JP7114270B2 - タンデム処理領域を有するプラズマチャンバ - Google Patents
タンデム処理領域を有するプラズマチャンバ Download PDFInfo
- Publication number
- JP7114270B2 JP7114270B2 JP2018031629A JP2018031629A JP7114270B2 JP 7114270 B2 JP7114270 B2 JP 7114270B2 JP 2018031629 A JP2018031629 A JP 2018031629A JP 2018031629 A JP2018031629 A JP 2018031629A JP 7114270 B2 JP7114270 B2 JP 7114270B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- port
- vacuum
- side port
- processing region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
本明細書に記載の実施形態は、概して、プラズマ半導体基板処理システムに関する。より具体的には、実施形態は、2つの基板を同時に処理するためのタンデム処理領域を有するプラズマチャンバに関する。
半導体処理は、一般的に、材料の堆積と、基板からの材料の除去(「エッチング」)とを含む。タンデム処理領域を有するプラズマチャンバは、半導体処理において2つの基板の処理を同時に可能にするために使用される。プラズマチャンバは、少なくとも1つの基板を処理するための第1のチャンバ側と、第2の基板を処理するための第2のチャンバ側とを含む。チャンバ側はそれぞれ、処理領域内に配置された可動基板支持体を含む。各基板支持体は、処理領域内のプラズマ処理又は他の処理中に基板を支持する基板支持面を含む。基板支持体は、プラズマチャンバの底壁内に配置されたチャンバ側ポートを通って延びるステムを更に含む。
Claims (20)
- 基板を処理するための装置であって、
第1の処理領域を有する第1のチャンバ側と、第2の処理領域を有する第2のチャンバ側とを有するチャンバ本体であって、チャンバ本体は、
前壁、前壁に対向する後壁、及び前壁と後壁との間に接続された底壁と、
底壁を貫通して配置された第1のチャンバ側ポート及び第2のチャンバ側ポートと、
底壁を貫通して配置された真空ポートであって、底壁は、真空ポートの第1の部分を画定し、真空ポートは、処理領域の各々のための排気経路の少なくとも一部である真空ポートと、
前壁から延在し、真空ポートの第2の部分を画定する真空ハウジングとを含むチャンバ本体と、
第1の処理領域内に配置された第1の基板支持体、及び第1の基板支持体に結合され、第1のチャンバ側ポートを貫通して延在する第1のステムと、
第2の処理領域内に配置された第2の基板支持体、及び第2の基板支持体に結合され、第2のチャンバ側ポートを貫通して延在する第2のステムとを含む装置。 - チャンバ本体は、第1の処理領域と第2の処理領域との間に配置され、処理領域の各々に対して排気経路を仕切る隔壁を含み、隔壁の少なくとも一部は真空ハウジング内に配置されている、請求項1記載の装置。
- 第1の基板支持体は、第1のステムを貫通して延在する第1の長手軸を有し、第2の基板支持体は、第2のステムを貫通して延在する第2の長手軸を有し、真空ポートは、第1のチャンバ側ポートと第2のチャンバ側ポートとの間に配置され、第1のチャンバ側ポート及び第2のチャンバ側ポートは、第1のステムの第1の長手軸及び第2のステムの第2の長手軸を貫通して延在するx軸を有し、真空ポートは、前壁に向かって、第1のチャンバ側ポート及び第2のチャンバ側ポートのx軸の真下に配置されている、請求項1記載の装置。
- 前壁は、第1のチャンバ側の第1の処理領域への第1のサービスポートと、第2のチャンバ側の第2の処理領域への第2のサービスポートとを有し、真空ポートは、第1のサービスポートと第2のサービスポートとの間に配置され、前壁及び対向する後壁は、第1のサービスポートと第2のサービスポートとの間で平行である、請求項1記載の装置。
- 真空ハウジングは、開放位置と閉鎖位置との間で移動可能な蓋アセンブリを含む、請求項1記載の装置。
- 基板を処理するための装置であって、
隔壁によって隔てられた第1の処理領域及び第2の処理領域を有するチャンバ本体であって、チャンバ本体は、
第1及び第2の処理領域を境界付ける底壁と、
底壁を貫通して配置された第1の部分を有し、第1及び第2の処理領域に流体結合された真空ポートと、
底壁に接続された前壁と、
前壁に接続され、前壁から外方に延在する真空ハウジングであって、真空ポートの第2の部分が内部に形成されている真空ハウジングとを含むチャンバ本体を含む装置。 - 底壁は、真空ポートに隣接する周囲を有し、真空ポートは、底壁を貫通して延在する表面領域を有し、真空ポートの表面領域のうちの少なくとも50%は、真空ポートに隣接している底壁の周囲から外方へ延在している、請求項6記載の装置。
- チャンバ本体は、
前壁に対向し、基板を第1の処理領域内に装填するための第1の基板搬送ポートと、基板を第2の処理領域内に装填するための第2の基板搬送ポートとを有する後壁を含む、請求項6記載の装置。 - 真空ハウジングは、
開位置と閉位置との間で移動可能な蓋アセンブリを含む、請求項6記載の装置。 - 真空ハウジング及びチャンバ本体は、単一の塊の材料から製造される、請求項6記載の装置。
- 第1の長手軸は、底壁を貫通して配置された第1のチャンバ側ポートを貫通して延在し、第2の長手軸は、底壁を貫通して配置された第2のチャンバ側ポートを貫通して延在し、真空ポートは、第1のチャンバ側ポートと第2のチャンバ側ポートとの間に配置され、第1のチャンバ側ポート及び第2のチャンバ側ポートは、第1の長手軸及び第2の長手軸を貫通して延在するx軸を有し、真空ポートは、前壁に向かって、第1のチャンバ側ポート及び第2のチャンバ側ポートのx軸の真下に配置されている、請求項6記載の装置。
- 基板を処理するための装置であって、
第1の処理領域内で基板を支持するための第1の基板支持体及び第1の基板支持体に結合された第1のステムであって、第1の基板支持体は、第1のステムを貫通する第1の長手軸を有する第1の基板支持体及び第1のステムと、
第2の処理領域内で基板を支持するための第2の基板支持体及び第2の基板支持体に結合された第2のステムであって、第2の基板支持体は、第2のステムを貫通する第2の長手軸を有する第2の基板支持体及び第2のステムと、
第1の処理領域を含む第1のチャンバ側と、第2の処理領域を含む第2のチャンバ側とを有し、第1のチャンバ側のための第1の排気路と、第2のチャンバ側のための第2の排気路とを画定するチャンバ本体であって、
前壁と、
前壁に接続された底壁と、
底壁内に配置された第1のチャンバ側ポート及び第2のチャンバ側ポートであって、第1のステムは第1のチャンバ側ポートを貫通して延在し、第2のステムは第2のチャンバ側ポートを貫通して延在し、第1のチャンバ側ポート及び第2のチャンバ側ポートは、第1のステムの第1の長手軸及び第2のステムの第2の長手軸を貫通して延在するx軸を有する第1のチャンバ側ポート及び第2のチャンバ側ポートと、
底壁内に配置された真空ポートであって、真空ポートは、第1のチャンバ側ポートと第2のチャンバ側ポートとの間に配置され、真空ポートは、前壁に向かって、第1のチャンバ側ポートと第2のチャンバ側ポートのx軸の完全に下方に配置される真空ポートとを含み、
第1の排気経路は、第1の処理領域から真空ポートまで延在し、
第2の排気経路は、第2の処理領域から真空ポートまで延在し、
真空ポートは、真空ポート直径を含み、第1のチャンバ側ポート及び第2のチャンバ側ポートは、チャンバポート分離距離によって分離され、真空ポート直径は、チャンバポート分離距離よりも大きいチャンバ本体とを含む装置。 - 基板を処理するための装置であって、
第1の処理領域内で基板を支持するための第1の基板支持体及び第1の基板支持体に結合された第1のステムであって、第1の基板支持体は、第1のステムを貫通する第1の長手軸を有する第1の基板支持体及び第1のステムと、
第2の処理領域内で基板を支持するための第2の基板支持体及び第2の基板支持体に結合された第2のステムであって、第2の基板支持体は、第2のステムを貫通する第2の長手軸を有する第2の基板支持体及び第2のステムと、
第1の処理領域を含む第1のチャンバ側と、第2の処理領域を含む第2のチャンバ側とを有し、第1のチャンバ側のための第1の排気路と、第2のチャンバ側のための第2の排気路とを画定するチャンバ本体であって、
前壁と、
前壁に接続された底壁と、
底壁内に配置された第1のチャンバ側ポート及び第2のチャンバ側ポートであって、第1のステムは第1のチャンバ側ポートを貫通して延在し、第2のステムは第2のチャンバ側ポートを貫通して延在し、第1のチャンバ側ポート及び第2のチャンバ側ポートは、第1のステムの第1の長手軸及び第2のステムの第2の長手軸を貫通して延在するx軸を有する第1のチャンバ側ポート及び第2のチャンバ側ポートと、
底壁内に配置された真空ポートであって、真空ポートは、第1のチャンバ側ポートと第2のチャンバ側ポートとの間に配置され、真空ポートは、前壁に向かって、第1のチャンバ側ポートと第2のチャンバ側ポートのx軸の完全に下方に配置される真空ポートとを含み、
第1の排気経路は、第1の処理領域から真空ポートまで延在し、
第2の排気経路は、第2の処理領域から真空ポートまで延在し、
前壁に対向する後壁を含み、第1のチャンバ側ポートは、前壁よりも後壁に近いチャンバ本体とを含む装置。 - 第1のチャンバ側ポート及び第2のチャンバ側ポートは、前壁と後壁との間で非対称に位置合わせされ、x軸は、前壁及び後壁に平行である、請求項13記載の装置。
- 底壁は、真空ポートに隣接する周囲を有し、真空ポートは、底壁を貫通して延在する表面領域を有し、真空ポートの表面領域のうちの少なくとも50%は、真空ポートに隣接している底壁の周囲から外方へ延在している、請求項1記載の装置。
- チャンバ本体は、
基板を第1の処理領域内に装填するための第1の基板搬送ポートと、基板を第2の処理領域内に装填するための第2の基板搬送ポートとを有する、請求項1記載の装置。 - 隔壁は真空ハウジング内に延在する、請求項6記載の装置。
- 真空ハウジングはチャンバ本体から取り外し可能である、請求項6記載の装置。
- チャンバ本体は、
前壁に対向し、基板を第1の処理領域内に装填するための第1の基板搬送ポートと、基板を第2の処理領域内に装填するための第2の基板搬送ポートとを有する後壁を含む、請求項12記載の装置。 - チャンバ本体は、
前壁に対向し、基板を第1の処理領域内に装填するための第1の基板搬送ポートと、基板を第2の処理領域内に装填するための第2の基板搬送ポートとを有する後壁を含む、請求項13記載の装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022119209A JP7467541B2 (ja) | 2017-03-08 | 2022-07-27 | タンデム処理領域を有するプラズマチャンバ |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/453,868 | 2017-03-08 | ||
US15/453,868 US10381200B2 (en) | 2017-03-08 | 2017-03-08 | Plasma chamber with tandem processing regions |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022119209A Division JP7467541B2 (ja) | 2017-03-08 | 2022-07-27 | タンデム処理領域を有するプラズマチャンバ |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018148207A JP2018148207A (ja) | 2018-09-20 |
JP2018148207A5 JP2018148207A5 (ja) | 2021-04-01 |
JP7114270B2 true JP7114270B2 (ja) | 2022-08-08 |
Family
ID=63445052
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018031629A Active JP7114270B2 (ja) | 2017-03-08 | 2018-02-26 | タンデム処理領域を有するプラズマチャンバ |
JP2022119209A Active JP7467541B2 (ja) | 2017-03-08 | 2022-07-27 | タンデム処理領域を有するプラズマチャンバ |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022119209A Active JP7467541B2 (ja) | 2017-03-08 | 2022-07-27 | タンデム処理領域を有するプラズマチャンバ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10381200B2 (ja) |
JP (2) | JP7114270B2 (ja) |
KR (2) | KR102576615B1 (ja) |
CN (3) | CN209298062U (ja) |
TW (2) | TWI796030B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102477302B1 (ko) | 2015-10-05 | 2022-12-13 | 주성엔지니어링(주) | 배기가스 분해기를 가지는 기판처리장치 및 그 배기가스 처리방법 |
US10381200B2 (en) * | 2017-03-08 | 2019-08-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber with tandem processing regions |
US11629409B2 (en) * | 2019-05-28 | 2023-04-18 | Applied Materials, Inc. | Inline microwave batch degas chamber |
CN112216586B (zh) * | 2019-07-12 | 2023-03-10 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 实现均匀排气的双工位处理器及等离子体处理设备 |
JP7407645B2 (ja) * | 2020-04-03 | 2024-01-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030176074A1 (en) | 2002-03-18 | 2003-09-18 | Applied Materials, Inc. | Tandem etch chamber plasma processing system |
US20050247265A1 (en) | 2004-04-21 | 2005-11-10 | Devine Daniel J | Multi-workpiece processing chamber |
US20080069668A1 (en) | 2006-09-18 | 2008-03-20 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus |
JP2009004729A (ja) | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc Asia | 多数の処理ステーションを含む結合を除くリアクティブイオンエッチングチャンバ |
JP2011518444A (ja) | 2008-04-22 | 2011-06-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | エキシマ硬化処理のための方法および装置 |
JP2018088339A (ja) | 2016-11-29 | 2018-06-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6152070A (en) | 1996-11-18 | 2000-11-28 | Applied Materials, Inc. | Tandem process chamber |
TW588401B (en) | 2000-11-01 | 2004-05-21 | Applied Materials Inc | Method of plasma etching features on a dielectric layer on a substrate |
US8366829B2 (en) | 2005-08-05 | 2013-02-05 | Advanced Micro-Fabrication Equipment, Inc. Asia | Multi-station decoupled reactive ion etch chamber |
US20090206056A1 (en) | 2008-02-14 | 2009-08-20 | Songlin Xu | Method and Apparatus for Plasma Process Performance Matching in Multiple Wafer Chambers |
JP5768713B2 (ja) * | 2008-07-23 | 2015-08-26 | ニュー パワー プラズマ カンパニー,リミティッド | 多重基板処理チャンバー及びこれを含む基板処理システム |
US8617347B2 (en) | 2009-08-06 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Vacuum processing chambers incorporating a moveable flow equalizer |
US8911553B2 (en) * | 2010-10-19 | 2014-12-16 | Applied Materials, Inc. | Quartz showerhead for nanocure UV chamber |
US9490152B2 (en) | 2012-05-29 | 2016-11-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Asymmetrical chamber configuration |
US11333246B2 (en) | 2015-01-26 | 2022-05-17 | Applied Materials, Inc. | Chamber body design architecture for next generation advanced plasma technology |
US10381200B2 (en) * | 2017-03-08 | 2019-08-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber with tandem processing regions |
-
2017
- 2017-03-08 US US15/453,868 patent/US10381200B2/en active Active
-
2018
- 2018-02-26 JP JP2018031629A patent/JP7114270B2/ja active Active
- 2018-03-07 KR KR1020180027064A patent/KR102576615B1/ko active IP Right Grant
- 2018-03-08 CN CN201820319046.3U patent/CN209298062U/zh active Active
- 2018-03-08 TW TW110145451A patent/TWI796030B/zh active
- 2018-03-08 TW TW107107829A patent/TWI749184B/zh active
- 2018-03-08 CN CN202310106533.7A patent/CN115863136A/zh active Pending
- 2018-03-08 CN CN201810191162.6A patent/CN108573849B/zh active Active
-
2019
- 2019-07-15 US US16/511,789 patent/US10847351B2/en active Active
-
2022
- 2022-07-27 JP JP2022119209A patent/JP7467541B2/ja active Active
-
2023
- 2023-09-04 KR KR1020230116835A patent/KR20230129366A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030176074A1 (en) | 2002-03-18 | 2003-09-18 | Applied Materials, Inc. | Tandem etch chamber plasma processing system |
US20050247265A1 (en) | 2004-04-21 | 2005-11-10 | Devine Daniel J | Multi-workpiece processing chamber |
US20080069668A1 (en) | 2006-09-18 | 2008-03-20 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus |
JP2009004729A (ja) | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc Asia | 多数の処理ステーションを含む結合を除くリアクティブイオンエッチングチャンバ |
JP2011518444A (ja) | 2008-04-22 | 2011-06-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | エキシマ硬化処理のための方法および装置 |
JP2018088339A (ja) | 2016-11-29 | 2018-06-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022169524A (ja) | 2022-11-09 |
TWI749184B (zh) | 2021-12-11 |
JP2018148207A (ja) | 2018-09-20 |
CN108573849A (zh) | 2018-09-25 |
CN108573849B (zh) | 2023-02-28 |
CN209298062U (zh) | 2019-08-23 |
US20180261436A1 (en) | 2018-09-13 |
TW202213509A (zh) | 2022-04-01 |
KR20180103012A (ko) | 2018-09-18 |
JP7467541B2 (ja) | 2024-04-15 |
TW201834550A (zh) | 2018-09-16 |
KR102576615B1 (ko) | 2023-09-07 |
US10847351B2 (en) | 2020-11-24 |
KR20230129366A (ko) | 2023-09-08 |
US10381200B2 (en) | 2019-08-13 |
CN115863136A (zh) | 2023-03-28 |
TWI796030B (zh) | 2023-03-11 |
US20190341236A1 (en) | 2019-11-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7114270B2 (ja) | タンデム処理領域を有するプラズマチャンバ | |
KR102423749B1 (ko) | 대칭적인 플라즈마 프로세스 챔버 | |
EP0898299B1 (en) | Compartmentalized substrate processing chamber | |
KR102586611B1 (ko) | 다중 압력 방식들을 위한 동심 펌핑을 갖는 장치 | |
US20220213959A1 (en) | Chamber body design architecture for next generation advanced plasma technology | |
KR20230024400A (ko) | 고온 화학 기상 증착 덮개 | |
US20160326648A1 (en) | Apparatus for selectively sealing a gas feedthrough | |
KR20100108364A (ko) | 이송 모듈 상의 하나의 단일한 면을 사용하는 엇갈린 이중 처리 챔버 | |
KR100683255B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 배기 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210219 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220202 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220428 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220526 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220629 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220727 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7114270 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |