JP7154461B2 - 増幅回路 - Google Patents
増幅回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7154461B2 JP7154461B2 JP2022529273A JP2022529273A JP7154461B2 JP 7154461 B2 JP7154461 B2 JP 7154461B2 JP 2022529273 A JP2022529273 A JP 2022529273A JP 2022529273 A JP2022529273 A JP 2022529273A JP 7154461 B2 JP7154461 B2 JP 7154461B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amplifier
- matching circuit
- output
- circuit
- impedance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 26
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 16
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
- H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0288—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/102—A non-specified detector of a signal envelope being used in an amplifying circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/318—A matching circuit being used as coupling element between two amplifying stages
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/411—Indexing scheme relating to amplifiers the output amplifying stage of an amplifier comprising two power stages
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
以下の特許文献1には、第1の増幅器として、駆動増幅器が用いられ、第2の増幅器として、ドハティ増幅器が用いられている増幅回路が開示されている。当該増幅回路では、駆動増幅器とドハティ増幅器との間に、インピーダンス調整部が接続されている。
当該インピーダンス調整部は、駆動増幅器の出力負荷インピーダンスとドハティ増幅器の入力インピーダンスとを整合させる整合回路と、当該整合回路からドハティ増幅器に出力される信号の位相を調整する位相調整器とを含んでいる。当該位相調整器が、信号の位相を調整することによって、ドハティ増幅器の出力電力が飽和電力よりも低いときの、駆動増幅器の効率を高めることができる。
図1は、実施の形態1に係る増幅回路を示す構成図である。
図1に示す増幅回路は、入力端子1、入力整合回路2、第1の増幅器3、出力整合回路4、第2の増幅器7及び出力端子8を備えている。
入力端子1には、増幅対象の信号が与えられる。
入力整合回路2の他端は、第1の増幅器3の入力側と接続されている。
入力整合回路2は、例えば、集中定数素子によって実現される。
入力整合回路2は、第1の増幅器3の入力インピーダンスを、図1に示す増幅回路の入力側のインピーダンスと整合させる回路である。
第1の増幅器3は、入力整合回路2を伝搬してきた増幅対象の信号を増幅し、増幅後の信号を出力整合回路4に出力する。
出力整合回路4の他端は、第2の増幅器7の入力側と接続されている。
出力整合回路4は、集中定数素子を有する集中定数回路である。
即ち、出力整合回路4は、集中定数素子を有するLPF(Low Pass Filter)型整合回路5と、集中定数素子を有するHPF(High Pass Filter)型整合回路6とを備えている。
出力整合回路4は、第1の増幅器3による増幅後の信号が伝搬する。
出力整合回路4は、複数の集中定数素子によって、第2の増幅器7の出力電力が飽和電力よりも低いときの、第1の増幅器3から第2の増幅器7側を見たインピーダンスを、第2の増幅器7の出力電力が飽和電力であるときの、第1の増幅器3から第2の増幅器7側を見たインピーダンスよりも大きなインピーダンスに変成させる。
出力整合回路4は、集中定数回路であるため、分布定数回路で形成されているものよりも、回路サイズが小さい。
LPF型整合回路5の他端は、HPF型整合回路6の一端と接続されている。
LPF型整合回路5は、集中定数素子として、例えば、インダクタを有している。
HPF型整合回路6の一端は、LPF型整合回路5の他端と接続されている。
HPF型整合回路6の他端は、第2の増幅器7の入力側と接続されている。
HPF型整合回路6は、集中定数素子として、例えば、インダクタ及びコンデンサを有している。
第2の増幅器7は、出力整合回路4を伝搬してきた信号を増幅する。
第2の増幅器7は、増幅後の信号を出力端子8に出力する。
出力端子8は、第2の増幅器7による増幅後の信号を外部に出力するための端子である。
図2に示すドハティ増幅器は、分配器11、キャリアアンプ12、ピークアンプ13、90度線路14及び合成器15を備えている。
分配器11は、出力整合回路4を伝搬してきた信号を2分配し、一方の信号をキャリアアンプ12に出力し、他方の信号をピークアンプ13に出力する。
ピークアンプ13は、分配器11から出力された信号の信号レベルが一定レベルよりも大きいときに、当該信号を増幅し、増幅後の信号を合成器15に出力する。
合成器15は、90度線路14を伝搬してきた信号と、ピークアンプ13による増幅後の信号とを合成し、2つの信号の合成信号を出力する。
第1の増幅器3の等価回路は、図3に示すように、電流源22、インダクタ23及びコンデンサ24によって表される。
電流源22は、入力整合回路2を伝搬してきた増幅対象の信号の信号レベルが大きいほど、大きな電流を出力する。
コンデンサ24は、電流源22からLPF型整合回路5の一端に至るまでの寄生成分の一部である。
第1の増幅器3に含まれている寄生成分、即ち、電流源22からLPF型整合回路5の一端に至るまでの寄生成分は、インダクタ23及びコンデンサ24によって表される。
LPF型整合回路5は、集中定数素子として、第1のインダクタ31を含んでいる。
第1のインダクタ31の一端は、第1の増幅器3の出力側と接続されている。
第1のインダクタ31の他端は、HPF型整合回路6に含まれている第2のインダクタ32の一端及びコンデンサ33の一端のそれぞれと接続されている。
第2のインダクタ32の一端は、第1のインダクタ31の他端及びコンデンサ33の一端のそれぞれと接続されている。
第2のインダクタ32の他端は、直流遮断用コンデンサ34の一端と接続されている。
コンデンサ33の一端は、第1のインダクタ31の他端及び第2のインダクタ32の一端のそれぞれと接続されている。
コンデンサ33の他端は、第2の増幅器の入力側と接続されている。
直流遮断用コンデンサ34の一端は、第2のインダクタ32の他端と接続されている。
直流遮断用コンデンサ34の他端は、接地されている。
図7に示すHPF型整合回路6は、直流遮断用コンデンサ34を備えている。しかし、これは一例に過ぎず、HPF型整合回路6は、直流遮断用コンデンサ34を備えずに、第2のインダクタ32の他端が接地されていてもよい。
第2の増幅器7は、図2に示すようなドハティ増幅器によって実現される。このため、第2の増幅器7の入力インピーダンスImpINは、図5に示すように、バックオフ時から飽和時に至るまで変化する。
ここで、飽和時とは、第2の増幅器7の出力電力が飽和電力である状態を示すものである。
バックオフ時とは、第2の増幅器7の出力電力が飽和電力よりも低い状態であって、ピークアンプ13が、信号増幅動作を行うことが可能な状態を示すものである。
図5に示すスミスチャートでは、飽和時における第2の増幅器7の入力インピーダンスImpIN,Sが、スミスチャートの中心に表されている。
バックオフ時における第2の増幅器7の入力インピーダンスは、図5に示すように、ImpIN,Bであり、バックオフ時における第2の増幅器7の入力反射位相は、図5に示すように、φINである。バックオフ時における第2の増幅器7の入力反射位相φINの絶対値は、ゼロよりも大きい。
インピーダンスImpOUTは、図6に示すように、第2の増幅器7のバックオフ時から飽和時に至るまで変化する。
図6に示すスミスチャートでは、飽和時のインピーダンスImpOUT,Sが、スミスチャートの中心に表されている。電流源22から第2の増幅器7側を見たインピーダンスImpOUTが、飽和時のインピーダンスImpOUT,Sであるとき、第1の増幅器3の出力電力が最大電力となる。即ち、第1の増幅器3の出力電力が飽和電力となる。
バックオフ時から飽和時に至るまで、第2の増幅器7の入力インピーダンスImpINが変化するため、バックオフ時から飽和時に至るまで、電流源22から第2の増幅器7側を見たインピーダンスImpOUTも変化する。バックオフ時のインピーダンスは、ImpOUT,Bである。
図1に示す増幅回路では、飽和時における第2の増幅器7の入力インピーダンスImpIN,Sが、出力整合回路4によって、第1の増幅器3の出力電力が最大電力となるインピーダンスImpOUT,Sに変成されるように、出力整合回路4が有する集中定数素子が設計されている。
出力整合回路4が有する集中定数素子が、上記のように設計される場合、電流源22から第2の増幅器7側を見たインピーダンスImpOUTは、第1の増幅器3の出力電力が最大電力となるインピーダンスImpOUT,Sと整合される。
図1に示す増幅回路では、バックオフ時における電流源22から第2の増幅器7側を見たインピーダンスImpOUT,Bが、出力整合回路4によって、飽和時における電流源22から第2の増幅器7側を見たインピーダンスImpOUT,Sよりも大きなインピーダンスに変成されるように、出力整合回路4が有する集中定数素子が設計されている。
具体的には、電流源22から出力整合回路4の一端に至るまでの寄生成分の通過位相φPARと、LPF型整合回路5の通過位相φLPFと、HPF型整合回路6の通過位相φHPFと、第2の増幅器7の入力反射位相φINとの総和の絶対値が閾値Th以内になるように、出力整合回路4が有する集中定数素子が設計されている。閾値Thとしては、例えば、0以上45以下の値が想定される。
例えば、閾値Thとして、0が用いられ、総和の絶対値が0度になるように、出力整合回路4が有する集中定数素子が設計される場合、第2の増幅器7の入力反射位相φINが0度に変成され、第2の増幅器7がバックオフ動作するときの、第1の増幅器3の効率が最高効率になる。
図7では、飽和時における第2の増幅器7の入力インピーダンスImpIN,Sが50Ω、第1の増幅器3の出力電力が最大電力となるインピーダンスImpOUT,Sが75Ωであるとしている。
L1は、第1のインダクタ31のインダクタンス、L2は、第2のインダクタ32のインダクタンス、L3は、寄生成分の一部であるインダクタ23のインダクタンスである。
C1は、コンデンサ33のキャパシタンス、C2は、寄生成分の一部であるコンデンサ24のキャパシタンスである。
また、図7に示すスミスチャートでは、飽和時のインピーダンス変性が点線で表されており、バックオフ時のインピーダンス変性が実線で表されている。
第2の増幅器7の飽和時では、第2の増幅器7の入力インピーダンスImpIN,Sが、C1,L2,L1+L3,C2によって、第1の増幅器3の出力電力が最大電力となるインピーダンスImpOUT,Sである75Ωに変成される(図7の点線を参照)。
第2の増幅器7のバックオフ時では、第2の増幅器7の入力インピーダンスImpIN,Bが、C1,L2,L1+L3,C2によって、第1の増幅器3の出力電力が最大電力となるインピーダンスImpOUT,Sよりも大きなインピーダンスImpOUT,Bに変成される(図7の実線を参照)。インピーダンスImpOUT,Bは、図7に示すように、スミスチャートの実軸上である。
したがって、図1に示す増幅回路では、図7に示すスミスチャートが適用されるように、インダクタンスL3及びキャパシタンスC2に応じて、インダクタンスL1,L2及びキャパシタンスC1が設計されれば、飽和時における第1の増幅器3の最大出力電力を維持しつつ、バックオフ時における第1の増幅器3の高効率動作を実現することができる。
図8において、横軸は、第1の増幅器3の出力電力[dBm]、縦軸は、第1の増幅器3の効率[%]を示している。
図8では、図1に示す増幅回路における第1の増幅器3の効率特性が実線で表されている。図8では、閾値Thとして、0が用いられ、総和の絶対値が0度になるように、出力整合回路4が有する集中定数素子が設計されているときの第1の増幅器3の効率特性を示している。
点線は、電流源22から第2の増幅器7側を見たインピーダンスImpOUTが、バックオフ時における第2の増幅器7の入力インピーダンスImpIN,Bに固定されていると仮定した場合の第1の増幅器3の効率特性(以下、「第1の仮定効率特性」という)を示している。ここでのバックオフ時は、ピークアンプ13が、信号増幅動作を行うことが可能な状態のうち、分配器11から出力された信号の信号レベルが最も低い信号レベルのときの状態を示すものである。
一点鎖線は、電流源22から第2の増幅器7側を見たインピーダンスImpOUTが、飽和時における第2の増幅器7の入力インピーダンスImpIN,Sに固定されていると仮定した場合の第1の増幅器3の効率特性(以下、「第2の仮定効率特性」という)を示している。
電流源22から第2の増幅器7側を見たインピーダンスImpOUTは、バックオフ時から飽和時にかけて変化するため、バックオフ時には、第1の増幅器3の効率特性が、点線が示す第1の仮定効率特性と重なり、飽和時には、第1の増幅器3の効率特性が、一点鎖線が示す第2の仮定効率特性と重なる。
したがって、第1の増幅器3のバックオフ時の効率は、第2の仮定効率特性が示す効率よりも高くなる。
第1の増幅器3の飽和時の出力電力は、第1の仮定効率特性が示す出力電力よりも大きくなる。
閾値Thとして、45が用いられ、総和の絶対値が45度になるように、出力整合回路4が有する集中定数素子が設計されているときの第1の増幅器3の効率特性は、総和の絶対値が0度になるように、出力整合回路4が有する集中定数素子が設計されているときの第1の増幅器3の効率特性よりも低下する。
しかし、総和の絶対値が45度になるように、出力整合回路4が有する集中定数素子が設計されているときの、バックオフ時における第1の増幅器3の効率特性は、点線が示す第1の仮定効率特性と、一点鎖線が示す第2の仮定効率特性との間になる。したがって、総和の絶対値が45度になるように、出力整合回路4が有する集中定数素子が設計されているときでも、第1の増幅器3のバックオフ時の効率は、第2の仮定効率特性が示す効率よりも高くなる。
なお、閾値Thとして、90が用いられ、総和の絶対値が90度になるように、出力整合回路4が有する集中定数素子が設計されているときの第1の増幅器3の効率特性は、一点鎖線が示す第2の仮定効率特性と重なるため、バックオフ時での高効率動作を実現することができない。
しかし、バックオフ時のインピーダンスImpOUT,Bを、飽和時のインピーダンスImpOUT,Sよりも大きなインピーダンスに変成させることができればよく、出力整合回路4が、複数の集中定数素子として、第1のインダクタ31、第2のインダクタ32及びコンデンサ33を備えるものに限るものではない。
即ち、出力整合回路4は、出力整合回路4の通過位相が、φLPF+φHPFとなるような集中定数素子を備えていればよい。したがって、出力整合回路4は、直列インダクタ、並列インダクタ、直列コンデンサ、並列コンデンサ、直列抵抗、又は、並列抵抗のうちの、いずれかの集中定数素子の組み合わせを備えることによって、通過位相φLPF+φHPFを実現するものであってもよい。
図1に示す増幅回路では、第2の増幅器7がドハティ増幅器によって実現されている。
実施の形態2では、第2の増幅器7が、エンベロープトラッキング増幅器によって実現されている増幅回路について説明する。
エンベロープトラッキング増幅器は、ドハティ増幅器と同様に、入力インピーダンスImpINが変化する増幅器である。エンベロープトラッキング増幅器における飽和時の入力インピーダンスImpIN,Sとエンベロープトラッキング増幅器におけるバックオフ時の入力インピーダンスImpIN,Bとが異なる。
第2の増幅器7であるエンベロープトラッキング増幅器は、高周波増幅器41及び電源変調器42を備えている。
高周波増幅器41は、出力整合回路4を伝搬してきた信号を増幅する。
高周波増幅器41は、増幅後の信号を出力端子8に出力する。
電源変調器42は、出力整合回路4を伝搬してきた信号の振幅に応じた電源電圧を高周波増幅器41に供給する。
高周波増幅器41は、電源変調器42から供給される電源電圧が変化するため、入力インピーダンスImpINが変化する。
Claims (7)
- 増幅対象の信号を増幅する第1の増幅器と、
前記第1の増幅器による増幅後の信号が伝搬する出力整合回路と、
前記出力整合回路を伝搬してきた信号を増幅する第2の増幅器とを備え、
前記出力整合回路は、複数の集中定数素子を備える集中定数回路であり、前記複数の集中定数素子によって、前記第2の増幅器の出力電力が飽和電力よりも低いときの、前記第1の増幅器から前記第2の増幅器側を見たインピーダンスを、前記第2の増幅器の出力電力が飽和電力であるときの、前記第1の増幅器から前記第2の増幅器側を見たインピーダンスよりも大きなインピーダンスに変成させることを特徴とする増幅回路。 - 前記出力整合回路は、
前記第1の増幅器に含まれている寄生成分の通過位相と、前記出力整合回路の通過位相と、前記第2の増幅器の入力反射位相との総和の絶対値が閾値以内になるように、前記複数の集中定数素子によって、前記第2の増幅器の出力電力が飽和電力よりも低いときの、前記第1の増幅器から前記第2の増幅器側を見たインピーダンスを変成させることを特徴とする請求項1記載の増幅回路。 - 前記出力整合回路は、前記複数の集中定数素子として、
前記第1の増幅器の出力側と一端が接続されている第1のインダクタと、
前記第1のインダクタの他端と一端が接続され、他端が接地されている第2のインダクタと、
前記第1のインダクタの他端及び前記第2のインダクタの一端のそれぞれと一端が接続され、前記第2の増幅器の入力側と他端が接続されているコンデンサとを備えていることを特徴とする請求項2記載の増幅回路。 - 前記閾値が45度であり、
前記出力整合回路は、前記総和の絶対値が45度以内になるように、前記複数の集中定数素子によって、前記第2の増幅器の出力電力が飽和電力よりも低いときの、前記第1の増幅器から前記第2の増幅器側を見たインピーダンスを変成させることを特徴とする請求項2記載の増幅回路。 - 前記閾値が0度であり、
前記出力整合回路は、前記総和の絶対値が0度になるように、前記複数の集中定数素子によって、前記第2の増幅器の出力電力が飽和電力よりも低いときの、前記第1の増幅器から前記第2の増幅器側を見たインピーダンスを変成させることを特徴とする請求項2記載の増幅回路。 - 前記第2の増幅器は、ドハティ増幅器であることを特徴とする請求項1記載の増幅回路。
- 前記第2の増幅器は、エンベロープトラッキング増幅器であることを特徴とする請求項1記載の増幅回路。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2020/022456 WO2021250721A1 (ja) | 2020-06-08 | 2020-06-08 | 増幅回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2021250721A1 JPWO2021250721A1 (ja) | 2021-12-16 |
JP7154461B2 true JP7154461B2 (ja) | 2022-10-17 |
Family
ID=78846999
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022529273A Active JP7154461B2 (ja) | 2020-06-08 | 2020-06-08 | 増幅回路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230026142A1 (ja) |
EP (1) | EP4148989A4 (ja) |
JP (1) | JP7154461B2 (ja) |
CN (1) | CN115606093A (ja) |
WO (1) | WO2021250721A1 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002330031A (ja) | 2001-04-26 | 2002-11-15 | Sony Corp | 電力増幅装置 |
JP3423706B2 (ja) | 2000-02-08 | 2003-07-07 | 三菱電機株式会社 | 多段増幅器 |
JP2010245705A (ja) | 2009-04-02 | 2010-10-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高効率増幅器 |
WO2017122271A1 (ja) | 2016-01-12 | 2017-07-20 | 三菱電機株式会社 | 高周波増幅器及び増幅器モジュール |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014116757A (ja) | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Samsung Electronics Co Ltd | 増幅回路及び通信装置 |
US10530306B2 (en) * | 2018-04-13 | 2020-01-07 | Nxp Usa, Inc. | Hybrid power amplifier circuit or system with combination low-pass and high-pass interstage circuitry and method of operating same |
-
2020
- 2020-06-08 CN CN202080100358.5A patent/CN115606093A/zh active Pending
- 2020-06-08 WO PCT/JP2020/022456 patent/WO2021250721A1/ja unknown
- 2020-06-08 JP JP2022529273A patent/JP7154461B2/ja active Active
- 2020-06-08 EP EP20939853.6A patent/EP4148989A4/en active Pending
-
2022
- 2022-10-06 US US17/960,884 patent/US20230026142A1/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3423706B2 (ja) | 2000-02-08 | 2003-07-07 | 三菱電機株式会社 | 多段増幅器 |
JP2002330031A (ja) | 2001-04-26 | 2002-11-15 | Sony Corp | 電力増幅装置 |
JP2010245705A (ja) | 2009-04-02 | 2010-10-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高効率増幅器 |
WO2017122271A1 (ja) | 2016-01-12 | 2017-07-20 | 三菱電機株式会社 | 高周波増幅器及び増幅器モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4148989A4 (en) | 2023-06-28 |
EP4148989A1 (en) | 2023-03-15 |
WO2021250721A1 (ja) | 2021-12-16 |
CN115606093A (zh) | 2023-01-13 |
JPWO2021250721A1 (ja) | 2021-12-16 |
US20230026142A1 (en) | 2023-01-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7151407B2 (en) | Switched-mode power amplifier using lumped element impedance inverter for parallel combining | |
Kang et al. | Design of bandwidth-enhanced Doherty power amplifiers for handset applications | |
JP4793807B2 (ja) | 増幅器 | |
US10778156B2 (en) | Interstage matching network | |
US20090206927A1 (en) | Amplifier | |
WO2015069426A1 (en) | A quasi-doherty architecture amplifier and method | |
WO2014108716A1 (en) | Doherty amplifier | |
JP6407476B1 (ja) | ドハティ増幅器及び増幅回路 | |
JP5234006B2 (ja) | 電力増幅器 | |
US10868500B1 (en) | Doherty amplifier with complex combining load matching circuit | |
CN113826320A (zh) | 多赫蒂放大器和通信装置 | |
JP2006515723A (ja) | マルチバンド信号処理装置、処理方法及び製造物 | |
JP7154461B2 (ja) | 増幅回路 | |
US10326409B2 (en) | Inter-stage network for radio frequency amplifier | |
CN112020826A (zh) | 放大器 | |
WO2021161721A1 (ja) | 電力増幅回路、高周波回路及び通信装置 | |
JP7337270B2 (ja) | ドハティ増幅器 | |
JP6972431B2 (ja) | ドハティ増幅器及び通信装置 | |
JP2006093857A (ja) | 歪補償回路 | |
JP7418661B2 (ja) | ドハティ増幅器 | |
WO2023089796A1 (ja) | ドハティ増幅器 | |
US11522498B2 (en) | RF power amplifier with extended load modulation | |
WO2022172868A1 (ja) | 電力増幅回路 | |
JP7039826B2 (ja) | ドハティ型増幅器 | |
WO2022180762A1 (ja) | 差動増幅装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220519 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20220519 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220906 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221004 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7154461 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |