JP7136492B2 - 磁気抵抗効果素子、磁気センサ、再生ヘッドおよび磁気記録再生装置 - Google Patents
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Description
前記パラメータpは、0≦p≦70を満たしてもよい。
前記パラメータpは、p=0または20≦p≦75を満たしてもよい。
前記パラメータpは、p=0または22≦p≦70を満たしてもよい。
前記パラメータpは、0≦p≦65を満たしてもよい。
前記パラメータpは、p=0または25≦p≦65を満たしてもよい。
前記非磁性層は、1.5nm以上5nm以下の範囲の厚さを有してもよい。
前記一対の強磁性層のそれぞれは、1.5nm以上15nm以下の範囲の厚さを有してもよい。
前記磁気抵抗効果膜は、前記一対の強磁性層のうち一方と磁気的に結合する反強磁性層をさらに備えてもよい。
前記反強磁性層は、IrMn層、FeMn層、PtMn層およびCoO層からなる群から選択されてもよい。
前記磁気抵抗効果膜は、前記一対の強磁性層と、前記一対の強磁性層の間に位置する前記非磁性層とからなる多層構造を2以上有し、前記2以上の多層構造のそれぞれは絶縁層によって分離していてもよい。
前記磁気抵抗効果膜は、前記強磁性層と前記非磁性層とが繰り返し積層された人工格子構造であってもよい。
前記強磁性層のそれぞれは、異なる保磁力を有してもよい。
前記前記磁気抵抗効果膜は基板上に位置し、前記基板は、ガラス基板、アルミナ基板、熱酸化膜を有する/有しないSi単結晶、MgO単結晶、サファイア単結晶、SrTiO3単結晶、MgAl2O4単結晶およびTiO2単結晶からなる群から選択されてもよい。
前記基板は、バッファ層をさらに備えてもよい。
前記磁気抵抗効果膜は、キャップ層をさらに備えてもよい。
前記磁気抵抗効果素子は、前記磁気抵抗効果膜の面内方向に電流を流すCIP(Current in Plane)型、または、前記磁気抵抗効果膜の積層方向に電流を流すCPP(Cuttent Perpendicular to Plane)型であってもよい。
本発明による磁気抵抗効果素子を備えた磁気センサは、前記磁気抵抗効果素子が上述の磁気抵抗効果素子であり、これにより上記課題を解決する。
本発明による磁気抵抗効果素子を備えた磁気記録再生装置用の再生ヘッドは、前記磁気抵抗効果素子が上述の磁気抵抗効果素子であり、これにより上記課題を解決する。
本発明による再生ヘッドを備えた磁気記録再生装置は、前記再生ヘッドが上述の再生ヘッドであり、これにより上記課題を解決する。
前記磁気記録再生装置は記録ヘッドをさらに備えてもよい。
(実施の形態1)
実施の形態1では、本発明の磁気抵抗効果素子およびその製造方法について説明する。
実施の形態2では、実施の形態1で説明した本発明の磁気抵抗効果素子を用いた用途について説明する。
図6Bは、図6Aに示すA-A線断面図である。
例1~例9では、MgO(001)単結晶基板、または、熱酸化膜(SiOx)付c-Si(001)単結晶基板上に、強磁性層としてCo100-pFep層を、非磁性層としてCu層またはAg層を用い、磁気抵抗効果素子を製造した。
図8は、例1~例5および例7の試料のXRDパターンを示す図である。
図10は、例3の試料について図9とは異なる晶帯軸から撮影したHAADF-STEM像を示す図である。
図11は、例3の試料において厚さの異なるCu層のHAADF-STEM像、逆フーリエ変換(IFFT)像および電子回折パターンを示す図である。
図13は、MR比のCo100-pFepのp値依存性を示す図である。
図16は、例8の試料のMR比および出力電圧のバイアス電圧依存性を示す図である。
図18は、例3および例7の試料の抵抗(R)および抵抗変化(dR)の温度依存性を示す図である。
図21は、(a)bcc-Co、(b)bcc-Co75Fe25および(c)bcc-Co25Fe75の第一原理計算によるバンド構造を示す図である。
110、310、410 磁気抵抗効果膜
120、120n、140 強磁性層
130、130n 非磁性層
150 基板
320 反強磁性層
500 磁気センサ
600 磁気ヘッド
610 再生ヘッド
620 記録ヘッド
611 スライダ
612、621、623 絶縁層
613 下部シールド層
614 下部ギャップ絶縁層
615 磁区制御層
616 一対の端子層
617 上部ギャップ絶縁層
618 上部シールド層
622 下部磁極
624 記録ギャップ層
625 上部磁極
626 コイル
700 磁気記録再生装置
710 ハウジング
720 アクチュエータ
730 アクチュエータアーム
740 ヘッドスライダ
750 磁気記録媒体
Claims (16)
- 磁気抵抗効果膜を備えた磁気抵抗効果素子であって、
前記磁気抵抗効果膜は、少なくとも、一対の強磁性層と、前記一対の強磁性層の間に位置する非磁性層とを備え、
前記一対の強磁性層のそれぞれは、体心立方(bcc)の結晶構造を有し、一般式Co100-pFepで表される層(パラメータpは、0≦p≦75を満たし、前記一対の強磁性層のそれぞれにおけるpは、同一または別異である)であり、
前記非磁性層は、体心立方(bcc)の結晶構造を有し、Cuからなる層であり、
前記一対の強磁性層、および、前記非磁性層のそれぞれは、単結晶(001)層であるか、または、(001)結晶面に優先配向し、
前記磁気抵抗効果膜の面内方向に電流を流すCIP型である、磁気抵抗効果素子。 - 前記パラメータpは、0≦p≦70を満たす、請求項1に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記パラメータpは、p=0または22≦p≦70を満たす、請求項2に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記パラメータpは、0≦p≦65を満たす、請求項2に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記パラメータpは、p=0、または、25≦p≦65を満たす、請求項4に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記非磁性層は、1.5nm以上5nm以下の範囲の厚さを有する、請求項1~5のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記一対の強磁性層のそれぞれは、1.5nm以上15nm以下の範囲の厚さを有する、請求項1~6のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記磁気抵抗効果膜は、前記一対の強磁性層のうち一方と磁気的に結合する反強磁性層をさらに備える、請求項1~7のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記反強磁性層は、IrMn層、FeMn層、PtMn層およびCoO層からなる群から選択される、請求項8に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記磁気抵抗効果膜は、前記一対の強磁性層と、前記一対の強磁性層の間に位置する前記非磁性層とからなる多層構造を2以上有し、前記2以上の多層構造のそれぞれは絶縁層によって分離している、請求項1~9のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記磁気抵抗効果膜は、前記強磁性層と前記非磁性層とが繰り返し積層された人工格子構造である、請求項1~9のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記強磁性層のそれぞれは、異なる保磁力を有する、請求項1~7のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記磁気抵抗効果膜は基板上に位置し、
前記基板は、ガラス基板、アルミナ基板、熱酸化膜を有する/有しないSi単結晶、MgO単結晶、サファイア単結晶、SrTiO3単結晶、MgAl2O4単結晶およびTiO2単結晶からなる群から選択される、請求項1~12のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記基板は、バッファ層をさらに備える、請求項13に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記磁気抵抗効果膜は、キャップ層をさらに備える、請求項1~14のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子。
- 磁気抵抗効果素子を備えた磁気センサであって、
前記磁気抵抗効果素子は、請求項1~15のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子である、磁気センサ。
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