JP7154336B2 - 切断装置、及び、切断品の製造方法 - Google Patents
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Description
・切断対象物を切断しながら切断対象物に対して相対的に移動する第1ブレードを用いて、切断対象物にハーフカット溝から構成される溝パターンを形成するステップ。
・第1ブレードよりも厚みが薄い第2ブレードを用いて、切断対象物に形成された溝パターンに沿って切断対象物を切断することにより、互いに分離した切断品を得るステップ。
なお、溝パターンを形成するステップは、第1ブレードが切断対象物を切断した長さに応じてブレードの高さを検出するステップと、検出された高さが予め定められた要件を充足していない場合に、ブレードの高さ方向の位置を補正するステップとを含む。
[概要]
図1は、第1実施形態に係る切断装置1の平面の一部を模式的に示す図である。切断装置1は、切断対象物を切断するように構成される。ここで、「切断」という用語の概念は、切断対象物を分離して複数の個片化された切断品とすること、及び、切断対象物の一部を除去することを含む。以下、切断対象物を複数の個片化された切断品に分離する切断をフルカットと称し、切断対象物の一部を厚み方向に除去する切断をハーフカットと称することがある。
図2は側方から見た切断装置1の一部を模式的に示す図であり、図3は、切断装置1の電気的な構成を示すブロック図である。図1~3に示すように、切断装置1は、主に切断ユニット10と、保持ユニット20と、検出ユニット30と、制御ユニット50と備える。切断装置1は、上記以外のユニットを備えていてもよいことは言うまでもない。たとえば、切断装置1は、パッケージ基板4を供給する基板供給ユニット、パッケージ基板4および/または半導体パッケージ40検査する検査ユニット、切断された半導体パッケージ40を洗浄および/または乾燥させる洗浄ユニット、切断された半導体パッケージ40を収容部に搬送する搬送ユニット等を備えていてもよい。以下では、切断ユニット10と、保持ユニット20と、検出ユニット30と、制御ユニット50の構成について説明する。
図1及び図2に示すように、切断ユニット10は、保持ユニット20の上方に配置され、パッケージ基板4を切断するように構成される。切断ユニット10は、ブレード101と、スピンドル部102と、スピンドル部102を切断装置1内の所望の位置に移動させる図示しない移動機構とを含む。切断装置1は、一対のスピンドル部102を備えるツインスピンドル構成であってもよいし、1つのみのスピンドル部102を備えるシングルスピンドル構成であってもよい。スピンドル部102は、図示しない移動機構により、図1及び図2中のX軸及びZ軸に沿って移動する。移動機構の動作、つまりスピンドル部102の移動及びX軸及びZ軸方向の位置は、後述する制御部500によって制御される。以下では、図1及び図2中のZ軸方向を、スピンドル部102またはブレード101の高さ方向と称することがある。
保持ユニット20は、パッケージ基板4を保持するように構成される。保持ユニット20は、移動機構203と、テーブル201と、テーブル201上に配置されたラバー202とを含む。切断装置1は、2個の保持ユニット20を有するツインカットテーブル構成であってもよいし、1個の保持ユニット20を有してもよいし、3個以上の保持ユニット20を有してもよい。パッケージ基板4は、保持ユニット20によって保持され、ブレード101に対して相対的に移動しながら、その長手方向及び短手方向に沿って切断される。
検出ユニット30は、スピンドル部102及び第1ブレード101Aの高さ方向(Z軸方向)の位置の検出に用いられる。検出ユニット30は、本発明の検出部の一例であり、CCS(Contact Cutter Setup)ブロック300と、検出回路301と、検出装置302とを含む。CCSブロック300は、本発明の接触子の一例であり、導電性を有する材料から構成される。本実施形態では、CCSブロック300は、その上面の高さがテーブル201の上面の高さと一致するように、テーブル201の側方に取り付けられている。つまり、本実施形態のCCSブロック300は、テーブル201とともに移動することが可能である。
制御ユニット50は、切断ユニット10、保持ユニット20、及び検出ユニット30に電気的に接続され、各ユニット10~30の動作を制御するように構成される。制御ユニット50は、各ユニット10~30と一体的に構成されてもよいし、各ユニット10~30とは別体として構成されてもよい。図3に示すように、制御ユニット50は、制御部500、表示部501、入力部502及び記憶部503を含む。
本実施形態で対象とするパッケージ基板4は、その種類は特に限定されないが、例えばウェッタブルQFN(Quad Flat No-leaded)パッケージ基板である。パッケージ基板4にハーフカット及びフルカットを施すことで、図4に示すような半導体パッケージ40が製造される。ここで、パッケージ基板4とは、半導体チップ、抵抗素子、キャパシタ素子等の電子素子が接続された基板に対して、少なくとも電子素子を樹脂封止するように樹脂成形したものである。パッケージ基板4を構成する基板としては、リードフレーム、プリント配線板を用いることができ、これら以外にも、半導体製基板、金属製基板、セラミック製基板、ガラス製基板、樹脂製基板等を用いることができる。また、パッケージ基板4を構成する基板には、配線が施されていても施されていなくてもよい。
図6は、切断装置1がパッケージ基板4に溝パターンを形成する際に行う、一連の切断動作の流れを示すフローチャートである。図6に示す切断動作は、例えば第1ブレード101Aがスピンドル部102に取り付けられたタイミングで開始する。
以上のように、第1実施形態に係る切断装置1では、第1ブレード101Aがパッケージ基板4に溝パターンを形成する途中、検出タイミングで第1ブレード101Aの摩耗量が検出され、必要に応じて第1ブレード101Aの高さ位置が補正される。これにより、第1ブレード101Aの摩耗量を適切に管理することができ、同一のパッケージ基板4に形成されるハーフカット溝G1,G2の深さのばらつきを抑えることができる。
上記第1実施形態に係る切断装置1は、検出部として、CCSブロック300、検出回路301及び検出装置302を含む検出ユニット30を備えていた。しかし、第2実施形態に係る切断装置1Aは、検出部として発光部303及び受光部304を含む検出ユニット31を備える点で、第1実施形態と相違する。すなわち、第1ブレード101Aの摩耗が、切断装置1では接触子を用いた接触方式で検出されたが、切断装置1Aでは第1ブレード101Aを接触子に接触させない非接触方式で第1ブレード101Aの摩耗が検出される。以下、切断装置1Aの構成について説明するが、切断装置1と共通の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
図7に示すように、切断装置1Aにおいては、発光部303及び受光部304がX軸方向に間隔を空けて、互いに向かい合うようにそれぞれ取り付けられている。発光部303及び受光部304の間の間隔は、第1ブレード101Aが通過できる程度の間隔である。発光部303は、受光部304に向かって光を発するように構成され、受光部304には発光部303が発した光線が到達する。
切断装置1Aによれば、検出タイミングにおける第1ブレード101Aの摩耗検出が、第1ブレード101Aを接触子に接触させない非接触方式により行われる。これにより、第1ブレード101Aに負担をかけることなく第1ブレード101Aの摩耗状態が管理され、ハーフカット溝G1,G2の深さのばらつきが低減される。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、種々の変更が可能である。例えば、以下の変更が可能である。また、以下の変形例の要旨は、適宜組み合わせることができる。
検出ユニット30の構成は、上記実施形態の構成に限定されず、適宜変更することができる。例えば、テーブル201自体が接触子として構成されてもよい。また、接触子としてのCCSブロック300を配置する位置は、上記実施形態に限られず、例えばテーブル201と離れていてもよく、適宜変更することができる。また、切断装置が備えるCCSブロック300の数も特に限定されない。また、検出回路301の構成も適宜変更されてよい。
切断パラメータは、上記実施形態で例示したパラメータに限定されず、切断パターンを指定可能なパラメータであれば、どのような種類のパラメータを用いてもよい。また、パッケージ基板4の種類と切断パターンとが対応している場合は、この対応関係を示す対応関係データを予め制御ユニット50に記憶させておくこともできる。この場合、ユーザがパッケージ基板4の種類を入力すると、制御部500が対応関係データから該当の切断パラメータを呼び出し、これに基づいて制御を行うように構成されてもよい。
検出タイミングは、制御部500によって予め割り出されていなくてもよい。制御部500は、ハーフカットの最中、スピンドル部102及びテーブル201の移動回数、及びテーブル201の回転回数等に基づいて第1ブレード101Aがハーフカットを施した長さをモニタリングし、この長さと検出パラメータとに応じ、検出タイミングを適時に決定してもよい。
発光部303及び受光部304による光線の検出方法は、適宜変更することができる。例えば、発光部303及び受光部304は、発光素子と受光素子とがともにX軸方向に向くように、X軸方向において同じ位置に設置されてもよい。この場合、例えば発光部303により発せられた後に第1ブレード101Aによって反射され、受光部304に到達する光線を受光部304が検出することにより、第1ブレード101Aの摩耗が検出されてもよい。また例えば、発光部303が発した光線を受光部304に向かって反射する反射体が切断装置1A内の適当な位置に設けられ、受光部304に到達する反射光が第1ブレード101Aにより遮断されたことを検出するようにしてもよい。
ステップS1及びステップS2が実行される順序は、逆であってもよい。つまり、検出パラメータが入力された後に、スピンドル部102の基準高さの検出が行われてもよい。
切断ユニット10及び保持ユニット20の動作は、上記実施形態において例示された動作に限定されない。例えば、テーブル201が可能な動作は回転動作のみとし、スピンドル部102をY軸方向に移動させることによって、パッケージ基板4の切断が行なわれてもよい。すなわち、テーブル201とブレード101とを相対的に移動させることにより、パッケージ基板4の切断が行われればよい。
上記実施形態では、切断対象物はパッケージ基板4、切断品は半導体パッケージ40としてそれぞれ例示された。しかしながら、切断対象物及び切断品の例はこれに限られない。
上記実施形態では、ハーフカットの終了後、第1ブレード101Aが第2ブレード101Bに交換された。しかし、切断装置1及び1Aがスピンドル部102を2つ以上備える場合は、予め別のスピンドル部102に第2ブレード101Bを取り付けておき、ブレード101の交換を行うことなくフルカットを行ってもよい。また、ハーフカットの終了後であって、フルカットが開始される前のタイミングでは、例えばメッキ処理等、切断とは別のパッケージ基板4に対する処理が行われてもよい。
上記実施形態では、本発明における「溝パターンを形成する工程」とは、例えば、上述したステップS3~S11の間を意味する。この場合「溝パターンを形成する工程」とは、フルカットが行われる前に予定している全てのハーフカットが行われる工程の間を意味する。ただし、切断装置1及び1Aは、1本のハーフカット溝G1またはG2が形成されている途中に第1ブレード101Aの高さ検出を行うように構成されてもよい。この場合、「溝パターンを形成する工程」とは、1本のハーフカット溝G1またはG2が形成されている間を意味する。
1A 切断装置
4 パッケージ基板
10 切断ユニット
20 保持ユニット
30 検出ユニット
40 半導体パッケージ
50 制御ユニット
101 ブレード
101A 第1ブレード
102B 第2ブレード
201 テーブル
300 CCSブロック
301 検出装置
302 検出回路
303 発光部
304 受光部
500 制御部
G1,G2 ハーフカット溝
Claims (6)
- 切断対象物を厚さ方向に切断することにより、前記切断対象物にハーフカット溝を形成するように構成された切断装置であって、
前記切断対象物を保持するテーブルと、
前記切断対象物を切断しながら前記テーブルに対して相対的に移動することにより、ハーフカット溝により構成される溝パターンを前記切断対象物に形成するブレードが取り付けられるスピンドル部と、
前記ブレードの高さを検出する検出部と、
前記ブレードの前記高さ方向の位置を制御する制御部と
を備え、
前記制御部は、前記ブレードが1つの前記切断対象物に前記溝パターンを形成する工程の間、前記ブレードが前記切断対象物を切断した長さに応じて前記検出部に前記ブレードの前記高さを検出させ、前記検出された高さが予め定められた要件を充足していない場合に、前記ブレードの前記高さ方向の位置を補正し、
前記検出部は、導電性を有する接触子と、前記接触子に前記ブレードを接触させると通電するように構成される検出回路とを有し、
前記検出部は、前記検出回路の通電を検出することにより、前記ブレードの高さを検出するように構成される、
切断装置。 - 前記接触子は、前記テーブルの側方に配置される、
請求項1に記載の切断装置。 - 切断対象物を厚さ方向に切断することにより、前記切断対象物にハーフカット溝を形成するように構成された切断装置であって、
前記切断対象物を保持するテーブルと、
前記切断対象物を切断しながら前記テーブルに対して相対的に移動することにより、ハーフカット溝により構成される溝パターンを前記切断対象物に形成するブレードが取り付けられるスピンドル部と、
前記ブレードの高さを検出する検出部と、
前記ブレードの前記高さ方向の位置を制御する制御部と
を備え、
前記制御部は、前記ブレードが1つの前記切断対象物に前記溝パターンを形成する工程の間、前記ブレードが前記切断対象物を切断した長さに応じて前記検出部に前記ブレードの前記高さを検出させ、前記検出された高さが予め定められた要件を充足していない場合に、前記ブレードの前記高さ方向の位置を補正し、
前記検出部は、光線を発する発光部と、前記発光部により発せられた光線が到達する受光部とを有し、
前記検出部は、前記ブレードによる前記光線の遮断または前記ブレードによる前記光線の反射によって前記受光部に到達する光線の変化を検出することにより、前記ブレードの高さを検出するように構成される、
切断装置。 - 切断対象物を厚さ方向に切断することにより切断品を製造する製造方法であって、
前記切断対象物を切断しながら前記切断対象物に対して相対的に移動する第1ブレードを用いて、前記切断対象物にハーフカット溝から構成される溝パターンを形成するステップと、
前記第1ブレードよりも厚みが薄い第2ブレードを用いて、前記切断対象物に形成された前記溝パターンに沿って前記切断対象物を切断することにより、互いに分離した切断品を得るステップと、
を含み、
前記溝パターンを形成するステップは、
前記第1ブレードが前記切断対象物を切断した長さに応じて前記第1ブレードの前記高さを検出するステップと、
前記検出された高さが予め定められた要件を充足していない場合に、前記第1ブレードの前記高さ方向の位置を補正するステップとを含み、
前記高さを検出するステップは、前記第1ブレードが前記切断対象物を切断した長さが、予め定められた長さに達すると行われる、
製造方法。 - 前記予め定められた要件は、前記検出された高さの基準高さからのずれ量が、予め定められた閾値未満であることである、
請求項4に記載の製造方法。 - 前記第1ブレードの前記基準高さを設定するステップ
をさらに含み、
前記基準高さを設定するステップは、前記溝パターンを形成するステップよりも前に実行される、
請求項5に記載の製造方法。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003173986A (ja) | 2001-12-04 | 2003-06-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 2スピンドル切削装置における切削方法 |
JP2003211350A (ja) | 2002-01-18 | 2003-07-29 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイシング装置及びカッターセット方法 |
JP2006286694A (ja) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Murata Mfg Co Ltd | ダイシング装置およびダイシング方法 |
JP2008166546A (ja) | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削ブレードの先端形状検査方法 |
JP2016213240A (ja) | 2015-04-30 | 2016-12-15 | Towa株式会社 | 製造装置及び製造方法 |
JP2019040899A (ja) | 2017-08-22 | 2019-03-14 | Towa株式会社 | 加工装置及び加工方法 |
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Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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