JP7169207B2 - Quantum dot light-emitting device and display device - Google Patents
Quantum dot light-emitting device and display device Download PDFInfo
- Publication number
- JP7169207B2 JP7169207B2 JP2019011369A JP2019011369A JP7169207B2 JP 7169207 B2 JP7169207 B2 JP 7169207B2 JP 2019011369 A JP2019011369 A JP 2019011369A JP 2019011369 A JP2019011369 A JP 2019011369A JP 7169207 B2 JP7169207 B2 JP 7169207B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- injection layer
- quantum dot
- electron injection
- oxide
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims description 84
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 73
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 73
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 16
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 15
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 110
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 11
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 11
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 6
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 4
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 4
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 4
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 3
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 3
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 2
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 2
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPUSEOSICYGUEW-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxy-n-(4-methoxyphenyl)anilino)phenyl]-n,n-bis(4-methoxyphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 WPUSEOSICYGUEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXYUIABODWXVIK-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n,n-bis(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 YXYUIABODWXVIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100099988 Arabidopsis thaliana TPD1 gene Proteins 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 101100352918 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PTC1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100161168 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) TPD3 gene Proteins 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBDFECYVDQCSCN-UHFFFAOYSA-N n-(4-methoxyphenyl)-4-[4-(n-(4-methoxyphenyl)anilino)phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=CC=C1 BBDFECYVDQCSCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadecene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical class [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N oxorhenium Chemical compound [Re]=O DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- CASUWPDYGGAUQV-UHFFFAOYSA-M potassium;methanol;hydroxide Chemical compound [OH-].[K+].OC CASUWPDYGGAUQV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910003449 rhenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N tert-butyl-[(1r,3s,5z)-3-[tert-butyl(dimethyl)silyl]oxy-5-(2-diphenylphosphorylethylidene)-4-methylidenecyclohexyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C1[C@@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C[C@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C(=C)\C1=C/CP(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWTSXINFCUODBJ-UHFFFAOYSA-L zinc methanol diacetate Chemical compound [Zn++].CO.CC([O-])=O.CC([O-])=O VWTSXINFCUODBJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
本発明は、量子ドット発光素子及び表示装置に関するものである。 The present invention relates to a quantum dot light emitting device and a display device.
表示装置に求められる重要な特性の一つとして、色再現性がある。特に、２０１８年に放送が始まるスーパーハイビジョンの表色系は、自然界に実在するほぼすべての物体色及び既存表色システムの色域を包含することを目指しており、スーパーハイビジョンを表示する表示装置には、広い色域の色再現性が求められる。ここで、自発光型の表示装置の場合、青、緑、赤の各色の発光材料の色純度を高くする必要がある。 One of the important characteristics required for display devices is color reproducibility. In particular, the Super Hi-Vision color system, which will start broadcasting in 2018, aims to include almost all object colors that exist in nature and the color gamut of existing color systems. is required to have color reproducibility in a wide color gamut. Here, in the case of a self-luminous display device, it is necessary to increase the color purity of the luminescent materials of blue, green, and red.
近年、下記特許文献１や非特許文献１に開示されているように、半導体ナノ結晶からなる量子ドットを発光材料として用いた電界発光素子（量子ドット発光素子）が提案されている。量子ドットは、結晶粒径を変えることにより発光色を制御することができ、粒径分布を均一にすることにより発光スペクトルの半値幅を小さくすることができる。この特徴を生かして、量子ドットは、表示色域の広い表示装置用の発光材料として利用できる可能性がある。また、量子ドットを電界発光素子に応用する研究開発が行われており、量子ドットを用いた電界発光素子の中には、半値幅３０ｎｍ以下、外部量子効率で約１５％を実現した例も存在する（非特許文献２）。
In recent years, as disclosed in
上記の量子ドットを用いた電界発光素子の発光性能を高めるためには、量子ドットを電荷の輸送や注入を行うための各種材料と適切に組み合わせて素子化する必要がある。ここで、素子化にあたっては、量子ドットを含む発光層に対して、電荷を注入し易い材料を用いることが基本であるが、発光に寄与できない漏れ電流が増加してしまうと、発光効率の低下や不安定な動作につながる。 In order to improve the luminescence performance of the above-described electroluminescence device using quantum dots, it is necessary to appropriately combine the quantum dots with various materials for transporting or injecting electric charges to form a device. Here, in making the device, it is basic to use a material that easily injects electric charges into the light emitting layer containing the quantum dots. or unstable operation.
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、漏れ電流が小さく、素子特性に優れた量子ドット発光素子を提供することを課題とする。
また、本発明は、かかる量子ドット発光素子を具え、発光特性に優れた表示装置を提供することを更なる課題とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a quantum dot light-emitting device with small leakage current and excellent device characteristics.
Another object of the present invention is to provide a display device having such a quantum dot light-emitting element and having excellent light-emitting properties.
本発明者らは、量子ドット発光素子の漏れ電流を低減するために鋭意検討したところ、量子ドット発光素子の電子注入層に半絶縁性金属酸化物からなる層を積層することで、電圧印加時の漏れ電流を低減できることを見出し、本発明に到達したものである。
上記課題を解決する本発明の要旨構成は、以下の通りである。
The present inventors have made intensive studies to reduce the leakage current of the quantum dot light emitting device, and found that by stacking a layer made of a semi-insulating metal oxide on the electron injection layer of the quantum dot light emitting device, when a voltage is applied The inventors have arrived at the present invention by finding that the leakage current can be reduced.
The gist and configuration of the present invention for solving the above problems are as follows.
本発明の量子ドット発光素子は、陰極と、発光層と、陽極と、を具え、前記発光層が、量子ドットを含み、前記陰極と前記陽極との間に位置する量子ドット発光素子であって、
前記陰極と前記発光層と間に、前記陰極側から順に、更に、第１電子注入層と、第２電子注入層と、を具え、
前記第２電子注入層が、半絶縁性金属酸化物を含むことを特徴とする。
かかる本発明の量子ドット発光素子は、漏れ電流が抑制されており、素子特性に優れる。
The quantum dot light-emitting device of the present invention comprises a cathode, a light-emitting layer, and an anode, wherein the light-emitting layer contains quantum dots and is positioned between the cathode and the anode, ,
Between the cathode and the light-emitting layer, a first electron injection layer and a second electron injection layer are further provided in order from the cathode side,
The second electron injection layer is characterized by containing a semi-insulating metal oxide.
The quantum dot light-emitting device of the present invention has suppressed leakage current and excellent device characteristics.
本発明の量子ドット発光素子の好適例においては、前記第２電子注入層が、酸化ガリウム、酸化セリウム、酸化イットリウム、酸化インジウムからなる群から選択される少なくとも１種の半絶縁性金属酸化物を含み、前記第１電子注入層が、酸化亜鉛、酸化チタンからなる群から選択される少なくとも１種の金属酸化物を含む。この場合、量子ドット発光素子の漏れ電流が更に抑制され、素子特性が向上する。 In a preferred embodiment of the quantum dot light-emitting device of the present invention, the second electron injection layer contains at least one semi-insulating metal oxide selected from the group consisting of gallium oxide, cerium oxide, yttrium oxide, and indium oxide. and the first electron injection layer contains at least one metal oxide selected from the group consisting of zinc oxide and titanium oxide. In this case, leakage current of the quantum dot light-emitting device is further suppressed, and device characteristics are improved.
ここで、前記第２電子注入層が、酸化ガリウムを含み、前記第１電子注入層が、酸化亜鉛を含むことが好ましい。この場合、量子ドット発光素子の漏れ電流が更に抑制され、素子特性が更に向上する。 Here, it is preferable that the second electron injection layer contains gallium oxide and the first electron injection layer contains zinc oxide. In this case, the leakage current of the quantum dot light emitting device is further suppressed, and the device characteristics are further improved.
また、本発明の表示装置は、上記の量子ドット発光素子を具えることを特徴とする。かかる本発明の表示装置は、発光特性に優れる。 A display device of the present invention is characterized by comprising the quantum dot light-emitting device described above. Such a display device of the present invention is excellent in light emission characteristics.
本発明によれば、漏れ電流が小さく、素子特性に優れた量子ドット発光素子を提供することができる。
また、本発明によれば、かかる量子ドット発光素子を具え、発光特性に優れた表示装置を提供することができる。
According to the present invention, it is possible to provide a quantum dot light-emitting device with small leakage current and excellent device characteristics.
Further, according to the present invention, it is possible to provide a display device having such a quantum dot light-emitting element and having excellent light-emitting properties.
以下に、本発明の量子ドット発光素子及び表示装置を、その実施形態に基づき、詳細に例示説明する。 The quantum dot light-emitting device and the display device of the present invention will be illustrated and explained in detail below based on the embodiments thereof.
＜＜量子ドット発光素子＞＞
本発明の量子ドット発光素子は、陰極と、発光層と、陽極と、を具え、前記発光層が、量子ドットを含み、前記陰極と前記陽極との間に位置する量子ドット発光素子であって、前記陰極と前記発光層と間に、前記陰極側から順に、更に、第１電子注入層と、第２電子注入層と、を具え、前記第２電子注入層が、半絶縁性金属酸化物を含むことを特徴とする。
<< Quantum dot light emitting device >>
The quantum dot light-emitting device of the present invention comprises a cathode, a light-emitting layer, and an anode, wherein the light-emitting layer contains quantum dots and is positioned between the cathode and the anode, and a first electron injection layer and a second electron injection layer in order from the cathode side between the cathode and the light emitting layer, wherein the second electron injection layer comprises a semi-insulating metal oxide. characterized by comprising
本発明の量子ドット発光素子においては、第１電子注入層が、陰極からの電子注入を容易にし、例えば、素子の発光開始電圧の低減に寄与する。また、本発明の量子ドット発光素子においては、半絶縁性金属酸化物を含む第２電子注入層が、第１電子注入層から発光層へと電子を受け渡すと共に、発光層から流れ出る正孔電流をブロックする。そのため、本発明の量子ドット発光素子は、漏れ電流が抑制されており、素子特性にも優れる。 In the quantum dot light-emitting device of the present invention, the first electron injection layer facilitates electron injection from the cathode and contributes, for example, to a reduction in the emission start voltage of the device. Further, in the quantum dot light emitting device of the present invention, the second electron injection layer containing a semi-insulating metal oxide transfers electrons from the first electron injection layer to the light emitting layer, and the hole current flowing out from the light emitting layer to block Therefore, the quantum dot light-emitting device of the present invention has suppressed leakage current and excellent device characteristics.
次に、本発明の量子ドット発光素子の一態様を、図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、本発明の量子ドット発光素子の構造の一例を示した概略図である。図１に示す量子ドット発光素子１は、基板２上に、陰極３、第１電子注入層４、第２電子注入層５、発光層６、正孔輸送層７、正孔注入層８及び陽極９を、この順に積層した構成を有する。なお、図１に示す量子ドット発光素子１は、下部に配置した陰極３側より電子を注入し、上部に配置した陽極９より正孔を注入する構成となっているが、本発明の量子ドット発光素子は、これに限定されるものではなく、上下を逆転した構造であってもよい。
Next, one aspect of the quantum dot light-emitting device of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the structure of the quantum dot light emitting device of the present invention. Quantum dot light-
＜基板＞
前記基板２は、当該基板２側より光を取り出すボトムエミッション型素子の場合は、透明な材料からなることが好ましい。かかる透明な材料としては、ガラス、プラスチックフィルム等を例示することができる。ここで、プラスチックフィルムの材質としては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレート等が挙げられる。
一方、上部電極側から光を取り出すトップエミッション型素子の場合には、基板２の材料は、必ずしも透明な材料である必要はない。基板２として、不透明基板を用いる場合、該不透明基板としては、例えば、着色したプラスチックフィルム基板、アルミナのようなセラミックス材料からなる基板、ステンレス鋼のような金属板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成した基板等が挙げられる。
また、基板２として、例えば、プラスチックフィルム等の可撓性基板を用い、その上に量子ドット発光素子を形成した場合には、画像表示部を容易に変形することのできるフレキシブル量子ドット発光素子とすることができる。
前記基板２の平均厚さは、特に限定されるものではないが、０．０１～３０ｍｍが好ましく、０．０１～１０ｍｍがより好ましい。
<Substrate>
The
On the other hand, in the case of a top emission type device in which light is extracted from the upper electrode side, the material of the
Further, for example, when a flexible substrate such as a plastic film is used as the
The average thickness of the
＜陰極＞
前記陰極３は、基板２側より光を取り出すボトムエミッション型素子の場合は、透明で導電性の高い材料からなることが好ましい。陰極３としては、例えば、インジウム－錫－酸化物（ＩＴＯ）、インジウム－亜鉛－酸化物（ＩＺＯ）等の導電性透明酸化物を用いることができる。
一方、上部電極側から光を取り出すトップエミッション型素子の場合には、陰極３の材料は、必ずしも透明な材料である必要はないため、陰極３として、金属電極を用いてもよい。該金属電極に用いる金属としては、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等が挙げられる。
前記陰極３の平均厚さは、特に限定されるものではないが、１０～５００ｎｍが好ましく、５０～２００ｎｍが更に好ましい。
<Cathode>
The
On the other hand, in the case of a top emission type device in which light is extracted from the upper electrode side, the material of the
The average thickness of the
＜第１電子注入層＞
前記第１電子注入層４は、陰極３からの電子注入を容易にする目的で用いる。該第１電子注入層４の材料としては、無機材料、或いは電子注入性の低分子材料又は高分子材料からなる有機材料を用いることができる。なお、第１電子注入層４は、後述する第２電子注入層５とは異なる材料を含むことが好ましい。第１電子注入層４の材料として、より具体的には、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化タングステン（ＷＯ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ3）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）等の金属酸化物が好ましく、これらの中でも、電子注入性の観点から、酸化亜鉛、酸化チタンが更に好ましく、酸化亜鉛が特に好ましい。
<First electron injection layer>
The first
第１電子注入層４の形成には、ナノ粒子を用いることが好ましい。該ナノ粒子の粒径は、１ｎｍ～１００ｎｍが好ましく、１ｎｍ～１０ｎｍが更に好ましく、１ｎｍ～５ｎｍがより一層好ましい。好ましくは、酸化亜鉛ナノ粒子等の金属酸化物のナノ粒子をスピンコート法によって成膜した薄膜を、第１電子注入層４として用いることができる。
前記第１電子注入層４の平均厚さは、特に限定されるものではないが、５～２００ｎｍが好ましく、１０～１００ｎｍが更に好ましい。
Nanoparticles are preferably used to form the first
Although the average thickness of the first
＜第２電子注入層＞
前記第２電子注入層５は、半絶縁性金属酸化物を含む。該第２電子注入層５は、第１電子注入層４から発光層６へと電子を受け渡し、さらに発光層６から流れ出る正孔電流をブロックする目的で用いる。第２電子注入層５の材料としては、大きなバンドギャップを有する材料が適しており、本発明においては、半絶縁性金属酸化物が用いられる。
<Second electron injection layer>
The second
第２電子注入層５に用いる半絶縁性金属酸化物としては、ｎ型半導体として機能するものが好ましく、例えば、酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）、酸化セリウム（ＣｅＯ2）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）等が好ましく、これらの中でも、漏れ電流を抑制する効果の観点から、酸化ガリウムが特に好ましい。好ましくは、酸化ガリウム等の半絶縁性金属酸化物をスパッタリング法によって成膜した薄膜を、第２電子注入層５として用いることができる。
前記第２電子注入層５の平均厚さは、特に限定されるものではないが、５～２００ｎｍが好ましく、１０～１００ｎｍが更に好ましい。
As the semi - insulating metal oxide used for the second electron injection layer 5 , one that functions as an n - type semiconductor is preferable. O 3 ), indium oxide (In 2 O 3 ) and the like are preferred, and among these, gallium oxide is particularly preferred from the viewpoint of the effect of suppressing leakage current. Preferably, a thin film formed by sputtering a semi-insulating metal oxide such as gallium oxide can be used as the second
The average thickness of the second
＜発光層＞
前記発光層６は、量子ドットを含む。該発光層６では、陽極９から注入された正孔と陰極３から注入された電子とが再結合し、量子ドットからの発光が得られる。発光層６の発光色は、発光層６に含まれる量子ドットの結晶粒径や種類（材質）によって変化させることができる。ここで、量子ドットの結晶粒径は、所望の発光色に応じて選択でき、例えば、１～１０ｎｍが好ましい。該量子ドットは、半導体微粒子からなるコアと呼ばれる中心部分と、コアの表面（又は後述するシェルの表面）を覆うリガンドと呼ばれる有機物と、からなることが好ましい。
<Light emitting layer>
The light-emitting
前記量子ドットのコア部分を構成する半導体の例としては、ＩＩ－ＶＩ族の化合物、ＩＩ－Ｖ族の化合物、ＩＩＩ－ＶＩ族の化合物、ＩＩＩ－Ｖ族の化合物、ＩＶ－ＶＩ族の化合物、Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族の化合物、ＩＩ－ＩＶ－ＶＩ族の化合物、及びＩＩ－ＩＶ－Ｖ族の化合物、例えば、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＣｕＩｎＳ等が挙げられる。これらの中でも、量子ドットのコアとしては、合成の容易さ、所望の波長の発光を得るための粒径及び／又は粒径分布の制御のし易さ、発光の量子効率の観点から、ＣｄＳｅ、ＩｎＰが好ましい。 Examples of the semiconductor constituting the core portion of the quantum dot include II-VI group compounds, II-V group compounds, III-VI group compounds, III-V group compounds, IV-VI group compounds, compounds of groups I-III-VI, compounds of groups II-IV-VI, and compounds of groups II-IV-V, such as ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, InN, InP, InAs, InSb, CuInS etc. are mentioned. Among these, as the core of the quantum dot, from the viewpoint of ease of synthesis, ease of control of particle size and / or particle size distribution for obtaining light emission of a desired wavelength, quantum efficiency of light emission, CdSe, InP is preferred.
前記量子ドットは、コアの周りを取り囲むようにシェルと呼ばれる一層または複数層の半導体層を有してもよい。ここで、シェル部分を構成する半導体も、コア部分を構成する半導体と同様の組成の半導体を用いることができる。量子ドットのシェルは、被覆するコアに用いられる半導体に応じて選択することが好ましく、シェルとしては、コアよりも大きなバンドギャップを有する半導体を用いることが好ましい。この場合、コアの励起エネルギーが、シェルによって効率よくコア内に閉じ込められる。具体的には、例えば、コアがＣｄＳｅ、ＩｎＰからなる場合、シェルには、より大きなバンドギャップを有するＺｎＳを用いることが好ましい。 The quantum dots may have one or more semiconductor layers called shells surrounding the core. Here, for the semiconductor forming the shell portion, a semiconductor having the same composition as the semiconductor forming the core portion can be used. The quantum dot shell is preferably selected according to the semiconductor used for the core to be coated, and the shell is preferably made of a semiconductor having a bandgap larger than that of the core. In this case, the excitation energy of the core is efficiently confined within the core by the shell. Specifically, for example, when the core is made of CdSe or InP, it is preferable to use ZnS, which has a larger bandgap, for the shell.
前記量子ドットにおいては、半導体表面を安定化すると共に、半導体微粒子の凝集を抑制するため、半導体微粒子表面をリガンドとよばれる有機配位子によりキャッピングを行うことが好ましい。キャッピングするためのリガンド部分に親油性の長鎖アルキル基等が含まれると有機溶剤に対しての溶解性が向上し、量子ドットを有機溶媒に溶解させた量子ドット溶液を調製することができる。前記リガンド（有機配位子）としては、炭化水素基の結合したアミン、炭化水素基の結合したカルボン酸、炭化水素基の結合したホスフィン、炭化水素基の結合した酸化ホスフィン、炭化水素基の結合したチオール等が挙げられる。前記炭化水素基は、親油性の鎖状炭化水素基であることが好ましい。親油性の鎖状炭化水素基の結合したアミンとしては、ヘキサデシルアミン、オレイルアミン等が挙げられる。親油性の鎖状炭化水素基の結合したカルボン酸としては、オレイン酸等が挙げられる。親油性の鎖状炭化水素基の結合したホスフィンとしては、トリオクチルホスフィン等が挙げられる。親油性の鎖状炭化水素基の結合した酸化ホスフィンとしては、トリ－ｎ－オクチルホスフィンオキシド等が挙げられる。親油性の鎖状炭化水素基の結合したチオールとしては、ドデカンチオール等が挙げられる。 In the quantum dots, it is preferable to cap the surface of the semiconductor fine particles with an organic ligand called a ligand in order to stabilize the semiconductor surface and suppress aggregation of the semiconductor fine particles. If the ligand portion for capping contains a lipophilic long-chain alkyl group or the like, the solubility in organic solvents is improved, and a quantum dot solution can be prepared by dissolving quantum dots in an organic solvent. Examples of the ligand (organic ligand) include a hydrocarbon group-bonded amine, a hydrocarbon group-bonded carboxylic acid, a hydrocarbon group-bonded phosphine, a hydrocarbon group-bonded phosphine oxide, and a hydrocarbon group bond. thiol and the like. The hydrocarbon group is preferably a lipophilic chain hydrocarbon group. Hexadecylamine, oleylamine, etc. are mentioned as an amine with which the lipophilic chain|strand-shaped hydrocarbon group couple|bonded. Examples of carboxylic acids to which lipophilic chain hydrocarbon groups are bonded include oleic acid and the like. Examples of phosphines to which lipophilic chain hydrocarbon groups are bonded include trioctylphosphine and the like. Phosphine oxides to which lipophilic chain hydrocarbon groups are bonded include tri-n-octylphosphine oxide and the like. The thiol to which a lipophilic chain hydrocarbon group is bound includes dodecanethiol and the like.
図２に、本発明の量子ドット発光素子に好適に用いることができる量子ドットの構造の一例を示す。図２に示す量子ドット１０は、コア１１と、コア１１の周りを取り囲むシェル１２と、シェル１２の表面を覆うリガンド１３と、を具える。該量子ドット１０は、化学的安定性が高く、凝集が生じ難い。また、該量子ドット１０は、溶液として調製し易く、スピンコート法等によって成膜し易いという利点がある。
FIG. 2 shows an example of the structure of quantum dots that can be suitably used in the quantum dot light-emitting device of the present invention.
前記発光層６の平均厚さは、特に限定されるものではないが、５～２００ｎｍが好ましく、１０～１００ｎｍが更に好ましい。
The average thickness of the light-emitting
＜正孔輸送層＞
前記正孔輸送層７は、陽極９から注入した正孔を量子ドット発光層６まで輸送するために用いる。正孔輸送層７を構成する材料としては、正孔輸送性の無機材料あるいは有機材料を用いることができる。正孔輸送層７を構成する材料は、好ましくは正孔輸送性の有機材料であり、例えば、４，４’，４”－トリス（カルバゾール－９－イル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、４，４’－ビス（カルバゾール－９－イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、４，４’，４”－トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラフェニル－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン（ＴＰＤ１）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（４－メトキシフェニル）－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン（ＴＰＤ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メトキシフェニル）－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン（ＴＰＤ３）、Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン（α－ＮＰＤ）、４，４’，４”－トリス（Ｎ－３－メチルフェニル－Ｎ－フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。これらの中でも、正孔輸送性の観点から、４，４’，４”－トリス（カルバゾール－９－イル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）が好ましい。
前記正孔輸送層７の平均厚さは、特に限定されるものではないが、１０～５００ｎｍであることが好ましく、２０～１００ｎｍが更に好ましい。
<Hole transport layer>
The
Although the average thickness of the
＜正孔注入層＞
前記正孔注入層８は、陽極９からの正孔注入を容易にするために形成する。正孔注入層８には、有機材料、無機材料いずれも用いることができる。正孔注入層８に用いる代表的な材料としては、三酸化モリブデン（ＭｏＯ3）、酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ5）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化レニウム、酸化タングステン、酸化マンガン等の金属酸化物が挙げられる。また、正孔注入層８に用いる有機材料としては、１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）、２，３，５，６－テトラフルオロ－７，７，８，８－テトラシアノ－キノジメタン（Ｆ４－ＴＣＮＱ）、ヘキサフルオロテトラシアノナフトキノジメタン（Ｆ６－ＴＮＡＰ）等が挙げられる。正孔注入層８には、これらの１種又は２種以上を用いることができる。これらの中でも、正孔注入層８に用いる材料としては、正孔注入性の観点から、三酸化モリブデンが好ましい。
前記正孔注入層８の平均厚さは、特に限定されるものではないが、１～５００ｎｍが好ましく、３～５０ｎｍが更に好ましい。
<Hole injection layer>
The
The average thickness of the
＜陽極＞
前記陽極９の材料としては、仕事関数が比較的大きい金属が好ましい。仕事関数の大きい金属を用いることにより、陽極から有機層への正孔注入障壁を低くすることができ、正孔を注入させ易くすることができる。陽極９に用いる金属としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、陽極９に透明な材料を用いると、上部電極から光を取り出すトップエミッション型素子とすることができる。
前記陽極９の平均厚さは、特に限定されるものではないが、１０～５００ｎｍが好ましく、３０～１５０ｎｍが更に好ましい。
<Anode>
As a material for the
Although the average thickness of the
上述した第１電子注入層４、第２電子注入層５、発光層６、正孔輸送層７、正孔注入層８は、それぞれ１層ずつでもよいし、それぞれの層が複数の役割を受け持つ構造となっていてもよい。また、第２電子注入層５と、発光層６との間に、電子輸送層が存在していてもよい。また、例えば、一つの層で、正孔注入層と正孔輸送層を兼用したりすることも可能である。
Each of the first
＜各層の形成方法＞
前記陰極３、第１電子注入層４、第２電子注入層５、電子輸送層、発光層６、正孔輸送層７、正孔注入層８、陽極９の形成方法は、特に限定されるものではなく、真空蒸着法、電子ビーム法、スパッタリング法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等の方法を用いることができる。また、これらの方法を用いて、前記陰極３、第１電子注入層４、第２電子注入層５、電子輸送層、発光層６、正孔輸送層７、正孔注入層８、陽極９の厚さを、目的に応じて適宜調整することができる。また、これらの方法は、各層の材料の特性に応じて選択するのが好ましく、層ごとに作製方法が異なっていてもよい。
以上により、図１に示される量子ドット発光素子１が完成する。
<Method of Forming Each Layer>
The method of forming the
As described above, the quantum dot light-emitting
＜＜表示装置＞＞
本発明の表示装置は、上述の量子ドット発光素子を具えることを特徴とする。本発明の表示装置は、上述した漏れ電流が小さく、素子特性に優れた量子ドット発光素子を具えるため、発光特性に優れる。本発明の表示装置は、上述した量子ドット発光素子の他に、表示装置に一般に用いられる他の部品を具えることができる。
<<Display Device>>
A display device of the present invention is characterized by comprising the quantum dot light-emitting device described above. Since the display device of the present invention includes the above-described quantum dot light-emitting device with small leakage current and excellent device characteristics, it has excellent light-emitting characteristics. In addition to the quantum dot light emitting device described above, the display device of the present invention can comprise other components commonly used in display devices.
以下に、実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明は下記の実施例に何ら限定されるものではない。 EXAMPLES The present invention will be described in more detail below with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples.
（実施例１）
＜量子ドットの合成＞
Ｊ．カクら（Ｊ．Ｋｗａｋ ｅｔ ａｌ．），ナノ・レターズ（Ｎａｎｏ Ｌｅｔｔｅｒｓ），１２，２３６２－２３６６（２０１２）に開示されている方法に従って、緑色発光を示す量子ドットＣｄＳｅ／ＺｎＳ（コア／シェル型の量子ドット）を合成した。具体的な合成方法を以下に示す。
０．２５７ｇの酸化カドミウム、７．３４ｇの酢酸亜鉛、３０．１３ｇのオレイン酸、１５０ｍｌのオクタデセンをフラスコに投入した。減圧下、１５０℃で３０分加熱後、アルゴンにてリークし、アルゴンフロー下で２８０℃まで昇温した（溶液１）。０．０７９ｇのセレン、１．１２２ｇの硫黄を２０ｍｌのトリオクチルホスフィンに溶解させた溶液を用意し、溶液１に投入した。２８０℃で１０分間混合した後、室温まで冷やした（溶液２）。この溶液２にエタノールを加えて、析出物を遠心分離で回収した。回収物をトルエンに分散させて、濃度を１０ｍｇ／ｍｌとなるように調整した。
(Example 1)
<Synthesis of quantum dots>
J. Quantum dots CdSe/ZnS exhibiting green emission (core/shell-type quantum dots) were synthesized. A specific synthesis method is shown below.
A flask was charged with 0.257 g of cadmium oxide, 7.34 g of zinc acetate, 30.13 g of oleic acid, and 150 ml of octadecene. After heating at 150° C. for 30 minutes under reduced pressure, argon leaked and the temperature was raised to 280° C. under argon flow (solution 1). A solution in which 0.079 g of selenium and 1.122 g of sulfur were dissolved in 20 ml of trioctylphosphine was prepared and added to the
＜酸化亜鉛ナノ粒子の合成＞
Ｊ．カクら（Ｊ．Ｋｗａｋ ｅｔ ａｌ．），ナノ・レターズ（Ｎａｎｏ Ｌｅｔｔｅｒｓ），１２，２３６２－２３６６（２０１２）に開示されている方法に従って、酸化亜鉛ナノ粒子を合成した。具体的な方法を以下に示す。
６．７ｍｍｏｌの酢酸亜鉛を５５ｍｌのメタノールに溶解させ、０．１２ｍｏｌ／ｌの溶液を得た。８．６ｍｍｏｌの水酸化カリウムを２５ｍｌのメタノールに溶解させ、０．３４ｍｏｌ／ｌの溶液を得た。窒素雰囲気下で、酢酸亜鉛メタノール溶液を６０℃に加熱し、撹拌しながら水酸化カリウムメタノール溶液を滴下し、２時間反応させると液は白濁状態となった。得られた白濁液から遠心分離により回収した酢酸亜鉛をメタノールで洗い、最終的にブタノールに再分散させて、１５ｍｇ／ｍｌの酸化亜鉛ナノ粒子ブタノール分散液を得た。
<Synthesis of zinc oxide nanoparticles>
J. Zinc oxide nanoparticles were synthesized according to the method disclosed in J. Kwak et al., Nano Letters, 12, 2362-2366 (2012). A specific method is shown below.
6.7mmol of zinc acetate was dissolved in 55ml of methanol to obtain a 0.12mol/l solution. 8.6 mmol of potassium hydroxide was dissolved in 25 ml of methanol to obtain a 0.34 mol/l solution. In a nitrogen atmosphere, the zinc acetate methanol solution was heated to 60° C., the potassium hydroxide methanol solution was added dropwise while stirring, and the solution became cloudy after reacting for 2 hours. Zinc acetate recovered from the resulting cloudy liquid by centrifugation was washed with methanol and finally redispersed in butanol to obtain a 15 mg/ml zinc oxide nanoparticle butanol dispersion.
＜量子ドット発光素子の作製＞
図１に示す構造の本発明に従う量子ドット発光素子を次のようにして作製した。
まず、ガラス基板にＩＴＯからなる透明電極（陰極、厚さ：１００ｎｍ）を形成し、これをライン状にパターニングした。
次に、電子注入層として前項にて合成した酸化亜鉛ナノ粒子と酸化ガリウムの積層膜を形成した。酸化亜鉛ナノ粒子は、スピンコート法によって成膜し、１３０℃で３０分間加熱した（第１電子注入層、厚さ：３０ｎｍ）。その後、酸化ガリウムをスパッタリング法により形成した。酸化ガリウム膜は、成膜時に酸素分圧を１．５×１０-2Ｐａとし、ＲＦパワー２００Ｗで成膜した（第２電子注入層、厚さ：２０ｎｍ）。
次に、前項にて合成した量子ドットＣｄＳｅ／ＺｎＳをスピンコート法によって成膜した（発光層、厚さ：２０ｎｍ）。窒素雰囲気下、１３０℃にて３０分間加熱した。
次に、基板を真空蒸着成膜装置に入れ、真空蒸着法によって、下記式（１）：
続いて、真空蒸着により、三酸化モリブデンからなる正孔注入層（厚さ：１０ｎｍ）、アルミニウムからなる電極（陽極、厚さ：７０ｎｍ）を成膜した。
なお、図１には示していないが、量子ドット発光素子は、窒素ガスで満たされたグローブボックス中で、封止用ガラスの周縁部に紫外線硬化樹脂を塗布した後、量子ドット発光素子を形成した前記基板の周縁部に貼り合せて、封止を行った。
<Production of quantum dot light-emitting device>
A quantum dot light-emitting device according to the present invention having the structure shown in FIG. 1 was produced as follows.
First, a transparent electrode (cathode, thickness: 100 nm) made of ITO was formed on a glass substrate and patterned in a line.
Next, a laminated film of zinc oxide nanoparticles synthesized in the previous section and gallium oxide was formed as an electron injection layer. Zinc oxide nanoparticles were deposited by spin coating and heated at 130° C. for 30 minutes (first electron injection layer, thickness: 30 nm). After that, gallium oxide was formed by a sputtering method. The gallium oxide film was formed with an oxygen partial pressure of 1.5×10 −2 Pa and an RF power of 200 W (second electron injection layer, thickness: 20 nm).
Next, the quantum dots CdSe/ZnS synthesized in the previous section were deposited by spin coating (light-emitting layer, thickness: 20 nm). Heated at 130° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere.
Next, the substrate is placed in a vacuum vapor deposition film forming apparatus, and the following formula (1) is applied by a vacuum vapor deposition method:
Subsequently, a hole injection layer (thickness: 10 nm) made of molybdenum trioxide and an electrode (anode, thickness: 70 nm) made of aluminum were formed by vacuum deposition.
Although not shown in FIG. 1, the quantum dot light emitting element is formed by applying an ultraviolet curable resin to the peripheral edge of the sealing glass in a glove box filled with nitrogen gas, and then forming the quantum dot light emitting element. It was sealed by bonding to the periphery of the substrate.
（比較例１）
上記実施例１と同様に量子ドットＣｄＳｅ／ＺｎＳ、酸化亜鉛ナノ粒子の合成を実施した。これらの材料を用いて実施例１と同様に発光素子を作製した。このときに、電子注入層に酸化ガリウムからなる層を形成せず、酸化亜鉛ナノ粒子のみの電子注入層とした。
(Comparative example 1)
Quantum dots CdSe/ZnS and zinc oxide nanoparticles were synthesized in the same manner as in Example 1 above. A light-emitting device was fabricated in the same manner as in Example 1 using these materials. At this time, the electron injection layer was made of only zinc oxide nanoparticles without forming a layer made of gallium oxide on the electron injection layer.
（比較例２）
上記実施例１と同様に量子ドットＣｄＳｅ／ＺｎＳの合成を実施した。該材料を用いて実施例１と同様に発光素子を作製した。このときに、電子注入層には酸化亜鉛ナノ粒子からなる層を形成せず、酸化ガリウムのみの電子注入層とした。
(Comparative example 2)
Quantum dots CdSe/ZnS were synthesized in the same manner as in Example 1 above. A light-emitting device was fabricated in the same manner as in Example 1 using the material. At this time, the electron injection layer was made of only gallium oxide without forming a layer of zinc oxide nanoparticles.
＜素子の評価＞
上記の実施例１、比較例１、比較例２の量子ドット発光素子のＩＴＯ電極側に負、アルミニウム電極側に正となるように電圧を印加すると、それぞれ発光が得られた。
実施例１、比較例１、比較例２の、それぞれの量子ドット発光素子の電圧－電流密度特性を図３に示す。また、各素子の２Ｖでの電流密度と発光開始電圧を表１に示す。
<Evaluation of element>
When a voltage was applied to the quantum dot light-emitting devices of Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2 so that the ITO electrode side was negative and the aluminum electrode side was positive, light emission was obtained.
FIG. 3 shows the voltage-current density characteristics of the quantum dot light-emitting devices of Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2, respectively. In addition, Table 1 shows the current density at 2V and the light emission start voltage of each device.
２Ｖ以下の領域で見られる漏れ電流には、各素子で差が見られた。実施例１の素子は、２Ｖでの電流密度が３．９×１０-4ｍＡ／ｃｍ2であり、漏れ電流を低く抑えることができている。それに対して、比較例１の素子は、２Ｖでの電流密度が１．３×１０-2ｍＡ／ｃｍ2となり、多くの電流が発光に寄与せずに流れてしまっている。一方、酸化ガリウムのみの電子注入層を有する比較例２の素子は、漏れ電流を極めて低く抑えることができているものの、発光開始電圧が大きくなってしまった。 There was a difference in the leakage current observed in the region of 2 V or less among the devices. The device of Example 1 has a current density of 3.9×10 −4 mA/cm 2 at 2 V, and the leakage current can be kept low. On the other hand, the device of Comparative Example 1 has a current density of 1.3×10 −2 mA/cm 2 at 2 V, and a large amount of current flows without contributing to light emission. On the other hand, the element of Comparative Example 2, which has an electron injection layer of only gallium oxide, was able to suppress the leakage current to an extremely low level, but the light emission start voltage increased.
次に、実施例１と比較例１－２の量子ドット発光素子の電流密度－外部量子効率特性を図４に示す。図４から、実施例１の素子は、比較例１の素子に比べて、低電流密度領域での外部量子効率が高いことが分かる。これは、酸化ガリウムが漏れ電流を抑えたことにより得られた効果である。 Next, FIG. 4 shows the current density-external quantum efficiency characteristics of the quantum dot light-emitting devices of Example 1 and Comparative Example 1-2. As can be seen from FIG. 4, the device of Example 1 has a higher external quantum efficiency than the device of Comparative Example 1 in the low current density region. This is an effect obtained by gallium oxide suppressing leakage current.
以上の結果から、酸化ガリウム等の半絶縁性金属酸化物を電子注入層に用いた、本発明に従う量子ドット発光素子が、漏れ電流を抑えて発光特性を改善できることが分かる。 From the above results, it can be seen that the quantum dot light-emitting device according to the present invention, in which a semi-insulating metal oxide such as gallium oxide is used for the electron injection layer, can suppress leakage current and improve light-emitting characteristics.
１：量子ドット発光素子
２：基板
３：陰極
４：第１電子注入層
５：第２電子注入層
６：発光層
７：正孔輸送層
８：正孔注入層
９：陽極
１０：量子ドット
１１：コア
１２：シェル
１３：リガンド
1: Quantum dot light emitting device 2: Substrate 3: Cathode 4: First electron injection layer 5: Second electron injection layer 6: Light emitting layer 7: Hole transport layer 8: Hole injection layer 9: Anode 10: Quantum dot 11 : core 12: shell 13: ligand
Claims (3)
前記陰極と前記発光層と間に、前記陰極側から順に、更に、第１電子注入層と、第２電子注入層と、を具え、
前記第２電子注入層が、酸化ガリウム、酸化セリウム、酸化イットリウム、酸化インジウムからなる群から選択される少なくとも１種の半絶縁性金属酸化物を含み、
前記第１電子注入層が、酸化亜鉛、酸化チタンからなる群から選択される少なくとも１種の金属酸化物を含むことを特徴とする、量子ドット発光素子。 A quantum dot light-emitting device comprising a cathode, a light-emitting layer, and an anode, wherein the light-emitting layer contains quantum dots and is located between the cathode and the anode,
Between the cathode and the light-emitting layer, a first electron injection layer and a second electron injection layer are further provided in order from the cathode side,
wherein the second electron injection layer contains at least one semi-insulating metal oxide selected from the group consisting of gallium oxide, cerium oxide, yttrium oxide, and indium oxide ;
A quantum dot light emitting device, wherein the first electron injection layer contains at least one metal oxide selected from the group consisting of zinc oxide and titanium oxide .
前記第１電子注入層が、酸化亜鉛を含む、請求項１に記載の量子ドット発光素子。 wherein the second electron injection layer contains gallium oxide;
The quantum dot light emitting device according to claim 1 , wherein the first electron injection layer comprises zinc oxide.
A display device comprising the quantum dot light-emitting device according to claim 1 .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019011369A JP7169207B2 (en) | 2019-01-25 | 2019-01-25 | Quantum dot light-emitting device and display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019011369A JP7169207B2 (en) | 2019-01-25 | 2019-01-25 | Quantum dot light-emitting device and display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020119824A JP2020119824A (en) | 2020-08-06 |
| JP7169207B2 true JP7169207B2 (en) | 2022-11-10 |
Family
ID=71891148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019011369A Active JP7169207B2 (en) | 2019-01-25 | 2019-01-25 | Quantum dot light-emitting device and display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7169207B2 (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010199067A (en) | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Samsung Electronics Co Ltd | Quantum point light emitting element with multiple quantum point layer |
| JP2017038049A (en) | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element, light-emitting device, electronic apparatus, display device, and illumination device |
-
2019
- 2019-01-25 JP JP2019011369A patent/JP7169207B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010199067A (en) | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Samsung Electronics Co Ltd | Quantum point light emitting element with multiple quantum point layer |
| JP2017038049A (en) | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element, light-emitting device, electronic apparatus, display device, and illumination device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2020119824A (en) | 2020-08-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10403690B2 (en) | Light emitting device including tandem structure with quantum dots and nanoparticles | |
| US11005058B2 (en) | Light-emitting device including quantum dots | |
| US10700236B2 (en) | Quantum dot spacing for high efficiency quantum dot LED displays | |
| CN109671853B (en) | Light emitting diode and light emitting display device including the same | |
| TWI684635B (en) | Luminous body, and light emitting film, light emitting diode, light emitting diode package, display device and light emitting device having luminous body | |
| JP6934104B2 (en) | Devices, electronic devices, and methods of manufacturing devices | |
| WO2017160410A1 (en) | Quantum dot spacing for high efficiency quantum dot led displays | |
| WO2020174594A1 (en) | Light-emitting device, display device | |
| JP2015187942A (en) | Light emitting element, method for manufacturing light emitting element and display device | |
| KR20120039940A (en) | Quantum dot light emitting device | |
| CN111048671B (en) | Inorganic light emitting body, light emitting diode having the same, and light emitting device | |
| JP7169207B2 (en) | Quantum dot light-emitting device and display device | |
| JP7469891B2 (en) | Quantum dot light emitting device and display device | |
| JP2016173888A (en) | Light emitting element and manufacturing method thereof, and display device | |
| US11502267B2 (en) | Inorganic light emitting diode and inorganic light emitting device including the same | |
| Zhang et al. | Record high external quantum efficiency of 20% achieved in fully solution-processed quantum dot light-emitting diodes based on hole-conductive metal oxides | |
| JP2021027002A (en) | Quantum dot light emitting element and display device | |
| CN109671837B (en) | Light-emitting body, and light-emitting film, light-emitting diode, and light-emitting device including same | |
| JP2020126795A (en) | Quantum dot light emitting element and display device | |
| JP2020173937A (en) | Quantum dot light-emitting element and display device | |
| CN112447920A (en) | Light emitting diode and light emitting device including the same | |
| WO2022190193A1 (en) | Light-emitting element and light-emitting device | |
| JP2023087565A (en) | Quantum dot light emitting element and display device | |
| JP2022036685A (en) | Quantum dot light emitting element and display | |
| JP2023081108A (en) | Quantum dot light-emitting device and display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211224 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220831 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220906 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220922 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221004 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221028 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7169207 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |