JP7118298B1 - 応力緩和構造および応力緩和構造の製造方法 - Google Patents
応力緩和構造および応力緩和構造の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7118298B1 JP7118298B1 JP2021576940A JP2021576940A JP7118298B1 JP 7118298 B1 JP7118298 B1 JP 7118298B1 JP 2021576940 A JP2021576940 A JP 2021576940A JP 2021576940 A JP2021576940 A JP 2021576940A JP 7118298 B1 JP7118298 B1 JP 7118298B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic substrate
- metal pattern
- porous layer
- electronic
- stress relaxation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 122
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 91
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 63
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 63
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 55
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 42
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 31
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 8
- -1 acrylic compound Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 abstract description 86
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 11
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 11
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRKPGWQEKNEVEU-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(3-triethoxysilylpropyl)pentan-2-imine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN=C(C)CC(C)C PRKPGWQEKNEVEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- ZXPDYFSTVHQQOI-UHFFFAOYSA-N diethoxysilane Chemical compound CCO[SiH2]OCC ZXPDYFSTVHQQOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOCC1CO1 WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCNCCN MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001490 poly(butyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本開示は、電子部品を搭載する電子基板の熱応力耐性を高めることを目的とする。本開示に係る応力緩和構造は、電子基板（１０１）と、電子基板（１０１）の上面上に形成された金属パターン（１０２）と、金属パターン（１０２）の上面上に形成された電子部品（１０５）と、金属パターン（１０２）の角、金属パターン（１０２）の角をレジスト（１０３）が覆う場合のレジスト（１０３）の角、電子基板（１０１）の外周部の表層、および電子基板（１０１）の外周部の上面上の少なくともいずれかに設けられる多孔質層（１０４）と、電子基板（１０１）の上面、金属パターン（１０２）、および電子部品（１０５）を封止する封止樹脂（１０６）と、を備える。
Description
本開示は、電子部品を搭載する電子基板の熱応力耐性を高める技術に関する。
構造体の端部または角の部分には応力が集中する。それらの応力が集中する箇所に接着剤を使用したり樹脂を注入したりする場合、温度サイクルによる熱膨張係数差、または水分の吸放湿による体積変化によって構造体の端部から接着剤または樹脂が剥がれたり、接着剤または樹脂にクラックが生じるという課題がある。また、中空構造を有する封止方法として箱型部材をキャップとして用い、接着固定する場合がある。この場合でも、熱応力によってキャップが剥がれたり、中空構造のため内部の水分が膨張し加熱時に水蒸気となるためキャップが取れたりするという課題がある。さらに、電子部品または実装基板は、製品に据え付ける際にねじ止め、カシメまたはリベットなどを打って固定される場合がある。この時、端部に応力が発生して実装基板が割れたり、電子部品の内部に応力がかかって信頼性を損ねたりするという課題がある。
これらの課題に対して、特許文献１では基板上のコーティング材に対する封止樹脂の密着性を向上させるために、コーティング材の角部にアールを設けることが記載されている。これにより、温度サイクルまたは客先実装時に生じる熱応力による封止樹脂の剥離が抑制される。
特許文献１の構成は、コーティング材の形状を工夫することによって封止樹脂がある場合に密着性の向上が見込まれるが、封止樹脂がない場合には対応できない。また、高い熱応力が加わった場合には効果が小さいという問題がある。
本開示は、上記の問題点を解決するためになされたものであり、電子部品を搭載する電子基板の熱応力耐性を高めることを目的とする。
本開示の一つの応力緩和構造は、電子基板と、電子基板の上面上に形成された金属パターンと、金属パターンの上面上に形成された電子部品と、金属パターンの角、金属パターンの角をレジストが覆う場合のレジストの角、電子基板の外周部の表層、および電子基板の外周部の上面上の少なくともいずれかに設けられる多孔質層と、電子基板の上面、金属パターン、および電子部品を封止し、一部が多孔質層の細孔に入り込んだ封止樹脂と、を備え、多孔質層は、エポキシ化合物またはアクリル化合物からなる樹脂材料を含む。
本開示の一つの応力緩和構造によれば、多孔質層により、封止樹脂と電子基板等との間の密着性が高まるため、電子部品を搭載する電子基板の熱応力耐性を高めることができる。本開示の目的、特徴、態様、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
＜Ａ．実施の形態１＞
＜Ａ－１．全体構成＞
図１は、実施の形態１の応力緩和構造１００１を示す断面図である。応力緩和構造１００１は、電子基板１０１、金属パターン１０２、レジスト１０３、多孔質層１０４、電子部品１０５、および封止樹脂１０６を備える。
＜Ａ－１．全体構成＞
図１は、実施の形態１の応力緩和構造１００１を示す断面図である。応力緩和構造１００１は、電子基板１０１、金属パターン１０２、レジスト１０３、多孔質層１０４、電子部品１０５、および封止樹脂１０６を備える。
電子基板１０１上には金属によりパターンが描写されることにより回路が構成される。また、電子基板１０１上には、電子部品１０５を実装するための金属パッドが設けられる。本明細書では、これらのパターンおよび金属パッドをまとめて金属パターン１０２と称する。
金属パターン１０２の角部はレジスト１０３に覆われる。レジスト１０３は、電子部品１０５の実装工程時に、はんだまたはその他の異物から金属パターン１０２を保護するためのものである。
金属パターン１０２の上には電子部品１０５が搭載される。電子部品１０５は、例えば半導体素子、抵抗またはコンデンサーである。
金属パターン１０２およびレジスト１０３は、精巧に作られるほどそれらの角部のアールが小さくなる。そのため、電子部品１０５を封止樹脂１０６で封止する際に、金属パターン１０２またはレジスト１０３の角部に応力が集中する。
そこで、応力緩和構造１００１では、応力が集中するレジスト１０３の角部を多孔質層１０４で覆うことにより、応力を緩和すると共に、封止樹脂１０６の密着性を高めている。
＜Ａ－２．多孔質層＞
多孔質層１０４は、多孔質構造を有する有機樹脂からなる。多孔質層１０４が有する多孔質構造は、モノリス構造、メソポーラス構造、ハニカム構造、または層状構造である。多孔質構造により応力緩和効果が得られる。
多孔質層１０４は、多孔質構造を有する有機樹脂からなる。多孔質層１０４が有する多孔質構造は、モノリス構造、メソポーラス構造、ハニカム構造、または層状構造である。多孔質構造により応力緩和効果が得られる。
また、封止樹脂１０６が多孔質層１０４の細孔に入り込むことで封止樹脂１０６の接着面積が増大すると共に、封止樹脂１０６が多孔質層１０４に対して３次元的に接触するためアンカー効果が得られ、多孔質層１０４と封止樹脂１０６との密着性が高まる。
また、多孔質層１０４の材料として封止樹脂１０６との密着性の良い材料を選択することによって、多孔質層１０４と封止樹脂１０６との密着性が高まる。
その結果、電子部品１０５を金属パターン１０２に実装して封止樹脂１０６による樹脂封止を行う際に、封止樹脂１０６の高い密着性が得られる。そして、応力緩和構造１００１を備える電気機器の信頼性が向上する。
多孔質層１０４に用いられる有機樹脂材料は、封止樹脂１０６よりもヤング率が低いものとすることにより、より応力緩和効果が得られる。
多孔質層１０４に用いられる有機樹脂材料として、エポキシ化合物（エポキシ樹脂）またはアクリル化合物（アクリル樹脂）がある。
多孔質層１０４に用いられるエポキシ樹脂には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジフェニルメタン型エポキシ樹脂、複数の芳香族環含有のエポキシ樹脂が挙げられる。ここで挙げたエポキシ樹脂の１種が単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
多孔質層１０４に用いられる硬化剤として、芳香族アミン、芳香族酸無水物、脂肪族アミン類、またはこれらの変性品などがある。ここで挙げた硬化剤の１種が単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
多孔質層１０４の形成方法は以下の通りである。まず、有機樹脂材料、硬化剤および孔形成材を含む混合物を、印刷法またはディップ法などの塗布手法を用いて電子基板１０１上の任意の場所に形成する。その後、混合物を熱硬化させることにより、複数の孔を備えた多孔質層を形成する。次に、水または有機溶剤による洗浄を行って孔形成材を除去する。こうして、多孔質層１０４が形成される。上記では熱硬化について述べたが、ＵＶ硬化など他の公知の効果方法が用いられてもよい。
上記の多孔質層１０４の形成プロセスは、一般的な電子基板の製造装置で対応が可能であるため、既存の生産ラインを大きく変えずに実現できることがメリットである。
多孔質層１０４にアクリル樹脂が用いられる場合は、まず、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸ブチル、またはポリメタクリル酸エステルに代表されるＰＭＭＡの１種または複数種を水－有機溶媒の混合溶媒に溶解させたものを、電子基板１０１上に塗布する。塗布方法として、上述した印刷法またはディップ法が用いられてもよいし、スプレー法またはバーコート法などが用いられてもよい。エポキシ樹脂と同様、塗布後に乾燥および洗浄を行うことでモノリス構造を得ることが可能である。アクリル樹脂は、分子量を変化させることで細孔径をコントロールすることが可能である。アクリル樹脂の場合も、一般的な電子基板の製造装置で多孔質層１０４を形成できることはエポキシ樹脂の場合と同様である。
また、封止樹脂１０６との密着性を高めるための表面処理として、電子基板１０１に大気およびアルゴンプラズマ処理、深紫外光処理、コロナ放電処理といった物理的処理を行ってもよい。
電子基板１０１に化学処理としてシランカップリング剤を塗布することでも同様の効果が得られる。例えば、エポキシ樹脂に対して２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－トリエトキシシリル－Ｎ－（１，３－ジメチル－ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－（ベニルベンジル）－２－アミノエチル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン塩酸塩などをプライマーとして用いてもよい。
＜Ｂ．実施の形態２＞
図２は、実施の形態２の応力緩和構造１００２を示す断面図である。応力緩和構造１００２は、電子基板１０１、金属パターン１０２、多孔質層１０４、電子部品１０５、および封止樹脂１０６を備える。
図２は、実施の形態２の応力緩和構造１００２を示す断面図である。応力緩和構造１００２は、電子基板１０１、金属パターン１０２、多孔質層１０４、電子部品１０５、および封止樹脂１０６を備える。
応力緩和構造１００２は、応力緩和構造１００１と異なり、金属パターン１０２の角部を覆うレジスト１０３が存在しない場合を想定している。この場合、電子部品１０５を封止樹脂１０６で封止する際に、金属パターン１０２の角部に応力が集中する。そこで、応力緩和構造１００２では、多孔質層１０４が金属パターン１０２の角部を覆う。
応力緩和構造１００２では、金属パターン１０２の角部を覆うように多孔質層１０４が設けられているため、封止樹脂１０６と金属パターン１０２との密着性が高まり、金属パターン１０２からの封止樹脂１０６の剥離が抑制される。応力緩和構造１００２は、金属パターン１０２に金メッキなど、封止樹脂１０６の接着性の悪いメッキが施されている場合に特に有効である。
＜Ｃ．実施の形態３＞
図３は、実施の形態３の応力緩和構造１００３を示す断面図である。応力緩和構造１００３は、多孔質層１０４の形成箇所のみが実施の形態１の応力緩和構造１００１と異なる。
図３は、実施の形態３の応力緩和構造１００３を示す断面図である。応力緩和構造１００３は、多孔質層１０４の形成箇所のみが実施の形態１の応力緩和構造１００１と異なる。
応力緩和構造１００３において、多孔質層１０４は電子基板１０１の外周部の上面上に設けられる。本明細書において電子基板１０１の外周部とは、電子基板１０１の端と金属パターン１０２との間の部分のことである。
電子基板１０１において、熱応力はその中心から端部にかけて大きくなるため、熱応力による電子基板１０１の変形量は端部において最も大きい。そのため、図３に示されるように、多孔質層１０４が電子基板１０１の外周部の上面上に設けられることによって、電子基板１０１と封止樹脂１０６との密着性が向上し、応力緩和構造１００３を備える電気機器の信頼性が向上する。
図３において、多孔質層１０４は電子基板１０１の外周部のうち端部よりも内側に設けられている。しかし、図４に示されるように、多孔質層１０４は電子基板１０１の端部の上面上に設けられてもよく、同様の効果を奏する。
＜Ｄ．実施の形態４＞
図５は、実施の形態４の応力緩和構造１００４を示す断面図である。応力緩和構造１００４は、多孔質層１０４の形成箇所のみが実施の形態３の応力緩和構造１００３と異なる。多孔質層１０４は、応力緩和構造１００３において電子基板１０１の外周部の上面上に設けられるが、応力緩和構造１００４においては電子基板１０１の外周部の表層に設けられる。
