JP7171131B2 - 被加工物の研削方法 - Google Patents

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Description

本発明は、被加工物を研削砥石によって研削する際に用いられる被加工物の研削方法に関する。
光デバイスチップの製造工程では、分割予定ライン(ストリート)によって区画された領域にそれぞれLED(Light Emitting Diode)等の光デバイスが形成された光デバイスウェーハが用いられる。この光デバイスウェーハを分割予定ラインに沿って分割することにより、光デバイスをそれぞれ備える複数の光デバイスチップが得られる。同様に、IC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)等の半導体デバイスが形成された半導体ウェーハを分割することにより、半導体デバイスチップが製造される。
上記の光デバイスチップや半導体デバイスチップに代表される各種のチップは様々な電子機器に内蔵されるが、近年、電子機器の小型化、薄型化に伴いチップにも小型化、薄型化が求められている。そこで、上記の光デバイスウェーハや半導体ウェーハを研削砥石で研削することによって薄くする手法が用いられている。
光デバイスウェーハや半導体ウェーハ等の被加工物の研削には、被加工物を保持するチャックテーブルと、チャックテーブルによって保持された被加工物を研削する研削手段(研削ユニット)とを備える研削装置が用いられる。研削装置の研削手段は、回転軸となるスピンドルの先端部に固定されたマウントを備えており、マウントには被加工物を研削するための研削砥石を備えた研削ホイールが装着される(例えば、特許文献1、2参照)。この研削ホイールを回転させながら研削砥石を被加工物と接触させることにより、被加工物が研削される。
特開2011-29331号公報 特開2011-40631号公報
研削装置を用いて被加工物を研削する際には、研削手段に装着された研削ホイールがチャックテーブルによって保持された被加工物に押し付けられる。このとき、研削手段には荷重(加工荷重)がかかり、この加工荷重が一定の値を超えると研削手段が破損してしまう恐れがある。そのため研削装置は、研削手段にかかる加工荷重が予め設定された許容値を超えた場合に、研削手段の動作を停止させて研削手段の破損を回避するように設計されている。
しかしながら、被加工物の材質等によっては、加工荷重が許容値を超えるような条件下での研削加工が必要となる場合がある。例えば、サファイアウェーハやSiCウェーハなど、比較的硬度が高い材料(硬質材料)でなる被加工物を研削する際には、被加工物を適切に研削するために研削ホイールを被加工物に強く押し付ける必要がある。このような被加工物を適切に研削しようとすると、加工荷重が許容値を超えて研削手段の動作が停止してしまい、研削装置を用いた研削加工が困難になる場合がある。
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、研削加工時に研削手段にかかる荷重を低減することが可能な被加工物の研削方法の提供を課題とする。
本発明の一態様によれば、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該被加工物を研削する複数の研削砥石を備えるリング状の研削ホイールが装着される研削手段と、を備えた研削装置を用いて該被加工物を研削する被加工物の研削方法であって、該被加工物の外周縁を含む外周領域を該研削砥石によって所定の厚さまで研削する外周領域研削工程と、該被加工物の該外周領域によって囲まれた中央領域を該研削砥石によって所定の厚さまで研削する中央領域研削工程と、を備え、該外周領域は、半径の異なる複数のリング状の領域を有し、複数の該領域の幅は、該中央領域に近い該領域ほどその幅が広くなるように設定され、該外周領域研削工程では、複数の該領域を該被加工物の該外周縁側から該中央領域側に向かって順に研削し、該外周領域研削工程と該中央領域研削工程との間で、該被加工物と該研削砥石とを離隔させる被加工物の研削方法が提供される。
