JP7119269B2 - 半導体発光装置及び製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は半導体発光装置に関わり、より詳細にはＩ－ＶＩＩ族半導体を用いた半導体発光装置及び製造方法に関する。
単元素半導体のうち１９５０年から研究開発されてきて実用化となったＳｉ半導体は素材の価格が低廉で熱酸化によって容易にＳｉ酸化物を得ることができ、安定した表面保護膜を作ることのできるなどの長所があって、大部分のデバイスが要求している特性を満たしている。しかし、完全な大型単結晶成長が難しいというのが問題であり、バンドギャップが１．１ｅＶで小さいので高度の熱的安定性と高い効率を要求する半導体素子としては適合していない。また、ワイドバンドギャップ（ＷＢＧ：Ｗｉｄｅ Ｂａｎｄ Ｇａｐ）半導体やナロ－バンドギャップ（Ｎａｒｒｏｗ Ｂａｎｄ Ｇａｐ）半導体の機能にも不適合である。
最近、注目されている代案材料として、ＩＩＩ－Ｖ族半導体とＩＩ－ＶＩ族半導体はワイドバンドギャップ半導体物質で高出力、高周波電子素子として活用価値がある。しかし、ＩＩＩ－Ｖ族半導体とＩＩ－ＶＩ族半導体構成元素の蒸気圧差異に起因して通常ｎ－型半導体のみの単結晶が成長され、ｐ－型の単結晶は殆ど成長されなくてＰＮ接合を形成することができない。そのため、ｐ－型半導体を形成するめにＭｇド－ピングが通常的に必要であり、Ｍｇド－ピングされたＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体は水素結合によってｐ－型半導体の性能が落ちるようになる。それだけではなく、強い化学的結合力が短所として作用して結晶成長及びデバイスプロセスが難しい。このような現象のためワイドギャップ半導体は応用性に比べて多様な分野で活用するに限界がある。
従って、本発明の解決しようとする課題は、ワイドギャップ半導体のｐ－型半導体適用限界を克服し、発光効率を向上させてハイブリッド型半導体発光装置及び製造方法を提供することにある。
このような課題を解決するために本発明による半導体発光装置は、基板、第１半導体層、第１クラッド層、活性層、第２クラッド層、及び第２半導体層から構成されてもよい。前記第１半導体層は前記基板上に形成され、ＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体含んでいてもよい。また、活性層は前記第１クラッド層上に形成され、ＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体を含んでいてもよい。また、第２クラッド層は前記活性層上に形成されてもよい。また、前記第２半導体層は前記第２クラッド層上に形成され、Ｉ－ＶＩＩ族半導体を含んでいてもよい。
また、前記第１半導体層はｎ－型半導体でもあり、前記第２半導体層はｐ－型半導体から構成されてもよい。
また、前記第１クラッド層はＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体を含んでいてもよい。
また、前記第２クラッド層はＩ－ＶＩＩ族半導体を含んでいてもよい。
また、前記活性層と前記第２クラッド層との間に第３クラッド層をさらに含み、前記第３クラッド層はＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体物質から形成されてもよい。
また、前記第２半導体層上に透明電極層をさらに含んでいてもよい。
また、本発明による発光ダイオ－ドは半導体素子及び蛍光体が含まれた光変換層を含んでいてもよい。前記半導体素子は基板、ｎ－型半導体層、第１クラッド層、活性層、第２クラッド層及びｐ－型半導体層を含んでいてもよい。この際、前記ｎ－型半導体層は前記基板上にＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体から形成されてもよい。また、前記第１クラッド層は前記ｎ－型半導体層上にＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体から形成されてもよい。また、前記活性層は前記第１クラッド層上にＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体から形成されてもよい。また、前記第２クラッド層は前記活性層上にＩ－ＶＩＩ族半導体から形成されてもよい。また、前記ｐ－型半導体層は前記第２クラッド層上にＩ－ＶＩＩ族半導体から構成されてもよい。
また、前記発光ダイオ－ドは前記活性層と第２クラッド層との間に第３クラッド層をさらに含み、前記第３クラッド層はＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体から形成されてもよい。
また、本発明による半導体発光装置製造方法によると、基板を準備する段階と、ｎ－型半導体を形成する段階と、第１クラッド層を形成する段階と、活性層を形成する段階と、第２クラッド層を形成する段階と、ｐ－型半導体を形成する段階と、を含む。前記ｎ－型半導体を形成する段階はＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体物質を含む物質を使用することができ、前記基板上に形成されてもよい。また、前記第１クラッド層を形成する段階は前記ｎ－型半導体上に形成されてもよい。また、前記活性層はＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体物質を含んでいてもよい。また、前記第２クラッド層を形成する段階は前記活性層上に形成されてもよい。また、前記ｐ－型半導体を形成する段階は前記第２クラッド層上に形成され、前記 ｐ－型半導体はＩ－ＶＩＩ族半導体を含んでいてもよい。
また、前記半導体発光装置製造方法は、前記活性層を形成する段階と前記第２クラッド層を形成する段階との間に第３クラッド層を形成する段階をさらに含み、第３クラッド層はＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体物質を含んでいてもよい。
また、前記Ｉ－ＶＩＩ族半導体はＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、ＡｇＩのうちいずれか一つ、または２つ以上の組合からなってもよい。
また、前記ＩＩＩ－Ｖ族半導体はＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＰのうちいずれか一つ、または２つ以上の組合からなってもよい。
また、前記ＩＩ－ＶＩ族半導体は、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＨｇＣｄＴｅ、ＨｇＺｎＴｅのうちいずれか一つ、または２つ以上の組合からなってもよい。
本発明による半導体発光装置、発光ダイオ－ド及び半導体製造方法によると、ｐ－型半導体形成の際別途のド－ピング過程なしに自然に半導体を成長させるので、高純度単結晶形成に有利である。また、基板と格子の不整合による欠陥が源泉的に解決できる。
また、Ｉ－ＶＩＩ族半導体は低温で結晶成長が可能であるのでプロセスが容易で材料安定性を確保することができる。
また、広範囲の波長領域の光を放出することができ、用途によって波長領域を選択することができる。さらに、半導体産業の多変化と共に多様な欲求を充足させることができる。
本発明は多様な変更を加えることができ、多様な形態を有することできる。ここでは、特定の実施形態を図面に例示し本文に詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に限定するものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物乃至代替物を含むこととして理解されるべきである。各図面を説明しながら類似した参照符号を類似した構成要素に対して使用した。添付された図面において、構造物の寸法は本発明の明確性を図るために実際より誇張して示したものでもある。
第１、第２などの用語は多用な構成要素を説明するのに使用されることがあるが、前記構成要素は前記用語によって限定解釈されない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみとして使用される。例えば、本発明の権利範囲を外れることなく第１構成要素を第２構成要素ということができ、類似に第２構成要素も第１構成要素ということができる。
本出願において使用した用語は単なる特定の実施形態を説明するために使用されたもので、本発明を限定しようとする意図ではない。単数の表現は文脈上明白に示さない限り、複数の表現を含む。本出願において、「含む」または「有する」などの用語は明細書に記載された特徴、数字、ステップ、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを意味し、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないこととして理解されるべきである。また、ＡとＢが‘連結される。’、‘結合される’という意味はＡとＢが直接的に連結されるか結合する外に他の構成要素ＣがＡとＢとの間に含まれてＡとＢが連結されるか結合されることを含むのである。
異なるように定義されない限り、技術的か科学的な用語を含んでここで使用される全ての用語は本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者によって一般的に理解されるのと同一の意味を有している。一般的に使用される辞書に定義されているような用語は関連技術の文脈上有する意味と一致する意味を有すると解釈されるべきであり、本出願で明白に定義しない限り、理想的であるか過度に形式的な意味で解釈されない。また、方法発明に対する特許請求範囲で、各段階が明白に順序に拘束されない限り、各段階はその順序が互いに変わってもよい。
以下、図面を参照して本発明の好適な一実施形態をより詳細に説明する。
図２は本発明による半導体発光装置１０００の断面図である。
図２を参照すると、本発明による半導体発光装置１０００は、基板１００、第１半導体層２００、第１クラッド層３００、活性層４００、第２クラッド層６００及び第２半導体層７００から構成されてもよい。前記第１半導体層２００は前記基板１００上に形成され、ＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体を含んでいてもよい。また、前記第１クラッド層３００は前記第１半導体層２００上に形成されてもよい。また、前記活性層４００は前記第１クラッド層３００上に形成され、ＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体を含んでいてもよい。また、前記第２クラッド層６００は前記活性層４００上に形成されてもよい。また、前記第２半導体層７００は前記第２クラッド層６００上にＩ－ＶＩＩ族半導体から形成されてもよい。
また、前記第１半導体層２００はｎ－型半導体であり、前記第２半導体層７００はｐ－型半導体から構成されてもよい。一般的にワイドバンドギャップ半導体を形成するためにＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体を主に使用するが、前記ＩＩＩ－Ｖ族半導体及びＩＩ－ＶＩ族半導体でｐ－型を形成するためには不純部ド－ピング処理が不可避である。また、前記ＩＩＩ－Ｖ族半導体及びＩＩ－ＶＩ族半導体をＭｇド－ピングしてｐ－型半導体を形成する場合、強い水素結合によって正孔生成能力が劣れて光効率が落ちるようになる。
しかし、Ｉ－ＶＩＩ族半導体は結晶成長のみでｐ－型半導体が形成されるのでプロセスが容易で、成長温度が４００℃～６００℃で相対的に低温で工程が可能である。のみならず、図１を参照すると、Ｉ－ＶＩＩ族半導体はＩＩＩ－Ｖ族半導体及びＩＩ－ＶＩ族半導体に比べてバンドギャップエネルギ－が大きいので光効率の高いという長所がある。
また、前記第１クラッド層３００はＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体からなってもよい。また、前記第２クラッド層６００はＩ－ＶＩＩ族半導体からなってもよい。
一般的に半導体素子内電子の移動速度が正孔の移動速度に比べて非常に速いのでｐ－型半導体に電子過剰現象が生じるようになる。それは光効率を低下させる現象を惹起させる。本発明によって前記第１クラッド３００及び第２クラッド層６００を形成するとこのような光効率限界を克服することができる。
また、前記半導体発光装置１０００は前記活性層４００と前記第２クラッド層６００との間に第３クラッド層５００をさらに含み、前記第３クラッド層５００はＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体物質から形成されてもよい。
互いに異なる２つの半導体物質を接合させる異種接合は他のエネルギ－ギャップを有するので接合界面にエネルギ－バンドの不連続が生じるようになる。そのために格子常数がよく合わなければならないので材料選択に限界があり、階段接合問題を解決しなければならないという難しさがある。しかし、前記半導体発光装置１０００はＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体物質を含む第３クラッド層５００を形成してヘテロエピタキシャル成長（Hetero－epitaxial growth）の際バッファ－となる。前記第３クラッド層５００上にＩ－ＶＩＩ族半導体を成長させることで格子不整合による欠陥が源泉的に解決できる。
また、前記第２半導体層上に透明電極層８００をさらに含んでいてもよい。
前記透明電極層８００はＮｉ/Ａｕ、ＩＴＯ、ＣＴＯ、ＴｉＷＮ、ＩＮ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＣｄＯ、ＺｎＯ、ＣｕＧａＯ２、及びＳｒＣｕ２Ｏ２のうちいずれか一つの物質から製造されてもよい。
また、本発明による前記半導体発光装置１０００は蛍光体層をさらに含んでいてもよく、それは多様な照明及びディスプレ－に製品に適用可能である。
本発明による発光ダイオ－ドは、半導体素子及び蛍光体が含まれた光変換層を含んでいてもよい。前記半導体素子は基板、ｎ－型半導体層、第１クラッド層、活性層、第２クラッド層、ｐ－型半導体層を含んでいてもよい。この際、前記ｎ－型半導体は基板上にＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体から形成されてもよい。また、前記第１クラッド層はｎ－型半導体層上にＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体から形成される。また、前記活性層は前記第１クラッド層上にＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体から形成されてもよい。また、前記第２クラッド層は前記活性層上にＩ－ＶＩＩ族半導体から形成されてもよい。また、前記ｐ－型半導体層は前記第２クラッド層上にＩ－ＶＩＩ族半導体から構成されてもよい。
また、前記発光ダイオ－ドは前記活性層と第２クラッド層との間に第３クラッド層をさらに含み、前記第３クラッド層はＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体から形成されてもよい。
また、本発明による半導体発光装置製造方法Ｓ１０００によると、基板を準備する段階Ｓ１００、ｎ－型半導体を形成する段階Ｓ２００、第１クラッド層を形成する段階Ｓ３００、活性層を形成する段階Ｓ４００、第２クラッド層を形成する段階Ｓ５００及びｐ－型半導体を形成Ｓ６００する段階を含んでいてもよい。前記ｎ－型半導体を形成する段階Ｓ２００はＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体物質を含むｎ－型半導体を使用することができ、前記基板上に形成されてもよい。また、前記第１クラッド層を形成する段階Ｓ３００は前記ｎ－型半導体上に形成されてもよい。また、前記活性層を形成する段階Ｓ４００は前記第１クラッド層上に形成され、前記活性層はＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体物質を含んでいてもよい。また、前記第２クラッド層を形成する段階Ｓ５００は前記活性層上に形成されてもよい。また、前記ｐ－型半導体を形成する段階Ｓ６００は前記第２クラッド層上に形成され、前記ｐ－型半導体はＩ－ＶＩＩ族半導体を含んでいてもよい。
また、前記半導体発光装置製造方法は、前記活性層を形成する段階Ｓ４００と前記第２クラッド層を形成する段階Ｓ５００との間に第３クラッド層を形成する段階をさらに含んでいてもよい。また、前記第３クラッド層はＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体物質を含んでいてもよい。
また、前記半導体発光装置製造方法Ｓ１０００は各段階が順次にまたは２つの段階以上が同時に行われてもよいが順序を限定してはいない。
また、前記ｐ－型半導体を形成する段階は物理的気相蒸着方法（ＰＶＤ：Physical Vapor Deposition）または化学的気相蒸着方法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）を通じてＩ－ＶＩＩ族半導体を蒸着させることができる。また、前記ｐ－型半導体を形成する段階は前記４００℃～６００℃の温度を保持してＩ－ＶＩＩ族半導体を蒸着して結晶を成長させることができる。
また、前記Ｉ－ＶＩＩ族半導体はＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、ＡｇＩのうちいずれか一つ、または２つ以上の組合からなってもよい。また、前記ＣｕＣｌはバンドギャップが３．３ｅＣのdirect band gap半導体で紫外線領域のバンドギャップを有していて可視光線領域で透明であってディスプレ－応用に可能である。
また、前記ＩＩＩ－Ｖ族半導体はＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＡＩＧａＮ、ＡＩＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＰのうちいずれか一つ、または２つ以上の組合からなってもよい。
また、前記ＩＩ－ＶＩ族半導体はＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＨｇＣｄＴｅ、ＨｇＺｎＴｅのうちいずれか一つ、または２つ以上の組合からなってもよい。
図４は本発明の半導体発光素子、発光ダイオ－ド及び半導体製造方法によって製造されたＬＥＤの例示的な一実施形態の例を示す断面図である。
図４を参照すると、ＬＥＤ内に本発明による半導体発光装置１０００を実装することができる。フレ－ム１（１０）上に前記半導体発光装置１０００を接着し、半導体発光装置１０００の第１電極２１０をワイヤ２（４０）によってフレ－ム２（２０）に接合し、前記半導体発光装置１０００の第２電極７１０をワイヤ１（３０）によってフレ－ム１（１０）に接合させることができる。また、透明な樹脂からなったハウジング５０で周辺をモ－ルディングして前記ＬＥＤを製造することができる。
また、本発明による半導体発光装置１０００、半導体発光ダイオ－ド及び半導体発光装置製造方法Ｓ１０００によると、多様なディスプレ－製品に活用可能であり太陽電池及び電気自動車用バッテリ－などに適用可能である。
以上、本発明の実施形態によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者であれば、本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
Claims (18)
- 基板と、
前記基板上にＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体から形成された第１半導体層と、
前記第１半導体層上に形成された第１クラッド層と、
前記第１クラッド層上にＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体から形成された活性層と、
前記活性層上に形成された第２クラッド層と、
前記第２クラッド層上にＩ－ＶＩＩ族半導体から形成された第２半導体層と、
前記第２半導体層上に形成された透明電極層と、
を含むことを特徴とする半導体発光装置。 - 前記第１半導体層はｎ－型半導体であり、前記第２半導体層はｐ－型半導体から構成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
- 前記第１クラッド層はＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
- 前記第２クラッド層はＩ－ＶＩＩ族半導体を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
- 前記活性層と前記第２クラッド層との間に第３クラッド層をさらに含み、
前記第３クラッド層はＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体から形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。 - 前記Ｉ－ＶＩＩ族半導体はＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、ＡｇＩのうちいずれか一つ、または２つ以上の組合からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
- 前記第１半導体層および前記活性層の前記ＩＩＩ－Ｖ族半導体は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＰのうちいずれか一つ、または２つ以上の組合からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
- 前記第１半導体層および前記活性層の前記ＩＩ－ＶＩ族半導体はＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＨｇＣｄＴｅ、ＨｇＺｎＴｅのうちいずれか一つ、または２つ以上の組合からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
- 半導体素子と、
蛍光体が含まれた光変換層を含み、
前記半導体素子は、
基板と、
前記基板上にＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体から形成されたｎ－型半導体層と、
前記ｎ－型半導体層上にＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体から形成された第１クラッド層と、
前記第１クラッド層上にＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体から形成された活性層と、
前記活性層上にＩ－ＶＩＩ族半導体から形成された第２クラッド層と、
前記第２クラッド層上にＩ－ＶＩＩ族半導体から構成されたｐ－型半導体層と、を含むことを特徴とする発光ダイオ－ド。 - 前記活性層と前記第２クラッド層との間に第３クラッド層をさらに含み、前記第３クラッド層はＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体から形成されることを特徴とする請求項９に記載の発光ダイオ－ド。
- 前記第２クラッド層および前記ｐ－型半導体層の前記Ｉ－ＶＩＩ族半導体はＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、ＡｇＩのうちいずれか一つ、または２つ以上の組合からなることを特徴とする請求項９に記載の発光ダイオ－ド。
- 前記ｎ－型半導体層、前記第１クラッド層、および前記活性層の前記ＩＩＩ－Ｖ族半導体はＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＰのうちいずれか、一つまたは２つ以上の組合からなることを特徴とする請求項９に記載の発光ダイオ－ド。
- 前記ｎ－型半導体層、前記第１クラッド層、及び前記活性層の前記ＩＩ－ＶＩ族半導体は、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＨｇＣｄＴｅ、ＨｇＺｎＴｅのうちいずれか一つ、または２つ以上の組合からなることを特徴とする請求項９に記載の発光ダイオ－ド。
- 基板を準備する段階と、
前記基板にＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体物質を含むｎ－型半導体を形成する段階と、
前記ｎ－型半導体上にＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体物質を含む第１クラッド層を形成する段階と、
前記第１クラッド層上にＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体物質を含む活性層を形成する段階と、
前記活性層上にＩ－ＶＩＩ族半導体を含む第２クラッド層を形成する段階と、
第２クラッド層上にＩ－ＶＩＩ族半導体を含むｐ－型半導体を形成する段階と、を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 - 前記活性層を形成する段階と前記第２クラッド層を形成する段階との間に第３クラッド層を形成する段階をさらに含み、前記第３クラッド層はＩＩＩ－Ｖ族半導体またはＩＩ－ＶＩ族半導体物質を含むことを特徴とする請求項１４に記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記第２クラッド層および前記ｐ－型半導体の前記Ｉ－ＶＩＩ族半導体はＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、ＡｇＩのうちいずれか一つ、または２つ以上の組合からなることを特徴とする請求項１４に記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記第１クラッド層および前記活性層の前記ＩＩＩ－Ｖ族半導体はＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＰのうちいずれか一つ、または２つ以上の組合からなることを特徴とする請求項１４に記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記ｎ－型半導体、前記第１クラッド層、および前記活性層の前記ＩＩ－ＶＩ族半導体物質は、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＨｇＣｄＴｅ、ＨｇＺｎＴｅのうちいずれか一つ、または２つ以上の組合からなることを特徴とする請求項１４に記載の半導体発光装置の製造方法。
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