JP7143881B2

JP7143881B2 - Optical filter and its use

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Publication number: JP7143881B2
Application number: JP2020510853A
Authority: JP
Inventors: 寛之岸田
Original assignee: JSR Corp
Current assignee: JSR Corp
Priority date: 2018-03-26
Filing date: 2019-03-26
Publication date: 2022-09-29
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Description

本発明の一実施形態は、光学フィルターに関する。詳しくは、特定の光学特性を有する光学フィルター（例えば近赤外線カットフィルター）、ならびに該光学フィルターを用いた固体撮像装置、カメラモジュールおよびセンサーモジュールに関する。 One embodiment of the invention relates to an optical filter. More specifically, it relates to an optical filter (for example, a near-infrared cut filter) having specific optical properties, and a solid-state imaging device, camera module, and sensor module using the optical filter.

従来のビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、カメラ機能付き携帯電話などの固体撮像装置には、固体撮像素子であるＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサーが使用されているが、これら固体撮像素子は、その受光部において人間の目では感知できない近赤外線に感度を有するシリコンフォトダイオードが使用されている。これらの固体撮像素子では、人間の目で見て自然な色合いにさせる視感度補正を行うことが必要であり、特定の波長領域の光線を選択的に透過もしくはカットする光学フィルター（例えば近赤外線カットフィルター）を用いることが多い。 CCD and CMOS image sensors, which are solid-state image sensors, are used in conventional solid-state image sensors such as video cameras, digital still cameras, and mobile phones with camera functions. Silicon photodiodes are used that are sensitive to near-infrared rays, which are invisible to the human eye. For these solid-state image sensors, it is necessary to perform luminosity correction so that colors look natural when viewed by the human eye. filter) is often used.

このような光学フィルターとしては、従来から、各種方法で製造されたフィルターが使用されている。例えばリン酸ガラスに酸化銅を分散させた吸収ガラス型赤外線カットフィルター（例えば特許文献１）や、近赤外領域に吸収を有する色素を分散させた層を有する樹脂型赤外線カットフィルター（例えば特許文献２）、透明誘電体基板（ガラス基板）と赤外線反射層と赤外線吸収層を有するガラス基板塗布型赤外線カットフィルター（例えば特許文献３）、基材として樹脂を用い、該樹脂中に波長６００～８００ｎｍの領域に吸収極大波長を有する色素を含有させるとともに、基材両面に近赤外線反射性能を有する誘電体多層膜を用いた樹脂型近赤外線カットフィルター（特許文献４）、ガラス基板に波長６９５～７２０ｎｍ付近に吸収を有する色素を含有した樹脂層を塗布したガラス基板塗布型赤外線カットフィルター（特許文献５）など、各種知られている。 As such optical filters, filters manufactured by various methods have been conventionally used. For example, an absorptive glass type infrared cut filter in which copper oxide is dispersed in phosphate glass (for example, Patent Document 1), or a resin type infrared cut filter having a layer in which a dye having absorption in the near-infrared region is dispersed (for example, Patent Document 2) A glass substrate-coated infrared cut filter having a transparent dielectric substrate (glass substrate), an infrared reflective layer, and an infrared absorbing layer (for example, Patent Document 3), using a resin as a base material, and having a wavelength of 600 to 800 nm in the resin. A resin-type near-infrared cut filter using a dielectric multilayer film having near-infrared reflective performance on both sides of the substrate (Patent Document 4), and a glass substrate with a wavelength of 695 to 720 nm. Various types are known, such as a glass substrate-coated infrared cut filter (Patent Document 5) coated with a resin layer containing a dye having absorption in the vicinity.

また、近赤外線を用いた測距センサーを組み合わせたセンサー機能を有する撮像素子には、バンドパスフィルターが使用される。該バンドパスフィルターとしては、可視域の透過帯と一部の近赤外線領域に透過帯を有するバンドパスフィルター（特許文献６）などが知られている。 A band-pass filter is used for an imaging device having a sensor function combined with a distance measuring sensor using near-infrared rays. As the band-pass filter, a band-pass filter having a transmission band in the visible range and a partial transmission band in the near-infrared range (Patent Document 6) is known.

近年、固体撮像素子の高感度が進み、従来のシリコンフォトダイオードを用いる場合、暗電流を抑制するために、埋め込み型フォトダイオードとすることが多いが、その場合であっても、暗電流を抑制する効果は十分ではなく、暗電流による画像不良が問題となっている。また、シリコンフォトダイオードの代わりに、ブラックシリコンや、有機光電変換素子を用いたものは、特定の波長における感度が高い、色再現性が良いなどの利点がある一方、従来のシリコンフォトダイオードのような埋め込み型フォトダイオードの構成が困難であり、埋め込み型フォトダイオードを用いない撮像素子では、暗電流の抑制が課題であった。 In recent years, solid-state imaging devices have become more sensitive, and when conventional silicon photodiodes are used, embedded photodiodes are often used to suppress dark current. However, the effect of this is not sufficient, and image defects due to dark current have become a problem. In addition, instead of silicon photodiodes, those using black silicon or organic photoelectric conversion elements have advantages such as high sensitivity at specific wavelengths and good color reproducibility. However, it is difficult to construct an embedded photodiode, and an imaging device that does not use an embedded photodiode has a problem of suppressing dark current.

前述した従来の撮像素子用の吸収ガラス型、樹脂型、ガラス基板塗布型赤外線カットフィルターは、人間の目で見て自然な色合いにさせる視感度補正に優れる一方、吸収強度の強い赤外線カットフィルターは、外光を吸収することによる昇温を引き起こすため、従来の赤外線カットフィルターを用いて得られる固体撮像装置やカメラモジュール、センサーモジュールは暗電流による画像不良を起こしやすかった。 The above-mentioned conventional absorptive glass-type, resin-type, and glass-substrate-coated infrared-cut filters for image sensors are excellent in luminosity correction, making colors look natural to the human eye. Since the absorption of external light causes temperature rise, solid-state imaging devices, camera modules, and sensor modules obtained using conventional infrared cut filters tend to cause image defects due to dark current.

また、生体組織への影響を抑制するために、波長１２００ｎｍ超の光をカットする特性を有する赤外線カットフィルターとして、誘電体多層膜を有する赤外線カットフィルター（例えば特許文献７）などが知られているが、該フィルターは、撮像装置やセンサーモジュールとしての用途では、波長７２０～１１００ｎｍの光の透過率が高く、視感度補正としての遮蔽性能が不足しており、また、暗電流の原因となる温度上昇を引き起こす波長１２００～１６００ｎｍの光のカット性能が不十分であり、暗電流を抑制する効果が不十分であった。 In addition, as an infrared cut filter having a characteristic of cutting light with a wavelength exceeding 1200 nm in order to suppress the influence on living tissue, an infrared cut filter having a dielectric multilayer film (for example, Patent Document 7) is known. However, when used as an imaging device or sensor module, the filter has a high transmittance for light with a wavelength of 720 to 1100 nm, and lacks shielding performance as visibility correction. The ability to cut light with a wavelength of 1200 to 1600 nm, which causes an increase, was insufficient, and the effect of suppressing dark current was insufficient.

国際公開第２０１１／０７１１５７号WO2011/071157 特開２００８－３０３１３０号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-303130 特開２０１４－０５２４８２号公報JP 2014-052482 A 特開２０１１－１０００８４号公報JP 2011-100084 A 特開２０１４－０６３１４４号公報JP 2014-063144 A 国際公開第２０１１／０３３９８４号WO2011/033984 特開２０１５－１６１７３１号公報JP 2015-161731 A

従来、薄く、可視光透過率特性および視感度補正特性に優れるとともに、波長１２００～１６００ｎｍの広い赤外線領域に渡り、光をカットする性能が高く、暗電流抑制効果を有する光学フィルターは得られていなかった。 Conventionally, an optical filter that is thin, has excellent visible light transmittance characteristics and visibility correction characteristics, has high performance in cutting light over a wide infrared region with a wavelength of 1200 to 1600 nm, and has a dark current suppression effect has not been obtained. rice field.

本発明の一実施形態は、従来の近赤外線カットフィルター等の光学フィルターが有していた欠点を改良し、薄く、視感度補正に優れ、中赤外線領域の光をカットする性能が高く、暗電流抑制効果を有する光学フィルターを提供する。 One embodiment of the present invention improves the drawbacks of conventional optical filters such as near-infrared cut filters. Provided is an optical filter having a suppression effect.

本発明者は、前記課題を解決すべく鋭意検討した結果、下記構成例によれば前記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
本発明の一実施形態の構成例は以下の通りである。
なお、本発明において、数値範囲を表す「Ａ～Ｂ」等の記載は、「Ａ以上、Ｂ以下」と同義であり、ＡおよびＢをその数値範囲内に含む。As a result of intensive studies aimed at solving the above problems, the inventors of the present invention have found that the above problems can be solved by the following configuration example, and have completed the present invention.
A configuration example of an embodiment of the present invention is as follows.
In the present invention, descriptions such as "A to B" representing a numerical range are synonymous with "A or more and B or less", and A and B are included in the numerical range.

［１］基板と、基板の少なくとも一方の面に誘電体多層膜を有し、下記要件（Ａ）～（Ｃ）を満たす光学フィルター。
要件（Ａ）：波長４４０～５８０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が７５％以上
要件（Ｂ）：波長１２００～１６００ｎｍにおいて、光学フィルターの一方の面の垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の反射率の平均値が６０％以上
要件（Ｃ）：波長７２０～１１００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が３％以下[1] An optical filter having a substrate and a dielectric multilayer film on at least one surface of the substrate and satisfying the following requirements (A) to (C).
Requirement (A): At a wavelength of 440 to 580 nm, the average transmittance of unpolarized light when measured from the vertical direction of the optical filter is 75% or more Requirement (B): At a wavelength of 1200 to 1600 nm, one of the optical filters The average reflectance of non-polarized light incident at an angle of 5° from the vertical direction of the surface is 60% or more. Average transmittance of 3% or less

［２］基板と、基板の少なくとも一方の面に誘電体多層膜を有し、下記要件（Ａ）、（Ｂ）および（Ｄ）を満たす光学フィルター。
要件（Ａ）：波長４４０～５８０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が７５％以上
要件（Ｂ）：波長１２００～１６００ｎｍにおいて、光学フィルターの一方の面の垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の反射率の平均値が６０％以上
要件（Ｄ）：波長７２０～１１００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が１０％以下であり、波長７５０～１０００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％以上となる透過帯域の波長幅が１ｎｍ以上である[2] An optical filter having a substrate and a dielectric multilayer film on at least one surface of the substrate and satisfying the following requirements (A), (B) and (D).
Requirement (A): At a wavelength of 440 to 580 nm, the average transmittance of unpolarized light when measured from the vertical direction of the optical filter is 75% or more Requirement (B): At a wavelength of 1200 to 1600 nm, one of the optical filters The average reflectance of non-polarized light incident at an angle of 5° from the vertical direction of the surface is 60% or more Requirement (D): At a wavelength of 720 to 1100 nm, the non-polarized light when measured from the vertical direction of the optical filter The average value of transmittance is 10% or less, and the wavelength width of the transmission band at which the transmittance of unpolarized light when measured from the vertical direction of the optical filter is 50% or more at a wavelength of 750 to 1000 nm is 1 nm or more.

［３］下記要件（Ｅ）を満たす、［１］に記載の光学フィルター。
要件（Ｅ）：波長７２０～１６００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の最大値が３０％以下である[3] The optical filter according to [1], which satisfies the following requirement (E).
Requirement (E): At a wavelength of 720 to 1600 nm, the maximum transmittance of unpolarized light when measured from the vertical direction of the optical filter is 30% or less.

［４］下記要件（Ｆ）を満たす、［１］～［３］のいずれかに記載の光学フィルター。
要件（Ｆ）：波長１２００～１６００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が２０％以下[4] The optical filter according to any one of [1] to [3], which satisfies the following requirement (F).
Requirement (F): At a wavelength of 1200 to 1600 nm, the average transmittance of unpolarized light when measured from the vertical direction of the optical filter is 20% or less.

［５］下記要件（Ｇ）を満たす、［１］～［４］のいずれかに記載の光学フィルター。
要件（Ｇ）：下記式（１）および（２）で表される吸収率Ａ１および吸収率Ａ２の値がそれぞれ２０％以下
Ａ１＝１００－Ｔ１－Ｒ１（１）
Ａ２＝１００－Ｔ２－Ｒ２（２）
Ｔ１およびＴ２：波長１２００～１６００ｎｍにおける、光学フィルターの一方の面Ｘの垂直方向から入射した入射光（無偏光光線）の平均透過率Ｔ１（％）、および、光学フィルターの他方の面Ｙの垂直方向から入射した入射光（無偏光光線）の平均透過率Ｔ２（％）
Ｒ１およびＲ２：波長１２００～１６００ｎｍにおける、光学フィルターの一方の面Ｘの垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の平均反射率Ｒ１（％）、および、光学フィルターの他方の面Ｙの垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の平均反射率Ｒ２（％）[5] The optical filter according to any one of [1] to [4], which satisfies the following requirement (G).
Requirement (G): Absorption rate A1 and absorption rate A2 represented by the following formulas (1) and (2) are each 20% or less A1=100-T1-R1 (1)
A2=100-T2-R2 (2)
T1 and T2: Average transmittance T1 (%) of incident light (non-polarized light) incident from the direction perpendicular to one surface X of the optical filter and perpendicular to the other surface Y of the optical filter at a wavelength of 1200 to 1600 nm Average transmittance T2 (%) of incident light (unpolarized light) incident from the direction
R1 and R2: Average reflectance R1 (%) of non-polarized light rays incident at an angle of 5° from the vertical direction of one surface X of the optical filter at a wavelength of 1200 to 1600 nm, and the average reflectance R1 (%) of the other surface Y of the optical filter Average reflectance R2 (%) of unpolarized light incident at an angle of 5° from the vertical direction

［６］下記要件（Ｈ）を満たす、［１］～［５］のいずれかに記載の光学フィルター。
要件（Ｈ）：波長５６０～８００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる最も長い波長（Ｙａ）と、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる最も長い波長（Ｙｂ）の差の絶対値が１５ｎｍ以下[6] The optical filter according to any one of [1] to [5], which satisfies the following requirement (H).
Requirement (H): In the wavelength range of 560 to 800 nm, the longest wavelength (Ya) at which the transmittance of unpolarized light is 50% when measured from the direction perpendicular to the optical filter, and 30° to the direction perpendicular to the optical filter. The absolute value of the difference in the longest wavelength (Yb) at which the transmittance of unpolarized light is 50% when measured from an angle of 15 nm or less

［７］下記要件（Ｊ）を満たす、［１］～［６］のいずれかに記載の光学フィルター。
要件（Ｊ）：波長８００ｎｍ以下において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が７０％となる最も長い波長（Ｘａ）と、波長５８０ｎｍ以上の波長領域において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が３０％となる最も短い波長（Ｘｂ）との差の絶対値が６５ｎｍ以下[7] The optical filter according to any one of [1] to [6], which satisfies the following requirement (J).
Requirement (J): The longest wavelength (Xa) at which the transmittance of unpolarized light when measured from the vertical direction of the optical filter is 70% at a wavelength of 800 nm or less, and in the wavelength region of 580 nm or more, the optical filter The absolute value of the difference from the shortest wavelength (Xb) at which the transmittance of unpolarized light is 30% when measured from the vertical direction is 65 nm or less

［８］下記要件（Ｋ）を満たす、［１］～［７］のいずれかに記載の光学フィルター。
要件（Ｋ）：波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ０（ＵＶ）を有し、波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ３０（ＵＶ）を有し、かつ前記波長の差の絶対値｜λ０（ＵＶ）－λ３０（ＵＶ）｜が５ｎｍ以下である[8] The optical filter according to any one of [1] to [7], which satisfies the following requirement (K).
Requirement (K): At a wavelength of 390 to 430 nm, it has a wavelength λ0 (UV) at which the transmittance of unpolarized light when measured from the direction perpendicular to the optical filter is 50%, and at a wavelength of 390 to 430 nm, the optical filter It has a wavelength λ30 (UV) at which the transmittance of unpolarized light is 50% when measured from an angle of 30° with respect to the vertical direction, and the absolute value of the wavelength difference |λ0 (UV) - λ30 ( UV)| is 5 nm or less

［９］下記要件（Ｌ）を満たす、［１］～［８］のいずれかに記載の光学フィルター。
要件（Ｌ）：波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ０（ＵＶ）を有し、波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ３０（ＵＶ）を有し、かつ前記波長の差λ３０（ＵＶ）－λ０（ＵＶ）が０ｎｍを超える[9] The optical filter according to any one of [1] to [8], which satisfies the following requirement (L).
Requirement (L): At a wavelength of 390 to 430 nm, it has a wavelength λ0 (UV) at which the transmittance of unpolarized light is 50% when measured from the direction perpendicular to the optical filter, and at a wavelength of 390 to 430 nm, the optical filter It has a wavelength λ30(UV) at which the transmittance of unpolarized light is 50% when measured from an angle of 30° with respect to the vertical direction, and the wavelength difference λ30(UV)−λ0(UV) is 0 nm. exceed

［１０］下記要件（Ｍ）を満たす、［１］～［９］のいずれかに記載の光学フィルター。
要件（Ｍ）：波長４８５～５６０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値Ｔ０と、波長４８５～５６０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値Ｔ３０が下記式（３）を満たす
０．９５≦Ｔ０／Ｔ３０≦１．０５（３）[10] The optical filter according to any one of [1] to [9], which satisfies the following requirement (M).
Requirement (M): Average transmittance T0 of unpolarized light when measured from the vertical direction of the optical filter at wavelengths 485 to 560 nm, and at an angle of 30° from the vertical direction of the optical filter at wavelengths 485 to 560 nm The average value T30 of the transmittance of unpolarized light when measured satisfies the following formula (3): 0.95 ≤ T0/T30 ≤ 1.05 (3)

［１１］前記基板が波長６７０～９５０ｎｍに吸収極大波長を有する、［１］～［１０］のいずれかに記載の光学フィルター。
［１２］前記基板が、波長６８５～７１０ｎｍに吸収極大波長λ（ＤＡ＿Ｔｍｉｎ）を有する第１の赤外線吸収剤（ＤＡ）と、波長７１０～７６５ｎｍに吸収極大波長λ（ＤＢ＿Ｔｍｉｎ）を有する第２の赤外線吸収剤（ＤＢ）とを含む、［１１］に記載の光学フィルター。[11] The optical filter according to any one of [1] to [10], wherein the substrate has a maximum absorption wavelength of 670 to 950 nm.
[12] The substrate comprises a first infrared absorbent (DA) having a maximum absorption wavelength λ (DA_Tmin) at a wavelength of 685 to 710 nm and a second infrared radiation having a maximum absorption wavelength λ (DB_Tmin) at a wavelength of 710 to 765 nm. The optical filter of [11], comprising an absorber (DB).

［１３］前記基板が下記要件（Ｎ）または（Ｏ）を満たす、［１］～［１２］のいずれかに記載の光学フィルター。
要件（Ｎ）：基板の垂直方向から測定した場合の、波長７７０ｎｍの無偏光光線の透過率が６０％以下
要件（Ｏ）：基板の垂直方向から測定した場合の波長７８０～８００ｎｍの無偏光光線の平均透過率が６０％以上[13] The optical filter according to any one of [1] to [12], wherein the substrate satisfies the following requirement (N) or (O).
Requirement (N): Transmittance of non-polarized light with a wavelength of 770 nm when measured from the vertical direction of the substrate is 60% or less Requirement (O): Non-polarized light with a wavelength of 780 to 800 nm when measured from the vertical direction of the substrate The average transmittance of 60% or more

［１４］前記誘電体多層膜が下記要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たす、［１］～［１３］のいずれかに記載の光学フィルター。
要件（Ｐ）：波長７２０～１１００ｎｍにおいて、誘電体多層膜の垂直方向から測定した場合の無偏光光線の平均透過率が１０％以下である
要件（Ｑ）：波長１２００～１６００ｎｍにおいて、誘電体多層膜の垂直方向から測定した場合の無偏光光線の平均透過率が１０％以下である[14] The optical filter according to any one of [1] to [13], wherein the dielectric multilayer film satisfies the following requirements (P) and (Q).
Requirement (P): At a wavelength of 720 to 1100 nm, the average transmittance of non-polarized light when measured from the vertical direction of the dielectric multilayer film is 10% or less. Requirement (Q): At a wavelength of 1200 to 1600 nm, the dielectric multilayer The average transmittance of unpolarized light when measured from the vertical direction of the film is 10% or less

［１５］前記基板が下記要件（Ｒ）を満たす、［１］～［１４］のいずれかに記載の光学フィルター。
要件（Ｒ）：波長８２０～１６００ｎｍにおいて、基板の垂直方向から測定した場合の無偏光光線の平均透過率が７０％以上[15] The optical filter according to any one of [1] to [14], wherein the substrate satisfies the following requirement (R).
Requirement (R): At a wavelength of 820 to 1600 nm, the average transmittance of unpolarized light when measured from the vertical direction of the substrate is 70% or more.

［１６］［１］～［１５］のいずれかに記載の光学フィルターを含む固体撮像装置。
［１７］［１］～［１５］のいずれかに記載の光学フィルターを含むカメラモジュール。
［１８］［１］～［１５］のいずれかに記載の光学フィルターを含むセンサーモジュール。[16] A solid-state imaging device including the optical filter according to any one of [1] to [15].
[17] A camera module including the optical filter according to any one of [1] to [15].
[18] A sensor module including the optical filter according to any one of [1] to [15].

本発明の一実施形態によれば、薄く、視感度補正に優れるとともに、中赤外線領域に高い反射率を有し、暗電流抑制効果を有する光学フィルター、および該光学フィルターを用いた装置、カメラモジュール、センサーモジュール等を提供することができる。 According to one embodiment of the present invention, an optical filter that is thin, has excellent visibility correction, has high reflectance in the mid-infrared region, and has a dark current suppression effect, and a device and camera module using the optical filter , sensor modules, etc.

図１は、本発明の一実施形態に係る光学フィルターの構成を示す概略模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of an optical filter according to one embodiment of the present invention. 図２は、光学フィルターの透過率を測定する方法を示す概略模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a method of measuring the transmittance of an optical filter. 図３は、光学フィルターの反射率を測定する方法を示す概略模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a method of measuring the reflectance of an optical filter. 図４は、実施例において、光学フィルターの暗電流抑制効果の指標とした温度上昇量を測定する際の各部材の位置関係の概略を示す概略模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing an outline of the positional relationship of each member when measuring the amount of temperature rise used as an index of the dark current suppressing effect of the optical filter in the examples. 図５は、本発明の一実施形態に係る光学フィルターを具備する撮像装置およびモジュールの一例を示す概略模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of an imaging device and a module provided with an optical filter according to one embodiment of the present invention. 図６は、本発明の一実施形態に係る光学フィルターを具備するレンズを有さない撮像装置およびモジュールの一例を示す概略模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram showing an example of a lensless imaging device and a module equipped with an optical filter according to an embodiment of the present invention. 図７は、実施例３で得られた光学フィルター３の光学特性である。7 shows optical characteristics of the optical filter 3 obtained in Example 3. FIG. 図８は、実施例６で得られた光学フィルター６の光学特性である。8 shows optical characteristics of the optical filter 6 obtained in Example 6. FIG. 図９は、実施例７で得られた光学フィルター７の光学特性である。9 shows optical characteristics of the optical filter 7 obtained in Example 7. FIG. 図１０は、比較例１の光学フィルター１０の光学特性である。10 shows optical characteristics of the optical filter 10 of Comparative Example 1. FIG. 図１１は、実施例４で設けた誘電体多層膜の設計光学特性である。FIG. 11 shows the design optical characteristics of the dielectric multilayer film provided in Example 4. FIG. 図１２は、比較例１で設けた誘電体多層膜の設計光学特性である。12 shows design optical characteristics of the dielectric multilayer film provided in Comparative Example 1. FIG.

≪光学フィルター≫
本発明の一実施形態に係る光学フィルター（以下「本フィルター」ともいう。）は、図１の（Ａ）～（Ｄ）のように、基板と、基板の少なくとも一方の面に誘電体多層膜を有し、かつ下記要件（Ａ）～（Ｃ）を満たすフィルター（Ｉ）、または、下記要件（Ａ）、（Ｂ）および（Ｄ）を満たすフィルター（ＩＩ）である。
要件（Ａ）：波長４４０～５８０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が７５％以上
要件（Ｂ）：波長１２００～１６００ｎｍにおいて、光学フィルターの一方の面の垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の反射率の平均値が６０％以上
要件（Ｃ）：波長７２０～１１００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が３％以下
要件（Ｄ）：波長７２０～１１００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が１０％以下であり、波長７５０～１０００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％以上となる透過帯域の波長幅が１ｎｍ以上である≪Optical filter≫
An optical filter according to one embodiment of the present invention (hereinafter also referred to as "this filter") comprises a substrate and a dielectric multilayer film on at least one surface of the substrate, as shown in FIGS. 1A to 1D. and satisfy requirements (A) to (C) below, or filter (II) that satisfies requirements (A), (B) and (D) below.
Requirement (A): At a wavelength of 440 to 580 nm, the average transmittance of unpolarized light when measured from the vertical direction of the optical filter is 75% or more Requirement (B): At a wavelength of 1200 to 1600 nm, one of the optical filters The average reflectance of non-polarized light incident at an angle of 5° from the vertical direction of the surface is 60% or more. The average transmittance is 3% or less Requirement (D): The average transmittance of unpolarized light when measured from the vertical direction of the optical filter at a wavelength of 720 to 1100 nm is 10% or less, and the wavelength is 750 to 1000 nm. , the wavelength width of the transmission band at which the transmittance of unpolarized light is 50% or more when measured from the vertical direction of the optical filter is 1 nm or more.

要件（Ａ）を満たすことにより、可視光線の透過率が高く、本フィルターを固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等に使用した場合、良好な画像を得ることができる。
前記要件（Ａ）における透過率の平均値は、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、特に好ましくは８８．５％以上である。前記平均透過率は、高ければ高い方が好ましく、例えば、上限は１００％である。
なお、本発明において、波長Ａ～Ｂｎｍの透過率の平均値（平均透過率）は、Ａｎｍ以上Ｂｎｍ以下の、１ｎｍ刻みの各波長における透過率を測定し、その透過率の合計を、測定した透過率の数（波長範囲、Ｂ－Ａ＋１）で除した値である。By satisfying the requirement (A), the visible light transmittance is high, and good images can be obtained when this filter is used in solid-state imaging devices, sensor modules, camera modules, and the like.
The average transmittance in the requirement (A) is preferably 80% or higher, more preferably 85% or higher, and particularly preferably 88.5% or higher. The higher the average transmittance, the better. For example, the upper limit is 100%.
In the present invention, the average transmittance (average transmittance) at wavelengths A to B nm is obtained by measuring the transmittance at each wavelength in 1 nm increments from An nm to B nm, and measuring the total transmittance. It is a value divided by the number of transmittances (wavelength range, BA+1).

要件（Ｂ）を満たすことにより、波長１２００～１６００ｎｍの光（中赤外線領域の光）を効率的に反射し、本フィルターを固体撮像装置、センサーモジュールまたはカメラモジュール等に使用した場合、固体撮像装置やこれらモジュール等に吸収される波長１２００～１６００ｎｍの光による撮像素子等の温度上昇を抑制することができる。これにより、該温度上昇によって発生していた暗電流を抑制することができ、良好な画像を得ることができる。 By satisfying the requirement (B), light with a wavelength of 1200 to 1600 nm (light in the mid-infrared region) can be efficiently reflected. Also, it is possible to suppress the temperature rise of the imaging device or the like due to the light with a wavelength of 1200 to 1600 nm that is absorbed by these modules or the like. As a result, the dark current generated by the temperature rise can be suppressed, and good images can be obtained.

近年、自動運転や先進運転支援システム用、航空機用途、無人航空機（ドローン）用途、マシンオートメーション、ロボット操縦、自動操縦農業器具などでは、空間認識センシングとしてＬｉｇｈｔＤｅｔｅｃｔｉｏｎａｎｄＲａｎｇｉｎｇ（ＬＩＤＡＲ）が用いられる場合がある。このＬＩＤＡＲでは、光源として、人間の目に見えない波長１２００～１６００ｎｍを用いる場合がある。
本フィルターは、前記要件（Ｂ）を満たすため、固体撮像装置、センサージュール、カメラモジュール等がこのような本フィルターを備えることで、波長１２００～１６００ｎｍの光を用いるＬＩＤＡＲを備えた被写体を撮像した場合であっても、該被写体が発する光によって、固体撮像装置、センサージュール、カメラモジュール等が破壊される現象を抑制することができる。 In recent years, there are cases where Light Detection and Ranging (LIDAR) is used as spatial recognition sensing for automatic driving, advanced driver support systems, aircraft applications, unmanned aerial vehicles (drone) applications, machine automation, robot control, automatic piloting agricultural equipment, etc. be. This LIDAR may use a light source with a wavelength of 1200 to 1600 nm, which is invisible to the human eye.
In order to satisfy the requirement (B), the solid-state imaging device, sensor module, camera module, etc. are equipped with such a filter, and the subject equipped with LIDAR using light with a wavelength of 1200 to 1600 nm was imaged. Even in such a case, it is possible to suppress the phenomenon that the solid-state imaging device, the sensor module, the camera module, etc. are destroyed by the light emitted by the object.

前記要件（Ｂ）における反射率の平均値は、好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上、特に好ましくは９０％以上である。前記平均反射率は、高ければ高い方が好ましく、例えば、上限は１００％である。
なお、本発明において、波長Ａ～Ｂｎｍの反射率の平均値（平均反射率）は、Ａｎｍ以上Ｂｎｍ以下の、１ｎｍ刻みの各波長における反射率を測定し、その反射率の合計を、測定した反射率の数（波長範囲、Ｂ－Ａ＋１）で除した値である。
垂直方向から入射する無偏光光線の反射率を測定することは、限りなく困難であるため、本発明では、垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の反射率を測定した。The average reflectance in the requirement (B) is preferably 70% or higher, more preferably 80% or higher, and particularly preferably 90% or higher. The higher the average reflectance, the better. For example, the upper limit is 100%.
In the present invention, the average reflectance (average reflectance) at wavelengths A to B nm is obtained by measuring the reflectance at each wavelength from An to B nm in increments of 1 nm, and measuring the total reflectance. It is a value divided by the number of reflectances (wavelength range, BA+1).
Since it is extremely difficult to measure the reflectance of non-polarized light incident from the vertical direction, the reflectance of the non-polarized light incident from the vertical direction at an angle of 5° was measured in the present invention.

要件（Ｂ）は、本フィルターの一方の面（以下「面Ｘ」ともいい、他方の面を「面Ｙ」ともいう。）の垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の平均反射率が前記範囲にあればよいが、本フィルターの面Ｘおよび面Ｙ両方の垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の平均反射率がどちらも前記範囲にあることが好ましい。
なお、面Ｘは、通常、光学フィルターの主面のことをいい、面積のもっとも大きな面の一方のことをいう。この場合、面積のもっとも大きな面の他方が面Ｙである。
また、「無偏光光線」とは、偏光方向の偏りを持たない光線のことであり、電場が全ての方向に概ね均一に分布している波の集合体のことをいう。「無偏光光線の平均透過率」は「Ｓ偏光光線の平均透過率」と「Ｐ偏光光線の平均透過率」の平均値を用いてもよい。「無偏光光線の平均反射率」は、「Ｓ偏光光線の平均反射率」と「Ｐ偏光光線の平均反射率」の平均値を用いてもよい。Requirement (B) is the average reflection of non-polarized light rays incident at an angle of 5° from the vertical direction of one surface of this filter (hereinafter also referred to as “surface X” and the other surface as “surface Y”). However, it is preferable that the average reflectance of non-polarized light rays incident at an angle of 5° from the vertical direction of both the planes X and Y of the filter is within the above range.
Note that the surface X usually refers to the main surface of the optical filter, and refers to one of the surfaces having the largest area. In this case, the plane Y is the other of the planes having the largest area.
In addition, "non-polarized light" means a light having no bias in the polarization direction, and refers to an aggregate of waves in which the electric field is substantially uniformly distributed in all directions. For the "average transmittance of non-polarized light", the average value of "average transmittance of S-polarized light" and "average transmittance of P-polarized light" may be used. For the "average reflectance of non-polarized light", the average value of "average reflectance of S-polarized light" and "average reflectance of P-polarized light" may be used.