図５は、実施の形態４の応力緩和構造１００４を示す断面図である。応力緩和構造１００４は、多孔質層１０４の形成箇所のみが実施の形態３の応力緩和構造１００３と異なる。多孔質層１０４は、応力緩和構造１００３において電子基板１０１の外周部の上面上に設けられるが、応力緩和構造１００４においては電子基板１０１の外周部の表層に設けられる。
電子部品１０５を大きな電子基板１０１の金属パターン１０２上に実装するため、電子部品１０５をネジ留めや羽目合わせによって電子基板１０１に物理的に固定したり、フローおよびリフローはんだ付けもしくは作業者によるはんだごてを用いたはんだ付けにより電子基板１０１に固定することがある。前者の場合では、電子部品１０５が電子基板１０１の端に固定されることで、電子基板１０１に機械的な変形に伴う応力が発生する。後者の場合では、電子部品１０５内の熱応力差による変形が発生することで電子基板１０１の端にクラックが発生したり、封止樹脂１０６が電子基板１０１から剥離したりすることがある。
応力緩和構造１００５では、電子基板１０１の中でも変形量の大きい外周部の表層に多孔質層１０４が配置されるため、電子基板１０１自体が曲がりやすくなる他、電子基板１０１の外周部と中心部とで曲げ状態を変えることが可能である。従って、電子基板１０１の外周部においてクラックまたは封止樹脂１０６の剥離が生じたとしても、電子部品１０５の実装部または金属パターン１０２に及ぶ影響を少なくできる。電子基板１０１の外周部の表層における少なくとも１箇所以上に多孔質層１０４が設けられることにより、電子基板１０１の曲げ応力が緩和する。その結果、電子基板１０１のクラックまたは封止樹脂１０６の剥離という問題が解消される。
多孔質層１０４の形成自体は実施の形態１で説明した通りであるが、その前に多孔質層１０４を形成する穴を電子基板１０１の表層に形成する。穴は、ドリルまたはレーザーによる切削、もしくはエッチングなどの化学的な処理により形成される。穴の深さは、電子基板１０１の厚さに応じて可変であり、電子基板１０１を貫通してもよい。
図５において、多孔質層１０４は電子基板１０１の外周部のうち端部よりも内側の表層に設けられている。しかし、図６に示されるように、多孔質層１０４は電子基板１０１の端部の表層に設けられてもよく、同様の効果を奏する。
実施の形態１－４では、多孔質層１０４の様々な形成箇所を説明した。多孔質層１０４は、上記で説明した箇所の少なくともいずれかに設けられればよい。すなわち、多孔質層１０４は、金属パターン１０２の角、金属パターン１０２の角をレジスト１０３が覆う場合のレジスト１０３の角、電子基板１０１の外周部の表層、および電子基板１０１の外周部の上面上の少なくともいずれかに設けられる。これに加えて、実施の形態１－４の応力緩和構造１００１－１００４は、電子基板１０１と、電子基板１０１の上面上に形成された金属パターン１０２と、金属パターン１０２の上面上に形成された電子部品１０５と、電子基板１０１の上面、金属パターン１０２、および電子部品１０５を封止する封止樹脂１０６と、を備える。従って、実施の形態１－４の応力緩和構造１０１－１０４によれば、封止樹脂１０６と、電子基板１０１、金属パターン１０２、またはレジスト１０３との密着性を高めることができる。
＜Ｅ．実施の形態５＞
図７は、実施の形態５の応力緩和構造１００５を示す断面図である。応力緩和構造１００５は、電子基板１０１、金属パターン１０２、レジスト１０３、多孔質層１０４、電子部品１０５、およびキャップ１０７を備える。応力緩和構造１００５において、多孔質層１０４は電子基板１０１の外周部の表層の少なくとも一部に設けられる。
図７は、実施の形態５の応力緩和構造１００５を示す断面図である。応力緩和構造１００５は、電子基板１０１、金属パターン１０２、レジスト１０３、多孔質層１０４、電子部品１０５、およびキャップ１０７を備える。応力緩和構造１００５において、多孔質層１０４は電子基板１０１の外周部の表層の少なくとも一部に設けられる。
応力緩和構造１００５は、電子部品１０５が封止樹脂１０６ではなくキャップ１０７によって中空状態で封止される点で実施の形態４の応力緩和構造１００４と異なる。キャップ１０７は電子部品１０５の用途に応じて金属、セラミック、またはプラスチック製である。キャップ１０７は、接着剤によって電子基板１０１の外周部の上面に接着される接着面と、電子基板１０１に接着された状態で金属パターン１０２、レジスト１０３、および電子部品１０５を収納する内部空間とを備える。
応力緩和構造１００５において、多孔質層１０４は電子基板１０１の外周部の表層に設けられる。従って、電子基板１０１の応力が緩和される。多孔質層１０４の構造および材料は実施の形態１で説明した通りである。なお、多孔質層１０４に用いられる有機樹脂材料は、キャップ１０７と電子基板１０１とを接着する接着剤よりもヤング率が低いものとすることにより、より応力緩和効果が得られる。
また、多孔質層１０４は、キャップ１０７が電子基板１０１に接着された状態で、キャップ１０７の電子基板１０１に対する接着面と重なる位置に設けられる。すなわち、キャップ１０７は電子基板１０１に接着された状態で多孔質層１０４に接触する。これにより、キャップ１０７と電子基板１０１との接着強度が向上する。
また、多孔質層１０４により空気の通り道が確保される。電子部品１０５に用いられる電子基板材料は、通常の保管環境では空気中の水分を吸うことで吸湿する。中空構造のデバイスでは吸湿した電子部品１０５をそのままはんだ付けを行うと、はんだ付け時の熱によって電子部品１０５からキャップ１０７内に水分が蒸発し、キャップ１０７内の圧力が高まってキャップ１０７が外れるトラブルが起こり得る。しかし、多孔質層１０４により空気の通り道が確保されるため、上記のトラブルが抑制される。
図７において、多孔質層１０４は電子基板１０１の外周部のうち端部よりも内側の表層に設けられている。しかし、図８に示されるように、多孔質層１０４は電子基板１０１の端部の表層に設けられてもよく、同様の効果を奏する。
＜Ｆ．実施の形態６＞
図９は、実施の形態６の応力緩和構造１００６を示す断面図である。応力緩和構造１００６は、多孔質層１０４の形成箇所のみが実施の形態５の応力緩和構造１００５と異なる。多孔質層１０４は、応力緩和構造１００５では電子基板１０１の外周部の表層に形成されたが、応力緩和構造１００６ではキャップ１０７の電子基板１０１に対する接着面に設けられる。すなわち、キャップ１０７の電子基板１０１に対する接着面に凹部が設けられ、この凹部に多孔質層１０４が形成される。キャップ１０７が電子基板１０１に接着された状態で、多孔質層１０４は電子基板１０１の外周部の上面に接触する。
図９は、実施の形態６の応力緩和構造１００６を示す断面図である。応力緩和構造１００６は、多孔質層１０４の形成箇所のみが実施の形態５の応力緩和構造１００５と異なる。多孔質層１０４は、応力緩和構造１００５では電子基板１０１の外周部の表層に形成されたが、応力緩和構造１００６ではキャップ１０７の電子基板１０１に対する接着面に設けられる。すなわち、キャップ１０７の電子基板１０１に対する接着面に凹部が設けられ、この凹部に多孔質層１０４が形成される。キャップ１０７が電子基板１０１に接着された状態で、多孔質層１０４は電子基板１０１の外周部の上面に接触する。
多孔質層１０４の形成自体は実施の形態１で説明した通りであるが、その前に型抜きによりキャップ１０７の接着面に凹部を形成する。
キャップ１０７に設けられた多孔質層１０４は応力緩和に寄与しないが、水蒸気を排出することが可能である。そのため、キャップ１０７内の圧力が高まってキャップ１０７が外れるトラブルを抑制することができる。また、キャップ１０７はその材質によっては接着剤との相性が悪く、電子基板１０１から剥離しやすい場合がある。そのような場合でも、多孔質層１０４に接着性の良い材料を選択することによって、キャップ１０７と電子基板１０１との接着性を高めることができる。
＜Ｇ．実施の形態７＞
図１０は、実施の形態１０の応力緩和構造１００７を示す断面図である。応力緩和構造１００７は、実施の形態５の応力緩和構造１００５と実施の形態６の応力緩和構造１００６とを組み合わせた構造である。すなわち、応力緩和構造１００７は、電子基板１０１とキャップ１０７との接触領域において、電子基板１０１とキャップ１０７の両方に多孔質層１０４を備える。多孔質層１０４以外の応力緩和構造１００７の構成は、実施の形態５，６の応力緩和構造１００５，１００６と同様である。
図１０は、実施の形態１０の応力緩和構造１００７を示す断面図である。応力緩和構造１００７は、実施の形態５の応力緩和構造１００５と実施の形態６の応力緩和構造１００６とを組み合わせた構造である。すなわち、応力緩和構造１００７は、電子基板１０１とキャップ１０７との接触領域において、電子基板１０１とキャップ１０７の両方に多孔質層１０４を備える。多孔質層１０４以外の応力緩和構造１００７の構成は、実施の形態５，６の応力緩和構造１００５，１００６と同様である。
電子基板１０１に設けられる多孔質層１０４と、キャップ１０７に設けられる多孔質層１０４とで、材料および構造は同一でも異なっていてもよい。
応力緩和構造１００７は、電子基板１０１とキャップ１０７の両方に多孔質層１０４を備えるため、いずれか一方にのみ多孔質層１０４を備える実施の形態５，６の応力緩和構造１００５，１００６に比べて電子部品１０５を外気に近い環境に置くことができる。電子部品１０５に求められる気密性のレベル、または水蒸気によるキャップ１０７内の圧力の上昇程度に応じて、実施の形態５－７の応力緩和構造１００５－１００７を選択することにより、適切な製品設計が可能である。
すなわち、実施の形態５－７の応力緩和構造１００５－１００７を総合すると、応力緩和構造は、電子基板１０１と、電子基板１０１の上面上に形成された金属パターン１０２と、金属パターン１０２の上面上に形成された電子部品１０５と、接着剤により電子基板１０１の上面に接着される接着面を有し、金属パターン１０２および電子部品１０５を収納する内部空間を有するキャップ１０７と、電子基板１０１とキャップ１０７とが接着する領域において、電子基板１０１の表層およびキャップ１０７の表層の少なくともいずれか一方に設けられた多孔質層１０４と、を備える。多孔質層１０４は電子基板１０１の外周部の表層に設けられるため、電子基板１０１の応力が緩和される。また、キャップ１０７は電子基板１０１に接着された状態で多孔質層１０４に接触するため、キャップ１０７と電子基板１０１との接着強度が向上する。また、多孔質層１０４により空気の通り道が確保されるため、キャップ１０７内の圧力が高まってキャップ１０７が外れるトラブルが抑制される。
＜Ｈ．実施の形態８＞
図１１は、実施の形態８の応力緩和構造１００８を示す断面図である。応力緩和構造１００８は、電子基板１０１、金属パターン１０２、レジスト１０３および多孔質層１０４を備える。
図１１は、実施の形態８の応力緩和構造１００８を示す断面図である。応力緩和構造１００８は、電子基板１０１、金属パターン１０２、レジスト１０３および多孔質層１０４を備える。
実施の形態４の応力緩和構造１００４と異なり、応力緩和構造１００８は電子部品１０５および封止樹脂１０６を備えていない。
多孔質層１０４は、図１１においては電子基板１０１の外周部の表層に形成されているが、電子基板１０１の外周部の上面上に形成されていてもよい。
すなわち、実施の形態８の応力緩和構造１００８は、電子基板１０１と、電子基板１０１の上面上に形成された金属パターン１０２と、電子基板１０１の外周部の表層および電子基板１０１の外周部の上面上の少なくともいずれかに設けられる多孔質層１０４とを備える。
封止樹脂１０６による封止が行われない電子基板１０１であっても、電子基板１０１の外周部に多孔質層１０４が設けられることによって、金属パターン１０２上に電子部品を実装する際の熱応力による電子基板１０１の反りが緩和される。また、ねじ止めまたはカシメなどで電子基板１０１の外周部が物理的に固定される際に、電子基板１０１の応力が緩和される。
応力緩和構造１００８では、電子基板１０１の中でも変形量の大きい外周部の表層に多孔質層１０４が配置されるため、電子基板１０１自体が曲がりやすくなる他、電子基板１０１の外周部と中心部とで曲げ状態を変えることが可能である。従って、電子基板１０１の外周部においてクラックが生じたとしても、電子部品の実装部または金属パターン１０２に及ぶ影響を少なくできる。電子基板１０１の外周部の表層における少なくとも１箇所以上に多孔質層１０４が設けられることにより、電子基板１０１の曲げ応力が緩和する。その結果、電子基板１０１のクラックが抑制される。
電子基板１０１の外周部の表層に多孔質層１０４を形成する方法は、実施の形態１，４で説明した通りである。
なお、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。上記の説明は、すべての態様において、例示である。例示されていない無数の変形例が想定され得るものと解される。
１０１ 電子基板、１０２ 金属パターン、１０３ レジスト、１０４ 多孔質層、１０５ 電子部品、１０６ 封止樹脂、１０７ キャップ、１００１－１００８ 応力緩和構造。
Claims (5)
- 電子基板と、
前記電子基板の上面上に形成された金属パターンと、
前記金属パターンの上面上に形成された電子部品と、
前記金属パターンの角、前記金属パターンの角をレジストが覆う場合の前記レジストの角、前記電子基板の外周部の表層、および前記電子基板の外周部の上面上の少なくともいずれかに設けられる多孔質層と、
前記電子基板の上面、前記金属パターン、および前記電子部品を封止し、一部が前記多孔質層の細孔に入り込んだ封止樹脂と、を備え、
前記多孔質層は、エポキシ化合物またはアクリル化合物からなる樹脂材料を含む、
応力緩和構造。 - 電子基板と、
前記電子基板の上面上に形成された金属パターンと、
前記金属パターンの上面上に形成された電子部品と、
前記金属パターンの角、前記金属パターンの角をレジストが覆う場合の前記レジストの角、前記電子基板の外周部の表層、および前記電子基板の外周部の上面上の少なくともいずれかに設けられる多孔質層と、
前記電子基板の上面、前記金属パターン、および前記電子部品を封止する封止樹脂と、を備え、
前記多孔質層は、前記封止樹脂よりもヤング率が低い樹脂材料を含む、
応力緩和構造。 - 電子基板と、
前記電子基板の上面上に形成された金属パターンと、
前記金属パターンの上面上に形成された電子部品と、
接着剤により前記電子基板の上面に接着される接着面を有し、前記金属パターンおよび前記電子部品を収納する内部空間を有するキャップと、
前記電子基板と前記キャップとが接着する領域において、前記電子基板の表層および前記キャップの表層の少なくともいずれか一方に設けられた多孔質層と、を備え、
前記多孔質層は、前記接着剤よりもヤング率が低い樹脂材料を含む、
応力緩和構造。 - 前記多孔質層は、エポキシ化合物またはアクリル化合物からなる樹脂材料を含む、
請求項３に記載の応力緩和構造。 - 電子基板の上面上に、エポキシ化合物またはアクリル化合物からなる樹脂材料、硬化剤および孔形成材を含む混合物を塗布する工程と、
前記混合物を熱硬化した後、洗浄を行って前記孔形成材を除去することにより前記樹脂材料を含む多孔質層を形成する工程と、
前記多孔質層上に封止樹脂を形成し、前記多孔質層の細孔に前記封止樹脂を入り込ませる工程と、を備えた、
応力緩和構造の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2021/030314 WO2023021643A1 (ja) | 2021-08-19 | 2021-08-19 | 応力緩和構造 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP7118298B1 true JP7118298B1 (ja) | 2022-08-15 |
| JPWO2023021643A1 JPWO2023021643A1 (ja) | 2023-02-23 |
| JPWO2023021643A5 JPWO2023021643A5 (ja) | 2023-07-26 |
Family
