JP7140074B2 - 同軸ケーブル - Google Patents

Description

本発明は、同軸ケーブルに関する。

自動運転等に用いられる撮像装置用の信号ケーブルや、ノート型パソコン、スマートフォン、タブレット端末等の電子機器の機器内配線として、細径の同軸ケーブルが用いられている（例えば、特許文献１参照）。

特許第６１６４８４４号公報

近年の電子機器等では、信号伝送速度の高速化が進んでおり、例えば７０ＧＨｚ以上といった非常に高速の信号を伝送した場合であっても、信号減衰が生じにくい高い伝送特性を有する同軸ケーブルが望まれている。特に機器内配線として用いられる同軸ケーブルでは、曲げた状態で配線されることが多く、曲げた状態で配線されても高速信号の減衰量が小さい同軸ケーブルが望まれる。

そこで、本発明は、曲げた状態で配線されても高速信号の減衰を抑制可能な同軸ケーブルを提供することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決することを目的として、内部導体と、前記内部導体の周囲を覆う絶縁体と、前記絶縁体の周囲を覆うシールド層と、前記シールド層の周囲を覆うシースと、を備え、前記内部導体は、断面形状が円形状となるように、第１金属素線を撚り合わせて構成され、前記シールド層は、前記絶縁体の周囲に複数の第２金属素線を螺旋状に巻き付けて構成された横巻きシールド層と、樹脂テープの一方の面に金属層を形成したシールドテープを、前記金属層が前記横巻きシールド層と接触するように前記横巻きシールド層の周囲に螺旋状に巻き付けて構成されたシールドテープ層と、を有し、前記横巻きシールド層は、周方向に隣り合う前記第２金属素線間の少なくとも１箇所に、空隙を有し、長手方向に垂直な断面において、前記空隙を挟んで隣り合う前記第２金属素線間の距離ｗの合計値が、前記第２金属素線の外径ｄ以下である、同軸ケーブルを提供する。

本発明によれば、曲げた状態で配線されても高速信号の減衰を抑制可能な同軸ケーブルを提供できる。

本発明の一実施の形態に係る同軸ケーブルの長手方向に垂直な断面を示す断面図である。 従来例において、曲げにより絶縁体と横巻きシールド層間に隙間が生じることを説明する説明図である。 本発明において、曲げにより絶縁体と横巻きシールド層間に隙間が生じないことを説明する説明図である。 シールドテープの断面図である。

［実施の形態］
以下、本発明の実施の形態を添付図面にしたがって説明する。

図１は、本実施の形態に係る同軸ケーブルの長手方向に垂直な断面を示す断面図である。図１に示すように、同軸ケーブル１は、内部導体２と、内部導体２の周囲を覆う絶縁体３と、絶縁体３の周囲を覆うシールド層４と、シールド層４の周囲を覆うシース５と、を備えている。同軸ケーブル１は、例えば、自動運転等に用いられる撮像装置用の信号ケーブルや、ノート型パソコン、スマートフォン、タブレット端末等の電子機器の機器内配線として用いられるものであり、その外径は２ｍｍ以下、より好ましくは１．５ｍｍ以下である。

（内部導体２）
良好な伝送特性を得るため、内部導体２の導電率は、９９％ＩＡＣＳ以上とすることが望ましい。内部導体２の導電率を向上させるために、単線導体を用いることが考えられるが、この場合、繰り返し曲げを加えた際に断線しやすくなり、またレーザを用いて端末加工を行った際に、内部導体２に傷がつき断線し易くなってしまう。また、単に複数本の素線を撚り合わせるのみだと、導電率を９９％ＩＡＣＳ以上とすることが困難である。

そこで、本実施の形態では、内部導体２を、断面形状が円形状となるように、第１金属素線２１を隙間なく撚り合わせて構成した。より詳細には、内部導体２として、複数の第１金属素線２１を撚り合わせ、かつ、ケーブル長手方向に垂直な断面形状が円形状となるように圧縮加工された圧縮撚線導体を用いた。内部導体２として圧縮撚線導体を用いることで、第１金属素線２１同士が密着して第１金属素線２１間の隙間が無くなるため、導電率が向上し良好な伝送特性が得られると共に、曲げやすさも維持できる。また、圧縮撚線導体は、単線導体と比較して曲げたときに断線しにくい。なお、第１金属素線２１を隙間なく撚り合わせるとは、隣り合う第１金属素線２１の外面が面接触などによって互いに接しており、接触し合う第１金属素線２１同士の間に隙間がない状態で撚り合わせることである。ただし、本発明の効果に影響のない範囲の隙間はあってもよいこととする。

高い導電率を実現するため、内部導体２に用いる第１金属素線２１としては、めっきを施していない純銅からなる軟銅線を用いるとよい。ただし、導電率９９％ＩＡＣＳ以上のめっきであれば施してもよく、例えば銀めっきを施した純銅からなる軟銅線を第１金属素線２１として用いてもよい。なお、圧縮撚線導体では、圧縮工程で第１金属素線２１に歪みが付与され導電率が低下してしまうが、この後、加熱処理（アニール処理）を行うことで、歪みを除去して９９％ＩＡＣＳ以上の導電率を実現することができる。

（絶縁体３）
絶縁体３としては、高周波信号の伝送特性を向上させる（より詳細には、例えば、７０ＭＨｚ～１００ＧＨｚの帯域の高周波信号を伝送した際に減衰しにくくする）ために、なるべく誘電率が低いものを用いることが望ましい。また、絶縁体３としては、電子機器等の使用状況を考慮し、－４０℃以上８０℃以下の温度で安定した誘電率となるものが望まれる。そこで、これらの特性を満足すべく、本実施の形態では、絶縁体３として、フッ素樹脂からなるものを用いた。絶縁体３に用いるフッ素樹脂としては、ＰＦＡ（パーフルオロアルコキシアルカン）、ＦＥＰ（四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等が上げられる。絶縁体３としてフッ素樹脂を用いることで、絶縁体３の表面が滑りやすくなるため、同軸ケーブル１を曲げた際に、後述する横巻きシールド層４１を構成する第２金属素線４１ａがケーブル長手方向に移動しやすくなり、横巻きシールド層４１と絶縁体３との間に隙間が生じてしまうことをより抑制可能になる。

なお、絶縁体３として発泡樹脂を用いることも考えられるが、同軸ケーブル１は外径が２ｍｍ以下と細径であることから、絶縁体３の厚さも非常に薄くなってしまう。薄い発泡樹脂を安定して製造することは困難であるため、本実施の形態では、絶縁体３として比較的誘電率が低いフッ素樹脂を用いている。

（シース５）
絶縁体３の周囲にはシールド層４が設けられており、その周囲を覆うようにシース５が設けられている。本実施の形態では、シース５は、絶縁体３と同様に、フッ素樹脂からなる。シース５に用いるフッ素樹脂としては、ＰＦＡ、ＦＥＰ、ＰＴＦＥ等が上げられる。シース５の外径は、２．０ｍｍ以下であり、より好ましくは１．５ｍｍ以下である。

（シールド層４）
本実施の形態では、シールド層４は、絶縁体３の周囲に複数の第２金属素線４１ａを螺旋状に巻き付けて（横巻きして）構成された横巻きシールド層４１と、横巻きシールド層４１の周囲にシールドテープ４２１を螺旋状に巻き付けて構成されたシールドテープ層４２と、を有している。

良好な伝送特性を得るため、横巻きシールド層４１の導電率はなるべく高くすることが望まれる。そのため、第２金属素線４１ａとしては、上述の第１金属素線２１と同様に、めっきを施していない純銅からなる軟銅線を用いるとよい。ただし、導電率９９％ＩＡＣＳ以上のめっきであれば施してもよく、例えば銀めっきを施した純銅からなる軟銅線を第２金属素線４１ａとして用いてもよい。第２金属素線４１ａとしては、内部導体２に用いる第１金属素線２１よりも細径のものを用いるとよい。ここでは、外径ｄが０．０５ｍｍの第２金属素線４１ａを用いた。なお、図１では、第２金属素線４１ａの横断面形状を円形状で示しているが、第２金属素線４１ａの横断面形状は楕円形状であってもよい。

第２金属素線４１ａを横巻きすることにより、例えば、金属素線を編組した編組シールドを用いた場合と比較して、同軸ケーブル１を曲げ易くなり、機器内の狭い空間等で配線しやすい同軸ケーブル１が得られる。

ここで、同軸ケーブル１を曲げた際の第２金属素線４１ａの挙動について検討する。図２に示すように、第２金属素線４１ａを隙間なく巻き付けた場合、同軸ケーブルを曲げた際に、曲げの内側（図２における下側）において第２金属素線４１ａの逃げ場がなくなり、第２金属素線４１ａが絶縁体３から浮いてしまう。つまり、第２金属素線４１ａを隙間なく巻き付けた場合、同軸ケーブルを曲げた際に、曲げの内側において絶縁体３と横巻きシールド層４１との間に隙間１０が発生してしまう。

同軸ケーブル１における特性インピーダンスは、内部導体２とシールド層４との距離、及び内部導体２とシールド層４間の誘電率に大きく依存する。そのため、隙間１０が発生することで、隙間１０が発生した部分、すなわち同軸ケーブル１を曲げた部分における特性インピーダンスが、他の部分の特性インピーダンスに対しておおきく変化してしまう。その結果、リターンロスが増加して信号減衰が大きくなってしまい、特に高速信号を伝送する場合にはその影響が非常に大きくなってしまう。隙間１０が生じることを抑制するためには、曲げの内側において第２金属素線４１ａが逃げることができる空間を設け、同軸ケーブル１を曲げた際においても絶縁体３の動きに第２金属素線４１ａを追従させればよいことになる。

そこで、本実施の形態に係る同軸ケーブル１では、横巻きシールド層４１において、周方向に隣り合う第２金属素線４１ａ間の少なくとも１箇所に、空隙（空間、あるいは隙間）６を形成し、かつ、長手方向に垂直な断面において、空隙６を挟んで隣り合う第２金属素線４１ａ間の距離ｗ（以下、空隙６の幅ｗという）の合計値を、第２金属素線４１ａの外径ｄ以下とした。空隙６は螺旋状に存在するため、長手方向に平行な断面においても隣り合う第２金属素線４１ａ間に空隙６が存在することになる。これにより、図３に示すように、同軸ケーブル１を曲げた際に、曲げの内側において第２金属素線４１ａが空隙６に逃げる（空隙６が小さくなるように、空隙６側へと移動する）ことが可能になり、第２金属素線４１ａが絶縁体３に密着した状態を維持することが可能になる。その結果、同軸ケーブル１を曲げた部分における特性インピーダンスの変化を抑制でき、信号減衰を抑制することが可能になる。なお、図２及び図３では、シールドテープ層４２とシース５とを省略して示している。

本実施の形態では、周方向に隣り合う第２金属素線４１ａ間の１箇所のみに空隙６が形成されている場合を示したが、これに限らず、２箇所以上に分散して空隙６が形成されていてもよい。また、長手方向において、空隙６が形成されている位置が変化していてもよい。

より好ましくは、空隙６の幅ｗの合計値は、第２金属素線４１ａの外径ｄの０．５倍以上１．０倍以下であるとよい。空隙６の幅ｗの合計値を第２金属素線４１ａの外径ｄの０．５倍以上とすることで、曲げた際に上述の隙間１０が生じにくくなる。また、空隙６の幅ｗの合計値を第２金属素線４１ａの外径ｄの１．０倍以下とすることで、空隙６が大きくなりすぎて電界分布がアンバランスとなり伝送特性が劣化することを抑制できる。なお、ここでいう「空隙６の幅ｗの合計値」とは、同軸ケーブル１を曲げずに直線状とした状態における空隙６の幅ｗの合計値を表している。

絶縁体３の外径をＤとすると、第２金属素線４１ａの中心を通る円の円周はπ（Ｄ＋ｄ）で表される。これを第２金属素線４１ａの外径ｄで除した値、すなわち下式（１）
ｎ＝｛π（Ｄ＋ｄ）／ｄ｝ ・・・（１）
により得られるｎが、絶縁体３の外周に配置可能な第２金属素線４１ａの本数となる。絶縁体の外径Ｄを微調整することで本数ｎの値を調整し、また絶縁体３への第２金属素線４１ａの食い込みを考慮して、得られた本数ｎよりも０．６～１．５本程度少ない本数の第２金属素線４１ａを用いて横巻きシールド層４１を形成することで、空隙６の幅ｗを第２金属素線４１ａの外径ｄの０．５倍以上１．０倍以下とすることができる。

横巻きシールド層４１では、そもそも曲げの際等に第２金属素線４１ａ間に隙間が生じやすい。シールドテープ層４２は、このような隙間（上述の空隙６を含む）を塞ぎ、遮蔽性能を向上させるためのものである。シールドテープ層４２は、図４に示すように、樹脂テープ４２１ａの一方の面に金属層４２１ｂを形成したシールドテープ４２１を用いて構成される。樹脂テープ４２１ａは、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）からなる。金属層４２１ｂは、例えば銅からなる。シールドテープ層４２は、金属層４２１ｂが横巻きシールド層４１の各第２金属素線４１ａと接触するように、金属層４２１ｂを径方向内側として、横巻きシールド層４１の周囲に螺旋状に巻き付けて構成される。また、シールドテープ層４２は、シールドテープ４２１の幅方向における一部が重なるように、シールドテープ４２１を螺旋状にラップ巻き（重ね巻き）して構成されている。

横巻きシールド層４１における第２金属素線４１ａの巻き付け方向と、シールドテープ層４２におけるシールドテープ４２１の巻き付け方向とは、同じ方向であることが望ましい。第２金属素線４１ａの巻き付け方向と、シールドテープ４２１の巻き付け方向とを同じ方向にすることによって、シールドテープ４２１が第２金属素線４１ａの動きに追従しやすくなり、横巻きシールド層４１とシールドテープ層４２間に隙間が生じて伝送特性が劣化することを抑制できる。また、第２金属素線４１ａの巻き付け方向と、シールドテープ４２１の巻き付け方向とを同じ方向にすることによって、第２金属素線４１ａの動きにシールドテープ４２１が追従するので、同軸ケーブル１を曲げやすくなる。例えば、第２金属素線４１ａの巻き付け方向と、シールドテープ４２１の巻き付け方向とが逆方向である場合、第２金属素線４１ａとシールドテープ４２１とが互いに動きを阻害しあうために同軸ケーブル１を曲げにくくなり、この状態で同軸ケーブル１を無理に曲げた場合にはシールドテープ４２１に皺が発生し伝送特性が劣化するおそれが生じる。

さらに、第２金属素線４１ａの巻き付け方向と、シールドテープ４２１の巻き付け方向とを同じ方向にすることによって、端末処理時にシース５とシールドテープ層４２を容易に除去することが可能になる。例えば、第２金属素線４１ａの巻き付け方向と、シールドテープ４２１の巻き付け方向とが逆方向である場合、シールドテープ４２１が第２金属素線４１ａに引っ掛かって抜けにくくなる。さらに、その状態でシールドテープ４２１を無理に引き抜くと、第２金属素線４１ａがほぐれて乱れてしまい、同軸ケーブル１の端部において伝送特性が大きく劣化してしまうおそれが生じる。本実施の形態によれば、第２金属素線４１ａに沿って容易にシールドテープ４２１を引き抜くことができ、第２金属素線４１ａの乱れを抑え、同軸ケーブル１の端部での伝送特性の劣化を抑制することが可能である。

なお、第２金属素線４１ａの巻き付け方向とは、同軸ケーブル１の一端から見たときに、他端側から一端側にかけて第２金属素線４１ａが回転している方向である。また、シールドテープ４２１の巻き付け方向とは、同軸ケーブル１の一端から見たときに、他端側から一端側にかけてシールドテープ４２１が回転している方向である。

シールドテープ４２１が厚すぎると、横巻きシールド層４１の動きに追従できなくなり、またシールドテープ４２１が重なった部分の段差に起因する隙間が大きくなり伝送特性が劣化するおそれがあるため、シールドテープ４２１はできるだけ薄いことが望ましい。より具体的には、シールドテープ４２１の厚さｄ３は、第２金属素線４１ａの外径ｄの１／１０以下であることが望ましい。厚さｄ３を第２金属素線４１ａの外径ｄの１／１０以下とすることで、横巻きシールド層４１の動きに追従できなくなったり、シールドテープ４２１が重なった部分の段差に起因する隙間が大きくなり伝送特性が劣化したりすることを抑制できる。

また、シールドテープ４２１の金属層４２１ｂの厚さｄ２は、０．１μｍ以上０．５μｍ以下であるとよい。厚さｄ２を０．１μｍ以上とすることで十分な遮蔽効果が得られ、厚さｄ２を０．５μｍ以下とすることで、シールドテープ４２１が硬くなり横巻きシールド層４１の動きに追従しにくくなることを抑制できる。

樹脂テープ４２１ａが厚すぎると、シールドテープ４２１が硬くなり、横巻きシールド層４１の動きに追従しにくくなるので、樹脂テープ４２１ａの厚さｄ１もなるべく薄いことが望ましい。具体的には、樹脂テープ４２１ａの厚さｄ１と、金属層４２１ｂの厚さｄ２との比率であるｄ１／ｄ２が、３／４０未満であるとよい。ｄ１／ｄ２を３／４０未満とすることで、シールドテープ４２１が硬くなり横巻きシールド層４１の動きに追従しにくくなることを抑制できる。

また、シールドテープ４２１の巻きピッチは、なるべく第２金属素線４１ａの巻きピッチと近いことが望ましい。より具体的には、シールドテープ４２１の巻きピッチは、第２金属素線４１ａの巻きピッチの２倍以下であることが望ましい。これは、シールドテープ４２１の巻きピッチが大きくなり過ぎると、横巻きシールド層４１の動きに追従しにくくなるためである。

なお、例えば、シールドテープ層４２を、絶縁体３と横巻きシールド層４１との間に設けることも考えられるが、このような構造は、伝送特性の劣化をまねくため好ましくない。高速信号を伝送する際には、表皮効果によりシールド層４１の径方向内方の縁部を流れる電流の割合が多くなる。多くの電流が流れるシールド層４１の径方向内方の縁部にシールドテープ層４２を設けると、シールドテープ層４２は導体（金属層４２１ｂ）と絶縁体（樹脂テープ４２１ａ）とが長手方向に周期的に存在する構造となっているため、特定の周波数で大きな減衰が生じるサックアウトと呼ばれる現象が生じるおそれがある。このようなサックアウトを抑制するため、シールドテープ層４２は、横巻きシールド層４１の外周に設けられている。

（実施の形態の作用及び効果）
以上説明したように、本実施の形態に係る同軸ケーブル１では、内部導体２は、断面形状が円形状となるように、第１金属素線２１を隙間なく撚り合わせて構成され、かつ、横巻きシールド層４１は、周方向に隣り合う第２金属素線４１ａ間の少なくとも１箇所に、空隙６を有している。

内部導体２を、断面形状が円形状となるように、第１金属素線２１を隙間なく撚り合わせて構成することで、繰り返し曲げを加えても内部導体２が断線しにくくなり、かつ、導電率を向上して高速信号を伝送する際の伝送特性を向上できる。さらに、第２金属素線４１ａ間に空隙６を設け、空隙６を挟んで隣り合う第２金属素線４１ａ間の距離ｗの合計値が、第２金属素線４１ａの外径ｄ以下であることで、同軸ケーブル１を曲げた部分においても横巻きシールド層４１と絶縁体３との間に隙間１０が生じにくくなるため、曲げた部分における内部導体２とシールド層４との距離を、曲げていない部分における内部導体２とシールド層４との距離と同じにすることができる。その結果、曲げた部分における特性インピーダンスの変化を抑制し、高速信号を伝送する際の伝送特性を向上できる。

つまり、本実施の形態によれば、曲げた状態で配線されても高速信号の減衰を抑制可能な同軸ケーブル１を実現できる。より具体的には、曲げて配線した場合であっても、特性インピーダンスの誤差を１％程度（例えば、５０Ω±０．５Ω）とすることができ、７０ＧＨｚ以上といった次世代の高速伝送に適した非常に高い伝送特性を実現することができる。

（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。

［１］内部導体（２）と、前記内部導体（２）の周囲を覆う絶縁体（３）と、前記絶縁体（３）の周囲を覆うシールド層（４）と、前記シールド層（４）の周囲を覆うシース（５）と、を備え、前記内部導体（２）は、断面形状が円形状となるように、第１金属素線（２１）を撚り合わせて構成され、前記シールド層（４）は、前記絶縁体（３）の周囲に複数の第２金属素線（４１ａ）を螺旋状に巻き付けて構成された横巻きシールド層（４１）と、樹脂テープ（４２１ａ）の一方の面に金属層（４２１ｂ）を形成したシールドテープ（４２１）を、前記金属層（４２１ｂ）が前記横巻きシールド層（４１）と接触するように前記横巻きシールド層（４１）の周囲に螺旋状に巻き付けて構成されたシールドテープ層（４２）と、を有し、前記横巻きシールド層（４１）は、周方向に隣り合う前記第２金属素線間（４１ａ）の少なくとも１箇所に、空隙（６）を有し、長手方向に垂直な断面において、前記空隙（６）を挟んで隣り合う前記第２金属素線（４１ａ）間の距離ｗの合計値が、前記第２金属素線（４１ａ）の外径ｄ以下である、同軸ケーブル（１）。

［２］長手方向に垂直な断面において、前記空隙（６）を挟んで隣り合う前記第２金属素線（４１ａ）間の距離ｗの合計値が、前記第２金属素線（４１ａ）の外径ｄの０．５倍以上１．０倍以下である、［１］に記載の同軸ケーブル（１）。

［３］前記横巻きシールド層（４１）における前記第２金属素線（４１ａ）の巻き付け方向と、前記シールドテープ層（４２）における前記シールドテープ（４２１）の巻き付け方向が、同じ方向である、［１］または［２］に記載の同軸ケーブル（１）。

［４］前記第２金属素線（４１ａ）が、純銅、または表面に銀めっきを施した純銅からなる、［１］乃至［３］の何れか１項に記載の同軸ケーブル（１）。

［５］前記シールドテープ（４２１）の前記金属層（４２１ｂ）の厚さが、０．１μｍ以上０．５μｍ以下である、［１］乃至［４］の何れか１項に記載の同軸ケーブル（１）。

［６］前記シールドテープ（４２１）の前記樹脂テープ（４２１ａ）の厚さをｄ１、前記金属層（４２１ｂ）の厚さをｄ２としたとき、ｄ１／ｄ２が３／４０未満である、［５］に記載の同軸ケーブル（１）。

［７］前記シールドテープ（４２１）の厚さが、前記第２金属素線（４１ａ）の外径の１／１０以下である、［１］乃至［６］の何れか１項に記載の同軸ケーブル（１）。

［８］前記絶縁体（３）が、フッ素樹脂からなる、［１］乃至［７］の何れか１項に記載の同軸ケーブル（１）。

以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。また、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。

１…同軸ケーブル
２…内部導体
２１…金属素線
３…絶縁体
４…シールド層
４１…横巻きシールド層
４１ａ…第１金属素線
４２…シールドテープ層
４２１…シールドテープ
４２１ａ…樹脂テープ
４２１ｂ…金属層
５…シース
６…空隙

Claims (8)

1. 内部導体と、
   前記内部導体の周囲を覆う絶縁体と、
   前記絶縁体の周囲を覆うシールド層と、
   前記シールド層の周囲を覆うシースと、を備え、
   前記内部導体は、断面形状が円形状となるように、第１金属素線を撚り合わせて構成され、
   前記シールド層は、前記絶縁体の周囲に複数の第２金属素線を螺旋状に巻き付けて構成された横巻きシールド層と、樹脂テープの一方の面に金属層を形成したシールドテープを、前記金属層が前記横巻きシールド層と接触するように前記横巻きシールド層の周囲に螺旋状に巻き付けて構成されたシールドテープ層と、を有し、
   前記横巻きシールド層は、周方向に隣り合う前記第２金属素線間の少なくとも１箇所に、空隙を有し、
   長手方向に垂直な断面において、前記空隙を挟んで隣り合う前記第２金属素線間の距離ｗの合計値が、前記第２金属素線の外径ｄ以下である、
   同軸ケーブル。
2. 長手方向に垂直な断面において、前記空隙を挟んで隣り合う前記第２金属素線間の距離ｗの合計値が、前記第２金属素線の外径ｄの０．５倍以上１．０倍以下である、
   請求項１に記載の同軸ケーブル。
3. 前記横巻きシールド層における前記第２金属素線の巻き付け方向と、前記シールドテープ層における前記シールドテープの巻き付け方向が、同じ方向である、
   請求項１または２に記載の同軸ケーブル。
4. 前記第２金属素線が、純銅、または表面に銀めっきを施した純銅からなる、
   請求項１乃至３の何れか１項に記載の同軸ケーブル。
5. 前記シールドテープの前記金属層の厚さが、０．１μｍ以上０．５μｍ以下である、
   請求項１乃至４の何れか１項に記載の同軸ケーブル。
6. 前記シールドテープの前記樹脂テープの厚さをｄ１、前記金属層の厚さをｄ２としたとき、ｄ１／ｄ２が３／４０未満である、
   請求項５に記載の同軸ケーブル。
7. 前記シールドテープの厚さが、前記第２金属素線の外径の１／１０以下である、
   請求項１乃至６の何れか１項に記載の同軸ケーブル。
8. 前記絶縁体が、フッ素樹脂からなる、
   請求項１乃至７の何れか１項に記載の同軸ケーブル。

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