要件（Ｃ）を満たすことにより、本フィルターを近赤外線カットフィルターとすることができ、人間の目に見えにくい、または見えない近赤外線を遮蔽することができ、本フィルターを固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等に使用した場合、シリコンフォトダイオード、ブラックシリコンなどの撮像素子の視感度補正により優れ、人間の目の色目に近い良好な画像を得ることができる。
前記要件（Ｃ）における透過率の平均値は、より好ましくは２％以下、さらに好ましくは１％以下、特に好ましくは０．５％以下である。近赤外線カットフィルターでは、前記平均透過率は低ければ低い方が好ましく、例えば、下限は０％である。By satisfying requirement (C), this filter can be used as a near-infrared cut filter, and can block near-infrared rays that are difficult or invisible to the human eye. When used in a camera module or the like, it is superior in luminosity correction of an imaging element such as a silicon photodiode or black silicon, and a good image close to the color of human eyes can be obtained.
The average transmittance in the requirement (C) is more preferably 2% or less, still more preferably 1% or less, and particularly preferably 0.5% or less. In the near-infrared cut filter, the lower the average transmittance, the better. For example, the lower limit is 0%.

本フィルターを近赤外線センサーに用いる場合、要件（Ｄ）を満たすことが好ましい。
要件（Ｄ）を満たすことにより、本フィルターをデュアルバンドパスフィルターとすることができ、本フィルターを近赤外線に感度を有する固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等に使用した場合、センシングを行う波長に高い感度を有し、人間の目に見えにくい、または見えない近赤外線を遮蔽することができ、良好な画像や、距離情報等を得ることができる。When this filter is used for a near-infrared sensor, it preferably satisfies the requirement (D).
By satisfying requirement (D), this filter can be made into a dual bandpass filter, and when this filter is used in solid-state imaging devices, sensor modules, camera modules, etc. that are sensitive to near-infrared rays, the sensing wavelength It has high sensitivity to light, can block near-infrared rays that are difficult or invisible to the human eye, and can obtain good images and distance information.

要件（Ｄ）において、透過率が５０％以上となる透過帯域の存在する波長領域は、より好ましくは８００～１０００ｎｍ、特に好ましくは８４５～９７０ｎｍである。
透過率が５０％以上となる透過帯域の存在する波長領域が前記範囲にあると、より人間の目に見えにくい波長の光を用いてセンシングすることが可能となり、また、フォトダイオードの感度が高い波長を用いることが可能となる。In requirement (D), the wavelength range in which a transmission band with a transmittance of 50% or more is more preferably 800 to 1000 nm, particularly preferably 845 to 970 nm.
When the wavelength region in which the transmission band having a transmittance of 50% or more exists is within the above range, it is possible to perform sensing using light with a wavelength that is less visible to the human eye, and the sensitivity of the photodiode is high. wavelength can be used.

要件（Ｄ）における前記透過率の平均値は、より好ましくは８％以下、さらに好ましくは１～６％である。
得られる撮像装置を用いて距離情報を取得する際、迷光による感度低下を抑制する等の点から、前記透過帯域の波長幅は、より好ましくは１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらに好ましくは１ｎｍ以上５０ｎｍ以下、特に好ましくは１ｎｍ以上２５ｎｍ以下である。The average transmittance in requirement (D) is more preferably 8% or less, still more preferably 1 to 6%.
The wavelength width of the transmission band is more preferably 1 nm or more and 100 nm or less, more preferably 1 nm or more and 50 nm or less, from the viewpoint of suppressing sensitivity reduction due to stray light when acquiring distance information using the obtained imaging device. Especially preferably, it is 1 nm or more and 25 nm or less.

前記フィルター（Ｉ）は、下記要件（Ｅ）を満たすことが好ましい。
要件（Ｅ）：波長７２０～１６００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の最大値が３０％以下であるThe filter (I) preferably satisfies the following requirement (E).
Requirement (E): At a wavelength of 720 to 1600 nm, the maximum transmittance of unpolarized light when measured from the vertical direction of the optical filter is 30% or less.

要件（Ｅ）を満たすことにより、固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等で得られる画像において、火、炎、ハロゲンランプ、ハロゲンヒーターなどの近赤外線を強く発する被写体を撮像した際のフレア、ゴースト等の発生をより抑制することができる。
前記透過率の最大値は、より好ましくは２０％以下、さらに好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下、特に好ましくは２％以下である。近赤外線カットフィルターでは、前記透過率の最大値は、低ければ低い方が好ましく、例えば、下限は０％である。By satisfying requirement (E), flares and ghosts when capturing images of subjects that strongly emit near-infrared rays, such as fire, flames, halogen lamps, and halogen heaters, in images obtained by solid-state imaging devices, sensor modules, camera modules, etc. etc. can be further suppressed.
The maximum transmittance is more preferably 20% or less, more preferably 10% or less, even more preferably 5% or less, and particularly preferably 2% or less. In the near-infrared cut filter, the lower the maximum transmittance, the better. For example, the lower limit is 0%.

本フィルターは、下記要件（Ｆ）を満たすことが好ましい。
要件（Ｆ）：波長１２００～１６００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が２０％以下This filter preferably satisfies the following requirement (F).
Requirement (F): At a wavelength of 1200 to 1600 nm, the average transmittance of unpolarized light when measured from the vertical direction of the optical filter is 20% or less.

要件（Ｆ）を満たすことにより、光学フィルターにて反射した光が周囲の該フィルター周囲の部品等に再反射し、撮像素子に入射することを抑制することが可能となる。また、要件（Ｆ）を満たすことにより、赤外線をカットすることができるため、撮像素子等の温度上昇をより抑えることが期待できる。
前記平均透過率は、より好ましくは１０％以下、さらに好ましくは５％以下、特に好ましくは２％以下である。前記平均透過率は、低ければ低い方が好ましく、例えば、下限は０％である。By satisfying the requirement (F), it is possible to prevent the light reflected by the optical filter from being re-reflected by the surrounding parts of the filter and entering the imaging device. Further, by satisfying the requirement (F), it is possible to cut off infrared rays, so it is expected that the temperature rise of the imaging device and the like can be further suppressed.
The average transmittance is more preferably 10% or less, still more preferably 5% or less, and particularly preferably 2% or less. The lower the average transmittance, the better. For example, the lower limit is 0%.

本フィルターが、波長１２００～１６００ｎｍの光を吸収する場合、該フィルターが発熱し、その熱が撮像素子等にも影響を及ぼすため、暗電流の増加につながると考えられる。本フィルターは、該フィルター自体が波長１２００～１６００ｎｍの光を吸収し、発熱することを抑制する観点から、下記要件（Ｇ）を満たすことが好ましい。 When this filter absorbs light with a wavelength of 1200 to 1600 nm, the filter generates heat, and the heat affects the imaging device and the like, which is thought to lead to an increase in dark current. This filter preferably satisfies the following requirement (G) from the viewpoint of suppressing heat generation due to absorption of light with a wavelength of 1200 to 1600 nm by the filter itself.

要件（Ｇ）：下記式（１）および（２）で表される吸収率Ａ１および吸収率Ａ２の値がそれぞれ２０％以下
Ａ１＝１００－Ｔ１－Ｒ１（１）
Ａ２＝１００－Ｔ２－Ｒ２（２）
Ｔ１およびＴ２：波長１２００～１６００ｎｍにおける、光学フィルターの一方の面Ｘの垂直方向から入射した入射光（無偏光光線）の平均透過率Ｔ１（％）、および、光学フィルターの他方の面Ｙの垂直方向から入射した入射光（無偏光光線）の平均透過率Ｔ２（％）
Ｒ１およびＲ２：波長１２００～１６００ｎｍにおける、光学フィルターの一方の面Ｘの垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の平均反射率Ｒ１（％）、および、光学フィルターの他方の面Ｙの垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の平均反射率Ｒ２（％）Requirement (G): Absorption rate A1 and absorption rate A2 represented by the following formulas (1) and (2) are each 20% or less A1=100-T1-R1 (1)
A2=100-T2-R2 (2)
T1 and T2: Average transmittance T1 (%) of incident light (non-polarized light) incident from the direction perpendicular to one surface X of the optical filter and perpendicular to the other surface Y of the optical filter at a wavelength of 1200 to 1600 nm Average transmittance T2 (%) of incident light (unpolarized light) incident from the direction
R1 and R2: Average reflectance R1 (%) of non-polarized light rays incident at an angle of 5° from the vertical direction of one surface X of the optical filter at a wavelength of 1200 to 1600 nm, and the average reflectance R1 (%) of the other surface Y of the optical filter Average reflectance R2 (%) of unpolarized light incident at an angle of 5° from the vertical direction

前記Ａ１およびＡ２は、それぞれ、より好ましくは１０％以下、さらに好ましくは５％以下、特に好ましくは１．５％以下である。前記吸収率は、低ければ低い方が好ましく、例えば、下限は０％である。 Each of A1 and A2 is more preferably 10% or less, still more preferably 5% or less, and particularly preferably 1.5% or less. The lower the absorption rate, the better. For example, the lower limit is 0%.

本フィルターは、固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等で得られる画像における赤色付近の色の面内分布の観点から、以下の要件（Ｈ）および／または（Ｊ）を満たすことが好ましい。 This filter preferably satisfies the following requirements (H) and/or (J) from the viewpoint of the in-plane distribution of colors near red in images obtained by solid-state imaging devices, sensor modules, camera modules, and the like.

要件（Ｈ）：波長５６０～８００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる最も長い波長（Ｙａ）と、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる最も長い波長（Ｙｂ）の差の絶対値が１５ｎｍ以下
要件（Ｊ）：波長８００ｎｍ以下において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が７０％となる最も長い波長（Ｘａ）と、波長５８０ｎｍ以上の波長領域において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が３０％となる最も短い波長（Ｘｂ）との差の絶対値が６５ｎｍ以下Requirement (H): In the wavelength range of 560 to 800 nm, the longest wavelength (Ya) at which the transmittance of unpolarized light is 50% when measured from the direction perpendicular to the optical filter, and 30° to the direction perpendicular to the optical filter. The absolute value of the difference in the longest wavelength (Yb) at which the transmittance of unpolarized light is 50% when measured from an angle of 15 nm or less Requirement (J): Measured from the vertical direction of the optical filter at a wavelength of 800 nm or less In the longest wavelength (Xa) at which the transmittance of unpolarized light is 70%, and in the wavelength region of 580 nm or more, the transmittance of unpolarized light when measured from the vertical direction of the optical filter is 30%. The absolute value of the difference from the shortest wavelength (Xb) is 65 nm or less

要件（Ｈ）を満たすことにより、光学フィルターに垂直方向で入射する光と３０°の角度で入射する光の赤色付近の波長の透過率差が少なくなり、本フィルターを近赤外線に感度を有する固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等に使用した場合、得られる画像の赤色付近の色の面内分布がより良好な画像が得られる。
前記要件（Ｈ）における絶対値は、より好ましくは１０ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以下、特に好ましくは２ｎｍ以下である。該絶対値は、低ければ低い方が好ましく、例えば、下限は０ｎｍである。By satisfying the requirement (H), the difference in transmittance between the light incident on the optical filter in the vertical direction and the light incident on the optical filter at an angle of 30° in the vicinity of the red wavelength is reduced, and the filter is a solid solid sensitive to near-infrared rays. When used in imaging devices, sensor modules, camera modules, etc., images with better in-plane distribution of colors near red can be obtained.
The absolute value of the requirement (H) is more preferably 10 nm or less, still more preferably 3 nm or less, and particularly preferably 2 nm or less. The lower the absolute value, the better. For example, the lower limit is 0 nm.

要件（Ｊ）を満たすことにより、人間の目に見えない、または見えにくい近赤外線を十分にカットしながらも、人間の目に見える赤色付近の色の透過率を高く保つことが可能となり、赤色付近の色の感度が良くなり、より良好な画像を得ることができる。
前記要件（Ｊ）における絶対値は、より好ましくは６０ｎｍ以下、さらに好ましくは５５ｎｍ以下、特に好ましくは４５ｎｍ以下である。該絶対値の下限は特に制限されないが、例えば、１ｎｍである。By satisfying requirement (J), it is possible to sufficiently cut near-infrared rays, which are invisible or difficult to see with the human eye, while maintaining a high transmittance of colors around red visible to the human eye. Sensitivity to nearby colors is improved, and better images can be obtained.
The absolute value of the requirement (J) is more preferably 60 nm or less, still more preferably 55 nm or less, and particularly preferably 45 nm or less. Although the lower limit of the absolute value is not particularly limited, it is 1 nm, for example.

本フィルターは、固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等で得られる画像における青色付近の色の面内分布により優れる等の点から、下記要件（Ｋ）を満たすことが好ましい。
要件（Ｋ）：波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ０（ＵＶ）を有し、波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ３０（ＵＶ）を有し、かつ前記波長の差の絶対値｜λ０（ＵＶ）－λ３０（ＵＶ）｜が５ｎｍ以下であるThe present filter preferably satisfies the following requirement (K) from the viewpoint of superior in-plane distribution of colors near blue in images obtained by solid-state imaging devices, sensor modules, camera modules, and the like.
Requirement (K): At a wavelength of 390 to 430 nm, it has a wavelength λ0 (UV) at which the transmittance of unpolarized light when measured from the direction perpendicular to the optical filter is 50%, and at a wavelength of 390 to 430 nm, the optical filter It has a wavelength λ30 (UV) at which the transmittance of unpolarized light is 50% when measured from an angle of 30° with respect to the vertical direction, and the absolute value of the wavelength difference |λ0 (UV) - λ30 ( UV)| is 5 nm or less

前記要件（Ｋ）における差の絶対値は、より好ましくは４ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以下である。前記絶対値は特に制限されないが、例えば、下限は０ｎｍである。 The absolute value of the difference in the requirement (K) is more preferably 4 nm or less, still more preferably 3 nm or less. Although the absolute value is not particularly limited, the lower limit is 0 nm, for example.

また、青色付近の色の透過率が向上し、青色付近の色の色再現性が向上する等の点から、より好ましくは４００～４２５ｎｍの波長領域、さらに好ましくは４００～４２１ｎｍの波長領域に前記波長λ０（ＵＶ）を有することが望ましく、より好ましくは３９０～４２５ｎｍの波長領域、さらに好ましくは３９０～４２３ｎｍの波長領域に前記波長λ３０（ＵＶ）を有することが望ましい。 Further, the transmittance of colors near blue is improved, and the color reproducibility of colors near blue is improved. It is desirable to have the wavelength λ0 (UV), more preferably to have the wavelength λ30 (UV) in the wavelength range of 390 to 425 nm, more preferably in the wavelength range of 390 to 423 nm.

本フィルターは、下記要件（Ｌ）を満たすことが好ましい。
要件（Ｌ）：波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ０（ＵＶ）を有し、波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ３０（ＵＶ）を有し、かつ前記波長の差λ３０（ＵＶ）－λ０（ＵＶ）が０ｎｍを超えるThis filter preferably satisfies the following requirement (L).
Requirement (L): At a wavelength of 390 to 430 nm, it has a wavelength λ0 (UV) at which the transmittance of unpolarized light is 50% when measured from the direction perpendicular to the optical filter, and at a wavelength of 390 to 430 nm, the optical filter It has a wavelength λ30(UV) at which the transmittance of unpolarized light is 50% when measured from an angle of 30° with respect to the vertical direction, and the wavelength difference λ30(UV)−λ0(UV) is 0 nm. exceed

要件（Ｌ）を満たすことにより、垂直方向よりも高入射角で入射した光の方が、青色付近の同じ波長における透過率が低下する。誘電体多層膜を有する光学フィルターでは、垂直方向よりも高入射角ほど緑色、赤色ともに透過率が下がる傾向にあり、透過した光の色味としては変化が少なくなるため、高入射角で光が入射しても、固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等で得られる画像における色味の面内分布が少ない、より良好な画像を得ることができる。
λ３０（ＵＶ）－λ０（ＵＶ）は、より好ましくは１ｎｍ超であり、特に好ましくは２ｎｍ以上であり、より好ましくは２ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、特に好ましくは２ｎｍ以上５ｎｍ以下である。
λ３０（ＵＶ）－λ０（ＵＶ）が前記範囲にあると、青色付近の同じ波長における過度な透過率低下を抑制することができる。By satisfying the requirement (L), the transmittance at the same wavelength near blue is lower for light incident at a higher incident angle than in the vertical direction. Optical filters with dielectric multilayer films tend to have lower transmittance for both green and red at higher incident angles than in the vertical direction. Even if it is incident, it is possible to obtain a better image with less in-plane color distribution in an image obtained by a solid-state imaging device, a sensor module, a camera module, or the like.
λ30(UV)−λ0(UV) is more preferably greater than 1 nm, particularly preferably 2 nm or more, more preferably 2 nm or more and 10 nm or less, and particularly preferably 2 nm or more and 5 nm or less.
When λ30(UV)−λ0(UV) is within the above range, excessive decrease in transmittance at the same wavelength near blue can be suppressed.

本フィルターは、固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等で得られる画像における緑色付近の色の面内分布により優れる等の点から、以下の要件（Ｍ）を満たすことが好ましい。
要件（Ｍ）：波長４８５～５６０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値Ｔ０と、波長４８５～５６０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値Ｔ３０が下記式（３）を満たす
０．９５≦Ｔ０／Ｔ３０≦１．０５（３）The present filter preferably satisfies the following requirement (M) from the viewpoint of superior in-plane distribution of colors near green in images obtained by solid-state imaging devices, sensor modules, camera modules, and the like.
Requirement (M): Average transmittance T0 of unpolarized light when measured from the vertical direction of the optical filter at wavelengths 485 to 560 nm, and at an angle of 30° from the vertical direction of the optical filter at wavelengths 485 to 560 nm The average value T30 of the transmittance of unpolarized light when measured satisfies the following formula (3): 0.95 ≤ T0/T30 ≤ 1.05 (3)

要件（Ｍ）を満たすことにより、光学フィルターに垂直方向で入射された光と、３０°の角度で入射された光の緑色付近の色の透過率差が少なくなり、本フィルターを近赤外線に感度を有する固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等に使用した場合、得られる画像の緑色付近の色の面内分布がより良好な画像が得られる。
青色の透過率低下と整合し、色味変化がより抑えられる等の点から、Ｔ０／Ｔ３０は、より好ましくは０．９６≦Ｔ０／Ｔ３０≦１．０４、さらに好ましくは０．９７≦Ｔ０／Ｔ３０≦１．０３、特に好ましくは０．９９≦Ｔ０／Ｔ３０≦１．０３、最も好ましくは１．００＜Ｔ０／Ｔ３０≦１．０３を満たす。By satisfying the requirement (M), the difference in transmittance between the light incident on the optical filter in the vertical direction and the light incident on the optical filter at an angle of 30° in the vicinity of green is reduced, making the filter sensitive to near-infrared rays. When used in a solid-state imaging device, a sensor module, a camera module, etc., an image having a better in-plane distribution of colors near green can be obtained.
T0/T30 is more preferably 0.96≦T0/T30≦1.04, more preferably 0.97≦T0/ T30≦1.03, particularly preferably 0.99≦T0/T30≦1.03, most preferably 1.00<T0/T30≦1.03.

本フィルターの厚みは、好ましくは０．２ｍｍ以下、より好ましくは０．１２ｍｍ以下、さらに好ましくは０．１１６ｍｍ以下、特に好ましくは０．０１ｍｍ以上０．０８ｍｍ以下である。
本フィルターの厚みが前記範囲にあると、該フィルターを用いた固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等を薄くすることができ、より小型化が可能となる。本フィルターの厚みが０．０１ｍｍ未満の場合、誘電体多層膜の応力による反りが増大しやすく、取扱いが困難となる傾向にある。The thickness of the present filter is preferably 0.2 mm or less, more preferably 0.12 mm or less, still more preferably 0.116 mm or less, and particularly preferably 0.01 mm or more and 0.08 mm or less.
When the thickness of the present filter is within the above range, a solid-state imaging device, a sensor module, a camera module, or the like using the filter can be made thin, and further miniaturization is possible. If the thickness of the present filter is less than 0.01 mm, the dielectric multilayer film tends to be warped due to stress, making it difficult to handle.

＜基板＞
前記基板は、本発明の効果を損なわない限り、材質、形状等は特に制限されないが、例えば、透明無機材、樹脂などからなる基板、好ましくは板状体を挙げることができる。基板は、図１（Ａ）または（Ｂ）のように単層であっても、図１（Ｃ）または（Ｄ）のように多層であってもよいが、赤外線吸収剤等の添加剤を含む層を有することが好ましい。<Substrate>
The substrate is not particularly limited in terms of material, shape, etc., as long as it does not impair the effects of the present invention. The substrate may be a single layer as shown in FIG. 1(A) or (B) or a multi-layer as shown in FIG. 1(C) or (D). It is preferred to have a layer comprising

前記基板の具体例としては、赤外線吸収剤を含まない、１層の透明無機材や樹脂などからなる基板（以下「支持基板」ともいう。）；赤外線吸収剤を含む、１層の透明無機材や樹脂などからなる基板（以下「吸収板」ともいう。）；少なくとも１層の、赤外線吸収剤を含まない樹脂などからなる層（以下「樹脂層」ともいう。）と、少なくとも１層の支持基板との積層体（以下「積層体１」ともいう。）；少なくとも１層の、赤外線吸収剤を含む樹脂などからなる層（以下「吸収層」ともいう。）と、少なくとも１層の支持基板との積層体（以下「積層体２」ともいう。）；少なくとも１層の吸収層と、少なくとも１層の樹脂層との積層体（以下「積層体３」ともいう。）；少なくとも１層の樹脂層と、少なくとも１層の吸収層と、少なくとも１層の支持基板との積層体（以下「積層体４」ともいう。）が挙げられ、これらの中でも、吸収板および積層体２～４が好ましい。
なお、前記吸収板と前記吸収層とは同様の板（層）であってもよい。また、前記支持基板が樹脂製である場合、該支持基板と前記樹脂層とは同様の板（層）であってもよい。Specific examples of the substrate include a one-layer transparent inorganic material or resin substrate (hereinafter also referred to as a "supporting substrate") that does not contain an infrared absorbing agent; and a one-layer transparent inorganic material containing an infrared absorbing agent. or resin substrate (hereinafter also referred to as "absorbing plate"); Laminate with a substrate (hereinafter also referred to as "laminate 1"); at least one layer (hereinafter also referred to as "absorbing layer") made of a resin containing an infrared absorbing agent, and at least one supporting substrate (hereinafter also referred to as "laminate 2"); a laminate of at least one absorbent layer and at least one resin layer (hereinafter also referred to as "laminate 3"); at least one layer A laminate of a resin layer, at least one absorbing layer, and at least one supporting substrate (hereinafter also referred to as "laminate 4") can be mentioned. preferable.
The absorbing plate and the absorbing layer may be the same plate (layer). Moreover, when the support substrate is made of resin, the support substrate and the resin layer may be the same plate (layer).

前記基板の厚みは特に制限されず、所望の用途に応じて適宜選択すればよいが、好ましくは０．０１～０．２ｍｍ、より好ましくは０．０１～０．１２ｍｍ、特に好ましくは０．０１５～０．１１ｍｍである。
基板の厚みが前記範囲にあると、取り扱い容易性に優れる光学フィルターが得られ、得られたフィルターを用いた固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等を薄くすることができ、より小型化が可能となる。The thickness of the substrate is not particularly limited, and may be appropriately selected according to the desired application. ~0.11 mm.
When the thickness of the substrate is within the above range, an optical filter with excellent ease of handling can be obtained, and a solid-state imaging device, a sensor module, a camera module, etc. using the obtained filter can be made thinner, enabling further miniaturization. becomes.

〈透明無機材〉
前記透明無機材としては特に限定されないが、例えば、石英、ホウケイ酸塩系ガラス、ケイ酸塩系ガラス、化学強化ガラス、物理強化ガラス、ソーダガラス、リン酸塩系ガラス、フツリン酸塩系ガラス、アルミナガラス、サファイアガラスが挙げられる。<Transparent inorganic material>
The transparent inorganic material is not particularly limited, but examples include quartz, borosilicate glass, silicate glass, chemically strengthened glass, physically strengthened glass, soda glass, phosphate glass, fluorophosphate glass, Alumina glass and sapphire glass are mentioned.

〈樹脂〉
前記樹脂としては、本発明の効果を損なわない限り特に制限されないが、例えば、熱安定性および板状体への成形性等を確保し、かつ、１００℃以上の蒸着温度で行う高温蒸着により誘電体多層膜を形成しうる基板とするため、ガラス転移温度（Ｔｇ）が、好ましくは１１０～３８０℃、より好ましくは１１０～３７０℃、さらに好ましくは１２０～３６０℃である樹脂が挙げられる。また、前記樹脂のガラス転移温度が１４０℃以上であると、樹脂に化合物を高濃度に添加することでガラス転移温度が低下した場合においても、誘電体多層膜を高温で蒸着形成し得る基板となるため、特に好ましい。<resin>
The resin is not particularly limited as long as it does not impair the effects of the present invention. Resins having a glass transition temperature (Tg) of preferably 110 to 380.degree. C., more preferably 110 to 370.degree. C., and even more preferably 120 to 360.degree. Further, when the glass transition temperature of the resin is 140° C. or higher, even when the glass transition temperature is lowered by adding a compound to the resin at a high concentration, the dielectric multilayer film can be vapor-deposited at a high temperature. Therefore, it is particularly preferable.

樹脂としては、当該樹脂からなる厚さ０．０５ｍｍの樹脂板を形成した場合に、この樹脂板の全光線透過率（ＪＩＳＫ７１０５）が、好ましくは７５～９５％、さらに好ましくは７８～９５％、特に好ましくは８０～９５％となる樹脂を用いることができる。全光線透過率がこのような範囲となる樹脂を用いると、得られる基板は光学フィルムとして良好な透明性を示す。 As for the resin, when a resin plate having a thickness of 0.05 mm is formed from the resin, the total light transmittance (JIS K7105) of the resin plate is preferably 75 to 95%, more preferably 78 to 95%. , Particularly preferably, a resin having a content of 80 to 95% can be used. When a resin having a total light transmittance within this range is used, the obtained substrate exhibits good transparency as an optical film.

樹脂のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定される、ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常１５，０００～３５０，０００、好ましくは３０，０００～２５０，０００であり、数平均分子量（Ｍｎ）は、通常１０，０００～１５０，０００、好ましくは２０，０００～１００，０００である。 The polystyrene-equivalent weight average molecular weight (Mw) measured by the gel permeation chromatography (GPC) method of the resin is usually 15,000 to 350,000, preferably 30,000 to 250,000, and the number average The molecular weight (Mn) is usually 10,000-150,000, preferably 20,000-100,000.

樹脂としては、例えば、環状（ポリ）オレフィン系樹脂、芳香族ポリエーテル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド（アラミド）系樹脂、ポリサルホン系樹脂、ポリエーテルサルホン系樹脂、ポリパラフェニレン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、フッ素化芳香族ポリマー系樹脂、（変性）アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シルセスキオキサン系紫外線硬化型樹脂、マレイミド系樹脂、脂環エポキシ熱硬化型樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、ポリアリレート系樹脂、アリルエステル系硬化型樹脂、アクリル系紫外線硬化型樹脂、ビニル系紫外線硬化型樹脂およびゾルゲル法により形成されたシリカを主成分とする樹脂を挙げることができる。これらの内、環状（ポリ）オレフィン系樹脂、芳香族ポリエーテル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアリレート系樹脂を用いることが、透明性（光学特性）、耐熱性、耐リフロー性等のバランスにより優れる光学フィルターが得られる等の点で好ましい。
樹脂は、１種単独で用いてもよく、２種以上を用いてもよい。Examples of resins include cyclic (poly)olefin-based resins, aromatic polyether-based resins, polyimide-based resins, polycarbonate-based resins, polyester-based resins, polyamide (aramid)-based resins, polysulfone-based resins, and polyethersulfone-based resins. , polyparaphenylene resins, polyamideimide resins, polyethylene naphthalate resins, fluorinated aromatic polymer resins, (modified) acrylic resins, epoxy resins, silsesquioxane ultraviolet curable resins, maleimide resins , alicyclic epoxy thermosetting resins, polyether ether ketone resins, polyarylate resins, allyl ester curing resins, acrylic ultraviolet curing resins, vinyl ultraviolet curing resins, and silica formed by the sol-gel method. A resin as a main component can be mentioned. Of these, cyclic (poly)olefin resins, aromatic polyether resins, polycarbonate resins, polyester resins, and polyarylate resins can be used to improve transparency (optical properties), heat resistance, reflow resistance, etc. is preferable in that an excellent optical filter can be obtained due to the balance of
One type of resin may be used alone, or two or more types may be used.

［環状（ポリ）オレフィン系樹脂］
環状（ポリ）オレフィン系樹脂としては、下記式（Ｘ₀）で表される単量体および下記式（Ｙ₀）で表される単量体からなる群より選ばれる少なくとも１種の単量体を用いて得られる樹脂、および、当該樹脂を水素添加することで得られる樹脂が好ましい。[Cyclic (poly)olefin resin]
As the cyclic (poly)olefin resin, at least one monomer selected from the group consisting of a monomer represented by the following formula (X ₀ ) and a monomer represented by the following formula (Y ₀ ) and resins obtained by hydrogenating the resins are preferred.

式（Ｘ₀）中、Ｒ^x1～Ｒ^x4はそれぞれ独立に、下記（ｉ'）～（ｉｘ'）より選ばれる原子または基を表し、ｋ^x、ｍ^xおよびｐ^xはそれぞれ独立に、０～４の整数を表す。
（ｉ'）水素原子
（ｉｉ'）ハロゲン原子
（ｉｉｉ'）トリアルキルシリル基
（ｉｖ'）酸素原子、硫黄原子、窒素原子またはケイ素原子を含む連結基を有する、置換または非置換の炭素数１～３０の炭化水素基
（ｖ'）置換または非置換の炭素数１～３０の炭化水素基
（ｖｉ'）極性基（但し、（ｉｉ'）および（ｉｖ'）を除く。）
（ｖｉｉ'）Ｒ^x1とＲ^x2またはＲ^x3とＲ^x4とが、相互に結合して形成されたアルキリデン基（但し、前記結合に関与しないＲ^x1～Ｒ^x4は、それぞれ独立に前記（ｉ'）～（ｖｉ'）より選ばれる原子または基を表す。）
（ｖｉｉｉ'）Ｒ^x1とＲ^x2またはＲ^x3とＲ^x4とが、相互に結合して形成された単環もしくは多環の炭化水素環または複素環（但し、前記結合に関与しないＲ^x1～Ｒ^x4は、それぞれ独立に前記（ｉ'）～（ｖｉ'）より選ばれる原子または基を表す。）
（ｉｘ'）Ｒ^x2とＲ^x3とが、相互に結合して形成された単環の炭化水素環または複素環（但し、前記結合に関与しないＲ^x1とＲ^x4は、それぞれ独立に前記（ｉ'）～（ｖｉ'）より選ばれる原子または基を表す。）In formula (X ₀ ), R ^x1 to R ^x4 each independently represent an atom or group selected from (i′) to (ix′) below, k ^x , m ^x and p ^x each independently represent 0 Represents an integer from ~4.
(i') a hydrogen atom (ii') a halogen atom (iii') a trialkylsilyl group (iv') a substituted or unsubstituted carbon number 1 having a linking group containing an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom or a silicon atom ~30 hydrocarbon group (v') substituted or unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms (vi') polar group (excluding (ii') and (iv'))
(vii') an alkylidene group formed by bonding R ^x1 and R ^x2 or R ^x3 and R ^x4 together (provided that R ^x1 to R ^x4 not participating in the bonding are each independently ) to represent an atom or group selected from (vi′).)
(viii') R ^x1 and R ^x2 or R ^x3 and R ^x4 are bonded to each other to form a monocyclic or polycyclic hydrocarbon ring or heterocyclic ring (provided that R ^x1 to R ^x4 each independently represents an atom or group selected from (i') to (vi').)
(ix') a monocyclic hydrocarbon ring or heterocyclic ring formed by bonding R ^x2 and R ^x3 together (provided that R ^x1 and R ^x4 not participating in the bond are each independently the above (i ') to represent an atom or group selected from (vi').)

式（Ｙ₀）中、Ｒ^y1およびＲ^y2はそれぞれ独立に、前記（ｉ'）～（ｖｉ'）より選ばれる原子または基を表すか、Ｒ^y1とＲ^y2とが、相互に結合して形成された単環もしくは多環の脂環式炭化水素、芳香族炭化水素または複素環を表し、ｋ^yおよびｐ^yはそれぞれ独立に、０～４の整数を表す。In formula (Y ₀ ), R ^y1 and R ^y2 each independently represent an atom or group selected from the above (i′) to (vi′), or R ^y1 and R ^y2 are mutually bonded to Each of k ^y and p ^y independently represents an integer from 0 to 4, representing a formed monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon, aromatic hydrocarbon or heterocyclic ring.

［芳香族ポリエーテル系樹脂］
芳香族ポリエーテル系樹脂は、下記式（１）で表される構造単位および下記式（２）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造単位を有することが好ましい。[Aromatic polyether resin]
The aromatic polyether resin preferably has at least one structural unit selected from the group consisting of structural units represented by the following formula (1) and structural units represented by the following formula (2).

（式（１）中、Ｒ¹～Ｒ⁴はそれぞれ独立に、炭素数１～１２の１価の有機基を示し、ａ～ｄはそれぞれ独立に、０～４の整数を示す。）

(In Formula (1), R ¹ to R ⁴ each independently represent a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms, and a to d each independently represent an integer of 0 to 4.)

（式（２）中、Ｒ¹～Ｒ⁴およびａ～ｄはそれぞれ独立に、前記式（１）中のＲ¹～Ｒ⁴およびａ～ｄと同義であり、Ｙは、単結合、－ＳＯ₂－または－ＣＯ－を示し、Ｒ⁷およびＲ⁸はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数１～１２の１価の有機基またはニトロ基を示し、ｇおよびｈはそれぞれ独立に、０～４の整数を示し、ｍは０または１を示す。但し、ｍが０のとき、Ｒ⁷はシアノ基ではない。）

(In formula (2), R ¹ to R ⁴ and a to d are each independently the same as R ¹ to R ⁴ and a to d in formula (1) above; Y is a single bond, —SO ₂ - or -CO-, R ⁷ and R ⁸ each independently represent a halogen atom, a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms or a nitro group, g and h each independently represent 0 to 4 and m is 0 or 1. However, when m is 0, R ⁷ is not a cyano group.)

また、前記芳香族ポリエーテル系樹脂は、さらに下記式（３）で表される構造単位および下記式（４）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造単位を有していてもよい。 In addition, the aromatic polyether-based resin further has at least one structural unit selected from the group consisting of structural units represented by the following formula (3) and structural units represented by the following formula (4). may be

（式（３）中、Ｒ⁵およびＲ⁶はそれぞれ独立に、炭素数１～１２の１価の有機基を示し、Ｚは、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ₂－、－ＣＯ－、－ＣＯＮＨ－、－ＣＯＯ－または炭素数１～１２の２価の有機基を示し、ｅおよびｆはそれぞれ独立に、０～４の整数を示し、ｎは０または１を示す。）

(In formula (3), R ⁵ and R ⁶ each independently represent a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms, Z is a single bond, —O—, —S—, —SO ₂ —, -CO-, -CONH-, -COO- or a divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms; e and f each independently represent an integer of 0 to 4; n represents 0 or 1; )

（式（４）中、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈはそれぞれ独立に、前記式（２）中のＲ⁷、Ｒ⁸、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈと同義であり、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆはそれぞれ独立に、前記式（３）中のＲ⁵、Ｒ⁶、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆと同義である。）

(in formula (4), R ⁷ , R ⁸ , Y, m, g and h are each independently synonymous with R ⁷ , R ⁸ , Y, m, g and h in formula (2); R ⁵ , R ⁶ , Z, n, e and f are each independently synonymous with R ⁵ , R ⁶ , Z, n, e and f in the formula (3).)

［ポリカーボネート系樹脂］
ポリカーボネート系樹脂としては特に制限されず、例えば、特開２００８－１６３１９４号公報に記載されている方法で合成することができる。[Polycarbonate resin]
The polycarbonate-based resin is not particularly limited, and can be synthesized, for example, by the method described in JP-A-2008-163194.

［ポリエステル系樹脂］
ポリエステル系樹脂としては特に制限されず、例えば、特開２０１０－２８５５０５号公報や特開２０１１－１９７４５０号公報に記載されている方法で合成することができる。[Polyester resin]
The polyester-based resin is not particularly limited, and can be synthesized, for example, by the methods described in JP-A-2010-285505 and JP-A-2011-197450.

［ポリイミド系樹脂］
ポリイミド系樹脂としては特に制限されず、繰り返し単位にイミド結合を含む高分子化合物であればよく、例えば、特開２００６－１９９９４５号公報や特開２００８－１６３１０７号公報に記載されている方法で合成することができる。[Polyimide resin]
The polyimide resin is not particularly limited as long as it is a polymer compound containing an imide bond in the repeating unit. can do.

［フッ素化芳香族ポリマー系樹脂］
フッ素化芳香族ポリマー系樹脂としては特に制限されないが、フッ素原子を少なくとも１つ有する芳香族環と、エーテル結合、ケトン結合、スルホン結合、アミド結合、イミド結合およびエステル結合からなる群より選ばれる少なくとも１つの結合を含む繰り返し単位とを含有するポリマーであることが好ましく、例えば特開２００８－１８１１２１号公報に記載されている方法で合成することができる。[Fluorinated aromatic polymer resin]
The fluorinated aromatic polymer resin is not particularly limited, but at least one selected from the group consisting of an aromatic ring having at least one fluorine atom, an ether bond, a ketone bond, a sulfone bond, an amide bond, an imide bond and an ester bond It is preferably a polymer containing a repeating unit containing one bond, and can be synthesized, for example, by the method described in JP-A-2008-181121.

［アクリル系紫外線硬化型樹脂］
アクリル系紫外線硬化型樹脂としては特に制限されないが、分子内に一つ以上のアクリル基もしくはメタクリル基を有する化合物と、紫外線によって分解して活性ラジカルを発生させる化合物を含有する樹脂組成物から合成されるものを挙げることができる。アクリル系紫外線硬化型樹脂は、前記樹脂層や吸収層として、硬化性樹脂を用いる場合、該硬化性樹脂として特に好適に使用することができる。[Acrylic UV curable resin]
The acrylic UV-curable resin is not particularly limited, but is synthesized from a resin composition containing a compound having one or more acrylic or methacrylic groups in the molecule and a compound that is decomposed by ultraviolet rays to generate active radicals. things can be mentioned. When a curable resin is used as the resin layer or the absorption layer, an acrylic UV curable resin can be particularly preferably used as the curable resin.

［ゾルゲル法により形成されたシリカを主成分とする樹脂］
ゾルゲル法によるシリカを主成分とする樹脂としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ジメトキシジエトキシシラン、メトキシトリエトキシシランなどのテトラアルコキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどのフェニルアルコキシシラン等から選ばれる１種以上のシラン類の加水分解によるゾルゲル反応により得られる化合物を樹脂として使用することができる。 [Resin mainly composed of silica formed by sol-gel method]
Silica-based resins produced by the sol-gel method include tetraalkoxysilanes such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane , dimethoxydiethoxysilane, and methoxytriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, and diphenyldimethoxysilane. , phenylalkoxysilane such as diphenyldiethoxysilane, and the like, can be used as the resin.

［市販品］
前記樹脂としては、以下の市販品等を用いることができる。
環状（ポリ）オレフィン系樹脂の市販品としては、例えば、ＪＳＲ（株）製ＡＲＴＯＮ、日本ゼオン（株）製ＺＥＯＮＯＲ、三井化学（株）製ＡＰＥＬ、ポリプラスチックス（株）製ＴＯＰＡＳが挙げられる。ポリエーテルサルホン系樹脂の市販品としては、例えば、住友化学（株）製スミカエクセルＰＥＳが挙げられる。ポリイミド系樹脂の市販品としては、例えば、三菱ガス化学（株）製ネオプリムＬが挙げられる。ポリカーボネート系樹脂の市販品としては、例えば、帝人（株）製ピュアエース、三菱ガス化学（株）製ユピゼータＥＰ－５０００が挙げられる。ポリエステル系樹脂の市販品としては、例えば、大阪ガスケミカル（株）製ＯＫＰ４ＨＴが挙げられる。アクリル系樹脂の市販品としては、例えば、（株）日本触媒製アクリビュアが挙げられる。シルセスキオキサン系紫外線硬化型樹脂の市販品としては、例えば、新日鐵化学（株）製シルプラスが挙げられる。[Commercial item]
As the resin, the following commercially available products can be used.
Examples of commercially available cyclic (poly)olefin resins include ARTON manufactured by JSR Corporation, ZEONOR manufactured by Zeon Corporation, APEL manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., and TOPAS manufactured by Polyplastics. Examples of commercially available polyethersulfone-based resins include Sumika Excel PES manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. Examples of commercially available polyimide resins include Neoprim L manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Examples of commercially available polycarbonate-based resins include Pure Ace manufactured by Teijin Limited and Iupizeta EP-5000 manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Examples of commercially available polyester-based resins include OKP4HT manufactured by Osaka Gas Chemicals Co., Ltd. Examples of commercially available acrylic resins include Acryvure manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd. Examples of commercially available silsesquioxane-based UV-curable resins include Silplus manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.

〈基板の製造方法〉
前記樹脂製の支持基板、吸収板、樹脂層および吸収層（以下これらを併せて「樹脂板」ともいう。）は、例えば、溶融成形またはキャスト成形により形成することができる。さらに、必要により、これらを成形後に、反射防止剤、ハードコート剤および／または帯電防止剤等のコーティング剤をコーティングすることで、樹脂層（オーバーコート層）が積層された基板を製造することができる。<Substrate manufacturing method>
The resin support substrate, absorption plate, resin layer and absorption layer (hereinafter collectively referred to as "resin plate") can be formed by, for example, melt molding or cast molding. Furthermore, if necessary, after molding these, by coating a coating agent such as an antireflection agent, a hard coating agent and/or an antistatic agent, it is possible to manufacture a substrate laminated with a resin layer (overcoat layer). can.

前記基板が、積層体２である場合、例えば、支持基板に赤外線吸収剤を含む樹脂溶液を溶融成形またはキャスト成形することで、好ましくはスピンコート、スリットコート、インクジェットなどの方法にて塗工した後に溶媒を乾燥除去し、必要に応じてさらに光照射や加熱を行うことで、支持基板上に吸収層が形成された基板（積層体２）を製造することができる。 When the substrate is the laminate 2, for example, a resin solution containing an infrared absorber is melt-molded or cast-molded onto the support substrate, preferably by a method such as spin coating, slit coating, or inkjet. After removing the solvent by drying, and further performing light irradiation or heating as necessary, a substrate (laminate 2) having an absorption layer formed on the supporting substrate can be manufactured.

［溶融成形］
前記溶融成形としては、具体的には、樹脂と添加剤とを溶融混練りして得られたペレットを溶融成形する方法；樹脂と添加剤とを含有する樹脂組成物を溶融成形する方法；または、添加剤、樹脂および溶剤を含む樹脂組成物から溶剤を除去して得られたペレットを溶融成形する方法などが挙げられる。溶融成形方法としては、射出成形、溶融押出成形またはブロー成形などを挙げることができる。[Melt molding]
Specifically, the melt-molding includes a method of melt-molding pellets obtained by melt-kneading a resin and an additive; a method of melt-molding a resin composition containing a resin and an additive; or , a method of melt-molding pellets obtained by removing the solvent from a resin composition containing an additive, a resin and a solvent. Examples of melt molding methods include injection molding, melt extrusion molding, and blow molding.

［キャスト成形］
前記キャスト成形としては、添加剤、樹脂および溶剤を含む樹脂組成物を適当な支持体の上にキャスティングして溶剤を除去する方法；または添加剤と、光硬化性樹脂および／または熱硬化性樹脂とを含む硬化性組成物を適当な支持体の上にキャスティングして溶媒を除去した後、紫外線照射や加熱などの適切な手法により硬化させる方法などが挙げられる。[Cast molding]
As the cast molding, a method of casting a resin composition containing an additive, a resin and a solvent onto a suitable support and removing the solvent; or an additive and a photocurable resin and/or a thermosetting resin. A method of casting a curable composition containing on a suitable support, removing the solvent, and then curing by an appropriate technique such as ultraviolet irradiation or heating.

前記基板が、樹脂製の支持基板や吸収板である場合には、該基板は、キャスト成形後、支持体から塗膜を剥離することにより得ることができ、また、前記基板が、積層体１や２である場合には、該基板は、例えば、キャスト成形後、塗膜を剥離しないことで得ることができる。つまりこの場合、前記支持体は支持基板となる。 When the substrate is a support substrate or absorption plate made of resin, the substrate can be obtained by peeling off the coating film from the support after cast molding. or 2, the substrate can be obtained by, for example, casting and then not peeling off the coating film. That is, in this case, the support becomes a support substrate.

前記支持体としては、例えば、透明無機材、スチールベルト、スチールドラムおよび樹脂（例えば、ポリエステルフィルム、環状オレフィン系樹脂フィルム）製支持体が挙げられる。 Examples of the support include transparent inorganic materials, steel belts, steel drums, and supports made of resin (eg, polyester film, cyclic olefin resin film).

さらに、透明無機材または樹脂等の光学部品に、前記樹脂組成物をコーティングして溶剤を乾燥させる方法、または、前記硬化性組成物をコーティングして硬化および乾燥させる方法などにより、光学部品上に樹脂層や吸収層を形成することもできる。 Furthermore, optical parts such as transparent inorganic materials or resins are coated with the resin composition and the solvent is dried, or the curable composition is coated and cured and dried. A resin layer or an absorption layer can also be formed.

前記方法で得られた樹脂板中の残留溶剤量は可能な限り少ない方がよい。具体的には、前記残留溶剤量は、樹脂板１００質量％に対して、好ましくは３質量％以下、より好ましくは１質量％以下、さらに好ましくは０．５質量％以下である。残留溶剤量が前記範囲にあると、変形や特性が変化しにくい、所望の機能を容易に発揮できる樹脂板を容易に得ることができる。 The amount of residual solvent in the resin plate obtained by the above method should be as small as possible. Specifically, the amount of residual solvent is preferably 3% by mass or less, more preferably 1% by mass or less, and even more preferably 0.5% by mass or less with respect to 100% by mass of the resin plate. When the amount of residual solvent is within the above range, it is possible to easily obtain a resin plate which is resistant to deformation and changes in properties and which can easily exhibit desired functions.

［添加剤］
前記基板は、本発明の効果を損なわない範囲において、酸化防止剤、蛍光消光剤、吸収剤（例：赤外線吸収剤、紫外線吸収剤）等の添加剤を含有してもよい。これらその他成分は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。[Additive]
The substrate may contain additives such as antioxidants, fluorescence quenchers, and absorbers (eg, infrared absorbers, ultraviolet absorbers) within a range that does not impair the effects of the present invention. These other components may be used individually by 1 type, and may be used 2 or more types.

前記添加剤は、前記吸収層や吸収板を製造する際に、樹脂などとともに混合してもよいし、樹脂を合成する際に添加してもよい。
前記添加剤の添加量は、所望の特性に応じて適宜選択すればよいが、前記樹脂１００質量部に対して、通常０．０００１～５０質量部、好ましくは０．０００３～４０質量部である。The additive may be mixed with a resin or the like when manufacturing the absorbing layer or absorbing plate, or may be added when synthesizing the resin.
The amount of the additive added may be appropriately selected according to the desired properties, but it is usually 0.0001 to 50 parts by mass, preferably 0.0003 to 40 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the resin. .

〈酸化防止剤〉
前記酸化防止剤としては、例えば、２，６－ジ－ｔ－ブチル－４－メチルフェノール、２，２'－ジオキシ－３，３'－ジ－ｔ－ブチル－５，５'－ジメチルジフェニルメタン、テトラキス［メチレン－３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、トリス（２，４－ジ－ｔ－ブチルフェニル）ホスファイトが挙げられる。<Antioxidant>
Examples of the antioxidant include 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, 2,2'-dioxy-3,3'-di-t-butyl-5,5'-dimethyldiphenylmethane, tetrakis[methylene-3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate]methane, tris(2,4-di-t-butylphenyl)phosphite.

〈赤外線吸収剤〉
前記赤外線吸収剤としては、例えば、スクアリリウム系化合物、クロコニウム系化合物、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ポリメチン系化合物、シアニン系化合物、テトラアザポルフィリン系化合物、ジイモニウム系化合物、ポルフィリン系化合物、トリアリールメタン系化合物、サブフタロシアニン系化合物、ペリレン系化合物、セミスクアリリウム系化合物、スチリル系化合物、フェナジン系化合物、ピリドメテン－ホウ素錯体系化合物、ピラジン－ホウ素錯体系化合物、ピリドンアゾ系化合物、キサンテン系化合物、ジピロメテン系化合物、環拡張ジピロメテン系化合物、ピロロピロール系化合物、ヘテロ環共役系化合物、ヘキサフィリン系化合物、金属ジチオラート系化合物、環拡張ＢＯＤＩＰＹ（ボロンジピロメテン）系化合物、イッテルビウム錯体系化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましく、スクアリリウム系化合物、フタロシアニン系化合物、ポリメチン系化合物、シアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ピロロピロール系化合物、ジイモニウム系化合物、クロコニウム系化合物、ヘキサフィリン系化合物、金属ジチオラート系化合物、環拡張ＢＯＤＩＰＹ（ボロンジピロメテン）系化合物、ペリレン系化合物、ヘテロ環共役系化合物、イッテルビウム錯体系化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種であることがより好ましい。<Infrared absorber>
Examples of the infrared absorbent include squarylium-based compounds, croconium-based compounds, phthalocyanine-based compounds, naphthalocyanine-based compounds, polymethine-based compounds, cyanine-based compounds, tetraazaporphyrin-based compounds, diimmonium-based compounds, porphyrin-based compounds, and triaryls. Methane compounds, subphthalocyanine compounds, perylene compounds, semisquarylium compounds, styryl compounds, phenazine compounds, pyridomethene-boron complex compounds, pyrazine-boron complex compounds, pyridone azo compounds, xanthene compounds, dipyrromethene compounds compound, ring-expanded dipyrromethene-based compound, pyrrolopyrrole-based compound, heterocyclic conjugated compound, hexaphyrin-based compound, metal dithiolate-based compound, ring-expanded BODIPY (boron dipyrromethene)-based compound, ytterbium complex-based compound selected from the group consisting of Preferably, at least one type of squarylium-based compound, phthalocyanine-based compound, polymethine-based compound, cyanine-based compound, naphthalocyanine-based compound, pyrrolopyrrole-based compound, diimmonium-based compound, croconium-based compound, hexaphylline-based compound, metal dithiolate It is more preferably at least one selected from the group consisting of ring-expanded BODIPY (boron dipyrromethene)-based compounds, perylene-based compounds, heterocyclic conjugated compounds, and ytterbium complex-based compounds.

前記赤外線吸収剤は、好ましくは６７０～９５０ｎｍ、より好ましくは６８０～９００ｎｍ、さらに好ましくは６８５～８００ｎｍ、特に好ましくは６８５～７６５ｎｍの範囲に吸収極大波長を有することが望ましい。
前記範囲に吸収極大波長を有する赤外線吸収剤を含有する吸収層や吸収板を含むことで、赤色付近の色の入射角依存性が改良され、視感度補正により優れる光学フィルターを容易に得ることができる。
前記吸収極大波長は、赤外線吸収剤をジクロロメタン中に溶解させた溶液を用いて測定することができる。The infrared absorbing agent preferably has a maximum absorption wavelength in the range of 670 to 950 nm, more preferably 680 to 900 nm, still more preferably 685 to 800 nm, particularly preferably 685 to 765 nm.
By including an absorbing layer or absorbing plate containing an infrared absorbing agent having a maximum absorption wavelength in the above range, the incident angle dependence of colors near red is improved, and an optical filter excellent in luminosity correction can be easily obtained. can.
The absorption maximum wavelength can be measured using a solution in which an infrared absorbing agent is dissolved in dichloromethane.

前記赤外線吸収剤の含有量は、前記基板として、吸収板を用いる場合、樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０００１～２０．０質量部、より好ましくは０．０００２～１５質量部、特に好ましくは０．０００３～１０質量部であり、前記基板として、吸収層を含む基板を用いる場合、具体的には、積層体２～４を用いる場合には、該吸収層に含まれる樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０００１～５０質量部、より好ましくは０．０００５～４０質量部、特に好ましくは０．００１～３０質量部である。
赤外線吸収剤の含有量が前記範囲にあると、良好な赤外線吸収特性を有する基板を容易に得ることができる。When an absorbing plate is used as the substrate, the content of the infrared absorbing agent is preferably 0.0001 to 20.0 parts by mass, more preferably 0.0002 to 15 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the resin. Particularly preferably, it is 0.0003 to 10 parts by mass. When a substrate including an absorption layer is used as the substrate, specifically, when laminates 2 to 4 are used, the resin 100 contained in the absorption layer It is preferably 0.0001 to 50 parts by mass, more preferably 0.0005 to 40 parts by mass, and particularly preferably 0.001 to 30 parts by mass.
When the content of the infrared absorbing agent is within the above range, a substrate having good infrared absorbing properties can be easily obtained.

［スクアリリウム系化合物］
前記スクアリリウム系化合物としては特に制限されないが、吸収極大波長を前記範囲に有する化合物が好ましい。このようなスクアリリウム系化合物としては、例えば、下記式（Ｚ）で表される化合物が挙げられる。[Squarylium-based compound]
Although the squarylium-based compound is not particularly limited, a compound having a maximum absorption wavelength within the above range is preferable. Examples of such squarylium-based compounds include compounds represented by the following formula (Z).

式（Ｚ）中、ユニットＡおよびＢはそれぞれ独立に、下記式（Ｉ）～（ＩＶ）で表されるユニットのいずれかを表す。 In formula (Z), units A and B each independently represent any of the units represented by formulas (I) to (IV) below.

式（Ｉ）～（ＩＶ）中、波線で表した部分は前記式（Ｚ）の中央の四員環との結合部位を表し、
Ｘ、Ｘ¹およびＸ²はそれぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子または－ＮＲ⁸－、－Ｃ（Ｒ⁸）₂－を表し、
Ｒ¹～Ｒ⁷はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、－ＮＲ^gＲ^h基、－ＳＲⁱ基、－ＳＯ₂Ｒⁱ基、－ＯＳＯ₂Ｒⁱ基または下記Ｌ^a～Ｌ^hのいずれかを表し、Ｒ⁸は独立に、水素原子またはＬ^a～Ｌ^hのいずれかを表し、Ｒ^gおよびＲ^hはそれぞれ独立に、水素原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒⁱ基または下記Ｌ^a～Ｌ^eのいずれかを表し、Ｒⁱは、下記Ｌ^a～Ｌ^eのいずれかを表し、
（Ｌ^a）炭素数１～１２の脂肪族炭化水素基
（Ｌ^b）炭素数１～１２のハロゲン置換アルキル基
（Ｌ^c）炭素数３～１４の脂環式炭化水素基
（Ｌ^d）炭素数６～１４の芳香族炭化水素基
（Ｌ^e）炭素数３～１４の複素環基
（Ｌ^f）炭素数１～１２のアルコキシ基
（Ｌ^g）置換基Ｌを有してもよい炭素数１～１２のアシル基
（Ｌ^h）置換基Ｌを有してもよい炭素数２～１２のアルコキシカルボニル基
置換基Ｌは、前記Ｌ^a～Ｌ^eより選ばれる少なくとも１種である。In formulas (I) to (IV), the part represented by the wavy line represents the binding site to the central four-membered ring of formula (Z),
X, X ¹ and X ² each independently represent an oxygen atom, a sulfur atom, a selenium atom, a tellurium atom or -NR ⁸ -, -C(R ⁸ ) ₂ -,
R ¹ to R ⁷ each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a sulfo group, a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, a carboxyl group, a phosphoric acid group, a -NR ^g R ^h group, a -SR ⁱ group, and -SO ₂ R. ⁱ group, —OSO ₂ R ⁱ group, or any one of L ^a to L ^h below; R ⁸ independently represents a hydrogen atom or any one of L ^a to L ^h ; R ^g and R ^h each independently represents a hydrogen atom, a —C(O)R ⁱ group or any of L ^a to L ^e below, R ⁱ represents any one of L ^a to L ^e below,
(L ^a ) Aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms (L ^b ) Halogen-substituted alkyl group having 1 to 12 carbon atoms (L ^c ) Alicyclic hydrocarbon group having 3 to 14 carbon atoms (L ^d ) Carbon Aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms (L ^e ) Heterocyclic group having 3 to 14 carbon atoms (L ^f ) Alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms (L ^g ) Number of carbon atoms which may have substituent L 1 to 12 acyl group (L ^h ) alkoxycarbonyl group having 2 to 12 carbon atoms optionally having a substituent L. The substituent L is at least one selected from the aforementioned L ^a to L ^e .

前記Ｒ¹としては、好ましくは、水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、水酸基、アミノ基、ジメチルアミノ基、ニトロ基であり、より好ましくは水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、水酸基である。R ¹ is preferably hydrogen atom, chlorine atom, fluorine atom, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, cyclohexyl group, Phenyl group, hydroxyl group, amino group, dimethylamino group and nitro group, more preferably hydrogen atom, chlorine atom, fluorine atom, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group and hydroxyl group.

前記Ｒ²～Ｒ⁷としてはそれぞれ独立に、好ましくは、水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、水酸基、アミノ基、ジメチルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、Ｎ－メチルアセチルアミノ基、トリフルオロメタノイルアミノ基、ペンタフルオロエタノイルアミノ基、ｔｅｒｔ－ブタノイルアミノ基、シクロヘキシノイルアミノ基、ｎ－ブチルスルホニル基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ－プロピルチオ基、ｎ－ブチルチオ基であり、より好ましくは水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、水酸基、ジメチルアミノ基、メトキシ基、エトキシ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、トリフルオロメタノイルアミノ基、ペンタフルオロエタノイルアミノ基、ｔｅｒｔ－ブタノイルアミノ基、シクロヘキシノイルアミノ基、メチルチオ基、エチルチオ基である。R ² to R ⁷ are each independently preferably a hydrogen atom, a chlorine atom, a fluorine atom, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group and a tert- Butyl group, cyclohexyl group, phenyl group, hydroxyl group, amino group, dimethylamino group, cyano group, nitro group, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, n-butoxy group, acetylamino group, propionylamino group, N- methylacetylamino group, trifluoromethanoylamino group, pentafluoroethanoylamino group, tert-butanoylamino group, cyclohexinoylamino group, n-butylsulfonyl group, methylthio group, ethylthio group, n-propylthio group, n -butylthio group, more preferably hydrogen atom, chlorine atom, fluorine atom, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, tert-butyl group, hydroxyl group, dimethylamino group, methoxy group, ethoxy group, acetyl amino group, propionylamino group, trifluoromethanoylamino group, pentafluoroethanoylamino group, tert-butanoylamino group, cyclohexynoylamino group, methylthio group and ethylthio group.

前記Ｒ⁸としては独立に、好ましくは、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、シクロヘキシル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、フェニル基であり、より好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－デシル基である。R ⁸ is independently preferably a hydrogen atom, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, cyclohexyl group and n-pentyl group. , n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group and phenyl group, more preferably hydrogen atom, methyl group, ethyl group, n-propyl group and isopropyl group. , n-butyl group, tert-butyl group and n-decyl group.

前記Ｒ²～Ｒ⁷は、１つのベンゼン環上の２つまたは３つのＲが結合して、新たな構成原子数５以上の脂環基または芳香環を形成してもよく、該脂環基または芳香環は、前記置換基Ｌを有してもよい。また、前記Ｒ²～Ｒ⁷は、１つのベンゼン環上の２つまたは３つのＲが結合して、新たな、酸素原子、窒素原子または硫黄原子を少なくとも１つ含む構成原子数５以上の複素環を形成してもよく、該複素環は、前記置換基Ｌを有してもよい。R ² to R ⁷ may combine two or three R on one benzene ring to form a new alicyclic group or aromatic ring having 5 or more constituent atoms, and the alicyclic group Alternatively, the aromatic ring may have the substituent L described above. In addition, R ² to R ⁷ are new heterogeneous groups having 5 or more constituent atoms and containing at least one oxygen atom, nitrogen atom or sulfur atom by combining two or three R on one benzene ring. A ring may be formed, and the heterocyclic ring may have the substituent L described above.

前記Ｘ、Ｘ¹およびＸ²としてはそれぞれ独立に、好ましくは、酸素原子、硫黄原子、－ＮＲ⁸－、－Ｃ（Ｒ⁸）₂－であり、式（Ｉ）のＸとしては、特に好ましくは、酸素原子、硫黄原子であり、式（ＩＩ）のＸとしては、特に好ましくは、－ＮＲ⁸－である。X, X ¹ and X ² are each independently preferably an oxygen atom, a sulfur atom, -NR ⁸ - or -C(R ⁸ ) ₂ -, and X in formula (I) is particularly preferably is an oxygen atom or a sulfur atom, and -NR ⁸ - is particularly preferable as X in formula (II).

スクアリリウム系化合物は、下記式（Ｚ１）のように表すことができるし、下記式（Ｚ２）のような共鳴構造として表すこともできる。つまり、下記式（Ｚ１）と下記式（Ｚ２）との違いは構造の記載方法のみであり、どちらも同一の化合物を表す。本明細書中では特に断りのない限り、下記式（Ｚ１）のような記載方法にてスクアリリウム系化合物の構造を表す。 A squarylium-based compound can be represented by the following formula (Z1), or can be represented as a resonance structure such as the following formula (Z2). That is, the difference between formula (Z1) below and formula (Z2) below is only the method of describing the structure, and both represent the same compound. In this specification, unless otherwise specified, the structure of the squarylium-based compound is represented by a description method such as the following formula (Z1).

さらに、例えば、下記式（Ｚ１）で表される化合物と下記式（Ｚ３）で表される化合物は、同一の化合物であると見なすことができる。 Furthermore, for example, the compound represented by the following formula (Z1) and the compound represented by the following formula (Z3) can be regarded as the same compound.

式（Ｚ）で表される化合物において、中央の四員環に結合している左右のユニットは、それぞれ式（Ｉ）～（ＩＶ）で表される構造であれば同一であっても異なっていてもよいが、ユニット中の置換基も含めて同一であった方が合成上容易であるため好ましい。 In the compound represented by formula (Z), the left and right units bonded to the central four-membered ring may be the same or different as long as they have structures represented by formulas (I) to (IV). However, it is preferable for the units to be the same, including the substituents, for ease of synthesis.

例えば、式（Ｚ）で表される化合物としては、下記式（Ｚ－Ａ）～式（Ｚ－Ｊ）で表される化合物が挙げられる。 For example, compounds represented by formula (Z) include compounds represented by formulas (ZA) to (ZJ) below.

式（Ｚ－Ａ）～（Ｚ－Ｂ）中の各符号は、それぞれ、式（Ｉ）～（ＩＩ）中の符号に対応する。 Each symbol in formulas (ZA)-(ZB) corresponds to a symbol in formulas (I)-(II), respectively.

式（Ｚ－Ｃ）～（Ｚ－Ｆ）中の各符号は、それぞれ、式（ＩＩＩ）中の符号に対応する。 Each symbol in formulas (ZC) to (ZF) corresponds to the symbol in formula (III).

式（Ｚ－Ｇ）～（Ｚ－Ｈ）中の各符号は、それぞれ、式（ＩＩＩ）中の符号に対応する。 Each symbol in formulas (ZG) to (ZH) corresponds to the symbol in formula (III).

式（Ｚ－Ｉ）～（Ｚ－Ｊ）中の各符号は、それぞれ、式（ＩＶ）中の符号に対応する。 Each symbol in formulas (ZI) to (ZJ) corresponds to the symbol in formula (IV).