ID=82847600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021576940A Active JP7118298B1 (ja) | 2021-08-19 | 2021-08-19 | 応力緩和構造および応力緩和構造の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240243023A1 (ja) |
| JP (1) | JP7118298B1 (ja) |
| CN (1) | CN117813682A (ja) |
| DE (1) | DE112021008123T5 (ja) |
| WO (1) | WO2023021643A1 (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085802A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-03-30 | Hitachi Cable Ltd | 配線基板及びそれを用いた電子装置及びその製造方法 |
| JP2006277954A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Jfe Steel Kk | 断路端子台 |
| JP2008277954A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Fujitsu Media Device Kk | パッケージデバイス |
| JP2016152386A (ja) * | 2015-02-19 | 2016-08-22 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板及びパワーモジュール |
| WO2018159696A1 (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-07 | 浩明 中弥 | 光熱変換基板を備えた熱電変換モジュール |
| JP2021077781A (ja) * | 2019-11-11 | 2021-05-20 | 株式会社ディスコ | チャックテーブルおよびチャックテーブルの製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008241641A (ja) | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | インターポーザおよびその製造方法 |
| JP6205914B2 (ja) | 2013-07-08 | 2017-10-04 | 三菱電機株式会社 | モジュール構造 |
-
2021
- 2021-08-19 WO PCT/JP2021/030314 patent/WO2023021643A1/ja active Application Filing
- 2021-08-19 DE DE112021008123.3T patent/DE112021008123T5/de active Pending
- 2021-08-19 JP JP2021576940A patent/JP7118298B1/ja active Active
- 2021-08-19 US US18/576,116 patent/US20240243023A1/en active Pending
- 2021-08-19 CN CN202180101444.2A patent/CN117813682A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085802A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-03-30 | Hitachi Cable Ltd | 配線基板及びそれを用いた電子装置及びその製造方法 |
| JP2006277954A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Jfe Steel Kk | 断路端子台 |
| JP2008277954A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Fujitsu Media Device Kk | パッケージデバイス |
| JP2016152386A (ja) * | 2015-02-19 | 2016-08-22 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板及びパワーモジュール |
| WO2018159696A1 (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-07 | 浩明 中弥 | 光熱変換基板を備えた熱電変換モジュール |
| JP2021077781A (ja) * | 2019-11-11 | 2021-05-20 | 株式会社ディスコ | チャックテーブルおよびチャックテーブルの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023021643A1 (ja) | 2023-02-23 |
| CN117813682A (zh) | 2024-04-02 |
| DE112021008123T5 (de) | 2024-05-29 |
| JPWO2023021643A1 (ja) | 2023-02-23 |
| US20240243023A1 (en) | 2024-07-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7741160B1 (en) | Structure and assembly procedure for low stress thin die flip chip packages designed for low-K Si and thin core substrate | |
| US6949404B1 (en) | Flip chip package with warpage control | |
| US20080123318A1 (en) | Multi-component electronic package with planarized embedded-components substrate | |
| JP2008172172A (ja) | 電子制御装置及びその製造方法 | |
| JPH08167678A (ja) | 半導体装置 | |
| JP7118298B1 (ja) | 応力緩和構造および応力緩和構造の製造方法 | |
| KR100608610B1 (ko) | 인쇄회로기판과, 그의 제조 방법 및 그를 이용한 반도체패키지 | |
| JP5556007B2 (ja) | 電子装置 | |
| JP5146358B2 (ja) | 電子装置 | |
| JP2005302835A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP4830861B2 (ja) | 接合構造体の製造方法 | |
| KR20030085449A (ko) | 개량된 플립 칩 패키지 | |
| KR100720918B1 (ko) | 이형복합 피씨비 제조방법과 그 피씨비 기판 | |
| JP2008277639A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2009231296A (ja) | 放熱型多穿孔半導体パッケージ | |
| JP3918303B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| US11570903B2 (en) | Process for conformal coating of multi-row surface-mount components in a lidless BGA package and product made thereby | |
| KR101375175B1 (ko) | 리드 프레임, 이의 제조 방법, 이를 이용한 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
| US7309447B2 (en) | Method for making a microelectronic package using pre-patterned, reusable mold and method for making the mold | |
| JP2010177303A (ja) | 半導体装置および半導体装置に用いられる樹脂基板の製造方法 | |
| JP2007227961A (ja) | 半導体搭載基板とそれを用いた半導体パッケージ並びにそれらの製造方法 | |
| US20080142953A1 (en) | Semiconductor device | |
| JP6602255B2 (ja) | 医療機器用電子基板 | |
| JP2021044363A (ja) | 半導体装置実装部品 | |
| KR0167280B1 (ko) | 볼그리드어레이 패키지 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211224 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211224 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20211224 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220125 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220308 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220614 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220623 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220705 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220802 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7118298 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |