JP7154850B2 - Concentration control device and material gas supply device - Google Patents

Concentration control device and material gas supply device Download PDF

Info

Publication number
JP7154850B2
JP7154850B2 JP2018132341A JP2018132341A JP7154850B2 JP 7154850 B2 JP7154850 B2 JP 7154850B2 JP 2018132341 A JP2018132341 A JP 2018132341A JP 2018132341 A JP2018132341 A JP 2018132341A JP 7154850 B2 JP7154850 B2 JP 7154850B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flow path
carrier gas
concentration
flow
block
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018132341A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2019056173A (en
Inventor
徹 志水
雅和 南
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Horiba Stec Co Ltd
Original Assignee
Horiba Stec Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Horiba Stec Co Ltd filed Critical Horiba Stec Co Ltd
Priority to KR1020180110828A priority Critical patent/KR102607020B1/en
Priority to US16/134,082 priority patent/US10718050B2/en
Priority to TW107133029A priority patent/TWI808994B/en
Priority to CN201811093056.0A priority patent/CN109519706B/en
Publication of JP2019056173A publication Critical patent/JP2019056173A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7154850B2 publication Critical patent/JP7154850B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30—Hydrogen technology
    • Y02E60/50—Fuel cells

Description

本発明は、濃度制御装置及び材料ガス供給装置に関するものである。 The present invention relates to a concentration control device and a material gas supply device.

半導体製造プロセスにおいては、貯留タンクに貯留された材料ガスを成膜室（チャンバ）へ供給する場合に、キャリアガス供給装置から供給されるキャリアガスを貯留タンクへ導入し、貯留タンクからキャリアガスと共に導出される材料ガスの濃度を調整しながら成膜室（チャンバ）へ供給する濃度制御装置が使用される。 In the semiconductor manufacturing process, when the material gas stored in the storage tank is supplied to the film forming chamber (chamber), the carrier gas supplied from the carrier gas supply device is introduced into the storage tank, and the carrier gas is supplied from the storage tank together with the carrier gas. A concentration control device is used to supply the material gas to the film forming chamber while adjusting the concentration of the derived material gas.

従来の濃度制御装置としては、例えば、特許文献１に示すように、貯留タンクの上方に設置されたパネルに対し、キャリアガス供給装置から貯留タンクへ伸びる配管や、貯留タンクから成膜室へ伸びる配管等の各配管を固定すると共に、その各配管に接続されるマスフローコントローラ等の各機器を固定する態様が採用されている。 As a conventional concentration control device, for example, as shown in Patent Document 1, a panel installed above a storage tank is provided with a pipe extending from a carrier gas supply device to the storage tank, or a pipe extending from the storage tank to a film formation chamber. A mode is adopted in which each pipe such as a pipe is fixed and each device such as a mass flow controller connected to each pipe is fixed.

ところが、前記従来の濃度制御装置においては、各配管や各機器をパネルに対して自由に配置できることから設計自由度は高いものの、各配管の全長が伸び、これに伴って、装置全体の圧損が増し、かつ、装置自体も大型化するという問題があった。さらに、貯留タンクから成膜室へ伸びる配管が長くなると、応答性が悪化するという問題もあった。このため、装置全体の集積化が要求の一つとして存在する。 However, in the above-mentioned conventional concentration control device, since each pipe and each device can be freely arranged with respect to the panel, the degree of freedom in design is high. In addition, there is a problem that the apparatus itself becomes large. Furthermore, there is also a problem that the longer the pipe extending from the storage tank to the film formation chamber, the worse the responsiveness. Therefore, integration of the entire device is one of the requirements.

また、濃度制御装置において、貯留タンクよりも下流側に接続され、材料ガスが流れる配管は、材料ガスの付着によって汚れてしまうため、配管の交換等の定期的なメンテナンスが必要であり、メンテナンス性の向上も要求の一つとして存在する。 In addition, in the concentration control device, the piping that is connected to the downstream side of the storage tank and through which the material gas flows becomes dirty due to the adhesion of the material gas, so periodic maintenance such as replacing the piping is required. One of the demands is the improvement of

また、前記従来の濃度制御装置においては、各配管が離間していることから、配管毎にヒータを設置する必要があるが、前記要求に応えるべく、装置全体を集積化しようとすると、各配管が密集し、これに伴って、加熱が必要な配管に対してヒータを設置できなくなるという問題があった。 In addition, in the conventional concentration control device, each pipe is separated from each other, so it is necessary to install a heater for each pipe. As a result, there is a problem that a heater cannot be installed on the piping that needs to be heated.

特開昭６１-０９４３１９Japanese Patent Laid-Open No. 61-094319

そこで、本発明は、メンテナンス性を低下させることなく、配管を短くし、応答性を向上させることができる濃度制御装置を提供することを主な課題とするものである。また、本発明は、各配管を集積しながら加熱が必要な配管（流路）をしっかり加熱することできる濃度制御装置を提供することを別の課題とするものである。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is a primary object of the present invention to provide a concentration control apparatus that can shorten the length of piping and improve responsiveness without degrading maintainability. Another object of the present invention is to provide a concentration control device capable of securely heating a pipe (flow path) that requires heating while integrating each pipe.

すなわち、本発明に係る濃度制御装置は、材料を貯留する貯留タンクへキャリアガスを導入し、前記貯留タンクから前記キャリアガスとの混合ガスとして導出される前記材料が気化した材料ガスの濃度を制御する濃度制御装置であって、前記貯留タンクへ導入される前記キャリアガスの流量を制御する第１ユニットと、前記貯留タンクから導出される前記材料ガスの濃度を検出する第２ユニットと、を具備し、前記第１ユニットが、前記キャリガスが流れるキャリアガス流路を内部に有する第１ブロックと、前記キャリアガス流路を流れる前記キャリアガスの流量を検出する第１流量センサと、前記第１流量センサの検出値に基づき、前記キャリアガス流路を流れるキャリアガスの流量を制御する第１流量制御弁と、を備え、前記第２ユニットが、前記混合ガスが流れる混合ガス流路を内部に有し、前記第１ブロックと着脱可能に連結する第２ブロックと、前記混合ガス流路を流れる前記材料ガスの濃度を検出する濃度検出器と、を備えていることを特徴とするものである。 That is, the concentration control device according to the present invention introduces a carrier gas into a storage tank that stores a material, and controls the concentration of the material gas in which the material is vaporized and discharged from the storage tank as a mixed gas with the carrier gas. A concentration control device for controlling the concentration of gas, comprising: a first unit for controlling the flow rate of the carrier gas introduced into the storage tank; and a second unit for detecting the concentration of the material gas led out from the storage tank. and the first unit includes a first block having therein a carrier gas flow path through which the carrier gas flows, a first flow rate sensor for detecting a flow rate of the carrier gas flowing through the carrier gas flow path, and the first flow rate. a first flow control valve that controls the flow rate of the carrier gas flowing through the carrier gas flow path based on the detection value of the sensor, and the second unit has therein the mixed gas flow path through which the mixed gas flows. and a second block detachably connected to the first block, and a concentration detector for detecting the concentration of the material gas flowing through the mixed gas flow path.

このようなものであれば、貯留タンクから伸びる各配管を効率良く集積することができ、これにより、貯留タンクから伸びる各配管の全長が短くなって圧損を低減できる。また、キャリアガス供給装置から貯留タンクへ伸びる配管の一部を担うキャリアガス流路と、貯留タンクから成膜室へ伸びる配管の一部を担う混合ガス流路と、を別々のブロックに形成し、かつ、各流路に必要となる各機器をそのブロックに設置する構成を採用したので、汚れが生じ易い混合ガス流路を有する第２ブロックのみを交換等することができ、メンテナンス性が格段に向上する。また、第１ブロックに対し、混合ガス流路の光が通過する部分の長さが異なる濃度検出器を設置した複数の第２ブロックを選択的に連結できるように構成しておけば、供給先へ供給する材料ガスの吸光度に合わせ、最適な濃度検出器が設置された第２ブロックを選択的に第１ブロックに接続することができ、設計変更が容易となる。また、第１ブロックとして共通のものを使用することができるため、製造コストを抑えられる。 With such a configuration, the pipes extending from the storage tank can be efficiently integrated, thereby shortening the total length of each pipe extending from the storage tank and reducing the pressure loss. In addition, the carrier gas flow path which is part of the piping extending from the carrier gas supply device to the storage tank and the mixed gas flow path which is part of the piping extending from the storage tank to the deposition chamber are formed in separate blocks. In addition, since each device necessary for each flow path is installed in the block, only the second block having the mixed gas flow path, which easily gets dirty, can be replaced, and maintainability is remarkably improved. improve to Further, if a plurality of second blocks in which concentration detectors having different lengths of portions of the mixed gas flow path through which light passes are installed can be selectively connected to the first block, supply destinations can be selected. The second block having the optimum concentration detector can be selectively connected to the first block according to the absorbance of the material gas to be supplied to the first block, which facilitates design changes. Also, since a common first block can be used, the manufacturing cost can be suppressed.

また、前記濃度制御装置において、前記第１ブロック及び前記第２ブロックを連結した場合に、前記キャリアガス流路における前記第１流量制御弁によりも上流側から分岐し、前記混合ガス流路における前記濃度検出器よりも上流側へ合流する第１バイパス流路を形成できるような構成になっているものであってもよい。 Further, in the concentration control device, when the first block and the second block are connected, the carrier gas flow path is branched from the upstream side by the first flow control valve, and the The configuration may be such that a first bypass flow path that merges upstream of the concentration detector can be formed.

濃度制御装置には、供給先へ供給する材料ガスの濃度を制御する方式として、混合ガス流路の圧力を制御する圧力方式と、キャリアガス流路からバイパス流路を介して混合ガス流路へ導入されるキャリアガスの流量を制御する希釈方式と、が存在するが、前記構成を採用することにより、第１バイパス流路を形成するか否かで、前記いずれの方式にも使用することができるようになる。これにより、両方式において、部品を共通化することができ、製造コストを低減できる。 The concentration control device has two methods for controlling the concentration of the material gas supplied to the supply destination: a pressure method that controls the pressure in the mixed gas flow path, and a pressure method that controls the pressure in the mixed gas flow path from the carrier gas flow path to the mixed gas flow path via a bypass flow path. and a dilution method for controlling the flow rate of the carrier gas to be introduced. become able to. As a result, parts can be shared in both types, and the manufacturing cost can be reduced.

また、前記濃度制御装置を前記希釈方式として使用する場合、すなわち、前記第１ブロック及び前記第２ブロックを連結して前記第１バイパス流路を形成した場合に、前記第１バイパス流路が、前記キャリアガス流路における前記第１流量センサよりも上流側から分岐しており、前記第１ユニット又は前記第２ユニットが、前記第１バイパス流路を流れるキャリアガスの流量を検出する第２流量センサと、前記第１バイパス流路を流れるキャリアガスの流量を制御する第２流量制御弁と、をさらに備え、前記濃度検出器、前記第１流量センサ及び前記第２流量センサの検出値に基づき、前記第１流量制御弁及び前記第２流量制御弁によって、前記混合ガス流路を流れる前記材料ガスの濃度を制御するように構成すればよく、また、前記第１バイパス流路が、前記キャリアガス流路における前記第１流量センサよりも下流側から分岐しており、前記第１ユニット又は前記第２ユニットが、前記第１バイパス流路を流れるキャリアガスの流量を制御する第２流量制御弁をさらに具備し、前記濃度検出器及び前記第１流量センサの検出値に基づき、前記第１流量制御弁及び前記第２流量制御弁によって、前記混合ガス流路を流れる前記材料ガスの濃度を制御するように構成すればよい。この場合、前者に比べて後者は、流量センサを一つ省略することができ、これにより、製造コストを抑えることができる。 Further, when the concentration control device is used as the dilution system, that is, when the first block and the second block are connected to form the first bypass flow path, the first bypass flow path is A second flow rate branched from the upstream side of the first flow rate sensor in the carrier gas flow path, and the first unit or the second unit detects the flow rate of the carrier gas flowing through the first bypass flow path a sensor, and a second flow rate control valve that controls the flow rate of the carrier gas flowing through the first bypass flow path, based on the detection values of the concentration detector, the first flow rate sensor, and the second flow rate sensor. , the concentration of the material gas flowing through the mixed gas flow path may be controlled by the first flow control valve and the second flow control valve, and the first bypass flow path may be configured to control the carrier A second flow control valve that branches downstream of the first flow rate sensor in the gas flow path, and that the first unit or the second unit controls the flow rate of the carrier gas flowing through the first bypass flow path. and controlling the concentration of the material gas flowing through the mixed gas flow path by the first flow control valve and the second flow control valve based on the detection values of the concentration detector and the first flow sensor. It should be configured to In this case, the latter can omit one flow rate sensor compared to the former, thereby reducing manufacturing costs.

また、前記濃度制御装置を前記圧力方式として使用する場合、すなわち、前記第１バイパス流路を形成しない場合に、前記第２ユニットが、前記混合ガス流路を流れる混合ガスの流量を制御する第３流量制御弁をさらに具備し、前記濃度検出器の検出値に基づき、前記第３流量制御弁によって、前記混合ガス流路を流れる前記材料ガスの濃度を制御するように構成すればよい。 Further, when the concentration control device is used as the pressure system, that is, when the first bypass channel is not formed, the second unit controls the flow rate of the mixed gas flowing through the mixed gas channel. A third flow control valve may be further provided, and the concentration of the material gas flowing through the mixed gas flow path may be controlled by the third flow control valve based on the detection value of the concentration detector.

また、前記いずれかの濃度制御装置において、前記第１ブロック及び前記第２ブロックを連結して前記第２バイパス流路を形成した場合に、前記第１ユニットが、前記キャリアガス流路における前記第２バイパス流路の分岐点よりも下流側に第１開閉弁をさらに備え、前記第２ユニットが、前記混合ガス流路における前記第２バイパス流路の合流点よりも上流側に第２開閉弁をさらに備え、前記第１ユニット又は前記第２ユニットが、前記第２バイパス流路に第３開閉弁をさらに備えているものであってもよい。 Further, in any one of the concentration control devices described above, when the first block and the second block are connected to form the second bypass channel, the first unit may be the second bypass channel in the carrier gas channel. A first on-off valve is further provided downstream of the branch point of the two bypass flow paths, and the second unit is provided with a second on-off valve upstream of the confluence point of the second bypass flow path in the mixed gas flow path. and the first unit or the second unit may further include a third on-off valve in the second bypass flow path.

このようなものであれば、第１開閉弁、第２開閉弁及び第３開閉弁を操作するだけで、キャリアガスの供給を中断することなく、濃度制御装置から材料ガスが導出されることを停止できる。また、第２バイパス流路を利用し、濃度制御装置内のパージ作業を行うこともできるようになる。 With such a configuration, the material gas can be discharged from the concentration control device without interrupting the supply of the carrier gas simply by operating the first on-off valve, the second on-off valve and the third on-off valve. can be stopped. In addition, it becomes possible to use the second bypass flow path to perform a purge operation inside the concentration control device.

また、前記いずれかの濃度制御装置において、前記濃度検出器が、前記混合ガス流路を流れる混合ガスに対して光を照射する光源と、前記光源から射出されて前記混合ガスを透過した光を検出する受光器と、を備えるように構成してもよい。 Further, in any of the above concentration control devices, the concentration detector includes a light source that irradiates light onto the mixed gas flowing through the mixed gas flow path, and light emitted from the light source and transmitted through the mixed gas. and a light receiver for detecting.

また、前記濃度検出器が、前記光源から射出されて前記混合ガスを透過した光を前記第２ブロックから遠ざかる方向へ屈曲させる反射ミラーをさらに備えるものであってもよい。 The concentration detector may further include a reflecting mirror that bends light emitted from the light source and transmitted through the mixed gas in a direction away from the second block.

混合ガス流路は、材料ガスの再液化を防止するためヒータで加熱される。このため、混合ガス流路が設けられた第２ブロックに近づくほど、ヒータから発生する熱の影響が大きくなるが、前記のような構成を採用することにより、熱に弱い受光器を第２ブロックから遠ざけて配置できる。 The mixed gas flow path is heated by a heater to prevent reliquefaction of the material gas. Therefore, the closer to the second block where the mixed gas flow path is provided, the greater the influence of the heat generated from the heater. can be placed away from

また、前記第２ユニットが、前記混合ガス流路の圧力を検出する圧力センサをさらに備えるものであってもよい。 Moreover, the second unit may further include a pressure sensor that detects pressure in the mixed gas flow path.

また、前記第１ブロック又は前記第２ブロックの少なくとも一方が、ヒータを内部に備えているものであってもよい。この場合、第１ブロック及び第２ブロックが面接触した状態で連結するように構成してもよい。 At least one of the first block and the second block may have a heater therein. In this case, the first block and the second block may be connected while being in surface contact with each other.

このようなものであれば、第１ブロック及び第２ブロックを面接触させた状態で連結する構造を採用することにより、各ブロックに設置されたヒータの熱が、互いのブロックへ伝導し、これにより、各ブロックの内部に形成されたヒータが設置し難い流路も確実に加熱することができる。 With such a structure, by adopting a structure in which the first block and the second block are connected in a state of surface contact, the heat of the heater installed in each block is conducted to each other's blocks. As a result, it is possible to reliably heat the flow path formed inside each block in which the heater is difficult to install.

また、前記第１開閉弁、前記第２開閉弁及び前記第３開閉弁を備える濃度制御装置において、前記第１ユニット又は前記第２ユニットが、前記第１バイパス流路における前記第２流量制御弁よりも下流側に第４開閉弁をさらに備えているものであってもよい。このような構成の濃度制御装置においては、更に次のような構成を備えるものであってもよい。 Further, in the concentration control device including the first on-off valve, the second on-off valve, and the third on-off valve, the first unit or the second unit may include the second flow control valve in the first bypass passage. A fourth on-off valve may be further provided on the downstream side. The density control apparatus having such a configuration may further have the following configuration.

すなわち、前記圧力センサの検出値が予め定められた設定圧力値よりも大きくなった場合に、前記第２開閉弁、前記第３開閉弁及び前記第４開閉弁を閉じた状態にするように構成してもよい。 That is, when the detected value of the pressure sensor becomes larger than a predetermined set pressure value, the second on-off valve, the third on-off valve and the fourth on-off valve are closed. You may

このようなものであれば、濃度制御装置の二次側の圧力上昇を防止でき、これにより、耐圧性が低い濃度検出器の破損を防止することができる。 With such a device, it is possible to prevent the pressure from rising on the secondary side of the concentration control device, thereby preventing damage to the concentration detector having low pressure resistance.

また、前記第１ユニットが、前記キャリアガス流路における前記第１流量制御弁よりも下流側であって前記第１開閉弁よりも上流側の圧力を検出する第１圧力センサをさらに備え、前記第１ユニット又は前記第２ユニットが、前記第１バイパス流路における前記第２流量制御弁よりも下流側であって前記第４開閉弁よりも上流側の圧力を検出する第２圧力センサをさらに備え、前記第１圧力センサの検出値が予め定められた設定内圧値よりも大きくなった場合に、前記第１流量制御弁、前記第１開閉弁、前記第２開閉弁及び前記第４開閉弁を閉じた状態にすると共に、前記第３開閉弁を開いた状態にし、前記第２圧力センサの検出値が前記設定内圧値よりも大きくなった場合に、前記第２流量制御弁、前記第１開閉弁、前記第２開閉弁及び前記第３開閉弁を閉じた状態にすると共に、前記第４開閉弁を開いた状態にするように構成してもよい。 The first unit further includes a first pressure sensor that detects a pressure downstream of the first flow control valve and upstream of the first on-off valve in the carrier gas flow path, The first unit or the second unit further includes a second pressure sensor that detects pressure downstream of the second flow control valve and upstream of the fourth on-off valve in the first bypass flow path. wherein the first flow control valve, the first on-off valve, the second on-off valve, and the fourth on-off valve are activated when the detected value of the first pressure sensor becomes greater than a predetermined set internal pressure value. is closed, the third on-off valve is opened, and when the detected value of the second pressure sensor becomes larger than the set internal pressure value, the second flow control valve and the first The on-off valve, the second on-off valve and the third on-off valve may be closed, and the fourth on-off valve may be opened.

このようなものであれば、濃度制御装置の内圧上昇を防止でき、これにより、耐圧性が低い濃度検出器の破損を防止することができる。 With such a device, it is possible to prevent an increase in the internal pressure of the concentration control device, thereby preventing damage to the concentration detector having a low pressure resistance.

また、前記第１ユニットが、前記キャリアガス流路における前記第１流量制御弁よりも下流側であって前記第１開閉弁よりも上流側の圧力を検出する第１圧力センサ及び前記第１開閉弁よりも下流側の圧力を検出する第３圧力センサをさらに備え、前記第１ユニット又は前記第２ユニットが、前記第１バイパス流路における前記第２流量制御弁よりも下流側であって前記第４開閉弁よりも上流側の圧力を検出する第２圧力センサをさらに備え、前記第１圧力センサの検出値が前記第３圧力センサの検出値よりも小さい場合に、前記第１開閉弁を閉じた状態に維持し、前記第１圧力センサの検出値が前記圧力センサの検出値よりも小さい場合に、前記第３開閉弁を閉じた状態に維持し、前記第２圧力センサの検出値が前記圧力センサの検出値よりも小さい場合に、前記第４開閉弁を閉じた状態に維持するように構成してもよい。 Further, the first unit includes a first pressure sensor for detecting a pressure downstream of the first flow control valve and upstream of the first on-off valve in the carrier gas flow path, and the first on-off valve. Further comprising a third pressure sensor that detects a pressure downstream of the valve, wherein the first unit or the second unit is downstream of the second flow control valve in the first bypass flow path and the Further comprising a second pressure sensor that detects pressure upstream of the fourth on-off valve, and when the detection value of the first pressure sensor is smaller than the detection value of the third pressure sensor, the first on-off valve is operated. is maintained in a closed state, and when the detected value of the first pressure sensor is smaller than the detected value of the pressure sensor, the third on-off valve is maintained in a closed state, and the detected value of the second pressure sensor is The fourth on-off valve may be maintained in a closed state when the pressure is smaller than the detected value of the pressure sensor.

このようなものであれば、貯留タンク内の材料や当該材料が気化した材料ガスが濃度制御装置内へ逆流することや、混合ガス流路を流れる混合ガスがキャリアガス流路や第１バイパス流路へ逆流することを防止できる。これにより、流量制御装置の破損を防止できる。 With such a configuration, the material in the storage tank and the material gas in which the material is vaporized flow back into the concentration control device, It is possible to prevent backflow into the road. As a result, damage to the flow control device can be prevented.

また、前記第１ユニットが、前記キャリアガス流路における前記第１バイパス流路との分岐点よりも上流側に第５開閉弁をさらに備え、前記貯留タンクの交換信号を受信した場合に、前記第５開閉弁を所定時間毎に開閉させるように構成してもよい。さらに、前記第１ユニットが、前記キャリアガス流路における前記第１バイパス流路との分岐点よりも上流側に第５開閉弁をさらに備え、前記第１流量センサのゼロ点調整信号を受信した場合に、前記第１開閉弁、前記第３開閉弁及び前記第５開閉弁を閉じた状態で前記第１流量センサのゼロ点を調整し、前記第２流量センサのゼロ点調整信号を受信した場合に、前記第４開閉弁及び前記第５開閉弁を閉じた状態で前記第２流量センサのゼロ点を調整するように構成してもよい。さらに、前記第２ユニットが、前記混合ガス流路における前記濃度検出器の下流側に設置される第６開閉弁をさらに備え、前記第１流量センサで検出される検出値に基づき前記第１流量制御弁を制御する流量制御装置の校正信号を受信した場合に、前記キャリアガス流路における前記第１流量制御弁から前記第１開閉弁までの流路と、前記第１バイパス流路における前記第２流量制御弁の下流側の流路と、前記第２バイパス流路と、前記混合ガス流路における前記第２開閉弁から前記第６開閉弁までの流路とから構成される合成流路内を減圧した状態から、前記第１流量制御弁を開いた状態とし、前記合成流路の容積、前記第１流量センサ及び前記圧力センサの検出値とに基づき前記第１流量センサを校正し、前記第２流量センサで検出される検出値に基づき前記第２流量制御弁を制御する流量制御装置の校正信号を受信した場合に、前記合成流路内を減圧した状態から、前記第２流量制御弁を開いた状態とし、前記合成流路の容積、前記第２流量センサ及び前記圧力センサの検出値とに基づき前記第２流量センサを校正するように構成してもよい。 In addition, the first unit further includes a fifth on-off valve upstream of a branch point of the carrier gas flow path with the first bypass flow path, and when receiving a replacement signal for the storage tank, the The fifth on-off valve may be configured to open and close at predetermined time intervals. Furthermore, the first unit further includes a fifth on-off valve upstream of the branch point of the carrier gas flow path with the first bypass flow path, and receives a zero point adjustment signal of the first flow sensor. the zero point of the first flow sensor is adjusted with the first on-off valve, the third on-off valve and the fifth on-off valve closed, and the zero point adjustment signal of the second flow sensor is received case, the zero point of the second flow rate sensor may be adjusted with the fourth on-off valve and the fifth on-off valve closed. Further, the second unit further includes a sixth on-off valve installed downstream of the concentration detector in the mixed gas flow path, and the first flow rate is detected based on the detection value detected by the first flow rate sensor. When a calibration signal for a flow control device that controls a control valve is received, a flow path from the first flow control valve to the first on-off valve in the carrier gas flow path and the first flow path in the first bypass flow path 2 In a combined flow path composed of a flow path on the downstream side of the flow control valve, the second bypass flow path, and a flow path from the second on-off valve to the sixth on-off valve in the mixed gas flow path. is decompressed, the first flow control valve is opened, the volume of the combined flow path, the first flow sensor is calibrated based on the detected values of the first flow sensor and the pressure sensor, and the When receiving the calibration signal of the flow control device that controls the second flow control valve based on the detection value detected by the second flow sensor, the second flow control valve is changed from the state in which the inside of the combined flow path is decompressed. The second flow rate sensor may be calibrated based on the volume of the combined flow path and the detected values of the second flow rate sensor and the pressure sensor in an open state.

このようなものであれば、濃度制御装置単体でサイクルパージや、流量制御装置のゼロ点調整及び校正を行うことができるようになる。 With such a device, it becomes possible to perform cycle purging and zero point adjustment and calibration of the flow rate control device with the concentration control device alone.

さらに、前記濃度検出器によって検出される検出値と前記第１流量センサ及び前記第２流量センサによって検出される検出値に基づき算出される前記貯留タンクから導出された材料の導出量が、予め定められた規定量に達した場合に警告する警告機能を備えるものであってもよい。 Further, the amount of material derived from the storage tank calculated based on the detected value detected by the concentration detector and the detected value detected by the first flow sensor and the second flow sensor is predetermined. A warning function may be provided to issue a warning when the predetermined amount is reached.

このようなものであれば、貯留タンクの適切な交換時期を知ることができ、貯留タンクが空の状態になることを防止できる。 With such a device, it is possible to know the proper replacement timing of the storage tank and prevent the storage tank from becoming empty.

また、本発明に係る材料ガス供給装置は、前記いずれかの濃度制御装置と、前記濃度制御装置に接続される前記貯留タンクと、を具備するものである。 Further, a material gas supply apparatus according to the present invention includes any one of the concentration control apparatuses described above and the storage tank connected to the concentration control apparatus.

このように構成した本発明によれば、メンテナンス性を低下させることなく、配管を短くし、応答性を向上させることができる濃度制御装置を提供することができる。また、本発明によれば、各配管を集積しながら加熱が必要な配管（流路）をしっかり加熱することできる濃度制御装置を提供することができる。 According to the present invention configured as described above, it is possible to provide a concentration control apparatus capable of shortening the piping and improving the responsiveness without deteriorating maintainability. Further, according to the present invention, it is possible to provide a concentration control device capable of securely heating a pipe (flow path) that requires heating while integrating each pipe.

実施形態１に係る材料ガス供給装置を示す模式図である。1 is a schematic diagram showing a material gas supply device according to Embodiment 1. FIG. 実施形態１に係る濃度制御装置を模式的に示す分解斜視図である。1 is an exploded perspective view schematically showing a concentration control device according to Embodiment 1. FIG. 実施形態１に係る濃度制御装置を示す模式図である。1 is a schematic diagram showing a density control device according to Embodiment 1. FIG. 実施形態１に係る濃度制御装置を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a density control device according to Embodiment 1; FIG. 実施形態１に係る第１ブロック及び第２ブロックのヒータを示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing heaters of a first block and a second block according to Embodiment 1; 実施形態１に係る濃度制御装置を示すＸ－Ｘ断面図である。2 is a cross-sectional view taken along the line XX showing the density control device according to Embodiment 1. FIG. 実施形態１に係る濃度制御装置を示すＹ－Ｙ断面図である。2 is a YY cross-sectional view showing the density control device according to Embodiment 1. FIG. 実施形態１に係る濃度制御装置を示すＺ－Ｚ断面図である。2 is a ZZ sectional view showing the concentration control device according to Embodiment 1. FIG. 実施形態１に係る濃度制御装置を希釈方式で制御する場合の流路を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing flow paths when the concentration control device according to the first embodiment is controlled by a dilution method; 実施形態１に係る濃度制御装置を圧力方式で制御する場合の流路を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing flow paths when the concentration control device according to the first embodiment is controlled by a pressure method; 実施形態２に係る濃度制御装置の流路を示すブロック図である。FIG. 10 is a block diagram showing flow paths of a concentration control device according to Embodiment 2; 実施形態３に係る濃度制御装置の流路を示すブロック図である。FIG. 11 is a block diagram showing flow paths of a concentration control device according to Embodiment 3; 実施形態５に係る濃度制御装置の流路を示すブロック図である。FIG. 11 is a block diagram showing flow paths of a concentration control device according to Embodiment 5; その他の実施形態に係る濃度検出器を示す断面模式図である。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing a concentration detector according to another embodiment; その他の実施形態に係る濃度制御装置を希釈方式で制御する場合の流路を示すブロック図である。FIG. 11 is a block diagram showing a flow path when controlling a concentration control device according to another embodiment by a dilution method; その他の実施形態に係る濃度制御装置を示す斜視図である。FIG. 11 is a perspective view showing a density control device according to another embodiment;

以下に、本発明に係る濃度制御装置を用いた材料ガス供給装置を図面に基づいて説明する。 A material gas supply apparatus using a concentration control apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

本発明に係る濃度制御装置を用いた材料ガス供給装置は、主に半導体製造プロセスに使用されるものであり、具体的には、貯留タンクに貯留された材料（具体的には、液体材料や固体材料）が気化して生成された材料ガス（具体的には、液体材料が蒸発して生成された材料ガスや固体材料が昇華して生成された材料ガス）を、その濃度を制御しながら成膜室（チャンバ）等の供給先へ供給するために使用されるものである。なお、本発明に係る材料ガス供給装置は、半導体製造プロセス以外に使用することもでき、また、本発明に係る濃度制御装置のみを、半導体製造プロセス以外に使用することもできる。 A material gas supply apparatus using a concentration control apparatus according to the present invention is mainly used in a semiconductor manufacturing process, and specifically, a material stored in a storage tank (specifically, a liquid material or A material gas generated by vaporizing a solid material) (specifically, a material gas generated by evaporating a liquid material or a material gas generated by sublimating a solid material) is controlled while controlling its concentration. It is used to supply to a supply destination such as a film forming chamber (chamber). The material gas supply apparatus according to the present invention can be used for processes other than semiconductor manufacturing processes, and the concentration control apparatus according to the present invention alone can be used for processes other than semiconductor manufacturing processes.

＜実施形態１＞ 本実施形態に係る濃度制御装置を用いた材料ガス供給装置１００は、図１に示すように、材料を貯留する貯留タンクＳＴと、貯留タンクＳＴに接続される濃度制御装置２００と、を具備している。なお、本実施形態においては、濃度制御装置２００は、貯留タンクＳＴの上方に配置され、図示しないパネルや壁等の設置場所に対して断熱ブロック３００（図２参照）を介して設置される。 <Embodiment 1> As shown in FIG. 1, a material gas supply apparatus 100 using a concentration control apparatus according to the present embodiment includes a storage tank ST for storing materials, and a concentration control apparatus 200 connected to the storage tank ST. and equipped with In this embodiment, the concentration control device 200 is arranged above the storage tank ST and is installed via a heat insulating block 300 (see FIG. 2) to an installation location such as a panel or wall (not shown).

前記貯留タンクＳＴは、材料を貯留するタンク本体１０と、タンク本体１０へキャリアガスを導入する導入管１１と、タンク本体１０からキャリアガス及び材料ガスからなる混合ガスを導出する導出管１２と、を備えている。 The storage tank ST includes a tank body 10 for storing materials, an introduction pipe 11 for introducing carrier gas into the tank body 10, an outlet pipe 12 for leading out a mixed gas composed of the carrier gas and the material gas from the tank body 10, It has

前記濃度制御装置２００は、図１及び図２に示すように、導入管１１に接続され、キャリアガス供給装置（図示せず）から導入管１１を介して貯留タンクＳＴへ供給されるキャリアガスの流量を制御する機能を備えた第１ユニット２１０と、導出管１２に接続され、貯留タンクＳＴから導出管１２を介して供給先へ供給される混合ガスに含まれる材料ガスの濃度を検出する第２ユニット２２０と、を具備している。なお、第１ユニット２１０及び第２ユニット２２０は、互いに着脱可能に連結できる構造になっている。すなわち、濃度制御装置２００は、第１ユニット２１０及び第２ユニット２２０というブロック要素を組み合わせて構成されている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the concentration control device 200 is connected to the introduction pipe 11 and controls the carrier gas supplied from the carrier gas supply device (not shown) through the introduction pipe 11 to the storage tank ST. A first unit 210 having a function of controlling the flow rate, and a first unit 210 connected to the outlet pipe 12 for detecting the concentration of the material gas contained in the mixed gas supplied from the storage tank ST to the supply destination through the outlet pipe 12. 2 units 220; In addition, the first unit 210 and the second unit 220 have a structure that can be detachably connected to each other. That is, the density control device 200 is configured by combining block elements such as the first unit 210 and the second unit 220 .

前記第１ユニット２１０は、第１ブロックＢ１と、第１ブロックＢ１の所定面に設置される二つの流量制御装置ＭＦＣ、三つの開閉弁Ｖ及び四つのバイパスブロックｂと、を具備している。なお、第１ユニット２１０は、第１ブロックＢ１に形成された複数の内部流路Ｒを、その所定面に設置される前記各部材ＭＦＣ，Ｖ，ｂの内部流路ｒを介して連通させることにより、キャリアガス流路Ｌ１、第１バイパス流路Ｌ２の上流側及び第２バイパス流路Ｌ３の上流側が形成される構造になっている。以下、この構造を主に図３、図４、図６及び図７に基づき詳述する。なお、図３（ａ）において、各内部流路Ｒを点線にて示し、図３（ｂ）において、キャリアガス流路Ｌ１、第１バイパス流路Ｌ２及び第２バイパス流路Ｌ３を点線にて示している。また、図４において、キャリアガス流路Ｌ１を太実線にて示し、第１バイパス流路Ｌ２及び第２バイパス流路Ｌ３を太点線にて示している。 The first unit 210 includes a first block B1, two flow controllers MFC, three on-off valves V and four bypass blocks b installed on a predetermined surface of the first block B1. The first unit 210 communicates with the plurality of internal flow paths R formed in the first block B1 through the internal flow paths r of the members MFC, V, and b installed on the predetermined surface. Thus, the carrier gas flow path L1, the upstream side of the first bypass flow path L2, and the upstream side of the second bypass flow path L3 are formed. This structure will be described in detail below mainly with reference to FIGS. 3, 4, 6 and 7. FIG. In addition, in FIG. 3(a), the respective internal flow paths R are indicated by dotted lines, and in FIG. 3(b), the carrier gas flow path L1, the first bypass flow path L2 and the second bypass flow path L3 are indicated by dotted lines. showing. In addition, in FIG. 4, the carrier gas flow path L1 is indicated by a thick solid line, and the first bypass flow path L2 and the second bypass flow path L3 are indicated by thick dotted lines.

前記第１ブロックＢ１は、直方体状のものであり、図３及び図４に示すように、長手方向の一端側にキャリアガスを導入するための導入ポート２３が設けられており、長手方向の他端側にキャリアガスを導出するための導出ポート２４が設けられている。なお、本実施形態においては、導出ポート２４を、第１ブロックＢ１と別体のブロックによって形成されているが、導入ポート２３と同様に一体に形成してもよい。また、第１ブロックＢ１は、機能を損なわない範囲において複数の要素に分割した構造としてもよい。 The first block B1 has a rectangular parallelepiped shape, and as shown in FIGS. A lead-out port 24 for leading the carrier gas is provided on the end side. In this embodiment, the lead-out port 24 is formed by a block separate from the first block B1, but it may be formed integrally with the lead-in port 23 as well. Also, the first block B1 may have a structure divided into a plurality of elements as long as the function is not impaired.

第１ブロックＢ１には、図３（ａ）に示すように、導入ポート２３と導出ポート２４とを結ぶ第１直線Ｘ上に対し、上流側から順番に内部流路Ｒａ、内部流路Ｒｂが形成されている。なお、内部流路Ｒａは、導入ポート２３と連通している。そして、第１ブロックＢ１には、図６に示すように、内部流路Ｒａ及び内部流路Ｒｂを、第１流量制御装置ＭＦＣ１の内部流路ｒ１によって接続し、内部流路Ｒｂ及び導出ポート２４を、第１開閉弁Ｖ１の内部流路ｒ２によって接続しており、これにより、図３（ｂ）に示すキャリアガス流路Ｌ１が形成されている。 In the first block B1, as shown in FIG. 3A, an internal flow path Ra and an internal flow path Rb are formed in order from the upstream side on a first straight line X connecting the introduction port 23 and the discharge port 24. formed. In addition, the internal flow path Ra communicates with the introduction port 23 . In the first block B1, as shown in FIG. 6, the internal flow path Ra and the internal flow path Rb are connected by the internal flow path r1 of the first flow control device MFC1, the internal flow path Rb and the outlet port 24 are connected by an internal flow path r2 of the first on-off valve V1, thereby forming a carrier gas flow path L1 shown in FIG. 3(b).

また、第１ブロックＢ１には、図３（ａ）に示すように、第１直線Ｘと平行に並ぶ第２直線Ｙ上に対し、上流側から順番に内部流路Ｒｃ、内部流路Ｒｄ、内部流路Ｒｅが形成されている。そして、第１ブロックＢ１には、図７に示すように、内部流路Ｒａ及び内部流路Ｒｃを、第１バイパスブロックｂ１の内部流路ｒ３によって接続し、内部流路Ｒｃ及び内部流路Ｒｄを、第２流量制御装置ＭＦＣ２の内部流路ｒ１によって接続し、内部流路Ｒｄ及び内部流路Ｒｅを、第４開閉弁Ｖ４の内部流路ｒ２によって接続し、内部流路Ｒｅに第２バイパスブロックｂ２の内部流路ｒ３が接続されており、これにより、図３（ｂ）に示す第１バイパス流路Ｌ２の上流側が形成されている。 In addition, as shown in FIG. 3A, the first block B1 includes an internal flow channel Rc, an internal flow channel Rd, An internal flow path Re is formed. In the first block B1, as shown in FIG. 7, the internal flow path Ra and the internal flow path Rc are connected by the internal flow path r3 of the first bypass block b1, and the internal flow path Rc and the internal flow path Rd are connected to each other. are connected by the internal flow path r1 of the second flow control device MFC2, the internal flow path Rd and the internal flow path Re are connected by the internal flow path r2 of the fourth on-off valve V4, and the internal flow path Re is connected to the second bypass The internal flow path r3 of the block b2 is connected, thereby forming the upstream side of the first bypass flow path L2 shown in FIG. 3(b).

また、第１ブロックＢ１には、図３（ａ）に示すように、第２直線Ｙの下流側に沿うように、内部流路Ｒｆ、内部流路Ｒｇが平行に並んで形成されている。そして、第１ブロックＢ１には、図３（ａ）に示すように、内部流路Ｒｂ及び内部流路Ｒｆを、第２バイパスブロックｂ３の内部流路ｒ３によって接続し、内部流路Ｒｆ及び内部流路Ｒｇを、第３開閉弁Ｖ３の内部流路ｒ２によって接続し、内部流路Ｒｇに第３バイパスブロックｂ３の内部流路ｒ３が接続されており、これにより、図３（ｂ）に示す第２バイパス流路Ｌ３の上流側が形成される。 In the first block B1, as shown in FIG. 3A, an internal flow path Rf and an internal flow path Rg are formed in parallel along the downstream side of the second straight line Y. As shown in FIG. Then, as shown in FIG. 3A, the first block B1 is connected to the internal flow path Rb and the internal flow path Rf by the internal flow path r3 of the second bypass block b3. The flow path Rg is connected by the internal flow path r2 of the third on-off valve V3, and the internal flow path r3 of the third bypass block b3 is connected to the internal flow path Rg. An upstream side of the second bypass flow path L3 is formed.

なお、第１ブロックＢ１には、図５に示すように、第１の直線Ｘ上に設けられた内部流路Ｒａ，Ｒｂに沿う外側面側に第１ヒータＨ１が内蔵されていると共に、第２の直線Ｙ上に設けられた内部流路Ｒｃ～Ｒｅに沿う外側面側に第２ヒータＨ２が内蔵されている。なお、これらのヒータＨ１，Ｈ２は、第１ブロックＢ１を通過するキャリアガスを予備加熱する役割を果たしている。 As shown in FIG. 5, the first block B1 incorporates a first heater H1 on the outer side along the internal flow paths Ra and Rb provided on the first straight line X. A second heater H2 is built in the outer side along the internal flow paths Rc to Re provided on the straight line Y of 2. As shown in FIG. These heaters H1 and H2 play a role of preheating the carrier gas passing through the first block B1.

前記流量制御装置ＭＦＣは、いずれも同様の構成を備えた所謂熱式のマスフローコントローラである。具体的には、図６又は図７に示すように、流量制御装置ＭＦＣは、第１ブロックＢ１の所定面に設置される台座ブロック２０ａを備えている。台座ブロック２０ａは、直方体状のものであり、第１ブロックＢ１の内部流路Ｒａに連通させて接続される内部流路ｒ１が形成されている。なお、流量制御装置ＭＦＣは、この台座ブロック２０ａの内部流路ｒ１を流れる流体の流量を監視し、その流量を制御するものである。このため、台座ブロック２０ａには、流量を検出する流量センサ２０ｂと、その流量センサ２０ｂの検出値に基づいて流量を制御する流量制御弁２０ｃと、が設置されている。なお、本実施形態においては、熱式のマスフローコントローラを使用しているが、これに限定されず、圧力式や他の方式のマスフローコントローラを使用することもできる。 The flow controllers MFC are so-called thermal mass flow controllers having the same configuration. Specifically, as shown in FIG. 6 or 7, the flow control device MFC includes a base block 20a installed on a predetermined surface of the first block B1. The pedestal block 20a has a rectangular parallelepiped shape, and is formed with an internal flow path r1 that is connected to and communicates with the internal flow path Ra of the first block B1. The flow control device MFC monitors the flow rate of the fluid flowing through the internal flow path r1 of the base block 20a and controls the flow rate. For this reason, the base block 20a is provided with a flow rate sensor 20b for detecting the flow rate and a flow rate control valve 20c for controlling the flow rate based on the detected value of the flow rate sensor 20b. In this embodiment, a thermal mass flow controller is used, but the present invention is not limited to this, and a pressure mass flow controller or other types of mass flow controllers can also be used.

前記開閉弁Ｖは、いずれも同様の構成を備えたものである。具体的には、図６に示すように、開閉弁Ｖは、第１ブロックＢ１の所定面に設置される台座ブロック２１ａを備えている。台座ブロック２１ａは、直方体状のものであり、第１ブロックＢ１の内部流路Ｒに連通させて接続される内部流路ｒ２が形成されている。そして、開閉弁Ｖは、この台座ブロック２１ａの内部流路ｒ２を流れる流体の流量を開閉によって調節するものである。 All of the on-off valves V have the same configuration. Specifically, as shown in FIG. 6, the on-off valve V includes a base block 21a installed on a predetermined surface of the first block B1. The pedestal block 21a has a rectangular parallelepiped shape, and is formed with an internal flow path r2 that communicates with and is connected to the internal flow path R of the first block B1. The on-off valve V adjusts the flow rate of the fluid flowing through the internal flow path r2 of the base block 21a by opening and closing.

前記バイパスブロックｂは、直方体状のものであり、第１ブロックＢ１の内部流路Ｒに連通させて接続される内部流路ｒ３が形成されている。 The bypass block b has a rectangular parallelepiped shape, and is formed with an internal channel r3 that is connected to and communicates with the internal channel R of the first block B1.

このような構成にすることにより、第１ユニット２１０には、図３（ｂ）及び図４に示すように、第１ブロックＢ１に対し、導入ポート２３から導出ポート２４へ伸びるキャリアガス流路Ｌ１と、キャリアガス流路Ｌ１の第１流量制御装置ＭＦＣ１よりも上流側から分岐して伸びる第１バイパス流路Ｌ２の上流側と、キャリアガス流路Ｌ１の第１流量制御装置ＭＦＣ１の下流側から分岐して伸びる第２バイパス流路Ｌ３の上流側と、が形成される。 With such a configuration, as shown in FIGS. 3B and 4, the first unit 210 has a carrier gas flow path L1 extending from the inlet port 23 to the outlet port 24 with respect to the first block B1. From the upstream side of the first bypass flow path L2 branched from the upstream side of the carrier gas flow path L1 and extending from the upstream side of the first flow rate control device MFC1, and from the downstream side of the first flow rate control device MFC1 of the carrier gas flow path L1 The upstream side of the second bypass flow path L3 that branches and extends is formed.

前記第２ユニット２２０は、図１及び図２に示すように、第２ブロックＢ２と、第２ブロックＢ２の所定面に設置される第２開閉弁Ｖ２、濃度検出器ＩＲ及び流量制御弁ＣＶと、を具備している。なお、第２ユニット２２０は、第２ブロックＢ２に形成された複数の内部流路Ｒを、その所定面に設置する前記各部材Ｖ，ＩＲ，ＣＶの内部流路ｒを介して連通させることにより、混合ガス流路Ｌ４、第１バイパス流路Ｌ２の下流側及び第２バイパス流路Ｌ３の下流側が形成される構造になっている。以下、この構造を主に図３、図４及び図８に基づき詳述する。なお、図３（ａ）において、各内部流路Ｒを点線にて示し、図３（ｂ）において、混合ガス流路Ｌ４、第１バイパス流路Ｌ２及び第２バイパス流路Ｌ３を点線にて示している。また、図４において、混合ガス流路Ｌ４を太実線にて示し、第１バイパス流路Ｌ２の下流側及び第２バイパス流路Ｌ３の下流側を太点線にて示している。 As shown in FIGS. 1 and 2, the second unit 220 includes a second block B2, a second on-off valve V2 installed on a predetermined surface of the second block B2, a concentration detector IR, and a flow control valve CV. , is equipped with In addition, the second unit 220 connects a plurality of internal flow paths R formed in the second block B2 through the internal flow paths r of the members V, IR, and CV installed on the predetermined surface of the second block B2. , the mixed gas flow path L4, the downstream side of the first bypass flow path L2, and the downstream side of the second bypass flow path L3. This structure will be described in detail below mainly with reference to FIGS. 3, 4 and 8. FIG. In addition, in FIG. 3(a), the respective internal flow paths R are indicated by dotted lines, and in FIG. 3(b), the mixed gas flow path L4, the first bypass flow path L2 and the second bypass flow path L3 are indicated by dotted lines. showing. In FIG. 4, the mixed gas flow path L4 is indicated by a thick solid line, and the downstream side of the first bypass flow path L2 and the downstream side of the second bypass flow path L3 are indicated by thick dotted lines.

前記第２ブロックＢ２は、直方体状のものであり、図３及び図４に示すように、長手方向の一端側に混合ガスを導出するための導出ポート３３が設けられており、長手方向の他端側に混合ガスを導入するための導入ポート３２が設けられている。なお、本実施形態においては、導入ポート３２及び導出ポート３３を、第２ブロックＢ２と別体のブロックによって形成されているが、第２ブロックＢ２と一体に形成してもよい。また、第２ブロックＢ２は、機能を損なわない範囲において複数の要素に分割した構造としてもよい。 The second block B2 has a rectangular parallelepiped shape, and as shown in FIGS. An introduction port 32 for introducing mixed gas is provided on the end side. In this embodiment, the introduction port 32 and the outlet port 33 are formed by blocks separate from the second block B2, but they may be formed integrally with the second block B2. Also, the second block B2 may have a structure divided into a plurality of elements as long as the function is not impaired.

第２ブロックＢ２には、図３（ａ）に示すように、導入ポート３２と導出ポート３３とを結ぶ第３直線Ｚ上に、上流側から順番に内部流路Ｒｈ、内部流路Ｒｉが形成されている。また、第２ブロックＢ２には、図８に示すように、導入ポート３２及び内部流路Ｒｈを、第２開閉弁Ｖ２の内部流路ｒ３によって接続し、内部流路Ｒｈ及び内部流路Ｒｉを、濃度検出器ＩＲの内部流路ｒ４によって接続し、内部流路Ｒｉ及び導出ポート３３を、流量制御弁ＣＶの内部流路ｒ５によって接続しており、これにより、図３（ｂ）に示す混合ガス流路Ｌ４が形成されている。また、第２ブロックＢ２には、図８に示すように、所定面の開口から内部流路Ｒｈへ合流する第１バイパス流路Ｌ２の下流側及び第２バイパス流路Ｌ３の下流側が形成されている。 In the second block B2, as shown in FIG. 3A, an internal flow path Rh and an internal flow path Ri are formed in order from the upstream side on a third straight line Z connecting the introduction port 32 and the discharge port 33. It is In addition, as shown in FIG. 8, the second block B2 is connected to the introduction port 32 and the internal flow path Rh by the internal flow path r3 of the second on-off valve V2, and the internal flow path Rh and the internal flow path Ri are connected to each other. , are connected by an internal flow path r4 of the concentration detector IR, and the internal flow path Ri and the outlet port 33 are connected by an internal flow path r5 of the flow control valve CV, thereby providing the mixing shown in FIG. A gas flow path L4 is formed. Further, as shown in FIG. 8, the second block B2 is formed with a downstream side of the first bypass flow path L2 and a downstream side of the second bypass flow path L3 which join the internal flow path Rh from an opening on a predetermined surface. there is

なお、第２ブロックＢ２には、図５に示すように、第３直線Ｚ上に設けられた内部流路Ｒｈ，Ｒｉに沿うように第３ヒータＨ３が内蔵されている。なお、第３ヒータＨ３は、第２ブロックＢ２を通過する混合ガス中の材料ガスが混合ガス流路Ｌ４内へ蓄積又は付着することを防止するために加熱する役割を果たしている。 As shown in FIG. 5, the second block B2 incorporates a third heater H3 along internal flow paths Rh and Ri provided on the third straight line Z. As shown in FIG. The third heater H3 plays a role of heating to prevent the material gas in the mixed gas passing through the second block B2 from accumulating or adhering in the mixed gas flow path L4.

前記濃度検出器ＩＲは、所謂吸光度計である。具体的には、図８に示すように、濃度検出器ＩＲは、第２ブロックＢ２の所定面に設置される検査用ブロック３０ａを備えている。検査用ブロック３０ａは、直方体状のものであり、第２ブロックＢ２の内部流路Ｒに連通させて接続される内部流路ｒ４が形成されている。なお、濃度検出器ＩＲは、この検査用ブロック３０ａの内部流路ｒ４を流れる混合ガスに対し、光を照射し、その混合ガスを透過した光の強度に基づき、混合ガスに含まれる材料ガスの濃度を検出するものである。従って、検査用ブロック３０ａには、内部流路ｒ４の一部である検査流路ｒ４´が長手方向へ貫通するように形成されており、この検査流路ｒ４´を跨ぐように一対の透光窓３０ｂが設置されている。また、検査用ブロック３０ａには、一方の透光窓３０ｂ側に、光源３０ｃが設置され、他方の透光窓３０ｂ側に、光源３０ｃから射出された光を第２ブロックＢ２から遠ざかる方向へ反射する反射ミラー３０ｄと、その反射ミラー３０ｄで反射された光を受光する受光器３０ｅと、内部流路ｒ４に接続される圧力センサ３０ｆが設置されている。また、検査用ブロック３０ａには、内部流路ｒ４に沿うようにヒータ（図示せず）が内蔵されている。なお、このヒータは、検査用ブロック３０ａを通過する混合ガス中の材料ガスが混合ガス流路Ｌ４内へ蓄積又は付着することを防止するために加熱する役割を果たしている。因みに、濃度検出器３０の感度は、光が混合ガスを透過する距離によって決まるため、検査用ブロック３０ａの検出流路ｒ４´の長さを伸ばすほど、感度が増す。 The concentration detector IR is a so-called absorbance meter. Specifically, as shown in FIG. 8, the density detector IR includes an inspection block 30a installed on a predetermined surface of the second block B2. The inspection block 30a has a rectangular parallelepiped shape, and is formed with an internal channel r4 that communicates with and is connected to the internal channel R of the second block B2. The concentration detector IR irradiates the mixed gas flowing through the internal flow path r4 of the inspection block 30a with light, and based on the intensity of the light transmitted through the mixed gas, determines the concentration of the material gas contained in the mixed gas. It detects concentration. Therefore, the inspection block 30a is formed with an inspection channel r4', which is a part of the internal channel r4, penetrating in the longitudinal direction. A window 30b is installed. A light source 30c is installed on one side of the translucent window 30b of the inspection block 30a, and the light emitted from the light source 30c is reflected on the other side of the translucent window 30b in a direction away from the second block B2. A reflecting mirror 30d, a light receiver 30e for receiving the light reflected by the reflecting mirror 30d, and a pressure sensor 30f connected to the internal flow path r4 are installed. A heater (not shown) is built in the inspection block 30a along the internal flow path r4. This heater serves to prevent the material gas in the mixed gas passing through the inspection block 30a from accumulating or adhering in the mixed gas flow path L4. Incidentally, since the sensitivity of the concentration detector 30 is determined by the distance that light passes through the mixed gas, the sensitivity increases as the length of the detection channel r4' of the inspection block 30a increases.

前記流量制御弁ＣＶは、図８に示すように、第２ブロックＢ２の所定面に設置される台座ブロック３１ａを備えている。台座ブロック３１ａは、直方体状のものであり、第２ブロックＢ２の内部流路Ｒに連通させて接続される内部流路ｒ５が形成されている。なお、流量制御弁ＣＶは、この台座ブロック３１ａの内部流路ｒ５を流れる流体の流量を調節するものである。 The flow control valve CV, as shown in FIG. 8, has a base block 31a installed on a predetermined surface of the second block B2. The pedestal block 31a has a rectangular parallelepiped shape, and is formed with an internal flow path r5 that communicates with and is connected to the internal flow path R of the second block B2. The flow control valve CV adjusts the flow rate of fluid flowing through the internal flow path r5 of the base block 31a.

このように構成することにより、第２ユニット２２０には、図３（ｂ）及び図４に示すように、第２ブロックＢ２に対し、導入ポート３２から導出ポート３３へ伸びる混合ガス流路Ｌ４が形成され、混合ガス流路Ｌ４の濃度検出器ＩＲよりも上流側に合流するように、第１バイパス流路Ｌ２の下流側及び第２バイパス流路Ｌ３の下流側が形成される。 With this configuration, as shown in FIGS. 3B and 4, the second unit 220 has a mixed gas flow path L4 extending from the introduction port 32 to the outlet port 33 with respect to the second block B2. The downstream side of the first bypass flow path L2 and the downstream side of the second bypass flow path L3 are formed so as to merge with the mixed gas flow path L4 on the upstream side of the concentration detector IR.

次に、第１ユニット２１０及び第２ユニット２２０の組立てについて説明する。 Next, assembly of the first unit 210 and the second unit 220 will be described.

第１ユニット２１０及び第２ユニット２２０は、第１ブロックＢ１及び第２ブロックＢ２を連結手段によって連結して一体にできる構造になっている。そして、図４に示すように、第１ブロックＢ１及び第２ブロックＢ２を連結した場合に、第２バイパス流路Ｌ３の上流側及び第２バイパス流路Ｌ３の下流側が接続され、図３（ｂ）に示すように、第２バイパス流路Ｌ３が形成される。連結手段としては、例えば、第２ブロックＢ２を貫通して第１ブロックＢ１に達するネジによって締結する手段が考えられるが、これに限定されるものではない。 The first unit 210 and the second unit 220 have a structure in which the first block B1 and the second block B2 can be connected by connecting means to be integrated. Then, as shown in FIG. 4, when the first block B1 and the second block B2 are connected, the upstream side of the second bypass flow path L3 and the downstream side of the second bypass flow path L3 are connected, and FIG. ), a second bypass flow path L3 is formed. As the connection means, for example, a means for fastening with a screw that penetrates the second block B2 and reaches the first block B1 can be considered, but it is not limited to this.

また、図４に示すように、第１ブロックＢ１及び第２ブロックＢ２を連結した場合に、第１バイパス流路Ｌ２の上流側及び第１バイパス流路Ｌ２の下流側を接続するか否かを選択することできるようになっている。そして、第１バイパス流路Ｌ２の上流側及び第１バイパス流路の下流側を接続させた場合には、図３（ｂ）に示すように、第１バイパス流路Ｌ２が形成される。これにより、供給先へ供給する材料ガスの濃度を、キャリアガス流路Ｌ１から第１バイパス流路Ｌ２を介して混合ガス流路Ｌ４へ導入するキャリアガスの流量によって制御する希釈方式として使用できるようになる。なお、濃度制御装置２００を希釈方式で使用する場合には、流量制御弁ＣＶは必要ないので、これをバイパスブロックに変更することにより、コストを削減できる。 Further, as shown in FIG. 4, when the first block B1 and the second block B2 are connected, whether or not to connect the upstream side of the first bypass flow path L2 and the downstream side of the first bypass flow path L2 is determined. You can choose. When the upstream side of the first bypass flow path L2 and the downstream side of the first bypass flow path are connected, the first bypass flow path L2 is formed as shown in FIG. 3(b). As a result, it can be used as a dilution method in which the concentration of the material gas supplied to the supply destination is controlled by the flow rate of the carrier gas introduced from the carrier gas flow path L1 to the mixed gas flow path L4 via the first bypass flow path L2. become. Note that when the concentration control device 200 is used in the dilution method, the flow control valve CV is not required, so the cost can be reduced by replacing it with a bypass block.

一方、第１バイパス流路Ｌ２の上流側及び第１バイパス流路Ｌ２の下流側を接続させなかった場合には、供給先へ供給する材料ガスの濃度を、混合ガス流路Ｌ４の圧力で制御する圧力方式として使用できるようになる。なお、濃度制御装置２００を圧力方式で使用する場合には、第２流量制御装置ＭＦＣ２及び第４開閉弁Ｖ４は必要ないので、これらを取り除いて第１バイパス流路Ｌ２の上流側を閉鎖することにより、コストを削減することもできる。この場合、第２流体制御装置ＭＦＣ２及び第４開閉弁Ｖ４を取り除くことなく、第２バイパスブロックｂ２を塞いで第１バイパス流路Ｌ２の上流側を閉鎖してもよい。第１バイパス流路Ｌ２の上流側の閉鎖には、蓋体等のパーツを使用すればよい。 On the other hand, when the upstream side of the first bypass flow path L2 and the downstream side of the first bypass flow path L2 are not connected, the concentration of the material gas supplied to the supply destination is controlled by the pressure of the mixed gas flow path L4. It can be used as a pressure method to When the concentration control device 200 is used in a pressure system, the second flow rate control device MFC2 and the fourth on-off valve V4 are not necessary, so they can be removed to close the upstream side of the first bypass flow path L2. can also reduce costs. In this case, the second bypass block b2 may be blocked to close the upstream side of the first bypass flow path L2 without removing the second fluid control device MFC2 and the fourth on-off valve V4. A part such as a lid may be used to close the upstream side of the first bypass flow path L2.

第１ブロックＢ１及び第２ブロックＢ２を連結した場合に、第２ヒータＨ２及び第３ヒータＨ３によって混合ガス流路Ｌ４が挟まれた状態となり、混合ガスがより効率的に加熱されるようになる。この場合、第３ヒータＨ３は、外気と接触する面に沿って配置され、混合ガス流路Ｌ４に外気の温度が伝わり難くなる。因みに、第１ブロックＢ１及び第２ブロックＢ２を連結した場合に、断熱ブロック３００やパネルに対向する面が平坦になり、設置し易くなっている。 When the first block B1 and the second block B2 are connected, the mixed gas flow path L4 is sandwiched between the second heater H2 and the third heater H3, and the mixed gas is heated more efficiently. . In this case, the third heater H3 is arranged along the surface in contact with the outside air, making it difficult for the temperature of the outside air to be transmitted to the mixed gas flow path L4. By the way, when the first block B1 and the second block B2 are connected, the surface facing the heat insulation block 300 and the panel becomes flat, which facilitates installation.

また、前記濃度制御装置２００は、図示しない制御部に接続されている。具体的には、第１ユニット２１０における二つの流量制御装置ＭＦＣ及び三つの開閉弁Ｖと、第２ユニット２２０における開閉弁Ｖ、濃度検出器ＩＲ及び流量制御弁ＣＶと、がそれぞれ制御部に接続されている。制御部は、ＣＰＵ、内部メモリ、Ｉ／Ｏバッファ回路、ＡＤコンバータ等を有した所謂コンピュータである。そして、内部メモリの所定領域に格納した制御プログラムに従って動作することで、ＣＰＵ及び周辺機器が協働動作し、供給先へ供給する材料ガスの濃度を制御する機能を発揮する。 Further, the density control device 200 is connected to a control section (not shown). Specifically, the two flow control devices MFC and three on-off valves V in the first unit 210, and the on-off valve V, the concentration detector IR, and the flow control valve CV in the second unit 220 are connected to the control unit. It is The control unit is a so-called computer having a CPU, an internal memory, an I/O buffer circuit, an AD converter, and the like. By operating according to the control program stored in the predetermined area of the internal memory, the CPU and the peripheral devices cooperate to perform the function of controlling the concentration of the material gas to be supplied to the supply destination.

次に、本実施形態に係る材料ガス供給装置１００の構築方法を説明する。 Next, a method for constructing the material gas supply device 100 according to this embodiment will be described.

先ず、検出流路ｒ４´の長さが異なる濃度検出器ＩＲ、即ち、感度が異なる濃度検出器ＩＲを設置した複数の第２ユニット２２０を事前に複数用意しておく。そして、濃度制御装置２００の仕様に従って最適な感度の濃度検出器ＩＲが設置された第２ユニット２２０を選択し、その選択した第２ユニット２２０を第１ユニット２１０へ連結する。この場合、第２バイパス流路Ｌ３の上流側及び第２バイパス流路Ｌ３の下流側を接続して第２バイパス流路Ｌ３を形成すると共に、制御方式（圧力方式又は希釈方式）に合わせて第１バイパス流路Ｌ２の上流側及び第１バイパス流路Ｌ２の下流側を接続するか否かを選択する。そして、得られた濃度制御装置２００を、キャリアガス供給装置、貯留タンクＳＴ及び供給先へ接続して材料ガス制御システムを構築する。 First, a plurality of second units 220 having concentration detectors IR with different lengths of the detection flow path r4', ie concentration detectors IR with different sensitivities, are prepared in advance. Then, the second unit 220 in which the optimum sensitivity density detector IR is installed is selected according to the specifications of the density control device 200 and the selected second unit 220 is connected to the first unit 210 . In this case, the upstream side of the second bypass flow path L3 and the downstream side of the second bypass flow path L3 are connected to form the second bypass flow path L3. It is selected whether or not to connect the upstream side of the first bypass flow path L2 and the downstream side of the first bypass flow path L2. Then, the obtained concentration control device 200 is connected to the carrier gas supply device, the storage tank ST and the supply destination to construct the material gas control system.

次に、本実施形態に係る濃度制御装置２００を希釈方式で制御した場合の動作を図９に基づいて説明する。なお、図９に示す濃度制御装置２００は、制御方式に合わせて流量制御弁ＣＶを取り除いている。 Next, the operation of the concentration control device 200 according to this embodiment when it is controlled by the dilution method will be described with reference to FIG. Note that the concentration control device 200 shown in FIG. 9 does not have the flow control valve CV in accordance with the control method.

材料ガス供給装置１００に対して、稼働信号が送信されると、制御部は、先ず、第１開閉弁Ｖ１、第２開閉弁Ｖ２及び第４開閉弁Ｖ４を開くと共に、第３開閉弁Ｖ３を閉じた状態とする。これにより、貯留タンクＳＴに対し、濃度制御装置２００を介してキャリアガスが導入され、供給先に対し、濃度制御装置２００を介して混合ガスが供給され始める。因みに、第４開閉弁Ｖ４は、希釈方式で制御する場合には、常に開いた状態になっている。 When an operation signal is transmitted to the material gas supply device 100, the control unit first opens the first on-off valve V1, the second on-off valve V2, and the fourth on-off valve V4, and also closes the third on-off valve V3. Keep it closed. As a result, the carrier gas is introduced into the storage tank ST through the concentration control device 200, and the mixed gas begins to be supplied through the concentration control device 200 to the supply destination. Incidentally, the fourth on-off valve V4 is always open when the dilution method is used for control.

そして、制御部は、混合ガス流路Ｌ４を流れる材料ガスの濃度を随時濃度検出器ＩＲによって検出し、その検出濃度値が予め定められた設定濃度値に近づくように第１流量制御装置ＭＦＣ１及び第２流量制御装置ＭＦＣ２を制御する。具体的には、制御部は、設定濃度値よりも検出濃度値が高い場合には、第１流量制御装置ＭＦＣ１に設定された目標流量を下げると共に、第２流量制御装置ＭＦＣ２に設定された目標流量を上げる制御を実施する。これにより、貯留タンクＳＴへ導入されるキャリアガスの流量が減少すると共に、第１バイパス流路Ｌ２を通って混合ガス流路Ｌ４へ導入されるキャリアガスの流量が増加する。その結果、混合ガス流路Ｌ４を流れる混合ガスの希釈度合いが増し、濃度検出器ＩＲで検出される検出濃度値が低下する。一方、制御部は、設定濃度値よりも検出濃度値が低い場合には、第１流量制御装置ＭＦＣ１に設定された目標流量を上げると共に、第２流量制御装置ＭＦＣ２に設定された目標流量を下げる制御を実施する。これにより、貯留タンクＳＴへ導入されるキャリアガスの流量が増加すると共に、第１バイパス流路Ｌ２を通って混合ガス流路Ｌ４へ導入されるキャリアガスの流量が減少する。その結果、混合ガス流路Ｌ４を流れる混合ガスの希釈度合いが減り、濃度検出器ＩＲで検出される濃度値が上昇する。 Then, the control unit detects the concentration of the material gas flowing through the mixed gas flow path L4 at any time by the concentration detector IR, and controls the first flow control device MFC1 and It controls the second flow controller MFC2. Specifically, when the detected concentration value is higher than the set concentration value, the control unit lowers the target flow rate set in the first flow control device MFC1 and reduces the target flow rate set in the second flow control device MFC2. Implement control to increase the flow rate. As a result, the flow rate of the carrier gas introduced into the storage tank ST decreases, and the flow rate of the carrier gas introduced into the mixed gas flow path L4 through the first bypass flow path L2 increases. As a result, the degree of dilution of the mixed gas flowing through the mixed gas flow path L4 increases, and the detected concentration value detected by the concentration detector IR decreases. On the other hand, when the detected concentration value is lower than the set concentration value, the control unit increases the target flow rate set in the first flow control device MFC1 and lowers the target flow rate set in the second flow control device MFC2. Enforce controls. As a result, the flow rate of the carrier gas introduced into the storage tank ST increases, and the flow rate of the carrier gas introduced into the mixed gas flow path L4 through the first bypass flow path L2 decreases. As a result, the degree of dilution of the mixed gas flowing through the mixed gas flow path L4 decreases, and the concentration value detected by the concentration detector IR increases.

次に、本実施形態に係る濃度制御装置２００を圧力方式で制御した場合の動作を図１０に基づいて説明する。なお、図１０に示す濃度制御装置２００は、制御方式に合わせて、第２流量制御装置ＭＦＣ２及び第４開閉弁Ｖ４を取り除いている。 Next, the operation of the concentration control device 200 according to the present embodiment when controlled by the pressure method will be described with reference to FIG. The concentration control device 200 shown in FIG. 10 does not have the second flow control device MFC2 and the fourth on-off valve V4 in accordance with the control system.

材料ガス供給装置１００に対して、稼働信号が送信されると、制御部は、先ず、第１開閉弁Ｖ１及び第２開閉弁Ｖ２を開くと共に、第３開閉弁Ｖ３を閉じた状態とする。これにより、貯留タンクＳＴに対し、濃度制御装置２００を介してキャリアガスが導入され、供給先に対し、濃度制御装置２００を介して混合ガスが供給され始める。 When an operation signal is transmitted to the material gas supply device 100, the control unit first opens the first on-off valve V1 and the second on-off valve V2, and closes the third on-off valve V3. As a result, the carrier gas is introduced into the storage tank ST through the concentration control device 200, and the mixed gas begins to be supplied through the concentration control device 200 to the supply destination.

そして、制御部は、混合ガス流路Ｌ４を流れる材料ガスの濃度を随時濃度検出器ＩＲによって検出し、その検出濃度値が予め定められた設定濃度値に近づくように流量制御弁ＣＶを制御する。具体的には、制御部は、設定濃度値よりも検出濃度値が高い場合には、流量制御弁ＣＶの開度を小さくする制御を実施する。これにより、混合ガス流路Ｌ４を流れる混合ガスの濃度が下がり、濃度検出器ＩＲで検出される検出濃度値が低下する。一方、制御部は、設定濃度値よりも検出濃度値が低い場合には、流量制御弁ＣＶの開度を大きくする制御を実施する。これにより、混合ガス流路Ｌ４を流れる混合ガスの濃度が上がり、濃度検出器ＩＲで検出される濃度値が上昇する。 Then, the control unit detects the concentration of the material gas flowing through the mixed gas flow path L4 at any time by the concentration detector IR, and controls the flow control valve CV so that the detected concentration value approaches a predetermined set concentration value. . Specifically, when the detected concentration value is higher than the set concentration value, the control unit performs control to reduce the opening degree of the flow control valve CV. As a result, the concentration of the mixed gas flowing through the mixed gas flow path L4 decreases, and the detected concentration value detected by the concentration detector IR decreases. On the other hand, when the detected concentration value is lower than the set concentration value, the control unit performs control to increase the opening degree of the flow control valve CV. As a result, the concentration of the mixed gas flowing through the mixed gas flow path L4 increases, and the concentration value detected by the concentration detector IR increases.

なお、いずれの制御方式においても、材料ガス供給装置１００に対して、材料ガスの供給を停止する停止信号が送信された場合に、制御部は、先ず、第１開閉弁Ｖ１及び第２開閉弁Ｖ２を閉じると共に、第３開閉弁Ｖ３及び第４開閉弁Ｖ４（圧力方式の場合は、第３開閉弁Ｖ３のみ）を開いた状態とする。これにより、濃度制御装置２００及び貯留タンクＳＴの接続が遮断され、貯留タンクＳＴからの材料ガスの供給が停止する。また、制御部は、材料ガス供給装置１００に対してパージ信号が送信されると、前記と同様の制御を実施する。これにより、濃度制御装置２００内の各流路Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４に対して隅々までキャリアガスのみが流通し、濃度制御装置２００内のパージが実施される。従って、第２バイパス流路Ｌ３は、キャリアガス流路Ｌ１のできるだけ下流側と、混合ガス流路Ｌ４のできるだけ上流側と、を繋ぐように設けることが好ましい。 In any control method, when a stop signal for stopping the supply of the material gas is transmitted to the material gas supply device 100, the control unit first controls the first on-off valve V1 and the second on-off valve V1 and the second on-off valve V2 is closed, and the third on-off valve V3 and the fourth on-off valve V4 (only the third on-off valve V3 in the case of the pressure type) are opened. As a result, the connection between the concentration control device 200 and the storage tank ST is cut off, and the supply of the material gas from the storage tank ST is stopped. Further, when the purge signal is transmitted to the material gas supply device 100, the control section performs the same control as described above. As a result, only the carrier gas flows to every corner of the flow paths L1, L2, L3, and L4 in the concentration control device 200, and the inside of the concentration control device 200 is purged. Therefore, it is preferable to provide the second bypass flow path L3 so as to connect the downstream side of the carrier gas flow path L1 and the upstream side of the mixed gas flow path L4 as much as possible.

前記実施形態においては、材料ガス供給装置１００を希釈方式又は圧力方式のいずれかにしか使用できないように濃度制御装置２００を組み立てているが、いずれの制御方式にも使用できるように組み立て、制御部によっていずれか一方の制御方式に制御できるようにしてもよい。この場合、第４開閉弁Ｖ４の開閉によって制御方式を切り替えるようにすればよい。 In the above embodiment, the concentration control device 200 is assembled so that the material gas supply device 100 can be used only for either the dilution method or the pressure method. You may enable it to control to one of the control methods by . In this case, the control method may be switched by opening and closing the fourth on-off valve V4.

また、図９に示す濃度制御装置２００において、圧力センサ３０ｆで検出される圧力は、濃度制御装置２００の二次圧ともいえる。そこで、圧力センサ３０ｆを利用して図９に示す濃度制御装置２００に対して二次圧上昇防止機能を追加してもよい。具体的には、制御部が、圧力センサ３０ｆで予め定められた設定二次圧値よりも高い圧力値（二次圧）を検出した場合に、第２開閉弁Ｖ２、第３開閉弁Ｖ３及び第４開閉弁Ｖ４を閉じた状態（二次圧上昇防止状態）にするように構成すればよい。 Further, in the concentration control device 200 shown in FIG. 9, the pressure detected by the pressure sensor 30f can be said to be the secondary pressure of the concentration control device 200. Therefore, a secondary pressure increase prevention function may be added to the concentration control device 200 shown in FIG. 9 by using the pressure sensor 30f. Specifically, when the control unit detects a pressure value (secondary pressure) higher than a predetermined set secondary pressure value with the pressure sensor 30f, the second on-off valve V2, the third on-off valve V3, and the The configuration may be such that the fourth on-off valve V4 is closed (secondary pressure increase prevention state).

このようなものであれば、濃度制御装置２００の二次側の圧力が上昇して耐圧性が低い濃度検出器ＩＲが破損する事態を防止できる。この場合、制御部が、第１流量制御弁２０ｃ、第２流量制御弁２０ｃ、第１開閉弁Ｖ１も閉じた状態にすることが好ましい。これにより、二次圧上昇防止状態になった場合における内部流路と貯留タンクＳＴの圧力上昇を防止できる。また、この場合、キャリアガス流路Ｌ１における第１バイパス流路Ｌ２との分岐点よりも上流側に第５開閉弁（図示せず）を設置し、制御部が、第５開閉弁を閉じた状態にするように構成してもよい。これにより、第１流量制御弁２０ｃ、第２流量制御弁２０ｃに出流れがあった場合でも、内部流路の圧力上昇を確実に防止できる。 With such a configuration, it is possible to prevent a situation in which the pressure on the secondary side of the concentration control device 200 increases and the concentration detector IR, which has a low pressure resistance, is damaged. In this case, it is preferable that the control unit also closes the first flow control valve 20c, the second flow control valve 20c, and the first on-off valve V1. As a result, it is possible to prevent a pressure rise in the internal flow path and the storage tank ST when the secondary pressure rise prevention state is established. Further, in this case, a fifth on-off valve (not shown) is installed upstream of the branch point of the carrier gas flow path L1 with the first bypass flow path L2, and the control unit closes the fifth on-off valve. It may be configured to set the state As a result, even when the first flow control valve 20c and the second flow control valve 20c have an outflow, an increase in pressure in the internal flow path can be reliably prevented.

さらに、混合ガス流路Ｌ４における圧力センサ３０ｆよりも下流側に第６開閉弁（図示せず）を設置し、制御部が、二次圧上昇防止状態にした後に圧力センサ３０ｆで検出される圧力値が上昇する場合に、第６開閉弁も閉じた状態にすることが好ましい。これにより、第６開閉弁よりも下流側の圧力上昇による内部流路の圧力上昇を防止できる。また、この場合、濃度制御装置２００の下流側（二次側）に第４圧力センサ（図示せず）を設置すれば、圧力センサ３０ｆ及び第４圧力センサを比較することにより、濃度制御装置２００を二次圧上昇防止状態から濃度制御状態に自動復帰させることもできる。 Furthermore, a sixth on-off valve (not shown) is installed downstream of the pressure sensor 30f in the mixed gas flow path L4, and the pressure detected by the pressure sensor 30f after the control unit puts the secondary pressure rise prevention state into When the value increases, it is preferable to close the sixth on-off valve as well. As a result, it is possible to prevent a pressure rise in the internal flow path due to a pressure rise downstream of the sixth on-off valve. In this case, if a fourth pressure sensor (not shown) is installed on the downstream side (secondary side) of the concentration control device 200, by comparing the pressure sensor 30f and the fourth pressure sensor, the concentration control device 200 can be automatically returned from the secondary pressure rise prevention state to the concentration control state.

＜実施形態２＞ 本実施形態は、前記実施形態１に係る濃度制御装置２００の変形例であり、図９に示す濃度制御装置２００に対して内圧上昇防止機能を追加した態様のものである。具体的には、本実施形態に係る濃度制御装置２００は、図１１に示すように、図９に示す濃度制御装置２００に対してさらに、キャリアガス流路Ｌ１における流量制御装置ＭＦＣ１の下流側に第１圧力センサＰ１を設置し、第１バイパス流路Ｌ２における流量制御装置ＭＦＣ２の下流側に第２圧力センサＰ２を設置した態様のものである。より具体的には、第１圧力センサＰ１は、キャリアガス流路Ｌ１における第１開閉弁Ｖ１よりも上流側に設置されており、第２圧力センサＰ２は、第１バイパス流路Ｌ２における第４開閉弁Ｖ４よりも上流側に設置されている。 <Embodiment 2> This embodiment is a modification of the concentration control device 200 according to Embodiment 1, and is a mode in which an internal pressure increase prevention function is added to the concentration control device 200 shown in Fig. 9 . Specifically, as shown in FIG. 11, the concentration control device 200 according to the present embodiment further includes the concentration control device 200 shown in FIG. In this embodiment, a first pressure sensor P1 is installed, and a second pressure sensor P2 is installed downstream of the flow control device MFC2 in the first bypass flow path L2. More specifically, the first pressure sensor P1 is installed upstream of the first on-off valve V1 in the carrier gas flow path L1, and the second pressure sensor P2 is installed at the fourth pressure sensor in the first bypass flow path L2. It is installed upstream of the on-off valve V4.

そして、制御部が、第１圧力センサＰ１で予め定められた設定内圧値よりも高い圧力値が検出された場合に、流量制御装置ＭＦＣ１の第１流量制御弁２０ｃ、第１開閉弁Ｖ１、第２開閉弁Ｖ２及び第４開閉弁Ｖ４を閉じた状態にすると共に、第３開閉弁Ｖ３を開いた状態（内圧上昇防止状態）にするように構成されている。これにより、キャリアガス流路Ｌ１における流量制御装置ＭＦＣ１の下流側が濃度制御装置２００の下流側に接続されたポンプ（図示せず）によって排気されて内圧が低下する。 Then, when the first pressure sensor P1 detects a pressure value higher than a predetermined set internal pressure value, the control unit detects the first flow control valve 20c, the first on-off valve V1, the first The second on-off valve V2 and the fourth on-off valve V4 are closed, and the third on-off valve V3 is opened (internal pressure rise prevention state). As a result, the downstream side of the flow control device MFC1 in the carrier gas flow path L1 is evacuated by a pump (not shown) connected to the downstream side of the concentration control device 200, thereby reducing the internal pressure.

また、制御部が、第２圧力センサＰ２で予め定められた設定内圧値よりも高い圧力値が検出された場合に、流量制御装置ＭＦＣ２の第２流量制御弁２０ｃ、第１開閉弁Ｖ１、第２開閉弁Ｖ２及び第３開閉弁Ｖ３を閉じた状態にすると共に、第４開閉弁Ｖ４を開いた状態（内圧上昇防止状態）にするように構成されている。これにより、第１バイパス流路Ｌ２における流量制御装置ＭＦＣ２の下流側が前記ポンプによって排気されて内圧が低下する。 Further, when the second pressure sensor P2 detects a pressure value higher than a predetermined set internal pressure value, the control unit detects the second flow control valve 20c, the first on-off valve V1, and the second flow control valve V1 of the flow control device MFC2. The second on-off valve V2 and the third on-off valve V3 are closed, and the fourth on-off valve V4 is opened (internal pressure rise prevention state). As a result, the downstream side of the flow control device MFC2 in the first bypass flow path L2 is evacuated by the pump, and the internal pressure decreases.

このようなものであれば、濃度制御装置２００の内圧が上昇して耐圧性が低い濃度検出器ＩＲが破損する事態を防止できる。因みに、この場合、キャリアガス流路Ｌ１における第１バイパス流路Ｌ２との分岐点よりも上流側に第５開閉弁Ｖ５（図１１中、点線にて示す。）を設置し、第１圧力センサＰ１又は第２圧力センサＰ２で予め定められた設定内圧値よりも高い圧力値が検出された場合に、第５開閉弁Ｖ５も閉じた状態にすることが好ましい。 With such a configuration, it is possible to prevent a situation in which the internal pressure of the concentration control device 200 increases and the concentration detector IR, which has a low pressure resistance, is damaged. Incidentally, in this case, a fifth on-off valve V5 (indicated by a dotted line in FIG. 11) is installed on the upstream side of the branch point of the carrier gas flow path L1 with the first bypass flow path L2, and the first pressure sensor When a pressure value higher than a predetermined set internal pressure value is detected by P1 or the second pressure sensor P2, it is preferable to close the fifth on-off valve V5 as well.

＜実施形態３＞ 本実施形態は、前記実施形態１に係る濃度制御装置２００の変形例であり、図９に示す濃度制御装置２００に対して逆流防止機能を追加した態様のものである。具体的には、本実施形態に係る濃度制御装置２００は、図１２に示すように、図９に示す濃度制御装置２００に対してさらに、キャリアガス流路Ｌ１における流量制御装置ＭＦＣ１の下流側であって、第１開閉弁Ｖ１よりも上流側に圧力センサＰ１に設置すると共に、第１開閉弁Ｖ１よりも下流側に第３圧力センサＰ３を設置し、第１バイパス流路Ｌ２における流量制御装置ＭＦＣ２の下流側であって第４開閉弁Ｖ４よりも上流側に第２圧力センサＰ２を設置した態様のものである。 <Embodiment 3> This embodiment is a modification of the concentration control device 200 according to Embodiment 1, and is a mode in which a backflow prevention function is added to the concentration control device 200 shown in FIG. Specifically, as shown in FIG. 12, the concentration control device 200 according to the present embodiment further includes, in addition to the concentration control device 200 shown in FIG. The pressure sensor P1 is installed on the upstream side of the first on-off valve V1, and the third pressure sensor P3 is installed on the downstream side of the first on-off valve V1 to control the flow rate in the first bypass flow path L2. In this embodiment, the second pressure sensor P2 is installed downstream of the MFC2 and upstream of the fourth on-off valve V4.

そして、制御部が、第１圧力センサＰ１の圧力値よりも第３圧力センサＰ３の圧力値が大きくなった場合に、第１開閉弁Ｖ１を閉じた状態に維持するように構成されている。このようなものであれば、貯留タンクＳＴに貯留された材料が濃度制御装置２００内へ逆流することを防止できる。 The control unit is configured to keep the first on-off valve V1 closed when the pressure value of the third pressure sensor P3 is greater than the pressure value of the first pressure sensor P1. With such a structure, it is possible to prevent the material stored in the storage tank ST from flowing back into the concentration control device 200 .

また、制御部が、第１圧力センサＰ１の圧力値よりも圧力センサ３０ｆの圧力値が大きくなった場合に、第３開閉弁Ｖ３を閉じた状態に維持し、第２圧力センサＰ２の圧力値よりも圧力センサ３０ｆの圧力値が大きくなった場合に、第４開閉弁Ｖ４を閉じた状態に維持するように構成されている。このようなものであれば、混合ガス流路Ｌ４を流れる混合ガスがキャリアガス流路Ｌ１や第１バイパス流路Ｌ２へ逆流することを防止できる。 Further, when the pressure value of the pressure sensor 30f becomes larger than the pressure value of the first pressure sensor P1, the control unit maintains the third on-off valve V3 in a closed state, and the pressure value of the second pressure sensor P2 When the pressure value of the pressure sensor 30f becomes larger than the pressure value of the pressure sensor 30f, the fourth on-off valve V4 is kept closed. With such a configuration, it is possible to prevent the mixed gas flowing through the mixed gas flow path L4 from flowing back to the carrier gas flow path L1 or the first bypass flow path L2.

＜実施形態４＞ 本実施形態は、前記実施形態１に係る濃度制御装置２００の変形例であり、図９に示す濃度制御装置２００に対して貯留タンクを交換する場合に使用するサイクルパージ機能を追加した態様のものである。具体的には、本実施形態に係る濃度制御装置２００は、図９に示す濃度制御装置２００に対してさらに、キャリアガス流路Ｌ１における第１バイパス流路Ｌ２との分岐点よりも上流側に第５開閉弁Ｖ５（図１１参照）を設置した態様のものである。 <Embodiment 4> This embodiment is a modification of the concentration control apparatus 200 according to Embodiment 1, and the cycle purge function used when replacing the storage tank is added to the concentration control apparatus 200 shown in FIG. It is an added aspect. Specifically, the concentration control device 200 according to the present embodiment further includes the concentration control device 200 shown in FIG. This is a mode in which a fifth on-off valve V5 (see FIG. 11) is installed.

そして、貯留タンクＳＴを交換する場合に、貯留タンクＳＴの導入管１１及び導出管１２に設置された開閉弁（図示せず）を閉じた状態とした後、ユーザが、貯留タンクＳＴの交換信号を入力すると、その交換信号を受信した制御部が、第１流量制御弁２０ｃ、第２流量制御弁２０ｃ、第１開閉弁Ｖ１、第２開閉弁Ｖ２、第３開閉弁Ｖ３及び第４開閉弁Ｖ４を開いた状態にした後、第５開閉弁Ｖ５を所定時間毎に開閉を繰り返すように構成されている。これにより、第５開閉弁Ｖ５を開いた場合に、濃度制御装置２００内がキャリアガスによってパージされ、第５開閉弁Ｖ５を閉じた場合に、濃度制御装置２００内が前記ポンプによって真空引きされ、これを繰り返すことによってサイクルパージされる。 When the storage tank ST is to be replaced, after the on-off valves (not shown) installed in the introduction pipe 11 and the discharge pipe 12 of the storage tank ST are closed, the user issues a replacement signal for the storage tank ST. is input, the control unit that received the exchange signal operates the first flow control valve 20c, the second flow control valve 20c, the first on-off valve V1, the second on-off valve V2, the third on-off valve V3, and the fourth on-off valve After opening V4, the fifth on-off valve V5 is repeatedly opened and closed at predetermined time intervals. As a result, when the fifth on-off valve V5 is opened, the inside of the concentration control device 200 is purged with the carrier gas, and when the fifth on-off valve V5 is closed, the inside of the concentration control device 200 is evacuated by the pump, Cycle purge is performed by repeating this.

なお、本実施形態では、第５開閉弁Ｖ５の開閉を繰り返すことによってサイクルパージを行っているが、第５開閉弁Ｖ５を設置することなく、制御部が、第１開閉弁Ｖ１、第２開閉弁Ｖ２、第３開閉弁Ｖ３及び第４開閉弁Ｖ４を開いた状態とした後、第１流量制御弁２０ｃ及び第２流量制御弁２０ｃの開閉を同時に繰り返すことによってサイクルパージするようにしてもよい。 In this embodiment, the cycle purge is performed by repeatedly opening and closing the fifth on-off valve V5. After opening the valve V2, the third on-off valve V3, and the fourth on-off valve V4, the cycle purge may be performed by simultaneously opening and closing the first flow control valve 20c and the second flow control valve 20c. .

また、本実施形態において、第１流量センサ２０ｂ及び第２流量センサ２０ｂのゼロ点調整機能を追加してもよい。具体的には、第１流量センサ２０ｂのゼロ点を調整する場合には、第１流量センサ２０ｂに対するゼロ点調整開始信号を受信した制御部が、第１開閉弁Ｖ１、第３開閉弁Ｖ３及び第５開閉弁Ｖ５を閉じた状態とし、第１流量センサ２０ｂのゼロ点を調整するように構成すればよい。また、第２流量センサ２０ｂのゼロ点を調整する場合には、第２流量センサ２０ｂに対するゼロ点調整開始信号を受信した制御部が、第４開閉弁Ｖ４及び第５開閉弁Ｖ５を閉じた状態とし、第２流量センサ２０ｂのゼロ点を調整するように構成すればよい。 Moreover, in this embodiment, the zero point adjustment function of the first flow sensor 20b and the second flow sensor 20b may be added. Specifically, when adjusting the zero point of the first flow sensor 20b, the control unit that has received the zero point adjustment start signal for the first flow sensor 20b controls the first on-off valve V1, the third on-off valve V3, and the The configuration may be such that the fifth on-off valve V5 is closed and the zero point of the first flow sensor 20b is adjusted. Further, when adjusting the zero point of the second flow sensor 20b, the control unit that has received the zero point adjustment start signal for the second flow sensor 20b closes the fourth on-off valve V4 and the fifth on-off valve V5. and the zero point of the second flow rate sensor 20b may be adjusted.

＜実施形態５＞ 本実施形態は、前記実施形態１に係る濃度制御装置２００の変形例であり、図９に示す濃度制御装置２００に対して流量制御装置ＭＦＣ１及びＭＦＣ２の校正機能を追加した態様のものである。具体的には、本実施形態に係る濃度制御装置２００は、図１３に示すように、図９に示す濃度制御装置２００に対してさらに、圧力センサ３０ｆよりも下流側に第６開閉弁Ｖ６を設置した態様のものである。 <Embodiment 5> This embodiment is a modification of the concentration control device 200 according to Embodiment 1, and is an aspect in which a calibration function for the flow control devices MFC1 and MFC2 is added to the concentration control device 200 shown in FIG. belongs to. Specifically, as shown in FIG. 13, the concentration control device 200 according to the present embodiment further includes a sixth on-off valve V6 downstream of the pressure sensor 30f in addition to the concentration control device 200 shown in FIG. It is in the mode in which it is installed.

なお、この場合、キャリアガス流路Ｌ１における第１流量制御弁２０ｃから第１開閉弁Ｖ１までの流路、第１バイパス流路Ｌ２における第２流量制御弁２０ｃよりも下流側の流路、第２バイパス流路Ｌ３の流路、及び、混合ガス流路Ｌ４における第２開閉弁Ｖ２から第６開閉弁Ｖ６までの流路、を合成した合成流路（図１３中、点線にて示す。）の容積を予め計測しておく。 In this case, the flow path from the first flow control valve 20c to the first on-off valve V1 in the carrier gas flow path L1, the flow path downstream of the second flow control valve 20c in the first bypass flow path L2, the A composite flow path obtained by synthesizing the flow path of the two bypass flow paths L3 and the flow path from the second on-off valve V2 to the sixth on-off valve V6 in the mixed gas flow path L4 (indicated by the dotted line in FIG. 13). Measure the volume in advance.

そして、流量制御装置ＭＦＣ１を校正する場合には、流量制御装置ＭＦＣ１の校正開始信号を受信した制御部が、第１流量制御弁２０ｃ、第２流量制御弁２０ｃ、第１開閉弁Ｖ１及び第２開閉弁Ｖ２を閉じると共に、第３開閉弁Ｖ３及び第４開閉弁Ｖ４開いた状態として濃度制御装置２００内を前記ポンプによって所定時間真空引きした後、第６開閉弁Ｖ６を閉じて校正準備状態とする。続いて、制御部が、校正準備状態から第１流量制御弁２０ｃを開き、第１流量センサ２０ｂの流量値、圧力センサ３０ｆの圧力値、及び、合成流路の容積、を参照して流量制御装置ＭＦＣ１を校正するように構成すればよい。 Then, when calibrating the flow control device MFC1, the control unit that has received the calibration start signal of the flow control device MFC1 operates the first flow control valve 20c, the second flow control valve 20c, the first on-off valve V1 and the second The on-off valve V2 is closed, the third on-off valve V3 and the fourth on-off valve V4 are opened, and after the inside of the concentration control device 200 is evacuated by the pump for a predetermined time, the sixth on-off valve V6 is closed to enter a calibration preparation state. do. Subsequently, the control unit opens the first flow control valve 20c from the calibration preparation state, and controls the flow rate by referring to the flow rate value of the first flow sensor 20b, the pressure value of the pressure sensor 30f, and the volume of the synthetic flow path. It may be configured to calibrate the device MFC1.

一方、流量制御装置ＭＦＣ２を校正する場合には、流量制御装置ＭＦＣ２の校正開始信号を受信した制御部が、前記と同様にして校正準備状態とする。続いて、校正準備状態から第２流量制御弁２０ｃを開き、第２流量センサ２０ｂの流量値、圧力センサ３０ｆの圧力値、及び、合成流路の容積、を参照して流量制御装置ＭＦＣ２を校正するように構成すればよい。 On the other hand, when the flow control device MFC2 is to be calibrated, the control section that has received the calibration start signal of the flow control device MFC2 enters the calibration preparation state in the same manner as described above. Subsequently, the second flow control valve 20c is opened from the calibration preparation state, and the flow rate control device MFC2 is calibrated by referring to the flow rate value of the second flow rate sensor 20b, the pressure value of the pressure sensor 30f, and the volume of the combined flow path. It should be configured to

なお、この場合、温度センサを設置し、流量制御装置ＭＦＣ１，ＭＦＣ２を校正にあたって温度センサで検出される温度値を参照することにより、より高精度の校正を行うことができる。 In this case, by installing a temperature sensor and referring to the temperature value detected by the temperature sensor when calibrating the flow controllers MFC1 and MFC2, more accurate calibration can be performed.

＜その他の実施形態＞ その他の実施形態としては、前記実施形態における濃度検出器ＩＲの代わりに図１４に示す濃度検出器ＩＲを用いてもよい。図１４に示す濃度検出器ＩＲは、反射ミラー３０ｄが設けられていない点で前記実施形態における濃度検出器ＩＲと構成が相違している。よって、この濃度検出器ＩＲにおいては、光源３０ｃから射出された光が直線的に受光器３０ｅへ入射する。このようなものであれば、反射ミラー３０ｄを設けていないため、製造コストを抑えることができる。 <Other Embodiments> As another embodiment, a concentration detector IR shown in FIG. 14 may be used instead of the concentration detector IR in the above embodiments. The density detector IR shown in FIG. 14 differs in configuration from the density detector IR in the above embodiment in that the reflection mirror 30d is not provided. Therefore, in this density detector IR, the light emitted from the light source 30c linearly enters the light receiver 30e. With such a configuration, since the reflecting mirror 30d is not provided, the manufacturing cost can be suppressed.

また、その他の実施形態として、前記実施形態における第１バイパス流路Ｌ２を、図１５に示すように、流量センサ２０ｂと、その流量センサ２０ｂの下流側に設置された流量制御弁２０ｃと、の間から分岐させてもよい。この場合、第１バイパス流路Ｌ２には、流量制御弁ＣＶ及び第４開閉弁Ｖ４を設置する。そして、制御部において、キャリアガス流路Ｌ１及び第１バイパス流路Ｌ２に設置された流量制御弁２０ｃの目標流量の合計値とその割合を参照し、混合ガス流路Ｌ４を流れる材料ガスの濃度を制御するように構成すればよい。このようなものであれば、第１バイパス流路Ｌ２に流量センサ２０ｂを設置する必要がなくなり、制御コストを抑えることができる。 Further, as another embodiment, the first bypass flow path L2 in the above embodiment is replaced by a flow sensor 20b and a flow control valve 20c installed downstream of the flow sensor 20b, as shown in FIG. You may branch from between. In this case, a flow control valve CV and a fourth on-off valve V4 are installed in the first bypass flow path L2. Then, in the control unit, the total value and ratio of the target flow rates of the flow control valves 20c installed in the carrier gas flow path L1 and the first bypass flow path L2 are referred to, and the concentration of the material gas flowing through the mixed gas flow path L4 is can be configured to control With such a configuration, it becomes unnecessary to install the flow rate sensor 20b in the first bypass flow path L2, and the control cost can be suppressed.

また、その他の実施形態として、第１ブロックＢ１において、キャリアガス流路Ｌ１を挟むように一対のヒータを設置すると共に、第２ブロックＢ２において、混合ガス流路Ｌ４を挟むように一対のヒータを設置した構成にしてもよい。 Further, as another embodiment, in the first block B1, a pair of heaters are installed so as to sandwich the carrier gas flow path L1, and in the second block B2, a pair of heaters are installed so as to sandwich the mixed gas flow path L4. An installed configuration may be used.

また、第１ブロックＢ１及び第２ブロックＢ２に設置された各ヒータを加熱する場合に、混合ガス流路Ｌ４に近いヒータの方が、キャリアガス流路Ｌ１に近いヒータよりも高温になるように制御する温度制御部を設けてもよい。 Further, when heating the heaters installed in the first block B1 and the second block B2, the heater closer to the mixed gas flow path L4 has a higher temperature than the heater closer to the carrier gas flow path L1. A temperature controller for controlling may be provided.

また、前記各実施形態における濃度検出器ＩＲにおいて、反射ミラー３０ｄの反射面を凹面状に湾曲させて受光器３０ｅに光が集光されるようにすれば、濃度検出器３０の感度が増す。 Further, in the density detector IR according to each of the above-described embodiments, the sensitivity of the density detector 30 is increased by concavely curving the reflection surface of the reflection mirror 30d so that the light is focused on the light receiver 30e.

また、前記各実施形態においては、第１バイパス流路Ｌ２の上流側及び第１バイパス流路Ｌ２の下流側や、第２バイパス流路Ｌ３の上流側及び第２バイパス流路Ｌ３の下流側を、バイパスブロックｂを介して接続した態様になっている。しかし、図１６に示すように、第１バイパス流路Ｌ２の上流側及び第２バイパス流路Ｌ３の上流側を、第１ブロックＢ１の第２ブロックＢ２に対向する外側面に開口させ、第１バイパス流路Ｌ２の下流側及び第２バイパス流路Ｌ３の下流側を、第２ブロックＢ２の第１ブロックＢ１に対向する外側面に開口させてもよい。これにより、第１ブロックＢ１及び第２ブロックＢ２を接続することにより、バイパスブロックｂを介さずに、第１バイパス流路Ｌ２の上流側及び第１バイパス流路Ｌ２の下流側や、第２バイパス流路Ｌ３の上流側及び第２バイパス流路Ｌ３の下流側を連通させることができる。 Further, in each of the above embodiments, the upstream side of the first bypass flow path L2 and the downstream side of the first bypass flow path L2, the upstream side of the second bypass flow path L3 and the downstream side of the second bypass flow path L3 are , and bypass block b. However, as shown in FIG. 16, the upstream side of the first bypass flow path L2 and the upstream side of the second bypass flow path L3 are opened to the outer surface of the first block B1 facing the second block B2, and the first The downstream side of the bypass flow path L2 and the downstream side of the second bypass flow path L3 may be opened to the outer surface of the second block B2 facing the first block B1. As a result, by connecting the first block B1 and the second block B2, the upstream side of the first bypass flow path L2, the downstream side of the first bypass flow path L2, and the second bypass flow path L2 are connected without the bypass block b. The upstream side of the flow path L3 and the downstream side of the second bypass flow path L3 can be communicated.

また、前記各実施形態においては、第１ブロックＢ１及び第２ブロックＢ２として別のブロックを採用しているが、第１ブロックＢ１及び第２ブロックＢ２として一体のブロックを採用してもよい。この場合には、第１ユニット２１０に対し、材料ガスによって汚れが生じ易い第２ユニット２２０を着脱できなくなるため、メンテナンス性は向上しないが、前記従来の濃度制御装置に比べてヒータの設置容易性は格段に向上する。 In each of the above-described embodiments, separate blocks are used as the first block B1 and the second block B2, but an integral block may be used as the first block B1 and the second block B2. In this case, since the second unit 220, which is likely to be contaminated by the material gas, cannot be attached to or detached from the first unit 210, the maintainability is not improved. improves markedly.

具体的には、材料を貯留する貯留タンクへ導入されるキャリアガスの流量を制御し、前記貯留タンクから前記キャリアガスとの混合ガスとして導出される前記材料が気化した材料ガスの濃度を制御する濃度制御装置であって、前記キャリガスが流れるキャリアガス流路と前記混合ガスが流れる混合ガス流路とを内部に有するブロックと、前記キャリアガス流路を流れる前記キャリアガスの流量を検出する第１流量センサと、前記第１流量センサの検出値に基づき、前記キャリアガス流路を流れるキャリアガスの流量を制御する第１流量制御弁と、前記混合ガス流路を流れる前記材料ガスの濃度を検出する濃度検出器と、を具備し、前記ブロックが、ヒータを内部に備えていることを特徴とする濃度制御装置である。 Specifically, the flow rate of the carrier gas introduced into the storage tank that stores the material is controlled, and the concentration of the material gas, which is the vaporized material that is derived from the storage tank as a mixed gas with the carrier gas, is controlled. A concentration control device, comprising: a block having therein a carrier gas flow channel through which the carrier gas flows and a mixed gas flow channel through which the mixed gas flows; a flow rate sensor, a first flow rate control valve for controlling a flow rate of the carrier gas flowing through the carrier gas flow path based on a value detected by the first flow rate sensor, and detecting a concentration of the material gas flowing through the mixed gas flow path. and a density detector, wherein the block includes a heater therein.

この場合、ブロックに内蔵するヒータの配置としては、キャリアガス流路Ｌ１又は混合ガス流路Ｌ４の少なくとも一方に沿って配置することが好ましい。なお、一般的に、キャリアガス流路Ｌ１を流れるキャリアガスよりも混合ガス流路Ｌ４を流れる材料ガス（混合ガス）の方が高温で加熱する必要があるため、キャリアガス流路Ｌ１又は混合ガス流路Ｌ４のいずれか一方に沿ってヒータを配置する場合には、そのヒータをキャリアガス流路Ｌ１よりも混合ガス流路Ｌ４に近い方に配置することが好ましい。当然、キャリアガス流路Ｌ１及び混合ガス流路Ｌ４に沿って配置してもよい。 In this case, the heater built into the block is preferably arranged along at least one of the carrier gas flow path L1 and the mixed gas flow path L4. In general, the material gas (mixed gas) flowing through the mixed gas flow path L4 needs to be heated at a higher temperature than the carrier gas flowing through the carrier gas flow path L1. When a heater is arranged along either one of the flow paths L4, it is preferable to arrange the heater closer to the mixed gas flow path L4 than to the carrier gas flow path L1. Of course, they may be arranged along the carrier gas flow path L1 and the mixed gas flow path L4.

また、ヒータの配置として、ブロックのキャリアガス流路Ｌ１及び混合ガス流路Ｌ４よりも外側に設けられた外側面に沿って配置することが好ましい。このように配置することにより、外気からブロックに伝わる冷気による温度低下が各流路に伝わる前に遮断することができる。なお、ヒータの設置方法としては、例えば、第１ブロックＢ１や第２ブロックＢ２を切削して形成した挿入孔に棒状のヒータを挿入して設置する態様が考えられる。 In addition, it is preferable to arrange the heaters along the outer surface of the block outside the carrier gas flow path L1 and the mixed gas flow path L4. By arranging them in this way, it is possible to block the temperature drop due to cold air traveling from the outside air to the block before it is transferred to each channel. As a method for installing the heater, for example, it is conceivable to install a rod-shaped heater by inserting it into an insertion hole formed by cutting the first block B1 or the second block B2.

また、この場合、濃度制御装置２００を希釈方式で使用する場合には、前記各実施形態における第１ブロックＢ１及び第２ブロックＢ２を連結した場合と同様に、ブロックの内部に第１バイパス流路Ｌ２を形成してもよく、第２バイパス流路Ｌ３を形成してもよい。そして、第１バイパス流路Ｌ２及び第２バイパス流路Ｌ３には、前記各実施形態と同様に濃度制御装置２００を希釈方式として使用する場合に必要な各機器を設置する。一方、濃度制御装置２００を圧力方式で使用する場合には、前記各実施形態における第１ブロックＢ１及び第２ブロックＢ２を連結した場合と同様に、第２バイパス流路Ｌ３を形成してもよい。そして、第２バイパス流路Ｌ３には、前記各実施形態と同様に濃度制御装置２００を圧力方式として使用する場合に必要な各機器を設置する。 Further, in this case, when the concentration control device 200 is used in the dilution method, the first bypass flow path is provided inside the blocks, similar to the case where the first block B1 and the second block B2 are connected in each of the above-described embodiments. L2 may be formed, and the second bypass flow path L3 may be formed. In addition, in the first bypass flow path L2 and the second bypass flow path L3, each device necessary when using the concentration control device 200 as a dilution system is installed in the same manner as in each of the above-described embodiments. On the other hand, when the concentration control device 200 is used in a pressure system, the second bypass flow path L3 may be formed in the same manner as in the case where the first block B1 and the second block B2 are connected in each of the above embodiments. . Then, in the second bypass flow path L3, each device necessary for using the concentration control device 200 as a pressure system is installed as in each of the above-described embodiments.

前記実施形態においては、第２バイパス流路Ｌ３として、キャリアガス流路Ｌ１から分岐して直接混合ガス流路Ｌ４へ合流する構造を採用しているが、これに限定されることなく、キャリアガス流路Ｌ１から分岐して第１バイパス流路Ｌ２を介して混合ガス流路Ｌ４へ合流する構造を採用してもよい。この場合、第１ブロックＢ１内で合流するように、第２バイパス流路Ｌ３の上流側を第１バイパス流路Ｌ２へ合流させてもよく、又は、第２ブロックＢ２内で合流するように、第２バイパス流路Ｌ３の下流側を第１バイパス流路Ｌ２へ合流させてもよい。 In the above-described embodiment, as the second bypass flow path L3, a structure is adopted in which the carrier gas flow path L1 branches off and directly merges with the mixed gas flow path L4. A structure may be employed in which the flow path L1 branches off and merges into the mixed gas flow path L4 via the first bypass flow path L2. In this case, the upstream side of the second bypass flow path L3 may be merged into the first bypass flow path L2 so as to merge in the first block B1, or so as to merge in the second block B2. The downstream side of the second bypass flow path L3 may be merged with the first bypass flow path L2.

また、前記実施形態１において、第１ユニット２１０や第２ユニット２２０に設置されている開閉弁、流量制御弁、流量センサの一部を、第１ユニット２１０や第２ユニット２２０に接続される各配管に設置してもよい。具体的には、例えば、第１ユニット２１０に設置されている第１流量センサ２０ｂを、キャリアガス供給装置と第１ユニット２１０とを繋ぐ配管の途中に設置してもよく、第１ユニット２１０に設置されている第１開閉弁Ｖ１を、第１ユニット２１０と貯留タンクＳＴとを繋ぐ配管の途中に設置してもよい。また、第２ユニット２２０に設置されている流量制御弁ＣＶを、第２ユニット２２０と供給先とを繋ぐ配管の途中に設置にしてもよく、第２ユニット２２０に設置されている第２開閉弁Ｖ２を、貯留タンクＳＴと第２ユニット２２０とを繋ぐ配管の途中に設置してもよい。 Further, in the first embodiment, part of the on-off valves, flow control valves, and flow sensors installed in the first unit 210 and the second unit 220 may be Can be installed in pipes. Specifically, for example, the first flow rate sensor 20b installed in the first unit 210 may be installed in the middle of the pipe connecting the carrier gas supply device and the first unit 210. The installed first on-off valve V1 may be installed in the middle of the pipe connecting the first unit 210 and the storage tank ST. Further, the flow control valve CV installed in the second unit 220 may be installed in the middle of the pipe connecting the second unit 220 and the supply destination. V2 may be installed in the middle of the pipe connecting the storage tank ST and the second unit 220 .

また、前記実施形態において、貯留タンクＳＴに貯留された材料の量を予め把握しておき、貯留タンクＳＴに濃度制御装置２００を接続した後、濃度検出器ＩＲで検出される混合ガスの濃度値と第１流量センサ２０ｂ及び第２流量センサ２０ｂで測定されるキャリアガスの流量値を継続的に記憶し、これらの値から貯留タンクＳＴから導出された材料の導出量を算出するようにしてもよい。これにより、貯留タンクＳＴから導出された材料の導出量が規定量に達した場合に、ユーザに対して警告を行うようにすることができる。これにより、ユーザは、貯留タンクＳＴの適切な交換時期を知ることができる。 Further, in the above embodiment, the amount of the material stored in the storage tank ST is grasped in advance, and after connecting the concentration control device 200 to the storage tank ST, the concentration value of the mixed gas detected by the concentration detector IR and continuously store the flow rate values of the carrier gas measured by the first flow rate sensor 20b and the second flow rate sensor 20b, and calculate the amount of material derived from the storage tank ST from these values. good. Thereby, it is possible to warn the user when the amount of material drawn out from the storage tank ST reaches the specified amount. This allows the user to know the appropriate time to replace the storage tank ST.

その他、本発明は前記各実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。 In addition, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it goes without saying that various modifications are possible without departing from the spirit of the present invention.

１００ 材料ガス供給装置
ＳＴ 貯留タンク
２００ 濃度制御装置
２１０ 第１ユニット
Ｂ１ 第１ブロック
ＭＦＣ１，ＭＦＣ２ 流量制御装置
２０ｂ 第１流量センサ、第２流量センサ
２０ｃ 第１流量制御弁、第２流量制御弁
Ｖ１ 第１開閉弁
Ｖ２ 第２開閉弁
Ｖ３ 第３開閉弁
Ｖ４ 第４開閉弁
Ｌ１ キャリアガス流路
Ｌ２ 第１バイパス流路
Ｌ３ 第２バイパス流路
２２０ 第２ユニット
Ｂ２ 第２ブロック
ＩＲ 濃度検出器
３０ｃ 光源
３０ｅ 受光部
３０ｄ 反射ミラー
ＣＶ 流量制御弁
３０ｆ 圧力センサ
Ｐ１ 圧力センサ
Ｐ２ 圧力センサ
Ｐ３ 圧力センサ
Ｌ４ 混合ガス流路

100 material gas supply device ST storage tank 200 concentration control device 210 first unit B1 first block MFC1, MFC2 flow control device 20b first flow sensor, second flow sensor 20c first flow control valve, second flow control valve V1 1st opening/closing valve V2 2nd opening/closing valve V3 3rd opening/closing valve V4 4th opening/closing valve L1 carrier gas channel L2 first bypass channel L3 second bypass channel 220 second unit B2 second block IR concentration detector 30c light source 30e Light receiving part 30d Reflecting mirror CV Flow control valve 30f Pressure sensor P1 Pressure sensor P2 Pressure sensor P3 Pressure sensor L4 Mixed gas flow path

Claims (19)

材料を貯留する貯留タンクへキャリアガスを導入し、前記貯留タンクから前記キャリアガスとの混合ガスとして導出される前記材料が気化した材料ガスの濃度を制御する濃度制御装置であって、
前記貯留タンクへ導入される前記キャリアガスの流量を制御する第１ユニットと、
前記貯留タンクから導出される前記材料ガスの濃度を検出する第２ユニットと、を具備し、
前記第１ユニットが、
前記キャリアガスが流れるキャリアガス流路を内部に有する第１ブロックと、
前記キャリアガス流路を流れる前記キャリアガスの流量を検出する第１流量センサと、
前記第１流量センサの検出値に基づき、前記キャリアガス流路を流れるキャリアガスの流量を制御する第１流量制御弁と、を備え、
前記第２ユニットが、
前記混合ガスが流れる混合ガス流路を内部に有し、前記第１ブロックと着脱可能に連結する第２ブロックと、
前記混合ガス流路を流れる前記材料ガスの濃度を検出する濃度検出器と、を備え、
前記第１ブロック及び前記第２ブロックを連結した場合に、前記キャリアガス流路における前記第１流量制御弁よりも上流側から分岐し、前記混合ガス流路における前記濃度検出器よりも上流側へ合流する第１バイパス流路を形成できるような構成になっており、
前記第１ブロックと前記第２ブロックとの互いに対向する対向面それぞれが、前記第１バイパス流路の開口を有することを特徴とする濃度制御装置。 A concentration control device for introducing a carrier gas into a storage tank that stores a material, and controlling the concentration of the material gas in which the material is vaporized and discharged from the storage tank as a mixed gas with the carrier gas,
a first unit that controls the flow rate of the carrier gas introduced into the storage tank;
a second unit that detects the concentration of the material gas derived from the storage tank,
the first unit
a first block having therein a carrier gas channel through which the carrier gas flows;
a first flow rate sensor that detects the flow rate of the carrier gas flowing through the carrier gas flow path;
a first flow control valve that controls the flow rate of the carrier gas flowing through the carrier gas flow path based on the detection value of the first flow sensor;
the second unit
a second block having therein a mixed gas channel through which the mixed gas flows and detachably connected to the first block;
a concentration detector that detects the concentration of the material gas flowing through the mixed gas flow path ,
When the first block and the second block are connected, the carrier gas flow path is branched from the upstream side of the first flow control valve, and the mixed gas flow path is branched to the upstream side of the concentration detector. It has a configuration that can form a first bypass flow path that merges,
The concentration control device , wherein each of the opposing surfaces of the first block and the second block has an opening of the first bypass channel . 前記第１ブロック及び前記第２ブロックを連結して前記第１バイパス流路を形成した場合に、
前記第１バイパス流路が、
前記キャリアガス流路における前記第１流量センサよりも上流側から分岐しており、
前記第１ユニット又は前記第２ユニットが、
前記第１バイパス流路を流れるキャリアガスの流量を検出する第２流量センサと、前記第１バイパス流路を流れるキャリアガスの流量を制御する第２流量制御弁と、をさらに備え、
前記濃度検出器、前記第１流量センサ及び前記第２流量センサの検出値に基づき、前記第１流量制御弁及び前記第２流量制御弁によって、前記混合ガス流路を流れる前記材料ガスの濃度を制御するように構成されている請求項１記載の濃度制御装置。 When the first bypass flow path is formed by connecting the first block and the second block,
the first bypass flow path,
branched from the upstream side of the first flow rate sensor in the carrier gas flow path,
the first unit or the second unit,
further comprising a second flow rate sensor that detects the flow rate of the carrier gas flowing through the first bypass flow path, and a second flow control valve that controls the flow rate of the carrier gas flowing through the first bypass flow path,
Based on the detection values of the concentration detector, the first flow sensor and the second flow sensor, the concentration of the material gas flowing through the mixed gas flow path is determined by the first flow control valve and the second flow control valve. 2. The concentration control device of claim 1 , configured to control. 材料を貯留する貯留タンクへキャリアガスを導入し、前記貯留タンクから前記キャリアガスとの混合ガスとして導出される前記材料が気化した材料ガスの濃度を制御する濃度制御装置であって、
前記貯留タンクへ導入される前記キャリアガスの流量を制御する第１ユニットと、
前記貯留タンクから導出される前記材料ガスの濃度を検出する第２ユニットと、を具備し、
前記第１ユニットが、
前記キャリアガスが流れるキャリアガス流路を内部に有する第１ブロックと、
前記キャリアガス流路を流れる前記キャリアガスの流量を検出する第１流量センサと、
前記第１流量センサの検出値に基づき、前記キャリアガス流路を流れるキャリアガスの流量を制御する第１流量制御弁と、を備え、
前記第２ユニットが、
前記混合ガスが流れる混合ガス流路を内部に有し、前記第１ブロックと着脱可能に連結する第２ブロックと、
前記混合ガス流路を流れる前記材料ガスの濃度を検出する濃度検出器と、を備え、
前記第１ブロック及び前記第２ブロックを連結した場合に、前記キャリアガス流路における前記第１流量制御弁よりも上流側から分岐し、前記混合ガス流路における前記濃度検出器よりも上流側へ合流する第１バイパス流路を形成できるような構成になっており、
前記第１ブロック及び前記第２ブロックを連結して前記第１バイパス流路を形成した場合に、
前記第１バイパス流路が、
前記キャリアガス流路における前記第１流量センサよりも下流側から分岐しており、
前記第１ユニット又は前記第２ユニットが、
前記第１バイパス流路を流れるキャリアガスの流量を制御する第２流量制御弁をさらに具備し、
前記濃度検出器及び前記第１流量センサの検出値に基づき、前記第１流量制御弁及び前記第２流量制御弁によって、前記混合ガス流路を流れる前記材料ガスの濃度を制御するように構成されている濃度制御装置。 A concentration control device for introducing a carrier gas into a storage tank that stores a material, and controlling the concentration of the material gas in which the material is vaporized and discharged from the storage tank as a mixed gas with the carrier gas,
a first unit that controls the flow rate of the carrier gas introduced into the storage tank;
a second unit that detects the concentration of the material gas derived from the storage tank,
the first unit
a first block having therein a carrier gas channel through which the carrier gas flows;
a first flow rate sensor that detects the flow rate of the carrier gas flowing through the carrier gas flow path;
a first flow control valve that controls the flow rate of the carrier gas flowing through the carrier gas flow path based on the detection value of the first flow sensor;
the second unit
a second block having therein a mixed gas channel through which the mixed gas flows and detachably connected to the first block;
a concentration detector that detects the concentration of the material gas flowing through the mixed gas flow path,
When the first block and the second block are connected, the carrier gas flow path is branched from the upstream side of the first flow control valve, and the mixed gas flow path is branched to the upstream side of the concentration detector. It has a configuration that can form a first bypass flow path that merges,
When the first bypass flow path is formed by connecting the first block and the second block,
the first bypass flow path,
branched from the downstream side of the first flow rate sensor in the carrier gas flow path,
the first unit or the second unit,
further comprising a second flow control valve that controls the flow rate of the carrier gas flowing through the first bypass channel;
The concentration of the material gas flowing through the mixed gas flow path is controlled by the first flow control valve and the second flow control valve based on the detection values of the concentration detector and the first flow sensor. concentration control device. 材料を貯留する貯留タンクへキャリアガスを導入し、前記貯留タンクから前記キャリアガスとの混合ガスとして導出される前記材料が気化した材料ガスの濃度を制御する濃度制御装置であって、
前記貯留タンクへ導入される前記キャリアガスの流量を制御する第１ユニットと、
前記貯留タンクから導出される前記材料ガスの濃度を検出する第２ユニットと、を具備し、
前記第１ユニットが、
前記キャリアガスが流れるキャリアガス流路を内部に有する第１ブロックと、
前記キャリアガス流路を流れる前記キャリアガスの流量を検出する第１流量センサと、
前記第１流量センサの検出値に基づき、前記キャリアガス流路を流れるキャリアガスの流量を制御する第１流量制御弁と、を備え、
前記第２ユニットが、
前記混合ガスが流れる混合ガス流路を内部に有し、前記第１ブロックと着脱可能に連結する第２ブロックと、
前記混合ガス流路を流れる前記材料ガスの濃度を検出する濃度検出器と、を備え、
前記第２ユニットが、
前記混合ガス流路を流れる混合ガスの流量を制御する第３流量制御弁をさらに具備し、
前記濃度検出器の検出値に基づき、前記第３流量制御弁によって、前記混合ガス流路を流れる前記材料ガスの濃度を制御するように構成されている濃度制御装置。 A concentration control device for introducing a carrier gas into a storage tank that stores a material, and controlling the concentration of the material gas in which the material is vaporized and discharged from the storage tank as a mixed gas with the carrier gas,
a first unit that controls the flow rate of the carrier gas introduced into the storage tank;
a second unit that detects the concentration of the material gas derived from the storage tank,
the first unit
a first block having therein a carrier gas channel through which the carrier gas flows;
a first flow rate sensor that detects the flow rate of the carrier gas flowing through the carrier gas flow path;
a first flow control valve that controls the flow rate of the carrier gas flowing through the carrier gas flow path based on the detection value of the first flow sensor;
the second unit
a second block having therein a mixed gas channel through which the mixed gas flows and detachably connected to the first block;
a concentration detector that detects the concentration of the material gas flowing through the mixed gas flow path,
the second unit
further comprising a third flow control valve that controls the flow rate of the mixed gas flowing through the mixed gas flow path;
A concentration control device configured to control the concentration of the material gas flowing through the mixed gas flow path by the third flow control valve based on the detection value of the concentration detector. 前記第１ブロック及び前記第２ブロックを連結した場合に、前記キャリアガス流路における前記第１流量制御弁よりも下流側から分岐し、前記混合ガス流路又は前記第１バイパス流路のいずれかに合流する第２バイパス流路を形成できるような構成になっている請求項２記載の濃度制御装置。 When the first block and the second block are connected, the carrier gas flow path branches from the downstream side of the first flow control valve, and either the mixed gas flow path or the first bypass flow path 3. The concentration control device according to claim 2 , wherein a second bypass flow path merging with is formed. 前記第１ブロック及び前記第２ブロックを連結して前記第２バイパス流路を形成した場合に、
前記第１ユニットが、
前記キャリアガス流路における前記第２バイパス流路の分岐点よりも下流側に第１開閉弁をさらに備え、
前記第２ユニットが、
前記混合ガス流路における前記第２バイパス流路の合流点よりも上流側に第２開閉弁をさらに備え、
前記第１ユニット又は前記第２ユニットが、
前記第２バイパス流路に第３開閉弁をさらに備えている請求項５記載の濃度制御装置。 When the second bypass flow path is formed by connecting the first block and the second block,
the first unit
further comprising a first on-off valve downstream of the branch point of the second bypass channel in the carrier gas channel;
the second unit
further comprising a second on-off valve on the upstream side of the confluence of the second bypass flow path in the mixed gas flow path,
the first unit or the second unit,
6. The concentration control device according to claim 5 , further comprising a third on-off valve in said second bypass channel. 前記濃度検出器が、
前記混合ガス流路を流れる混合ガスに対して光を照射する光源と、
前記光源から射出されて前記混合ガスを透過した光を検出する受光器と、を備えるものである請求項１乃至６のいずれかに記載の濃度制御装置。 The concentration detector is
a light source that irradiates the mixed gas flowing through the mixed gas flow path with light;
7. The concentration control device according to any one of claims 1 to 6 , further comprising a light receiver for detecting light emitted from the light source and transmitted through the mixed gas. 材料を貯留する貯留タンクへキャリアガスを導入し、前記貯留タンクから前記キャリアガスとの混合ガスとして導出される前記材料が気化した材料ガスの濃度を制御する濃度制御装置であって、
前記貯留タンクへ導入される前記キャリアガスの流量を制御する第１ユニットと、
前記貯留タンクから導出される前記材料ガスの濃度を検出する第２ユニットと、を具備し、
前記第１ユニットが、
前記キャリアガスが流れるキャリアガス流路を内部に有する第１ブロックと、
前記キャリアガス流路を流れる前記キャリアガスの流量を検出する第１流量センサと、
前記第１流量センサの検出値に基づき、前記キャリアガス流路を流れるキャリアガスの流量を制御する第１流量制御弁と、を備え、
前記第２ユニットが、
前記混合ガスが流れる混合ガス流路を内部に有し、前記第１ブロックと着脱可能に連結する第２ブロックと、
前記混合ガス流路を流れる前記材料ガスの濃度を検出する濃度検出器と、を備え、
前記濃度検出器が、
前記混合ガス流路を流れる混合ガスに対して光を照射する光源と、
前記光源から射出されて前記混合ガスを透過した光を検出する受光器と、を備えるものであり、
前記濃度検出器が、前記光源から射出されて前記混合ガスを透過した光を前記第２ブロックから遠ざかる方向へ屈曲させる反射ミラーをさらに備えている濃度制御装置。 A concentration control device for introducing a carrier gas into a storage tank that stores a material, and controlling the concentration of the material gas in which the material is vaporized and discharged from the storage tank as a mixed gas with the carrier gas,
a first unit that controls the flow rate of the carrier gas introduced into the storage tank;
a second unit that detects the concentration of the material gas derived from the storage tank,
the first unit
a first block having therein a carrier gas channel through which the carrier gas flows;
a first flow rate sensor that detects the flow rate of the carrier gas flowing through the carrier gas flow path;
a first flow control valve that controls the flow rate of the carrier gas flowing through the carrier gas flow path based on the detection value of the first flow sensor;
the second unit
a second block having therein a mixed gas channel through which the mixed gas flows and detachably connected to the first block;
a concentration detector that detects the concentration of the material gas flowing through the mixed gas flow path,
The concentration detector is
a light source that irradiates the mixed gas flowing through the mixed gas flow path with light;
a light receiver that detects light emitted from the light source and transmitted through the mixed gas,
The density control device, wherein the density detector further includes a reflecting mirror that bends the light emitted from the light source and transmitted through the mixed gas in a direction away from the second block. 材料を貯留する貯留タンクへキャリアガスを導入し、前記貯留タンクから前記キャリアガスとの混合ガスとして導出される前記材料が気化した材料ガスの濃度を制御する濃度制御装置であって、
前記貯留タンクへ導入される前記キャリアガスの流量を制御する第１ユニットと、
前記貯留タンクから導出される前記材料ガスの濃度を検出する第２ユニットと、を具備し、
前記第１ユニットが、
前記キャリアガスが流れるキャリアガス流路を内部に有する第１ブロックと、
前記キャリアガス流路を流れる前記キャリアガスの流量を検出する第１流量センサと、
前記第１流量センサの検出値に基づき、前記キャリアガス流路を流れるキャリアガスの流量を制御する第１流量制御弁と、を備え、
前記第２ユニットが、
前記混合ガスが流れる混合ガス流路を内部に有し、前記第１ブロックと着脱可能に連結する第２ブロックと、
前記混合ガス流路を流れる前記材料ガスの濃度を検出する濃度検出器と、を備え、
前記第１ブロック及び前記第２ブロックを連結した場合に、前記キャリアガス流路における前記第１流量制御弁よりも上流側から分岐し、前記混合ガス流路における前記濃度検出器よりも上流側へ合流する第１バイパス流路を形成できるような構成になっており、
前記第１ブロック及び前記第２ブロックを連結して前記第１バイパス流路を形成した場合に、
前記第１バイパス流路が、
前記キャリアガス流路における前記第１流量センサよりも上流側から分岐しており、
前記第１ユニット又は前記第２ユニットが、
前記第１バイパス流路を流れるキャリアガスの流量を検出する第２流量センサと、前記第１バイパス流路を流れるキャリアガスの流量を制御する第２流量制御弁と、をさらに備え、
前記濃度検出器、前記第１流量センサ及び前記第２流量センサの検出値に基づき、前記第１流量制御弁及び前記第２流量制御弁によって、前記混合ガス流路を流れる前記材料ガスの濃度を制御するように構成されており、
前記第１ブロック及び前記第２ブロックを連結した場合に、前記キャリアガス流路における前記第１流量制御弁よりも下流側から分岐し、前記混合ガス流路又は前記第１バイパス流路のいずれかに合流する第２バイパス流路を形成できるような構成になっており、
前記第１ブロック及び前記第２ブロックを連結して前記第２バイパス流路を形成した場合に、
前記第１ユニットが、
前記キャリアガス流路における前記第２バイパス流路の分岐点よりも下流側に第１開閉弁をさらに備え、
前記第２ユニットが、
前記混合ガス流路における前記第２バイパス流路の合流点よりも上流側に第２開閉弁をさらに備え、
前記第１ユニット又は前記第２ユニットが、
前記第２バイパス流路に第３開閉弁をさらに備えており、
前記第２ユニットが、前記混合ガス流路の圧力を検出する圧力センサをさらに備えている濃度制御装置。 A concentration control device for introducing a carrier gas into a storage tank that stores a material, and controlling the concentration of the material gas in which the material is vaporized and discharged from the storage tank as a mixed gas with the carrier gas,
a first unit that controls the flow rate of the carrier gas introduced into the storage tank;
a second unit that detects the concentration of the material gas derived from the storage tank,
the first unit
a first block having therein a carrier gas channel through which the carrier gas flows;
a first flow rate sensor that detects the flow rate of the carrier gas flowing through the carrier gas flow path;
a first flow control valve that controls the flow rate of the carrier gas flowing through the carrier gas flow path based on the detection value of the first flow sensor;
the second unit
a second block having therein a mixed gas channel through which the mixed gas flows and detachably connected to the first block;
a concentration detector that detects the concentration of the material gas flowing through the mixed gas flow path,
When the first block and the second block are connected, the carrier gas flow path is branched from the upstream side of the first flow control valve, and the mixed gas flow path is branched to the upstream side of the concentration detector. It has a configuration that can form a first bypass flow path that merges,
When the first bypass flow path is formed by connecting the first block and the second block,
the first bypass flow path,
branched from the upstream side of the first flow rate sensor in the carrier gas flow path,
the first unit or the second unit,
further comprising a second flow rate sensor that detects the flow rate of the carrier gas flowing through the first bypass flow path, and a second flow control valve that controls the flow rate of the carrier gas flowing through the first bypass flow path,
Based on the detection values of the concentration detector, the first flow sensor and the second flow sensor, the concentration of the material gas flowing through the mixed gas flow path is determined by the first flow control valve and the second flow control valve. configured to control
When the first block and the second block are connected, the carrier gas flow path branches from the downstream side of the first flow control valve, and either the mixed gas flow path or the first bypass flow path It has a configuration that can form a second bypass flow path that merges with
When the second bypass flow path is formed by connecting the first block and the second block,
the first unit
further comprising a first on-off valve downstream of the branch point of the second bypass channel in the carrier gas channel;
the second unit
further comprising a second on-off valve on the upstream side of the confluence of the second bypass flow path in the mixed gas flow path,
the first unit or the second unit,
The second bypass flow path is further provided with a third on-off valve,
The concentration control device, wherein the second unit further includes a pressure sensor that detects pressure in the mixed gas flow path. 材料を貯留する貯留タンクへキャリアガスを導入し、前記貯留タンクから前記キャリアガスとの混合ガスとして導出される前記材料が気化した材料ガスの濃度を制御する濃度制御装置であって、
前記貯留タンクへ導入される前記キャリアガスの流量を制御する第１ユニットと、
前記貯留タンクから導出される前記材料ガスの濃度を検出する第２ユニットと、を具備し、
前記第１ユニットが、
前記キャリアガスが流れるキャリアガス流路を内部に有する第１ブロックと、
前記キャリアガス流路を流れる前記キャリアガスの流量を検出する第１流量センサと、
前記第１流量センサの検出値に基づき、前記キャリアガス流路を流れるキャリアガスの流量を制御する第１流量制御弁と、を備え、
前記第２ユニットが、
前記混合ガスが流れる混合ガス流路を内部に有し、前記第１ブロックと着脱可能に連結する第２ブロックと、
前記混合ガス流路を流れる前記材料ガスの濃度を検出する濃度検出器と、を備え、
前記第１ブロック又は前記第２ブロックの少なくとも一方が、ヒータを内部に備えている濃度制御装置。 A concentration control device for introducing a carrier gas into a storage tank that stores a material, and controlling the concentration of the material gas in which the material is vaporized and discharged from the storage tank as a mixed gas with the carrier gas,
a first unit that controls the flow rate of the carrier gas introduced into the storage tank;
a second unit that detects the concentration of the material gas derived from the storage tank,
the first unit
a first block having therein a carrier gas channel through which the carrier gas flows;
a first flow rate sensor that detects the flow rate of the carrier gas flowing through the carrier gas flow path;
a first flow control valve that controls the flow rate of the carrier gas flowing through the carrier gas flow path based on the detection value of the first flow sensor;
the second unit
a second block having therein a mixed gas channel through which the mixed gas flows and detachably connected to the first block;
a concentration detector that detects the concentration of the material gas flowing through the mixed gas flow path,
A concentration control device in which at least one of the first block and the second block includes a heater therein. 前記第１ユニット又は前記第２ユニットが、
前記第１バイパス流路における前記第２流量制御弁よりも下流側に第４開閉弁をさらに備えている請求項９記載の濃度制御装置。 the first unit or the second unit,
10. The concentration control device according to claim 9 , further comprising a fourth on-off valve downstream of said second flow control valve in said first bypass passage. 前記圧力センサの検出値が予め定められた設定圧力値よりも大きくなった場合に、前記第２開閉弁、前記第３開閉弁及び前記第４開閉弁を閉じた状態にするように構成されている請求項１１記載の濃度制御装置。 The second on-off valve, the third on-off valve, and the fourth on-off valve are closed when the detected value of the pressure sensor exceeds a predetermined set pressure value. 12. The concentration control device according to claim 11 . 前記第１ユニットが、
前記キャリアガス流路における前記第１流量制御弁よりも下流側であって前記第１開閉弁よりも上流側の圧力を検出する第１圧力センサをさらに備え、
前記第１ユニット又は前記第２ユニットが、
前記第１バイパス流路における前記第２流量制御弁よりも下流側であって前記第４開閉弁よりも上流側の圧力を検出する第２圧力センサをさらに備え、
前記第１圧力センサの検出値が予め定められた設定内圧値よりも大きくなった場合に、前記第１流量制御弁、前記第１開閉弁、前記第２開閉弁及び前記第４開閉弁を閉じた状態にすると共に、前記第３開閉弁を開いた状態にし、
前記第２圧力センサの検出値が前記設定内圧値よりも大きくなった場合に、前記第２流量制御弁、前記第１開閉弁、前記第２開閉弁及び前記第３開閉弁を閉じた状態にすると共に、前記第４開閉弁を開いた状態にするように構成されている請求項１１記載の濃度制御装置。 the first unit
further comprising a first pressure sensor that detects pressure downstream of the first flow control valve and upstream of the first on-off valve in the carrier gas flow path;
the first unit or the second unit,
further comprising a second pressure sensor that detects pressure downstream of the second flow control valve and upstream of the fourth on-off valve in the first bypass flow path,
closing the first flow control valve, the first on-off valve, the second on-off valve, and the fourth on-off valve when the detected value of the first pressure sensor becomes greater than a predetermined set internal pressure value; and the third on-off valve is opened,
When the detected value of the second pressure sensor becomes larger than the set internal pressure value, the second flow control valve, the first on-off valve, the second on-off valve and the third on-off valve are closed. 12. The concentration control device according to claim 11 , wherein the fourth opening/closing valve is opened. 前記第１ユニットが、
前記キャリアガス流路における前記第１流量制御弁よりも下流側であって前記第１開閉弁よりも上流側の圧力を検出する第１圧力センサ及び前記第１開閉弁よりも下流側の圧力を検出する第３圧力センサをさらに備え、
前記第１ユニット又は前記第２ユニットが、
前記第１バイパス流路における前記第２流量制御弁よりも下流側であって前記第４開閉弁よりも上流側の圧力を検出する第２圧力センサをさらに備え、
前記第１圧力センサの検出値が前記第３圧力センサの検出値よりも小さい場合に、前記第１開閉弁を閉じた状態に維持し、
前記第１圧力センサの検出値が前記圧力センサの検出値よりも小さい場合に、前記第３開閉弁を閉じた状態に維持し、
前記第２圧力センサの検出値が前記圧力センサの検出値よりも小さい場合に、前記第４開閉弁を閉じた状態に維持するように構成されている請求項１１記載の濃度制御装置。 the first unit
a first pressure sensor that detects pressure downstream of the first flow control valve in the carrier gas flow path and upstream of the first on-off valve; Further comprising a third pressure sensor for detecting,
the first unit or the second unit,
further comprising a second pressure sensor that detects pressure downstream of the second flow control valve and upstream of the fourth on-off valve in the first bypass flow path,
maintaining the first on-off valve in a closed state when the detected value of the first pressure sensor is smaller than the detected value of the third pressure sensor;
maintaining the third on-off valve in a closed state when the detected value of the first pressure sensor is smaller than the detected value of the pressure sensor;
12. The concentration control device according to claim 11 , wherein the fourth on-off valve is kept closed when the detected value of the second pressure sensor is smaller than the detected value of the pressure sensor. 材料を貯留する貯留タンクへキャリアガスを導入し、前記貯留タンクから前記キャリアガスとの混合ガスとして導出される前記材料が気化した材料ガスの濃度を制御する濃度制御装置であって、
前記貯留タンクへ導入される前記キャリアガスの流量を制御する第１ユニットと、
前記貯留タンクから導出される前記材料ガスの濃度を検出する第２ユニットと、を具備し、
前記第１ユニットが、
前記キャリアガスが流れるキャリアガス流路を内部に有する第１ブロックと、
前記キャリアガス流路を流れる前記キャリアガスの流量を検出する第１流量センサと、
前記第１流量センサの検出値に基づき、前記キャリアガス流路を流れるキャリアガスの流量を制御する第１流量制御弁と、を備え、
前記第２ユニットが、
前記混合ガスが流れる混合ガス流路を内部に有し、前記第１ブロックと着脱可能に連結する第２ブロックと、
前記混合ガス流路を流れる前記材料ガスの濃度を検出する濃度検出器と、を備え、
前記第１ブロック及び前記第２ブロックを連結した場合に、前記キャリアガス流路における前記第１流量制御弁よりも上流側から分岐し、前記混合ガス流路における前記濃度検出器よりも上流側へ合流する第１バイパス流路を形成できるような構成になっており、
前記第１ブロック及び前記第２ブロックを連結して前記第１バイパス流路を形成した場合に、
前記第１バイパス流路が、
前記キャリアガス流路における前記第１流量センサよりも上流側から分岐しており、
前記第１ユニット又は前記第２ユニットが、
前記第１バイパス流路を流れるキャリアガスの流量を検出する第２流量センサと、前記第１バイパス流路を流れるキャリアガスの流量を制御する第２流量制御弁と、をさらに備え、
前記濃度検出器、前記第１流量センサ及び前記第２流量センサの検出値に基づき、前記第１流量制御弁及び前記第２流量制御弁によって、前記混合ガス流路を流れる前記材料ガスの濃度を制御するように構成されており、
前記第１ユニットが、
前記キャリアガス流路における前記第１バイパス流路との分岐点よりも上流側に第５開閉弁をさらに備え、
前記貯留タンクの交換信号を受信した場合に、前記第５開閉弁を所定時間毎に開閉させるように構成されていることを特徴とする濃度制御装置。 A concentration control device for introducing a carrier gas into a storage tank that stores a material, and controlling the concentration of the material gas in which the material is vaporized and discharged from the storage tank as a mixed gas with the carrier gas,
a first unit that controls the flow rate of the carrier gas introduced into the storage tank;
a second unit that detects the concentration of the material gas derived from the storage tank,
the first unit
a first block having therein a carrier gas channel through which the carrier gas flows;
a first flow rate sensor that detects the flow rate of the carrier gas flowing through the carrier gas flow path;
a first flow control valve that controls the flow rate of the carrier gas flowing through the carrier gas flow path based on the detection value of the first flow sensor;
the second unit
a second block having therein a mixed gas channel through which the mixed gas flows and detachably connected to the first block;
a concentration detector that detects the concentration of the material gas flowing through the mixed gas flow path,
When the first block and the second block are connected, the carrier gas flow path is branched from the upstream side of the first flow control valve, and the mixed gas flow path is branched to the upstream side of the concentration detector. It has a configuration that can form a first bypass flow path that merges,
When the first bypass flow path is formed by connecting the first block and the second block,
the first bypass flow path,
branched from the upstream side of the first flow rate sensor in the carrier gas flow path,
the first unit or the second unit,
further comprising a second flow rate sensor that detects the flow rate of the carrier gas flowing through the first bypass flow path, and a second flow control valve that controls the flow rate of the carrier gas flowing through the first bypass flow path,
Based on the detection values of the concentration detector, the first flow sensor and the second flow sensor, the concentration of the material gas flowing through the mixed gas flow path is determined by the first flow control valve and the second flow control valve. configured to control
the first unit
further comprising a fifth on-off valve on the upstream side of the branch point of the carrier gas flow path with the first bypass flow path,
The concentration control device, wherein the fifth on-off valve is opened and closed at predetermined time intervals when a signal for replacing the storage tank is received. 前記第１ユニットが、
前記キャリアガス流路における前記第１バイパス流路との分岐点よりも上流側に第５開閉弁をさらに備え、
前記第１流量センサのゼロ点調整信号を受信した場合に、前記第１開閉弁、前記第３開閉弁及び前記第５開閉弁を閉じた状態で前記第１流量センサのゼロ点を調整し、
前記第２流量センサのゼロ点調整信号を受信した場合に、前記第４開閉弁及び前記第５開閉弁を閉じた状態で前記第２流量センサのゼロ点を調整するように構成されている請求項１１記載の濃度制御装置。 the first unit
further comprising a fifth on-off valve on the upstream side of the branch point of the carrier gas flow path with the first bypass flow path,
adjusting the zero point of the first flow sensor with the first on-off valve, the third on-off valve, and the fifth on-off valve closed when the zero point adjustment signal of the first flow sensor is received;
It is configured to adjust the zero point of the second flow sensor with the fourth on-off valve and the fifth on-off valve closed when a zero point adjustment signal of the second flow sensor is received. Item 12. The concentration control device according to item 11 . 前記第２ユニットが、
前記混合ガス流路における前記濃度検出器の下流側に設置される第６開閉弁をさらに備え、
前記第１流量センサで検出される検出値に基づき前記第１流量制御弁を制御する流量制御装置の校正信号を受信した場合に、前記キャリアガス流路における前記第１流量制御弁から前記第１開閉弁までの流路と、前記第１バイパス流路における前記第２流量制御弁の下流側の流路と、前記第２バイパス流路と、前記混合ガス流路における前記第２開閉弁から前記第６開閉弁までの流路とから構成される合成流路内を減圧した状態から、前記第１流量制御弁を開いた状態とし、前記合成流路の容積、前記第１流量センサ及び前記圧力センサの検出値とに基づき前記第１流量センサを校正し、
前記第２流量センサで検出される検出値に基づき前記第２流量制御弁を制御する流量制御装置の校正信号を受信した場合に、前記合成流路内を減圧した状態から、前記第２流量制御弁を開いた状態とし、前記合成流路の容積、前記第２流量センサ及び前記圧力センサの検出値とに基づき前記第２流量センサを校正するように構成されている請求項１１記載の濃度制御装置。 the second unit
further comprising a sixth on-off valve installed downstream of the concentration detector in the mixed gas flow path,
When a calibration signal for a flow control device that controls the first flow control valve is received based on the detection value detected by the first flow sensor, the first A flow path to an on-off valve, a flow path on the downstream side of the second flow control valve in the first bypass flow path, the second bypass flow path, and the second on-off valve in the mixed gas flow path to the From the state in which the pressure in the synthetic flow path composed of the flow path to the sixth on-off valve is reduced to the state in which the first flow control valve is opened, the volume of the synthetic flow path, the first flow sensor and the pressure Calibrate the first flow sensor based on the detected value of the sensor,
When a calibration signal for a flow control device that controls the second flow control valve is received based on the detection value detected by the second flow sensor, the second flow control is performed from a state in which the pressure in the combined flow path is reduced. 12. The concentration control according to claim 11 , wherein a valve is opened and the second flow sensor is calibrated based on the volume of the synthetic flow path and the detected values of the second flow sensor and the pressure sensor. Device. 材料を貯留する貯留タンクへキャリアガスを導入し、前記貯留タンクから前記キャリアガスとの混合ガスとして導出される前記材料が気化した材料ガスの濃度を制御する濃度制御装置であって、
前記貯留タンクへ導入される前記キャリアガスの流量を制御する第１ユニットと、
前記貯留タンクから導出される前記材料ガスの濃度を検出する第２ユニットと、を具備し、
前記第１ユニットが、
前記キャリアガスが流れるキャリアガス流路を内部に有する第１ブロックと、
前記キャリアガス流路を流れる前記キャリアガスの流量を検出する第１流量センサと、
前記第１流量センサの検出値に基づき、前記キャリアガス流路を流れるキャリアガスの流量を制御する第１流量制御弁と、を備え、
前記第２ユニットが、
前記混合ガスが流れる混合ガス流路を内部に有し、前記第１ブロックと着脱可能に連結する第２ブロックと、
前記混合ガス流路を流れる前記材料ガスの濃度を検出する濃度検出器と、を備え、
前記第１ブロック及び前記第２ブロックを連結した場合に、前記キャリアガス流路における前記第１流量制御弁よりも上流側から分岐し、前記混合ガス流路における前記濃度検出器よりも上流側へ合流する第１バイパス流路を形成できるような構成になっており、
前記第１ブロック及び前記第２ブロックを連結して前記第１バイパス流路を形成した場合に、
前記第１バイパス流路が、
前記キャリアガス流路における前記第１流量センサよりも上流側から分岐しており、
前記第１ユニット又は前記第２ユニットが、
前記第１バイパス流路を流れるキャリアガスの流量を検出する第２流量センサと、前記第１バイパス流路を流れるキャリアガスの流量を制御する第２流量制御弁と、をさらに備え、
前記濃度検出器、前記第１流量センサ及び前記第２流量センサの検出値に基づき、前記第１流量制御弁及び前記第２流量制御弁によって、前記混合ガス流路を流れる前記材料ガスの濃度を制御するように構成されており、
前記濃度検出器によって検出される検出値と前記第１流量センサ及び前記第２流量センサによって検出される検出値に基づき算出される前記貯留タンクから導出された材料の導出量が、予め定められた規定量に達した場合に警告する警告機能を備える濃度制御装置。 A concentration control device for introducing a carrier gas into a storage tank that stores a material, and controlling the concentration of the material gas in which the material is vaporized and discharged from the storage tank as a mixed gas with the carrier gas,
a first unit that controls the flow rate of the carrier gas introduced into the storage tank;
a second unit that detects the concentration of the material gas derived from the storage tank,
the first unit
a first block having therein a carrier gas channel through which the carrier gas flows;
a first flow rate sensor that detects the flow rate of the carrier gas flowing through the carrier gas flow path;
a first flow control valve that controls the flow rate of the carrier gas flowing through the carrier gas flow path based on the detection value of the first flow sensor;
the second unit
a second block having therein a mixed gas channel through which the mixed gas flows and detachably connected to the first block;
a concentration detector that detects the concentration of the material gas flowing through the mixed gas flow path,
When the first block and the second block are connected, the carrier gas flow path is branched from the upstream side of the first flow control valve, and the mixed gas flow path is branched to the upstream side of the concentration detector. It has a configuration that can form a first bypass flow path that merges,
When the first bypass flow path is formed by connecting the first block and the second block,
the first bypass flow path,
branched from the upstream side of the first flow rate sensor in the carrier gas flow path,
the first unit or the second unit,
further comprising a second flow rate sensor that detects the flow rate of the carrier gas flowing through the first bypass flow path, and a second flow control valve that controls the flow rate of the carrier gas flowing through the first bypass flow path,
Based on the detection values of the concentration detector, the first flow sensor and the second flow sensor, the concentration of the material gas flowing through the mixed gas flow path is determined by the first flow control valve and the second flow control valve. configured to control
The amount of material derived from the storage tank, which is calculated based on the detection value detected by the concentration detector and the detection values detected by the first flow sensor and the second flow sensor, is predetermined. Concentration control device with warning function to warn when the specified amount is reached. 前記請求項１乃至１８のいずれかに記載の濃度制御装置と、
前記濃度制御装置に接続される前記貯留タンクと、を具備する材料ガス供給装置。

a concentration control device according to any one of claims 1 to 18 ;
and the storage tank connected to the concentration control device.
JP2018132341A 2017-09-19 2018-07-12 Concentration control device and material gas supply device Active JP7154850B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180110828A KR102607020B1 (en) 2017-09-19 2018-09-17 Concentration control apparatus and material gas supply system
US16/134,082 US10718050B2 (en) 2017-09-19 2018-09-18 Concentration control apparatus and material gas supply system
TW107133029A TWI808994B (en) 2017-09-19 2018-09-19 Concentration control apparatus and material gas supply system
CN201811093056.0A CN109519706B (en) 2017-09-19 2018-09-19 Concentration control device and material gas supply device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017179082 2017-09-19
JP2017179082 2017-09-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019056173A JP2019056173A (en) 2019-04-11
JP7154850B2 true JP7154850B2 (en) 2022-10-18

Family

ID=66107174

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018132341A Active JP7154850B2 (en) 2017-09-19 2018-07-12 Concentration control device and material gas supply device

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP7154850B2 (en)
TW (1) TWI808994B (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022158087A (en) * 2021-04-01 2022-10-14 東京エレクトロン株式会社 Gas supply apparatus, gas supply method, and substrate treatment apparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008047600A (en) 2006-08-11 2008-02-28 Ckd Corp Purge gas unit, and purge gas supply integrated unit
JP2008231515A (en) 2007-03-20 2008-10-02 Tokyo Electron Ltd Vaporizer, vaporization module, and film deposition system
JP2012197941A (en) 2012-05-21 2012-10-18 Ulvac Japan Ltd Fluid control device and gas treatment apparatus using the same
WO2016080532A1 (en) 2014-11-23 2016-05-26 株式会社フジキン Optical gas concentration measurement method, and method for monitoring gas concentration by such method

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5419276B2 (en) * 2009-12-24 2014-02-19 株式会社堀場製作所 Material gas concentration control system and program for material gas concentration control system
CN102762976B (en) * 2010-02-16 2015-09-09 浜松光子学株式会社 Gas concentration calculates device and gas concentration measurement module
JP5548292B1 (en) * 2013-05-30 2014-07-16 株式会社堀場エステック Heating vaporization system and heating vaporization method
JP5674898B1 (en) * 2013-10-31 2015-02-25 エナジーサポート株式会社 Oxygen-containing gas production equipment

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008047600A (en) 2006-08-11 2008-02-28 Ckd Corp Purge gas unit, and purge gas supply integrated unit
JP2008231515A (en) 2007-03-20 2008-10-02 Tokyo Electron Ltd Vaporizer, vaporization module, and film deposition system
JP2012197941A (en) 2012-05-21 2012-10-18 Ulvac Japan Ltd Fluid control device and gas treatment apparatus using the same
WO2016080532A1 (en) 2014-11-23 2016-05-26 株式会社フジキン Optical gas concentration measurement method, and method for monitoring gas concentration by such method

Also Published As

Publication number Publication date
TW201915381A (en) 2019-04-16
JP2019056173A (en) 2019-04-11
TWI808994B (en) 2023-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8910529B2 (en) Gas flow-rate verification system and gas flow-rate verification unit
TWI629429B (en) Cluster mass flow devices and multi-line mass flow devices incorporating the same
JP7054207B2 (en) Fluid control device
US20080223455A1 (en) Gas supply unit
TWI542847B (en) System and method for dynamic control of a heat exchanger
CN108027618A (en) Pressure flow-rate controller and its method for detecting abnormality
KR102607020B1 (en) Concentration control apparatus and material gas supply system
JP7154850B2 (en) Concentration control device and material gas supply device
US7735458B2 (en) Device for dispensing a heated fluid and heating device therefor
US8771598B2 (en) Ammonia storage system
KR102489603B1 (en) Flow measuring device and flow measuring system
US20080251137A1 (en) In-situ monitor of injection valve
CN107782418B (en) Flowmeter inspection system and flowmeter inspection method
US6408879B1 (en) Fluid control device
US9677765B2 (en) Pneumatic composite having mass balancing
US7481215B2 (en) Device for mixing anesthetic vapor with anesthetic gas
JP5618623B2 (en) Leakage detection system, leak detection device, and leak detection method
KR100773756B1 (en) Block for transfering and mixing gases
KR100956152B1 (en) one body type viscosity sensing unit
JP7077661B2 (en) Gas storage system
JP2010255530A (en) Liquid flow rate measuring device
KR101274163B1 (en) A diverter valve for measuring gravimetric mass flow rate
TWI807659B (en) Fluid flow control system comprising a manifold assembly
JP2003130706A (en) Gas meter
JP2001188020A (en) Gas meter

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181024

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210618

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220513

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220531

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220714

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220927

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221005

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7154850

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150