JP7170658B2 - ＰＮＡ－ｓｃｒ－ａｓｃ近位連結システムのためのモレキュラーシーブ上の白金族金属及び卑金属 - Google Patents

Description

エンジンにおける炭化水素系燃料の燃焼は、大部分において、比較的無害な窒素（Ｎ_２）、水蒸気（Ｈ_２Ｏ）及び二酸化炭素（ＣＯ_２）を含有する排ガスを生成する。だが、排ガスは、有害及び／又は毒性物質、例えば不完全燃焼から生じる一酸化炭素（ＣＯ）、未燃燃料から生じる炭化水素（ＨＣ）、過度の燃焼温度から生じる窒素酸化物（ＮＯ_ｘ）、及び粒子状物質（大部分はスート）も比較的少量で含有する。大気中に放出される燃焼ガス及び排ガスの環境影響を軽減するために、望ましくない成分の量を、好ましくは、別の有害又は有毒な物質を生じないプロセスにより、除去又は低減することが望ましい。

典型的には、リーンバーンガスエンジンからの排ガスは、炭化水素燃料の適度な燃焼を確実にするためにもたらされる高比率の酸素に起因して、正味の酸化作用を有する。このようなガスにおいて、除去するのに最も問題となる成分の一つは、一酸化窒素（ＮＯ）及び二酸化窒素（ＮＯ_２）を含むＮＯ_ｘである。ＮＯ_ｘのＮ_２への還元は、排ガスが還元の代わりに酸化反応を有利にするのに十分な酸素を含むことから、特に問題となる。それにもかかわらず、ＮＯ_ｘは、選択的触媒還元（ＳＣＲ）として一般に知られるプロセスにより還元されうる。ＳＣＲプロセスは、触媒の存在下、アンモニア等の窒素含有還元剤を用いて、ＮＯ_ｘを元素の窒素（Ｎ_２）と水に変換することを含む。ＳＣＲプロセスにおいて、アンモニアのようなガス状の還元剤が、排気ガスをＳＣＲ触媒と接触させる前に、排気ガス流に添加される。還元剤は触媒上に吸着され、ガスが触媒化された基材中又はその上を通過する際にＮＯ_Ｘ還元反応が起こる。アンモニアを使用した化学量論的ＳＣＲ反応の化学式は次の通りである：
４ＮＯ＋４ＮＨ_３＋Ｏ_２→４Ｎ_２＋６Ｈ_２Ｏ
２ＮＯ_２＋４ＮＨ_３＋Ｏ_２→３Ｎ_２＋６Ｈ_２Ｏ
ＮＯ＋ＮＯ_２＋２ＮＨ_３→２Ｎ_２＋３Ｈ_２Ｏ

ＮＨ_３ＳＣＲ排出制御システムは、それらが動作温度（典型的には２００℃以上）に達すると、非常に効率的である。しかし、これらのシステムは、その動作温度を下回る（「コールドスタート」期間）と、比較的非効率である。より一層厳格な国家的及び地域的な法規制により、ディーゼルエンジンから排出してよい汚染物質の量が減らされていることから、コールドスタート期間中の排出の低減が主要課題になりつつある。ゆえに、コールドスタート条件において排出されるＮＯ_ｘのレベルを低減するための触媒及び方法の探究が続いている。

本発明のいくつかの実施態様によれば、触媒物品は、入口側及び出口側を有する基材、第１のゾーン並びに第２のゾーンを含み、第１のゾーンは、どちらもモレキュラーシーブ上の白金族金属及び卑金属を含む受動的ＮＯｘ吸着体（ＰＮＡ）と、担体上の白金族金属及び第１のＳＣＲ触媒を含む酸化触媒を含むアンモニアスリップ触媒（ＡＳＣ）とを含み、第２のゾーンは、ディーゼル酸化触媒（ＤＯＣ）及びディーゼル発熱触媒（ＤＥＣ）からなる群より選択される触媒を含み、第１のゾーンは第２のゾーンの上流に位置している。第１のゾーンは、（１）酸化触媒と（２）第１のＳＣＲ触媒とのブレンドを有する最下層、及び、第２のＳＣＲ触媒を含む。最下層より上に位置する最上層を含み得る。

担体は、（１）シリカ、及び（２）２００より高いシリカ対アルミナ比を有するゼオライトからなる群より選択される材料などのケイ質材料を含み得る。いくつかの実施態様では、酸化触媒白金族金属は、白金族金属及び担体の総重量の約０．５ｗｔ％から約１０ｗｔ％；約１ｗｔ％から約６ｗｔ％；又は約１．５ｗｔ％から約４ｗｔ％の量で担体上に存在する。酸化触媒白金族金属は、白金、パラジウム、又は白金とパラジウムの組み合わせを含み得る。いくつかの実施態様では、酸化触媒白金族金属は白金を含む。

いくつかの実施態様では、ブレンド内で、第１のＳＣＲ触媒の担体上の白金族金属に対する重量比は、約３：１から約３００：１；約５：１から約１００：１；又は約１０：１から約５０：１である。第１及び／又は第２のＳＣＲ触媒は、卑金属、卑金属の酸化物、モレキュラーシーブ、金属交換モレキュラーシーブ又はこれらの混合物を含み得る。いくつかの実施態様では、第１及び／又は第２のＳＣＲ触媒は、銅、鉄、マンガン、パラジウム又はこれらの組み合わせを含む。

いくつかの実施態様では、第１のＳＣＲ触媒とＰＮＡは、５：１から１：５；３：１から１：３；又は２：１から１：２の比で存在する。いくつかの実施態様では、ＰＮＡと第１のＳＣＲ触媒は共通の配合を有し得る。いくつかの実施態様では、ＰＮＡと第１のＳＣＲ触媒は同一の材料を含む。ＰＮＡは、白金、パラジウム又はそれらの組み合わせを含み得る。いくつかの実施態様では、ＰＮＡ卑金属は、銅、鉄又はそれらの組み合わせを含み得る。いくつかの実施態様では、ＰＮＡは、どちらもモレキュラーシーブ上のパラジウム及び銅を含む。いくつかの実施態様では、ＰＮＡは、どちらもモレキュラーシーブ上のパラジウム及び鉄を含む。

いくつかの実施態様では、最下層はＰＮＡをさらに含む。最下層は、ＰＮＡを含むセクション（「ＰＮＡセクション」）を含んでもよく、ＰＮＡセクションはブレンドの上流に位置する。ブレンドは、ＰＮＡをさらに含み得る。いくつかの実施態様では、最下層は、ＰＮＡ及び第３のＳＣＲ触媒を含むセクション（「ＰＮＡ／ＳＣＲセクション」）を含む。いくつかの実施態様では、最下層は、ＰＮＡ／ＳＣＲセクション及びブレンドを含み、ＰＮＡ／ＳＣＲセクションはブレンドの上流に位置する。いくつかの実施態様では、最下層は、ＰＮＡ／ＳＣＲセクション及びブレンドを含み、ブレンドはＰＮＡ／ＳＣＲセクションの最上部に位置する。いくつかの実施態様では、最下層は、ＰＮＡ／ＳＣＲセクション及びブレンドを含み、ＰＮＡ／ＳＣＲセクションはブレンドの最上部に位置する。

いくつかの実施態様では、第１のゾーン及び第２のゾーンは、単一基材上に位置し、第１のゾーンは基材の入口側に位置し、第２のゾーンは基材の出口側に位置する。いくつかの実施態様では、基材は、第１の基材及び第２の基材を含み、第１のゾーンは第１の基材上に位置し、第２のゾーンは第２の基材上に位置し、第１の基材は第２の基材の上流に位置する。

本発明のいくつかの実施態様によれば、排気流からの排出を減少させる方法は、排気流を、入口側及び出口側を有する基材、第１のゾーン並びに第２のゾーンを含む触媒物品と接触させることを含み、第１のゾーンは、どちらもモレキュラーシーブ上の白金族金属及び卑金属を含む受動的ＮＯｘ吸着体（ＰＮＡ）と、担体上の白金族金属及び第１のＳＣＲ触媒を含む酸化触媒を含むアンモニアスリップ触媒（ＡＳＣ）とを含み、第２のゾーンは、ディーゼル酸化触媒（ＤＯＣ）及びディーゼル発熱触媒（ＤＥＣ）からなる群より選択される触媒を含み、第１のゾーンは第２のゾーンの上流に位置している。第１のゾーンは、（１）担体上の白金族金属と（２）第１のＳＣＲ触媒とのブレンドを有する最下層、及び第２のＳＣＲ触媒を含む、最下層より上に位置する最上層を含み得る。

担体は、（１）シリカ、及び（２）２００より高いシリカ対アルミナ比を有するゼオライトからなる群より選択される材料などのケイ質材料を含み得る。いくつかの実施態様では、酸化触媒白金族金属は、白金族金属及び担体の総重量の約０．５ｗｔ％から約１０ｗｔ％；約１ｗｔ％から約６ｗｔ％；又は約１．５ｗｔ％から約４ｗｔ％の量で担体上に存在する。酸化触媒白金族金属は、白金、パラジウム、又は白金とパラジウムの組み合わせを含み得る。いくつかの実施態様では、酸化触媒白金族金属は白金を含む。

いくつかの実施態様では、ブレンド内で、第１のＳＣＲ触媒の担体上の白金族金属に対する重量比は、約３：１から約３００：１；約５：１から約１００：１；又は約１０：１から約５０：１である。第１及び／又は第２のＳＣＲ触媒は、卑金属、卑金属の酸化物、モレキュラーシーブ、金属交換モレキュラーシーブ又はこれらの混合物を含み得る。いくつかの実施態様では、第１及び／又は第２のＳＣＲ触媒は、銅、鉄、マンガン、パラジウム又はこれらの組み合わせを含む。

いくつかの実施態様では、第１のＳＣＲ触媒とＰＮＡは、５：１から１：５；３：１から１：３；又は２：１から１：２の比で存在する。いくつかの実施態様では、ＰＮＡと第１のＳＣＲ触媒は共通の配合を有し得る。いくつかの実施態様では、ＰＮＡと第１のＳＣＲ触媒は同一の材料を含む。ＰＮＡは、白金、パラジウム又はそれらの組み合わせを含み得る。いくつかの実施態様では、ＰＮＡ卑金属は、銅、鉄又はそれらの組み合わせを含み得る。いくつかの実施態様では、ＰＮＡは、どちらもモレキュラーシーブ上のパラジウム及び銅を含む。いくつかの実施態様では、ＰＮＡは、どちらもモレキュラーシーブ上のパラジウム及び鉄を含む。

いくつかの実施態様では、最下層はＰＮＡをさらに含む。最下層は、ＰＮＡを含むセクション（「ＰＮＡセクション」）を含んでもよく、ＰＮＡセクションはブレンドの上流に位置する。ブレンドは、ＰＮＡをさらに含み得る。いくつかの実施態様では、最下層は、ＰＮＡ及び第３のＳＣＲ触媒を含むセクション（「ＰＮＡ／ＳＣＲセクション」）を含む。いくつかの実施態様では、最下層は、ＰＮＡ／ＳＣＲセクション及びブレンドを含み、ＰＮＡ／ＳＣＲセクションはブレンドの上流に位置する。いくつかの実施態様では、最下層は、ＰＮＡ／ＳＣＲセクション及びブレンドを含み、ブレンドはＰＮＡ／ＳＣＲセクションの最上部に位置する。いくつかの実施態様では、最下層は、ＰＮＡ／ＳＣＲセクション及びブレンドを含み、ＰＮＡ／ＳＣＲセクションはブレンドの最上部に位置する。

いくつかの実施態様では、第１のゾーン及び第２のゾーンは、単一基材上に位置し、第１のゾーンは基材の入口側に位置し、第２のゾーンは基材の出口側に位置する。いくつかの実施態様では、基材は、第１の基材及び第２の基材を含み、第１のゾーンは第１の基材上に位置し、第２のゾーンは第２の基材上に位置し、第１の基材は第２の基材の上流に位置する。

いくつかの実施態様では、触媒物品に入る排気流の温度が≦１８０℃であるとき、排気流は、≧１のアンモニア：ＮＯｘ比を含む。いくつかの実施態様では、触媒物品に入る排気流の温度が≧１８０℃であるとき、排気流は、＞０．５のアンモニア：ＮＯｘ比を含む。

本発明のいくつかの実施態様によれば、触媒物品は入口端及び出口端を有する基材、第１のゾーン、第２のゾーン、並びに第３のゾーンを含み、第１のゾーンは、第２のＳＣＲ触媒を含み、第２のゾーンは（１）担体上の白金族金属（「ＡＳＣ白金族金属」）と（２）第１のＳＣＲ触媒のブレンドを含むアンモニアスリップ触媒（ＡＳＣ）を含み、第３のゾーンは、ディーゼル酸化触媒（ＤＯＣ）及びディーゼル発熱触媒（ＤＥＣ）からなる群より選択される触媒（「第３のゾーン触媒」）を含み、第１のゾーンは第２のゾーンの上流に位置し、第２のゾーンは第３のゾーンの上流に位置し、触媒物品は、どちらもモレキュラーシーブ上の白金族金属及び卑金属を含む受動的ＮＯｘ吸着体（「ＰＮＡ」）を含む。いくつかの実施態様では、第１のゾーン及び／又は第２のゾーンはＰＮＡを含む。いくつかの実施態様では、ＡＳＣは第１の層に含まれ、第３のゾーン触媒は、出口端から基材の全長未満まで延びる第２のＳＣＲ触媒に含まれ、第２の層は第１の層の最上部に位置し、第１の層よりも長さが短く、第２のＳＣＲ触媒は、入口端から基材の全長未満まで延びる層に含まれ、第１の層と少なくとも部分的に重なる。いくつかの実施態様では、第１の層は、出口端から基材の全長未満まで延びる。いくつかの実施態様では、第１の層は、入口端から基材の全長未満まで延びる。いくつかの実施態様では、第１の層は、基材の全長まで延びる。いくつかの実施態様では、第１の層は、第１のゾーン及び第２のゾーンの長さを覆う。

いくつかの実施態様では、第１の層はＰＮＡをさらに含む。第１の層は、ＰＮＡを含むセクション（「ＰＮＡセクション」）を含んでもよく、ＰＮＡセクションはブレンドの上流に位置し得る。いくつかの実施態様では、ブレンドはＰＮＡをさらに含む。いくつかの実施態様では、第１の層は、ＰＮＡ及び第３のＳＣＲ触媒を含むセクション（「ＰＮＡ／ＳＣＲセクション」）を含む。いくつかの実施態様では、第１の層は、ＰＮＡ／ＳＣＲセクション及びブレンドを含み、ＰＮＡ／ＳＣＲ層はブレンドの上流に位置する。いくつかの実施態様では、第１の層は、ＰＮＡ／ＳＣＲセクションを含み、ブレンドはＰＮＡ／ＳＣＲセクションの最上部に位置する。いくつかの実施態様では、第１の層は、ブレンドを含み、ＰＮＡ／ＳＣＲセクションはブレンドの最上部に位置する。

担体は、（１）シリカ、及び（２）２００より高いシリカ対アルミナ比を有するゼオライトからなる群より選択される材料などのケイ質材料を含み得る。いくつかの実施態様では、ＡＳＣ白金族金属は、白金族金属及び担体の総重量の約０．５ｗｔ％から約１０ｗｔ％；約１ｗｔ％から約６ｗｔ％；又は約１．５ｗｔ％から約４ｗｔ％の量で担体上に存在する。ＡＳＣ白金族金属は、白金、パラジウム、又は白金とパラジウムの組み合わせを含み得る。いくつかの実施態様では、ＡＳＣ白金族金属は白金を含む。

いくつかの実施態様では、ブレンド内で、第１のＳＣＲ触媒の担体上の白金族金属に対する重量比は、約３：１から約３００：１；約５：１から約１００：１；又は約１０：１から約５０：１である。第１及び／又は第２のＳＣＲ触媒は、卑金属、卑金属の酸化物、モレキュラーシーブ、金属交換モレキュラーシーブ又はこれらの混合物を含み得る。いくつかの実施態様では、第１及び／又は第２のＳＣＲ触媒は、銅、鉄、マンガン、パラジウム又はこれらの組み合わせを含む。

いくつかの実施態様では、第１のＳＣＲ触媒とＰＮＡは、５：１から１：５；３：１から１：３；又は２：１から１：２の比で存在する。いくつかの実施態様では、ＰＮＡと第１のＳＣＲ触媒は共通の配合を有し得る。いくつかの実施態様では、ＰＮＡと第１のＳＣＲ触媒は同一の材料を含む。ＰＮＡは、白金、パラジウム又はそれらの組み合わせを含み得る。いくつかの実施態様では、ＰＮＡ卑金属は、銅、鉄又はそれらの組み合わせを含み得る。いくつかの実施態様では、ＰＮＡは、どちらもモレキュラーシーブ上のパラジウム及び銅を含む。いくつかの実施態様では、ＰＮＡは、どちらもモレキュラーシーブ上のパラジウム及び鉄を含む。

本発明のいくつかの実施態様によれば、排気流からの排出を減少させる方法は、排気流を、入口端及び出口端を有する基材、第１のゾーン、第２のゾーン、並びに第３のゾーンを含む触媒物品と接触させることを含み、第１のゾーンは、第２のＳＣＲ触媒を含み、第２のゾーンは（１）担体上の白金族金属（「ＡＳＣ白金族金属」）と（２）第１のＳＣＲ触媒のブレンドを含むアンモニアスリップ触媒（ＡＳＣ）を含み、第３のゾーンは、ディーゼル酸化触媒（ＤＯＣ）及びディーゼル発熱触媒（ＤＥＣ）からなる群より選択される触媒（「第３のゾーン触媒」）を含み、第１のゾーンは第２のゾーンの上流に位置し、第２のゾーンは第３のゾーンの上流に位置し、触媒物品は、どちらもモレキュラーシーブ上の白金族金属及び卑金属を含む受動的ＮＯｘ吸着体（「ＰＮＡ」）を含む。いくつかの実施態様では、第１のゾーン及び／又は第２のゾーンはＰＮＡを含む。いくつかの実施態様では、ＡＳＣは第１の層に含まれ、第３のゾーン触媒は、出口端から基材の全長未満まで延びる第２のＳＣＲ触媒に含まれ、第２の層は第１の層の最上部に位置し、第１の層よりも長さが短く、第２のＳＣＲ触媒は、入口端から基材の全長未満まで延びる層に含まれ、第１の層と少なくとも部分的に重なる。いくつかの実施態様では、第１の層は、出口端から基材の全長未満まで延びる。いくつかの実施態様では、第１の層は、入口端から基材の全長未満まで延びる。いくつかの実施態様では、第１の層は、基材の全長まで延びる。いくつかの実施態様では、第１の層は、第１のゾーン及び第２のゾーンの長さを覆う。

いくつかの実施態様では、第１の層はＰＮＡをさらに含む。第１の層は、ＰＮＡを含むセクション（「ＰＮＡセクション」）を含んでもよく、ＰＮＡセクションはブレンドの上流に位置し得る。いくつかの実施態様では、ブレンドはＰＮＡをさらに含む。いくつかの実施態様では、第１の層は、ＰＮＡ及び第３のＳＣＲ触媒を含むセクション（「ＰＮＡ／ＳＣＲセクション」）を含む。いくつかの実施態様では、第１の層は、ＰＮＡ／ＳＣＲセクション及びブレンドを含み、ＰＮＡ／ＳＣＲ層はブレンドの上流に位置する。いくつかの実施態様では、第１の層は、ＰＮＡ／ＳＣＲセクションを含み、ブレンドはＰＮＡ／ＳＣＲセクションの最上部に位置する。いくつかの実施態様では、第１の層は、ブレンドを含み、ＰＮＡ／ＳＣＲセクションはブレンドの最上部に位置する。

担体は、（１）シリカ、及び（２）２００より高いシリカ対アルミナ比を有するゼオライトからなる群より選択される材料などのケイ質材料を含み得る。いくつかの実施態様では、ＡＳＣ白金族金属は、白金族金属及び担体の総重量の約０．５ｗｔ％から約１０ｗｔ％；約１ｗｔ％から約６ｗｔ％；又は約１．５ｗｔ％から約４ｗｔ％の量で担体上に存在する。ＡＳＣ白金族金属は、白金、パラジウム、又は白金とパラジウムの組み合わせを含み得る。いくつかの実施態様では、ＡＳＣ白金族金属は白金を含む。

いくつかの実施態様では、ブレンド内で、第１のＳＣＲ触媒の担体上の白金族金属に対する重量比は、約３：１から約３００：１；約５：１から約１００：１；又は約１０：１から約５０：１である。第１及び／又は第２のＳＣＲ触媒は、卑金属、卑金属の酸化物、モレキュラーシーブ、金属交換モレキュラーシーブ又はこれらの混合物を含み得る。いくつかの実施態様では、第１及び／又は第２のＳＣＲ触媒は、銅、鉄、マンガン、パラジウム又はこれらの組み合わせを含む。

いくつかの実施態様では、第１のＳＣＲ触媒とＰＮＡは、５：１から１：５；３：１から１：３；又は２：１から１：２の比で存在する。いくつかの実施態様では、ＰＮＡと第１のＳＣＲ触媒は共通の配合を有し得る。いくつかの実施態様では、ＰＮＡと第１のＳＣＲ触媒は同一の材料を含む。ＰＮＡは、白金、パラジウム又はそれらの組み合わせを含み得る。いくつかの実施態様では、ＰＮＡ卑金属は、銅、鉄又はそれらの組み合わせを含み得る。いくつかの実施態様では、ＰＮＡは、どちらもモレキュラーシーブ上のパラジウム及び銅を含む。いくつかの実施態様では、ＰＮＡは、どちらもモレキュラーシーブ上のパラジウム及び鉄を含む。

いくつかの実施態様では、触媒物品に入る排気流の温度が≦１８０℃であるとき、排気流は、≧１のアンモニア：ＮＯｘ比を含む。いくつかの実施態様では、触媒物品に入る排気流の温度が≧１８０℃であるとき、排気流は、＞０．５のアンモニア：ＮＯｘ比を含む。

本発明のいくつかの実施態様によれば、排気流からの排出の減少のための排気浄化システムは、順番に、第３のＳＣＲ触媒と；入口側及び出口側を有する基材、第１のゾーン並びに第２のゾーンを含む触媒物品とを含み、第１のゾーンは、どちらもモレキュラーシーブ上の白金族金属及び卑金属を含む受動的ＮＯｘ吸着体（ＰＮＡ）と、担体上の白金族金属及び第１のＳＣＲ触媒を含む酸化触媒を含むアンモニアスリップ触媒（ＡＳＣ）とを含み、第２のゾーンは、ディーゼル酸化触媒（ＤＯＣ）及びディーゼル発熱触媒（ＤＥＣ）からなる群より選択される触媒を含み、第１のゾーンは第２のゾーンの上流に位置している。第１のゾーンは、（１）酸化触媒と（２）第１のＳＣＲ触媒とのブレンドを有する最下層、及び、第２のＳＣＲ触媒を含む。最下層より上に位置する最上層を含み得る。

いくつかの実施態様では、第３のＳＣＲ触媒及び触媒物品は、単一基材上に位置しており、第３のＳＣＲ触媒は、第１のゾーン及び第２のゾーンの上流に位置している。いくつかの実施態様では、第３のＳＣＲ触媒は、触媒物品基材の上流の基材上に位置している。いくつかの実施態様では、第３のＳＣＲ触媒は、触媒物品と近位連結している。システムは、フィルタをさらに含み得る。いくつかの実施態様では、システムは、触媒物品の下流に位置する下流ＳＣＲ触媒を含む。いくつかの実施態様では、システムは、第３のＳＣＲ触媒の上流に位置する還元剤インジェクタ及び／又は下流ＳＣＲ触媒の上流に位置する還元剤インジェクタを含む。

担体は、（１）シリカ、及び（２）２００より高いシリカ対アルミナ比を有するゼオライトからなる群より選択される材料などのケイ質材料を含み得る。いくつかの実施態様では、酸化触媒白金族金属は、酸化触媒白金族金属及び担体の総重量の約０．５ｗｔ％から約１０ｗｔ％；約１ｗｔ％から約６ｗｔ％；又は約１．５ｗｔ％から約４ｗｔ％の量で担体上に存在する。酸化触媒白金族金属は、白金、パラジウム、又は白金とパラジウムの組み合わせを含み得る。いくつかの実施態様では、酸化触媒白金族金属は白金を含む。

いくつかの実施態様では、ブレンド内で、第１のＳＣＲ触媒の担体上の白金族金属に対する重量比は、約３：１から約３００：１；約５：１から約１００：１；又は約１０：１から約５０：１である。第１及び／又は第２のＳＣＲ触媒は、卑金属、卑金属の酸化物、モレキュラーシーブ、金属交換モレキュラーシーブ又はこれらの混合物を含み得る。いくつかの実施態様では、第１及び／又は第２のＳＣＲ触媒は、銅、鉄、マンガン、パラジウム又はこれらの組み合わせを含む。

いくつかの実施態様では、第１のＳＣＲ触媒とＰＮＡは、５：１から１：５；３：１から１：３；又は２：１から１：２の比で存在する。いくつかの実施態様では、ＰＮＡと第１のＳＣＲ触媒は共通の配合を有し得る。いくつかの実施態様では、ＰＮＡと第１のＳＣＲ触媒は同一の材料を含む。ＰＮＡは、白金、パラジウム又はそれらの組み合わせを含み得る。いくつかの実施態様では、ＰＮＡ卑金属は、銅、鉄又はそれらの組み合わせを含み得る。いくつかの実施態様では、ＰＮＡは、どちらもモレキュラーシーブ上のパラジウム及び銅を含む。いくつかの実施態様では、ＰＮＡは、どちらもモレキュラーシーブ上のパラジウム及び鉄を含む。

いくつかの実施態様では、最下層はＰＮＡをさらに含む。最下層は、ＰＮＡを含むセクション（「ＰＮＡセクション」）を含んでもよく、ＰＮＡセクションはブレンドの上流に位置する。ブレンドは、ＰＮＡをさらに含み得る。いくつかの実施態様では、最下層は、ＰＮＡ及び第３のＳＣＲ触媒を含むセクション（「ＰＮＡ／ＳＣＲセクション」）を含む。いくつかの実施態様では、最下層は、ＰＮＡ／ＳＣＲセクション及びブレンドを含み、ＰＮＡ／ＳＣＲセクションはブレンドの上流に位置する。いくつかの実施態様では、最下層は、ＰＮＡ／ＳＣＲセクション及びブレンドを含み、ブレンドはＰＮＡ／ＳＣＲセクションの最上部に位置する。いくつかの実施態様では、最下層は、ＰＮＡ／ＳＣＲセクション及びブレンドを含み、ＰＮＡ／ＳＣＲセクションはブレンドの最上部に位置する。

いくつかの実施態様では、第１のゾーン及び第２のゾーンは、単一基材上に位置し、第１のゾーンは基材の入口側に位置し、第２のゾーンは基材の出口側に位置する。いくつかの実施態様では、基材は、第１の基材及び第２の基材を含み、第１のゾーンは第１の基材上に位置し、第２のゾーンは第２の基材上に位置し、第１の基材は第２の基材の上流に位置する。

本発明のいくつかの実施態様によれば、排気流からの排出の減少のための排気浄化システムは、順番に、第３のＳＣＲ触媒と；入口端及び出口端を有する基材、第１のゾーン、第２のゾーン、並びに第３のゾーンを含む触媒物品とを含み、第１のゾーンは、第２のＳＣＲ触媒を含み、第２のゾーンは（１）担体上の白金族金属（「ＡＳＣ白金族金属」）と（２）第１のＳＣＲ触媒のブレンドを含むアンモニアスリップ触媒（ＡＳＣ）を含み、第３のゾーンは、ディーゼル酸化触媒（ＤＯＣ）及びディーゼル発熱触媒（ＤＥＣ）からなる群より選択される触媒（「第３のゾーン触媒」）を含み、第１のゾーンは第２のゾーンの上流に位置し、第２のゾーンは第３のゾーンの上流に位置し、触媒物品は、どちらもモレキュラーシーブ上の白金族金属及び卑金属を含む受動的ＮＯｘ吸着体（「ＰＮＡ」）を含む。

いくつかの実施態様では、第３のＳＣＲ触媒及び触媒物品は、単一基材上に位置しており、第３のＳＣＲ触媒は、第１のゾーン、第２のゾーン及び第３のゾーンの上流に位置している。いくつかの実施態様では、第３のＳＣＲ触媒は、触媒物品基材の上流の基材上に位置している。いくつかの実施態様では、第３のＳＣＲ触媒は、触媒物品と近位連結している。システムは、フィルタをさらに含み得る。いくつかの実施態様では、システムは、触媒物品の下流に位置する下流ＳＣＲ触媒をさらに含む。いくつかの実施態様では、システムは、第３のＳＣＲ触媒の上流に位置する還元剤インジェクタ及び／又は下流ＳＣＲ触媒の上流に位置する還元剤インジェクタを含む。

いくつかの実施態様では、第１のゾーン及び／又は第２のゾーンはＰＮＡを含む。いくつかの実施態様では、ＡＳＣは第１の層に含まれ、第３のゾーン触媒は、出口端から基材の全長未満まで延びる第２のＳＣＲ触媒に含まれ、第２の層は第１の層の最上部に位置し、第１の層よりも長さが短く、第２のＳＣＲ触媒は、入口端から基材の全長未満まで延びる層に含まれ、第１の層と少なくとも部分的に重なる。いくつかの実施態様では、第１の層は、出口端から基材の全長未満まで延びる。いくつかの実施態様では、第１の層は、入口端から基材の全長未満まで延びる。いくつかの実施態様では、第１の層は、基材の全長まで延びる。いくつかの実施態様では、第１の層は、第１のゾーン及び第２のゾーンの長さを覆う。

いくつかの実施態様では、第１の層はＰＮＡをさらに含む。第１の層は、ＰＮＡを含むセクション（「ＰＮＡセクション」）を含んでもよく、ＰＮＡセクションはブレンドの上流に位置し得る。いくつかの実施態様では、ブレンドはＰＮＡをさらに含む。いくつかの実施態様では、第１の層は、ＰＮＡ及び第３のＳＣＲ触媒を含むセクション（「ＰＮＡ／ＳＣＲセクション」）を含む。いくつかの実施態様では、第１の層は、ＰＮＡ／ＳＣＲセクション及びブレンドを含み、ＰＮＡ／ＳＣＲ層はブレンドの上流に位置する。いくつかの実施態様では、第１の層は、ＰＮＡ／ＳＣＲセクションを含み、ブレンドはＰＮＡ／ＳＣＲセクションの最上部に位置する。いくつかの実施態様では、第１の層は、ブレンドを含み、ＰＮＡ／ＳＣＲセクションはブレンドの最上部に位置する。

担体は、（１）シリカ、及び（２）２００より高いシリカ対アルミナ比を有するゼオライトからなる群より選択される材料などのケイ質材料を含み得る。いくつかの実施態様では、ＡＳＣ白金族金属は、白金族金属及び担体の総重量の約０．５ｗｔ％から約１０ｗｔ％；約１ｗｔ％から約６ｗｔ％；又は約１．５ｗｔ％から約４ｗｔ％の量で担体上に存在する。ＡＳＣ白金族金属は、白金、パラジウム、又は白金とパラジウムの組み合わせを含み得る。いくつかの実施態様では、ＡＳＣ白金族金属は白金を含む。

いくつかの実施態様では、ブレンド内で、第１のＳＣＲ触媒の担体上の白金族金属に対する重量比は、約３：１から約３００：１；約５：１から約１００：１；又は約１０：１から約５０：１である。第１及び／又は第２のＳＣＲ触媒は、卑金属、卑金属の酸化物、モレキュラーシーブ、金属交換モレキュラーシーブ又はこれらの混合物を含み得る。いくつかの実施態様では、第１及び／又は第２のＳＣＲ触媒は、銅、鉄、マンガン、パラジウム又はこれらの組み合わせを含む。

いくつかの実施態様では、第１のＳＣＲ触媒とＰＮＡは、５：１から１：５；３：１から１：３；又は２：１から１：２の比で存在する。いくつかの実施態様では、ＰＮＡと第１のＳＣＲ触媒は共通の配合を有し得る。いくつかの実施態様では、ＰＮＡと第１のＳＣＲ触媒は同一の材料を含む。ＰＮＡは、白金、パラジウム又はそれらの組み合わせを含み得る。いくつかの実施態様では、ＰＮＡ卑金属は、銅、鉄又はそれらの組み合わせを含み得る。いくつかの実施態様では、ＰＮＡは、どちらもモレキュラーシーブ上のパラジウム及び銅を含む。いくつかの実施態様では、ＰＮＡは、どちらもモレキュラーシーブ上のパラジウム及び鉄を含む。

本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 本発明の実施態様の構成を図示する。 試験された触媒の経時的なＮＯｘ貯蔵を示す。 経時的な試験された触媒からのＮＨ_３、ＮＯｘ及びＮ_２Ｏの値を示す。 経時的な試験された触媒からのＮＨ_３、ＮＯｘ及びＮ_２Ｏの値を示す。

エンジンコールドスタート期間中のリーンバーンディーゼルエンジンからのＮＯｘの還元は、将来の法規制を満たすのに不可欠である。この課題に対処する一つのアプローチは、エンジンからの熱スイングを利用してコールドスタート期間の持続期間を短縮するように構成されたシステムに関連し得る。加えて、排気ガスの再循環回路は、そのような処理システム構成を有するエンジンから除去されて、燃費及びエンジン出力の改善が可能になる。しかしながら、そのようなシステム設計の課題は、空間が非常に限定される可能性があることである。したがって、ＳＣＲ／ＡＳＣ／ＤＯＣ機能性を可能な限りコンパクトな空間に組み合わせることが望ましい。しかしながら、尿素分解及びＳＣＲ触媒が活性化するための最低温度が約１８０℃から約２００℃であるため、初期のコールドスタート排出が考慮されない場合には有意なギャップが依然として存在し得る。本発明の触媒、システム及び方法は、ＮＯｘの変換及びＮ_２の選択性について妥協することなく、ＳＣＲ／ＡＳＣ／ＤＯＣの機能性を組み込むことがわかった。加えて、受動的ＮＯｘ吸着体（ＰＮＡ）は、低温コールドスタート性能をさらに改善し得るＳＣＲ／ＡＳＣ成分に組み込まれている。

特定の種類のＰＮＡは、ＰＮＡ－ＳＣＲ－ＡＳＣ近位連結システムについてのさらなる有益性を提供することがわかっている。具体的には、本発明の触媒は、触媒物品は、どちらもモレキュラーシーブ上の白金族金属及び卑金属を有するＰＮＡを含み得る。例えば、ＰＮＡは、ゼオライト上のパラジウム及び銅、又はゼオライト上のパラジウム及び鉄を含み得る。そのような配合物の使用は、同じゼオライト上でＳＣＲ及びＰＮＡの機能性を組み合わせて、ウォッシュコートローディング及び背圧を減少させることにより、利点を提供することがわかっている。

本発明の触媒、方法及びシステムは、様々な構成のＳＣＲ触媒、ＡＳＣ、及びＤＯＣ又はＤＥＣを含む触媒物品に関し、ＰＮＡは、ＳＣＲ／ＡＳＣ成分に組み込まれている。触媒及び特定の構成、方法、並びにシステムは、以下でさらに詳述される。

２ゾーン構成
本発明の実施態様は、入口端及び出口端を有する基材、第１のゾーン及び第２のゾーンを含む触媒物品に関し、第１のゾーンは第２のゾーンの上流に位置する。第１のゾーンは、受動的ＮＯｘ吸着体（ＰＮＡ）と、担体上の白金族金属、及びＳＣＲ触媒を有するＳＣＲ層を含むアンモニアスリップ触媒（ＡＳＣ）とを含むことができ、ＳＣＲ層は、ＡＳＣ最下層及び第１のＳＣＲ触媒より上に位置する。第２のゾーンは、ディーゼル酸化触媒（ＤＯＣ）又はディーゼル発熱触媒（ＤＥＣ）を含み得る。

第１のゾーンは、担体上の白金族金属と第１のＳＣＲ触媒とのブレンドを含む最下層、及び第２のＳＣＲ触媒を含む、最下層より上に位置する最上層を含み得る。ＰＮＡは、様々な構成の本発明の触媒物品に含まれ得る。例えば、いくつかの実施態様では、ＰＮＡは最下層に含まれる。いくつかの実施態様では、ＰＮＡは、担体上の白金族金属と第１のＳＣＲ触媒とのブレンドに含まれる。いくつかの実施態様では、最下層は、ＰＮＡを含むセクション（「ＰＮＡセクション」）を含んでもよく、ＰＮＡセクションはブレンドの上流に位置する。いくつかの実施態様では、最下層は、ＰＮＡ及び第３のＳＣＲ触媒を含むセクション（「ＰＮＡ／ＳＣＲセクション」）を含む。最下層は、ＰＮＡ／ＳＣＲセクション及びブレンドを含んでもよく、ＰＮＡ／ＳＣＲセクションはブレンドの上流に位置し、ブレンドはＰＮＡ／ＳＣＲセクションの最上部に位置するか、又はＰＮＡ／ＳＣＲセクションはブレンドの最上部に位置する。

いくつかの実施態様では、第１及び第２のゾーンは、単一基材上に位置し、第１のゾーンは基材の入口側に位置し、第２のゾーンは基材の出口側に位置する。別の実施態様では、第１のゾーンは第１の基材上に位置し、第２のゾーンは第２の基材上に位置し、第１の基材が第２の基材の上流に位置する。第１及び第２の基材は、近位連結されていてもよい。第１及び第２の基材が近位連結されているとき、第２の基材は、第１の基材の近くに、且つ／又はその下流に直接置かれてもよい。

排気流からの排出を減少させる方法は、排気流を本明細書に記載の触媒物品と接触させることを含み得る。

３ゾーン構成
本発明の実施態様は、第１のゾーン、第２のゾーン及び第３のゾーンを有する触媒物品に関する。第１のゾーンは、ＳＣＲ触媒を含み得る。第２のゾーンは、担体上の白金族金属と第１のＳＣＲ触媒とのブレンドを有するＡＳＣを含み得る。第３のゾーンは、ＤＯＣ又はＤＥＣなどの触媒（「第３のゾーン触媒」）を含み得る。触媒物品はＰＮＡを含む。第１のゾーンは第２のゾーンの上流に位置し、第２のゾーンは第３のゾーンの上流に位置する。

いくつかの実施態様では、ＡＳＣは第１の層に含まれ、第３のゾーン触媒は、出口端から基材の全長未満まで延びる第２の層に含まれ、第２の層は第１の層の最上部に位置し、第１の層よりも長さが短い。第１のゾーンのＳＣＲ触媒は、入口端から基材の全長未満まで延び、第１の層と少なくとも部分的に重なる層に含まれ得る。様々な構成では、第１の層は出口端から基材の全長未満まで延び、第１の層は入口端から基材の全長未満まで延び、第１の層は基材の長さまで延び、且つ／又は第１の層は、第１のゾーン、第２のゾーン及び／若しくは第３のゾーンの長さを覆い得る。

いくつかの実施態様では、ＰＮＡは第１のゾーンに含まれる。いくつかの実施態様では、ＰＮＡは第２のゾーンに含まれる。ＰＮＡは、様々な構成の本発明の触媒物品に含まれ得る。例えば、いくつかの実施態様では、ＰＮＡは第１の層に含まれる。いくつかの実施態様では、ＰＮＡは、担体上の白金族金属と第１のＳＣＲ触媒とのブレンドに含まれる。いくつかの実施態様では、第１の層は、ＰＮＡを含むセクション（「ＰＮＡセクション」）を含んでもよく、ＰＮＡセクションはブレンドの上流に位置する。いくつかの実施態様では、第１の層は、ＰＮＡ及び第３のＳＣＲ触媒を含むセクション（「ＰＮＡ／ＳＣＲセクション」）を含む。第１の層は、ＰＮＡ／ＳＣＲセクション及びブレンドを含んでもよく、ＰＮＡ／ＳＣＲセクションはブレンドの上流に位置し、ブレンドはＰＮＡ／ＳＣＲセクションの最上部に位置するか、又はＰＮＡ／ＳＣＲセクションはブレンドの最上部に位置する。

いくつかの実施態様では、第１のゾーンは第１の基材上に位置し、第２のゾーンは第２の基材上に位置し、第３のゾーンは第３の基材上に位置し、第１の基材は第２の基材の上流に位置し、第２の基材は第３の基材の上流に位置する。第１、第２及び第３の基材は、近位連結されていてもよい。第１、第２及び／又は第３の基材は近位連結されているとき、第２の基材は、第１の基材の近くに、且つ／又はその下流に直接置かれてもよく、第３の基材は、第２の基材の近くに、且つ／又はその下流に直接置かれてもよい。

排気流からの排出を減少させる方法は、排気流を本明細書に記載の触媒物品と接触させることを含み得る。

図１ａを参照すると、触媒物品は、入口端から出口端へ向かって延びるＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属との組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを覆い、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。

図１ｂを参照すると、触媒物品は、入口端から出口端へ向かって延びるＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属との組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層、入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを覆い、ＳＣＲ触媒、及び担体上の白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒、及び担体上の白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。

図１ｃを参照すると、触媒物品は、入口端から出口端へ向かって延びるＰＮＡと、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属とを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを覆い、担体上の白金族金属を部分的に覆う。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、担体上の白金族金属を部分的に覆う。

図２ａを参照すると、触媒物品は、入口端から出口端へ向かって延びるＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属との組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを覆い、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。白金族金属は、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び最上層ＳＣＲ触媒で覆われていない担体上の白金族金属の組み合わせに含浸される。

図２ｂを参照すると、触媒物品は、入口端から出口端へ向かって延びるＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属との組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層、入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを覆い、ＳＣＲ触媒、及び担体上の白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。白金族金属は、ＳＣＲ触媒、及び担体上の白金族金属の組み合わせに含浸しており、これは、最上層ＳＣＲ触媒で覆われていない。

図２ｃを参照すると、触媒物品は、入口端から出口端へ向かって延びるＰＮＡと、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属とを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを覆い、担体上の白金族金属を部分的に覆う。白金族金属は、最上層ＳＣＲ触媒で覆われていない担体上の白金族金属に含浸される。

図３ａを参照すると、触媒物品は、入口端から出口端へ向かって延びるＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属との組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、出口端から入口端へ向かって基材の長さ未満にわたって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆い、ＰＮＡを部分的に覆う。白金族金属は基材の出口端に含浸される。

図３ｂを参照すると、触媒物品は、入口端から出口端へ向かって延びるＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属との組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、出口端から入口端へ向かって基材の長さ未満にわたって延び、ＳＣＲ触媒、及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆い、ＰＮＡを部分的に覆う。白金族金属は基材の出口端に含浸される。

図３ｃを参照すると、触媒物品は、入口端から出口端へ向かって延びるＰＮＡと、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属とを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、出口端から入口端へ向かって基材の長さ未満にわたって延び、ＳＣＲ触媒、及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆い、ＰＮＡを部分的に覆う。白金族金属は基材の出口端に含浸される。

図４ａを参照すると、触媒物品は、入口端から出口端へ向かって延びるＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属との組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、基材の長さにわたって延び、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び白金族金属の組み合わせとを覆う。

図４ｂを参照すると、触媒物品は、入口端から出口端へ向かって延びるＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属との組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、基材の長さにわたって延び、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒及び白金族金属の組み合わせとを覆う。

図４ｃを参照すると、触媒物品は、入口端から出口端へ向かって延びるＰＮＡと、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属とを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、基材の長さにわたって延び、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属を覆う。

図５ａを参照すると、触媒物品は、入口端から出口端へ向かって延びるＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属との組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを覆い、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。

図５ｂを参照すると、触媒物品は、入口端から出口端へ向かって延びるＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属との組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層、入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを覆い、ＳＣＲ触媒、及び担体上の白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。

図５ｃを参照すると、触媒物品は、入口端から出口端へ向かって延びるＰＮＡと、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属とを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを覆い、担体上の白金族金属を部分的に覆う。

図６ａを参照すると、触媒物品は、入口端から出口端へ向かって延びるＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属との組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、出口端から入口端へ向かって基材の長さ未満にわたって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆い、ＰＮＡを部分的に覆う。

図６ｂを参照すると、触媒物品は、入口端から出口端へ向かって延びるＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属との組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、出口端から入口端へ向かって基材の長さ未満にわたって延び、ＳＣＲ触媒、及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆い、ＰＮＡを部分的に覆う。

図６ｃを参照すると、触媒物品は、入口端から出口端へ向かって延びるＰＮＡと、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属とを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、出口端から入口端へ向かって基材の長さ未満にわたって延び、ＳＣＲ触媒、及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆い、ＰＮＡを部分的に覆う。

図７ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び入口端から出口端へ向かって延びるＳＣＲ触媒との組み合わせと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属の組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを覆い、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。

図７ｂを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び入口端から出口端へ向かって延びるＳＣＲ触媒との組み合わせと、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属の組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを覆い、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒、及び担体上の白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。

図７ｃを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び入口端から出口端へ向かって延びるＳＣＲ触媒との組み合わせと、出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属とを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを覆い、担体上の白金族金属を部分的に覆う。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、担体上の白金族金属を部分的に覆う。

図８ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び入口端から出口端へ向かって延びるＳＣＲ触媒との組み合わせと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属の組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを覆い、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。白金族金属は、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び最上層ＳＣＲ触媒で覆われていない担体上の白金族金属の組み合わせに含浸される。

図８ｂを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び入口端から出口端へ向かって延びるＳＣＲ触媒との組み合わせと、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属の組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを覆い、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。白金族金属は、ＳＣＲ触媒、及び最上層ＳＣＲ触媒で覆われていない担体上の白金族金属の組み合わせに含浸される。

図８ｃを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び入口端から出口端へ向かって延びるＳＣＲ触媒との組み合わせと、出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属とを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを覆い、担体上の白金族金属を部分的に覆う。白金族金属は、最上層ＳＣＲ触媒で覆われていない担体上の白金族金属に含浸される。

図９ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び入口端から出口端へ向かって延びるＳＣＲ触媒との組み合わせと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属の組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、出口端から入口端へ向かって基材の長さ未満にわたって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆い、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。白金族金属は基材の出口端に含浸される。

図９ｂを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び入口端から出口端へ向かって延びるＳＣＲ触媒との組み合わせと、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属の組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、出口端から入口端へ向かって基材の長さ未満にわたって延び、ＳＣＲ触媒、及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆い、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。白金族金属は基材の出口端に含浸される。

図９ｃを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び入口端から出口端へ向かって延びるＳＣＲ触媒との組み合わせと、出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属とを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、出口端から入口端へ向かって基材の長さ未満にわたって延び、ＳＣＲ触媒、及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆い、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。白金族金属は基材の出口端に含浸される。

図１０ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び入口端から出口端へ向かって延びるＳＣＲ触媒との組み合わせと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属の組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、基材の長さにわたって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び白金族金属の組み合わせとを覆う。

図１０ｂを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び入口端から出口端へ向かって延びるＳＣＲ触媒との組み合わせと、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属の組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、基材の長さにわたって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとを覆う。

図１０ｃを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び入口端から出口端へ向かって延びるＳＣＲ触媒との組み合わせと、出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属とを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、基材の長さにわたって延び、ＰＮＡ、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。

図１１ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び入口端から出口端へ向かって延びるＳＣＲ触媒との組み合わせと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属の組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを覆い、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。

図１１ｂを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び入口端から出口端へ向かって延びるＳＣＲ触媒との組み合わせと、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属の組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを覆い、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。

図１１ｃを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び入口端から出口端へ向かって延びるＳＣＲ触媒との組み合わせと、出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属とを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを覆い、担体上の白金族金属を部分的に覆う。

図１２ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び入口端から出口端へ向かって延びるＳＣＲ触媒との組み合わせと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属の組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、出口端から入口端へ向かって基材の長さ未満にわたって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆い、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。

図１２ｂを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び入口端から出口端へ向かって延びるＳＣＲ触媒との組み合わせと、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属の組み合わせとを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、出口端から入口端へ向かって基材の長さ未満にわたって延び、ＳＣＲ触媒、及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆い、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。

図１２ｃを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び入口端から出口端へ向かって延びるＳＣＲ触媒との組み合わせと、出口端から入口端へ向かって延びる担体上の白金族金属とを含み得る。ＳＣＲ触媒を含む最上層は、出口端から入口端へ向かって基材の長さ未満にわたって延び、ＳＣＲ触媒、及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆い、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。

図１３ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ／ＰＮＡ／ＰＧＭ担体層の組み合わせは、ＰＮＡ／ＳＣＲ組み合わせよりも長さが短い可能性がある。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。

図１３ｂを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ／ＰＧＭ担体層の組み合わせは、ＰＮＡ／ＳＣＲ組み合わせよりも長さが短い可能性がある。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒、及び担体上の白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。

図１３ｃを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。担体上の白金族金属は、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＰＧＭ担体層は、ＰＮＡ／ＳＣＲ組み合わせよりも長さが短い可能性がある。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、担体上の白金族金属を部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、担体上の白金族金属とを部分的に覆う。

図１４ａを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びるＰＮＡを含み得る。ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ／ＰＮＡ／ＰＧＭ担体層の組み合わせは、ＰＮＡよりも長さが短い可能性がある。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。

図１４ｂを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びるＰＮＡを含み得る。ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ／ＰＧＭ担体層の組み合わせは、ＰＮＡよりも長さが短い可能性がある。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒、及び担体上の白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。

図１４ｃを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びるＰＮＡを含み得る。担体上の白金族金属は、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＰＧＭ担体層は、ＰＮＡよりも長さが短い可能性がある。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、担体上の白金族金属を部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属を部分的に覆う。

図１５ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ／ＰＮＡ／ＰＧＭ担体層の組み合わせは、ＰＮＡ／ＳＣＲ組み合わせよりも長さが短い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせとに含浸される。

図１５ｂを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ／ＰＧＭ担体層の組み合わせは、ＰＮＡ／ＳＣＲ組み合わせよりも長さが短い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとに含浸される。

図１５ｃを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。担体上の白金族金属は、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＰＧＭ担体層は、ＰＮＡ／ＳＣＲ組み合わせよりも長さが短い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、担体上の白金族金属とを部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、担体上の白金族金属とに含浸される。

図１６ａを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びるＰＮＡを含み得る。ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ／ＰＮＡ／ＰＧＭ担体層の組み合わせは、ＰＮＡよりも長さが短い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせとに含浸される。

図１６ｂを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びるＰＮＡを含み得る。ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ／ＰＧＭ担体層の組み合わせは、ＰＮＡよりも長さが短い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとに含浸される。

図１６ｃを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びるＰＮＡを含み得る。担体上の白金族金属は、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＰＧＭ担体層は、ＰＮＡよりも長さが短い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属を部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡと担体上の白金族金属とに含浸される。

図１７ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び基材の全長にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。

図１７ｂを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び基材の全長にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒、及び担体上の白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。

図１７ｃを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び基材の全長にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。担体上の白金族金属は、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、担体上の白金族金属を部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、担体上の白金族金属とを部分的に覆う。

図１８ａを参照すると、触媒物品は、基材の全長にわたって延びるＰＮＡを含み得る。ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。

図１８ｂを参照すると、触媒物品は、基材の全長にわたって延びるＰＮＡを含み得る。ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒、及び担体上の白金族金属の組み合わせを部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。

図１８ｃを参照すると、触媒物品は、基材の全長にわたって延びるＰＮＡを含み得る。担体上の白金族金属は、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、担体上の白金族金属を部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属を部分的に覆う。

図１９ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び基材の全長にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせとに含浸される。

図１９ｂを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び基材の全長にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとに含浸される。

図１９ｃを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び基材の全長にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。担体上の白金族金属は、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、担体上の白金族金属とを部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、担体上の白金族金属とに含浸される。

図２０ａを参照すると、触媒物品は、基材の全長にわたって延びるＰＮＡを含み得る。ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡの組み合わせと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせとに含浸される。

図２０ｂを参照すると、触媒物品は、基材の全長にわたって延びるＰＮＡを含み得る。ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡの組み合わせと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとに含浸される。

図２０ｃを参照すると、触媒物品は、基材の全長にわたって延びるＰＮＡを含み得る。担体上の白金族金属は、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属を部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせに含浸される。

図２１ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ／ＰＮＡ／ＰＧＭ担体層の組み合わせは、ＰＮＡ／ＳＣＲ組み合わせよりも長さが短い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせとを覆う。

図２１ｂを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ／ＰＧＭ担体層の組み合わせは、ＰＮＡ／ＳＣＲ組み合わせよりも長さが短い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとを覆う。

図２１ｃを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。担体上の白金族金属は、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＰＧＭ担体層は、ＰＮＡ／ＳＣＲ組み合わせよりも長さが短い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡ、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。

図２２ａを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びるＰＮＡを含み得る。ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ／ＰＮＡ／ＰＧＭ担体層の組み合わせは、ＰＮＡよりも長さが短い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせとを覆う。

図２２ｂを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びるＰＮＡを含み得る。ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ／ＰＧＭ担体層の組み合わせは、ＰＮＡよりも長さが短い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとを覆う。

図２２ｃを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びるＰＮＡを含み得る。担体上の白金族金属は、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＰＧＭ担体層は、ＰＮＡよりも長さが短い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属を覆う。

図２３ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ／ＰＮＡ／ＰＧＭ担体層の組み合わせは、ＰＮＡ／ＳＣＲ組み合わせよりも長さが短い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。

図２３ｂを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ／ＰＧＭ担体層の組み合わせは、ＰＮＡ／ＳＣＲ組み合わせよりも長さが短い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。

図２３ｃを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。担体上の白金族金属は、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＰＧＭ担体層は、ＰＮＡ／ＳＣＲ組み合わせよりも長さが短い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、担体上の白金族金属とを部分的に覆う。

図２４ａを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びるＰＮＡを含み得る。ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ／ＰＮＡ／ＰＧＭ担体層の組み合わせは、ＰＮＡよりも長さが短い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。

図２４ｂを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びるＰＮＡを含み得る。ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ／ＰＧＭ担体層の組み合わせは、ＰＮＡよりも長さが短い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。

図２４ｃを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びるＰＮＡを含み得る。担体上の白金族金属は、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＰＧＭ担体層は、ＰＮＡよりも長さが短い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属を部分的に覆う。

図２５ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び基材の全長にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせとを覆う。

図２５ｂを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び基材の全長にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとを覆う。

図２５ｃを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び基材の全長にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。担体上の白金族金属は、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡ、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。

図２６ａを参照すると、触媒物品は、基材の全長にわたって延びるＰＮＡを含み得る。ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせとを覆う。

図２６ｂを参照すると、触媒物品は、基材の全長にわたって延びるＰＮＡを含み得る。ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとを覆う。

図２６ｃを参照すると、触媒物品は、基材の全長にわたって延びるＰＮＡを含み得る。担体上の白金族金属は、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属を覆う。

図２７ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び基材の全長にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。

図２７ｂを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び基材の全長にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。

図２７ｃを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び基材の全長にわたって延びるＳＣＲ触媒の組み合わせを含み得る。担体上の白金族金属は、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、担体上の白金族金属とを部分的に覆う。

図２８ａを参照すると、触媒物品は、基材の全長にわたって延びるＰＮＡを含み得る。ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。

図２８ｂを参照すると、触媒物品は、基材の全長にわたって延びるＰＮＡを含み得る。ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせは、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとを部分的に覆う。

図２８ｃを参照すると、触媒物品は、基材の全長にわたって延びるＰＮＡを含み得る。担体上の白金族金属は、ＰＮＡの最上部で、出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属を部分的に覆う。

図２９ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＰＮＡ／ＳＣＲの組み合わせは、ＳＣＲ／ＰＮＡ／ＰＧＭ担体層の組み合わせよりも長さが長い可能性がある。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。

図２９ｂを参照すると、触媒物品は、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長未満だけ出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＰＮＡ／ＳＣＲの組み合わせは、ＳＣＲ／ＰＧＭ担体層の組み合わせよりも長さが長い可能性がある。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。

図２９ｃを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属を含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長未満だけ出口端から入口端へ向かって延び、担体上の白金族金属を覆う。ＰＮＡ／ＳＣＲの組み合わせは、担体上の白金族金属よりも長さが長い可能性がある。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。

図３０ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡは、基材の全長未満だけ出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＰＮＡは、ＳＣＲ／ＰＮＡ／ＰＧＭ担体層の組み合わせよりも長さが長い可能性がある。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。

図３０ｂを参照すると、触媒物品は、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡは、基材の全長未満だけ出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＰＮＡは、ＳＣＲ／ＰＧＭ担体層の組み合わせよりも長さが長い可能性がある。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。

図３０ｃを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属を含み得る。ＰＮＡは、基材の全長未満だけ出口端から入口端へ向かって延び、担体上の白金族金属を覆う。ＰＮＡは、担体上の白金族金属よりも長さが長い可能性がある。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。

図３１ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＰＮＡ／ＳＣＲの組み合わせは、ＳＣＲ／ＰＮＡ／ＰＧＭ担体層の組み合わせよりも長さが長い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせとに含浸される。

図３１ｂを参照すると、触媒物品は、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長未満だけ出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＰＮＡ／ＳＣＲの組み合わせは、ＳＣＲ／ＰＧＭ担体層の組み合わせよりも長さが長い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとに含浸される。

図３１ｃを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属を含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長未満だけ出口端から入口端へ向かって延び、担体上の白金族金属を覆う。ＰＮＡ／ＳＣＲの組み合わせは、担体上の白金族金属よりも長さが長い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、担体上の白金族金属とに含浸される。

図３２ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡは、基材の全長未満だけ出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＰＮＡは、ＳＣＲ／ＰＮＡ／ＰＧＭ担体層の組み合わせよりも長さが長い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせとに含浸される。

図３２ｂを参照すると、触媒物品は、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡは、基材の全長未満だけ出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＰＮＡは、ＳＣＲ／ＰＧＭ担体層の組み合わせよりも長さが長い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとに含浸される。

図３２ｃを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属を含み得る。ＰＮＡは、基材の全長未満だけ出口端から入口端へ向かって延び、担体上の白金族金属を覆う。ＰＮＡは、担体上の白金族金属よりも長さが長い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡと担体上の白金族金属とに含浸される。

図３３ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長にわたって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。

図３３ｂを参照すると、触媒物品は、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長にわたって延び、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。

図３３ｃを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属を含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長にわたって延び、担体上の白金族金属を覆う。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。

図３４ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡは、基材の全長にわたって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。

図３４ｂを参照すると、触媒物品は、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡは、基材の全長にわたって延び、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。

図３４ｃを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属を含み得る。ＰＮＡは、基材の全長にわたって延び、担体上の白金族金属を覆う。ＤＯＣ層は、出口端から入口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。

図３５ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長にわたって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせとに含浸される。

図３５ｂを参照すると、触媒物品は、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長にわたって延び、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとに含浸される。

図３５ｃを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属を含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長にわたって延び、担体上の白金族金属を覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせと、担体上の白金族金属とに含浸される。

図３６ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡは、基材の全長にわたって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ、及び担体上の白金族金属の組み合わせとに含浸される。

図３６ｂを参照すると、触媒物品は、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡは、基材の全長にわたって延び、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡと、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせとに含浸される。

図３６ｃを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属を含み得る。ＰＮＡは、基材の全長にわたって延び、担体上の白金族金属を覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。白金族金属は、基材の出口端で、ＰＮＡと担体上の白金族金属とに含浸される。

図３７ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＰＮＡ／ＳＣＲの組み合わせは、ＳＣＲ／ＰＮＡ／ＰＧＭ担体層の組み合わせよりも長さが長い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを覆う。

図３７ｂを参照すると、触媒物品は、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長未満だけ出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＰＮＡ／ＳＣＲの組み合わせは、ＳＣＲ／ＰＧＭ担体層の組み合わせよりも長さが長い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを覆う。

図３７ｃを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属を含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長未満だけ出口端から入口端へ向かって延び、担体上の白金族金属を覆う。ＰＮＡ／ＳＣＲの組み合わせは、担体上の白金族金属よりも長さが長い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを覆う。

図３８ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡは、基材の全長未満だけ出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＰＮＡは、ＳＣＲ／ＰＮＡ／ＰＧＭ担体層の組み合わせよりも長さが長い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡを覆う。

図３８ｂを参照すると、触媒物品は、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡは、基材の全長未満だけ出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＰＮＡは、ＳＣＲ／ＰＧＭ担体層の組み合わせよりも長さが長い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡを覆う。

図３８ｃを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属を含み得る。ＰＮＡは、基材の全長未満だけ出口端から入口端へ向かって延び、担体上の白金族金属を覆う。ＰＮＡは、担体上の白金族金属よりも長さが長い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡを覆う。

図３９ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＰＮＡ／ＳＣＲの組み合わせは、ＳＣＲ／ＰＮＡ／ＰＧＭ担体層の組み合わせよりも長さが長い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。

図３９ｂを参照すると、触媒物品は、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長未満だけ出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＰＮＡ／ＳＣＲの組み合わせは、ＳＣＲ／ＰＧＭ担体層の組み合わせよりも長さが長い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。

図３９ｃを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属を含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長未満だけ出口端から入口端へ向かって延び、担体上の白金族金属を覆う。ＰＮＡ／ＳＣＲの組み合わせは、担体上の白金族金属よりも長さが長い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。

図４０ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡは、基材の全長未満だけ出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＰＮＡは、ＳＣＲ／ＰＮＡ／ＰＧＭ担体層の組み合わせよりも長さが長い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。

図４０ｂを参照すると、触媒物品は、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡは、基材の全長未満だけ出口端から入口端へ向かって延び、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＰＮＡは、ＳＣＲ／ＰＧＭ担体層の組み合わせよりも長さが長い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。

図４０ｃを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属を含み得る。ＰＮＡは、基材の全長未満だけ出口端から入口端へ向かって延び、担体上の白金族金属を覆う。ＰＮＡは、担体上の白金族金属よりも長さが長い可能性がある。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。

図４１ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長にわたって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを覆う。

図４１ｂを参照すると、触媒物品は、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長にわたって延び、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを覆う。

図４１ｃを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属を含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長にわたって延び、担体上の白金族金属を覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを覆う。

図４２ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡは、基材の全長にわたって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡを覆う。

図４２ｂを参照すると、触媒物品は、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡは、基材の全長にわたって延び、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡを覆う。

図４２ｃを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属を含み得る。ＰＮＡは、基材の全長にわたって延び、担体上の白金族金属を覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長にわたって延び、ＰＮＡを覆う。

図４３ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長にわたって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。

図４３ｂを参照すると、触媒物品は、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長にわたって延び、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。

図４３ｃを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属を含み得る。ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせは、基材の全長にわたって延び、担体上の白金族金属を覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の組み合わせを部分的に覆う。

図４４ａを参照すると、触媒物品は、ＰＮＡ及び出口端から入口端へ向かって、基材の全長未満にわたって延びる、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡは、基材の全長にわたって延び、ＳＣＲ触媒、ＰＮＡ及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。

図４４ｂを参照すると、触媒物品は、ＳＣＲ触媒、及び出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属の組み合わせを含み得る。ＰＮＡは、基材の全長にわたって延び、ＳＣＲ触媒及び担体上の白金族金属の組み合わせを覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。

図４４ｃを参照すると、触媒物品は、出口端から入口端へ向かって基材の全長未満にわたって延びる担体上の白金族金属を含み得る。ＰＮＡは、基材の全長にわたって延び、担体上の白金族金属を覆う。ＳＣＲ触媒は、基材の全長未満だけ入口端から出口端へ向かって延び、ＰＮＡを部分的に覆う。

システム構成
本発明のシステム構成は、上流ＳＣＲ触媒、及び前項に記載される２ゾーン又は３ゾーン構成を有する触媒物品であり得る。上流ＳＣＲ触媒は、前項に記載される２ゾーン又は３ゾーン構成を有する触媒物品の上流に位置してもよく、いくつかの実施態様では、上流ＳＣＲ触媒及び触媒物品は近位連結されてもよい。いくつかの実施態様では、上流ＳＣＲ触媒及び触媒物品は単一基材上に位置しており、上流ＳＣＲ触媒は、触媒物品の第１及び第２（及び存在する場合は第３）のゾーンの上流に位置する。

いくつかの実施態様では、システムは、上記の２ゾーン又は３ゾーン構成を有する触媒物品の下流に位置するＳＣＲ触媒を含む。いくつかの実施態様では、システムはフィルタも含み得る。

システムは、一又は複数の還元剤インジェクタを、例えばシステム中の任意のＳＣＲ触媒の上流に含み得る。いくつかの実施態様では、システムは、ＳＣＲ触媒及び／又は上記の２ゾーン若しくは３ゾーン構成を有する触媒物品の下流の還元剤インジェクタを含む。下流ＳＣＲ触媒を有するシステムでは、還元剤インジェクタは。下流ＳＣＲ触媒の上流に含まれ得る。

アンモニア酸化触媒
触媒物品は、一又は複数の、アンモニアスリップ触媒（「ＡＳＣ」）とも呼ばれる、アンモニア酸化触媒を含み得る。一又は複数のＡＳＣは、ＳＣＲ触媒に又はその下流に含まれて、余剰のアンモニアを酸化させ、且つそれが大気中へ放出されるのを妨げ得る。いくつかの実施態様では、ＡＳＣは、ＳＣＲ触媒と同じ基材上に含まれ得るか、又はＳＣＲ触媒とブレンドされ得る。特定の実施態様では、アンモニア酸化触媒材料は、ＮＯ_ｘ又はＮ_２Ｏの形成の代わりにアンモニアの酸化を有利にするよう選択され得る。好ましい触媒材料には、白金、パラジウム、又はそれらの組み合わせが含まれる。アンモニア酸化触媒は、金属酸化物に担持された白金及び／又はパラジウムを含む。いくつかの実施態様では、触媒は、高表面積の担体上に配置され、アルミナを含むが、それらに限定されない。

いくつかの実施態様では、アンモニア酸化触媒は、ケイ質担体上の白金族金属を含む。ケイ質材料材料は、（１）シリカ；（２）少なくとも２００のシリカ対アルミナ比を有するゼオライト；及び（３）≧４０％のＳｉＯ２含有量を有する非晶質のシリカドープしたアルミナ等の材料を含み得る。いくつかの実施態様では、ケイ質材料は、少なくとも２００；少なくとも２５０；少なくとも３００；少なくとも４００；少なくとも５００；少なくとも６００；少なくとも７５０；少なくとも８００；又は少なくとも１０００のシリカ対アルミナ比を有するゼオライトなどの材料を含み得る。いくつかの実施態様では、白金族金属は、白金族金属及び担体の総重量の約０．５ｗｔ％から約１０ｗｔ％；白金族金属及び担体の総重量の約１ｗｔ％から約６ｗｔ％；白金族金属及び担体の総重量の約１．５ｗｔ％から約４ｗｔ％；白金族金属及び担体の総重量の約１０ｗｔ％；白金族金属及び担体の総重量の約０．５ｗｔ％；白金族金属及び担体の総重量の約１ｗｔ％；白金族金属及び担体の総重量の約２ｗｔ％；白金族金属及び担体の総重量の約３ｗｔ％；白金族金属及び担体の総重量の約４ｗｔ％；白金族金属及び担体の総重量の約５ｗｔ％；白金族金属及び担体の総重量の約６ｗｔ％；白金族金属及び担体の総重量の約７ｗｔ％；白金族金属及び担体の総重量の約８ｗｔ％；白金族金属及び担体の総重量の約９ｗｔ％；又は白金族金属及び担体の総重量の約１０ｗｔ％の量で担体上に存在する。

いくつかの実施態様では、ケイ質担体は、ＢＥＡ、ＣＤＯ、ＣＯＮ、ＦＡＵ、ＭＥＬ、ＭＦＩ又はＭＷＷ骨格型を有するモレキュラーシーブを含み得る。

ＳＣＲ触媒
本発明のシステムは、一又は複数のＳＣＲ触媒を含み得る。いくつかの実施態様では、触媒物品は、第１のＳＣＲ触媒、第２のＳＣＲ触媒、及び／又は第３のＳＣＲ触媒を含み得る。いくつかの実施態様では、ＳＣＲ触媒は、互いに同一の配合を含み得る。いくつかの実施態様では、ＳＣＲ触媒は、互いに異なる配合を含み得る。

本発明の排気システムは、アンモニア又はアンモニアに分解可能な化合物を排気ガスに導入するためのインジェクタの下流に位置するＳＣＲ触媒を含み得る。ＳＣＲ触媒は、アンモニア又はアンモニアに分解可能な化合物を注入するためのインジェクタのすぐ下流に位置し得る（例えば、インジェクタとＳＣＲ触媒との間に介在する触媒はない）。

ＳＣＲ触媒は、基材及び触媒組成物を含む。基材は、フロースルー基材又はフィルタリング基材であり得る。ＳＣＲ触媒がフロースルー基材を有するとき、基材はＳＣＲ触媒組成物を含み得る（すなわち、ＳＣＲ触媒は押出により得られる）か、又はＳＣＲ触媒は基材上に配置若しくは担持され得る（すなわち、ＳＣＲ触媒組成物はウォッシュコート法により基材上に塗布される）。

ＳＣＲ触媒がフィルタリング基材を有するとき、該触媒は選択的触媒還元フィルタ触媒であり、これは本明細書中では略語「ＳＣＲＦ」で称される。ＳＣＲＦは、フィルタリング基材及び選択的触媒還元（ＳＣＲ）組成物を含む。本出願を通じたＳＣＲ触媒の使用についての言及は、必要に応じてＳＣＲＦ触媒の使用も含むと理解される。

選択的触媒還元組成物は、金属酸化物系ＳＣＲ触媒配合物、モレキュラーシーブ系ＳＣＲ触媒配合物、又はそれらの混合物を含み得るか、又は本質的にそれからなる。そのようなＳＣＲ触媒配合物は、当該技術分野で知られている。

選択的触媒還元組成物は、金属酸化物系ＳＣＲ触媒配合物を含み得るか、又は本質的にそれからなる。金属酸化物系ＳＣＲ触媒配合物は、耐火性酸化物に担持されたバナジウム又はタングステン又はそれらの混合物を含む。耐火性酸化物は、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア、セリア及びそれらの組み合わせからなる群より選択され得る。

金属酸化物系ＳＣＲ触媒配合物は、チタニア（例えばＴｉＯ_２）、セリア（例えばＣｅＯ_２）、及びセリウムとジルコニウムの混合又は複合酸化物（例えばＣｅ_ｘＺｒ_{（１-ｘ）}Ｏ_２、ここでｘ＝０．１から０．９、好ましくはｘ＝０．２から０．５）からなる群より選択される耐火性酸化物に担持されるバナジウムの酸化物（例えばＶ_２Ｏ_５）及び／又はタングステンの酸化物（例えばＷＯ_３）を含み得るか、又は本質的にそれらからなる。

耐火性酸化物がチタニア（例えばＴｉＯ_２）であるとき、好ましくは、バナジウムの酸化物の濃度は、（例えば金属酸化物系ＳＣＲ配合物の）０．５から６ｗｔ％であり、且つ／又はタングステンの酸化物（例えばＷＯ_３）の濃度は５から２０ｗｔ％である。より好ましくは、バナジウムの酸化物（例えばＶ_２Ｏ_５）及びタングステンの酸化物（例えばＷＯ_３）は、チタニア（例えばＴｉＯ_２）に担持される。

耐火性酸化物がセリア（例えばＣｅＯ_２）であるとき、好ましくは、バナジウムの酸化物の濃度は、（例えば金属酸化物系ＳＣＲ配合物の）０．１から９ｗｔ％であり、且つ／又はタングステンの酸化物（例えばＷＯ_３）の濃度は０．１から９ｗｔ％である。

金属酸化物系ＳＣＲ触媒配合物は、チタニア（例えばＴｉＯ_２）に担持されるバナジウムの酸化物（例えばＶ_２Ｏ_５）及び任意選択的にタングステンの酸化物（例えばＷＯ_３）を含み得るか、又は本質的にそれらからなる。

選択的触媒還元組成物は、モレキュラーシーブ系ＳＣＲ触媒配合物を含み得るか、又は本質的にそれからなる。モレキュラーシーブ系ＳＣＲ触媒配合物は、モレキュラーシーブを含み、それは任意選択的には遷移金属交換モレキュラーシーブである。ＳＣＲ触媒配合物は遷移金属交換モレキュラーシーブを含むことが好ましい。

一般に、モレキュラーシーブ系ＳＣＲ触媒配合物は、アルミノシリケート骨格（例えばゼオライト）、アルミノホスフェート骨格（例えばＡｌＰＯ）、シリコアルミノホスフェート骨格（例えばＳＡＰＯ）、又はヘテロ原子含有シリコアルミノホスフェート骨格（例えばＭｅが金属であるＭｅＡＰＳＯ）を有するモレキュラーシーブを含み得る。ヘテロ原子（すなわちヘテロ原子含有骨格中のもの）は、ホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉄（Ｆｅ）、バナジウム（Ｖ）及びそれら二つ以上の組み合わせからなる群より選択され得る。ヘテロ原子は金属であることが好ましい（例えば、上記のヘテロ原子含有骨格のそれぞれは、金属含有骨格であり得る）。

モレキュラーシーブ系ＳＣＲ触媒配合物は、アルミノシリケート骨格（例えばゼオライト）又はシリコアルミノホスフェート骨格（例えばＳＡＰＯ）を有するモレキュラーシーブを含むか、又は本質的にそれからなる。

モレキュラーシーブがアルミノシリケート骨格を有する（例えば、モレキュラーシーブがゼオライトである）とき、典型的には、モレキュラーシーブは、５から２００（例えば１０から２００）、好ましくは１０から１００（例えば１０から３０、又は２０から８０）、例えば１２から４０、又は１５から３０のシリカ対アルミナのモル比（ＳＡＲ）を有する。いくつかの実施態様では、適切なモレキュラーシーブは、＞２００；＞６００；又は＞１２００のＳＡＲを有する。いくつかの実施態様では、モレキュラーシーブは、約１５００から約２１００のＳＡＲを有する。

典型的には、モレキュラーシーブは微多孔質である。微多孔質モレキュラーシーブは、２ｎｍ未満の直径を有する細孔を有する（例えば、ＩＵＰＡＣの「微多孔質（ｍｉｃｒｏｐｏｒｏｕｓ）の定義による［Pure & Appl. Chem., 66(8), (1994), 1739-1758)を参照］）。

モレキュラーシーブ系ＳＣＲ触媒配合物は、小細孔モレキュラーシーブ（例えば８つの四面体原子の最大環サイズを有するモレキュラーシーブ）、中細孔モレキュラーシーブ（例えば１０の四面体原子の最大環サイズを有するモレキュラーシーブ）、及び大細孔モレキュラーシーブ（すなわち１２の四面体原子の最大環サイズを有するモレキュラーシーブ）を含み得る。

モレキュラーシーブが、小細孔モレキュラーシーブであるとき、小細孔モレキュラーシーブは、ＡＣＯ、ＡＥＩ、ＡＥＮ、ＡＦＮ、ＡＦＴ、ＡＦＸ、ＡＮＡ、ＡＰＣ、ＡＰＤ、ＡＴＴ、ＣＤＯ、ＣＨＡ、ＤＤＲ、ＤＦＴ、ＥＡＢ、ＥＤＩ、ＥＰＩ、ＥＲＩ、ＧＩＳ、ＧＯＯ、ＩＨＷ、ＩＴＥ、ＩＴＷ、ＬＥＶ、ＬＴＡ、ＫＦＩ、ＭＥＲ、ＭＯＮ、ＮＳＩ、ＯＷＥ、ＰＡＵ、ＰＨＩ、ＲＨＯ、ＲＴＨ、ＳＡＴ、ＳＡＶ、ＳＦＷ、ＳＩＶ、ＴＨＯ、ＴＳＣ、ＵＥＩ、ＵＦＩ、ＶＮＩ、ＹＵＧ及びＺＯＮ、又はこれらのいずれか二つ以上の混合及び／又は連晶から成る群より選択される骨格型コード（ＦＴＣ）により表される骨格構造を有し得る。好ましくは、小細孔モレキュラーシーブは、ＣＨＡ、ＬＥＶ、ＡＥＩ、ＡＦＸ、ＥＲＩ、ＬＴＡ、ＳＦＷ、ＫＦＩ、ＤＤＲ及びＩＴＥからなる群より選択されるＦＴＣにより表される骨格構造を有する。より好ましくは、小細孔モレキュラーシーブは、ＣＨＡ及びＡＥＩからなる群より選択されるＦＴＣにより表される骨格構造を有する。小細孔モレキュラーシーブは、ＦＴＣ ＣＨＡにより表される骨格構造を有し得る。小細孔モレキュラーシーブは、ＦＴＣ ＡＥＩにより表される骨格構造を有し得る。小細孔モレキュラーシーブがゼオライトであり、ＦＴＣ ＣＨＡにより表される骨格を有するとき、ゼオライトはチャバザイトであり得る。

モレキュラーシーブが中細孔モレキュラーシーブであるとき、中細孔モレキュラーシーブは、ＡＥＬ、ＡＦＯ、ＡＨＴ、ＢＯＦ、ＢＯＺ、ＣＧＦ、ＣＧＳ、ＣＨＩ、ＤＡＣ、ＥＵＯ、ＦＥＲ、ＨＥＵ、ＩＭＦ、ＩＴＨ、ＩＴＲ、ＪＲＹ、ＪＳＲ、ＪＳＴ、ＬＡＵ、ＬＯＶ、ＭＥＬ、ＭＦＩ、ＭＦＳ、ＭＲＥ、ＭＴＴ、ＭＶＹ、ＭＷＷ、ＮＡＢ、ＮＡＴ、ＮＥＳ、ＯＢＷ、－ＰＡＲ、ＰＣＲ、ＰＯＮ、ＰＵＮ、ＲＲＯ、ＲＳＮ、ＳＦＦ、ＳＦＧ、ＳＴＦ、ＳＴＩ、ＳＴＴ、ＳＴＷ、－ＳＶＲ、ＳＺＲ、ＴＥＲ、ＴＯＮ、ＴＵＮ、ＵＯＳ、ＶＳＶ、ＷＥＩ及びＷＥＮ、又はそれら二つ以上の混合及び／又は連晶からなる群より選択される骨格型コード（ＦＴＣ）により表される骨格構造を有し得る。好ましくは、中細孔モレキュラーシーブは、ＦＥＲ、ＭＥＬ、ＭＦＩ及びＳＴＴからなる群より選択されるＦＴＣにより表される骨格構造を有する。より好ましくは、中細孔モレキュラーシーブは、ＦＥＲ及びＭＦＩからなる群より選択されるＦＴＣ、特にＭＦＩにより表される骨格構造を有する。中細孔モレキュラーシーブがゼオライトであり、ＦＴＣ ＦＥＲ又はＭＦＩにより表される骨格を有するとき、ゼオライトは、フェリエライト、シリカライト又はＺＳＭ－５であり得る。

モレキュラーシーブが大細孔モレキュラーシーブであるとき、大細孔モレキュラーシーブは、ＡＦＩ、ＡＦＲ、ＡＦＳ、ＡＦＹ、ＡＳＶ、ＡＴＯ、ＡＴＳ、ＢＥＡ、ＢＥＣ、ＢＯＧ、ＢＰＨ、ＢＳＶ、ＣＡＮ、ＣＯＮ、ＣＺＰ、ＤＦＯ、ＥＭＴ、ＥＯＮ、ＥＺＴ、ＦＡＵ、ＧＭＥ、ＧＯＮ、ＩＦＲ、ＩＳＶ、ＩＴＧ、ＩＷＲ、ＩＷＳ、ＩＷＶ、ＩＷＷ、ＪＳＲ、ＬＴＦ、ＬＴＬ、ＭＡＺ、ＭＥＩ、ＭＯＲ、ＭＯＺ、ＭＳＥ、ＭＴＷ、ＮＰＯ、ＯＦＦ、ＯＫＯ、ＯＳＩ、－ＲＯＮ、ＲＷＹ、ＳＡＦ、ＳＡＯ、ＳＢＥ、ＳＢＳ、ＳＢＴ、ＳＥＷ、ＳＦＥ、ＳＦＯ、ＳＦＳ、ＳＦＶ、ＳＯＦ、ＳＯＳ、ＳＴＯ、ＳＳＦ、ＳＳＹ、ＵＳＩ、ＵＷＹ及びＶＥＴ、又はこれら二つ以上の混合及び／又は連晶からなる群より選択される骨格型コード（ＦＴＣ）により表される骨格構造を有し得る。好ましくは、大細孔モレキュラーシーブは、ＡＦＩ、ＢＥＡ、ＭＡＺ、ＭＯＲ及びＯＦＦからなる群より選択されるＦＴＣにより表される骨格構造を有する。より好ましくは、大細孔モレキュラーシーブは、ＢＥＡ、ＭＯＲ及びＭＦＩからなる群より選択されるＦＴＣにより表される骨格構造を有する。大細孔モレキュラーシーブがゼオライトであり、ＦＴＣ ＢＥＡ、ＦＡＵ又はＭＯＲにより表される骨格を有するとき、ゼオライトは、ベータゼオライト、フォージャサイト、ゼオライトＹ、ゼオライトＸ又はモルデナイトであり得る。

一般に、モレキュラーシーブは小細孔モレキュラーシーブであることが好ましい。

モレキュラーシーブ系ＳＣＲ触媒配合物は、好ましくは、遷移金属交換モレキュラーシーブを含む。遷移金属は、コバルト、銅、鉄、マンガン、ニッケル、パラジウム、白金、ルテニウム及びレニウムからなる群より選択され得る。

遷移金属は銅であり得る。銅交換モレキュラーシーブを含有するＳＣＲ触媒配合物の利点は、そのような配合物が優れた低温ＮＯ_ｘ還元活性（例えば、それは、鉄交換モレキュラーシーブの低温ＮＯ_ｘ還元活性よりも良好であることがある）を有することである。本発明のシステム及び方法は、あらゆる種類のＳＣＲ触媒を含み得るが、銅を含有するＳＣＲ触媒（「Ｃｕ－ＳＣＲ触媒」）は、それらが硫酸化の影響に対して特に脆弱であるため、本発明のシステムからより著しい利益を受けることができる。Ｃｕ－ＳＣＲ触媒配合物は、例えば、Ｃｕ交換ＳＡＰＯ－３４、Ｃｕ交換ＣＨＡゼオライト、Ｃｕ交換ＡＥＩゼオライト又はそれらの組み合わせを含み得る。

遷移金属は、モレキュラーシーブの外面上の骨格外部位、又はモレキュラーシーブのチャネル、空洞若しくはケージ内に存在し得る。

典型的には、遷移金属交換モレキュラーシーブは、遷移金属交換モレキュラーシーブの０．１０から１０重量％の量、好ましくは０．２から５重量％の量を含む。

一般に、選択的触媒還元触媒は、０．５から４．０ｇｉｎ^-３、好ましくは１．０から３．０ ４．０ｇｉｎ^-３の総濃度で選択的触媒還元組成物を含む。

ＳＣＲ触媒組成物は、金属酸化物系ＳＣＲ触媒配合物とモレキュラーシーブ系ＳＣＲ触媒配合物との混合物を含み得る。（ａ）金属酸化物系ＳＣＲ触媒配合物は、チタニア（例えばＴｉＯ_２）に担持されるバナジウムの酸化物（例えばＶ_２Ｏ_５）及び任意選択的にタングステンの酸化物（例えばＷＯ_３）を含み得るか、又は本質的にそれらからなり、且つ（ｂ）モレキュラーシーブ系ＳＣＲ触媒配合物は、遷移金属交換モレキュラーシーブを含み得る。

ＳＣＲ触媒がＳＣＲＦであるとき、フィルタリング基材は、好ましくは、ウォールフロー型フィルタ基材モノリスであり得る。ウォールフロー型フィルタ基材モノリス（例えばＳＣＲ－ＤＰＦのもの）は、典型的には、１平方インチ当たり（ｃｐｓｉ）６０から４００セルのセル密度を有する。ウォールフロー型フィルタ基材モノリスは、１００から３５０ｃｐｓｉのセル密度を有することが好ましく、より好ましくは２００から３００ｃｐｓｉのセル密度を有することが好ましい。

ウォールフロー型フィルタ基材モノリスは、０．２０から０．５０ｍｍ、好ましくは０．２５から０．３５ｍｍ（例えば約０．３０ｍｍ）の壁厚（例えば平均内部壁厚）を有し得る。

一般的に、コーティングされていないウォールフロー型フィルタ基材モノリスは、５０から８０％、好ましくは５５から７５％、より好ましくは６０から７０％の多孔率を有する。

コーティングされていないウォールフロー型フィルタ基材モノリスは、典型的には少なくとも５μｍの平均細孔サイズを有する。平均細孔サイズは、１０から４０μｍ、例えば１５から３５μｍ、より好ましくは２０から３０μｍであることが好ましい。

ウォールフロー型フィルタ基材モノリスは、対称的なセル設計又は非対称的なセル設計を有し得る。

一般にＳＣＲＦに関しては、選択的触媒還元組成物は、ウォールフロー型フィルタ基材モノリスの壁内に配置される。加えて、選択的触媒還元組成物は、入口チャネルの壁上及び／又は出口チャネルの壁上に配置され得る。

ブレンド
本発明の実施態様は、（１）担体上の白金族金属と（２）ＳＣＲ触媒とのブレンドを含み得る。いくつかの実施態様では、ブレンド内で、ＳＣＲ触媒の担体上の白金族金属に対する重量比は、約３：１から約３００：１；約３：１から約２５０：１；約３：１から約２００：１；約４：１から約１５０：１；約５：１から約１００：１；約６：１から約９０：１；約７：１から約８０：１；約８：１から約７０：１；約９：１から約６０：１；約１０：１から約５０：１；約３：１；約４：１；約５：１；約６：１；約７：１；約８：１；約９：１；約１０：１；約１５：１；約２０：１；約２５：１；約３０：１；約４０：１；約５０：１；約７５：１；約１００：１；約１２５：１；約１５０：１；約１７５：１；約２００：１；約２２５：１；約２５０：１；約２７５：１；又は約３００：１である。この重量比は、ブレンドがＰＮＡを含む実施態様では、ＰＮＡからの白金族金属を含み得る。

ＮＯｘ吸着体（ＰＮＡ）
ＮＯｘ吸着体（ＰＮＡ）は、金属含有モレキュラーシーブ又はセリア担持パラジウムを含む。ＰＮＡが金属含有モレキュラーシーブを含むとき、金属は、セリウム、クロム、コバルト、銅、鉄、ランタン、マンガン、モリブデン、ニッケル、ニオブ、パラジウム、タングステン、銀、バナジウム、及び亜鉛、並びにそれらの混合物からなる群より選択され得る。いくつかの実施態様では、金属は、コバルト、マンガン、パラジウム又は亜鉛である。いくつかの実施態様では、金属はパラジウム又は亜鉛である。いくつかの実施態様では、ＳＣＲ触媒中の金属は銅であり、ＰＮＡ中の金属はパラジウムである。ＰＮＡ中の金属含有モレキュラーシーブ中のモレキュラーシーブは、ＳＣＲ触媒中のモレキュラーシーブの記載において上に記載されるようなアルミノシリケート（例えばゼオライト）、アルミノホスフェート、又はシリコアルミノホスフェートを含み得る。ＳＣＲ触媒が金属含有モレキュラーシーブを含むとき、ＳＣＲ触媒中の金属含有モレキュラーシーブ中のモレキュラーシーブは、ＰＮＡ中の金属含有モレキュラーシーブ中のモレキュラーシーブと同一である可能性があるか、又は、ＳＣＲ触媒中の金属含有モレキュラーシーブ中のモレキュラーシーブは、ＰＮＡ中の金属含有モレキュラーシーブ中のモレキュラーシーブとは異なる可能性がある。いくつかの実施態様では、同一の配合物及び／又は成分は、ＰＮＡ及びＳＣＲ触媒の両方として機能し得る。

特定の実施態様では、ＰＮＡは、どちらもモレキュラーシーブ上の白金族金属及び卑金属を含む。いくつかの実施態様では、ＰＮＡは、モレキュラーシーブ上のパラジウム及び銅を含む。いくつかの実施態様では、ＰＮＡは、モレキュラーシーブ上のパラジウム及び鉄を含む。

ＰＮＡ中の金属含有モレキュラーシーブ中のモレキュラーシーブは、ＳＣＲ触媒において上で記載されるような小細孔、中細孔、又は大細孔であり得る。ＰＮＡ中の金属含有モレキュラーシーブ中のモレキュラーシーブは、好ましくは、ＳＣＲ触媒において上で記載されるような小細孔モレキュラーシーブである。小細孔モレキュラーシーブは、ＡＣＯ、ＡＥＩ、ＡＥＮ、ＡＦＮ、ＡＦＴ、ＡＦＸ、ＡＮＡ、ＡＰＣ、ＡＰＤ、ＡＴＴ、ＣＤＯ、ＣＨＡ、ＤＤＲ、ＤＦＴ、ＥＡＢ、ＥＤＩ、ＥＰＩ、ＥＲＩ、ＧＩＳ、ＧＯＯ、ＩＨＷ、ＩＴＥ、ＩＴＷ、ＬＥＶ、ＬＴＡ、ＫＦＩ、ＭＥＲ、ＭＯＮ、ＮＳＩ、ＯＷＥ、ＰＡＵ、ＰＨＩ、ＲＨＯ、ＲＴＨ、ＳＡＴ、ＳＡＶ、ＳＩＶ、ＴＨＯ、ＴＳＣ、ＵＥＩ、ＵＦＩ、ＶＮＩ、ＹＵＧ、及びＺＯＮ、並びにそれらの混合物又は連晶からなる群より選択される骨格型を含み得る。好ましくは、小細孔モレキュラーシーブは、チャバザイト（ＣＨＡ）又はＡＥＩである。好ましい中細孔モレキュラーシーブは、ＦＥＲ、ＭＥＬ、ＭＦＩ及びＳＴＴを含む。好ましい大細孔モレキュラーシーブは、ＡＦＩ、ＢＥＡ、ＭＡＺ、ＭＯＲ及びＯＦＦを含む。いくつかの実施態様では、金属含有モレキュラーシーブ中のモレキュラーシーブは、５から１００のＳＡＲを有するアルミノシリケート又はアルミノホスフェートを含む。パラジウム含有モレキュラーシーブが、パラジウム含有シリコアルミノホスフェートであるとき、好ましくは、シリコアルミノホスフェートは５％から１５％のシリカを含む。いくつかの実施態様では、モレキュラーシーブがアルミノシリケート骨格を有する（例えば、モレキュラーシーブがゼオライトである）とき、モレキュラーシーブは、５から２００（例えば１０から２００）、好ましくは１０から１００（例えば１０から３０、又は２０から８０）、例えば１２から４０、又は１５から３０のＳＡＲを有し得る。いくつかの実施態様では、適切なモレキュラーシーブは、＞２００；＞６００；又は＞１２００のＳＡＲを有する。いくつかの実施態様では、モレキュラーシーブは、約１５００から約２１００のＳＡＲを有する。

ＰＮＡ中の金属は、０．０１から２０ｗｔ．％の濃度で存在し得る。金属含有モレキュラーシーブは、約０．５から約４．０ｇ／ｉｎ^３の濃度で触媒物品に存在し得る。

ＳＣＲ触媒とＮＯ_Ｘ吸着体触媒の混合物
本発明の触媒物品は、ＳＣＲ触媒とＮＯｘ吸着体触媒（ＰＮＡ）の混合物を含み得る。いくつかの実施態様では、ＰＮＡがＳＣＲ／ＡＳＣブレンドに含まれるとき等に、混合物はＡＳＣを含み得る。

いくつかの実施態様では、触媒物品は、ＳＣＲ触媒及びＰＮＡを含むことができ、ＳＣＲ触媒は、金属がセリウム、銅、鉄、及びマンガン、並びにそれらの混合物から選択される、金属含有モレキュラーシーブを含み、ＰＮＡは、金属がパラジウム又は銀、及びそれらの混合物から選択される、金属含有モレキュラーシーブを含み、ＳＣＲ触媒及びＰＮＡは、同一のモレキュラーシーブを含み、ＳＣＲ触媒の金属とＰＮＡの金属はどちらも、モレキュラーシーブ中で交換及び／又は置換されている。ＰＮＡは、どちらもモレキュラーシーブ上の白金族金属及び卑金属を含む。

いくつかの実施態様では、ＳＣＲ触媒及びＰＮＡ中の金属含有モレキュラーシーブ中のモレキュラーシーブは、アルミノシリケート、アルミノホスフェート、又はシリコアルミノホスフェートを含み得る。ＰＮＡ中の金属含有モレキュラーシーブ中のモレキュラーシーブは、好ましくは、小細孔モレキュラーシーブである。いくつかの実施態様では、ＰＮＡ中の金属含有モレキュラーシーブ中のモレキュラーシーブは、ＡＣＯ、ＡＥＩ、ＡＥＮ、ＡＦＮ、ＡＦＴ、ＡＦＸ、ＡＮＡ、ＡＰＣ、ＡＰＤ、ＡＴＴ、ＣＤＯ、ＣＨＡ、ＤＤＲ、ＤＦＴ、ＥＡＢ、ＥＤＩ、ＥＰＩ、ＥＲＩ、ＧＩＳ、ＧＯＯ、ＩＨＷ、ＩＴＥ、ＩＴＷ、ＬＥＶ、ＬＴＡ、ＫＦＩ、ＭＥＲ、ＭＯＮ、ＮＳＩ、ＯＷＥ、ＰＡＵ、ＰＨＩ、ＲＨＯ、ＲＴＨ、ＳＡＴ、ＳＡＶ、ＳＩＶ、ＴＨＯ、ＴＳＣ、ＵＥＩ、ＵＦＩ、ＶＮＩ、ＹＵＧ、及びＺＯＮ、並びにそれらの混合物又は連晶からなる群より選択される骨格型を含む。いくつかの実施態様では、モレキュラーシーブは、ＡＥＩ又はＣＨＡ骨格型を含む。

ＳＣＲ触媒及びＰＮＡを含む触媒物品を調製する方法であって、ＳＣＲ触媒は、金属がセリウム、銅、鉄、及びマンガン、並びにそれらの混合物から選択される、金属含有モレキュラーシーブを含み、ＰＮＡは、金属がパラジウム又は銀、及びそれらの混合物から選択される、金属含有モレキュラーシーブを含み、ＳＣＲ触媒及びＰＮＡは、同一のモレキュラーシーブを含み、ＳＣＲ触媒の金属とＰＮＡの金属はどちらも、モレキュラーシーブ中で交換及び／又は置換されている、方法が記載される。いくつかの実施態様では、方法は：（ａ）セリウム、銅、鉄及びマンガン、並びにこれらの混合物からなる群より選択される第１の金属を、モレキュラーシーブに添加して、第１の金属を含有するモレキュラーシーブを形成すること；（ｂ）第１の金属を含有するモレキュラーシーブをか焼して、第１のか焼されたモレキュラーシーブを形成すること；（ｃ）パラジウム又は銀、及びこれらの混合物からなる群より選択される第２の金属を、第１のか焼されたモレキュラーシーブに添加して、第１の金属及び第２の金属を含有するモレキュラーシーブ形成すること、並びに（ｄ）第１の金属及び第２の金属を含有するモレキュラーシーブをか焼することを含む。方法は、工程（ａ１）及び（ｃ１）をさらに含むことができ、工程（ａ１）は、第１の金属を含有するモレキュラーシーブを乾燥させることを含み、工程（ｃ１）は、第１の金属及び第２の金属を含有するモレキュラーシーブを乾燥させることを含む。工程（ａ）及び（ｃ）、第１及び第２の金属を添加することは、含浸、吸着、イオン交換、初期湿潤、析出、噴霧乾燥等の一又は複数により実施され得る。

触媒物品は、上記の組成を有するＳＣＲ触媒及びＰＮＡを含むことができ、（ａ）ＰＮＡ中のモレキュラーシーブがＳＣＲ触媒中の金属含有モレキュラーシーブ中のモレキュラーシーブと同一であるとき、ＰＮＡ中の金属とＳＣＲ触媒中の金属は、モレキュラーシーブと組み合わされているか、又は（ｂ）ＰＮＡ中のモレキュラーシーブがＳＣＲ触媒中の金属含有モレキュラーシーブ中のモレキュラーシーブとは異なるとき、ＰＮＡ中の金属は、ＮＯｘ吸着体触媒中のモレキュラーシーブとの第１の組み合わせにあり、ＳＣＲ触媒中の金属は、ＳＣＲ触媒中のモレキュラーシーブとの第２の組み合わせにあり、第１の組み合わせ及び第２の組み合わせは、第３の組み合わせに存在する。触媒物品は、どちらもモレキュラーシーブ上の白金族金属及び卑金属を含む。好ましくは、ＰＮＡ中の金属はパラジウムである。いくつかの実施態様では、ＳＣＲ触媒中の金属は銅であり、ＰＮＡ中の金属はパラジウムであり、モレキュラーシーブは、チャバザイト又はＡＥＩである。パラジウムは、噴霧乾燥により又は硝酸Ｐｄを含浸させることにより、モレキュラーシーブ中に導入され得る。モレキュラーシーブは、熱水的にエイジングされ得る。触媒物品は、炭化水素－ＳＣＲ活性をさらに含み得る。触媒物品は、炭化水素ＳＣＲにより貯蔵されたＮＯｘを還元し得る。いくつかの実施態様では、銅ローディングは、物品の総重量に基づき、０．１から１０．０ｗｔ．％である。いくつかの実施態様では、パラジウムローディングは、物品の総重量に基づき、０．０１から２０．０ｗｔ．％である。

ＳＣＲ触媒及びＰＮＡが組み合わされる実施態様では、ＳＣＲ触媒とＰＮＡは、約１０：１から約１：１０；約９：１から約１：９；約８：１から約１：８；約７：１から約１：７；約６：１から約１：６；約５：１から約１：５；約４：１から約１：４；約３：１から約１：３；約２：１から約１：２；約１０：１；約９：１；約８：１；約７：１；約６：１；約５：１；約４：１；約３：１；約２：１；約１：１；約１：２；約１：３；約１：４：約１：５；約１：６；約１：７；約１：８；約１：９；又は約１：１０の重量比で存在する。

ＤＯＣ
本発明の触媒物品及びシステムは、一又は複数のディーゼル酸化触媒を含み得る。酸化触媒、及び特にディーゼル酸化触媒（ＤＯＣ）が、当該技術分野でよく知られている。酸化触媒は、ＣＯをＣＯ_２に酸化し、気相炭化水素（ＨＣ）及びディーゼル微粒子の有機フラクション（可溶性有機成分）をＣＯ_２とＨ_２Ｏに酸化させるように設計されている。典型的な酸化触媒は、アルミナ、シリカ－アルミナ、及びゼオライトなどの高表面積の無機酸化物担体上白金及び任意選択的にパラジウムも含む。

基材
本発明の触媒はそれぞれ、フロースルー基材又はフィルタ基材をさらに含み得る。一実施態様では、触媒は、フロースルー又はフィルタ基材上にコーティングされてもよく、好ましくは、ウォッシュコート法を使用して、フロースルー又はフィルタ基材上に堆積される。

ＳＣＲ触媒とフィルタの組み合わせは、選択的触媒還元フィルタ（ＳＣＲＦ触媒）として知られている。ＳＣＲＦ触媒は、ＳＣＲ及びパーティキュレートフィルタの機能性を組み合わせた単一基材装置であり、所望の本発明の実施態様に適している。本出願を通じたＳＣＲ触媒についての記載及び言及は、必要に応じて、ＳＣＲＦ触媒も含むと理解される。

フロースルー又はフィルタ基材は、触媒／吸着体成分を含有することができる基材である。好ましくは、基材は、セラミック基材又は金属基材である。セラミック基材は、任意の好適な耐火材料、例えばアルミナ、シリカ、チタニア、セリア、ジルコニア、マグネシア、ゼオライト、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ケイ酸ジルコニウム、ケイ酸マグネシウム、アルミノケイ酸塩、及びメタロアルミノケイ酸塩（コーディエライト及びスポジュメンなど）又はそれらの任意の２種以上の混合物若しくは混合酸化物から作られていてもよい。コーディエライト、ケイ酸アルミン酸マグネシウム及び炭化ケイ素が特に好ましい。

金属基材はいかなる好適な金属から作られてもよく、特に、チタンとステンレス鋼のような耐熱性の金属及び金属合金でも、他の微量金属に加えて、鉄、ニッケル、クロム、及び／又はアルミニウムを含むフェライト合金でもよい。

フロースルー基材は、好ましくは基材を軸方向に通り、基材の入口又は出口から基材全体に延びる多くの小さな平行する薄壁で囲まれたチャネルのあるハニカム構造を有するフロースルーモノリスである。基材のチャンネル断面は、いかなる形状でもよいが、好ましくは正方形、シヌソイド形、三角形、長方形、六角形、台形、円形又は楕円形である。フロースルー基材は、多孔度が高い場合があり、これにより、触媒が基材壁内を貫通することが可能になる。

好ましくは、フィルタ基材は、ウォールフロー型モノリスフィルタである。ウォールフロー型フィルタのチャネルは交互に閉塞しており、それによって、排気ガス流が、入口からチャネルに入り、その後チャネルを貫流して、出口につながる異なるチャネルからフィルタを出ることが可能になる。排気ガス流内の粒子は、ゆえに、フィルタに捕捉される。

触媒／吸着体は、ウォッシュコート法等の任意の既知の手段によって、フロースルー又はフィルタ基材に添加され得る。

還元剤／尿素インジェクタ
システムは、ＳＣＲ及び／又はＳＣＲＦ触媒の上流の排気システムに窒素還元剤を導入するための手段を備え得る。排気システム中へ窒素還元剤を導入するための手段はＳＣＲ又はＳＣＲＦ触媒のすぐ上流にある（例えば、窒素還元剤を導入するための手段とＳＣＲ又はＳＣＲＦ触媒との間に介在する触媒は存在しない）ことが好ましい場合がある。

還元剤は、排気ガスの中へ還元剤を導入するための、いずれかの好適な手段によって、流れている排気ガスに加えられる。適切な手段には、インジェクタ、噴霧器、又は供給装置が含まれる。そのような手段は当該技術分野でよく知られている。

システムにおける使用のための窒素還元剤は、尿素、炭酸アンモニウム、カルバミン酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、及びギ酸アンモニウムからなる群より選択されるアンモニア自体、ヒドラジン、又はアンモニア前駆体であり得る。尿素が特に好ましい。

排気システムはまた、その中のＮＯｘを還元するための、排気ガスの中への還元剤の導入を制御する手段も備えうる。好ましい制御手段は、電子制御装置、任意選択的にエンジン制御装置を含み、ＮＯ還元触媒の下流に位置するＮＯｘセンサを更に備え得る。

有益性
本発明の触媒物品は、ＰＮＡを含まないこと以外は一般的に同等である触媒物品と比較して、利点を含む多くの有益性を提供し得る。本発明の触媒物品は、排気システム内のＥＧＲ回路の削減又は除去を可能することができ、これは、燃費及び出力の改善、並びに炭化水素及び粒子状物質の排出の低下において有益であり得る。さらに、本発明の触媒物品は、触媒物品がエンジン後の近位連結位置に置かれているとき、ＳＣＲ触媒と比較して同等又は同等に近いＮＯ変換を提供し得る。触媒物品は、ＮＨ_３下噴射中、ＳＣＲ触媒と比較して、同等又は同等に近いＮ_２Ｏ形成を提供し得る。本発明の触媒物品は、ＮＨ_３上噴射中、著しく削減されたＮ_２Ｏ形成を提供し得る。本発明の触媒物品は、尿素下噴射条件下でＳＣＲ／ＤＯＣ触媒として機能すると言われることがあるが、余分なＮＨ_３が存在するとき、高いＮＨ_３選択性を有するＳＣＲ／ＡＳＣ／ＤＯＣとして機能する。本発明の触媒物品は、単一ブロック中でＳＣＲ／ＡＳＣ／ＤＯＣ機能性を達成することができ、これは空間が限定されているときに特に望ましい。加えて、触媒物品は、エンジンの熱スウィングに対する高速応答を提供する可能性があり、これは、コールドスタート期間中のＮＯｘ変換に有益であり得る。触媒物品は、尿素噴射温度に到達する前にＮＯｘ貯蔵を提供し、追加のコールドスタートＮＯｘ制御を提供し得る。いくつかの実施態様では、触媒物品は、コールドスタート中にＨＣ貯蔵を提供し得る。

どちらもモレキュラーシーブ上の白金族金属及び卑金属を含むＰＮＡを含む触媒物品は、上記の他にもさらなる有益性を提供し得る。そのような触媒では、ＳＣＲ及びＰＮＡの機能性は、同じモレキュラーシーブに組み合わされ、それによりウォッシュコートローディング及び背圧を減少させ得る。そのような触媒は、炭化水素ＳＣＲ活性を提供し、ＰＮＡ成分とＳＣＲ成分との間の温度差を最小化し得る。

いくつかの実施態様では、近位連結触媒の高速ウォームアップにより、ＰＮＡ成分のＮＯｘ貯蔵容量は、エンジン→ＰＮＡ／ＤＯＣ→フィルタ→ＳＣＲ／ＡＳＣを有する構成よりもはるかに低い可能性がある。いくつかの実施態様では、同一のブリックでＮＯｘの放出及び変換が生じるため、ＰＮＡ成分のＮＯｘ放出温度は、エンジン→ＰＮＡ／ＤＯＣ→フィルタ→ＳＣＲ／ＡＳＣを有する構成よりもはるかに低い可能性がある。

いくつかの実施態様では、アンモニア：ＮＯｘ比が≧１であるとき、且つ触媒物品に入る排気流の温度が≦１８０℃であるとき、第１のブロックとして本発明の触媒を有するシステムで最適な利点が得られる。これらの条件中、すなわちコールドスタート期間中、下流ＳＣＲ／ＡＳＣは冷たすぎて活性にならない可能性がある。触媒物品に入る排気流が≧１８０℃であるようにシステムがウォームアップすると、アンモニア：ＮＯｘ比は＞０．５であるのが最適であり、触媒が最小量のＮ２Ｏ生成で最大量のＮＯｘを変換するのを可能にする。高アンモニア：ＮＯｘ比のコールドスタート期間及び一時的なＮＨ_３スリップ事象中、本発明の触媒物品は、別個／追加のＡＳＣ成分を用いずに、余分なＮＨ_３をＮ_２に選択的に酸化することができる。

本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用される場合、単数形「ある（ａ）」、「ある（ａｎ）」及び「その（ｔｈｅ）」は、文脈に相反することが明記されていない限り、複数の指示対象を含む。したがって、例えば「触媒（ａ ｃａｔａｌｙｓｔ）」についての言及は、２つ以上の触媒の混合物などを含む。

「アンモニアスリップ」という用語は、ＳＣＲ触媒を通過する未反応アンモニアの量を意味する。

用語「担体」とは、触媒が固定されている材料を意味する。

用語「か焼する」又は「か焼」とは、空気中又は酸素中で材料を加熱することを意味する。この定義は、ＩＵＰＡＣのか焼の定義と一致するものである。（IUPAC. Compendium of Chemical Terminoology, 2nd ed. (the 「Gold Book」). Compiled by A. D. McNaught and A. Wilkinson. Blackwell Scientific Publications, Oxford (1997)．ＸＭＬオンライン修正バージョン：http://goldbook.iupac. org(2006-)、創作者M. Nic、J. Jirat、B. Kosata；改訂者A. Jenkins. ISBN 0-9678550-9-8. doi:10.1351/ goldbook.）金属塩を分解し、触媒内の金属イオンの交換を促進し、触媒を基材に接着させるために、か焼が行われる。か焼に用いられる温度は、か焼される材料中の成分に応じて決まり、一般に、約４００℃から約９００℃の間でおよそ１から８時間の間である。いくつかの事例では、か焼は約１２００℃までの温度で行われうる。本明細書に記載の方法を含む用途では、か焼は、一般に、約４００℃から約７００℃の温度でおよそ１から８時間の間、好ましくは約４００℃から約６５０℃の温度でおよそ１から４時間の間、行われる。

さまざまな数値要素の１つ又は複数の範囲が提供される場合、その一つ又は複数の範囲は、別記されない限り、その値を含めることができる。

用語「Ｎ_２選択性」は、アンモニアの窒素への変換率を意味する。

「ディーゼル酸化触媒」（ＤＯＣ）、「ディーゼル発熱触媒」（ＤＥＣ）、「ＮＯｘ吸収体」、「ＳＣＲ／ＰＮＡ」（選択的触媒還元／受動的ＮＯｘ吸着体）、コールドスタート触媒」（ＣＳＣ）、及び「三元触媒」（ＴＷＣ）という用語は、燃焼プロセスからの排気ガスを処理するために使用されるさまざまなタイプの触媒を記載するために使用される、当該技術分野において周知の用語である。

用語「白金族金属」又は「ＰＧＭ」は、白金、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミウム、及びイリジウムを指す。白金族金属は好ましくは、白金、パラジウム、ルテニウム又はロジウムである。

用語「下流」及び「上流」は、排気ガスの流れが基材又は物品の入口端から出口端に向かう触媒又は基材の配向を表す。

以下の実施例は本発明の単なる例示であり、当業者は本発明の精神及び特許請求の範囲内にある多くのバリエーションを認識するであろう。

実施例１
ゼオライト上３．３％Ｃｕを有する、標準的なＳＣＲ触媒を調製した。ゼオライト上２％Ｐｄ／２％Ｃｕを有するＰＮＡ－ＳＣＲ－ＡＳＣ触媒も調製した。各触媒のＮＯｘ貯蔵を以下の条件下で測定した：１６７ｐｐｍのＣ_３Ｈ_６（Ｃ１＝５００ｐｐｍ）、２００ｐｐｍのＮＯ及び２００ｐｐｍのＣＯ、５％のＨ_２Ｏ、５％のＣＯ_２、及び１０％のＨ_２Ｏ下、１５０℃で５分間。結果は図４５に示されており、これは、ゼオライト上２％Ｐｄ／２％Ｃｕが著しく高いＮＯｘ貯蔵容量を提供することを実証している。反対に、標準的なＳＣＲ触媒は、ＮＯｘを全く吸着しない。

実施例２
ＡＳＣ最下層のＰｄＣｕゼオライトのＳＣＲの機能性は、主にＮＯ捕捉剤として使用され、ＮＨ_３酸化中のＮ_２Ｏ形成を減少させると考えられている。ＰｄＣｕゼオライト上に貯蔵されたＮＯｘは、放出中に最下層又は最上ＳＣＲ層のＰｄＣｕゼオライト上で変換することができる（ＮＨ_３注入が行われている場合）。

実施例１に記載の触媒を以下の条件下で調製及び試験した：１６７ｐｐｍのＣ_３Ｈ_６（Ｃ１＝５００ｐｐｍ）、２００ｐｐｍのＮＯ及び２００ｐｐｍのＣＯ、５％のＨ_２Ｏ、５％のＣＯ_２、及び１０％のＨ_２Ｏ下、１５０℃で５分間、その後、２００ｐｐｍのＮＨ_３を注入し（１８０℃から開始）、５００℃まで上昇させる。図４６に示すように、ＮＨ_３の注入は１８０℃で開始し、ＮＯｘの濃度は、標準的なＳＣＲ触媒（３．３％Ｃｕゼオライト）で大幅に減少し、２５０から４５０℃の間では、ほぼ１００％がＮ_２に変換し、３５０℃まででは、約６０％がＮＯｘに累積的に変換する。反対に、図４６ｂは、多量のＮＯｘが低温（１５０℃）でＰＮＡ－ＳＣＲ－ＡＳＣ触媒に吸収されることを示し、それにより、改善されたコールドスタート性能を実証している。続く温度上昇の段階中、ＮＨ_３の注入が行われているとき、温度が１８０℃に達する前に、貯蔵されたＮＯｘの特定の部分が放出され始める。２５０～３５０℃の間では最大のＮＯｘ変換が生じ、３５０℃まででは約３０％のＮＯｘが累積的に変換する。

次に、全体的なＮＯｘ変換を改善するために、２：１のＡＮＲ、１８０℃で、２倍の量のＮＨ_３をシステムに注入した。ＰＮＡ－ＳＣＲ－ＡＳＣ触媒を以下の条件下で試験した：１６７ｐｐｍのＣ_３Ｈ_６（Ｃ１＝５００ｐｐｍ）、２００ｐｐｍのＮＯ及び２００ｐｐｍのＣＯ、５％のＨ_２Ｏ、５％のＣＯ_２、及び１０％のＨ_２Ｏ下、１５０℃で５分間、その後、４００ｐｐｍのＮＨ_３を注入し（１８０℃から開始）、５００℃まで上昇させる。結果を図４７に示す。３５０℃までの累積ＮＯｘ変換率は４４％に改善されるが、より多くのＮ_２Ｏが生成され、ＮＨ_３スリップはより高くなる。

さらに、最下層のＰｄは、ＡＳＣ成分のＨＣ／ＣＯ変換を改善し、ＤＯＣ触媒のＰＧＭローディング又はサイズ要件を低減する。

Claims (24)

1. 入口側及び出口側を含む基材、第１のゾーン並びに第２のゾーンを含む触媒物品であって、
   第１のゾーンが、
   どちらもモレキュラーシーブ上の白金族金属及び卑金属を含む受動的ＮＯｘ吸着体（ＰＮＡ）及び
   担体上の白金族金属を含む酸化触媒と第１のＳＣＲ触媒とを含むアンモニアスリップ触媒（ＡＳＣ）
   を含み、
   第２のゾーンが、ディーゼル酸化触媒（ＤＯＣ）及びディーゼル発熱触媒（ＤＥＣ）からなる群より選択される触媒を含み、
   第１のゾーンが第２のゾーンの上流に位置し、且つ
   第１のゾーンが、
   ａ．（１）酸化触媒と（２）第１のＳＣＲ触媒とのブレンドを含む下層；及び
   ｂ．下層より上に位置する、第２のＳＣＲ触媒を含む最上層
   を含み、
   下層が更にＰＮＡを含む、
   触媒物品。
2. 担体がケイ質材料を含む、請求項１に記載の触媒物品。
3. ケイ質材料が、（１）シリカ、及び（２）２００より高いシリカ対アルミナ比を有するゼオライトからなる群より選択される材料を含む、請求項２に記載の触媒物品。
4. 酸化触媒白金族金属が、酸化触媒白金族金属及び担体の総重量の約０．５ｗｔ％から約１０ｗｔ％の量で担体上に存在する、請求項１に記載の触媒物品。
5. 酸化触媒白金族金属が、白金、パラジウム又は白金とパラジウムとの組み合わせを含む、請求項１に記載の触媒物品。
6. ブレンド内で、第１のＳＣＲ触媒の、担体上の白金族金属に対する重量比が約１０：１から約５０：１である、請求項１に記載の触媒物品。
7. 第１のＳＣＲ触媒が、銅、鉄、マンガン、パラジウム又はこれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の触媒物品。
8. 第２のＳＣＲ触媒が、銅、鉄、マンガン、パラジウム又はこれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の触媒物品。
9. 第１のＳＣＲ触媒とＰＮＡが５：１から１：５の比で存在する、請求項１に記載の触媒物品。
10. ＰＮＡが、白金、パラジウム又はこれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の触媒物品。
11. ＰＮＡ卑金属が、銅、鉄又はこれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の触媒物品。
12. ＰＮＡが、どちらもモレキュラーシーブ上のパラジウム及び銅を含む、請求項１に記載の触媒物品。
13. ＰＮＡが、どちらもモレキュラーシーブ上のパラジウム及び鉄を含む、請求項１に記載の触媒物品。
14. 下層がＰＮＡを含むセクション（「ＰＮＡセクション」）を含み、ＰＮＡセクションがブレンドの上流に位置している、請求項１に記載の触媒物品。
15. ブレンドがＰＮＡをさらに含む、請求項１に記載の触媒物品。
16. 下層がＰＮＡ及び第３のＳＣＲ触媒を含むセクション（「ＰＮＡ／ＳＣＲセクション」）を含む、請求項１に記載の触媒物品。
17. 下層がＰＮＡ／ＳＣＲセクション及びブレンドを含み、ＰＮＡ／ＳＣＲセクションがブレンドの上流に位置している、請求項１６に記載の触媒物品。
18. 下層がＰＮＡ／ＳＣＲセクション及びブレンドを含み、ブレンドがＰＮＡ／ＳＣＲセクションの最上部に位置している、請求項１６に記載の触媒物品。
19. 入口側及び出口側を含む基材、第１のゾーン並びに第２のゾーンを含む触媒物品であって、
    第１のゾーンが、
    どちらもモレキュラーシーブ上の白金族金属及び卑金属を含む受動的ＮＯｘ吸着体（ＰＮＡ）及び
    担体上の白金族金属を含む酸化触媒と第１のＳＣＲ触媒とを含むアンモニアスリップ触媒（ＡＳＣ）
    を含み、
    第２のゾーンが、ディーゼル酸化触媒（ＤＯＣ）及びディーゼル発熱触媒（ＤＥＣ）からなる群より選択される触媒を含み、
    第１のゾーンが第２のゾーンの上流に位置し、且つ
    第１のゾーンが、
    ａ．（１）酸化触媒と（２）第１のＳＣＲ触媒とのブレンドを含む下層；及び
    ｂ．下層より上に位置する、第２のＳＣＲ触媒を含む最上層
    を含み、
    下層が、ＰＮＡ及び第３のＳＣＲ触媒を含むセクション（「ＰＮＡ／ＳＣＲセクション」）並びにブレンドを含み、ＰＮＡ／ＳＣＲセクションがブレンドの最上部に位置している、触媒物品。
20. 第１のゾーン及び第２のゾーンが単一基材上に位置しており、第１のゾーンが基材の入口側に位置しており、第２のゾーンが基材の出口側に位置している、請求項１に記載の触媒物品。
21. 基材が第１の基材及び第２の基材を含み、第１のゾーンが第１の基材上に位置しており、第２のゾーンが第２の基材上に位置しており、第１の基材が第２の基材の上流に位置している、請求項１に記載の触媒物品。
22. 排気流からの排出を減少させる方法であって、
    排気流を請求項１に記載の触媒物品と接触させることを含む、
    方法。
23. 触媒物品に入る排気流の温度が≦１８０℃であるとき、排気流が≧１のアンモニア：ＮＯｘ比を含む、請求項２２に記載の方法。
24. 触媒物品に入る排気流の温度が≧１８０℃であるとき、排気流が＞０．５のアンモニア：ＮＯｘ比を含む、請求項２２に記載の方法。

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