JP7146946B2 - 3C-SiC膜を調製するためのプロセス - Google Patents
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Description
レーザーCVD装置のチャンバー内に基材を提供すること;
前記基材を予備加熱し、それから、赤外レーザービームおよび紫外レーザービームを前記基材上に照射すること;
ケイ素前駆体および炭素前駆体、任意にキャリアガスを前記チャンバー内に導入して、前記基材上に前記SiC-CVD膜を成膜すること、
を含み、
成膜温度は前記チャンバー内において1523から1623Kに維持される。
レーザーCVD装置、好ましくはコールドウォール型レーザーCVD装置のチャンバー内に基材を提供すること;
基材を予備加熱し、それから、赤外レーザービームおよび紫外レーザービームを基材上に照射すること;
ケイ素前駆体および炭素前駆体、任意にキャリアガスをチャンバー内に導入して、SiC-CVD膜、好ましくは微細結晶粒3C-SiC厚膜を基材上に成膜すること、
を含み、
成膜温度はチャンバー内において1523から1623Kに維持される。
3C-SiC膜の製造
図1に示されているコールドウォール型ハイブリッドレーザーCVD装置を使用して、微細結晶粒3C-SiC膜を調製した。紫外レーザービーム(β-BaB2O4、波長=266nm)を通過させるための石英窓4’を追加した。紫外レーザーを50mJ/cm2においてかつ10Hzの繰返しで照射した。パルス幅は15psであった。グラファイトディスク(IGS-743、Φ15mm×1mm、三協カーボン株式会社、東京、日本)を基材として用い、Tpre=753Kにおいてホットステージ上で予備加熱した。赤外レーザービーム(InGaAlAs、波長=1060nm)を石英ガラス窓4からチャンバー内に導入し、基材全部を照射するためにレンズによって直径を20mmまで拡大した。レーザーは200から500Wの出力(PL)による連続モードで作動させた。成膜温度(Tdep)は熱電対およびパイロメーター(2MH-CF4、オプトリス社(Optris GmbH.)、ベルリン、ドイツ)によって測定し、1523Kで基材全体において±5K以内にコントロールした。赤外レーザービームは基材表面上に均一な温度分布を提供した。SiCl4およびCH4をそれぞれケイ素および炭素前駆体として用いた。SiCl4を293Kにおいて蒸気化し、H2ガスによってCVDチャンバー内に運んだ。SiCl4、CH4、およびH2の流量はそれぞれ400、200、および1400sccmに固定した。全圧(Ptot)および成膜時間はそれぞれ4kPaおよび30minであった。ノズルと基材との間の距離は30mmであった。ガスノズルの温度は473Kにおいて熱電対によって記録した。有害な排気ガス(例えば中間体Si-C-H-Cl)およびHClを処理するために、液体窒素を充填したコールドトラップおよびNaOHスプレー式スクラバーを適用した。
結晶相は、Cu-Kα(40kVかつ40mA)放射によるX線回折(θ-2θ)によって調べた(XRD、Ultima-III、株式会社リガク、東京、日本)。
ラマンスペクトロメーター(LabRam HR800Ev、株式会社堀場製作所、京都、日本。532nmのHe-Neレーザーを有する)を3C-SiC膜のラマンスペクトル測定に用いた。
試験片の微細構造はSEM(Quanta-250、FEI、20kV、ヒューストン、米国)によって観察し、成膜速度(Rdep)は厚さおよび成膜時間から計算した。
3C-SiC膜の微小硬度はビッカース微小硬度試験機(430SVD、ウォルパート(Wolpert)、米国)によって300、500、および1000gの荷重で測定した。圧入時間は15sであり、硬度試験のための3C-SiC膜の厚さは、基材の効果を排除するために十分厚かった。
平均結晶粒径は、SEM像から、少なくとも100個の結晶粒を有する直線長さを計数することによって決定した。
得られた3C-SiC膜のXRDパターンおよびラマン散乱スペクトルはそれぞれ図2および3に示されている((c)によって示す)。SEM像は図4(e)および(f)に示されている。平均結晶粒径およびビッカース微小硬度はそれぞれ図5および6に示されている((c)によって示す)。Rdepは図7に示されている。
3C-SiC膜を実施例1のものと同じやり方で製造および測定したが、ただし、成膜温度(Tdep)は1623Kで基材全体において±5K以内にコントロールした。
得られた3C-SiC膜のXRDパターンおよびラマン散乱スペクトルはそれぞれ図2および3に示されている((d)によって示す)。SEM像は図4(g)および(h)に示されている。平均結晶粒径およびビッカース微小硬度はそれぞれ図5および6に示されている((d)によって示す)。Rdepは図7に示されている。
3C-SiC膜を実施例1のものと同じやり方で製造および測定したが、ただし、プロセスにはいかなる紫外レーザービームも導入されない;つまり、3C-SiC膜はダイオード(赤外)レーザーCVDプロセスによって製造した。
得られた3C-SiC膜のXRDパターンおよびラマン散乱スペクトルはそれぞれ図2および3に示されている((a)によって示す)。SEM像は図4(a)および(b)に示されている。平均結晶粒径およびビッカース微小硬度はそれぞれ図5および6に示されている((a)によって示す)。Rdepは図7に示されている。
3C-SiC膜を実施例2のものと同じやり方で製造および測定したが、ただし、プロセスにはいかなる紫外レーザービームも導入されない;つまり、3C-SiC膜はダイオード(赤外)レーザーCVDプロセスによって製造した。
得られた3C-SiC膜のXRDパターンおよびラマン散乱スペクトルはそれぞれ図2および3に示されている((b)によって示す)。SEM像は図4(c)および(d)に示されている。平均結晶粒径およびビッカース微小硬度はそれぞれ図5および6に示されている((b)によって示す)。Rdepは図7に示されている。
XRDパターン
図2は、ダイオードレーザーCVD(比較例1~2、(a)および(b))ならびにハイブリッドレーザーCVD(実施例1~2、(c)および(d))によって成膜された3C-SiC膜のXRDパターンを示している。2θ=35.7°、41.3°、60°、71.8°、および75.5°における突出した5つの回折ピークは、それぞれ3C-SiCの(111)、(200)、(220)、(311)、および(222)面に対応する。図2の曲線(a)および(b)に示されている通り、ダイオードレーザーCVDによって調製された3C-SiC膜では、(220)ピークは他よりも強く、これは(220)面の優先配向を示した。しかしながら、ハイブリッドレーザーCVDによって成膜された3C-SiC膜では、いくつかの主なピークが観察された[図2の曲線(c)および(d)]。それは結晶の結晶粒が結晶学的配向においてランダムに分布していることを意味した。3C-SiC膜の配向をロットゲーリングファクター(Fhkl)によって評価した。表1はダイオードレーザーCVDおよびハイブリッドレーザーCVDによって調製された3C-SiC膜のF110およびF111を示す。Fhklは等式(1)から計算した:
Fhkl=(Phkl-P0)/(1-P0) 等式(1)
式中、PhklおよびP0は、それぞれ膜(Phkl)および粉末(P0)について、(hkl)面のピーク強度と全てのピークの合計との比である。Fhklファクターは負(他の軸に沿った配向)から0(ランダム)へ、1(完全配向)までの値を有する。3C-SiC膜の配向はハイブリッドレーザーCVDでは顕著に変化した。ダイオードレーザーCVDによって調製された3C-SiC膜は0.6よりも高いF110の値を示し、かつF111の負の値を有し、<110>配向を示した。他方は、3C-SiC膜のF110およびF111の値は0に近く、ランダムな配向を見せた。ハイブリッドレーザーCVDによって調製された試験片では、小さい肩が2θ~33.8°において観察され、これは面欠陥が原因であり得た。面欠陥および優先配向の乱れはハイブリッドレーザーCVDの紫外レーザーの照射によってもたらされ得た。
ダイオードレーザーCVD(比較例1~2、(a)および(b))ならびにハイブリッドレーザーCVD(実施例1~2、(c)および(d))によって成長させられた3C-SiC膜のラマン散乱スペクトルが図3に示されている。曲線(a)および(b)はダイオードレーザーCVDによって調製された3C-SiC膜のラマンスペクトルを示している。それは796および972cm-1における2つの主に鋭いピークからなり、これらはそれぞれ3C-SiCの横光学(TO)および縦光学(LO)モードに帰属した。1520および1710cm-1の辺りの2つのピークは2次光学フォノンモードに帰せられた。加えて、スペクトル中にはいかなるわずかな炭素相ピーク[D(~1330cm-1)およびG(~1580cm-1)]もなかった。曲線(c)および(d)はハイブリッドレーザーCVDによって調製された3C-SiC膜のラマンスペクトルを示している。それもまた主に796および972cm-1における2つのピークからなり、これらはハイブリッドレーザーCVDにおいて不変であった。これらのピークに加えて、150および600cm-1の間の2つのブロードピークが、ハイブリッドCVDによって調製された試験片において検出された。これは、より小さいSiC結晶子について特に報告されている炭化ケイ素音響フォノンまたはアモルファスシリコンのTOフォノンモードの、どちらかに割り当てられ得る。a-Siもまた、SiCの紫外レーザー照射によって作られることが報告されている。TOおよびLOピークの低いcm-1側に観察された肩はいくつもの(numerous of)欠陥を示唆した。この結果はXRDパターンと整合した。XRDおよびラマンピークの半値全幅(FWHM)が表2に提示されている。ハイブリッドレーザーCVDによって調製された3C-SiCのTOおよびLOラマンピークのFWHMは、ダイオードレーザーCVDによって成膜された試験片よりもずっと高かった。ブロード化はSiCの結晶粒の小さいサイズが原因であると思われた。XRDピークのFWHMは類似の結果を見せ、これもまたハイブリッドレーザーCVDによって調製された3C-SiCがずっと小さい結晶粒径を有することを支持した。
図4は、ダイオードレーザーCVD(比較例1~2、(a)から(d))ならびにハイブリッドレーザーCVD(実施例1~2、(e)から(h))によって調製された3C-SiC膜の表面および割断の微細構造を示している。ダイオードレーザーCVDによって成膜された3C-SiC膜は、屋根様の切子状表面[図4(a)および(c)]ならびに柱状断面[図4(b)および(d)]を示した。柱状結晶粒は、成長方向といくらかずれたものが検出されるものの、良く整列した柱状の微細構造を見せるということが分かり得た。<110>配向した3C-SiC膜のこれらの典型的な表面および割断の微細構造は、当分野の以前の研究に類似である。しかしながら、ハイブリッドレーザーCVDによって調製された3C-SiC膜は異なる微細構造を見せた。微細な粒状の表面構造[図4(e)および(g)]が観察された。柱状物[図4(f)および(h)]は3C-SiC膜の厚さ全体には延在せず、長さおよび幅が限られていた。これは新たな種の連続的な核形成を示唆し、これはハイブリッドレーザーCVDの紫外レーザーによる核形成速度の向上が原因であり得る。
図5は、ダイオードレーザーCVD(比較例1~2、(a)および(b))ならびにハイブリッドレーザーCVD(実施例1~2、(c)および(d))によって調製された3C-SiC膜の結晶粒径分布を提示している。図5(a)および(b)はダイオードレーザーCVDによって調製された3C-SiCの結晶粒径分布を示している。Tdep=1523および1623Kでは、3C-SiC膜の表面構造は、結晶粒径がそれぞれ4~27および10~100μmの範囲である。ハイブリッドCVDによって調製された3C-SiC膜の結晶粒径分布は図5(c)および(d)に示されている。結晶粒径分布はそれぞれ0.5~3.5および1.5~5.5μmの範囲であった。表3はダイオードレーザーCVDおよびハイブリッドレーザーCVDによって調製された3C-SiCの平均結晶粒径を示している。ハイブリッドレーザーCVDによって調製された3C-SiC膜では、平均結晶粒径は大いに減少した。ダイオードレーザーCVDによって調製された3C-SiCの平均結晶粒径はそれぞれ52.8および13.2μmであった。しかしながら、ハイブリッドCVDによって調製された3C-SiCでは、平均結晶粒径はそれぞれ1.2および2.6μmに縮小した。通常は、紫外レーザービームが標的に衝突するときには、ナノ粒子は照射されたサンプルから直接的に生成され、ナノ粒子の形成はピコまたはフェムト秒レーザー誘起クーロン爆発によって開始され、これはSiC膜における一様に分布した微細構造に至る。
図6は、ダイオードレーザーCVD(比較例1~2、(a)および(b))ならびにハイブリッドレーザーCVD(実施例1~2、(c)および(d))によって調製された3C-SiC膜のビッカース微小硬度(HV)に対する荷重負荷の影響である。3C-SiC膜のHVは、圧子の荷重負荷の増加に伴って減少した。原理的には、圧入の形状はそのサイズに非依存的であるので、硬度は荷重負荷とは独立しているはずである。しかしながら、実際には、特に小さい荷重において、圧入の荷重依存性がある。全圧入量は、荷重除去による弾性回復の量を差し引いた塑性変形によって得られるものである。より低い荷重では、弾性回復の量は、全圧入量のうち、より高い荷重よりも大きい割合である。それゆえに、通常は、より小さい荷重における測定される硬度値はより高い荷重におけるものと比較してより高い。セラミック材料については、荷重の増加に伴う硬度の減少が従来技術において周知である。ハイブリッドレーザーCVDによって調製された3C-SiC膜のHVはダイオードレーザーCVDよりもずっと高かった。1623Kかつ300gの荷重負荷においては、HVはハイブリッドレーザーCVDでは31から35GPaに増大した。向上したHVは、ハイブリッドレーザーCVDの3C-SiC膜のずっと小さい結晶粒径によって引き起こされ得た。
図7は、ダイオードレーザーCVD(比較例1~2。中空の円によって示す)およびハイブリッドレーザーCVD(実施例1~2。中実の円によって示す)によって調製された3C-SiC膜のRdepを示している。1523および1623Kでは、RdepはダイオードレーザーCVDでは440から935μm/hであった。ハイブリッドレーザーCVDでは、Rdepは500および1230μm/hまで増大した。ダイオードレーザーCVDプロセスとは違って、光熱的な成膜プロセスは、ハイブリッドレーザーCVDプロセスの紫外レーザービームによって光分解的に向上させられ得た。3C-SiC膜をハイブリッドレーザーCVDによって成膜したときには、前駆体の分解速度は改善された。それから、成長表面はより多くのラジカルを受け取り、Rdepの改善に至るであろう。
2 赤外レーザー
3 紫外レーザー
4 石英窓
4’ 石英窓
5 基材
6 ステージ
7 ノズル
8 石英窓
9 パイロメーター
10 真空ポンプ
11 SiCl4前駆体タンク
12 バルブ
12’ バルブ
12” バルブ
100 装置
Claims (5)
- 複合した赤外レーザービームおよび紫外レーザービームによるCVDによってSiC-CVD膜を調製するためのプロセスであって:
コールドウォール型のレーザーCVD装置のチャンバー内に基材を提供すること;
前記基材を予備加熱し、それから、赤外レーザービームおよび紫外レーザービームを前
記基材上に照射すること;
ケイ素前駆体および炭素前駆体、任意にキャリアガスを前記チャンバー内に導入して、
前記基材上に前記SiC-CVD膜を成膜すること、
を含み、
成膜温度が前記チャンバー内において前記赤外レーザービームにより1523から1623Kに維持される、
プロセス。 - 前記SiC-CVD膜が3C-SiC膜である、請求項1に記載のプロセス。
- 前記SiC-CVD膜が0.5から5μmの平均結晶粒径を有する、請求項1または2に記載のプロセス。
- 前記ケイ素前駆体がSiCl4であり、前記炭素前駆体がCH4であり、前記キャリアガスがH2である、請求項1~3のいずれか1項に記載のプロセス。
- 前記基材がグラファイトディスクである、請求項1~4のいずれか1項に記載のプロセス。
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