JP7115783B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
また、本発明の目的は基板のプラズマ処理を均一に行うことができる基板処理装置を提供することにある。
210 ハウジング
212 処理空間
250 バッフル
400 プラズマ発生部
410 プラズマチャンバー
420 プラズマ発生空間
440 拡散チャンバー
442 拡散空間
700 拡散プレート
702 穴あけ
Claims (9)
- 基板処理装置であって、
基板に対する処理が遂行される処理空間を提供する工程処理部と、
プラズマを発生させるプラズマ発生部と、を含み、
前記プラズマ発生部は、
プラズマ発生空間を有するプラズマチャンバーと、
前記プラズマ発生空間に工程ガスを供給するガス供給ユニットと、
前記プラズマ発生空間で、前記工程ガスを励起してプラズマを発生させる電力印加ユニットと、
前記プラズマチャンバーの下に配置され、前記プラズマ発生空間で発生された前記プラズマ及び/又は前記のプラズマ発生空間に供給された工程ガスを前記処理空間に均一に伝達されるように拡散させる拡散空間を有する拡散チャンバーと、を含み、
拡散空間には、
少なくとも一つ以上の穴あけが形成された拡散プレートが配置され、
前記拡散チャンバーは、
前記プラズマチャンバーの底部に連結される連結部と、
前記連結部から延長され、下に行くほど、その直径が大きくなる拡散部と、を含み、
前記拡散プレートは、
前記連結部と前記拡散部との中で、拡散部に配置される基板処理装置。 - 前記拡散プレートは、
上部から見る時、その中央領域にはブロッキングプレート(Blocking Plate)で提供され、縁部領域には前記穴あけが形成される請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記穴あけは、
上部から見る時、前記穴あけに流れる前記工程ガス及び/又は前記のプラズマが前記中央領域から前記縁部領域に向かう方向に流れることができるように下方に傾くように拡散プレートに形成される請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記連結部は、
前記拡散部よりも小さい直径を有し、前記プラズマチャンバーと同一の直径を有する請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記拡散プレートは、
クォーツ、セラミックス、又はアルミニウムの中で少なくともいずれか一つを含む材質で提供される請求項1乃至請求項4のいずれかの一項に記載の基板処理装置。 - 前記穴あけは、
上部から見る時、円又はスリット形状を有する請求項1乃至請求項4のいずれかの一項に記載の基板処理装置。 - 前記工程処理部は、
前記処理空間を有するハウジングと、
前記拡散空間と前記処理空間との間に配置されるバッフルと、を含む請求項1乃至請求項4のいずれかの一項に記載の基板処理装置。 - 前記バッフルは、
その断面から見る時、中央領域の厚さが縁部領域の厚さよりも厚い形状を有する請求項7に記載の基板処理装置。 - 前記拡散チャンバーは、
クォーツを含む材質で提供される請求項1乃至請求項4のいずれかの一項に記載の基板処理装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2020-0038521 | 2020-03-30 | ||
KR20200038521 | 2020-03-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021163970A JP2021163970A (ja) | 2021-10-11 |
JP7115783B2 true JP7115783B2 (ja) | 2022-08-09 |
Family
ID=77856518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021045905A Active JP7115783B2 (ja) | 2020-03-30 | 2021-03-19 | 基板処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210305015A1 (ja) |
JP (1) | JP7115783B2 (ja) |
CN (1) | CN113471048B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN118136544A (zh) * | 2022-12-02 | 2024-06-04 | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种整流装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2021
- 2021-03-19 JP JP2021045905A patent/JP7115783B2/ja active Active
- 2021-03-25 US US17/213,065 patent/US20210305015A1/en not_active Abandoned
- 2021-03-29 CN CN202110333560.9A patent/CN113471048B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113471048B (zh) | 2024-03-15 |
US20210305015A1 (en) | 2021-09-30 |
CN113471048A (zh) | 2021-10-01 |
JP2021163970A (ja) | 2021-10-11 |
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