JP7146283B2 - 流体供給装置および流体供給方法 - Google Patents
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Description
この乾燥工程において、レジスト基板上に形成したパターン間のスペース幅が90nm程度以下になるとパターン間に残存する薬液の表面張力(毛細管力)の作用により、パターン間にラプラス力が作用してパターン倒れが生ずる問題が発生する。そのパターン間に残存する薬液の表面張力の作用によるパターン倒れを防止するために、パターン間に作用する表面張力を軽減する乾燥プロセスとして、二酸化炭素の超臨界流体を用いた方法が知られている(例えば、特許文献1~4)。
しかしながら、ポンプで圧送される液体状態の二酸化炭素は、脈動するため、液体の圧力が大きく変動する。このため、処理チャンバの直前又は処理チャンバ内で超臨界状態に変化する二酸化炭素の供給量が不安定となり、二酸化炭素の超臨界流体を安定的に供給するのが困難であった。
気体状態の流体を液化するコンデンサと、
前記コンデンサにより液化された流体を貯留するタンクと、
前記タンクに貯留された液化された流体を前記処理室へ向けて圧送するポンプと、
前記ポンプの吐出側の流路と連通し、前記ポンプから吐出される液体の圧力変動を抑制するダンパ部を有し、
前記ダンパ部は、両端部が所定の位置に固定され、両端部が所定の位置に固定され、かつ、前記両端部の間で液体の流れの方向を変更させるように形成された変流管部を有する。
前記ダンパ部は、前記ポンプと前記開閉弁との間から分岐し、前記コンデンサの上流の前記メイン流路に接続される分岐流路に設けられ、
前記ポンプから圧送される前記液体状態の流体は、前記開閉弁が閉じられた状態では、前記分岐流路を通じて再び前記コンデンサおよび前記タンクに戻り、
前記開閉弁が開放されると、前記液体状態の流体は、前記処理室へ圧送され、超臨界状態に変化させるべく、前記処理室の手前又は前記処理室内に設けられた加熱ユニットにより加熱される、構成を採用できる。
前記流体供給装置から供給される流体を用いて基体を処理する処理室と、を有する
第1実施形態
図1Aおよび図1Bに本発明の一実施形態に係る流体供給装置を示す。本実施形態では、流体として二酸化炭素を使用する場合について説明する。
図1Aおよび図1Bにおいて、1は流体供給装置、10はダンパ部、20はスパイラル管、100はCO2供給源、110は開閉弁、120はチェック弁、121はフィルタ、130はコンデンサ、140はタンク、150はポンプ、160は自動開閉弁、170は背圧弁、500は処理チャンバを示す。また、図中のPは圧力センサ、TCは温度センサを示す。図1Aは自動開閉弁160が閉じた状態を示しており、図1Bは自動開閉弁160が開放された状態を示す。
CO2供給源100は、気体状態の二酸化炭素(例えば、20℃、5.0MPa)をメイン流路2へ供給する。図2を参照すると、CO2供給源100から供給される二酸化炭素は、図2のP1の状態にある。この状態の二酸化炭素は、開閉弁110、チェック弁120、フィルタ121を通じてコンデンサ130に送られる。
コンデンサ130では、供給される気体状態の二酸化炭素を冷却することで、液化凝縮し、液化凝縮された二酸化炭素はタンク140に貯留される。タンク140に貯留された二酸化炭素は、図2のP2のような状態(3℃、5MPa)となる。タンク140の底部から図2のP2のような状態にある液体状態の二酸化炭素がポンプ150に送られ、ポンプ150の吐出側に圧送されることで、図2のP3のような液体状態(20℃、20MPa)となる。
背圧弁170は、ポンプ150の吐出側の流体(液体)の圧力が設定圧力(例えば20MPa)以上になると、フィルタ121側へ液体をリリースする。これにより、ポンプ150の吐出側の液体の圧力が設定圧力を超えるのを防ぐ。
自動開閉弁160が開放されると、図1Bに示すように、液体状態の二酸化炭素が処理チャンバ500へ圧送される。圧送された液体状態の二酸化炭素は、処理チャンバ500の直前又は処理チャンバ500内に設けられた図示しないヒータにより加熱され、図2に示すP4のような超臨界状態(80℃、20MPa)となる。
ポンプ150から吐出される液体を処理チャンバ500へ供給する際に、処理チャンバ500までメイン流路2は液体で充填されているとともに、分岐流路3も背圧弁170まで液体が充填されている。このため、ポンプ150から吐出される液体が脈動すると、メイン流路2および分岐流路3内の液体状態の二酸化炭素の圧力が周期的に変動する。
液体状態の二酸化炭素は、圧縮性が乏しい。このため、液体状態の二酸化炭素の圧力が周期的に変動すると、処理チャンバ500に供給される液体状態の二酸化炭素の流量もそれに応じて大きく変動する。供給される液体状態の二酸化炭素の流量が大きく変動すると、処理チャンバ500の直前あるいは処理チャンバ500内で超臨界状態に変化させた二酸化炭素の供給量も大きく変動してしまう。
なお、変流管部として、スパイラル管(螺旋管)以外にも、渦巻形の管、波形の管、蛇行管等でもよい。螺旋や渦巻の形状は、円形である必要はなく、角型であっても良い。
スパイラル管20は、下端部および上端部にそれぞれ管継手21,24が設けられており、これらの管継手21,24によりスパイラル管20が分岐流路3に直列に接続される。
スパイラル管20を構成する管22は、例えば、ステンレス鋼等の金属材料で形成されている。管22の直径は6.35mm、スパイラル部23の全長Lは280mm、スパイラル部23の直径D1が140mm程度、スパイラル部23の巻数は22巻、管22の全長は9800mm程度である。
この結果、処理チャンバ500の直前(手前)あるいは処理チャンバ500内で超臨界状態に変化させた二酸化炭素の供給量を安定化させることができた。
図4Aにダンパ部の他の実施形態を示す。
図4Aに示すダンパ部は、分岐流路3に対してスパイラル管20を並列に接続し、分岐流路3とスパイラル管20との間にオリフィス30を設けている。
このような構成としても、第1実施形態と同様に、ポンプ150から吐出される液体の脈動(周期的な圧力変動)が抑制され、処理チャンバ500の直前あるいは処理チャンバ500内で超臨界状態に変化させた二酸化炭素の供給量を安定化させることができる。
図4Bにダンパ部のさらに他の実施形態を示す。
図4Bに示すダンパ部は、2つのスパイラル管20を並列に接続し、これらを分岐流路3に挿入するとともに、分岐流路3と一方のスパイラル管20との間にオリフィス30を設けている。
このような構成としても、第1実施形態と同様に、ポンプ150から吐出される液体の脈動(周期的な圧力変動)が抑制され、処理チャンバ500の直前あるいは処理チャンバ500内で超臨界状態に変化させた二酸化炭素の供給量を安定化させることができる。
2 メイン流路
3 分岐流路
10 ダンパ部
20 スパイラル管
30 オリフィス
100 CO2供給源
110 開閉弁
120 チェック弁
121 フィルタ
130 コンデンサ
140 タンク
150 ポンプ
160 自動開閉弁
170 背圧弁
500 処理チャンバ(処理室)
Claims (8)
- 液体状態の流体を処理室に向けて供給する流体供給装置であって、
気体状態の流体を液化するコンデンサと、
前記コンデンサにより液化された流体を貯留するタンクと、
前記タンクに貯留された液化された流体を前記処理室へ向けて圧送するポンプと、
前記ポンプの吐出側の流路と連通し、前記ポンプから吐出される液体の圧力変動を抑制するダンパ部を有し、
前記ダンパ部は、前記ポンプと前記ポンプの吐出側から前記処理室に至る流路の途中に設けられた開閉弁との間で分岐した流路に設けられており、両端部が所定の位置に固定され、かつ、前記両端部の間で液体の流れの方向を変更させるように形成された変流管部を有し、
前記分岐した分岐流路は、前記ポンプから吐出された液体を液体状態で前記コンデンサに戻すための流路である、ことを特徴とする流体供給装置。 - 前記コンデンサ、前記タンク、前記ポンプおよび前記開閉弁は、前記気体状態の流体を供給する流体供給源と前記処理室とを結ぶメイン流路に設けられ、
前記ダンパ部は、前記ポンプと前記開閉弁との間から分岐し、前記コンデンサの上流の前記メイン流路に接続される分岐流路に設けられ、
前記ポンプから圧送される前記液体状態の流体は、前記開閉弁が閉じられた状態では、前記分岐流路を通じて再び前記コンデンサおよび前記タンクに戻り、
前記開閉弁が開放されると、前記液体状態の流体は、前記処理室へ圧送され、超臨界状態に変化させるべく、前記処理室の手前又は前記処理室内に設けられた加熱ユニットにより加熱される、請求項1に記載の流体供給装置。 - 前記ダンパ部は、前記開閉弁が開放された状態で、前記ポンプから吐出される液体の圧力変動を抑制するように設けられている、請求項2に記載の流体供給装置。
- 前記変流管部は、スパイラル管、渦巻形の管、波形の管および蛇行管のいずれかを含む、請求項1ないし3のいずれかに記載の流体供給装置。
- 前記流体は、二酸化炭素を含む、請求項1ないし4のいずれかに記載の流体供給装置。
- 請求項1ないし5のいずれかに記載の流体供給装置を用いて、液体状態の流体を処理室に向けて供給することを特徴とする流体供給方法。
- 請求項1ないし5のいずれかに記載の流体供給装置と、
前記流体供給装置から供給される流体を用いて基体を処理する処理室と、を有する半導体製造装置。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の流体供給装置供給される流体を用いて基体の処理をする半導体製造方法。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003531478A (ja) | 2000-04-18 | 2003-10-21 | エス.シー.フルーイズ,インコーポレイテッド | 半導体ウエハの処理のための超臨界流体の搬送・回収システム |
JP2007500940A (ja) | 2003-07-29 | 2007-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理チャンバ内のみへの処理化学物質のフローの制御 |
JP2012087983A (ja) | 2010-10-19 | 2012-05-10 | Tokyo Electron Ltd | 流体加熱装置及び基板処理装置 |
JP2013159499A (ja) | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Japan Organo Co Ltd | 液化炭酸ガス製造装置及びその洗浄方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2851058A (en) * | 1956-12-26 | 1958-09-09 | Houdaille Industries Inc | Tuned pulse damper |
US4679597A (en) * | 1985-12-20 | 1987-07-14 | Kim Hotstart Mfg. Co., Inc. | Liquid pulsation dampening device |
AU4106696A (en) * | 1994-11-09 | 1996-06-06 | R.R. Street & Co. Inc. | Method and system for rejuvenating pressurized fluid solvents used in cleaning substrates |
KR20020033302A (ko) | 2000-10-30 | 2002-05-06 | 박종섭 | 에스램셀의 제조 방법 |
JP2002224627A (ja) * | 2001-02-05 | 2002-08-13 | Tokyo Electron Ltd | 基板の洗浄方法および装置 |
JP3863116B2 (ja) * | 2002-03-14 | 2006-12-27 | 株式会社小松製作所 | 流体温度調節装置 |
KR20040029276A (ko) * | 2002-09-30 | 2004-04-06 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 유체 토출 방법 및 장치 |
JP3914134B2 (ja) * | 2002-11-06 | 2007-05-16 | 日本電信電話株式会社 | 超臨界乾燥方法及び装置 |
JP3965693B2 (ja) | 2003-05-07 | 2007-08-29 | 株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ | 微細構造乾燥処理法とその装置及びその高圧容器 |
JP4008390B2 (ja) * | 2003-07-30 | 2007-11-14 | 三菱重工業株式会社 | ポンプ |
JP4546314B2 (ja) | 2005-04-06 | 2010-09-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 微細構造乾燥処理法及びその装置 |
JP4621066B2 (ja) * | 2005-04-22 | 2011-01-26 | アネスト岩田株式会社 | 粉体定量供給装置 |
US7891366B2 (en) * | 2006-06-16 | 2011-02-22 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus |
JP2008078507A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Univ Of Yamanashi | 導電体の選択形成方法および半導体装置の製造方法 |
US8215922B2 (en) * | 2008-06-24 | 2012-07-10 | Aurora Sfc Systems, Inc. | Compressible fluid pumping system for dynamically compensating compressible fluids over large pressure ranges |
US8133038B2 (en) * | 2008-12-30 | 2012-03-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Hermetic compressor |
WO2011043194A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP5459185B2 (ja) * | 2010-11-29 | 2014-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
JP5019082B1 (ja) * | 2011-03-25 | 2012-09-05 | 栗田工業株式会社 | 液体加熱方法及び液体加熱装置並びに加熱液体供給装置 |
JP3168588U (ja) * | 2011-04-08 | 2011-06-16 | アドバンス電気工業株式会社 | 流体供給量調節装置 |
JP5679910B2 (ja) * | 2011-06-03 | 2015-03-04 | 住友重機械工業株式会社 | クライオポンプ制御装置、クライオポンプシステム、及びクライオポンプの真空度保持判定方法 |
JP5912596B2 (ja) * | 2012-02-02 | 2016-04-27 | オルガノ株式会社 | 流体二酸化炭素の供給装置及び供給方法 |
JP5716710B2 (ja) | 2012-07-17 | 2015-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、流体の供給方法及び記憶媒体 |
JP5837962B1 (ja) * | 2014-07-08 | 2015-12-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびガス整流部 |
JP5953565B1 (ja) * | 2015-02-23 | 2016-07-20 | 防衛装備庁長官 | 冷凍ピンチャック装置および冷凍ピンチャック方法 |
KR101702840B1 (ko) * | 2015-09-08 | 2017-02-06 | 주식회사 만도 | 유압 브레이크 시스템의 맥동 저감 장치 |
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Patent Citations (4)
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JP2003531478A (ja) | 2000-04-18 | 2003-10-21 | エス.シー.フルーイズ,インコーポレイテッド | 半導体ウエハの処理のための超臨界流体の搬送・回収システム |
JP2007500940A (ja) | 2003-07-29 | 2007-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理チャンバ内のみへの処理化学物質のフローの制御 |
JP2012087983A (ja) | 2010-10-19 | 2012-05-10 | Tokyo Electron Ltd | 流体加熱装置及び基板処理装置 |
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