本発明の一態様に係る被加工物の研削方法では、被加工物の外周縁を含む外周領域を研削砥石によって所定の厚さまで研削する外周領域研削工程と、被加工物の外周領域によって囲まれた中央領域を研削砥石によって該所定の厚さまで研削する中央領域研削工程と、を実施することにより被加工物を研削する。このように、被加工物の研削を複数回に分けて実施することにより、被加工物の全体を一度に研削する場合と比較して研削加工時における研削砥石と被加工物との接触面積が減少し、研削砥石が装着される研削手段にかかる荷重が低減される。
研削装置を示す斜視図である。 被加工物がチャックテーブルによって保持される様子を示す斜視図である。 チャックテーブルを示す断面図である。 図4(A)は第1研削工程の様子を示す平面図であり、図4(B)は第1研削工程の様子を示す側面図である。 図5(A)は第2研削工程の様子を示す平面図であり、図5(B)は第2研削工程の様子を示す側面図である。 図6(A)は第3研削工程の様子を示す平面図であり、図6(B)は第3研削工程の様子を示す側面図である。 図7(A)は中央領域研削工程の様子を示す平面図であり、図7(B)は中央領域研削工程の様子を示す側面図である。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。まず、本実施形態に係る被加工物の研削方法の実施に用いることが可能な研削装置の構成例について説明する。図1は研削装置2を示す斜視図である。
研削装置2は、研削装置2の各構成要素が搭載される基台4を備えており、基台4の後端には直方体状の支持構造6が設けられている。また、基台4の上面側には上面視で矩形状の開口部4aが設けられている。この開口4aは、長手方向がX軸方向(前後方向)に沿うように形成されている。
開口4aの内部には、ボールネジ式のX軸移動機構8と、X軸移動機構8の一部を覆う防塵防滴カバー10とが配置されている。X軸移動機構8はX軸移動テーブル8aを備えており、このX軸移動テーブル8aをX軸方向に沿って移動させる。また、開口4aの前方には研削加工の条件等を入力するための操作パネル12が設置されている。
X軸移動テーブル8a上には、チャックテーブル14が設けられている。チャックテーブル14はX軸移動テーブル8aとともにX軸方向に沿って移動し、チャックテーブル14のX軸方向における位置はX軸移動機構8によって制御される。このチャックテーブル14によって、研削加工が施される被加工物が保持される。
図2は、被加工物11がチャックテーブル14によって保持される様子を示す斜視図である。被加工物11は例えば、LED(Light Emitting Diode)、IC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)等のデバイス(不図示)が表面11a側に形成された円盤状のウェーハ等によって構成される。
被加工物11の材質、形状、構造、大きさ等に制限はなく、例えば被加工物11として半導体(シリコン、SiC、GaAs、InP、GaN等)、サファイア、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなるウェーハを用いることができる。特に、デバイスとしてLEDなどの光デバイスを形成する場合には、機械的特性、熱的特性、化学的安定性に優れるサファイアウェーハを用いることが好ましい。
被加工物11は、互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ライン(ストリート)によって複数の領域に区画されており、この複数の領域にそれぞれデバイスが形成されている。そして、被加工物11を分割予定ラインに沿って分割することにより、デバイスをそれぞれ含む複数のチップが得られる。なお、被加工物11に形成されるデバイスの種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等に制限はない。
被加工物11の分割によって得られるチップの薄型化を目的として、分割前の被加工物11には研削加工が施される。具体的には、被加工物11の裏面11b側を研削砥石で研削することによって被加工物11が薄く加工される。被加工物11を研削する際には、図2に示すように被加工物11がチャックテーブル14上に配置される。
被加工物11は、裏面11b側が上方に露出するようにチャックテーブル14によって保持される。なお、被加工物11の表面11a側にはデバイスを保護するための保護テープを貼付してもよい。この場合、被加工物11は保護テープを介してチャックテーブル14によって保持される。
図3は、チャックテーブル14を示す断面図である。チャックテーブル14は、ポーラスセラミックス等によって形成された円盤状の吸引部16を備えており、吸引部16の上面によって被加工物11を吸引する平面視で円形の吸引面16aが構成される。また、吸引面16aはチャックテーブル14の内部に形成された吸引路14aを介して吸引源(不図示)と接続されている。
吸引面16aを覆うように被加工物11を配置した状態で吸引源の負圧を吸引面16aに作用させることで、被加工物11がチャックテーブル14によって吸引保持される。なお、ここでは特に円盤状の被加工物11に対応して吸引面16aが平面視で円形に形成されている例について説明するが、吸引面16aの形状はチャックテーブル14によって保持される被加工物11の形状等に応じて適宜変更できる。
また、吸引部16は、その厚さが外周縁から中心に向かって増加するように形成されており、吸引面16aは中心を頂点とする山形状に形成されている。つまり、吸引面16aは吸引部16の径方向に対してわずかに傾斜した傾斜面を有する。図3では説明の便宜のため、吸引面16aの傾斜を誇張して示している。例えば吸引部16の直径が200mm以上210mm以下程度である場合、吸引部16の厚さ方向における吸引面16aの中心と外周縁との高さ位置の差は、10μm以上20μm以下程度に設定される。
チャックテーブル14は、吸引面16aの傾斜面の一部が水平方向(XY平面)と平行になるように、僅かに傾いた状態でX軸移動テーブル8a(図1参照)上に配置される。また、チャックテーブル14はモータ等の回転駆動源(不図示)と連結されており、吸引部16の厚さ方向と概ね平行な回転軸の周りに回転する。なお、吸引面16aは、中心の位置がチャックテーブル14の回転軸の位置と一致するように設けられている。
図1に示す支持構造6の前面側には、Z軸移動機構18が設けられている。Z軸移動機構18は、棒状に形成され、その長さ方向がZ軸方向(鉛直方向)に沿うように配置された一対のZ軸ガイドレール20を備える。この一対のZ軸ガイドレール20には、Z軸移動プレート22がZ軸方向に沿ってスライド可能な態様で取り付けられている。Z軸移動プレート22の後面側(裏面側)にはナット部(不図示)が設けられており、このナット部にはZ軸ガイドレール20と概ね平行な方向に沿って配置されたZ軸ボールネジ24が螺合されている。
Z軸ボールネジ24の一端部には、Z軸パルスモータ26が連結されている。Z軸パルスモータ26によってZ軸ボールネジ24を回転させると、Z軸移動プレート22はZ軸ガイドレール20に沿ってZ軸方向に移動する。
Z軸移動プレート22の前面側(表面側)には、前方に突出する支持具28が設けられている。支持具28は、被加工物に研削加工を施す研削手段(研削ユニット)30を支持している。研削手段30は、支持具28に固定されるスピンドルハウジング32を含み、スピンドルハウジング32には回転軸となるスピンドル34が回転可能な状態で収容されている。
スピンドル34の先端部(下端部)はスピンドルハウジング32の外部に露出しており、このスピンドル34の先端部には円盤状のマウント36が固定される。また、マウント36の下面には、マウント36と概ね同径に構成されたリング状の研削ホイール38が装着される。この研削ホイール38はリング状の基台40を備えており、基台40のチャックテーブル14と対向する面側には、基台40の外周縁に沿って複数の直方体状の研削砥石42が固定されている(図4から図7参照)。
被加工物11を研削する際は、まず、チャックテーブル14によって被加工物11を吸引保持する。そして、X軸移動機構8によってチャックテーブル14を移動させ、チャックテーブル14を研削ホイール38の下に位置付ける。
なお、図3に示すように、チャックテーブル14の吸引面16aはその中心を頂点とした山形状に形成されており、吸引面16aによって吸引される被加工物11の裏面11bも、吸引面16aの形状を反映して山形状となる。また、前述のようにチャックテーブル14は吸引面16aの傾斜面の一部が水平方向と平行となるように僅かに傾いた状態で配置されているため、被加工物11は、裏面11bの中心から外周縁に至る一部の領域が水平方向と平行になるように保持される。
そして、チャックテーブル14とスピンドル34とをそれぞれ所定の方向に所定の回転数で回転させながら研削手段30を所定の速度で下降させて、研削手段30に装着された研削ホイール38を被加工物11に押し付ける。これにより、被加工物11の裏面11bのうち、水平方向と平行に配置された領域に研削ホイール38が接触し、被加工物11が研削ホイール38によって削り取られる。このようにして、被加工物11の研削加工が行われる。
被加工物11を研削する際に研削ホイール38が被加工物11に押し付けられると、研削手段30には荷重(加工荷重)がかかり、この加工荷重が一定の値を超えると研削手段30が破損してしまう恐れがある。そのため研削装置2は、研削手段30にかかる加工荷重が予め設定された許容値(加工荷重許容値)を超えた場合に、研削手段30の動作を停止させて研削手段30の破損を回避するように設計されている。
しかしながら、被加工物11の材質等によっては、加工荷重が許容値を超えるような条件下での研削加工が必要となる場合がある。例えば、サファイアウェーハやSiCウェーハなど、比較的硬度が高い材料(硬質材料)でなる被加工物11を研削する際には、被加工物11を適切に研削するために、研削ホイール38を被加工物11に強く押し付ける必要がある。このような被加工物11を研削しようとすると、加工荷重が許容値を超えて研削手段30の動作が停止してしまい、研削装置2を用いた研削加工が困難になる場合がある。
本実施形態に係る被加工物の研削方法では、被加工物11の外周縁を含む外周領域を研削砥石によって所定の厚さまで研削する外周領域研削工程と、被加工物11の外周領域によって囲まれた中央領域を研削砥石によって該所定の厚さまで研削する中央領域研削工程と、を実施することにより、被加工物11を研削する。このように、被加工物11の研削を複数回に分けて実施することにより、研削加工時における研削砥石と被加工物11との接触面積が減少し、研削手段30にかかる荷重が低減される。
研削手段30にかかる荷重が低減されると、例えばサファイアウェーハやSiCウェーハなどの硬質材料でなる被加工物11を研削する際にも、研削手段30にかかる荷重を加工荷重許容値以下に抑え、被加工物11を研削装置2によって適切に研削することが可能となる。以下、本実施形態に係る被加工物の研削方法の具体例について説明する。
実施形態に係る被加工物の研削方法では、まず、被加工物11の外周縁を含む外周領域を研削砥石42によって所定の厚さまで研削する外周領域研削工程を行う。外周領域研削工程の様子を、図4から図6に示す。以下では一例として、外周領域研削工程がさらに第1研削工程、第2研削工程、及び第3研削工程に分けられる場合について説明する。
図4(A)は第1研削工程の様子を示す平面図であり、図4(B)は第1研削工程の様子を示す側面図である。図4(A)及び図4(B)にはそれぞれ、チャックテーブル14によって吸引保持された被加工物11と、研削手段30が備えるマウント36(図1参照)に装着された研削ホイール38とを示している。また、図4(A)には、チャックテーブル14を回転させたときの被加工物11の回転中心Oを示している。
研削ホイール38は、ステンレスやアルミニウム等の金属材料で形成されたリング状の基台40を備えており、基台40のチャックテーブル14と対向する面側には、基台40の外周縁に沿って複数の直方体状の研削砥石42が固定されている。なお、図4(B)では説明の便宜上、研削ホイール38が備える複数の研削砥石42のうち、被加工物11の回転中心Oに最も近い位置に配置されている研削砥石42aのみを示している。
研削砥石42は例えば、ダイヤモンド、CBN(Cubic Boron Nitride)等でなる砥粒を、メタルボンド、レジンボンド又はビトリファイドボンド等の結合材で固定することにより形成される。ただし、研削砥石42の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。また、研削ホイール38が備える研削砥石42の数は任意に設定できる。
被加工物11は、被加工物11の外周縁を含み、その幅が被加工物11の半径未満であるリング状の外周領域13と、外周領域13によって囲まれ被加工物11の回転中心Oを含む円形の中央領域15とを有する。また、外周領域13は、半径の異なる複数のリング状の領域を有する。
具体的には、外周領域13は、被加工物11の外周縁を含むリング状の第1領域13aと、第1領域13aによって囲まれたリング状の第2領域13bと、第2領域13bによって囲まれたリング状の第3領域13cとに分けられる。第2領域13bの半径は第1領域13aの半径よりも小さく、第3領域13cの半径は第2領域13bの半径よりも小さい。また、第3領域13cによって囲まれた領域が中央領域15に相当する。
なお、図4(A)では、第1領域13aの幅、第2領域13bの幅、第3領域13cの幅をそれぞれW、W、Wで表し、中央領域15の半径をRで表す。W、W、Wの和が外周領域13の幅Wに相当し、WとRとの和が被加工物11の半径に相当する。
第1研削工程では、研削砥石42が被加工物11の第1領域13aと重畳し、且つ、第2領域13b、第3領域13c、及び中央領域15とは重畳しないように、研削ホイール38とチャックテーブル14とを位置付ける。このとき、研削砥石42aの回転中心O側に位置する端部42bは、図4(B)に示すように第1領域13aと第2領域13bとの境界に位置付けられる。
そして、チャックテーブル14と研削ホイール38とをそれぞれ所定の方向に所定の回転数で回転させながら、研削ホイール38を所定の速度で下降させ、研削砥石42を被加工物11の第1領域13aと接触させる。これにより、第1領域13aが研削砥石42によって研削される。そして、この研削は第1領域13aが所定の厚さになるまで続けられる(図5(B)参照)。
次に、第2領域13bを研削する第2研削工程を実施する。図5(A)は第2研削工程の様子を示す平面図であり、図5(B)は第2研削工程の様子を示す側面図である。
第2研削工程では、研削砥石42が被加工物11の第2領域13bと重畳し、且つ、第3領域13c、及び中央領域15とは重畳しないように、研削ホイール38とチャックテーブル14とを位置付ける。このとき、研削砥石42aの回転中心O側に位置する端部42bは、図5(B)に示すように第2領域13bと第3領域13cとの境界に位置付けられる。
そして、チャックテーブル14と研削ホイール38とをそれぞれ所定の方向に所定の回転数で回転させながら、研削ホイール38を所定の速度で下降させ、研削砥石42を被加工物11の第2領域13bと接触させる。これにより、第2領域13bが研削砥石42によって研削される。そして、この研削は第2領域13bが所定の厚さ(第1領域13aと同程度の厚さ)になるまで続けられる(図6(B)参照)。
なお、第1研削工程を経て第1領域13aの厚さは減少している。そのため、第2研削工程で研削砥石42と第1領域13aとはほとんど接触しない。
次に、第3領域13cを研削する第3研削工程を実施する。図6(A)は第3研削工程の様子を示す平面図であり、図6(B)は第3研削工程の様子を示す側面図である。
第3研削工程では、研削砥石42が被加工物11の第3領域13cと重畳し、且つ、中央領域15とは重畳しないように、研削ホイール38とチャックテーブル14とを位置付ける。このとき、研削砥石42aの回転中心O側に位置する端部42bは、図6(B)に示すように第3領域13cと中央領域15との境界に位置付けられる。
そして、チャックテーブル14と研削ホイール38とをそれぞれ所定の方向に所定の回転数で回転させながら、研削ホイール38を所定の速度で下降させ、研削砥石42を被加工物11の第3領域13cと接触させる。これにより、第3領域13cが研削砥石42によって研削される。そして、この研削は第3領域13cが所定の厚さ(第1領域13a及び第2領域13bと同程度の厚さ)になるまで続けられる(図7(B)参照)。
なお、第1研削工程及び第2研削工程を経て、第1領域13a及び第2領域13bの厚さは減少している。そのため、第3研削工程で研削砥石42と第1領域13a及び第2領域13bとはほとんど接触しない。
上記のように、第1領域13a、第2領域13b、第3領域13cを、被加工物11の外周縁側から中央領域15側に向かって順に研削することにより、外周領域13の全体が所定の厚さになるように加工される(外周領域研削工程)。その結果、被加工物11は、中央領域15が外周領域13よりも裏面11b側に突出した形状となる。
次に、被加工物11の中央領域15を研削砥石によって所定の厚さまで研削する中央領域研削工程を行う。図7(A)は中央領域研削工程の様子を示す平面図であり、図7(B)は中央領域研削工程の様子を示す側面図である。
中央領域研削工程では、研削砥石42が中央領域15と重畳するように研削ホイール38とチャックテーブル14とを位置付ける。例えば図7(B)に示すように、研削砥石42aが被加工物11の回転中心Oと重畳するようにチャックテーブル14の位置が調整される。
そして、チャックテーブル14と研削ホイール38とをそれぞれ所定の方向に所定の回転数で回転させながら、研削ホイール38を所定の速度で下降させ、研削砥石42を被加工物11の中央領域15と接触させる。これにより、中央領域15が研削砥石42によって研削される。そして、この研削は中央領域15が所定の厚さ(外周領域13と同程度の厚さ)になるまで続けられる。
なお、外周領域研削工程を経て外周領域13の厚さは減少している。そのため、中央領域研削工程で研削砥石42と外周領域13とはほとんど接触しない。そして、中央領域研削工程が完了すると、被加工物11はその全体が薄く加工された状態となる。
上記のように本実施形態に係る被加工物の研削方法では、被加工物11の研削加工を、外周領域13のみを研削する外周領域研削工程と中央領域15のみを研削する中央領域研削工程とに分けて実施する。これにより、研削加工時における研削砥石42と被加工物11との接触面積が減少し、研削手段30にかかる荷重が低減される。よって、研削手段30にかかる荷重を加工荷重許容値以下に抑え、被加工物11を研削装置2によって適切に研削することが可能となる。
また、図4から図6に示すように、外周領域13の研削を複数回に分けて実施することにより、外周領域研削工程において被加工物11と研削砥石42との接触面積がさらに減少し、研削手段30にかかる荷重がより低減される。
なお、外周領域研削工程において研削される第1領域13a、第2領域13b、第3領域13cの幅(W、W、W)はそれぞれ、被加工物11の寸法や材質等に応じて適宜設定できる。また、W、W、Wの値は同一であってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。
例えば、第1領域13a、第2領域13b、第3領域13cの幅は、中央領域15に近い領域ほどその幅が広くなるように設定できる(W<W<W)。より具体的には、第1領域13a、第2領域13b、第3領域13cの面積が概ね等しくなるようにW、W、Wを設定できる。これにより、第1研削工程、第2研削工程、第3研削工程のそれぞれにおいて研削される被加工物11の面積の偏りを抑え、研削加工の条件を揃えることができる。
また、本実施形態では特に外周領域研削工程を3回の研削工程に分けて実施する例について説明したが、外周領域研削工程の態様はこれに限定されない。すなわち、外周領域13の研削は1回の研削工程によって実施してもよいし、2回又は4回以上の研削工程に分けて実施してもよい。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
11 被加工物
11a 表面
11b 裏面
13 外周領域
13a 第1領域
13b 第2領域
13c 第3領域
15 中央領域
2 研削装置
4 基台
4a 開口
6 支持構造
8 X軸移動機構
8a X軸移動テーブル
10 防塵防滴カバー
12 操作パネル
14 チャックテーブル
14a 吸引路
16 吸引部
16a 吸引面
18 Z軸移動機構
20 Z軸ガイドレール
22 Z軸移動プレート
24 Z軸ボールネジ
26 Z軸パルスモータ
28 支持具
30 研削手段(研削ユニット)
32 スピンドルハウジング
34 スピンドル
36 マウント
38 研削ホイール
40 基台
42 研削砥石
42a 研削砥石
42b 端部

Claims (1)

  1. 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該被加工物を研削する複数の研削砥石を備えるリング状の研削ホイールが装着される研削手段と、を備えた研削装置を用いて該被加工物を研削する被加工物の研削方法であって、
    該被加工物の外周縁を含む外周領域を該研削砥石によって所定の厚さまで研削する外周領域研削工程と、
    該被加工物の該外周領域によって囲まれた中央領域を該研削砥石によって所定の厚さまで研削する中央領域研削工程と、を備え
    該外周領域は、半径の異なる複数のリング状の領域を有し、
    複数の該領域の幅は、該中央領域に近い該領域ほどその幅が広くなるように設定され、
    該外周領域研削工程では、複数の該領域を該被加工物の該外周縁側から該中央領域側に向かって順に研削し、
    該外周領域研削工程と該中央領域研削工程との間で、該被加工物と該研削砥石とを離隔させることを特徴とする被加工物の研削方法。
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