式（Ｚ）で表される化合物の具体例としては、例えば、下記表１～５に記載の化合物（ｚ－１）～（ｚ－９４）を挙げることができる。 Specific examples of the compound represented by formula (Z) include compounds (z-1) to (z-94) shown in Tables 1 to 5 below.

［フタロシアニン系化合物］
前記フタロシアニン系化合物としては特に制限されないが、吸収極大波長を前記範囲に有する化合物が好ましい。このようなフタロシアニン系化合物としては、例えば、下記式（Ｖ）で表される化合物（以下「化合物（Ｖ）」ともいう。）が挙げられる。[Phthalocyanine compound]
Although the phthalocyanine-based compound is not particularly limited, a compound having a maximum absorption wavelength within the above range is preferable. Examples of such phthalocyanine compounds include compounds represented by the following formula (V) (hereinafter also referred to as "compound (V)").

式（Ｖ）中、Ｍは、２個の水素原子、２個の１価の金属原子、２価の金属原子、または３価もしくは４価の金属原子を含む置換金属原子を表し、
複数あるＲ_a、Ｒ_b、Ｒ_cおよびＲ_dはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシ基、ニトロ基、アミノ基、アミド基、イミド基、シアノ基、シリル基、－Ｌ¹、－Ｓ－Ｌ²、－ＳＳ－Ｌ²、－ＳＯ₂－Ｌ³、－Ｎ＝Ｎ－Ｌ⁴、または、Ｒ_aとＲ_b、Ｒ_bとＲ_cおよびＲ_cとＲ_dのうち少なくとも１つの組み合わせが結合した、下記式（Ａ）～（Ｈ）で表される基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を表し、同じ芳香環に結合したＲ_a、Ｒ_b、Ｒ_cおよびＲ_dのうち少なくとも１つが水素原子ではない。
前記アミノ基、アミド基、イミド基およびシリル基は、前記置換基Ｌを有してもよく、
Ｌ²は、水素原子または下記Ｌ^a'～Ｌ^e'のいずれかを表し、
Ｌ³は、水酸基または下記Ｌ^a'～Ｌ^e'のいずれかを表し、
Ｌ⁴は、下記Ｌ^a'～Ｌ^e'のいずれかを表し、
Ｌ¹は、
（Ｌ^a'）置換基Ｌ^''を有してもよい炭素数１～９の脂肪族炭化水素基、
（Ｌ^b'）置換基Ｌ^''を有してもよい炭素数１～９のハロゲン置換アルキル基、
（Ｌ^c'）置換基Ｌ^''を有してもよい炭素数３～１４の脂環式炭化水素基、
（Ｌ^d'）置換基Ｌ^''を有してもよい炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、
（Ｌ^e'）置換基Ｌ^''を有してもよい炭素数３～１４の複素環基、
（Ｌ^f'）置換基Ｌ^''を有してもよい炭素数１～９のアルコキシ基、
（Ｌ^g'）置換基Ｌ^''を有してもよい炭素数１～９のアシル基、または
（Ｌ^h'）置換基Ｌ^''を有してもよい炭素数２～９のアルコキシカルボニル基
を表し、置換基Ｌ^''は、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、アミノ基、炭素数１～９の脂肪族炭化水素基、炭素数１～９のハロゲン置換アルキル基、炭素数３～１４の脂環式炭化水素基、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基および炭素数３～１４の複素環基からなる群より選ばれる少なくとも１種である。In formula (V), M represents a substituted metal atom containing two hydrogen atoms, two monovalent metal atoms, divalent metal atoms, or trivalent or tetravalent metal atoms;
A plurality of R _a , R _b , R _c and R _d are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a carboxy group, a nitro group, an amino group, an amide group, an imide group, a cyano group, a silyl group, and -L ¹ . , -SL ² , -SS-L ² , -SO ₂ -L ³ , -N=N-L ⁴ , or at least R _a and R _b , R _b and R _c and R _c and R _d Represents at least one group selected from the group consisting of groups represented by the following formulas (A) to (H), in which one combination is bound, and R a , R b , R c and R _a , R _b , R _c and At least one of R _d is not a hydrogen atom.
The amino group, amide group, imide group and silyl group may have the substituent L,
L ² represents a hydrogen atom or any of the following L ^{a '} to L ^{e '} ,
L ³ represents a hydroxyl group or any of the following L ^{a '} to L ^{e '} ,
L ⁴ represents any one of L ^{a '} to L ^{e '} below,
^L1 is
(L ^a′ ) an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 9 carbon atoms which may have a substituent L ^″ ,
(L ^b′ ⁾ a halogen-substituted alkyl group having 1 to 9 carbon atoms which may have a substituent L ″,
(L ^c′ ⁾ an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 14 carbon atoms which may have a substituent L ″,
(L ^d′ ⁾ an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms which may have a substituent L ″,
(L ^e′ ⁾ a heterocyclic group having 3 to 14 carbon atoms which may have a substituent L ″,
(L ^f′ ⁾ an alkoxy group having 1 to 9 carbon atoms which may have a substituent L ″,
(L ^g′ ) an acyl group having 1 to 9 carbon atoms optionally having a substituent L ″, or (L ^h′ ⁾ alkoxycarbonyl having 2 to 9 carbon atoms optionally having a substituent L ^″ and the substituent L ^'' is a halogen atom, a sulfo group, a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, a carboxy group, a phosphoric acid group, an amino group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 9 carbon atoms, and 1 carbon atom. at least one selected from the group consisting of halogen-substituted alkyl groups of up to 9, alicyclic hydrocarbon groups of 3 to 14 carbon atoms, aromatic hydrocarbon groups of 6 to 14 carbon atoms and heterocyclic groups of 3 to 14 carbon atoms Seeds.

式（Ａ）～（Ｈ）中、Ｒ_xおよびＲ_yは、炭素原子であり、
複数あるＲ_A～Ｒ_Lはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基、イミド基、シアノ基、シリル基、－Ｌ¹、－Ｓ－Ｌ²、－ＳＳ－Ｌ²、－ＳＯ₂－Ｌ³、－Ｎ＝Ｎ－Ｌ⁴を表し、
前記アミノ基、アミド基、イミド基およびシリル基は、前記置換基Ｌを有してもよく、Ｌ¹～Ｌ⁴は前記式（Ｖ）において定義したＬ¹～Ｌ⁴と同義である。In formulas (A) to (H), R _x and R _y are carbon atoms;
A plurality of R _A to R _L are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a nitro group, an amino group, an amide group, an imide group, a cyano group, a silyl group, -L ¹ , -SL ² , -SS. -L ² , -SO ₂ -L ³ , -N=N-L ⁴ ,
The amino group, amido group, imide group and silyl group may have the substituent L, and L ¹ to L ⁴ have the same definitions as L ¹ to L ⁴ defined in formula (V).

前記Ｒ_a～Ｒ_dおよびＲ_A～Ｒ_Lにおいて、置換基Ｌを有してもよいアミノ基としては、例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基が挙げられる。Examples of the amino group which may have a substituent _L in R _a to R _d and R _A to R L include amino group, ethylamino group, dimethylamino group, methylethylamino group, dibutylamino group, A diisopropylamino group is mentioned.

前記Ｒ_a～Ｒ_dおよびＲ_A～Ｒ_Lにおいて、置換基Ｌを有してもよいアミド基としては、例えば、アミド基、メチルアミド基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジプロピルアミド基、ジイソプロピルアミド基、ジブチルアミド基、α－ラクタム基、β－ラクタム基、γ－ラクタム基、δ－ラクタム基が挙げられる。In R _a to R _d and R _A to R _L , the amide group which may have a substituent L includes, for example, an amide group, a methylamide group, a dimethylamide group, a diethylamide group, a dipropylamide group, and a diisopropylamide group. group, dibutylamide group, α-lactam group, β-lactam group, γ-lactam group and δ-lactam group.

前記Ｒ_a～Ｒ_dおよびＲ_A～Ｒ_Lにおいて、置換基Ｌを有してもよいイミド基としては、例えば、イミド基、メチルイミド基、エチルイミド基、ジエチルイミド基、ジプロピルイミド基、ジイソプロピルイミド基、ジブチルイミド基が挙げられる。In R _a to R _d and R _A to R _L , the imide group which may have a substituent L includes, for example, an imide group, a methylimide group, an ethylimide group, a diethylimide group, a dipropylimide group, and a diisopropylimide group. groups, and dibutylimide groups.

前記Ｒ_a～Ｒ_dおよびＲ_A～Ｒ_Lにおいて、置換基Ｌを有してもよいシリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリエチルシリル基が挙げられる。Examples of the silyl group which may have a substituent _L in R _a to R _d and R _A to R L include a trimethylsilyl group, a tert-butyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group and a triethylsilyl group. be done.

前記Ｒ_a～Ｒ_dおよびＲ_A～Ｒ_Lにおいて、－Ｓ－Ｌ²としては、例えば、チオール基、メチルスルフィド基、エチルスルフィド基、プロピルスルフィド基、ブチルスルフィド基、イソブチルスルフィド基、ｓｅｃ－ブチルスルフィド基、ｔｅｒｔ－ブチルスルフィド基、フェニルスルフィド基、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルスルフィド基、２，６－ジフェニルフェニルスルフィド基、４－クミルフェニルスルフィド基が挙げられる。In the aforementioned R _a to R _d and R _A to R _L , —SL ² includes, for example, a thiol group, a methylsulfide group, an ethylsulfide group, a propylsulfide group, a butylsulfide group, an isobutylsulfide group and sec-butyl. sulfide group, tert-butylsulfide group, phenylsulfide group, 2,6-di-tert-butylphenylsulfide group, 2,6-diphenylphenylsulfide group and 4-cumylphenylsulfide group.

前記Ｒ_a～Ｒ_dおよびＲ_A～Ｒ_Lにおいて、－ＳＳ－Ｌ²としては、例えば、ジスルフィド基、メチルジスルフィド基、エチルジスルフィド基、プロピルジスルフィド基、ブチルジスルフィド基、イソブチルジスルフィド基、ｓｅｃ－ブチルジスルフィド基、ｔｅｒｔ－ブチルジスルフィド基、フェニルジスルフィド基、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルジスルフィド基、２，６－ジフェニルフェニルジスルフィド基、４－クミルフェニルジスルフィド基が挙げられる。In the aforementioned R _a to R _d and R _A to R _L , —SS-L ² includes, for example, a disulfide group, a methyl disulfide group, an ethyl disulfide group, a propyl disulfide group, a butyl disulfide group, an isobutyl disulfide group and sec-butyl. Disulfide group, tert-butyl disulfide group, phenyl disulfide group, 2,6-di-tert-butylphenyl disulfide group, 2,6-diphenylphenyl disulfide group, 4-cumylphenyl disulfide group.

前記Ｒ_a～Ｒ_dおよびＲ_A～Ｒ_Lにおいて、－ＳＯ₂－Ｌ³としては、例えば、スルホ基、メシル基、エチルスルホニル基、ｎ－ブチルスルホニル基、ｐ－トルエンスルホニル基が挙げられる。In the above R _a to R _d and R _A to R _L , —SO ₂ —L ³ includes, for example, sulfo group, mesyl group, ethylsulfonyl group, n-butylsulfonyl group and p-toluenesulfonyl group.

前記Ｒ_a～Ｒ_dおよびＲ_A～Ｒ_Lにおいて、－Ｎ＝Ｎ－Ｌ⁴としては、例えば、メチルアゾ基、フェニルアゾ基、ｐ－メチルフェニルアゾ基、ｐ－ジメチルアミノフェニルアゾ基が挙げられる。In the above R _a to R _d and R _A to R _L , —N═N—L ⁴ includes, for example, methylazo group, phenylazo group, p-methylphenylazo group and p-dimethylaminophenylazo group.

前記Ｍにおいて、１価の金属原子としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓが挙げられる。 Examples of monovalent metal atoms in M include Li, Na, K, Rb, and Cs.

前記Ｍにおいて、２価の金属原子としては、例えば、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｓｎ、Ｐｂが挙げられる。 Examples of the divalent metal atom for M include Be, Mg, Ca, Ba, Ti, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ni, Pd, Pt, Cu, Zn, Cd, Hg, Sn and Pb are mentioned.

前記Ｍにおいて、３価の金属原子を含む置換金属原子としては、例えば、Ａｌ－Ｆ、Ａｌ－Ｃｌ、Ａｌ－Ｂｒ、Ａｌ－Ｉ、Ｇａ－Ｆ、Ｇａ－Ｃｌ、Ｇａ－Ｂｒ、Ｇａ－Ｉ、Ｉｎ－Ｆ、Ｉｎ－Ｃｌ、Ｉｎ－Ｂｒ、Ｉｎ－Ｉ、Ｔｌ－Ｆ、Ｔｌ－Ｃｌ、Ｔｌ－Ｂｒ、Ｔｌ－Ｉ、Ｆｅ－Ｃｌ、Ｒｕ－Ｃｌ、Ｍｎ－ＯＨが挙げられる。 In M, the substituted metal atom containing a trivalent metal atom includes, for example, Al—F, Al—Cl, Al—Br, Al—I, Ga—F, Ga—Cl, Ga—Br, Ga—I , In—F, In—Cl, In—Br, In—I, Tl—F, Tl—Cl, Tl—Br, Tl—I, Fe—Cl, Ru—Cl, Mn—OH.

前記Ｍにおいて、４価の金属原子を含む置換金属原子としては、例えば、ＴｉＦ₂、ＴｉＣｌ₂、ＴｉＢｒ₂、ＴｉＩ₂、ＺｒＣｌ₂、ＨｆＣｌ₂、ＣｒＣｌ₂、ＳｉＦ₂、ＳｉＣｌ₂、ＳｉＢｒ₂、ＳｉＩ₂、ＧｅＦ₂、ＧｅＣｌ₂、ＧｅＢｒ₂、ＧｅＩ₂、ＳｎＦ₂、ＳｎＣｌ₂、ＳｎＢｒ₂、ＳｎＩ₂、Ｚｒ（ＯＨ）₂、Ｈｆ（ＯＨ）₂、Ｍｎ（ＯＨ）₂、Ｓｉ（ＯＨ）₂、Ｇｅ（ＯＨ）₂、Ｓｎ（ＯＨ）₂、ＴｉＲ₂、ＣｒＲ₂、ＳｉＲ₂、ＧｅＲ₂、ＳｎＲ₂、Ｔｉ（ＯＲ）₂、Ｃｒ（ＯＲ）₂、Ｓｉ（ＯＲ）₂、Ｇｅ（ＯＲ）₂、Ｓｎ（ＯＲ）₂（Ｒは脂肪族基または芳香族基を表す。）、ＴｉＯ、ＶＯ、ＭｎＯが挙げられるExamples of the substituted metal atom containing a tetravalent metal atom in M include TiF ₂ , TiCl ₂ , TiBr ₂ , TiI ₂ , ZrCl ₂ , HfCl ₂ , CrCl ₂ , SiF ₂ , SiCl ₂ , SiBr ₂ , SiI ₂ , _GeF2 , _GeCl2 , _GeBr2 , _GeI2 , SnF2, SnCl2, _SnBr2 , _SnI2 , Zr(OH) ₂ , Hf(OH) ₂ , Mn ₍ OH) ₂ , Si ₍ OH) ₂ , Ge(OH) ₂ , Sn(OH) ₂ , _TiR2 , _CrR2 , _SiR2 , GeR2, _SnR2 , Ti(OR) ₂ , Cr(OR) ₂ , Si(OR) ₂ , Ge ₍ OR) ₂ , Sn(OR) ₂ (R represents an aliphatic group or an aromatic group), TiO, VO, and MnO.

前記Ｍとしては、周期表５族～１１族、かつ、第４周期～第５周期に属する、２価の遷移金属、３価もしくは４価の金属ハロゲン化物または４価の金属酸化物であることが好ましく、その中でも、高い可視光透過率や安定性を達成することができることから、Ｃｕ、Ｎｉ、ＣｏおよびＶＯが特に好ましい。 The M is a divalent transition metal, trivalent or tetravalent metal halide or tetravalent metal oxide belonging to Groups 5 to 11 of the periodic table and Period 4 to Period 5. Among them, Cu, Ni, Co and VO are particularly preferable because they can achieve high visible light transmittance and stability.

前記フタロシアニン系化合物は、下記式（ＶＩ）のようなフタロニトリル誘導体の環化反応により合成する方法が一般的に知られているが、得られるフタロシアニン系化合物は下記式（ＶＩＩ－１）～（ＶＩＩ－４）のような４種の異性体の混合物となっている。本明細書では、特に断りのない限り、１種のフタロシアニン系化合物につき１種の異性体のみを例示しているが、他の３種の異性体についても同様に用いることができる。なお、これらの異性体は必要に応じて分離して用いることも可能であるが、本明細書では異性体混合物を一括して取り扱っている。 The phthalocyanine compound is generally synthesized by a cyclization reaction of a phthalonitrile derivative represented by the following formula (VI). It is a mixture of four isomers such as VII-4). In this specification, unless otherwise specified, only one isomer per phthalocyanine compound is exemplified, but the other three isomers can also be used in the same manner. Although these isomers can be separated and used as necessary, the isomer mixture is collectively treated in this specification.

前記化合物（Ｖ）の具体例としては、下記式（Ｖ－Ａ）～（Ｖ－Ｊ）で表される基本骨格を有する、下記表６～９に記載の（ｖ－１）～（ｖ－６２）が挙げられる。 Specific examples of the compound (V) include (v-1) to (v- 62).

［ポリメチン系化合物］
前記ポリメチン系化合物としては特に制限されないが、吸収極大波長を前記範囲に有する化合物が好ましい。このようなポリメチン系化合物としては、例えば、下記式（Ｓ－ａ）～（Ｓ－ｃ）で表される化合物が挙げられる。[Polymethine compound]
Although the polymethine-based compound is not particularly limited, a compound having a maximum absorption wavelength within the above range is preferable. Examples of such polymethine compounds include compounds represented by the following formulas (Sa) to (Sc).

前記Ａ^-は１価の陰イオンを表す。該１価の陰イオンとしては特に限定されないが、例えば、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-、ＰＦ₆ ^-、ＣｌＯ₄ ^-、ＮＯ₃ ^-、ＢＦ₄ ^-、ＳＣＮ^-、ＣＨ₃ＣＯＯ^-、ＣＨ₃ＣＨ₂ＣＯＯ^-、メチルスルホン酸イオン、テトラフルオロメチルスルホン酸イオン、ナフタレンスルホン酸イオン、アントラセンスルホン酸イオン、Ｎ（ＳＯ₂ＣＦ₃）₂ ^-、Ｂ（Ｃ₆Ｆ₅）₄ ^-、Ｃ₆Ｈ₅ＳＯ₃ ^-、トルエンスルホン酸イオン、ＣＦ₃ＣＯＯ^-、ＣＦ₃ＣＦ₂ＣＯＯ^-、ニッケルジチオラート系錯体イオン、銅ジチオラート系錯体イオンが挙げられる。A ^- represents a monovalent anion. The monovalent anions are not particularly limited, but examples include Cl ^- , Br ^- , I ^- , PF ₆ ^- , ClO ₄ ^- , NO ₃ ^- , BF ₄ ^- , SCN ^- , CH ₃ COO ^- , CH ₃ _CH2COO- ^, methylsulfonate ion, tetrafluoromethylsulfonate ion, naphthalenesulfonate ion, _{anthracenesulfonate} ion, N( _SO2CF3 ) _2- ^, B ₍ _C6F5 ) _4- ^, _C6H ₅ SO ₃ ⁻ , toluenesulfonate ions, CF ₃ COO ⁻ , CF ₃ CF ₂ COO ⁻ , nickel dithiolate complex ions, and copper dithiolate complex ions.

前記複数あるＤはそれぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表す。 Each of the plurality of D's independently represents a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom.

複数あるＲ_a～Ｒ_iはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシ基、ニトロ基、アミノ基、アミド基、イミド基、シアノ基、シリル基、－Ｌ¹、－Ｓ－Ｌ²、－ＳＳ－Ｌ²、－ＳＯ₂－Ｌ³、－ＮＲ^gＲ^h基（Ｒ^gおよびＲ^hはそれぞれ独立に、下記Ｌ²または－Ｃ（Ｏ）Ｒⁱ基を表し、Ｒⁱは、下記Ｌ²を表す。）、－Ｎ＝Ｎ－Ｌ⁴、または、Ｒ_bとＲ_c、Ｒ_dとＲ_e、Ｒ_eとＲ_f、Ｒ_fとＲ_g、Ｒ_gとＲ_hおよびＲ_hとＲ_iのうち少なくとも１つの組み合わせが結合した、下記式（ａ）～（ｈ）で表される基から選ばれる基を表す。A plurality of R _a to R _i are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a carboxyl group, a nitro group, an amino group, an amide group, an imide group, a cyano group, a silyl group, -L ¹ , -SL ² . , —SS-L ² , —SO ₂ —L ³ , —NR ^g R ^h groups (R ^g and R ^h each independently represent L ² or —C(O)R ⁱ group below, and R ⁱ is represents L ² below), -N=N-L ⁴ , or R _b and R _c , R _d and R _e , _Re and R _f , R _f and R _g , R _g and R _h and R _h represents a group selected from groups represented by the following formulas (a) to (h), in which at least one combination of and R _i is bonded.

なお、前記式（Ｓ－ａ）～（Ｓ－ｃ）中のＤ－（Ｒ_b）（Ｒ_c）は、便宜的にこのように記載しているのであり、必ずしもＤにＲ_bおよびＲ_cが結合しているわけではない。例えば、Ｄが窒素原子の場合、Ｒ_bおよびＲ_cの一方は存在せず、Ｄが酸素原子場合、Ｒ_bおよびＲ_cは両方とも存在せず、Ｄが硫黄原子場合、Ｒ_bおよびＲ_cは両方とも存在しないか、または、Ｒ_bおよびＲ_cの合計が４個となる。It should be noted that D-(R _b ) (R _c ) in the above formulas (Sa) to (Sc) are described in this way for convenience, and D does not necessarily have R _b and R _c are not connected. For example, when D is a nitrogen atom, one of R _b and R _c does not exist, when D is an oxygen atom, both R _b and R _c do not exist, and when D is a sulfur atom, R _b and R _c are both absent, or the sum of R _b and R _c is four.

前記アミノ基、アミド基、イミド基およびシリル基は、炭素数１～１２の脂肪族炭化水素基、炭素数１～１２のハロゲン置換アルキル基、炭素数３～１４の脂環式炭化水素基、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、炭素数３～１４の複素環基、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基およびアミノ基からなる群より選ばれる少なくとも１種の置換基Ｌ'を有してもよい。 The amino group, amido group, imide group and silyl group are aliphatic hydrocarbon groups having 1 to 12 carbon atoms, halogen-substituted alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms, alicyclic hydrocarbon groups having 3 to 14 carbon atoms, selected from the group consisting of an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, a heterocyclic group having 3 to 14 carbon atoms, a halogen atom, a sulfo group, a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, a carboxy group, a phosphoric acid group and an amino group; may have at least one substituent L'.

前記Ｌ¹は、下記Ｌ^a～Ｌⁱのいずれかである。
（Ｌ^a）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数１～１２の脂肪族炭化水素基
（Ｌ^b）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数１～１２のハロゲン置換アルキル基
（Ｌ^c）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数３～１４の脂環式炭化水素基
（Ｌ^d）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数６～１４の芳香族炭化水素基
（Ｌ^e）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数３～１４の複素環基
（Ｌ^f）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数１～９のアルコキシ基
（Ｌ^g）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数１～９のアシル基
（Ｌ^h）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数２～９のアルコキシカルボニル基
（Ｌⁱ）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数１～１２のスルフィド基またはジスルフィド基The L ¹ is any one of the following L ^a to L ⁱ .
(L ^a ) Aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms optionally having substituent L′ (L ^b ) Halogen-substituted alkyl having 1 to 12 carbon atoms optionally having substituent L′ Group (L ^c ) alicyclic hydrocarbon group having 3 to 14 carbon atoms optionally having substituent L′ (L ^d ) aromatic group having 6 to 14 carbon atoms optionally having substituent L′ group hydrocarbon group (L ^e ) heterocyclic group having 3 to 14 carbon atoms optionally having substituent L′ (L ^f ) alkoxy having 1 to 9 carbon atoms optionally having substituent L′ Group (L ^g ) Acyl group having 1 to 9 carbon atoms optionally having substituent L′ (L ^h ) Alkoxycarbonyl group having 2 to 9 carbon atoms optionally having substituent L′ (L ⁱ ) a sulfide group or disulfide group having 1 to 12 carbon atoms which may have the substituent L'

前記Ｌ²は、水素原子または前記Ｌ¹におけるＬ^a～Ｌ^eのいずれかを表し、
前記Ｌ³は、水素原子または前記Ｌ¹におけるＬ^a～Ｌ^eのいずれかを表し、
前記Ｌ⁴は、前記Ｌ¹におけるＬ^a～Ｌ^eのいずれかを表す。L ² represents a hydrogen atom or any of L ^a to L ^e in L ¹ ,
L ³ represents a hydrogen atom or any of L ^a to L ^e in L ¹ ;
The L ⁴ represents any one of L ^a to L ^e in the L ¹ .

式（ａ）～（ｈ）中、Ｒ_xおよびＲ_yは炭素原子を表し、
複数あるＲ_A～Ｒ_Lはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシ基、ニトロ基、アミノ基、アミド基、イミド基、シアノ基、シリル基、－Ｌ¹、－Ｓ－Ｌ²、－ＳＳ－Ｌ²、－ＳＯ₂－Ｌ³、－ＮＲ^gＲ^h基（Ｒ^gおよびＲ^hはそれぞれ独立に、Ｌ²または－Ｃ（Ｏ）Ｒⁱ基を表し、Ｒⁱは、Ｌ²を表す。）または－Ｎ＝Ｎ－Ｌ⁴（Ｌ¹～Ｌ⁴は、前記Ｒ_a～Ｒ_iにおけるＬ¹～Ｌ⁴と同義である。）を表し、前記アミノ基、アミド基、イミド基およびシリル基は、前記置換基Ｌ'を有してもよい。In formulas (a) to (h), R _x and R _y represent carbon atoms,
A plurality of R _A to R _L are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a carboxy group, a nitro group, an amino group, an amide group, an imide group, a cyano group, a silyl group, -L ¹ and -SL ² . , —SS-L ² , —SO ₂ —L ³ , —NR ^g R ^h groups (R ^g and R ^h each independently represent L ² or —C(O)R ⁱ group, and R ⁱ represents L ² ) or -N=N-L ⁴ (L ¹ to L ⁴ have the same definitions as L ¹ to L ⁴ in R _a to R _i ), and the amino group, amido group, imide The groups and silyl groups may have the substituent L'.

Ｚ_a～Ｚ_cおよびＹ_a～Ｙ_dはそれぞれ独立に、水素原子；ハロゲン原子；水酸基；カルボキシ基；ニトロ基；アミノ基；アミド基；イミド基；シアノ基；シリル基；－Ｌ¹；－Ｓ－Ｌ²；－ＳＳ－Ｌ²；－ＳＯ₂－Ｌ³；－ＮＲ^gＲ^h基（Ｒ^gおよびＲ^hはそれぞれ独立に、Ｌ²または－Ｃ（Ｏ）Ｒⁱ基を表し、Ｒⁱは、Ｌ²を表す。）；－Ｎ＝Ｎ－Ｌ⁴（Ｌ¹～Ｌ⁴は、前記Ｒ_a～Ｒ_iにおけるＬ¹～Ｌ⁴と同義である。）；Ｚ同士もしくはＹ同士のうち隣接した二つが相互に結合して形成される、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基；Ｚ同士もしくはＹ同士のうち隣接した二つが相互に結合して形成される、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも１つ含んでいてもよい５～６員環の脂環式炭化水素基；または、Ｚ同士もしくはＹ同士のうち隣接した二つが相互に結合して形成される、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも１つ含む、炭素数３～１４の複素芳香族炭化水素基；を表し、これらの芳香族炭化水素基、脂環式炭化水素基および複素芳香族炭化水素基は、炭素数１～９の脂肪族炭化水素基またはハロゲン原子を有してもよく、前記アミノ基、アミド基、イミド基およびシリル基は、前記置換基Ｌ'を有していてもよい。Z _a to Z _c and Y _a to Y _d are ^each independently hydrogen atom; halogen atom; hydroxyl group; carboxy group; nitro group; amino group; —SO ₂ —L ³ ; —NR ^g R ^h group ⁽ R ^g and R ^h ^{each independently represent L 2} ^or —C(O)R ⁱ group, and R ⁱ represents L ² ); -N=N−L ⁴ (L ¹ to L ^{4 have the same meanings as L 1 to L 4} ⁱⁿ ^the above R _a to R _i ); Aromatic hydrocarbon groups having 6 to 14 carbon atoms, formed by mutually bonding two adjacent ones of them; Nitrogen atom, oxygen, formed by mutually bonding two adjacent Zs or Ys 5- to 6-membered alicyclic hydrocarbon group optionally containing at least one atom or sulfur atom; or a nitrogen atom formed by binding two adjacent Zs or Ys to each other , a heteroaromatic hydrocarbon group having 3 to 14 carbon atoms containing at least one oxygen atom or sulfur atom; these aromatic hydrocarbon groups, alicyclic hydrocarbon groups and heteroaromatic hydrocarbon groups are , an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 9 carbon atoms or a halogen atom, and the amino group, amido group, imide group and silyl group may have the substituent L′.

前記Ｚ_a～Ｚ_cおよびＹ_a～Ｙ_dにおける、Ｚ同士もしくはＹ同士が相互に結合して形成される、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、アセナフチル基、フェナレニル基、テトラヒドロナフチル基、インダニル基、ビフェニリル基が挙げられる。Examples of aromatic hydrocarbon groups having 6 to 14 carbon atoms formed by mutual bonding of Zs or Ys in Z _a to Z _c and Y _a to Y _d include phenyl group and tolyl group. , xylyl group, mesityl group, cumenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, anthracenyl group, phenanthryl group, acenaphthyl group, phenalenyl group, tetrahydronaphthyl group, indanyl group and biphenylyl group.

前記Ｚ_a～Ｚ_cおよびＹ_a～Ｙ_dにおける、Ｚ同士もしくはＹ同士が相互に結合して形成される、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも１つ含んでもよい５～６員環の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基およびシクロオクチル基等のシクロアルキル基；ノルボルナン基およびアダマンタン基等の多環脂環式基；テトラヒドロフラン、ピロリン、ピロリジン、イミダゾリン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリンからなる基が挙げられる。 a 5- to 6-membered ring optionally containing at least one nitrogen atom, oxygen atom or sulfur atom, formed by mutually bonding Zs or Ys in the Z _a to Z _c and Y _a to Y _d Alicyclic hydrocarbon groups include, for example, cycloalkyl groups such as cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl and cyclooctyl; polycyclic alicyclic groups such as norbornane and adamantane; tetrahydrofuran and pyrroline. , pyrrolidine, imidazoline, piperidine , piperazine, morpholine.

前記Ｚ_a～Ｚ_cおよびＹ_a～Ｙ_dにおける、Ｚ同士もしくはＹ同士が相互に結合して形成される、炭素数３～１４の複素芳香族炭化水素基としては、例えば、フラン、チオフェン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、チアゾール、チアジアゾール、インドール、インドリン、インドレニン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、アクリジンまたはフェナジンからなる基が挙げられる。Examples of heteroaromatic hydrocarbon groups having 3 to 14 carbon atoms formed by mutual bonding between Zs or Ys in Z _a to Z _c and Y _a to Y _d include furan, thiophene, pyrrole, pyrazole, imidazole, triazole, oxazole, oxadiazole, thiazole, thiadiazole, indole, indoline, indolenine, benzofuran, benzothiophene, carbazole, dibenzofuran, dibenzothiophene, pyridine, pyrimidine, pyrazine, pyridazine, quinoline, isoquinoline, acridine or a group consisting of phenazine.

前記置換基Ｌ'を有してもよいアミノ基としては、例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基が挙げられる。 Examples of the amino group which may have the substituent L′ include an amino group, an ethylamino group, a dimethylamino group, a methylethylamino group, a dibutylamino group and a diisopropylamino group.

前記置換基Ｌ'を有してもよいアミド基としては、例えば、アミド基、メチルアミド基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジプロピルアミド基、プロピルトリフルオロメチルアミド基、ジイソプロピルアミド基、ジブチルアミド基、α－ラクタム基、β－ラクタム基、γ－ラクタム基、δ－ラクタム基が挙げられる。 Examples of the amide group which may have the substituent L′ include an amide group, a methylamide group, a dimethylamide group, a diethylamide group, a dipropylamide group, a propyltrifluoromethylamide group, a diisopropylamide group and a dibutylamide group. , α-lactam group, β-lactam group, γ-lactam group and δ-lactam group.

前記置換基Ｌ'を有してもよいイミド基としては、例えば、イミド基、メチルイミド基、エチルイミド基、ジエチルイミド基、ジプロピルイミド基、ジイソプロピルイミド基、ジブチルイミド基が挙げられる。 Examples of the imide group which may have the substituent L′ include an imide group, a methylimide group, an ethylimide group, a diethylimide group, a dipropylimide group, a diisopropylimide group, and a dibutylimide group.

前記置換基Ｌ'を有してもよいシリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリエチルシリル基が挙げられる。 Examples of the silyl group which may have the substituent L′ include trimethylsilyl group, tert-butyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group and triethylsilyl group.

前記－Ｓ－Ｌ²としては、例えば、チオール基、メチルスルフィド基、エチルスルフィド基、プロピルスルフィド基、ブチルスルフィド基、イソブチルスルフィド基、ｓｅｃ－ブチルスルフィド基、ｔｅｒｔ－ブチルスルフィド基、フェニルスルフィド基、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルスルフィド基、２，６－ジフェニルフェニルスルフィド基、４－クミルフェニルスルフィド基が挙げられる。-SL ² includes, for example, a thiol group, a methylsulfide group, an ethylsulfide group, a propylsulfide group, a butylsulfide group, an isobutylsulfide group, a sec-butylsulfide group, a tert-butylsulfide group, a phenylsulfide group, 2,6-di-tert-butylphenyl sulfide group, 2,6-diphenylphenyl sulfide group and 4-cumylphenyl sulfide group.

前記－ＳＳ－Ｌ²としては、例えば、ジスルフィド基、メチルジスルフィド基、エチルジスルフィド基、プロピルジスルフィド基、ブチルジスルフィド基、イソブチルジスルフィド基、ｓｅｃ－ブチルジスルフィド基、ｔｅｒｔ－ブチルジスルフィド基、フェニルジスルフィド基、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルジスルフィド基、２，６－ジフェニルフェニルジスルフィド基、４－クミルフェニルジスルフィド基が挙げられる。-SS-L ² includes, for example, a disulfide group, a methyl disulfide group, an ethyl disulfide group, a propyl disulfide group, a butyl disulfide group, an isobutyl disulfide group, a sec-butyl disulfide group, a tert-butyl disulfide group, a phenyl disulfide group, 2,6-di-tert-butylphenyl disulfide group, 2,6-diphenylphenyl disulfide group and 4-cumylphenyl disulfide group.

前記－ＳＯ₂－Ｌ³としては、例えば、スルホ基、メシル基、エチルスルホニル基、ｎ－ブチルスルホニル基、ｐ－トルエンスルホニル基が挙げられる。Examples of --SO ₂ --L ³ include sulfo group, mesyl group, ethylsulfonyl group, n-butylsulfonyl group and p-toluenesulfonyl group.

前記－Ｎ＝Ｎ－Ｌ⁴としては、例えば、メチルアゾ基、フェニルアゾ基、ｐ－メチルフェニルアゾ基、ｐ－ジメチルアミノフェニルアゾ基が挙げられる。-N=N-L ⁴ includes, for example, a methylazo group, a phenylazo group, a p-methylphenylazo group and a p-dimethylaminophenylazo group.

前記ポリメチン系化合物の具体例としては、前記式（Ｓ－ａ）～（Ｓ－ｃ）で表される基本骨格を有する、下記表１０に記載の（ｓ－１）～（ｓ－２４）が挙げられる。 Specific examples of the polymethine compounds include (s-1) to (s-24) described in Table 10 below, which have basic skeletons represented by the formulas (Sa) to (Sc). mentioned.

例えば、表１０の化合物（ｓ－８）において、Ｙ_bおよびＹ_cの欄にまたがって記載の「ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｅｎｅ」は、Ｙ_bおよびＹ_cが結合して、トリメチレン基を形成し、前記式（ｓ－ｂ）において、Ｚ_bに結合している炭素、Ｙ_bに結合している炭素、および、Ｙ_cに結合している炭素とともに、６員環を形成していることを意味する。
表１０中の同様の記載は同様の意味を有する。For example, in the compound (s-8) of Table 10, "trimethylene" written across the columns of Y _b and Y _c is represented by the combination of Y _b and Y _c to form a trimethylene group, the formula (s In _-b ), it means forming a 6-membered ring together with the carbon bonded to _Zb , the carbon bonded to Yb, and the carbon bonded to _Yc .
Similar descriptions in Table 10 have similar meanings.

赤外線吸収剤は、一般的に知られている方法で合成すればよく、例えば、特許第３３６６６９７号公報、特許第２８４６０９１号公報、特許第２８６４４７５号公報、特許第３７０３８６９号公報、特開昭６０－２２８４４８号公報、特開平１－１４６８４６号公報、特開平１－２２８９６０号公報、特許第４０８１１４９号公報、特開昭６３－１２４０５４号公報、「フタロシアニン－化学と機能－」（アイピーシー、１９９７年）、特開２００７－１６９３１５号公報、特開２００９－１０８２６７号公報、特開２０１０－２４１８７３号公報、特許第３６９９４６４号公報、特許第４７４０６３１号公報、国際公開第２０１３／０５４８６４号、国際公開第２０１５／０２５７７９号、国際公開第２０１７／０５１８６７号等に記載されている方法を参照して得ることができる。 The infrared absorbing agent may be synthesized by a generally known method. 228448, JP-A-1-146846, JP-A-1-228960, JP-A-4081149, JP-A-63-124054, "Phthalocyanine-Chemistry and Function-" (IPC, 1997) , JP 2007-169315, JP 2009-108267, JP 2010-241873, Patent No. 3699464, Patent No. 4740631, International Publication No. 2013/054864, International Publication No. 2015/ 025779, International Publication No. 2017/051867, and the like.

〈紫外線吸収剤〉
前記紫外線吸収剤としては、例えば、アゾメチン系化合物、インドール系化合物、トリアゾール系化合物、トリアジン系化合物、オキサゾール系化合物、メロシアニン系化合物、シアニン系化合物、ナフタルイミド系化合物、オキサジアゾール系化合物、オキサジン系化合物、オキサゾリジン系化合物、ナフタル酸系化合物、スチリル系化合物、アントラセン系化合物、環状カルボニル系化合物が挙げられる。<Ultraviolet absorber>
Examples of the ultraviolet absorber include azomethine-based compounds, indole-based compounds, triazole-based compounds, triazine-based compounds, oxazole-based compounds, merocyanine-based compounds, cyanine-based compounds, naphthalimide-based compounds, oxadiazole-based compounds, and oxazine-based compounds. compounds, oxazolidine-based compounds, naphthalic acid-based compounds, styryl-based compounds, anthracene-based compounds, and cyclic carbonyl-based compounds.

前記紫外線吸収剤は、好ましくは３５０～４１０ｎｍ、より好ましくは３６０～４０５ｎｍ、さらに好ましくは３７０～４００ｎｍの範囲に吸収極大波長を有する。前記範囲に吸収極大波長を有する紫外線吸収剤を用いることで、要件（Ｋ）を満たす光学フィルターを容易に得ることができる。
前記吸収極大波長は、紫外線吸収剤をジクロロメタン中に溶解させた溶液を用いて測定することができる。The ultraviolet absorber preferably has a maximum absorption wavelength in the range of 350-410 nm, more preferably 360-405 nm, still more preferably 370-400 nm. An optical filter that satisfies the requirement (K) can be easily obtained by using an ultraviolet absorber having a maximum absorption wavelength within the above range.
The absorption maximum wavelength can be measured using a solution in which an ultraviolet absorber is dissolved in dichloromethane.

〈吸収層〉
前記基板は、前記吸収層を有することがより好ましい。該吸収層は、基板に１層含まれていてもよく、２層以上含まれていてもよい。２層以上含まれる場合、該吸収層は連続していてもよく、他の層を介していてもよく、例えば、前記支持基板の一方の面側のみに存在していてもよく、前記支持基板の両面に存在していてもよい。<Absorbing layer>
More preferably, the substrate has the absorption layer. One absorption layer may be included in the substrate, or two or more layers may be included. When two or more layers are included, the absorption layer may be continuous or may have other layers interposed therebetween, for example, may be present only on one surface side of the support substrate, and the absorption layer may be present only on one side of the support substrate. may be present on both sides of the

前記基板は、前記要件（Ｈ）および（Ｊ）を満たす光学フィルターを容易に得ることができる等の点から、好ましくは波長６７０～９５０ｎｍ、より好ましくは波長６８０～９００ｎｍ、さらに好ましくは波長６８５～８００ｎｍ、特に好ましくは６９０～７６５ｎｍに吸収極大波長を有する。 The substrate preferably has a wavelength of 670 to 950 nm, more preferably a wavelength of 680 to 900 nm, and still more preferably a It has a maximum absorption wavelength of 800 nm, particularly preferably 690 to 765 nm.

前記基板が前記赤外線吸収剤を含有する場合、吸収極大波長が異なる二種以上の赤外線吸収剤を用いることが好ましい。これにより赤色付近の色の入射角依存性がより改良され、視感度補正により優れる光学フィルターを容易に得ることができる。
赤外線吸収剤は消衰係数ｋの波長依存性が固有であり、可視光で高透過率を維持し、吸収作用によって優れた視感度補正を有する吸収帯域を確保するために、ジクロロメタン中に溶解させた際に、波長６８５～７１０ｎｍに吸収極大波長λ（ＤＡ＿Ｔｍｉｎ）を有する第１の赤外線吸収剤（ＤＡ）と、波長７１０～７６５ｎｍに吸収極大波長λ（ＤＢ＿Ｔｍｉｎ）を有する第２の赤外線吸収剤（ＤＢ）とを含むことがより好ましい。これにより、可視光での高い透過率を維持しつつ、視感度補正に優れる光学フィルターを容易に得ることができる。When the substrate contains the infrared absorbing agent, it is preferable to use two or more kinds of infrared absorbing agents having different maximum absorption wavelengths. As a result, the incident angle dependence of colors near red is further improved, and an optical filter with excellent luminosity correction can be easily obtained.
The infrared absorber has a unique wavelength dependence of the extinction coefficient k, and is dissolved in dichloromethane in order to maintain high transmittance in visible light and secure an absorption band with excellent visibility correction by absorption action. At that time, a first infrared absorbent (DA) having a maximum absorption wavelength λ (DA_Tmin) at a wavelength of 685 to 710 nm and a second infrared absorbing agent (DA) having a maximum absorption wavelength λ (DB_Tmin) at a wavelength of 710 to 765 nm ( DB). As a result, it is possible to easily obtain an optical filter excellent in visibility correction while maintaining high transmittance in visible light.

赤外線吸収剤（ＤＡ）および赤外線吸収剤（ＤＢ）は、前記赤外線吸収剤より波長が所定の範囲にある赤外線吸収剤を適宜選択すればよく、特に限定されないが、特許第３３６６６９７号公報、特許第２８４６０９１号公報、特許第２８６４４７５号公報、特許第３７０３８６９号公報、特開昭６０－２２８４４８号公報、特開平１－１４６８４６号公報、特開平１－２２８９６０号公報、特許第４０８１１４９号公報、特開昭６３－１２４０５４号公報、「フタロシアニン－化学と機能－」（アイピーシー、１９９７年）、特開２００７－１６９３１５号公報、特開２００９－１０８２６７号公報、特開２０１０－２４１８７３号公報、特許第３６９９４６４号公報、特許第４７４０６３１号公報、国際公開第２０１３／０５４８６４号、国際公開第２０１５／０２５７７９号、国際公開第２０１７／０５１８６７号等に記載されている色素を選択すればよい。 The infrared absorbing agent (DA) and the infrared absorbing agent (DB) may be appropriately selected from infrared absorbing agents having a wavelength within a predetermined range, and are not particularly limited. Publications, Patent No. 2846091, Patent No. 2864475, Patent No. 3703869, JP-A-60-228448, JP-A-1-146846, JP-A-1-228960, JP-A-4081149 , JP-A-63-124054, "Phthalocyanine-Chemistry and Function-" (IPC, 1997), JP-A-2007-169315, JP-A-2009-108267, JP-A-2010-241873, A dye described in Japanese Patent No. 3699464, Japanese Patent No. 4740631, International Publication No. 2013/054864, International Publication No. 2015/025779, International Publication No. 2017/051867, etc. may be selected.

前記基板は、下記要件（Ｎ）または（Ｏ）を満たすことが好ましく、下記要件（Ｎ）および（Ｏ）を満たすことが好ましい。
要件（Ｎ）：基板の垂直方向から測定した場合の、波長７７０ｎｍの無偏光光線の透過率が６０％以下
要件（Ｏ）：基板の垂直方向から測定した場合の波長７８０～８００ｎｍの無偏光光線の平均透過率が６０％以上The substrate preferably satisfies requirements (N) or (O) below, and preferably satisfies requirements (N) and (O) below.
Requirement (N): Transmittance of non-polarized light with a wavelength of 770 nm when measured from the vertical direction of the substrate is 60% or less Requirement (O): Non-polarized light with a wavelength of 780 to 800 nm when measured from the vertical direction of the substrate The average transmittance of 60% or more

要件（Ｎ）における、波長７７０ｎｍの無偏光光線の透過率は、より好ましくは５０％以下、さらに好ましくは４６％以下である。基板が前記透過率を有していると、人間の目には見えにくい７７０ｎｍの光による赤みの画像不良を低減でき、視感度補正に優れる光学フィルターを容易に得ることができる。 The transmittance of unpolarized light with a wavelength of 770 nm in requirement (N) is more preferably 50% or less, and still more preferably 46% or less. When the substrate has the above-mentioned transmittance, it is possible to reduce reddish image defects due to light of 770 nm, which is difficult for the human eye to see, and to easily obtain an optical filter excellent in visibility correction.

要件（Ｏ）における、波長７８０～８００ｎｍの無偏光光線の平均透過率は、より好ましくは７０％以上、さらに好ましくは７５％以上、より好ましくは７７％以上、特に好ましくは９０％以上である。基板が前記透過率を有していると、光学フィルターが不要な近赤外線を吸収することによる、固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等の温度上昇をより低減することができる。 In requirement (O), the average transmittance of unpolarized light with a wavelength of 780 to 800 nm is more preferably 70% or more, still more preferably 75% or more, more preferably 77% or more, and particularly preferably 90% or more. When the substrate has the above-mentioned transmittance, it is possible to further reduce the temperature rise of the solid-state imaging device, the sensor module, the camera module, etc. due to the absorption of unnecessary near-infrared rays by the optical filter.

前記基板は、赤外線に対して吸収特性が低いことが好ましく、下記要件（Ｒ）を満たすことが好ましい。
要件（Ｒ）：波長８２０～１６００ｎｍにおいて、基板の垂直方向から測定した場合の無偏光光線の平均透過率が７０％以上
基板が前記平均透過率を有していると、光学フィルターが不要な赤外線を吸収することによる、固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等の温度上昇をより低減することができる。
前記平均透過率は、より好ましくは８０％以上、さらに好ましくは８５％以上、特に好ましくは８９％以上である。The substrate preferably has low infrared absorption characteristics, and preferably satisfies the following requirement (R).
Requirement (R): At a wavelength of 820 to 1600 nm, the average transmittance of unpolarized light when measured from the direction perpendicular to the substrate is 70% or more If the substrate has the above average transmittance, infrared rays that do not require an optical filter It is possible to further reduce the temperature rise of the solid-state imaging device, the sensor module, the camera module, etc. due to the absorption of .
The average transmittance is more preferably 80% or higher, still more preferably 85% or higher, and particularly preferably 89% or higher.

前記基板は、前記紫外線吸収剤を有し、３９０～４３０ｎｍの波長範囲において、基板の垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となることが好ましい。この範囲に透過率５０％となる光学特性を有することで、青色付近の色の入射角依存性が改良され、視感度補正により優れる光学フィルターを容易に得ることができる。また、紫外線吸収剤を有することにより、要件（Ｋ）および（Ｌ）を満たす光学フィルターを容易に得ることができるため好ましい。 It is preferable that the substrate has the ultraviolet absorber, and that the transmittance of non-polarized light is 50% in the wavelength range of 390 to 430 nm when measured from the direction perpendicular to the substrate. By having an optical characteristic of a transmittance of 50% in this range, the incident angle dependence of colors near blue is improved, and an optical filter excellent in luminosity correction can be easily obtained. In addition, it is preferable to have an ultraviolet absorber because an optical filter that satisfies the requirements (K) and (L) can be easily obtained.

＜誘電体多層膜＞
本フィルターは、図１（Ａ）のように、前記基板の一方の面に誘電体多層膜を有してもよく、図１（Ｂ）～（Ｄ）のように、複数の誘電体多層膜を有してもよい。
誘電体多層膜としては、高屈折率材料層と中屈折率材料層と低屈折率材料層から適宜選ばれる複数種の層を積層した誘電体多層膜、連続的に屈折率を変化させた構造を有する層などが挙げられる。<Dielectric multilayer film>
The present filter may have a dielectric multilayer film on one surface of the substrate as shown in FIG. 1(A), and a plurality of dielectric multilayer films as shown in FIGS. may have
As the dielectric multilayer film, a dielectric multilayer film in which a plurality of layers appropriately selected from a high refractive index material layer, a medium refractive index material layer, and a low refractive index material layer are laminated, and a structure in which the refractive index is continuously changed. and the like.

高屈折率材料層を構成する材料としては、屈折率が２．０以上の材料を用いることができ、通常、屈折率が２．０～３．６である材料が選択される。なお、本発明において、屈折率は５５０ｎｍにおける値を表す。
前記高屈折率材料層を構成する材料としては、例えば、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ランタン、酸化亜鉛、硫化亜鉛、チタン酸バリウム、ケイ素等を主成分とし、水素、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化錫および／または酸化セリウム等を少量（例えば、主成分に対して０～１０質量％）含有させたもの；環状（ポリ）オレフィン系樹脂、芳香族ポリエーテル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド（アラミド）系樹脂、ポリサルホン系樹脂、ポリエーテルサルホン系樹脂、ポリパラフェニレン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、フッ素化芳香族ポリマー系樹脂、（変性）アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シルセスキオキサン系紫外線硬化型樹脂、マレイミド系樹脂、脂環エポキシ熱硬化型樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、ポリアリレート系樹脂、アリルエステル系硬化型樹脂、アクリル系紫外線硬化型樹脂、ビニル系紫外線硬化型樹脂およびゾルゲル法により形成されたシリカを主成分とする樹脂等の樹脂に前記酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化亜鉛、硫化亜鉛、酸化インジウム、チタン酸バリウム等を分散させたものが挙げられる。A material having a refractive index of 2.0 or more can be used as a material constituting the high refractive index material layer, and a material having a refractive index of 2.0 to 3.6 is usually selected. In addition, in the present invention, the refractive index represents a value at 550 nm.
Materials constituting the high refractive index material layer include, for example, titanium oxide, zirconium oxide, tantalum oxide, niobium oxide, lanthanum oxide, zinc oxide, zinc sulfide, barium titanate, silicon, and the like. Those containing a small amount of titanium, niobium oxide, hafnium oxide, tin oxide and/or cerium oxide (for example, 0 to 10% by mass based on the main component); cyclic (poly)olefin resins, aromatic polyethers Resins, polyimide resins, polycarbonate resins, polyester resins, polyamide (aramid) resins, polysulfone resins, polyethersulfone resins, polyparaphenylene resins, polyamideimide resins, polyethylene naphthalate resins, fluorine Modified aromatic polymer resins, (modified) acrylic resins, epoxy resins, silsesquioxane ultraviolet curing resins, maleimide resins, alicyclic epoxy thermosetting resins, polyether ether ketone resins, polyarylate resins Resins such as resins, allyl ester curable resins, acrylic UV curable resins, vinyl UV curable resins, and silica-based resins formed by a sol-gel method are added to the above titanium oxide, zirconium oxide, tantalum oxide, Examples thereof include those in which niobium oxide, lanthanum oxide, yttrium oxide, zinc oxide, zinc sulfide, indium oxide, barium titanate, etc. are dispersed.

低屈折率材料層を構成する材料としては、屈折率が１．６未満の材料を用いることができ、通常、屈折率が１．２～１．６未満である材料が選択される。このような材料としては、例えば、シリカ、フッ化ランタン、フッ化マグネシウム、六フッ化アルミニウムナトリウム；環状（ポリ）オレフィン系樹脂、芳香族ポリエーテル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド（アラミド）系樹脂、ポリサルホン系樹脂、ポリエーテルサルホン系樹脂、ポリパラフェニレン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、フッ素化芳香族ポリマー系樹脂、（変性）アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シルセスキオキサン系紫外線硬化型樹脂、マレイミド系樹脂、脂環エポキシ熱硬化型樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、ポリアリレート系樹脂、アリルエステル系硬化型樹脂、アクリル系紫外線硬化型樹脂、ビニル系紫外線硬化型樹脂およびゾルゲル法により形成されたシリカを主成分とする樹脂等の樹脂；シリカ、アルミナ、フッ化ランタン、フッ化マグネシウムおよび／または六フッ化アルミニウムナトリウムを前記樹脂に分散させたものが挙げられる。 A material having a refractive index of less than 1.6 can be used as the material constituting the low refractive index material layer, and usually a material having a refractive index of 1.2 to less than 1.6 is selected. Examples of such materials include silica, lanthanum fluoride, magnesium fluoride, sodium aluminum hexafluoride; cyclic (poly)olefin-based resins, aromatic polyether-based resins, polyimide-based resins, polycarbonate-based resins, polyester-based resins. Resins, polyamide (aramid) resins, polysulfone resins, polyethersulfone resins, polyparaphenylene resins, polyamideimide resins, polyethylene naphthalate resins, fluorinated aromatic polymer resins, (modified) acrylic resins Resin, epoxy resin, silsesquioxane UV curable resin, maleimide resin, alicyclic epoxy thermosetting resin, polyether ether ketone resin, polyarylate resin, allyl ester curable resin, acrylic UV Resins such as curable resins, vinyl-based ultraviolet curable resins, and resins mainly composed of silica formed by a sol-gel method; and those dispersed in

中屈折率材料層を構成する材料としては、屈折率が１．６以上２．０未満の材料を用いることができる。このような材料としては、例えば、アルミナ、酸化ビスマス、酸化ユーロピウム、酸化イットリウム、酸化イッテルビウム、酸化サマリウム、酸化インジウム、酸化マグネシウム、酸化モリブデン；これらの材料と前記高屈折率材料層の材料および／または前記低屈折率材料層の材料とを混合したもの；前記高屈折率材料層の材料と前記低屈折率材料層の材料を混合したものが挙げられる。 A material having a refractive index of 1.6 or more and less than 2.0 can be used as the material forming the medium refractive index material layer. Examples of such materials include alumina, bismuth oxide, europium oxide, yttrium oxide, ytterbium oxide, samarium oxide, indium oxide, magnesium oxide, and molybdenum oxide; /or a mixture of the material of the low refractive index material layer; and a mixture of the material of the high refractive index material layer and the material of the low refractive index material layer.

前記誘電体多層膜は、１～１００ｎｍ程度の金属層および／または半導体層を有してもよい。これらの層を構成する材料としては、屈折率が０．１～５．０の材料を用いることができる。このような材料としては、金、銀、銅、亜鉛、アルミニウム、タングステン、チタン、マグネシウム、ニッケル、シリコン、水素化シリコン、ゲルマニウムが挙げられる。これら金属層および半導体層は、可視光領域の波長の消衰係数が高い傾向にあるため、これらの層を設ける場合には、厚みが１～２０ｎｍ程度の薄い層であることが好ましい。 The dielectric multilayer film may have a metal layer and/or a semiconductor layer with a thickness of about 1 to 100 nm. A material having a refractive index of 0.1 to 5.0 can be used as a material constituting these layers. Such materials include gold, silver, copper, zinc, aluminum, tungsten, titanium, magnesium, nickel, silicon, silicon hydride and germanium. Since these metal layers and semiconductor layers tend to have high extinction coefficients at wavelengths in the visible light region, when these layers are provided, they are preferably thin layers with a thickness of about 1 to 20 nm.

高屈折率材料層、中屈折率材料層および／または低屈折率材料層を積層する方法については、これらの材料層を積層した誘電体多層膜が形成される限り特に制限はない。例えば、基板上に、直接、ＣＶＤ法、スパッタ法、真空蒸着法、イオンアシスト蒸着法またはイオンプレーティング法等により、高屈折率材料層と低屈折率材料層とを交互に積層した誘電体多層膜を形成することができる。樹脂を含む層を積層する場合、前述の基板の成形方法と同様に溶融成形またはキャスト成形などにより、好ましくはスピンコート、ディップコート、スリットコート、グラビアコートなどにより形成することができる。 The method of stacking the high refractive index material layer, the medium refractive index material layer and/or the low refractive index material layer is not particularly limited as long as a dielectric multilayer film is formed by stacking these material layers. For example, a dielectric multilayer in which a high refractive index material layer and a low refractive index material layer are alternately laminated directly on a substrate by a CVD method, a sputtering method, a vacuum deposition method, an ion-assisted deposition method, an ion plating method, or the like. A film can be formed. When laminating a layer containing a resin, it can be formed by melt molding or cast molding, preferably by spin coating, dip coating, slit coating, gravure coating, or the like, in the same manner as the substrate molding method described above.

前記誘電体多層膜は、各層を構成する材料種、各層の厚さ、積層の順番、ならびに積層数等を適切に選択することで、その光学特性を調整することができる。
前記誘電体多層膜は、波長１２００～１６００ｎｍ以下の赤外線に高い反射率を有することが好ましく、下記要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たすことがより好ましい。The optical properties of the dielectric multilayer film can be adjusted by appropriately selecting the kind of material constituting each layer, the thickness of each layer, the order of lamination, the number of lamination, and the like.
The dielectric multilayer film preferably has a high reflectance to infrared rays having a wavelength of 1200 to 1600 nm or less, and more preferably satisfies the following requirements (P) and (Q).

要件（Ｐ）：波長７２０～１１００ｎｍにおいて、誘電体多層膜の垂直方向から測定した場合の無偏光光線の平均透過率が１０％以下である
要件（Ｐ）を満たすことにより、本フィルターを固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等に使用した場合、人間の目に見えにくい、または見えない近赤外線を遮蔽することができ、良好な画像や、距離情報等を容易に得ることができる。また、誘電体多層膜によれば、光を吸収するのではなく反射することにより遮蔽できるため、撮像装置やモジュール等の温度上昇を抑制でき、暗電流を抑制することができる。
前記平均透過率は、好ましくは６％以下、より好ましくは２％以下である。前記平均透過率は、低ければ低い方が好ましく、例えば、下限は０％である。Requirement (P): At a wavelength of 720 to 1100 nm, the average transmittance of unpolarized light when measured from the vertical direction of the dielectric multilayer film is 10% or less. When used in devices, sensor modules, camera modules, etc., it can block near-infrared rays that are difficult or invisible to the human eye, making it possible to easily obtain good images and distance information. Moreover, according to the dielectric multilayer film, since light can be shielded by reflecting rather than by absorbing it, it is possible to suppress the temperature rise of the imaging device, the module, and the like, and to suppress the dark current.
The average transmittance is preferably 6% or less, more preferably 2% or less. The lower the average transmittance, the better. For example, the lower limit is 0%.

要件（Ｑ）：波長１２００～１６００ｎｍにおいて、誘電体多層膜の垂直方向から測定した場合の無偏光光線の平均透過率が１０％以下である
要件（Ｑ）を満たすことにより、本フィルターを固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等に使用した場合、外光による撮像装置やモジュール等の温度上昇を抑制でき、暗電流を抑制することができる。
また、要件（Ｑ）を満たすフィルターを用いることで、波長１２００～１６００ｎｍを用いるＬＩＤＡＲを備えた被写体を撮像した場合であっても、該被写体が発する光によって、固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等が破壊される現象を抑制することができる。
前記平均透過率は、好ましくは６％以下、より好ましくは２％以下である。前記平均透過率は、低ければ低い方が好ましく、例えば、下限は０％である。Requirement (Q): At a wavelength of 1200 to 1600 nm, the average transmittance of non-polarized light when measured from the vertical direction of the dielectric multilayer film is 10% or less. When used in devices, sensor modules, camera modules, etc., it is possible to suppress temperature rises in imaging devices, modules, etc. due to external light, and to suppress dark current.
In addition, by using a filter that satisfies the requirement (Q), even when an object equipped with a LIDAR using a wavelength of 1200 to 1600 nm is imaged, the light emitted by the object is used to detect the solid-state imaging device, sensor module, camera module. etc. can be suppressed.
The average transmittance is preferably 6% or less, more preferably 2% or less. The lower the average transmittance, the better. For example, the lower limit is 0%.

光学フィルターに含まれる多数の誘電体多層膜のうち、一つの誘電体多層膜のみが、要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たしてもよいが、より好ましくは光学フィルターが有する全ての誘電体多層膜を併せた特性として要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たす。 Of the many dielectric multilayer films contained in the optical filter, only one dielectric multilayer film may satisfy requirements (P) and (Q), but more preferably all dielectric multilayer films possessed by the optical filter It satisfies the requirements (P) and (Q) as properties of the combined film.

前記要件（Ｐ）や（Ｑ）を満たす誘電体多層膜は、高屈折率材料層、中屈折率材料層および低屈折率材料層を構成する材料種、これら各層の厚さ、積層の順番、ならびに、積層数を、基板を含めた誘電体多層膜の等価アドミタンスＹ_Eを元に適切に選択することで形成することができる。The dielectric multilayer film that satisfies the above requirements (P) and (Q) includes the types of materials constituting the high refractive index material layer, the medium refractive index material layer, and the low refractive index material layer, the thickness of each layer, the order of lamination, Also, the number of laminations can be appropriately selected based on the equivalent admittance Y _E of the dielectric multilayer film including the substrate.

光学フィルターの入射側に設けたＬ層からなる反射防止層の等価アドミタンスＹ_Eは以下の式で表される。The equivalent admittance Y _E of the antireflection layer consisting of the L layer provided on the incident side of the optical filter is expressed by the following formula.

前記式中、Ｍ_jは、光が入射する最初の膜を１番目とし、基板側に向かってｊ番目に位置する層の特性マトリクスであり、ｎ_mは基板の屈折率である。Ｍ_jは以下の式で表される。where _M _j is the characteristic matrix of the j-th layer toward the substrate side, with the first film on which light is incident being number one, and nm is the refractive index of the substrate. M _j is represented by the following formula.

前記式中、ｎ_jはｊ番目の層の屈折率であり、ｄ_jはｊ番目の層の物理膜厚であり、λは光の波長であり、ｉは複素数を表す。where n _j is the refractive index of the j-th layer, d _j is the physical thickness of the j-th layer, λ is the wavelength of light, and i represents a complex number.

光学フィルターの出射側に設けたｑ層からなる反射防止層の等価アドミタンスＹ'_Eは、入射側の等価アドミタンスと同様に、以下の式で表される。The equivalent admittance Y' _E of the antireflection layer consisting of the q layers provided on the output side of the optical filter is expressed by the following formula, similarly to the equivalent admittance on the incident side.

前記式中、Ｍ_j'は、光が出射する最後の層（出射側最外層）を１番目とし、基板側に向かって第ｊ層目に位置する層の特性マトリクスであり、ｎ_mは基板の屈折率である。Ｍ_j'は以下の式で表される。In the above formula, _M _j ' is the characteristic matrix of the layer located on the j-th layer toward the substrate side, with the last layer from which light is emitted (the outermost layer on the output side) being the first layer, and nm being the substrate. is the refractive index of M _j ' is represented by the following equation.

前記式中、ｎ_jはj番目の層の屈折率であり、ｄ_jはj番目の層の物理膜厚であり、λは光の波長であり、iは複素数を表す。where n _j is the refractive index of the j-th layer, d _j is the physical thickness of the j-th layer, λ is the wavelength of light, and i represents a complex number.

前記条件を最適化するには、例えば、光学薄膜設計ソフト（例えば、ＥｓｓｅｎｔｉａｌＭａｃｌｅｏｄ、ＴｈｉｎＦｉｌｍＣｅｎｔｅｒ社製）を用い、反射防止機能を発現したい可視光領域の等価アドミタンスを低く、かつ赤外線領域の等価アドミタンスを高く得られるようにパラメーターを設定すればよい。ここで、光学フィルターが有する光の入射面側および出射面側の誘電体多層膜の設計に関し、以下の式で表される、基板を含めた誘電体多層膜の等価アドミタンスと空気の屈折率との差の絶対値（Δｎ）は、反射防止機能を発現したい波長において、好ましくは０．４以下、より好ましくは０．３以下、さらに好ましくは０．２以下である。また反射機能を発現したい波長においては、好ましくは２．０以上、より好ましくは１０以上、さらに好ましくは２０以上である。 In order to optimize the conditions, for example, optical thin film design software (e.g., Essential Macleod, manufactured by Thin Film Center) is used to reduce the equivalent admittance in the visible light region where the antireflection function is desired, and the equivalent admittance in the infrared region. The parameters should be set so that a high admittance can be obtained. Here, regarding the design of the dielectric multilayer film on the light incident surface side and the light output surface side of the optical filter, the equivalent admittance of the dielectric multilayer film including the substrate and the refractive index of air, which are represented by the following equations, The absolute value of the difference (Δn) is preferably 0.4 or less, more preferably 0.3 or less, and even more preferably 0.2 or less at the wavelength at which the antireflection function is desired. Moreover, the wavelength at which the reflection function is desired is preferably 2.0 or more, more preferably 10 or more, and even more preferably 20 or more.

また、波長４４０～５８０ｎｍの可視光透過率が高く、かつ、波長１２００～１６００ｎｍの赤外線透過率が低い等価アドミタンスを両立する誘電体多層膜を得るために、光学膜厚５～８０ｎｍの薄膜層を、好ましくは４層以上、より好ましくは１０層以上、特に好ましくは１４層以上有することが望ましい。前記光学膜厚とは、（層の物理膜厚）×（層の屈折率の実部）で表される物理量である。光学膜厚５～８０ｎｍの薄膜層を有することで、反射帯域の波長の１／３の波長の透過率の低下を抑制することができ、波長４４０～５８０ｎｍの可視光透過率が高い誘電体多層膜が得られる。また、波長１２００～１６００ｎｍの赤外線透過率が低い等価アドミタンスを有する誘電体多層膜を得るために、光学膜厚２５０～４００ｎｍの層を好ましくは１４層以上、より好ましくは１６層以上、さらに好ましくは１８層以上有することが望ましい。 Further, in order to obtain a dielectric multilayer film having both high visible light transmittance at a wavelength of 440 to 580 nm and low infrared transmittance at a wavelength of 1200 to 1600 nm and equivalent admittance, a thin film layer having an optical thickness of 5 to 80 nm is used. , preferably 4 or more layers, more preferably 10 or more layers, particularly preferably 14 or more layers. The optical film thickness is a physical quantity represented by (physical film thickness of layer)×(real part of refractive index of layer). By having a thin film layer with an optical thickness of 5 to 80 nm, it is possible to suppress a decrease in transmittance at a wavelength of 1/3 of the wavelength of the reflection band, and a dielectric multilayer having a high visible light transmittance at a wavelength of 440 to 580 nm A membrane is obtained. Further, in order to obtain a dielectric multilayer film having a low equivalent admittance of infrared transmittance at a wavelength of 1200 to 1600 nm, the layers having an optical thickness of 250 to 400 nm are preferably 14 layers or more, more preferably 16 layers or more, more preferably 16 layers or more. It is desirable to have 18 or more layers.

また、波長４４０～５８０ｎｍの可視光透過率が高く、かつ、波長７２０～１１００ｎｍの赤外線透過率が低い等価アドミタンスを両立する誘電体多層膜を得るために、波長７２０～１１００ｎｍの１／４の波長に相当する光学膜厚１８０～２７５ｎｍの層を好ましくは１４層以上、より好ましくは１６層以上、さらに好ましくは１８層以上有することが望ましい。 In addition, in order to obtain a dielectric multilayer film having a high visible light transmittance at a wavelength of 440 to 580 nm and a low infrared transmittance at a wavelength of 720 to 1100 nm and equivalent admittance, a wavelength of 1/4 of the wavelength of 720 to 1100 nm It is desirable to have preferably 14 or more layers, more preferably 16 or more layers, still more preferably 18 or more layers having an optical thickness of 180 to 275 nm corresponding to .

例えば、波長４４０～５８０ｎｍの可視光透過率が高く、かつ、波長１２００～１６００ｎｍの近赤外線透過率が低い等価アドミタンスを両立する誘電体多層膜と、４４０～５８０ｎｍの可視光透過率が高く、かつ、波長７２０～１１００ｎｍの赤外線透過率が低い等価アドミタンスを両立する誘電体多層膜と、基板を適切に組み合わせることで、要件（Ａ）、要件（Ｂ）、要件（Ｃ）を満たすことができる。 For example, a dielectric multilayer film having a high visible light transmittance at a wavelength of 440 to 580 nm and a low equivalent admittance with a low near infrared transmittance at a wavelength of 1200 to 1600 nm, and a high visible light transmittance at a wavelength of 440 to 580 nm, and Requirement (A), requirement (B), and requirement (C) can be satisfied by appropriately combining a dielectric multilayer film that achieves both equivalent admittance with low infrared transmittance at a wavelength of 720 to 1100 nm and a substrate.

ここで、誘電体多層膜と反射率Ｒは以下の式で表される関係にある。 Here, the relationship between the dielectric multilayer film and the reflectance R is represented by the following formula.

前記式中、ｎ₀は入射媒質の屈折率、（）^*は( )内の複素共役を表す。
前記式より、光学フィルターの空気中の反射率Ｒを測定することにより、光学フィルターが有する基板を含めた誘電体多層膜の等価アドミタンスを求めることができる。求められる等価アドミタンスは共役解であるが、どちらの共役解もΔｎが前記範囲であることが好ましい。In the above formula, n ₀ represents the refractive index of the incident medium, and ( ) ^* represents the complex conjugate in ( ).
From the above equation, the equivalent admittance of the dielectric multilayer film including the substrate of the optical filter can be obtained by measuring the reflectance R of the optical filter in air. Although the equivalent admittance to be obtained is a conjugate solution, it is preferable that Δn is within the above range for both conjugate solutions.

＜その他の機能膜＞
本フィルターは、本発明の効果を損なわない範囲において、基板と誘電体多層膜との間、基板の誘電体多層膜が設けられた面と反対側の面、または誘電体多層膜の基板が設けられた面と反対側の面に、基板や誘電体多層膜の表面硬度の向上、耐薬品性の向上、帯電防止、傷消しなどの目的で、反射防止層、ハードコート膜、帯電防止膜などの機能膜を適宜設けることができる。
本フィルターは、前記機能膜を１層含んでもよく、２層以上含んでもよい。本フィルターが前記機能膜を２層以上含む場合には、同様の層を２層以上含んでもよいし、異なる層を２層以上含んでもよい。<Other functional films>
In the present filter, a dielectric multilayer substrate is provided between the substrate and the dielectric multilayer film, the surface opposite to the substrate provided with the dielectric multilayer film, or the substrate of the dielectric multilayer film, as long as the effects of the present invention are not impaired. Antireflection layer, hard coat film, antistatic film, etc. are applied to the surface opposite to the coated surface for the purpose of improving the surface hardness of the substrate or dielectric multilayer film, improving chemical resistance, antistatic, scratch erasing, etc. can be provided as appropriate.
The present filter may include one layer of the functional membrane, or may include two or more layers. When the present filter contains two or more layers of the functional membrane, it may contain two or more similar layers or two or more different layers.

機能膜を積層する方法としては特に制限されないが、反射防止剤、ハードコート剤および／または帯電防止剤等のコーティング剤などを基板や誘電体多層膜に、前記と同様に溶融成形またはキャスト成形する方法等を挙げることができる。 The method of laminating the functional film is not particularly limited, but a coating agent such as an antireflection agent, a hard coating agent and/or an antistatic agent is melt-molded or cast-molded onto a substrate or dielectric multilayer film in the same manner as described above. methods and the like.

また、前記コーティング剤などを含む硬化性組成物をバーコーター等で基板や誘電体多層膜上に塗布した後、紫外線照射等により硬化することによっても製造することができる。 It can also be produced by applying a curable composition containing the coating agent and the like onto a substrate or a dielectric multilayer film using a bar coater or the like, and then curing the composition by ultraviolet irradiation or the like.

前記コーティング剤としては、紫外線（ＵＶ）／電子線（ＥＢ）硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などが挙げられ、具体的には、ビニル化合物類や、ウレタン系、ウレタンアクリレート系、アクリレート系、エポキシ系およびエポキシアクリレート系樹脂などが挙げられる。これらのコーティング剤を含む前記硬化性組成物としては、ビニル系、ウレタン系、ウレタンアクリレート系、アクリレート系、エポキシ系およびエポキシアクリレート系硬化性組成物などが挙げられる。 Examples of the coating agent include ultraviolet (UV)/electron beam (EB) curable resins and thermosetting resins. Specifically, vinyl compounds, urethane, urethane acrylate, acrylate, epoxy and epoxy acrylate resins. Examples of the curable composition containing these coating agents include vinyl-based, urethane-based, urethane-acrylate-based, acrylate-based, epoxy-based and epoxy-acrylate-based curable compositions.

前記硬化性組成物は重合開始剤を含んでいてもよい。該重合開始剤としては、公知の光重合開始剤や熱重合開始剤を用いることができ、光重合開始剤と熱重合開始剤を併用してもよい。
重合開始剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。The curable composition may contain a polymerization initiator. As the polymerization initiator, a known photopolymerization initiator or thermal polymerization initiator can be used, and a photopolymerization initiator and a thermal polymerization initiator may be used in combination.
A polymerization initiator may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types.

前記硬化性組成物中、重合開始剤の配合割合は、硬化性組成物の全量を１００質量％とした場合、好ましくは０．１～１０質量％、より好ましくは０．５～１０質量％、さらに好ましくは１～５質量％である。重合開始剤の配合割合が前記範囲にあると、硬化性組成物の硬化特性および取り扱い性に優れ、所望の硬度を有する反射防止層、ハードコート膜、帯電防止膜などの機能膜を容易に得ることができる。 In the curable composition, the mixing ratio of the polymerization initiator is preferably 0.1 to 10% by mass, more preferably 0.5 to 10% by mass, when the total amount of the curable composition is 100% by mass. More preferably, it is 1 to 5% by mass. When the blending ratio of the polymerization initiator is within the above range, the curable composition has excellent curing characteristics and handleability, and functional films such as antireflection layers, hard coat films, and antistatic films having desired hardness can be easily obtained. be able to.

前記硬化性組成物には有機溶剤を加えてもよく、有機溶剤としては、公知の溶剤を使用することができる。有機溶剤の具体例としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエステル類；エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のエーテル類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン等のアミド類を挙げることができる。
これら溶剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。An organic solvent may be added to the curable composition, and known solvents can be used as the organic solvent. Specific examples of organic solvents include alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol, butanol and octanol; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and cyclohexanone; ethyl acetate, butyl acetate, ethyl lactate, γ-butyrolactone and propylene. esters such as glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether acetate; ethers such as ethylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monobutyl ether; aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene; dimethylformamide, dimethylacetamide, N- Amides such as methylpyrrolidone can be mentioned.
These solvents may be used singly or in combination of two or more.

前記機能膜の厚さは、好ましくは０．９～３０μｍ、さらに好ましくは０．９～２０μｍ、特に好ましくは０．９～５μｍである。 The thickness of the functional membrane is preferably 0.9-30 μm, more preferably 0.9-20 μm, and particularly preferably 0.9-5 μm.

また、基板と機能膜および／または誘電体多層膜との密着性や、機能膜と誘電体多層膜との密着性を上げる目的で、基板、機能膜または誘電体多層膜の表面にコロナ処理やプラズマ処理等の表面処理をしてもよい。 For the purpose of improving the adhesion between the substrate and the functional film and/or the dielectric multilayer film and the adhesion between the functional film and the dielectric multilayer film, the surface of the substrate, the functional film or the dielectric multilayer film may be subjected to corona treatment or the like. Surface treatment such as plasma treatment may be performed.

＜光学フィルターの用途＞
本フィルターは、薄く、優れた視感度補正特性を有し、かつ中赤外線領域にわたるカット特性を有し、暗電流抑制効果を有する。したがって、カメラモジュール等の固体撮像素子の視感度補正用として有用である。特に、ブラックシリコンや有機光電変換素子を有する撮像素子に有用であり、デジタルスチルカメラ、携帯電話用カメラ、スマートフォン用カメラ、デジタルビデオカメラ、ＰＣカメラ、監視カメラ、自動車用カメラ、テレビ、カーナビ、携帯情報端末、パソコン、ビデオゲーム機、携帯ゲーム機、指紋認証システム、環境光センサー、距離測定センサー、虹彩認証システム、顔認証システム、距離測定カメラ、デジタルミュージックプレーヤー等に有用である。 <Uses of optical filters>
This filter is thin, has excellent visibility correction characteristics, cuts across the mid-infrared region, and has a dark current suppression effect. Therefore, it is useful for visibility correction of a solid-state imaging device such as a camera module. In particular, it is useful for imaging devices having black silicon or organic photoelectric conversion elements, and is useful for digital still cameras, mobile phone cameras, smartphone cameras, digital video cameras, PC cameras, surveillance cameras, automobile cameras, televisions, car navigation systems, and mobile phones. It is useful for information terminals, personal computers, video game machines , portable game machines, fingerprint authentication systems, ambient light sensors, distance measurement sensors, iris authentication systems, face authentication systems, distance measurement cameras, digital music players, and the like.

本フィルターを撮像装置や各種モジュールに用いる場合の各部材の配置の一例を図５に示す。この図５では、本フィルター１は、レンズ３２、撮像素子（イメージセンサー）２４と共に構成される。光学フィルター１は図５（Ａ）のようにレンズの前方に位置しても、図５（Ｂ）のようにレンズの後方に位置してもよい。また、本フィルターは、図６（Ａ）のようにフレネルゾーンプレート、フレネルレンズなどのレンズとしての役割を有する光学素子３３を用いたレンズレスの固体撮像装置やモジュールに用いてもよい。 FIG. 5 shows an example of arrangement of each member when this filter is used in an imaging device or various modules. In FIG. 5, the main filter 1 is configured with a lens 32 and an imaging device (image sensor) 24 . The optical filter 1 may be positioned in front of the lens as shown in FIG. 5(A) or behind the lens as shown in FIG. 5(B). The present filter may also be used in a lensless solid-state imaging device or module using an optical element 33 such as a Fresnel zone plate or a Fresnel lens that functions as a lens, as shown in FIG. 6A.

前記カメラモジュールやセンサーモジュールとしては、例えば、本フィルターを具備し、イメージセンサーや焦点調整機構、位相検出機構、距離測定機構、虹彩認証機構、静脈認証機構、顔認証機構、血流量計、酸化型または還元型ヘモグロビン量計、植生指数計等を備え、画像や情報を電気信号として出力する装置が挙げられる。このようなモジュールとしては、図５のようにレンズを有する構成でもよいし、図６のようにレンズを有さない構成でもよい。 As the camera module or sensor module, for example, this filter is equipped with an image sensor, focus adjustment mechanism, phase detection mechanism, distance measurement mechanism, iris authentication mechanism, vein authentication mechanism, face authentication mechanism, blood flow meter, oxidation type Alternatively, a device that includes a reduced hemoglobin amount meter, a vegetation index meter, and the like, and outputs images and information as electrical signals may be used. Such a module may have a configuration having a lens as shown in FIG. 5, or may have a configuration having no lens as shown in FIG.

前記固体撮像素子を構成する部材としては、シリコン、ブラックシリコン、有機光電変換膜などの特定の波長の光を電荷に変換する光電変換素子が使用される。本フィルターは、ブラックシリコンや有機光電変換膜などの暗電流の抑制が難しい固体撮像素子を用いる用途に好適に用いられる。 Photoelectric conversion elements such as silicon, black silicon, and organic photoelectric conversion films, which convert light of a specific wavelength into electric charges, are used as members constituting the solid-state imaging device. This filter is suitably used for applications using solid-state imaging devices such as black silicon and organic photoelectric conversion films in which it is difficult to suppress dark current.

［ブラックシリコン］
本フィルターを用いた撮像装置の受光部にはブラックシリコンを用いてもよい。ブラックシリコンは、例えば、シリコンウエハに、特定の雰囲気下でレーザー照射することにより、シリコン表面に微小スパイクを形成することで得ることができる。ブラックシリコンを用いた場合、シリコンフォトダイオードを用いた場合に比べ、近赤外線領域の受光感度が高くなる等のため、ブラックシリコンは、近赤外線を用いた撮像素子により好適に用いられる。
ブラックシリコンを用いたＣＭＯＳの市販品としては、ＳｉＯｎｙｘ社ＸＱＥシリーズ等が挙げられる。 [Black Silicon]
Black silicon may be used for the light-receiving part of the imaging device using this filter. Black silicon can be obtained, for example, by irradiating a silicon wafer with a laser under a specific atmosphere to form minute spikes on the silicon surface. When black silicon is used, the light receiving sensitivity in the near-infrared region is higher than in the case of using a silicon photodiode. Therefore, black silicon is preferably used for imaging devices using near-infrared rays.
Commercially available CMOS products using black silicon include XQE series manufactured by SiOnyx.

［有機光電変換膜］
本フィルターを用いた撮像装置の受光部には、有機光電変換膜を用いてもよい。有機光電変換膜とは、特定の波長の光を吸収し、電流または電圧を生じる有機製の膜である。シリコンフォトダイオードを用いた撮像素子では、可視域または近赤外線領域に吸収を持つため、画素ごとにカラーフィルターを用いて光を減衰する必要があるが、有機光電変換膜では、特定の波長毎に感度を持つ画素を作製することができることから、光を減衰する必要が不要となり、色再現性向上等の点でより好ましい。有機光電変換膜を用いた撮像素子は、国際公開第２０１６／１１７３８１号、国際公開第２０１７／０７７７９０号等に記載の方法で得ることができる。[Organic photoelectric conversion film]
An organic photoelectric conversion film may be used in the light-receiving section of an imaging device using this filter. An organic photoelectric conversion film is an organic film that absorbs light of a specific wavelength and generates current or voltage. Image sensors using silicon photodiodes have absorption in the visible or near-infrared region, so it is necessary to attenuate light using a color filter for each pixel. Since pixels having sensitivity can be produced, it is unnecessary to attenuate light, which is more preferable in terms of improvement in color reproducibility and the like. An imaging device using an organic photoelectric conversion film can be obtained by methods described in International Publication No. 2016/117381, International Publication No. 2017/077790, and the like.

［暗電流］
暗電流とは、撮像素子に全く光が当たっていない状態でも撮像素子に生じる電流であり、ランダムな電気信号として出力される。そのため、ノイズとして画像不良を招く。光電変換素子のギャップが小さい場合、価電子帯の電子が熱的に励起されて伝導帯に分布しやすいことが暗電流発生の原因となる。暗電流は撮像装置や各種モジュールの構造、材料によって異なるが、例えば次式のように近似できる場合がある。[Dark current]
A dark current is a current generated in an image pickup device even when the image pickup device is not exposed to light, and is output as a random electrical signal. Therefore, an image defect is caused as noise. When the gap of the photoelectric conversion element is small, the electrons in the valence band are thermally excited and tend to be distributed in the conduction band, which causes the generation of dark current. The dark current varies depending on the structures and materials of the imaging device and various modules, but may be approximated by the following equation, for example.

Ｉ（ｔ）:暗電流、Ｃ:ピクセルの受光面積に関する定数、Ｔ:絶対温度、Ｅｇ:光電変換素子のエネルギーバンドギャップ、ｋ:ボルツマン定数

I(t): dark current, C: constant related to light receiving area of pixel, T: absolute temperature, Eg: energy bandgap of photoelectric conversion element, k: Boltzmann constant

式（１４）のとおり、暗電流は通常、温度が上昇するにつれ増加する傾向にある。そのため、温度上昇を抑制することは暗電流抑制の一手段となる。本フィルターは、視感度補正に優れることに加え、赤外線領域の広い範囲に高い反射特性を有し、外光による温度上昇を抑制することができるため、暗電流抑制効果を有すると考えられる。 As shown in equation (14), dark current usually tends to increase as temperature rises. Therefore, suppressing the temperature rise is one means of suppressing the dark current. In addition to being excellent in luminosity correction, this filter has high reflection characteristics over a wide range of the infrared region, and can suppress temperature rise due to external light, so it is considered to have a dark current suppressing effect.

以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されない。なお、「部」は、特に断りのない限り「質量部」を意味する。また、各物性値の測定方法および物性の評価方法は以下のとおりである。 EXAMPLES The present invention will be described in more detail below based on examples, but the present invention is by no means limited to these examples. In addition, "parts" means "parts by mass" unless otherwise specified. In addition, the method for measuring each physical property value and the method for evaluating physical properties are as follows.

＜分子量＞
樹脂の分子量は、東ソー（株）製ＧＰＣ装置（ＨＬＣ－８２２０型、カラム：ＴＳＫｇｅｌα－Ｍ、展開溶剤：ＴＨＦ）を用い、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）を測定した。<Molecular weight>
The molecular weight of the resin is determined using a GPC apparatus manufactured by Tosoh Corporation (HLC-8220, column: TSKgelα-M, developing solvent: THF), and the weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn) in terms of standard polystyrene. It was measured.

＜ガラス転移温度（Ｔｇ）＞
エスアイアイ・ナノテクノロジーズ（株）製の示差走査熱量計（ＤＳＣ６２００）を用いて、昇温速度：毎分２０℃、窒素気流下で測定した。<Glass transition temperature (Tg)>
Using a differential scanning calorimeter (DSC6200) manufactured by SII Nano Technologies Co., Ltd., the temperature was measured at a rate of temperature increase of 20°C per minute under a nitrogen stream.

＜分光透過率＞
光学フィルターの各波長域における透過率は、（株）日立ハイテクノロジーズ製の分光光度計（Ｕ－４１００）を用いて測定した。
ここで、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の透過率は、図２（Ａ）のように、光学フィルター１の面に対して垂直方向から光５を入射し、垂直方向に透過した光５を分光光度計６で測定し、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の透過率は、図２（Ｂ）のように、光学フィルター１の面の垂直方向に対して３０°の角度から光５'を入射し、垂直方向に対して３０°の角度で透過した光５'を分光光度計６で測定した。
なお、波長Ａ～Ｂｎｍの平均透過率は、Ａｎｍ以上Ｂｎｍ以下の、１ｎｍ刻みの各波長における透過率を測定し、その透過率の合計を、測定した透過率の数（波長範囲、Ｂ－Ａ＋１）で除した値により算出した。
誘電体多層膜が有する分光透過率は、光学薄膜設計ソフトＥｓｓｅｎｔｉａｌＭａｃｌｅｏｄを用いて、基板の屈折率、誘電体多層膜の各層の屈折率、消衰係数および各層の膜厚を元に計算した。無偏光光線の透過率は、Ｓ偏光透過率とＰ偏光透過率の平均より算出した値を用いた。 <Spectral transmittance>
The transmittance of the optical filter in each wavelength region was measured using a spectrophotometer (U-4100) manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation.
Here, the transmittance when measured from the vertical direction of the optical filter is, as shown in FIG. is measured with a spectrophotometer 6, and the transmittance when measured from an angle of 30° with respect to the vertical direction of the optical filter is, as shown in FIG. The light 5′ was incident at an angle of 30°, and the transmitted light 5′ at an angle of 30° with respect to the vertical direction was measured by the spectrophotometer 6. FIG.
In addition, the average transmittance of wavelengths A to B nm is obtained by measuring the transmittance at each wavelength in 1 nm increments from An nm to B nm, and calculating the total transmittance as the number of measured transmittances (wavelength range, BA + 1 ).
The spectral transmittance of the dielectric multilayer film was calculated using the optical thin film design software Essential Macleod based on the refractive index of the substrate, the refractive index and extinction coefficient of each layer of the dielectric multilayer film, and the film thickness of each layer. A value calculated from the average of the S-polarized light transmittance and the P-polarized light transmittance was used as the transmittance of non-polarized light.

＜分光反射率＞
光学フィルターの各波長域における反射率は、（株）日立ハイテクノロジーズ製の分光光度計（Ｕ－４１００）を用いて測定した。
ここで、光学フィルターの垂直方向に対して５°の角度から入射する光の反射率は、図３のように光学フィルター１の垂直方向に対して５°の角度で入射する光が反射した光１１を分光光度計６で測定した。
なお、波長Ａ～Ｂｎｍの平均反射率は、Ａｎｍ以上Ｂｎｍ以下の、１ｎｍ刻みの各波長における反射率を測定し、その反射率の合計を、測定した反射率の数（波長範囲、Ｂ－Ａ＋１）で除した値により算出した。無偏光光線の反射率は、Ｓ偏光反射率とＰ偏光反射率の平均より算出した値を用いた。<Spectral reflectance>
The reflectance of the optical filter in each wavelength region was measured using a spectrophotometer (U-4100) manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation.
Here, the reflectance of light incident at an angle of 5° with respect to the vertical direction of the optical filter is the light reflected from the light incident at an angle of 5° with respect to the vertical direction of the optical filter 1 as shown in FIG. 11 was measured with a spectrophotometer 6.
In addition, the average reflectance of wavelengths A to B nm is obtained by measuring the reflectance at each wavelength of 1 nm or less from A nm to B nm, and the total reflectance is the number of measured reflectances (wavelength range, BA + 1 ). A value calculated from the average of the S-polarized reflectance and the P-polarized reflectance was used as the reflectance of non-polarized light.

＜暗電流抑制効果＞
暗電流抑制効果の指標として、光学フィルターを介して透過した光によるセンサーの温度上昇量を測定した。
ここで、光源は林時計工業（株）製ルミナーエースＬＡ－１５０ＴＸとライトガイドＱＬＧＣ１－８Ｌ１０００－Ｒ１８を用い、光源（ライトガイドの先）をイメージセンサーより２ｃｍの距離の位置に固定し、イメージセンサーとして、ソニー（株）製ＤＳＣ－ＷＸ１０に内蔵の撮像素子を用い、温度計には横河計測（株）製ディジタル温度計ＴＸ－１０を用い、図４の位置関係で、１０分間光を照射後の温度を測定した。評価は室温２３℃湿度６０％の環境下において、光学フィルターをセットしていない状態で測定した温度上昇よりも４．５℃以上温度抑制効果が得られたものを○、４．５℃未満のものを×とした。<Dark current suppression effect>
As an index of the dark current suppression effect, the amount of temperature rise of the sensor due to light transmitted through the optical filter was measured.
Here, Luminar Ace LA-150TX manufactured by Hayashi Tokei Kogyo Co., Ltd. and a light guide QLGC1-8L1000-R18 were used as the light source, and the light source (tip of the light guide) was fixed at a position 2 cm away from the image sensor. As an image sensor built in DSC-WX10 manufactured by Sony Corporation, a digital thermometer TX-10 manufactured by Yokogawa Measurement Co., Ltd. is used as a thermometer, and light is irradiated for 10 minutes in the positional relationship shown in FIG. Later temperatures were measured. Evaluation was performed in an environment with room temperature of 23°C and humidity of 60%. The thing was set to x.

下記実施例で用いた赤外線吸収色素は、一般的に知られている方法で合成した。当該合成方法としては、例えば、特許第３３６６６９７号公報、特許第２８４６０９１号公報、特許第２８６４４７５号公報、特許第３７０３８６９号公報、特開昭６０－２２８４４８号公報、特開平１－１４６８４６号公報、特開平１－２２８９６０号公報、特許第４０８１１４９号公報、特開昭６３－１２４０５４号公報、「フタロシアニン－化学と機能―」（アイピーシー、１９９７年）、特開２００７－１６９３１５号公報、特開２００９－１０８２６７号公報、特開２０１０－２４１８７３号公報、特許第３６９９４６４号公報、特許第４７４０６３１号公報に記載されている方法を挙げることができる。 The infrared absorbing dyes used in the following examples were synthesized by a generally known method. As the synthesis method, for example, Japanese Patent No. 3366697, Japanese Patent No. 2846091, Japanese Patent No. 2864475, Japanese Patent No. 3703869, JP-A-60-228448, JP-A-1-146846, Patent JP 1-228960, JP 4081149, JP 63-124054, "Phthalocyanine-Chemistry and Function-" (IPC, 1997), JP 2007-169315, JP 2009- 108267, JP-A-2010-241873, Japanese Patent No. 3699464, and Japanese Patent No. 4740631.

＜樹脂合成例１＞
下記式（８）で表される８－メチル－８－メトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］ドデカ－３－エン（以下「ＤＮＭ」ともいう。）１００部、１－ヘキセン（分子量調節剤）１８部およびトルエン（開環重合反応用溶媒）３００部を、窒素置換した反応容器に仕込み、この溶液を８０℃に加熱した。次いで、反応容器内の溶液に、重合触媒として、トリエチルアルミニウムのトルエン溶液（０．６ｍｏｌ／リットル）０．２部と、メタノール変性の六塩化タングステンのトルエン溶液（濃度０．０２５ｍｏｌ／リットル）０．９部とを添加し、この溶液を８０℃で３時間加熱撹拌することにより開環重合反応させて、開環重合体溶液を得た。この重合反応における重合転化率は９７％であった。<Resin Synthesis Example 1>
8-methyl-8-methoxycarbonyltetracyclo[4.4.0.1 ^2,5 . 1 ^7,10 ]dodeca-3-ene (hereinafter also referred to as “DNM”) 100 parts, 1-hexene (molecular weight modifier) 18 parts and toluene (solvent for ring-opening polymerization reaction) 300 parts were replaced with nitrogen. A vessel was charged and the solution was heated to 80°C. Next, 0.2 part of a toluene solution of triethylaluminum (0.6 mol/liter) and 0.2 part of a toluene solution of methanol-modified tungsten hexachloride (concentration: 0.025 mol/liter) were added as polymerization catalysts to the solution in the reaction vessel. 9 parts were added, and this solution was heated and stirred at 80° C. for 3 hours to carry out ring-opening polymerization reaction to obtain a ring-opening polymer solution. The polymerization conversion rate in this polymerization reaction was 97%.

このようにして得られた開環重合体溶液１，０００部をオートクレーブに仕込み、この開環重合体溶液に、ＲｕＨＣｌ（ＣＯ）［Ｐ（Ｃ₆Ｈ₅）₃］₃を０．１２部添加し、水素ガス圧１００ｋｇ／ｃｍ²、反応温度１６５℃の条件下で、３時間加熱撹拌して水素添加反応を行った。得られた反応溶液（水素添加重合体溶液）を冷却した後、水素ガスを放圧した。この反応溶液を大量のメタノール中に注いで凝固物を分離回収し、これを乾燥して、水素添加重合体（以下「樹脂Ａ」ともいう。）を得た。得られた樹脂Ａは、Ｍｎが３２，０００、Ｍｗが１３７，０００であり、Ｔｇが１６５℃であった。An autoclave was charged with 1,000 parts of the ring-opened polymer solution thus obtained, and 0.12 part of RuHCl(CO)[P(C ₆ H ₅ ) ₃ ] ₃ was added to the ring-opened polymer solution. Then, under the conditions of a hydrogen gas pressure of 100 kg/cm ² and a reaction temperature of 165° C., a hydrogenation reaction was carried out by heating and stirring for 3 hours. After cooling the resulting reaction solution (hydrogenated polymer solution), hydrogen gas was released. This reaction solution was poured into a large amount of methanol to separate and recover a solidified product, which was dried to obtain a hydrogenated polymer (hereinafter also referred to as "resin A"). The resulting Resin A had an Mn of 32,000, an Mw of 137,000, and a Tg of 165°C.

［実施例１］
実施例１では、ガラス製支持基板を基板とする光学フィルターを以下の手順および条件で作製した。
ホウケイ酸塩系ガラス製支持基板（ショット日本（株）製Ｄ２６３、厚み０．１ｍｍ、基板の光学特性は表１６に記載）の両面にイオンアシスト真空蒸着装置を用い、蒸着温度１２０℃で、表１１に記載の設計１の、要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たす誘電体多層膜［シリカ（ＳｉＯ₂：５５０ｎｍの光の屈折率１．４５）層とチタニア（ＴｉＯ₂：５５０ｎｍの光の屈折率２．４５）層とが交互に積層されてなるもの］を形成し、厚さ０．１１ｍｍの光学フィルター１を得た。
なお、表１１に記載の設計１における膜厚は物理膜厚を表す。また、表１６の要件（Ｐ）および（Ｑ）の結果は、光学フィルターに含まれる誘電体多層膜全ての合計の光学特性を示す。以下同様。[Example 1]
In Example 1, an optical filter having a support substrate made of glass as a substrate was produced under the following procedures and conditions.
An ion-assisted vacuum deposition apparatus was used on both sides of a support substrate made of borosilicate glass (D263 manufactured by Schott Japan Co., Ltd., thickness 0.1 mm, the optical properties of the substrate are shown in Table 16) at a deposition temperature of 120°C. 11. Dielectric multilayer film that satisfies requirements (P) and (Q) of design 1 described in 11 [silica (SiO ₂ : refractive index of light at 550 nm 1.45) layer and titania (TiO ₂ : refractive index of light at 550 nm 2.45) layer] was formed to obtain an optical filter 1 having a thickness of 0.11 mm.
Note that the film thickness in Design 1 shown in Table 11 represents the physical film thickness. Also, the results of requirements (P) and (Q) in Table 16 show the total optical properties of all the dielectric multilayer films included in the optical filter. Same below.

得られた光学フィルター１の光学特性を表１６に示す。光学フィルター１は、要件（Ａ）、（Ｃ）、（Ｊ）および（Ｍ）を満たし、高い可視光透過率、斜め入射時の緑色の色味変化が少ない良好な特性、近赤外線の遮光特性を有し、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性を有していた。また、光学フィルター１は、要件（Ｂ）、（Ｆ）および（Ｇ）を満たし、赤外線遮蔽性能を有し、かつ低い吸収特性を有し、暗電流抑制効果評価の結果、光学フィルターをセットしていない状態の温度上昇よりも４．５℃以上温度抑制効果が得られた。 Table 16 shows the optical properties of the obtained optical filter 1. The optical filter 1 satisfies the requirements (A), (C), (J) and (M), and has high visible light transmittance, good characteristics such as little change in green color when obliquely incident, and near-infrared light shielding characteristics. and had the characteristic of correcting the luminosity of the imaging device and the human eye. In addition, the optical filter 1 satisfies the requirements (B), (F) and (G), has infrared shielding performance, and has low absorption characteristics. A temperature suppression effect of 4.5°C or more was obtained compared to the temperature rise in the state in which the heater was not installed.

［実施例２］
実施例２では、赤外線吸収剤を含有する樹脂製の吸収層を有する基板を含む光学フィルターを以下の手順および条件で作製した。
下記硬化性組成物溶液（１）をホウケイ酸塩系ガラス支持基板（ショット日本（株）製、Ｄ２６３、厚み０．１ｍｍ）上にスピンコートで塗布した後、ホットプレート上にて、８０℃で２分間加熱することで溶剤を揮発除去し、後述する吸収層との接着層として機能する樹脂層を形成した。この際、該樹脂層の膜厚が０．８μｍ程度となるようにスピンコーターの塗布条件を調整した。[Example 2]
In Example 2, an optical filter including a substrate having a resin absorption layer containing an infrared absorbing agent was produced by the following procedure and conditions.
After applying the following curable composition solution (1) onto a borosilicate glass support substrate (manufactured by Schott Japan Co., Ltd., D263, thickness 0.1 mm) by spin coating, on a hot plate at 80 ° C. By heating for 2 minutes, the solvent was volatilized and removed to form a resin layer functioning as an adhesive layer with an absorption layer, which will be described later. At this time, the coating conditions of the spin coater were adjusted so that the film thickness of the resin layer was about 0.8 μm.

硬化性組成物溶液（１）：イソシアヌル酸エチレンオキサイド変性トリアクリレート（商品名：アロニックスＭ－３１５、東亜合成（株）製）３０質量部、１，９－ノナンジオールジアクリレート２０質量部、メタクリル酸２０質量部、メタクリル酸グリシジル３０質量部、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン５質量部、１－ヒドロキシシクロヘキシルベンゾフェノン（商品名：ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ（株）製）５質量部、および、サンエイドＳＩ－１１０主剤（三新化学工業（株）製）１質量部を混合し、固形分濃度が５０質量％になるようにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解した後、孔径０．２μｍのミリポアフィルタでろ過した溶液 Curable composition solution (1): isocyanuric acid ethylene oxide-modified triacrylate (trade name: Aronix M-315, manufactured by Toagosei Co., Ltd.) 30 parts by mass, 1,9-nonanediol diacrylate 20 parts by mass, methacrylic acid 20 parts by mass, 30 parts by mass of glycidyl methacrylate, 5 parts by mass of 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 5 parts by mass of 1-hydroxycyclohexylbenzophenone (trade name: IRGACURE 184, manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.), and , San-Aid SI-110 main agent (manufactured by Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.) 1 part by mass, dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate so that the solid content concentration is 50% by mass, and then Millipore with a pore size of 0.2 μm filtered solution

容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａ１００部、化合物（Ａ）０．４８０部およびジクロロメタンを加えて樹脂濃度が８質量％の溶液（Ａ２）を調製した。次に、前記樹脂層上に、アプリケーターを用いて前記溶液（Ａ２）を乾燥後の膜厚が１０μｍとなるような条件で塗布し、ホットプレート上にて、８０℃で５分間加熱し、さらに減圧下１００℃で２時間溶剤を揮発除去後、コンベア式露光機を用いて露光（露光量：１Ｊ／ｃｍ²、照度：２００ｍＷ）した後、オーブン中１８０℃で５分間焼成し、赤外線吸収剤を含有する樹脂製の吸収層を有する厚み０．１１ｍｍの基板を形成した。なお、前記化合物（Ａ）の濃度および吸収層の膜厚は、基板の光学特性が表１６に記載の特性となるように設定した値である。100 parts of Resin A obtained in Resin Synthesis Example 1, 0.480 parts of Compound (A) and dichloromethane were added to a container to prepare a solution (A2) having a resin concentration of 8% by mass. Next, on the resin layer, the solution (A2) is applied using an applicator under conditions such that the film thickness after drying is 10 μm, heated on a hot plate at 80 ° C. for 5 minutes, and further After removing the solvent by volatilization at 100° C. for 2 hours under reduced pressure, exposure was performed using a conveyor type exposure machine (exposure amount: 1 J/cm ² , illuminance: 200 mW), followed by baking in an oven at 180° C. for 5 minutes. A substrate having a thickness of 0.11 mm and a resin absorption layer containing was formed. The concentration of the compound (A) and the film thickness of the absorption layer are values set so that the optical properties of the substrate are those shown in Table 16.

得られた基板を、イオンアシスト真空蒸着装置を用い、蒸着温度１２０℃で、表１１に記載の設計２の、要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たす誘電体多層膜［シリカ（ＳｉＯ₂：５５０ｎｍの光の屈折率１．４５）層とチタニア（ＴｉＯ₂：５５０ｎｍの光の屈折率２．４５）層とが交互に積層されてなるもの］を形成し、厚さ０．１２ｍｍの光学フィルター２を得た。
なお、表１１に記載の設計２における膜厚は物理膜厚を表す。The resulting substrate was coated with an ion-assisted vacuum deposition apparatus at a deposition temperature of 120° C. to form a dielectric multilayer film [silica (SiO ₂ : 550 nm and titania (TiO ₂ : refractive index 2.45 for light at 550 nm) layer], and an optical filter 2 having a thickness of 0.12 mm got
Note that the film thickness in Design 2 shown in Table 11 represents the physical film thickness.

得られた光学フィルター２の光学特性を表１６に示す。光学フィルター２は、要件（Ａ）、（Ｃ）、（Ｅ）、（Ｈ）、（Ｊ）および（Ｍ）を満たし、高い可視光透過率、斜め入射時の緑色、赤色の色味変化が少ない良好な特性、近赤外線の遮光特性を有し、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性を有していた。また、光学フィルター２は、要件（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）および（Ｇ）を満たし、赤外線遮蔽性能を有し、かつ低い吸収特性を有し、暗電流抑制効果評価の結果、光学フィルターをセットしていない状態の温度上昇よりも４．５℃以上温度抑制効果が得られた。 Table 16 shows the optical properties of the obtained optical filter 2. The optical filter 2 satisfies the requirements (A), (C), (E), (H), (J) and (M), has a high visible light transmittance, and has a green and red color change at oblique incidence. It has good properties of low light, near-infrared ray shielding properties, and has the property of correcting the luminosity of the imaging device and the human eye. In addition, the optical filter 2 satisfies the requirements (B), (E), (F) and (G), has infrared shielding performance and low absorption characteristics, and as a result of dark current suppression effect evaluation, optical A temperature suppression effect of 4.5°C or more was obtained compared to the temperature rise in the state where the filter was not set.

［実施例３］
実施例３では、２種の赤外線吸収剤を含有する樹脂製の吸収板を基板とする光学フィルターを以下の手順および条件で作製した。
容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａ１００部、化合物（Ｂ）０．０３４部、化合物（Ｃ）０．０９５部およびジクロロメタンを加えて樹脂濃度が２０質量％の溶液を調製した。得られた溶液をホウケイ酸塩系ガラス支持体（ショット日本（株）製、Ｄ２６３、厚み０．１ｍｍ）上にキャストし、６０℃で８時間乾燥し、さらに減圧下１４０℃で８時間乾燥した後、該支持体から剥離することで、赤外線吸収剤を含有する厚み０．１ｍｍの樹脂製の吸収板（基板）を得た。なお、前記化合物（Ｂ）および（Ｃ）の濃度ならびに吸収板の膜厚は、基板の光学特性が表１６に記載の要件（Ｎ）、（Ｏ）および（Ｒ）を満たすように設定した値である。[Example 3]
In Example 3, an optical filter having a substrate made of a resin-made absorbing plate containing two kinds of infrared absorbing agents was produced under the following procedure and conditions.
100 parts of Resin A obtained in Resin Synthesis Example 1, 0.034 parts of Compound (B), 0.095 parts of Compound (C) and dichloromethane were added to a container to prepare a solution having a resin concentration of 20% by mass. The resulting solution was cast on a borosilicate glass support (manufactured by Schott Japan Co., Ltd., D263, thickness 0.1 mm), dried at 60°C for 8 hours, and further dried at 140°C under reduced pressure for 8 hours. Thereafter, by peeling off from the support, a 0.1 mm-thick resin absorption plate (substrate) containing an infrared absorbing agent was obtained. The concentrations of the compounds (B) and (C) and the film thickness of the absorbing plate are values set so that the optical properties of the substrate satisfy the requirements (N), (O) and (R) shown in Table 16. is.

得られた基板を、イオンアシスト真空蒸着装置を用い、蒸着温度１２０℃で、表１１に記載の設計３の、要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たす誘電体多層膜［シリカ（ＳｉＯ₂：５５０ｎｍの光の屈折率１．４５）層とチタニア（ＴｉＯ₂：５５０ｎｍの光の屈折率２．４５）層とが交互に積層されてなるもの］を形成し、厚さ０．１０８ｍｍの光学フィルター３を得た。
なお、表１１に記載の設計３における膜厚は物理膜厚を表す。The resulting substrate was coated with an ion-assisted vacuum deposition apparatus at a deposition temperature of 120° C. to obtain a dielectric multilayer film [silica (SiO ₂ : 550 nm layer with a refractive index of 1.45 for light and titania (TiO ₂ : layer with a refractive index of 2.45 for light at 550 nm) are alternately laminated], and an optical filter 3 having a thickness of 0.108 mm got
Note that the film thickness in Design 3 shown in Table 11 represents the physical film thickness.

得られた光学フィルター３の光学特性を表１６および図７に示す。光学フィルター３は、要件（Ａ）、（Ｃ）、（Ｅ）、（Ｈ）、（Ｊ）、（Ｍ）、（Ｋ）および（Ｌ）を満たし、高い可視光透過率、斜め入射時の青色、緑色、赤色の色味変化が少ない良好な特性を有し、近赤外線の遮光特性を有し、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性を有していた。特に基板は前記赤外線吸収剤（ＤＡ）および（ＤＢ）を含み、赤色の入射角依存性が非常に少ない光学フィルターであった。また、光学フィルター３は、要件（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）および（Ｇ）を満たし、赤外線遮蔽性能を有し、かつ低い吸収特性を有し、暗電流抑制効果評価の結果、光学フィルターをセットしていない状態の温度上昇よりも４．５℃以上温度抑制効果が得られた。 The optical properties of the obtained optical filter 3 are shown in Table 16 and FIG. The optical filter 3 satisfies the requirements (A), (C), (E), (H), (J), (M), (K) and (L), has high visible light transmittance, It had good characteristics such that there was little change in color tones of blue, green, and red, had near-infrared ray shielding characteristics, and had characteristics of correcting the visual sensitivity of the imaging device and human eyes. In particular, the substrate contained the infrared absorbers (DA) and (DB), and was an optical filter with very little incident angle dependence of red. In addition, the optical filter 3 satisfies requirements (B), (E), (F) and (G), has infrared shielding performance, and has low absorption characteristics. A temperature suppression effect of 4.5°C or more was obtained compared to the temperature rise in the state where the filter was not set.

［実施例４］
実施例４では、２種の赤外線吸収剤および紫外線吸収剤を含有する樹脂製の吸収板を基板とする光学フィルターを以下の手順および条件で作製した。
容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａ１００部、化合物（Ｂ）０．０３４部、化合物（Ｃ）０．０９５部、化合物（Ｆ）０．０４５部およびジクロロメタンを加えて樹脂濃度が２０質量％の溶液を調製した。得られた溶液をホウケイ酸塩系ガラス支持体（ショット日本（株）製、Ｄ２６３、厚み０．１ｍｍ）上にキャストし、６０℃で８時間乾燥し、さらに減圧下１４０℃で４時間乾燥した後、該支持体から剥離することで、赤外線吸収剤および紫外線吸収剤を含有する厚み０．１ｍｍの樹脂製の吸収板（基板）を得た。なお、前記化合物（Ｂ）、（Ｃ）および（Ｆ）の濃度ならびに吸収板の膜厚は、基板の光学特性が表１６に記載の要件（Ｎ）、（Ｏ）および（Ｒ）を満たすように設定した値である。[Example 4]
In Example 4, an optical filter having a substrate made of a resin absorbing plate containing two types of infrared absorbent and ultraviolet absorbent was produced under the following procedure and conditions.
100 parts of Resin A obtained in Resin Synthesis Example 1, 0.034 parts of Compound (B), 0.095 parts of Compound (C), 0.045 parts of Compound (F) and dichloromethane were added to a container to adjust the resin concentration to A 20% by weight solution was prepared. The resulting solution was cast on a borosilicate glass support (manufactured by Schott Japan Co., Ltd., D263, thickness 0.1 mm), dried at 60°C for 8 hours, and further dried at 140°C under reduced pressure for 4 hours. After that, by peeling from the support, a resin absorption plate (substrate) having a thickness of 0.1 mm and containing an infrared absorbent and an ultraviolet absorbent was obtained. The concentrations of the compounds (B), (C) and (F) and the film thickness of the absorbing plate are adjusted so that the optical properties of the substrate satisfy the requirements (N), (O) and (R) shown in Table 16. is the value set in

得られた基板を、イオンアシスト真空蒸着装置を用い、蒸着温度１２０℃で、表１２に記載の設計４の、要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たす誘電体多層膜［シリカ（ＳｉＯ₂：５５０ｎｍの光の屈折率１．４５）層とチタニア（ＴｉＯ₂：５５０ｎｍの光の屈折率２．４５）層とが交互に積層されてなるもの、図１１に記載の設計光学特性］を形成し、厚さ０．１１ｍｍの光学フィルター４を得た。
なお、表１２に記載の設計４における膜厚は物理膜厚を表す。The resulting substrate was coated with an ion-assisted vacuum deposition apparatus at a deposition temperature of 120° C. to form a dielectric multilayer film [silica (SiO ₂ : 550 nm and a layer of titania (TiO ₂ : refractive index of light at 550 nm: 2.45) layer alternately laminated, design optical characteristics shown in FIG. 11], An optical filter 4 having a thickness of 0.11 mm was obtained.
Note that the film thickness in Design 4 shown in Table 12 represents the physical film thickness.

得られた光学フィルター４の光学特性を表１６に示す。光学フィルター４は、要件（Ａ）、（Ｃ）、（Ｅ）、（Ｈ）、（Ｊ）、（Ｍ）、（Ｋ）および（Ｌ）を満たし、高い可視光透過率、斜め入射時の青色、緑色、赤色の色味変化が少ない良好な特性を有し、近赤外線の遮光特性を有し、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性を有していた。特に要件（Ｋ）および（Ｌ）において、λ０（ＵＶ）が４２１ｎｍ以下であり、高い青色透過率特性と、λ３０（ＵＶ）－λ０（ＵＶ）が３．４ｎｍであり、青色の入射角依存性は高入射角では透過率が下がる特性を有しており、緑色、赤色の入射角依存性と整合し、色味の入射角依存性が非常に少ない光学フィルターであった。また、光学フィルター４は、要件（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）および（Ｇ）を満たし、赤外線遮蔽性能を有し、かつ低い吸収特性を有し、暗電流抑制効果評価の結果、光学フィルターをセットしていない状態の温度上昇よりも４．５℃以上温度抑制効果が得られた。 Table 16 shows the optical characteristics of the obtained optical filter 4. The optical filter 4 satisfies the requirements (A), (C), (E), (H), (J), (M), (K) and (L), has high visible light transmittance, It had good characteristics such that there was little change in color tones of blue, green, and red, had near-infrared ray shielding characteristics, and had characteristics of correcting the visual sensitivity of the imaging device and human eyes. Especially in the requirements (K) and (L), λ0 (UV) is 421 nm or less, high blue transmittance characteristics, λ30 (UV) - λ0 (UV) is 3.4 nm, and blue incident angle dependence has the characteristic that the transmittance decreases at high incident angles, which is consistent with the incident angle dependence of green and red, and is an optical filter with very little incident angle dependence of color. In addition, the optical filter 4 satisfies requirements (B), (E), (F) and (G), has infrared shielding performance, and has low absorption characteristics. A temperature suppression effect of 4.5°C or more was obtained compared to the temperature rise in the state where the filter was not set.

［実施例５］
実施例５では、赤外線吸収剤を含有する樹脂製の吸収板を基板とする光学フィルターを以下の手順および条件で作製した。
容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａ１００部、化合物（Ｂ）０．１４７部およびジクロロメタンを加えて樹脂濃度が２０質量％の溶液を調製した。得られた溶液をホウケイ酸塩系ガラス支持体（ショット日本（株）製、Ｄ２６３、厚み０．１ｍｍ）上にキャストし、６０℃で８時間乾燥し、さらに減圧下１４０℃で４時間乾燥した後、該支持体から剥離することで、赤外線吸収剤を含有する厚み０．０５ｍｍの樹脂製の吸収板（基板）を得た。なお、前記化合物（Ｂ）の濃度および吸収板の膜厚は、基板の光学特性が表１６に記載の特性となるように設定した値である。[Example 5]
In Example 5, an optical filter having a resin absorption plate containing an infrared absorbing agent as a substrate was produced by the following procedure and conditions.
100 parts of Resin A obtained in Resin Synthesis Example 1, 0.147 parts of Compound (B) and dichloromethane were added to a container to prepare a solution having a resin concentration of 20% by mass. The resulting solution was cast on a borosilicate glass support (manufactured by Schott Japan Co., Ltd., D263, thickness 0.1 mm), dried at 60°C for 8 hours, and further dried at 140°C under reduced pressure for 4 hours. After that, by peeling off from the support, a 0.05 mm-thick resin absorption plate (substrate) containing an infrared absorber was obtained. The concentration of the compound (B) and the film thickness of the absorbing plate are values set so that the optical properties of the substrate are those shown in Table 16.

得られた基板を、イオンアシスト真空蒸着装置を用い、蒸着温度１２０℃で、表１２に記載の設計５の、要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たす誘電体多層膜［シリカ（ＳｉＯ₂：５５０ｎｍの光の屈折率１．４５）層とチタニア（ＴｉＯ₂：５５０ｎｍの光の屈折率２．４５）層とが交互に積層されてなるもの］を形成し、厚さ０．０５８ｍｍの光学フィルター５を得た。
なお、表１２に記載の設計５における膜厚は物理膜厚を表す。The resulting substrate was coated with an ion-assisted vacuum deposition apparatus at a deposition temperature of 120° C. to obtain a dielectric multilayer film [silica (SiO ₂ : 550 nm layer with a refractive index of 1.45 for light and titania (TiO ₂ : layer with a refractive index of 2.45 for light at 550 nm) are alternately laminated], and an optical filter 5 having a thickness of 0.058 mm got
Note that the film thickness in Design 5 shown in Table 12 represents the physical film thickness.

得られた光学フィルター５の光学特性を表１６に示す。光学フィルター５は、要件（Ａ）、（Ｃ）、（Ｅ）、（Ｈ）、（Ｊ）および（Ｍ）を満たし、高い可視光透過率、斜め入射時の青色、緑色、赤色の色味変化が少ない良好な特性を有し、近赤外線の遮光特性を有し、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性を有していた。また、光学フィルター５は、要件（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）および（Ｇ）を満たし、赤外線遮蔽性能を有し、かつ低い吸収特性を有し、暗電流抑制効果評価の結果、光学フィルターをセットしていない状態の温度上昇よりも４．５℃以上温度抑制効果が得られた。 Table 16 shows the optical characteristics of the obtained optical filter 5. The optical filter 5 satisfies requirements (A), (C), (E), (H), (J) and (M), has high visible light transmittance, and has blue, green, and red tints at oblique incidence. It had good characteristics with little change, had near-infrared ray shielding characteristics, and had characteristics of correcting the visual sensitivity of the imaging device and human eyes. In addition, the optical filter 5 satisfies the requirements (B), (E), (F) and (G), has infrared shielding performance, and has low absorption characteristics. A temperature suppression effect of 4.5°C or more was obtained compared to the temperature rise in the state where the filter was not set.

［実施例６］
実施例６では、２種の赤外線吸収剤および紫外線吸収剤を含有する樹脂製の吸収層を有する基板を含み、近赤外線７５０～１０００ｎｍに透過帯を有する光学フィルターを以下の手順および条件で作製した。
前記硬化性組成物溶液（１）をホウケイ酸塩系ガラス支持基板（ショット日本（株）製、Ｄ２６３、厚み０．０５ｍｍ）上にスピンコートで塗布した後、ホットプレート上にて、８０℃で２分間加熱することで溶剤を揮発除去し、後述する吸収層との接着層として機能する樹脂層を形成した。この際、該樹脂層の膜厚が０．８μｍ程度となるようにスピンコーターの塗布条件を調整した。[Example 6]
In Example 6, an optical filter including a substrate having a resin absorption layer containing two types of infrared absorbers and an ultraviolet absorber and having a transmission band in the near infrared range of 750 to 1000 nm was produced by the following procedures and conditions. .
After applying the curable composition solution (1) onto a borosilicate glass support substrate (manufactured by Schott Japan Co., Ltd., D263, thickness 0.05 mm) by spin coating, on a hot plate at 80 ° C. By heating for 2 minutes, the solvent was volatilized and removed to form a resin layer functioning as an adhesive layer with an absorption layer, which will be described later. At this time, the coating conditions of the spin coater were adjusted so that the film thickness of the resin layer was about 0.8 μm.

容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａ１００部、化合物（Ｂ）０．３３８部、化合物（Ｃ）０．９４５部、化合物（Ｆ）０．７５０部およびジクロロメタンを加えて樹脂濃度が２０質量％の溶液（Ａ６）を調製した。次に、前記樹脂層上に、アプリケーターを用いて前記溶液（Ａ６）を乾燥後の膜厚が１０μｍとなるような条件で塗布し、ホットプレート上にて、８０℃で５分間加熱し、さらに減圧下１００℃で２時間溶剤を揮発除去後、コンベア式露光機を用いて露光（露光量：１Ｊ／ｃｍ²、照度：２００ｍＷ）した後、オーブン中１８０℃で５分間焼成することで、赤外線吸収剤および紫外線吸収剤を含有する樹脂製の吸収層を有する厚み０．０６ｍｍの基板を得た。なお、前記化合物（Ｂ）、（Ｃ）および（Ｆ）の濃度ならびに吸収層の膜厚は、基板の光学特性が表１６に記載の要件（Ｎ）、（Ｏ）および（Ｒ）を満たすように設定した値である。100 parts of resin A obtained in Resin Synthesis Example 1, 0.338 parts of compound (B), 0.945 parts of compound (C), 0.750 parts of compound (F) and dichloromethane were added to a container to adjust the resin concentration to A 20% by weight solution (A6) was prepared. Next, on the resin layer, the solution (A6) is applied using an applicator under conditions such that the film thickness after drying is 10 μm, heated on a hot plate at 80 ° C. for 5 minutes, and further After removing the solvent by volatilization at 100° C. for 2 hours under reduced pressure, exposure was performed using a conveyor type exposure machine (exposure amount: 1 J/cm ² , illuminance: 200 mW), followed by baking in an oven at 180° C. for 5 minutes to obtain an infrared ray. A substrate having a thickness of 0.06 mm and having a resin absorption layer containing an absorbent and an ultraviolet absorbent was obtained. The concentrations of the compounds (B), (C) and (F) and the film thickness of the absorption layer are adjusted so that the optical properties of the substrate satisfy the requirements (N), (O) and (R) shown in Table 16. is the value set in

得られた基板を、イオンアシスト真空蒸着装置を用い、蒸着温度１２０℃で、表１２に記載の設計６の、要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たす誘電体多層膜［シリカ（ＳｉＯ₂：５５０ｎｍの光の屈折率１．４５）層と酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅：５５０ｎｍの光の屈折率２．１４）層とが交互に積層されてなるもの］を形成し、厚さ０．０７１ｍｍの光学フィルター６を得た。
なお、表１２に記載の設計６における膜厚は物理膜厚を表す。The resulting substrate was coated with an ion-assisted vacuum deposition apparatus at a deposition temperature of 120° C. to obtain a dielectric multilayer film [silica (SiO ₂ : 550 nm and a tantalum oxide (Ta ₂ O ₅ : refractive index of 550 nm light: 2.14) layer], and a thickness of 0.071 mm. An optical filter 6 was obtained.
Note that the film thickness in Design 6 shown in Table 12 represents the physical film thickness.

得られた光学フィルター６の光学特性を表１６および図８に示す。光学フィルター６は、要件（Ａ）を満たし、高い可視光透過率を有し、要件（Ｂ）および（Ｇ）を満たし、赤外線遮蔽性能を有し、要件（Ａ）、（Ｄ）、（Ｈ）、（Ｊ）、（Ｍ）、（Ｋ）および（Ｌ）を満たし、高い可視光透過率、斜め入射時の青色、緑色、赤色の色味変化が少ない良好な特性を有し、近赤外線の遮光特性を有し、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性を有していた。特に要件（Ｄ）において、波長７５０～１０００ｎｍにおいて透過率が５０％以上となる透過帯域が波長９３０～９４７ｎｍの１８ｎｍであり、近赤外線センサーとして波長９３０～９４７ｎｍに高い感度と、該透過帯域以外の波長７２０～１１００ｎｍの近赤外線における遮蔽性を両立した光学フィルターであった。また、光学フィルター６は、要件（Ｂ）、（Ｆ）および（Ｇ）を満たし、赤外線遮蔽性能を有し、かつ低い吸収特性を有し、暗電流抑制効果評価の結果、光学フィルターをセットしていない状態の温度上昇よりも４．５℃以上温度抑制効果が得られた。 The optical properties of the obtained optical filter 6 are shown in Table 16 and FIG. The optical filter 6 satisfies requirement (A), has high visible light transmittance, satisfies requirements (B) and (G), has infrared shielding performance, and satisfies requirements (A), (D), (H ), (J), (M), (K) and (L), and has good properties such as high visible light transmittance, little change in blue, green, and red colors under oblique incidence, and near-infrared and has a characteristic of correcting the visibility of the imaging device and human eyes. Especially in the requirement (D), the transmission band at which the transmittance is 50% or more at a wavelength of 750 to 1000 nm is 18 nm at a wavelength of 930 to 947 nm. It was an optical filter that satisfactorily shielded near-infrared rays with a wavelength of 720 to 1100 nm. In addition, the optical filter 6 satisfies the requirements (B), (F) and (G), has infrared shielding performance, and has low absorption characteristics. A temperature suppression effect of 4.5°C or more was obtained compared to the temperature rise in the state in which the heater was not installed.

［実施例７］
実施例６と同様の手順より赤外線吸収剤および紫外線吸収剤を含有する樹脂製の吸収層を有する厚み０．０６ｍｍの基板を得た。
得られた基板を、イオンアシスト真空蒸着装置を用い、蒸着温度１２０℃で、表１３に記載の設計７の、要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たす誘電体多層膜［シリカ（ＳｉＯ₂：５５０ｎｍの光の屈折率１．４５）層と酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅：５５０ｎｍの光の屈折率２．１４）層とが交互に積層されてなるもの］を形成し、厚さ０．０７６ｍｍの光学フィルター７を得た。
なお、表１３に記載の設計７における膜厚は物理膜厚を表す。[Example 7]
A substrate having a thickness of 0.06 mm and a resin absorption layer containing an infrared absorbent and an ultraviolet absorbent was obtained by the same procedure as in Example 6.
The resulting substrate was coated with an ion-assisted vacuum deposition apparatus at a deposition temperature of 120° C. to obtain a dielectric multilayer film [silica (SiO ₂ : 550 nm and a tantalum oxide (Ta ₂ O ₅ : refractive index of 550 nm light: 2.14) layer], and a thickness of 0.076 mm. An optical filter 7 was obtained.
Note that the film thickness in design 7 shown in Table 13 represents the physical film thickness.

得られた光学フィルター７の光学特性を表１６および図９に示す。光学フィルター７は、要件（Ａ）を満たし、高い可視光透過率を有し、要件（Ｂ）および（Ｇ）を満たし、赤外線遮蔽性能を有し、要件（Ａ）、（Ｄ）、（Ｈ）、（Ｊ）、（Ｍ）、（Ｋ）および（Ｌ）を満たし、高い可視光透過率、斜め入射時の青色、緑色、赤色の色味変化が少ない良好な特性を有し、近赤外線の遮光特性を有し、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性を有していた。特に要件（Ｄ）において、波長７５０～１０００ｎｍにおいて透過率が５０％以上となる透過帯域が波長９３０～９３１ｎｍの２ｎｍであり、近赤外線センサーとして波長９３０～９３１ｎｍに高い感度と、該透過帯域以外の波長７２０～１１００ｎｍの近赤外線における遮蔽性を両立した光学フィルターであった。また、光学フィルター７は、要件（Ｂ）、（Ｆ）および（Ｇ）を満たし、赤外線遮蔽性能を有し、かつ低い吸収特性を有し、暗電流抑制効果評価の結果、光学フィルターをセットしていない状態の温度上昇よりも４．５℃以上温度抑制効果が得られた。 The optical properties of the obtained optical filter 7 are shown in Table 16 and FIG. The optical filter 7 satisfies requirement (A), has high visible light transmittance, satisfies requirements (B) and (G), has infrared shielding performance, and satisfies requirements (A), (D), (H ), (J), (M), (K) and (L), and has good properties such as high visible light transmittance, little change in blue, green, and red colors under oblique incidence, and near-infrared and has a characteristic of correcting the visibility of the imaging device and human eyes. In particular, in the requirement (D), the transmission band at which the transmittance is 50% or more at a wavelength of 750 to 1000 nm is 2 nm at a wavelength of 930 to 931 nm, and as a near-infrared sensor, it has high sensitivity to a wavelength of 930 to 931 nm, and other than the transmission band. It was an optical filter that satisfactorily shielded near-infrared rays with a wavelength of 720 to 1100 nm. In addition, the optical filter 7 satisfies the requirements (B), (F) and (G), has infrared shielding performance, and has low absorption characteristics. A temperature suppression effect of 4.5°C or more was obtained compared to the temperature rise in the state in which the heater was not installed.

［実施例８］
実施例８では、４種の赤外線吸収剤および紫外線吸収剤を含有する樹脂製の吸収層を有する基板を含み、誘電体多層膜に中屈折率材料層を有する光学フィルターを以下の手順および条件で作製した。
前記硬化性組成物溶液（１）をホウケイ酸塩系ガラス支持基板（ショット日本（株）製、Ｄ２６３、厚み０．０５ｍｍ）上にスピンコートで塗布した後、ホットプレート上にて、８０℃で２分間加熱することで溶剤を揮発除去し、後述する吸収層との接着層として機能する樹脂層を形成した。この際、該樹脂層の膜厚が０．８μｍ程度となるようにスピンコーターの塗布条件を調整した。[Example 8]
In Example 8, an optical filter including a substrate having a resin absorption layer containing four types of infrared absorbers and ultraviolet absorbers, and having a medium refractive index material layer in a dielectric multilayer film was manufactured under the following procedures and conditions. made.
After applying the curable composition solution (1) onto a borosilicate glass support substrate (manufactured by Schott Japan Co., Ltd., D263, thickness 0.05 mm) by spin coating, on a hot plate at 80 ° C. By heating for 2 minutes, the solvent was volatilized and removed to form a resin layer functioning as an adhesive layer with an absorption layer, which will be described later. At this time, the coating conditions of the spin coater were adjusted so that the film thickness of the resin layer was about 0.8 μm.

容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａ１００部、化合物（Ａ）０．０４０部、化合物（Ｂ）０．１８４部、化合物（Ｃ）０．９４５部、化合物（Ｄ）０．２１０部、化合物（Ｆ）０．７５０部およびジクロロメタンを加えて樹脂濃度が２０質量％の溶液（Ａ８）を調製した。次に、前記樹脂層上に、アプリケーターを用いて前記溶液（Ａ８）を乾燥後の膜厚が１０μｍとなるような条件で塗布し、ホットプレート上にて、８０℃で５分間加熱し、さらに減圧下１００℃で２時間溶剤を揮発除去後、コンベア式露光機を用いて露光（露光量：１Ｊ／ｃｍ²、照度：２００ｍＷ）した後、オーブン中１８０℃で５分間焼成することで、赤外線吸収剤および紫外線吸収剤を含有する樹脂製の吸収層を有する厚み０．０６ｍｍの基板を得た。なお、前記化合物（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）および（Ｆ）の濃度ならびに吸収層の膜厚は、基板の光学特性が表１６に記載の要件（Ｎ）、（Ｏ）および（Ｒ）を満たすように設定した値である。100 parts of resin A obtained in Resin Synthesis Example 1, 0.040 parts of compound (A), 0.184 parts of compound (B), 0.945 parts of compound (C), and 0.210 part of compound (D) were placed in a container. parts, 0.750 parts of compound (F) and dichloromethane were added to prepare a solution (A8) having a resin concentration of 20% by mass. Next, on the resin layer, the solution (A8) is applied using an applicator under conditions such that the film thickness after drying is 10 μm, heated on a hot plate at 80 ° C. for 5 minutes, and further After removing the solvent by volatilization at 100° C. for 2 hours under reduced pressure, exposure was performed using a conveyor type exposure machine (exposure amount: 1 J/cm ² , illuminance: 200 mW), followed by baking in an oven at 180° C. for 5 minutes to obtain an infrared ray. A substrate having a thickness of 0.06 mm and having a resin absorption layer containing an absorbent and an ultraviolet absorbent was obtained. The concentrations of the compounds (A), (B), (C), (D) and (F) and the film thickness of the absorption layer are determined so that the optical properties of the substrate are the requirements (N) and (O) described in Table 16. ) and (R).

得られた基板を、イオンアシスト真空蒸着装置を用い、蒸着温度１２０℃で、表１３に記載の設計８の、要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たす誘電体多層膜［シリカ（ＳｉＯ₂：５５０ｎｍの光の屈折率１．４５）層とチタニア（ＴｉＯ₂：５５０ｎｍの光の屈折率２．４５）層とが交互に積層されてなるもの、シリカ（ＳｉＯ₂：５５０ｎｍの光の屈折率１．４５）層とチタニア（ＴｉＯ₂：５５０ｎｍの光の屈折率２．４５）層と酸化イッテルビウム（Ｙｂ₂Ｏ₃：５５０ｎｍの光の屈折率１．８３）層とが交互に積層されてなるもの］を形成し、厚さ０．０６９ｍｍの光学フィルター８を得た。
なお、表１３に記載の設計８における膜厚は物理膜厚を表す。The resulting substrate was deposited at a deposition temperature of 120° C. using an ion-assisted vacuum deposition apparatus to form a dielectric multilayer film [silica (SiO ₂ : 550 nm (refractive index for light at 550 nm: 1.45) and titania (TiO ₂ : refractive index for light at 550 nm: 2.45) layers, silica (SiO ₂ : refractive index for light at 550 nm: 1.45). 45) Layers, titania (TiO ₂ : refractive index of 550 nm light: 2.45) layers and ytterbium oxide (Yb ₂ O ₃ : refractive index of 550 nm light: 1.83) layers are alternately laminated] was formed to obtain an optical filter 8 having a thickness of 0.069 mm.
Note that the film thickness in Design 8 shown in Table 13 represents the physical film thickness.

得られた光学フィルター８の光学特性を表１６に示す。光学フィルター８は、要件（Ａ）、（Ｃ）、（Ｅ）、（Ｈ）、（Ｊ）、（Ｍ）、（Ｋ）および（Ｌ）を満たし、高い可視光透過率、斜め入射時の青色、緑色、赤色の色味変化が少ない良好な特性を有し、近赤外線の遮光特性を有し、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性を有していた。特に中屈折率材料層を含む誘電体多層膜を有することから、積層数が少ないにもかかわらず、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性と近赤外線の遮蔽特性を有していた。また、光学フィルター８は、要件（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）および（Ｇ）を満たし、赤外線遮蔽性能を有し、かつ低い吸収特性を有し、暗電流抑制効果評価の結果、光学フィルターをセットしていない状態の温度上昇よりも４．５℃以上温度抑制効果が得られた。 Table 16 shows the optical characteristics of the obtained optical filter 8. The optical filter 8 satisfies the requirements (A), (C), (E), (H), (J), (M), (K) and (L), has high visible light transmittance, It had good characteristics such that there was little change in color tones of blue, green, and red, had near-infrared ray shielding characteristics, and had characteristics of correcting the visual sensitivity of the imaging device and human eyes. In particular, since it has a dielectric multilayer film that includes a medium refractive index material layer, it has the property of correcting the visibility of the imaging device and the human eye and the shielding property of near-infrared rays, even though the number of layers is small. . In addition, the optical filter 8 satisfies the requirements (B), (E), (F) and (G), has infrared shielding performance, and has low absorption characteristics. A temperature suppression effect of 4.5°C or more was obtained compared to the temperature rise in the state where the filter was not set.

［実施例９］
実施例３における化合物（Ｃ）０．０９５部の代わりに、化合物（Ｃ）を０．０４１部、化合物（Ｅ）を０．０１部、化合物（Ｆ）を０．０４５部用いた他は同様の手順・条件にて厚さ０．１０８ｍｍの光学フィルター９を得た。[Example 9]
Instead of 0.095 parts of compound (C) in Example 3, 0.041 parts of compound (C), 0.01 parts of compound (E), and 0.045 parts of compound (F) were used. An optical filter 9 having a thickness of 0.108 mm was obtained under the procedure and conditions of .

得られた光学フィルター９の光学特性を表１６に示す。光学フィルター９は、要件（Ａ）、（Ｃ）、（Ｅ）、（Ｈ）、（Ｊ）、（Ｍ）、（Ｋ）および（Ｌ）を満たし、高い可視光透過率、斜め入射時の青色、緑色、赤色の色味変化が少ない良好な特性を有し、近赤外線の遮光特性を有し、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性を有していた。特に吸収板は前記赤外線吸収剤（ＤＡ）および（ＤＢ）を含み、赤色の入射角依存性が非常に少ない光学フィルターであった。また、光学フィルター９は、要件（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）および（Ｇ）を満たし、赤外線遮蔽性能を有し、かつ低い吸収特性を有し、暗電流抑制効果評価の結果、光学フィルターをセットしていない状態の温度上昇よりも４．５℃以上温度抑制効果が得られた。 Table 16 shows the optical characteristics of the obtained optical filter 9. The optical filter 9 satisfies the requirements (A), (C), (E), (H), (J), (M), (K) and (L), has high visible light transmittance, It had good characteristics such that there was little change in color tones of blue, green, and red, had near-infrared ray shielding characteristics, and had characteristics of correcting the visual sensitivity of the imaging device and human eyes. In particular, the absorbing plate contained the infrared absorbing agents (DA) and (DB), and was an optical filter with very little incident angle dependence of red. In addition, the optical filter 9 satisfies the requirements (B), (E), (F) and (G), has infrared shielding performance, and has low absorption characteristics. A temperature suppression effect of 4.5°C or more was obtained compared to the temperature rise in the state where the filter was not set.

［比較例１］
比較例１では、赤外線吸収剤を含有する樹脂製の吸収板を基板とする要件（Ｂ）を満たさない従来の光学フィルターを以下の手順および条件で作製した。
容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａ１００部、化合物（Ｂ）０．０３４部、化合物（Ｃ）０．０９５部およびジクロロメタンを加えて樹脂濃度が２０質量％の溶液を調製した。得られた溶液をガラス支持体（ショット日本（株）製、Ｄ２６３、厚み０．１ｍｍ）上にキャストし、６０℃で８時間乾燥し、さらに減圧下１４０℃で４時間乾燥した後、該支持体から剥離することで、赤外線吸収剤を含有する厚み０．１０ｍｍの樹脂製の吸収板（基板）を得た。なお、前記化合物（Ｂ）および（Ｃ）の濃度ならびに吸収板の膜厚は、基板の光学特性が表１６に記載の特性となるように設定した値である。[Comparative Example 1]
In Comparative Example 1, a conventional optical filter that does not satisfy the requirement (B) of using an absorbing plate made of a resin containing an infrared absorbing agent as a substrate was produced under the following procedure and conditions.
100 parts of Resin A obtained in Resin Synthesis Example 1, 0.034 parts of Compound (B), 0.095 parts of Compound (C) and dichloromethane were added to a container to prepare a solution having a resin concentration of 20% by mass. The resulting solution was cast onto a glass support (manufactured by Schott Japan Co., Ltd., D263, thickness 0.1 mm), dried at 60°C for 8 hours, and further dried at 140°C under reduced pressure for 4 hours. By peeling off from the body, a 0.10 mm-thick resin absorption plate (substrate) containing an infrared absorber was obtained. The concentrations of the compounds (B) and (C) and the film thickness of the absorbing plate are values set so that the optical properties of the substrate are those shown in Table 16.

得られた基板を、イオンアシスト真空蒸着装置を用い、蒸着温度１２０℃で、表１４に記載の設計９の、要件（Ｑ）を満たさない誘電体多層膜［シリカ（ＳｉＯ₂：５５０ｎｍの光の屈折率１．４５）層とチタニア（ＴｉＯ₂：５５０ｎｍの光の屈折率２．４５）層とが交互に積層されてなるもの、図１２に記載の設計光学特性］を形成し、厚み０．１０６ｍｍの光学フィルター１０を得た。
なお、表１４に記載の設計９における膜厚は物理膜厚を表す。 The resulting substrate was subjected to deposition using an ion-assisted vacuum deposition apparatus at a deposition temperature of 120° C. to obtain a dielectric multilayer film [silica (SiO ₂ : light of 550 nm) that does not satisfy the requirement (Q) of Design 9 listed in Table 14. Layers with a refractive index of 1.45) and titania (TiO ₂ : refractive index of 550 nm light with a refractive index of 2.45) layers are alternately stacked to form a layer having the designed optical characteristics shown in FIG. An optical filter 10 of 106 mm was obtained.
Note that the film thickness in Design 9 shown in Table 14 represents the physical film thickness.

得られた光学フィルター１０の光学特性を表１６および図１０に示す。光学フィルター１０は、要件（Ａ）、（Ｃ）、（Ｈ）、（Ｊ）および（Ｍ）を満たし、高い可視光透過率、斜め入射時の緑色、赤色の色味変化が少ない良好な特性、近赤外線の遮光特性を有し、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性を有していた。しかし、光学フィルター１０は、要件（Ｇ）は満たすが、要件（Ｂ）、（Ｅ）および（Ｆ）を満たしておらず、暗電流抑制効果が得られる赤外線遮蔽性能を有しておらず、暗電流抑制効果評価の結果、光学フィルターをセットしていない状態の温度上昇よりも４．５℃以上の温度抑制効果が得られなかった。 The optical properties of the obtained optical filter 10 are shown in Table 16 and FIG. The optical filter 10 satisfies the requirements (A), (C), (H), (J), and (M), and has good characteristics such as high visible light transmittance and little color change in green and red at oblique incidence. , has a near-infrared ray shielding property, and has a property of correcting the luminosity of the imaging device and the human eye. However, although the optical filter 10 satisfies the requirement (G), it does not satisfy the requirements (B), (E) and (F). As a result of the dark current suppressing effect evaluation, it was not possible to obtain a temperature suppressing effect of 4.5° C. or more compared to the temperature rise in the state in which the optical filter was not set.

［比較例２］
比較例２では、リン酸銅塩ガラスからなる吸収板を基板とする要件（Ｂ）を満たさない従来の光学フィルターを以下の手順および条件で作製した。
松浪硝子工業（株）製赤外カットフィルター（ＢＳ１１を厚み０．０９ｍｍに調整したもの）に、イオンアシスト真空蒸着装置を用い、蒸着温度１２０℃で、表１４に記載の設計１０の、要件（Ｑ）を満たさない誘電体多層膜［シリカ（ＳｉＯ₂：５５０ｎｍの光の屈折率１．４５）層とチタニア（ＴｉＯ₂：５５０ｎｍの光の屈折率２．４５）層とが交互に積層されてなるもの］を形成し、厚さ０．０９５ｍｍの光学フィルター１１を得た。
なお、表１４に記載の設計１０における膜厚は物理膜厚を表す。 [Comparative Example 2]
In Comparative Example 2, a conventional optical filter that does not satisfy the requirement (B) of using an absorbing plate made of cupric phosphate glass as a substrate was produced by the following procedure and conditions.
An infrared cut filter (BS11 adjusted to a thickness of 0.09 mm) manufactured by Matsunami Glass Industry Co., Ltd., using an ion-assisted vacuum deposition apparatus, at a deposition temperature of 120 ° C., the requirements of design 10 described in Table 14 ( A dielectric multilayer film that does not satisfy Q) [silica (SiO ₂ : refractive index of 550 nm light: 1.45) layers and titania (TiO ₂ : refractive index of 550 nm light: 2.45) layers are alternately laminated and obtained an optical filter 11 having a thickness of 0.095 mm.
It should be noted that the film thickness in Design 10 shown in Table 14 represents the physical film thickness.

得られた光学フィルター１１の光学特性を表１６に示す。光学フィルター１１は、要件（Ａ）、（Ｃ）、（Ｈ）および（Ｍ）を満たし、高い可視光透過率、斜め入射時の緑色、赤色の色味変化が少ない良好な特性、近赤外線の遮光特性を有し、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性を有していた。しかし、要件（Ｆ）は満たすが、要件（Ｂ）、（Ｅ）および（Ｇ）を満たしておらず、暗電流抑制効果が得られる赤外線遮蔽性能を有しておらず、暗電流抑制効果評価の結果、光学フィルターをセットしていない状態の温度上昇よりも４．５℃以上の温度抑制効果が得られなかった。 Table 16 shows the optical properties of the obtained optical filter 11 . The optical filter 11 satisfies the requirements (A), (C), (H) and (M), has high visible light transmittance, has good characteristics with little change in green and red colors when obliquely incident, and has good characteristics of near infrared rays. It has a light shielding property and has a property of correcting the luminosity of the imaging device and the human eye. However, although it satisfies the requirement (F), it does not satisfy the requirements (B), (E) and (G), does not have the infrared shielding performance to obtain the dark current suppression effect, and the dark current suppression effect evaluation As a result, the effect of suppressing the temperature by 4.5° C. or more was not obtained compared to the temperature rise in the state where the optical filter was not set.

＜赤外線吸収剤＞
化合物（Ａ）：式（ｚ－７４）、ジクロロメタン中に溶解させた際の吸収極大波長６９８ｎｍ
化合物（Ｂ）：式（ｚ－７５）、ジクロロメタン中に溶解させた際の吸収極大波長７０４ｎｍ
化合物（Ｃ）：式（ｖ－３）、ジクロロメタン中に溶解させた際の吸収極大波長７３３ｎｍ
化合物（Ｄ）：式（ｖ－４０）、ジクロロメタン中に溶解させた際の吸収極大波長７３８ｎｍ
化合物（Ｅ）：式（ｓ－６）、ジクロロメタン中に溶解させた際の吸収極大波長７６０ｎｍ<Infrared absorber>
Compound (A): formula (z-74), absorption maximum wavelength 698 nm when dissolved in dichloromethane
Compound (B): formula (z-75), absorption maximum wavelength 704 nm when dissolved in dichloromethane
Compound (C): formula (v-3), absorption maximum wavelength 733 nm when dissolved in dichloromethane
Compound (D): formula (v-40), absorption maximum wavelength 738 nm when dissolved in dichloromethane
Compound (E): formula (s-6), absorption maximum wavelength 760 nm when dissolved in dichloromethane

<紫外線吸収剤>
化合物（Ｆ）：オリエント化学工業（株）製「ＢＯＮＡＳＯＲＢＵＡ－３９１１」<Ultraviolet absorber>
Compound (F): "BONASORB UA-3911" manufactured by Orient Chemical Industry Co., Ltd.

１・・・光学フィルター
２・・・基板
３，３’・・・誘電体多層膜
４，４’・・・機能膜、吸収層または樹脂層
５，５’・・・光
６・・・分光光度計
１１・・・反射光
２１・・・光源
２２・・・ライトガイド
２３・・・温度計
２４・・・イメージセンサー
２５・・・イメージセンサーフレーム
２６・・・フレーム
３１・・・筐体
３２・・・レンズ
３３・・・フレネルゾーンプレートやフレネルレンズ等のレンズ代替光学素子Reference Signs List 1 Optical filter 2 Substrate 3, 3' Dielectric multilayer film 4, 4' Functional film, absorption layer or resin layer 5, 5' Light 6 Spectrum Photometer 11 Reflected light 21 Light source 22 Light guide 23 Thermometer 24 Image sensor 25 Image sensor frame 26 Frame 31 Housing 32 ... Lens 33 ... Lens alternative optical element such as Fresnel zone plate and Fresnel lens

Claims

基板と、基板の少なくとも一方の面に誘電体多層膜を有し、下記要件（Ａ）～（Ｃ）および要件（Ｈ）を満たす光学フィルター。
要件（Ａ）：波長４４０～５８０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が７５％以上
要件（Ｂ）：波長１２００～１６００ｎｍにおいて、光学フィルターの一方の面の垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の反射率の平均値が６０％以上
要件（Ｃ）：波長７２０～１１００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が３％以下
要件（Ｈ）：波長５６０～８００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる最も長い波長（Ｙａ）と、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる最も長い波長（Ｙｂ）の差の絶対値が１５ｎｍ以下 An optical filter having a substrate and a dielectric multilayer film on at least one surface of the substrate and satisfying the following requirements (A) to (C) and requirement (H) .
Requirement (A): At a wavelength of 440 to 580 nm, the average transmittance of unpolarized light when measured from the vertical direction of the optical filter is 75% or more Requirement (B): At a wavelength of 1200 to 1600 nm, one of the optical filters The average reflectance of non-polarized light incident at an angle of 5° from the vertical direction of the surface is 60% or more. Average transmittance of 3% or less
Requirement (H): In the wavelength range of 560 to 800 nm, the longest wavelength (Ya) at which the transmittance of unpolarized light is 50% when measured from the direction perpendicular to the optical filter, and 30° to the direction perpendicular to the optical filter. The absolute value of the difference in the longest wavelength (Yb) at which the transmittance of unpolarized light is 50% when measured from an angle of 15 nm or less

基板と、基板の少なくとも一方の面に誘電体多層膜を有し、下記要件（Ａ）、（Ｂ）および（Ｄ）を満たす光学フィルター。
要件（Ａ）：波長４４０～５８０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が７５％以上
要件（Ｂ）：波長１２００～１６００ｎｍにおいて、光学フィルターの一方の面の垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の反射率の平均値が６０％以上
要件（Ｄ）：波長７２０～１１００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が１０％以下であり、波長７５０～１０００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％以上となる透過帯域の波長幅が１ｎｍ以上である An optical filter having a substrate and a dielectric multilayer film on at least one surface of the substrate and satisfying the following requirements (A), (B) and (D).
Requirement (A): At a wavelength of 440 to 580 nm, the average transmittance of unpolarized light when measured from the vertical direction of the optical filter is 75% or more Requirement (B): At a wavelength of 1200 to 1600 nm, one of the optical filters The average reflectance of non-polarized light incident at an angle of 5° from the vertical direction of the surface is 60% or more Requirement (D): At a wavelength of 720 to 1100 nm, the non-polarized light when measured from the vertical direction of the optical filter The average value of transmittance is 10% or less, and the wavelength width of the transmission band at which the transmittance of unpolarized light when measured from the vertical direction of the optical filter is 50% or more at a wavelength of 750 to 1000 nm is 1 nm or more.

下記要件（Ｅ）を満たす、請求項１に記載の光学フィルター。
要件（Ｅ）：波長７２０～１６００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の最大値が３０％以下である 2. The optical filter according to claim 1, which satisfies the following requirement (E).
Requirement (E): At a wavelength of 720 to 1600 nm, the maximum transmittance of unpolarized light when measured from the vertical direction of the optical filter is 30% or less.

下記要件（Ｆ）を満たす、請求項１～３のいずれか１項に記載の光学フィルター。
要件（Ｆ）：波長１２００～１６００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が２０％以下 4. The optical filter according to any one of claims 1 to 3, which satisfies the following requirement (F).
Requirement (F): At a wavelength of 1200 to 1600 nm, the average transmittance of unpolarized light when measured from the vertical direction of the optical filter is 20% or less.

下記要件（Ｇ）を満たす、請求項１～４のいずれか１項に記載の光学フィルター。
要件（Ｇ）：下記式（１）および（２）で表される吸収率Ａ１および吸収率Ａ２の値がそれぞれ２０％以下
Ａ１＝１００－Ｔ１－Ｒ１（１）
Ａ２＝１００－Ｔ２－Ｒ２（２）
Ｔ１およびＴ２：波長１２００～１６００ｎｍにおける、光学フィルターの一方の面Ｘの垂直方向から入射した入射光（無偏光光線）の平均透過率Ｔ１（％）、および、光学フィルターの他方の面Ｙの垂直方向から入射した入射光（無偏光光線）の平均透過率Ｔ２（％）
Ｒ１およびＲ２：波長１２００～１６００ｎｍにおける、光学フィルターの一方の面Ｘの垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の平均反射率Ｒ１（％）、および、光学フィルターの他方の面Ｙの垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の平均反射率Ｒ２（％） 5. The optical filter according to any one of claims 1 to 4, which satisfies the following requirement (G).
Requirement (G): Absorption rate A1 and absorption rate A2 represented by the following formulas (1) and (2) are each 20% or less A1=100-T1-R1 (1)
A2=100-T2-R2 (2)
T1 and T2: Average transmittance T1 (%) of incident light (non-polarized light) incident from the direction perpendicular to one surface X of the optical filter and perpendicular to the other surface Y of the optical filter at a wavelength of 1200 to 1600 nm Average transmittance T2 (%) of incident light (unpolarized light) incident from the direction
R1 and R2: Average reflectance R1 (%) of non-polarized light rays incident at an angle of 5° from the vertical direction of one surface X of the optical filter at a wavelength of 1200 to 1600 nm, and the average reflectance R1 (%) of the other surface Y of the optical filter Average reflectance R2 (%) of unpolarized light incident at an angle of 5° from the vertical direction

下記要件（Ｈ）を満たす、請求項２に記載の光学フィルター。
要件（Ｈ）：波長５６０～８００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる最も長い波長（Ｙａ）と、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる最も長い波長（Ｙｂ）の差の絶対値が１５ｎｍ以下 3. The optical filter according to claim 2 , which satisfies the following requirement (H).
Requirement (H): In the wavelength range of 560 to 800 nm, the longest wavelength (Ya) at which the transmittance of unpolarized light is 50% when measured from the direction perpendicular to the optical filter, and 30° to the direction perpendicular to the optical filter. The absolute value of the difference in the longest wavelength (Yb) at which the transmittance of unpolarized light is 50% when measured from an angle of 15 nm or less

下記要件（Ｊ）を満たす、請求項１～６のいずれか１項に記載の光学フィルター。
要件（Ｊ）：波長８００ｎｍ以下において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が７０％となる最も長い波長（Ｘａ）と、波長５８０ｎｍ以上の波長領域において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が３０％となる最も短い波長（Ｘｂ）との差の絶対値が６５ｎｍ以下 7. The optical filter according to any one of claims 1 to 6, which satisfies the following requirement (J).
Requirement (J): The longest wavelength (Xa) at which the transmittance of unpolarized light when measured from the vertical direction of the optical filter is 70% at a wavelength of 800 nm or less, and in the wavelength region of 580 nm or more, the optical filter The absolute value of the difference from the shortest wavelength (Xb) at which the transmittance of unpolarized light is 30% when measured from the vertical direction is 65 nm or less

下記要件（Ｋ）を満たす、請求項１～７のいずれか１項に記載の光学フィルター。
要件（Ｋ）：波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ０（ＵＶ）を有し、波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ３０（ＵＶ）を有し、かつ前記波長の差の絶対値｜λ０（ＵＶ）－λ３０（ＵＶ）｜が５ｎｍ以下である The optical filter according to any one of claims 1 to 7, which satisfies the following requirement (K).
Requirement (K): At a wavelength of 390 to 430 nm, it has a wavelength λ0 (UV) at which the transmittance of unpolarized light when measured from the direction perpendicular to the optical filter is 50%, and at a wavelength of 390 to 430 nm, the optical filter It has a wavelength λ30 (UV) at which the transmittance of unpolarized light is 50% when measured from an angle of 30° with respect to the vertical direction, and the absolute value of the wavelength difference |λ0 (UV) - λ30 ( UV)| is 5 nm or less

下記要件（Ｌ）を満たす、請求項１～８のいずれか１項に記載の光学フィルター。
要件（Ｌ）：波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ０（ＵＶ）を有し、波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ３０（ＵＶ）を有し、かつ前記波長の差λ３０（ＵＶ）－λ０（ＵＶ）が０ｎｍを超える The optical filter according to any one of claims 1 to 8, which satisfies the following requirement (L).
Requirement (L): At a wavelength of 390 to 430 nm, it has a wavelength λ0 (UV) at which the transmittance of unpolarized light is 50% when measured from the direction perpendicular to the optical filter, and at a wavelength of 390 to 430 nm, the optical filter It has a wavelength λ30(UV) at which the transmittance of unpolarized light is 50% when measured from an angle of 30° with respect to the vertical direction, and the wavelength difference λ30(UV)−λ0(UV) is 0 nm. exceed

下記要件（Ｍ）を満たす、請求項１～９のいずれか１項に記載の光学フィルター。
要件（Ｍ）：波長４８５～５６０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値Ｔ０と、波長４８５～５６０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値Ｔ３０が下記式（３）を満たす
０．９５≦Ｔ０／Ｔ３０≦１．０５（３） The optical filter according to any one of claims 1 to 9, which satisfies the following requirement (M).
Requirement (M): Average transmittance T0 of unpolarized light when measured from the vertical direction of the optical filter at wavelengths 485 to 560 nm, and at an angle of 30° from the vertical direction of the optical filter at wavelengths 485 to 560 nm The average value T30 of the transmittance of unpolarized light when measured satisfies the following formula (3): 0.95 ≤ T0/T30 ≤ 1.05 (3)

前記基板が波長６７０～９５０ｎｍに吸収極大波長を有する、請求項１～１０のいずれか１項に記載の光学フィルター。 The optical filter according to any one of claims 1 to 10, wherein said substrate has an absorption maximum wavelength in the range of 670 to 950 nm.

前記基板が、波長６８５～７１０ｎｍに吸収極大波長λ（ＤＡ＿Ｔｍｉｎ）を有する第１の赤外線吸収剤（ＤＡ）と、波長７１０～７６５ｎｍに吸収極大波長λ（ＤＢ＿Ｔｍｉｎ）を有する第２の赤外線吸収剤（ＤＢ）とを含む、請求項１１に記載の光学フィルター。 The substrate comprises a first infrared absorbing agent (DA) having a maximum absorption wavelength λ (DA_Tmin) at a wavelength of 685 to 710 nm and a second infrared absorbing agent having a maximum absorption wavelength λ (DB_Tmin) at a wavelength of 710 to 765 nm ( DB).

前記基板が下記要件（Ｎ）または（Ｏ）を満たす、請求項１～１２のいずれか１項に記載の光学フィルター。
要件（Ｎ）：基板の垂直方向から測定した場合の、波長７７０ｎｍの無偏光光線の透過率が６０％以下
要件（Ｏ）：基板の垂直方向から測定した場合の波長７８０～８００ｎｍの無偏光光線の平均透過率が６０％以上 The optical filter according to any one of claims 1 to 12, wherein said substrate satisfies the following requirement (N) or (O).
Requirement (N): Transmittance of non-polarized light with a wavelength of 770 nm when measured from the vertical direction of the substrate is 60% or less Requirement (O): Non-polarized light with a wavelength of 780 to 800 nm when measured from the vertical direction of the substrate The average transmittance of 60% or more

前記誘電体多層膜が下記要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たす、請求項１～１３のいずれか１項に記載の光学フィルター。
要件（Ｐ）：波長７２０～１１００ｎｍにおいて、誘電体多層膜の垂直方向から測定した場合の無偏光光線の平均透過率が１０％以下である
要件（Ｑ）：波長１２００～１６００ｎｍにおいて、誘電体多層膜の垂直方向から測定した場合の無偏光光線の平均透過率が１０％以下である The optical filter according to any one of claims 1 to 13, wherein said dielectric multilayer film satisfies the following requirements (P) and (Q).
Requirement (P): At a wavelength of 720 to 1100 nm, the average transmittance of non-polarized light when measured from the vertical direction of the dielectric multilayer film is 10% or less. Requirement (Q): At a wavelength of 1200 to 1600 nm, the dielectric multilayer The average transmittance of unpolarized light when measured from the vertical direction of the film is 10% or less

前記基板が下記要件（Ｒ）を満たす、請求項１～１４のいずれか１項に記載の光学フィルター。
要件（Ｒ）：波長８２０～１６００ｎｍにおいて、基板の垂直方向から測定した場合の無偏光光線の平均透過率が７０％以上 The optical filter according to any one of claims 1 to 14, wherein said substrate satisfies the following requirement (R).
Requirement (R): At a wavelength of 820 to 1600 nm, the average transmittance of unpolarized light when measured from the vertical direction of the substrate is 70% or more.

請求項１～１５のいずれか１項に記載の光学フィルターを含む固体撮像装置。 A solid-state imaging device comprising the optical filter according to any one of claims 1 to 15.

請求項１～１５のいずれか１項に記載の光学フィルターを含むカメラモジュール。 A camera module comprising an optical filter according to any one of claims 1-15.

請求項１～１５のいずれか１項に記載の光学フィルターを含むセンサーモジュール。 A sensor module comprising an optical filter according to any one of claims 1-15.