガラス等により構成することができる。コリメートレンズ７０は、半導体レーザ素子１が出射するレーザ光を所定の方向に出射する第１レンズ部７１と、半導体レーザ素子２が出射するレーザ光を所定の方向に出射する第２レンズ部７２と、半導体レーザ素子３が出射するレーザ光を所定の方向に出射する第３レンズ部７３とが並んで設けられている。また、非レンズ部７４は第１レンズ部７１と、第２レンズ部７２と、第３レンズ部７３とを取り囲むように設けられている。
以下のように作製されたコリメートレンズを有する発光装置は、各半導体レーザ素子からの光を平行光にして出射させることができる。 7. Step of Attaching Collimator Lens Next, as shown in FIG. 9, the collimator lens 70 is attached on the translucent member 20 . An adhesive 90 is applied to the four corners of the upper surface of the translucent member 20, and the collimating lens 70 is aligned and fixed. The collimating lens 70 can be made of glass such as borosilicate glass. The collimator lens 70 includes a first lens portion 71 for emitting the laser light emitted by the semiconductor laser element 1 in a predetermined direction, and a second lens portion 72 for emitting the laser light emitted by the semiconductor laser element 2 in a predetermined direction. , and a third lens portion 73 for emitting laser light emitted from the semiconductor laser element 3 in a predetermined direction. Also, the non-lens portion 74 is provided so as to surround the first lens portion 71 , the second lens portion 72 and the third lens portion 73 .
A light-emitting device having a collimator lens manufactured as follows can emit parallel light from each semiconductor laser element.

また、半導体装置の製造方法は上記したものだけに限られない。真空引きを行わず気密封止を行う場合、例えば以下に示すような方法をとることができる。 Also, the method of manufacturing a semiconductor device is not limited to the above. When hermetic sealing is performed without vacuuming, for example, the following method can be used.

＜実施形態２＞
実施形態２の半導体装置の製造方法は、パッケージの凹部内に設けられた半導体レーザ素子を前記凹部を透光性部材で覆うことにより封止することを含む半導体装置の製造方法であって、半田ボール形成工程と、接合工程とを含む。半田ボール形成工程は、半導体レーザ素子が設けられた凹部の周りのパッケージの表面、又は、該表面と対向する前記透光性部材の表面に、複数の半田ボールを間隔を開けて形成する工程である。接合工程は、封止用気体を給気する給気口及び排気する排気口を備える容器へ、パッケージ及び透光性部材をそれぞれ分離した状態で、または、半田ボール間に気道が形成されるように一体化した状態で収容し、封止用気体を容器へ供給するとともに、半田ボールが形成されたパッケージ又は透光性部材を加熱して、パッケージ及び透光性部材の少なくともいずれか一方を押圧することにより、半田ボールを溶融して透光性部材の表面とパッケージの表面とを接合する工程である。 <Embodiment 2>
A method of manufacturing a semiconductor device according to a second embodiment is a method of manufacturing a semiconductor device including sealing a semiconductor laser element provided in a recess of a package by covering the recess with a translucent member. A ball forming step and a joining step are included. The solder ball forming step is a step of forming a plurality of spaced apart solder balls on the surface of the package around the recess in which the semiconductor laser element is provided, or on the surface of the translucent member facing the surface. be. In the bonding step, the package and the light-transmitting member are separated from each other into a container having an air supply port for supplying sealing gas and an exhaust port for discharging sealing gas, or such that an airway is formed between solder balls. while supplying the sealing gas to the container in an integrated state, heating the package or the translucent member in which the solder balls are formed, and pressing at least one of the package and the translucent member By doing so, the solder balls are melted to join the surface of the translucent member and the surface of the package.

実施形態２の半導体装置の製造方法によれば、真空チャンバーを用いないので、透光性部材とパッケージとを位置精度良く接合することができる半導体装置を提供することができる。 According to the semiconductor device manufacturing method of the second embodiment, since a vacuum chamber is not used, it is possible to provide a semiconductor device capable of bonding the translucent member and the package with high positional accuracy.

以下、実施形態２の半導体装置の製造方法について、詳細に説明する。ただし、前述の実施形態１と実質的に同一な事項については適宜省略することがある。 The method for manufacturing the semiconductor device of Embodiment 2 will be described in detail below. However, items that are substantially the same as those of the first embodiment may be omitted as appropriate.

（１）パッケージの準備
図１０を用いてパッケージ１０について説明する。
パッケージの準備に関して、以下に示すこと以外は実施形態１に記載した事項と実質的に同一である。
ここでは、パッケージ１０を準備する。パッケージ１０は予め個片化されたされたものでもよいし、複数のパッケージ１０が集合状態で設けられた集合基板１００でもよい。
パッケージ１０は、透光性部材２０を配置するための外周部１０ｎと透光性部材２０が接合される表面と半導体レーザユニットが設けられる凹部１０ｒとを有している。外周部１０ｎの表面は透光性部材２０が接合される表面よりも高くなっている。透光性部材２０が接合される表面は角部を有する形状である。凹部１０ｒを取り囲み、透光性部材２０が接合されるパッケージ表面の角部のうち、凹部１０ｒ側の角部の曲率半径は、外周部１０ｎ側の角部の曲率半径よりも大きい。 (1) Preparation of Package The package 10 will be described with reference to FIG.
The preparation of the package is substantially the same as that described in Embodiment 1 except for the following.
Here, the package 10 is prepared. The package 10 may be pre-divided into individual pieces, or may be an aggregate substrate 100 on which a plurality of packages 10 are provided in an aggregated state.
The package 10 has an outer peripheral portion 10n for disposing the translucent member 20, a surface to which the translucent member 20 is bonded, and a recess 10r in which the semiconductor laser unit is provided. The surface of the outer peripheral portion 10n is higher than the surface to which the translucent member 20 is joined. The surface to which the translucent member 20 is bonded has a shape with corners. Of the corners of the surface of the package surrounding the recess 10r and to which the translucent member 20 is bonded, the radius of curvature of the corner on the recess 10r side is larger than the radius of curvature of the corner on the outer peripheral portion 10n side.

パッケージ１０の材料と透光性部材２０の材料とが異なる場合、両者の線膨張係数が一致しないことがある。このような場合、両者を接合する接合材は、パッケージ１０と透光性部材２０の線膨張係数差に起因して熱応力を受け、損傷する可能性がある。
本実施形態２においては、図１０に示すように、凹部１０ｒを取り囲み、透光性部材２０が接合されるパッケージ表面の角部のうち、凹部１０ｒ側の角部の曲率半径は、外周部１０ｎ側の角部の曲率半径よりも大きいことが好ましい。凹部の曲率を上記のような形状をすることで、パッケージ１０と透光性部材２０とを接合する接合材が熱応力の影響で損傷する可能性を低減できる。パッケージ全体の大きさを小さくしたいときには、外周部側の角部の形を透光性部材２０の形に依存させることが好ましい。透光性部材２０の角部に曲率をもたせる工程が煩雑になるような材料の場合、外周部側の曲率半径を十分大きくすることは難しい。しかしながら、凹部側の角部の曲率半径を上記のようにすることで、熱応力の集中を低減できる。このような透光性部材２０としては、例えばサファイアが挙げられる。
また、上記のようなパッケージ形状をとることで、角部以外の領域と比べて半田ボールを角部へ多く配置することが可能となる。多くの半田ボール１５を配置することで、パッケージ１０と透光性部材２０との密着性を高め、封止用気体がリークしにくくなる。 If the material of the package 10 and the material of the translucent member 20 are different, the linear expansion coefficients of both may not match. In such a case, the bonding material that bonds the two may receive thermal stress due to the difference in linear expansion coefficient between the package 10 and the translucent member 20 and may be damaged.
In Embodiment 2, as shown in FIG. 10, of the corners of the package surface that surrounds the recess 10r and to which the translucent member 20 is bonded, the radius of curvature of the corner on the side of the recess 10r is the same as that of the outer peripheral portion 10n. preferably larger than the radius of curvature of the side corners. By making the curvature of the concave portion as described above, it is possible to reduce the possibility that the bonding material that bonds the package 10 and the translucent member 20 is damaged due to the influence of thermal stress. When it is desired to reduce the size of the entire package, it is preferable to make the shape of the corners on the outer peripheral side depend on the shape of the translucent member 20 . In the case of a material that complicates the process of imparting curvature to the corners of the translucent member 20, it is difficult to sufficiently increase the radius of curvature on the outer peripheral side. However, the concentration of thermal stress can be reduced by setting the radius of curvature of the corners on the concave side as described above. Sapphire, for example, can be used as such a translucent member 20 .
Further, by adopting the package shape as described above, it is possible to arrange more solder balls in the corners than in the regions other than the corners. By arranging a large number of solder balls 15, the adhesion between the package 10 and the translucent member 20 is enhanced, and the sealing gas is less likely to leak.

（２）半導体レーザ素子の準備
準備する半導体レーザ素子としては、半導体レーザ素子の材料および発光ピーク波長は実施形態１と同様のものを用いることができる。ＲＧＢの三色の半導体レーザ素子１，２，３に限られない。ＲＧＢのうちいずれか１色でもよいし、２色でもよい。また、いずれか1色を複数個備えてもよい。本実施形態２では、青色発光の半導体レーザ素子を用いる場合の形態について説明する。 (2) Preparation of Semiconductor Laser Device As the semiconductor laser device to be prepared, the same material and emission peak wavelength as in the first embodiment can be used for the semiconductor laser device. It is not limited to the three-color semiconductor laser elements 1, 2, and 3 of RGB. Either one color of RGB or two colors may be used. Moreover, any one color may be provided in plural numbers. In the second embodiment, a mode in which a semiconductor laser element emitting blue light is used will be described.

（３）半導体レーザ素子のサブマウントへの搭載及び（４）光反射部材の準備
搭載する半導体レーザ素子の数および発光色は適宜変更し、レーザユニットを形成することができるが、実施形態１において説明した事項と実質的に同一である。 (3) Mounting of the semiconductor laser element on the submount and (4) Preparation of the light reflecting member The number and emission color of the mounted semiconductor laser elements can be appropriately changed to form the laser unit. It is substantially the same as the matter explained.

（５）透光性部材の準備
図１１Ａを用いて透光性部材２０について説明する。
透光性部材の準備に関して、以下に説明する事項以外は実施形態１において説明した事項と実質的に同一である。
青色の半導体レーザ素子３を用いる場合、図１１Ａに示すように、半導体装置から出射される光を白色にするために、透光性部材２０は波長変換部材２１をさらに備えてもよい。波長変換部材２１は半導体レーザ素子３から発振したレーザ光により励起されて、レーザ光とは異なる波長の光を発光する。例えば、波長変換部材は単結晶もしくは多結晶の蛍光体、蛍光体と反射材の複合体もしくは、蛍光体の粉末と反射材とを成形して焼成した焼結体により形成することができる。蛍光体２１ｐとしては、賦活剤をセリウムとし、母体をイットリウム・アルミニウム・ガーネット（以下、ＹＡＧと呼ぶ。）とした所謂ＹＡＧ蛍光体を用いることができる。反射材２１ｒとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、賦活剤を含まないＹＡＧ、酸化イットリウムなどを用いることができる。 (5) Preparation of Translucent Member The translucent member 20 will be described with reference to FIG. 11A.
The preparation of the translucent member is substantially the same as the items described in the first embodiment except for the items described below.
When the blue semiconductor laser element 3 is used, as shown in FIG. 11A, the translucent member 20 may further include a wavelength conversion member 21 in order to make the light emitted from the semiconductor device white. The wavelength conversion member 21 is excited by the laser light emitted from the semiconductor laser element 3 and emits light having a wavelength different from that of the laser light. For example, the wavelength conversion member can be formed of a single-crystal or polycrystalline phosphor, a composite of phosphor and reflector, or a sintered body obtained by molding and firing phosphor powder and reflector. As the phosphor 21p, a so-called YAG phosphor having cerium as an activator and yttrium-aluminum-garnet (hereinafter referred to as YAG) as a base can be used. As the reflecting material 21r, aluminum oxide, aluminum nitride, YAG containing no activator, yttrium oxide, or the like can be used.

実施形態2の半導体装置の製造方法では、準備したパッケージ１０に、準備したレーザユニット３ｕ、光反射部材６及び、透光性部材２０などを以下のような工程を経て組み込んで発光装置を製造する。 In the method of manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment, the laser unit 3u, the light reflecting member 6, the translucent member 20, etc. prepared are incorporated into the prepared package 10 through the following steps to manufacture the light emitting device. .

１．実装工程、２．ワイヤボンディング工程及び３．半田ボール形成工程
実装工程、ワイヤボンディング工程及び半田ボール形成工程は実施形態１において説明した事項と実質的に同様である。半田ボール１５はパッケージ１０の凹部の周りの表面および該表面と対向する透光性部材２０の表面のいずれに設けてもよいが、本実施形態２ではパッケージ１０の凹部の周りの表面に設けた場合について説明する。 1. mounting process;2. wire bonding process; and3. Solder Ball Forming Process The mounting process, wire bonding process and solder ball forming process are substantially the same as those described in the first embodiment. The solder balls 15 may be provided either on the surface around the recess of the package 10 or on the surface of the translucent member 20 facing the surface. A case will be described.

４．接合工程
実施形態2における接合工程では、溶融した半田ボールにより、透光性部材の表面とパッケージの表面を接合する。このとき封止用気体を給気する給気口及び排気する排気口を備える容器へ、パッケージ及び透光性部材をそれぞれ分離した状態で、または、半田ボール間に気道が形成されるように一体化した状態で収容し、封止用気体を容器へ供給するとともに、半田ボールが形成されたパッケージ又は透光性部材を加熱して、パッケージ及び透光性部材の少なくともいずれか一方を押圧する。
ここで、「それぞれ分離した状態で収容する」とは、パッケージと透光性部材とを同時に収容する場合と、異なるタイミングで収容する場合とを全て含む。また、異なるタイミングで収容する場合はパッケージと透光性部材とのいずれを先に収容してもよい。
また、半田ボールが形成されたパッケージ又は透光性部材を加熱することと、パッケージ及び透光性部材の少なくともいずれか一方を押圧することの順序はいずれが先でもよい。 4. Bonding Step In the bonding step in Embodiment 2, the surface of the translucent member and the surface of the package are bonded with a melted solder ball. At this time, the package and the light-transmitting member are separated from each other or integrated into a container having an air supply port for supplying the sealing gas and an exhaust port for discharging the sealing gas, or the package and the light-transmitting member are integrated so that an airway is formed between the solder balls. The package and the light-transmitting member are heated to press at least one of the package and the light-transmitting member while supplying the sealing gas to the container while the solder balls are formed.
Here, the phrase "accommodate the package and the light-transmissive member separately" includes both the case of accommodating the package and the translucent member at the same time and the case of accommodating the package and the translucent member at different timings. Moreover, when they are accommodated at different timings, either the package or the translucent member may be accommodated first.
Moreover, the order of heating the package in which the solder balls are formed or the translucent member and pressing at least one of the package and the translucent member may come first.

以下、図１２Ａ及び図１２Ｂを用いて接合工程を説明する。
まず、少なくとも給気口１２３ｉｎ及び排気口１２３ｏｕｔを備える容器を、ヒータを備えるステージ１２２上へ配置する。容器１２０とステージ１２２は一体的に形成されていてもよく、この場合はこれらの部材をまとめて１つの容器と見做すことができる。
封止用気体はガスライン１２３で供給され、給気口１２３ｉｎから容器１２０の内部へ導入される。この容器１２０は排気口１２３ｏｕｔを備えているので、これを通じて封止用気体は容器外へ排気される。そのとき、もともと容器内に満たされていた水分を含む気体も排気される。これにより、容器１２０内を乾燥した気体で満たした状態で、すなわち、パッケージ１０の凹部１０ｒ内を乾燥した気体で満たした状態で、パッケージを透光性部材で気密封止することができる。その結果、水分を含んだ気体を含んで封止される場合と比べて、半導体装置の露点が下がる。
封止用気体はパッケージ１０を容器１２０内へ導入する前から接合工程が終了するまで供給し続けることが好ましい。これにより、容器１２０内の雰囲気をより確実に封止用気体に置換することができる。
封止用気体の流量は、５リットル毎分以上であることが好ましい。容器１２０内の気体を十分置換することができ、半導体装置の露点が下がる。また、封止用気体の温度の上限は、半田ボール１５の融点未満であればよい。例えば、半田ボール１５の材料がＡｕＳｎである場合は、封止用気体の温度は、２８０℃以下とする。
封止用気体は実施形態１と同様に乾燥空気とヘリウムガスとを含む混合気体を用いることができる。 The bonding process will be described below with reference to FIGS. 12A and 12B.
First, a container having at least an air supply port 123in and an exhaust port 123out is placed on a stage 122 having a heater. The container 120 and the stage 122 may be integrally formed, in which case these members can be collectively regarded as one container.
The sealing gas is supplied through a gas line 123 and introduced into the container 120 through an air supply port 123in. The container 120 has an exhaust port 123out through which the sealing gas is exhausted to the outside of the container. At that time, the moisture-containing gas originally filled in the container is also exhausted. As a result, the package can be hermetically sealed with the translucent member while the container 120 is filled with dry gas, ie, the recess 10r of the package 10 is filled with dry gas. As a result, the dew point of the semiconductor device is lowered as compared with the case where the semiconductor device is sealed with gas containing moisture.
The sealing gas is preferably continuously supplied from before the package 10 is introduced into the container 120 until the bonding process is completed. As a result, the atmosphere in the container 120 can be more reliably replaced with the sealing gas.
The flow rate of the sealing gas is preferably 5 liters per minute or more. The gas in the container 120 can be sufficiently replaced, and the dew point of the semiconductor device is lowered. Also, the upper limit of the temperature of the sealing gas may be less than the melting point of the solder ball 15 . For example, when the material of the solder balls 15 is AuSn, the temperature of the sealing gas should be 280° C. or less.
As the sealing gas, a mixed gas containing dry air and helium gas can be used as in the first embodiment.

また、ステージ１２２の温度は半田ボール１５の融点より低く、かつ、半田ボール１５の融点近傍まで温めておくことが好ましい。融点との温度差が、例えば30℃以下となるまで温めておく。好ましくは２０℃以下であり、さらに好ましくは１０℃以下である。ステージ１２２を予め加熱しておくことで、半田ボール１５が形成されたパッケージ１０をステージ１２２上へ配置した際に、パッケージ１０を配置してから加熱する場合と比べてパッケージ１０の温度が短時間で半田ボール１５の融点以上に到達できる。結果として、リードタイムを短縮することができる。 Moreover, it is preferable that the temperature of the stage 122 is lower than the melting point of the solder balls 15 and is warmed to near the melting point of the solder balls 15 . Warm until the temperature difference from the melting point is, for example, 30°C or less. It is preferably 20° C. or lower, more preferably 10° C. or lower. By preheating the stage 122, when the package 10 having the solder balls 15 formed thereon is placed on the stage 122, the temperature of the package 10 is increased in a short time compared to the case where the package 10 is placed and then heated. can reach the melting point of the solder ball 15 or higher. As a result, lead time can be shortened.

次に、半田ボール１５が形成されたパッケージ１０と透光性部材２０とを容器１２０内へそれぞれ収容する。図１２Bに示すように、押圧体１２４を用いて透光性部材２０を加圧することにより、パッケージ１０の表面と透光性部材２０の表面が半田ボール１５を介して接合される。ただし、パッケージ１０と透光性部材２０は封止用気体を容器１２０内に供給する前に収容してもよいし、供給した後で収容してもよい。また、透光性部材２０は押圧体１２４に取り付けた状態で容器１２０内に導入し、パッケージ１０と接合してもよい。押圧体１２４が加える荷重は１Ｎ以上、２００Ｎ以下であることが好ましい。さらに好ましくは、１Ｎ以上１００Ｎ以下である。容器内は封止用気体で満たされているために、透光性部材２０をパッケージ１０上に載せただけでは半田ボール１５は十分広がらない可能性がある。上記程度の荷重を加えることで、接合に十分な範囲まで広げることができる。 Next, the package 10 in which the solder balls 15 are formed and the translucent member 20 are accommodated in the container 120 respectively. As shown in FIG. 12B , the surface of the package 10 and the surface of the translucent member 20 are joined via the solder balls 15 by pressing the translucent member 20 using the pressing body 124 . However, the package 10 and the translucent member 20 may be accommodated before or after the sealing gas is supplied into the container 120 . Alternatively, the translucent member 20 attached to the pressing member 124 may be introduced into the container 120 and joined to the package 10 . The load applied by the pressing body 124 is preferably 1N or more and 200N or less. More preferably, it is 1N or more and 100N or less. Since the inside of the container is filled with the sealing gas, there is a possibility that the solder balls 15 will not spread sufficiently just by placing the translucent member 20 on the package 10 . By applying a load of the above degree, it is possible to widen the range to a sufficient extent for bonding.

以上の接合工程において、凹部１０ｒを取り囲み、透光性部材２０が接合されるパッケージ表面に複数の半田ボール１５を間隔を開けて形成する例について説明した。これに限らず、例えば透光性部材２０の外周部分に設けられた接合用金属膜２０ｍの上に複数の半田ボールを間隔を開けて形成してもよい。この場合は、透光性部材２０をステージ１２２へ配置し、押圧体１２４を用いてパッケージ１０を加圧することにより接合することが考えられる。 In the bonding process described above, an example has been described in which a plurality of solder balls 15 are formed at intervals on the surface of the package surrounding the recess 10r and to which the translucent member 20 is bonded. Alternatively, for example, a plurality of solder balls may be formed at intervals on the bonding metal film 20m provided on the outer peripheral portion of the translucent member 20 . In this case, it is conceivable to place the translucent member 20 on the stage 122 and apply pressure to the package 10 using the pressing body 124 to join.

５．個片化工程
個片化工程は、パッケージ準備工程において集合基板１００を準備した場合に実施する工程である。例えば、実施形態１のように行う。接合工程よりも前にすでに個片化されている場合は、ここで個片化工程を行わなくてよい。 5. Singulation Process The singulation process is a process performed when the aggregate substrate 100 is prepared in the package preparation process. For example, it is performed as in the first embodiment. If it has already been singulated before the joining step, the singulation step need not be performed here.

以上のように構成された実施形態２の半導体装置の製造方法によれば、真空チャンバーを用いないので、透光性部材とパッケージとを位置精度良く接合することができる。 According to the semiconductor device manufacturing method of the second embodiment configured as described above, since a vacuum chamber is not used, the translucent member and the package can be joined with high positional accuracy.

また、実施形態２の半導体装置の製造方法によれば、容器内部の雰囲気を封止用気体で置換することで、真空引きを行わない状態においても半導体装置内に含まれる水分量を低減した状態で発光装置と透光性部材とを気密封止することができる。 Further, according to the method for manufacturing a semiconductor device of Embodiment 2, by substituting the atmosphere inside the container with the sealing gas, the amount of moisture contained in the semiconductor device is reduced even in a state in which vacuuming is not performed. The light-emitting device and the translucent member can be hermetically sealed.

図１１Ｂはパッケージ１０と波長変換部材２１を備えた透光性部材２０を接合した発光装置５０の上面図である。半導体レーザから発振されたレーザ光は光反射部材６により立ち上げられ、波長変換部材２１の蛍光体２１ｐを経て白色光となり，発光装置の外へ取り出される。 FIG. 11B is a top view of a light-emitting device 50 in which the package 10 and the translucent member 20 having the wavelength conversion member 21 are joined together. A laser beam oscillated from the semiconductor laser is raised by the light reflecting member 6, passes through the phosphor 21p of the wavelength converting member 21, becomes white light, and is emitted to the outside of the light emitting device.

１，２，３ 半導体レーザ素子
１ｕ，２ｕ，３ｕ レーザユニット
４ａ，４ｂ サブマウント
６ 光反射部材
６ａ 反射面
７ ワイヤ
８ 保護素子
１０ パッケージ
１０ｍ，２０ｍ 接合用金属膜
１０ｎ 外周部
１０ｒ 凹部
１５ 半田ボール
１５ａ 接合材
２０ 透光性部材
２１ 波長変換部材
２１ｒ 反射材
２１ｐ 蛍光体
３１ 上金型
３２ 下金型
５０ 発光装置
７０ コリメートレンズ
７１ 第１レンズ部
７２ 第２レンズ部
７３ 第３レンズ部
７４ 非レンズ部
９０ 接着剤
１００ 集合基板
１１０ 配線基板
１１１ 基板
１１２ 金属膜
１１３ 配線電極
１１４ 金属膜
１２０ 容器
１２２ ステージ
１２３ ガスライン
１２３ｉｎ 給気口
１２３ ｏｕｔ 排気口
１２４ 押圧体 Reference Signs List 1, 2, 3 semiconductor laser element 1u, 2u, 3u laser unit 4a, 4b submount 6 light reflecting member 6a reflecting surface 7 wire 8 protection element 10 package 10m, 20m bonding metal film 10n outer peripheral portion 10r concave portion 15 solder ball 15a Bonding material 20 Translucent member 21 Wavelength conversion member 21r Reflective material 21p Phosphor 31 Upper mold 32 Lower mold 50 Light emitting device 70 Collimating lens 71 First lens part 72 Second lens part 73 Third lens part 74 Non-lens part 90 Adhesive 100 Assembled Substrate 110 Wiring Substrate 111 Substrate 112 Metal Film 113 Wiring Electrode 114 Metal Film 120 Container 122 Stage 123 Gas Line 123 inch Air Supply Port 123 Out Exhaust Port 124 Pressing Body

Claims (11)

パッケージの凹部内に設けられた半導体レーザ素子を前記凹部を透光性部材で覆うことにより封止することを含む半導体装置の製造方法であって、
前記半導体レーザ素子が設けられた凹部の周りの前記パッケージの表面、又は該表面に対向する前記透光性部材の表面に、複数の半田ボールを間隔を開けて形成する半田ボール形成工程と、
前記透光性部材の表面又は前記パッケージの表面を、半田ボール間に前記凹部内に通じる気道が形成されるように、軟化した状態の半田ボールの上面に接触させて仮固定する仮止め工程と、
前記気道を介して前記凹部内を減圧し、減圧した後に封止用気体を注入した状態で、前記透光性部材と前記パッケージとを加熱して押圧することにより前記半田ボールを溶融して前記透光性部材と前記パッケージとを接合する接合工程と、を含み、
前記接合工程において、前記透光性部材の加熱温度よりも前記パッケージの加熱温度を低くした半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device, comprising sealing a semiconductor laser element provided in a recess of a package by covering the recess with a translucent member,
a solder ball forming step of forming a plurality of spaced apart solder balls on the surface of the package around the recess in which the semiconductor laser element is provided, or on the surface of the translucent member facing the surface;
a temporarily fixing step of temporarily fixing the surface of the translucent member or the surface of the package by contacting the upper surfaces of the softened solder balls so that an airway leading to the recess is formed between the solder balls; ,
The interior of the concave portion is decompressed through the airway, and in a state in which sealing gas is injected after the decompression, the translucent member and the package are heated and pressed to melt the solder balls and melt the solder balls. a bonding step of bonding the translucent member and the package ,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein in the bonding step, the heating temperature of the package is lower than the heating temperature of the translucent member . 前記接合工程において、前記透光性部材を前記半田ボールの融点以上の温度に加熱する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1 , wherein said translucent member is heated to a temperature equal to or higher than the melting point of said solder ball in said bonding step. 前記接合工程において、前記透光性部材に第１温度で加熱した第１押圧体を接触させ、前記パッケージに第２温度で加熱した第２押圧体を接触させて該第１押圧体と該第２押圧体を押圧することにより前記半田ボールを溶融して前記透光性部材と前記パッケージとを接合し、前記第２温度は前記第１温度よりも低い請求項２に記載の半導体装置の製造方法。 In the bonding step, a first pressing body heated at a first temperature is brought into contact with the translucent member, and a second pressing body heated at a second temperature is brought into contact with the package, whereby the first pressing body and the second pressing body are brought into contact with each other. 3. The manufacturing of the semiconductor device according to claim 2 , wherein the solder ball is melted by pressing 2 pressing bodies to join the translucent member and the package, and the second temperature is lower than the first temperature. Method. 前記接合工程において、前記第１押圧体と前記透光性部材との間に弾性変形可能な緩衝シートを配置し、前記透光性部材を前記緩衝シートを介して加熱して押圧する請求項３に記載の半導体装置の製造方法。 4. In said joining step, an elastically deformable buffer sheet is arranged between said first pressing body and said translucent member , and said translucent member is heated and pressed through said buffer sheet. A method of manufacturing the semiconductor device according to 1. 前記接合工程において、前記第２押圧体と前記パッケージとの間に弾性変形可能な緩衝シートを配置し、前記パッケージを前記緩衝シートを介して加熱して押圧する請求項３又は４に記載の半導体装置の製造方法。 5. The semiconductor according to claim 3 , wherein in said joining step, an elastically deformable buffer sheet is arranged between said second pressing body and said package, and said package is heated and pressed via said buffer sheet. Method of manufacturing the device. 前記パッケージは、セラミックパッケージである請求項１～５のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。 6. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1 , wherein said package is a ceramic package. 前記半田ボールは、ＡｕＳｎボールである請求項１～６のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。 7. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1 , wherein said solder balls are AuSn balls. 前記仮止め工程において、前記半田ボールを該半田ボールの融点未満の温度で軟化させる請求項１～７のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。 8. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1 , wherein in said temporary fixing step, said solder balls are softened at a temperature lower than the melting point of said solder balls. 前記半導体レーザ素子は、赤色のレーザ光を出射する第１半導体レーザ素子と、緑色のレーザ光を出射する第２半導体レーザ素子と、青色のレーザ光を出射する第３半導体レーザ素子を含む請求項１～８のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。 3. The semiconductor laser elements include a first semiconductor laser element that emits red laser light, a second semiconductor laser element that emits green laser light, and a third semiconductor laser element that emits blue laser light. 9. The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of 1 to 8 . 前記半田ボール形成工程の前に、前記凹部内に前記半導体レーザ素子を第１接合部材により実装する素子実装工程を含み、
前記接合工程において、前記パッケージを前記第１接合部材の融点より低い温度で加熱して押圧する請求項１～９のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。 an element mounting step of mounting the semiconductor laser element in the recess by a first bonding member before the solder ball forming step;
10. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1 , wherein in said bonding step, said package is heated and pressed at a temperature lower than the melting point of said first bonding member. 前記素子実装工程は、前記半導体レーザ素子を前記第１接合部材によりサブマウント上に接合する第１実装工程と前記半導体レーザ素子が接合されたサブマウントを前記凹部内に第２接合部材により実装する第２実装工程を含み、
前記接合工程において、前記パッケージを前記第１接合部材の融点及び前記第１接合部材の融点より低い温度で加熱して押圧する請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。 The element mounting step comprises: a first mounting step of bonding the semiconductor laser element onto a submount using the first bonding member; and mounting the submount to which the semiconductor laser element is bonded in the recess using a second bonding member. including a second mounting step,
11. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 10 , wherein in said bonding step, said package is heated and pressed at a melting point of said first bonding member and a temperature lower than the melting point of said first bonding member.
JP2018235816A 2018-06-15 2018-12-17 Semiconductor device manufacturing method Active JP7174242B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/442,114 US10811581B2 (en) 2018-06-15 2019-06-14 Method of manufacturing semiconductor device
US17/025,545 US11258000B2 (en) 2018-06-15 2020-09-18 Semiconductor laser device
US17/579,449 US11600757B2 (en) 2018-06-15 2022-01-19 Semiconductor laser device
JP2022175985A JP7436907B2 (en) 2018-06-15 2022-11-02 Manufacturing method of semiconductor device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018114812 2018-06-15
JP2018114812 2018-06-15

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022175985A Division JP7436907B2 (en) 2018-06-15 2022-11-02 Manufacturing method of semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019220672A JP2019220672A (en) 2019-12-26
JP7174242B2 true JP7174242B2 (en) 2022-11-17

Family

ID=69097027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018235816A Active JP7174242B2 (en) 2018-06-15 2018-12-17 Semiconductor device manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7174242B2 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6928271B2 (en) * 2019-01-22 2021-09-01 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
JP7318572B2 (en) * 2020-03-17 2023-08-01 三菱電機株式会社 Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP7131580B2 (en) 2020-03-23 2022-09-06 セイコーエプソン株式会社 Light source device, lighting device and projector
WO2022138733A1 (en) * 2020-12-24 2022-06-30 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
JP7360054B2 (en) * 2021-04-27 2023-10-12 日亜化学工業株式会社 Manufacturing method, bonding method, and light emitting device of light emitting device

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000301326A (en) 1999-04-20 2000-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Package sealing device, and manufacture of surface acoustic wave device using it
JP2003200289A (en) 2001-09-27 2003-07-15 Furukawa Electric Co Ltd:The Method of joining member and joined member obtained by this method
JP2004023054A (en) 2002-06-20 2004-01-22 Sony Corp Method for manufacturing hermetic sealing body of element, and reflow furnace
JP2004356913A (en) 2003-05-28 2004-12-16 Kyocera Corp Piezoelectric device and its manufacturing method
JP2006196799A (en) 2005-01-17 2006-07-27 Fujitsu Media Device Kk Electronic component and manufacturing method thereof
JP2007324303A (en) 2006-05-31 2007-12-13 Hitachi Cable Ltd Optical module and packaging method therefor
US20080099908A1 (en) 2006-10-31 2008-05-01 Wang Tak K Systems, devices, components and methods for hermetically sealing electronic modules and packages
JP2013165212A (en) 2012-02-13 2013-08-22 Adwelds:Kk Structure for encapsulating electronic device and apparatus for joining
JP2013222726A (en) 2012-04-12 2013-10-28 Sharp Corp Light emitting element module, method for manufacturing the same, and light emitting device
JP2016015415A (en) 2014-07-02 2016-01-28 住友電気工業株式会社 Three-color light source
JP2016213426A (en) 2015-05-01 2016-12-15 ▲き▼邦科技股▲分▼有限公司 Packaging method of semiconductor
JP2018093137A (en) 2016-12-07 2018-06-14 日機装株式会社 Manufacturing method for optical semiconductor device

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000301326A (en) 1999-04-20 2000-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Package sealing device, and manufacture of surface acoustic wave device using it
JP2003200289A (en) 2001-09-27 2003-07-15 Furukawa Electric Co Ltd:The Method of joining member and joined member obtained by this method
JP2004023054A (en) 2002-06-20 2004-01-22 Sony Corp Method for manufacturing hermetic sealing body of element, and reflow furnace
JP2004356913A (en) 2003-05-28 2004-12-16 Kyocera Corp Piezoelectric device and its manufacturing method
JP2006196799A (en) 2005-01-17 2006-07-27 Fujitsu Media Device Kk Electronic component and manufacturing method thereof
JP2007324303A (en) 2006-05-31 2007-12-13 Hitachi Cable Ltd Optical module and packaging method therefor
US20080099908A1 (en) 2006-10-31 2008-05-01 Wang Tak K Systems, devices, components and methods for hermetically sealing electronic modules and packages
JP2013165212A (en) 2012-02-13 2013-08-22 Adwelds:Kk Structure for encapsulating electronic device and apparatus for joining
JP2013222726A (en) 2012-04-12 2013-10-28 Sharp Corp Light emitting element module, method for manufacturing the same, and light emitting device
JP2016015415A (en) 2014-07-02 2016-01-28 住友電気工業株式会社 Three-color light source
JP2016213426A (en) 2015-05-01 2016-12-15 ▲き▼邦科技股▲分▼有限公司 Packaging method of semiconductor
JP2018093137A (en) 2016-12-07 2018-06-14 日機装株式会社 Manufacturing method for optical semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019220672A (en) 2019-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7174242B2 (en) Semiconductor device manufacturing method
JP7436907B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP4905009B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
JP4029843B2 (en) Light emitting device
JP4905069B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
US20090294789A1 (en) Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
JP2010177375A (en) Light-emitting device and manufacturing method of the same
US11575242B2 (en) Light emission device
JP2023085450A (en) Light-emitting device and method for manufacturing the same
JP2016119402A (en) Method of manufacturing light-emitting device
JP7332860B2 (en) light emitting device
TW202032802A (en) Optical sensor device and method of manufacturing the same
JP4775403B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
US20230223736A1 (en) Semiconductor light-emitting device, and water disinfection device
JP2021012961A (en) Light-emitting device and manufacturing method
JP2019117880A (en) Light source device
US20190020174A1 (en) Semiconductor light emitting device
JP7428129B2 (en) Light emitting device and projection display device
WO2013021518A1 (en) Light emitting device
JP7372528B2 (en) light source device
JP4165610B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
WO2021070587A1 (en) Light-emitting device
JP2022124748A (en) Semiconductor light emitting device and manufacturing method for the same
JP2022169239A (en) Method for manufacturing light-emitting device, joining method, and light-emitting device
JP6105638B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE MANUFACTURING METHOD AND LIGHT EMITTING DEVICE

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211117

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220720

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220802

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220922

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20221004

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221017

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7174242

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151