JP7130391B2 - メタマテリアルコンタクトを備えるマイクロ電気機械スイッチ - Google Patents
メタマテリアルコンタクトを備えるマイクロ電気機械スイッチ Download PDFInfo
- Publication number
- JP7130391B2 JP7130391B2 JP2018042929A JP2018042929A JP7130391B2 JP 7130391 B2 JP7130391 B2 JP 7130391B2 JP 2018042929 A JP2018042929 A JP 2018042929A JP 2018042929 A JP2018042929 A JP 2018042929A JP 7130391 B2 JP7130391 B2 JP 7130391B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- switch
- ghz
- flexible beam
- ground plane
- signal line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
- H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/12—Auxiliary devices for switching or interrupting by mechanical chopper
- H01P1/127—Strip line switches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/2005—Electromagnetic photonic bandgaps [EPB], or photonic bandgaps [PBG]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/0036—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/0036—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS]
- H01H2001/0052—Special contact materials used for MEMS
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/0036—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS]
- H01H2001/0084—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS] with perpendicular movement of the movable contact relative to the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/0036—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS]
- H01H2001/0089—Providing protection of elements to be released by etching of sacrificial element; Avoiding stiction problems, e.g. of movable element to substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
- H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
- H01H2059/0027—Movable electrode connected to ground in the open position, for improving isolation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H2205/00—Movable contacts
- H01H2205/004—Movable contacts fixed to substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H2239/00—Miscellaneous
- H01H2239/004—High frequency adaptation or shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H2239/00—Miscellaneous
- H01H2239/018—Ground conductor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
本出願は、2017年3月10日に出願された米国仮特許出願第62/469,752号の出願日の利益を主張するものであり、この仮特許出願は、その開示内容を引用することにより、本明細書の一部をなすものとする。
入力ポート及び出力ポートのそれぞれを備える信号線であって、信号線は、基板上に形成される第1の接地面と第2の接地面との間の基板上に形成される、信号線と、
第1の端部と、第2の端部と、第1の端部と第2の端部との間の可撓性中央部分とを有するプライマリ可撓性ビーム(又は第1可撓性ビーム)であって、第1の端部は第1の接地面の上方に形成される第1のポストによって支持され、第2の端部は第2の接地面の上方に形成される第2のポストによって支持され、プライマリ可撓性ビームの中央部分は、入力ポートの少なくとも一部及び出力ポートの少なくとも一部の上方に位置決めされ、それにより、可撓性中央部分は、下方に撓むときに、入力ポート及び出力ポートのそれぞれと接触する、プライマリ可撓性ビームと、
第1の接地面及び第2の接地面のそれぞれの中に形成される1つ以上の欠陥接地構造(defected ground structures)と、欠陥接地構造ごとに、その欠陥接地構造の上方に位置決めされる対応するセカンダリ可撓性ビーム(又は第2可撓性ビーム)と
を備えるマイクロ電気機械スイッチに関する。スイッチは、好ましくは、プライマリ可撓性ビームに接続され、プライマリ可撓性ビームに第1のバイアス電圧を印加するように構成される第1のアクチュエータであって、第1のバイアス電圧によって、プライマリ可撓性ビームが信号線に向かって下方に撓む、第1のアクチュエータと、1つ以上のセカンダリ可撓性ビームのそれぞれに接続され、セカンダリ可撓性ビームのそれぞれに第2のバイアス電圧を印加するように構成される第2のアクチュエータであって、第2のバイアス電圧によって、各セカンダリ可撓性ビームが、その対応する欠陥接地構造に向かって下方に撓む、第2のアクチュエータとを更に備えることができる。
Claims (5)
- マイクロ電気機械スイッチであって、
入力ポート及び出力ポートのそれぞれを有し、基板上に形成された第1の接地面と第2の接地面との間の前記基板上に形成された信号線と、
第1の端部と、第2の端部と、前記第1の端部と前記第2の端部との間の可撓性中央部とを有する第1可撓性ビームであって、前記第1の端部は前記第1の接地面の上方に形成された第1のポストにより支持され、前記第2の端部は前記第2の接地面の上方に形成された第2のポストにより支持され、前記第1可撓性ビームの中央部は、前記入力ポートの少なくとも一部及び前記出力ポートの少なくとも一部の上方に位置し、前記可撓性中央部は、下方に撓むと、前記入力ポート及び前記出力ポートのそれぞれと接触するものである、第1可撓性ビームと、
前記第1の接地面及び前記第2の接地面のそれぞれに形成された1つ以上の欠陥接地構造と、
各欠陥接地構造と対応し、当該欠陥接地構造の上方に位置する第2可撓性ビームと
を備え、
前記スイッチは、好ましくは、
前記第1可撓性ビームに接続され、前記第1可撓性ビームに第1のバイアス電圧を印加する第1のアクチュエータであって、前記第1のバイアス電圧により、前記第1可撓性ビームが前記信号線に向かって下方に撓む、第1のアクチュエータと、
1つ以上の前記第2可撓性ビームのそれぞれに接続され、前記第2可撓性ビームのそれぞれに第2のバイアス電圧を印加する第2のアクチュエータであって、前記第2のバイアス電圧により、各第2可撓性ビームが、その対応する欠陥接地構造に向かって下方に撓む、第2のアクチュエータと
を更に備えるものである、マイクロ電気機械スイッチ。 - 前記接地面にエッチングにより形成され、らせんを形成することにより欠陥接地面を形成する複数のスロットと、
各接地面における第1の欠陥接地構造及び第2の欠陥接地構造であって、前記第2の欠陥接地構造の長さ及び幅は、前記第1の欠陥接地構造の長さ及び幅より短い、第1の欠陥接地構造及び第2の欠陥接地構造と、
前記第2可撓性ビームに対して平行かつ前記第1可撓性ビームに対して垂直な方向に形成されている前記入力ポート及び前記出力ポートと
のうちの1つ又は任意の組み合わせを更に備える請求項1に記載のマイクロ電気機械スイッチ。 - 複数の前記第2可撓性ビームはそれぞれ、第1の副ポストによって支持される第1の端部と、第2の副ポストによって支持される第2の端部とを有し、各第2可撓性ビームの底面が、前記第1の副ポスト及び前記第2の副ポストにより、前記接地面及び対応する前記欠陥接地構造の上方に架けられ、好ましくは、
前記第1可撓性ビームの上面は、前記信号線の表面よりも4ミクロン未満だけ高く、
各第2可撓性ビームの上面は、前記接地面の表面よりも2.5ミクロン未満だけ高い、
請求項1又は2に記載のマイクロ電気機械スイッチ。 - 前記第1可撓性ビームの中央部は、格子構造を形成する複数の目打ち部を有し、前記目打ち部は前記第1可撓性ビームの柔軟性を高めるためのものであり、前記中央部の各角部は前記第1の端部又は前記第2の端部に向かって蛇行パターンで外向きに延びており、前記中央部の一方の側の前記延びている複数の角部は前記第1の端部において合流し、前記中央部の他方の側の前記延びている複数の角部は前記第2の端部において合流し、好ましくは、
各第2可撓性ビームは格子構造を形成する複数の目打ち部を有し、前記目打ち部は前記第2可撓性ビームの柔軟性を高めるためのものである、請求項1~3のいずれか一項に記載のマイクロ電気機械スイッチ。 - 前記スイッチは、75GHzと130GHzとの間において-2dBよりも小さい挿入損失及び-20dBよりも大きいアイソレーションを達成し、好ましくは、前記第1可撓性ビームが作動し、前記第2可撓性ビームが作動しない結果として、75GHzと130GHzとの間において前記入力ポートと前記出力ポートとの間のアイソレーションが約-24dB又はそれよりも良好となる一方、前記第2可撓性ビームが作動し、前記第1可撓性ビームが作動しない結果として、75GHzと130GHzとの間において挿入損失が-1.5dB又はそれよりも良好となる、請求項1~4のいずれか一項に記載のマイクロ電気機械スイッチ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762469752P | 2017-03-10 | 2017-03-10 | |
US62/469,752 | 2017-03-10 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018198194A JP2018198194A (ja) | 2018-12-13 |
JP2018198194A5 JP2018198194A5 (ja) | 2019-05-09 |
JP7130391B2 true JP7130391B2 (ja) | 2022-09-05 |
Family
ID=61616914
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018042929A Active JP7130391B2 (ja) | 2017-03-10 | 2018-03-09 | メタマテリアルコンタクトを備えるマイクロ電気機械スイッチ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10784066B2 (ja) |
EP (2) | EP3503284B1 (ja) |
JP (1) | JP7130391B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB201815797D0 (en) | 2018-09-27 | 2018-11-14 | Sofant Tech Ltd | Mems devices and circuits including same |
WO2020140060A1 (en) * | 2018-12-27 | 2020-07-02 | Clean Energy Labs, Llc | Membrane-based nano-electromechanical systems device and methods to make and use same |
CN109755703B (zh) * | 2019-03-18 | 2020-02-21 | 西安电子科技大学 | 一种具有高选择性的差分双频带通滤波器 |
CN110011007B (zh) * | 2019-03-20 | 2020-11-06 | 南京航空航天大学 | 基于人工表面等离子激元传输线的带阻滤波器 |
WO2022000122A1 (zh) * | 2020-06-28 | 2022-01-06 | 深圳清华大学研究院 | 一种基于悬浮电位的面内滑动式并联电容射频开关 |
CN114335938B (zh) * | 2021-12-29 | 2023-02-03 | 杭州电子科技大学 | 基于人工表面等离激元的小型化可调带通滤波器 |
CN115377631B (zh) * | 2022-09-16 | 2023-11-03 | 北京邮电大学 | 一种射频mems开关 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010061976A (ja) | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Toshiba Corp | スイッチ及びesd保護素子 |
CN105742124A (zh) | 2016-05-03 | 2016-07-06 | 北京邮电大学 | 一种微机电***开关 |
Family Cites Families (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3454906A (en) | 1967-05-02 | 1969-07-08 | Texas Instruments Inc | Bisected diode loaded line phase shifter |
US3872409A (en) | 1974-04-30 | 1975-03-18 | Us Army | Shunt loaded line phase shifter |
DE3681927D1 (de) | 1985-01-21 | 1991-11-21 | Nec Corp | Piezoelektrische bistabile betaetigungsvorrichtung mit einem projektil das einen stoss empfaengt. |
US4806888A (en) | 1986-04-14 | 1989-02-21 | Harris Corp. | Monolithic vector modulator/complex weight using all-pass network |
US4977382A (en) | 1988-08-23 | 1990-12-11 | Pacific Monolithics | Vector modulator phase shifter |
US4931753A (en) | 1989-01-17 | 1990-06-05 | Ford Aerospace Corporation | Coplanar waveguide time delay shifter |
US5355103A (en) | 1990-06-29 | 1994-10-11 | American Nucleonics Corporation | Fast settling, wide dynamic range vector modulator |
US5093636A (en) | 1990-09-25 | 1992-03-03 | Hewlett-Packard Company | Phase based vector modulator |
US5168250A (en) | 1991-06-17 | 1992-12-01 | E-Systems, Inc. | Broadband phase shifter and vector modulator |
US5619061A (en) | 1993-07-27 | 1997-04-08 | Texas Instruments Incorporated | Micromechanical microwave switching |
US5463355A (en) | 1994-07-15 | 1995-10-31 | Loral Aerospace Corp. | Wideband vector modulator which combines outputs of a plurality of QPSK modulators |
US5880921A (en) * | 1997-04-28 | 1999-03-09 | Rockwell Science Center, Llc | Monolithically integrated switched capacitor bank using micro electro mechanical system (MEMS) technology |
JPH11274805A (ja) | 1998-03-20 | 1999-10-08 | Ricoh Co Ltd | 高周波スイッチ並びに製造方法、及び集積化高周波スイッチアレイ |
US6046659A (en) | 1998-05-15 | 2000-04-04 | Hughes Electronics Corporation | Design and fabrication of broadband surface-micromachined micro-electro-mechanical switches for microwave and millimeter-wave applications |
FR2781106B1 (fr) | 1998-07-10 | 2001-04-13 | Commissariat Energie Atomique | Modulateur vectoriel |
US6153839A (en) | 1998-10-22 | 2000-11-28 | Northeastern University | Micromechanical switching devices |
KR20000039236A (ko) | 1998-12-11 | 2000-07-05 | 서평원 | 아이(i)/큐(q) 벡터 변조기 |
US6069540A (en) | 1999-04-23 | 2000-05-30 | Trw Inc. | Micro-electro system (MEMS) switch |
JP3137112B2 (ja) | 1999-04-27 | 2001-02-19 | 日本電気株式会社 | マイクロマシンスイッチおよびその製造方法 |
US6281838B1 (en) | 1999-04-30 | 2001-08-28 | Rockwell Science Center, Llc | Base-3 switched-line phase shifter using micro electro mechanical (MEMS) technology |
US6356166B1 (en) | 1999-08-26 | 2002-03-12 | Metawave Communications Corporation | Multi-layer switched line phase shifter |
US6307452B1 (en) | 1999-09-16 | 2001-10-23 | Motorola, Inc. | Folded spring based micro electromechanical (MEM) RF switch |
JP3356139B2 (ja) | 1999-10-29 | 2002-12-09 | 日本電気株式会社 | 移相器 |
US6741207B1 (en) | 2000-06-30 | 2004-05-25 | Raytheon Company | Multi-bit phase shifters using MEM RF switches |
US6650527B1 (en) * | 2000-07-11 | 2003-11-18 | Fabrizio Pinto | Article comprising a casimir force modulator and methods therefor |
US6621390B2 (en) | 2001-02-28 | 2003-09-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electrostatically-actuated capacitive MEMS (micro electro mechanical system) switch |
US6509812B2 (en) | 2001-03-08 | 2003-01-21 | Hrl Laboratories, Llc | Continuously tunable MEMs-based phase shifter |
SE0101184D0 (sv) | 2001-04-02 | 2001-04-02 | Ericsson Telefon Ab L M | Micro electromechanical switches |
EP1251577B1 (en) | 2001-04-19 | 2007-04-25 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Fabrication of integrated tunable/switchable passive microwave and millimeter wave modules |
JP3651671B2 (ja) * | 2001-08-30 | 2005-05-25 | 株式会社東芝 | マイクロメカニカルスイッチ及びその製造方法 |
US6639488B2 (en) * | 2001-09-07 | 2003-10-28 | Ibm Corporation | MEMS RF switch with low actuation voltage |
US6798315B2 (en) | 2001-12-04 | 2004-09-28 | Mayo Foundation For Medical Education And Research | Lateral motion MEMS Switch |
US6806789B2 (en) | 2002-01-22 | 2004-10-19 | M/A-Com Corporation | Quadrature hybrid and improved vector modulator in a chip scale package using same |
US6849924B2 (en) | 2002-05-09 | 2005-02-01 | Raytheon Company | Wide band cross point switch using MEMS technology |
US6686820B1 (en) | 2002-07-11 | 2004-02-03 | Intel Corporation | Microelectromechanical (MEMS) switching apparatus |
US7053736B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-05-30 | Teravicta Technologies, Inc. | Microelectromechanical device having an active opening switch |
US6958665B2 (en) | 2003-04-02 | 2005-10-25 | Raytheon Company | Micro electro-mechanical system (MEMS) phase shifter |
US6949985B2 (en) | 2003-07-30 | 2005-09-27 | Cindy Xing Qiu | Electrostatically actuated microwave MEMS switch |
US7068220B2 (en) | 2003-09-29 | 2006-06-27 | Rockwell Scientific Licensing, Llc | Low loss RF phase shifter with flip-chip mounted MEMS interconnection |
US7157993B2 (en) | 2003-09-30 | 2007-01-02 | Rockwell Scientific Licensing, Llc | 1:N MEM switch module |
JP4109182B2 (ja) | 2003-11-10 | 2008-07-02 | 株式会社日立メディアエレクトロニクス | 高周波memsスイッチ |
US7259641B1 (en) | 2004-02-27 | 2007-08-21 | University Of South Florida | Microelectromechanical slow-wave phase shifter device and method |
US7315225B2 (en) | 2004-11-24 | 2008-01-01 | Ems Technologies Canada, Ltd. | Phase shifter providing multiple selectable phase shift states |
US7265731B2 (en) | 2004-12-29 | 2007-09-04 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Method and apparatus for improving the performance of a multi-band antenna in a wireless terminal |
DE112006003383T5 (de) * | 2005-12-22 | 2008-10-23 | Nxp B.V. | Anordnung von MEMS-Bauelementen mit in Reihe gekoppelten Kondensatoren |
US7570133B1 (en) | 2006-03-23 | 2009-08-04 | Lockheed Martin Corporation | Wideband passive amplitude compensated time delay module |
CN100527525C (zh) | 2006-06-16 | 2009-08-12 | 北京大学 | Rf mems 开关的互联结构的实现方法 |
US20080272857A1 (en) | 2007-05-03 | 2008-11-06 | Honeywell International Inc. | Tunable millimeter-wave mems phase-shifter |
GB0711382D0 (en) * | 2007-06-13 | 2007-07-25 | Univ Edinburgh | Improvements in and relating to reconfigurable antenna and switching |
US8411795B2 (en) | 2007-09-19 | 2013-04-02 | Powerwave Technologies, Inc. | High power high linearity digital phase shifter |
JP5029446B2 (ja) | 2008-03-19 | 2012-09-19 | 富士通株式会社 | 移相器およびフェーズドアレイアンテナ |
JP5498581B2 (ja) | 2009-09-15 | 2014-05-21 | メフメト アンリュー | トリプルスタブトポロジーを使用した位相および振幅の同時制御ならびにrfmems技術を使用したその実装 |
US8581679B2 (en) | 2010-02-26 | 2013-11-12 | Stmicroelectronics Asia Pacific Pte. Ltd. | Switch with increased magnetic sensitivity |
US7944296B1 (en) | 2010-03-12 | 2011-05-17 | Samsung Electro-Mechanics Company | Low power mode amplification with a transformer output matching and a virtual ground |
WO2011132348A1 (ja) | 2010-04-19 | 2011-10-27 | 日本電気株式会社 | 移相器 |
TWI425547B (zh) | 2011-05-06 | 2014-02-01 | Nat Chip Implementation Ct Nat Applied Res Lab | Cmos微機電開關結構 |
EP3422464B1 (en) | 2015-12-29 | 2021-02-24 | Synergy Microwave Corporation | Microwave mems phase shifter |
-
2018
- 2018-03-09 EP EP19152696.1A patent/EP3503284B1/en active Active
- 2018-03-09 EP EP18160897.7A patent/EP3373387B1/en active Active
- 2018-03-09 JP JP2018042929A patent/JP7130391B2/ja active Active
- 2018-03-09 US US15/916,506 patent/US10784066B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010061976A (ja) | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Toshiba Corp | スイッチ及びesd保護素子 |
CN105742124A (zh) | 2016-05-03 | 2016-07-06 | 北京邮电大学 | 一种微机电***开关 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10784066B2 (en) | 2020-09-22 |
US20180261415A1 (en) | 2018-09-13 |
JP2018198194A (ja) | 2018-12-13 |
EP3373387C0 (en) | 2023-09-06 |
EP3503284B1 (en) | 2022-05-11 |
EP3503284A1 (en) | 2019-06-26 |
EP3373387A3 (en) | 2018-12-12 |
EP3373387A2 (en) | 2018-09-12 |
EP3373387B1 (en) | 2023-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7130391B2 (ja) | メタマテリアルコンタクトを備えるマイクロ電気機械スイッチ | |
Pitchappa et al. | Active control of electromagnetically induced transparency analog in terahertz MEMS metamaterial | |
Kurmendra et al. | A review on RF micro-electro-mechanical-systems (MEMS) switch for radio frequency applications | |
US7741933B2 (en) | Electromagnetic composite metamaterial | |
Dey et al. | Design and development of a surface micro-machined push–pull-type true-time-delay phase shifter on an alumina substrate for Ka-band T/R module application | |
US7439117B2 (en) | Method for designing a micro electromechanical device with reduced self-actuation | |
Singh et al. | High isolation single‐pole four‐throw RF MEMS switch based on series‐shunt configuration | |
JP2016158035A (ja) | 位相シフタ | |
US8102638B2 (en) | Micro electromechanical capacitive switch | |
Sterner et al. | Microwave MEMS devices designed for process robustness and operational reliability | |
Siddaiah et al. | Material optimization of the novel cantilever based RF MEMS switch for mobile communication | |
Sanz-Fernández et al. | Tunable 2D electromagnetic band-gap (EBG) structures based on micro-electro-mechanical systems (MEMS) for THz frequencies | |
Dey et al. | Design, development and characterization of an x-band 5 bit DMTL phase shifter using an inline MEMS bridge and MAM capacitors | |
Devakirubai et al. | Design and performance analysis of a dual channel RF MEMS switch with separate bias voltage and signal paths for aerospace applications | |
Sravani et al. | Design, simulation and analysis of RF MEMS capacitive shunt switches with high isolation and low pull-in-voltage | |
Koul et al. | A Microelectromechanical switch with metamaterial contacts, part I: Concepts and technology | |
Small et al. | A fast high-Q X-band RF-MEMS reconfigurable evanescent-mode cavity resonator | |
He et al. | A lateral RF MEMS capacitive switch utilizing parylene as dielectric | |
Chakraborty et al. | Compact K-band distributed RF MEMS phase shifter based on high-speed switched capacitors | |
Koul et al. | RF MEMS Single-pole-multi-throw switching circuits | |
Kaur et al. | Low voltage RF MEMS capacitive shunt switches | |
Poplavko et al. | Low loss microwave piezo-tunable devices | |
Kügeler et al. | An integrated microelectromechanical microwave switch based on piezoelectric actuation | |
Giffney et al. | Design and modeling of a continuously variable piezoelectric RF MEMS switch | |
Koul et al. | Micromachined metamaterial inspired switches |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180406 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190329 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210302 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220524 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220802 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220824 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7130391 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |