JP7166723B2 - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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Description
波長 :355nm
繰り返し周波数:50kHz
平均出力 :5W
送り速度 :200mm/秒
1a 表面
1b 裏面
3 分割予定ライン
3a 分割溝
5 デバイス
7 フレーム
7a 外枠
7b,7d 内周壁
7c 内枠
7e 外周壁
9 ポリエステル系シート
11 フレームユニット
2 チャックテーブル
2a 保持面
2b,28a 吸引源
2c,28b 切り替え部
4 ヒートローラー
6 レーザー加工装置
8 レーザー加工ユニット
8a 加工ヘッド
10 レーザービーム
12 ピックアップ装置
14 ドラム
16 フレーム保持ユニット
18 フレーム支持台
18a 吸引孔
20 ロッド
22 エアシリンダ
24 ベース
26 突き上げ機構
28 コレット
Claims (5)
- 複数のデバイスが、分割予定ラインによって区画された表面の各領域に形成されたウェーハを個々のデバイスチップに分割するウェーハの加工方法であって、
ウェーハの裏面に糊層を備えないポリエステル系シートを配設するポリエステル系シート配設工程と、
該ポリエステル系シートを加熱し押圧して該ウェーハと、該ポリエステル系シートと、を一体化させる一体化工程と、
該一体化工程の前または後に、該ウェーハを収容できる大きさの開口を有する内枠と、該内枠の外径に対応した径の開口を有する外枠と、で構成されるフレームを使用して、該内枠の外周壁と、該外枠の内周壁と、の間に該ポリエステル系シートの外周を挟持することで該ポリエステル系シートを該フレームで支持するフレーム支持工程と、
該ウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザービームを該分割予定ラインに沿って該ウェーハに照射し、分割溝を形成して該ウェーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程と、
該ポリエステル系シートから個々の該デバイスチップをピックアップするピックアップ工程と、
を備えることを特徴とするウェーハの加工方法。 - 該ピックアップ工程では、該ポリエステル系シートを拡張して各デバイスチップ間の間隔を広げ、該ポリエステル系シート側から該デバイスチップを突き上げることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
- 該ポリエステル系シートは、ポリエチレンテレフタレートシート、ポリエチレンナフタレートシートのいずれかであることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
- 該一体化工程において、該ポリエステル系シートが該ポリエチレンテレフタレートシートである場合に加熱温度は250℃~270℃であり、該ポリエステル系シートが該ポリエチレンナフタレートシートである場合に加熱温度は160℃~180℃であることを特徴とする請求項3記載のウェーハの加工方法。
- 該ウェーハは、Si、GaN、GaAs、ガラスのいずれかで構成されることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
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JPH0528772Y2 (ja) * | 1987-02-23 | 1993-07-23 |
-
2018
- 2018-10-17 JP JP2018196136A patent/JP7166723B2/ja active Active
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